本發(fā)明涉及一種物品、方法或者制造方法。另外，本發(fā)明涉及一種工序（process）、機器（machine）、產(chǎn)品（manufacture）或者物質(zhì)組成（compositionofmatter）。尤其是，本發(fā)明例如涉及一種半導體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、上述裝置的驅(qū)動方法或者上述裝置的制造方法。例如，本發(fā)明尤其涉及一種包括氧化物半導體的半導體裝置、顯示裝置或者發(fā)光裝置。尤其是，本發(fā)明例如涉及一種包括晶體管的半導體裝置及該半導體裝置的制造方法。

背景技術：
用于以液晶顯示裝置或發(fā)光顯示裝置為代表的大部分的平板顯示器的晶體管使用設置于玻璃襯底上的硅半導體諸如非晶硅、單晶硅或多晶硅形成。此外，使用該硅半導體的晶體管用于集成電路（IC）等中。近年來，在晶體管中使用呈現(xiàn)半導體特性的金屬氧化物以代替硅半導體的技術受到矚目。注意，在本說明書中，將呈現(xiàn)半導體特性的金屬氧化物稱為“氧化物半導體”。例如，已公開了如下技術，即作為氧化物半導體，使用氧化鋅或In-Ga-Zn類氧化物來制造晶體管，并將該晶體管用作顯示裝置的像素中的開關元件等的技術（參照專利文獻1及專利文獻2）。[專利文獻][專利文獻1]日本專利申請公開2007-123861號公報[專利文獻2]日本專利申請公開2007-096055號公報。

技術實現(xiàn)要素：
在電容器中，在一對電極之間設置有介電膜，在很多情況下，一對電極中的至少一個電極使用部分用作晶體管的柵電極、源電極或漏電極等的遮光膜形成。在液晶顯示裝置中，電容器的電容值越大，施加電場的情況下的能夠?qū)⒁壕г囊壕Х肿拥娜∠虮３譃楣潭ǖ钠陂g越長。當在顯示靜態(tài)圖像的顯示裝置中該期間能夠延長時，可以減少重寫圖像數(shù)據(jù)的次數(shù)，從而可以降低耗電量。為了增大電容器的電荷容量的方法之一是增大電容器的占有面積，具體地增大電容器的兩個電極彼此重疊的區(qū)域的面積。但是，在液晶顯示裝置中，當為了增大一對電極彼此重疊的區(qū)域的面積而增大遮光導電膜的面積時，像素的開口率降低，因此圖像顯示品質(zhì)下降。這種問題在分辨率高的液晶顯示裝置中尤為明顯。對顯示裝置的顯示區(qū)域以外的面積有縮小化的要求。鑒于上述問題，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有高開口率且包括能夠增大電容的電容器的半導體裝置等。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種降低顯示不良的半導體裝置。本發(fā)明的一個方式的其他目的是提供一種窄邊框的半導體裝置。注意，這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。在本發(fā)明的一個方式中并不需要實現(xiàn)上述所有目的。可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書等的記載得知并抽出其他目的。本發(fā)明的一個方式是一種半導體裝置，包括：襯底上的晶體管；其上設置有晶體管的柵電極的面上的第一導電膜；其上設置有晶體管的一對電極的面上的第二導電膜；以及與第一導電膜及第二導電膜電連接的第一透光導電膜。第二導電膜隔著第二導電膜與第一導電膜之間的晶體管的柵極絕緣膜與第一導電膜重疊。注意，在上述結(jié)構(gòu)中，半導體裝置也可以包括：襯底上的第二透光導電膜；覆蓋晶體管且以露出第二透光導電膜的一部分的方式設置有開口的氧化物絕緣膜；在于氧化物絕緣膜上且通過開口與第二透光導電膜接觸的氮化物絕緣膜；以及與晶體管連接且在開口中具有凹部的第三透光導電膜。注意，晶體管包括襯底上的柵電極、與柵電極接觸的柵極絕緣膜、與柵極絕緣膜接觸的氧化物半導體膜以及與氧化物半導體膜接觸的一對導電膜。第二透光導電膜與柵極絕緣膜接觸。氧化物半導體膜位于其上形成有第二透光導電膜的面上。第二透光導電膜及氧化物半導體膜都包含In、Ga或Zn。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以形成具有高開口率且包括能夠增大電容的電容器的半導體裝置等。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以形成一種降低顯示不良的半導體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以形成一種窄邊框的半導體裝置。附圖說明圖1A和圖1B是說明半導體裝置的一個方式的方框圖及電路圖；圖2是說明半導體裝置的一個方式的俯視圖；圖3是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖4A至圖4C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖5A至圖5C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖6A至圖6C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖7A和圖7B是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖8A至圖8C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖9是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖10是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖11A至圖11C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖12A至圖12C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖13是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖14是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖15是說明半導體裝置的一個方式的截面圖；圖16A至圖16C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖17A至圖17C是說明半導體裝置的制造方法的一個方式的截面圖；圖18A和圖18B是說明晶體管的一個方式的截面圖；圖19是說明晶體管的一個方式的截面圖；圖20是說明晶體管的一個方式的截面圖；圖21是說明晶體管的一個方式的截面圖；圖22是說明晶體管的一個方式的截面圖；圖23A和圖23B示出氧化物半導體的納米束電子衍射圖案；圖24A至圖24C說明包括本發(fā)明的一個方式的半導體裝置的電子設備；圖25A至圖25C說明包括本發(fā)明的一個方式的半導體裝置的電子設備；圖26是比較例的液晶顯示裝置的截面圖；圖27A和圖27B是比較例的液晶顯示裝置的開口周邊的布局圖；圖28是比較例的液晶顯示裝置的布局圖；圖29說明柵極驅(qū)動器電路的整體圖；圖30A和圖30B說明移位寄存器單元；圖31A和圖31B說明偽級的移位寄存器單元；圖32A和圖32B說明解復用器（demultiplexer）；圖33A和圖33B說明解復用器；圖34說明緩沖器；圖35A和圖35B說明其他移位寄存器單元；圖36A和圖36B說明偽級的其他移位寄存器單元；圖37A和圖37B說明其他緩沖器；圖38A和圖38B說明獲取窄邊框的方法；圖39是移位寄存器單元的時序圖；圖40是半導體裝置的一個方式的截面圖；圖41是半導體裝置的一個方式的截面圖；圖42A和圖42B是半導體裝置的一個方式的截面圖；圖43A和圖43B是驅(qū)動電路部的布局圖；圖44A和圖44B是驅(qū)動電路部的布局圖；圖45A和圖45B說明液晶顯示裝置的截面TEM圖像；圖46示出晶體管特性；圖47A和圖47B示出晶體管特性。具體實施方式下面，將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。注意，本發(fā)明不局限于以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在下面的實施方式及實施例所記載的內(nèi)容中。另外，在下面所說明的實施方式及實施例中，在不同的附圖中使用相同的附圖標記或相同的陰影線來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。注意，在本說明書所說明的每一個附圖中，有時為了明確起見，夸大地表示各構(gòu)成要素的大小、膜厚度、區(qū)域。因此，本發(fā)明的實施方式并不局限于上述尺寸。另外，本說明書中的“第一”、“第二”及“第三”等的用語是為了避免構(gòu)成要素的混淆而附加的，而不是為了在數(shù)目方面上進行限定。因此，例如可以將“第一”適當?shù)靥鎿Q為“第二”或“第三”等?！霸礃O”及“漏極”的功能例如在電路工作中的電流方向變化時，有時互相調(diào)換。因此，在本說明書中，“源極”和“漏極”可以互相調(diào)換。注意，電壓是指兩個點的電位之間的差異，電位是指靜電場中的某一點的單位電荷的靜電能（電位能量）。注意，一般來說，將某一點的電位與標準電位之間的差異簡單地稱為電位或電壓，在很多情況下，電位和電壓是同義詞。因此，在本說明書中，除了特別指定的情況以外，既可將“電位”稱為“電壓”，又可將“電壓”稱為“電位”。