相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2016年3月17日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0032074號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),該韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用整體地并入本文。
本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式涉及顯示設(shè)備。
背景技術(shù):
顯示設(shè)備是以視覺形式呈現(xiàn)信息的輸出設(shè)備。一般地,顯示設(shè)備包括位于基板之上的顯示部分。通過折彎顯示設(shè)備的一部分,可增加顯示設(shè)備在各個(gè)角度的可視性,并且可減小顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域的面積。
然而,在制造彎曲的顯示設(shè)備的過程中可能出現(xiàn)缺陷,從而減少了顯示設(shè)備的壽命。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式,一種顯示設(shè)備包括:基板,包括位于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的折彎區(qū)域,折彎區(qū)域繞折彎區(qū)域中的折彎軸線折彎;有機(jī)層,設(shè)置在基板之上,有機(jī)層的上表面包括位于折彎區(qū)域中的不平坦表面,不平坦表面包括多個(gè)突出;以及導(dǎo)電層,從第一區(qū)域跨越折彎區(qū)域延伸至第二區(qū)域,導(dǎo)電層位于有機(jī)層之上且包括多個(gè)通孔,多個(gè)通孔的位置與多個(gè)突出的位置同步。
顯示設(shè)備還可包括無機(jī)絕緣層,無機(jī)絕緣層設(shè)置在基板之上并且包括位于折彎區(qū)域中的開口或槽,其中有機(jī)層設(shè)置在開口或槽的一部分中。
多個(gè)通孔的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)突出的位置。
多個(gè)通孔的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)突出之間的多個(gè)凹部的位置。
多個(gè)通孔可沿導(dǎo)電層的延伸方向布置成行。
導(dǎo)電層的位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第一側(cè)上的第一邊緣可包括與多個(gè)通孔之間的空間對(duì)應(yīng)的第一凹部,并且導(dǎo)電層的位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第二側(cè)上的第二邊緣可包括與多個(gè)通孔之間的空間對(duì)應(yīng)的第二凹部。
第一凹部可與第二凹部一一對(duì)應(yīng)。
多個(gè)通孔可沿導(dǎo)電層的延伸方向布置并且包括多個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔,多個(gè)第一通孔的各個(gè)中心可位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第一側(cè)上,以及多個(gè)第二通孔的各個(gè)中心可位于延伸中心軸線的第二側(cè)上。
多個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔可沿延伸方向交替地設(shè)置。
導(dǎo)電層的位于延伸中心軸線的第二側(cè)上的第一邊緣可包括與多個(gè)第二通孔對(duì)應(yīng)的第一凹部,并且導(dǎo)電層的位于延伸中心軸線的第一側(cè)上的第二邊緣可包括與多個(gè)第一通孔對(duì)應(yīng)的第二凹部。
多個(gè)通孔可沿導(dǎo)電層的延伸方向和與延伸方向相交的橫向方向布置。
沿橫向方向布置的多個(gè)通孔的數(shù)量可沿延伸方向改變。
橫向方向中的n個(gè)通孔和橫向方向中的m個(gè)通孔沿延伸方向交替地布置。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式,一種顯示設(shè)備包括:基板,包括位于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的折彎區(qū)域,折彎區(qū)域繞折彎區(qū)域中的折彎軸線折彎;有機(jī)層,設(shè)置在基板之上并且包括彼此間隔開且設(shè)置在折彎區(qū)域中的多個(gè)島狀件;以及導(dǎo)電層,從第一區(qū)域跨越折彎區(qū)域延伸至第二區(qū)域,導(dǎo)電層位于有機(jī)層之上并且包括多個(gè)通孔,多個(gè)通孔的位置與多個(gè)島狀件的位置同步。
顯示設(shè)備還可包括無機(jī)絕緣層,無級(jí)絕緣層設(shè)置在基板之上并且包括位于折彎區(qū)域中的開口或槽,其中有機(jī)層設(shè)置在開口或槽的一部分中。
多個(gè)島狀件中的每個(gè)可沿折彎軸線方向延伸,并且多個(gè)島狀件可沿與折彎軸線方向相交的方向彼此間隔開。
多個(gè)通孔的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件的位置。
多個(gè)通孔的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件之間的空間的位置。
多個(gè)通孔可沿導(dǎo)電層的延伸方向布置成行。
導(dǎo)電層的位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第一側(cè)上的第一邊緣可包括與多個(gè)通孔之間的空間對(duì)應(yīng)的第一凹部,并且導(dǎo)電層的位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第二側(cè)上的第二邊緣可包括與多個(gè)通孔之間的空間對(duì)應(yīng)的第二凹部。
第一凹部可與第二凹部一一對(duì)應(yīng)。
多個(gè)通孔沿導(dǎo)電層的延伸方向布置并且包括多個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔,多個(gè)第一通孔的各個(gè)中心位于導(dǎo)電層的延伸中心軸線的第一側(cè)上,以及多個(gè)第二通孔的各個(gè)中心位于延伸中心軸線的第二側(cè)上。
多個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔可沿延伸方向交替地設(shè)置。
導(dǎo)電層的位于延伸中心軸線的第二側(cè)上的第一邊緣可包括與多個(gè)第二通孔對(duì)應(yīng)的第一凹部,并且導(dǎo)電層的位于延伸中心軸線的第一側(cè)上的第二邊緣可包括與多個(gè)第一通孔對(duì)應(yīng)的第二凹部。
多個(gè)通孔可沿導(dǎo)電層的延伸方向和與延伸方向相交的橫向方向布置。
沿橫向方向布置的多個(gè)通孔的數(shù)量可根據(jù)延伸方向改變。
橫向方向中的n個(gè)通孔和橫向方向中的m個(gè)通孔可沿延伸方向交替地布置。
附圖說明
通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式,本發(fā)明構(gòu)思的以上和/或其它的特征將變得更明顯,在附圖中:
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖;
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的顯示設(shè)備的一部分的截面視圖;
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖;
