本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板以及顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種曲面陣列基板以及曲面顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的進步，顯示裝置(如電腦或電視熒幕)的技術(shù)也不斷地發(fā)展。目前市面上常見的有平面顯示器與曲面顯示器。相較于平面顯示器，曲面顯示器除了能讓人眼看影像更加平衡、舒適之外，也具有更寬闊的全景視角以及降低外來光線反射干擾，讓使用者觀看曲面顯示器各個角落的影像都不會變形、失真。因此，近年來普遍受到消費者青睞。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包含基板、至少一掃描線、至少一數(shù)據(jù)線、至少一像素單元與柵極驅(qū)動電路?；寰哂酗@示區(qū)以及位于顯示區(qū)至少一側(cè)的周邊區(qū)。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯。像素單元電性連接掃描線與數(shù)據(jù)線。至少一像素單元設(shè)置于基板的顯示區(qū)。柵極驅(qū)動電路設(shè)置于周邊區(qū)。柵極驅(qū)動電路包含多個移位暫存器，沿第一方向依序設(shè)置于基板上，并且至少一移位暫存器包含上拉單元。上拉單元包含第一晶體管，用以輸出柵極信號至掃描線。第一晶體管包含第一柵極、第一通道層、第一源極與第一漏極。第一源極和第一漏極與第一柵極和第一通道層對應(yīng)設(shè)置。第一源極與第一漏極分別具有至少一條狀部。兩相鄰的第一源極的條狀部與第一漏極的條狀部之間具有第一通道長度(Channel length)，第一通道長度的延伸方向沿第一方向。

在一或多個實施方式中，第一漏極更具有連接部，連接第一漏極的兩條狀部，且第一漏極的兩條狀部與第一源極的條狀部沿第一方向交錯設(shè)置。

在一或多個實施方式中，第一漏極的形狀包含U字型，第一源極的形狀包含I字型。

在一或多個實施方式中，第一源極的I字型朝掃描線的延伸方向延伸。

在一或多個實施方式中，第一漏極與掃描線電性連接。

在一或多個實施方式中，至少一移位暫存器更包含輸入單元，用以輸出驅(qū)動控制電壓至上拉單元的第一晶體管的第一柵極。輸入單元包含第二晶體管。第二晶體管包含第二柵極、第二通道層、第二源極與第二漏極。第二源極和第二漏極與第二柵極和第二通道層對應(yīng)設(shè)置。第二源極與第二漏極分別具有至少一條狀部。兩相鄰的第二源極的條狀部與第二漏極的條狀部之間具有第二通道長度(Channel length)，第二通道長度的延伸方向沿第一方向。

在一或多個實施方式中，第一柵極電性連接至第二漏極。

在一或多個實施方式中，至少一移位暫存器更包含下拉單元，用以將上拉單元輸出的柵極信號下拉至低電源電壓。

在一或多個實施方式中，下拉單元包含第三晶體管。第三晶體管包含第三柵極、第三通道層、第三源極與第三漏極。第三源極和第三漏極與第三柵極和第三通道層對應(yīng)設(shè)置。第三源極與第三漏極分別具有至少一條狀部，兩相鄰的第三源極的條狀部與第三漏極的條狀部之間具有一第三通道長度(Channel length)。第三通道長度的延伸方向沿第一方向。

