本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、一種顯示面板以及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

相關(guān)的顯示裝置不管是采用LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)工藝還是采用Oxide(氧化物)工藝，由于工藝的不均勻性，都會(huì)導(dǎo)致不同位置的驅(qū)動(dòng)晶體管出現(xiàn)閾值電壓的差異，進(jìn)而對(duì)不同位置的像素的發(fā)光產(chǎn)生影響，導(dǎo)致顯示不均勻。

在相關(guān)技術(shù)中，通常是通過像素驅(qū)動(dòng)電路本身對(duì)驅(qū)動(dòng)管閾值電壓做補(bǔ)償，以解決閾值電壓不均導(dǎo)致的顯示不均勻性的問題。但是，相關(guān)技術(shù)存在的問題是，電路中既有P型晶體管又有N型晶體管，從而導(dǎo)致工藝制程復(fù)雜，成本增加，而如果將晶體管全部改成P型晶體管，那么需增加控制信號(hào)才能滿足電路的要求，從而將會(huì)導(dǎo)致外圍電路的設(shè)計(jì)進(jìn)一步復(fù)雜化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種像素驅(qū)動(dòng)電路，該像素驅(qū)動(dòng)電路在保證工藝制程簡單的同時(shí)，盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種顯示面板。本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提出一種顯示裝置。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面實(shí)施例提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)晶體管、第一掃描端、第二掃描端、數(shù)據(jù)輸入端、發(fā)光控制端、存儲(chǔ)電容、重置單元、寫入補(bǔ)償單元和發(fā)光控制單元，其中，所述存儲(chǔ)電容與所述驅(qū)動(dòng)晶體管相連；所述重置單元與第一掃描端相連，所述重置單元根據(jù)所述第一掃描端提供的第一掃描信號(hào)開通，以對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行重置并對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電；所述寫入補(bǔ)償單元分別與第二掃描端和數(shù)據(jù)輸入端相連，所述寫入補(bǔ)償單元根據(jù)所述第二掃描端提供的第二掃描信號(hào)開通，以使所述數(shù)據(jù)輸入端提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，并使所述儲(chǔ)存電容通過所述寫入補(bǔ)償單元和所述驅(qū)動(dòng)晶體管放電直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管截止；所述發(fā)光控制單元與所述發(fā)光控制端相連，所述發(fā)光控制單元根據(jù)所述發(fā)光控制端提供的發(fā)光控制信號(hào)開通，以與所述儲(chǔ)存電容共同驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管生成所述發(fā)光電流以驅(qū)動(dòng)像素中的發(fā)光元件發(fā)光；其中，所述第一掃描信號(hào)先于所述第二掃描信號(hào)輸出。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的像素驅(qū)動(dòng)電路，重置單元根據(jù)第一掃描端提供的第一掃描信號(hào)開通，以對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行重置并對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，寫入補(bǔ)償單元根據(jù)第二掃描端提供的第二掃描信號(hào)開通，以使數(shù)據(jù)輸入端提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，并使儲(chǔ)存電容通過寫入補(bǔ)償單元和驅(qū)動(dòng)晶體管放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管截止，發(fā)光控制單元根據(jù)發(fā)光控制端提供的發(fā)光控制信號(hào)開通，以與儲(chǔ)存電容共同驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管生成發(fā)光電流以驅(qū)動(dòng)像素中的發(fā)光元件發(fā)光，且第一掃描信號(hào)先于第二掃描信號(hào)輸出，從而能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述存儲(chǔ)電容的一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述發(fā)光控制單元包