本發(fā)明的一個方式涉及一種顯示裝置、顯示模塊及電子設(shè)備。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說明書等所公開的發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法。此外，本發(fā)明涉及一種工序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(compositionofmatter)。本發(fā)明的一個方式尤其涉及一種半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、其驅(qū)動方法或其制造方法。

背景技術(shù)：

如智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備普及。移動設(shè)備被要求進(jìn)行適合于如室外或室內(nèi)等使用環(huán)境的照度的顯示。

已公開了在有自然光或室內(nèi)照明光等充分明亮的光的環(huán)境下進(jìn)行利用反射光的顯示而在不能獲得充分的照度的環(huán)境下進(jìn)行利用發(fā)光元件的顯示的顯示裝置。

例如，專利文獻(xiàn)1至3公開了在一個像素中設(shè)置有控制液晶元件的像素電路及控制發(fā)光元件的像素電路的混合型顯示裝置。

[專利文獻(xiàn)1]美國專利申請公開第2003/0107688號說明書

[專利文獻(xiàn)2]國際專利申請公開第2007/041150號公報

[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請公開第2008-225381號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

作為利用外光進(jìn)行顯示的方法，有反射型液晶顯示裝置。反射型液晶顯示裝置不需要背光可以實(shí)現(xiàn)低功耗，但是在不能獲得明亮的外光的環(huán)境下不能進(jìn)行良好的顯示。el(electroluminescence)元件是自發(fā)光元件，由此發(fā)光顯示裝置能夠在昏暗的環(huán)境下進(jìn)行良好的顯示，但是在明亮的環(huán)境下其可見度下降。專利文獻(xiàn)1至3所公開的混合型顯示裝置具有反射型液晶顯示裝置及發(fā)光顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)，不管使用環(huán)境照度如何都能夠使用。

液晶元件和發(fā)光元件的光學(xué)響應(yīng)速度彼此不同。因此，難以獲得對應(yīng)于顯示內(nèi)容的所希望的顯示品質(zhì)。此外，由于依次對灰度信號進(jìn)行改寫，所以難以實(shí)現(xiàn)功耗的降低。

鑒于上述問題，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種使用新穎的驅(qū)動顯示裝置的電路使選擇對應(yīng)于顯示內(nèi)容的像素電路的方法最優(yōu)化的新穎的顯示裝置等。此外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種根據(jù)顯示內(nèi)容刷新顯示元件的灰度信號來提高顯示品質(zhì)的顯示裝置等。此外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種根據(jù)顯示內(nèi)容刷新顯示元件的灰度信號來降低功耗的具有新穎結(jié)構(gòu)的顯示裝置等。

注意，本發(fā)明的一個方式的目的不局限于上述目的。上述目的并不妨礙其他目的的存在。其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進(jìn)行說明的目的。所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以從說明書或附圖等的記載中導(dǎo)出并適當(dāng)抽出該上面沒有提到的目的。另外，本發(fā)明的一個方式實(shí)現(xiàn)上述目的和/或其他目的中的至少一個目的。

本發(fā)明的一個方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括柵極驅(qū)動器、顯示部及選擇信號輸出電路，其中，顯示部包括第一區(qū)域及第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域都包括像素電路及掃描線，像素電路包括顯示元件，柵極驅(qū)動器與掃描線電連接，掃描線與像素電路電連接，掃描線具有被供應(yīng)第一掃描信號的功能，選擇信號輸出電路具有輸出用來選擇被供應(yīng)第一掃描信號的掃描線的第一選擇信號的功能，第一選擇信號所選擇的掃描線被供應(yīng)第一掃描信號，顯示元件具有根據(jù)第一掃描信號刷新顯示的功能，包括在第一區(qū)域中的顯示元件的顯示的刷新頻率與包括在第二區(qū)域中的顯示元件的顯示的刷新頻率不同。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，優(yōu)選作為顯示元件包括液晶元件。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，優(yōu)選作為顯示元件包括自發(fā)光元件。

本發(fā)明的一個方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括柵極驅(qū)動器、顯示部及選擇信號輸出電路，其中，顯示部包括像素電路、第一掃描線及第二掃描線，像素電路包括第一顯示元件及第二顯示元件，第一掃描線具有被供應(yīng)第一掃描信號的功能，第二掃描線具有被供應(yīng)第二掃描信號的功能，柵極驅(qū)動器包括移位寄存器電路及選擇電路，移位寄存器電路具有輸出輸出信號的功能，選擇信號輸出電路具有輸出第一選擇信號及第二選擇信號的功能，選擇電路具有根據(jù)輸出信號、第一選擇信號及第二選擇信號生成第一掃描信號及第二掃描信號的功能。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，優(yōu)選的是，顯示部包括第一信號線及第二信號線，第一信號線具有被供應(yīng)第一灰度信號的功能，第二信號線具有被供應(yīng)第二灰度信號的功能，第一掃描信號的電壓振幅大于第一灰度信號的電壓振幅，選擇電路根據(jù)輸出信號及第二選擇信號生成第二掃描信號，第二掃描信號的電壓振幅大于第二灰度信號的電壓振幅，第一掃描信號具有與第二掃描信號不同的電壓振幅。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，選擇信號輸出電路優(yōu)選具有將第一選擇信號和第二選擇信號切換并輸出的功能。

本發(fā)明的一個方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括信號線、第一掃描線、第二掃描線及像素電路，其中，像素電路包括第一電路及第二電路，第一電路包括第一顯示元件，第二電路包括第二顯示元件，信號線具有對第一電路供應(yīng)第一灰度信號的功能，信號線具有對第二電路供應(yīng)第二灰度信號的功能，第一顯示元件具有顯示第一灰度的功能，第二顯示元件具有顯示第二灰度的功能，第一掃描線具有輸出第一電壓及比第一電壓小的第二電壓的功能，第二掃描線具有輸出第三電壓及比第三電壓小的第四電壓的功能，根據(jù)第一灰度信號生成的最大電壓小于第一電壓，根據(jù)第一灰度信號生成的最小電壓大于第二電壓，根據(jù)第二灰度信號生成的最大電壓小于第三電壓，根據(jù)第二灰度信號生成的最小電壓大于第四電壓，根據(jù)第一灰度信號生成的最大電壓大于根據(jù)第二灰度信號生成的最大電壓，根據(jù)第一灰度信號生成的最小電壓小于根據(jù)第二灰度信號生成的最小電壓。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，優(yōu)選的是，該顯示裝置包括信號線、第一電源線及像素電路，其中，第一電路包括第一顯示元件、第一晶體管及第一電容元件，第二電路包括第二顯示元件、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，第一顯示元件包括第一像素電極及第一對置電極，第二顯示元件包括第二像素電極及第二對置電極，信號線與第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接，第一晶體管的源極和漏極中的另一個與第一像素電極電連接，第一晶體管的源極和漏極中的另一個與第一電容元件的一個電極電連接，第一電容元件的另一個電極與第一電源線電連接，第一掃描線與第一晶體管的柵極電連接，信號線與第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接，第二晶體管的源極和漏極中的另一個與第三晶體管的柵極電連接，第三晶體管的源極和漏極中的一個與第二像素電極電連接，第三晶體管的源極和漏極中的一個與第四晶體管的源極和漏極中的一個電連接，第二掃描線與第二晶體管的柵極電連接，第一電源線與第四晶體管的源極和漏極中的另一個電連接，在將第一灰度信號通過第一晶體管供應(yīng)給第一電容元件的一個電極的期間將被供應(yīng)給第一電源線的電壓通過第四晶體管供應(yīng)給第二像素電極。

在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，作為第一顯示元件包括液晶元件，作為第二顯示元件包括自發(fā)光元件。

在本發(fā)明的一個方式的顯示裝置中，優(yōu)選的是，像素電路包括晶體管，該晶體管在溝道形成區(qū)域中包含氧化物半導(dǎo)體。

本發(fā)明的一個方式可以提供一種使用新穎的驅(qū)動顯示裝置的電路使選擇對應(yīng)于顯示內(nèi)容的像素電路的方法最優(yōu)化的新穎的顯示裝置等。此外，本發(fā)明的一個方式可以提供一種根據(jù)顯示內(nèi)容刷新顯示元件的灰度信號來提高顯示品質(zhì)的顯示裝置等。此外，本發(fā)明的一個方式可以提供一種根據(jù)顯示內(nèi)容刷新顯示元件的灰度信號來降低功耗的具有新穎結(jié)構(gòu)的顯示裝置等。

注意，本發(fā)明的一個方式的效果不局限于上述效果。上述效果并不妨礙其他效果的存在。其他效果是上面沒有提到而將在下面的記載中進(jìn)行說明的效果。所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以從說明書或附圖等的記載中導(dǎo)出并適當(dāng)抽出該上面沒有提到的效果。另外，本發(fā)明的一個方式實(shí)現(xiàn)上述效果和/或其他效果中的至少一個效果。因此，本發(fā)明的一個方式有時根據(jù)情況而不具有上述效果。

附圖說明

圖1是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2是說明像素結(jié)構(gòu)的圖；

圖3a至圖3c是說明像素結(jié)構(gòu)的圖；

圖4a是選擇電路的方框圖，圖4b是圖4a的選擇電路的時序圖；

圖5a是圖1的顯示裝置的時序圖，圖5b是說明工作的圖；

圖6a是圖1的顯示裝置的時序圖，圖6b是說明工作的圖；

圖7是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖8a是圖7的顯示裝置的時序圖，圖8b是說明工作的圖；

圖9a是圖7的顯示裝置的時序圖，圖9b是說明工作的圖；

圖10是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖11a是圖10的顯示裝置的時序圖，圖11b是說明工作的圖；

圖12a是圖10的顯示裝置的時序圖，圖12b是說明工作的圖；

圖13a是圖10的顯示裝置的時序圖，圖13b是說明工作的圖；

圖14a至圖14d是說明顯示例的圖；

圖15是說明像素結(jié)構(gòu)的圖；

圖16是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖17a是圖16的顯示裝置的時序圖，圖17b是說明工作的圖；

圖18a是說明像素結(jié)構(gòu)的圖，圖18b是圖18a的像素的時序圖，圖18c是說明信號的電壓關(guān)系的圖；

圖19是說明像素結(jié)構(gòu)的圖；

圖20是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖21a是圖20的顯示裝置的時序圖，圖21b是說明工作的圖；

圖22是說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖23a是圖22的顯示裝置的時序圖，圖23b是說明工作的圖；

圖24a是圖22的顯示裝置的時序圖，圖24b是說明工作的圖；

圖25a是圖22的顯示裝置的時序圖，圖25b是說明工作的圖；

圖26a是圖22的顯示裝置的時序圖，圖26b是說明工作的圖；

圖27a、圖27b1和圖27b2是說明根據(jù)實(shí)施方式的顯示面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖28a1和28a2以及圖28b1和28b2是說明根據(jù)實(shí)施方式的像素的結(jié)構(gòu)的圖；

圖29是說明根據(jù)實(shí)施方式的顯示面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖30a1和30a2以及圖30b1至30b3是說明根據(jù)實(shí)施方式的像素電路的開口的圖；

圖31a和圖31b是說明根據(jù)實(shí)施方式的顯示面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖32a是示出電子構(gòu)件的制造方法例子的流程圖，圖32b是半導(dǎo)體晶片的俯視圖，圖32c是圖32b的部分放大圖，圖32d是示出芯片的結(jié)構(gòu)例子的示意圖，圖32e是示出電子構(gòu)件的結(jié)構(gòu)例子的立體示意圖；

圖33a至圖33c是示出os晶體管的結(jié)構(gòu)例子的俯視圖及截面圖；

圖34a至圖34c是示出os晶體管的結(jié)構(gòu)例子的俯視圖及截面圖；

圖35是能帶結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖36是示出顯示模塊的例子的圖；

圖37a和圖37b是示出觸摸面板的結(jié)構(gòu)例子的示意圖；

圖38a至圖38h是示出電子設(shè)備及照明裝置的例子的圖；

圖39a1、圖39a2、圖39b至圖39i是示出電子設(shè)備的例子的圖；

圖40a至圖40e是示出電子設(shè)備的例子的圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實(shí)，就是實(shí)施方式可以以多個不同形式來實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的條件下被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在下面的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。

在附圖中，為便于清楚地說明，有時夸大表示大小、層的厚度或區(qū)域。因此，本發(fā)明并不一定限定于上述尺寸。此外，在附圖中，示意性地示出理想的例子，因此本發(fā)明不局限于附圖所示的形狀或數(shù)值等。

本說明書所使用的“第一”、“第二”、“第三”等序數(shù)詞是為了避免構(gòu)成要素的混淆而附加的，而不是為了在數(shù)目方面上進(jìn)行限定的。

在本說明書中，為方便起見，使用了“上”、“下”等表示配置的詞句，以參照附圖說明構(gòu)成要素的位置關(guān)系。另外，構(gòu)成要素的位置關(guān)系根據(jù)描述各構(gòu)成要素的方向適當(dāng)?shù)馗淖?。因此，不局限于本說明書中所說明的詞句，可以根據(jù)情況適當(dāng)?shù)馗鼡Q。

在本說明書等中，晶體管是指至少包括柵極、漏極以及源極這三個端子的元件。晶體管在漏極(漏極端子、漏區(qū)域或漏電極)與源極(源極端子、源區(qū)域或源電極)之間具有溝道區(qū)域，并且電流能夠通過溝道區(qū)域流過源極與漏極之間。注意，在本說明書等中，溝道區(qū)域是指電流主要流過的區(qū)域。

另外，在使用極性不同的晶體管的情況或電路工作中的電流方向變化的情況等下，源極及漏極的功能有時相互調(diào)換。因此，在本說明書等中，源極和漏極可以相互調(diào)換。

在本說明書等中，“電連接”包括通過“具有某種電作用的元件”連接的情況。在此，“具有某種電作用的元件”只要可以進(jìn)行連接對象間的電信號的授收，就對其沒有特別的限制。例如，“具有某種電作用的元件”不僅包括電極和布線，而且還包括晶體管等的開關(guān)元件、電阻元件、電感器、電容器、其他具有各種功能的元件等。

在本說明書等中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態(tài)。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態(tài)。另外，“垂直”是指兩條直線形成的角度為80°以上且100°以下的狀態(tài)。因此也包括85°以上且95°以下的角度的狀態(tài)。

另外，在本說明書等中，可以將“膜”和“層”相互調(diào)換。例如，有時可以將“導(dǎo)電層”變換為“導(dǎo)電膜”。此外，例如，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。

在本說明書等中，在沒有特別的說明的情況下，關(guān)態(tài)電流(off-statecurrent)是指晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)(也稱為非導(dǎo)通狀態(tài)、遮斷狀態(tài))的漏極電流。在沒有特別的說明的情況下，在n溝道晶體管中，關(guān)閉狀態(tài)是指柵極與源極間的電壓vgs低于閾值電壓vth的狀態(tài)，在p溝道晶體管中，關(guān)閉狀態(tài)是指柵極與源極間的電壓vgs高于閾值電壓vth的狀態(tài)。例如，n溝道晶體管的關(guān)態(tài)電流有時是指柵極與源極間的電壓vgs低于閾值電壓vth時的漏極電流。

晶體管的關(guān)態(tài)電流有時取決于vgs。因此，“晶體管的關(guān)態(tài)電流為i以下”有時是指存在使晶體管的關(guān)態(tài)電流成為i以下的vgs的值。晶體管的關(guān)態(tài)電流有時是指預(yù)定的vgs中的關(guān)閉狀態(tài)、預(yù)定的范圍內(nèi)的vgs中的關(guān)閉狀態(tài)或能夠獲得充分被降低的關(guān)態(tài)電流的vgs中的關(guān)閉狀態(tài)等時的關(guān)態(tài)電流。

作為一個例子，設(shè)想一種n溝道晶體管，該n溝道晶體管的閾值電壓vth為0.5v，vgs為0.5v時的漏極電流為1×10^-9a，vgs為0.1v時的漏極電流為1×10^-13a，vgs為-0.5v時的漏極電流為1×10^-19a，vgs為-0.8v時的漏極電流為1×10^-22a。在vgs為-0.5v時或在vgs為-0.5v至-0.8v的范圍內(nèi)，該晶體管的漏極電流為1×10^-19a以下，所以有時稱該晶體管的關(guān)態(tài)電流為1×10^-19a以下。由于存在使該晶體管的漏極電流成為1×10^-22a以下的vgs，因此有時稱該晶體管的關(guān)態(tài)電流為1×10^-22a以下。

在本說明書等中，有時以每溝道寬度w的電流值表示具有溝道寬度w的晶體管的關(guān)態(tài)電流。另外，有時以每預(yù)定的溝道寬度(例如1μm)的電流值表示具有溝道寬度w的晶體管的關(guān)態(tài)電流。在為后者時，關(guān)態(tài)電流的單位有時以具有電流/長度的次元的單位(例如，a/μm)表示。

晶體管的關(guān)態(tài)電流有時取決于溫度。在本說明書中，在沒有特別的說明的情況下，關(guān)態(tài)電流有時表示在室溫、60℃、85℃、95℃或125℃下的關(guān)態(tài)電流?；蛘?，有時表示在保證包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等的可靠性的溫度下或者在包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等被使用的溫度(例如，5℃至35℃中的任一溫度)下的關(guān)態(tài)電流?！熬w管的關(guān)態(tài)電流為i以下”有時是指在室溫、60℃、85℃、95℃、125℃、保證包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等的可靠性的溫度下或者在包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等被使用的溫度(例如，5℃至35℃中的任一溫度)下存在使晶體管的關(guān)態(tài)電流成為i以下的vgs的值。

晶體管的關(guān)態(tài)電流有時取決于漏極與源極間的電壓vds。在本說明書中，在沒有特別的說明的情況下，關(guān)態(tài)電流有時表示vds為0.1v、0.8v、1v、1.2v、1.8v、2.5v、3v、3.3v、10v、12v、16v或20v時的關(guān)態(tài)電流。或者，有時表示保證包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等的可靠性的vds時或者包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等所使用的vds時的關(guān)態(tài)電流。“晶體管的關(guān)態(tài)電流為i以下”有時是指：在vds為0.1v、0.8v、1v、1.2v、1.8v、2.5v、3v、3.3v、10v、12v、16v、20v、保證包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置的可靠性的vds或包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置等被使用的vds下存在使晶體管的關(guān)態(tài)電流成為i以下的vgs的值。

在上述關(guān)態(tài)電流的說明中，可以將漏極換稱為源極。也就是說，關(guān)態(tài)電流有時指晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時流過源極的電流。

在本說明書等中，有時將關(guān)態(tài)電流記作泄漏電流。在本說明書等中，關(guān)態(tài)電流例如有時指在晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時流在源極與漏極間的電流。

實(shí)施方式1

在本實(shí)施方式中，參照圖1至圖6b說明其柵極驅(qū)動器所包括的選擇電路具有生成掃描信號的功能的顯示裝置，該掃描信號選擇包括第一顯示元件的像素電路或包括第二顯示元件的像素電路。

圖1是示出顯示裝置700的結(jié)構(gòu)的方框圖。顯示裝置700包括柵極驅(qū)動器110、選擇信號輸出電路30及顯示部120。柵極驅(qū)動器110包括移位寄存器電路111及選擇電路20。選擇電路20包括判定電路21及22。顯示部120包括像素電路710c(1,1)至像素電路710c(m,n)。像素電路710c(m,n)包括具有第一顯示元件的像素電路750c(m,n)及具有第二顯示元件的像素電路650c(m,n)。m及n為1以上的整數(shù)。

本實(shí)施方式中說明的顯示部120包括像素電路710c(1,1)至像素電路710c(m,n)、第一線掃描線g1、第二線掃描線g2、第一信號線s1及第二信號線s2。

圖2示出像素電路710c的結(jié)構(gòu)。以圖1的顯示裝置700的顯示部120的像素中的一個為像素電路710c(i,j)進(jìn)行說明。i是1以上且m以下的整數(shù)，j是1以上且n以下的整數(shù)。

像素電路710c(i,j)包括像素電路750c(i,j)，像素電路750c(i,j)包括第一顯示元件750(i,j)。第一顯示元件750(i,j)例如為了防止烙印現(xiàn)象優(yōu)選為進(jìn)行交流驅(qū)動的液晶元件。

像素電路710c(i,j)包括像素電路650c(i,j)，像素電路650c(i,j)包括第二顯示元件650(i,j)。第二顯示元件650(i,j)例如優(yōu)選為進(jìn)行直流驅(qū)動的發(fā)光元件。

像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)是能夠顯示灰度的最小單位，該灰度由電壓或電流的灰度信號控制。

像素電路750c(i,j)包括晶體管sw1、電容元件c1及第一顯示元件750(i,j)。

像素電路750c(i,j)的晶體管sw1的柵極與第一掃描線g1(j)電連接。晶體管sw1的源極和漏極中的一個與第一信號線s1(i)電連接。

晶體管sw1的源極和漏極中的另一個與電容元件c1的一個電極及第一顯示元件750(i,j)的一個電極電連接。電容元件c1的另一個電極通過cscom端子被供應(yīng)電容元件c1的標(biāo)準(zhǔn)電壓。第一顯示元件750(i,j)的另一個電極通過vcom端子被供應(yīng)公共電壓。

像素電路650c(i,j)包括晶體管sw2、晶體管m、電容元件c2及第二顯示元件650(i,j)。

像素電路650c(i,j)的晶體管sw2的柵極與第二掃描線g2(j)電連接。晶體管sw2的源極和漏極中的一個與第二信號線s2(i)電連接。

晶體管sw2的源極和漏極中的另一個與電容元件c2的一個電極及晶體管m的柵極電連接。晶體管m的漏極通過ano端子被供應(yīng)陽極電壓。晶體管m的漏極與電容元件c2的另一個電極連接。晶體管m的源極與第二顯示元件650(i,j)的一個電極連接。第二顯示元件650(i,j)的另一個電極通過vcath端子被供應(yīng)陰極電壓。雖然示出電容元件c2的另一個電極與晶體管m的漏極電連接的例子，但是電容元件c2的另一個電極既可以與晶體管m的源極電連接，又可以與被供應(yīng)其他電壓的端子電連接。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于圖2的像素電路710c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)。圖3a至圖3c示出與圖2不同的像素電路710c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)的一個例子。

