本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，提高PPI(pixels per inch)成為顯示面板研究的一個方向。高PPI的顯示面板可以提供更精細(xì)的圖像、提升顯示品質(zhì)，并且VR(Visual Reality)、AR(Augmented Reality)等顯示設(shè)備需要高PPI的顯示面板以滿足顯示需要。

現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路中，電子元件的數(shù)量較多，通常包括至少六個或者七個晶體管和至少一個電容元件，因而電路走線也比較復(fù)雜。尺寸相同的顯示面板中，高PPI的顯示面板子像素的數(shù)量更多，因而子像素的排布更緊密，相應(yīng)的需要減小排布信號線的區(qū)域。受限于現(xiàn)有的工藝設(shè)備、材料等諸多因素，無法在高PPI的顯示面板中排布復(fù)雜的像素電路，因此減少像素電路的電子元件是目前顯示技術(shù)的研究方向之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素電路及其驅(qū)動方法，以及一種顯示裝置。

本發(fā)明提供了一種像素電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容元件以及發(fā)光元件；其中，所述第一晶體管由第一電壓信號控制，用于分時接收數(shù)據(jù)電壓和電源電壓，根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓生成驅(qū)動電流；所述第二晶體管由第一掃描信號控制，用于檢測和補(bǔ)償所述第一晶體管中的閾值電壓偏差；所述第三晶體管由發(fā)光信號控制，通過所述第一晶體管向所述發(fā)光元件提供驅(qū)動電流；所述第四晶體管由第二掃描信號控制，用于傳輸陽極復(fù)位信號至所述發(fā)光元件的陽極；所述電容元件用于存儲傳送至所述第一晶體管的所述數(shù)據(jù)電壓；所述發(fā)光元件用于響應(yīng)所述第一晶體管生成的驅(qū)動電流而發(fā)光。

本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法，用于驅(qū)動本發(fā)明提供的像素電路，包括：在第一時刻，所述第一掃描信號為第一電平，所述第二掃描信號為第二電平，所述發(fā)光信號由第一電平切換為第二電平，所述第一晶體管的第一極接收所述數(shù)據(jù)電壓；在第二時刻，所述第一掃描信號為第二電平，所述第二掃描信號為第一電平，所述發(fā)光信號為第二電平；在第三時刻，所述第一掃描信號為第二電平，所述第二掃描信號為第二電平，所述發(fā)光信號為第一電平，所述第一晶體管的第一極接收所述電源電壓。

本發(fā)明還提供了另一種像素電路的驅(qū)動方法，用于驅(qū)動本發(fā)明提供的像素電路，包括：所述像素電路還包括第五晶體管，由所述第二掃描信號控制，用于傳輸所述第一電壓信號以控制所述第一晶體管；在第一時刻，所述第一掃描信號為第二電平，所述第二掃描信號為第一電平，所述發(fā)光信號為第二電平；在第二時刻，所述第一掃描信號為第一電平，所述第二掃描信號為第二電平，所述發(fā)光信號為第二電平，所述第一晶體管的第一極接收所述數(shù)據(jù)電壓；在第三時刻，所述第一掃描信號為第二電平，所述第二掃描信號為第二電平，所述發(fā)光信號為第一電平，所述第一晶體管的第一極接收所述電源電壓。

本發(fā)明還提供了又一種像素電路的驅(qū)動方法，用于驅(qū)動本發(fā)明提供的像素電路，包括：所述第一掃描信號和所述第二掃描信號為相同的電信號，所述第二晶體管和所述第四晶體管均由掃描信號控制；在第一時刻，所述掃描信號為第一電平，所述發(fā)光信號為第一電平；在第二時刻，所述掃描信號為第一電平，所述發(fā)光信號為第二電平，所述第一晶體管的第一極接收所述數(shù)據(jù)電壓；在第三時刻，所述掃描信號為第二電平，所述發(fā)光信號為第一電平，所述第一晶體管的第一極接收所述電源電壓。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：第一基板，所述第一基板包括沿行方向延伸的多條柵極線和沿列方向延伸的多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線交叉絕緣限定出多行多列子像素；其中所述子像素包括像素電路，所述像素電路包括驅(qū)動晶體管和發(fā)光元件；位于同一列的所述子像素的像素電路的驅(qū)動晶體管的第一極與該列子像素對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線電連接，所述數(shù)據(jù)線向所述驅(qū)動晶體管的第一極分時傳輸所述數(shù)據(jù)電壓和所述電源電壓。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)之一：