在一或多個實施方式中，上拉單元的第一晶體管的第一漏極與第一柵極電性連接至下拉單元。

在一或多個實施方式中，第一源極用以電性連接至?xí)r脈信號源。

在一或多個實施方式中，第一晶體管的第一源極與第一漏極之間具有第一通道寬度。通道長度的延伸方向沿著第一方向所占第一通道寬度的比例為50％以上。

本發(fā)明提供一種顯示裝置，包含顯示面板與背光模塊。顯示面板具有沿曲率中心軸線彎曲的顯示面。顯示面板包含陣列基板、對向基板與顯示介質(zhì)。陣列基板包含基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素單元與柵極驅(qū)動電路。基板具有顯示區(qū)以及周邊區(qū)。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯。像素單元電性連接掃描線與數(shù)據(jù)線。像素單元設(shè)置于基板的顯示區(qū)。柵極驅(qū)動電路設(shè)置于周邊區(qū)。柵極驅(qū)動電路包含至少一移位暫存器。至少一移位暫存器包含上拉單元。上拉單元包含第一晶體管。第一晶體管包含第一柵極、第一通道層、第一源極與第一漏極。第一源極和第一漏極與第一通道層重疊設(shè)置。第一漏極與對應(yīng)的掃描線電性連接。第一源極與第一漏極之間具有第一通道寬度(Channel width)以及第一通道長度(Channel length)。第一通道長度的延伸方向沿著曲率中心軸線延伸方向所占第一通道寬度的比例為50％以上。顯示介質(zhì)置于陣列基板與對向基板之間。背光模塊與顯示面板相對設(shè)置。

在一或多個實施方式中，第一源極與第一漏極分別具有至少一I字型結(jié)構(gòu)，且I字型結(jié)構(gòu)的延伸方向與曲率中心軸線的夾角為85度至95度。

在一或多個實施方式中，掃描線沿著曲率中心軸線延伸方向依序設(shè)置于基板上，或數(shù)據(jù)線沿著曲率中心軸線延伸方向依序設(shè)置于基板上。

在一或多個實施方式中，至少一移位暫存器更包含輸入單元。輸入單元包含第二晶體管。第二晶體管包含第二柵極、第二通道層、第二源極與第二漏極。第二源極和第二漏極與第二通道層重疊設(shè)置，且第二漏極電性連接至第一柵極。第二源極與第二漏極之間具有第二通道寬度(Channel width)以及第二通道長度。第二晶體管的第二通道長度的延伸方向沿著曲率中心軸線延伸方向所占第二通道寬度的比例為50％以上。

在一或多個實施方式中，至少一移位暫存器更包含下拉單元，用以將上拉單元輸出的柵極信號下拉至低電源電壓。下拉單元包含第三晶體管。第三晶體管包含第三柵極、第三通道層、第三源極與第三漏極。第三源極和第三漏極與第三柵極和第三通道層對應(yīng)設(shè)置。第三源極與第三漏極之間具有第三通道寬度(Channel width)以及第三通道長度。第三晶體管的第三通道長度的延伸方向沿著曲率中心軸線延伸方向所占第三通道寬度的比例為50％以上。

在一或多個實施方式中，第一源極用以電性連接至一時脈信號源。

通過上述的結(jié)構(gòu)，當顯示裝置彎曲時，第一晶體管整體的通道長度的變化量并不大。第一晶體管的開啟電流(Ion)與通道長度成反比，第一晶體管整體的通道長度不會因顯示裝置彎曲而明顯變化，因此第一晶體管的開啟電流不會因顯示裝置彎曲而產(chǎn)生損失。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種顯示裝置的側(cè)視圖。

圖2為圖1的陣列基板的正視圖。

圖3為圖2的之移位暫存器的電路圖。

圖4為圖2的移位暫存器根據(jù)一實施方式的上視示意圖。

圖5為圖4的區(qū)域M的放大圖。

圖6為沿圖5的線段6-6的剖面圖。

圖7為圖2的移位暫存器根據(jù)另一實施方式的上視示意圖。

圖8A為圖7的區(qū)域N的放大圖。

圖8B為圖7的之區(qū)域O的放大圖。

圖9為比較例的移位暫存器的上視示意圖。

圖10A為圖4中具不同通道長度與通道寬度的晶體管T21于陣列基板彎曲前與彎曲后的開啟電流值的關(guān)系圖。

圖10B為圖9中具不同通道長度與通道寬度的晶體管T21’于陣列基板彎曲前與彎曲后的開啟電流值的關(guān)系圖。

附圖標號：

1：顯示裝置

10：顯示面板

12：顯示面

20：背光模塊

100：陣列基板

110：基板

112：顯示區(qū)

114：周邊區(qū)

120：掃描線

130：數(shù)據(jù)線

140：像素單元

150：柵極驅(qū)動電路

160：源極驅(qū)動電路

210：移位暫存器

220：輸入單元

225：上拉單元

230：下拉單元

232：主下拉單元

234：第一輔助下拉單元

236：第二輔助下拉單元

240、250：時脈信號源

262、264、266、268、270、272：貫穿結(jié)構(gòu)