圖3a至圖3c示出其晶體管包括背柵極的像素。除了晶體管以外的結(jié)構(gòu)與圖2所示的電路相同。

圖3a與圖2的不同之處如下。在圖3a中，作為像素電路710c(i,j)所包括的晶體管示出包括背柵極的晶體管。晶體管sw1_1的柵極與晶體管sw1_1的背柵極連接。同樣地，在晶體管sw2_1及晶體管m_1中柵極與背柵極電連接。與晶體管sw1_1的柵極電壓相同的電壓被供應(yīng)給晶體管sw1_1的背柵極。晶體管sw2_1及晶體管m_1也是同樣的。

圖3b與圖3a的不同之處如下。在圖3b中，晶體管m_2的背柵極與晶體管m_2的源極連接。與晶體管m_2的源極電壓相同的電壓被供應(yīng)給晶體管m_2的背柵極。

圖3c與圖3a的不同之處如下。在圖3c中，晶體管m_3的背柵極與bgl端子連接?？梢詮腷gl端子對背柵極供應(yīng)電壓。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于圖3a至圖3c的像素電路710c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)。既可以將其它端子與背柵極電連接，又可以組合上述連接方法。

作為晶體管的結(jié)構(gòu)，可以采用利用柵電極(第一柵電極)及背柵電極(第二柵電極)的電場電圍繞形成溝道區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的裝置結(jié)構(gòu)。將該裝置結(jié)構(gòu)稱為surroundedchannel(s-channel：圍繞溝道)結(jié)構(gòu)。

圖4a示出選擇電路20的結(jié)構(gòu)。選擇電路20包括判定電路21及判定電路22。判定電路21及判定電路22包括判定輸入信號的條件的電路25以及緩沖器電路26。

電路25的一個輸入端子被輸入移位寄存器電路111的輸出信號sr，該信號sr被用來選擇選擇電路20。判定電路21的電路25的另一個輸入端子被輸入選擇信號輸出電路30的選擇信號md_l。判定電路22的電路25的另一個輸入端子被輸入選擇信號輸出電路30的選擇信號md_e。

在圖4b中，以時序圖f21表示選擇電路20所包括的判定電路21的工作。在移位寄存器電路111的輸出信號sr及選擇信號md_l為high時，對第一掃描線g1輸出high信號。在其它輸入條件的情況下，對第一掃描線g1輸出low信號。

在圖4b中，以時序圖f22表示選擇電路20所包括的判定電路22的工作。在移位寄存器電路111的輸出信號sr及選擇信號md_e為high時，對第二掃描線g2輸出high信號。在其它輸入條件的情況下，對第二掃描線g2輸出low信號。

判定電路21的緩沖器電路26將其電壓振幅比第一顯示元件750的灰度信號大的信號輸出到第一掃描線g1。

判定電路22的緩沖器電路26將其電壓振幅比第二顯示元件650的灰度信號大的信號輸出到第二掃描線g2。

由于第一顯示元件750的灰度信號的電壓振幅與第二顯示元件650不同，所以第一掃描線g1的輸出電壓的振幅與第二掃描線g2不同

注意，本發(fā)明的一個方式只要滿足圖4b的工作條件即可，不局限于圖4a的選擇電路20的電路結(jié)構(gòu)。

圖5a是示出圖1的顯示裝置700的工作的時序圖。在圖1的柵極驅(qū)動器110中，從移位寄存器電路111依次輸出輸出信號sr(1)至sr(n)。

通過使用移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)及選擇信號輸出電路30的選擇信號md_l，使選擇電路20的判定電路21生成向第一掃描線g1(j)輸出的掃描信號。

通過使用移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)及選擇信號輸出電路30的選擇信號md_e，使選擇電路20的判定電路22生成向第二掃描線g2(j)輸出的掃描信號。

參照圖5a所示的時序圖說明輸出信號sr(1)為high的期間的移位寄存器電路111的工作。

在輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_l為high的期間，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high，由此可以通過與像素電路750c(i,1)電連接的第一信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,1)寫入灰度信號。

在輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_e為high的期間，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high，由此可以通過與像素電路650c(i,1)電連接的第二信號線s2(1)至s2(m)對像素電路650c(i,1)寫入灰度信號。

圖5b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。將用像素電路750c(i,j)進(jìn)行顯示的區(qū)域記為液晶顯示區(qū)域121，將用像素電路650c(i,j)進(jìn)行顯示的區(qū)域記為發(fā)光顯示區(qū)域122。

在圖5b中，借助于輸出信號sr(j)、選擇信號md_l、選擇信號md_e及選擇電路20，掃描信號輸出到第一掃描線g1(j)，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，掃描信號輸出到第二掃描線g2(j)，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖5a的時序圖。

作為一個例子，說明圖1的移位寄存器電路111的輸出信號sr(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的灰度信號而被刷新。

當(dāng)輸出信號sr(1)為high時，選擇信號md_e為high。在選擇信號md_e為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的灰度信號而被刷新。

在圖5a中，在輸出信號sr(1)為high的期間，選擇信號md_l先為high，接著，選擇信號md_e為high。在圖5b中，在選擇信號md_l為high的期間，液晶顯示區(qū)域121的顯示先被刷新。接著，在選擇信號md_e為high的期間，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

關(guān)于第一掃描線g1(1)及第二掃描線g2(1)，可以使用包括移位寄存器電路111及選擇電路20的柵極驅(qū)動器控制掃描線的選擇。

在圖1的例子中，由于使用選擇信號md_l及選擇信號md_e的信號，所以判定電路21及判定電路22包括n溝道型晶體管。判定電路21及判定電路22也可以由互補(bǔ)型mos開關(guān)(cmos開關(guān)、模擬開關(guān))構(gòu)成。通過由互補(bǔ)型mos開關(guān)構(gòu)成判定電路，可以以正邏輯及負(fù)邏輯判定選擇條件，從而可以減少選擇信號的數(shù)量。

使用圖6a所示的時序圖，以與圖5a不同的時序使圖1的顯示裝置700工作。對輸出信號sr(1)為high期間的移位寄存器電路111的工作進(jìn)行說明。

在輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_l為high的期間，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high，由此可以通過第一信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,1)寫入灰度信號。

在輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_e為high的期間，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high，由此可以通過第二信號線s2(1)至s2(m)對像素電路650c(i,1)寫入灰度信號。

圖6b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于輸出信號sr(j)、選擇信號md_l及選擇信號md_e，第一掃描線g1(j)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，第二掃描線g2(j)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖6a的時序圖。

作為一個例子，說明圖1的移位寄存器電路111的輸出信號sr(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的灰度信號而被刷新。

當(dāng)輸出信號sr(1)為high時，選擇信號md_e為high。在選擇信號md_e為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的灰度信號而被刷新。

在圖6a中，與圖5a不同地在輸出信號sr(1)為high的期間，選擇信號md_l及選擇信號md_e同時為high。在圖6b中，由于選擇信號md_l和選擇信號md_e同時為high，所以液晶顯示區(qū)域121的顯示和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示同時被刷新。

在圖5a中，像素電路710c(i,j)的像素電路750c(i,j)和像素電路650c(i,j)的灰度信號以不同的時序被刷新。另一方面，在圖6a中，在與移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)相同的期間，第一掃描線g1(j)的掃描信號及第二掃描線g2(j)的掃描信號一直為high，由此像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的灰度信號被刷新。圖6a的結(jié)構(gòu)可以確保比圖5a長的寫入期間。

關(guān)于與像素電路750c(i,j)的晶體管sw1的柵極電連接的第一掃描線g1(j)及與像素電路650c(i,j)的晶體管sw2的柵極電連接的第二掃描線g2(j)，可以使用包括移位寄存器電路111及選擇電路20的柵極驅(qū)動器控制掃描線的選擇。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式2

在本實(shí)施方式中，參照圖7至圖9b說明在包括像素電路710c的進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置中利用不同的柵極驅(qū)動器分別控制奇數(shù)行和偶數(shù)行的方法。

圖7是示出顯示裝置701的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖7的與圖1不同之處在于：柵極驅(qū)動器110被分成控制奇數(shù)行的掃描線的柵極驅(qū)動器110a和控制偶數(shù)行的掃描線的柵極驅(qū)動器110b。

圖7的顯示裝置701中的柵極驅(qū)動器110a及柵極驅(qū)動器110b所包括的移位寄存器電路111a及移位寄存器電路111b生成輸出信號srodd及sreven，這些輸出信號的時序與圖1的柵極驅(qū)動器110所包括的移位寄存器電路111的輸出信號sr不同。

在圖7的顯示裝置701中，通過將柵極驅(qū)動器分成奇數(shù)行控制用及偶數(shù)行控制用，可以將柵極驅(qū)動器的級數(shù)減少到原來的一半，由此可以使電路面積為原來的一半。可以擴(kuò)大驅(qū)動第一掃描線g1的掃描信號及第二掃描線g2的掃描信號的選擇電路20的緩沖器電路26，從而可以提高電流供應(yīng)能力。

圖8a是示出圖7的顯示裝置701的工作的時序圖。在圖8a所示的時序圖中，與圖5a所示的時序圖同樣地輸入選擇信號md_l及選擇信號md_e。由此，以與圖5a所示的時序圖相同的時序?qū)Φ谝粧呙杈€g1(1)至g1(n)以及第二掃描線g2(1)至g2(n)供應(yīng)電壓。

圖8b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。與圖5b不同地，借助于圖7中的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)至srodd(n/2)、移位寄存器電路111b的輸出信號sreven(1)至sreven(n/2)、選擇信號md_l及選擇信號md_e，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖8a的時序圖。

作為一個例子，說明圖7的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的灰度信號而被刷新。

在移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high且選擇信號md_e為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的灰度信號而被刷新。

在圖8a中，在移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間，選擇信號md_l先為high，接著，選擇信號md_e為high。在圖8b中，在選擇信號md_l為high的期間，液晶顯示區(qū)域121的顯示先被刷新。接著，在選擇信號md_e為high的期間，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

圖9a是示出圖7的顯示裝置701的工作的時序圖。在圖9a所示的時序圖中，與圖6a所示的時序圖同樣地輸入選擇信號md_l及選擇信號md_e。由此，以與圖6a所示的時序圖相同的時序?qū)Φ谝粧呙杈€g1(1)至g1(n)以及第二掃描線g2(1)至g2(n)供應(yīng)電壓。

圖9b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于圖7中的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)至srodd(n/2)、移位寄存器電路111b的輸出信號sreven(1)至sreven(n/2)、選擇信號md_l及選擇信號md_e，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖9a的時序圖。

作為一個例子，說明圖7的柵極驅(qū)動器110a所包括的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的灰度信號而被刷新。

當(dāng)移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high時，選擇信號md_e為high。在選擇信號md_e為high時，通過選擇電路20供應(yīng)給第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。其顯示內(nèi)容根據(jù)供應(yīng)給像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的灰度信號而被刷新。

在圖9a中，與圖8a不同地在移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間，選擇信號md_l及選擇信號md_e同時為high。在圖9b中，由于選擇信號md_l和選擇信號md_e同時為high，所以液晶顯示區(qū)域121的顯示和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示同時被刷新。

關(guān)于與像素電路750c(i,j)的晶體管sw1的柵極電連接的第一掃描線g1(j)或與像素電路650c(i,j)的晶體管sw2的柵極電連接的第二掃描線g2(j)，可以使用包括移位寄存器電路111a或移位寄存器電路111b以及選擇電路20的柵極驅(qū)動器控制掃描線的選擇。

圖7的顯示裝置701具有其柵極驅(qū)動器被分成控制奇數(shù)行的柵極驅(qū)動器110a及控制偶數(shù)行的柵極驅(qū)動器110b的結(jié)構(gòu)，而通過控制選擇信號md_l及選擇信號md_e，可以以與圖1的顯示裝置700相同的時序進(jìn)行工作。由于能夠提高電流供應(yīng)能力，所以可以驅(qū)動包括像素電路710c的進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式3

在本實(shí)施方式中，參照圖10至圖14d說明在進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置中以不同的刷新頻率控制液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動方法。

圖10是示出顯示裝置702的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖10的與圖1不同之處在于：柵極驅(qū)動器110被分成控制液晶顯示區(qū)域121的掃描線的柵極驅(qū)動器110c和控制發(fā)光顯示區(qū)域122的掃描線的柵極驅(qū)動器110d。此外，選擇電路20的輸出信號輸出到奇數(shù)行的掃描線及偶數(shù)行的掃描線。

圖10中的顯示裝置702的柵極驅(qū)動器110c及柵極驅(qū)動器110d可以分別獨(dú)立地選擇控制液晶顯示區(qū)域121的掃描線及發(fā)光顯示區(qū)域122的掃描線。

圖11a是示出圖10的顯示裝置702的工作的時序圖。作為一個例子，對柵極驅(qū)動器110c所包括的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及柵極驅(qū)動器110d所包括的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high且選擇信號md_lodd為high的期間，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high，由此可以通過第一信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,1)寫入灰度信號。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high且選擇信號md_leven為high的期間，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high，由此可以通過第一信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,2)寫入灰度信號。

在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high且選擇信號md_eodd為high的期間，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high，由此可以通過第二信號線s2(1)至s2(m)對像素電路650c(i,1)寫入灰度信號。

在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high且選擇信號md_eeven為high的期間，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high，由此可以通過第二信號線s2(1)至s2(m)對像素電路650c(i,2)寫入灰度信號。

圖11b示意性地示出液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的驅(qū)動狀態(tài)。在此示出：根據(jù)移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd和md_leven、移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)以及選擇信號md_eodd和md_eeven刷新液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容的順序。

圖11b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及選擇信號md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。借助于移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及選擇信號md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖11a的時序圖。

作為一個例子，說明圖10的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high的期間。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,2)至像素電路750c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

同樣地，對移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high的期間進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_eeven為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,2)至像素電路650c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖11a中，在圖10的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high的期間，選擇信號md_lodd及md_eodd同時為high。在圖11b中，由于選擇信號md_lodd和md_eodd同時為high，所以液晶顯示區(qū)域121的顯示和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示同時被刷新。

為了獨(dú)立地控制液晶顯示區(qū)域121或發(fā)光顯示區(qū)域122,分離地設(shè)置顯示裝置702的柵極驅(qū)動器。并且，使用選擇電路20控制奇數(shù)行和偶數(shù)行。通過使用選擇信號md_lodd、md_leven、選擇信號md_eodd及md_eeven的驅(qū)動時序，可以選擇性地控制與像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)連接的掃描線。

圖12a是示出圖10的顯示裝置702的工作的時序圖，該時序圖與圖11a不同。在此示出以不同的時序進(jìn)行液晶顯示區(qū)域121的顯示刷新和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示刷新的例子。換言之，在此示出液晶顯示區(qū)域121的顯示和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示的刷新頻率彼此不同的例子。使用第一幀f1和第二幀f2進(jìn)行說明。對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

例如，在第一幀f1中，由于柵極驅(qū)動器110c和柵極驅(qū)動器110d以相同的時序工作，所以移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)以相同的時序被輸出。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和選擇信號md_lodd為high的期間，通過判定電路21，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。在第一掃描線g1(1)的掃描信號為high時，包括第一顯示元件750(i,1)的像素電路750c(i,1)的灰度信號被刷新。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和選擇信號md_leven為high的期間，通過判定電路22，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high。在第一掃描線g1(2)的掃描信號為high時，像素電路750c(i,2)的灰度信號被刷新。

在選擇信號md_eodd為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號sre(1)的狀態(tài)如何，第二掃描線g2(1)的掃描信號為low。在選擇信號md_eeven為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號sre(1)的狀態(tài)如何，第二掃描線g2(1)的掃描信號為low。

例如，在第二幀f2中，由于柵極驅(qū)動器110c和柵極驅(qū)動器110d以相同的時序工作，所以移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)以相同的時序被輸出。

在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)和選擇信號md_eodd為high的期間，通過判定電路21，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。在第二掃描線g2(1)的掃描信號為high時，像素電路650c(i,1)的灰度信號被刷新。

在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)和選擇信號md_eeven為high的期間，通過判定電路22，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high。在第二掃描線g2(2)的掃描信號為high時，只有包括第二顯示元件650(i,2)的像素電路650c(i,2)的灰度信號被刷新。

在選擇信號md_lodd為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號srl(1)的狀態(tài)如何，第一掃描線g1(1)的掃描信號為low。在選擇信號md_leven為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號srl(1)的狀態(tài)如何，第一掃描線g1(1)的掃描信號為low。

圖12b示意性地示出以第一幀f1和第二幀f2的時序進(jìn)行驅(qū)動時的液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的驅(qū)動狀態(tài)。

在第一幀f1中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新，而發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容不被刷新。在第二幀f2中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容不被刷新，而發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。

圖12b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，借助于移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖12a的時序圖。

在第一幀f1中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新，而發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容不被刷新。

作為一個例子，說明移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high的期間。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,2)至像素電路750c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

同樣地，對移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high的期間進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容不被刷新。在選擇信號md_eeven為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(2)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,2)至像素電路650c(m,2)的顯示內(nèi)容不被刷新。

在第二幀f2中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容不被刷新，而發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。

作為一個例子，說明移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high的期間。在選擇信號md_lodd為low時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為low。這意味著，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容不被刷新。在選擇信號md_leven為low時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(2)的掃描信號為low。這意味著，像素電路750c(1,2)至像素電路750c(m,2)的顯示內(nèi)容不被刷新。

同樣地，對圖10的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high的期間進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_eeven為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,2)至像素電路650c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖12a的第一幀f1中，在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)或srl(2)為high的期間，當(dāng)選擇信號md_lodd或md_leven為high時，液晶顯示區(qū)域121的顯示被刷新。在第二幀f2中，在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)或sre(2)為high的期間，當(dāng)選擇信號md_eodd或md_eeven為high時，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

雖然圖12a示出使用選擇信號選擇性地控制掃描線來以幀單位使液晶顯示區(qū)域121或發(fā)光顯示區(qū)域122停止的例子，但是同樣地通過以幀單位使移位寄存器電路停止也可以獲得相同的效果。

另外，當(dāng)像素電路750c(i,j)顯示靜態(tài)圖像并且像素電路650c(i,j)顯示動態(tài)圖像時，可以根據(jù)顯示內(nèi)容選擇最適合的驅(qū)動，例如，以使靜態(tài)圖像的顯示內(nèi)容的刷新頻率比動態(tài)圖像低的方式進(jìn)行驅(qū)動。

另外，通過在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部120中進(jìn)行最適合的驅(qū)動，可以降低其功耗。

注意，在本發(fā)明的一個方式中通過選擇電路20選擇性地控制偶數(shù)行和奇數(shù)行，但是通過選擇電路20可選擇的行數(shù)也可以為2以上的整數(shù)。

圖13a是示出圖10的顯示裝置702的工作的時序圖，該時序圖與圖12a不同。在此示出的例子是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示區(qū)域及第二顯示區(qū)域，并且，第一顯示區(qū)域所包括的顯示元件的顯示的刷新頻率與第二顯示區(qū)域所包括的顯示元件不同。具體而言，液晶顯示區(qū)域121和發(fā)光顯示區(qū)域122中的一個在其全面依次刷新顯示，另一個只在其一部分刷新顯示。作為一個例子，使用第三幀f3進(jìn)行說明。以時序圖示出移位寄存器電路111c及移位寄存器電路111d的第j行及其前后1行的工作。

作為一個例子，對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(j-1)、srl(j)和srl(j+1)以及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(j-1)、sre(j)和sre(j+1)為high的期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

在第三幀f3中，柵極驅(qū)動器110c和柵極驅(qū)動器110d以相同的時序工作。移位寄存器電路111c的輸出信號srl(j)和移位寄存器電路111d的輸出信號sre(j)以相同的時序被輸出。

對圖10的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(j-1)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k-2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k-2)至像素電路750c(m,k-2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k-1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k-1)至像素電路750c(m,k-1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖10的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(j-1)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(k-2)及g2(k-1)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,k-2)至像素電路650c(m,k-2)的顯示內(nèi)容不被刷新，并且，像素電路650c(1,k-1)至像素電路650c(m,k-1)的顯示內(nèi)容不被刷新。

對圖10的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(j)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k)至像素電路750c(m,k)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k+1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k+1)至像素電路750c(m,k+1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖10的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(j)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(k)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,k)至像素電路650c(m,k)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(k+1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,k+1)至像素電路650c(m,k+1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖10的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(j+1)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k+2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k+2)至像素電路750c(m,k+2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(k+3)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,k+3)至像素電路750c(m,k+3)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖10的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(j+1)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(k+2)和g2(k+1)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,k+2)至像素電路650c(m,k+2)的顯示內(nèi)容不被刷新，并且，像素電路650c(1,k+3)至像素電路650c(m,k+3)的顯示內(nèi)容不被刷新。

在第三幀f3中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容依次被刷新，而在發(fā)光顯示區(qū)域122中只有輸出信號sre(j)的顯示內(nèi)容被刷新。

圖13b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，借助于移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖13a的時序圖。

