本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED驅(qū)動電路及OLED顯示面板。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示面板因具有因為具備輕薄、節(jié)能、寬視角、色域廣、對比度高等特性而備受人們的青睞。OLED的基本驅(qū)動電路如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED驅(qū)動電路的示意圖。所述驅(qū)動電路用于驅(qū)動OLED，所述驅(qū)動電路包括一個開關(guān)薄膜晶體管(Switch TFT)T1、一個驅(qū)動薄膜晶體管(Driver TFT)T2以及一個存儲電容Cst，這種結(jié)構(gòu)也被稱為2T1C結(jié)構(gòu)。所述開關(guān)薄膜晶體管T1的柵極接收掃描信息SCAN，所述開關(guān)薄膜晶體管T1的漏極接收數(shù)據(jù)信號Data，所述開關(guān)薄膜晶體管T1的源極電連接至所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極。所述開關(guān)薄膜晶體管T1的源極和所述開關(guān)薄膜晶體管T1漏極在所述掃描信號SCAN的控制下導(dǎo)通或者截止。當(dāng)所述開關(guān)薄膜晶體管T1的源極和所述開關(guān)薄膜晶體管T1漏極在所述掃描信號SCAN的控制下導(dǎo)通時，所述數(shù)據(jù)信號Data被傳輸至所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極。所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的源極電連接至一高電位VDD，所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的漏極電連接至所述OLED的正極。所述OLED的正極電連接至一低電位VSS。所述存儲電容Cst的兩端分別電連接至所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極及所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的漏極。則所述驅(qū)動電路產(chǎn)生的驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流為：I_OLED＝k(V_gs-V_th)²。其中，I_OLED為驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流，也是流經(jīng)所述OLED的電流；k為所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的電流放大系數(shù)，由所述驅(qū)動薄膜晶體管T2自身的特性決定；V_gs為所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極與源極之間的電壓；V_th為所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的閾值電壓。由此可見，流經(jīng)所述OLED的電流與所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的閾值電壓V_th有關(guān)。由于所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的閾值電壓V_th容易漂移，從而導(dǎo)致驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流I_OLED變動，驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流I_OLED變動會導(dǎo)致所述OLED的發(fā)光亮度發(fā)生變化，進(jìn)而影響所述OLED顯示面板的畫質(zhì)質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種OLED驅(qū)動電路，所述OLED驅(qū)動電路用于產(chǎn)生驅(qū)動電流以驅(qū)動OLED，所述OLED驅(qū)動電路包括開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管、存儲電容以及補(bǔ)償電路，所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均包括柵極、第一端及第二端，所述開關(guān)薄膜晶體管的第一端接收數(shù)據(jù)信號，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極接收第n級掃描信號(SCAN[n])，所述開關(guān)薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極通過所述存儲電容電連接至一電壓源，所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端通過所述補(bǔ)償電路中的部分元件電連接至所述OLED的正極，所述OLED的負(fù)極加載低電平，所述補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償由于所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的漂移而帶來的所述OLED的驅(qū)動電流的變化，且所述補(bǔ)償電路還用于穩(wěn)定所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位；其中，所述第一端為源極，所述第二端為漏極；或者所述第一端為漏極，所述第二端為源極。

其中，所述補(bǔ)償電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管及第四薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管均包括柵極、第一端及第二端；

所述第一薄膜晶體管的柵極接收第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])，所述第一薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，所述第一薄膜晶體管的第二端接收低電平(Vint)，其中，所述第n級掃描信號(SCAN[n])相較于所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])延遲T/M，其中，M為正整數(shù)，T為掃描信號的周期；

所述第二薄膜晶體管的柵極接收使能信號(Em)，所述第二薄膜晶體管的第一端電連接所述OLED的正極，所述第二薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端；

所述第三薄膜晶體管的柵極接收第n級掃描信號(SCAN[n])，所述第三薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第一端，所述第三薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；

所述第四薄膜晶體管的柵極接收所述使能信號(Em)，所述第四薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第一端，所述第四薄膜晶體管的第二端電連接所述電壓源；

