本發(fā)明的一個方式涉及一種功能面板、功能面板的制造方法、模塊以及數(shù)據(jù)處理裝置。

另外，本發(fā)明的一個方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說明書等所公開的發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法?；蛘?，本發(fā)明的一個方式涉及一種工序（process）、機(jī)器（machine）、產(chǎn)品（manufacture）或者組合物（compositionofmatter）。具體而言，作為本說明書所公開的本發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域的例子包括半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、數(shù)據(jù)處理裝置、上述任何裝置的驅(qū)動方法以及上述任何裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

由于雜質(zhì)的擴(kuò)散而損壞某些功能元件的功能。為了維持這種功能元件的功能，已知將功能元件密封在由設(shè)置有功能元件的襯底、密封襯底、以及將上述襯底和上述密封襯底貼合的密封材料包圍的空間中的發(fā)明（專利文獻(xiàn)1）。

[參考文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]美國專利申請公開第2007/0170854號。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種方便性或可靠性高的新穎的功能面板。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種功能面板的方便性或可靠性高的新穎的制造方法。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的功能面板、功能面板的新穎的制造方法以及新穎的半導(dǎo)體裝置。

另外，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的。從說明書、附圖及權(quán)利要求書等的記載中可明顯看出這些目的以外的目的是顯然的，而且可以從說明書、附圖及權(quán)利要求書等的記載中抽出這些目的以外的目的。

用來解決問題的手段

本發(fā)明的一個方式是一種功能面板，包括：第一基材；包括重疊于第一基材的區(qū)域的第二基材；將第二基材接合于第一基材的一個面的接合層；接觸于第一基材、第二基材及接合層的絕緣層；以及位于由第一基材、第二基材及接合層包圍的區(qū)域中的功能層。

功能層包括多個功能元件。

另外，本發(fā)明的一個方式是其功能元件包括發(fā)光元件的上述功能面板。

另外，本發(fā)明的一個方式是其功能元件包括顯示元件的上述功能面板。

另外，本發(fā)明的一個方式是其功能元件包括晶體管的上述功能面板。

上述本發(fā)明的一個方式的功能面板包括第一基材、包括重疊于第一基材的區(qū)域的第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層、以及接觸于第一基材、第二基材及接合層的絕緣層。由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸于第一基材的區(qū)域或接合層接觸于第二基材的區(qū)域中容易形成的開口，并且能夠抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到位于由第一基材、第二基材及接合層包圍的區(qū)域中的功能層。其結(jié)果，可以提供方便性或可靠性高的新穎的功能面板。

此外，本發(fā)明的一個方式是包括下面的六個步驟的功能面板的制造方法。

在第一步驟中，準(zhǔn)備加工構(gòu)件，該加工構(gòu)件包括：第一基材；包括重疊于第一基材的區(qū)域的第二基材；將第二基材接合于第一基材的一個面的接合層；以及位于由第一基材、第二基材及接合層包圍的區(qū)域中的功能層，功能層包括多個功能元件，并且對加工構(gòu)件支撐部供應(yīng)加工構(gòu)件。

在第二步驟中，將加工構(gòu)件的溫度控制為預(yù)定的值，并且使在其內(nèi)部具備加工構(gòu)件支撐部的處理室排氣。

在第三步驟中，將包含前體化合物的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體。

在第四步驟中，將包含氧化劑的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體。

在第五步驟中，在都包括第三步驟及第四步驟的循環(huán)的重復(fù)次數(shù)少于預(yù)定的次數(shù)時，工序回到第三步驟。在循環(huán)的重復(fù)次數(shù)為預(yù)定的次數(shù)以上時，工序進(jìn)入第六步驟。

在第六步驟中，將加工構(gòu)件從處理室搬出。在此，結(jié)束絕緣層的形成。

另外，本發(fā)明的一個方式是包括下面的八個步驟的功能面板的制造方法。

在第一步驟中，準(zhǔn)備加工構(gòu)件，該加工構(gòu)件包括：第一基材；包括重疊于第一基材的區(qū)域的第二基材；將第二基材接合于第一基材的一個面的第一接合層及第二接合層；位于由第一基材、第二基材及第一接合層包圍的區(qū)域中的第一功能層；以及位于由第一基材、第二基材及第二接合層包圍的區(qū)域中的第二功能層，第一功能層及第二功能層分別包括多個功能元件。在第二基材的重疊于第一接合層與第二接合層之間的區(qū)域的區(qū)域中形成開口。

在第二步驟中，對加工構(gòu)件支撐部供應(yīng)加工構(gòu)件。

在第三步驟中，將加工構(gòu)件的溫度控制為預(yù)定的值，并且使在其內(nèi)部具備加工構(gòu)件支撐部的處理室排氣。

在第四步驟中，將包含前體化合物的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體。

在第五步驟中，將包含氧化劑的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體。

在第六步驟中，在都包括第三步驟及第四步驟的循環(huán)的重復(fù)次數(shù)少于預(yù)定的次數(shù)時，工序回到第四步驟。在循環(huán)的重復(fù)次數(shù)為預(yù)定的次數(shù)以上時，工序進(jìn)入第七步驟。

在第七步驟中，將加工構(gòu)件從處理室搬出。在此，結(jié)束絕緣層的形成。

在第八步驟中，將加工構(gòu)件沿著重疊于第一接合層與第二接合層之間的區(qū)域的區(qū)域截斷。

上述本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造方法包括：供應(yīng)包含前體化合物的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟；供應(yīng)包含氧化劑的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟。由此，可以在加工構(gòu)件表面上形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層。其結(jié)果，可以提供功能面板的新穎的制造方法。

另外，本發(fā)明的一個方式是一種模塊，包括：上述任一個方式所記載的功能面板；以及fpc或觸摸傳感器。

另外，本發(fā)明的一個方式是一種數(shù)據(jù)處理裝置，包括：上述任一個方式所記載的功能面板或上述模塊；以及麥克風(fēng)、天線、電池、操作開關(guān)或框體。

另外，在本說明書中，“el層”是指設(shè)置在發(fā)光元件的一對電極之間的層。因此，含有夾在電極之間的作為發(fā)光物質(zhì)的有機(jī)化合物的發(fā)光層為el層的一個方式。

另外，在本說明書中，發(fā)光裝置是指圖像顯示裝置或光源（包括照明裝置）。此外，發(fā)光裝置在其范疇內(nèi)有時也包括下述任何模塊：在發(fā)光裝置中安裝有連接器諸如fpc（flexibleprintedcircuit：柔性印刷電路）或tcp（tapecarrierpackage：載帶封裝）的模塊；在tcp的端部設(shè)置有印刷線路板的模塊；以及ic（集成電路）通過cog（chiponglass：玻璃覆晶）方式直接安裝在形成有發(fā)光元件的襯底上的模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種方便性或可靠性高的新穎的功能面板。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，可以提供一種功能面板的方便性或可靠性高的新穎的制造方法。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種新穎的功能面板、功能面板的新穎的制造方法以及新穎的半導(dǎo)體裝置。

注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述效果。從說明書、附圖及權(quán)利要求書等的記載中可明顯看出這些效果以外的效果，而且可以從說明書、附圖及權(quán)利要求書等的記載中抽出這些效果以外的效果。

附圖說明

圖1a至1d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖2a至2d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖3a至3d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖4a至4d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖5是說明一個實施方式的功能面板的制造方法的流程圖；

圖6a1、6a2、6b1以及6b2是說明一個實施方式的功能面板的制造方法的示意圖；

圖7是說明一個實施方式的功能面板的制造方法的流程圖；

圖8a1、8a2、8b1、8b2、8c1、8c2、8d1以及8d2是說明一個實施方式的功能面板的制造方法的示意圖；

圖9a和9b都是說明可用于一個實施方式的功能面板的制造的成膜系統(tǒng)的示意圖；

圖10a和10b都是說明可用于一個實施方式的功能面板的制造的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖11a至11d是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖12a至12d是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖13是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖14a至14c是說明一個實施方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖15a、15b、15c1以及15c2都是說明一個實施方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖16a1、16a2、16a3、16b1、16b2、16c1以及16c2都是說明一個實施方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖17a至17d是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖18a至18d是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖19a至19d是說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)的圖；

圖20a至20d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖21a至21d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)；

圖22a至22d說明一個實施方式的功能面板的結(jié)構(gòu)。

具體實施方式

本發(fā)明的一個方式的功能面板包括第一基材、包括重疊于第一基材的區(qū)域的第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層、以及接觸于第一基材、第二基材及接合層的絕緣層。

由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸于第一基材的區(qū)域或接合層接觸于第二基材的區(qū)域中容易形成的開口，并且能夠抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到位于由第一基材、第二基材及將第一基材和第二基材接合的接合層包圍的區(qū)域中的功能層。其結(jié)果，可以提供方便性或可靠性高的新穎的功能面板。

參照附圖對實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明不局限于以下說明，而所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅局限在以下所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在下面說明的發(fā)明結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖中共同使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略該部分的重復(fù)說明。

實施方式1

在本實施方式中，參照圖1a至1d、圖2a至2d、圖3a至3d以及圖4a至4d對本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖1a和1d說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)。圖1a是本發(fā)明的一個方式的功能面板200的俯視圖，圖1b是沿著圖1a中的線a-b及線c-d的截面圖。圖1c及1d都是示出將圖1b所示的結(jié)構(gòu)的一部分替換的結(jié)構(gòu)的截面圖。

<功能面板的結(jié)構(gòu)例子1>

在本實施方式中說明的功能面板200包括第一基材210；包括重疊于第一基材210的區(qū)域的第二基材270；將第二基材270接合于第一基材210的一個面的接合層205；接觸于第一基材210、第二基材270及接合層205的絕緣層290；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區(qū)域中的功能層（參照圖1a）。

功能層包括多個功能元件。

在本實施方式中說明的功能面板200包括第一基材210；第二基材270；將第一基材210和第二基材270接合的接合層205；以及接觸于第一基材210、第二基材270及接合層205的絕緣層290。另外，可以將具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。

由此，可以由絕緣層填充在接合層接觸于第一基材的區(qū)域或接合層接觸于第二基材的區(qū)域中容易形成的開口，并且能夠抑制雜質(zhì)擴(kuò)散到位于由第一基材、第二基材、將第一基材和第二基材接合的接合層包圍的區(qū)域中的功能層。當(dāng)將具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270時，能夠使功能面板彎折或折疊。其結(jié)果，可以提供一種方便性或可靠性高的新穎的功能面板。

注意，可以將發(fā)光元件250r用作功能元件?？梢詫⒕邆浒l(fā)光元件250r的功能面板200稱為發(fā)光模塊。

可以將顯示元件用作功能元件?？梢詫⒕邆滹@示元件的功能面板200稱為顯示模塊。

可以將驅(qū)動晶體管m0用作功能元件。

此外，本發(fā)明的一個方式的功能面板200包括像素202、對像素202供應(yīng)控制信號的驅(qū)動電路gd、對像素202供應(yīng)顯示信號的驅(qū)動電路sd、以及配置像素202的區(qū)域201（參照圖1a及1b）。

像素202被供應(yīng)顯示信號（參照圖1a）。像素202包括子像素202r等。子像素202r具有顯示紅色的功能。另外，像素202包括顯示綠色的子像素及顯示藍(lán)色的子像素等。

子像素202r包括像素電路及顯示模塊280r（參照圖1b）。

像素電路包括驅(qū)動晶體管m0及電容器c。

顯示模塊280r包括發(fā)光元件250r、以及在發(fā)光元件250r發(fā)射光一側(cè)包括重疊于發(fā)光元件250r的區(qū)域的著色層267r。此外，發(fā)光元件250r是顯示元件的一個方式。

