本公開涉及一種其中發(fā)光器件和驅(qū)動器件一起安裝在像素中的顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來，已經(jīng)研發(fā)出顯示裝置，其中發(fā)光器件和驅(qū)動這樣的發(fā)光器件的驅(qū)動集成電路(ic)一起安裝在單個像素中(例如，參見ptl1)。在這樣的顯示裝置中，各種類型的半導(dǎo)體器件(諸如發(fā)光器件和驅(qū)動ic)在臨時基板上形成并包封，并隨后利用轉(zhuǎn)印技術(shù)、硅通孔(tsv)技術(shù)、或任何其它等同技術(shù)進(jìn)行器件間耦接。如此形成的器件基板被安裝在印刷電路板(諸如內(nèi)插器)上。

引用列表

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本未審查專利公開第2002-182580號

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在如上所述的顯示裝置中，特別是隨著小型化的發(fā)展，發(fā)光器件與驅(qū)動ic之間的間隔可變窄，并且從發(fā)光器件發(fā)射的光的一部分更可能被驅(qū)動ic漸暈(阻擋)。因此，視角可變窄，從而導(dǎo)致顯示性能下降的問題。

因此，期望提供一種顯示裝置，使得可以實現(xiàn)小型化同時抑制在包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件的器件結(jié)構(gòu)中的顯示性能下降。

提供了根據(jù)本公開的一個實施方式的顯示裝置，該顯示裝置在基板上并具有第一布線層和器件部。器件部具有多個像素。器件部在像素中的每個像素內(nèi)包括發(fā)光器件部和驅(qū)動器件。發(fā)光器件部包括發(fā)光器件和發(fā)光表面。驅(qū)動器件驅(qū)動發(fā)光器件部，并且通過第一布線層電耦接至發(fā)光器件部。發(fā)光器件部的發(fā)光表面的端部布置在與驅(qū)動器件的上端等高的位置處或布置在比該上端高的位置處。

在根據(jù)本公開的一個實施方式的顯示裝置中，第一布線層和具有多個像素的器件部設(shè)置在基板上，并且器件部在像素中的每個像素內(nèi)包括包含一個或多個發(fā)光器件的發(fā)光器件部、和驅(qū)動發(fā)光器件部的驅(qū)動器件。通過使發(fā)光器件部的發(fā)光表面的端部布置在與驅(qū)動器件的上端等高的位置處或布置在比該上端高的位置處的方式，從發(fā)光器件部發(fā)射的光不太可能在驅(qū)動器件的上端處漸暈。

根據(jù)本公開的一個實施方式的顯示裝置，第一布線層和具有多個像素的器件部設(shè)置在基板上，并且器件部在像素中的每個像素內(nèi)包括包含一個或多個發(fā)光器件的發(fā)光器件部、和驅(qū)動發(fā)光器件部并通過第一布線層電耦接至發(fā)光器件部的驅(qū)動器件。發(fā)光器件部的發(fā)光表面的端部布置在與驅(qū)動器件的上端等高的位置處或布置在比該上端高的位置處，這使得可以抑制從發(fā)光器件部發(fā)射的光的漸暈和所導(dǎo)致的視角變窄。因此，可以實現(xiàn)小型化同時抑制在包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件的器件結(jié)構(gòu)中的顯示性能下降。

應(yīng)當(dāng)注意，前述技術(shù)內(nèi)容僅僅是本公開的實例。根據(jù)本公開實施方式的效果不限制于在下文中描述的效果。本公開可具有與上述效果不同的效果，或者可以另外具有除上述效果之外的其他效果。

附圖說明

[圖1]是示出根據(jù)本公開的第一實施方式的顯示裝置的外形配置的示意圖。

[圖2]是示出圖1中所示器件部的配置實例的示意圖。

[圖3]是圖1和圖2中所示的器件部的安裝實例的截面圖。

[圖4a]是按照工藝的順序示出形成圖2中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖4b]是示出在圖4a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖4c]是示出在圖4b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖4d]是示出在圖4c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖4e]是示出在圖4d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖4f]是示出在圖4e中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖5]是用于描述根據(jù)比較實例1的器件部的工作的示意圖。

[圖6]是用于描述圖2中所示的器件部的工作的示意圖。

[圖7]是示出根據(jù)本公開的第二實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖8a]是按照工藝的順序示出形成圖7中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖8b]是示出在圖8a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖8c]是示出在圖8b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖8d]是示出在圖8c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖8e]是示出在圖8d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖8f]是示出在圖8e中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖9]是示出根據(jù)本公開的第三實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖10]是示出圖9中所示的高折射率層的設(shè)計參數(shù)的示意圖。

[圖11a]是按照工藝的順序示出形成圖9中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖11b]是示出在圖11a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖11c]是示出在圖11b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖11d]是示出在圖11c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖11e]是示出在圖11d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖11f]是示出在圖11e中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖12a]是示出根據(jù)本公開的第四實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖12b]是放大圖12a的一部分的示意圖。

[圖13a]是按照工藝的順序示出形成圖12中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖13b]是示出在圖13a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13c]是示出在圖13b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13d]是示出在圖13c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13e]是示出在圖13d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13f]是示出在圖13e中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13g]是示出在圖13f中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13h]是示出在圖13g中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13i]是示出在圖13h中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13j]是示出在圖13i中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖13k]是示出在圖13j中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖14]是示出根據(jù)本公開的第五實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖15a]是按照工藝的順序示出形成圖14中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖15b]是示出在圖15a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖15c]是示出在圖15b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖15d]是示出在圖15c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖15e]是示出在圖15d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖16]是用于描述根據(jù)比較實例1的器件部的工作的示意圖。

[圖17]是用于描述圖14中所示的器件部的工作的示意圖。

[圖18]是示出根據(jù)本公開的第六實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖19a]是按照工藝的順序示出形成根據(jù)比較實例2的器件部的方法的示意圖。