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖;
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖;
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖5的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖;
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面視圖;
圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面視圖;
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖;以及
圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)將參考附圖描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式。然而,本發(fā)明構(gòu)思可以許多不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)該被解釋為受限于本文中所闡述的示例性實(shí)施方式。
當(dāng)參考附圖進(jìn)行描述時(shí),附圖中的相同參考標(biāo)號(hào)可表示相同或相應(yīng)的元件,并且它們的重復(fù)描述可被省略。
將理解,當(dāng)部件例如層、膜、區(qū)域或板被稱為位于另一部件“之上”時(shí),該部件可直接位于另一部件上或其上可存在中間部件。另外,為了方便解釋,附圖中部件的尺寸可放大。
在下面的示例中,x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸,并且可被解釋為更廣泛的含義。例如,x軸、y軸和z軸可彼此垂直,或可表示不互相垂直的不同方向。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖,以及圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的顯示設(shè)備的一部分的截面視圖。
如圖1所示,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備中,基板100的一部分(為顯示設(shè)備的一部分)是折彎的,因而顯示設(shè)備具有像基板100一樣部分折彎的形狀。下文中,為了方便說明,實(shí)施方式的截面視圖或平面視圖將示出顯示設(shè)備不是折彎的,即使實(shí)際上它是折彎的。
如圖1和圖2所示,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的基板100具有沿第一方向(+y方向)延伸的折彎區(qū)域ba。折彎區(qū)域ba沿與第一方向相交的第二方向(+x方向)位于第一區(qū)域1a與第二區(qū)域2a之間。另外,如圖1所示,基板100繞沿第一方向(+y方向)延伸的折彎軸線bax折彎?;?00可包括具有柔性或可折彎特性的各種材料。例如,基板100可包括聚合物樹脂例如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸脂(pc)或醋酸丙酸纖維素(cap)。
第一區(qū)域1a包括顯示區(qū)域da。除了如圖2所示的顯示區(qū)域da以外,第一區(qū)域1a可包括顯示區(qū)域da外的非顯示區(qū)域的一部分。顯示區(qū)域da可延伸至折彎區(qū)域ba。另外,第二區(qū)域2a可包括非顯示區(qū)域。
如圖2所示,不僅顯示元件300而且電連接至顯示元件300的薄膜晶體管(tft)210也可位于基板100的顯示區(qū)域da中。圖2示出了作為顯示元件300的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)位于顯示區(qū)域da中。oled電連接至tft210的配置可理解為像素電極310電連接至tft210的配置。tft也可設(shè)置在基板100的顯示區(qū)域da外的周邊區(qū)域中。例如,位于周邊區(qū)域中的tft可以是對(duì)施加至顯示區(qū)域da的電信號(hào)進(jìn)行控制的電路部分的一部分。
tft210可包括包含非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料的、半導(dǎo)體層211、柵電極213、源電極215a和漏電極215b。為了確保半導(dǎo)體層211與柵電極213絕緣,包括無機(jī)材料例如氧化硅、氮化硅、和/或氧氮化硅的柵絕緣層120可設(shè)置在半導(dǎo)體層211與柵電極213之間。另外,包括無機(jī)材料例如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的層間絕緣層130可設(shè)置在柵電極213之上。源電極215a和漏電極215b可設(shè)置在層間絕緣層130之上。包括無機(jī)材料的柵絕緣層120或?qū)娱g絕緣層130可通過使用化學(xué)氣相沉積(cvd)或原子層沉積(ald)形成。這可同樣應(yīng)用于下面描述的實(shí)施方式及其變型。
包括無機(jī)材料例如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的緩沖層110可設(shè)置在tft210與基板100之間。緩沖層110可增加基板100的上表面的平坦化特性,或者防止或最小化基板100等的雜質(zhì)滲入tft210的半導(dǎo)體層211中。
另外,平坦化層140可設(shè)置在tft210之上。例如,如圖2所示,在oled設(shè)置在tft210之上的情況中,平坦化層140可使覆蓋tft210的保護(hù)層的上部平坦化。平坦化層140可包括有機(jī)材料,例如丙烯醛基(acryl)、苯并環(huán)丁烯(bcb)或六甲基二硅醚(hmdso)。盡管圖2示出了平坦化層140為單層,但是平坦化層140可為多層并且可不同地改變。另外,如圖2所示,平坦化層140包括顯示區(qū)域da外的開口,以允許平坦化層140的在顯示區(qū)域da中的部分與平坦化層140的在第二區(qū)域2a中的部分物理分離。這樣做是為了防止外部雜質(zhì)經(jīng)由平坦化層140的內(nèi)部到達(dá)顯示區(qū)域da的內(nèi)部。
在基板100的顯示區(qū)域da中,包括像素電極310、相對(duì)電極330和中間層320的oled可位于平坦化層140之上,其中,中間層320設(shè)置在像素電極310與相對(duì)電極330之間并包括發(fā)光層。如圖2所示,像素電極310經(jīng)由形成在平坦化層140中的開口通過與源電極215a和漏電極215b之一接觸而電連接至tft210。
像素限定層150可設(shè)置在平坦化層140之上。像素限定層150通過包括與子像素對(duì)應(yīng)的開口(換句話說,至少暴露了像素電極310的中央部分的開口)限定了像素。另外,在圖2所示的情況中,像素限定層150通過增加像素電極310的邊緣與像素電極310之上的相對(duì)電極330之間的距離,來防止在像素電極310的邊緣處出現(xiàn)弧等。像素限定層150可包括例如聚酰亞胺(pi)或六甲基二硅醚(hmdso)的有機(jī)材料。
oled的中間層320可包括低分子材料或聚合物材料。在中間層320包括低分子材料的情況中,中間層320可具有這樣的結(jié)構(gòu),其中空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)光層(eml)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等堆疊在單個(gè)結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)中。中間層320可包括各種有機(jī)材料,例如酞菁銅(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)和三-8-羥基喹啉鋁(alq3)。這些層可通過使用真空沉積方法形成。
