1.一種OLED像素混合補償電路，其特征在于，包括呈陣列式排布的多個像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)、及電性連接每一列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)的外部補償電路(200)；
每一像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)均包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第一電容(C1)、及有機發(fā)光二極管(D1)；
第一薄膜晶體管(T1)的柵極電性連接第一節(jié)點(G)，源極電性連接第二節(jié)點(S)，漏極接入電源電壓(VDD)；
第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入第一掃描信號(Scan1)，源極接入數(shù)據(jù)信號(Data)，漏極電性連接第一節(jié)點(G)；
第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入第二掃描信號(Scan2)，源極接入初始化電壓(Vini)，漏極電性連接第一節(jié)點(G)；
第四薄膜晶體管(T4)的柵極接入第二掃描信號(Scan2)，源極接入初始化電壓(Vini)，漏極電性連接第二節(jié)點(S)；
第一電容(C1)的一端電性連接第一節(jié)點(G)，另一端電性連接第二節(jié)點(S)；
有機發(fā)光二極管(D1)的陽極電性連接第二節(jié)點(S)，陰極接地；
所述外部補償電路(200)包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)、電流比較器(220)、控制模塊(230)、存儲器(240)、及數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)；
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)的輸入端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第一薄膜晶體管(T1)的漏極，輸出端電性連接電流比較器(220)的輸入端；
電流比較器(220)的輸出端電性連接控制模塊(230)的輸入端；
控制模塊(230)的輸出端電性連接存儲器(240)的輸入端；
存儲器(240)的輸出端電性連接數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)的輸入端；
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)的輸出端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第二薄膜晶體管(T2)的源極。
2.如權利要求1所述的OLED像素混合補償電路，其特征在于，所述外部補償電路(200)還包括對應每一列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)設置的運算放大器(260)及第二電容(C2)；
所述運算放大器(260)的第一輸入端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第一薄膜晶體管(T1)的漏極，第二輸入端接地，輸出端電性連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)的輸入端；
所述第二電容(C2)的一端電性連接運算放大器(260)的第一輸入端，另一端電性連接運算放大器(260)的輸出端。
3.如權利要求1所述的OLED像素混合補償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、及第四薄膜晶體管(T4)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管；
所述第一掃描信號(Scan1)、及第二掃描信號(Scan2)均通過外部時序控制器提供。
4.如權利要求1所述的OLED像素混合補償電路，其特征在于，所述第一掃描信號(Scan1)、第二掃描信號(Scan2)、及數(shù)據(jù)信號(Data)相組合，先后對應于一復位階段(1)、一閾值電壓感測階段(2)、一閾值電壓編程階段(3)、及一驅(qū)動發(fā)光階段(4)；
在所述復位階段(1)，所述第一掃描信號(Scan1)提供低電位，所述第二掃描信號(Scan2)提供高電位，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供低電位；
在所述閾值電壓感測階段(2)，所述第一掃描信號(Scan1)提供高電位，所述第二掃描信號(Scan2)提供低電位，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供參考高電位(Vref)；
在所述閾值電壓編程階段(3)，所述第一掃描信號(Scan1)提供高電位，所述第二掃描信號(Scan2)提供低電位，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)；
在所述驅(qū)動發(fā)光階段(4)，所述第一掃描信號(Scan1)、第二掃描信號(Scan2)、及數(shù)據(jù)信號(Data)均提供低電位。
5.如權利要求4所述的OLED像素混合補償電路，其特征在于，所述參考高電位(Vref)低于顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)。
6.一種OLED像素混合補償方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供OLED像素混合補償電路；
所述OLED像素混合補償電路包括呈陣列式排布的多個像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)、及電性連接每一列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)的外部補償電路(200)；
每一像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)均包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第一電容(C1)、及有機發(fā)光二極管(D1)；
第一薄膜晶體管(T1)的柵極電性連接第一節(jié)點(G)，源極電性連接第二節(jié)點(S)，漏極接入電源電壓(VDD)；
第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入第一掃描信號(Scan1)，源極接入數(shù)據(jù)信號(Data)，漏極電性連接第一節(jié)點(G)；
第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入第二掃描信號(Scan2)，源極接入初始化電壓(Vini)，漏極電性連接第一節(jié)點(G)；
第四薄膜晶體管(T4)的柵極接入第二掃描信號(Scan2)，源極接入初始化電壓(Vini)，漏極電性連接第二節(jié)點(S)；
