本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素電路的驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機(jī)材料就會發(fā)光。由于AMOLED面板是電流驅(qū)動，對電壓的變化非常敏感，特別是閾值電壓Vth漂移容易造成面板顯示不均，因此AMOLED像素補償電路顯得尤為重要。AMOLED像素電路可以補償閾值電壓的漂移，提高OLED面板顯示的均勻性。

隨著低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)半導(dǎo)體薄膜晶體管的發(fā)展，而且由于LTPS半導(dǎo)體本身超高載流子遷移率的特性，相應(yīng)的面板周邊集成電路也成為大家關(guān)注的焦點，并且很多人投入到系統(tǒng)面板(System on Panel，SOP)的相關(guān)技術(shù)研究，并逐步成為現(xiàn)實。。在面板設(shè)計中，為降低驅(qū)動芯片(IC)與覆晶薄膜(Chip On Film，COF)成本，通常采用的demux電路設(shè)計。

在一般的OLED中，數(shù)據(jù)線Data通過demux電路進(jìn)行信號輸入的時序圖設(shè)計中，在Data信號輸入前不對AA區(qū)data信號進(jìn)行復(fù)位，AA區(qū)data信號在demux data給電前保持floating電位，scan信號打開時，該floating電位容易錯充入sub pixel像素電路中，產(chǎn)生畫面顯示異常的風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種柵極驅(qū)動電路，能夠有效的防止電位錯充而產(chǎn)生畫面顯示異常。

本發(fā)明提供一種像素電路的驅(qū)動方法，包括：接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，并根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位；根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號向像素單元充電至目標(biāo)電位；接收控制信號控制像素單元根據(jù)目標(biāo)電位顯示對應(yīng)的灰階。

其中，像素單元包括R、G、B三個子像素，對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位的步驟包括：根據(jù)接收的數(shù)據(jù)線控制信號同時對R、G、B三個子像素進(jìn)行復(fù)位。

其中，向像素單元充電至目標(biāo)電位的步驟包括：依次分別向R、G、B三個子像素充電至對應(yīng)的目標(biāo)電位。

其中，像素電路包括第一MOS管，第一MOS管的柵極接數(shù)據(jù)線選擇信號，漏極接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，源極接數(shù)據(jù)線；接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，并根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位的步驟包括：數(shù)據(jù)線選擇信號控制第一MOS管導(dǎo)通，驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號通過第一MOS管輸入至數(shù)據(jù)線，并對數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位。

其中，像素電路包括R、G、B三個子像素電路，每個子像素電路還包括第二MOS管、第三MOS管以及第一MOS管單元，第二MOS管的柵極接第一掃描信號，漏極與第三MOS管的漏極連接，第三MOS管的柵極和源極與第一MOS管單元連接，第一MOS管單元還接第一掃描信號，其中第三MOS管的柵極的電位為子像素的電位；根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號向像素單元充電至目標(biāo)電位的步驟包括：依次針對R、G、B子像素，第一掃描信號控制第二MOS管和第一MOS管單元導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線選擇信號控制第一MOS管導(dǎo)通；驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號通過第一MOS管和第二MOS管對子像素進(jìn)行充電至目標(biāo)電位。

其中，第一MOS管單元包括第四MOS管和第五MOS管，第四MOS管和第五MOS管的柵極接第一掃描信號，第四MOS管的漏極與第三MOS管的柵極連接，源極與第五MOS管的漏極連接，第五MOS管的源極與第三MOS管的源極連接；第一掃描信號控制第一MOS管單元導(dǎo)通的步驟包括：第一掃描信號控制第四MOS管和第五MOS管同時導(dǎo)通。