[圖19b]是示出在圖19a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖19c]是示出在圖19b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20a]是按照工藝的順序示出形成圖18中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖20b]是示出在圖20a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20c]是示出在圖20b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20d]是示出在圖20c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20e]是示出在圖20d中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20f]是示出在圖20e中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖20g]是示出在圖20f中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖21]是示出根據(jù)本公開的第七實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖22a]是按照工藝的順序示出形成圖21中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖22b]是示出在圖22a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖23]是示出根據(jù)變形例1的器件部的配置的示意圖。

[圖24]是示出根據(jù)本公開的第八實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖25]是示出圖24中所示的器件部的關(guān)鍵部分配置的平面示意圖。

[圖26]是示出根據(jù)本公開的第九實施方式的器件部的配置的示意圖。

[圖27a]是按照工藝的順序示出形成圖26中所示的器件部的方法的示意圖。

[圖27b]是示出在圖27a中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖27c]是示出在圖27b中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖27d]是示出在圖27c中所示的工藝之后的工藝的示意圖。

[圖28]是示出根據(jù)變形例2-1的器件部的配置的示意圖。

[圖29]是示出根據(jù)變形例2-2的器件部的配置的示意圖。

[圖30]是示出根據(jù)變形例2-3的器件部的配置的示意圖。

具體實施方式

在下文中參考附圖詳細(xì)描述本公開的一些實施方式。應(yīng)當(dāng)注意，描述按照以下順序給出。

1.第一實施方式(其中絕緣膜形成在發(fā)光器件下方、并且發(fā)光表面設(shè)置在比驅(qū)動器件高的位置處的顯示裝置的實例，)

2.第二實施方式(其中驅(qū)動器件形成在凹部中、并且發(fā)光表面設(shè)置在比驅(qū)動器件高的位置處的顯示裝置的實例)

3.第三實施方式(其中設(shè)置覆蓋發(fā)光器件的高折射率層、并且發(fā)光表面設(shè)置在比驅(qū)動器件高的位置處的顯示裝置的實例)

4.第四實施方式(發(fā)光器件被形成以埋入在驅(qū)動器件中的情況的實例)

5.第五實施方式(驅(qū)動器件具有錐形形狀的情況的實例)

6.第六實施方式(驅(qū)動器件具有梯形的截面形狀的情況的實例)

7.第七實施方式(發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間的連接布線線路也用作遮光層的情況的實例)

8.變形例1(發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間的連接布線線路的另一個實例)

9.第八實施方式(疊加在驅(qū)動器件上的籽晶層也用作遮光層的情況的實例)

10.第九實施方式(遮光樹脂層形成以埋入在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間的情況的實例)

11.變形例2-1至2-3(遮光層的其他實例)

[1.第一實施方式]

[配置]

圖1示出根據(jù)本公開的第一實施方式的顯示裝置(顯示裝置1)的總體配置。圖2示意性地示出器件部10a的配置的實例。應(yīng)當(dāng)注意，圖2示出在脫離之前(在形成再布線層15之前)器件部10a形成在臨時基板(第二基板110)上而非第一基板10上而使粘合層(脫離層120)介于其間的狀態(tài)。圖3是其中器件部10a安裝在第一基板10上的配置實例的截面圖。

顯示裝置1是發(fā)光裝置，其中包括一個或多個發(fā)光器件11r、11g和11b(在不需要彼此具體區(qū)分的情況下被稱為發(fā)光器件11a)的發(fā)光器件部11、和驅(qū)動發(fā)光器件部11的驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。包括發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12的器件部10a安裝在第一基板10上而使再布線層15和結(jié)14介于其間。在顯示裝置1中，器件部10a可以形成在例如未示出的臨時基板上，并且然后使用轉(zhuǎn)印技術(shù)(transcriptiontechnique)、tsv技術(shù)、或任何其他等同技術(shù)形成再布線層15，以形成器件間布線線路連接。

例如，第一基板10可以包括印刷電路板，諸如內(nèi)插器。器件部10a從臨時基板脫離，并且在使用tsv技術(shù)、或任何其他等同技術(shù)形成再布線層15之后安裝在第一基板10上。第一基板10對應(yīng)于本公開的一個實施方式中的“基板”的具體實例。

例如，發(fā)光器件部11包括分別發(fā)射紅色(r)、綠色(g)、和藍(lán)色(b)的彩色光束的發(fā)光器件11r、11g、和11b。這些發(fā)光器件11r、11g、和11b中的每一個可由例如發(fā)光二極管(led)配置，并且在器件部10a的內(nèi)部并排布置。發(fā)光器件11r、11g、和11b可以形成為范圍為例如從幾微米到幾百微米的寬度，并以窄且小的間隔布置。

驅(qū)動器件12是驅(qū)動ic，并且可以包括含有例如ic芯片的硅(si)層(si層12a)和使用例如生產(chǎn)線后端(beol)技術(shù)形成的多層布線層(布線層12b)，如圖3所示。驅(qū)動器件12與發(fā)光器件部11并排布置在器件部10a的內(nèi)部。驅(qū)動器件12與發(fā)光器件11a之間的間隔也是窄且小的。

在器件部10a中，發(fā)光器件部11和驅(qū)動器件12被密封層13密封。密封層13由例如無機(jī)絕緣膜(諸如氧化硅膜和氮化硅膜)構(gòu)成，并且可以是單層膜，或者可以是層壓膜。此外，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12經(jīng)由粘合層14a和14b與底層(諸如絕緣膜15s、透明絕緣膜130、和布線層16)接合。

結(jié)14用于焊接再布線層15和第一基板10。結(jié)14可以由含有例如錫(sn)、銅(cu)、銀(ag)、或任何其他金屬元素的合金制成。

再布線層15是多層布線層，其包括例如用于發(fā)光器件部11中的發(fā)光器件11a中的每一個與驅(qū)動器件12之間的電耦接的布線線路、用于發(fā)光器件11a與結(jié)14之間的電耦接的布線線路、用于驅(qū)動器件12與結(jié)14之間的電耦接的布線線路、或任何其它布線線路。在形成器件部10a之后，再布線層15通過諸如脫離工藝的工藝形成為與器件部10a相鄰。再布線層15對應(yīng)于本公開的一個實施方式中的“第一布線層”的具體實例。