發(fā)光元件250r包括下部電極、上部電極及包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。

電路包括驅(qū)動晶體管m0且被配置在第一基材210與發(fā)光元件250r之間。絕緣膜221被配置在電路與發(fā)光元件250r之間。

驅(qū)動晶體管m0包括第二電極。驅(qū)動晶體管m0的第二電極通過設(shè)置在絕緣膜221中的開口與發(fā)光元件250r的下部電極電連接。

電容器c包括第一電極及第二電極。電容器c的第一電極與驅(qū)動晶體管m0的柵極電連接。電容器c的第二電極與驅(qū)動晶體管m0的第二電極電連接。

驅(qū)動電路sd包括晶體管md及電容器cd。

本發(fā)明的一個方式的功能面板200包括與驅(qū)動電路sd電連接的布線211、與布線211電連接的端子219、以及與端子219電連接的柔性印刷電路板209。

此外，還包括，在重疊于子像素202r的區(qū)域中包括開口的遮光層267bm。

此外，還包括，在重疊于發(fā)光元件250r的區(qū)域中包括開口且覆蓋下部電極的端部的分隔壁228。

此外，還包括，具備重疊于區(qū)域201的區(qū)域的功能膜267p（參照圖1b）。

此外，功能面板200可以在設(shè)置有第二基材270一側(cè)顯示數(shù)據(jù)。

下面，說明構(gòu)成本發(fā)明的一個方式的功能面板200的各種要素。注意，無法明確地使上述結(jié)構(gòu)分離，有時一個結(jié)構(gòu)兼作其他結(jié)構(gòu)或包含其他結(jié)構(gòu)的一部分。

<整體的結(jié)構(gòu)>

功能面板200包括第一基材210、第二基材270、接合層205、絕緣層290以及功能層。

另外，功能面板200還包括像素202、驅(qū)動電路gd、驅(qū)動電路sd、區(qū)域201、子像素202r、驅(qū)動晶體管m0、電容器c、顯示模塊280r、發(fā)光元件250r、著色層267r、像素電路、絕緣膜221、布線211、端子219、柔性印刷電路板209、遮光層267bm、分隔壁228以及功能膜267p。

<<第一基材210>>

第一基材210只要具有能夠耐受制造工序的耐熱性以及可以位于制造裝置中的厚度及大小，就沒有特別的限制。

可以將有機(jī)材料、無機(jī)材料或有機(jī)材料與無機(jī)材料的復(fù)合材料等用于第一基材210。例如可以將玻璃、陶瓷或金屬等無機(jī)材料用于第一基材210。

具體而言，可以將無堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用于第一基材210。具體而言，可以將無機(jī)氧化物膜、無機(jī)氮化物膜或無機(jī)氧氮化物膜等用于第一基材210。例如，可以將氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化鋁膜等用于第一基材210?？梢詫us或鋁等用于第一基材210。

例如，可以將樹脂、樹脂膜或塑料等有機(jī)材料用于第一基材210。具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等樹脂膜或樹脂板用于第一基材210。

例如，第一基材210可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機(jī)材料等的膜貼合于樹脂膜等的復(fù)合材料。例如，作為第一基材210可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機(jī)材料等分散到樹脂膜而得到的復(fù)合材料。例如，作為第一基材210，可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機(jī)材料等分散到無機(jī)材料而得到的復(fù)合材料。

可以將單層材料或?qū)盈B有多個層的疊層材料用于第一基材210。例如，可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質(zhì)擴(kuò)散的絕緣膜等的疊層材料用于第一基材210。具體而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質(zhì)擴(kuò)散的選自氧化硅層、氮化硅層和氧氮化硅層等中的一種或多種的膜的疊層材料用于第一基材210?；蛘撸梢詫盈B有樹脂與防止包含在樹脂中的雜質(zhì)擴(kuò)散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的疊層材料用于第一基材210。

可以將具有柔性的材料用于第一基材210。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的柔性的材料。具體而言，可以使用能夠以5mm以上，優(yōu)選為4mm以上，更優(yōu)選為3mm以上，特別優(yōu)選為1mm以上的曲率半徑彎曲的材料?？梢詫⒑穸葹?.5μm以上且3μm以下，優(yōu)選為5μm以上且1.5μm以下，更優(yōu)選為10μm以上且500μm以下的材料用于第一基材210（參照圖2a至2d）。

具體而言，作為第一基材210，可以使用層疊有柔性基材210b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜210a、以及將柔性基材210b和阻擋膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。

<<第二基材270>>

可以將可用于第一基材210且在重疊于顯示元件的區(qū)域中具有透光性的材料用于第二基材270?？梢詫⒕哂腥嵝缘牟牧嫌糜诘诙?70。具體而言，作為第二基材270，可以使用層疊有柔性基材270b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜270a、以及將阻擋膜270a和柔性基材270b貼合的樹脂層270c的疊層體。

<<接合層205>>

可以將能夠貼合第一基材210和第二基材270的材料用于接合層205。

可以將無機(jī)材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料與有機(jī)材料的復(fù)合材料等用于接合層205。

例如，可以使用熔點為400℃以下、優(yōu)選為300℃以下的玻璃層或粘合劑等。

例如，可以將光固化型粘合劑、反應(yīng)固化型粘合劑、熱固化型粘合劑和/或厭氧型粘合劑等有機(jī)材料用于接合層205。

具體而言，可以使用包含環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、亞胺樹脂、聚氯乙烯（pvc）樹脂、聚乙烯醇縮丁醛（pvb）樹脂或乙烯-醋酸乙烯酯（eva）樹脂等的粘合劑。

<<絕緣層290>>

絕緣層290可以使用具有電絕緣性的材料或抑制雜質(zhì)的擴(kuò)散的材料。例如，絕緣層290可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金屬或聚合物。

例如，可以使用包含氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氧化鑭、氧化硅、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化錫、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鉺、氧化釩或氧化銦等的材料。

例如，可以使用包含氮化鋁、氮化鉿、氮化硅、氮化鉭、氮化鈦、氮化鈮、氮化鉬、氮化鋯或氮化鎵等的材料。

例如，可以使用包含銅、鉑、釕、鎢、銥、鈀、鐵、鈷或鎳等的材料。

例如，可以使用包含硫化鋅、硫化鍶、硫化鈣、硫化鉛、氟化鈣、氟化鍶或氟化鋅等的材料。

例如，可以使用包含含有鈦及鋁的氮化物、含有鈦及鋁的氧化物、含有鋁及鋅的氧化物、含有錳及鋅的硫化物、含有鈰及鍶的硫化物、含有鉺及鋁的氧化物或者含有釔及鋯的氧化物等的材料。

例如，可以將能夠通過利用原子層沉積（ald：atomiclayerdeposition）法形成的材料用于絕緣層290。通過利用原子層沉積法可以形成致密且裂縫或針孔等缺陷被減少或具備均勻的厚度的絕緣層290。此外，可以減少在形成絕緣層290時加工構(gòu)件受到的損傷。

<<功能層>>

可以將功能電路、功能元件、光學(xué)元件、功能膜或者包含選自它們中的多個元件的層用于功能層。

例如，可以將電元件或生物芯片用作功能層。具體而言，可以使用晶體管、電容器、電阻器、存儲元件、發(fā)光元件或顯示元件等。

例如，可以將顯示元件及驅(qū)動顯示元件的像素電路用作功能層。

例如，可以將觸摸傳感器、濾色片或防濕膜等用作功能層。

<<區(qū)域201>>

區(qū)域201包括多個功能元件。例如，區(qū)域201具備配置為矩陣狀的功能元件。具體而言，區(qū)域201具備配置為矩陣狀的多個像素202。由此，功能面板200能夠在區(qū)域201上顯示圖像數(shù)據(jù)。

<<像素202>>

可以將多個子像素用于像素202。例如，可以使用顯示紅色的子像素202r、顯示綠色的子像素以及顯示藍(lán)色的子像素。此外，可以使用顯示黃色、白色、青色（cyan）及品紅色（magenta）的子像素等。

<<子像素>>

可以將顯示元件及驅(qū)動顯示元件的像素電路用于子像素。

絕緣膜221可以配置在包括顯示元件的功能層和包括像素電路的功能層之間。

例如，可以將無機(jī)材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料與有機(jī)材料的復(fù)合材料用于絕緣膜221。具體而言，可以將包含硅及氮的膜、包含硅及氧的膜、包含聚酰亞胺的膜、包含丙烯酸樹脂的膜、包含硅酮樹脂的膜或?qū)盈B有選自這些膜中的多個膜的膜等用作絕緣膜221。

此外，功能面板200包括在重疊于子像素202r的區(qū)域中包括開口的遮光層267bm。遮光層267bm具有遮光性。

例如，可以將分散有顏料的樹脂、包含染料的樹脂或黑色鉻膜等無機(jī)膜用于遮光層267bm。具體而言，可以將碳黑、無機(jī)氧化物或包含多個無機(jī)氧化物的固溶體的復(fù)合氧化物等用于遮光層267bm。

另外，可以將在重疊于顯示元件的區(qū)域中包括開口的分隔壁228用作功能面板200。例如，可以將重疊有分隔壁228而設(shè)置的導(dǎo)電膜中的重疊于分隔壁228的開口的區(qū)域用作發(fā)光元件250r的下部電極。由此，可以防止在下部電極的端部產(chǎn)生臺階。

<<顯示元件>>

例如，可以將其對比度、亮度、反射率或透射率等因電或磁作用而變化的顯示媒體用作顯示元件。

此外，可以將包括發(fā)光元件250r以及使發(fā)光元件250r發(fā)射的光的至少一部分透過的著色層267r的顯示模塊280r用作顯示元件。

例如，可以將包含顏料或染料等材料的層用于著色層267r。由此，可以使顯示模塊280r發(fā)射特定顏色的光。

可以采用在反射膜和半透半反膜之間配置發(fā)光元件250r的微諧振器結(jié)構(gòu)。具體而言，可以使用發(fā)光元件250r，其中將反射性的導(dǎo)電膜用作一個電極且將半透半反導(dǎo)電膜用作另一個電極。

例如，也可以將高效地提取紅色光的微諧振器及使紅色光透過的著色層用于顯示紅色的顯示模塊280r，將高效地提取綠色光的微諧振器及使綠色光透過的著色層用于顯示綠色的顯示模塊，或者將高效地提取藍(lán)色光的微諧振器及使藍(lán)色光透過的著色層用于顯示藍(lán)色光的顯示模塊。

注意，還可以將高效地提取黃色光的微諧振器及使黃色光透過的著色層用于顯示模塊。

具體而言，可以使用電致發(fā)光（el）元件（包含有機(jī)材料及無機(jī)材料的el元件、有機(jī)el元件或無機(jī)el元件）、led（白色led、紅色led、綠色led或藍(lán)色led等）、晶體管（根據(jù)電流而發(fā)光的晶體管）、電子發(fā)射器、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵光閥（glv）、等離子體顯示面板（pdp）、使用微電子機(jī)械系統(tǒng)（mems）的顯示元件、數(shù)字微鏡設(shè)備（dmd）、數(shù)碼微快門（dms）、mirasol（在日本注冊的商標(biāo)）、干涉調(diào)制（imod）元件、快門方式的mems顯示元件、光干涉方式的mems顯示元件、電潤濕（electrowetting）元件、壓電陶瓷顯示器或使用碳納米管的顯示元件等。

