本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：

有源矩陣驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)由于具有發(fā)光亮度高、驅(qū)動(dòng)電壓低、響應(yīng)速度快、無視角限制、能效高、超輕超薄等優(yōu)點(diǎn)，具有巨大的應(yīng)用前景。

現(xiàn)有的AMOLED像素電路的結(jié)構(gòu)如圖1所示。開關(guān)管T3的柵極連接外部掃描信號(hào)Vscan，數(shù)據(jù)信號(hào)S從開關(guān)管T3輸入，在開關(guān)管T3關(guān)斷后，數(shù)據(jù)信號(hào)存儲(chǔ)在電容Cs中。在給定的發(fā)光期間，驅(qū)動(dòng)管T1根據(jù)電容Cs中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生相應(yīng)的輸出電流，該輸出電流作為驅(qū)動(dòng)電流Id驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出亮度與數(shù)據(jù)信號(hào)相應(yīng)的光。通過改變開關(guān)管T3輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)S，即可調(diào)整驅(qū)動(dòng)管T1的柵極電壓，從而控制驅(qū)動(dòng)電流Id的大小，相應(yīng)控制發(fā)出的光的亮度，流入有機(jī)發(fā)光二極管OLED中的驅(qū)動(dòng)電流Id由如下等式得到：

$I_d=\frac{1}{2}k{(Vgs-Vth)}^2$

其中，μ_eff表示構(gòu)成驅(qū)動(dòng)管T1溝道的半導(dǎo)體薄膜的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，Cox表示驅(qū)動(dòng)管T1的柵絕緣層的電容，W表示驅(qū)動(dòng)管T1的溝道寬度，L表示驅(qū)動(dòng)管T1的溝道長(zhǎng)度，k表示增益因子，Vgs表示驅(qū)動(dòng)管T1的柵極相對(duì)于源極的電壓，Vth表示驅(qū)動(dòng)管T1的閾值電壓，根據(jù)上式可知，閾值電壓的值影響流入有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流的值。

采用低溫多晶硅TFT電路時(shí)，對(duì)于圖1所示的像素電路，由于在激光晶化過程中的不均勻，面板上不同像素驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓會(huì)有所不同，不同的閾值電壓導(dǎo)致OLED的驅(qū)動(dòng)電流Id有所差異，進(jìn)而導(dǎo)致OLED的亮度不一致，使整個(gè)AMOLED顯示屏亮度不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的AMOLED像素電路造成的顯示屏亮度不均勻的問題，提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管，第一電容和發(fā)光器件，其中，

第三晶體管的源極與外部電源相連，漏極與第一晶體管的源極相連；第六晶體管的源極與第一晶體管的漏極、發(fā)光器件的陽極、第一電容的第一端相連；發(fā)光器件的陰極耦接 至地電位；

第四晶體管的源極與外部電源相連，第四晶體管的漏極、第二晶體管的源極和第五晶體管的源極相連，第五晶體管的漏極、第二晶體管的柵極、第一晶體管的柵極、第一電容的第二端相連；第二晶體管的漏極與PLC(可編程邏輯控制器)相連；

第五晶體管的柵極和第六晶體管的柵極與PLC相連；

第四晶體管的柵極與PLC相連；

第三晶體管的柵極與PLC相連；

第六晶體管的漏極與PLC相連；

所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管為N溝道多晶硅薄膜晶體管，

所述PLC分別向第五晶體管的柵極和第六晶體管的柵極輸入第一掃描信號(hào)、向第四晶體管的柵極輸入第二掃描信號(hào)、向第三晶體管的柵極輸入第三掃描信號(hào)、向第二晶體管的漏極輸入脈沖信號(hào)及向第六晶體管的漏極輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，

所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、脈沖信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的每一周期的控制時(shí)序分為三個(gè)階段進(jìn)行，具體的控制時(shí)序如下：