在本說明書中，在進行光刻工序之后進行蝕刻工序的情況下，在蝕刻工序之后去除在光刻工序中所形成的掩模。實施方式1在本實施方式中，將參照附圖對本發(fā)明的一個方式的半導體裝置及其制造方法進行說明。圖1A示出液晶顯示裝置作為半導體裝置的一個例子。圖1A中的半導體裝置包括像素部101、掃描線驅(qū)動電路104、信號線驅(qū)動電路106、平行或大致平行地配置且其電位由掃描線驅(qū)動電路104控制的m個掃描線107、以及平行或大致平行地配置且其電位由信號線驅(qū)動電路106控制的n個信號線109。而且，像素部101包括配置為矩陣狀的多個像素301。也設置有與掃描線107平行或大致平行地配置的電容線115。也可以與信號線109平行或大致平行地配置電容線115。有時將掃描線驅(qū)動電路104及信號線驅(qū)動電路106總稱為驅(qū)動電路部。各掃描線107與在像素部101中配置為m行n列的像素301中的對應的行的n個像素301電連接。各信號線109與配置為m行n列的像素301中的對應的列的m個像素301電連接。注意，m、n都是1以上的整數(shù)。各電容線115與配置為m行n列的像素301中的對應的行的n個像素301電連接。注意，在電容線115沿著信號線109平行或大致平行地配置的情況下，各電容線115與配置為m行n列的像素301中的對應的列的m個像素301電連接。圖1B示出能夠用于圖1A所示的液晶顯示裝置中的像素301的電路結(jié)構(gòu)。圖1B所示的像素301包括液晶元件132、晶體管131_1及電容器133_1。根據(jù)像素301的規(guī)格適當?shù)卦O定液晶元件132的一對電極中的一個的電位。液晶元件132的取向狀態(tài)取決于被寫入的數(shù)據(jù)。也可以將公共電位施加到多個像素301的每一個所具有的液晶元件132的一對電極中的一個。此外，也可以對一個行的像素301中的液晶元件132的一對電極中的一個供應的電位與對其他行的像素301中的液晶元件132的一對電極中的一個供應的電位不同。或者，在IPS模式或FFS模式中，也可以將液晶元件132的一對電極中的一個與電容線CL連接。作為包括液晶元件132的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的例子也可以使用如下模式：TN模式；STN模式；VA模式；ASM（AxiallySymmetricAlignedMicro-cell：軸對稱排列微單元）模式；OCB（OpticallyCompensatedBirefringence：光學補償彎曲）模式；FLC（FerroelectricLiquidCrystal：鐵電性液晶）模式；AFLC（AntiFerroelectricLiquidCrystal：反鐵電液晶）模式；MVA模式；PVA（PatternedVerticalAlignment：垂直取向構(gòu)型）模式；IPS模式；FFS模式；TBA（TransverseBendAlignment：橫向彎曲取向）模式等。液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的其他例子包括ECB（ElectricallyControlledBirefringence：電控雙折射）模式、PDLC（PolymerDispersedLiquidCrystal：聚合物分散型液晶）模式、PNLC（PolymerNetworkLiquidCrystal：聚合物網(wǎng)路型液晶）模式、賓主模式。注意，本發(fā)明不局限于此，作為液晶元件及其驅(qū)動方式可以使用各種液晶元件及驅(qū)動方式。也可以使用包含呈現(xiàn)藍相（BluePhase）的液晶和手性材料的液晶組成物形成液晶元件。呈現(xiàn)藍相的液晶的響應速度快，為1msec以下，并且由于其具有光學各向同性，所以不需要取向處理，且視角依賴性小。在第m行第n列的像素301中，晶體管131_1的源電極和漏電極中的一個與信號線DL_n電連接，且另一個與液晶元件132的一對電極中的另一個電連接。晶體管131_1的柵極與掃描線GL_m電連接。晶體管131_1具有通過被開啟或關閉而對數(shù)據(jù)信號的寫入進行控制的功能。電容器133_1的一對電極中的一個與被供應電位的布線（以下，稱為電容線CL）電連接，且另一個與液晶元件132的一對電極中的另一個電連接。根據(jù)像素301的規(guī)格適當?shù)卦O定電容線CL的電位。電容器133_1用作用來儲存被寫入的數(shù)據(jù)的存儲電容器。注意，在IPS模式或FFS模式中，也可以將電容器133_1的一對電極中的一個與液晶元件132的一對電極中的一個電連接。例如，在包括圖1B中的像素301的液晶顯示裝置中，通過掃描線驅(qū)動電路104按行依次選擇像素301，來使晶體管131_1開啟而寫入數(shù)據(jù)信號。當晶體管131_1關閉時，被寫入數(shù)據(jù)的像素301成為保持狀態(tài)。按行依次進行上述工作，因此可以顯示圖像。注意，在本說明書等中，具有液晶元件的液晶顯示裝置的例子是透射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直觀型液晶顯示裝置及投射型液晶顯示。液晶元件的一個例子是利用液晶的光學調(diào)制作用來控制光的透過或非透過的元件。該元件可以包括一對電極及液晶層。液晶的光學調(diào)制作用由施加到液晶的電場（包括水平電場、垂直電場及斜向電場）控制。注意，具體而言，可以將如下液晶用于液晶元件，例如：向列液晶、膽甾相液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、聚合物分散型液晶（PDLC）、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、香蕉型液晶等。半導體裝置的一個例子可以為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光裝置等代替液晶顯示裝置。顯示元件、包括顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件以及包括發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式且可以包括各種元件。顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置的例子包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電磁作用而變化的顯示媒體，如LED（例如白色LED、紅色LED、綠色LED或藍色LED）、晶體管（根據(jù)電流發(fā)光的晶體管）、電子發(fā)射體、液晶元件、電子墨水、電泳元件、電濕潤（electrowetting）元件、光柵光閥（GLV）、等離子體顯示面板（PDP）、微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、數(shù)字微鏡設備（DMD）、數(shù)碼微快門（DMS）、干涉調(diào)制顯示器（IMOD）、壓電陶瓷顯示器、碳納米管。具有電子發(fā)射體的顯示裝置包括場致發(fā)射顯示器（FED）、SED方式平面型顯示器（SED：Surface-conductionElectron-emitterDisplay：表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器）等。具有電子墨水或電泳元件的顯示裝置包括電子紙等。接著，將像素301用于液晶元件的液晶顯示裝置的具體例子。圖2是圖1B所示的像素301的俯視圖。注意，在圖2中，省略對置電極及液晶元件。在圖2中，用作掃描線的導電膜304c在與信號線大致垂直的方向（附圖中的水平方向）上延伸。用作信號線的導電膜310d在與掃描線大致垂直的方向（附圖中的垂直方向）上延伸。用作電容線的導電膜310f在與信號線平行的方向上延伸。注意，用作掃描線的導電膜304c與掃描線驅(qū)動電路104（參照圖1A）電連接，并且用作信號線的導電膜310d及用作電容線的導電膜310f與信號線驅(qū)動電路106（參照圖1A）電連接。晶體管103設置在掃描線和信號線彼此交叉的區(qū)域。晶體管103包括：用作柵電極的導電膜304c；柵極絕緣膜（在圖2中未圖示）；位于柵極絕緣膜上的形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜308b；以及用作源電極及漏電極的導電膜310d、導電膜310e。導電膜304c還用作掃描線，且導電膜304c的與氧化物半導體膜308b重疊的區(qū)域用作晶體管103的柵電極。此外，導電膜310d還用作信號線，且導電膜310d的與氧化物半導體膜308b重疊的區(qū)域用作晶體管103的源電極或漏電極。另外，在圖2所示的俯視圖中，掃描線的端部位于氧化物半導體膜308b的端部的外側(cè)。由此，掃描線用作用來阻擋來自背光等光源的光的遮光膜。因此，晶體管所包括的氧化物半導體膜308b不被照射光而晶體管的電特性的變動可以得到抑制。導電膜310e通過開口362c與用作像素電極的透光導電膜316b電連接。電容器105由形成在柵極絕緣膜上的透光導電膜308c、用作像素電極的透光導電膜316b以及形成在晶體管103上的由氮化物絕緣膜形成的介電膜構(gòu)成。也就是說，電容器105透光。此外，電容器105通過開口362與用作電容線的導電膜310f連接。這里，如圖2所示，透光導電膜316b優(yōu)選具有矩形形狀。