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OLED像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):12307337閱讀:4699來源:國知局
OLED像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種oled像素驅(qū)動(dòng)電路。



背景技術(shù):

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

如圖1a所示,其為現(xiàn)有oled的2t1c(2transistor1capacitance,2晶體管1電容)像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖,包括第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2、電容cst、及有機(jī)發(fā)光二極管oled;第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接第二薄膜晶體管t2的源極,源極接入電源正電壓ovdd,漏極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管d1的陽極;第二薄膜晶體管t2的柵極接入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)gate,漏極接入數(shù)據(jù)信號(hào)data,源極電性連接第一薄膜晶體管t1的柵極;電容cst的一端電性連接第一薄膜晶體管t1的柵極,另一端電性連接于第一薄膜晶體管t1的源極;有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極電性連接第一薄膜晶體管t1的漏極,陰極接入電源負(fù)電壓ovss。

根據(jù)晶體管i-v方程:

ids,sat=k·(vgs-vth,t2)2=k·(vg-vs-vth,t2)2(1)

其中k為本征導(dǎo)電因子,ids,sat的大小與驅(qū)動(dòng)tft(drivingtft)(t2)的閾值電壓vth有關(guān)。

由于面板制程的不穩(wěn)定性等原因,使得面板內(nèi)每個(gè)子像素(sub-pixel)的驅(qū)動(dòng)tft(drivingtft)的閾值電壓vth會(huì)有差別。因此,即使數(shù)據(jù)電壓(vdata)相等的施加到各像素的驅(qū)動(dòng)tft,也會(huì)出現(xiàn)流入有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的電流不一致的情況,導(dǎo)致顯示圖像質(zhì)量的均一性難以實(shí)現(xiàn)。

另外,隨著驅(qū)動(dòng)tft驅(qū)動(dòng)時(shí)間的推移,會(huì)造成tft材料老化、變異,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth會(huì)漂移等問題。并且板內(nèi)tft材料的老化程度不同,導(dǎo)致面板內(nèi)各驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth漂移量不同,也會(huì)造成面板顯示的不均勻現(xiàn)象,并且隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間的推移,tft材料的老化變得更嚴(yán)重。即使驅(qū)動(dòng)電壓相同,流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流也很可能不同,造成亮度不均勻。加之發(fā)光晶體管器件的老化,會(huì)使發(fā)光晶體管的開啟電壓上升,流入有機(jī)發(fā)光二極管的電流逐漸減小,導(dǎo)致面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

如圖1a所示現(xiàn)有的oled2t1c驅(qū)動(dòng)電路中ids,sat的大小與驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth有關(guān),此驅(qū)動(dòng)電路會(huì)造成面板顯示的不均勻現(xiàn)象。

圖1b為現(xiàn)有oled的8t1c像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路示意圖,包括8個(gè)tft,t1~t8,1個(gè)電容c,以及oled;圖1c為圖1b所示電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖。上述8t1c內(nèi)部補(bǔ)償架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動(dòng)tft的vth,但所用8t1c的架構(gòu)tft的數(shù)量較多,會(huì)導(dǎo)致面板的開口率下降,顯示亮度降低,且較多的tft也會(huì)產(chǎn)生其他寄生電容等問題;另一方面,此內(nèi)部補(bǔ)架構(gòu)需要兩個(gè)額外電源(vref,vini)。

圖1d為現(xiàn)有oled的7t1c像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路示意圖,包括7個(gè)tft,t1~t7,1個(gè)電容cst,以及oled;圖1e為圖1d所示電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖。上述7t1c內(nèi)部補(bǔ)償架構(gòu)雖然可以消除驅(qū)動(dòng)tft的vth,但所用7t1c的架構(gòu)tft的數(shù)量較多,會(huì)導(dǎo)致面板的開口率下降,顯示亮度降低,且較多的tft也會(huì)產(chǎn)生其他寄生電容等問題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

因此,本發(fā)明的目的在于提供一種6t1c的oled像素驅(qū)動(dòng)電路,消除oled驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth對(duì)發(fā)光二極管的影響。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種oled像素驅(qū)動(dòng)電路,包括:

第一薄膜晶體管,其柵極連接第一節(jié)點(diǎn),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第二薄膜晶體管,其柵極連接第一掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第三薄膜晶體管,其柵極連接第一掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)電壓;

第四薄膜晶體管,其柵極連接第二掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和地;