302、302’、312、322、332、342、352：柵極

303：介電層

304、304’、314、324、334、344、354：通道層

305：保護層

306、306’、316、326、336、346、356：源極

307a、309a、327a、329a、337a、339a：條狀部

307b、309b、329b、337b：連接部

308、308’、318、328、338、348、358：漏極

329：連接線

500：對向基板

600：顯示介質(zhì)

A：曲率中心軸線

D1：第一方向

D2、D3、D3’、D5、D6、D7、D8、D9：延伸方向

Gn：柵極信號

Gn-2、Qn-2、Gn+1：輸入信號

HC1、HC3、LC1、LC2：時脈信號

L1、L2、L3：通道長度

M、N、O、P1、P2、P3、P4、Q1、Q2、Q3：區(qū)域

Qn：驅(qū)動控制電壓

T11、T12、T21、T21’、T31、T32、T33、T41、T42、T43、T51、T52、T53、T54、T61、T62、T63、T64：晶體管

VSS：低電源電壓

W1、W3、W5：通道寬度

W2、W4、W6：長度

θ1、θ2：夾角

6-6：線段

具體實施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種顯示裝置1的側(cè)視圖。顯示裝置1包含顯示面板10與背光模塊20。背光模塊20與顯示面板10相對設(shè)置。顯示面板10具有沿曲率中心軸線A彎曲的顯示面12，亦即，顯示裝置1可為曲面顯示裝置，而顯示裝置1可沿曲率中心軸線A彎曲(顯示裝置1可以曲率中心軸線A為軸而彎曲)，如圖1所示。顯示面板10包含陣列基板100、對向基板500與顯示介質(zhì)600。顯示介質(zhì)600置于陣列基板100與對向基板500之間。另外，陣列基板100置于對向基板500與背光模塊20之間。對向基板500可為透明材質(zhì)，其上可具有遮光層(未繪示)。顯示介質(zhì)600用以改變顯示面板10所顯示的影像光的物理性質(zhì)。顯示介質(zhì)600依顯示面板10的種類而有所不同，例如液晶顯示面板的顯示介質(zhì)600為液晶分子，電濕潤顯示面板的顯示介質(zhì)600為極性或非極性液體，而電泳顯示面板的顯示介質(zhì)600為微膠囊。

圖2為圖1的陣列基板100的正視圖。陣列基板100包含基板110、至少一掃描線120、至少一數(shù)據(jù)線130、至少一像素單元140與柵極驅(qū)動電路150。例如，在圖2中，陣列基板100包含多條掃描線120、多條數(shù)據(jù)線130與多個像素單元140。數(shù)據(jù)線130與掃描線120交錯，例如數(shù)據(jù)線130與掃描線120實質(zhì)垂直，然而本發(fā)明不以此為限。應(yīng)了解到，本文的“實質(zhì)”是用以修飾任何可些微變化的關(guān)系，但這種些微變化并不會改變其本質(zhì)。基板110具有顯示區(qū)112以及位于顯示區(qū)112至少一側(cè)的周邊區(qū)114。例如，在圖2中，周邊區(qū)114位于顯示區(qū)112的左側(cè)，然而在其他的實施方式中，周邊區(qū)114可位于顯示區(qū)112的左側(cè)、右側(cè)、上側(cè)與/或下側(cè)、環(huán)繞顯示區(qū)112設(shè)置或置于顯示區(qū)112的相對兩側(cè)，本發(fā)明不以此為限。像素單元140電性連接掃描線120與數(shù)據(jù)線130。至少一像素單元140設(shè)置于基板110的顯示區(qū)112。柵極驅(qū)動電路150設(shè)置于周邊區(qū)114。柵極驅(qū)動電路150包含多個移位暫存器210，沿第一方向D1依序設(shè)置于基板110上，而掃描線120亦沿著第一方向D1依序設(shè)置于基板110上。多個移位暫存器210用以輸出多個柵極信號(或掃描信號)，移位暫存器210分別對應(yīng)多條掃描線120，并以一預(yù)定順序(predetermined sequence)驅(qū)動掃描線120。另外，陣列基板100可更包含源極驅(qū)動電路160，電性連接并驅(qū)動數(shù)據(jù)線130。