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，透光導電膜316b可以如設置在FFS模式、IPS模式或MVA模式的液晶顯示裝置中的像素電極那樣具有梳齒狀或具有狹縫的形狀。因為電容器105具有透光性，所以可以在像素301中形成較大（覆蓋大面積）的電容器105。由此，可以獲得在提高開口率，典型地提高為50%以上，優(yōu)選為55%以上，更優(yōu)選為60%以上的同時增大了電荷容量的液晶顯示裝置。例如，在具有高分辨率的液晶顯示裝置中，像素的面積小，因此電容器的面積也小。因此，在分辨率高的液晶顯示裝置中，儲存在電容器中的電荷容量變小。但是，由于本實施方式的電容器105透光，所以當在像素中設置該電容器時，可以在各像素中獲得充分的電荷容量，并提高開口率。典型的是，可以將電容器105適當?shù)赜糜谙袼孛芏葹?00ppi以上，優(yōu)選為300ppi以上的高分辨率的液晶顯示裝置。圖2所示的像素301具有與用作信號線的導電膜310d平行的邊短于與用作掃描線的導電膜304c平行的邊的形狀，并且用作電容線的導電膜310f在與用作信號線的導電膜310d平行的方向上延伸。其結(jié)果是，可以減少在像素301中導電膜310f所占的面積，因此可以提高開口率。此外，因為用作電容線的導電膜310f不使用連接電極而直接接觸于透光導電膜308c，所以可以進一步提高開口率。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，即使在高分辨率的液晶顯示裝置中也提高開口率，因此高效地利用來自背光等光源的光而減少液晶顯示裝置的功耗。接著，圖3示出沿著圖2中的點劃線C-D的截面圖。注意，圖3中的截面A-B是包括掃描線驅(qū)動電路104及信號線驅(qū)動電路106的驅(qū)動電路部（省略俯視圖）的截面圖。在本實施方式中作為半導體裝置對垂直電場方式的液晶顯示裝置進行說明。在本實施方式所示的液晶顯示裝置中，在一對襯底（襯底302與襯底342）之間設置有液晶元件322。液晶元件322包括襯底302的上方的透光導電膜316b、控制取向性的膜（下面稱為取向膜318、取向膜352）、液晶層320以及導電膜350。注意，將透光導電膜316b用作液晶元件322的一個電極，將導電膜350用作液晶元件322的另一個電極。因此，“液晶顯示裝置”是指包括液晶元件的裝置。注意，液晶顯示裝置包括用來驅(qū)動多個像素的驅(qū)動電路等。液晶顯示裝置有時還被稱為包括配置在其他襯底上的控制電路、電源電路、信號生成電路及背光模塊等的液晶模塊。在驅(qū)動電路部中，晶體管102包括用作柵電極的導電膜304a、集體地用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜308a以及用作源電極及漏電極的導電膜310a及導電膜310b。氧化物半導體膜308a設置在柵極絕緣膜上。此外，在導電膜310a、導電膜310b上設置有絕緣膜312、絕緣膜314作為保護膜。在像素部中，晶體管103包括用作柵電極的導電膜304c、集體地用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、形成在柵極絕緣膜上且形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜308b以及用作源電極及漏電極的導電膜310d及導電膜310e。氧化物半導體膜308b設置在柵極絕緣膜上。此外，在導電膜310d及導電膜310e上設置有絕緣膜312及絕緣膜314作為保護膜。用作像素電極的透光導電膜316b通過設置在絕緣膜312及絕緣膜314中的開口與導電膜310e連接。另外，電容器105包括用作電容器105的一個電極的透光導電膜308c、用作介電膜的絕緣膜314以及用作電容器105的另一個電極的透光導電膜316b。透光導電膜308c設置在柵極絕緣膜上。在驅(qū)動電路部中，通過與透光導電膜316b同時形成的透光導電膜316a，連接導電膜304b與導電膜310c。該導電膜304b與導電膜304a、導電膜304c同時形成，而該導電膜310c與導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e同時形成。導電膜304b與透光導電膜316a在形成于絕緣膜312、絕緣膜314、絕緣膜305及絕緣膜306中的開口中連接。導電膜310c與透光導電膜316a在形成于絕緣膜312、絕緣膜314、絕緣膜305及絕緣膜306中的開口中連接。注意，在本實施方式中，作為絕緣膜314使用氮化物絕緣膜。在本實施方式中，為了提高用作電容器105的一個電極的透光導電膜308c的導電性，在絕緣膜312中設置開口。通過在該開口中與由氮化物絕緣膜形成的絕緣膜314接觸，透光導電膜308c具有更高的導電性。將后面詳細說明導電性得到提高的理由。這里，以下說明圖3所示的顯示裝置的構(gòu)成要素。在襯底302上形成有導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c。導電膜304a具有驅(qū)動電路部中的晶體管的柵電極的功能。導電膜304c形成在像素部101中并具有像素部中的晶體管的柵電極的功能。導電膜304b形成在掃描線驅(qū)動電路104中并與導電膜310c連接。只要至少具有能夠承受后續(xù)的加熱處理的耐熱性，就對襯底302的材料等沒有特別的限制。例如，作為襯底302，可以使用玻璃襯底、陶瓷襯底、石英襯底或藍寶石襯底。此外，也可以利用由硅或碳化硅等形成的單晶半導體襯底或多晶半導體襯底、由硅鍺等形成的化合物半導體襯底、SOI襯底等。另外，也可以將設置有半導體元件的任何這些襯底用作襯底302。在作為襯底302使用玻璃襯底的情況下，可以使用具有如下尺寸的玻璃襯底：第6代（1500mm×1850mm）、第7代（1870mm×2200mm）、第8代（2200mm×2400mm）、第9代（2400mm×2800mm）及第10代（2950mm×3400mm）。因此，可以制造大型液晶顯示裝置。另外，也可以使用柔性襯底作為襯底302，并且在柔性襯底上直接形成晶體管。另外，也可以在襯底302與晶體管之間設置剝離層。當在剝離層上形成元件部的一部分或全部，然后將其從襯底302分離并轉(zhuǎn)置到其他襯底上時可以使用剝離層。此時，也可以將晶體管轉(zhuǎn)置到耐熱性低的襯底或柔性襯底上。導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c都可以使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢中的金屬元素；以上述金屬元素為成分的合金；組合上述金屬元素的合金等來形成。另外，也可以使用選自錳和鋯中的一種或多種金屬元素。導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c都可以具有單層結(jié)構(gòu)或兩層以上的疊層結(jié)構(gòu)。例如，可以舉出包含硅的鋁膜的單層結(jié)構(gòu)、在鋁膜上層疊鈦膜的兩層結(jié)構(gòu)、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的兩層結(jié)構(gòu)、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的兩層結(jié)構(gòu)、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的兩層結(jié)構(gòu)、以及依次層疊鈦膜、鋁膜及鈦膜的三層結(jié)構(gòu)等。此外，也可以使用包含鋁與選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一種或多種元素的合金膜或氮化膜。導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c也可以使用透光導電材料諸如銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物或添加有氧化硅的銦錫氧化物形成。也可以采用上述透光導電材料與上述金屬元素的疊層結(jié)構(gòu)。另外，也可以在導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c與用作柵極絕緣膜的一部分的絕緣膜305之間設置In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜、In-Sn類氧氮化物半導體膜、In-Ga類氧氮化物半導體膜、In-Zn類氧氮化物半導體膜、Sn類氧氮化物半導體膜、In類氧氮化物半導體膜、金屬氮化膜（InN或ZnN等）等。這些膜都具有5eV以上，優(yōu)選為5.5eV以上的功函數(shù)，且該功函數(shù)高于氧化物半導體的電子親和勢。因此可以使包括氧化物半導體的晶體管的閾值電壓向正方向漂移，從而可以實現(xiàn)所謂的常閉特性的開關元件。例如，在使用In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜的情況下，使用氮濃度至少高于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜，具體而言，氮濃度為7at.%以上的In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜。在襯底302及導電膜304a、導電膜304c及導電膜304b上形成有絕緣膜305、絕緣膜306。絕緣膜305、絕緣膜306具有驅(qū)動電路部中的晶體管的柵極絕緣膜及像素部101中的晶體管的柵極絕緣膜的功能。