在發(fā)光階段內(nèi)：所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號的電壓與所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的絕對值之和，所述使能信號(Em)為第一電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])及所述第n級掃描信號(SCAN[n])均為第二電平，所述第二薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管均截止，所述電壓源至所述OLED負(fù)極的通路導(dǎo)通，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電壓控制所述驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流的大小。

其中，在驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段內(nèi)：所述使能信號(Em)為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])為第一電平，所述第n級掃描信號(SCAN[n])為第二電平，所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管均截止；

在數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段：所述使能信號(Em)為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])為第二電平，所述第n級掃描信號(SCAN[n])為第一電平，所述第三薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管均截止，此時，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號的電壓與所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的絕對值之和，其中，所述驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段，所述數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段，及所述發(fā)光階段為三個依次連續(xù)的階段。

其中，所述補(bǔ)償電路還包括第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管包括柵極、第一端及第二端，所述第五薄膜晶體管的柵極接收所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])，所述第五薄膜晶體管的第一端接收所述低電平(Vint)，所述第五薄膜晶體管的第二端電連接至所述OLED的正極。

其中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均為PTFT，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平；

或者，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均為NTFT，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。

本發(fā)明還提供了一種OLED顯示面板，所述OLED顯示面板包括OLED驅(qū)動電路及OLED，所述OLED驅(qū)動電路用于產(chǎn)生驅(qū)動電流以驅(qū)動OLED，所述OLED驅(qū)動電路包括開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管、存儲電容以及補(bǔ)償電路，所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均包括柵極、第一端及第二端，所述開關(guān)薄膜晶體管的第一端接收數(shù)據(jù)信號，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極接收第n級掃描信號(SCAN[n])，所述開關(guān)薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極通過所述存儲電容電連接至一電壓源，所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端通過所述補(bǔ)償電路中的部分元件電連接至所述OLED的正極，所述OLED的負(fù)極加載低電平，所述補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償由于所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的漂移而帶來的所述OLED的驅(qū)動電流的變化，且所述補(bǔ)償電路還用于穩(wěn)定所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位；其中，所述第一端為源極，所述第二端為漏極；或者所述第一端為漏極，所述第二端為源極。

其中，所述補(bǔ)償電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管及第四薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管均包括柵極、第一端及第二端；

所述第一薄膜晶體管的柵極接收第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])，所述第一薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，所述第一薄膜晶體管的第二端接收低電平(Vint)，其中，所述第n級掃描信號(SCAN[n])相較于所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])延遲T/M，其中，M為正整數(shù)，T為掃描信號的周期；

所述第二薄膜晶體管的柵極接收使能信號(Em)，所述第二薄膜晶體管的第一端電連接所述OLED的正極，所述第二薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二端；

所述第三薄膜晶體管的柵極接收第n級掃描信號(SCAN[n])，所述第三薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第一端，所述第三薄膜晶體管的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；

所述第四薄膜晶體管的柵極接收所述使能信號(Em)，所述第四薄膜晶體管的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的第一端，所述第四薄膜晶體管的第二端電連接所述電壓源；

在發(fā)光階段內(nèi)：所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號的電壓與所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的絕對值之和，所述使能信號(Em)為第一電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])及所述第n級掃描信號(SCAN[n])均為第二電平，所述第二薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管均截止，所述電壓源至所述OLED負(fù)極的通路導(dǎo)通。

其中，在驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段內(nèi)：所述使能信號(Em)為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])為第一電平，所述第n級掃描信號(SCAN[n])為第二電平，所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管均截止；

在數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段：所述使能信號(Em)為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])為第二電平，所述第n級掃描信號(SCAN[n])為第一電平，所述第三薄膜晶體管及所述開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管均截止，此時，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號的電壓與所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的絕對值之和，其中，所述驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段，所述數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段，及所述發(fā)光階段為三個依次連續(xù)的階段。