在本實施方式中，如圖2所示，在如上所述的器件部10a中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或設(shè)置在比上端e2高的位置處。這里，配置發(fā)光器件部11的發(fā)光器件11a的頂表面(例如，發(fā)光二極管芯片的頂表面)用作發(fā)光表面s1，并且發(fā)光表面s1的端部e1布置在比驅(qū)動器件12的上端e2高的位置處(端部e1的高度p1>端部e2的高度p2)。

更具體地，在發(fā)光器件部11中，絕緣膜15s(第一絕緣膜)形成在發(fā)光器件11a下方。換句話說，絕緣膜15s形成在發(fā)光器件11a的第二基板110(第一基板10)的側(cè)面上。絕緣膜15s的厚度和發(fā)光器件11a的厚度的總和大于或等于驅(qū)動器件12的厚度。例如，絕緣膜15s由透明樹脂(諸如硅樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、和環(huán)氧樹脂)制成?？商鎿Q地，例如，絕緣膜15s可以由無機(jī)透明材料(諸如氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜)制成。設(shè)置絕緣膜15s的厚度使得能夠調(diào)節(jié)發(fā)光表面s1的高度p2。

[制造方法]

例如，可以以下面的方式形成顯示裝置1的器件部10a。圖4a至圖4f分別是按照工藝的順序示出形成器件部10a的方法的示意圖。

首先，如圖4a所示，脫離層120和透明絕緣膜130(第二絕緣膜)按此順序形成在第二基板110上。然后，如圖4b所示，例如，通過使用光刻技術(shù)的蝕刻，在透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域處形成絕緣膜15s。此時，執(zhí)行處理以確保絕緣膜15s的側(cè)表面具有錐形形狀15a。接下來，如圖4c所示，形成布線層16。絕緣膜15s的錐形形狀15a使得可以抑制布線層16的斷開。應(yīng)當(dāng)注意，為了簡單起見，在圖2中省略布線層16。

然后，如圖4d所示，在絕緣膜15s上的區(qū)域處形成粘合層14a，并且在透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域處形成粘合層14b。接下來，如圖4e所示，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12分別接合(轉(zhuǎn)印)在粘合層14a和14b上。最后，如圖4f所示，密封層13形成以覆蓋發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12。以這種方式，形成器件部10a。以下工藝沒有具體示出；然而，第二基板110和對置基板接合在一起而使器件部10a介于其間，并且然后使用脫離層120使第二基板110從透明絕緣膜130脫離。再布線層15和結(jié)14形成在器件部10a的透明絕緣膜130的側(cè)面上，并被焊接在第一基板10上。上述工藝使得可以制造圖1所示的顯示裝置1。

[工作與效果]

在本實施方式的顯示裝置1中，基于從外部輸入的圖像信號，從未示出的驅(qū)動電路向每個像素供應(yīng)圖像電壓。這使得像素是顯示驅(qū)動的，從而允許顯示圖像。

這里，在顯示裝置1的器件部10a中，包括發(fā)光器件11a的發(fā)光器件部11和驅(qū)動發(fā)光器件部11的驅(qū)動器件12一起布置在單個像素中。因此，發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間的間隔相對窄。具體地，隨著小型化的發(fā)展，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12布置在從幾微米到幾百微米的近距離范圍內(nèi)。

圖5示出根據(jù)比較實例1的器件部101a的結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)注意，在該比較實例中，圖5示出器件部101a形成在第二基板101上而使脫離層102介于其間的狀態(tài)。在器件部101a中，發(fā)光器件105布置在透明絕緣膜103上而使粘合層104a介于其間，并且驅(qū)動器件106布置為使粘合層104b介于其間。這里，在尺寸上發(fā)光器件105通常小于驅(qū)動器件106。因此，在比較實例1的器件部101a中，發(fā)光表面s100布置在比驅(qū)動器件106的上端e102低的位置處。在這種情況下，從發(fā)光表面s100發(fā)射的光的一部分(在范圍x1中的光)在驅(qū)動器件106的上端e102處漸暈(vignette)(阻擋)。結(jié)果，在器件部101a安裝在印刷電路板或任何其他布線板上的情況下，從發(fā)光器件105發(fā)射的光的一部分被驅(qū)動器件106阻擋，導(dǎo)致視角變窄。

相反，在本實施方式中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處，如圖6所示。更具體地，絕緣膜15s設(shè)置在發(fā)光器件11a的基板側(cè)上。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)小型化同時抑制在包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件的器件結(jié)構(gòu)中的顯示性能的下降。

在下文中，對根據(jù)本公開的其他實施方式的器件部中的任一個提供描述。應(yīng)當(dāng)注意，與上述第一實施方式中的部件基本上相同的任何部件用相同的參考標(biāo)號表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷韵嚓P(guān)的描述。

[第二實施方式]

[配置]

圖7示意性地示出根據(jù)本公開的第二實施方式的器件部(器件部10b)的配置。應(yīng)當(dāng)注意，圖7示出器件部10b形成在第二基板110上而使脫離層120介于其間的狀態(tài)。在本實施方式的器件部10b中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，盡管圖7中未示出，但是器件部10b安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。此外，同樣在器件部10b中，發(fā)光器件部11包括發(fā)光器件11a，并且發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12被密封層13覆蓋。

進(jìn)一步，同樣在本實施方式中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或布置在比上端e2高的位置處。在圖7所示的實例中，發(fā)光表面s1的端部e1的高度p1大于驅(qū)動器件12的上端e2的高度p2。

然而，本實施方式與上述第一實施方式的不同之處在于，驅(qū)動器件12布置在比發(fā)光器件11a低的位置處。更具體地說，在本實施方式中，在透明絕緣膜130的選擇性區(qū)域處形成開口(或凹部)，并且驅(qū)動器件12接合至該開口部而使粘合層14b介于其間。發(fā)光器件11a接合至透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域而使粘合層14a介于其間。

[形成器件部10b的方法]