在一些實施方式中，顯示面板10(如圖1所示)的曲率中心軸線A的延伸方向D2實質(zhì)與第一方向D1為同方向。換言之，移位暫存器210與掃描線120分別沿著曲率中心軸線A的延伸方向D2依序設(shè)置于基板110上。在一些實施方式中，曲率中心軸線A的延伸方向D2與第一方向D1之間的夾角可小于5度，如延伸方向D2與第一方向D1為同方向，則夾角為0度，如圖2所示。不過，在其他的實施方式中，數(shù)據(jù)線130可沿著曲率中心軸線A的延伸方向D2依序設(shè)置于基板110上，本發(fā)明不以此為限。

圖3為圖2的移位暫存器210的電路圖，圖4為圖2的移位暫存器210根據(jù)一實施方式的上視示意圖。請一并參照圖3與圖4。移位暫存器210包含輸入單元220、上拉單元225與下拉單元230。應(yīng)注意的是，為了清楚起見，圖4的下拉單元230僅繪示部分元件，并省略一些元件，且圖4的輸入單元220、上拉單元225與下拉單元230之間的相對位置僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本領(lǐng)域所屬技術(shù)的通常知識者，可視實際需求而彈性設(shè)計輸入單元220、上拉單元225與下拉單元230的相對位置。

輸入單元220用以根據(jù)輸入信號Qn-2、Gn-2與時脈信號HC3以輸出驅(qū)動控制電壓Qn，其中輸入信號Qn-2與Gn-2分別為圖3與圖4繪示的移位暫存器210的上兩個移位暫存器的驅(qū)動控制電壓與柵極信號。上拉單元225電性連接輸入單元220與對應(yīng)的掃描線120，并用以根據(jù)驅(qū)動控制電壓Qn與時脈信號HC1以上拉柵極信號Gn，而與上拉單元225連接的掃描線120則用以傳輸柵極信號Gn。下拉單元230電性連接輸入單元220與上拉單元225，并用以將上拉單元225輸出的柵極信號Gn下拉至低電源電壓VSS。

圖5為圖4的區(qū)域M的放大圖，圖6為沿圖5的線段6-6的剖面圖。請一并參照圖4至圖6。上拉單元225包含晶體管T21，用以輸出柵極信號Gn(如圖3所示)至掃描線120。具體而言，晶體管T21包含柵極302、通道層304、源極306與漏極308。源極306和漏極308與柵極302和通道層304對應(yīng)設(shè)置。舉例而言，在圖6中，柵極302置于基板110上，通道層304置于柵極302上，而源極306與漏極308置于通道層304上，此種設(shè)置為底柵(bottom gate)型晶體管結(jié)構(gòu)。在一些實施方式中，介電層303可置于通道層304與柵極302之間，而保護層305可覆蓋源極306、漏極308與通道層304，以作為保護之用。然而在其他的實施方式中，晶體管T21可為頂柵(top gate)型晶體管結(jié)構(gòu)，亦即通道層置于源極與漏極上，且柵極置于通道層上，或其他合適的晶體管結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不以此為限。

源極306具有至少一條狀部307a，且漏極308具有至少一條狀部309a。舉例而言，在圖4中，源極306具有8個條狀部307a，且漏極308具有10個條狀部309a，然而本發(fā)明不以此為限。在其他的實施方式中，可依實際需求而選擇條狀部307a、309a的數(shù)量。圖5中，兩相鄰的源極306的條狀部307a與漏極308的條狀部309a之間具有通道長度(Channel length)L1的延伸方向D3。通道長度L1為通道層304在電流(或電子流)的流動方向上的長度，在本文中為條狀部307a與309a之間的間距，而延伸方向D3即為條狀部307a與309a之間電流(或電子流)的流動方向。延伸方向D3沿第一方向D1，換言之，延伸方向D3與第一方向D1實質(zhì)平行或同方向。

從另一個角度來說明，源極306與漏極308之間更具有通道寬度(Channel width)W1，其為通道層304實質(zhì)上垂直于通道長度L1的方向上的寬度。以圖5來看，通道長度L1的延伸方向D3沿著曲率中心軸線A(圖4所示)的延伸方向D2(在此實施方式中亦為第一方向D1)所占通道寬度W1的比例為50％以上。具體而言，以圖5來看，在區(qū)域P1與P2中，通道長度L1的延伸方向D3沿著第一方向D1(亦即延伸方向D2)，亦即在區(qū)域P1與P2中，延伸方向D3、第一方向D1與延伸方向D2實質(zhì)平行或同方向。區(qū)域P1與P2的長度之和(W2+W2)占通道寬度W1的50％以上。