其中，所述補(bǔ)償電路還包括第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管包括柵極、第一端及第二端，所述第五薄膜晶體管的柵極接收所述第(n-1)級掃描信號(SCAN[n-1])，所述第五薄膜晶體管的第一端接收所述低電平(Vint)，所述第五薄膜晶體管的第二端電連接至所述OLED的正極。

其中，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均為PTFT，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平；

或者，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述開關(guān)薄膜晶體管及所述驅(qū)動薄膜晶體管均為NTFT，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED驅(qū)動電路的示意圖。

圖2為本發(fā)明第一較佳實施方式的OLED驅(qū)動電路的示意圖。

圖3為圖2所示的OLED驅(qū)動電路的各個信號的時序圖。

圖4為本發(fā)明第二較佳實施方式的OLED驅(qū)動電路的示意圖。

圖5為圖4所示的OLED驅(qū)動電路的各個信號的時序圖。

圖6為本發(fā)明一較佳實施方式的OLED顯示面板的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請一并參閱圖2及圖3，圖2為本發(fā)明第一較佳實施方式的OLED驅(qū)動電路的示意圖；圖3為圖2所示的OLED驅(qū)動電路的各個信號的時序圖。所述OLED驅(qū)動電路100用于產(chǎn)生驅(qū)動電流以驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。所述OLED驅(qū)動電路100包括開關(guān)薄膜晶體管M5、驅(qū)動薄膜晶體管MD、存儲電容Cst及補(bǔ)償電路110。所述開關(guān)薄膜晶體管M5及所述驅(qū)動薄膜晶體管MD均包括柵極、第一端及第二端。在本實施方式中，所述第一端為源極，所述第二端為漏極。在其他實施方式中，所述第一端為漏極，所述第二端為源極。所述開關(guān)薄膜晶體管M5的第一端接收數(shù)據(jù)信號Data，所述開關(guān)薄膜晶體管M5的柵極接收第第n級掃描信號SCAN[n]，所述開關(guān)薄膜晶體管M5的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第二端。所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極通過所述存儲電容Cst電連接至一電壓源VDD，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第二端通過所述補(bǔ)償電路中110的部分元件電連接至所述OLED的正極，所述OLED的負(fù)極加載低電平。所述補(bǔ)償電路110用于補(bǔ)償由于所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓的漂移而帶來的所述OLED的驅(qū)動電流的變化，且所述補(bǔ)償電路110還用于穩(wěn)定所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極的電位。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的OLED驅(qū)動電路100中包括補(bǔ)償電路110，所述補(bǔ)償電路110用于補(bǔ)償由于所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓的漂移而帶來的驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流的變化，且所述補(bǔ)償電路110還穩(wěn)定所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極的電位，從而穩(wěn)定了所述驅(qū)動電路100的產(chǎn)生的驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流，OLED驅(qū)動電流的穩(wěn)定不會影響到所述OLED的發(fā)光亮度，進(jìn)而提升所述OLED驅(qū)動電路所應(yīng)用的OLED顯示面板的畫質(zhì)。

所述補(bǔ)償電路110包括：第一薄膜晶體管M1、第二薄膜晶體管M2、第三薄膜晶體管M3及第四薄膜晶體管M4。所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3及所述第四薄膜晶體管M4均包括柵極、第一端及第二端。

所述第一薄膜晶體管M1的柵極接收第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]，所述第一薄膜晶體管M1的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極，所述第一薄膜晶體管M1的第二端接收低電平Vint。其中，所述第n級掃描信號SCAN[n]相較于所述第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]延遲T/M，其中，M為正整數(shù)，T為掃描信號的周期。

所述第二薄膜晶體管M2的柵極接收使能信號Em，所述第二薄膜晶體管M2的第一端電連接所述OLED的正極，所述第二薄膜晶體管M2的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第二端。

所述第三薄膜晶體管M3的柵極接收第n級掃描信號SCAN[n]，所述第三薄膜晶體管M3的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第一端，所述第三薄膜晶體管M3的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極。