例如，可以以下列方式形成器件部10b。圖8a至圖8f各自是按照工藝的順序示出形成器件部10b的方法的示意圖。

首先，如圖8a所示，脫離層120和透明絕緣膜130按此順序形成在第二基板110上。然后，如圖8b所示，通過使用例如光刻技術(shù)的蝕刻，在透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域處形成開口h1。此時，執(zhí)行處理以確保開口h1的側(cè)表面具有錐形形狀h1a。接下來，如圖8c所示，形成布線層17。開口h1的錐形形狀h1a使得可以抑制布線層17的斷開。應(yīng)當(dāng)注意，為了簡單起見，在圖7中省略布線層17。

然后，如圖8d所示，在透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域處形成粘合層14a，并且在開口h1內(nèi)部形成粘合層14b。接下來，如圖8e所示，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12分別接合在粘合層14a和14b上。最后，如圖8f所示，密封層13形成以覆蓋發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12。以這種方式，形成器件部10b。以下工藝沒有具體示出；然而，第二基板110和對置基板接合在一起而使器件部10b介于其間，并且此后使用脫離層120使第二基板110從透明絕緣膜130脫離。再布線層15和結(jié)14形成在器件部10b的透明絕緣膜130的側(cè)面上，并被焊接在第一基板10上，從而使得可以制造如圖1所示的顯示裝置。

[效果]

同樣在本實施方式中，在其中發(fā)光器件部11和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中的器件部10b中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。更具體地，在透明絕緣膜130的選擇性區(qū)域處形成開口(或凹部)，并且在該開口部處設(shè)置驅(qū)動器件12。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[第三實施方式]

[配置]

圖9示意性地示出根據(jù)本公開的第三實施方式的器件部(器件部10c)的配置。應(yīng)當(dāng)注意，圖9示出器件部10c形成在第二基板110上而使脫離層120介于其間的狀態(tài)。在本實施方式的器件部10c中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部(發(fā)光器件部20)和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，雖然在圖9中未示出，但是器件部10c安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。此外，同樣在器件部10c中，發(fā)光器件部20包括發(fā)光器件11a，并且發(fā)光器件部20和驅(qū)動器件12被密封層13覆蓋。

此外，同樣在本實施方式中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面(發(fā)光表面s2)的端部(端部e3)布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。

然而，本實施方式與上述第一實施方式的不同之處在于，發(fā)光器件部20包括發(fā)光器件11a和覆蓋發(fā)光器件11a的高折射率層18。此外，高折射率層18的頂表面形成發(fā)光表面s2，并且發(fā)光表面s2的端部e3布置在大于或等于驅(qū)動器件12的上端e2的高度的高度處。

高折射率層18形成以覆蓋發(fā)光器件11a的頂表面和側(cè)表面。高折射率層18由折射率高于密封層13的折射率的材料制成。高折射率層18的構(gòu)成材料的實例可以包括含有硫(s)和磷(p)中的一種或兩種的樹脂，諸如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、以及聚酰亞胺樹脂；和含有例如tio2納米顆粒的樹脂。

圖10是用于描述高折射率層18的設(shè)計參數(shù)的示意圖。從高折射率層18的發(fā)光表面s2的端部e3發(fā)射的光的發(fā)射角β的最大值可以優(yōu)選為90度。換句話說，優(yōu)選的是，光以入射角α進(jìn)入密封層13與高折射率層18之間的界面，并且以發(fā)射角β(β＝90度)發(fā)射以便沿與驅(qū)動器件12的頂表面平行的方向行進(jìn)。

例如，高折射率層18的材料和厚度可優(yōu)選設(shè)定為滿足下面給出的條件表達(dá)式(a)。在該表達(dá)式中，n0是密封層13的折射率；n1是高折射率層18的折射率；l1是高折射率層18面向發(fā)光器件11a的側(cè)表面的厚度；并且h1是高折射率層18面向發(fā)光器件11a的發(fā)光表面(頂表面)的厚度。進(jìn)一步，作為約束條件，建立l1<l2和hled>hic的幅度關(guān)系。

n0/n1<l1/(h1²+l1²)^1/2…(a)

[形成器件部10c的方法]

例如，可以以下列方式形成器件部10c。圖11a至圖11f各自是按照工藝的順序示出形成器件部10c的方法的示意圖。

首先，如圖11a所示，脫離層120和透明絕緣膜130按此順序形成在第二基板110上。然后，如圖11b所示，在透明絕緣膜130上形成布線層19的圖案。接下來，如圖11c所示，在透明絕緣膜130上的選擇性區(qū)域處形成粘合層14a和14b中的每一個。應(yīng)當(dāng)注意，為了簡單起見，在圖10中省略了布線層19。

然后，如圖11d所示，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12分別接合在粘合層14a和14b上。接下來，如圖11e所示，高折射率層18形成以覆蓋發(fā)光器件11a。以這種方式，形成發(fā)光器件部20和驅(qū)動器件12。最后，如圖11f所示，密封層13形成以覆蓋發(fā)光器件部20(發(fā)光器件11a和高折射率層18)和驅(qū)動器件12。以這種方式，形成器件部10c。以下工藝沒有具體示出；然而，第二基板110和對置基板接合在一起而使器件部10c介于其間，并且然后使用脫離層120將第二基板110從透明絕緣膜130脫離。再布線層15和結(jié)14形成在器件部10c的透明絕緣膜130的側(cè)面上，并且被焊接在第一基板10上，從而使得可以制造如圖1所示的顯示裝置。

[效果]

同樣在本實施方式中，在其中發(fā)光器件部20和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中的器件部10c中，發(fā)光器件部20的發(fā)光表面s2的端部e3布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。更具體地，在發(fā)光器件部20中，高折射率層18形成以覆蓋發(fā)光器件11a，并且高折射率層18的頂表面(發(fā)光表面s2)的端部e3布置在大于或等于驅(qū)動器件12的上端e2的高度處。因此，從發(fā)光器件部20發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[第四實施方式]

[配置]

