本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素補(bǔ)償電路、驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光顯示器(organiclightemittingdiode，oled)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)相比，oled顯示器具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域，oled顯示器已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的lcd顯示器。其中，用于控制發(fā)光器件發(fā)光的像素補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)是oled顯示器的核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。然而，現(xiàn)有的oled顯示器的像素補(bǔ)償電路中包括的開關(guān)晶體管的個(gè)數(shù)較多且電路工作時(shí)序較復(fù)雜，導(dǎo)致工藝難度較大，生產(chǎn)成本增加，以及導(dǎo)致像素補(bǔ)償電路占用較大面積，從而不利于oled顯示器實(shí)現(xiàn)高的分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素補(bǔ)償電路、驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中像素補(bǔ)償電路包括的開關(guān)晶體管的個(gè)數(shù)較多且電路工作時(shí)序較復(fù)雜，導(dǎo)致工藝難度較大，生產(chǎn)成本增加，以及導(dǎo)致像素補(bǔ)償電路占用較大面積，從而不利于oled顯示器實(shí)現(xiàn)高的分辨率。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素補(bǔ)償電路，包括：閾值補(bǔ)償模塊、存儲(chǔ)模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動(dòng)晶體管以及發(fā)光器件；其中，

所述閾值補(bǔ)償模塊分別與數(shù)據(jù)信號(hào)端、掃描信號(hào)端以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；

所述存儲(chǔ)模塊分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極以及第一電源端相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲(chǔ)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；

所述發(fā)光控制模塊分別與發(fā)光控制信號(hào)端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極以及所述發(fā)光器件相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與所述第一電源端相連；所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光階段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與所述發(fā)光器件，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，所述閾值補(bǔ)償模塊包括：補(bǔ)償子模塊與傳輸子模塊；其中，

所述補(bǔ)償子模塊分別與所述數(shù)據(jù)信號(hào)端以及所述傳輸子模塊相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述傳輸子模塊；

所述傳輸子模塊還分別與所述掃描信號(hào)端以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極相連，用于在所述數(shù)據(jù)寫入階段將所述補(bǔ)償子模塊提供的電壓傳輸給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，所述補(bǔ)償子模塊包括：閾值補(bǔ)償晶體管；其中，所述閾值補(bǔ)償晶體管的閾值電壓與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等；并且所述閾值補(bǔ)償晶體管的控制極與其第一極均與所述數(shù)據(jù)信號(hào)端相連，所述閾值補(bǔ)償晶體管的第二極與所述傳輸子模塊相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，所述閾值補(bǔ)償晶體管與所述驅(qū)動(dòng)晶體管均為p型晶體管或n型晶體管。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，所述傳輸子模塊包括：第一開關(guān)晶體管；其中，所述第一開關(guān)晶體管的控制極與所述掃描信號(hào)端相連，所述第一開關(guān)晶體管的第一極與所述補(bǔ)償子模塊相連，所述第一開關(guān)晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，存儲(chǔ)模塊包括：電容；其中，所述電容的第一端與所述第一電源端相連，所述電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，所述發(fā)光控制模塊包括：第二開關(guān)晶體管；其中，

所述第二開關(guān)晶體管的控制極與所述發(fā)光控制信號(hào)端相連，所述第二開關(guān)晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述第二開關(guān)晶體管的第二極與所述發(fā)光器件的第一端相連，所述發(fā)光器件的第二端與第二電源端相連。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素補(bǔ)償電路。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)發(fā)光顯示面板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括：數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段；其中，

在所述數(shù)據(jù)寫入階段，所述閾值補(bǔ)償模塊將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；

在所述發(fā)光階段，所述存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；所述發(fā)光控制模塊導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與所述發(fā)光器件，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路、驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：閾值補(bǔ)償模塊、存儲(chǔ)模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動(dòng)晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補(bǔ)償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；存儲(chǔ)模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路，通過上述三個(gè)模塊的相互配合，可以通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)與簡(jiǎn)單的時(shí)序以及較少的信號(hào)線來實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償，從而可以簡(jiǎn)化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設(shè)計(jì)。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖之四；

圖3a為圖2a所示的像素補(bǔ)償電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3b為圖2a所示的像素補(bǔ)償電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖4a為圖2b所示的像素補(bǔ)償電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖4b為圖2b所示的像素補(bǔ)償電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖5a為圖3a所示的像素補(bǔ)償電路的時(shí)序圖；