本發(fā)明提供的像素電路，電子元件數(shù)量較少，至少可以由四個晶體管、一個電容元件和一個發(fā)光元件組成，相對于現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路，減小了電子元件的數(shù)量和電路走線，滿足高PPI的顯示裝置的需求；本發(fā)明提供的像素電路在工作時，可以有效的對驅(qū)動晶體管進(jìn)行閾值偵測和補(bǔ)償、對驅(qū)動晶體管的柵極進(jìn)行復(fù)位以及對發(fā)光元件的陽極進(jìn)行復(fù)位，可以消除驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移造成的顯示不均、從而穩(wěn)定的驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光；并且本發(fā)明提供的像素電路的第一晶體管可以分時接收數(shù)據(jù)電壓和電源電壓，可以由一根信號線分時提供數(shù)據(jù)電壓和電源電壓，進(jìn)一步減少了電路走線、簡化了顯示裝置的電路走線排布，從而提供更高的PPI的顯示裝置。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖1、圖3實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖；

圖8是圖2、圖4實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖；

圖9是圖5、圖6實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置平面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。

請參考圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。像素電路100包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、電容元件C以及發(fā)光元件EL；其中，第一晶體管T1由第一電壓信號控制，用于分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓VDATA生成驅(qū)動電流，本實(shí)施例提供的像素電路100中，第一電壓信號為初始化電壓VINIT，第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管；第二晶體管T2由第一掃描信號SCAN1控制，用于檢測和補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1中的閾值電壓偏差；第三晶體管T3由發(fā)光信號EMIT控制，通過第一晶體管T1向發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流；第四晶體管T4由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸陽極復(fù)位信號至發(fā)光元件EL的陽極，本實(shí)施例提供的像素電路100中，陽極復(fù)位信號為初始化電壓VINIT；電容元件C用于存儲傳送至第一晶體管T1的數(shù)據(jù)電壓VDATA；發(fā)光元件EL用于響應(yīng)第一晶體管T1生成的驅(qū)動電流而發(fā)光。本實(shí)施例提供的像素電路100，由四個晶體管、一個電容元件和一個發(fā)光元件組成，相對于現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路，減小了電子元件的數(shù)量和電路走線，滿足高PPI的顯示裝置的需求。像素電路100在工作時，可以有效的對驅(qū)動晶體管T1進(jìn)行閾值偵測和補(bǔ)償、對第一晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位以及對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，可以消除第一晶體管T1的閾值電壓漂移造成的顯示不均、從而穩(wěn)定的驅(qū)動發(fā)光元件EL發(fā)光。并且像素電路100的第一晶體管T1可以分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，因而可以由一根信號線分時提供數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，進(jìn)一步減少了電路走線、簡化了顯示裝置的電路走線排布，從而提供更高的PPI的顯示裝置。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，請繼續(xù)參考圖1，第一晶體管T1的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一晶體管T1的第一極分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，第一晶體管T1的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第二晶體管T2的柵極接收第一掃描信號SCAN1，第二晶體管T2的第一極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第二晶體管T2的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第三晶體管T3的柵極接收發(fā)光信號EMIT，第三晶體管T3的第一極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2，第三晶體管T3的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；第四晶體管T4的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第四晶體管T4的第一極接收初始化電壓VINIT，第四晶體管T4的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；電容元件C的第一極板連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，電容元件C的第二極板接收一固定電壓信號，本實(shí)施例提供的像素電路100中，電容元件C的第二極板接收的固定電壓信號為參考電壓VREF。

請參考圖2，圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2沿用了圖1的附圖標(biāo)記，相同之處不再贅述，圖2實(shí)施例提供的像素電路200與圖1實(shí)施例提供的像素電路100的不同之處在于，第一掃描信號SCAN1和第二掃描信號SCAN2為相同的電信號。因此在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，可以將第二晶體管T2的柵極和第四晶體管T4的柵極電連接，從而接收掃描信號SCAN。本實(shí)施例提供的像素電路200中，減少了掃描信號的端口，簡化了電路走線。