<<像素電路>>

可以使用適合用于顯示元件的各種像素電路。

例如，可以使用包括驅(qū)動晶體管m0或電容器c的像素電路。

可以將各種晶體管用于驅(qū)動晶體管m0。

例如，可以使用將14族的元素、化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體等用于半導(dǎo)體層的晶體管。具體而言，可以將使用包含硅的半導(dǎo)體、包含砷化鎵的半導(dǎo)體或包含銦的氧化物半導(dǎo)體等用于驅(qū)動晶體管m0的半導(dǎo)體層。

例如，可以將單晶硅、多晶硅或非晶硅等用于驅(qū)動晶體管m0的半導(dǎo)體層。

例如，可以使用底柵型晶體管或頂柵型晶體管等。

<<驅(qū)動電路>>

可以將移位寄存器等各種各樣的時序電路用作驅(qū)動電路gd或驅(qū)動電路sd。

可以將各種各樣的晶體管用作驅(qū)動電路sd的晶體管md。例如，可以將能夠通過與驅(qū)動晶體管m0相同的工序形成的結(jié)構(gòu)用于晶體管md。

可以將與電容器c相同的結(jié)構(gòu)用于電容器cd。

<<布線和端子>>

可以將導(dǎo)電性材料用于布線211或端子219。

例如，可以將無機(jī)導(dǎo)電性材料、有機(jī)導(dǎo)電性材料、金屬材料或?qū)щ娦蕴沾刹牧系扔糜诓季€211或端子219。

具體而言，作為布線211或端子219，可以使用選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀和錳中的金屬元素、包含上述任何金屬元素的合金或組合上述任何金屬元素的合金等。

或者，可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或添加有鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物用于布線211或端子219。

可以將石墨烯或石墨用于導(dǎo)電膜。包含石墨烯的膜例如可以通過使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以采用進(jìn)行加熱的方法或使用還原劑的方法等。

或者，可以使用導(dǎo)電高分子。

另外，可以使端子219與柔性印刷電路板209電連接，例如，可以使用各向異性導(dǎo)電膜電連接。

<<其他>>

功能面板200包括功能膜267p。

例如，可以將無機(jī)材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料和有機(jī)材料的復(fù)合材料用于功能膜267p。具體而言，可以使用包含氧化鋁或氧化硅等的陶瓷涂層、包含uv固化樹脂等的硬涂層、防反射膜或者圓偏振片等。

<<晶體管>>

可以將各種各樣的晶體管用作驅(qū)動晶體管m0或晶體管md。

例如，可以將底柵型晶體管用作驅(qū)動晶體管m0或晶體管md。

例如，可以將包含氧化物半導(dǎo)體或非晶硅等的半導(dǎo)體層用于驅(qū)動晶體管m0及晶體管md。

例如，優(yōu)選包括以in-m-zn氧化物表示的膜，該in-m-zn氧化物膜至少包含銦（in）、鋅（zn）及m（m為al、ga、ge、y、zr、sn、la、ce或hf等金屬）。或者，優(yōu)選包含in和zn兩者。

作為穩(wěn)定劑，可以舉出鎵（ga）、錫（sn）、鉿（hf）、鋁（al）及鋯（zr）等。作為其他穩(wěn)定劑，可以舉出鑭系元素的鑭（la）、鈰（ce）、鐠（pr）、釹（nd）、釤（sm）、銪（eu）、釓（gd）、鋱（tb）、鏑（dy）、鈥（ho）、鉺（er）、銩（tm）、鐿（yb）或镥（lu）等。

作為構(gòu)成氧化物半導(dǎo)體膜的氧化物半導(dǎo)體，例如可以使用下述任何氧化物：in-ga-zn類氧化物、in-al-zn類氧化物、in-sn-zn類氧化物、in-hf-zn類氧化物、in-la-zn類氧化物、in-ce-zn類氧化物、in-pr-zn類氧化物、in-nd-zn類氧化物、in-sm-zn類氧化物、in-eu-zn類氧化物、in-gd-zn類氧化物、in-tb-zn類氧化物、in-dy-zn類氧化物、in-ho-zn類氧化物、in-er-zn類氧化物、in-tm-zn類氧化物、in-yb-zn類氧化物、in-lu-zn類氧化物、in-sn-ga-zn類氧化物、in-hf-ga-zn類氧化物、in-al-ga-zn類氧化物、in-sn-al-zn類氧化物、in-sn-hf-zn類氧化物、in-hf-al-zn類氧化物及in-ga類氧化物。

注意，在此，“in-ga-zn類氧化物”例如是指作為其主要成分具有in、ga和zn的氧化物，對in：ga：zn的比例沒有限制。in-ga-zn類氧化物也可以包含in、ga和zn以外的金屬元素。

例如，可以將包含利用激光退火等結(jié)晶化處理而得到的多晶硅的半導(dǎo)體層用于驅(qū)動晶體管m0及晶體管md（參照圖1c）。

例如，可以將頂柵型晶體管用于驅(qū)動晶體管m0及晶體管md（參照圖1d）。

例如，可以將含有多晶硅的半導(dǎo)體層或包括從單晶硅襯底等轉(zhuǎn)置的單晶硅膜等的半導(dǎo)體層用于驅(qū)動晶體管m0及晶體管md。

參照圖17a至17d、圖18a至18d、圖19a至19d、圖20a至20d、圖21a至21d以及圖22a至22d說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的另一個結(jié)構(gòu)。

圖17a至17d、圖18a至18d、圖19a至19d、圖20a至20d、圖21a至21d以及圖22a至22d都說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)。圖17a、圖18a、圖19a、圖20a、圖21a及圖22a是本發(fā)明的實施方式的功能面板的俯視圖。圖17b、圖18b、圖19b、圖20b、圖21b及圖22b分別是沿著圖17a、圖18a、圖19a、圖20a、圖21a及圖22a中的線a-b及線c-d的截面圖。圖17c、圖18c、圖19c、圖20c、圖21c及圖22c以及圖17d、圖18d、圖19d、圖20d、圖21d及圖22d是說明將圖17b、圖18b、圖19b、圖20b、圖21b及圖22b的一部分的結(jié)構(gòu)替換的截面圖。

功能面板200（1）與功能面板200的不同之處在于：功能面板200（1）包括絕緣層291且在絕緣層291和第一基材210之間包括發(fā)光元件250r（參照圖17b及圖18b）。

可以將可用于絕緣層290的材料用于絕緣層291。可以通過與絕緣層290相似的方法形成絕緣層291。

功能面板200（2）與功能面板200的不同之處在于：功能面板200（2）包括絕緣層291且在絕緣層291和第一基材210之間包括驅(qū)動晶體管m0（參照圖19a至19d及圖20a至20d）。

可以將可用于絕緣層290的材料用于絕緣層291?？梢酝ㄟ^與絕緣層290相似的方法形成絕緣層291。

功能面板200（3）與功能面板200的不同之處在于：功能面板200（3）在絕緣層290和第二基材270之間包括功能膜267p（參照圖21a至21d及圖22a至22d）。

<功能面板的結(jié)構(gòu)例子2>

參照圖3a至3d對本發(fā)明的一個方式的功能面板的另一個結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖3a至3d說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)。另外，圖3a是本發(fā)明的一個方式的功能面板200b的俯視圖，圖3b是沿著圖3a中的線a-b及線c-d的截面圖。圖3c及3d都是示出將圖3b所示的一部分替換的結(jié)構(gòu)的截面圖。

在本實施方式中說明的功能面板200b在如下結(jié)構(gòu)中與參照圖1a至1d說明的功能面板200不同：在第一基材210和發(fā)光元件250r之間配置有在重疊于子像素202r的區(qū)域中包括開口的遮光層267bm及著色層267r；功能膜267p設(shè)置在第一基材210一側(cè)；以及顯示模塊280r向設(shè)置有第一基材210一側(cè)發(fā)射光。

第一基材210在重疊于顯示元件的區(qū)域中具有透光性。第二基材270并不一定必須具有透光性。作為其他構(gòu)成要素，可以采用同樣的構(gòu)成要素。

由此，功能面板200b在設(shè)置有第一基材210一側(cè)可以顯示數(shù)據(jù)。

此外，可以將具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的柔性的材料。具體而言，作為第一基材210，可以使用層疊有柔性基材210b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜210a、以及將柔性基材210b和阻擋膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。作為第二基材270，可以使用層疊有柔性基材270b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜270a、以及將柔性基材270b和阻擋膜270a貼合的樹脂層270c的疊層體（參照圖4a至4d）。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式2

在本實施方式中，參照圖5、圖6a1、6a2、6b1以及6b2、圖7、圖8a1、8a2、8b1、8b2、8c1、8c2、8d1以及8d2對本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造方法進(jìn)行說明。

圖5是說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造方法的流程圖。圖6a1、6a2、6b1及6b2是說明工序中的加工構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6a1是本發(fā)明的一個方式的加工構(gòu)件的頂面示意圖，圖6b1是本發(fā)明的一個方式的加工構(gòu)件及使用該加工構(gòu)件的功能面板的頂面示意圖，并且圖6a2及6b2是沿著左側(cè)的附圖中的線w1-w2的截面示意圖。

<功能面板的制造方法例子1>

在本實施方式中說明的功能面板的制造方法包括下面六個步驟（參照圖5）。

<<第一步驟>>

在第一步驟中，準(zhǔn)備加工構(gòu)件10，將加工構(gòu)件10供應(yīng)給未圖示的加工構(gòu)件支撐部（參照圖5（s1））。注意，加工構(gòu)件支撐部具有控制加工構(gòu)件10的溫度的功能。

另外，加工構(gòu)件10包括第一基材310、具備重疊于第一基材310的區(qū)域的第二基材370、將第二基材370接合于第一基材310的一個面的接合層305、以及位于由第一基材310、第二基材370及接合層305包圍的區(qū)域中的功能層330。功能層330包括多個功能元件（參照圖6a1及6a2）。

<<第二步驟>>

在第二步驟中，例如使用加工構(gòu)件支撐部將加工構(gòu)件10的溫度控制為預(yù)定的值，而使其內(nèi)部具備加工構(gòu)件10及加工構(gòu)件支撐部的處理室（未圖示）排氣（參照圖5（s2））。注意，處理室包括可以密封的空間。

<<第三步驟>>

在第三步驟中，將包含前體化合物的源氣體供應(yīng)給處理室，且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體（參照圖5（s3））。例如，可以將金屬醇鹽或有機(jī)金屬化合物等用作前體化合物。另外，可以將使處理室排氣的方法或在引入惰性氣體的同時使處理室排氣的方法等用于吹掃源氣體的方法。

<<第四步驟>>

在第四步驟中，將包含氧化劑的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體（參照圖5（s4））。例如，可以將水蒸氣或臭氧等用作氧化劑。另外，在結(jié)束該步驟時，在加工構(gòu)件10的表面上形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層。通過該方法，可以在具有復(fù)雜的形狀的表面上形成致密的膜。其結(jié)果，可以形成針孔等的缺陷少的絕緣層。

<<第五步驟>>

在第五步驟中，在都包括第三步驟及第四步驟的循環(huán)的重復(fù)次數(shù)少于預(yù)定的次數(shù)時，工序回到第三步驟。在循環(huán)的重復(fù)次數(shù)為預(yù)定的次數(shù)以上時，工序進(jìn)入第六步驟（參照圖5（s5））。注意，重復(fù)的單位包括一個循環(huán)，一個循環(huán)包括第三步驟及第四步驟。

注意，在第三步驟中可以采用交替地供應(yīng)兩個以上的前體化合物的方法。例如，第三步驟包括如下兩個步驟，即可以采用供應(yīng)包含第一前體化合物的源氣體的步驟、以及供應(yīng)包含第二前體化合物的源氣體的步驟。在此情況下，一個循環(huán)包括具有上述兩個步驟的第三步驟及第四步驟。