圖5b為圖4a所示的像素補(bǔ)償電路的時(shí)序圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路、驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。應(yīng)當(dāng)理解，下面所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素補(bǔ)償電路，如圖1a與圖1b所示，包括：閾值補(bǔ)償模塊10、存儲(chǔ)模塊20、發(fā)光控制模塊30、驅(qū)動(dòng)晶體管dt1以及發(fā)光器件l；其中，

閾值補(bǔ)償模塊10分別與數(shù)據(jù)信號(hào)端data、掃描信號(hào)端scan以及驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)端data的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓相等的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g；

存儲(chǔ)模塊20分別與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g以及第一電源端vdd相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g的電壓；

發(fā)光控制模塊30分別與發(fā)光控制信號(hào)端em、驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第二極m2以及發(fā)光器件l相連，驅(qū)動(dòng)晶體管d的第一極m1與第一電源端vdd相連；發(fā)光控制模塊30用于在發(fā)光階段導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第二極m2與發(fā)光器件l，使驅(qū)動(dòng)晶體管dt1驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件l發(fā)光。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路，包括：閾值補(bǔ)償模塊、存儲(chǔ)模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動(dòng)晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補(bǔ)償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；存儲(chǔ)模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路，通過上述三個(gè)模塊的相互配合，可以通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)與簡(jiǎn)單的時(shí)序以及較少的信號(hào)線來實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償，從而可以簡(jiǎn)化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設(shè)計(jì)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖1a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1可以為p型晶體管。該p型晶體管的柵極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g，該p型晶體管的源極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第一極m1，該p型晶體管的漏極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第二極m2。此時(shí)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流由p型晶體管的源極流向其漏極。

或者，如圖1b所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1可以為n型晶體管。該n型晶體管的柵極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g，該n型晶體管的漏極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第一極m1，該n型晶體管的源極為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第二極m2。此時(shí)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流由n型晶體管的漏極流向其源極。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖2a和圖2b所示，閾值補(bǔ)償模塊10具體可以包括：補(bǔ)償子模塊11與傳輸子模塊12；其中，

補(bǔ)償子模塊11分別與數(shù)據(jù)信號(hào)端data以及傳輸子模塊12相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)端data的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊12；

傳輸子模塊12還分別與掃描信號(hào)端scan以及驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g相連，用于在數(shù)據(jù)寫入階段將補(bǔ)償子模塊11提供的電壓傳輸給驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓vdata與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓vth(dt1)滿足公式：vdata＞|vth(dt1)|。

下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，本實(shí)施例中是為了更好的解釋本發(fā)明，但不限制本發(fā)明。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a至圖4b所示，補(bǔ)償子模塊11具體可以包括：閾值補(bǔ)償晶體管dt2；其中，閾值補(bǔ)償晶體管dt2的閾值電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓相等；并且閾值補(bǔ)償晶體管dt2的控制極與其第一極均與數(shù)據(jù)信號(hào)端data相連，閾值補(bǔ)償晶體管dt2的第二極與傳輸子模塊12相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a和圖3b所示，閾值補(bǔ)償晶體管dt2可以為p型晶體管。該p型晶體管的柵極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的控制極，該p型晶體管的源極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的第一極，該p型晶體管的漏極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的第二極。此時(shí)數(shù)據(jù)信號(hào)端data的信號(hào)的電流由p型晶體管的源極流向其漏極?；蛘?，如圖4a與圖4b所示，閾值補(bǔ)償晶體管dt2可以為n型晶體管。該n型晶體管的柵極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的控制極，該n型晶體管的源極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的第二極，該n型晶體管的漏極為閾值補(bǔ)償晶體管dt2的第一極。此時(shí)數(shù)據(jù)信號(hào)端data的信號(hào)的電流由p型晶體管的漏極流向其源極。在具體實(shí)施時(shí)，在誤差允許的范圍內(nèi)使閾值補(bǔ)償晶體管dt2與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的晶體管特性相同，例如其閾值電壓相同，尺寸相同。在實(shí)際工藝制備時(shí)，可以將閾值補(bǔ)償晶體管dt2與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1設(shè)計(jì)的布居位置較近，以保證在誤差允許的范圍內(nèi)其晶體管特性相同。并且，在實(shí)際應(yīng)用中，閾值補(bǔ)償晶體管dt2與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的特性需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境來設(shè)計(jì)確定，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，由于閾值補(bǔ)償晶體管的控制極與其第一極均與數(shù)據(jù)信號(hào)端相連，使其形成二極管連接方式，因此，在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)信號(hào)端有用于顯示的數(shù)據(jù)電壓vtada時(shí)，閾值補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通并向傳輸子模塊輸入信號(hào)，直至閾值補(bǔ)償晶體管的第二極的電壓變?yōu)椋簐data-|vth(dt2)|時(shí)截止；其中，vth(dt2)為閾值補(bǔ)償晶體管的閾值電壓。由于vth(dt2)與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓vth(dt1)相等，因此閾值補(bǔ)償晶體管可以將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a至圖4b所示，傳輸子模塊12具體可以包括：第一開關(guān)晶體管m1；其中，