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極與所述發(fā)光控制端相連，所述第一晶體管的第二極與第一預(yù)設(shè)電源相連，所述第一晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述第二晶體管的柵極與所述發(fā)光控制端相連，所述第二晶體管的第一極與所述存儲(chǔ)電容的另一端相連，所述第二晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述重置單元與所述發(fā)光控制單元共用所述第一晶體管，所述重置單元還包括第三晶體管，所述第三晶體管的柵極與所述第一掃描端相連，所述第三晶體管的第一極與第二預(yù)設(shè)電源相連，所述第三晶體管的第二極與所述存儲(chǔ)電容的一端相連。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述寫入補(bǔ)償單元包括第四晶體管和第五晶體管，所述第四晶體管的柵極與所述第二掃描端相連，所述第四晶體管的第一極與所述第二預(yù)設(shè)電源相連，所述第四晶體管的第二極與所述存儲(chǔ)電容的一端相連，所述第五晶體管的柵極與所述第二掃描端相連，所述第五晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)輸入端相連，所述第五晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管均為P型晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述像素驅(qū)動(dòng)電路的工作階段依次包括重置階段、寫入補(bǔ)償階段和發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段，其中，在所述重置階段，所述第一掃描信號(hào)和所述發(fā)光控制信號(hào)為低電平且所述第二掃描信號(hào)為高電平，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管開啟，所述第四晶體管和所述第五晶體管截止，所述第二預(yù)設(shè)電源通過所述第三晶體管對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行重置，同時(shí)所述第一預(yù)設(shè)電源通過所述第一晶體管對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電；在所述寫入補(bǔ)償階段，所述第一掃描信號(hào)和所述發(fā)光控制信號(hào)為高電平，且所述第二掃描信號(hào)為低電平，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管截止，所述第四晶體管和所述第五晶體管開啟，所述數(shù)據(jù)信號(hào)通過所述第五晶體管寫入所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，所述存儲(chǔ)電容通過所述驅(qū)動(dòng)晶體管放電直至所述驅(qū)動(dòng)晶體管截止；在所述發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段，所述第一掃描信號(hào)和所述第二掃描信號(hào)均為高電平，且發(fā)光控制信號(hào)為低電平，所述第一晶體管、所述第二晶體管開啟，所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管截止，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述存儲(chǔ)電容的作用下生成所述發(fā)光電流。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述寫入補(bǔ)償階段與所述發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段之間還包括緩沖階段，其中，在所述緩沖階段，所述第一掃描信號(hào)、所述第二掃描信號(hào)和所述發(fā)光控制信號(hào)均為高電平，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管均截止，以抑制干擾。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述寫入補(bǔ)償階段，所述第二掃描信號(hào)的下降沿與所述發(fā)光控制信號(hào)的上升沿同時(shí)提供至第二掃描端和發(fā)光控制端。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明另一方面實(shí)施例提出了一種顯示面板，包括所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示面板，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明又一方面實(shí)施例提出了一種顯示裝置，包括所述的顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示裝置，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

