本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

由于液晶顯示屏器件中某些像素點(diǎn)內(nèi)的薄膜晶體管本身具有不穩(wěn)定性，閾值電壓負(fù)漂嚴(yán)重，在接收到關(guān)閉電壓時(shí)未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流，使周?chē)袼貑卧男盘?hào)進(jìn)入到此像素單元中，導(dǎo)致屏幕畫(huà)面有云紋(mura)產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置，可以自動(dòng)控制向柵極輸出相應(yīng)的關(guān)閉電壓，以解決液晶顯示屏中某些像素點(diǎn)內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時(shí)未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流的問(wèn)題，有效改善顯示畫(huà)面的顯示質(zhì)量。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種可調(diào)節(jié)關(guān)閉電壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括：信號(hào)輸出單元和信號(hào)檢測(cè)單元；

所述信號(hào)輸出單元用于向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；

所述信號(hào)檢測(cè)單元與對(duì)應(yīng)的所述像素單元內(nèi)的所述薄膜晶體管的漏極連接，用于在所述信號(hào)輸出單元向?qū)?yīng)的所述像素單元內(nèi)的所述薄膜晶體管的柵極輸出所述關(guān)閉電壓時(shí)，檢測(cè)對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)，并在檢測(cè)出有所述電流信號(hào)時(shí)，向所述信號(hào)輸出單元發(fā)送反饋控制信號(hào)，以供所述信號(hào)輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)整所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時(shí)，所述信號(hào)輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)低輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時(shí)，所述信號(hào)輸出單元包括：第一信號(hào)接收模塊、第一控制模塊和第一電壓輸出模塊；所述第一信號(hào)接收模塊用于接收所述信號(hào)檢測(cè)單元發(fā)送的所述反饋控制信號(hào)；所述第一控制模塊用于在所述第一信號(hào)接收模塊接收到所述反饋控制信號(hào)時(shí)控制所述第一電壓輸出模塊將待輸出的所述關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值；所述第一電壓輸出模塊用于輸出所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時(shí)，所述信號(hào)輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)高輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時(shí)，所述信號(hào)輸出單元包括：第二信號(hào)接收模塊、第二控制模塊和第二電壓輸出模塊；所述第二信號(hào)接收模塊用于接收所述信號(hào)檢測(cè)單元發(fā)送的所述反饋控制信號(hào)；所述第二控制模塊用于在所述第二信號(hào)接收模塊接收到所述反饋控制信號(hào)時(shí)控制所述第二電壓輸出模塊將待輸出的所述關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值；所述第二電壓輸出模塊用于輸出所述關(guān)閉電壓。

可選的，所述信號(hào)輸出單元為柵極陣列行驅(qū)動(dòng)單元或柵極驅(qū)動(dòng)芯片。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路采用上述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)方法，包括:

向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；檢測(cè)對(duì)應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)，并在檢測(cè)出存在所述電流信號(hào)時(shí)，發(fā)送反饋控制信號(hào)；根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)整所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時(shí)，根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)整所述柵極電路電壓的步驟包括：根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)低輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時(shí)，根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)整所述柵極電路電壓的步驟包括：根據(jù)所述反饋控制信號(hào)調(diào)高輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

本發(fā)明具有以下有益效果：該發(fā)明提出了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置，通過(guò)在信號(hào)輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時(shí)，信號(hào)檢測(cè)單元檢測(cè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)，并在檢測(cè)出存在電流信號(hào)時(shí)，向信號(hào)輸出單元發(fā)送反饋控制信號(hào)，以供信號(hào)輸出單元根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)整關(guān)閉電壓，從而可有效防止薄膜晶體管的漏電流的產(chǎn)生，進(jìn)而能有效改善顯示面板的顯示質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路、柵極驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖，如圖1所示，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括：信號(hào)輸出單元1和信號(hào)檢測(cè)單元2。

信號(hào)輸出單元1與對(duì)應(yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極連接，向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；信號(hào)檢測(cè)單元2與對(duì)應(yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的漏極連接，用于在信號(hào)輸出單元1向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時(shí)，檢測(cè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)，并在檢測(cè)出有電流信號(hào)時(shí)，向信號(hào)輸出單元1發(fā)送反饋控制信號(hào)，以供信號(hào)輸出單元1根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)整關(guān)閉電壓。