其中，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管為PMOS管。

其中，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管為NMOS管。

其中，每個子像素電路還包括第六MOS管以及第七M(jìn)OS管，第六MOS管和第七M(jìn)OS管的柵極接控制信號，第六MOS管的漏極接第一參考電壓，源極與第三MOS管的漏極連接，第七M(jìn)OS管的漏極與第三MOS管的源極連接，源極與發(fā)光二極管的正極連接，發(fā)光二極管的負(fù)極接第二參考電壓；接收控制信號控制像素單元根據(jù)目標(biāo)電位顯示對應(yīng)的灰階的步驟包括：控制信號控制第六MOS管和第七M(jìn)OS管導(dǎo)通，發(fā)光二極管根據(jù)目標(biāo)電位形成的電流發(fā)光，顯示對應(yīng)的灰階。

其中，每個子像素電路還包括第八MOS管以及第九MOS管，第八MOS管和第九MOS管的柵極接第二掃描信號，第八MOS管的漏極與第三MOS管的柵極連接，第八MOS的源極與第九MOS管的漏極連接，第九MOS管的源極接復(fù)位信號；接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號的步驟之前，第二掃描信號控制第八MOS管和第九MOS管導(dǎo)通，復(fù)位信號傳輸至第三MOS管的柵極并進(jìn)行復(fù)位。

通過上述方案，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，并根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位；根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號向像素單元充電至目標(biāo)電位；接收控制信號控制像素單元根據(jù)目標(biāo)電位顯示對應(yīng)的灰階，能夠有效的防止電位錯充而產(chǎn)生畫面顯示異常。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明實施例的像素電路驅(qū)動方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例的像素電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明實施例的子像素電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖4是本發(fā)明實施例的像素電路的時序圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1-3，圖1是本發(fā)明實施例的像素電路驅(qū)動方法的流程示意圖，圖2是本發(fā)明實施例的像素電路的結(jié)構(gòu)圖，圖3是本發(fā)明實施例的子像素電路的結(jié)構(gòu)圖。像素電路驅(qū)動方法包括：

步驟S10：接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，并根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位。

在本發(fā)明實施例中，像素單元包括R、G、B三個子像素。對應(yīng)地，在步驟S10中，根據(jù)接收的數(shù)據(jù)線控制信號同時對R、G、B三個子像素進(jìn)行復(fù)位。具體地，數(shù)據(jù)線在向像素單元充電之前，接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，使數(shù)據(jù)線復(fù)位，從而保證了在像素單元在下一時刻能夠防止電位錯充而產(chǎn)生畫面顯示異常。

步驟S11：根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號向像素單元充電至目標(biāo)電位。

在步驟S11中，依次分別向R、G、B三個子像素充電至對應(yīng)的目標(biāo)電位。參見圖2，在本發(fā)明實施例中，像素單元成矩陣排列，與掃描線和數(shù)據(jù)線連接。每個像素單元的像素電路包括R、G、B三個子像素電路，每個子像素電路共用一條掃描線，不同的子像素對應(yīng)不同的數(shù)據(jù)線。像素電路包括第一MOS管T1，第一MOS管T1的柵極接數(shù)據(jù)線選擇信號，漏極接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC，源極接數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線選擇信號控制第一MOS管T1導(dǎo)通時，驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC通過第一MOS管T1輸入至數(shù)據(jù)線，并對數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位。

進(jìn)一步參見圖2，像素電路包括R、G、B三個子像素電路，以一像素單元中的R子像素電路為例，每個子像素電路10還包括第二MOS管T2、第三MOS管T3以及第一MOS管單元101，第二MOS管的柵極接第一掃描信號Scan(n)，漏極與第三MOS管T3的漏極連接，第三MOS管T3的柵極和源極與第一MOS管單元101連接，第一MOS管單元101還接第一掃描信號Scan(n)，其中第三MOS管T3的柵極的電位為子像素的電位。