在圖13b中，通過使用選擇信號可以刷新特定顯示區(qū)域的顯示內(nèi)容。

例如，可以在像素電路750c(i,j)中整個液晶顯示區(qū)域121顯示靜態(tài)圖像，并且在像素電路650c(i,j)中只有特定的發(fā)光顯示區(qū)域122a顯示動態(tài)圖像?？梢愿鶕?jù)顯示內(nèi)容選擇最適合的驅(qū)動，例如，當(dāng)顯示靜態(tài)圖像時以顯示內(nèi)容的刷新頻率比動態(tài)圖像低的方式進(jìn)行驅(qū)動。

通過在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部120中進(jìn)行最適合的驅(qū)動，使顯示內(nèi)容的刷新頻率最優(yōu)化，由此可以降低其功耗。

注意，在本發(fā)明的一個方式中通過選擇電路20選擇性地控制偶數(shù)行和奇數(shù)行，但是通過選擇電路20可選擇的行數(shù)也可以為2以上的整數(shù)。

圖14a至圖14d示出圖1、圖7及圖10所示的電路中可以執(zhí)行的工作模式的一個例子。

在圖14b中，可以每隔一行交替刷新液晶顯示區(qū)域121和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示。也可以僅對液晶顯示區(qū)域121和發(fā)光顯示區(qū)域122中的任一個進(jìn)行顯示刷新。在灰度級高且像素尺寸的分辨率高的顯示裝置中，通過確保更長的寫入時間可以提高其顯示品質(zhì)。

在圖14c中，可以每四幀一次刷新液晶顯示區(qū)域121和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容。通過降低顯示內(nèi)容的刷新頻率，可以減小功耗。

在圖14d中，可以對圖14c的工作進(jìn)一步組合發(fā)光顯示區(qū)域122的特定區(qū)域的顯示內(nèi)容的刷新工作。在顯示靜態(tài)圖像的液晶顯示區(qū)域121中可以降低顯示內(nèi)容的刷新頻率，并且，在特定區(qū)域中可以進(jìn)行適合于動態(tài)顯示的顯示內(nèi)容的刷新。在進(jìn)行動態(tài)顯示的特定區(qū)域中，通過組合圖14b的驅(qū)動模式，可以進(jìn)一步降低功耗。

在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部中，通過使用選擇信號md_lodd、選擇信號md_leven、選擇信號md_eodd及選擇信號md_eeven及選擇電路20，可以控制掃描線的驅(qū)動時序。此外，可以根據(jù)顯示內(nèi)容控制最適合的刷新頻率。此外，如圖14a至圖14d所示，可以通過選擇性地控制掃描線自由地控制液晶顯示區(qū)域121以及發(fā)光顯示區(qū)域122的特定區(qū)域的顯示內(nèi)容的刷新。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式4

在本實(shí)施方式中，參照圖15至圖19說明具有從信號線將灰度信號供應(yīng)給像素電路的功能的顯示裝置，該信號線與包括第一顯示元件的像素電路及包括第二顯示元件的像素電路電連接。

圖15示出像素電路720c的結(jié)構(gòu)例子。以圖16的顯示裝置700的顯示部120的像素中的一個為像素電路720c(i,j)進(jìn)行說明。在顯示部120中，在列方向上n個(n為1以上的整數(shù))在行方向上m個(m為1以上的整數(shù))總計(jì)為m×n個像素被配置為矩陣狀。i是1以上且m以下的整數(shù)，j是1以上且n以下的整數(shù)。

像素電路720c(i,j)包括像素電路750c(i,j)，像素電路750c(i,j)包括第一顯示元件750(i,j)。第一顯示元件750(i,j)例如為了防止烙印現(xiàn)象優(yōu)選為進(jìn)行交流驅(qū)動的液晶元件。

像素電路720c(i,j)包括像素電路650c(i,j)，像素電路650c(i,j)包括第二顯示元件650(i,j)。第二顯示元件650(i,j)例如優(yōu)選為進(jìn)行直流驅(qū)動的發(fā)光元件。

像素電路750c(i,j)的晶體管sw1的柵極與第一掃描線g1(j)電連接。晶體管sw1的源極和漏極中的一個與信號線s1(i)電連接。

根據(jù)信號線s1(i)所供應(yīng)的第一灰度信號，由第一像素電極與第一對置電極之間生成的電壓控制第一顯示元件750(i,j)的灰度。

像素電路650c(i,j)的晶體管sw2的柵極與第二掃描線g2(j)電連接。晶體管sw2的源極和漏極中的一個與信號線s1(i)電連接。

通過使用被信號線s1(i)所供應(yīng)的第二灰度信號控制的晶體管m控制驅(qū)動電流。由流過第二顯示元件650(i,j)中的驅(qū)動電流控制第二顯示元件650(i,j)的灰度。

圖16是示出顯示裝置700的結(jié)構(gòu)的方框圖。顯示裝置700包括柵極驅(qū)動器110、選擇信號輸出電路30及顯示部120。柵極驅(qū)動器110包括移位寄存器電路111及選擇電路20。選擇電路20包括判定電路21及22。顯示部120包括像素電路720c(1,1)至像素電路720c(m,n)。像素電路720c(m,n)包括像素電路750c(m,n)及像素電路650c(m,n)。

本實(shí)施方式中說明的顯示部120包括像素電路720c(1,1)至像素電路720c(m,n)、第一線掃描線g1(1)至g1(n)、第二線掃描線g2(1)至g2(n)以及信號線s1(1)至s1(m)。

選擇電路20的結(jié)構(gòu)與圖4a和圖4b相同，由此省略說明。

圖17a是示出圖16的顯示裝置700的工作的時序圖。在圖16的柵極驅(qū)動器110中，從移位寄存器電路111依次輸出輸出信號sr(1)至sr(n)。

通過使用移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)及選擇信號輸出電路30的選擇信號md_l，使選擇電路20的判定電路21生成向與像素電路750c(i,j)電連接的第一掃描線g1(j)輸出的掃描信號。

通過使用移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)及選擇信號輸出電路30的選擇信號md_e，使選擇電路20的判定電路22生成向與像素電路650c(i,j)電連接的第二掃描線g2(j)輸出的掃描信號。

作為一個例子，參照圖17a所示的時序圖說明輸出信號sr(1)為high期間的柵極驅(qū)動器110的工作。

在移位寄存器電路111的輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_l為high的期間，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high，由此可以通過與像素電路750c(i,1)電連接的信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,1)寫入灰度信號。

在移位寄存器電路111的輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_e為high的期間，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high，由此可以通過與像素電路650c(i,1)電連接的信號線s1(1)至s1(m)對像素電路650c(i,1)寫入灰度信號。

圖17b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。將用像素電路750c(i,j)進(jìn)行顯示的區(qū)域記為液晶顯示區(qū)域121，將用像素電路650c(i,j)進(jìn)行顯示的區(qū)域記為發(fā)光顯示區(qū)域122。

根據(jù)圖16的移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)、選擇信號md_l、選擇信號md_e及選擇電路20，對第一掃描線g1(j)輸出掃描信號，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，對第二掃描線g2(j)輸出掃描信號，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示內(nèi)容的刷新順序?qū)?yīng)于圖17a的時序圖。

圖17b示出輸出信號sr(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high的期間，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。因此，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在輸出信號sr(1)為high且選擇信號md_e為high的期間，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。因此，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖17a中，在輸出信號sr(1)為high的期間，選擇信號md_l先為high，接著，選擇信號md_e為high。在圖17b中，在選擇信號md_l為high的期間，液晶顯示區(qū)域121的顯示先被刷新。接著，在選擇信號md_e為high的期間，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

在圖16所示的電路中，第一掃描線g1和第二掃描線g2的掃描信號以不同的時序?yàn)閔igh，因此，供應(yīng)給信號線的第一灰度信號及第二灰度信號相互不受影響。

關(guān)于與像素電路750c(i,1)的晶體管sw1的柵極電連接的第一掃描線g1(1)及與像素電路650c(i,1)的晶體管sw2的柵極電連接的第二掃描線g2(1)，可以使用包括移位寄存器電路111及選擇電路20的柵極驅(qū)動器110控制掃描線的選擇。

可以對信號線s1(i)供應(yīng)像素電路750c(i,1)的灰度信號及像素電路650c(i,1)的灰度信號。

在圖15所示的像素電路720c(i,j)中，當(dāng)像素電路650c(i,j)所包括的第二顯示元件650(i,j)的電阻成分產(chǎn)生偏差時，晶體管m的漏極與源極間的電壓也會產(chǎn)生偏差。由于晶體管m的漏極被固定為陽極電壓，第二顯示元件650(i,j)的對置電極被固定為陰極電壓，所以晶體管m的源極電壓會產(chǎn)生偏差。當(dāng)晶體管m的源極電壓產(chǎn)生偏差時，施加到晶體管m的源極與柵極間的電壓會產(chǎn)生偏差，因此其驅(qū)動電流產(chǎn)生偏差，而不能正確地控制灰度。

為了以正確的灰度控制顯示元件650(i,j)，需要在以晶體管m的源極電壓為基準(zhǔn)的情況下將根據(jù)第二灰度信號生成的電壓供應(yīng)給晶體管m的柵極。

參照圖18a至圖18c說明控制驅(qū)動電流而不受到像素電路650c(i,j)所包括的第二顯示元件650(i,j)的電阻成分不均勻的影響的工作。圖18a與圖15的不同之處在于：在圖18a中，像素電路650c(i,j)包括晶體管sw3。

晶體管sw3的源極和漏極中的一個與晶體管m的源極電連接。晶體管sw3的源極和漏極中的另一個與cscom端子電連接。晶體管sw3的柵極與第三掃描線g3(j)電連接。

第三掃描線被供應(yīng)移位寄存器電路111的輸出信號sr作為第三掃描信號。

參照圖18b的時序圖說明控制驅(qū)動電流而不受到像素電路650c(i,j)所包括的第二顯示元件650(i,j)的電阻成分不均勻的影響的工作。在第一掃描信號為high的期間，第三掃描線g3被供應(yīng)移位寄存器電路111的輸出信號sr(j)作為第三掃描信號。晶體管sw3的柵極為high，由此晶體管m的源極通過cscom端子被供應(yīng)公共電壓。

由于晶體管m的源極與第二像素電極電連接，所以電流通過第二顯示元件650(i,j)流過第二像素電極與第二對置電極之間。優(yōu)選以該電流不助于使第二顯示元件650(i,j)發(fā)光的方式根據(jù)第二顯示元件650(i,j)的電特性設(shè)定公共電壓。

在輸出信號sr(j)為high的期間，晶體管m的源極被供應(yīng)公共電壓。在像素電路750c(i,j)所包括的第一顯示元件750(i,j)的灰度根據(jù)第一灰度信號變化的期間，像素電路650c(i,j)的第二顯示元件650(i,j)不被供應(yīng)發(fā)光所需要的電流，因此不發(fā)光。

還在第二掃描信號為high，像素電路650c(i,j)被寫入灰度信號的期間，晶體管m的源極被固定為公共電壓。因此，可以正確地對像素電路650c(i,j)供應(yīng)以公共電壓為基準(zhǔn)的灰度信號。

圖18c示出圖18a的信號的電壓關(guān)系。首先，對掃描信號進(jìn)行說明。將在第一掃描信號為high的期間被供應(yīng)的高電壓記為g1_h，將在第一掃描信號為low的期間被供應(yīng)的低電壓記為g1_l。將在第二掃描信號為high的期間被供應(yīng)的高電壓記為g2_h，將在第二掃描信號為low的期間被供應(yīng)的低電壓記為g2_l。雖然在此示出g1_h和g2_h以及g1_l和g2_l彼此不同的例子，但是當(dāng)它們?yōu)橄嗤碾妷簳r可以減少電源數(shù)量，從而能夠減小電路規(guī)模。

對灰度信號進(jìn)行說明。作為一個例子示出第一顯示元件750(i,j)為進(jìn)行反轉(zhuǎn)驅(qū)動的液晶元件的情況。在當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O和第一對置電極都為公共電壓時顯示黑灰度的情況下，將從第一灰度信號生成的最大電壓記為750_h1，將從反轉(zhuǎn)驅(qū)動時的第一灰度信號生成的最小電壓記為750_h2。750_l為公共電壓。將從第二灰度信號生成的最大電壓記為650_h，將從第二灰度信號生成的最小電壓記為650_l。

在圖18c中，作為650_l供應(yīng)與750_l相同的公共電壓，但是作為650_l優(yōu)選供應(yīng)如下電壓，該電壓不使流過陰極端子的電流助于使第二顯示元件650(i,j)發(fā)光。優(yōu)選根據(jù)第二顯示元件650(i,j)的電特性設(shè)定作為650_l供應(yīng)的公共電壓。

對圖18c未示出的信號的電壓進(jìn)行說明。作為供應(yīng)給ano端子的陽極電壓比650_h大，作為供應(yīng)給vcath端子的陰極電壓比650_l小。

在圖18a所示的電路中，即使沒有為了避免受到像素電路650c(i,j)所包括的第二顯示元件650(i,j)的電阻成分不均勻的影響而設(shè)置的控制驅(qū)動電流的電路，通過利用像素電路750c(i,j)所包括的電容元件c1的基準(zhǔn)電壓的公共電壓，也可以改善顯示品質(zhì)而不需要設(shè)置新的布線。

在圖18a所示的電路中，即使沒有為了避免受到像素電路650c(i,j)所包括的第二顯示元件650(i,j)的電阻成分不均勻的影響而設(shè)置的控制驅(qū)動電流的電路，通過使第一掃描線g1和第二掃描線g2的掃描信號以不同的時序?yàn)閔igh，供應(yīng)給信號線的第一灰度信號和第二灰度信號相互不受影響。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于圖15的像素電路720c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)。圖19示出與圖15不同的像素電路720c(i,j)所包括的像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)的一個例子。

圖19與圖3c所包括的像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的不同之處如下。圖19的晶體管sw1_2的背柵極及晶體管sw2_2的背柵極與bgl1端子連接。可以從bgl1端子供應(yīng)背柵極的電壓。供應(yīng)給bgl1端子的電壓可以與供應(yīng)給bgl端子的電壓相同或不同。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于圖19的像素電路720c(i,j)的電路結(jié)構(gòu)。既可以將其它端子與背柵極電連接，又可以組合上述連接方法。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式5

在本實(shí)施方式中，參照圖20至圖21b說明在包括像素電路720c的進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置中利用不同的柵極驅(qū)動器分別控制奇數(shù)行和偶數(shù)行的方法。

圖20是示出顯示裝置701的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖20的與圖16不同之處在于：柵極驅(qū)動器110被分成控制奇數(shù)行的掃描線的柵極驅(qū)動器110a和控制偶數(shù)行的掃描線的柵極驅(qū)動器110b。

圖20的顯示裝置701所包括的移位寄存器電路111a及移位寄存器電路111b生成輸出信號srodd及sreven，這些輸出信號的時序與圖16的移位寄存器電路111的輸出信號sr不同。

在圖20的顯示裝置701中，通過將柵極驅(qū)動器分成奇數(shù)行控制用結(jié)構(gòu)及偶數(shù)行控制用結(jié)構(gòu)，可以將柵極驅(qū)動器的級數(shù)減少到原來的一半，由此可以使電路面積為原來的一半?？梢詳U(kuò)大驅(qū)動第一掃描線g1的掃描信號及第二掃描線g2的掃描信號的選擇電路20的緩沖器電路26，從而可以提高電流供應(yīng)能力。圖20所示的n為整數(shù)且為2以上的偶數(shù)。

圖21a是示出圖20的顯示裝置701的工作的時序圖。在圖21a所示的時序圖中，與圖17a所示的時序圖同樣地輸入選擇信號md_l及選擇信號md_e。由此，以與圖17a所示的時序圖相同的時序?qū)Φ谝粧呙杈€g1(1)至g1(n)以及第二掃描線g2(1)至g2(n)供應(yīng)電壓。

圖21b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。與圖17b不同地，根據(jù)圖20中的柵極驅(qū)動器110a所包括的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)至srodd(n/2)、柵極驅(qū)動器110b所包括的移位寄存器電路111b的輸出信號sreven(1)至sreven(n/2)、選擇信號md_l及選擇信號md_e，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖21a的時序圖。

作為一個例子，說明圖7的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間。在選擇信號md_l為high的期間，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖20的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high且選擇信號md_e為high的期間，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖21a中，在柵極驅(qū)動器110a所包括的移位寄存器電路111a的輸出信號srodd(1)為high的期間，選擇信號md_l先為high，接著，選擇信號md_e為high。在圖21b中，在選擇信號md_l為high的期間，液晶顯示區(qū)域121的顯示先被刷新。接著，在選擇信號md_e為high的期間，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

關(guān)于第一掃描線g1(j)或第二掃描線g2(j)，可以使用包括移位寄存器電路111a及選擇電路20的柵極驅(qū)動器110a控制掃描線的選擇。

圖20的顯示裝置701具有其柵極驅(qū)動器被分成控制奇數(shù)行的柵極驅(qū)動器110a及控制偶數(shù)行的柵極驅(qū)動器110b的結(jié)構(gòu)，而通過控制選擇信號輸出電路30的選擇信號md_l及選擇信號md_e，可以以與圖16的顯示裝置700相同的時序進(jìn)行工作。

在像素電路720c中像素電路750c(i,j)和像素電路650c(i,j)共同使用信號線s1(j)，由此可以驅(qū)動進(jìn)行更高清晰顯示的顯示裝置。此外，通過增大緩沖器電路，電流供應(yīng)能力得到提高，由此可以驅(qū)動具有4k或8k等高分辨率和大顯示區(qū)域的顯示裝置。

在圖20所示的電路中，第一掃描線g1和第二掃描線g2的掃描信號以不同的時序?yàn)閔igh，因此，供應(yīng)給信號線的第一灰度信號及第二灰度信號相互不受影響。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式6

在本實(shí)施方式中，參照圖22至圖26b說明在包括像素電路720c的進(jìn)行高清晰顯示的顯示裝置中以不同的刷新頻率控制液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動方法。

圖22是示出顯示裝置702的結(jié)構(gòu)的方框圖。圖22的與圖16不同之處在于：柵極驅(qū)動器110被分成控制液晶顯示區(qū)域121的掃描線的柵極驅(qū)動器110c和控制發(fā)光顯示區(qū)域122的掃描線的柵極驅(qū)動器110d。此外，選擇電路20的輸出信號輸出到奇數(shù)行的掃描線及偶數(shù)行的掃描線。

圖22中的顯示裝置702的柵極驅(qū)動器110c及柵極驅(qū)動器110d可以分別獨(dú)立地選擇控制液晶顯示區(qū)域121的掃描線及發(fā)光顯示區(qū)域122的掃描線。圖22所示的n為整數(shù)且為2以上的偶數(shù)。

圖23a是示出圖22的顯示裝置702的工作的時序圖。作為一個例子，對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

在圖22的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high且選擇信號md_lodd為high的期間，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high，由此可以通過信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,1)寫入灰度信號。

在圖22的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high且選擇信號md_leven為high的期間，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high，由此可以通過信號線s1(1)至s1(m)對像素電路750c(i,2)寫入灰度信號。

在圖22的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high且選擇信號md_eodd為high的期間，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high，由此可以通過信號線s1(1)至s1(m)對像素電路650c(i,1)寫入灰度信號。

在圖22的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high且選擇信號md_eeven為high的期間，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high，由此可以通過信號線s1(1)至s1(m)對像素電路650c(i,2)寫入灰度信號。

圖23b示意性地示出液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的驅(qū)動狀態(tài)。在此示出：根據(jù)移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd和md_leven、柵極驅(qū)動器110d所包括的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)以及選擇信號md_eodd和md_eeven刷新液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容的順序。

圖23b示意性地示出顯示部120的顯示內(nèi)容的刷新狀態(tài)。根據(jù)移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及選擇信號md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，根據(jù)移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及選擇信號md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示內(nèi)容的刷新狀態(tài)對應(yīng)于圖23a的時序圖。

作為一個例子，說明圖22的移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)為high的期間。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,1)至像素電路750c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,2)至像素電路750c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

同樣地，對圖22的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high的期間進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,1)至像素電路650c(m,1)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_eeven為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,2)至像素電路650c(m,2)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

在圖22所示的電路中，第一掃描線g1和第二掃描線g2的掃描信號以不同的時序?yàn)閔igh，因此，供應(yīng)給信號線s1的第一灰度信號及第二灰度信號相互不受影響。

為了獨(dú)立地控制液晶顯示區(qū)域121或發(fā)光顯示區(qū)域122,分離地設(shè)置顯示裝置702的柵極驅(qū)動器。并且，使用選擇電路20控制奇數(shù)行和偶數(shù)行。通過使用選擇信號md_lodd、md_leven、選擇信號md_eodd及md_eeven的驅(qū)動時序，可以選擇性地控制與像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)連接的掃描線。

圖24a及圖25a是示出圖22的顯示裝置702的工作的時序圖，該時序圖與圖23a不同。在此示出以不同的時序進(jìn)行液晶顯示區(qū)域121的顯示刷新和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示刷新的例子。換言之，在此示出液晶顯示區(qū)域121的顯示和發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示的刷新頻率彼此不同的例子。在圖24a中，對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及柵極驅(qū)動器110d所包括的移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和選擇信號md_lodd為high的期間，通過判定電路21，第一掃描線g1(1)的掃描信號為high。在第一掃描線g1(1)的掃描信號為high的期間，像素電路750c(i,1)的灰度信號被刷新。

在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)和選擇信號md_leven為high的期間，通過判定電路22，第一掃描線g1(2)的掃描信號為high。在第一掃描線g1(2)的掃描信號為high時，像素電路750c(i,2)的灰度信號被刷新。

在選擇信號md_eodd為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號sre(1)的狀態(tài)如何，第二掃描線g2(1)的掃描信號為low。在選擇信號md_eeven為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號sre(1)的狀態(tài)如何，第二掃描線g2(1)的掃描信號為low。

圖24b示意性地示出液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的驅(qū)動狀態(tài)。

圖24b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。

借助于移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為low，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容不被刷新。