所述第四薄膜晶體管M4的柵極接收所述使能信號Em，所述第四薄膜晶體管M4的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第一端，所述第四薄膜晶體管M4的第二端電連接所述電壓源VDD。

在驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段內(nèi)(在圖3中以initial表示)：所述使能信號Em為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]為第一電平，所述第n級掃描信號SCAN[n]為第二電平，所述第一薄膜晶體管M1導(dǎo)通，所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3、所述第四薄膜晶體管M4及所述開關(guān)薄膜晶體管M5均截止。此時，所述低電平Vint通過導(dǎo)通的第一薄膜晶體管M1傳遞到所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極。

在數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段(在圖3中以programming表示)：所述使能信號Em為第二電平，所述第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]為第二電平，所述第n級掃描信號SCAN[n]為第一電平，所述第三薄膜晶體管M3及所述開關(guān)薄膜晶體管M5導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2及所述第四薄膜晶體管M4均截止，此時，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號Data的電壓V_data與所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓的絕對值|V_th|之和。

由于所述第三薄膜晶體管M3導(dǎo)通，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極和所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第一端(圖3中為源極)短接，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD等效為二極管。為了方便描述，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極與所述存儲電容Cst以及與所述第一薄膜晶體管M1的第一端相交的點標(biāo)記為A點。所述驅(qū)動薄膜晶體管MD等效為二極管時，所述數(shù)據(jù)信號Data經(jīng)由導(dǎo)通的開關(guān)薄膜晶體管M5對A點充電，直到A點存儲所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓V_th，此時，A點的電位為：V_A＝V_data+|V_th|。其中，V_A表示A點的電位，V_data表示數(shù)據(jù)信號Data的電壓，V_th表示驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓。

在發(fā)光階段內(nèi)(在圖3中以emission表示)：所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極的電位為所述數(shù)據(jù)信號Data的電壓Vdata與所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓的絕對值|V_th|之和，所述使能信號Em為第一電平，所述第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]及所述第n級掃描信號SCAN[n]均為第二電平，所述第二薄膜晶體管M2及所述第四薄膜晶體管M4導(dǎo)通，所述第一薄膜晶體管M1、所述第三薄膜晶體管M3及所述開關(guān)薄膜晶體管M5均截止，所述電壓源VDD至所述OLED負(fù)極的通路導(dǎo)通，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極電壓控制所述驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流的大小。此時，所述OLED驅(qū)動電路100驅(qū)動所述OLED發(fā)光。其中，所述驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段，所述數(shù)據(jù)寫入與閾值電壓補(bǔ)償階段，及所述發(fā)光階段為三個依次連續(xù)的階段。

所述OLED驅(qū)動電路100產(chǎn)生的所述OLED的驅(qū)動電流的大小為：I_OLED＝k[V_DD-(V_data-|V_th|)-|V_th|]²＝k(V_DD-V_data)²。其中，I_OLED表示OLED的驅(qū)動電流；k為所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的電流放大系數(shù)，由所述驅(qū)動薄膜晶體管MD自身的特性決定；V_DD為電壓源VDD的電壓；V_data為數(shù)據(jù)信號Data的電壓。由此可見，本發(fā)明的OLED驅(qū)動電路100產(chǎn)生的OLED的驅(qū)動電流I_OLED與所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓V_th無關(guān)。因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的OLED驅(qū)動電路產(chǎn)生的OLED的驅(qū)動電流不會隨著驅(qū)動薄膜晶體管MD的閾值電壓V_th的漂移而發(fā)生變化，進(jìn)而了穩(wěn)定所述OLED的驅(qū)動電流，OLED驅(qū)動電流的穩(wěn)定不會影響到所述OLED的發(fā)光亮度，進(jìn)而提升所述OLED驅(qū)動電路所應(yīng)用的OLED顯示面板的畫質(zhì)。