請參考圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。像素電路300包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、電容元件C以及發(fā)光元件EL；其中，第一晶體管T1由第一電壓信號控制，用于分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓VDATA生成驅(qū)動電流，本實(shí)施例提供的像素電路300中，第一電壓信號為參考電壓VREF；第二晶體管T2由第一掃描信號SCAN1控制，用于檢測和補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1中的閾值電壓偏差；第三晶體管T3由發(fā)光信號EMIT控制，通過第一晶體管T1向發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流；第四晶體管T4由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸陽極復(fù)位信號至發(fā)光元件EL的陽極，本實(shí)施例提供的像素電路300中，參考電壓VREF復(fù)用為陽極復(fù)位信號；電容元件C用于存儲傳送至第一晶體管T1的數(shù)據(jù)電壓VDATA；發(fā)光元件EL用于響應(yīng)第一晶體管T1生成的驅(qū)動電流而發(fā)光。本實(shí)施例提供的像素電路300，由四個晶體管、一個電容元件和一個發(fā)光元件組成，相對于現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路，減小了電子元件的數(shù)量和電路走線，滿足高PPI的顯示裝置的需求。像素電路300在工作時，可以有效的對驅(qū)動晶體管T1進(jìn)行閾值偵測和補(bǔ)償、對驅(qū)動晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位以及對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，可以消除驅(qū)動晶體管T1的閾值電壓漂移造成的顯示不均、從而穩(wěn)定的驅(qū)動發(fā)光元件EL發(fā)光。并且像素電路300的第一晶體管T1可以分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，因而可以由一根信號線分時提供數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，進(jìn)一步減少了電路走線、簡化了顯示裝置的電路走線排布，從而提供更高的PPI的顯示裝置。除此之外，像素電路300中使用參考電壓VREF控制第一晶體管T1、并且使用參考電壓VREF作為發(fā)光元件EL的陽極復(fù)位信號，可以進(jìn)一步減少電路走線的數(shù)量。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，請繼續(xù)參考圖3，第一晶體管T1的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一晶體管T1的第一極分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，第一晶體管T1的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第二晶體管T2的柵極接收第一掃描信號SCAN1，第二晶體管T2的第一極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第二晶體管T2的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第三晶體管T3的柵極接收發(fā)光信號EMIT，第三晶體管T3的第一極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2，第三晶體管T3的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；第四晶體管T4的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第四晶體管T4的第一極接收參考電壓VREF，第四晶體管T4的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；電容元件C的第一極板連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，電容元件C的第二極板接收一固定電壓信號，本實(shí)施例提供的像素電路300中，電容元件C的第二極板接收的固定電壓信號為參考電壓VREF。

請參考圖4，圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4沿用了圖3的附圖標(biāo)記，相同之處不再贅述，圖4實(shí)施例提供的像素電路400與圖3實(shí)施例提供的像素電路300的不同之處在于，第一掃描信號SCAN1和第二掃描信號SCAN2為相同的電信號。因此在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，可以將第二晶體管T2的柵極和第四晶體管T4的柵極電連接，從而接收掃描信號SCAN。本實(shí)施例提供的像素電路400中，減少了掃描信號的端口，簡化了電路走線。

請參考圖5，圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。像素電路500包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、電容元件C以及發(fā)光元件EL；其中，第一晶體管T1由第一電壓信號控制，用于分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓VDATA生成驅(qū)動電流，本實(shí)施例提供的像素電路500中，第一電壓信號為參考電壓VREF；第二晶體管T2由第一掃描信號SCAN1控制，用于檢測和補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1中的閾值電壓偏差；第三晶體管T3由發(fā)光信號EMIT控制，通過第一晶體管T1向發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流；第四晶體管T4由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸陽極復(fù)位信號至發(fā)光元件EL的陽極，本實(shí)施例提供的像素電路500中，陽極復(fù)位信號為初始化電壓VINIT；第五晶體管T5由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸參考電壓VREF以控制第一晶體管T1；電容元件C用于存儲傳送至第一晶體管T1的數(shù)據(jù)電壓VDATA；發(fā)光元件EL用于響應(yīng)第一晶體管T1生成的驅(qū)動電流而發(fā)光。本實(shí)施例提供的像素電路500，由五個晶體管、一個電容元件和一個發(fā)光元件組成，相對于現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路，減小了電子元件的數(shù)量和電路走線，滿足高PPI的顯示裝置的需求。像素電路500在工作時，可以有效的對驅(qū)動晶體管T1進(jìn)行閾值偵測和補(bǔ)償、對驅(qū)動晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位以及對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，可以消除驅(qū)動晶體管T1的閾值電壓漂移造成的顯示不均、從而穩(wěn)定的驅(qū)動發(fā)光元件EL發(fā)光。并且像素電路500的第一晶體管T1可以分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，因而可以由一根信號線分時提供數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，進(jìn)一步減少了電路走線、簡化了顯示裝置的電路走線排布，從而提供更高的PPI的顯示裝置。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，請繼續(xù)參考圖5，第一晶體管T1的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一晶體管T1的第一極分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，第一晶體管T1的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第二晶體管T2的柵極接收第一掃描信號SCAN1，第二晶體管T2的第一極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第二晶體管T2的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第三晶體管T3的柵極接收發(fā)光信號EMIT，第三晶體管T3的第一極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2，第三晶體管T3的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；第四晶體管T4的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第四晶體管T4的第一極接收初始化電壓VINIT，第四晶體管T4的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；電容元件C的第一極板連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，電容元件C的第二極板接收電源電壓PVDD；第五晶體管T5的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第五晶體管T5的第一極接收參考電壓VREF，第五晶體管T5的第二極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1。