第一電容(C1)的一端電性連接第一節(jié)點(G)，另一端電性連接第二節(jié)點(S)；
有機發(fā)光二極管(D1)的陽極電性連接第二節(jié)點(S)，陰極接地；
所述外部補償電路(200)包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)、電流比較器(220)、控制模塊(230)、存儲器(240)、及數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)；
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)的輸入端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第一薄膜晶體管(T1)的漏極，輸出端電性連接電流比較器(220)的輸入端；
電流比較器(220)的輸出端電性連接控制模塊(230)的輸入端；
控制模塊(230)的輸出端電性連接于存儲器(240)的輸入端；
存儲器(240)的輸出端電性連接于數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)的輸入端；
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)的輸出端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第二薄膜晶體管(T2)的源極；
步驟2、進入復位階段(1)；
所述第一掃描信號(Scan1)提供低電位，第二薄膜晶體管(T2)關閉，所述第二掃描信號(Scan2)提供高電位，第三、及第四薄膜晶體管(T3、T4)打開，初始化電壓(Vini)寫入第一節(jié)點(G)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極和第二節(jié)點(S)即第一薄膜晶體管(T1)的源極，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供低電位；
步驟3、進入閾值電壓感測階段(2)；
所述第一掃描信號(Scan1)提供高電位，第二薄膜晶體管(T2)打開，所述第二掃描信號(Scan2)提供低電位，第三、及第四薄膜晶體管(T3、T4)關閉，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供參考高電位(Vref)，第一節(jié)點(G)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極寫入?yún)⒖几唠娢?Vref)，第二節(jié)點(S)即第一薄膜晶體管(T1)的源極的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)閂ref-Vth，其中Vth為第一薄膜晶體管(T1)的閾值電壓；
步驟4、進入閾值電壓編程階段(3)；
所述第一掃描信號(Scan1)提供高電位，第二薄膜晶體管(T2)打開，所述第二掃描信號(Scan2)提供低電位，第三、及第四薄膜晶體管(T3、T4)關閉，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)，第一節(jié)點(G)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極寫入顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)，第二節(jié)點(S)即第一薄膜晶體管(T1)的源極的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)閂ref-Vth+ΔV，ΔV為顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)對第二節(jié)點(S)的電位所產(chǎn)生的影響；
步驟5、進入驅(qū)動發(fā)光階段(4)；
所述第一掃描信號(Scan1)、第二掃描信號(Scan2)、及數(shù)據(jù)信號(Data)均提供低電位，第二、第三、及第四薄膜晶體管(T2、T3、T4)均關閉，由于第一電容(C1)的存儲作用，第一節(jié)點(G)與第二節(jié)點(S)之間的壓差保持不變，所述有機發(fā)光二極管(D1)發(fā)光，且流經(jīng)所述有機發(fā)光二極管(D1)的電流與第一薄膜晶體管(T1)的閾值電壓無關；
所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)同時接收對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)的流經(jīng)有機發(fā)光二極管(D1)的電流，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)進行模數(shù)轉(zhuǎn)換得到實際電流感測信號，電流比較器(220)將實際電流感測信號與預定電流對應信號進行比較，控制模塊(230)計算實際電流感測信號與預定電流對應信號的差異值，并將該差異值存儲于存儲器(240)；
步驟6、對應像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)再次進入閾值電壓編程階段(3)時，存儲器(240)輸出所述差異值至數(shù)模轉(zhuǎn)換器(250)進行數(shù)模轉(zhuǎn)換，對數(shù)據(jù)信號(Data)進行補償。
7.如權利要求6所述的OLED像素混合補償方法，其特征在于，所述外部補償電路(200)還包括對應每一列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)設置的運算放大器(260)及第二電容(C2)；
所述運算放大器(260)的第一輸入端電性連接對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)中第一薄膜晶體管(T1)的漏極，第二輸入端接地，輸出端電性連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)的輸入端；
所述第二電容(C2)的一端電性連接運算放大器(260)的第一輸入端，另一端電性連接運算放大器(260)的輸出端；
所述步驟5中，對應列像素內(nèi)部驅(qū)動電路(100)的流經(jīng)有機發(fā)光二極管(D1)的電流經(jīng)運算放大器(260)放大后輸出至模數(shù)轉(zhuǎn)換器(210)的輸入端。
8.如權利要求6所述的OLED像素混合補償方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、及第四薄膜晶體管(T4)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管；
所述第一掃描信號(Scan1)、及第二掃描信號(Scan2)均通過外部時序控制器提供。
9.如權利要求6所述的OLED像素混合補償方法，其特征在于，所述參考高電位(Vref)低于顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)。