第五薄膜晶體管,其柵極連接第三掃描信號(hào),源極和漏極分別連接電源正電壓和第二節(jié)點(diǎn);

第六薄膜晶體管,其柵極連接第三掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管的陽極;

有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接電源負(fù)電壓;

電容,其一端連接第一節(jié)點(diǎn),另一端連接電源正電壓;

該第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)及第三掃描信號(hào)的時(shí)序配置為使該oled像素驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)包括三個(gè)階段:

在第一階段控制該第四薄膜晶體管打開,初始化該第一節(jié)點(diǎn)的電位至固定電位;

在第二階段提升該第一節(jié)點(diǎn)的電位,直至該第一節(jié)點(diǎn)的電位=數(shù)據(jù)電壓-該第一薄膜晶體管的閾值電壓;

在第三階段該有機(jī)發(fā)光二極管開始發(fā)光顯示。

其中,在第一階段,該第一掃描信號(hào)為高電位,第二掃描信號(hào)為低電位,第三掃描信號(hào)為高電位,該固定電位為地。

其中,在第二階段,該第一掃描信號(hào)為低電位,第二掃描信號(hào)為高電位,第三掃描信號(hào)為高電位。

其中,在第三階段,該第一掃描信號(hào)為高電位,第二掃描信號(hào)為高電位,第三掃描信號(hào)為低電位。

本發(fā)明還提供了一種oled像素驅(qū)動(dòng)電路,包括:

第一薄膜晶體管,其柵極連接第一節(jié)點(diǎn),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第二薄膜晶體管,其柵極連接第一掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第三薄膜晶體管,其柵極連接第二掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)電壓;

第四薄膜晶體管,其柵極連接第一掃描信號(hào),源極和漏極分別連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極和地;

第五薄膜晶體管,其柵極連接第三掃描信號(hào),源極和漏極分別連接電源正電壓和第二節(jié)點(diǎn);

第六薄膜晶體管,其柵極連接第四掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管的陽極;

有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接電源負(fù)電壓;

電容,其一端連接第一節(jié)點(diǎn),另一端連接電源正電壓;

該第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)及第四掃描信號(hào)的時(shí)序配置為使該oled像素驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)包括三個(gè)階段:

在第一階段控制該第四薄膜晶體管打開,初始化該第一節(jié)點(diǎn)的電位至固定電位;

在第二階段提升該第一節(jié)點(diǎn)(g)的電位,直至該第一節(jié)點(diǎn)的電位=數(shù)據(jù)電壓-該第一薄膜晶體管的閾值電壓;

在第三階段該有機(jī)發(fā)光二極管開始發(fā)光顯示。

其中,在第一階段,該第一掃描信號(hào)為低電位,第二掃描信號(hào)為高電位,第三掃描信號(hào)為高電位,第四掃描信號(hào)為低電位,該固定電位為地。

其中,在第二階段,該第一掃描信號(hào)為低電位,第二掃描信號(hào)為低電位,第三掃描信號(hào)為高電位,第四掃描信號(hào)為高電位。

其中,在第三階段,該第一掃描信號(hào)為高電位,第二掃描信號(hào)為高電位,第三掃描信號(hào)為低電位,第四掃描信號(hào)為低電位。

本發(fā)明還提供了一種oled像素驅(qū)動(dòng)電路,包括:

第一薄膜晶體管,其柵極連接第一節(jié)點(diǎn),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第二薄膜晶體管,其柵極連接第一掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn);

第三薄膜晶體管,其柵極連接第二掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)電壓;

第四薄膜晶體管,其柵極連接第三掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn);

第五薄膜晶體管,其柵極連接第四掃描信號(hào),源極和漏極分別連接電源正電壓和第二節(jié)點(diǎn);

第六薄膜晶體管,其柵極連接第四掃描信號(hào),源極和漏極分別連接第三節(jié)點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管的陽極;

有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接電源負(fù)電壓;

電容,其一端連接第一節(jié)點(diǎn),另一端連接電源正電壓;

該第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)及第四掃描信號(hào)的時(shí)序配置為使該oled像素驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)包括三個(gè)階段:

在第一階段控制該第四薄膜晶體管打開,初始化該第一節(jié)點(diǎn)的電位至固定電位;

在第二階段提升該第一節(jié)點(diǎn)的電位,直至該第一節(jié)點(diǎn)的電位=數(shù)據(jù)電壓-該第一薄膜晶體管的閾值電壓;

在第三階段該有機(jī)發(fā)光二極管開始發(fā)光顯示。

其中,在第一階段,該第一掃描信號(hào)為高電位,第二掃描信號(hào)為低電位,第三掃描信號(hào)為低電位,第四掃描信號(hào)為高電位;該數(shù)據(jù)電壓為固定值,該固定電位為該固定值。

其中,在第二階段,該第一掃描信號(hào)為低電位,第二掃描信號(hào)為低電位,第三掃描信號(hào)為高電位,第四掃描信號(hào)為高電位.