在中間層320包括聚合物材料的情況中,中間層320可具有包括htl和eml的結(jié)構(gòu)。在此情況中,htl可包括pedot,并且eml可包括聚合物材料,例如基于聚亞苯基乙烯(ppv)的材料和基于聚芴的材料。中間層320可通過使用絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷或激光熱轉(zhuǎn)印(liti)等形成。
然而,將理解中間層320不一定限于此并且可具有各種結(jié)構(gòu)。另外,中間層320可包括在多個(gè)像素電極310之上整體形成的層,并且包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極310被圖案化的層。
如圖2所示,相對(duì)電極330設(shè)置在顯示區(qū)域da之上并且可覆蓋顯示區(qū)域da。換句話說,相對(duì)電極330可在多個(gè)oled之上整體形成并且可對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素電極310。
由于oled可能被外部的水分或氧氣等損壞,所以封裝層400可通過覆蓋oled來保護(hù)oled。封裝層400可覆蓋顯示區(qū)域da并且延伸到顯示區(qū)域da的外側(cè)。如圖2所示,封裝層400可包括第一無機(jī)封裝層410、有機(jī)封裝層420和第二無機(jī)封裝層430。
第一無機(jī)封裝層410可覆蓋相對(duì)電極330,并且包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。例如包覆層等其它層可設(shè)置在第一無機(jī)封裝層410與相對(duì)電極330之間。由于第一無機(jī)封裝層410沿其下方的結(jié)構(gòu)形成,所以第一無機(jī)封裝層410的上表面未被平坦化,如圖2所示。有機(jī)封裝層420可覆蓋第一無機(jī)封裝層410。不同于第一無機(jī)封裝層410,有機(jī)封裝層420的上表面可被平坦化。例如,有機(jī)封裝層420的上表面可在與顯示區(qū)域da對(duì)應(yīng)的部分中大致平坦化。有機(jī)封裝層420可包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸脂(pc)、聚酰亞胺(pi)、聚乙烯磺酸、聚甲醛(pom)、聚丙烯酸酯(par)和六甲基二硅醚中的至少一種。第二無機(jī)封裝層430可覆蓋有機(jī)封裝層420并且包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。第二無機(jī)封裝層430可通過在其位于顯示區(qū)域da外的邊緣與第一無機(jī)封裝層410接觸來允許有機(jī)封裝層420不暴露至外界。
由于封裝層400包括第一無機(jī)封裝層410、有機(jī)封裝層420和第二無機(jī)封裝層430,所以即使當(dāng)封裝層400內(nèi)出現(xiàn)裂縫時(shí),裂縫也可能在第一無機(jī)封裝層410與有機(jī)封裝層420之間是不連接的或者處于有機(jī)封裝層420與第二無機(jī)封裝層430之間。這樣,能夠防止或最小化形成外部水分或氧氣等通過其滲入顯示區(qū)域da中的路徑。
可進(jìn)一步執(zhí)行在封裝層400之上形成用于觸摸屏功能的具有各種圖案的觸摸電極、或用于保護(hù)觸摸電極的觸摸保護(hù)層的過程。觸摸電極或觸摸保護(hù)層可通過使用例如沉積的過程形成于封裝層400之上。顯示設(shè)備可通過將具有觸摸電極等的觸摸面板附接在封裝層400之上而具有觸摸屏功能。將理解,可進(jìn)行各種觸摸屏配置。
平坦化板520可通過使用光學(xué)透明粘附劑(oca)510位于封裝層400之上。平坦化板520可減少外部光的反射。例如,外部光穿過平坦化板520、被相對(duì)電極330的上表面反射、然后再次穿過平坦化板520。在此情況中,由于外部光穿過平坦化板520兩次,所以外部光的相位可能改變。結(jié)果,由于反射光的相位不同于進(jìn)入平坦化板520的外部光的相位,所以可能發(fā)生相消干涉。然而,通過減少外部光反射可增加可視性。oca510和平坦化板520可覆蓋平坦化層140的開口,如圖2所示。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備并非必須包括平坦化板520。由此,平坦化板520可省略并由另一元件替換。例如,顯示設(shè)備可省略平坦化板520并通過使用黑矩陣和濾色器來減少外部光反射。
另外,包括無機(jī)材料的緩沖層110、柵絕緣層120和層間絕緣層130可稱為無機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層包括與如圖2所示的折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口。換句話說,緩沖層110、柵絕緣層120和層間絕緣層130可分別包括與折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的開口110a、120a和130a。由于開口對(duì)應(yīng)于折彎區(qū)域ba,所以開口可與折彎區(qū)域ba重疊。在此情況中,開口的面積可大于折彎區(qū)域ba的面積。例如,圖2示出了開口的寬度ow大于折彎區(qū)域ba的寬度。在此情況中,開口的面積可對(duì)應(yīng)于緩沖層110的開口110a、柵絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a中具有最小面積的開口的面積,圖2示出了開口的面積對(duì)應(yīng)于緩沖層110的開口110a的面積。
例如,如圖2所示,柵絕緣層120的開口120a的面積可大于緩沖層110的開口110a的面積。然而,本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式不限于此,緩沖層110的開口110a的內(nèi)側(cè)表面可與柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)側(cè)表面重合(見圖12)。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備包括對(duì)無機(jī)絕緣層的開口的至少一部分填充的有機(jī)層160。圖2示出了完全填充開口的有機(jī)層160。另外,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備包括導(dǎo)電層215c。導(dǎo)電層215c從第一區(qū)域1a經(jīng)由折彎區(qū)域ba延伸至第二區(qū)域2a,并且位于有機(jī)層160之上。導(dǎo)電層215c可在有機(jī)層160不存在的區(qū)域中位于無機(jī)絕緣層例如層間絕緣層130之上。導(dǎo)電層215c可包括與源電極215a或漏電極215b的材料相同的材料,并且可與源電極215a或漏電極215b同時(shí)形成。在觸摸電極形成于封裝層400之上的情況中,導(dǎo)電層215c可包括與觸摸電極的材料相同的材料,并且可與觸摸電極同時(shí)形成。
有機(jī)層160可在其上表面(沿+z方向)的至少一部分中包括不平坦表面160a。由于有機(jī)層160包括不平坦表面160a,所以位于有機(jī)層160之上的導(dǎo)電層215c的上表面和/或下表面可具有與有機(jī)層160的不平坦表面160a對(duì)應(yīng)的形狀。
