本實用新型涉及一種顯示屏測試電路。
背景技術:
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)隨著智能終端的發(fā)展,其顯示技術和顯示效果也在不斷的提升。IPS(In-Plane Switching,平面轉換)技術是一種廣視角技術,具有響應時間快、對比度和色彩飽和度高、抗按壓等優(yōu)勢,成為中高端TFT LCD的主流技術。IPS顯示屏的液晶驅動信號是在一個平面上,即在TFT下玻璃表面,而為了預防靜電帶來的顯示效果和信賴性問題,IPS屏的上玻璃表面一般都制作了一層ITO,并且此ITO需要與下層的GND信號連接以達到共地效果。如圖1,ITO與下層GND導通一般是采用滴導電銀漿或者貼導電布將上玻璃的ITO與下玻璃的ITO連接,下玻璃表面ITO與GND連接通過線路板接口最終接到主機的GND上。在制造過程中,滴完銀漿或貼完導電布需要檢驗測試上下玻璃導通的狀態(tài)。目前使用的方法都是用萬用表測試上玻璃和下玻璃之間ITO的阻值,這種測試方法需要人工用較細的表筆頭接觸產品的細小位置,操作穩(wěn)定性不高,耗時高,人員容易疲勞和失誤,測試時容易頂傷或刮傷ITO造成產品報廢。
技術實現(xiàn)要素:
針對上述問題中存在的不足之處,本實用新型提供一種顯示屏測試電路,避免了人為因素造成的損傷,提高了檢測效率。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供一種顯示屏測試電路,包括:自激振蕩電路、第一電壓比較電路、待測品ITO塊、第二電壓比較電路、開關電路和報警器;
所述自激振蕩電路與所述第一電壓比較電路連接,所述第一電壓比較電路與所述待測品ITO塊連接,所述待測品ITO塊與所述第二電壓比較電路連接,所述第二電壓比較電路與所述開關電路連接,所述開關電路與所述報警器連接;
所述自激振蕩電路產生頻率可調的正弦波,所述正弦波經過所述第一電壓比較電路產生與所述自激振蕩電路對應頻率的方波,所述第一電壓比較電路的方波輸出給所述待測品ITO塊,所述待測品ITO塊為顯示屏玻璃ITO塊與地之間的寄生電容,所述方波對該寄生電容進行充放電,所述第二電壓比較電路比較所述寄生電容兩端的電壓,當電壓達到設定值,所述開關電路打開或關閉所述報警器。
作為本實用新型進一步的改進,所述自激振蕩電路包括運算放大器IC2、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、可調電阻VR1、電容C2和電容C3,所述運算放大器IC2第二管腳與地之間串聯(lián)所述電阻R10,所述運算放大器IC2第二管腳與所述運算放大器IC2第六管腳之間串聯(lián)所述電阻R11,所述電阻R7與所述電容C2并聯(lián)后串聯(lián)在所述運算放大器IC2第三管腳和地之間,所述電阻R8與所述可調電阻VR1串聯(lián)后再與所述電阻R9并聯(lián)組成可調電阻組合,可調電阻組合與所述電容C3串聯(lián)后連接在所述運算放大器IC2第三管腳和所述運算放大器IC2第六管腳之間,所述運算放大器IC2第三管腳和所述運算放大器IC2第六管腳之間形成一個正反饋通道,使電路自激振蕩,所述運算放大器IC2第六管腳輸出正弦波。
作為本實用新型進一步的改進,所述正弦波的頻率通過所述可調電阻VR1調整。
作為本實用新型進一步的改進,所述第一電壓比較電路包括運算放大器IC3、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、場效應管T1和場效應管T2,所述運算放大器IC3第二管腳接在所述電阻R5和所述電阻R6之間,所述電阻R5和所述電阻R6串聯(lián)組成一個分壓電路,所述運算放大器IC3為比較型運算放大器,當所述運算放大器IC2第六管腳的電壓高于所述運算放大器IC3第二管腳的電壓時,所述運算放大器IC3第六管腳輸出高電平,當所述運算放大器IC2第六管腳的電壓低于或等于所述運算放大器IC3第二管腳的電壓時,所述運算放大器第六管腳輸出低電平,產生與所述正弦波頻率對應的方波;所述場效應管T1的源極與所述場效應管T2的漏極連接,所述場效應管T1和所述場效應管T2的柵極一起連接到所述運算放大器第六管腳,所述場效應管T1的漏極串聯(lián)所述電阻R4后接電源Vpp,所述場效應管T2的源極串聯(lián)所述電阻R3后接地,所述場效應管T1和所述場效應管T2同時只有一個導通,另一個截止。
作為本實用新型進一步的改進,所述場效應管T1為增強型場效應管,所述場效應管T2為耗散型場效應管。