在第一階段，第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)由低電平變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖?，第三掃描信?hào)由第一高電平變?yōu)椴⒈３值碗娖?，脈沖信號(hào)由第二高電平變?yōu)椴⒈３譃榈仉娢?，?shù)據(jù)信號(hào)由地電位變?yōu)椴⒈３謹(jǐn)?shù)據(jù)電位；在第二階段，第一掃描信號(hào)保持第一高電平，脈沖信號(hào)保持地電位，數(shù)據(jù)信號(hào)保持?jǐn)?shù)據(jù)電位，第二掃描信號(hào)變?yōu)椴⒈３值碗娖?，第三掃描信?hào)保持低電平；在第三階段，第一掃描信號(hào)變?yōu)椴⒈３值碗娖剑诙呙栊盘?hào)保持低電平，第三掃描信號(hào)由低電平變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖?，脈沖信號(hào)變?yōu)椴⒈３值诙唠娖?，?shù)據(jù)信號(hào)變?yōu)椴⒈３值仉娢?；所述?shù)據(jù)電位小于地電位。

或者

所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管為N溝道多晶硅薄膜晶體管，所述第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管為P溝道多晶硅薄膜晶體管，

所述第一掃描信號(hào)、第二掃描信號(hào)、第三掃描信號(hào)、脈沖信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的每一周期的控制時(shí)序分為三個(gè)階段進(jìn)行，具體的控制時(shí)序如下：

在第一階段，第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)由第一高電平變?yōu)椴⒈３值碗娖?，第三掃描信?hào)由第一高電平變?yōu)椴⒈３值碗娖?，脈沖信號(hào)由第二高電平變?yōu)椴⒈３譃榈仉娢?，?shù)據(jù)信號(hào)由地電位變?yōu)椴⒈３謹(jǐn)?shù)據(jù)電位；在第二階段，第一掃描信號(hào)保持低電平，脈沖信號(hào)保持地電位，數(shù)據(jù)信號(hào)保持?jǐn)?shù)據(jù)電位，第二掃描信號(hào)變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖剑谌龗呙栊?號(hào)保持低電平；在第三階段，第一掃描信號(hào)變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖?，第二掃描信?hào)保持第一高電平，第三掃描信號(hào)由低電平變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖?，脈沖信號(hào)變?yōu)椴⒈３值诙唠娖?，?shù)據(jù)信號(hào)變?yōu)椴⒈３值仉娢?；所述?shù)據(jù)電位小于地電位。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路通過六個(gè)晶體管連接的設(shè)置，以及PLC對(duì)相應(yīng)驅(qū)動(dòng)時(shí)序的控制，使第二晶體管的閾值電壓與第一晶體管的閾值電壓相抵消，從而使得發(fā)光階段流過發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流不受第一晶體管的閾值電壓的影響，也即接收相同數(shù)據(jù)信號(hào)，各像素電路中的驅(qū)動(dòng)電流是相同的，則接收相同數(shù)據(jù)信號(hào)，因而各像素電路中發(fā)光器件的亮度是一致的，可以確保整個(gè)顯示屏亮度的均勻性；隨著工作時(shí)間的延長(zhǎng)，發(fā)光器件的老化會(huì)引起自身開啟電壓的升高。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的第一優(yōu)選方式像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的第一優(yōu)選方式各掃描信號(hào)的時(shí)序控制圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的第二優(yōu)選方式像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的第二優(yōu)選方式各掃描信號(hào)的時(shí)序控制圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式并對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

具體結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，包括：第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6，電容Cs和發(fā)光器件，其中，

T3的第一電流導(dǎo)通極與外部電源VDD相連，第二電流導(dǎo)通極與T1的第一電流導(dǎo)通極相連；T6的第一電流導(dǎo)通極與T1的第二電流導(dǎo)通極、發(fā)光器件的陽極、電容Cs的第一端相連；發(fā)光器件的陰極耦接至地電位VSS；

T4的第一電流導(dǎo)通極與外部電源VDD相連，T4的第二電流導(dǎo)通極、T2的第一電流導(dǎo)通極和T5的第一電流導(dǎo)通極相連，T5的第二電流導(dǎo)通極和T2的控制極、T1的控制極、電容Cs的第二端相連；T2的第二電流導(dǎo)通極與PLC相連；