附圖說明

圖1是相關(guān)技術(shù)中像素驅(qū)動(dòng)電路的原理圖；

圖2是相關(guān)技術(shù)中像素驅(qū)動(dòng)電路的控制時(shí)序圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的方框示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的控制時(shí)序圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路在重置階段的等效電路圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路在寫入補(bǔ)償階段的等效電路圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路在緩沖階段的等效電路圖；以及

圖9是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路在發(fā)光控制階段的等效電路圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

下面對(duì)相關(guān)技術(shù)中的像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行簡單介紹。

圖1是相關(guān)技術(shù)中像素驅(qū)動(dòng)電路的原理圖。如圖1和圖2所示，像素驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下：

在階段1’：掃描信號(hào)scan’為高電平，EM’信號(hào)為低電平，此時(shí)像素驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管T1’、T2’、T3’開啟，晶體管T4’關(guān)閉，預(yù)設(shè)電源VSS’和VDD’同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)電容Cst’充電，Vdata’信號(hào)則寫入到驅(qū)動(dòng)管DTFT’的柵極，該階段1’完成時(shí)存儲(chǔ)電容Cst’兩端的電壓為VDD’-VSS’；

在階段2’：掃描信號(hào)scan’繼續(xù)為高電平，EM’信號(hào)也變?yōu)楦唠娖?，此時(shí)像素驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管T1’、T4’截止，T2’、T3’開啟，存儲(chǔ)電容Cst’通過驅(qū)動(dòng)管DTFT’放電，直到存儲(chǔ)電容Cst’連接驅(qū)動(dòng)管DTFT’的一端電位下降為Vdata’+|Vth’|(Vth’為驅(qū)動(dòng)管DTFT’的閾值電壓)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)管DTFT’自動(dòng)截止，補(bǔ)償完成；

在階段3’：掃描信號(hào)scan’為低電平，EM’信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，此時(shí)像素驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管T1’、T4’開啟，T2’、T3’截止，像素發(fā)光。

上述電路雖然解決了閾值電壓不均導(dǎo)致的顯示不均勻性問題，但是由于電路中T1’、T4’、DTFT’為P型晶體管，而T2’、T3’為N型晶體管，因此導(dǎo)致工藝制程復(fù)雜，成本增加；而如果將T2’、T3’全部改成P型TFT，那么T2’、T3’、T4’的柵極不能共用一個(gè)掃描信號(hào)Scan’，必須另外增加控制信號(hào)才能滿足電路的要求，這樣就導(dǎo)致了外圍電路的設(shè)計(jì)進(jìn)一步復(fù)雜化。

由此可知，相關(guān)技術(shù)的像素驅(qū)動(dòng)電路要么工藝制程復(fù)雜，要么電路的控制信號(hào)過于復(fù)雜。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路、一種顯示裝置以及一種電子設(shè)備。

下面結(jié)合附圖3至圖9描述本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路、顯示裝置以及電子設(shè)備。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的方框示意圖。如圖3所示，該像素驅(qū)動(dòng)電路100包括驅(qū)動(dòng)晶體管T6、第一掃描端S1、第二掃描端S2、數(shù)據(jù)輸入端Vdata、發(fā)光控制端EM、存儲(chǔ)電容Cs、重置單元10、寫入補(bǔ)償單元20和發(fā)光控制單元30。

其中，存儲(chǔ)電容Cs與驅(qū)動(dòng)晶體管T6相連；重置單元10與第一掃描端S1相連，重置單元10根據(jù)第一掃描端S1提供的第一掃描信號(hào)開通，以對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行重置并對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電；寫入補(bǔ)償單元20分別與第二掃描端S2和數(shù)據(jù)輸入端Vdata相連，寫入補(bǔ)償單元20根據(jù)第二掃描端S2提供的第二掃描信號(hào)開通，以使數(shù)據(jù)輸入端Vdata提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極，并使儲(chǔ)存電容Cs通過寫入補(bǔ)償單元20和驅(qū)動(dòng)晶體管T6放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管T6截止；發(fā)光控制單元30與發(fā)光控制端EM相連，發(fā)光控制單元30根據(jù)發(fā)光控制端EM提供的發(fā)光控制信號(hào)開通，以與儲(chǔ)存電容Cs共同驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管T6生成發(fā)光電流以驅(qū)動(dòng)像素中的發(fā)光元件DO發(fā)光；其中，第一掃描信號(hào)先于第二掃描信號(hào)輸出。

需要說明的是，像素驅(qū)動(dòng)電路100可用于驅(qū)動(dòng)像素陣列中的像素發(fā)光，即言，像素陣列中每個(gè)像素均與對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路100相連，以在對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路100的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光。具體地，每個(gè)像素的發(fā)光元件DO能由驅(qū)動(dòng)晶體管T6在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，即電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，像素陣列可采用逐行掃描的掃描方式，即順序地一行接著一行連續(xù)掃描。此時(shí)，上一行例如第n-1行像素先掃描，當(dāng)前行例如第n行像素后掃描，第一掃描信號(hào)可為上一行掃描信號(hào)，且第二掃描信號(hào)為當(dāng)前行掃描信號(hào)。