其中,在第三階段,該第一掃描信號(hào)為高電位,第二掃描信號(hào)為高電位,第三掃描信號(hào)為高電位,第四掃描信號(hào)為低電位。

綜上,本發(fā)明的oled像素驅(qū)動(dòng)電路使用較少的tft數(shù)量(6個(gè)),多種實(shí)施方式消除oled驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth對(duì)發(fā)光二極管的影響,提高面板顯示均勻性,且使面板不會(huì)隨oled器件的老化而出現(xiàn)面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖,通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述,將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中,

圖1a為現(xiàn)有oled的2t1c像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖;

圖1b為現(xiàn)有oled的8t1c像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路示意圖;

圖1c為圖1b所示電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖;

圖1d為現(xiàn)有oled的7t1c像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路示意圖;

圖1e為圖1d所示電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖;

圖2為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第一較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖;

圖3a為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第一較佳實(shí)施例電位初始化階段電路狀態(tài)圖示意圖;

圖3b為第一較佳實(shí)施例電位初始化階段電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖;

圖4a為第一較佳實(shí)施例vdata-vth存儲(chǔ)階段電路狀態(tài)圖;

圖4b為第一較佳實(shí)施例vdata-vth存儲(chǔ)階段電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖;

圖5a為第一較佳實(shí)施例發(fā)光顯示階段電路狀態(tài)圖;

圖5b為第一較佳實(shí)施例發(fā)光顯示階段電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖;

圖6為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第二較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖;

圖7為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第三較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖。

具體實(shí)施方式

參見圖2,其為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第一較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖。由于薄膜晶體管的源極和漏極的特性,下面在描述本發(fā)明結(jié)構(gòu)時(shí)一般不加以具體區(qū)分。本發(fā)明的oled像素驅(qū)動(dòng)電路主要包括:薄膜晶體管t1,其柵極連接節(jié)點(diǎn)g,源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)s和節(jié)點(diǎn)d,t1在此電路中作為驅(qū)動(dòng)tft存在;薄膜晶體管t2,其柵極連接掃描信號(hào)scan1,源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)g和節(jié)點(diǎn)d;薄膜晶體管t3,其柵極連接掃描信號(hào)scan1,源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)s和數(shù)據(jù)電壓vdata;薄膜晶體管t4,其柵極連接掃描信號(hào)scan2,源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)g和地gnd;薄膜晶體管t5,其柵極連接掃描信號(hào)scan3,源極和漏極分別連接電源正電壓ovdd和節(jié)點(diǎn)s;薄膜晶體管t6,其柵極連接掃描信號(hào)scan3,源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)d和有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極;有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極連接電源負(fù)電壓ovss;電容c1,其一端連接節(jié)點(diǎn)g,另一端連接電源正電壓ovdd;掃描信號(hào)的時(shí)序配置為使該oled像素驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)包括三個(gè)階段:分別為電位初始化階段,vdata-vth存儲(chǔ)階段,二極管發(fā)光顯示階段。在第一階段控制薄膜晶體管t4打開,初始化該節(jié)點(diǎn)g的電位vg至固定電位;在第二階段提升該節(jié)點(diǎn)g的電位vg,直至vg=數(shù)據(jù)電壓vdata-該薄膜晶體管t1的閾值電壓;在第三階段該有機(jī)發(fā)光二極管oled開始發(fā)光顯示。電路消除了vth對(duì)發(fā)光二極管的影響,提高面板顯示均勻性。

下面結(jié)合圖3a~圖5b,具體說明第一較佳實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)過程。

第一階段:電位初始化階段

如圖3a和圖3b所示,scan1,scan3為高電位,t2,t3,t5,t6關(guān)閉;scan2為低電位,t4開啟;

t4開啟,g點(diǎn)電位通過t4放電,初始化vg至固定電位,從而vg=gnd;