通過如此的結(jié)構(gòu)，當圖1的顯示裝置1沿著曲率中心軸線A而彎曲時，因在區(qū)域P1與P2中，晶體管T21的通道長度L1的延伸方向D3實質(zhì)與曲率中心軸線A的延伸方向D2(在本實施方式中亦為第一方向D1)同方向，因此區(qū)域P1與P2中的通道長度L1于顯示裝置彎曲時幾乎不改變，或者改變量不大，亦即通道長度L1幾乎不會因顯示裝置彎曲而增加，或者增加輻度不大。而又因區(qū)域P1與P2的長度之和占通道寬度W1的50％以上，因此顯示裝置彎曲時，晶體管T21整體的通道長度L1的變化量并不大。晶體管T21的開啟電流(Ion)與通道長度L1成反比，晶體管T21整體的通道長度L1不會因顯示裝置彎曲而明顯變化，因此晶體管T21的開啟電流不會因顯示裝置彎曲而產(chǎn)生損失太，其中若開啟電流損失過大會造成充電不足或錯充的情況發(fā)生，而本實施方式的結(jié)構(gòu)可改善這些情況。在一些實施例中，開啟電流的損失幅度小于約15％。

請參照圖4與圖5。晶體管T21的漏極308更具有連接部309b，連接部309b連接漏極308的兩條狀部309a，亦即條狀部309a通過連接部309b而互相電性連接。連接部309b與兩條狀部309a形成U字型的形狀，然而本發(fā)明不以此為限。在圖4中，漏極308的形狀可由多個U字型重復(fù)排列與/或鏡像排列所形成，亦即連接部309b可連接多個條狀部309a，因此漏極308整體可形成梳狀結(jié)構(gòu)。

另一方面，源極306的條狀部307a可為I字型，并朝掃描線120的延伸方向D5延伸，亦即條狀部307a與掃描線120可實質(zhì)平行。源極306可更包含連接部307b，連接條狀部307a，亦即條狀部307a通過連接部307b而互相電性連接。源極306整體可呈另一梳狀結(jié)構(gòu)。然而在其他的實施方式中，源極306與漏極308的形狀可相反，亦即源極306可為U字型，而漏極308的條狀部309a可為I字型。

請參照圖4。漏極308的條狀部309a與源極306的條狀部307a皆為I字型結(jié)構(gòu)。條狀部307a的延伸方向D6與曲率中心軸線A的夾角θ1為85至95度，例如約90度。另外，條狀部309a的延伸方向D7與曲率中心軸線A的夾角θ2亦為85至95度，例如約90度。另外，條狀部309a與307a沿第一方向D1(在本實施方式中亦為曲率中心軸線A的延伸方向D2)交錯設(shè)置。如此的結(jié)構(gòu)可提升通道寬度W1與通道長度L1(如圖5所繪示)的比值，藉此增加晶體管T21的開啟電流。晶體管T21的總通道寬度為各U字型之漏極308所具有的通道寬度W1(如圖5所示)的總合，例如在圖4中，漏極308由八個U字型所組成，因此晶體管T21的總通道寬度為8W1。應(yīng)注意的是，在圖4中，晶體管T21是由圖5所繪示的晶體管單元(一U字型的漏極308與一I字型的源極306)重復(fù)排列所組成，不過在其他的實施方式中，晶體管T21可由實質(zhì)平行排列的一條狀源極與一條狀漏極所形成，只要晶體管T21的通道長度的延伸方向?qū)嵸|(zhì)沿第一方向D1(與/或曲率中心軸線A的延伸方向D2)延伸，即在本發(fā)明的范疇中。

請回到圖3與圖4。晶體管T21的柵極302與輸入單元220電性連接，輸入單元220用以輸出驅(qū)動控制電壓Qn至柵極302。晶體管T21的源極306用以電性連接至?xí)r脈信號源240，其中時脈信號源240提供時脈信號HC1。晶體管T21的漏極308與對應(yīng)的掃描線120電性連接，例如漏極308通過貫穿結(jié)構(gòu)262而連接至掃描線120。