在圖24b中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新，而發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容不被刷新，因此，其對應(yīng)于圖24a的時序圖。

在圖25a中，對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)為high期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

例如，在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)和選擇信號md_eodd為high的期間，通過判定電路21，第二掃描線g2(1)的掃描信號為high。在第二掃描線g2(1)的掃描信號為high時，像素電路650c(i,1)的灰度信號被刷新。

在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)和選擇信號md_eeven為high的期間，通過判定電路22，第二掃描線g2(2)的掃描信號為high。在第二掃描線g2(2)的掃描信號為high時，只有像素電路650c(i,2)的灰度信號被刷新。

在選擇信號md_lodd為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號srl(1)的狀態(tài)如何，第一掃描線g1(1)的掃描信號為low。在選擇信號md_leven為low的期間，通過判定電路21，不管輸出信號srl(1)的狀態(tài)如何，第一掃描線g1(1)的掃描信號為low。

圖25b示意性地示出液晶顯示區(qū)域121及發(fā)光顯示區(qū)域122的驅(qū)動狀態(tài)。

圖25b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為low，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容不被刷新。

根據(jù)移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及md_eeven，第二掃描線g2(j)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。

在圖25b中，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新，而液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容不被刷新，因此，其對應(yīng)于圖25a的時序圖。

在圖24a中，在移位寄存器電路111c的輸出信號srl(1)或srl(2)為high的期間，當(dāng)選擇信號md_lodd或md_leven為high時，液晶顯示區(qū)域121的顯示被刷新。

在圖25a中，在移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)或sre(2)為high的期間，當(dāng)選擇信號md_eodd或md_eeven為high時，發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示被刷新。

雖然圖24a及圖25a示出使用選擇信號選擇性地控制掃描線來以幀單位使液晶顯示區(qū)域121或發(fā)光顯示區(qū)域122停止的例子，但是同樣地通過以幀單位使移位寄存器電路停止也可以獲得相同的效果。

另外，當(dāng)像素電路750c(i,j)顯示靜態(tài)圖像并且像素電路650c(i,j)顯示動態(tài)圖像時，可以根據(jù)顯示內(nèi)容選擇最適合的驅(qū)動，例如，以使靜態(tài)圖像的顯示內(nèi)容的刷新頻率比動態(tài)圖像低的方式進(jìn)行驅(qū)動。

另外，通過在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部120中進(jìn)行最適合的驅(qū)動，可以降低其功耗。

注意，在本發(fā)明的一個方式中通過選擇電路20選擇性地控制偶數(shù)行和奇數(shù)行，但是通過選擇電路20可選擇的行數(shù)也可以為2以上的整數(shù)。

圖26a是示出圖22的顯示裝置702的工作的時序圖，該時序圖與圖24a不同。在此示出的例子是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示區(qū)域及第二顯示區(qū)域，并且，第一顯示區(qū)域所包括的顯示元件的顯示的刷新頻率與第二顯示區(qū)域所包括的顯示元件不同。具體而言，液晶顯示區(qū)域121和發(fā)光顯示區(qū)域122中的一個在其全面依次刷新顯示，另一個在其一部分刷新顯示。以時序圖示出移位寄存器電路111c及移位寄存器電路111d的第10行及其前后行的工作。

作為一個例子，在圖26a和圖26b中說明第一掃描線g1(7)至g1(12)以及第二掃描線g2(7)至g2(12)的工作。

對移位寄存器電路111c的輸出信號srl(4)、srl(5)和srl(6)以及移位寄存器電路111d的輸出信號sre(4)、sre(5)和sre(6)為high的期間的時序圖的工作進(jìn)行說明。

對圖22的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(4)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(7)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,7)至像素電路750c(m,7)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(8)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,8)至像素電路750c(m,8)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖22的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(4)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd及md_eeven為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(7)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,7)至像素電路650c(m,7)的顯示內(nèi)容不被刷新。再者，通過選擇電路20，第二掃描線g2(8)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,8)至像素電路650c(m,8)的顯示內(nèi)容不被刷新。

對圖22的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(5)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(9)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,9)至像素電路750c(m,9)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(10)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,10)至像素電路750c(m,10)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖22的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(5)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(9)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,9)至像素電路650c(m,9)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_eeven為high時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(10)的掃描信號為high。這意味著，像素電路650c(1,10)至像素電路650c(m,10)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖22的移位寄存器電路111c將輸出信號srl(6)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_lodd為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(11)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,11)至像素電路750c(m,11)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。在選擇信號md_leven為high時，通過選擇電路20，第一掃描線g1(12)的掃描信號為high。這意味著，像素電路750c(1,12)至像素電路750c(m,12)的顯示內(nèi)容根據(jù)灰度信號被刷新。

對圖22的移位寄存器電路111d將輸出信號sre(6)供應(yīng)給選擇電路20時的工作進(jìn)行說明。在選擇信號md_eodd及md_eeven為low時，通過選擇電路20，第二掃描線g2(11)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,11)至像素電路650c(m,11)的顯示內(nèi)容不被刷新。再者，通過選擇電路20，第二掃描線g2(12)的掃描信號為low。這意味著，像素電路650c(1,12)至像素電路650c(m,12)的顯示內(nèi)容不被刷新。

在圖26b中，液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容依次被刷新，而在發(fā)光顯示區(qū)域122中只有輸出信號sre(5)的顯示內(nèi)容被刷新。

圖26b示意性地示出顯示部120的驅(qū)動狀態(tài)。借助于輸出信號srl(1)至srl(n/2)、選擇信號md_lodd及md_leven，第一掃描線g1(1)至g1(n)的掃描信號為high，由此液晶顯示區(qū)域121的顯示內(nèi)容被刷新。再者，借助于移位寄存器電路111d的輸出信號sre(1)至sre(n/2)、選擇信號md_eodd及md_eeven，第二掃描線g2(1)至g2(n)的掃描信號為high，由此發(fā)光顯示區(qū)域122的顯示內(nèi)容被刷新。因此，其顯示的刷新順序?qū)?yīng)于圖26a的時序圖。

在圖26b中，通過使用選擇信號可以刷新特定顯示區(qū)域的顯示內(nèi)容。

例如，可以在像素電路750c(i,j)中整個液晶顯示區(qū)域121顯示靜態(tài)圖像，并且在像素電路650c(i,j)中只有特定的發(fā)光顯示區(qū)域122a顯示動態(tài)圖像?？梢愿鶕?jù)顯示內(nèi)容選擇最適合的驅(qū)動，例如，當(dāng)顯示靜態(tài)圖像時以顯示內(nèi)容的刷新頻率比動態(tài)圖像低的方式進(jìn)行驅(qū)動。

通過在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部120中進(jìn)行最適合的驅(qū)動，使顯示內(nèi)容的刷新頻率最優(yōu)化，由此可以降低其功耗。

在圖22所示的電路中，第一掃描線g1和第二掃描線g2的掃描信號以不同的時序?yàn)閔igh，因此，供應(yīng)給信號線的第一灰度信號及第二灰度信號相互不受影響。

注意，在本發(fā)明的一個方式中通過選擇電路20選擇性地控制偶數(shù)行和奇數(shù)行，但是通過選擇電路20可選擇的行數(shù)也可以為2以上的整數(shù)。

圖14a至圖14d示出圖16、圖20及圖22所示的電路中可以執(zhí)行的顯示模式的一個例子。其中，p為1以上的整數(shù)。圖14a至圖14d示出第p+1幀至第p+4幀的顯示模式的刷新狀態(tài)。

在包括像素電路750c(i,j)及像素電路650c(i,j)的高清晰的顯示部中，通過使用選擇信號md_lodd、選擇信號md_leven、選擇信號md_eodd及選擇信號md_eeven及選擇電路20，可以控制掃描線的驅(qū)動時序。此外，可以控制根據(jù)顯示內(nèi)容最適合的刷新頻率。此外，如圖14a至圖14d所示，可以通過選擇性地控制掃描線自由地控制液晶顯示區(qū)域121以及發(fā)光顯示區(qū)域122的特定區(qū)域的顯示內(nèi)容的刷新。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式7

在本實(shí)施方式中，參照圖27a至圖31b對本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖27a、圖27b1及圖27b2是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的結(jié)構(gòu)的圖。圖27a是本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的俯視圖。圖27b1是說明圖27a的顯示裝置700所包括的像素電路710c(i,j)的一部分的仰視圖。圖27b2是省略在圖27b1中圖示的一部分結(jié)構(gòu)而說明的仰視圖。

圖28a1是說明圖27a的顯示裝置700所包括的像素電路710c(i,j)的一部分的仰視圖。圖28a2是省略在圖28a1中圖示的一部分結(jié)構(gòu)而說明的仰視圖。圖28b1是示出與圖28a1不同的開口位置的仰視圖。圖28b2是省略在圖28b1中圖示的一部分結(jié)構(gòu)而說明的仰視圖。

圖29a至圖29c是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的結(jié)構(gòu)的圖。圖29a是沿著圖27a的截?cái)嗑€x1-x2、x3-x4、x5-x6、x7-x8、x9-x10、x11-x12的截面圖。圖29b是說明顯示裝置700的一部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖29c是說明顯示裝置700的其他一部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖30a1及圖30a2是說明可以用于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的開口751h的配置的示意圖。

<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例1>

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括信號線s1(i)以及像素電路710c(i,j)(參照圖28a1及圖28a2)。

像素電路710c(i,j)與信號線s1(i)電連接。

像素電路710c(i,j)包括像素電路750c(i,j)、像素電路650c(i,j)、像素電路750c(i,j)所包括的顯示元件750(i,j)、第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜、第二絕緣膜601c、像素電路650c(i,j)所包括的顯示元件650(i,j)(參照圖29a)。

第一導(dǎo)電膜與顯示元件750(i,j)電連接(參照圖29a)。例如，可以將第一導(dǎo)電膜用于顯示元件750(i,j)的第一電極751(i,j)。

第二導(dǎo)電膜包括與第一導(dǎo)電膜重疊的區(qū)域。例如，可以將第二導(dǎo)電膜用于導(dǎo)電膜612b，該導(dǎo)電膜612b具有可用于晶體管sw1的晶體管的源極或漏極的功能。

第二絕緣膜601c包括被夾在第二導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電膜之間的區(qū)域。

像素電路710c(i,j)與第二導(dǎo)電膜電連接。例如，像素電路710c(i,j)的晶體管sw1可以使用將第二導(dǎo)電膜用于用作源極或漏極的導(dǎo)電膜612b的晶體管(參照圖29a及圖2)。

第二絕緣膜601c包括開口691a(參照圖29a)。

第二導(dǎo)電膜通過開口691a與第一導(dǎo)電膜電連接。例如，導(dǎo)電膜612b與第一電極751(i,j)電連接。

像素電路710c(i,j)與信號線s1(i)電連接(參照圖2)。導(dǎo)電膜612a與信號線s1(i)電連接(參照圖29a及圖2)。

第一電極751(i，j)包括埋入于第二絕緣膜601c的側(cè)端部。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的像素電路710c(i,j)包括晶體管sw1。晶體管sw1包括氧化物半導(dǎo)體。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的顯示元件650(i,j)具有在與顯示元件750(i,j)進(jìn)行顯示的方向相同的方向上進(jìn)行顯示的功能。例如，在附圖中以虛線的箭頭表示顯示元件750(i,j)通過控制反射外光的強(qiáng)度進(jìn)行顯示的方向。此外，在附圖中以實(shí)線的箭頭表示顯示元件650(i,j)進(jìn)行顯示的方向(參照圖29a)。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的顯示元件650(i,j)具有在由顯示元件750(i,j)進(jìn)行顯示的區(qū)域圍繞的區(qū)域中進(jìn)行顯示的功能(參照圖30a1或圖30a2)。另外，顯示元件750(i,j)在與第一電極751(i,j)重疊的區(qū)域中進(jìn)行顯示，而顯示元件650(i,j)在與開口751h重疊的區(qū)域中進(jìn)行顯示。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的顯示元件750(i,j)包括具有反射入射光的功能的反射膜，且具有控制反射光的強(qiáng)度的功能。而且，反射膜包括開口751h。例如，可以將第一導(dǎo)電膜或第一電極751(i,j)等用于顯示元件750(i,j)的反射膜。

顯示元件650(i,j)具有向開口751h發(fā)射光的功能。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括像素電路710c(i,j)、一組像素電路710c(i,1)至像素電路710c(i,n)、另一組像素電路710c(1,j)至像素電路710c(m,j)以及第一掃描線g1(j)(參照圖1)。另外，i是1以上且m以下的整數(shù)，j是1以上且n以下的整數(shù)，并且m及n是1以上的整數(shù)。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括第二掃描線g2(j)、布線cscom以及布線ano。

一群像素電路710c(i,1)至像素電路710c(i,n)包括像素電路710c(i,j)，并設(shè)置在與行方向交叉的列方向(附圖中的以箭頭c表示的方向)上。

此外，另一群像素電路710c(1,j)至像素電路710c(m,j)包括像素電路710c(i,j)，并設(shè)置在行方向(附圖中的以箭頭r表示的方向)上。

第一掃描線g1(j)與設(shè)置在行方向上的另一群像素電路710c(1,j)至像素電路710c(m,j)電連接。

設(shè)置在列方向上的一群像素電路710c(i,1)至像素電路710c(i,n)與信號線s1(i)電連接。

例如，如圖30a1及圖30a2所示，設(shè)置在像素內(nèi)的開口的位置優(yōu)選在鄰接的像素之間彼此不同。“鄰接的像素”是指在行方向和列方向中的任一者或兩者的方向上鄰接的像素。另外，例如可以將第一電極751(i,j)用于反射膜。

圖30b1至圖30b3是示出可以用于本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700的開口751h的配置例的示意圖。

圖30b1的仰視圖是圖28b1。與圖28a1相比，圖28b1的結(jié)構(gòu)能夠減少cscom的布線，從而可以提供對應(yīng)于高清晰化的顯示裝置。

與圖30a1或圖30b1所示的配置相比，在圖30b2及圖30b3中連接三個像素電路所包括的第二顯示元件的開口中心而成的線段的長度大，由此即使在如第二顯示元件那樣的小開口，也通過擴(kuò)大構(gòu)成顏色的3個像素的顯示面積可以改善顏色的顯示品質(zhì)。

上述本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括：顯示元件750；與顯示元件750電連接的第一導(dǎo)電膜；包括與第一導(dǎo)電膜重疊的區(qū)域的第二導(dǎo)電膜；包括被夾在第二導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電膜之間的區(qū)域的絕緣膜；與第二導(dǎo)電膜電連接的像素電路；以及與像素電路電連接的顯示元件650，其中第二絕緣膜包括開口，并且第二導(dǎo)電膜通過開口與第一導(dǎo)電膜電連接。

由此，例如可以使用能夠通過同一工序形成的像素電路驅(qū)動顯示元件750及以與顯示元件750不同的方法進(jìn)行顯示的顯示元件650。其結(jié)果是，可以提供一種方便性或可靠性優(yōu)異的新穎的顯示裝置。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括端子619b以及導(dǎo)電膜611b(參照圖29a)。

第二絕緣膜601c包括被夾在端子619b和導(dǎo)電膜611b之間的區(qū)域。此外，第二絕緣膜601c包括開口691b。

端子619b通過開口691b與導(dǎo)電膜611b電連接。此外，導(dǎo)電膜611b與像素電路710c(i,j)電連接。例如，當(dāng)將第一電極751(i,j)或第一導(dǎo)電膜用于反射膜時，與端子619b接觸的面和第一電極751(i,j)的朝向入射到顯示元件750(i,j)的光的面朝向相同的方向。

由此，可以通過端子將電力或信號供應(yīng)到像素電路。其結(jié)果是，可以提供一種方便性或可靠性優(yōu)異的新穎的顯示裝置。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的顯示元件750(i,j)包括包含液晶材料的層753、第一電極751(i,j)以及第二電極752。另外，第二電極752以在與第一電極751(i,j)之間形成控制液晶材料的取向的電場的方式設(shè)置。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括取向膜af1及取向膜af2。取向膜af2以在與取向膜af1之間夾有包含液晶材料的層753的方式設(shè)置。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的顯示元件650(i,j)包括第三電極651(i,j)、第四電極652以及包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)。

第四電極652包括與第三電極651(i,j)重疊的區(qū)域。包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)設(shè)置在第三電極651和第四電極652之間。而且，第三電極651(i,j)在連接部622中與晶體管m電連接。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700的像素電路710c(i,j)包括著色膜cf1、遮光膜bm、絕緣膜771以及功能膜770p。

著色膜cf1包括與顯示元件750(i,j)重疊的區(qū)域。遮光膜bm在與顯示元件750(i,j)重疊的區(qū)域包括開口。

絕緣膜771設(shè)置在著色膜cf1和包含液晶材料的層753之間或遮光膜bm和包含液晶材料的層753之間。由此，可以使因著色膜cf1的厚度產(chǎn)生的凹凸為平坦?；蛘撸梢砸种茝恼诠饽m或著色膜cf1等擴(kuò)散到包含液晶材料的層753的雜質(zhì)。

功能膜770p包括與顯示元件750(i,j)重疊的區(qū)域。功能膜770p以在與顯示元件750(i,j)之間夾有襯底770的方式設(shè)置。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括襯底670、襯底770以及功能層620。

襯底770包括與襯底670重疊的區(qū)域。功能層620設(shè)置在襯底670和襯底770之間。

功能層620包括像素電路710c(i,j)、顯示元件650(i,j)、絕緣膜621以及絕緣膜628。此外，功能層620包括絕緣膜618以及絕緣膜616。

絕緣膜621設(shè)置在顯示元件750(i,j)和顯示元件650(i,j)之間。

絕緣膜628設(shè)置在絕緣膜621和襯底670之間，并在與顯示元件650(i,j)重疊的區(qū)域包括開口。沿著第三電極651(i,j)的外周形成的絕緣膜628可以防止第三電極651和第四電極之間的短路。

絕緣膜618包括設(shè)置在絕緣膜621和顯示元件750(i,j)之間的區(qū)域。絕緣膜616包括設(shè)置在絕緣膜618和顯示元件750(i,j)之間的區(qū)域。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括接合層605、密封劑705以及結(jié)構(gòu)體kb1。

接合層605設(shè)置在功能層620和襯底670之間，并具有貼合功能層620和襯底670的功能。

密封劑705設(shè)置在功能層620和襯底770之間，并具有貼合功能層620和襯底770的功能。

結(jié)構(gòu)體kb1具有在功能層620和襯底770之間提供指定的空隙的功能。

本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括端子619c、導(dǎo)電膜611c以及導(dǎo)電體cp。

第二絕緣膜601c包括被夾在端子619c和導(dǎo)電膜611c之間的區(qū)域。此外，第二絕緣膜601c還包括開口691c。

端子619c通過開口691c與導(dǎo)電膜611c電連接。此外，導(dǎo)電膜611c與像素電路710c(i,j)電連接。

導(dǎo)電體cp被夾在端子619c和第二電極752之間，并使端子619c和第二電極752電連接。例如，可以將導(dǎo)電粒子用于導(dǎo)電體cp。

此外，本實(shí)施方式所說明的顯示裝置700包括驅(qū)動電路gd以及驅(qū)動電路sd(參照圖27a)。

驅(qū)動電路gd與第一掃描線g1(j)電連接。驅(qū)動電路gd例如包括晶體管md。具體而言，可以將包括能夠通過與像素電路710c(i,j)所包括的晶體管相同的工序形成的半導(dǎo)體膜的晶體管用于晶體管md(參照圖29a及圖29c)。

驅(qū)動電路sd與信號線s1(i)電連接。例如，驅(qū)動電路sd使用導(dǎo)電材料電連接到能夠通過與端子619b或端子619c同一工序形成的端子。

下面說明顯示裝置的各構(gòu)成要素。注意，有時無法明確區(qū)分上述構(gòu)成要素，一個構(gòu)成要素可能兼作其他構(gòu)成要素或包含其他構(gòu)成要素的一部分。

例如，可以將第一導(dǎo)電膜用于第一電極751(i,j)。此外，還可以將第一導(dǎo)電膜用于反射膜。

可以將第二導(dǎo)電膜用于具有晶體管的源極或漏極的功能的導(dǎo)電膜612b。

《結(jié)構(gòu)實(shí)例1》

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括襯底670、襯底770、結(jié)構(gòu)體kb1、密封劑705及接合層605。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括功能層620、絕緣膜621以及絕緣膜628。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括信號線s1(i)、第一掃描線g1(j)、第二掃描線g2(j)、布線cscom以及布線ano。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括第一導(dǎo)電膜或第二導(dǎo)電膜。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括端子619b、端子619c、導(dǎo)電膜611b或?qū)щ娔?11c。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括像素電路710c(i,j)或晶體管sw1。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括顯示元件750(i,j)、第一電極751(i,j)、反射膜、開口751h、包含液晶材料的層753及第二電極752。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括取向膜af1、取向膜af2、著色膜cf1、遮光膜bm、絕緣膜771及功能膜770p。

在顯示裝置700中，著色膜cf1也可以設(shè)置在絕緣膜621與顯示元件750(i,j)之間且與顯示元件650(i,j)的光經(jīng)過的開口751h重疊的位置。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括顯示元件650(i,j)、第三電極651(i,j)、第四電極652或包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括第二絕緣膜601c。

本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700包括驅(qū)動電路gd或驅(qū)動電路sd。

《襯底670》

可以將具有能夠承受制造工序中的熱處理的程度的耐熱性的材料用于襯底670等。具體而言，可以使用厚度為0.7mm的無堿玻璃。

例如，可以將第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm)、第10代(2950mm×3400mm)等大面積的玻璃襯底用于襯底670等。由此，可以制造大型顯示裝置。