請參考圖6，圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。像素電路600包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、電容元件C以及發(fā)光元件EL；其中，第一晶體管T1由第一電壓信號控制，用于分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓VDATA生成驅(qū)動電流，本實(shí)施例提供的像素電路600中，第一電壓信號為參考電壓VREF；第二晶體管T2由第一掃描信號SCAN1控制，用于檢測和補(bǔ)償?shù)谝痪w管T1中的閾值電壓偏差；第三晶體管T3由發(fā)光信號EMIT控制，通過第一晶體管T1向發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流；第四晶體管T4由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸陽極復(fù)位信號至發(fā)光元件EL的陽極，本實(shí)施例提供的像素電路600中，陽極復(fù)位信號為參考電壓VREF；第五晶體管T5由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸參考電壓VREF以控制第一晶體管T1；電容元件C用于存儲傳送至第一晶體管T1的數(shù)據(jù)電壓VDATA；發(fā)光元件EL用于響應(yīng)第一晶體管T1生成的驅(qū)動電流而發(fā)光。本實(shí)施例提供的像素電路600，由五個晶體管、一個電容元件和一個發(fā)光元件組成，相對于現(xiàn)有技術(shù)提供的像素電路，減小了電子元件的數(shù)量和電路走線，滿足高PPI的顯示裝置的需求。像素電路100在工作時，可以有效的對驅(qū)動晶體管T1進(jìn)行閾值偵測和補(bǔ)償、對驅(qū)動晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位以及對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，可以消除驅(qū)動晶體管T1的閾值電壓漂移造成的顯示不均、從而穩(wěn)定的驅(qū)動發(fā)光元件EL發(fā)光。并且像素電路600的第一晶體管T1可以分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，因而可以由一根信號線分時提供數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，進(jìn)一步減少了電路走線、簡化了顯示裝置的電路走線排布，從而提供更高的PPI的顯示裝置。除此之外，像素電路600中使用參考電壓VREF控制第一晶體管T1、并且使用參考電壓VREF作為發(fā)光元件EL的陽極復(fù)位信號，可以進(jìn)一步減少電路走線的數(shù)量。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，請繼續(xù)參考圖6，第一晶體管T1的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一晶體管T1的第一極分時接收數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，第一晶體管T1的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第二晶體管T2的柵極接收第一掃描信號SCAN1，第二晶體管T2的第一極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，第二晶體管T2的第二極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2；第三晶體管T3的柵極接收發(fā)光信號EMIT，第三晶體管T3的第一極連接至第二節(jié)點(diǎn)N2，第三晶體管T3的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；第四晶體管T4的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第四晶體管T4的第一極接收參考電壓VREF，第四晶體管T4的第二極連接至發(fā)光元件EL的陽極；電容元件C的第一極板連接至第一節(jié)點(diǎn)N1，電容元件C的第二極板接收電源電壓PVDD；第五晶體管T5的柵極接收第二掃描信號SCAN2，第五晶體管T5的第一極接收參考電壓VREF，第五晶體管T5的第二極連接至第一節(jié)點(diǎn)N1。

需要說明的是，根據(jù)晶體管的襯底和源漏極的摻雜類型不同，晶體管可以分為PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管和NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管兩大類。圖5或圖6中，以第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5均為PMOS晶體管為例進(jìn)行說明，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5均為NMOS晶體管。

需要說明的是，在常規(guī)的晶體管中，摻雜襯底形成源漏區(qū)，柵極控制溝道區(qū)中的電流。隨著晶體管按比例縮小到100nm以下的溝道長度，常規(guī)的晶體管產(chǎn)生了很多問題。特別是，晶體管的源漏區(qū)之間的相互作用使柵極控制電子器件打開或關(guān)閉的能力變差，該現(xiàn)象稱作“短溝道效應(yīng)(SCE)”。與短溝道效應(yīng)有關(guān)的問題，例如源漏區(qū)間的漏電流以及遷移率降低變得難以克服。多柵極結(jié)構(gòu)晶體管由于在溝道的多側(cè)上都有柵極，因此可以從多側(cè)控制柵極，從而降低SCE和增加驅(qū)動電流。圖5或圖6中，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，第五晶體管T5為雙柵極結(jié)構(gòu)晶體管。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明各實(shí)施例提供的像素電路中，第二晶體管T2為雙柵極結(jié)構(gòu)晶體管。

圖1至圖6實(shí)施例提供的像素電路中，以第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為PMOS晶體管為例進(jìn)行說明，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為PMOS晶體管均為NMOS晶體管。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明各實(shí)施例提供的像素電路中，發(fā)光元件EL為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。有機(jī)發(fā)光二極管具有自發(fā)光、廣視角、高對比度、較低耗電等優(yōu)點(diǎn)。

以下結(jié)合具體驅(qū)動方法進(jìn)一步描述本發(fā)明各實(shí)施例提供的像素電路如何實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果。