圖12a示意性地示出根據(jù)本公開的第四實施方式的器件部(器件部10d)的配置。圖12b是放大器件部10d的一部分的示意圖。在本實施方式的器件部10d中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件(驅(qū)動器件21)一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，器件部10d安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。

進(jìn)一步，同樣在本實施方式中，如圖12b所示，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件21的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。

然而，本實施方式的器件部10d與上述第一實施方式的不同之處在于，發(fā)光器件11a形成以埋入到驅(qū)動器件21的一部分中。更具體地，驅(qū)動器件21在選擇性區(qū)域處具有凹部h2(第二凹部)，并且發(fā)光器件11a形成在凹部h2的內(nèi)部。

進(jìn)一步，作為發(fā)光器件11a的底層，在凹部h2的底表面上形成sin膜22(第三絕緣膜)。調(diào)節(jié)sin膜22的厚度，使得能夠調(diào)節(jié)發(fā)光表面s1的高度。

[形成器件部10d的方法]

例如，可以以下列方式形成器件部10d。圖13a至圖13k各自是按照工藝的順序示出形成器件部10d的方法的示意圖。

首先，如圖13a所示，形成由諸如硅芯片的材料制成的驅(qū)動器件21。然后，如圖13b所示，在驅(qū)動器件21上形成凹部h2。接下來，如圖13c所示，sin膜22形成以在凹部h2的底表面上具有預(yù)定的厚度。隨后，如圖13d所示，發(fā)光器件11a被轉(zhuǎn)印以形成布線層23。應(yīng)當(dāng)注意，為了簡單起見，在圖12a中省略了布線層23。接下來，如圖13e所示，形成層間絕緣膜140以覆蓋驅(qū)動器件21和發(fā)光器件11a，并且然后層間絕緣膜140被平坦化，如圖13f所示。以這種方式，形成器件部10d，其中發(fā)光器件11a被埋入到驅(qū)動器件21中。

接下來，如圖13g所示，對置基板141接合在驅(qū)動器件21的層間絕緣膜140的側(cè)面上而使粘合層介于其間。然后，如圖13h所示，將驅(qū)動器件21的si基板減薄。隨后，如圖13i所示，使用tsv技術(shù)形成通孔h3。之后，如圖13j所示，形成布線層21a1以埋入通孔h3。最后，如圖13k所示，在布線層21a1上形成焊接(結(jié)14)。以這種方式，形成圖12a所示的器件結(jié)構(gòu)。

[效果]

同樣在本實施方式中，在其中發(fā)光器件部11和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中的器件部10d中，發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件21的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。更具體地，發(fā)光器件11a埋入到形成在驅(qū)動器件21上的凹部h2中，并且發(fā)光表面s1的高度可通過sin膜22的厚度調(diào)節(jié)。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[第五實施方式]

[配置]

圖14示意性地示出根據(jù)本公開的第五實施方式的器件部(器件部10e)的配置。應(yīng)當(dāng)注意，圖14示出器件部10e形成在第二基板110上而使脫離層120介于其間的狀態(tài)。在本實施方式的器件部10e中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件(驅(qū)動器件31)一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，雖然在圖14中未示出，但是器件部10e安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。此外，同樣在器件部10e中，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件31被密封層13覆蓋。

然而，在本實施方式的器件部10e中，與上述第一實施方式不同的是，驅(qū)動器件31具有錐形形狀31c。進(jìn)一步，驅(qū)動器件31被遮光膜32和抗反射膜33覆蓋。在驅(qū)動器件31中，使用beol技術(shù)形成的布線層31a和包括硅芯片的si層31b被層壓，并且這兩層中的si層31b具有錐形形狀31c。

[形成器件部10e的方法]

例如，可以以下列方式形成如上所述的器件部10e。圖15a至圖15e各自是按照工藝的順序示出形成器件部10e的方法的示意圖。

首先，如圖15a所示，在包括布線層31a和si層31b的驅(qū)動器件31上以預(yù)定圖案形成光致抗蝕劑膜150。應(yīng)當(dāng)注意，在布線層31a中預(yù)先形成保護(hù)環(huán)層153(遮光膜和抗反射膜的層壓膜)。然后，如圖15b所示，通過蝕刻來處理si層31b。該處理形成錐形形狀31c。隨后，如圖15c所示，形成遮光膜32和抗反射膜33以覆蓋所形成的錐形形狀31c。

然后，如圖15d所示，在抗反射膜33上以預(yù)定圖案形成光致抗蝕劑膜151。接下來，如圖15e所示，通過使用光致抗蝕劑膜151的蝕刻來去除遮光膜32和抗反射膜33中的每一個的一部分以及布線層31a的一部分。如圖14所示，這允許形成驅(qū)動器件31以及遮光膜32和抗反射膜33。以下工藝沒有具體示出；然而，密封層13形成以覆蓋發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件31。以這種方式，形成器件部10e。隨后，第二基板110和對置基板接合在一起而使器件部10e介于其間，并且然后使用脫離層120將第二基板110從透明絕緣膜130脫離。之后，再布線層15和結(jié)14形成在器件部10e的透明絕緣膜130的側(cè)面上，并且被焊接在第一基板10上。上述工藝使得可以制造如圖1所示的顯示裝置。

[效果]

圖16示出根據(jù)比較實例1的器件部101a的結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)注意，在該比較實例中，圖16示出器件部101a形成在第二基板101上而使脫離層102介于其間的狀態(tài)。在器件部101a中，發(fā)光器件105布置在透明絕緣膜103上而使粘合層104a介于其間，并且驅(qū)動器件106布置為使粘合層104b介于其間。如前所述，在比較實例1的器件部101a中，發(fā)光表面s100布置在比驅(qū)動器件106的上端e102低的位置處。因此，在比較實例1中，視角可由于上述光的漸暈而變窄。此外，從發(fā)光器件105泄漏的光l101可進(jìn)入驅(qū)動器件106(x2)，這可以對部件(諸如配置ic的晶體管)的特性產(chǎn)生影響。因此，在器件部101a安裝在印刷電路板或任何其它布線板上的情況下，來自發(fā)光器件105的泄漏光的一部分可進(jìn)入驅(qū)動器件106，導(dǎo)致晶體管特性劣化。進(jìn)一步，在驅(qū)動器件106的側(cè)表面發(fā)生光反射的情況下，這種光反射可導(dǎo)致顯示質(zhì)量在某些情況下下降。