輸入單元220包含晶體管T11與T12。晶體管T12的柵極312接收輸入信號Qn-2，而晶體管T12的源極316電性連接至?xí)r脈信號源250，其中時脈信號源250提供輸入信號HC3。輸入信號HC3與HC1可具有相同或相異的工作周期。晶體管T12的漏極318電性連接至晶體管T11的柵極322，例如漏極318通過貫穿結(jié)構(gòu)264而連接至柵極322，而晶體管T11的源極326接收輸入信號Gn-2，例如源極326通過貫穿結(jié)構(gòu)270而連接至連接線329，而輸入信號Gn-2通過連接線329與貫穿結(jié)構(gòu)270傳至源極326。晶體管T11的漏極328連接上拉單元225的晶體管T21的柵極302，例如漏極328通過貫穿結(jié)構(gòu)266而連接至柵極302，以輸出驅(qū)動控制電壓Qn至上拉單元225的晶體管T21。

上拉單元225的晶體管T21的漏極308與柵極302電性連接至下拉單元230。下拉單元230包含主下拉單元232、第一輔助下拉單元234與第二輔助下拉單元236。為了清楚起見，第二輔助下拉單元236未繪示于圖4中。主下拉單元232包含晶體管T31與T41。晶體管T31的柵極332與T41的柵極342接收輸入信號Gn+1，其中輸入信號Gn+1為圖3與圖4繪示的移位暫存器210的下一個移位暫存器所輸出的柵極信號。晶體管T31的源極336電性連接晶體管T21的漏極308，晶體管T31的漏極338電性連接低電源電壓VSS，晶體管T31的通道層334置于源極336和漏極338下以及柵極332上。晶體管T41的源極346電性連接晶體管T21的柵極302，例如源極346通過貫穿結(jié)構(gòu)268而連接至柵極302，晶體管T41的漏極348電性連接低電源電壓VSS。晶體管T41的通道層344置于源極346和漏極348下以及柵極342上。

在圖4中，源極336與源極346的形狀為多個I字型，而漏極338與漏極348的條狀部的形狀為U字型，然而在其他的實施方式中，源極336(346)與漏極338(348)的形狀可相反，或者皆為長條狀或其他合適的形狀，本發(fā)明不以此為限。另外，晶體管T31與T41可為頂柵型晶體管結(jié)構(gòu)或其他合適的晶體管結(jié)構(gòu)。

第一輔助下拉單元234包含晶體管T32、T42、T51、T52、T53與T54。為了清楚起見，圖4僅繪示晶體管T42。晶體管T32的柵極與晶體管T42的柵極352電性連接至晶體管T53的漏極與晶體管T54的源極。晶體管T32的源極通過一電容C而電性連接至晶體管T21的柵極302，并且與晶體管T21的漏極308電性連接。晶體管T32的漏極電性連接低電源電壓VSS。晶體管T42的源極356電性連接?xùn)艠O信號Gn，晶體管T42的漏極358電性連接至晶體管T21的柵極302，例如漏極358通過貫穿結(jié)構(gòu)272而連接至柵極302。晶體管T42的通道層354置于源極356和漏極358下以及柵極352上。晶體管T51的柵極電性連接晶體管T51的源極與晶體管T53的源極，并用以接收時脈信號LC1，晶體管T51的漏極電性連接晶體管T52的源極與晶體管T53的柵極。晶體管T52的柵極電性連接晶體管T54的柵極，并用以接收輸入信號Qn，晶體管T52的漏極與晶體管T54的漏極電性連接低電源電壓VSS。

在圖4中，源極356的形狀為多個U字型，而漏極358的條狀部的形狀為I字型，然而在其他的實施方式中，源極356與漏極358的形狀可相反，或者皆為長條狀或其他合適的形狀，本發(fā)明不以此為限。另外，晶體管T32、T51、T52、T53與T54可與晶體管T42具有相同或相異的晶體管結(jié)構(gòu)，晶體管T32、T42、T51、T52、T53與/或T54可為頂柵型晶體管結(jié)構(gòu)或其他合適的晶體管結(jié)構(gòu)。