本實(shí)施例中，信號(hào)檢測(cè)單元2檢測(cè)出對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管有電流信號(hào)時(shí)，向信號(hào)輸出單元1發(fā)送反饋控制信號(hào)，以調(diào)節(jié)向?qū)?yīng)薄膜晶體管的柵極輸出的關(guān)閉電壓，使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號(hào)后能夠呈現(xiàn)真正的關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)檢測(cè)單元2檢測(cè)到不存在電流信號(hào)。

本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路可解決液晶顯示屏中某些像素點(diǎn)內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時(shí)未完全關(guān)閉而產(chǎn)生明顯漏電流的問(wèn)題，從而有效改善顯示畫(huà)面的顯示質(zhì)量。

需要說(shuō)明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，以薄膜晶體管為非晶硅薄膜晶體管為例，即便非晶硅薄膜晶體管處于完全關(guān)閉狀態(tài)，其漏極端也會(huì)存在一個(gè)極其微小的電流，該電流的數(shù)量級(jí)一般小于10e-12(氧化物薄膜晶體管處于完全關(guān)閉狀態(tài)時(shí)其漏極端的電流會(huì)更小)。因此，在實(shí)際檢測(cè)非晶硅薄膜晶體管的漏極是否存在漏電流時(shí)，可采用靈敏度為10e-12的數(shù)量級(jí)的信號(hào)檢測(cè)單元進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)然，也可以采用更為靈敏的信號(hào)檢測(cè)單元去檢測(cè)該電流信號(hào)，并設(shè)定一個(gè)參考閾值，若信號(hào)檢測(cè)單元檢測(cè)到的電流信號(hào)的電流值小于該參考閾值，則認(rèn)為非晶硅薄膜晶體管的漏極不存在漏電流，反之，則認(rèn)為非晶硅薄膜晶體管的漏極存在漏電流。

一般而言，柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出至非晶硅薄膜晶體管(n型晶體管)的關(guān)閉電壓的初始設(shè)定值在-8v～-10v之間，若此時(shí)非晶硅薄膜晶體管未完全關(guān)閉，則可將關(guān)閉電壓調(diào)低，一般將關(guān)閉電壓調(diào)低至-15v左右時(shí)，則非晶硅薄膜晶體管完全關(guān)閉。當(dāng)然，也可將關(guān)閉電壓調(diào)低至更低的水平，但會(huì)導(dǎo)致高功耗以及影響薄膜晶體管的開(kāi)啟速度。

作為本發(fā)明的一種可選方案，當(dāng)薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時(shí)，信號(hào)輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)低輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓。

具體地，信號(hào)輸出單元1包括：第一信號(hào)接收模塊、第一控制模塊和第一電壓輸出模塊；第一信號(hào)接收模塊接收信號(hào)檢測(cè)單元2發(fā)送的反饋控制信號(hào)；第一控制模塊在第一信號(hào)接收模塊接收到反饋控制信號(hào)時(shí)控制第一電壓輸出模塊將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值；第一電壓輸出模塊輸出關(guān)閉電壓。

由此可見(jiàn)，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，當(dāng)薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時(shí)，信號(hào)輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)低輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，以使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號(hào)后能夠呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)檢測(cè)單元2檢測(cè)到不存在電流信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，上述通過(guò)第一控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第一電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第一預(yù)設(shè)值調(diào)低。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)輸出模塊還可采用其他方式調(diào)低關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

作為本發(fā)明的一種可選方案，當(dāng)薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時(shí)，信號(hào)輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)高輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓。

具體地，信號(hào)輸出單元1包括：第二信號(hào)接收模塊、第二控制模塊和第二電壓輸出模塊；第二信號(hào)接收模塊接收信號(hào)檢測(cè)單元2發(fā)送的反饋控制信號(hào)；第二控制模塊在第二信號(hào)接收模塊接收到反饋控制信號(hào)時(shí)控制第二電壓輸出模塊將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值；第二電壓輸出模塊輸出關(guān)閉電壓。

由此可見(jiàn)，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，當(dāng)薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時(shí)，信號(hào)輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)高輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，以使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號(hào)后能夠呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)檢測(cè)單元2檢測(cè)到不存在電流信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，上述通過(guò)第二控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第二電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第二預(yù)設(shè)值調(diào)高。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)輸出模塊還可采用其他方式調(diào)高關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

可選的，信號(hào)輸出單元1為柵極陣列行驅(qū)動(dòng)單元或柵極驅(qū)動(dòng)芯片，其中柵極陣列行驅(qū)動(dòng)單元可通過(guò)半導(dǎo)體工藝形成于陣列基板上，柵極驅(qū)動(dòng)芯片可通過(guò)覆晶薄膜(chiponflex，簡(jiǎn)稱(chēng)cof)工藝與陣列基板上的柔性電路結(jié)合。