例如，絕緣膜305優(yōu)選使用包含氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁或氮氧化鋁的氮化物絕緣膜形成。絕緣膜306例如可以使用氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鎵及Ga-Zn類金屬氧化物等來以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成。通過使用high-k材料諸如硅酸鉿（HfSixOy）、添加有氮的硅酸鉿、鋁酸鉿（HfAlxOy）、添加有氮的鋁酸鉿、氧化鉿或氧化釔來形成絕緣膜306，可以減少晶體管的柵極漏電流。絕緣膜305及絕緣膜306的總厚度為5nm以上且400nm以下，優(yōu)選為10nm以上且300nm以下，更優(yōu)選為50nm以上且250nm以下。在絕緣膜306上形成有氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、透光導電膜308c。氧化物半導體膜308a形成在與導電膜304a重疊的位置上，并用作驅(qū)動電路部中的晶體管的溝道區(qū)域。氧化物半導體膜308b形成在與導電膜304c重疊的位置上，并用作像素部中的晶體管的溝道區(qū)域。透光導電膜308c用作電容器105的一個電極。氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c典型的都是In-Ga氧化物膜、In-Zn氧化物膜、In-M-Zn氧化物膜（M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）。注意，在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c都是In-M-Zn氧化物膜的情況下，In和M之和假定為100atomic%時的In和M的比率優(yōu)選為：In的原子數(shù)比率為25atomic%以上，M的原子數(shù)比率低于75atomic%，更優(yōu)選為：In的原子數(shù)比率為34atomic%以上，M的原子數(shù)比率低于66atomic%。氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c的能隙為2eV以上，優(yōu)選為2.5eV以上，更優(yōu)選為3eV以上。通過使用具有這種能隙寬的氧化物半導體，可以減少晶體管的關態(tài)電流（off-statecurrent）。氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c的厚度為3nm以上且200nm以下，優(yōu)選為3nm以上且100nm以下，更優(yōu)選為3nm以上且50nm以下。作為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c可以使用原子數(shù)比為In：Ga：Zn=1：1：1或3：1：2的In-Ga-Zn氧化物。注意，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c的原子數(shù)比作為誤差都包括上述原子數(shù)比的±20%的變動。雖然氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c都形成在柵極絕緣膜上（這里，絕緣膜306上），但是它們的雜質(zhì)濃度不同。具體而言，透光導電膜308c的雜質(zhì)濃度高于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的雜質(zhì)濃度。例如，包含在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的氫濃度低于5×1019atoms/cm3，優(yōu)選低于5×1018atoms/cm3，更優(yōu)選為1×1018atoms/cm3以下，進一步優(yōu)選為5×1017atoms/cm3以下，更進一步優(yōu)選為1×1016atoms/cm3以下。包含在透光導電膜308c中的氫濃度為8×1019atoms/cm3以上，優(yōu)選為1×1020atoms/cm3以上，更優(yōu)選為5×1020atoms/cm3以上。包含在透光導電膜308c中的氫濃度為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的氫濃度的兩倍以上，優(yōu)選為十倍以上。透光導電膜308c的電阻率低于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的電阻率。透光導電膜308c的電阻率優(yōu)選為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的電阻率的1×10-8倍以上且1×10-1倍以下。透光導電膜308c的電阻率典型的為1×10-3Ωcm以上且低于1×104Ωcm，優(yōu)選為1×10-3Ωcm以上且低于1×10-1Ωcm。當在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中包含屬于第14族的元素之一的硅或碳時，氧缺陷增加，而氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b都具有n型區(qū)域。因此，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的硅或碳的濃度（利用SIMS測量的濃度）為2×1018atoms/cm3以下，優(yōu)選為2×1017atoms/cm3以下。另外，通過SIMS測量的氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的堿金屬或堿土金屬的濃度為1×1018atoms/cm3以下，優(yōu)選為2×1016atoms/cm3以下。當堿金屬及堿土金屬與氧化物半導體鍵合時生成載流子而使晶體管的關態(tài)電流增大。由此，優(yōu)選降低氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的堿金屬或堿土金屬的濃度。另外，當含有氮時，因生成作為載流子的電子且載流子密度增加而氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b都容易具有n型區(qū)域。因此，包括含有氮的氧化物半導體的晶體管容易變?yōu)槌ｉ_啟特性。為此，在該氧化物半導體膜中，優(yōu)選盡可能地減少氮，例如，通過SIMS測量的氮濃度優(yōu)選為5×1018atoms/cm3以下。作為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b使用載流子密度較低的氧化物半導體膜。例如，作為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b使用載流子密度為1×1017/cm3以下，優(yōu)選為1×1015/cm3以下，更優(yōu)選為1×1013/cm3以下，進一步優(yōu)選為1×1011/cm3以下的氧化物半導體膜。注意，不局限于上述記載，可以根據(jù)所需的晶體管的半導體特性及電特性（例如場效應遷移率及閾值電壓）來使用具有適當?shù)慕M成的材料。另外，為了得到所需的晶體管的半導體特性，優(yōu)選適當?shù)卦O定氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的載流子密度、雜質(zhì)濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數(shù)比、原子間距離、密度等。氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b與使用能夠提高與氧化物半導體膜的界面特性的材料形成的膜諸如絕緣膜306及絕緣膜312接觸。因此，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b用作半導體，從而包括氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的晶體管具有優(yōu)良的電特性。注意，優(yōu)選的是，通過作為氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b使用雜質(zhì)濃度低且缺陷態(tài)密度低的氧化物半導體膜，晶體管可以具有優(yōu)良的電特性。這里，將雜質(zhì)濃度低且缺陷態(tài)密度低（氧缺陷的量少）的狀態(tài)稱為“高純度本征”或“實質(zhì)上高純度本征”。高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導體的載流子發(fā)生源較少，因此有時可以降低載流子密度。因此，有時包括形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜的晶體管很少具有負閾值電壓（很少具有常開啟特性）。高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導體膜具有較低的缺陷態(tài)密度，因此有時具有較少的載流子陷阱。此外，高純度本征或?qū)嵸|(zhì)上高純度本征的氧化物半導體膜的關態(tài)電流顯著小，即便是溝道寬度為1×106μm且溝道長度（L）為10μm的元件，當源電極與漏電極間的電壓（漏電壓）在于1V至10V的范圍內(nèi)時，關態(tài)電流也可以為半導體參數(shù)分析儀的測量極限以下，即1×10-13A以下。