可以將有機(jī)材料、無機(jī)材料或混合有機(jī)材料和無機(jī)材料等的復(fù)合材料等用于襯底670等。例如，可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機(jī)材料用于襯底670等。

具體而言，可以將無堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、水晶玻璃、石英或藍(lán)寶石等用于襯底670等。具體而言，可以將無機(jī)氧化物膜、無機(jī)氮化物膜或無機(jī)氧氮化物膜等用于襯底670等。例如，可以將氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁膜等用于襯底670等?？梢詫us(不銹鋼)或鋁等用于襯底670等。

例如，可以將以硅或碳化硅為材料的單晶半導(dǎo)體襯底或多晶半導(dǎo)體襯底、以硅鍺等為材料的化合物半導(dǎo)體襯底、soi襯底等用于襯底670等。由此，可以將半導(dǎo)體元件形成于襯底670等。

例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑料等有機(jī)材料用于襯底670等。具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用于襯底670等。

例如，襯底670等可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機(jī)材料等的膜貼合于樹脂薄膜等的復(fù)合材料。例如，襯底670等可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機(jī)材料等分散到樹脂薄膜而得到的復(fù)合材料。例如，襯底670等可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機(jī)材料等分散到無機(jī)材料而得到的復(fù)合材料。

另外，可以將單層的材料或?qū)盈B有多個層的材料用于襯底670等。例如，也可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質(zhì)擴(kuò)散的絕緣膜等的材料用于襯底670等。具體而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質(zhì)擴(kuò)散的選自氧化硅層、氮化硅層或氧氮化硅層等中的一種或多種的膜的材料用于襯底670等。或者，可以將層疊有樹脂與防止穿過樹脂的雜質(zhì)的擴(kuò)散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的材料用于襯底670等。

具體地，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用于襯底670等。

具體而言，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚酰胺(尼龍、芳族聚酰胺等)、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或具有硅氧烷鍵合的樹脂的材料用于襯底670等。

具體而言，可以將聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜(pes)或丙烯酸等用于襯底670等。

另外，可以將紙或木材等用于襯底670等。

例如，可以將具有柔性的襯底用于襯底670等。

此外，可以采用在襯底上直接形成晶體管或電容元件等的方法。另外，可以使用如下方法：例如在對制造工序中的加熱具有耐性的工序用襯底上形成晶體管或電容元件等，并將形成的晶體管或電容元件等轉(zhuǎn)置到襯底670等。由此，例如可以在具有柔性的襯底上形成晶體管或電容元件等。

《襯底770》

例如，可以將具有透光性的材料用于襯底770。具體而言，襯底770可以使用選自可用于襯底670的材料的材料。具體而言，可以使用拋光至大約0.7mm厚或0.1mm厚的無堿玻璃。

《結(jié)構(gòu)體kb1》

例如，可以將有機(jī)材料、無機(jī)材料或有機(jī)材料和無機(jī)材料的復(fù)合材料用于結(jié)構(gòu)體kb1等。由此，可以將夾住結(jié)構(gòu)體kb1等的結(jié)構(gòu)之間設(shè)定成預(yù)定的間隔。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多種樹脂的復(fù)合材料等用于結(jié)構(gòu)體kb1等。另外，也可以使用具有感光性的材料。

《密封劑705》

可以將無機(jī)材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料和有機(jī)材料的復(fù)合材料等用于密封劑705等。

例如，可以將熱熔性樹脂或固化樹脂等有機(jī)材料用于密封劑705等。

例如，可以將反應(yīng)固化型粘合劑、光固化型粘合劑、熱固化型粘合劑和/或厭氧型粘合劑等有機(jī)材料用于密封劑705等。

具體而言，可以將包含環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、亞胺樹脂、pvc(聚氯乙烯)樹脂、pvb(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、eva(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的粘合劑用于密封劑705等。

《接合層605》

例如，可以將能夠用于密封劑705的材料用于接合層605。

《絕緣膜621》

例如，可以將絕緣性無機(jī)材料、絕緣性有機(jī)材料或包含無機(jī)材料和有機(jī)材料的絕緣性復(fù)合材料用于絕緣膜621等。

具體而言，可以將無機(jī)氧化物膜、無機(jī)氮化物膜、無機(jī)氧氮化物膜等或?qū)盈B有選自這些材料中的多個材料的疊層材料用于絕緣膜621等。例如，可以將氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜等或包含層疊有選自這些材料中的多個材料的疊層材料的膜用于絕緣膜621等。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸樹脂等或選自上述樹脂中的多個樹脂的疊層材料或復(fù)合材料等用于絕緣膜621等。另外，也可以使用具有感光性的材料。

由此，例如可以使起因于與絕緣膜621重疊的各種結(jié)構(gòu)的臺階平坦化。

《絕緣膜628》

例如，可以將能夠用于絕緣膜621的材料用于絕緣膜628等。具體而言，可以將厚度為1μm的包含聚酰亞胺的膜用于絕緣膜628。

《第二絕緣膜601c》

例如，可以將能夠用于絕緣膜621的材料用作第二絕緣膜601c。具體而言，可以將包含硅及氧的材料用于第二絕緣膜601c。由此，可以抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到像素電路或顯示元件等。

例如，可以將包含硅、氧及氮的厚度為200nm的膜用作第二絕緣膜601c。

此外，第二絕緣膜601c包括開口691a、開口691b及開口691c。

《布線、端子、導(dǎo)電膜》

可以將具有導(dǎo)電性的材料用于布線等。具體而言，可以將具有導(dǎo)電性的材料用于信號線s1(i)、第一掃描線g1(j)、第二掃描線g2(j)、布線cscom、布線ano、端子619b、端子619c、導(dǎo)電膜611b或?qū)щ娔?11c等。

例如，可以將無機(jī)導(dǎo)電性材料、有機(jī)導(dǎo)電性材料、金屬或?qū)щ娦蕴沾傻扔糜诓季€等。

具體地，可以將選自鋁、金、鉑、銀、銅、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素等用于布線等?；蛘撸梢詫⒑猩鲜鼋饘僭氐暮辖鸬扔糜诓季€等。尤其是，銅和錳的合金適用于利用濕蝕刻法的微細(xì)加工。

具體地，布線等可以采用如下結(jié)構(gòu)：在鋁膜上層疊有鈦膜的雙層結(jié)構(gòu)；在氮化鈦膜上層疊有鈦膜的雙層結(jié)構(gòu)；在氮化鈦膜上層疊有鎢膜的雙層結(jié)構(gòu)；在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊有鎢膜的雙層結(jié)構(gòu)；依次層疊有鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。

具體地，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加了鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物用于布線等。

具體地，可以將含有石墨烯或石墨的膜用于布線等。

例如，可以形成含有氧化石墨烯的膜，然后通過使含有氧化石墨烯的膜還原來形成含有石墨烯的膜。作為還原方法，可以舉出利用加熱的方法以及利用還原劑的方法等。

具體地，可以將導(dǎo)電高分子用于布線等。

《第一導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜》

例如，可以將能夠用于布線等的材料用于第一導(dǎo)電膜或第二導(dǎo)電膜。

此外，可以將第一電極751(i，j)或布線等用于第一導(dǎo)電膜。

此外，可以將能夠用于晶體管sw1的晶體管的導(dǎo)電膜612b或布線等用于第二導(dǎo)電膜。

《晶體管sw1、晶體管sw2、晶體管m》

例如，可以將底柵型或頂柵型等晶體管用于晶體管sw1、晶體管sw2、晶體管m等。

例如，可以利用將包含第14族元素的半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體膜的晶體管。具體而言，可以將包含硅的半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體膜。例如，可以使用將單晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于半導(dǎo)體膜的晶體管。

例如，可以利用將氧化物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體膜的晶體管。具體而言，可以將包含銦的氧化物半導(dǎo)體或包含銦、鎵及鋅的氧化物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體膜。

例如，可以將與將非晶硅用于半導(dǎo)體膜的晶體管相比關(guān)閉狀態(tài)下的泄漏電流更小的晶體管用于晶體管sw1、晶體管sw2、晶體管m等。具體而言，可以將對半導(dǎo)體膜608使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管用于晶體管sw1、晶體管sw2、晶體管m等。

由此，與利用將非晶硅用于半導(dǎo)體膜的晶體管的像素電路相比，可以使像素電路能夠保持的圖像信號的時間長。具體而言，可以抑制閃爍的發(fā)生，并以低于30hz、優(yōu)選為低于1hz、更優(yōu)選為低于1次/分的頻率供應(yīng)選擇信號。其結(jié)果是，可以降低信息處理裝置的使用者的眼疲勞。另外，可以降低伴隨驅(qū)動的功耗。

能夠用于晶體管sw1的晶體管包括半導(dǎo)體膜608及具有與半導(dǎo)體膜608重疊的區(qū)域的導(dǎo)電膜604(參照圖29b)。另外，能夠用于晶體管sw1的晶體管包括導(dǎo)電膜612a及導(dǎo)電膜612b。

導(dǎo)電膜604具有柵極的功能，絕緣膜606具有柵極絕緣膜的功能。導(dǎo)電膜612a具有源極的功能和漏極的功能中的一個，導(dǎo)電膜612b具有源極的功能和漏極的功能中的另一個。

此外，可以將包括以在與導(dǎo)電膜604之間夾著半導(dǎo)體膜608的方式設(shè)置的導(dǎo)電膜624的晶體管用作晶體管m(參照圖29c)。

可以將依次層疊有包含鉭及氮的厚度為10nm的膜以及包含銅的厚度為300nm的膜的導(dǎo)電膜用作導(dǎo)電膜604。

可以將層疊有包含硅及氮的厚度為400nm的膜以及包含硅、氧及氮的厚度為200nm的膜的材料用作絕緣膜606。

可以將包含銦、鎵及鋅的厚度為25nm的膜用作半導(dǎo)體膜608。

可以將依次層疊有包含鎢的厚度為50nm的膜、包含鋁的厚度為400nm的膜、包含鈦的厚度為100nm的膜的導(dǎo)電膜用作導(dǎo)電膜612a或?qū)щ娔?12b。

《顯示元件750(i，j)》

例如，可以將具有控制反射光或透光的功能的顯示元件用作顯示元件750(i，j)等。例如，可以使用組合有液晶元件與偏振片的結(jié)構(gòu)或快門方式的mems顯示元件等。通過使用反射型顯示元件，可以抑制顯示裝置的功耗。具體而言，可以將反射型液晶顯示元件用作顯示元件750。

此外，可以使用可通過ips(in-plane-switching：平面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式、tn(twistednematic：扭曲向列)模式、ffs(fringefieldswitching：邊緣電場轉(zhuǎn)換)模式、asm(axiallysymmetricalignedmicro-cell：軸對稱排列微單元)模式、ocb(opticallycompensatedbirefringence：光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式、flc(ferroelectricliquidcrystal：鐵電性液晶)模式以及aflc(antiferroelectricliquidcrystal：反鐵電性液晶)模式等驅(qū)動方法驅(qū)動的液晶元件。

另外，可以使用可通過例如如下模式驅(qū)動的液晶元件：垂直取向(va)模式諸如mva(multi-domainverticalalignment：多象限垂直取向)模式、pva(patternedverticalalignment：垂直取向構(gòu)型)模式、ecb(electricallycontrolledbirefringence：電控雙折射)模式、cpa(continuouspinwheelalignment：連續(xù)焰火狀排列)模式、asv(advancedsuper-view：高級超視覺)模式等。

例如，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等?；蛘?，可以使用呈現(xiàn)膽甾相、近晶相、立方相、手征向列相、各向同性相等的液晶材料?；蛘?，可以使用呈現(xiàn)藍(lán)相的液晶材料。

《第一電極751(i,j)》

例如，可以將用于布線等的材料用于第一電極751(i,j)。具體而言，可以將反射膜用于第一電極751(i,j)。

《反射膜》

例如，可以將反射可見光的材料用于反射膜。具體而言，可以將包含銀的材料用于反射膜。例如，可以將包含銀及鈀等的材料或包含銀及銅等的材料用于反射膜。

反射膜例如反射透過包含液晶材料的層753的光。由此，可以將顯示元件750(i,j)用作反射型液晶元件。另外，例如，可以將其表面不平坦的材料用于反射膜。由此，使入射的光向各種方向反射，而可以進(jìn)行白色顯示。

另外，不局限于將第一電極751(i,j)用于反射膜的結(jié)構(gòu)。例如，可以在包含液晶材料的層753與第一電極751(i,j)之間設(shè)置反射膜?；蛘撸梢栽诜瓷淠づc包含液晶材料的層753之間設(shè)置具有透光性的第一電極751(i,j)。

《開口751h》

當(dāng)對于非開口的總面積的開口751h的總面積的比過大時，使用顯示元件750(i,j)的顯示變暗。另外，當(dāng)對于非開口的總面積的開口751h的總面積的比過小時，使用顯示元件650(i,j)的顯示變暗。

另外，當(dāng)設(shè)置在反射膜中的開口751h的面積過小時，從顯示元件650所發(fā)射的光提取的光的效率降低。

可以將多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字等形狀用作開口751h的形狀。另外，可以將細(xì)條狀、狹縫狀、方格狀的形狀用作開口751h的形狀。此外，也可以將開口751h配置在相鄰的像素附近。優(yōu)選的是，以靠近具有顯示相同顏色的功能的其他像素的方式配置開口751h。由此，可以抑制顯示元件650所發(fā)射的光射入到配置在鄰接的像素的著色膜中的現(xiàn)象(也稱為串?dāng)_)。

《第二電極752》

例如，可以將對可見光具有透光性及導(dǎo)電性的材料用于第二電極752。

例如，可以將導(dǎo)電氧化物、薄得可以透光的金屬膜或金屬納米線用于第二電極752。

具體而言，可以將包含銦的導(dǎo)電氧化物用于第二電極752?；蛘?，可以將厚度為1nm以上且10nm以下的金屬薄膜用于第二電極752?；蛘撸梢詫y的金屬納米線用于第二電極752。

具體而言，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、添加有鋁的氧化鋅等用于第二電極752。

《取向膜af1、取向膜af2》

例如，可以將包含聚酰亞胺等的材料用于取向膜af1或取向膜af2。具體而言，可以使用通過摩擦處理或光取向技術(shù)在預(yù)定的方向上取向而形成的材料。

例如，可以將包含可溶性聚酰亞胺的膜用于取向膜af1或取向膜af2。

《著色膜cf1》

可以將使預(yù)定的顏色的光透過的材料用于著色膜cf1。由此，例如可以將著色膜cf1用于濾色片。

例如，可以將使藍(lán)色光透過的材料、使綠色光透過的材料、使紅色光透過的材料、使黃色光透過的材料或使白色光透過的材料等用于著色膜cf1。

《遮光膜bm》

可以將防止透光的材料用于遮光膜bm。由此，例如可以將遮光膜bm用于黑矩陣。

《絕緣膜771》

例如，可以將聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等用于絕緣膜771。

《功能膜770p》

例如，可以將偏振片、相位差板、擴(kuò)散薄膜、防反射膜或聚光薄膜等用于功能膜770p。或者，可以將包含二色性色素的偏振片用于功能膜770p。

另外，可以將抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄臟的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬涂膜等用于功能膜770p。

《顯示元件650(i,j)》

例如，可以將發(fā)光元件用于顯示元件650(i,j)。具體而言，可以將有機(jī)電致發(fā)光元件、無機(jī)電致發(fā)光元件或發(fā)光二極管等用于顯示元件650(i,j)。

例如，可以將以發(fā)射藍(lán)色光的方式形成的疊層體、以發(fā)射綠色光的方式形成的疊層體或以發(fā)射紅色光的方式形成的疊層體等用于包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)。

例如，可以將沿著信號線s1(i)在列方向上較長的帶狀疊層體用于包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)。此外，可以將發(fā)射與包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)不同的顏色的光且沿著信號線s1(i+1)在列方向上較長的帶狀疊層體用于包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i+1)。

例如，可以將以發(fā)射白色光的方式形成的疊層體用于包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)及包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i+1)。具體而言，可以將層疊有使用包含發(fā)射藍(lán)色光的熒光材料的發(fā)光性有機(jī)化合物的層及包含發(fā)射綠色光及紅色光的熒光材料以外的材料的層或包含發(fā)射黃色光的熒光材料以外的材料的層的疊層體用于包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i)及包含發(fā)光性有機(jī)化合物的層653(i+1)。

例如，可以將能夠用于布線等的材料用于第三電極651(i,j)或第四電極652。

例如，可以將選自能夠用于布線等的材料的對可見光具有透光性的材料用于第三電極651(i,j)。

具體而言，作為第三電極651(i,j)可以使用導(dǎo)電氧化物或包含銦的導(dǎo)電氧化物、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等?；蛘?，可以將薄得可以透光的金屬膜用于第三電極651(i,j)。

例如，可以將選自能夠用于布線等的材料的對可見光具有反射性的材料用于第四電極652。

《驅(qū)動電路gd》

可以將移位寄存器等各種時序電路等用于驅(qū)動電路gd。例如，可以將晶體管md、電容元件等用于驅(qū)動電路gd。具體而言，可以使用包括能夠與晶體管m在同一工序中形成的半導(dǎo)體膜的晶體管。

或者，可以將具有與能夠用于晶體管sw1的晶體管不同的結(jié)構(gòu)的晶體管用于晶體管md。具體而言，可以將包括導(dǎo)電膜624的晶體管用于晶體管md(參照圖29c)。

在與導(dǎo)電膜604之間夾著半導(dǎo)體膜608的方式設(shè)置導(dǎo)電膜624，在導(dǎo)電膜624與半導(dǎo)體膜608之間設(shè)置絕緣膜616，并在半導(dǎo)體膜608與導(dǎo)電膜604之間設(shè)置絕緣膜606。例如，使供應(yīng)與導(dǎo)電膜604相同電壓的布線與導(dǎo)電膜624電連接。

可以將與晶體管m相同的結(jié)構(gòu)用于晶體管md。

《驅(qū)動電路sd》

例如，可以將集成電路用于驅(qū)動電路sd。具體而言，可以將形成在硅襯底上的集成電路用于驅(qū)動電路sd。

例如，可以利用cog(chiponglass：玻璃覆晶封裝)法將驅(qū)動電路sd安裝于與像素電路710c(i，j)電連接的焊盤上。具體而言，可以使用各向異性導(dǎo)電膜將集成電路安裝于焊盤上。

焊盤可以與端子619b或端子619c在同一工序中形成。

<顯示裝置的結(jié)構(gòu)實(shí)例2>

圖31a及圖31b是說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置700b的結(jié)構(gòu)的圖。圖31a是沿著圖27a的切斷線x1-x2、x3-x4、x5-x6、x7-x8、x9-x10、x11-x12的截面圖。圖31b是說明顯示裝置的一部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。

顯示裝置700b與參照圖29a至圖29c說明的顯示裝置700的不同之處在于包括頂柵型晶體管代替底柵型晶體管。在此，關(guān)于能夠使用與上述說明相同的結(jié)構(gòu)的部分援用上述說明，對不同的部分進(jìn)行詳細(xì)說明。

《晶體管sw1b、晶體管mb、晶體管mdb》

能夠用于晶體管sw1b的晶體管、晶體管mb以及晶體管mdb包括具有與第二絕緣膜601c重疊的區(qū)域的導(dǎo)電膜604以及具有設(shè)置在第二絕緣膜601c與導(dǎo)電膜604之間的區(qū)域的半導(dǎo)體膜608。此外，導(dǎo)電膜604具有柵電極的功能(參照圖31b)。

半導(dǎo)體膜608具有：不與導(dǎo)電膜604重疊的第一區(qū)域608a及第二區(qū)域608b；以及第一區(qū)域608a與第二區(qū)域608b之間的重疊于導(dǎo)電膜604的第三區(qū)域608c。

晶體管mdb在第三區(qū)域608c與導(dǎo)電膜604之間包括絕緣膜606。絕緣膜606具有柵極絕緣膜的功能。

第一區(qū)域608a及第二區(qū)域608b具有比第三區(qū)域608c低的電阻率，并具有源區(qū)域的功能或漏區(qū)域的功能。

例如可以利用將在本實(shí)施方式的最后詳細(xì)說明的氧化物半導(dǎo)體的電阻率的控制方法在半導(dǎo)體膜608中形成第一區(qū)域608a及第二區(qū)域608b。具體而言，可以適用使用包含稀有氣體的氣體的等離子體處理。

例如，可以將導(dǎo)電膜604用作掩模。由此，第三區(qū)域608c的一部分的形狀可以自對準(zhǔn)地與導(dǎo)電膜604的端部的形狀一致。

晶體管mdb包括與第一區(qū)域608a接觸的導(dǎo)電膜612a以及與第二區(qū)域608b接觸的導(dǎo)電膜612b。導(dǎo)電膜612a及導(dǎo)電膜612b具有源極或漏極的功能。

可以將能夠與晶體管mdb在同一工序中形成的晶體管用于晶體管mb。

<氧化物半導(dǎo)體的電阻率的控制方法>

對控制氧化物半導(dǎo)體膜的電阻率的方法進(jìn)行說明。

可以將具有預(yù)定的電阻率的氧化物半導(dǎo)體膜用于半導(dǎo)體膜608或?qū)щ娔?24等。

例如，可以將控制氧化物半導(dǎo)體膜所包含的氫、水等雜質(zhì)的濃度和/或膜中的氧缺陷的方法用于控制氧化物半導(dǎo)體的電阻率的方法。

具體而言，可以將等離子體處理用于增加或減少氫、水等雜質(zhì)濃度和/或膜中的氧缺陷的方法。

具體而言，可以利用使用包含選自稀有氣體(he、ne、ar、kr、xe)、氫、硼、磷及氮中的一種以上的氣體進(jìn)行的等離子體處理。例如，可以使用ar氣氛下的等離子體處理、ar和氫的混合氣體氣氛下的等離子體處理、氨氣氛下的等離子體處理、ar和氨的混合氣體氣氛下的等離子體處理或氮?dú)夥障碌牡入x子體處理等。由此，氧化物半導(dǎo)體膜可以具有高載流子密度及低電阻率。