相反，如圖17所示，在本實施方式中，驅(qū)動器件31具有錐形形狀31c。因此，從發(fā)光器件11a發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件31阻擋，這允許抑制視角變窄。進(jìn)一步，器件部10e具有覆蓋驅(qū)動器件31的遮光膜32和抗反射膜33，這使得可以抑制光進(jìn)入驅(qū)動器件31中以及抑制光在驅(qū)動器件31的側(cè)表面上反射。這使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果，并且抑制驅(qū)動器件31中的特性劣化以及由于光反射導(dǎo)致的顯示質(zhì)量下降。

應(yīng)當(dāng)注意，在上述第五實施方式中，錐形形狀31c的使用允許抑制光的漸暈；然而，可以進(jìn)一步以這樣一種方式采用上述第一至第三實施方式中的任一個，使得發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)小型化同時抑制在包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件的器件結(jié)構(gòu)中的顯示性能下降。

[第六實施方式]

[配置]

圖18示意性地示出根據(jù)本公開的第六實施方式的器件部(器件部10f)的配置。應(yīng)當(dāng)注意，圖18示出器件部10f形成在第二基板110上而使脫離層120介于其間的狀態(tài)。與上述第一實施方式的器件部10a一樣，在本實施方式的器件部10f中，發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件(驅(qū)動器件34)一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，盡管圖中未示出，但是器件部10f安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。另外，同樣在器件部10f中，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件34被密封層13覆蓋。

進(jìn)一步，與上述第五實施方式一樣，在本實施方式的器件部10f中，驅(qū)動器件34具有錐形形狀34c。此外，驅(qū)動器件34被遮光膜35覆蓋。在驅(qū)動器件34中，使用beol技術(shù)形成的布線層34a和包括硅芯片的si層34b被層壓。布線層34a和si層34b中的每一個具有錐形形狀34c，并且驅(qū)動器件34的截面形狀是梯形的。如上所述，布線層34a和si層34b都可以具有錐形形狀。可替換地，不設(shè)置抗反射膜33，并且可以僅設(shè)置遮光膜35來覆蓋驅(qū)動器件34。然而，與上述第五實施方式一樣，優(yōu)選形成抗反射膜33，因為其變得可以抑制顯示質(zhì)量下降。

[效果]

與上述第五實施方式一樣，同樣在本實施方式中，驅(qū)動器件34具有錐形形狀34c。因此，從發(fā)光器件11a發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件34阻擋，這允許抑制視角變窄。進(jìn)一步，器件部10f具有覆蓋驅(qū)動器件34的遮光膜35，這使得可以抑制光進(jìn)入驅(qū)動器件34中。這使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果，并且抑制驅(qū)動器件31中的特性劣化。應(yīng)當(dāng)注意，與第五實施方式一樣，可以進(jìn)一步設(shè)置抗反射膜。

應(yīng)當(dāng)注意，在上述第六實施方式中，錐形形狀34c的使用允許抑制光的漸暈；然而，可以進(jìn)一步以這樣一種方式采用上述第一至第三實施方式中的任一個，使得發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這使得可以實現(xiàn)小型化同時抑制在包括發(fā)光器件和驅(qū)動器件的器件結(jié)構(gòu)中的顯示性能下降。

[形成錐形形狀的其他方法]

例如，也可以以下列方式形成上述各個第五和第六實施方式中的器件部10e和10f的錐形形狀。圖19a至圖19c各自是按照工藝的順序示出形成根據(jù)比較實例2的器件部的方法的示意圖。圖20a至圖20g各自是按照工藝的順序示出形成錐形形狀的方法的示意圖。應(yīng)當(dāng)注意，這里通過引用圖14所示的器件部10e為例來提供描述。

首先，在比較實例2中，使用beol技術(shù)形成的布線層1011的si層1012和si層1012的一部分通過使用光致抗蝕劑膜1015的蝕刻(例如，干蝕刻)被選擇性地去除，如圖19a和圖19b所示。這種方法形成錐形形狀31c。然后，如圖19c所示，去除光致抗蝕劑膜1015。應(yīng)當(dāng)注意，遮光膜(ti)1014形成在si層1012上而使透明絕緣膜1013介于其間。比較實例2中的這種si處理使用干處理，并且因此處理后的si的側(cè)表面的覆蓋可能較差，這具有改善遮光性質(zhì)的空間。

因此，可以為si層34b形成錐形形狀，如圖20a至圖20g所示。換句話說，在開始時，使用由例如sin制成的掩模152來執(zhí)行使用例如基于堿的蝕刻劑的濕處理，如圖20a和圖20b所示。然后，如圖20c所示，執(zhí)行使用例如基于酸的蝕刻劑的濕處理以去除掩模152。接下來，如圖20d和圖20e所示，執(zhí)行使用例如基于酸的蝕刻劑的濕處理以選擇性地去除si層34b的上側(cè)(檐部)。隨后，如圖20f和圖20g所示，按順序形成透明絕緣膜36和遮光膜35以覆蓋si層34b。以這種方式，與上述比較實例2相比，si層34b具有錐形形狀，導(dǎo)致遮光膜35的更好的覆蓋性質(zhì)。這使得可以實現(xiàn)足夠的遮光性質(zhì)。

[第七實施方式]

[配置]

圖21示意性地示出根據(jù)本公開的第七實施方式的器件部(器件部10g)的配置。應(yīng)當(dāng)注意，圖21示出器件部10g形成在第二基板110上而使脫離層120介于其間的狀態(tài)。在本實施方式的器件部10g中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，雖然在圖21中未示出，但是器件部10g安裝在第一基板10上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。此外，同樣在器件部10g中，發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12被密封層13覆蓋。

然而，在本實施方式的器件部10g中，與上述第一實施方式不同的是，用于在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間電耦接的布線線路(連接布線線路37)被埋入密封層13中。在這種情況下，在再布線層15中不形成用于在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間電耦接的布線線路。