第一開關(guān)晶體管m1的控制極與掃描信號(hào)端scan相連，第一開關(guān)晶體管m1的第一極與補(bǔ)償子模塊11相連，第一開關(guān)晶體管m1的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a與圖4b所示，第一開關(guān)晶體管m1可以為p型晶體管?；蛘?，如圖3b與圖4a所示，第一開關(guān)晶體管m1可以為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，第一開關(guān)晶體管在掃描信號(hào)端的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，可以將其第一極的電壓，即補(bǔ)償子模塊輸出的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a至圖4b所示，發(fā)光控制模塊30具體可以包括：第二開關(guān)晶體管m2；其中，

第二開關(guān)晶體管m2的控制極與發(fā)光控制信號(hào)端em相連，第二開關(guān)晶體管m2的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的第二極m2相連，第二開關(guān)晶體管m2的第二極與發(fā)光器件l的第一端相連，發(fā)光器件l的第二端與第二電源端vss相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a與圖4b所示，第二開關(guān)晶體管可以為p型晶體管；或者，如圖3b與圖4a所示，第二開關(guān)晶體管可以為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，第二開關(guān)晶體管在發(fā)光控制信號(hào)端的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與發(fā)光器件的第一端導(dǎo)通，從而將驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極輸出的電流提供給發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a至圖4b所示，存儲(chǔ)模塊20具體可以包括：電容c；其中，電容c的第一端與第一電源端vdd相連，電容c的第二端與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的控制極g相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，電容可以在第一電源端與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的控制下進(jìn)行充電，并且由于電容的自舉作用，在驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時(shí)，可以保持其兩端的電壓差穩(wěn)定，從而存儲(chǔ)充入的電壓。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，第一電源端的電壓vdd大于第二電源端的電壓vss。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，發(fā)光器件一般為有機(jī)電致發(fā)光二極管，其在驅(qū)動(dòng)晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)的電流的作用下實(shí)現(xiàn)發(fā)光。并且有機(jī)電致發(fā)光二極管的陽極為發(fā)光器件的第一端，陰極為發(fā)光器件的第二端。

以上僅是舉例說明本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路中各模塊的具體結(jié)構(gòu)，在具體實(shí)施時(shí)，上述各模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu)，還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu)，在此不作限定。

進(jìn)一步地，為了簡(jiǎn)化制備工藝，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，如圖3a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1為p型晶體管，閾值補(bǔ)償晶體管dt2為p型晶體管，并且所有的開關(guān)晶體管均為p型晶體管。或者，如圖4a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1為n型晶體管，閾值補(bǔ)償晶體管dt2為n型晶體管，并且所有的開關(guān)晶體管均為n型晶體管，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，p型開關(guān)晶體管在高電位作用下截止，在低電位作用下導(dǎo)通；n型開關(guān)晶體管在高電位作用下導(dǎo)通，在低電位作用下截止。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管可以是薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(mos，metaloxidescmiconductor)，在此不作限定。在具體實(shí)施時(shí)，這些開關(guān)晶體管的控制極為柵極，并且可以根據(jù)開關(guān)晶體管類型以及信號(hào)端的信號(hào)的不同將其第一極作為源極或漏極，以及將其第二極作為漏極或源極，在此不作限定。在描述具體實(shí)施例時(shí)，均是以驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管為mos管為例進(jìn)行說明的。