如上所述,盡管為了方便描述,圖2示出了顯示設(shè)備不是折彎的,但是顯示設(shè)備實(shí)際上如圖1所示在折彎區(qū)域ba中是折彎的。例如,顯示設(shè)備被制造為使得基板100大致平坦化,如圖2所示,然后顯示設(shè)備通過在折彎區(qū)域ba中折彎基板100等形成為具有如圖1所示的大致形狀。在此情況中,在基板100等在折彎區(qū)域ba中被折彎的過程中,拉伸應(yīng)力可施加至導(dǎo)電層215c。然而,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可防止或使得折彎過程中在導(dǎo)電層215c中出現(xiàn)缺陷最小化。
例如,如果無機(jī)絕緣層例如緩沖層110、柵絕緣層120和/或?qū)娱g絕緣層130在折彎區(qū)域ba中不具有開口并具有從第一區(qū)域1a至第二區(qū)域2a的連續(xù)形狀并且導(dǎo)電層215c位于無機(jī)絕緣層之上,則當(dāng)基板100等折彎時(shí)大的拉伸力被施加至導(dǎo)電層215c。具體地,由于無機(jī)絕緣層具有比有機(jī)層的硬度高的硬度,所以存在裂縫等可能在折彎區(qū)域ba中的無機(jī)絕緣層中出現(xiàn)的高可能性。當(dāng)裂縫出現(xiàn)在無機(jī)絕緣層中時(shí),裂縫等還可能出現(xiàn)在無機(jī)絕緣層之上的導(dǎo)電層215c中,因此出現(xiàn)例如導(dǎo)電層215c斷開的缺陷的可能性較高。
然而,在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備中,無機(jī)絕緣層在折彎區(qū)域ba中具有開口,并且導(dǎo)電層215c的與折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的部分位于對(duì)無機(jī)絕緣層的開口的至少一部分填充的有機(jī)層160之上。由于無機(jī)絕緣層在折彎區(qū)域ba中具有開口,所以裂縫可能出現(xiàn)在無機(jī)絕緣層中的可能性較低,而且,由于有機(jī)層160包括有機(jī)材料,所以裂縫可能出現(xiàn)的可能性較低。因此,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可防止或最小化裂縫等出現(xiàn)在導(dǎo)電層215c的與折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的且位于有機(jī)層160之上的部分。另外,由于有機(jī)層160具有比無機(jī)絕緣層的硬度低的硬度,所以有機(jī)層160可通過吸收基板100等的折彎產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力來有效地最小化集中在導(dǎo)電層215c處的拉伸應(yīng)力。
而且,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過允許導(dǎo)電層215c的上表面和/或下表面具有與有機(jī)層160的不平坦表面160a對(duì)應(yīng)的形狀,來最小化被施加至導(dǎo)電層215c的拉伸應(yīng)力的量。換句話說,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可經(jīng)由具有低強(qiáng)度的有機(jī)層160的變形來減少在折彎過程中可能出現(xiàn)的拉伸應(yīng)力。在此情況中,顯示設(shè)備可通過允許導(dǎo)電層215c在折彎期間與有機(jī)層160對(duì)應(yīng)地變形來有效地防止例如導(dǎo)電層215c斷開的缺陷。
另外,有機(jī)層160在開口內(nèi)的上表面的表面面積,以及導(dǎo)電層215c在開口內(nèi)的上表面和下表面的表面面積可通過在有機(jī)層160的上表面(沿+z方向)的至少一部分中形成不平坦表面160a來增加。由于有機(jī)層160的上表面的表面面積和導(dǎo)電層215c的上表面和下表面的表面面積較大,所以有機(jī)層160和導(dǎo)電層215c可能變形(以減少來自折彎基板100的拉伸應(yīng)力)的裕度增加。
另外,如下面將描述的,通過允許導(dǎo)電層215c包括多個(gè)通孔215d(見圖3)可有效地防止導(dǎo)電層215c被損壞或者可最小化導(dǎo)電層215c被損壞的可能性。由于導(dǎo)電層215c包括多個(gè)通孔215d,所以導(dǎo)電層215c的柔性增加,因而即使當(dāng)在折彎過程中出現(xiàn)拉伸應(yīng)力時(shí),也可有效地防止例如導(dǎo)電層215c斷開的缺陷出現(xiàn)。盡管為了方便描述,圖2未示出導(dǎo)電層215c內(nèi)的通孔215d,但是圖2可理解為僅示出了導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d不存在的部分。
有機(jī)層160的上表面(沿+z方向)的不平坦表面160a可通過使用各種方法形成。例如,在形成有機(jī)層160時(shí)使用光刻膠材料。在此情況中,通過使應(yīng)用于上表面在制造過程中經(jīng)由縫隙掩膜或半色調(diào)掩膜大致平坦化的有機(jī)層160的多個(gè)部分的曝光量不同,特定部分可相對(duì)于其它部分被進(jìn)一步蝕刻(移除)。這里,進(jìn)一步蝕刻的部分可以是有機(jī)層160的上表面中的凹部。在制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備時(shí)使用的方法不限于剛才描述的方法。例如,在上表面被大致平坦化的有機(jī)層160形成之后,僅有機(jī)層160的特定部分可通過使用干法蝕刻等被移除。
為了允許有機(jī)層160在其上表面(沿+z方向)中包括不平坦表面160a,有機(jī)層160可在其上表面(沿+z方向)中包括沿第一方向(+y方向)延伸的多個(gè)槽。在此情況中,有機(jī)層160之上的導(dǎo)電層215c的上表面的形狀對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的上表面(換句話說,不平坦表面160a)的形狀。
有機(jī)層160可包括僅位于無機(jī)絕緣層的開口內(nèi)的不平坦表面160a。圖2示出了有機(jī)層160的包括不平坦表面160a的部分的寬度uew比無機(jī)絕緣層的開口的寬度ow窄。
如果有機(jī)層160包括位于無機(jī)絕緣層的開口內(nèi)和外的不平坦表面160a,則應(yīng)理解有機(jī)層160包括位于緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面附近的不平坦表面160a。由于有機(jī)層160的與不平坦表面160a的凹部對(duì)應(yīng)的部分與有機(jī)層160的從無機(jī)絕緣層的開口的基底突出的部分的厚度相比具有相對(duì)薄的厚度,所以如果凹部位于緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面中,則有機(jī)層160可能不連續(xù)地連接和斷開。因此,通過僅在無機(jī)絕緣層的開口內(nèi)為有機(jī)層160提供不平坦表面160a,能夠防止有機(jī)層160在緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面的附近斷開。
如上所述,為了防止折彎區(qū)域ba中出現(xiàn)導(dǎo)電層215c的斷開等,有機(jī)層160可包括位于折彎區(qū)域ba中的不平坦表面160a。因此,有機(jī)層160的包括不平坦表面160a的部分的面積可比折彎區(qū)域ba的面積大但是比開口的面積小。這在圖2中示出,其中有機(jī)層160的包括不平坦表面160a的部分的寬度uew比折彎區(qū)域ba的寬度寬且比開口的寬度ow窄。