[形成器件部10g的方法]

例如，可以以下列方式形成如上所述的器件部10g。圖22a和圖22b各自是按照工藝的順序示出形成器件部10g的方法的示意圖。

首先，如圖22a所示，密封層13形成以覆蓋發(fā)光器件11a和驅(qū)動器件12，并且然后在密封層13中形成連接孔h4。隨后，如圖22b所示，形成連接布線線路37以埋入連接孔h4。最后，通過去除所形成的連接布線線路37的前表面?zhèn)鹊囊徊糠?，可以形成圖21所示的器件部10g。

以下工藝沒有具體示出；然而，第二基板110和對置基板接合在一起而使器件部10g介于其間，并且然后使用脫離層120將第二基板110從透明絕緣膜130脫離。之后，再布線層15和結(jié)14形成在器件部10g的透明絕緣膜130的側(cè)面上，并且被焊接在第一基板10上。上述工藝使得可以制造如圖1所示的顯示裝置。

[效果]

在本實施方式中，用于在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間電耦接的連接布線線路37被埋入在密封層13中，從而用作遮光膜(也作為遮光膜)，因而允許抑制光進(jìn)入驅(qū)動器件12中。這使得可以實現(xiàn)與上述第五實施方式中的效果類似的效果。

應(yīng)當(dāng)注意，在上述第七實施方式中，可以進(jìn)一步以這樣一種方式采用上述第一至第三實施方式中的任一個，使得發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。因此，從發(fā)光器件部11(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這種配置使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[變形例1]

圖23示意性地示出根據(jù)上述第七實施方式的變形例的器件部(器件部10g1)的配置。在本變形例的器件部10g1中，使用基于tsv技術(shù)的連接布線線路37和通孔37a來確保發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間的電耦接。以這種方式，也可以使用tsv技術(shù)進(jìn)行布線連接。

[第八實施方式]

[配置]

圖24示意性地示出根據(jù)本公開的第八實施方式的器件部(器件部10h)的配置。圖25示出器件部10g的關(guān)鍵部分的平面配置。在本實施方式的器件部10h中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，器件部10h安裝在第一基板10(圖24中未示出)上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。

然而，在本實施方式的器件部10h中，與上述第一實施方式不同，籽晶層38以疊加在驅(qū)動器件12上的狀態(tài)形成，并且被配置為插入在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間，以便也用作遮光層。籽晶層38是用于例如通過電鍍處理而形成金屬布線線路(諸如銅(cu)布線線路)的底層。通常，在電鍍形成后要去除的籽晶層的一部分(對應(yīng)于籽晶層38的部分)，通過用被用作遮光層的材料(諸如光致抗蝕劑)來覆蓋而保持原樣。進(jìn)一步，在籽晶層38的外周部分處，使用其它布線線路來形成支撐柱38a。籽晶層38和支撐柱38a形成以作為整體圍繞驅(qū)動器件12的側(cè)表面和頂表面。

[效果]

在本實施方式中，籽晶層38和支撐柱38a形成以圍繞驅(qū)動器件12。因此，籽晶層38和支撐柱38a用作遮光膜(也作為遮光膜)，這便允許抑制光進(jìn)入驅(qū)動器件12中。這使得可以實現(xiàn)與上述第五實施方式中的效果類似的效果。

應(yīng)當(dāng)注意，在上述第八實施方式中，可以進(jìn)一步以這樣一種方式采用上述第一至第三實施方式中的任一個，使得發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。因此，從發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這種配置使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[第九實施方式]

[配置]

圖26示意性地示出根據(jù)本公開的第九實施方式的器件部(器件部10i)的配置。在本實施方式的器件部10i中，與上述第一實施方式的器件部10a一樣，發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)和驅(qū)動器件12一起安裝在單個像素中。進(jìn)一步，器件部10i安裝在第一基板10(圖26中未示出)上而使再布線層15以及結(jié)14介于其間。另外，圖26還示出耦接至發(fā)光器件11a的電極的引出布線線路142。

然而，與上述第一實施方式不同的是，本實施方式的器件部10i具有形成以埋入在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間的遮光樹脂層39。例如，遮光樹脂層39由用于黑色矩陣(blackmatrix)的感光樹脂制成。優(yōu)選地，遮光樹脂層39可以進(jìn)一步形成以埋入在發(fā)光器件11a之間。這是因為可以實現(xiàn)具有遮光層和平坦化層的兩個功能的結(jié)構(gòu)。

[形成器件部10i的方法]

例如，可以以下列方式形成如上所述的器件部10i。圖27a至圖27d各自是按照工藝的順序示出形成器件部10i的方法的示意圖。應(yīng)該注意的是，圖27a至圖27d中的每一個示出作為發(fā)光器件11a的三個發(fā)光器件11r、11g、和11b。

首先，如圖27a所示，發(fā)光器件11a(發(fā)光器件11r、11g、和11b)和驅(qū)動器件12被接合(轉(zhuǎn)印成形)在透明絕緣膜130上。然后，如圖27b所示，遮光樹脂層39形成在第二基板110的整個表面上。例如，可以使用負(fù)型光致抗蝕劑作為遮光樹脂層39。接下來，例如，如圖27c所示，通過從第二基板110的背面執(zhí)行諸如曝光和顯影的處理，遮光樹脂層39保留在發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間以及像素之間。應(yīng)當(dāng)注意，正型光致抗蝕劑可以用作遮光樹脂層39，并且可以從前側(cè)執(zhí)行曝光。以這種方式，可以形成如圖26所示的器件部10i。

[效果]

在本實施方式中，遮光樹脂層39形成以埋入發(fā)光器件11a與驅(qū)動器件12之間的間隔，這允許抑制從發(fā)光器件11a發(fā)射的光進(jìn)入驅(qū)動器件12中。這使得可以實現(xiàn)與上述第五實施方式中的效果類似的效果。此外，遮光樹脂層39形成在器件之間，以便還作為平坦化層，從而允許抑制在隨后的工藝中出現(xiàn)氣隙(空隙)。