作為本實用新型進一步的改進,所述待測品ITO塊包括電容Cs和電容Cx,當所述運算放大器第六管腳輸出高電平時,所述場效應管T1導通,所述場效應管T2截止,所述電源Vpp通過所述電阻R4、所述場效應管T1給電容Cx和電容Cs充電,當所述運算放大器第六管腳輸出低電平時,所述場效應管T1截止,所述場效應管T2導通,所述電容Cx和所述電容Cs的電壓通過所述場效應管T2、所述電阻R3放電。
作為本實用新型進一步的改進,所述電容Cs是容值在1nF-1uF之間的存儲電容。
作為本實用新型進一步的改進,所述第二電壓比較電路包括電壓比較器IC1、電阻R1、電阻R2和可調電阻VR2,所述電壓比較器IC1第二管腳接到所述電容Cx和所述電容Cs,所述電壓比較器IC1第三管腳接到所述電阻R1、所述電阻R2、所述可調電阻VR2的分壓處,將所述電壓比較器IC1第二管腳與所述電壓比較器IC1第三管腳之間的電壓進行比較,當所述電壓比較器IC1第二管腳的電壓高于所述電壓比較器IC1第三管腳的電壓時,所述電壓比較器IC1第六管腳輸出低電平,當所述電壓比較器IC1第二管腳的電壓低于所述電壓比較器IC1第三管腳的電壓時,所述電壓比較器IC1第六管腳輸出高電平。
作為本實用新型進一步的改進,所述電壓比較器IC1第二管腳與所述電壓比較器IC1第三管腳之間的電壓大小通過所述可調電阻VR2調節(jié)。
作為本實用新型進一步的改進,所述開關電路包括電容C1、場效應管T3、電阻R16和電阻R17,所述報警器為發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4,所述電壓比較器IC1第六管腳驅動場效應管T3的柵極,所述場效應管T3的柵極串聯(lián)電容C1后接地,所述場效應管T3的源極接地,所述場效應管T3的漏極串聯(lián)所述電阻R16接電源App,所述場效應管T3的漏極串聯(lián)所述電阻R17接發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4,所述發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4的另一端接地,所述電壓比較器IC1第六管腳輸出高電平時,所述場效應管T3的漏極和所述場效應管T3的柵極導通,所述場效應管T3的漏極變低電壓,所述發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4不響應,反之,當所述電壓比較器IC1第六管腳輸出低電平,所述場效應管T3截止,所述場效應管T3的漏極變高電平,所述發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4響應。
本實用新型的有益效果為:
將顯示屏上玻璃表面ITO作為一個電容的電極,引入一個金屬板作為另一個電極,將顯示屏上玻璃表面ITO和金屬板平行放置,使其兩者有一定的正對面積,從而在ITO平面和金屬板之間形成一個等效電容Cx,測試電路通過檢測此等效電容,來準確測量IPS TFT顯示屏上玻璃表面ITO與下玻璃線路的導通狀況,通過無接觸玻璃表面的測試方法,替代手工用萬用表接觸式操作,可以預防人為誤差造成測試不準和降低產品損壞和刮傷的風險,同時可以減少人體靜電對產品的損傷,提高測試效率。
附圖說明
圖1為本實用新型所述的一種顯示屏測試電路的功能模塊圖;
圖2為本實用新型所述的一種顯示屏測試電路的電路圖。
圖中:
1、自激振蕩電路;2、第一電壓比較電路;3、待測品ITO塊;4、第二電壓比較電路;5、開關電路;6、報警器。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型實施例所述的一種顯示屏測試電路,包括:自激振蕩電路1、第一電壓比較電路2、待測品ITO塊3、第二電壓比較電路4、開關電路5和報警器6。自激振蕩電路81與第一電壓比較電路2連接,第一電壓比較電路2與待測品ITO塊3連接,待測品ITO塊3與第二電壓比較電路4連接,第二電壓比較電路4與開關電路5連接,開關電路5與報警器6連接。
自激振蕩電路1產生頻率可調的正弦波,正弦波經過第一電壓比較電路2產生與自激振蕩電路1對應頻率的方波,第一電壓比較電路2的方波輸出給待測品ITO塊3,待測品ITO塊3為顯示屏玻璃ITO塊與地之間的寄生電容,方波對該寄生電容進行充放電,第二電壓比較電路4比較寄生電容兩端的電壓,當電壓達到設定值,開關電路5打開或關閉報警器6。