T5的控制極和T6的控制極與PLC相連；

T4的控制極與PLC相連；

T3的控制極與PLC相連；

T6的第二電流導(dǎo)通極與PLC相連；

所述PLC分別向T5的控制極和T6的控制極輸入第一掃描信號(hào)、向T4的控制極輸入第二掃描信號(hào)、向T3的控制極輸入第三掃描信號(hào)、向T2的第二電流導(dǎo)通極輸入脈沖信號(hào) 及向T6的第二電流導(dǎo)通極輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。

這里的發(fā)光器件是以有機(jī)發(fā)光二極管OLED為例進(jìn)行說明的。

可以看出，晶體管的柵極作為控制極，第一電流導(dǎo)通極和第二電流導(dǎo)通極均可以是晶體管的源極，也可以是漏極。這里脈沖信號(hào)Vc可以直接與地電位VSS相連。

實(shí)施例的第一優(yōu)選方式，具體如圖2所示：第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6為N溝道多晶硅薄膜晶體管，

所述第一掃描信號(hào)Vscan1、第二掃描信號(hào)Vscan2、第三掃描信號(hào)Vscan3、脈沖信號(hào)Vc和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的每一周期的控制時(shí)序分為三個(gè)階段進(jìn)行，如圖3所示，具體的控制時(shí)序如下：

在第一階段，第一掃描信號(hào)Vscan1和第二掃描信號(hào)Vscan2由低電平VGL變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖絍GH，第三掃描信號(hào)Vscan3由第一高電平VGH變?yōu)椴⒈３值碗娖絍GL，脈沖信號(hào)Vc由第二高電平VCH變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata由地電位VSS變?yōu)椴⒈３諺SS-ΔVdata；在第二階段，第一掃描信號(hào)Vscan1保持第一高電平VGH，第三掃描信Vscan3號(hào)保持低電平VGL，脈沖信號(hào)Vc保持地電位VSS，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata保持VSS-ΔVdata，第二掃描信號(hào)Vscan2變?yōu)椴⒈３值碗娖絍GL；在第三階段，第一掃描信號(hào)Vscan1變?yōu)椴⒈３值碗娖絍GL，第二掃描信號(hào)Vscan2保持低電平VGL，第三掃描信號(hào)Vscan3變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖絍GH，脈沖信號(hào)Vc變?yōu)椴⒈３值诙唠娖絍CH，數(shù)據(jù)信Vdata號(hào)變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS。

具體工作過程如下：

第一階段，在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于關(guān)閉狀態(tài)；脈沖信號(hào)Vc由第二高電平VCH變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS；數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata由地電位VSS變?yōu)椴⒈３諺SS-ΔVdata。經(jīng)第四晶體管T4和第五晶體管T5，B點(diǎn)電位被充到一個(gè)高電平，A點(diǎn)電位保持VSS-ΔVdata。第二階段，在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于關(guān)閉狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于關(guān)閉狀態(tài)；脈沖信號(hào)Vc保持低地電位VSS；數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata保持VSS-ΔVdata。B點(diǎn)電位經(jīng)第五晶體管T5和第二晶體管T2放電。當(dāng)B點(diǎn)電位為Vth2+VSS時(shí)，放電過程結(jié)束，其中Vth2為第二晶體管T2的閾值電壓。在第一階段和第二階段，A點(diǎn)電位始終保持為VSS-ΔVdata，即OLED陽極電位VSS-ΔVdata始終小于OLED陰極電位VSS。因此，在第一階段和第二階段，OLED處于反向偏置狀態(tài)。在第二階段結(jié)束時(shí)，第一 晶體管T1的控制極電位為Vth2+VSS，第一晶體管T1的源極電位為VSS-ΔVdata，即存儲(chǔ)于電容Cs中的電壓為Vth2+ΔVdata。第三階段，在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于關(guān)閉狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于關(guān)閉狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)；第一晶體管T1根據(jù)電容Cs中所存儲(chǔ)的電壓產(chǎn)生相應(yīng)的輸出電流。在非晶硅的激光晶化過程中，假設(shè)第一晶體管T1和第二晶體管T2距離很近，因此第一晶體管T1和第二晶體管T2具有相同的電氣特性，即Vth2＝Vth1。

第一晶體管T1的閾值電壓的值不會(huì)影響流入有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流的值；第一晶體管T1輸出的驅(qū)動(dòng)電流Id不會(huì)隨OLED的老化而變化。同時(shí)，在第一階段和第二階段，OLED處于反向偏置狀態(tài)，這能有效降低OLED的老化。