因此，有時在該氧化物半導體膜中形成有溝道區(qū)域的晶體管的電特性變動小，且該晶體管具有高可靠性。被氧化物半導體膜的陷阱態(tài)俘獲的電荷到被釋放需要長時間，有時像固定電荷那樣動作。因此，有時在陷阱態(tài)密度高的氧化物半導體膜中形成有溝道區(qū)域的晶體管的電特性不穩(wěn)定。雜質(zhì)的例子包括氫、氮、堿金屬及堿土金屬。透光導電膜308c在開口362（參照圖6A）中與由氮化物絕緣膜形成的絕緣膜314接觸。絕緣膜314使用防止來自外部的雜質(zhì)諸如水、堿金屬、堿土金屬等擴散到氧化物半導體膜中的材料形成，且該材料還包含氫。由此，當絕緣膜314中的氫擴散到與氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b同時形成的氧化物半導體膜中時，在該氧化物半導體膜中氫和氧鍵合而生成作為載流子的電子。其結(jié)果是，氧化物半導體膜的導電性增高，而氧化物半導體膜用作導體，即也可以說是導電性高的氧化物半導體膜。在此，將如下金屬氧化物稱為“透光導電膜308c”：以與氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b相同的材料為主要成分，且使其氫濃度高于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b來提高導電性的金屬氧化物。氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c例如可以具有非單晶結(jié)構(gòu)。非單晶結(jié)構(gòu)例如包括下述c軸取向結(jié)晶氧化物半導體（CAxisAlignedCrystallineOxideSemiconductor：CAAC-OS）、多晶結(jié)構(gòu)、下述微晶結(jié)構(gòu)或非晶結(jié)構(gòu)。在非單晶結(jié)構(gòu)中，非晶結(jié)構(gòu)的缺陷能級密度最高，而CAAC-OS的缺陷能級密度最低。注意，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c具有相同的結(jié)晶性。注意，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c也可以都為包括如下區(qū)域中的兩種以上的混合膜：具有非晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有微晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有多晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、CAAC-OS區(qū)域和具有單晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域?；旌夏び袝r包括具有非晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有微晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有多晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、CAAC-OS區(qū)域和具有單晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域中的兩種以上。另外，混合膜有時包括具有非晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有微晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有多晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、CAAC-OS區(qū)域和具有單晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域中的兩種以上的疊層結(jié)構(gòu)。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此，而透光導電膜308c根據(jù)情況也可以不與絕緣膜314接觸。此外，本發(fā)明的一個方式不局限于此，而根據(jù)情況透光導電膜308c也可以通過與氧化物半導體膜308a或氧化物半導體膜308b不同的工序形成。在此情況下，透光導電膜308c也可以包含與氧化物半導體膜308a或氧化物半導體膜308b不同的材料。例如，透光導電膜308c也可以包含銦錫氧化物（下面表示為ITO）或銦鋅氧化物等。在本實施方式所示的液晶顯示裝置中，在形成晶體管的氧化物半導體膜的同時形成電容器的一個電極。此外，將用作像素電極的透光導電膜用于電容器的另一個電極。因此，不需要為了形成電容器還形成其他導電膜的工序，從而可以減少液晶顯示裝置的制造工序。此外，電容器因為具有由透光導電膜形成的一對電極，所以可以具有透光性。其結(jié)果是，可以增大電容器的占有面積并提高像素中的開口率。導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e使用作為導電材料包含金屬諸如鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭和鎢或以這些金屬為主要成分的合金的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成。例如，可以舉出包含硅的鋁膜的單層結(jié)構(gòu)、在鋁膜上層疊鈦膜的兩層結(jié)構(gòu)、在鎢膜上層疊鈦膜的兩層結(jié)構(gòu)、在銅-鎂-鋁合金膜上形成銅膜的兩層結(jié)構(gòu)、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜以及鈦膜或氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜以及鉬膜或氮化鉬膜的三層結(jié)構(gòu)等。注意，也可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電材料。通過導電膜310c與導電膜304b重疊地形成，可以使邊框變窄。因此，可以縮減驅(qū)動電路部的面積。由此，可以使顯示裝置的邊框變窄。在絕緣膜306、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、透光導電膜308c及導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e上形成有絕緣膜312、絕緣膜314。絕緣膜312優(yōu)選與絕緣膜306同樣地使用能夠提高與氧化物半導體膜的界面特性的材料。絕緣膜312可以使用氧化物絕緣膜形成。這里，絕緣膜312通過層疊絕緣膜312a、絕緣膜312b形成。絕緣膜312a為使氧透過的氧化物絕緣膜。注意，當在后面形成絕緣膜312b時，絕緣膜312a也用作緩和對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c所造成的損傷的膜。作為絕緣膜312a，可以使用厚度為5nm以上且150nm以下，優(yōu)選為5nm以上且50nm以下的氧化硅膜、氧氮化硅膜等。注意，在本說明書中，“氧氮化硅膜”是指在其組成中含氧量多于含氮量的膜，而“氮氧化硅膜”是指在其組成中含氮量多于含氧量的膜。此外，優(yōu)選使絕緣膜312a中的缺陷量較少，典型的是，通過ESR測量，使在起因于硅的懸空鍵的g=2.001處呈現(xiàn)的信號的自旋密度為3×1017spins/cm3以下。這是因為若絕緣膜312a中的缺陷密度較高，則氧與該缺陷鍵合，透過絕緣膜312a的氧量有可能減少。此外，優(yōu)選使在絕緣膜312a與氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c之間的界面的缺陷量較少，典型的是，通過ESR測量，使在起因于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c中的氧缺陷的g=1.93處呈現(xiàn)的信號的自旋密度為1×1017spins/cm3以下，更優(yōu)選為檢測下限以下。注意，在絕緣膜312a中，從外部進入絕緣膜312a的氧并非全部移動到絕緣膜312a的外部，而有一部分的氧殘留在絕緣膜312a中。此外，氧進入絕緣膜312a，并且絕緣膜312a所包含的氧移動到絕緣膜312a的外部，由此有時會發(fā)生在絕緣膜312a中氧的移動。當形成使氧透過的氧化物絕緣膜作為絕緣膜312a時，可以使從設置在絕緣膜312a上的絕緣膜312b脫離的氧經(jīng)由絕緣膜312a移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c中。絕緣膜312b以與絕緣膜312a接觸的方式來形成。絕緣膜312b使用包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜形成。由于包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜被加熱，一部分的氧脫離。在包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜中，通過TDS分析，換算為氧原子的氧的脫離量為1.0×1018atoms/cm3以上，優(yōu)選為3.0×1020atoms/cm3以上。