如圖2所示,自激振蕩電路1包括運算放大器IC2、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、可調電阻VR1、電容C2和電容C3,運算放大器IC2第二管腳與地之間串聯(lián)電阻R10,運算放大器IC2第二管腳與運算放大器IC2第六管腳之間串聯(lián)電阻R11,電阻R7與電容C2并聯(lián)后串聯(lián)在運算放大器IC2第三管腳和地之間,電阻R8與可調電阻VR1串聯(lián)后再與電阻R9并聯(lián)組成可調電阻組合,可調電阻組合與電容C3串聯(lián)后連接在運算放大器IC2第三管腳和運算放大器IC2第六管腳之間,運算放大器IC2第三管腳和運算放大器IC2第六管腳之間形成一個正反饋通道,使電路自激振蕩,運算放大器IC2第六管腳輸出正弦波。其中,正弦波的頻率通過可調電阻VR1調整。
第一電壓比較電路82包括運算放大器IC3、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、場效應管T1和場效應管T2,運算放大器IC3第二管腳接在電阻R5和電阻R6之間,電阻R5和電阻R6串聯(lián)組成一個分壓電路,運算放大器IC3為比較型運算放大器,當運算放大器IC2第六管腳的電壓高于運算放大器IC3第二管腳的電壓時,運算放大器IC3第六管腳輸出高電平,當運算放大器IC2第六管腳的電壓低于或等于運算放大器IC3第二管腳的電壓時,運算放大器第六管腳輸出低電平,產生與正弦波頻率對應的方波;場效應管T1的源極與場效應管T2的漏極連接,場效應管T1和場效應管T2的柵極一起連接到運算放大器第六管腳,場效應管T1的漏極串聯(lián)電阻R4后接電源Vpp,場效應管T2的源極串聯(lián)電阻R3后接地,場效應管T1和場效應管T2同時只有一個導通,另一個截止。其中,場效應管T1為增強型場效應管,場效應管T2為耗散型場效應管。
待測品ITO塊83包括電容Cs和電容Cx,當運算放大器第六管腳輸出高電平時,場效應管T1導通,場效應管T2截止,電源Vpp通過電阻R4、場效應管T1給電容Cx和電容Cs充電,當運算放大器第六管腳輸出低電平時,場效應管T1截止,場效應管T2導通,電容Cx和電容Cs的電壓通過場效應管T2、電阻R3放電。其中,電容Cs是容值在1nF-1uF之間的存儲電容。
第二電壓比較電路4包括電壓比較器IC1、電阻R1、電阻R2和可調電阻VR2,電壓比較器IC1第二管腳接到電容Cx和電容Cs,電壓比較器IC1第三管腳接到電阻R1、電阻R2、可調電阻VR2的分壓處,將電壓比較器IC1第二管腳與電壓比較器IC1第三管腳之間的電壓進行比較,當電壓比較器IC1第二管腳的電壓高于電壓比較器IC1第三管腳的電壓時,電壓比較器IC1第六管腳輸出低電平,當電壓比較器IC1第二管腳的電壓低于電壓比較器IC1第三管腳的電壓時,電壓比較器IC1第六管腳輸出高電平。其中,電壓比較器IC1第二管腳與電壓比較器IC1第三管腳之間的電壓大小通過可調電阻VR2調節(jié)。
開關電路5包括電容C1、場效應管T3、電阻R16和電阻R17,報警器6為發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4,電壓比較器IC1第六管腳驅動場效應管T3的柵極,場效應管T3的柵極串聯(lián)電容C1后接地,場效應管T3的源極接地,場效應管T3的漏極串聯(lián)電阻R16接電源App,場效應管T3的漏極串聯(lián)電阻R17接發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4,發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4的另一端接地,電壓比較器IC1第六管腳輸出高電平時,場效應管T3的漏極和場效應管T3的柵極導通,場效應管T3的漏極變低電壓,發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4不響應,反之,當電壓比較器IC1第六管腳輸出低電平,場效應管T3截止,場效應管T3的漏極變高電平,發(fā)光二極管或/和蜂鳴器D4響應。
以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本實用新型,對于本領域的技術人員來說,本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。