由此，在對(duì)當(dāng)前行像素的掃描時(shí)，上一行掃描信號(hào)通過第一掃描端S1提供至重置單元10，當(dāng)前行掃描信號(hào)通過第二掃描端S2提供至寫入補(bǔ)償單元20，重置單元10可在上一行掃描信號(hào)的控制先開通，此時(shí)通過重置單元10可對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行重置并對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電，從而利用上一行掃描信號(hào)對(duì)當(dāng)前行的每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路100進(jìn)行置位和對(duì)當(dāng)前行的每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電。

在重置單元10在上一行掃描信號(hào)的控制關(guān)斷后，寫入補(bǔ)償單元20可在當(dāng)前行掃描信號(hào)的控制下后開通，此時(shí)數(shù)據(jù)輸入端Vdata提供的數(shù)據(jù)信號(hào)通過寫入補(bǔ)償單元20寫入驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極，固定驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極電位，并且儲(chǔ)存電容Cs通過寫入補(bǔ)償單元20和驅(qū)動(dòng)晶體管T6放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管T6截止，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)晶體管T6的閾值補(bǔ)償，從而利用當(dāng)前行掃描信號(hào)對(duì)當(dāng)前行的每個(gè)像素進(jìn)行數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入和電壓閾值的補(bǔ)償。

在寫入補(bǔ)償單元20在當(dāng)前行掃描信號(hào)的控制下關(guān)斷后，發(fā)光控制單元30可在發(fā)光控制端EM提供的發(fā)光控制信號(hào)的控制下開通，發(fā)光控制單元30與儲(chǔ)存電容Cs共同驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管T6生成發(fā)光電流，以驅(qū)動(dòng)像素中的發(fā)光元件DO發(fā)光。

由此，在本發(fā)明實(shí)施例中，利用上一行掃描信號(hào)對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路100進(jìn)行重置和對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電，利用當(dāng)前行掃描信號(hào)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)以固定驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極電位，同時(shí)存儲(chǔ)電容Cs通過驅(qū)動(dòng)晶體管T6的自放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管T6自動(dòng)截止實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)晶體管T6的閾值補(bǔ)償，從而消除驅(qū)動(dòng)晶體管T6的電壓閾值對(duì)顯示均勻性的影響，在保證工藝制程簡單的同時(shí)，盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化，解決相關(guān)技術(shù)中要么工藝制程復(fù)雜要么控制信號(hào)復(fù)雜的一對(duì)矛盾。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，發(fā)光元件DO可為發(fā)光二極管，更具體地，可為有機(jī)發(fā)光二極管。

下面結(jié)合圖4至圖9描述本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖4所示，存儲(chǔ)電容Cs的一端與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的第二極例如源極相連，發(fā)光控制單元30包括第一晶體管T1和第二晶體管T2，第一晶體管T1的柵極與發(fā)光控制端EM相連，第一晶體管T1的第二極例如源極與第一預(yù)設(shè)電源VDD相連，第一晶體管T1的第一極例如漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的第二極例如源極相連，第二晶體管T2的柵極與發(fā)光控制端EM相連，第二晶體管T2的第一極例如漏極與存儲(chǔ)電容Cs的另一端相連，第二晶體管T2的第二極例如源極與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極相連。

其中，驅(qū)動(dòng)晶體管T6的第一極例如漏極與發(fā)光元件DO的陽極相連，發(fā)光元件DO的陰極與第三預(yù)設(shè)電源VSS相連，第一預(yù)設(shè)電源VDD可提供高電平，第三預(yù)設(shè)電源VSS可提供低電平。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖4所示，重置單元10與發(fā)光控制單元30共用第一晶體管T1，重置單元10還包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的柵極與第一掃描端S1相連，第三晶體管T3的第一極例如漏極與第二預(yù)設(shè)電源Vref相連，第三晶體管T3的第二極例如源極與存儲(chǔ)電容Cs的一端相連，其中，第二預(yù)設(shè)電源Vref可提供參考電平，參考電平可低于高電平。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖4所示，寫入補(bǔ)償單元20包括第四晶體管T4和第五晶體管T5，第四晶體管T4的柵極與第二掃描端S2相連，第四晶體管T4的第一極例如漏極與第二預(yù)設(shè)電源Vref相連，第四晶體管T4的第二極例如源極與存儲(chǔ)電容Cs的一端相連，第五晶體管T5的柵極與第二掃描端S2相連，第五晶體管T5的第一極例如漏極與數(shù)據(jù)輸入端Vdata相連，第五晶體管T5的第二極例如源極與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極相連。