除了導(dǎo)電層215c以外,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備還可包括附加的導(dǎo)電層213a和213b。附加的導(dǎo)電層213a和213b可設(shè)置在第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a中,使得附加的導(dǎo)電層213a和213b位于與導(dǎo)電層215c所處的層不同的層中。附加的導(dǎo)電層213a和213b可電連接至導(dǎo)電層215c。圖2示出了附加的導(dǎo)電層213a和213b包括與tft210的柵電極213的材料相同的材料,且位于柵電極213所設(shè)置的相同層中,換句話說,位于柵絕緣層120之上。另外,圖2示出了導(dǎo)電層215c經(jīng)由形成于層間絕緣層130中的接觸孔與附加的導(dǎo)電層213a和213b接觸。另外,圖2示出了附加的導(dǎo)電層213a位于第一區(qū)域1a中,而附加的導(dǎo)電層213b位于第二區(qū)域2a中。
位于第一區(qū)域1a中的附加的導(dǎo)電層213a可電連接至顯示區(qū)域da內(nèi)的tft210等,因此導(dǎo)電層215c可經(jīng)由附加的導(dǎo)電層213a電連接至顯示區(qū)域da內(nèi)的tft210等。位于第二區(qū)域2a中的附加的導(dǎo)電層213b也可經(jīng)由導(dǎo)電層215c電連接至顯示區(qū)域da內(nèi)的tft210等。如上所述,附加的導(dǎo)電層213a和213b即使位于顯示區(qū)域da外也可電連接至位于顯示區(qū)域da內(nèi)的元件,并可朝向顯示區(qū)域da延伸,而且在附加的導(dǎo)電層213a和213b位于顯示區(qū)域da外時(shí),它們的至少一部分可位于顯示區(qū)域da內(nèi)。
如上所述,盡管為了方便描述,圖2示出了顯示設(shè)備不是折彎的,但是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備包括如圖1所示的實(shí)際上在折彎區(qū)域ba中折彎的基板100等。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè),顯示設(shè)備被制造為使得基板100在制造過程中被大致平坦化,如圖2所示,然后顯示設(shè)備通過在折彎區(qū)域ba中折彎基板100等而被給予圖1所示的形狀。在此情況中,在基板100等在折彎ba中被折彎時(shí),拉伸應(yīng)力可被施加至位于折彎區(qū)域ba內(nèi)的元件。
因此,通過向橫跨折彎區(qū)域ba的導(dǎo)電層215c提供具有高伸長率的材料,可防止出現(xiàn)例如導(dǎo)電層215c中的裂縫或?qū)щ妼?15c斷開的缺陷。另外,通過在第一區(qū)域1a或第二區(qū)域2a中使用具有比導(dǎo)電層215c的伸長率低的伸長率但具有與導(dǎo)電層215c的電/物理特性不同的電/物理特性的材料形成附加的導(dǎo)電層213a和213b,可在顯示設(shè)備中增大電信號(hào)傳輸?shù)男驶蛘呖蓽p少顯示設(shè)備的制造過程中缺陷出現(xiàn)率。例如,附加的導(dǎo)電層213a和213b可包括mo,并且導(dǎo)電層215c可包括al。導(dǎo)電層215c或附加的導(dǎo)電層213a和213b可具有多層結(jié)構(gòu)。
不同于圖2,位于第二區(qū)域2a中的附加的導(dǎo)電層213b通過使其上表面的至少一部分不覆蓋平坦化層140等而是將其暴露至外界,可電連接至各種電子設(shè)備或印刷電路板等。
另外,如圖2所示,有機(jī)層160可覆蓋無機(jī)絕緣層的開口的內(nèi)表面。如上所述,導(dǎo)電層215c可包括與源電極215a和漏電極215b的材料相同的材料,并且可與源電極215a和漏電極215b同時(shí)形成。例如,在基板100的整個(gè)表面之上形成導(dǎo)電層之后,可通過圖案化導(dǎo)電層形成源電極215a、漏電極215b和導(dǎo)電層215c。如果有機(jī)層160不覆蓋緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面,則在導(dǎo)電層被圖案化時(shí)導(dǎo)電材料可能沒有移除而是留在緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面和層間絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面上。在此情況中,留下的導(dǎo)電材料可能導(dǎo)致其它導(dǎo)電層之間短路。
因此,在形成有機(jī)層160時(shí),有機(jī)層160可覆蓋無機(jī)絕緣層的開口的內(nèi)側(cè)表面。作為參考,盡管圖2示出了有機(jī)層160具有均勻的厚度,但是有機(jī)層160可根據(jù)其位置具有不同的厚度。例如,有機(jī)層160的上表面的斜坡可在緩沖層110的開口110a的內(nèi)表面、柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面或?qū)娱g絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面的附近略緩。因此,可能需要被移除的導(dǎo)電材料可在圖案化導(dǎo)電層以形成源電極215a、漏電極215b和導(dǎo)電層215c的過程中已經(jīng)被移除。
另外,應(yīng)力中和層(snl)600可位于顯示區(qū)域da外。換句話說,snl600可位于導(dǎo)電層215c的至少與折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的部分之上。
當(dāng)某一堆疊體折彎時(shí),在堆疊體內(nèi)存在應(yīng)力中和平面。如果不存在snl600,則當(dāng)基板100等折彎時(shí),過度的拉伸應(yīng)力等可能被施加在折彎區(qū)域ba內(nèi)的導(dǎo)電層215c上。這是因?yàn)閷?dǎo)電層215c的位置可能未對(duì)應(yīng)于應(yīng)力中和平面。然而,通過提供snl600并調(diào)節(jié)snl600的厚度、模數(shù)等,可在包括基板100、導(dǎo)電層215c、snl600等的全部的堆疊體中調(diào)節(jié)應(yīng)力中和平面的位置。因此,通過允許應(yīng)力中和平面經(jīng)由snl600位于導(dǎo)電層215c附近,可最小化被施加在導(dǎo)電層215c上的拉伸應(yīng)力。
不同于圖2中所示,snl600可延伸至顯示設(shè)備的基板100的邊緣。例如,導(dǎo)電層215c、附加的導(dǎo)電層213b和/或電連接至這些層的其它導(dǎo)電層等的至少一部分可不被層間絕緣層130或平坦化層140等覆蓋,并且可電連接至各種電子設(shè)備或印刷電路板等。由此,存在將導(dǎo)電層215c、附加的導(dǎo)電層213b和/或電連接至這些層(導(dǎo)電層215c和附加的導(dǎo)電層213b)的其它導(dǎo)電層連接至各種電子設(shè)備或印刷電路板等的部分或結(jié)構(gòu)。在此情況中,可保護(hù)電連接部分免受例如外部水分的雜質(zhì)的影響,并且snl600可覆蓋電連接部分并因而還充當(dāng)保護(hù)層。為了此目的,snl600例如可延伸至顯示設(shè)備的基板100的邊緣。
另外,盡管圖2示出了snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的上表面與平坦化板520的上表面(+z方向)一致,但是本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式不限于此。例如,snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的端部可覆蓋平坦化板520的邊緣上表面的一部分。替代地,snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的端部可不與平坦化板520和/或oca510接觸。具體地,在后一種情況中,在形成snl600的過程中或在形成snl600之后,可防止從snl600產(chǎn)生的氣體向顯示區(qū)域方向(-x方向)移動(dòng)并使顯示元件300例如oled劣化。