圖7是圖1、圖3實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖。需要說明的是，圖1和圖3實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為PMOS晶體管，以下關(guān)于圖1、圖3所敘述到的第一電平為低電平，第二電平為高電平。但本發(fā)明對此不做限定，當(dāng)圖1和圖3實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為NMOS晶體管時，以下關(guān)于圖1、圖3所敘述到的第一電平均為高電平，第二電平均為低電平。

下面結(jié)合圖7說明圖1實(shí)施例提供的像素電路的工作時序。

請參考圖1，并結(jié)合參考圖7。圖1實(shí)施例提供的像素電路100中，第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管，其閾值電壓為Vth，由于本實(shí)施例以第一晶體管T1為PMOS晶體管為例進(jìn)行說明，因此Vth為負(fù)值；發(fā)光元件EL為有機(jī)發(fā)光二極管。

在第一時刻Ⅰ，第一掃描信號SCAN1為第一電平，第二掃描信號SCAN2為第二電平，發(fā)光信號EMIT由第一電平切換為第二電平，第一晶體管T1的第一極接收數(shù)據(jù)電壓VDATA。像素電路100中，第四晶體管T4在第二掃描信號SCAN2的控制下關(guān)閉。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下打開，第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下先打開后關(guān)閉。在第一時刻Ⅰ的前期，當(dāng)?shù)谌w管T3打開時，發(fā)光元件EL的陽極的電信號通過第三晶體管T3和第二晶體管T2傳輸至第一晶體管T1的柵極，對第一晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位。由于發(fā)光元件EL的陽極的電信號為低電平信號，因此第一晶體管T1的柵極在接收到發(fā)光元件EL的陽極的電信號后打開。第一晶體管T1的第一極接收數(shù)據(jù)電壓VDATA，數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1傳輸至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為VDATA－|Vth|。數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1和第二晶體管T2傳輸至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為VDATA－|Vth|。第三晶體管T3在第一時刻Ⅰ的后期關(guān)閉，可以防止數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第三晶體管T3傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，影響發(fā)光元件EL的陽極電位。

在第二時刻Ⅱ，第一掃描信號SCAN1為第二電平，第二掃描信號SCAN2為第一電平，發(fā)光信號EMIT為第二電平。像素電路100中，第四晶體管T4在第二掃描信號SCAN2的控制下打開，初始化電壓VINIT通過第四晶體管T4傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，從而對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉，第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下關(guān)閉。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為VDATA－|Vth|。

在第三時刻Ⅲ，第一掃描信號SCAN1為第二電平，第二掃描信號SCAN2為第二電平，發(fā)光信號EMIT為第一電平，第一晶體管T1的第一極接收電源電壓PVDD。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉，第四晶體管T4在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為VDATA－|Vth|，由于電源電壓PVDD的電位高于VDATA－|Vth|，因此第一晶體管T1打開。第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下打開，電源電壓PVDD經(jīng)過第一晶體管T1和第三晶體管T3傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，為發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流。發(fā)光元件EL的陰極接收恒定電壓信號PVEE，并且電源電壓PVDD的電壓值大于恒定電壓信號PVEE，因此發(fā)光元件EL導(dǎo)通發(fā)光。

已知的，有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流與其驅(qū)動晶體管的柵源電壓和閾值電壓差值的平方成正比例關(guān)系。在本實(shí)施例中，第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管，發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel與第一晶體管T1的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth的關(guān)系為：Iel∝(Vgs－Vth)²。在本實(shí)施例中，由于第一晶體管T1為PMOS晶體管，其閾值電壓Vth的值為負(fù)值，因此Iel∝(Vsg－|Vth|)²，其中Vsg＝Vs－Vg。在本實(shí)施例中的在第三時刻Ⅲ，第一晶體管T1的柵極電壓Vg為第一節(jié)點(diǎn)N1的電位，即為Vg＝VDATA－|Vth|，第一晶體管T1的源極電壓為第一晶體管T1的第一極接收的電源電壓PVDD，即為Vs＝PVDD，因此Vsg＝Vs－Vg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)。將公式Vsg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)帶入公式Iel∝(Vsg－|Vth|)²，得到Iel∝(Vsg－|Vth|)²＝(PVDD－(VDATA－|Vth|)－|Vth|)²＝(PVDD－VDATA)²。由此可見，在本發(fā)明提供的實(shí)施例中，流過第一晶體管T1的用于驅(qū)動發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel只與電源電壓PVDD和數(shù)據(jù)電壓VDATA有關(guān)，與第一晶體管T1自身的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth無關(guān)。