其中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5均可為P型晶體管。并且，驅(qū)動(dòng)晶體管T6也可為P型晶體管。更具體地，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和驅(qū)動(dòng)晶體管T6均可TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)管。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第二預(yù)設(shè)電源Vref的電平值小于或等于數(shù)據(jù)輸入端Vdata提供的數(shù)據(jù)信號(hào)的最小電平值。

如上所述，如圖4的實(shí)施例，本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100包括6個(gè)晶體管和1個(gè)存儲(chǔ)電容Cs，T1～T5均為開關(guān)管，用作電路開關(guān)，T6為驅(qū)動(dòng)管，用于控制電流以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件DO發(fā)光。并且，像素驅(qū)動(dòng)電路100采用3路控制信號(hào)，即第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100雖然引入了3路控制信號(hào)，但第一掃描信號(hào)實(shí)際為上一行掃描信號(hào)，實(shí)際輸入顯示裝置內(nèi)部的仍然只有2路控制信號(hào)，因此達(dá)到了電路控制信號(hào)的簡化目的。

結(jié)合圖4的實(shí)施例，本發(fā)明實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100的工作階段可依次包括如下的重置階段、寫入補(bǔ)償階段和發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段。進(jìn)一步地，在寫入補(bǔ)償階段D2與發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段D4之間還可包括如下的緩沖階段D3。下面以第一掃描信號(hào)為上一行掃描信號(hào)S(n-1)、第二掃描信號(hào)為當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)、發(fā)光控制信號(hào)為當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)為例進(jìn)行介紹。

如圖5和圖6所示，在重置階段D1，第一掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)為低電平且第二掃描信號(hào)為高電平，第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3開啟，第四晶體管T4和第五晶體管T5截止，第二預(yù)設(shè)電源Vref通過第三晶體管T3對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行重置，同時(shí)第一預(yù)設(shè)電源VDD通過第一晶體管T1對(duì)存儲(chǔ)電容Cs進(jìn)行充電。

也就是說，在重置階段D1，上一行掃描信號(hào)S(n-1)、當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)為低電平，當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)為高電平。

在此階段，低電平的上一行掃描信號(hào)S(n-1)通過第一掃描端S1提供至第三晶體管T3的柵極，第三晶體管T3在低電平的驅(qū)動(dòng)下開啟，且低電平的當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)通過發(fā)光控制端EM提供至第一晶體管T1和第二晶體管T2的柵極，第一晶體管T1和第二晶體管T2在低電平的驅(qū)動(dòng)下開啟，同時(shí)高電平的當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)通過第二掃描端S2提供至第四晶體管T4和第五晶體管T5的柵極，第四晶體管T4和第五晶體管T5在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止。其中，等效電路圖如圖6所示。

由于第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3開啟，因此第二預(yù)設(shè)電源Vref的參考電平通過第三晶體管T3到達(dá)p點(diǎn)(即存儲(chǔ)電容Cs的另一端)和g點(diǎn)(即驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極)，對(duì)上一階段的數(shù)據(jù)進(jìn)行清除和重置，同時(shí)第一預(yù)設(shè)電源VDD的高電平通過第一晶體管T1對(duì)存儲(chǔ)電容Cs充電，在重置階段D1結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓差可為：VDD-Vref。

如圖5和圖7所示，在寫入補(bǔ)償階段D2，第一掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)為高電平，且第二掃描信號(hào)為低電平，第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3截止，第四晶體管T4和第五晶體管T5開啟，數(shù)據(jù)信號(hào)通過第五晶體管T5寫入驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極，存儲(chǔ)電容Cs通過驅(qū)動(dòng)晶體管T6放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管T6截止。