下面以圖3a和圖4a所示的像素補(bǔ)償電路為例，結(jié)合電路時(shí)序圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路的工作過程作以描述。下述描述中以1表示高電位，0表示低電位。需要說明的是，1和0是邏輯電位，其僅是為了更好的解釋本發(fā)明實(shí)施例的具體工作過程，而不是在具體實(shí)施時(shí)施加在各開關(guān)晶體管的柵極上的電位。

實(shí)施例一、

如圖3a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1與閾值補(bǔ)償晶體管dt2以及所有開關(guān)晶體管均為p型晶體管；對(duì)應(yīng)的輸入時(shí)序圖如圖5a所示。具體地，選取如圖5a所示的輸入時(shí)序圖中的t1和t2二個(gè)階段。

在t1階段，scan＝0，em＝1。由于scan＝0，因此第一開關(guān)晶體管m1導(dǎo)通。由于em＝1，因此第二開關(guān)晶體管m2截止。

由于閾值補(bǔ)償晶體管dt2的柵極與其源極均與數(shù)據(jù)信號(hào)端data相連形成二極管連接結(jié)構(gòu)，閾值補(bǔ)償晶體管dt2在數(shù)據(jù)信號(hào)端data的數(shù)據(jù)電壓vdata的作用下導(dǎo)通，直至閾值補(bǔ)償晶體管dt2的漏極的電壓變?yōu)関data-|vth(dt2)|時(shí)截止。導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管m1將閾值補(bǔ)償晶體管dt2的漏極的電壓vdata-|vth(dt2)|提供給驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極g，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極g的電壓為vdata-|vth(dt2)|，電容c充電，使電容c兩端的電壓差為vdd-vdata+|vth(dt2)|。

在t2階段，scan＝1，em＝0。由于scan＝1，因此第一開關(guān)晶體管m1截止。由于em＝0，因此第二開關(guān)晶體管m2導(dǎo)通。

導(dǎo)通的第二開關(guān)晶體管m2使驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的漏極d與發(fā)光器件l導(dǎo)通，將驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的漏極的電流提供給發(fā)光器件l。驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的漏極的電流il為其處于飽和狀態(tài)時(shí)的電流，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，電流il滿足公式：il＝k(vgs-|vth(dt0)|)²＝k(vdd-vdata+vth(dt2)-|vth(dt0)|)＝k(vdd-vdata)；其中，μ為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的遷移率、cox為單位面積柵氧化層電容，為驅(qū)動(dòng)晶體管的寬長(zhǎng)比，vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極與其源極之間的電壓差，并且vth(dt2)＝vth(dt1)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體dt1驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流il僅與數(shù)據(jù)信號(hào)端data的電壓vdata以及第一電源端vdd的電壓vdd有關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓vth(dt1)無關(guān)，可以解決由于驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的工藝制程以及長(zhǎng)時(shí)間的操作造成的閾值電壓vth(dt1)漂移對(duì)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l的工作電流的影響，從而使發(fā)光器件l的工作電流保持穩(wěn)定，進(jìn)而保證了發(fā)光器件l的正常工作。

實(shí)施例二

如圖4a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管dt1與閾值補(bǔ)償晶體管dt2以及所有開關(guān)晶體管均為n型晶體管；對(duì)應(yīng)的輸入時(shí)序圖如圖5b所示。具體地，選取如圖5a所示的輸入時(shí)序圖中的t1和t2二個(gè)階段。

在t1階段，scan＝1，em＝0。由于scan＝1，因此第一開關(guān)晶體管m1導(dǎo)通。由于em＝0，因此第二開關(guān)晶體管m2截止。

由于閾值補(bǔ)償晶體管dt2的柵極與其漏極均與數(shù)據(jù)信號(hào)端data相連形成二極管連接結(jié)構(gòu)，閾值補(bǔ)償晶體管dt2在數(shù)據(jù)信號(hào)端data的數(shù)據(jù)電壓vdata的作用下導(dǎo)通，直至閾值補(bǔ)償晶體管dt2的源極的電壓變?yōu)関data-|vth(dt2)|時(shí)截止。導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管m1將閾值補(bǔ)償晶體管dt2的源極的電壓vdata-|vth(dt2)|提供給驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極g，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極g的電壓為vdata-|vth(dt2)|，電容c充電，使電容c兩端的電壓差為vdd-vdata+|vth(dt2)|。