<<第六步驟>>

在第六步驟中，將加工構(gòu)件10從處理室搬出。在此，結(jié)束絕緣層390的形成（參照圖5（s6）、圖6b1及6b2）。另外，在結(jié)束該步驟時，可以提供在其表面上以預(yù)定的厚度形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層390的功能面板300。

在本實施方式中說明的功能面板的制造方法包括：供應(yīng)包含前體化合物的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟；以及供應(yīng)包含氧化劑的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟。由此，可以在加工構(gòu)件表面上形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層。其結(jié)果，可以提供功能面板的新穎的制造方法。

在本實施方式中說明的功能面板的制造方法例如可以通過利用在實施方式3中說明的本發(fā)明的實施方式的任何成膜系統(tǒng)而實施。

具體而言，在成膜裝置100中，可以在第一基材310上形成功能層，并且在密封室su中，使用接合層305將第一基材310與第二基材370互相貼合來制造第一基材310。

并且，通過使用原子層沉積（ald）裝置，可以形成絕緣層390。

可以將剝離工藝（lift-off）法等用于在加工構(gòu)件10的一部分中設(shè)置不形成絕緣層390的區(qū)域的方法。

例如，將在后面的工序中可以剝離的抗蝕劑掩模形成在不形成絕緣層390的區(qū)域中的加工構(gòu)件用作加工構(gòu)件10。

在進(jìn)行上述第一步驟至第六步驟之后，去除抗蝕劑掩模。由此，可以將形成在抗蝕劑掩模上的絕緣層390與抗蝕劑掩模一起從加工構(gòu)件10分離。

具體而言，可以將感光性的抗蝕劑、可溶性的樹脂或粘合膠帶等用作抗蝕劑掩模。

<功能面板的制造方法例子2>

參照圖7及圖8a1、8a2、8b1、8b2、8c1、8c2、8d1以及8d2說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造方法的另一個例子。

圖7是說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造方法的流程圖。圖8a1、8a2、8b1、8b2、8c1、8c2、8d1以及8d2是說明工序中的加工構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8a1、8b1、8c1以及8d1是說明本發(fā)明的一個方式的加工構(gòu)件的頂面示意圖，圖8a2、8b2、8c2以及8d2是沿著左側(cè)的附圖中的線w1-w2的截面示意圖。

在本實施方式中說明的功能面板的另一個制造方法包括下面八個步驟（參照圖7）。注意，例如，可以通過利用實施方式3所說明的本發(fā)明的實施方式的任何成膜系統(tǒng)而實施。

圖7中的功能面板的制造方法在如下三點中與圖5中的制造方法不同。

第一點是使用加工構(gòu)件10b。加工構(gòu)件10b包括：第一接合層305a；第二接合層305b；位于由第一基材310、第二基材370及第一接合層305a包圍的區(qū)域中的第一功能層330a；以及位于由第一基材310、第二基材370及第二接合層305b包圍的區(qū)域中的第二功能層330b（圖8a1及8a2）。

第二點是圖7中的制造方法包括在第二基材370中的重疊于第一接合層305a與第二接合層305b之間的區(qū)域的區(qū)域中形成開口的步驟（參照圖7（t1）、圖8b1及8b2）。

第三點是圖7中的制造方法包括將加工構(gòu)件10b沿著重疊于第一接合層305a和第二接合層305b之間的區(qū)域的區(qū)域分割的步驟（參照圖7（t8）、圖8d1及8d2）。

在此，對不同的步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。關(guān)于可使用相同步驟的部分，引用上述說明。

<<第一步驟>>

在第一步驟中，準(zhǔn)備加工構(gòu)件10b（參照圖8a1及8a2），并且在重疊于第一接合層305a和第二接合層305b之間的區(qū)域的第二基材370中的區(qū)域中形成開口（參照圖7（t1）、圖8b1及8b2）。

例如，將第二基材370分割為第二基材370a及第二基材370b，以在第二基材370a和第二基材370b之間形成連續(xù)的開口?；蛘撸部梢酝ㄟ^使用鋒利的尖端刺入第二基材370的方法或利用激光等的方法（例如激光燒蝕法）等，以虛線狀形成多個開口。

<<第二步驟>>

在第二步驟中，將加工構(gòu)件10b供應(yīng)給未圖示的加工構(gòu)件支撐部（參照圖7（t2））。

<<第三步驟>>

在第三步驟中，例如使用加工構(gòu)件支撐部將加工構(gòu)件10b的溫度控制為預(yù)定的值，而使其內(nèi)部具備加工構(gòu)件支撐部的處理室排氣（參照圖7（t3））。注意，處理室包括可以密封的空間。

<<第四步驟>>

在第四步驟中，將包含前體化合物的源氣體供應(yīng)給處理室，且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體（參照圖7（t4））。

<<第五步驟>>

在第五步驟中，將包含氧化劑的源氣體供應(yīng)給處理室，并且在供應(yīng)之后使處理室排氣（參照圖7（t5））。

另外，在結(jié)束該步驟時，在加工構(gòu)件10b的表面上形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層。通過該方法，可以在具有復(fù)雜的形狀的表面上形成致密的膜。其結(jié)果，可以形成針孔等的缺陷少的絕緣層。例如，在第四步驟及第五步驟中，源氣體從在第一步驟中形成的開口侵入而可以在該開口的內(nèi)部形成絕緣層。

<<第六步驟>>

在第六步驟中，在都包括第三步驟及第四步驟的循環(huán)的重復(fù)次數(shù)少于預(yù)定的次數(shù)時，工序回到第四步驟。在循環(huán)的重復(fù)次數(shù)為預(yù)定的次數(shù)以上時，工序進(jìn)入第七步驟（參照圖7（t6））。

<<第七步驟>>

在第七步驟中，將加工構(gòu)件10b從處理室搬出。在此，結(jié)束絕緣層390的形成（參照圖7（t7）、圖8c1及8c2）。

<<第八步驟>>

在第八步驟中，將加工構(gòu)件10b沿著重疊于第一接合層305a和第二接合層305b之間的區(qū)域的區(qū)域分割（參照圖7（t8）、圖8d1及8d2）。注意，在結(jié)束該步驟時，可以提供在其表面上以預(yù)定的厚度形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層390a的第一功能面板300（1）、以及在其表面上以預(yù)定的厚度形成絕緣層390b的第二功能面板300（2）。

此外，第一功能面板300（1）包括第一基材310a、具備重疊于第一基材310a的區(qū)域的第二基材370a、將第二基材370a接合于第一基材310a的一個面的第一接合層305a、以及位于由第一基材310a、第二基材370a及第一接合層305a包圍的區(qū)域中的第一功能層330a。第一功能層330a包括多個功能元件。

第一功能面板300（1）包括第一基材310a。由于上述分割，第一基材310a具備沒有形成絕緣層390a的端面。

此外，第二功能面板300（2）包括第一基材310b、具備重疊于第一基材310b的區(qū)域的第二基材370b、將第二基材370b接合于第一基材310b的一個面的第二接合層305b、以及位于由第一基材310b、第二基材370b及第二接合層305b包圍的區(qū)域中的第二功能層330b。第二功能層330b包括多個功能元件。

第一功能面板300（2）包括第一基材310b。由于上述分割，第一基材310b具備沒有形成絕緣層390b的端面。

在本實施方式中說明的功能面板的制造方法包括供應(yīng)包含前體化合物的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟、以及供應(yīng)包含氧化劑的源氣體，并且在供應(yīng)之后從處理室吹掃源氣體的步驟。由此，可以在加工構(gòu)件表面上形成包含前體化合物的氧化物的絕緣層。其結(jié)果，可以提供功能面板的新穎的制造方法。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式3

在本實施方式中，參照圖9a及9b、圖10a及10b說明可以用于本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造的成膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。

圖9a和9b說明可以用于本發(fā)明的一個方式的功能面板的制造的成膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。圖9a是本發(fā)明的一個方式的集群型成膜系統(tǒng)1000的示意圖，圖9b是本發(fā)明的一個方式的直列型成膜系統(tǒng)1000b的示意圖。

圖10a和10b都說明可以用于本發(fā)明的實施方式的任何成膜系統(tǒng)的成膜裝置的結(jié)構(gòu)。圖10a是說明通過使用蔭罩170及可以用于本發(fā)明的一個方式的成膜系統(tǒng)的成膜裝置100在第一基材310上進(jìn)行成膜的狀態(tài)的截面圖，圖10b是說明通過使用原子層沉積（ald）裝置在加工構(gòu)件10上進(jìn)行成膜的狀態(tài)的截面圖。

<成膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)例子1>

成膜系統(tǒng)1000包括搬入單元ld、連接于搬入單元ld的傳送室dc、連接于傳送室dc的搬出單元uld、連接于傳送室dc的成膜裝置100、密封室su、原子層沉積（ald）裝置以及化學(xué)氣相沉積（cvd）裝置（參照圖9a）。

搬入單元ld將第一基材310搬入。第一基材310被搬入到傳送室dc并被傳送。搬出單元uld將加工構(gòu)件10搬出。

第一基材310被傳送到成膜裝置100，并在第一基材310上沉積成膜材料。

第一基材310被搬入到密封室su，并在第一基材310上形成密封材料，且將加工構(gòu)件10搬出密封室su。例如，在第一基材310上形成接合層，通過使用接合層將第一基材310和第二基材370互相貼合，而形成密封材料。

加工構(gòu)件10被傳送到ald裝置并將成膜材料沉積在加工構(gòu)件10上。

在cvd裝置中傳送加工構(gòu)件10，并將成膜材料沉積在加工構(gòu)件10上。

成膜裝置100、ald裝置及cvd裝置都具備傳送口。蔭罩170被搬入到成膜裝置100。

另外，多個成膜裝置、ald裝置及cvd裝置也可以連接于傳送室dc。

<成膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)例子2>

成膜系統(tǒng)1000b包括搬入單元ld、連接于搬入單元ld的成膜裝置100a、連接于成膜裝置100a的成膜裝置100b、連接于成膜裝置100b的成膜裝置100c、連接于成膜裝置100c的成膜裝置100d、連接于成膜裝置100d的密封室su、連接于密封室su的ald裝置、連接于ald裝置的cvd裝置、以及連接于cvd裝置的搬出單元uld（參照圖9b）。

搬入單元ld將第一基材310搬入。搬出單元uld將加工構(gòu)件10搬出。

第一基材310被搬入到成膜裝置100a至成膜裝置100d并將成膜材料沉積在第一基材310上，且將第一基材310搬出成膜裝置100a至成膜裝置100d。

第一基材310被搬入到密封室su，并將密封材料形成在第一基材310上，且密封室su傳送加工構(gòu)件10。例如，在第一基材310上形成接合層，通過使用接合層將第一基材310和第二基材370互相貼合，而形成密封材料。

加工構(gòu)件10被搬入到ald裝置并將成膜材料沉積在加工構(gòu)件10上，且將加工構(gòu)件10搬出ald裝置。

加工構(gòu)件10被搬入cvd裝置并將成膜材料沉積在加工構(gòu)件10上，且將加工構(gòu)件10搬出cvd裝置。

成膜裝置100a至成膜裝置100d、密封室su、ald裝置及cvd裝置都具備搬入口及搬出口。蔭罩170被搬入到成膜裝置100a至成膜裝置100d。

此外，為了防止水分的附著，在包括在成膜系統(tǒng)1000或成膜系統(tǒng)1000b中的各單元和裝置中，優(yōu)選充填具有被控制的露點的惰性氣體（氮氣等），更優(yōu)選保持減壓狀態(tài)。