實(shí)施例的第二優(yōu)選方式，具體如圖4所示，第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3為N溝道多晶硅薄膜晶體管，第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6為P溝道多晶硅薄膜晶體管，

所述第一掃描信號(hào)Vscan1、第二掃描信號(hào)Vscan2、第三掃描信號(hào)Vscan3、脈沖信號(hào)Vc和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的每一周期的控制時(shí)序分為三個(gè)階段進(jìn)行，如圖5所示，具體的控制時(shí)序如下：

在第一階段，第一掃描信號(hào)Vscan1和第二掃描信號(hào)Vscan2由第一高電平VGH變?yōu)椴⒈３值碗娖絍GL，第三掃描信號(hào)Vscan3由第一高電平VGH變?yōu)椴⒈３值碗娖絍GL，脈沖信號(hào)Vc由第二高電平VCH變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata由地電位VSS變?yōu)椴⒈３諺SS-ΔVdata；在第二階段，第一掃描信號(hào)Vscan1保持低電平VGL，脈沖信號(hào)Vc保持地電位VSS，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata保持VSS-ΔVdata，第二掃描信號(hào)Vscan2變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖絍GH，第三掃描信號(hào)Vscan3保持低電平VGL；在第三階段，第一掃描信號(hào)Vscan1變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖絍GH，第二掃描信號(hào)Vscan2保持第一高電平VGH，第三掃描信號(hào)Vscan3變?yōu)椴⒈３值谝桓唠娖絍GH，脈沖信號(hào)Vc變?yōu)椴⒈３值诙唠娖絍CH，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS。

具體工作過程如下：

第一階段，在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于關(guān)閉狀態(tài)；脈沖信號(hào)Vc由第二高電平VCH變?yōu)椴⒈３值仉娢籚SS；數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata由地電位VSS變?yōu)椴⒈３諺SS-ΔVdata。經(jīng)第四晶體管T4和第五晶體管T5，B點(diǎn)電位被充到一個(gè)高電平，A點(diǎn)電位保持VSS-ΔVdata。第二階段， 在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于導(dǎo)通狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于關(guān)閉狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于關(guān)閉狀態(tài)；脈沖信號(hào)Vc保持低地電位VSS；數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata保持VSS-ΔVdata。B點(diǎn)電位經(jīng)第五晶體管T5和第二晶體管T2放電。當(dāng)B點(diǎn)電位為Vth2+VSS時(shí)，放電過程結(jié)束，其中Vth2為第二晶體管T2的閾值電壓。在第一階段和第二階段，A點(diǎn)電位始終保持為VSS-ΔVdata，即OLED陽極電位VSS-ΔVdata始終小于OLED陰極電位VSS。因此，在第一階段和第二階段，OLED處于反向偏置狀態(tài)。在第二階段結(jié)束時(shí)，第一晶體管T1的控制極電位為Vth2+VSS，第一晶體管T1的源極電位為VSS-ΔVdata，即存儲(chǔ)于電容Cs中的電壓為Vth2+ΔVdata。第三階段，在第一掃描信號(hào)Vscan1的作用下，第五晶體管T5和第六晶體管T6處于關(guān)閉狀態(tài)；在第二掃描信號(hào)Vscan2的作用下，第四晶體管T4處于關(guān)閉狀態(tài)；在第三掃描信號(hào)Vscan3的作用下，第三晶體管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)；第一晶體管T1根據(jù)電容Cs中所存儲(chǔ)的電壓產(chǎn)生相應(yīng)的輸出電流。在非晶硅的激光晶化過程中，假設(shè)第一晶體管T1和第二晶體管T2距離很近，因此第一晶體管T1和第二晶體管T2具有相同的電氣特性，即Vth2＝Vth1。

第一晶體管T1的閾值電壓的值不會(huì)影響流入有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流的值；第一晶體管T1輸出的驅(qū)動(dòng)電流Id不會(huì)隨OLED的老化而變化。同時(shí)，在第一階段和第二階段，OLED處于反向偏置狀態(tài)，這能有效降低OLED的老化。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。