現(xiàn)有技術(shù)中，由于工藝制程和器件老化等原因，驅(qū)動晶體管存在閾值電壓漂移的現(xiàn)象，從而導(dǎo)致用于驅(qū)動發(fā)光元件發(fā)光的驅(qū)動電流發(fā)生偏差，造成顯示畫面不均勻從而影響顯示效果。本實(shí)施例提供的驅(qū)動方法中，流過驅(qū)動晶體管用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動電流與驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth無關(guān)，因此消除了現(xiàn)有技術(shù)中的不良影響。

圖7實(shí)施例提供的像素電路的工作時序也適用于圖3實(shí)施例提供的像素電路300，像素電路300的驅(qū)動晶體管的閾值偵測和補(bǔ)償?shù)倪^程請參考像素電路100，在此不再贅述。

圖8是圖2、圖4實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖。需要說明的是，圖2和圖4實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為PMOS晶體管，以下關(guān)于圖2、圖4所敘述到的第一電平為低電平，第二電平為高電平。但本發(fā)明對此不做限定，當(dāng)圖2和圖4實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4均為NMOS晶體管時，以下關(guān)于圖2、圖4所敘述到的第一電平均為高電平，第二電平均為低電平。

下面結(jié)合圖8說明圖2實(shí)施例提供的像素電路200的工作過程。像素電路200中，第一掃描信號和第二掃描信號為相同的電信號，第二晶體管T2的柵極和第四晶體管T4的柵極接收掃描信號SCAN。

在第一時刻Ⅰ，掃描信號SCAN為第一電平，發(fā)光信號EMIT為第一電平。第二晶體管T2和第四晶體管T4在掃描信號SCAN的控制下打開，初始化電壓VINIT通過第四晶體管T4傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，從而對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下打開，初始化電壓VINIT通過第四晶體管T4、第三晶體管T3和第二晶體管T2傳輸至第一晶體管T1的柵極，對第一晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位。

在第二時刻Ⅱ，掃描信號SCAN為第一電平，發(fā)光信號EMIT為第二電平，第一晶體管T1的第一極接收數(shù)據(jù)電壓VDATA。第二晶體管T2在掃描信號SCAN的控制下打開，第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下關(guān)閉。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為初始化電壓VINIT，初始化電壓VINIT為低電平的電信號，因此第一晶體管T1在初始化電壓VINIT的控制下打開。數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1傳輸至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為VDATA－|Vth|。數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1和第二晶體管T2傳輸至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為VDATA－|Vth|。

在第三時刻Ⅲ，掃描信號SCAN為第二電平，發(fā)光信號EMIT為第一電平，第一晶體管T1的第一極接收電源電壓PVDD。第二晶體管T2和第四晶體管T4在掃描信號SCAN的控制下關(guān)閉。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為VDATA－|Vth|，由于電源電壓PVDD的電位高于VDATA－|Vth|，因此第一晶體管T1打開。第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下打開，電源電壓PVDD經(jīng)過第一晶體管T1和第三晶體管T3傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，為發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流。發(fā)光元件EL的陰極接收恒定電壓信號PVEE，并且電源電壓PVDD的電壓值大于恒定電壓信號PVEE，因此發(fā)光元件EL導(dǎo)通發(fā)光。

已知的，有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流與其驅(qū)動晶體管的柵源電壓和閾值電壓差值的平方成正比例關(guān)系。在本實(shí)施例中，第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管，發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel與第一晶體管T1的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth的關(guān)系為：Iel∝(Vgs－Vth)²。在本實(shí)施例中，由于第一晶體管T1為PMOS晶體管，其閾值電壓Vth的值為負(fù)值，因此Iel∝(Vsg－|Vth|)²，其中Vsg＝Vs－Vg。在本實(shí)施例中的在第三時刻Ⅲ，第一晶體管T1的柵極電壓Vg為第一節(jié)點(diǎn)N1的電位，即為Vg＝VDATA－|Vth|，第一晶體管T1的源極電壓為第一晶體管T1的第一極接收的電源電壓PVDD，即為Vs＝PVDD，因此Vsg＝Vs－Vg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)。將公式Vsg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)帶入公式Iel∝(Vsg－|Vth|)²，得到Iel∝(Vsg－|Vth|)²＝(PVDD－(VDATA－|Vth|)－|Vth|)²＝(PVDD－VDATA)²。由此可見，在本發(fā)明提供的實(shí)施例中，流過第一晶體管T1的用于驅(qū)動發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel只與電源電壓PVDD和數(shù)據(jù)電壓VDATA有關(guān)，與第一晶體管T1自身的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth無關(guān)。

本實(shí)施例提供的驅(qū)動方法中，流過驅(qū)動晶體管用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動電流與驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth無關(guān)，因此消除了現(xiàn)有技術(shù)中的不良影響。

圖8實(shí)施例提供的像素電路的工作時序也適用于圖4實(shí)施例提供的像素電路400，像素電路400的驅(qū)動晶體管的閾值偵測和補(bǔ)償?shù)倪^程請參考像素電路200，在此不再贅述。