在本實施方式中說明的成膜系統(tǒng)1000b包括多個成膜裝置100a至成膜裝置100d、密封室su、ald裝置及cvd裝置。

由此，可以在第一基材310上層疊多個膜。此外，可以在將之前形成的膜不暴露于大氣的狀態(tài)下，在之前形成的膜上層疊成膜材料。此外，可以抑制雜質(zhì)的混入，并可以實現(xiàn)高生產(chǎn)量。此外，可以在包括第一基材310、第二基材370、以及將第一基材310和第二基材370貼合的接合層的加工構(gòu)件10上形成針孔少的絕緣層。

下面，說明包括在成膜系統(tǒng)1000或成膜系統(tǒng)1000b中的各要素。注意，無法明確地使上述結(jié)構(gòu)分離，有時一個結(jié)構(gòu)兼作其他結(jié)構(gòu)或包含其他結(jié)構(gòu)的一部分。

<<成膜裝置100>>

在本實施方式中說明的成膜裝置100包括具有支撐第一基材310的功能的加工構(gòu)件支撐部110、具有以附著于第一基材310的方式噴射成膜材料的功能的蒸鍍源120a、具有在第一基材310與蒸鍍源120a之間支撐蔭罩170的功能的蔭罩支撐部115、以及其內(nèi)部配置有加工構(gòu)件支撐部110、蒸鍍源120a及蔭罩支撐部115的成膜室190（參照圖10a）。

此外，成膜裝置100也可以包括動力機(jī)構(gòu)140。例如，成膜裝置100也可以具有利用動力機(jī)構(gòu)140將加工構(gòu)件支撐部110與第一基材310一起相對于蒸鍍源120a移動的功能。由此，可以使蒸鍍源120a噴射的成膜材料均勻地沉積在第一基材310的表面上。

此外，成膜裝置100也可以通過利用動力機(jī)構(gòu)140將蔭罩支撐部115與蔭罩170、加工構(gòu)件支撐部110及第一基材310一起移動。

此外，成膜裝置100也可以包括檢測出相對于第一基材310的蔭罩170的位置的檢測器198。例如，通過使用加工構(gòu)件支撐部110或/和蔭罩支撐部115進(jìn)行移動，而相對于蔭罩170將第一基材310配置在預(yù)定的位置。

成膜裝置100也可以包括控制成膜室190的壓力的排氣單元197及對成膜室190引入預(yù)定的氣體的管道196。

此外，成膜裝置100也可以包括具有將第一基材310或/和蔭罩170搬入或/和搬出成膜室190的功能的門閥195。

除了蒸鍍源120a之外，成膜裝置100也可以包括蒸鍍源120b。此外，成膜裝置100也可以包括遮蔽從蒸鍍源120a噴射的成膜材料的遮蔽板121a，以及檢測每單位時間從蒸鍍源120a噴射的成膜材料量的檢測器122a。

<<密封室su>>

密封室su具有例如由接合層將第一基材310和第二基材370貼合的功能。由此，使用第二基材370保護(hù)形成在第一基材310的表面上的功能層等。

密封室su可以將第一基材310替換為其它基材。例如，密封室su可以將形成在第一基材310上的功能面板的一部分從第一基材310分離且將該功能面板的一部分貼合到其它基材。具體而言，可以將不具有柔性的基材替換為具有柔性的基材。注意，在本說明書中，將替換第一基材310之后的基材也稱為第一基材310。

<<原子層沉積（ald）裝置>>

ald裝置具有在其表面具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的加工構(gòu)件10的表面上沉積各種各樣的成膜材料的功能。例如具有在加工構(gòu)件10上形成厚度為20nm以上且200nm以下的膜的功能。

例如，在加工構(gòu)件10的表面上形成有稱為針孔的小孔等的情況下，成膜材料可以進(jìn)入針孔內(nèi)部而被沉積，由此可以填充針孔。

現(xiàn)有的利用cvd法的成膜裝置在進(jìn)行成膜時將用于反應(yīng)的一種或多種源氣體同時供應(yīng)到處理室。在利用ald法的成膜裝置中，將用于反應(yīng)的源氣體依次引入處理室，并且，按該順序反復(fù)地引入氣體。例如，通過切換各開關(guān)閥（也稱為高速閥）來將兩種以上的源氣體依次供應(yīng)到處理室。為了防止多種源氣體混合，在引入第一源氣體之后引入惰性氣體（氬或氮等）等，然后引入第二源氣體。另外，也可以利用真空抽氣將第一源氣體排出來代替引入惰性氣體，然后引入第二源氣體。第一源氣體附著到襯底表面來形成第一單原子層，之后引入的第二源氣體與該第一單原子層起反應(yīng)，由此第二單原子層層疊在第一單原子層上而形成薄膜。通過按該順序反復(fù)多次引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，可以形成臺階覆蓋性良好的薄膜。由于薄膜的厚度可以根據(jù)按順序反復(fù)引入氣體的次數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此，ald法可以準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)厚度而適用于形成微型晶體管。

此外，當(dāng)利用ald法時不發(fā)生等離子體損傷。

圖10b示出利用ald法的成膜裝置（也稱為原子層沉積（ald）裝置）的一個例子。ald裝置包括：成膜室（處理室180）；原料供應(yīng)部181a和181b；用作流量控制器的高速閥182a和182b；原料引入口183a和183b；原料排出口184；以及排氣單元185。設(shè)置在處理室180內(nèi)的原料引入口183a和183b通過供應(yīng)管和閥分別連接到原料供應(yīng)部181a和181b。原料排出口184通過排出管、閥及壓力調(diào)節(jié)器連接到排氣單元185。

處理室內(nèi)部設(shè)置有具備加熱器的加工構(gòu)件支撐部186，將在其上形成膜的第一基材310配置在該加工構(gòu)件支撐部186上。

在原料供應(yīng)部181a和181b中，利用汽化器或加熱單元等由固態(tài)或液態(tài)的原料形成源氣體。或者，原料供應(yīng)部181a和181b也可以供應(yīng)氣態(tài)的原料。

雖然示出設(shè)置兩個原料供應(yīng)部181a和181b的例子，但是本發(fā)明的一個方式不局限于此，也可以設(shè)置三個以上的原料供應(yīng)部。高速閥182a和182b可以按時間精確地進(jìn)行控制，而供應(yīng)源氣體和惰性氣體中的一個。高速閥182a和182b為源氣體的流量控制器，也可以稱為惰性氣體的流量控制器。

在圖10b所示的成膜裝置中，將加工構(gòu)件10搬入到加工構(gòu)件支撐部186上，使處理室180處于密閉狀態(tài)，利用加工構(gòu)件支撐部186的加熱器將加工構(gòu)件10加熱至所希望的溫度（例如，80℃以上、100℃以上或150℃以上），反復(fù)地進(jìn)行源氣體的供應(yīng)、利用排氣單元185的排氣、惰性氣體的供應(yīng)以及利用排氣單元185的排氣，由此將薄膜形成在襯底表面上。

在圖10b所示的成膜裝置中，通過適當(dāng)?shù)剡x擇在原料供應(yīng)部181a和181b中使用的原料（揮發(fā)性有機(jī)金屬化合物等），可以形成包含含有鉿、鋁、鉭和鋯等中的一種以上的元素的氧化物（包括復(fù)合氧化物）的絕緣層。具體而言，可以形成含有氧化鉿的絕緣層、含有氧化鋁的絕緣層、含有硅酸鉿的絕緣層或含有硅酸鋁的絕緣層。此外，通過適當(dāng)?shù)剡x擇在原料供應(yīng)部181a和181b中使用的原料（揮發(fā)性有機(jī)金屬化合物等），也可以形成鎢層或鈦層等金屬層或者氮化鈦層等氮化物層等的薄膜。

例如，當(dāng)使用ald裝置形成氧化鉿層時，使用如下兩種氣體：用作氧化劑的臭氧（o3）；以及通過使包含溶劑和鉿前體化合物的液體（鉿醇鹽或四（二甲基酰胺）鉿（tdmah）等鉿酰胺）氣化而得到的源氣體。此時，從原料供應(yīng)部181a供應(yīng)的第一源氣體為tdmah，從原料供應(yīng)部181b供應(yīng)的第二源氣體為臭氧。注意，四（二甲基酰胺）鉿的化學(xué)式為hf[n（ch3）2]4。其它材料液的例子包括四（乙基甲基酰胺）鉿。

例如，當(dāng)使用ald裝置形成氧化鋁層時，使用如下兩種氣體：用作氧化劑的h2o；以及通過使包含溶劑和鋁前體化合物（三甲基鋁（tma）等）的液體氣化而得到的源氣體。此時，從原料供應(yīng)部181a供應(yīng)的第一源氣體為tma，從原料供應(yīng)部181b供應(yīng)的第二源氣體為h2o。注意，三甲基鋁的化學(xué)式為al（ch3）3。其它材料液的例子包括三（二甲基酰胺）鋁、三異丁基鋁及鋁三（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮）。

當(dāng)使用ald裝置形成鎢層時，依次反復(fù)引入wf6氣體和b2h6氣體形成初始鎢層，然后使用wf6氣體和h2氣體形成鎢層。注意，也可以使用sih4氣體代替b2h6氣體。這些氣體也可以利用質(zhì)量流量控制器控制。

<<化學(xué)氣相沉積（cvd）裝置>>

cvd裝置可以通過利用化學(xué)氣相沉積法將成膜材料沉積在加工構(gòu)件上。例如，可以使用利用等離子體cvd法的成膜裝置。

另外，也可以使用利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（mocvd：metalorganicchemicalvapordeposition）法的成膜裝置或利用濺射法的成膜裝置代替或加上cvd裝置。

<<加工構(gòu)件支撐部110>>

加工構(gòu)件支撐部110具有支撐第一基材310的功能。此外，加工構(gòu)件支撐部110可以具有將第一基材310相對于蒸鍍源120a移動的功能。

例如，可以將握持或支撐第一基材310的端部或其附近的結(jié)構(gòu)用于加工構(gòu)件支撐部110。具體而言，可以使用具備夾緊機(jī)構(gòu)的構(gòu)件或l字狀等的支撐構(gòu)件。另外，也可以包括握持或支撐第一基材310的多個結(jié)構(gòu)。具體而言，在第一基材310為長方形的情況下，可以支撐第一基材310的四角或其附近。

例如，通過利用動力機(jī)構(gòu)140，可以將加工構(gòu)件支撐部110相對于蒸鍍源120a移動。具體而言，也可以使用伺服電動機(jī)、步進(jìn)電動機(jī)或氣缸使加工構(gòu)件支撐部110移動。具體而言，也可以使加工構(gòu)件支撐部110在蒸鍍源120a上方旋轉(zhuǎn)或橫穿過蒸鍍源120a上方。

另外，加工構(gòu)件支撐部110也可以具有保持第一基材310的相對于蔭罩170的位置的功能，例如將第一基材310密接于蔭罩170的功能。具體而言，也可以使用彈簧等彈性體，將第一基材310按壓到蔭罩。另外，也可以以在與蔭罩之間夾著第一基材310的方式配置磁體等，而將蔭罩吸引到第一基材310。

第一基材310只要具有能夠耐受制造工序的耐熱性以及可以位于制造裝置中的厚度及大小，就沒有特別的限制。

另外，第一基材310可以包括各種各樣的功能層，例如包括功能電路、功能元件、光學(xué)元件或功能膜等的層或者包括選自它們中的多個的層。具體例子是已知的顯示裝置的像素電路、像素的驅(qū)動電路、顯示元件、濾色片及防潮膜以及包括選自它們中的多個的層。