或者，可以利用離子注入法、離子摻雜法或等離子體浸沒離子注入法等，將氫、硼、磷或氮注入到氧化物半導(dǎo)體膜，由此使氧化物半導(dǎo)體膜具有低電阻率。

或者，可以以接觸氧化物半導(dǎo)體膜的方式形成包含氫的絕緣膜，并且使氫從絕緣膜擴(kuò)散到氧化物半導(dǎo)體膜。由此，可以提高氧化物半導(dǎo)體膜的載流子密度，并降低電阻率。

例如，通過以接觸氧化物半導(dǎo)體膜的方式形成膜中的含氫濃度為1×10²²atoms/cm³以上的絕緣膜，可以有效地使氧化物半導(dǎo)體膜含氫。具體而言，可以將氮化硅膜用于以接觸氧化物半導(dǎo)體膜的方式形成的絕緣膜。

包含在氧化物半導(dǎo)體膜中的氫與鍵合于金屬原子的氧起反應(yīng)生成水，與此同時在發(fā)生氧脫離的晶格(或氧脫離的部分)中形成氧缺陷。當(dāng)氫進(jìn)入該氧缺陷時，有時產(chǎn)生作為載流子的電子。另外，有時由于氫的一部分與鍵合于金屬原子的氧鍵合，產(chǎn)生作為載流子的電子。由此，氧化物半導(dǎo)體膜可以具有高載流子密度及低電阻率。

具體而言，可以適當(dāng)?shù)貙⑼ㄟ^二次離子質(zhì)譜分析法(sims：secondaryionmassspectrometry)得到的氫濃度為8×10¹⁹atoms/cm³以上、優(yōu)選為1×10²⁰atoms/cm³以上、更優(yōu)選為5×10²⁰atoms/cm³以上的氧化物半導(dǎo)體用于導(dǎo)電膜624。

另一方面，可以將電阻率高的氧化物半導(dǎo)體用于形成有晶體管的溝道的半導(dǎo)體膜。具體而言，可以將電阻率高的氧化物半導(dǎo)體用于半導(dǎo)體膜608。

例如，以接觸氧化物半導(dǎo)體的方式形成包含氧的絕緣膜(換言之，能夠釋放氧的絕緣膜)，將氧從絕緣膜供應(yīng)到氧化物半導(dǎo)體膜中，而可以填充膜中或界面的氧缺陷。由此，氧化物半導(dǎo)體膜可以具有高電阻率。

例如，可以將氧化硅膜或氧氮化硅膜用于能釋放氧的絕緣膜。

氧缺陷被填補(bǔ)且氫濃度被降低的氧化物半導(dǎo)體膜可以說是高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜。在此，“實(shí)質(zhì)上本征”是指氧化物半導(dǎo)體膜的載流子密度低于8×10¹¹/cm³，優(yōu)選低于1×10¹¹/cm³，更優(yōu)選低于1×10¹⁰/cm³。高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜具有較少的載流子發(fā)生源，因此可以具有較低的載流子密度。此外，高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜的缺陷態(tài)密度低，因此可以降低陷阱態(tài)密度。

包括高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的關(guān)態(tài)電流顯著低，即便是溝道寬度為1×10⁶μm、溝道長度l為10μm的元件，當(dāng)源極與漏極間的電壓(漏電壓)在1v至10v的范圍時，關(guān)態(tài)電流也可以為半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的測定極限以下，即1×10^-13a以下。

將上述高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導(dǎo)體膜用于溝道區(qū)域的晶體管的電特性的變動小且可靠性高。

具體而言，可以適當(dāng)?shù)貙⑼ㄟ^二次離子質(zhì)譜分析法(sims：secondaryionmassspectrometry)得到的氫濃度為2×10²⁰atoms/cm³以下、優(yōu)選為5×10¹⁹atoms/cm³以下、更優(yōu)選為1×10¹⁹atoms/cm³以下、更優(yōu)選為低于5×10¹⁸atoms/cm³、更優(yōu)選為1×10¹⁸atoms/cm³以下、更優(yōu)選為5×10¹⁷atoms/cm³以下、更優(yōu)選為1×10¹⁶atoms/cm³以下的氧化物半導(dǎo)體用于晶體管的形成溝道的半導(dǎo)體。

將氫濃度和/或氧缺陷量比半導(dǎo)體膜608多且電阻率比半導(dǎo)體膜608低的氧化物半導(dǎo)體膜用于導(dǎo)電膜624。

另外，可以將包含其濃度為半導(dǎo)體膜608所包含的氫濃度的2倍以上，優(yōu)選為10倍以上的氫的膜用于導(dǎo)電膜624。

另外，可以將其電阻率為半導(dǎo)體膜608的電阻率的1×10^-8倍以上且低于1×10^-1倍的膜用于導(dǎo)電膜624。

具體而言，可以將其電阻率為1×10^-3ωcm以上且低于1×10⁴ωcm，優(yōu)選為1×10^-3ωcm以上且低于1×10^-1ωcm的膜用于導(dǎo)電膜624。

實(shí)施方式8

在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置的一個例子，對ic芯片、電子構(gòu)件及電子設(shè)備等進(jìn)行說明。

<電子構(gòu)件的制造方法實(shí)例>

圖32a是示出電子構(gòu)件的制造方法實(shí)例的流程圖。電子構(gòu)件也被稱為半導(dǎo)體封裝或ic用封裝等。該電子構(gòu)件根據(jù)端子取出方向或端子的形狀具有多個不同規(guī)格和名稱。在本實(shí)施方式中，說明其一個例子。

通過組裝工序(后工序)，在印刷電路板上組合多個能夠裝卸的構(gòu)件，可以形成由晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。后工序可以通過進(jìn)行圖32a所示的各工序完成。具體而言，在由前工序得到的元件襯底完成(步驟st61)之后，對襯底背面進(jìn)行研磨。通過在此階段使襯底薄膜化，減少在前工序中產(chǎn)生的襯底的翹曲等，而實(shí)現(xiàn)構(gòu)件的小型化。接著，進(jìn)行將襯底分成多個芯片的“切割(dicing)工序”(步驟st62)。

圖32b是進(jìn)行切割工序之前的半導(dǎo)體晶片6100的俯視圖。圖32c是圖32b的部分放大圖。半導(dǎo)體晶片6100設(shè)置有多個電路區(qū)域6102。電路區(qū)域6102設(shè)置有本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(例如，存儲器、定時器或cpu等)。

多個電路區(qū)域6102的每一個都被分離區(qū)域6104圍繞。分離線(也稱為“切割線”)6106位于與分離區(qū)域6104重疊的位置上。在切割工序(步驟st62)中，通過沿著分離線6106切割半導(dǎo)體晶片6100，從半導(dǎo)體晶片6100切割出包括電路區(qū)域6102的芯片6110。圖32d示出芯片6110的放大圖。

另外，也可以在分離區(qū)域6104中設(shè)置導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層。通過在分離區(qū)域6104中設(shè)置導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層，可以緩和可能在切割工序中產(chǎn)生的esd，而防止起因于切割工序的成品率下降。另外，一般來說，為了冷卻襯底、去除刨花、防止帶電等，一邊將溶解有碳酸氣體等以降低了其電阻率的純水供應(yīng)給切削部一邊進(jìn)行切割工序。通過在分離區(qū)域6104中設(shè)置導(dǎo)電層或半導(dǎo)體層，可以減少該純水的使用量。因此，可以降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本。另外，可以提高半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率。

在進(jìn)行步驟st62之后，拾取分離后的芯片并將其安裝且接合于引線框架上，即進(jìn)行芯片接合(diebonding)工序(步驟st63)。芯片接合工序中的芯片與引線框架的接合方法可以根據(jù)產(chǎn)品選擇合適的方法。例如，可以使用樹脂或膠帶進(jìn)行接合。芯片接合工序中的芯片與引線框架的接合可以通過在插入物(interposer)上安裝芯片來進(jìn)行。在引線鍵合(wirebonding)工序中，將引線框架的引線與芯片上的電極通過金屬細(xì)線(wire)電連接(步驟st64)。作為金屬細(xì)線可以使用銀線或金線。引線鍵合可以使用球鍵合(ballbonding)或楔鍵合(wedgebonding)。

實(shí)施由環(huán)氧樹脂等密封進(jìn)行了引線鍵合的芯片的模塑(molding)工序(步驟st65)。通過進(jìn)行模塑工序，使電子構(gòu)件的內(nèi)部被樹脂填充，可以減輕機(jī)械外力所導(dǎo)致的對內(nèi)置的電路部及金屬細(xì)線的損傷，還可以降低因水分或灰塵所導(dǎo)致的特性劣化。接著，對引線框架的引線進(jìn)行電鍍處理。并且，對引線進(jìn)行切斷及成型加工(步驟st66)。通過該電鍍處理可以防止引線生銹，而在之后將引線安裝于印刷電路板時，可以更加確實(shí)地進(jìn)行焊接。接著，對封裝表面實(shí)施印字處理(marking)(步驟st67)。然后，通過檢驗(yàn)工序(步驟st68)完成電子構(gòu)件(步驟st69)。通過組裝上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，可以提供功耗低的小型電子構(gòu)件。

圖32e示出完成的電子構(gòu)件的立體示意圖。在圖32e中，作為電子構(gòu)件的一個例子，示出qfp(quadflatpackage：四側(cè)引腳扁平封裝)的立體示意圖。如圖32e所示，電子構(gòu)件6000包括引線6001及芯片6110。

電子構(gòu)件6000例如安裝于印刷電路板6002。通過組合多個這樣的電子構(gòu)件6000并使其在印刷電路板6002上彼此電連接，可以將電子構(gòu)件6000安裝于電子設(shè)備。完成的電路襯底6004設(shè)置于電子設(shè)備等的內(nèi)部。通過安裝電子構(gòu)件6000，可以減少電子設(shè)備的功耗?；蛘?，容易實(shí)現(xiàn)小型電子設(shè)備。

實(shí)施方式9

在本實(shí)施方式中，說明氧化物半導(dǎo)體晶體管等。

《os晶體管的結(jié)構(gòu)例子1》

圖33a是示出os晶體管的結(jié)構(gòu)例子的俯視圖。圖33b是圖33a的x1-x2線之間的截面圖，圖33c是圖17a的y1-y2線之間的截面圖。在此，有時將x1-x2線的方向稱為溝道長度方向，將y1-y2線的方向稱為溝道寬度方向。圖33b是示出os晶體管的溝道長度方向上的截面結(jié)構(gòu)的圖，圖33c是示出os晶體管的溝道寬度方向上的截面結(jié)構(gòu)的圖。為了明確地示出裝置結(jié)構(gòu)，在圖33a中省略部分構(gòu)成要素。

os晶體管501形成在絕緣表面上。在此，os晶體管501形成在絕緣層521上。os晶體管501被絕緣層528及529覆蓋。os晶體管501包括絕緣層522至527、金屬氧化物層511至513以及導(dǎo)電層550至553。

圖中的絕緣層、金屬氧化物層、導(dǎo)電體等可以為單層或疊層。在制造這些層時，可以使用濺射法、分子束外延(mbe)法、脈沖激光沉積(pla)法、cvd法、原子層沉積法(ald法)等各種成膜方法。cvd法包括等離子體cvd法、熱cvd法、有機(jī)金屬cvd法等。

將金屬氧化物層511至513總稱為氧化物層510。如圖33b和圖33c所示，氧化物層510包括依次層疊有金屬氧化物511、金屬氧化物512及金屬氧化物513的部分。在os晶體管501處于開啟狀態(tài)時，溝道主要形成在氧化物層510的金屬氧化物層512中。

os晶體管501的柵電極由導(dǎo)電層550構(gòu)成，用作源電極或漏電極的一對電極由導(dǎo)電層551、552構(gòu)成。背柵電極由導(dǎo)電層553構(gòu)成。導(dǎo)電層553包括導(dǎo)電層553a、553b。此外，os晶體管501也可以不包括背柵電極。后述的os晶體管502也是同樣的。

柵極(前柵極)一側(cè)的柵極絕緣層由絕緣層527構(gòu)成，背柵極一側(cè)的柵極絕緣層由絕緣層524至526的疊層構(gòu)成。絕緣層528是層間絕緣層。絕緣層529是阻擋層。

金屬氧化物層513覆蓋包括金屬氧化物層511、512以及導(dǎo)電層551、552的疊層體。絕緣層527覆蓋金屬氧化物層513。導(dǎo)電層551、552分別具有隔著金屬氧化物層513及絕緣層527與導(dǎo)電層550重疊的區(qū)域。

導(dǎo)電層551、552通過利用用來形成金屬氧化物層511及金屬氧化物層512的疊層的硬掩模而形成。例如，通過下述步驟可以形成金屬氧化物層511、512及導(dǎo)電層551、552：形成兩層金屬氧化物膜；在金屬氧化物膜上形成導(dǎo)電膜；對該導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻形成硬掩模；使用硬掩模對兩層金屬氧化物膜進(jìn)行蝕刻，來形成金屬氧化物層511和金屬氧化物層512的疊層；接著，對硬掩模進(jìn)行蝕刻形成導(dǎo)電層551及導(dǎo)電層552。由于經(jīng)過這些步驟，導(dǎo)電層551、552不包括與金屬氧化物層511、512的側(cè)面接觸的區(qū)域。

<導(dǎo)電層>

作為用于導(dǎo)電層550至553的導(dǎo)電材料，有如下材料：以摻雜有磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體；鎳硅化物等硅化物；鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、鉻、釹、鈧等金屬或以上述元素為成分的金屬氮化物(氮化鉭、氮化鈦、氮化鉬、氮化鎢)等。此外，也可以使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等導(dǎo)電材料。

通過將功函數(shù)高的導(dǎo)電材料用于導(dǎo)電層550，可以增大os晶體管501的vth，并且可以減少截止電流。導(dǎo)電層550可以使用其功函數(shù)優(yōu)選為4.8ev以上，更優(yōu)選為5.0ev以上，更優(yōu)選為5.2ev以上，更優(yōu)選為5.4ev以上，更優(yōu)選為5.6ev以上的導(dǎo)電材料。作為功函數(shù)高的導(dǎo)電材料，例如可以舉出鉬、氧化鉬、pt、pt硅化物、ni硅化物、銦錫氧化物、添加有氮的in-ga-zn氧化物等。

截止電流是指柵極-源極之間的電壓為0v時的漏極電流。

例如，導(dǎo)電層550為氮化鉭或鉭的單層?；蛘?，在導(dǎo)電層550為兩層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)時，可以采用如下組合：(鋁、鈦)；(氮化鈦、鈦)；(氮化鈦、鎢)；(氮化鉭、鎢)；(氮化鎢、鎢)；(鈦、鋁、鈦)；(氮化鈦、鋁、鈦)；(氮化鈦、鋁、氮化鈦)。其中前者構(gòu)成絕緣層527一側(cè)的層。

導(dǎo)電層551及導(dǎo)電層552具有相同的層結(jié)構(gòu)。例如，在導(dǎo)電層551為單層時，可以使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等的金屬或以這些金屬為主要成分的合金。在導(dǎo)電層551為兩層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)時，可以采用如下組合：(鈦、鋁)；(鎢、鋁)；(鎢、銅)；(銅-鎂-鋁合金、銅)；(鈦、銅)；(鈦或氮化鈦、鋁或銅、鈦或氮化鈦)；(鉬或氮化鉬、鋁或銅、鉬或氮化鉬)。其中前者構(gòu)成絕緣層527一側(cè)的層。

例如，優(yōu)選的是，導(dǎo)電層553a為對氫具有阻擋性的導(dǎo)電層(例如，氮化鉭層)，導(dǎo)電層553b為其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層553a高的導(dǎo)電層(例如，鎢層)。通過采用該結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層553具有布線的功能以及抑制氫擴(kuò)散到氧化物層510的功能。

<絕緣體>

作為用于絕緣層521至529的絕緣材料，有如下材料：氮化鋁、氧化鋁、氮氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鎂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿、氧化鉭、硅酸鋁等。絕緣層521至529由包括這些絕緣材料的單層或疊層構(gòu)成。構(gòu)成絕緣層521至529的層可以包含多種絕緣材料。

在本說明書等中，氧氮化物是指氧含量大于氮含量的化合物，氮氧化物是指氮含量大于氧含量的化合物。

為了抑制氧化物層510中的氧缺陷增加，絕緣層526至528優(yōu)選為包含氧的絕緣層。絕緣層526至528中的至少一個優(yōu)選使用通過加熱可釋放氧的絕緣膜(以下稱為“包含過剩氧的絕緣膜”)形成。通過從包含過剩氧的絕緣膜向氧化物層510供應(yīng)氧，可以填補(bǔ)氧化物層510中的氧缺陷。由此，可以提高os晶體管501的可靠性及電特性。

包含過剩氧的絕緣膜為在利用熱脫附譜分析法(tds：thermaldesorptionspectroscopy)時膜表面溫度為100℃以上且700℃以下或100℃以上且500℃以下的范圍內(nèi)的氧分子的釋放量為1.0×10¹⁸[分子/cm³]以上的膜。氧分子的釋放量優(yōu)選為3.0×10²⁰[分子/cm³]以上。

包含過剰氧的絕緣膜可以通過進(jìn)行對絕緣膜添加氧的處理來形成。作為氧的添加處理，可以使用氧氣氛下的加熱處理、離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒離子注入法或等離子體處理等。作為用來添加氧的氣體，可以使用¹⁶o2或¹⁸o2等氧氣體、一氧化二氮?dú)怏w或臭氧氣體等。

為了防止氧化物層510中的氫濃度增加，優(yōu)選降低絕緣層521至529中的氫濃度。尤其是，優(yōu)選降低絕緣層523至528中的氫濃度。具體而言，其氫濃度為2×10²⁰atoms/cm³以下，優(yōu)選為5×10¹⁹atoms/cm³以下，更優(yōu)選為1×10¹⁹atoms/cm³以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5×10¹⁸atoms/cm³以下。

為了防止氧化物層510中的氮濃度增加，優(yōu)選降低絕緣層523至528中的氮濃度。具體而言，其氮濃度低于5×10¹⁹atoms/cm³，優(yōu)選為5×10¹⁸atoms/cm³以下，更優(yōu)選為1×10¹⁸atoms/cm³以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5×10¹⁷atoms/cm³以下。

上述氫濃度和氮濃度是通過二次離子質(zhì)譜分析法(sims：secondaryionmassspectrometry)而測量的。

在os晶體管501中，氧化物層510優(yōu)選被對氧和氫具有阻擋性的絕緣層(以下稱為阻擋層)包圍。通過采用該結(jié)構(gòu)，可以抑制氧從氧化物層510釋放出并可以抑制氫侵入到氧化物層510，由此可以提高os晶體管501的可靠性及電特性。

例如，絕緣層529被用作阻擋層，絕緣層521、522、524中的至少一個被用作阻擋層。阻擋層可以使用氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鎵、氧氮化鎵、氧化釔、氧氮化釔、氧化鉿、氧氮化鉿、氮化硅等的材料形成。

另外，還可以在氧化物層510和導(dǎo)電層550之間設(shè)置阻擋層?；蛘撸部梢栽O(shè)置對氧和氫具有阻擋性的金屬氧化物層作為金屬氧化物層513。

通過減薄絕緣層524、絕緣層525和絕緣層526的各厚度，可以容易使用導(dǎo)電層550的電壓控制os晶體管的閾值電壓，所以是優(yōu)選的。例如，絕緣層524至526的各厚度為50nm以下。各厚度優(yōu)選為30nm以下，更優(yōu)選為10nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5nm以下。

在此示出絕緣層521至529的結(jié)構(gòu)例子。在該例子中，絕緣層521、522、525、529都被用作阻擋層。絕緣層526至528是包含過剰氧的氧化物層。絕緣層521是氮化硅層，絕緣層522是氧化鋁層，絕緣層523是氧氮化硅層。背柵極一側(cè)的柵極絕緣層(524至526)是氧化硅、氧化鋁和氧化硅的疊層。前柵極一側(cè)的柵極絕緣層(527)是氧氮化硅層。層間絕緣層(528)是氧化硅層。絕緣層529是氧化鋁層。

<金屬氧化物層>

金屬氧化物層511至513的各厚度為3nm以上且500nm以下，優(yōu)選為3nm以上且100nm以下，更優(yōu)選為3nm以上且60nm以下。

為了降低os晶體管501的關(guān)態(tài)電流，金屬氧化物層512例如優(yōu)選具有大能隙。金屬氧化物層512的能隙為2.5ev以上且4.2ev以下，優(yōu)選為2.8ev以上且3.8ev以下，更優(yōu)選為3ev以上且3.5ev以下。

氧化物層510優(yōu)選為結(jié)晶性金屬氧化物層。優(yōu)選的是，至少金屬氧化物層512為結(jié)晶性金屬氧化物層。由此，可以實(shí)現(xiàn)可靠性及電特性優(yōu)異的os晶體管501。

可以用于金屬氧化物層512的氧化物的典型例子是in-ga氧化物、in-zn氧化物、in-m-zn氧化物(m為al、ga、y或sn)。金屬氧化物層512不局限于包含銦的氧化物層。金屬氧化物層512例如可以使用zn-sn氧化物、ga-sn氧化物、zn-mg氧化物等形成。金屬氧化物層511、513也可以使用與金屬氧化物層512同樣的氧化物形成。金屬氧化物層511、513分別可以使用ga氧化物形成。在此情況下，金屬氧化物層512優(yōu)選為包含ga的金屬氧化物層。