作為絕緣膜312b可以使用厚度為30nm以上且500nm以下，優(yōu)選為50nm以上且400nm以下的氧化硅膜、氧氮化硅膜等。此外，優(yōu)選使絕緣膜312b中的缺陷量較少，典型的是，通過ESR測量，使在起因于硅的懸空鍵的g=2.001處呈現(xiàn)的信號的自旋密度低于1.5×1018spins/cm3，更優(yōu)選為1×1018spins/cm3以下。注意，由于絕緣膜312b比絕緣膜312a離氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c更遠，因此，絕緣膜312b的缺陷密度可以高于絕緣膜312a。此外，通過作為絕緣膜314設置對氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等具有阻擋效果的氮化物絕緣膜，能夠防止氧從氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b及透光導電膜308c擴散到外部。氮化物絕緣膜使用氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氮氧化鋁等形成。注意，也可以在對氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等具有阻擋效果的氮化物絕緣膜上設置對氧、氫、水等具有阻擋效果的氧化物絕緣膜。作為對氧、氫、水等具有阻擋效果的氧化物絕緣膜，可以舉出氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鎵、氧氮化鎵、氧化釔、氧氮化釔、氧化鉿、氧氮化鉿。為了控制電容器的電荷容量，也可以適當?shù)卦趯ρ?、氫、水、堿金屬、堿土金屬等具有阻擋效果的氮化物絕緣膜上還設置氮化物絕緣膜或氧化物絕緣膜。此外，在絕緣膜314上設置有透光導電膜316a、透光導電膜316b。透光導電膜316a通過開口364a（參照圖6C）與導電膜304b及導電膜310c電連接。換言之，透光導電膜316a用作連接導電膜304b和導電膜310c的連接電極。透光導電膜316b通過開口364b（參照圖6C）與導電膜310e電連接，并用作像素的像素電極。此外，透光導電膜316b可以用作電容器的一對電極中的一個。為了形成使導電膜304b與導電膜310c直接接觸的連接結(jié)構(gòu)，需要如下工序：在形成導電膜310c之前，進行用來在絕緣膜305、絕緣膜306中形成開口的圖案化，形成掩模。然而，如圖3所示，當透光導電膜316a使導電膜304b與導電膜310c連接時，不需要形成使導電膜304b與導電膜310c接觸的連接部。因此，可以減少一個光掩模。即，可以減少液晶顯示裝置的形成工序。作為透光導電膜316a、透光導電膜316b，可以使用透光導電材料諸如包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、ITO、銦鋅氧化物或添加有氧化硅的銦錫氧化物。取向膜318可以使用聚酰亞胺等有機樹脂形成。取向膜318的厚度為40nm以上且100nm以下，優(yōu)選為50nm以上且90nm以下。通過采用上述厚度，可以增大液晶分子的預傾角，這可以減少向錯（disclination）。在襯底342上形成有有色性的膜（下面稱為有色膜346）。將有色膜346用作濾光片。另外，與有色膜346相鄰的遮光膜344形成在襯底342上。將遮光膜344用作黑矩陣。例如在液晶顯示裝置為黑白顯示裝置的情況下不一定需要設置有色膜346。有色膜346是使特定的波長區(qū)域的光透過的有色膜。例如可以使用使紅色的波長區(qū)域的光透過的紅色（R）的濾光片、使綠色的波長區(qū)域的光透過的綠色（G）的濾光片或使藍色的波長區(qū)域的光透過的藍色（B）的濾光片等。遮光膜344優(yōu)選具有阻擋特定的波長區(qū)域的光的功能，并可以是金屬膜或包含黑色顏料的有機絕緣膜。在有色膜346上形成有絕緣膜348。絕緣膜348具有平坦化層的功能或抑制有色膜346中的雜質(zhì)擴散到液晶元件一側(cè)。在絕緣膜348上形成有導電膜350。導電膜350具有像素部中的液晶元件的一對電極中的另一個的功能。注意，在透光導電膜316a、透光導電膜316b上形成有取向膜318，且在導電膜350上形成有絕緣膜352。在透光導電膜316a與導電膜350以及透光導電膜316b與導電膜350之間形成有液晶層320。使用密封材料（未圖示）將液晶層320密封在襯底302與襯底342之間。密封材料優(yōu)選與無機材料接觸以抑制來自外部的水分等侵入。也可以在透光導電膜316a與導電膜350以及透光導電膜316b與導電膜350之間設置間隔物以保持液晶層320的厚度（也稱為單元間隙）。參照圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖6A至圖6C、圖7A及圖7B說明在圖3所示的液晶顯示裝置中的襯底302上形成元件部的方法。這里，設置在襯底302上的元件部是指夾在襯底302與取向膜318之間的區(qū)域。首先，準備襯底302。在此，作為襯底302使用玻璃襯底。接著，將導電膜形成在襯底302上且被加工成所希望的區(qū)域，從而形成導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c。通過第一圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c（參照圖4A）。典型地使用蒸鍍法、CVD法、濺射法、旋涂法等形成導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c。接著，在襯底302及導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c上形成絕緣膜305，然后在絕緣膜305上形成絕緣膜306（參照圖4A）?？梢酝ㄟ^濺射法、CVD法等形成絕緣膜305及絕緣膜306。注意，優(yōu)選在真空中連續(xù)形成絕緣膜305及絕緣膜306，因為可以抑制雜質(zhì)的進入。接著，在絕緣膜306上形成氧化物半導體膜307（參照圖4B）?？梢酝ㄟ^濺射法、涂敷法、脈沖激光蒸鍍法、激光燒蝕法等形成氧化物半導體膜307。接著，通過將氧化物半導體膜307被加工成所希望的區(qū)域來形成島狀的氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d。通過第二圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d。作為蝕刻可以采用干蝕刻、濕蝕刻或組合雙方的蝕刻（參照圖4C）。然后，也可以通過進行加熱處理，氫、水等從氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d脫離，減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氫及水。其結(jié)果是，可以形成高純度化的氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d。該加熱處理典型地在250℃以上且650℃以下，優(yōu)選為300℃以上且500℃以下的溫度下進行。通過該加熱處理典型地在300℃以上且400℃以下，優(yōu)選為320℃以上且370℃以下的溫度下進行，可以減少大面積襯底的翹曲或收縮，由此提高成品率。該加熱處理可以使用電爐、RTA裝置等。通過使用RTA裝置，若加熱時間短則在襯底的應變點以上的溫度下可以進行加熱處理。由此，可以縮短加熱處理時間，且可以減少加熱處理中的襯底的翹曲，在采用大面積襯底的情況下是特別優(yōu)選的。加熱處理可以在氮、氧、超干燥空氣（水含量為20ppm以下，優(yōu)選為1ppm以下，更優(yōu)選為10ppb以下的空氣）或稀有氣體（氬、氦等）的氣氛下進行。氮、氧、超干燥空氣或稀有氣體的氣氛優(yōu)選不含有氫、水等。此外，在氮氣氛或稀有氣體氣氛下進行加熱處理之后，也可以在氧氣氛或超干燥空氣氣氛下還進行加熱。其結(jié)果是，在可以從氧化物半導體膜脫離氫、水等的同時，可以將氧供應到氧化物半導體膜中。其結(jié)果是，可以減少氧化物半導體膜中的氧缺損量。接著，在絕緣膜306及氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d上形成導電膜309（參照圖5A）。例如，可以通過濺射法形成導電膜309。接著，通過導電膜309被加工成所希望的區(qū)域，形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e。通過第三圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e（參照圖5B）。注意，通過導電膜310c與導電膜304b重疊地形成，在短距離下通過透光導電膜316a使導電膜304b與導電膜310c電連接，由此可以縮減驅(qū)動電路部的面積。由此，可以使顯示裝置的邊框變窄。此外，通過使透光導電膜316a與導電膜310c的接觸面積擴大，可以減少接觸電阻。接著，以覆蓋絕緣膜306、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d以及導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e的方式形成層疊有絕緣膜311a、絕緣膜311b的絕緣膜311（參照圖5C）。