可以將有機(jī)材料、無機(jī)材料或有機(jī)材料與無機(jī)材料的復(fù)合材料等用于第一基材310。

例如可以將玻璃、陶瓷或金屬等無機(jī)材料用于第一基材310。

具體而言，可以將無堿玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用于第一基材310。

具體而言，可以將無機(jī)氧化物膜、無機(jī)氮化物膜或無機(jī)氧氮化物膜等用于第一基材310。例如，可以將氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化鋁膜用于第一基材310。

例如，可以將樹脂、樹脂膜或塑料等有機(jī)材料用于第一基材310。

具體而言，可以將聚酯、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂膜或樹脂板用于第一基材310。

例如，作為第一基材310，可以使用將薄板狀的玻璃板或無機(jī)材料的膜貼合于樹脂膜等的復(fù)合材料。

例如，作為第一基材310，可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機(jī)材料等分散到樹脂膜而得到的復(fù)合材料。

例如，作為第一基材310，可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機(jī)材料等分散到無機(jī)材料而得到的復(fù)合材料。

另外，可以將單層材料或?qū)盈B有多個層的疊層材料用于第一基材310。例如，可以將層疊有材料與防止包含在材料中的雜質(zhì)擴(kuò)散的絕緣層等的疊層材料用于第一基材310。

具體而言，可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質(zhì)擴(kuò)散的選自氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜等中的一種或多種的膜的疊層材料用于第一基材310。

<<蔭罩支撐部115>>

蔭罩支撐部115具有支撐蔭罩170的功能。此外，蔭罩支撐部115也可以具有將蔭罩相對于蒸鍍源120a移動的功能。

例如，也可以將握持或支撐蔭罩170的端部或其附近的結(jié)構(gòu)用于蔭罩支撐部115。具體而言，可以使用具備夾緊機(jī)構(gòu)的構(gòu)件或l字狀等的支撐構(gòu)件。另外，也可以包括握持或支撐蔭罩170的多個結(jié)構(gòu)。具體而言，在蔭罩170為長方形的情況下，也可以支撐蔭罩170的四角或其附近。

例如，通過利用動力機(jī)構(gòu)140，可以將蔭罩支撐部115相對于蒸鍍源120a移動。具體而言，也可以使用伺服電動機(jī)、步進(jìn)電動機(jī)或氣缸使蔭罩支撐部115移動。具體而言，也可以使蔭罩支撐部115在蒸鍍源120a上方旋轉(zhuǎn)或橫穿過蒸鍍源120a上方。

<<蔭罩170>>

蔭罩170包括遮蔽成膜材料的遮蔽區(qū)域、以及由遮蔽區(qū)域圍繞的開口區(qū)域。

<<蒸鍍源>>

成膜裝置100包括一個或多個蒸鍍源，例如蒸鍍源120a及蒸鍍源120b。

可以從蒸鍍源120a及蒸鍍源120b噴射相同材料。由此，可以使每單位時間的沉積在第一基材310表面上的成膜材料的厚度變厚。

此外，也可以從蒸鍍源120a及蒸鍍源120b噴射不同材料。由此，可以在第一基材310的表面上形成包含不同材料的混合物的膜，換言之，可以進(jìn)行共蒸鍍。

蒸鍍源120a具有噴射成膜材料的功能，例如優(yōu)選具有對噴射成膜材料的方向的指向性。由此，能夠提高成膜材料的使用效率。

具體而言，可以將點源型的蒸鍍源或線源型的蒸鍍源等用作蒸鍍源120a?；蛘?，可以使用將點源配置為直線狀或矩陣狀的蒸鍍源或者從狹縫噴射氣化的成膜材料的蒸鍍源。

成膜裝置100也可以具有將蒸鍍源120a相對于加工構(gòu)件支撐部110移動的功能。例如，也可以利用動力機(jī)構(gòu)將蒸鍍源120a相對于第一基材310移動并進(jìn)行成膜。

<<成膜室>>

成膜室190可以將其內(nèi)部減壓為大氣壓以下，例如為10^-3pa以下。

排氣單元197可以將成膜室190的內(nèi)部減壓。例如，可以將機(jī)械泵、渦輪泵或/和低溫泵用作排氣單元197。

成膜室190的內(nèi)部可以以氣體充滿。管道196例如可以對成膜室供應(yīng)氮氣體。

成膜室190可以具有加熱其內(nèi)壁的功能。由此，可以高效地使吸附于內(nèi)壁的分子脫離。例如，也可以在壁面具備加熱器或被供應(yīng)載熱體的管道。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖11a至11d、圖12a至12d以及圖13對可用于輸入輸出裝置的本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

圖11a至11d、圖12a至12d以及圖13說明本發(fā)明的一個方式的功能面板的結(jié)構(gòu)。

圖11a是本發(fā)明的一個方式的功能面板200tp的俯視圖，圖11b是沿著圖11a中的線a-b及線c-d的截面圖。圖11c是說明功能面板200tp的一部分的結(jié)構(gòu)的俯視圖，并且圖11d是沿著圖11c所示的線w3-w4的截面圖。

圖13是說明本發(fā)明的一個方式的功能面板200tp的投影圖。另外，為便于說明而放大功能面板200tp的一部分。

<功能面板的結(jié)構(gòu)例子>

在本實施方式中說明的功能面板200tp包括第一基材210；包括重疊于第一基材210的區(qū)域的第二基材270；將第二基材270接合于第一基材210的一個面的接合層205；接觸于第一基材210、第二基材270及接合層205的絕緣層290；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區(qū)域中的功能層。

功能層包括多個功能元件。具體而言，功能層在區(qū)域201中包括像素202及檢測元件。由此，功能面板200tp具有被供應(yīng)圖像信號并顯示圖像的功能。此外，功能面板200tp具有被供應(yīng)控制信號并供應(yīng)檢測信號的功能。

另外，可以將功能面板200tp稱為輸入輸出面板或觸摸面板。

本發(fā)明的一個方式的功能面板200tp包括像素202、對像素202供應(yīng)控制信號的驅(qū)動電路gd、對像素202供應(yīng)顯示信號的驅(qū)動電路sd、以及配置像素202的區(qū)域201（參照圖11a及11b）。

像素202被供應(yīng)顯示信號（參照圖11a）。像素202包括子像素202r等。子像素202r具有顯示紅色的功能。另外，像素202包括顯示綠色的子像素及顯示藍(lán)色的子像素等。

子像素202r包括像素電路及顯示模塊280r（參照圖11b）。

像素電路包括驅(qū)動晶體管m0及電容器c。

顯示模塊280r包括發(fā)光元件250r、以及包括發(fā)光元件250r發(fā)射光的一側(cè)的重疊于發(fā)光元件250r的區(qū)域的著色層267r。此外，發(fā)光元件250r是顯示元件的一個方式。

發(fā)光元件250r包括下部電極、上部電極及包含發(fā)光有機(jī)化合物的層。

電路包括驅(qū)動晶體管m0且在第一基材210與發(fā)光元件250r之間配置。絕緣膜221在電路與發(fā)光元件250r之間配置。

驅(qū)動晶體管m0包括第二電極。驅(qū)動晶體管m0的第二電極通過設(shè)置在絕緣膜221中的開口與發(fā)光元件250r的下部電極電連接。

電容器c包括第一電極及第二電極。電容器c的第一電極與驅(qū)動晶體管m0的柵極電連接。電容器c的第二電極與驅(qū)動晶體管m0的第二電極電連接。

驅(qū)動電路sd包括晶體管md及電容器cd。

本發(fā)明的一個方式的功能面板200tp包括與驅(qū)動電路sd電連接的布線211、與布線211電連接的端子219、以及與端子219電連接的柔性印刷電路板209。

此外，還包括，在重疊于子像素202r的區(qū)域中包括開口的遮光層267bm。

此外，還包括，在重疊于發(fā)光元件250r的區(qū)域中包括開口且覆蓋下部電極的端部的分隔壁228。

此外，還包括，具備重疊于區(qū)域201的區(qū)域的功能膜267p（參照圖11b）。

此外，功能面板200tp在設(shè)置有第二基材270的一側(cè)可以顯示數(shù)據(jù)。

功能面板200tp包括第二基材270。第二基材270支撐多個控制線cl（i）及多個信號線ml（j）。

控制線cl（i）延伸在行方向（附圖中的箭頭r所示的方向）且具有被供應(yīng)控制信號的功能（參照圖13）。

信號線ml（j）延伸在列方向（附圖中的箭頭c所示的方向）且具有供應(yīng)檢測信號的功能。

功能面板200tp包括與控制線cl（i）電連接的第一電極c1（i）和與信號線ml（j）電連接的第二電極c2（j）。第二電極c2（j）具備不重疊于第一電極c1（i）的區(qū)域（參照圖11c及圖13）。

第一電極c1（i）或第二電極c2（j）包括導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜中的重疊于像素202或子像素202r的區(qū)域具有透光性?；蛘撸谝浑姌Oc1（i）或第二電極c2（j）包括網(wǎng)狀的導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜的開口767重疊于像素202或子像素202r。

本發(fā)明的一個方式的功能面板200tp包括與控制線cl（i）電連接的端子以及與信號線ml（j）電連接的端子。另外，端子與柔性印刷電路板fpc2電連接。

在本實施方式中說明的功能面板200tp包括第一基材210；第二基材270；將第一基材210和第二基材270接合的接合層205；以及位于由第一基材210、第二基材270及接合層205包圍的區(qū)域中的功能層。功能層包括顯示元件及檢測元件。由此，可以顯示被供應(yīng)的圖像信號，并且根據(jù)被供應(yīng)的控制信號供應(yīng)檢測信號。其結(jié)果，可以提供方便性或可靠性高的新穎的功能面板。

例如，功能面板200tp具有檢測靠近的物體并供應(yīng)與該靠近的物體的位置數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)的檢測數(shù)據(jù)。由此，可以供應(yīng)包含所檢測的位置或軌跡等的檢測數(shù)據(jù)。具體而言，功能面板200tp的使用者可以將靠近或接觸功能面板200tp的指頭等用作指示器而進(jìn)行各種各樣的手勢（點按、拖拉、滑動及捏合等）。

另外，功能面板200tp的使用者可以對運算裝置供應(yīng)各種各樣的操作指令。例如，被供應(yīng)功能面板200tp所供應(yīng)的檢測數(shù)據(jù)的運算裝置根據(jù)程序等判斷被供應(yīng)的數(shù)據(jù)是否滿足指定條件且執(zhí)行與指定手勢相關(guān)聯(lián)的指令。

另外，功能面板200tp可以顯示例如運算裝置所供應(yīng)的顯示數(shù)據(jù)。

功能面板200tp包括絕緣層290。

例如，可以將陶瓷涂層或硬涂層用作絕緣層。具體而言，可以使用包含氧化鋁的層或包含uv固化樹脂的層。

功能面板200tp包括功能膜267p。

可以將控制被功能面板反射的外光的強(qiáng)度的防反射層等用于功能膜。具體而言，可以使用圓偏振片等。

下面，說明構(gòu)成功能面板200tp的各種要素。注意，無法明確地使上述結(jié)構(gòu)分離，有時一個結(jié)構(gòu)兼作其他結(jié)構(gòu)或包含其他結(jié)構(gòu)的一部分。