也就是說，在寫入補(bǔ)償階段D2，上一行掃描信號(hào)S(n-1)、當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)為高電平，當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)為低電平。

在此階段，高電平的上一行掃描信號(hào)S(n-1)通過第一掃描端S1提供至第三晶體管T3的柵極，第三晶體管T3在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，且高電平的當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)通過發(fā)光控制端EM提供至第一晶體管T1和第二晶體管T2的柵極，第一晶體管T1和第二晶體管T2在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，同時(shí)低電平的當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)通過第二掃描端S2提供至第四晶體管T4和第五晶體管T5的柵極，第四晶體管T4和第五晶體管T5在低電平的驅(qū)動(dòng)下開啟。其中，等效電路圖如圖7所示。

由于第四晶體管T4和第五晶體管T5，因此存儲(chǔ)電容Cs的另一端仍與第二預(yù)設(shè)電源Vref連接，存儲(chǔ)電容Cs的一端雖然已經(jīng)與第一預(yù)設(shè)電源VDD斷開，但電位仍為第一預(yù)設(shè)電源VDD的高電平，同時(shí)數(shù)據(jù)信號(hào)通過第五晶體管T5寫入驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極即g點(diǎn)，由于數(shù)據(jù)電壓Vdata小于第一預(yù)設(shè)電源VDD的高電平，因此驅(qū)動(dòng)晶體管T6并未截止，從該階段開始，存儲(chǔ)電容Cs會(huì)通過驅(qū)動(dòng)晶體管T6對(duì)第三預(yù)設(shè)電源VSS的低電位進(jìn)行放電(但產(chǎn)生的電流不足以驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件DO發(fā)光)，存儲(chǔ)電容Cs的一端即q點(diǎn)的電位開始持續(xù)下降，直到電位下降為數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Vdata與閾值電壓的絕對(duì)值之和，即Vdata+|Vthd|，其中，Vthd為驅(qū)動(dòng)晶體管T6的閾值電壓，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管T6自動(dòng)截止，在寫入補(bǔ)償階段D2結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓差為Vdata+|Vthd|-Vref。

其中，需要說明的是，在寫入補(bǔ)償階段D2，第二掃描信號(hào)的下降沿與發(fā)光控制信號(hào)的上升沿同時(shí)提供至第二掃描端S2和發(fā)光控制端EM。也就是說，在外部控制信號(hào)給入時(shí)，當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)的下降沿與當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)的上升沿須對(duì)齊。

還需說明的是，第二掃描信號(hào)的下降沿與第一掃描信號(hào)的上升沿?zé)o需同時(shí)提供至第二掃描端S2和第一掃描端S1，也就是說，上一行掃描信號(hào)S(n-1)的上升沿不是必須與當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)的下降沿對(duì)齊，即可以不用對(duì)齊。

如圖5和圖8所示，在緩沖階段D3，第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)和發(fā)光控制信號(hào)均為高電平，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5均截止，以抑制干擾。

也就是說，在緩沖階段D3，上一行掃描信號(hào)S(n-1)、當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)和當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)為高電平。

在此階段，高電平的上一行掃描信號(hào)S(n-1)通過第一掃描端S1提供至第三晶體管T3的柵極，第三晶體管T3在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，且高電平的當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)通過發(fā)光控制端EM提供至第一晶體管T1和第二晶體管T2的柵極，第一晶體管T1和第二晶體管T2在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，同時(shí)高電平的當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)通過第二掃描端S2提供至第四晶體管T4和第五晶體管T5的柵極，第四晶體管T4和第五晶體管T5在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，其中，等效電路圖如圖8所示。

第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5均截止，可避免不必要的雜訊。

如圖5和圖9所示，在發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段D4，第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)均為高電平，且發(fā)光控制信號(hào)為低電平，第一晶體管T1、第二晶體管T2開啟，第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5截止，驅(qū)動(dòng)晶體管T6在存儲(chǔ)電容Cs的作用下生成發(fā)光電流。