此階段完成g點(diǎn)電位的初始化,t6關(guān)閉,發(fā)光二極管不發(fā)光。

第二階段:vdata-vth存儲(chǔ)階段

如圖4a和圖4b所示,scan2,scan3為高電位,t4,t5,t6關(guān)閉;scan1為低電位,t2、t3開啟;

t5關(guān)閉,t3開啟,s點(diǎn)的電位vs=vdata;t2開啟,t4,t6關(guān)閉,g點(diǎn)電位通過t2、t1、t3進(jìn)行充電,直到s點(diǎn)與g點(diǎn)的之間的夾壓為驅(qū)動(dòng)tft(t1)的閾值電壓vth時(shí)截止,即vs-vg=vth,其中vs=vdata,則有vg=vdata-vth。此階段完成g點(diǎn)電位vdata–vth的存儲(chǔ),t6關(guān)閉,發(fā)光二極管不發(fā)光。

第三階段:發(fā)光顯示階段

如圖5a和圖5b所示,scan1、scan2為高電位,t2、t3、t4關(guān)閉;scan3為低電位,t5、t6開啟;

t2、t4關(guān)閉,g點(diǎn)電位保持vg=vdata–vth不變;t3關(guān)閉,t5開啟,s點(diǎn)電位vs=ovdd;s點(diǎn)與g點(diǎn)之間的夾壓此時(shí)變?yōu)関sg=vs–vg=ovdd–(vdata–vth)=ovdd–vdata+vth;根據(jù)晶體管i-v曲線方程i=k(vsg–vth)2=k(ovdd–vdata)2可知電流與驅(qū)動(dòng)tft(t1)的閾值電壓vth無關(guān),消除了閾值電壓vth對(duì)發(fā)光二極管的影響,可提高面板顯示的均勻性,提高發(fā)光效率。

本發(fā)明所提出的6t1c的oled像素驅(qū)動(dòng)電路,用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管。當(dāng)oled退化(degradation)時(shí),vsg不會(huì)改變,面板顯示亮度不受oled退化影響,無需額外的電源,較少的信號(hào)控制線及較簡單的時(shí)序控制。

參見圖6,其為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第二較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖。第二較佳實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路與第一較佳實(shí)施例相比,雖然改變了t4的位置,但是t4的開關(guān)狀態(tài)還是控制了是否初始化節(jié)點(diǎn)g的電位vg至固定電位。

第二較佳實(shí)施例中,在第一階段t2,t4,t6打開,g點(diǎn)通過t2,t4,t6放電,初始化vg至固定電位,從而vg=gnd,且voled=gnd,二極管不發(fā)光。

第二較佳實(shí)施例的第二階段和第三階段與第一較佳實(shí)施例中的原理相同。

參見圖7,其為本發(fā)明oled像素驅(qū)動(dòng)電路第三較佳實(shí)施例的電路及時(shí)序示意圖。第三較佳實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路與第一較佳實(shí)施例相比,雖然改變了t4的位置,但是t4的開關(guān)狀態(tài)還是控制了是否初始化節(jié)點(diǎn)g的電位vg至固定電位。

第三較佳實(shí)施例種,在第一階段t3,t4打開,g點(diǎn)通過t4,t3充放電,初始化vg至固定電位,從而vg=vini,此階段數(shù)據(jù)線(dataline)輸出固定電壓vini,也就是在第一階段vdata=固定電壓vini。

第三較佳實(shí)施例的第二階段和第三階段與第一較佳實(shí)施例中的原理相同。

本發(fā)明在此提出三種實(shí)施例,三種實(shí)施例都有三個(gè)階段,不同點(diǎn)在于t4的位置,通過更改t4的位置就可以實(shí)現(xiàn)多種方式消除vth,但t4的目的都是為了初始化g點(diǎn)的電位。

本發(fā)明的oled像素驅(qū)動(dòng)電路使用較少的tft數(shù)量(6個(gè)),能夠消除vth對(duì)發(fā)光二極管的影響,提高面板顯示均勻性,提高發(fā)光效率;只需要更改t4的位置就可以實(shí)現(xiàn)多種方式消除vth,實(shí)現(xiàn)過程原理基本相同;采用較簡單的時(shí)序控制信號(hào)。

綜上,本發(fā)明的oled像素驅(qū)動(dòng)電路使用較少的tft數(shù)量(6個(gè)),多種實(shí)施方式消除oled驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)tft的閾值電壓vth對(duì)發(fā)光二極管的影響,提高面板顯示均勻性,且使面板不會(huì)隨oled器件的老化而出現(xiàn)面板亮度降低、發(fā)光效率下降等問題。

以上所述,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

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