例如，功能面板200tp被用作觸摸屏、檢測面板及顯示面板。

<整體的結(jié)構(gòu)>

在本實施方式中說明的功能面板200tp包括第一基材210、第二基材270、接合層205、絕緣層290以及功能層。

功能層包括像素202、驅(qū)動電路gd、驅(qū)動電路sd、區(qū)域201、子像素202r、驅(qū)動晶體管m0、電容器c、顯示模塊280r、發(fā)光元件250r、著色層267r、像素電路、絕緣膜221、布線211、端子219、遮光層267bm以及分隔壁228。

功能層包括控制線cl（i）、布線br（i，j）、信號線ml（j）、第一電極c1（i）以及第二電極c2（j）。

功能面板200包括柔性印刷電路板209、柔性印刷電路板fpc1、柔性印刷電路板fpc2以及功能膜267p。

<<第一基材、第二基材、接合層、絕緣層>>

可以將與實施方式1所記載的功能面板相同的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于第一基材210、第二基材270、接合層205及絕緣層290。

此外，可以將具有柔性的材料用于第一基材210及第二基材270。例如，可以使用具有能夠彎曲或折疊的柔性的材料。具體而言，第一基材210可以使用層疊有柔性基材210b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜210a、以及將柔性基材210b和阻擋膜210a貼合的樹脂層210c的疊層體。第二基材270可以使用層疊有柔性基材270b、防止雜質(zhì)的擴(kuò)散的阻擋膜270a、以及將柔性基材270b和阻擋膜270a貼合的樹脂層270c的疊層體（參照圖12a至12d）。

<<功能層>>

可以將與實施方式1所記載的功能面板相似的結(jié)構(gòu)用于子像素202r、顯示元件、像素電路、驅(qū)動電路gd、布線211及端子219。

<<檢測元件、檢測電路>>

可以將檢測元件用于功能層，該檢測元件檢測電容、照度、磁力、電波或壓力等，而供應(yīng)基于檢測出的物理量的信號。

例如，可以將導(dǎo)電膜、光電轉(zhuǎn)換元件、磁檢測元件、壓電元件或諧振器等用于檢測元件。

例如，可以將檢測電路用于功能層，該檢測電路具有供應(yīng)基于導(dǎo)電膜的寄生電容而變化的信號的功能。由此，通過利用電容的變化可以檢測在大氣中靠近導(dǎo)電膜的指頭等。

具體而言，使用控制線cl（i）將控制信號供應(yīng)給第一電極c1（i），且使用信號線ml（j）得到基于被供應(yīng)的控制信號及電容而變化的第二電極c2（j）的電位，并可以將其用作檢測信號而供應(yīng)。

例如，可以將包括其一個電極連接于導(dǎo)電膜的電容器的電路用于檢測電路。

控制線cl（i）具備布線br（i，j）。在布線br（i，j）中，控制線cl（i）與信號線ml（j）交叉（參照圖11c）。在布線br（i，j）與信號線ml（j）之間包括絕緣膜711（參照圖11d）。由此，能夠防止布線br（i，j）與信號線ml（j）之間的短路。

例如，功能面板200tp檢測功能面板200tp與靠近或接觸功能面板200tp的物體之間的靜電容量的變化而供應(yīng)檢測信號。

另外，也可以通過在第二基材270上沉積用來形成檢測元件的膜且對該膜進(jìn)行加工，來形成檢測元件。

另外，也可以通過在其它基材上形成功能面板200tp的一部分且將該一部分轉(zhuǎn)置到基材610，來形成功能面板200tp。

<<布線>>

功能面板200tp包括布線。布線包括控制線cl（i）和信號線ml（j）等。

可以將具有導(dǎo)電性的材料用于布線等。

例如，可以將無機(jī)導(dǎo)電性材料、有機(jī)導(dǎo)電性材料、金屬或?qū)щ娦蕴沾傻扔糜诓季€。

具體而言，可以將選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、釔、鋯、鈀和錳中的金屬元素、包含上述任何金屬元素的合金或組合上述任何金屬元素的合金等用于布線。尤其是，優(yōu)選包含選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬和鎢中的一個以上的元素。尤其是，銅和錳的合金適用于利用濕蝕刻法的微細(xì)加工。

具體而言，可以使用在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結(jié)構(gòu)、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結(jié)構(gòu)、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結(jié)構(gòu)、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結(jié)構(gòu)或者依次層疊鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。

具體而言，可以使用在鋁膜上層疊選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹和鈧中的元素的膜的疊層膜?；蛘?，可以使用在鋁膜上層疊包含選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹和鈧中的多個元素的合金膜的疊層膜?；蛘?，可以使用在鋁膜上層疊選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹和鈧中的元素的氮化膜的疊層膜。

另外，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或添加有鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物。

或者，可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以采用進(jìn)行加熱的方法或使用還原劑的方法等。

或者，可以使用導(dǎo)電高分子。

<<其他>>

功能面板200tp包括功能膜267p。

例如，可以將無機(jī)材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料和有機(jī)材料的復(fù)合材料用于功能膜267p。具體而言，可以將包含氧化鋁或氧化硅等的陶瓷涂層、包含uv固化樹脂等的硬涂層、防反射膜或者圓偏振片等用于功能膜267p。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖14a至14c說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)。

圖14a至14c說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置。

圖14a是示出本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置k100的輸入輸出裝置k20處于展開狀態(tài)的投影圖。圖14b是沿著圖14a的線x1-x2的數(shù)據(jù)處理裝置k100的截面圖。圖14c是示出輸入輸出裝置k20處于折疊狀態(tài)的投影圖。

<數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)例子>

在本實施方式中說明的數(shù)據(jù)處理裝置k100包括輸入輸出裝置k20、運算裝置k10或框體k01（1）至框體k01（3）（參照圖14a至14c）。

<<輸入輸出裝置>>

例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出裝置。

輸入輸出裝置k20具備顯示裝置k30及輸入裝置k40（參照圖14b）。輸入輸出裝置k20被供應(yīng)圖像數(shù)據(jù)v并供應(yīng)檢測數(shù)據(jù)s。

顯示裝置k30被供應(yīng)圖像數(shù)據(jù)v，輸入裝置k40供應(yīng)檢測數(shù)據(jù)s。

將輸入裝置k40與顯示裝置k30互相重疊為一體的輸入輸出裝置k20不僅被用作顯示裝置k30，而且被用作輸入裝置k40。

可以將作為輸入裝置k40使用觸摸傳感器且作為顯示裝置k30使用顯示面板的輸入輸出裝置k20稱為觸摸面板。

顯示裝置k30具有依次將第一區(qū)域k31（11）、第一可彎曲區(qū)k31（21）、第二區(qū)域k31（12）、第二可彎曲區(qū)k31（22）以及第三區(qū)域k31（13）配置為條紋形狀的區(qū)域k31（參照圖14a）。

顯示裝置k30可以沿著形成在第一可彎曲區(qū)k31（21）中的第一折痕及形成在第二可彎曲區(qū)k31（22）中的第二折痕折疊并展開（參照圖14a及14c）。

<<運算裝置>>

運算裝置k10包括運算部及儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲單元。運算裝置供應(yīng)圖像數(shù)據(jù)v且被供應(yīng)檢測數(shù)據(jù)s。

<<框體>>

框體包括依次配置的框體k01（1）、鉸鏈k02（1）、框體k01（2）、鉸鏈k02（2）或框體k01（3）。

框體k01（3）容納運算裝置k10。框體k01（1）至框體k01（3）保持輸入輸出裝置k20且能夠使輸入輸出裝置k20處于折疊狀態(tài)和展開狀態(tài)（參照圖14b）。

在本實施方式中，例示出具備三個框體和連接三個框體的兩個鉸鏈的數(shù)據(jù)處理裝置?？梢栽谂渲糜袃蓚€鉸鏈的位置折疊該數(shù)據(jù)處理裝置的輸入輸出裝置k20。

另外，也可以使用（n-1）個鉸鏈連接n（n為2以上的自然數(shù)）個框體。具備該結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)處理裝置可以在（n-1）個位置折疊輸入輸出裝置k20。

框體k01（1）與第一區(qū)域k31（11）重疊，并且包括按鈕k45（1）。

框體k01（2）與第二區(qū)域k31（12）重疊。

框體k01（3）與第三區(qū)域k31（13）重疊，并且容納運算裝置k10、天線k10a以及電池k10b。

鉸鏈k02（1）與第一可彎曲區(qū)k31（21）重疊，并將框體k01（1）以可轉(zhuǎn)動的方式連接到框體k01（2）。

鉸鏈k02（2）與第二可彎曲區(qū)k31（22）重疊，并將框體k01（2）以可轉(zhuǎn)動的方式連接到框體k01（3）。

天線k10a與運算裝置k10電連接，并供應(yīng)信號或被供應(yīng)信號。

另外，天線k10a從外部裝置以無線方式被供應(yīng)電力，并將電力供應(yīng)到電池k10b。

電池k10b與運算裝置k10電連接，并供應(yīng)電力或被供應(yīng)電力。

<<折疊傳感器>>

折疊傳感器k41檢測框體是折疊狀態(tài)還是展開狀態(tài)，并供應(yīng)示出框體的狀態(tài)的信息。

運算裝置k10被供應(yīng)示出框體的狀態(tài)的數(shù)據(jù)。

在示出框體k01的狀態(tài)的數(shù)據(jù)為示出折疊狀態(tài)的數(shù)據(jù)時，運算裝置k10對第一區(qū)域k31（11）供應(yīng)包含第一圖像的圖像數(shù)據(jù)v（參照圖14c）。

在示出框體k01的狀態(tài)的數(shù)據(jù)為示出展開狀態(tài)的數(shù)據(jù)時，運算裝置k10對顯示裝置k30的區(qū)域k31供應(yīng)圖像數(shù)據(jù)v（參照圖14a）。

<<檢測部>>

檢測部k50可以檢測顯示裝置k30的使用環(huán)境的照度并供應(yīng)包含照度數(shù)據(jù)的檢測數(shù)據(jù)。

例如，可以將光電轉(zhuǎn)換元件及根據(jù)光電轉(zhuǎn)換元件所供應(yīng)的信號供應(yīng)環(huán)境照度的數(shù)據(jù)的檢測電路用于檢測部k50。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式6

在本實施方式中，參照圖15a、15b、15c1及15c2說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)。

圖15a、15b、15c1及15c2說明本發(fā)明的實施方式的數(shù)據(jù)處理裝置。

圖15a是本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置3000a的投影圖。

圖15b是本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置3000b的投影圖。

圖15c1及15c2是本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置3000c的俯視圖及底面圖。

<<數(shù)據(jù)處理裝置a>>

數(shù)據(jù)處理裝置3000a包括輸入輸出部3120及支撐輸入輸出部3120的框體3101（參照圖15a）。

輸入輸出部3120包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部3120。

數(shù)據(jù)處理裝置3000a還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體3101容納運算部、存儲部及電池等。

數(shù)據(jù)處理裝置3000a可以在其側(cè)面和/或頂面顯示數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)處理裝置3000a的使用者可以使用接觸于其側(cè)面和/或頂面的指頭供應(yīng)操作指令。

<<數(shù)據(jù)處理裝置b>>

數(shù)據(jù)處理裝置3000b包括框體3101及通過鉸鏈連接到框體3101的框體3101b（參照圖15b）。

框體3101支撐輸入輸出部3120。

框體3101b支撐輸入輸出部3120b。

輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部3120。

數(shù)據(jù)處理裝置3000b還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體3101容納運算部、存儲部及電池等。

數(shù)據(jù)處理裝置3000b可以在輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b顯示數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)處理裝置3000b的使用者可以使用接觸于輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b的指頭供應(yīng)操作指令。