第二輔助下拉單元236包含晶體管T33、T43、T61、T62、T63與T64，其中晶體管T43的線路布局可與圖4的晶體管T42相同。晶體管T33的柵極與晶體管T43的柵極電性連接至晶體管T63的漏極與晶體管T64的源極。晶體管T33的源極通過電容C而電性連接至晶體管T21的柵極302，并且與晶體管T21的漏極308電性連接。晶體管T33的漏極電性連接低電源電壓VSS。晶體管T43的源極電性連接?xùn)艠O信號Gn，晶體管T43的漏極電性連接至晶體管T21的柵極302。晶體管T61的柵極電性連接晶體管T61的源極與晶體管T63的源極，并用以接收時脈信號LC2，其中時脈信號LC2的相位可與時脈信號LC1的相位實質(zhì)相差180度。晶體管T61的漏極電性連接晶體管T62的源極與晶體管T63的柵極。晶體管T62的柵極電性連接晶體管T64的柵極，并用以接收輸入信號Qn，晶體管T62的漏極與晶體管T64的漏極電性連接低電源電壓VSS。

在一些實施方式中，晶體管T33、T43、T61、T62、T63與T64可與圖4的晶體管T42具有相同或相異的晶體管結(jié)構(gòu)?；蛘?，晶體管T33、T43、T61、T62、T63與/或T64可為頂柵型晶體管結(jié)構(gòu)或其他合適的晶體管結(jié)構(gòu)。

圖7為圖2的移位暫存器210根據(jù)另一實施方式的上視示意圖。圖7與圖4的不同處在于晶體管T11、T12、T31、T41與T42的方位。在圖7中，晶體管T11、T12、T31、T41與T42的方位實質(zhì)與晶體管T21相同，亦即圖4的晶體管T11、T12、T31、T41與T42皆旋轉(zhuǎn)了約90度或約270度。

詳細而言，請參照圖8A，其為圖7的區(qū)域N的放大圖。晶體管T11的源極326具有至少一條狀部327a，且漏極328具有至少一條狀部329a。舉例而言，在圖7中，源極326具有1個條狀部327a，且漏極328具有2個條狀部329a，然而本發(fā)明不以此為限。在其他的實施方式中，可依實際需求而選擇條狀部327a、329a的數(shù)量。圖8A中，兩相鄰的源極326的條狀部327a與漏極328的條狀部329a之間具有通道長度(Channel length)L2的延伸方向D8。通道長度L2為通道層324在電流(或電子流)的流動方向上的長度，在本文中為條狀部327a與329a之間的間距，而延伸方向D8即為條狀部327a與329a之間電流(或電子流)的流動方向。延伸方向D8沿第一方向D1，換言之，延伸方向D8與第一方向D1實質(zhì)平行或同方向。

從另一個角度來說明，源極326與漏極328之間更具有通道寬度(Channel width)W3，其為通道層324實質(zhì)上垂直于通道長度L2的方向上的寬度。以圖8A來看，通道長度L2的延伸方向D8沿著曲率中心軸線A(如圖7所示)的延伸方向D2(在此實施方式中亦為第一方向D1)所占通道寬度W3的比例為50％以上。具體而言，以圖8A來看，在區(qū)域P3與P4中，通道長度L2的延伸方向D8沿著第一方向D1(亦即延伸方向D2)，亦即在區(qū)域P3與P4中，延伸方向D8、第一方向D1與延伸方向D2實質(zhì)平行或同方向。區(qū)域P3與P4的長度之和(W4+W4)占通道寬度W3的50％以上。至于本實施方式的晶體管T11的其他細節(jié)因與晶體管T21相似，因此便不再贅述。另外，晶體管T12的晶體管結(jié)構(gòu)亦與T11相似，因此亦不再贅述。

請參照圖8B，其為圖7的區(qū)域O的放大圖。晶體管T31的源極336具有至少一條狀部337a，且漏極338具有至少一條狀部339a。舉例而言，在圖7中，源極336具有3個條狀部337a，且漏極338具有4個條狀部339a，然而本發(fā)明不以此為限。在其他的實施方式中，可依實際需求而選擇條狀部337a、339a的數(shù)量。圖8B中，兩相鄰的源極336的條狀部337a與漏極338的條狀部339a之間具有通道長度(Channel length)L3的延伸方向D9。通道長度L3為通道層334在電流(或電子流)的流動方向上的長度，在本文中為條狀部337a與339a之間的間距，而延伸方向D9即為條狀部337a與339a之間電流(或電子流)的流動方向。延伸方向D9沿第一方向D1，換言之，延伸方向D8與第一方向D1實質(zhì)平行或同方向。