注意，在形成絕緣膜311a之后，優(yōu)選在不暴露于大氣的狀態(tài)下連續(xù)地形成絕緣膜311b。在形成絕緣膜311a之后，在不暴露于大氣的狀態(tài)下，調(diào)節(jié)源氣體的流量、壓力、高頻功率和襯底溫度中的至少一個以連續(xù)地形成絕緣膜311b，由此能夠在減少來源于絕緣膜311a與絕緣膜311b之間的界面的大氣成分的雜質(zhì)濃度的同時，能夠使絕緣膜311b中的氧移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中，由此能夠減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷量。在下述條件下可以形成氧化硅膜或氧氮化硅膜作為絕緣膜311a：在180℃以上且400℃以下，優(yōu)選為200℃以上且370℃以下的溫度下保持設置在抽成真空的等離子體CVD裝置的處理室中的襯底，將源氣體導入處理室，壓力為20Pa以上且250Pa以下，優(yōu)選為100Pa以上且250Pa以下，并對設置在處理室中的電極供應高頻功率。作為絕緣膜311a的源氣體，優(yōu)選使用含有硅的沉積氣體及氧化性氣體。含有硅的沉積氣體的典型例子包括硅烷、乙硅烷、丙硅烷、氟化硅烷。作為氧化性氣體的例子可舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。通過采用上述條件，可以形成使氧透過的氧化物絕緣膜作為絕緣膜311a。另外，通過設置絕緣膜311a，在后續(xù)形成絕緣膜311b的形成工序中，能夠降低對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d所造成的損傷。在下述條件下可以形成氧化硅膜或氧氮化硅膜作為絕緣膜311a：在280℃以上且400℃以下的溫度下保持設置在抽成真空的等離子體CVD裝置的處理室中的襯底，將源氣體導入處理室中，壓力為100Pa以上且250Pa以下，并且對設置在處理室中的電極供應高頻功率。在上述成膜條件下，當襯底溫度為絕緣膜311a的沉積溫度時，硅及氧的鍵合力變強。由此，作為絕緣膜311a可以形成使氧透過的致密且硬的氧化物絕緣膜，典型的是，在25℃下使用0.5wt.%的氟酸時的蝕刻速度為10nm/分鐘以下，優(yōu)選為8nm/分鐘以下的氧化硅膜或氧氮化硅膜。由于在進行加熱的期間形成絕緣膜311a，所以在該工序中可以使包含在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氫、水等脫離。此外，由于在形成絕緣膜311a的工序中進行加熱，所以氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d被露出的狀態(tài)下的加熱時間變短。由此可以減少因加熱處理從氧化物半導體膜脫離的氧量。即，可以減少氧化物半導體膜中的氧缺陷量。注意，通過將處理室中的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，絕緣膜311a中的含水量下降，因此能夠在降低晶體管的電特性偏差的同時，能夠抑制閾值電壓的變動。另外，通過將處理室中的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，當形成絕緣膜311a時，能夠降低對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d所造成的損傷，因此能夠降低氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷量。尤其是，當提高絕緣膜311a或者在后續(xù)形成的絕緣膜311b的成膜溫度，典型的為高于220℃的溫度時，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d所包含的氧的一部分脫離，容易形成氧缺陷。另外，當為了提高晶體管的可靠性而采用用來降低在后續(xù)形成的絕緣膜311b中的缺陷量的成膜條件時，氧的脫離量容易降低。其結(jié)果是，有時難以減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷。然而，將處理室中的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，以降低在形成絕緣膜311a時對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d所造成的損傷，即使從絕緣膜311b脫離的氧量較低，也能夠減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷。注意，當將氧化性氣體量與包含硅的沉積氣體量的比率設定為100以上時，能夠減少絕緣膜311a中的含氫量。其結(jié)果是，能夠減少進入氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d的氫量，因此，能夠抑制晶體管的閾值電壓的負向漂移。通過在下述條件下形成氧化硅膜或氧氮化硅膜作為絕緣膜311b：在180℃以上且280℃以下，優(yōu)選為200℃以上且240℃以下的溫度下來保持設置在抽成真空的等離子體CVD裝置的處理室中的襯底，以100Pa以上且250Pa以下，優(yōu)選為100Pa以上且200Pa以下的壓力將源氣體導入處理室，并對設置在處理室中的電極供應0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下，優(yōu)選為0.25W/cm2以上且0.35W/cm2以下的高頻功率。作為絕緣膜311b的源氣體，優(yōu)選使用包含硅的沉積氣體及氧化性氣體。包含硅的沉積氣體的典型例子包括硅烷、乙硅烷、丙硅烷、氟化硅烷。作為氧化性氣體的例子可舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。作為絕緣膜311b的成膜條件，對上述壓力的處理室供應具有上述功率密度的高頻功率，由此在等離子體中源氣體的分解效率得到提高，氧自由基增加，且源氣體的氧化進展，所以絕緣膜311b中的含氧量比化學計量組成更高。然而，當襯底溫度是上述絕緣膜311b的沉積溫度時，由于硅與氧的鍵合力較弱，因此，因加熱處理而使氧的一部分脫離。因此，能夠形成包含比化學計量組成更高比例的氧且因加熱而釋放氧的一部分的氧化物絕緣膜。此外，在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d上設置有絕緣膜311a。由此，在絕緣膜311b的形成工序中，絕緣膜311a用作氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d的保護膜。其結(jié)果是，能夠在減少對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d所造成的損傷的同時，使用具有高功率密度的高頻功率來形成絕緣膜311b。注意，在絕緣膜311b的成膜條件中，通過可以增加相對于氧化性氣體的包含硅的沉積氣體的流量，可以減少絕緣膜311b中的缺陷量。典型的是，能夠形成缺陷量較少，即，通過ESR測量，在起因于硅的懸空鍵的g=2.001處呈現(xiàn)的信號的自旋密度低于6×1017spins/cm3，優(yōu)選為3×1017spins/cm3以下，更優(yōu)選為1.5×1017spins/cm3以下的氧化物絕緣膜。由此能夠提高晶體管的可靠性。接著，進行加熱處理。該加熱處理的溫度典型地為150℃以上且低于襯底的應變點，優(yōu)選為200℃以上且450℃以下，更優(yōu)選為300℃以上且450℃以下。通過該加熱處理典型地在300℃以上且400℃以下，優(yōu)選為320℃以上且370℃以下的溫度下進行，可以減少大面積襯底的翹曲或收縮，由此提高成品率。該加熱處理可以使用電爐、RTA裝置等。通過使用RTA裝置，若加熱時間短則在襯底的應變點以上的溫度下可以進行加熱處理。由此，可以縮短加熱處理時間。加熱處理可以在氮、氧、超干燥空氣（含水量為20ppm以下，優(yōu)選為1ppm以下，更優(yōu)選為10ppb以下的空氣）或稀有氣體（氬、氦等）的氣氛下進行。上述氮、氧、超干燥空氣或稀有氣體的氣氛優(yōu)選不含有氫、水等。通過上述加熱處理，能夠?qū)⒔^緣膜311b所含的氧的一部分移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中以減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷量。其結(jié)果是，可以進一步減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷量。另外，在絕緣膜311a及絕緣膜311b包含水、氫等的情況下，當在后續(xù)形成具有阻擋水、氫等的功能的絕緣膜313并進行加熱處理時，絕緣膜311a及絕緣膜311b所包含的水、氫等會移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中，因此，在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中產(chǎn)生缺陷。然而，通過進行上述加熱，能夠使絕緣膜311a及絕緣膜311b所包含的水、氫等發(fā)生脫離，由此在能夠降低晶體管的電特性偏差的同時，能夠抑制閾值電壓的變動。注意，當在進行加熱的同時，在絕緣膜311a上形成絕緣膜311b時，可以將氧移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中以填補氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d中的氧缺陷，因此，不需要進行上述加熱處理。