為了方便描述，所述第一薄膜晶體管M1的第二端接收所述低電平Vint的點標(biāo)記為B點。所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第一端(在圖3中為源極)與所述第三薄膜晶體管M3的第一端的交點標(biāo)記為C點。在發(fā)光階段內(nèi)，由于所述第三薄膜晶體管M3處于截止?fàn)顟B(tài)，且所述第三薄膜晶體管M3的第一端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的第一端，所述第三薄膜晶體管M3的第二端電連接所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極，因此，C點的電位高于A點的電位，所述第三薄膜晶體管M3的漏電流方向為由C點流向A點，則所述A點的電位會升高。又因為A點的電位高于B點的電位，因此，所述第一薄膜晶體管M1的漏電流方向為由A點流向B點，所述A點的電位會被降低。由此可見，在發(fā)光階段內(nèi)，第三薄膜晶體管M3的漏電流的存在會提升A點的電位，而所述第一薄膜晶體管M1的漏電流的存在會降低A點的電位，因此，由于所述第一薄膜晶體管M1和所述第三薄膜晶體管M3的共同作用，A點的電位維持在較穩(wěn)定的水平，即，所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的柵極的電位維持在較穩(wěn)定的水平。從而使得所述驅(qū)動電路100產(chǎn)生的驅(qū)動所述OLED的驅(qū)動電流較為穩(wěn)定。

在本實施方式中，所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3、所述第四薄膜晶體管M4、所述開關(guān)薄膜晶體管M5及所述驅(qū)動薄膜晶體管MD均為PTFT(P Thin Film Transistor)，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平。

在其他實施方式中，所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3、所述第四薄膜晶體管M4、所述開關(guān)薄膜晶體管M5及所述驅(qū)動薄膜晶體管MD均為NTFT(N Thin Film Transistor)，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。

請一并參閱圖4及圖5，圖4為本發(fā)明第二較佳實施方式的OLED驅(qū)動電路的示意圖；圖5為圖4所示的OLED驅(qū)動電路的各個信號的時序圖。圖4所示的OLED驅(qū)動電路與圖2所示的OLED驅(qū)動電路基本相同，圖5中的各個信號與圖3中的各個信號相同。圖4所示的OLED驅(qū)動電路比圖2所示的OLED驅(qū)動電路中多了一個薄膜晶體管：第五薄膜晶體管M6。本實施方式中的OLED驅(qū)動電路相較于本發(fā)明第一實施方式中的OLED電路中的相同的部分不再贅述。所述第五薄膜晶體管M6包括柵極、第一端及第二端。所述第五薄膜晶體管M6的柵極接收所述第(n-1)級掃描信號SCAN[n-1]，所述第五薄膜晶體管M6的第一端接收所述低電平Vint，所述第五薄膜晶體管M6的第二端電連接至所述OLED的正極。在驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段內(nèi)(在圖5中以initial表示)，所述第五薄膜晶體管M6可以很大程度上分流所述驅(qū)動薄膜晶體管MD的漏電，從而解決驅(qū)動薄膜晶體管在所述驅(qū)動薄膜晶體管柵極電壓重置階段內(nèi)的漏電流引起的所述OLED無法完全關(guān)斷而產(chǎn)生的少量發(fā)光的問題。

在本實施方式中，所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3、所述第四薄膜晶體管M4、所述第五薄膜晶體管M6、所述開關(guān)薄膜晶體管M5及所述驅(qū)動薄膜晶體管MD均為PTFT，所述第一電平為低電平，所述第二電平為高電平。

在其他實施方式中，所述第一薄膜晶體管M1、所述第二薄膜晶體管M2、所述第三薄膜晶體管M3、所述第四薄膜晶體管M4、所述第五薄膜晶體管M6、所述開關(guān)薄膜晶體管M5及所述驅(qū)動薄膜晶體管MD均為NTFT，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。

本發(fā)明還提供了一種OLED顯示面板10，請參閱圖6，圖6為本發(fā)明一較佳實施方式的OLED顯示面板的示意圖。本發(fā)明的OLED顯示面板10包括前述任意一實施方式介紹的OLED驅(qū)動電路100，在此不再贅述。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。