應(yīng)當(dāng)注意，在上述第九實施方式中，可以進(jìn)一步以這樣一種方式采用上述第一至第三實施方式中的任一個，使得發(fā)光器件部11的發(fā)光表面s1的端部e1布置在與驅(qū)動器件12的上端e2等高的位置處，或者布置在比上端e2高的位置處。因此，從發(fā)光器件部(發(fā)光器件11a)發(fā)射的光不太可能被驅(qū)動器件12阻擋，這允許抑制視角變窄。這種配置使得可以實現(xiàn)與上述第一實施方式中的效果類似的效果。

[變形例2-1至2-3]

此外，在上述第九實施方式中，可以進(jìn)一步采用以下結(jié)構(gòu)。換句話說，與圖28所示的變形例2-1一樣，由例如鋁(al)制成的遮光層40，可以在第二基板110與脫離層120之間的層中的疊加在引出布線線路142上的區(qū)域處被圖案化。進(jìn)一步。與圖29所示的變形例2-2一樣，在發(fā)光器件11a上，可以在籽晶層41的下方形成碳cvd膜，以用于cu布線層42的電鍍形成，并且這樣的碳cvd膜也可以被配置以作為遮光層。另外，與圖30所示的變形例2-3一樣，也可以采用從發(fā)光器件11r、11g、和11b的側(cè)表面而不是其頂表面取出引出布線線路150a的配置。

到此為止參考實施方式和變形例描述了本公開；然而，本公開不限于這些實施方式和變形例，而是可以進(jìn)行各種修改。例如，在上述實施方式和變形例中，以發(fā)光器件部包括r、g、和b的三個發(fā)光二極管芯片為例提供了描述。但是，發(fā)光器件部可以進(jìn)一步包括任何其他顏色的發(fā)光二極管芯片，或者可以包括其他顏色的發(fā)光二極管芯片而不是r、g、和b的發(fā)光二極管芯片中的任一個。

應(yīng)當(dāng)注意，本公開還可以如下配置。

(1)一種顯示裝置，在基板上設(shè)置有第一布線層和具有多個像素的器件部，器件部在像素中的每個像素內(nèi)包括：

發(fā)光器件部，包括發(fā)光器件和發(fā)光表面；以及

驅(qū)動器件，驅(qū)動發(fā)光器件部并通過第一布線層電耦接至發(fā)光器件，

其中發(fā)光器件部的發(fā)光表面的端部布置在與驅(qū)動器件的上端等高的位置處或布置在比上端高的位置處。

(2)根據(jù)(1)的顯示裝置，其中發(fā)光器件部在發(fā)光器件的基板側(cè)上設(shè)置有第一絕緣膜，其中第一絕緣膜的厚度和發(fā)光器件的厚度的總和大于或等于驅(qū)動器件的厚度。

(3)根據(jù)(1)或(2)的顯示裝置，進(jìn)一步包括在選擇性區(qū)域處具有第一凹部的第二絕緣膜，第二絕緣膜設(shè)置在基板與發(fā)光器件部以及驅(qū)動器件之間，驅(qū)動器件被形成以允許驅(qū)動器件的一部分埋入在第二絕緣膜的第一凹部中。

(4)根據(jù)(1)至(3)中的任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括覆蓋驅(qū)動器件和發(fā)光器件部的密封層，發(fā)光器件部包括折射率比密封層的折射率高的高折射率層，高折射率層覆蓋發(fā)光器件并具有發(fā)光表面。

(5)根據(jù)(4)的發(fā)光裝置，其中從高折射率層的發(fā)光表面的端部發(fā)射的光的發(fā)射角的最大值為90度。

(6)根據(jù)(5)的顯示裝置，其中高折射率層的折射率和厚度滿足以下條件表達(dá)式(a)：

n0/n1<l1/(h1²+l1²)^1/2…(a)

其中

n0為密封層的折射率，

n1為高折射率層的折射率，

l1為高折射率層面向發(fā)光器件的側(cè)表面的厚度，以及

h1為高折射率層面向發(fā)光器件的發(fā)光表面的厚度。

(7)根據(jù)(1)的顯示裝置，其中發(fā)光器件被形成以埋入在驅(qū)動器件的一部分中。

(8)根據(jù)(7)的顯示裝置，其中

驅(qū)動器件在選擇性區(qū)域處具有第二凹部，以及

發(fā)光器件形成在第二凹部的內(nèi)部。

(9)根據(jù)(8)的顯示裝置，在第二凹部的底表面上進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)發(fā)光表面的高度的第三絕緣膜。

(10)根據(jù)(1)至(9)中任一項的顯示裝置，其中驅(qū)動器件具有錐形形狀。

(11)根據(jù)(10)的顯示裝置，其中驅(qū)動器件的截面形狀為梯形。

(12)根據(jù)(1)至(11)中任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括形成以覆蓋驅(qū)動器件的表面的遮光膜。

(13)根據(jù)(1)至(12)中的任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括形成以覆蓋驅(qū)動器件的表面的抗反射膜。

(14)根據(jù)(1)至(13)中任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括用于在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間電耦接的連接布線線路，連接布線線路插入在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間以兼用作遮光層。

(15)根據(jù)(14)的顯示裝置，其中連接布線線路由硅通孔形成。

(16)根據(jù)(1)至(15)中任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括疊加在驅(qū)動器件上并用于通過電鍍形成金屬布線線路的籽晶層，籽晶層插入在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間以兼用作遮光層。

(17)根據(jù)(1)至(16)中任一項的顯示裝置，進(jìn)一步包括形成以埋入在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間的遮光樹脂層。

(18)根據(jù)(17)的顯示裝置，其中遮光樹脂層埋入在像素之間并且埋入在發(fā)光器件與驅(qū)動器件之間以兼用作平坦化層。

本申請基于2015年1月29日向日本專利局提交的日本專利申請第2015-015843號并要求其優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，此專利申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以發(fā)生各種修改、組合、子組合、和改變，只要它們落入在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)。