如圖2所示,如果snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的上表面與平坦化板520的上表面(+z方向)一致、或snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的端部覆蓋平坦化板520的上表面的邊緣的一部分、或snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的端部與oca510接觸,則snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的部分的厚度可大于snl600的其它部分的厚度。由于在形成snl600時(shí)液化或粘貼型材料被涂布和固化,所以snl600的體積可在固化過程中減小。因此,在snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的部分與平坦化板520和/或oca510接觸的情況中,由于snl600的相關(guān)部分的位置被固定,所以在snl600的其余部分中出現(xiàn)體積減小。結(jié)果,snl600沿顯示區(qū)域方向(-x方向)的部分的厚度可大于snl600的其它部分的厚度。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的顯示設(shè)備的一部分(特別是導(dǎo)電層215c的一部分)的立體視圖。如圖3所示,導(dǎo)電層215c可包括多個(gè)通孔215d。在此情況中,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可與有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出的位置是同步的。圖3示出了導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出的位置。作為參考,盡管圖3未示出有機(jī)層160,但是可看出導(dǎo)電層215c的形狀如上所述地對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的形狀。因此,可理解導(dǎo)電層215c沿向上方向(+z方向)的凸部對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的突出,并且導(dǎo)電層215c沿向下方向(-z方向)的凹部對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的突出之間的凹部。
如上面所提到的,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可與不平坦表面160a的多個(gè)突出的位置同步。例如,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于不平坦表面160a的多個(gè)突出的位置。在此情況中,即使當(dāng)在基板100等在折彎區(qū)域ba中折彎的情況下拉伸應(yīng)力被施加至導(dǎo)電層215c時(shí),也可防止或最小化在折彎過程中在導(dǎo)電層215c中出現(xiàn)缺陷。
當(dāng)基板100在折彎區(qū)域ba中折彎時(shí),拉伸應(yīng)力集中在導(dǎo)電層215c的與有機(jī)層160的不平坦表面160a的突出對(duì)應(yīng)的部分上。然而,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過使導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出,有效地防止或最小化導(dǎo)電層215c中裂縫的產(chǎn)生或?qū)щ妼?15c的斷開。這是因?yàn)槔鐚?dǎo)電層215c的通孔215d具有增加的柔性。
然而將理解本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式不限于此。如圖4所示,其是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)凹部。
當(dāng)基板100在折彎區(qū)域ba中折彎時(shí),應(yīng)力集中在導(dǎo)電層215c的與有機(jī)層160的不平坦表面160a的凹部對(duì)應(yīng)的部分上。具體地,沿遠(yuǎn)離基板100方向的應(yīng)力可集中在導(dǎo)電層215c的這些部分上。然而,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過使導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)凹部,有效地防止或最小化導(dǎo)電層215c中裂縫的產(chǎn)生或?qū)щ妼?15c的斷開。這是因?yàn)槔鐚?dǎo)電層215c的通孔215d具有增加的柔性。
例如,實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出時(shí),待被施加至導(dǎo)電層215c以使導(dǎo)電層215c斷開的拉伸應(yīng)力的大小比待被施加至不包括多個(gè)通孔215d的導(dǎo)電層以使該導(dǎo)電層斷開的拉伸應(yīng)力的大小大了約77.1%。另外,實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)凹部時(shí),待被施加至導(dǎo)電層215c以使導(dǎo)電層215c斷開的拉伸應(yīng)力的大小比待被施加至不包括多個(gè)通孔215d的導(dǎo)電層以使該導(dǎo)電層斷開的拉伸應(yīng)力的大小大了約77.2%。因此,如上所述,通過將導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置設(shè)置為對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出或多個(gè)凹部,可有效地防止或最小化導(dǎo)電層215c中裂縫的產(chǎn)生或?qū)щ妼?15c的斷開。
如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖的圖5所示,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出和多個(gè)凹部。
例如,實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置不對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出或多個(gè)凹部但對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a之間的傾斜部分時(shí),待被施加至導(dǎo)電層215c以使導(dǎo)電層215c斷開的拉伸應(yīng)力的大小比待被施加至不包括多個(gè)通孔215d的導(dǎo)電層以使該導(dǎo)電層斷開的拉伸應(yīng)力的大小大了約69.9%。因此,盡管這種情況也提供了防止裂縫產(chǎn)生或斷開的有效技術(shù),但是將導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置配置為對(duì)應(yīng)于有機(jī)層160的不平坦表面160a的多個(gè)突出或多個(gè)凹部為防止裂縫產(chǎn)生或斷開提供了更大的作用。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖5的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖。如圖所示,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d可沿導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向)布置成行。然而,本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