當(dāng)在金屬氧化物層512與金屬氧化物層511之間的界面形成有界面能級時，由于溝道區(qū)域也形成在界面附近的區(qū)域中，因此os晶體管501的閾值電壓發(fā)生變動。因此，金屬氧化物層511優(yōu)選包含構(gòu)成金屬氧化物層512的金屬元素中的至少一個作為其構(gòu)成要素。由此，在金屬氧化物層512與金屬氧化物層511之間的界面就不容易形成界面能級，而可以降低os晶體管501的閾值電壓等電特性的偏差。

金屬氧化物層513優(yōu)選包含構(gòu)成金屬氧化物層512的金屬元素中的至少一個作為其構(gòu)成要素。由此，在金屬氧化物層512與金屬氧化物層513之間的界面不容易發(fā)生界面散射，且不容易阻礙載流子的遷移，因此可以提高os晶體管501的場效應(yīng)遷移率。

優(yōu)選的是，在金屬氧化物層511至513中，金屬氧化物層512具有最高的載流子遷移率。由此，可以在遠(yuǎn)離絕緣層526、527的金屬氧化物層512中形成溝道。

例如，in-m-zn氧化物等包含in的金屬氧化物可以通過提高in的含量來提高載流子遷移率。在in-m-zn氧化物中，主要是重金屬的s軌道推動載流子傳導(dǎo)，通過增加銦含量可增加s軌道的重疊，由此銦含量多的氧化物的遷移率比銦含量少的氧化物高。因此，通過將銦含量多的氧化物用于氧化物半導(dǎo)體膜，可以提高載流子遷移率。

例如，使用in-ga-zn氧化物形成金屬氧化物層512，并且使用ga氧化物形成金屬氧化物層511、513。例如，當(dāng)使用in-m-zn氧化物形成金屬氧化物層511至513時，在該三層中，金屬氧化物層511為in的含量最高的in-m-zn氧化物。當(dāng)利用濺射法形成in-m-zn氧化物時，通過改變靶材中的金屬元素的原子數(shù)比，可以改變in含量。

例如，用來形成金屬氧化物層512的靶材的金屬元素的原子數(shù)比優(yōu)選為in：m：zn＝1：1：1、3：1：2或4：2：4.1。例如，用來形成金屬氧化物層511、513的靶材的金屬元素的原子數(shù)比優(yōu)選為in：m：zn＝1：3：2或1：3：4。使用in：m：zn＝4：2：4.1的靶材形成的in-m-zn氧化物的原子數(shù)比大致為in：m：zn＝4：2：3。

為了對os晶體管501賦予穩(wěn)定的電特性，優(yōu)選降低氧化物層510中的雜質(zhì)濃度。在金屬氧化物中，氫、氮、碳、硅以及除了主要成分以外的金屬元素都是雜質(zhì)。例如，氫和氮引起施主能級的形成，導(dǎo)致載流子密度增高。此外，硅和碳引起氧化物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級的形成。該雜質(zhì)能級成為陷阱，有時使晶體管的電特性劣化。

例如，氧化物層510具有硅濃度為2×10¹⁸atoms/cm³以下，優(yōu)選為2×10¹⁷atoms/cm³以下的區(qū)域。氧化物層510中的碳濃度也是同樣的。

氧化物層510具有堿金屬濃度為1×10¹⁸atoms/cm³以下，優(yōu)選為2×10¹⁶atoms/cm³以下的區(qū)域。其堿土金屬濃度也是同樣的。

氧化物層510具有氮濃度低于5×10¹⁹atoms/cm³，優(yōu)選為5×10¹⁸atoms/cm³以下，更優(yōu)選為1×10¹⁸atoms/cm³以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5×10¹⁷atoms/cm³以下的區(qū)域。

氧化物層510具有氫濃度低于1×10²⁰atoms/cm³，優(yōu)選低于1×10¹⁹atoms/cm³，更優(yōu)選低于5×10¹⁸atoms/cm³，進(jìn)一步優(yōu)選低于1×10¹⁸atoms/cm³的區(qū)域。

上述氧化物層510中的雜質(zhì)濃度是通過sims而測量的。

在金屬氧化物層512具有氧缺陷的情況下，有時因?yàn)闅溥M(jìn)入該氧缺陷部而形成施主能級。其結(jié)果是，os晶體管501的通態(tài)電流降低。氧缺陷部在氧進(jìn)入時比氫進(jìn)入時更加穩(wěn)定。因此，通過降低金屬氧化物層512中的氧缺陷，有時能夠提高os晶體管501的通態(tài)電流。由此，通過減少金屬氧化物層512中的氫來防止氫進(jìn)入氧缺陷部的方法對通態(tài)電流特性的提高是有效的。

包含在金屬氧化物中的氫與鍵合于金屬原子的氧起反應(yīng)生成水，因此有時形成氧缺陷。當(dāng)氫進(jìn)入該氧缺陷時，有時產(chǎn)生作為載流子的電子。另外，有時氫的一部分與鍵合于金屬原子的氧鍵合，而產(chǎn)生作為載流子的電子。由于溝道形成區(qū)域設(shè)置在金屬氧化物層512中，所以當(dāng)金屬氧化物層512包含氫時，os晶體管501容易具有常開啟特性。由此，優(yōu)選盡可能減少金屬氧化物層512中的氫。

圖33a至圖33c示出氧化物層510為三層結(jié)構(gòu)的例子，但是不局限于此。例如，氧化物層510也可以為沒有金屬氧化物層511或金屬氧化物層513的兩層結(jié)構(gòu)?；蛘?，也可以采用在金屬氧化物層511之上或之下或者在金屬氧化物層513之上或之下設(shè)置有作為金屬氧化物層511、金屬氧化物層512及金屬氧化物層513而示出的氧化物半導(dǎo)體層中的任一個層的四層結(jié)構(gòu)?；蛘撸梢栽谘趸飳?10的任意的層之間、氧化物層510之上和氧化物層510之下中的任兩個以上的位置設(shè)置一層或多層與金屬氧化物層511至513同樣的金屬氧化物層。

<能帶結(jié)構(gòu)>

參照圖35對金屬氧化物層511至513的疊層效果進(jìn)行說明。圖35是os晶體管501的溝道形成區(qū)域的能帶結(jié)構(gòu)的示意圖。在此，以os晶體管501為例子進(jìn)行說明，但是后述的os晶體管502中的金屬氧化物層511至513的疊層效果也是同樣的。

ec526、ec511、ec512、ec513、ec527分別表示絕緣層526、金屬氧化物層511、金屬氧化物層512、金屬氧化物層513、絕緣層527的導(dǎo)帶底的能量。

這里，真空能級與導(dǎo)帶底的能量之間的能量差(也稱為“電子親和力”)是真空能級與價帶頂之間的能量差(也稱為電離電位)減去能隙而得到的值。另外，能隙可以利用光譜橢偏儀(horibajobinyvon公司制造的ut-300)來測量。此外，真空能級與價帶頂之間的能量差可以利用紫外線光電子能譜(ups：ultravioletphotoelectronspectroscopy)裝置(phi公司制造的versaprobe)來測量。

因?yàn)榻^緣層526、527是絕緣體，所以ec526及ec527比ec511、ec512及ec513更接近于真空能級(其電子親和勢小)。

金屬氧化物層512的電子親和勢比金屬氧化物層511、513大。例如，金屬氧化物層512與金屬氧化物層511的電子親和勢之差以及金屬氧化物層512與金屬氧化物層513的電子親和勢之差都為0.07ev以上且1.3ev以下。該電子親和勢之差優(yōu)選為0.1ev以上且0.7ev以下，更優(yōu)選為0.15ev以上且0.4ev以下。電子親和勢是真空能級與導(dǎo)帶底之間的能量差。

當(dāng)對os晶體管501的柵電極(導(dǎo)電層550)施加電壓時，溝道主要形成在金屬氧化物層511、金屬氧化物層512和金屬氧化物層513中的電子親和勢較大的金屬氧化物層512中。

銦鎵氧化物具有小電子親和勢和高氧阻擋性。因此，金屬氧化物層513優(yōu)選包含銦鎵氧化物。鎵原子的比率[ga/(in+ga)]例如為70％以上，優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為90％以上。

有時在金屬氧化物層511與金屬氧化物層512之間存在金屬氧化物層511和金屬氧化物層512的混合區(qū)域。另外，有時在金屬氧化物層513與金屬氧化物層512之間存在金屬氧化物層513和金屬氧化物層512的混合區(qū)域?；旌蠀^(qū)域的界面態(tài)密度較低，因此在金屬氧化物層511至513的疊層體(氧化物層510)的能帶結(jié)構(gòu)中，各界面附近的能量連續(xù)地變化(也稱為連續(xù)接合)。

在具有上述能帶結(jié)構(gòu)的氧化物層510中，電子主要在金屬氧化物層512中遷移。因此，即使在金屬氧化物層511與絕緣層526之間的界面或者金屬氧化物層513與絕緣層527之間的界面存在能級，這些界面能級也不容易阻礙氧化物層510中的電子遷移，因此可以增加os晶體管501的通態(tài)電流。

此外，如圖35所示，雖然在金屬氧化物層511與絕緣層526之間的界面附近以及金屬氧化物層513與絕緣層527之間的界面附近有可能形成起因于雜質(zhì)或缺陷的陷阱能級et526、et527，但是由于金屬氧化物層511、513的存在，可以使金屬氧化物層512遠(yuǎn)離陷阱能級et526、et527。

在此，當(dāng)ec511與ec512的能量差小時，有時金屬氧化物層512的電子越過該能量差達(dá)到陷阱能級et526。在電子被陷阱能級et526俘獲時，在絕緣膜的界面產(chǎn)生固定負(fù)電荷，這導(dǎo)致晶體管的閾值電壓漂移到正方向。在ec513與ec512的能量差小時也是同樣的。

為了減小os晶體管501的閾值電壓的變動而提高os晶體管501的電特性，ec511與ec512的能量差以及ec513與ec512的能量差優(yōu)選為0.1ev以上，更優(yōu)選為0.15ev以上。

《os晶體管的結(jié)構(gòu)例子2》

圖34a至圖34c所示的os晶體管502是os晶體管501的變形例子。os晶體管502的導(dǎo)電層550包括導(dǎo)電層550a、導(dǎo)電層550b及導(dǎo)電層550c。

導(dǎo)電層550a通過熱cvd法、mocvd法或ald法形成。尤其是，優(yōu)選利用原子層沉積(ald：atomiclayerdeposition)法形成。通過使用ald法等形成導(dǎo)電層550a，可以減少絕緣層527受到的等離子體所導(dǎo)致的損傷。另外，由于能夠提高覆蓋性，所以優(yōu)選通過ald法等形成導(dǎo)電層550a。因此可以提供一種可靠性高的os晶體管502。

導(dǎo)電層550b使用鉭、鎢、銅、鋁等導(dǎo)電性高的材料形成。再者，形成在導(dǎo)電層550b上的導(dǎo)電層550c優(yōu)選使用氮化鎢等耐氧化性的導(dǎo)電體形成。當(dāng)將其中的氧會脫離的氧化物材料用于絕緣層528時，可以防止脫離出的氧使導(dǎo)電層550氧化。因此，可以抑制導(dǎo)電層550的氧化，并且可以將從絕緣層528脫離的氧高效率地供應(yīng)給氧化物層510。

通過作為與具有過剩氧區(qū)域的絕緣層528接觸的面積大的導(dǎo)電層550c使用耐氧化性的導(dǎo)電體，可以抑制絕緣層528的過剩氧被導(dǎo)電層550吸收。另外，通過作為導(dǎo)電層550b使用導(dǎo)電性高的導(dǎo)電體，可以提供一種功耗小的os晶體管502。

實(shí)施方式10

接著，參照圖36說明使用上述實(shí)施方式所示的顯示面板的顯示模塊的應(yīng)用實(shí)例。

在圖36所示的顯示模塊800中，在上蓋801與下蓋802之間設(shè)置有連接于fpc803的觸摸面板804、連接于fpc805的顯示面板806、框架809、印刷電路板810和電池811。注意，有時沒有設(shè)置電池811、觸摸面板804等。

可以將上述實(shí)施方式所示的顯示面板用于圖36中的顯示面板806。

上蓋801和下蓋802的形狀或尺寸可以根據(jù)觸摸面板804和顯示面板806的尺寸適當(dāng)?shù)馗淖儭?/p>

觸摸面板804可以為電阻膜式觸摸面板或電容式觸摸面板，并且能夠被形成為與顯示面板806重疊。可以使顯示面板806的對置襯底(密封襯底)具有觸摸面板功能?；蛘?，光傳感器可以被設(shè)置于顯示面板806的各像素內(nèi)，以制成光學(xué)式觸摸面板?；蛘?，觸摸傳感器用電極被設(shè)置于顯示面板806的各像素內(nèi)，以制成電容式觸摸面板。此時，也可以省略觸摸面板804。

上蓋801也可以包括光路。將從安裝在印刷電路板810上的光源射出的光經(jīng)過上蓋801的光路從上蓋的一邊射出，并且，利用安裝在印刷電路板810上的光電傳感器判斷入射到與射出光的一邊不同的其它一邊的光路中的光的有無，由此可以檢測使用手指或筆等進(jìn)行的屏幕觸摸的有無。在此情況下，顯示面板806或顯示面板806的對置襯底可以不具有觸摸面板功能，再者，也可以省略觸摸面板804。

圖37a是示出使用互電容式的觸摸傳感器作為觸摸面板804的一個例子時的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖。在圖37a中，作為一個例子，以x1至x6的6個布線表示被施加脈沖電壓的布線clx，并以y1至y6的6個布線表示檢測電流變化的布線cly。布線的數(shù)量不局限于此。圖37a示出在使布線clx與布線cly重疊或靠近地配置時形成的電容元件854。

布線clx及布線cly與ic850電連接。ic850包括驅(qū)動電路851及檢測電路852。

驅(qū)動電路851例如是依次對x1至x6的布線施加脈沖的電路。通過對x1至x6的布線施加脈沖電壓，在形成電容元件854的布線clx與布線cly之間產(chǎn)生電場。由于該脈沖電壓，電流流過電容元件854。該產(chǎn)生于布線之間的電場由于手指或觸屏筆等的觸摸所帶來的遮蔽等而變化。就是說，通過手指或觸屏筆等的觸摸，電容元件854的電容值產(chǎn)生變化。如此，通過利用手指或觸屏筆等的觸摸等帶來的電容元件854的電容值變化，可以檢測感測對象的靠近或接觸。

檢測電路852是用來檢測因電容元件854的電容值變化而產(chǎn)生的y1至y6的布線的電流變化的電路。在y1至y6的布線中，如果沒有感測對象的靠近或接觸，所檢測的電流值則沒有變化，另一方面，在由于所檢測的感測對象的靠近或接觸而電容值減少的情況下，檢測到電流值減少的變化。另外，當(dāng)檢測電流時，可以檢測電流量的總和。在此情況下，可以利用積分電路等檢測電流?；蛘?，可以檢測電流的峰值。在此情況下，可以將電流轉(zhuǎn)換為電壓而檢測電壓值的峰值。

在圖37a中，驅(qū)動電路851及檢測電路852使用同一ic形成，但是，也可以將各電路形成在不同的ic。檢測電路852容易受到噪聲的影響而引起錯誤工作。另一方面，驅(qū)動電路851有可能成為噪聲發(fā)生源。通過使用不同的ic形成驅(qū)動電路851及檢測電路852，可以防止檢測電路852的錯誤工作。

另外，也可以由一個ic形成驅(qū)動電路851、檢測電路852及顯示面板806的驅(qū)動電路。在此情況下，可以降低在顯示模塊的成本中ic的成本所占的比率。

在圖37a中ic850配置在觸摸面板804，但是ic850也可以配置在fpc803。圖37b示出此時的示意圖。

再次回到對圖36的說明。

框架809保護(hù)顯示面板806，并且具有阻擋印刷電路板810的工作所產(chǎn)生的電磁波的電磁屏蔽的功能。框架809也可以具有散熱板的功能。

印刷電路板810包括電源電路以及用來輸出視頻信號及時鐘信號的信號處理電路。此外，也可以包括用來檢測觸摸的光源及光電傳感器。光源的波長區(qū)域優(yōu)選大于780nm，更優(yōu)選大于1.6μm。光電傳感器具有檢測特定范圍的波長區(qū)域的光的功能。作為對電源電路供應(yīng)電力的電源，既可以使用外部的商用電源，又可以使用利用另行設(shè)置的電池811的電源。注意，當(dāng)使用商用電源時可以省略電池811。

此外，在顯示模塊800中還可以設(shè)置偏振片、相位差板、棱鏡片等構(gòu)件。

實(shí)施方式11

在本實(shí)施方式中，參照附圖說明本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備及照明裝置。

通過使用本發(fā)明的一個方式的具有子像素的高清晰顯示部，可以制造薄型、輕量、具有曲面或具有柔性的發(fā)光裝置、顯示裝置或半導(dǎo)體裝置等。另外，通過使用這些應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置、顯示裝置或半導(dǎo)體裝置等，可以制造薄型、輕量、具有曲面或具有柔性的電子設(shè)備或照明裝置。

作為電子設(shè)備，例如可以舉出：電視裝置(也稱為電視或電視接收機(jī))；用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器；如數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)等影像拍攝裝置；數(shù)碼相框；移動電話機(jī)(也稱為移動電話、移動電話裝置)；便攜式游戲機(jī)；便攜式信息終端；聲音再現(xiàn)裝置；彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。

由于本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備或照明裝置具有柔性，因此也可以將該電子設(shè)備或照明裝置沿著房屋或高樓的內(nèi)壁或外壁、汽車的內(nèi)部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。

本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備也可以包括二次電池，優(yōu)選通過非接觸電力傳送對該二次電池充電。

作為二次電池，例如，可以舉出利用凝膠狀電解質(zhì)的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。

本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備也可以包括天線。通過由天線接收信號，可以在顯示部上顯示圖像或信息等。另外，在電子設(shè)備包括天線及二次電池的情況下，可以將天線用于非接觸電力傳送。

圖38a、圖38b、圖38c1、圖38c2、圖38d及圖38e示出具有彎曲的顯示部7000的電子設(shè)備的一個例子。顯示部7000的顯示面是彎曲的，能夠沿著彎曲的顯示面進(jìn)行顯示。顯示部7000也可以具有柔性。

顯示部7000包括通過使用本發(fā)明的一個方式的具有子像素的高清晰顯示部而制造的發(fā)光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置。

通過本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部的電子設(shè)備。

圖38a示出移動電話機(jī)的一個例子。移動電話機(jī)7100包括框體7101、顯示部7000、操作按鈕7103、外部連接端口7104、揚(yáng)聲器7105、麥克風(fēng)7106等。

圖38a所示的移動電話機(jī)7100在顯示部7000中具備觸摸傳感器。通過用指頭或觸屏筆等觸摸顯示部7000可以進(jìn)行打電話或輸入文字等所有操作。

此外，通過操作按鈕7103的操作，可以進(jìn)行電源的on、off工作或切換顯示在顯示部7000的圖像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主菜單畫面。

圖38b示出電視裝置的一個例子。在電視裝置7200中，在框體7201中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7203支撐框體7201的結(jié)構(gòu)。

可以通過利用框體7201所具備的操作開關(guān)或另外提供的遙控操作機(jī)7211進(jìn)行圖28b所示的電視裝置7200的操作。另外，也可以在顯示部7000中具備觸摸傳感器，通過用指頭等觸摸顯示部7000可以進(jìn)行顯示部7000的操作?？梢栽谶b控操作機(jī)7211中具備從該遙控操作機(jī)7211輸出的數(shù)據(jù)的顯示部。通過利用遙控操作機(jī)7211所具備的操作鍵或觸摸屏，可以進(jìn)行頻道或音量的操作，并可以對在顯示部7000上顯示的圖像進(jìn)行操作。

另外，電視裝置7200采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)。可以通過利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器將電視裝置7200連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(發(fā)送者和接收者之間或接收者之間等)的信息通信。

圖38c1、圖38c2、圖38d及圖38e示出便攜式信息終端的一個例子。各便攜式信息終端包括框體7301及顯示部7000。并且，也可以包括操作按鈕、外部連接端口、揚(yáng)聲器、麥克風(fēng)、天線或電池等。顯示部7000具備觸摸傳感器。通過用指頭或觸屏筆等觸摸顯示部7000可以進(jìn)行便攜式信息終端的操作。

圖38c1是便攜式信息終端7300的立體圖，圖38c2是便攜式信息終端7300的俯視圖。圖38d是便攜式信息終端7310的立體圖。圖38e是便攜式信息終端7320的立體圖。

本實(shí)施方式所例示出的便攜式信息終端例如具有選自電話機(jī)、電子筆記本和信息閱讀裝置等中的一種或多種的功能。具體而言，可以將該便攜式信息終端用作智能手機(jī)。該本實(shí)施方式所例示出的便攜式信息終端例如可以執(zhí)行移動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網(wǎng)絡(luò)通訊、電腦游戲等各種應(yīng)用程序。

便攜式信息終端7300、7310及7320可以將文字及圖像信息等顯示在其多個面上。例如，如圖38c1及圖38d所示，可以將三個操作按鈕7302顯示在一個面上，而將由矩形表示的信息7303顯示在另一個面上。圖38c1及圖38c2示出在便攜式信息終端的上表面顯示信息的例子，而圖38d示出在便攜式信息終端的側(cè)面顯示信息的例子。另外，也可以在三個面以上顯示信息，圖38e示出在互不相同的面分別顯示信息7304、信息7305及信息7306的例子。