也就是說，在發(fā)光驅(qū)動(dòng)階段D4，上一行掃描信號(hào)S(n-1)、當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)都為高電平，當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)為低電平。

在此階段，高電平的上一行掃描信號(hào)S(n-1)通過第一掃描端S1提供至第三晶體管T3的柵極，第三晶體管T3在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止，且高電平的當(dāng)前行掃描信號(hào)S(n)通過第二掃描端S2提供至第四晶體管T4和第五晶體管T5的柵極，第四晶體管T4和第五晶體管T5在高電平的驅(qū)動(dòng)下截止。同時(shí)，低電平的當(dāng)前行發(fā)光控制信號(hào)EM(n)通過發(fā)光控制端EM提供至第一晶體管T1和第二晶體管T2的柵極，第一晶體管T1和第二晶體管T2在低電平的驅(qū)動(dòng)下開啟。其中，等效電路圖如圖9所示。

由于第二晶體管T2開啟，存儲(chǔ)電容Cs的另一端相當(dāng)于與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極相連，驅(qū)動(dòng)晶體管T6的柵極即g點(diǎn)懸空，因此驅(qū)動(dòng)晶體管T6的源極和柵極之間的電壓Vsg即為寫入補(bǔ)償階段D2結(jié)束時(shí)存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓差VCs，即VCs＝Vdata+|Vthd|-Vref。并且，由于驅(qū)動(dòng)晶體管T6的源極和漏極之間的電壓Vsd大于驅(qū)動(dòng)晶體管T6的源極和柵極之間的電壓Vsg與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的閾值電壓之差，即Vsd>Vsg-|Vthd|，驅(qū)動(dòng)晶體管T6工作在飽和狀態(tài)，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T6產(chǎn)生的發(fā)光電流Ioled為：

Ioled＝K×(Vsg-|Vthd|)^2＝K×(VCs-|Vthd|)^2＝K×(Vdata+|Vthd|-Vref-|Vthd|)^2＝K×(Vdata-Vref)^2

其中，K為與工藝和設(shè)計(jì)有關(guān)的常數(shù)。

由上式可知，提供至發(fā)光元件DO例如有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流Ioled只與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Vdata和第二預(yù)設(shè)電源的參考電壓Vref有關(guān)，而與驅(qū)動(dòng)晶體管T6的閾值電壓Vthd無關(guān)，從而消除驅(qū)動(dòng)晶體管T6的電壓閾值對(duì)顯示均勻性的影響。并且，本發(fā)明實(shí)施例的第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和驅(qū)動(dòng)晶體管T6均P型晶體管，從而可保證工藝制程的簡單化，同時(shí)實(shí)際輸入的仍然只有2路控制信號(hào)，從而可同時(shí)維持電路控制信號(hào)的簡單化。

綜上，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的像素驅(qū)動(dòng)電路，重置單元根據(jù)第一掃描端提供的第一掃描信號(hào)開通，以對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行重置并對(duì)存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電，寫入補(bǔ)償單元根據(jù)第二掃描端提供的第二掃描信號(hào)開通，以使數(shù)據(jù)輸入端提供的數(shù)據(jù)信號(hào)寫入驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，并使儲(chǔ)存電容通過寫入補(bǔ)償單元和驅(qū)動(dòng)晶體管放電直至驅(qū)動(dòng)晶體管截止，發(fā)光控制單元根據(jù)發(fā)光控制端提供的發(fā)光控制信號(hào)開通，以與儲(chǔ)存電容共同驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管生成發(fā)光電流以驅(qū)動(dòng)像素中的發(fā)光元件發(fā)光，且第一掃描信號(hào)先于第二掃描信號(hào)輸出，從而能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提出了一種顯示面板，包括上述實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示面板，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

最后，本發(fā)明實(shí)施例又提出了一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例的顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示裝置，能夠消除驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均對(duì)顯示均勻性的影響，并且能保證工藝制程的簡單化，同時(shí)盡量維持電路控制信號(hào)的簡單化。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。