例如,如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖的圖7所示,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d可沿延伸方向(+x方向)布置,同時(shí)還沿與延伸方向(+x方向)相交的橫向方向(+y方向)布置。在此情況中,沿橫向方向(+y方向)布置的多個(gè)通孔215d的數(shù)量可沿導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向)改變。例如,n個(gè)和m個(gè)通孔215d可沿導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向)交替地布置。圖7示出了交替布置的2個(gè)通孔215d和3個(gè)通孔215d。
如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖的圖8所示,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d可沿導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向)布置,并且可包括多個(gè)第一通孔215d1和多個(gè)第二通孔215d2,多個(gè)第一通孔215d1中的每個(gè)具有位于延伸中心軸線eca的一側(cè)(-y方向)上的中心軸線,多個(gè)第二通孔215d2中的每個(gè)具有位于延伸中心軸線eca的另一側(cè)(+y方向)上的中心軸線。在此情況中,如圖8所示,沿著導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向),兩個(gè)第一通孔215d1可彼此相鄰,然后兩個(gè)第二通孔215d2可彼此相鄰。另外,如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖的圖9所示,多個(gè)第一通孔215d1和多個(gè)第二通孔215d2可沿導(dǎo)電層215c的延伸方向(+x方向)交替地布置。
圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的導(dǎo)電層215c即顯示設(shè)備的一部分的平面視圖。在圖10的顯示設(shè)備中,位于導(dǎo)電層215c的延伸中心軸線eca的一側(cè)(-y方向)上的、導(dǎo)電層215c的第一邊緣215ce1具有與多個(gè)通孔215d之間的空間對(duì)應(yīng)的第一凹部215cc1。另外,位于延伸中心軸線eca的另一側(cè)(+y方向)上的、導(dǎo)電層215c的第二邊緣215ce2具有與多個(gè)通孔215d之間的空間對(duì)應(yīng)的第二凹部215cc2。特別地,第一凹部215cc1可與第二凹部215cc2一一對(duì)應(yīng),如圖10所示。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的情況中,導(dǎo)電層215c的通孔215d的周邊的延伸方向(如圖10中的箭頭a1和a2所示)相對(duì)于導(dǎo)電層215c的整體延伸方向(+x方向)形成非零角。當(dāng)基板100等在折彎區(qū)域ba中折彎時(shí),折彎軸線bax(見圖1)大致垂直于導(dǎo)電層215c的延伸中心軸線eca。因此,大的拉伸應(yīng)力被施加至導(dǎo)電層215c的沿導(dǎo)電層215c的延伸中心軸線eca延伸的部分,換句話說,導(dǎo)電層215c的沿導(dǎo)電層215c的整體延伸方向(+x方向)延伸的部分。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的情況中,導(dǎo)電層215c在大多局部區(qū)域中的延伸方向相對(duì)于導(dǎo)電層215c的整體延伸方向(+x方向)形成非零角。因此,可有效地防止或最小化導(dǎo)電層215c中裂縫的產(chǎn)生或斷開等。
另外,此配置可應(yīng)用于根據(jù)以上參考圖9描述的實(shí)施方式的顯示設(shè)備。換句話說,如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面視圖的圖11所示,除了圖9中所示的配置以外,導(dǎo)電層215c的位于延伸中心軸線eca的一側(cè)(-y方向)上的第一邊緣215ce1具有與多個(gè)第二通孔215d2對(duì)應(yīng)的第一凹部215cc1,并且導(dǎo)電層215c的位于延伸中心軸線eca的另一側(cè)(+y方向)上的第二邊緣215ce2具有與多個(gè)第一通孔215d1對(duì)應(yīng)的第二凹部215cc2。
盡管上面的實(shí)施方式示出了多個(gè)通孔215d在平面視圖中具有大致圓形,但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如,多個(gè)通孔215d可在平面視圖中具有各種形狀,例如四邊形、菱形、切角的四邊形、切角的菱形、橢圓形、或碎圓形。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面視圖。當(dāng)前實(shí)施方式的顯示設(shè)備與參考圖2描述的顯示設(shè)備的不同之處在于,有機(jī)層160在折彎區(qū)域ba中不具有一體形狀而是具有填充無機(jī)絕緣層的至少一部分之間的空間的且彼此間隔開的多個(gè)島狀件160b。多個(gè)島狀件160b沿第一方向(+y方向)(換句話說,折彎軸線方向)延伸,并且沿與折彎軸線bax相交的第二方向(+x方向)彼此間隔開。
導(dǎo)電層215c覆蓋多個(gè)島狀件160b,并且在多個(gè)島狀件160b之上的導(dǎo)電層215c的上表面的形狀對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件160b的上表面的形狀,因此導(dǎo)電層215c的上表面(+z方向)的表面面積增大。另外,在此配置中,導(dǎo)電層215c的多個(gè)通孔215d的位置可與多個(gè)島狀件160b的位置同步。
在此情況中,以上實(shí)施方式中的有機(jī)層160的不平坦表面160a的突出可被認(rèn)為對(duì)應(yīng)于當(dāng)前實(shí)施方式中的有機(jī)層160的多個(gè)島狀件160b。另外,以上實(shí)施方式中的有機(jī)層160的不平坦表面160a的突出之間的凹部可被認(rèn)為對(duì)應(yīng)于當(dāng)前實(shí)施方式中的有機(jī)層160的多個(gè)島狀件160b之間的空間。鑒于此,以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c的配置也可適用于根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式的顯示設(shè)備的導(dǎo)電層215c。
換句話說,類似于圖3所示,多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件160b,或類似于圖4所示,多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件160b之間的空間,或類似于圖5所示,多個(gè)通孔215d的位置可對(duì)應(yīng)于多個(gè)島狀件160b和多個(gè)島狀件160b之間的空間。另外,參考圖6至圖11描述的導(dǎo)電層215c的結(jié)構(gòu)可適用于圖12中所示的顯示設(shè)備的導(dǎo)電層215c。