在t2階段，scan＝0，em＝1。由于scan＝0，因此第一開關(guān)晶體管m1截止。由于em＝1，因此第二開關(guān)晶體管m2導(dǎo)通。

導(dǎo)通的第二開關(guān)晶體管m2使驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的源極d與發(fā)光器件l導(dǎo)通，將驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的源極的電流提供給發(fā)光器件l。驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的源極的電流il為其處于飽和狀態(tài)時(shí)的電流，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，電流il滿足公式：il＝k(vgs-|vth(dt0)|)²＝k(vdd-vdata+vth(dt2)-|vth(dt0)|)＝k(vdd-vdata)；其中，μ為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的遷移率、cox為單位面積柵氧化層電容，為驅(qū)動(dòng)晶體管的寬長(zhǎng)比，vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的柵極與其漏極之間的電壓差，并且vth(dt2)＝vth(dt1)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體dt1驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l發(fā)光的工作電流il僅與數(shù)據(jù)信號(hào)端data的電壓vdata以及第一電源端vdd的電壓vdd有關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓vth(dt1)無關(guān)，可以解決由于驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的工藝制程以及長(zhǎng)時(shí)間的操作造成的閾值電壓vth(dt1)漂移對(duì)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件l的工作電流的影響，從而使發(fā)光器件l的工作電流保持穩(wěn)定，進(jìn)而保證了發(fā)光器件l的正常工作。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路，通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，即僅通過兩個(gè)開關(guān)晶體管、一個(gè)電容以及閾值電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相同的閾值補(bǔ)償晶體管，以及簡(jiǎn)單的時(shí)序即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償功能，可以簡(jiǎn)化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，從而有利于高分辨率的oled顯示面板的設(shè)計(jì)。并且與現(xiàn)有的像素補(bǔ)償電路相比，本申請(qǐng)的像素補(bǔ)償電路不用額外設(shè)置用于為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極進(jìn)行初始化的開關(guān)晶體管以及信號(hào)端，從而可以降低對(duì)驅(qū)動(dòng)ic(例如驅(qū)動(dòng)掃描電路)的驅(qū)動(dòng)能力要求，從而可以降低驅(qū)動(dòng)ic中的晶體管的尺寸，降低驅(qū)動(dòng)ic占用空間，進(jìn)而可以將顯示面板的邊框做的更窄。并且，由于本申請(qǐng)中的像素補(bǔ)償電路至少還可以減少用于輸入初始化信號(hào)的信號(hào)線，因此可以提高顯示面板的分辨率。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)方法，如圖6所示，包括：數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段；其中，

s601、在數(shù)據(jù)寫入階段，閾值補(bǔ)償模塊將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；

s602、在發(fā)光階段，存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述驅(qū)動(dòng)方法，可以通過簡(jiǎn)單的時(shí)序即可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償功能。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述驅(qū)動(dòng)方法中，在數(shù)據(jù)寫入階段，具體包括：補(bǔ)償子模塊將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給傳輸子模塊；傳輸子模塊將補(bǔ)償子模塊提供的電壓傳輸給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素補(bǔ)償電路。該有機(jī)發(fā)光顯示面板解決問題的原理與前述像素補(bǔ)償電路相似，因此該有機(jī)發(fā)光顯示面板的具體實(shí)施可以參見前述像素補(bǔ)償電路的實(shí)施，重復(fù)之處在此不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)發(fā)光顯示面板。該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述像素補(bǔ)償電路的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的像素補(bǔ)償電路、驅(qū)動(dòng)方法、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：閾值補(bǔ)償模塊、存儲(chǔ)模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動(dòng)晶體管以及發(fā)光器件；其中，閾值補(bǔ)償模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段將數(shù)據(jù)信號(hào)端的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相等的電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極；存儲(chǔ)模塊用于在數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極的電壓；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光階段導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與發(fā)光器件，使驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)連接的發(fā)光器件發(fā)光。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素補(bǔ)償電路，通過上述三個(gè)模塊的相互配合，可以通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)與簡(jiǎn)單的時(shí)序以及較少的信號(hào)線來實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償，從而可以簡(jiǎn)化制備工藝、降低生產(chǎn)成本以及減小占用面積，有利于高分辨率的oled顯示面板的設(shè)計(jì)。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。