在步驟S11中，依次針對R、G、B子像素，第一掃描信號Scan(n)控制第二MOS管T2和第一MOS管單元101導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線選擇信號控制第一MOS管T1導(dǎo)通；驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC通過第一MOS管T1和第二MOS管T2對子像素進(jìn)行充電至目標(biāo)電位。具體地，在第一掃描信號Scan(n)控制R、G、B子像素中的第二MOS管T2導(dǎo)通時，首先數(shù)據(jù)線選擇信號Mux R控制R子像素對應(yīng)的第一MOS管T1導(dǎo)通，驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC通過R子像素中的第一MOS管T1和第二MOS管T2對R子像素進(jìn)行充電至目標(biāo)電位。然后數(shù)據(jù)線選擇信號Mux G控制G子像素對應(yīng)的第一MOS管T1導(dǎo)通，驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC通過G子像素中的第一MOS管T1和第二MOS管T2對G子像素進(jìn)行充電至目標(biāo)電位。最后數(shù)據(jù)線選擇信號Mux B控制B子像素對應(yīng)的第一MOS管T1導(dǎo)通，驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC通過B子像素中的第一MOS管T1和第二MOS管T2對B子像素進(jìn)行充電至目標(biāo)電位。其中，目標(biāo)電位為數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC的電位與與第三MOS管的閾值電壓Vth之和。

在本發(fā)明實施例中，第一MOS管單元101包括第四MOS管T4和第五MOS管T5，第四MOS管T4和第五MOS管T5的柵極接第一掃描信號Scan(n)，第四MOS管T4的漏極與第三MOS管T3的柵極連接，源極與第五MOS管T5的漏極連接，第五MOS管T5的源極與第三MOS管T3的源極連接。第一掃描信號Scan(n)控制第一MOS管單元101導(dǎo)通時，第一掃描信號Scan(n)需要控制第四MOS管T4和第五MOS管T5同時導(dǎo)通。當(dāng)然在本發(fā)明的其他實施例中，第一MOS管單元101也可以只包括一個MOS管即可。

另外，在本發(fā)明實施例中，第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3、第四MOS管T4以及第五MOS管T5可以為PMOS管。第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3、第四MOS管T4以及第五MOS管T5也可以為NMOS管。

步驟S12：接收控制信號控制像素單元根據(jù)目標(biāo)電位顯示對應(yīng)的灰階。

在本發(fā)明實施例中，每個子像素電路還包括第六MOS管T6以及第七M(jìn)OS管T7，第六MOS管T6和第七M(jìn)OS管T7的柵極接控制信號EM，第六MOS管T6的漏極接第一參考電壓VDD，源極與第三MOS管T3的漏極連接，第七M(jìn)OS管T7的漏極與第三MOS管T3的源極連接，源極與發(fā)光二極管OLED的正極連接，發(fā)光二極管OLED的負(fù)極接第二參考電壓。

在步驟S12中，控制信號EM控制第六MOS管T6和第七M(jìn)OS管T7導(dǎo)通，發(fā)光二極管OLED根據(jù)目標(biāo)電位形成的電流發(fā)光，顯示對應(yīng)的灰階。

在本發(fā)明實施例中，每個子像素電路10還包括第八MOS管T8以及第九MOS管T9，第八MOS管T8和第九MOS管T9的柵極接第二掃描信號Scan(n+1)，第八MOS管T8的漏極與第三MOS管T3的柵極連接，第八MOS管T8的源極與第九MOS管T9的漏極連接，第九MOS管T9的源極接復(fù)位信號VI。對應(yīng)地，在步驟S10之前，第二掃描信號Scan(n+1)控制第八MOS管T8和第九MOS管T9導(dǎo)通，復(fù)位信號VI傳輸至第三MOS管T3的柵極并進(jìn)行復(fù)位。

圖4是本發(fā)明實施例的像素電路的時序圖。對應(yīng)的像素電路參見圖2-3，其中，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管T8、第七M(jìn)OS管T9、第八MOS管T10以及第九MOS管T11可以為PMOS管。