此外，作為信息的例子，可以舉出提示收到sns(socialnetworkingservices：社交網(wǎng)絡(luò)服務(wù))的通知、電子郵件或電話等的顯示；電子郵件等的標(biāo)題或發(fā)送者姓名；日期；時間；電量；以及天線接收強(qiáng)度等?；蛘?，也可以在顯示信息的位置顯示操作按鈕或圖標(biāo)等代替信息。

例如，便攜式信息終端7300的使用者能夠在將便攜式信息終端7300放在上衣口袋里的狀態(tài)下確認(rèn)其顯示(這里是信息7303)。

具體而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從便攜式信息終端7300的上方看到這些信息的位置。使用者可以確認(rèn)到該顯示而無需從口袋里拿出便攜式信息終端7300，由此能夠判斷是否接電話。

圖38f至圖38h示出具有彎曲發(fā)光部的照明裝置的一個例子。

圖38f至圖38h所示的各照明裝置所具備的發(fā)光部包括通過使用本發(fā)明的一個方式而制造的發(fā)光裝置。

通過本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的發(fā)光部且可靠性高的照明裝置。

圖38f所示的照明裝置7400包括具有波狀的發(fā)光面的發(fā)光部7402。因此，提供設(shè)計(jì)性高的照明裝置。

圖38g所示的照明裝置7410所包括的發(fā)光部7412采用對稱地配置彎曲為凸?fàn)畹膬蓚€發(fā)光部的結(jié)構(gòu)。因此，可以以照明裝置7410為中心全方位地進(jìn)行照射。

圖38h所示的照明裝置7420包括彎曲為凹狀的發(fā)光部7422。因此，因?yàn)閷碜园l(fā)光部7422的發(fā)光聚集到照明裝置7420的前面，所以適合應(yīng)用于照亮特定的范圍的情況。通過采用這樣結(jié)構(gòu)，可以發(fā)揮不容易產(chǎn)生影子等的效果。

此外，照明裝置7400、照明裝置7410及照明裝置7420所包括的各發(fā)光部也可以具有柔性。可以采用使用可塑性構(gòu)件或可動框架等構(gòu)件固定發(fā)光部并按照用途能夠隨意使發(fā)光部的發(fā)光面彎曲的結(jié)構(gòu)。

照明裝置7400、照明裝置7410及照明裝置7420都包括具備操作開關(guān)7403的底座7401以及由底座7401支撐的發(fā)光部。

雖然在此例示了由底座支撐發(fā)光部的照明裝置，但是也可以以將具備發(fā)光部的框體固定或吊在天花板上的方式使用照明裝置。由于能夠在使發(fā)光面彎曲的狀態(tài)下使用照明裝置，因此能夠使發(fā)光面以凹狀彎曲而照亮特定區(qū)域或者使發(fā)光面以凸?fàn)顝澢樟琳麄€房間。

圖39a1、圖39a2、圖39b至圖39i示出具有柔性顯示部7001的便攜式信息終端的一個例子。

顯示部7001包括通過使用本發(fā)明的一個方式的具有子像素的高清晰顯示部而制造的發(fā)光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置。例如，可以適用能夠以0.01mm以上且150m以下的曲率半徑彎曲的發(fā)光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等。顯示部7001也可以具備觸摸傳感器，可以通過用手指等接觸顯示部7001進(jìn)行便攜式信息終端的操作。

根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供具有柔性顯示部的電子設(shè)備。

圖39a1是示出便攜式信息終端的一個例子的立體圖，并且圖39a2是示出便攜式信息終端的一個例子的側(cè)面圖。便攜式信息終端7500包括框體7501、顯示部7001、取出構(gòu)件7502、操作按鈕7503等。

便攜式信息終端7500在框體7501內(nèi)包括有卷成卷筒狀的具有柔性的顯示部7001?？梢岳萌〕鰳?gòu)件7502取出顯示部7001。

此外，便攜式信息終端7500能夠由內(nèi)置的控制部接收影像信號，且能夠?qū)⑺邮盏挠跋耧@示于顯示部7001。此外，在便攜式信息終端7500中內(nèi)置有電池。此外，也可以采用框體7501具備連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應(yīng)影像信號及電力的結(jié)構(gòu)。

此外，可以由操作按鈕7503進(jìn)行電源的on、off工作或顯示的影像的切換等。圖39a1、圖39a2和圖39b示出在便攜式信息終端7500的側(cè)面配置操作按鈕7503的例子，但是不局限于此，也可以將操作按鈕7503配置在便攜式終端7500的與顯示面同一的面(正面)或背面上。

圖39b示出取出顯示部7001的狀態(tài)的便攜式信息終端7500。在這樣的狀態(tài)下，可以在顯示部7001上顯示影像。可以在圖39a1所示的顯示部7001的一部分被卷成卷筒狀狀態(tài)和圖39b所示的將顯示部7001取出的狀態(tài)下，便攜式信息終端7500進(jìn)行不同顯示。例如，通過在圖39a1的狀態(tài)下使顯示部7001的被卷成卷筒狀的部分處于非顯示狀態(tài)，可以減少便攜式信息終端7500的功耗。

另外，可以在顯示部7001的側(cè)部設(shè)置用來加固的框，以便在取出顯示部7001時該顯示部7001的顯示面被固定為平面狀。

此外，除了該結(jié)構(gòu)以外，也可以采用在框體中設(shè)置揚(yáng)聲器并使用與影像信號同時接收的音頻信號輸出聲音的結(jié)構(gòu)。

圖39c至圖39e示出能夠折疊的便攜式信息終端的一個例子。圖39c示出展開狀態(tài)的便攜式信息終端7600，圖39d示出從展開狀態(tài)和折疊狀態(tài)中的一個狀態(tài)變?yōu)榱硪粋€狀態(tài)時的中途狀態(tài)的便攜式信息終端7600，圖39e示出折疊狀態(tài)的便攜式信息終端7600。便攜式信息終端7600在折疊狀態(tài)下可攜帶性好，在展開狀態(tài)下因?yàn)榫哂袩o縫拼接的較大的顯示區(qū)域所以顯示一覽性強(qiáng)。

顯示部7001由鉸鏈7602所連接的三個框體7601來支撐。通過鉸鏈7602使兩個框體7601之間彎折，可以從便攜式信息終端7600的展開狀態(tài)可逆性地變?yōu)檎郫B狀態(tài)。

圖39f及圖39g示出能夠折疊的便攜式信息終端的一個例子。圖39f示出以使顯示部7001位于內(nèi)側(cè)的方式折疊的便攜式信息終端7650。圖39g示出以使顯示部7001位于外側(cè)的方式折疊的便攜式信息終端7650。便攜式信息終端7650具有顯示部7001及非顯示部7651。通過在不使用便攜式信息終端7650時，以使顯示部7001向內(nèi)側(cè)的方式折疊，能夠抑制顯示部7001被弄臟或受損傷。

圖39h示出具有柔性的便攜式信息終端的一個例子。便攜式信息終端7700包括框體7701及顯示部7001。而且，便攜式信息終端可以包括用作輸入單元的按鈕7703a及按鈕7703b、用作聲音輸出單元的揚(yáng)聲器7704a、揚(yáng)聲器7704b、外部連接端口7705、麥克風(fēng)7706等。便攜式信息終端7700也可以安裝有具有柔性的電池7709。例如，也可以以與顯示部7001重疊的方式配置電池7709。

框體7701、顯示部7001及電池7709具有柔性。因此，可以容易地使便攜式信息終端7700彎曲為所希望的形狀并使便攜式信息終端7700扭曲。例如，以使顯示部7001位于內(nèi)側(cè)或外側(cè)的方式折疊并使用便攜式信息終端7700?；蛘撸梢詫⒈銛y式信息終端7700卷成卷筒狀并使用。如此，可以自由地使框體7701及顯示部7001變形，因此便攜式信息終端7700具有如下優(yōu)點(diǎn)：即使掉落或被施加非意圖的外力，也不容易破損。

因?yàn)楸銛y式信息終端7700是輕量的，所以在使用夾子等夾住框體7701的上部將便攜式信息終端7700吊下并使用的情況或者在使用磁鐵等將框體7701固定在墻上并使用的情況等各種情況下可以以良好的方便性使用便攜式信息終端7700。

圖39i示出手表型的便攜式信息終端的一個例子。便攜式信息終端7800具有表帶7801、顯示部7001、輸入輸出端子7802、操作按鈕7803等。表帶7801被用作框體。便攜式信息終端7800可以安裝有具有柔性的電池7805。例如，也可以與顯示部7001或表帶7801重疊的方式配置電池7805。

表帶7801、顯示部7001及電池7805具有柔性。因此容易使便攜式信息終端7800彎曲為所希望的形狀。

操作按鈕7803除了時間設(shè)定之外還可以具有電源開關(guān)、無線通信的開關(guān)、靜音模式的開啟及關(guān)閉、省電模式的開啟及關(guān)閉等各種功能。例如，通過利用組裝在便攜式信息終端7800中的操作系統(tǒng)，還可以自由地設(shè)定操作按鈕7803的功能。

通過使用指頭等接觸顯示在顯示部7001上的圖標(biāo)7804，可以啟動應(yīng)用程序。

另外，便攜式信息終端7800可以進(jìn)行被通信標(biāo)準(zhǔn)化的近距離無線通信。例如，通過與可進(jìn)行無線通信的耳麥相互通信，可以進(jìn)行免提通話。

此外，便攜式信息終端7800也可以包括輸入輸出端子7802。在便攜式信息終端7800包括輸入輸出端子7802的情況下，可以通過連接器直接與其他信息終端進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換。另外，也可以通過輸入輸出端子7802進(jìn)行充電。另外，在本實(shí)施方式中例示出的便攜式信息終端的充電工作也可以利用非接觸電力傳送進(jìn)行，而不通過輸入輸出端子。

圖40a示出汽車9700的外觀。圖40b示出汽車9700的駕駛座。汽車9700包括車體9701、車輪9702、擋風(fēng)玻璃9703等。應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等可以用于汽車9700的顯示部等。例如，可以在圖40b所示的顯示部9710至顯示部9715中設(shè)置應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置等。

顯示部9712是設(shè)置在立柱部分的顯示裝置。例如，通過將來自設(shè)置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9712，可以補(bǔ)充被立柱遮擋的視野。顯示部9713是設(shè)置在儀表盤部分的顯示裝置。例如，通過將來自設(shè)置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9713，可以補(bǔ)充被儀表盤遮擋的視野。即，通過顯示來自設(shè)置在汽車外側(cè)的成像單元的影像，可以補(bǔ)充死角，從而提高安全性。另外，通過顯示補(bǔ)充看不到的部分的影像，可以更自然、更自在地確認(rèn)安全。

另外，圖40c示出作為駕駛座和副駕駛座采用了長條座椅的汽車室內(nèi)。顯示部9721是設(shè)置于車門部位的顯示裝置。例如,通過將設(shè)置于車體外側(cè)的成像單元所拍攝的影像顯示在顯示部9721，可以補(bǔ)充被車門遮擋的視野。另外，顯示部9722是設(shè)置于方向盤的顯示裝置。顯示部9723是設(shè)置于橫排長座的座位中央部的顯示裝置。注意，通過將顯示裝置設(shè)置于座椅或靠背等并以該顯示裝置的發(fā)熱為熱源，可以將該顯示裝置用作座椅加熱器。

顯示部9714、顯示部9715或顯示部9722可以提供導(dǎo)航信息、速度計(jì)、轉(zhuǎn)速計(jì)、里程、油量表、換擋指示燈、空調(diào)的設(shè)定以及其他各種信息。另外，使用者可以適當(dāng)?shù)馗淖冿@示部所顯示的顯示內(nèi)容及布置等。另外，顯示部9712、顯示部9713、顯示部9721、顯示部9723也可以顯示上述信息。顯示部9713至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作照明裝置。

平面顯示部可以包括通過使用本發(fā)明的一個方式而制造的發(fā)光裝置、顯示裝置或輸出輸入裝置。

圖40d所示的便攜式游戲機(jī)包括框體9801、框體9802、顯示部9803、顯示部9804、麥克風(fēng)9805、揚(yáng)聲器9806、操作鍵9807以及觸屏筆9808等。

圖40d所示的便攜式游戲機(jī)包括兩個顯示部(顯示部9803和顯示部9804)。注意，本發(fā)明的一個方式的電子設(shè)備所包括的顯示部的數(shù)量不局限于兩個，而可以包括一個或三個以上的顯示部。在電子設(shè)備包括多個顯示部的情況下，至少一個顯示部包括應(yīng)用本發(fā)明的一個方式的發(fā)光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等。

圖40e示出筆記本式個人計(jì)算機(jī)，該筆記本式個人計(jì)算機(jī)包括框體9821、顯示部9822、鍵盤9823、指向裝置9824等。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法及驅(qū)動時序適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

本實(shí)施方式可以與本說明書所示的其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

例如，在本說明書等中，當(dāng)明確地記載為“x與y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：x與y電連接的情況；x與y在功能上連接的情況；以及x與y直接連接的情況。因此，不局限于附圖或文中所示的連接關(guān)系等規(guī)定的連接關(guān)系，附圖或文中所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系也記載于附圖或文中。

在此，x和y為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。

作為x與y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在x與y之間沒有連接能夠電連接x與y的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管、顯示元件、發(fā)光元件和負(fù)載等)，并且x與y沒有通過能夠電連接x與y的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管、顯示元件、發(fā)光元件和負(fù)載等)連接的情況。

作為x和y電連接的情況的一個例子，可以在x和y之間連接一個以上的能夠電連接x和y的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管、顯示元件、發(fā)光元件、負(fù)載等)。此外，開關(guān)具有控制導(dǎo)通或關(guān)閉的功能。換言之，開關(guān)具有其成為導(dǎo)通狀態(tài)(開啟狀態(tài))或非導(dǎo)通狀態(tài)(關(guān)閉狀態(tài))而控制是否使電流流過的功能?；蛘撸_關(guān)具有選擇并切換電流路徑的功能。另外，x和y電連接的情況包括x與y直接連接的情況。

作為x和y在功能上連接的情況的一個例子，可以在x和y之間連接一個以上的能夠在功能上連接x和y的電路(例如，邏輯電路(反相器、nand電路、nor電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(da轉(zhuǎn)換電路、ad轉(zhuǎn)換電路、γ(伽馬)校正電路等)、電壓電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電壓電平的電平轉(zhuǎn)換器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運(yùn)算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖器電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。注意，例如，即使在x與y之間夾有其他電路，當(dāng)從x輸出的信號傳送到y(tǒng)時，也可以說x與y在功能上是連接著的。另外，x與y在功能上連接的情況包括x與y直接連接的情況及x與y電連接的情況。

此外，當(dāng)明確地記載為“x與y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：x與y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接x與y的情況)；x與y在功能上連接的情況(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接x與y的情況)；以及x與y直接連接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接x與y的情況)。換言之，當(dāng)明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確記載為“連接”的情況相同的內(nèi)容。

注意，例如，在晶體管的源極(或第一端子等)通過z1(或沒有通過z1)與x電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)通過z2(或沒有通過z2)與y電連接的情況下以及在晶體管的源極(或第一端子等)與z1的一部分直接連接，z1的另一部分與x直接連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與z2的一部分直接連接，z2的另一部分與y直接連接的情況下，可以表示為如下。

例如，可以表示為“x、y、晶體管的源極(或第一端子等)及晶體管的漏極(或第二端子等)互相電連接，并按x、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)及y的順序電連接”?；蛘撸梢员硎緸椤熬w管的源極(或第一端子等)與x電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與y電連接，x、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)與y依次電連接”。或者，可以表示為“x通過晶體管的源極(或第一端子等)及漏極(或第二端子等)與y電連接，x、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)、y依次設(shè)置為相互連接”。通過使用與這種例子相同的表示方法規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接順序，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)與漏極(或第二端子等)而決定技術(shù)范圍。

另外，作為其他表示方法，例如可以表示為“晶體管的源極(或第一端子等)至少通過第一連接路徑與x電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑是晶體管的源極(或第一端子等)與晶體管的漏極(或第二端子等)之間的路徑，上述第一連接路徑是通過z1的路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少通過第三連接路徑與y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑，上述第三連接路徑是通過z2的路徑”?；蛘撸部梢员硎緸椤熬w管的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上通過z1與x電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑具有通過晶體管的連接路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上通過z2與y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑”?；蛘?，也可以表示為“晶體管的源極(或第一端子等)至少經(jīng)過第一電路徑，通過z1與x電連接，上述第一電路徑不具有第二電路徑，上述第二電路徑是從晶體管的源極(或第一端子等)到晶體管的漏極(或第二端子等)的電路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少經(jīng)過第三電路徑，通過z2與y電連接，上述第三電路徑不具有第四電路徑，上述第四電路徑是從晶體管的漏極(或第二端子等)到晶體管的源極(或第一端子等)的電路徑”。通過使用與這些例子同樣的表述方法規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接路徑，可以區(qū)別晶體管的源極(或第一端子等)和漏極(或第二端子等)來確定技術(shù)范圍。

注意，這種表示方法是一個例子，不局限于上述表示方法。在此，x、y、z1及z2為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜及層等)。

另外，即使在電路圖上獨(dú)立的構(gòu)成要素彼此電連接，也有時一個構(gòu)成要素兼有多個構(gòu)成要素的功能。例如，在布線的一部分用作電極時，一個導(dǎo)電膜兼有布線和電極的兩個構(gòu)成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的范疇內(nèi)還包括這種一個導(dǎo)電膜兼有多個構(gòu)成要素的功能的情況。

符號說明

af1取向膜

af2取向膜

c1電容元件

c2電容元件

cf1著色膜

f1幀

f2幀

f3幀

f21時序圖

f22時序圖

g1掃描線

g2掃描線

g3掃描線

kb1結(jié)構(gòu)體

m_1晶體管

m_2晶體管

m_3晶體管

s1信號線

s2信號線

sw1晶體管

sw1_1晶體管

sw1_2晶體管

sw1b晶體管

sw2晶體管

sw2_1晶體管

sw2_2晶體管

sw3晶體管

20選擇電路

21判定電路

22判定電路

25電路

26緩沖器電路

26a緩沖器電路

26b緩沖器電路

30選擇信號輸出電路

110柵極驅(qū)動器

110a柵極驅(qū)動器

110b柵極驅(qū)動器

110c柵極驅(qū)動器

110d柵極驅(qū)動器

111移位寄存器電路

111a移位寄存器電路

111b移位寄存器電路

111c移位寄存器電路

111d移位寄存器電路

120顯示部

121液晶顯示區(qū)域

122發(fā)光顯示區(qū)域

122a發(fā)光顯示區(qū)域

501os晶體管

502os晶體管

510氧化物層

511金屬氧化物層

512金屬氧化物層

513金屬氧化物層

521絕緣層

522絕緣層

523絕緣層

524絕緣層

525絕緣層

526絕緣層

527絕緣層

528絕緣層

529絕緣層

550導(dǎo)電層

550a導(dǎo)電層

550b導(dǎo)電層

550c導(dǎo)電層

551導(dǎo)電層

552導(dǎo)電層

553導(dǎo)電層

553a導(dǎo)電層

553b導(dǎo)電層

601c絕緣膜

604導(dǎo)電膜

605接合層

606絕緣膜

608半導(dǎo)體膜

608a區(qū)域

608b區(qū)域

608c區(qū)域

611b導(dǎo)電膜

611c導(dǎo)電膜

612a導(dǎo)電膜

612b導(dǎo)電膜

616絕緣膜

618絕緣膜

619b端子

619c端子

620功能層

621絕緣膜

622連接部

624導(dǎo)電膜

628絕緣膜

650顯示元件

650c像素電路

651電極

652電極

653層

670襯底

671電極

691a開口

691b開口

691c開口

700顯示裝置

700b顯示裝置

701顯示裝置

702顯示裝置

705密封劑

710c像素電路

720c像素電路

750顯示元件

750c像素電路

751電極

751h開口

752電極

753層

770襯底

770p功能膜

771絕緣膜

800顯示模塊

801上蓋

802下蓋

803fpc

804觸摸面板

805fpc

806顯示面板

809框架

810印刷電路板

811電池

850ic

851驅(qū)動電路

852檢測電路

854電容元件

6000電子構(gòu)件

6001引線

6002印刷電路板

6004電路襯底

6100半導(dǎo)體晶片

6102電路區(qū)域

6104分離區(qū)域

6106分離線

6110芯片

7000顯示部

7001顯示部

7100移動電話機(jī)

7101框體

7103操作按鈕

7104外部連接端口

7105揚(yáng)聲器

7106麥克風(fēng)

7200電視裝置

7201框體

7203支架

7211遙控操作機(jī)

7300便攜式信息終端

7301框體

7302操作按鈕

7303信息

7304信息

7305信息

7306信息

7310便攜式信息終端

7320便攜式信息終端

7400照明裝置

7401底座

7402發(fā)光部

7403操作開關(guān)

7410照明裝置

7412發(fā)光部

7420照明裝置

7422發(fā)光部

7500便攜式信息終端

7501框體

7502構(gòu)件

7503操作按鈕

7600便攜式信息終端

7601框體

7602鉸鏈

7650便攜式信息終端

7651非顯示部

7700便攜式信息終端

7701框體

7703a按鈕

7703b按鈕

7704a揚(yáng)聲器

7704b揚(yáng)聲器

7705外部連接端口

7706麥克風(fēng)

7709電池

7800便攜式信息終端

7801表帶

7802輸入輸出端子

7803操作按鈕

7804圖標(biāo)

7805電池

9700汽車

9701車身

9702車輪

9703擋風(fēng)玻璃

9710顯示部

9712顯示部

9713顯示部

9714顯示部

9715顯示部

9721顯示部

9722顯示部

9723顯示部

9801框體

9802框體

9803顯示部

9804顯示部

9805麥克風(fēng)

9806揚(yáng)聲器

9807操作鍵

9808觸屏筆

9821框體

9822顯示部

9823鍵盤

9824指向裝置