本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種陣列基板，該陣列基板采用上述實(shí)施例一中的柵極驅(qū)動(dòng)電路，具體內(nèi)容可參見(jiàn)上述實(shí)施例一中的描述，此處不再贅述。

需要說(shuō)明的是，該陣列基板具體可以為液晶顯示面板或有機(jī)發(fā)光顯示面板中的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種顯示裝置，該顯示裝置采用上述實(shí)施例二中的陣列基板，具體內(nèi)容可參見(jiàn)上述實(shí)施例二中的描述，此處不再贅述。

需要說(shuō)明的是，該顯示裝置具體可以為液晶面板、電子紙、oled面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)方法，該柵極驅(qū)動(dòng)方法基于柵極驅(qū)動(dòng)電路，其中該柵極驅(qū)動(dòng)電路采用上述實(shí)施例一中的柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路的具體結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)上述實(shí)施例一中的描述。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖2所示，本實(shí)施例中提供的驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟101：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)輸出單元執(zhí)行。具體地，信號(hào)輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；薄膜晶體管的源極輸入有源極信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接時(shí)，該源極信號(hào)為其他行像素單元所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)。

步驟102：檢測(cè)薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)。

步驟102由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)檢測(cè)單元執(zhí)行。具體地，信號(hào)檢測(cè)單元在信號(hào)輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時(shí)，檢測(cè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)，若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)，則表明信號(hào)輸出單元輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號(hào)，則進(jìn)入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號(hào)。

步驟103由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)檢測(cè)單元執(zhí)行。具體地，在檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號(hào)后，信號(hào)檢測(cè)單元向信號(hào)輸出單元發(fā)送反饋控制信號(hào)。

步驟104：根據(jù)反饋控制信號(hào)調(diào)整關(guān)閉電壓。

步驟104由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)輸出單元執(zhí)行。具體地，信號(hào)輸出單元調(diào)整輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號(hào)后能夠呈現(xiàn)真正的關(guān)閉狀態(tài)，信號(hào)檢測(cè)單元檢測(cè)到薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)。

本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)方法可解決液晶顯示屏中某些像素點(diǎn)內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時(shí)未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流的問(wèn)題，從而有效改善顯示畫(huà)面的顯示質(zhì)量。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖3所示，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管為n型薄膜晶體管。本實(shí)施例中提供的驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟101a：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101a由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中第一電壓輸出模塊執(zhí)行。

步驟102：檢測(cè)薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)。

若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)，則表明輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號(hào)，則進(jìn)入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號(hào)。

步驟102、103均由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)檢測(cè)單元執(zhí)行。

步驟1041a：接收反饋控制信號(hào)。

步驟1041a由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的第一信號(hào)接收模塊執(zhí)行。

步驟1042a：在接收到反饋控制信號(hào)時(shí)將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值。

步驟1042a由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的第一控制模塊執(zhí)行。

在步驟1042a結(jié)束后繼續(xù)執(zhí)行步驟101a，直至步驟102中檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，在步驟1042a中，上述通過(guò)第一控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第一電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第一預(yù)設(shè)值調(diào)低。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)輸出模塊還可采用其他方式調(diào)低關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖4所示，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管為p型薄膜晶體管。本實(shí)施例中提供的驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟101b：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101b由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中第二電壓輸出模塊執(zhí)行。

步驟102：檢測(cè)薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號(hào)。

若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)，則表明信號(hào)輸出單元輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號(hào)，則進(jìn)入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號(hào)。

步驟102、103均由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)檢測(cè)單元執(zhí)行。

步驟1041b：接收反饋控制信號(hào)。

步驟1041b由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的第二信號(hào)接收模塊執(zhí)行。

步驟1042b：在接收到反饋控制信號(hào)時(shí)將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值。

步驟1042b由上述實(shí)施例一所提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的第二控制模塊執(zhí)行。

在步驟1042b結(jié)束后繼續(xù)執(zhí)行步驟101b，直至步驟102中檢測(cè)到對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號(hào)。

需要說(shuō)明的是，在步驟1042b中，上述通過(guò)第二控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第二電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第二預(yù)設(shè)值調(diào)高。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路中信號(hào)輸出模塊還可采用其他方式調(diào)高關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。