如圖4所示，該時序的工作過程如下：

先將數(shù)據(jù)線選擇信號Mux R、Mux G、Mux B同時打開時，數(shù)據(jù)線控制信號data from IC將R、G、B三個子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R、Data-G、Data-B復(fù)位為復(fù)位信號VI。然后第一掃描信號scan(n)信號變?yōu)榈碗娖?，?shù)據(jù)線選擇信號Mux R為低電平時，數(shù)據(jù)線控制信號Data from IC給第n行的R子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R進(jìn)行充電，R子像素中第三MOS管T3的柵極Red(n)G的電位變?yōu)閂_Data-R+Vth；然后，數(shù)據(jù)線選擇信號Mux G變?yōu)榈碗娖?，?shù)據(jù)線控制信號Data from IC給第n行的G子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-G進(jìn)行充電，G子像素中第三MOS管T3的柵極Green(n)G的電位變?yōu)閂_Data-G+Vth；然后，數(shù)據(jù)線選擇信號Mux B變?yōu)榈碗娖剑瑪?shù)據(jù)線控制信號Data from IC給第n行的B子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-B進(jìn)行充電，B子像素中第三MOS管T3的柵極Blue(n)G的電位變?yōu)閂_Data-B+Vth，如此完成了第n行R、G、B子像素的充電，將R、G、B子像素都充電到了目標(biāo)電位。在接下來給n+1行充電前，又將數(shù)據(jù)線選擇信號Mux R、Mux G、Mux B同時打開，數(shù)據(jù)線控制信號data from IC將R、G、B三個子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R、Data-G、Data-B復(fù)位為復(fù)位信號VI。之后，控制信號EM控制第六MOS管T6和第七M(jìn)OS管T7導(dǎo)通，發(fā)光二極管OLED根據(jù)目標(biāo)電位形成的電流發(fā)光，顯示對應(yīng)的灰階。

此時，R、G、B三個子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R、Data-G、Data-B存在浮點電位V_floating較高，如果下一周期直接對進(jìn)行R、G、B三個子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R、Data-G、Data-B進(jìn)行充電，若數(shù)據(jù)線Data-G需要充電的電位V_Data-G小于V_floating，則會導(dǎo)致無法充電，數(shù)據(jù)線Data-G仍維持在浮點電位V_floating，進(jìn)而使得該周期G子像素達(dá)不到目標(biāo)電位V_Data-G+Vth，而維持在充電電位V_floating+Vth。V_Data-G越小，灰階越高，該現(xiàn)象越明顯。

因此，在本發(fā)明實施例中，當(dāng)scan(n+1)信號變?yōu)榈碗娖降耐瑫r，數(shù)據(jù)線選擇信號Mux R也變?yōu)榈碗娖?，?shù)據(jù)線控制信號Data from IC給第n+1行的R子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-R進(jìn)行充電，第n+1行的R子像素中第三MOS管T3的柵極Red(n)G的電位變?yōu)閂_Data-R+Vth。此時G子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-G、B子像素對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Data-B都為復(fù)位信號VI，是很低的電平，將不會有G子像素中第三MOS管T3的柵極Green(n+1)G或者B子像素中第三MOS管T3的柵極Blue(n+1)G錯充為電位V_floating+Vth的情況。如此，在本時序中，每個子像素都能正常地充電到目標(biāo)電位，能夠有效的防止電位錯充而產(chǎn)生畫面顯示異常，畫面顯示質(zhì)量大幅提高。

其中，圖4中虛線部分為浮點電位V_floating，其具體值不確定，與前一周期對應(yīng)子像素顯示的灰階相關(guān)。

綜上所述，本發(fā)明通過接收驅(qū)動芯片輸入的數(shù)據(jù)線控制信號，并根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號對像素單元的數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)位；根據(jù)數(shù)據(jù)線控制信號向像素單元充電至目標(biāo)電位；接收控制信號控制像素單元根據(jù)目標(biāo)電位顯示對應(yīng)的灰階，能夠有效的防止電位錯充而產(chǎn)生畫面顯示異常。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。