圖9是圖5、圖6實(shí)施例提供的像素電路的工作時序示意圖。需要說明的是，圖5和圖6實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5均為PMOS晶體管，以下關(guān)于圖5、圖6所敘述到的第一電平為低電平，第二電平為高電平。但本發(fā)明對此不做限定，當(dāng)圖5和圖6實(shí)施例中，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5均為NMOS晶體管時，以下關(guān)于圖5、圖6所敘述到的第一電平均為高電平，第二電平均為低電平。

下面結(jié)合圖9說明圖5實(shí)施例提供的像素電路500的工作過程。

請參考圖5，并結(jié)合參考圖9。像素電路500包括第五晶體管T5，由第二掃描信號SCAN2控制，用于傳輸?shù)谝浑妷盒盘栆钥刂频谝痪w管T1；其中，第一電壓信號為參考電壓VREF；第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管，其閾值電壓為Vth，由于本實(shí)施例以第一晶體管T1為PMOS晶體管為例進(jìn)行說明，因此Vth為負(fù)值；發(fā)光元件EL為有機(jī)發(fā)光二極管。

在第一時刻Ⅰ，第一掃描信號SCAN1為第二電平，第二掃描信號SCAN2為第一電平，發(fā)光信號EMIT為第二電平。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉，第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下關(guān)閉。第四晶體管T4和第五晶體管T5在第一掃描信號SCAN1的控制下打開，初始化電壓VINIT通過第四晶體管T4傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，從而對發(fā)光元件EL的陽極進(jìn)行復(fù)位，參考電壓VREF通過第五晶體管T5傳輸至第一晶體管T1的柵極，對第一晶體管T1的柵極進(jìn)行復(fù)位，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為參考電壓VREF。

在第二時刻Ⅱ，第一掃描信號SCAN1為第一電平，第二掃描信號SCAN2為第二電平，發(fā)光信號EMIT為第二電平，第一晶體管T1的第一極接收數(shù)據(jù)電壓VDATA。第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下關(guān)閉，第四晶體管T4和第五晶體管T5在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下打開。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為參考電壓VREF，參考電壓VREF為低電平的電信號，因此第一晶體管T1在參考電壓VREF的控制下打開。數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1傳輸至第二節(jié)點(diǎn)N2，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為VDATA－|Vth|。數(shù)據(jù)電壓VDATA經(jīng)過第一晶體管T1和第二晶體管T2傳輸至第一節(jié)點(diǎn)N1，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為VDATA－|Vth|。

在第三時刻Ⅲ，第一掃描信號SCAN1為第二電平，第二掃描信號SCAN2為第二電平，發(fā)光信號EMIT為第一電平，第一晶體管T1的第一極接收電源電壓PVDD。第二晶體管T2在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉，第四晶體管T4和第五晶體管T5在第一掃描信號SCAN1的控制下關(guān)閉。由于電容元件C的保持作用，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位仍為VDATA－|Vth|，由于電源電壓PVDD的電位高于VDATA－|Vth|，因此第一晶體管T1打開。第三晶體管T3在發(fā)光信號EMIT的控制下打開，電源電壓PVDD經(jīng)過第一晶體管T1和第三晶體管T3傳輸至發(fā)光元件EL的陽極，為發(fā)光元件EL提供驅(qū)動電流。發(fā)光元件EL的陰極接收恒定電壓信號PVEE，并且電源電壓PVDD的電壓值大于恒定電壓信號PVEE，因此發(fā)光元件EL導(dǎo)通發(fā)光。

已知的，有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流與其驅(qū)動晶體管的柵源電壓和閾值電壓差值的平方成正比例關(guān)系。在本實(shí)施例中，第一晶體管T1為驅(qū)動晶體管，發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel與第一晶體管T1的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth的關(guān)系為：Iel∝(Vgs－Vth)²。在本實(shí)施例中，由于第一晶體管T1為PMOS晶體管，其閾值電壓Vth的值為負(fù)值，因此Iel∝(Vsg－|Vth|)²，其中Vsg＝Vs－Vg。在本實(shí)施例中的在第三時刻Ⅲ，第一晶體管T1的柵極電壓Vg為第一節(jié)點(diǎn)N1的電位，即為Vg＝VDATA－|Vth|，第一晶體管T1的源極電壓為第一晶體管T1的第一極接收的電源電壓PVDD，即為Vs＝PVDD，因此Vsg＝Vs－Vg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)。將公式Vsg＝PVDD－(VDATA－|Vth|)帶入公式Iel∝(Vsg－|Vth|)²，得到Iel∝(Vsg－|Vth|)²＝(PVDD－(VDATA－|Vth|)－|Vth|)²＝(PVDD－VDATA)²。由此可見，在本發(fā)明提供的實(shí)施例中，流過第一晶體管T1的用于驅(qū)動發(fā)光元件EL的驅(qū)動電流Iel只與電源電壓PVDD和數(shù)據(jù)電壓VDATA有關(guān)，與第一晶體管T1自身的柵源電壓Vgs和閾值電壓Vth無關(guān)。