從另一個角度來說明，源極336與漏極338之間更具有通道寬度(Channel width)W5，其為通道層334實質(zhì)上垂直于通道長度L3的方向上的寬度。以圖8B來看，通道長度L3的延伸方向D9沿著曲率中心軸線A(如圖7所示)的延伸方向D2(在此實施方式中亦為第一方向D1)所占通道寬度W5的比例為50％以上。具體而言，以圖8B來看，在區(qū)域P5與P6中，通道長度L3的延伸方向D9沿著第一方向D1(亦即延伸方向D2)，亦即在區(qū)域P5與P6中，延伸方向D9、第一方向D1與延伸方向D2實質(zhì)平行或同方向。區(qū)域P5與P6的長度之和(W6+W6)占通道寬度W5的50％以上。至于本實施方式的晶體管T31的其他細節(jié)因與晶體管T21相似，因此便不再贅述。另外，圖7的晶體管T41與T42的晶體管結(jié)構(gòu)亦與T21相似，因此亦不再贅述。

雖然在圖7中，晶體管T11、T12、T21、T31、T41與T42具有相同的方位，但在其他的實施方式中，晶體管T11、T12、T31、T32、T33、T41、T42、T43、T51、T52、T53、T54、T61、T62、T63與/或T64具有與晶體管T21實質(zhì)相同的方位，皆在本發(fā)明的范疇中。

請回到圖2。在一些實施方式中，陣列基板100為可撓式基板，亦即基板110為可撓式材質(zhì)，例如為聚亞酰胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞酰胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并惡唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述組合。陣列基板100可沿著曲率中心軸線A彎曲。

以下，將對于顯示裝置的比較例與上述的顯示裝置1的實施例進行比較與說明。圖9為比較例的移位暫存器的上視示意圖。在圖9中，曲率中心軸線A的延伸方向D2與第一方向D1(如圖4所示)為同方向。晶體管T21’包含柵極302’、通道層304’、源極306’與漏極308’。兩相鄰的源極306’的條狀部與漏極308’的條狀部之間具有通道長度的延伸方向D3’。延伸方向D3’與延伸方向D2實質(zhì)垂直。亦即，圖9的晶體管T21’相較于圖4的晶體管T21實質(zhì)旋轉(zhuǎn)約90度。至于圖9的其他細節(jié)與圖4相似，因此便不再贅述。

圖10A為圖4中具不同通道長度與通道寬度的晶體管T21于陣列基板彎曲前與彎曲后之開啟電流值的關(guān)系圖，且圖10B圖9中具不同通道長度與通道寬度的晶體管T21’于陣列基板彎曲前與彎曲后的開啟電流值的關(guān)系圖。A組與A’組實施例中，通道長度為約4.5微米，通道寬度為約100微米；B組與B’組實施例中，通道長度為約4.5微米，通道寬度為約500微米；C組與C’組實施例中，通道長度為約4.5微米，通道寬度為約1000微米。在各組實施例中，陣列基板未彎曲時實質(zhì)為平面狀，而陣列基板彎曲的曲率半徑為約2000毫米，源極與漏極之間的壓差為約15伏特，柵極與源極之間的壓差為約20伏特。

在圖10A中，陣列基板彎曲后，開啟電流會些微下降。通道寬度為100微米時，開啟電流約下降3％；通道寬度為500微米時，開啟電流約下降4％；而通道寬度為1000微米時，開啟電流約下降14％。另外，在圖10B的比較例中，陣列基板彎曲后，開啟電流的下降幅度較大。通道寬度為100微米時，開啟電流約下降6％；通道寬度為500微米時，開啟電流約下降7％；而通道寬度為1000微米時，開啟電流約下降18％。由上述數(shù)據(jù)可知，相對于比較例而言，當陣列基板具有晶體管T21的結(jié)構(gòu)時，開啟電流的損失較少，亦即本發(fā)明各實施例的晶體管結(jié)構(gòu)能夠有效地改善開啟電流損失。

雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求范圍所界定者為準。