<<數(shù)據(jù)處理裝置c>>

數(shù)據(jù)處理裝置3000c包括輸入輸出部3120和支撐輸入輸出部3120的框體3101（參照圖15c1及15c2）。

輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部3120。

數(shù)據(jù)處理裝置3000c還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體3101容納運算部、存儲部及電池等。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式7

在本實施方式中，參照圖16a1、16a2、16a3、16b1、16b2、16c1以及16c2說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的結(jié)構(gòu)。

圖16a1、16a2、16a3、16b1、16b2、16c1以及16c2說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置。

圖16a1、16a2以及16a3是說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的投影圖。

圖16b1及16b2是說明本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的投影圖。

圖16c1及16c2是本發(fā)明的一個方式的數(shù)據(jù)處理裝置的俯視圖及底面圖。

<<數(shù)據(jù)處理裝置a>>

數(shù)據(jù)處理裝置4000a包括輸入輸出部4120及支撐輸入輸出部4120的框體4101（參照圖16a1至16a3）。

輸入輸出部4120包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部4120。

數(shù)據(jù)處理裝置4000a還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體4101容納運算部、存儲部及電池等。

數(shù)據(jù)處理裝置4000a可以在其側(cè)面和/或頂面顯示數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)處理裝置4000a的使用者可以使用接觸于其側(cè)面及/或頂面的指頭供應(yīng)操作指令。

<<數(shù)據(jù)處理裝置b>>

數(shù)據(jù)處理裝置4000b包括輸入輸出部4120及輸入輸出部4120b（參照圖16b1及16b2）。

數(shù)據(jù)處理裝置4000b還包括支撐輸入輸出部4120的框體4101及具有柔性的帶狀框體4101b。

輸入輸出部4120或輸入輸出部4120b包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部4120。

數(shù)據(jù)處理裝置4000b還包括支撐輸入輸出部4120b的框體4101。

數(shù)據(jù)處理裝置4000b還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體4101容納運算部、存儲部及電池等。

數(shù)據(jù)處理裝置4000b可以在被具有柔性的帶狀框體4101b支撐的輸入輸出部4120顯示數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)處理裝置4000b的使用者可以使用接觸于輸入輸出部4120的指頭供應(yīng)操作指令。

<<數(shù)據(jù)處理裝置c>>

數(shù)據(jù)處理裝置4000c包括輸入輸出部4120、支撐輸入輸出部4120的框體4101及框體4101b（參照圖16c1及16c2）。

輸入輸出部4120及框體4101b具有柔性。

輸入輸出部4120包括本發(fā)明的一個方式的功能面板。例如，可以將實施方式4所示的功能面板用于輸入輸出部4120。

數(shù)據(jù)處理裝置4000c還包括運算部、儲存由運算部執(zhí)行的程序的存儲部以及供應(yīng)用來驅(qū)動運算部的電力的電池等電源。

另外，框體4101容納運算部、存儲部及電池等。

數(shù)據(jù)處理裝置4000c可以在框體4101b的位置折疊成對折。

本實施方式可以與本說明書所示的其他任何實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

例如，在本說明書等中，當(dāng)明確地記載為“x與y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：x與y電連接的情況；x與y在功能上連接的情況；以及x與y直接連接的情況。因此，不局限于附圖或文中所示的連接關(guān)系等規(guī)定的連接關(guān)系，附圖或文中所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系包括在附圖或文中。

在此，x和y都為對象物（例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜或?qū)拥龋?/p>

x與y直接連接的情況的例子包括在x與y之間沒有連接能夠電連接x與y的元件（例如開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、顯示元件、發(fā)光元件和負(fù)載等），并且x與y沒有通過能夠電連接x與y的元件連接的情況。

例如，在x和y電連接的情況下，可以在x和y之間連接一個以上的能夠電連接x和y的元件（例如開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、顯示元件、發(fā)光元件或負(fù)載等）。開關(guān)控制導(dǎo)通或關(guān)閉。換言之，開關(guān)成為導(dǎo)通狀態(tài)（開啟狀態(tài)）或非導(dǎo)通狀態(tài)（關(guān)閉狀態(tài)）而決定是否使電流流過?；蛘撸_關(guān)具有選擇并切換電流路徑的功能。另外，x和y電連接的情況包括x與y直接連接的情況。

例如，在x和y在功能上連接的情況下，可以在x和y之間連接一個以上的能夠在功能上連接x和y的電路（例如，邏輯電路如反相器、nand電路或nor電路等；信號轉(zhuǎn)換電路如da轉(zhuǎn)換電路、ad轉(zhuǎn)換電路或γ（伽馬）校正電路等；電位電平轉(zhuǎn)換電路如電源電路（升壓dc-dc轉(zhuǎn)換器或降壓dc-dc轉(zhuǎn)換器等）或改變信號的電位電平的電平轉(zhuǎn)換器電路等；電壓源；電流源；切換電路；放大電路如能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差分放大電路、源極跟隨電路或緩沖器電路等；信號產(chǎn)生電路；存儲電路；以及/或者控制電路等）。注意，例如，即使在x與y之間夾有其他電路，當(dāng)從x輸出的信號傳送到y(tǒng)時，x與y在功能上是連接著的。另外，x與y在功能上連接的情況包括x與y直接連接的情況及x與y電連接的情況。

此外，當(dāng)明確地記載為“x與y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：x與y電連接的情況（換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接x與y的情況）；x與y在功能上連接的情況（換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接x與y的情況）；以及x與y直接連接的情況（換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接x與y的情況）。換言之，當(dāng)明確地記載為“x與y電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確地記載為“x與y連接”的情況相同的內(nèi)容。

注意，例如，在晶體管的源極（或第一端子等）通過z1（或沒有通過z1）與x電連接，晶體管的漏極（或第二端子等）通過z2（或沒有通過z2）與y電連接的情況下或者在晶體管的源極（或第一端子等）與z1的一部分直接連接，z1的另一部分與x直接連接，晶體管的漏極（或第二端子等）與z2的一部分直接連接，z2的另一部分與y直接連接的情況下，可以使用下述任何表現(xiàn)表示。

該表現(xiàn)例如包括“x、y、晶體管的源極（或第一端子等）及晶體管的漏極（或第二端子等）互相電連接，并按x、晶體管的源極（或第一端子等）、晶體管的漏極（或第二端子等）及y的順序互相電連接”、“晶體管的源極（或第一端子等）與x電連接，晶體管的漏極（或第二端子等）與y電連接，x、晶體管的源極（或第一端子等）、晶體管的漏極（或第二端子等）與y依次互相電連接”以及“x通過晶體管的源極（或第一端子等）及漏極（或第二端子等）與y電連接，x、晶體管的源極（或第一端子等）、晶體管的漏極（或第二端子等）及y依次設(shè)置為相互連接”。通過使用與這種例子相似的表現(xiàn)規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接順序，可以互相區(qū)別晶體管的源極（或第一端子等）與漏極（或第二端子等）而決定技術(shù)范圍。

其他表現(xiàn)例子包括“晶體管的源極（或第一端子等）至少通過第一連接路徑與x電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是晶體管的源極（或第一端子等）與晶體管的漏極（或第二端子等）之間的路徑，所述第一連接路徑是通過z1的路徑，晶體管的漏極（或第二端子等）至少通過第三連接路徑與y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，所述第三連接路徑是通過z2的路徑”以及“晶體管的源極（或第一端子等）至少在第一連接路徑上通過z1與x電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有通過晶體管的連接路徑，晶體管的漏極（或第二端子等）至少在第三連接路徑上通過z2與y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。另一個表現(xiàn)例子為“晶體管的源極（或第一端子等）至少經(jīng)過第一電路徑，通過z1與x電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從晶體管的源極（或第一端子等）到晶體管的漏極（或第二端子等）的電路徑，晶體管的漏極（或第二端子等）至少經(jīng)過第三電路徑，通過z2與y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，所述第四電路徑是從晶體管的漏極（或第二端子等）到晶體管的源極（或第一端子等）的電路徑”。通過使用與這些例子相似的表現(xiàn)規(guī)定電路結(jié)構(gòu)中的連接路徑，可以互相區(qū)別晶體管的源極（或第一端子等）和漏極（或第二端子等）來確定技術(shù)范圍。

注意，這種表現(xiàn)是例子，不局限于上述表現(xiàn)。在此，x、y、z1及z2都為對象物（例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜或?qū)拥龋?/p>

即使在電路圖中獨立的構(gòu)成要素互相電連接，有時一個構(gòu)成要素具有多個構(gòu)成要素的功能。例如，在布線的一部分兼用作電極時，一個導(dǎo)電膜用作布線和電極。因此，本說明書中的“電連接”的范疇內(nèi)包括這種一個導(dǎo)電膜具有多個構(gòu)成要素的功能的情況。

附圖標(biāo)記說明

br：布線；fpc2：柔性印刷電路板；k01：框體；k02：鉸鏈；k10：運算裝置；k10a：天線；k10b：電池；k20：輸入輸出裝置；k30：顯示裝置；k31：區(qū)域；k40：輸入輸出裝置；k41：傳感器；k45：按鈕；k50：檢測部；k100：數(shù)據(jù)處理裝置；m0：驅(qū)動晶體管；10：加工構(gòu)件；10b：加工構(gòu)件；100：成膜裝置；100a：成膜裝置；100b：成膜裝置；100c：成膜裝置；100d：成膜裝置；110：加工構(gòu)件支撐部；115：蔭罩支撐部；120a：蒸鍍源；120b：蒸鍍源；121a：遮蔽板；122a：檢測器；140：動力機(jī)構(gòu)；170：蔭罩；180：處理室；181a：原料供應(yīng)部；181b：原料供應(yīng)部；182a：高速閥；182b：高速閥；183a：原料引入口；183b：原料引入口；184：原料排出口；185：排氣單元；186：加工構(gòu)件支撐部；190：成膜室；195：門閥；196：管道；197：排氣單元；198：檢測器；200：功能面板；200（1）：功能面板；200（2）：功能面板；200（3）：功能面板；200b：功能面板；200tp：功能面板；201：區(qū)域；202：像素；202r：子像素；205：接合層；209：柔性印刷電路板；210：第一基材；210a：阻擋膜；210b：基材；210c：樹脂層；211：布線；219：端子；221：絕緣層；228：分隔壁；250r：發(fā)光元件；267bm：遮光層；267p：功能膜；267r：著色層；270：第二基材；270a：阻擋膜；270b：基材；270c：樹脂層；280r：顯示模塊；290：絕緣層；291：絕緣層；300：功能面板；305：接合層；305a：接合層；305b：接合層；310：第一基材；310a：第一基材；310b：第一基材；330：功能層；330a：功能層；330b：功能層；370：第二基材；370a：第二基材；370b：第二基材；390：絕緣層；390a：絕緣層；390b：絕緣層；610：基材；711：絕緣層；767：開口；1000：成膜系統(tǒng)；1000b：成膜系統(tǒng)；3000a：數(shù)據(jù)處理裝置；3000b：數(shù)據(jù)處理裝置；3000c：數(shù)據(jù)處理裝置；3101：框體；3101b：框體；3120：輸入輸出部；3120b：輸入輸出部；4000a：數(shù)據(jù)處理裝置；4000b：數(shù)據(jù)處理裝置；4000c：數(shù)據(jù)處理裝置；4101：框體；4101b：框體；4120：輸入輸出部；4120b：輸入輸出部

本申請基于2014年10月28日提交到日本專利局的日本專利申請no.2014-219065以及2014年10月28日提交到日本專利局的日本專利申請no.2014-219066，通過引用將其完整內(nèi)容并入在此。