本實(shí)施例提供的驅(qū)動方法中，流過驅(qū)動晶體管用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動電流與驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth無關(guān)，因此消除了現(xiàn)有技術(shù)中的不良影響。

圖9實(shí)施例提供的像素電路的工作時序也適用于圖6實(shí)施例提供的像素電路600，像素電路600的驅(qū)動晶體管的閾值偵測和補(bǔ)償?shù)倪^程請參考像素電路500，在此不再贅述。

需要說明的是，為了保證信號的完整性，圖7、圖8、圖9所示的工作時序圖中，第一時刻Ⅰ、第二時刻Ⅱ、第三時刻Ⅲ之間有一定間隔，可以避免信號輸入錯誤。可以理解的是，各電平信號間的間隔不是必要的，本發(fā)明對此不做具體限制。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置。請參考圖10，圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置平面結(jié)構(gòu)示意圖。顯示裝置700包括第一基板00，第一基板00包括沿行方向延伸的多條柵極線10和沿列方向延伸的多條數(shù)據(jù)線20，多條柵極線10和多條數(shù)據(jù)線20交叉絕緣限定出多行多列子像素30。其中，子像素30包括像素電路，像素電路包括驅(qū)動晶體管和發(fā)光元件。位于同一列的子像素30的像素電路的驅(qū)動晶體管的第一極與該列子像素30對應(yīng)的數(shù)據(jù)線20電連接，數(shù)據(jù)線20向驅(qū)動晶體管的第一極分時傳輸數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD。本實(shí)施例提供的顯示裝置700中，第一基板00可以為硬質(zhì)的基板，如玻璃基板，也可以為柔性的基板，如聚酰亞胺基板。行方向和列方向可以垂直，本實(shí)施例對此不作具體限制。在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，顯示裝置700還包括集成電路(Integrated Circuit)芯片40，集成電路芯片40用于向數(shù)據(jù)線20分時提供數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，數(shù)據(jù)線20分時傳輸數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD至像素電路的驅(qū)動晶體管的第一極。本實(shí)施例提供的顯示裝置700中，通過數(shù)據(jù)線20分時傳輸數(shù)據(jù)電壓VDATA和電源電壓PVDD，可以簡化第一基板00的走線設(shè)置。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，子像素30包括如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的像素電路。請繼續(xù)參考圖10，并結(jié)合參考圖1至圖6任一實(shí)施例提供的像素電路，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，位于同一行的子像素30的像素電路的第二晶體管T2的柵極與同一根柵極線10電連接；位于同一行的子像素30的像素電路的第四晶體管T4的柵極與同一根柵極線10電連接。需要說明的是，第二晶體管T2的柵極與第四晶體管T4的柵極可以連接相同的柵極線10，也可以分別連接至相鄰的兩根柵極線10。當(dāng)?shù)诙w管T2的柵極與第四晶體管T4的柵極連接相同的柵極線10時，可以簡化第一基板00的走線設(shè)置。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置具有本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的有益效果，可以參考上述實(shí)施例提供的像素電路，在此不做贅述。該顯示裝置可以是顯示面板，也可以是手機(jī)、臺式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙等任意具有顯示功能的設(shè)備。

已知的，現(xiàn)有技術(shù)提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在一幀的時間內(nèi)，像素電路在完成數(shù)據(jù)寫入等工作后，像素電路中的有機(jī)發(fā)光二極管會立刻導(dǎo)通發(fā)光，從柵極線掃描方向的第一行像素電路至最后一行像素電路，其有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光時間逐行遞減，這稱為全余暉。全余暉會造成眩暈感，極大影響感官體驗(yàn)。在VR顯示設(shè)備或AR顯示設(shè)備中，在一幀的時間內(nèi)，需要整個面板中的所有的像素同步處于發(fā)光狀態(tài)或者暗態(tài)。

需要說明的是，當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置為VR顯示設(shè)備或AR顯示設(shè)備時，并且該顯示設(shè)備包括圖5或圖6實(shí)施例提供的像素電路，為了獲得更高的顯示效果，該顯示設(shè)備所有的像素電路500或像素電路600接收同一個發(fā)光信號EMIT。所有的像素電路500或像素電路600在發(fā)光信號EMIT的控制下同時發(fā)光，可以有效消除全余暉問題，滿足VR顯示設(shè)備或AR顯示設(shè)備對于顯示模式的要求，提升感官體驗(yàn)。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。