另外,到目前為止,僅描述了無機(jī)絕緣層包括開口的情況,但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如,無機(jī)絕緣層可包括槽。例如,在圖2或圖12所示的結(jié)構(gòu)中,緩沖層110可不包括開口但替代地包括在第一區(qū)域1a、折彎區(qū)域ba和第二區(qū)域2a之上連續(xù)的形狀,并且僅柵絕緣層120和層間絕緣層130可分別具有開口120a和開口130a。在此情況中,當(dāng)緩沖層110、柵絕緣層120和層間絕緣層130被稱為無機(jī)絕緣層時(shí),無機(jī)絕緣層可被理解為在折彎區(qū)域ba中具有槽且不具有開口。柵絕緣層120的開口120a和層間絕緣層130的開口130a可經(jīng)由一個(gè)圖案化過程形成。例如,當(dāng)分別在柵絕緣層120和層間絕緣層130中形成接觸孔以允許tft210的源電極215a和漏電極215b與半導(dǎo)體層211接觸時(shí),開口120a和開口130a可同時(shí)形成。在此情況中,柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面可與層間絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面一致。換句話說,柵絕緣層120的開口120a的內(nèi)表面和層間絕緣層130的開口130a的內(nèi)表面可形成連續(xù)的平面。
在此情況中,以上實(shí)施方式中的有機(jī)層160可填充無機(jī)絕緣層的槽的至少一部分。換句話說,包括不平坦表面160a的有機(jī)層160可位于折彎區(qū)域ba內(nèi)的緩沖層110之上,或者包括彼此間隔開的多個(gè)島狀件160b的有機(jī)層160可位于折彎區(qū)域ba中的緩沖層110之上。以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c的結(jié)構(gòu)可適用于此情況。
而且,無機(jī)絕緣層不包括開口和槽的情況也包括在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。例如,不同于圖2的圖示,類似于圖13所示,緩沖層110、柵絕緣層120和層間絕緣層130可在第一區(qū)域1a、折彎區(qū)域ba和第二區(qū)域2a中連續(xù)。另外,有機(jī)層160位于基板100例如層間絕緣層130之上,并且在其與折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的上表面中包括不平坦表面160a。不平坦表面160a可包括多個(gè)突出。以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c的結(jié)構(gòu)可適用于此情況。換句話說,以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c與有機(jī)層160之間的關(guān)系可適用于此情況。
另外,圖12所示的實(shí)施方式可類似于圖13中所示的實(shí)施方式改變。例如,圖12中的緩沖層110、柵絕緣層120和層間絕緣層130可改變?yōu)樵诘谝粎^(qū)域1a、折彎區(qū)域ba和第二區(qū)域2a中連續(xù)。在此情況中,包括與至少折彎區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的且彼此間隔開的多個(gè)島狀件160b的有機(jī)層160可位于基板100例如層間絕緣層130之上。以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c的結(jié)構(gòu)可適用于此情況。換句話說,以上實(shí)施方式中的導(dǎo)電層215c與有機(jī)層160之間的關(guān)系可適用于此。
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分(例如基板100)的立體視圖。以上實(shí)施方式中的折彎區(qū)域ba在圖14中被顯示為第一折彎區(qū)域1ba,并且基板100在第一折彎區(qū)域1ba中繞第一折彎軸線1bax折彎。
不同于圖1的圖示,除了第一折彎區(qū)域1ba以外,根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式的顯示設(shè)備包括第二折彎區(qū)域2ba。第二折彎區(qū)域2ba位于第一區(qū)域1a內(nèi)。例如,基板100在第一折彎區(qū)域1ba中繞沿著第一方向(+y方向)延伸的第一折彎軸線1bax折彎,并且基板100繞沿著第二方向(+x方向)延伸的第二折彎軸線2bax折彎。在此情況中,基板100在第一折彎軸線1bax與第二折彎軸線2bax相交的部分鄰近的角處被切角,因此基板100包括切角部分(cp)。由于切角部分cp存在,所以基板100可繞第一折彎軸線1bax和與第一折彎軸線1bax相交的第二折彎軸線2bax同時(shí)折彎。
在此情況中,第一折彎區(qū)域1ba中的曲率半徑r1小于第二折彎區(qū)域2ba中的曲率半徑r2。這可表示第二折彎區(qū)域2ba與第一折彎區(qū)域1ba相比沒有折彎那么多。因此,在略微折彎的第二折彎區(qū)域2ba中,施加至顯示設(shè)備的元件的拉伸應(yīng)力比施加至第一折彎區(qū)域1ba中的元件的拉伸應(yīng)力相對(duì)較小。因此,在以上實(shí)施方式中描述的無機(jī)絕緣層可在包括第一區(qū)域1a的第二折彎區(qū)域2ba的至少一部分中連續(xù)。這里,無機(jī)絕緣層在至少一部分中連續(xù)的配置可表示無機(jī)絕緣層可具有用于與位于第一區(qū)域1a內(nèi)的無機(jī)絕緣層之上/之下的導(dǎo)電層電連接的接觸孔。接觸孔等在平面視圖中具有圓形、橢圓形、正方形或類似其的形狀,并且開口或槽可在平面視圖中具有非常高縱橫比的長方形。無機(jī)絕緣層可在第二折彎區(qū)域2ba中具有開口或槽。另外,類似于以上實(shí)施方式中描述的配置,第二折彎區(qū)域2ba可包括有機(jī)層160和導(dǎo)電層215c。
盡管圖14示出了除了第一折彎區(qū)域1ba以外,顯示設(shè)備僅包括第二折彎區(qū)域2ba,但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如,如示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的立體視圖的圖15所示,除了第一折彎區(qū)域1ba和第二折彎區(qū)域2ba以外,顯示設(shè)備可包括第三折彎區(qū)域3ba和第四折彎區(qū)域4ba。在具有四個(gè)邊緣的顯示設(shè)備中,所有四個(gè)邊緣都可折彎。在此情況中,第三折彎區(qū)域3ba和第四折彎區(qū)域4ba可具有與第二折彎區(qū)域2ba相同/相似的配置。
當(dāng)用戶觀看顯示設(shè)備的顯示表面時(shí),顯示設(shè)備可允許用戶識(shí)別到不顯示圖像和焊盤等所處的周圍區(qū)域的面積減小。這可通過將顯示設(shè)備配置為在第二折彎區(qū)域2ba至第四折彎區(qū)域4ba中折彎來實(shí)現(xiàn)。不同于圖14所示,基板可在第四折彎區(qū)域4ba中以與在第一折彎區(qū)域1ba中的曲率相同或相似的曲率折彎。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可最小化制造過程中例如斷開的缺陷出現(xiàn),由此增加顯示設(shè)備的壽命。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式具體顯示和描述了本發(fā)明構(gòu)思,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可在不偏離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下,在本文中對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。