技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的一個(gè)方式可以提供一種具有高開(kāi)口率且包括高電荷容量的電容器的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式可以提供一種窄邊框的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底上的晶體管；其上設(shè)置有晶體管的柵電極的面上的第一導(dǎo)電膜；其上設(shè)置有晶體管的一對(duì)電極的面上的第二導(dǎo)電膜；以及與第一導(dǎo)電膜及第二導(dǎo)電膜電連接的第一透光導(dǎo)電膜。第二導(dǎo)電膜隔著第二導(dǎo)電膜與第一導(dǎo)電膜之間的晶體管的柵極絕緣膜與第一導(dǎo)電膜重疊。

技術(shù)研發(fā)人員：山崎舜平;三宅博之;豐高耕平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
文檔號(hào)碼：201480010926
技術(shù)研發(fā)日：2014.02.21
技術(shù)公布日：2017.11.07