另外，當形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e時，由于導電膜的蝕刻，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d會受到損傷，因此在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的背溝道一側(cè)（在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中與相對于用作柵電極的導電膜304a、導電膜304c相反一側(cè)）產(chǎn)生氧缺陷。然而，當作為絕緣膜311b使用包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜時，通過加熱處理能夠修復產(chǎn)生在該背溝道一側(cè)的氧缺陷。由此，能夠減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的缺陷，因此，能夠提高晶體管的可靠性。注意，也可以在形成后續(xù)形成的開口362之后進行上述加熱處理。接著，通過絕緣膜311被加工成所希望的區(qū)域，形成絕緣膜312及開口362。通過第四圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜311及開口362（參照圖6A）。注意，對與導電膜304b重疊的區(qū)域的絕緣膜311的一部分也進行蝕刻。以使氧化物半導體膜308d的表面露出的方式形成開口362。開口362的形成方法的例子包括干蝕刻法，但不局限于此?；蛘?，對于開口362的形成方法可以采用濕蝕刻法或組合干蝕刻法和濕蝕刻法的形成方法。接著，在絕緣膜306、絕緣膜312及氧化物半導體膜308d上形成絕緣膜313（參照圖6B）。絕緣膜313優(yōu)選使用防止外部的雜質(zhì)諸如氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等擴散到氧化物半導體膜中的材料形成，更優(yōu)選使用包含氫的材料，典型地可以使用包含氮的無機絕緣材料，例如氮化絕緣膜形成。絕緣膜313例如可以通過CVD法形成。絕緣膜313使用防止來自外部的雜質(zhì)諸如水、堿金屬、堿土金屬等擴散到氧化物半導體膜中的材料形成，且該材料還包含氫。由此，當絕緣膜313中的氫擴散到氧化物半導體膜308d中時，在該氧化物半導體膜308d中氫和氧鍵合而生成作為載流子的電子。其結(jié)果是，氧化物半導體膜308d的導電性提高，從而氧化物半導體膜308d成為透光導電膜308c。上述氮化硅膜優(yōu)選在高溫下形成以提高阻擋性，例如在100℃以上且400℃以下的襯底溫度下，優(yōu)選在300℃以上且400℃以下的襯底溫度下形成氮化硅膜。因為當在高溫下形成氮化硅膜時，可能氧從用于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的氧化物半導體脫離，因此載流子濃度上升，所以溫度的上限是不發(fā)生這種現(xiàn)象的溫度。接著，通過絕緣膜313、絕緣膜312、絕緣膜306及絕緣膜305被加工成所希望的區(qū)域，形成絕緣膜314、開口364a、開口364b。通過第五圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜314、開口364a、開口364b（參照圖6C）。開口364a以使導電膜304a及導電膜310c的表面露出的方式形成。開口364b以使導電膜310e露出的方式形成。開口364a、開口364b的形成方法的例子包括干蝕刻法，但不局限于此。或者，對于開口364a、開口364b的形成方法可以采用濕蝕刻法或組合干蝕刻法和濕蝕刻法的形成方法。像這樣，通過設置開口364a，可以提高后續(xù)形成的開口364a、絕緣膜305、絕緣膜306、導電膜310c上的膜的覆蓋性。接著，以覆蓋開口364a、開口364b的方式在絕緣膜314上形成透光導電膜315（參照圖7A）。透光導電膜315例如可以通過濺射法形成。接著，通過透光導電膜315被加工成所希望的區(qū)域，形成透光導電膜316a、透光導電膜316b。通過第六圖案化在所希望的區(qū)域中形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成透光導電膜316a、透光導電膜316b（參照圖7B）?？梢酝ㄟ^上述工序在襯底302上形成包括晶體管的像素部及驅(qū)動電路部。在本實施方式所示的制造工序中通過第一圖案化至第六圖案化或通過第一圖案化至第六圖案化，即可以使用六個掩模或七個掩模來同時形成晶體管及電容器。在本實施方式中，使絕緣膜314所包含的氫擴散到氧化物半導體膜308d中來提高氧化物半導體膜308d的導電性。但是，也可以通過使用掩模覆蓋氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b，并對氧化物半導體膜308d添加雜質(zhì)，典型的是氫、硼、磷、錫、銻、稀有氣體元素、堿金屬、堿土金屬等，從而提高氧化物半導體膜308d的導電性。通過離子摻雜法、離子注入法等對氧化物半導體膜308d添加氫、硼、磷、錫、銻、稀有氣體元素等。此外，通過使氧化物半導體膜308d暴露于包含雜質(zhì)的溶液的方法，對氧化物半導體膜308d添加堿金屬、堿土金屬等。在本實施方式中，只有開口364a的一部分具有臺階狀，但是本發(fā)明不局限于此。當對絕緣膜311進行加工時，對形成開口364b的絕緣膜311的區(qū)域進行蝕刻，在形成絕緣膜313之后的開口的形成中也可以形成其一部分具有臺階狀的開口364b。接著，下面說明形成在與襯底302對置地設置的襯底342上的元件部。這里，設置在襯底342上的元件部是指夾在襯底342與取向膜352之間的區(qū)域。首先，準備襯底342。作為襯底342的材料可以援用能夠用于襯底302的材料。接著，在襯底342上形成遮光膜344、有色膜346（參照圖8A）。在所希望的位置中使用各種材料并采用印刷法、噴墨法、使用光刻技術的蝕刻法等分別形成遮光膜344及有色膜346。接著，在遮光膜344及有色膜346上形成絕緣膜348（參照圖8B）。作為絕緣膜348，例如可以使用包含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等的有機絕緣膜。通過形成絕緣膜348，例如可以防止有色膜346所包含的雜質(zhì)等擴散到液晶層320。注意，絕緣膜348是不一定需要設置的。接著，在絕緣膜348上形成導電膜350（參照圖8C）。作為導電膜350可以援用能夠用于透光導電膜315的材料。通過上述工序可以實現(xiàn)形成在襯底342上的結(jié)構(gòu)。接著，在襯底302及襯底342上，更詳細地說，在形成于襯底302上的絕緣膜314、透光導電膜316a、透光導電膜316b及在形成于襯底342上的導電膜350上，分別形成取向膜318及取向膜352。取向膜318、取向膜352可以通過摩擦法、光取向法等形成。然后，在襯底302與襯底342之間形成液晶層320。通過分配器法（滴落法）或在將襯底302和襯底342貼合之后利用毛細現(xiàn)象來注入液晶的注入法形成液晶層320。通過上述工序可以制造圖3所示的液晶顯示裝置。雖然實施方式所公開的金屬膜、半導體膜、無機絕緣膜等各種膜可以利用濺射法或等離子體CVD法形成，但是也可以利用熱CVD法等其他方法形成。作為熱CVD法的例子，可以舉出有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法或原子層沉積（ALD）法。由于熱CVD法是不使用等離子體的成膜方法，因此具有不產(chǎn)生因等離子體損傷所引起的缺陷的優(yōu)點?？梢砸匀缦路椒ㄟM行利用熱CVD法的沉積：將源氣體及氧化劑同時供應到處理室中，將處理室中的壓力設定為大氣壓或減壓，使其在襯底附近或在襯底上發(fā)生反應。可以以如下方法進行利用ALD法的沉積：將處理室中的壓力設定為大氣壓或減壓，將用于反應的源氣體依次引入處理室，并且按上述順序反復地引入氣體。例如，通過切換各開關閥（也稱為高速閥）來將兩種以上的源氣體依次供應到處理室中。例如，引入第一源氣體，并在引入第一源氣體的同時或之后引入惰性氣體（氬或氮等）等免得多種源氣體混合，然后引入第二源氣體。注意，在同時引入第一源氣體及惰性氣體的情況下，惰性氣體用作載流子氣體，可以在引入第二源氣體的同時引入惰性氣體。另外，也可以利用真空抽氣將第一源氣體排出來代替引入惰性氣體，然后引入第二源氣體。第一源氣體附著到襯底表面以形成第一層，之后引入的第二源氣體與該第一層起反應，由此第二層層疊在第一層上而形成薄膜。通過按該順序反復多次地引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，可以形成臺階覆蓋性良好的薄膜。由于薄膜的厚度可以根據(jù)按順序反復引入氣體的次數(shù)來進行調(diào)節(jié)，因此，ALD法可以準確地調(diào)節(jié)厚度而適用于制造微型FET。利用熱CVD法諸如MOCVD法或ALD法可以形成實施方式所公開的金屬膜、半導體膜、無機絕緣膜等各種膜。例如，在形成In-Ga-Zn-O膜的情況下，使用三甲基銦、三甲基鎵及二甲基鋅。注意，三甲基銦的化學式為（CH3）3In。三甲基鎵的化學式為（CH3）3Ga。二甲基鋅的化學式為Zn（CH3）2。不局限于上述組合，也可以使用三乙基鎵（化學式：Ga（C2H5）3）代替三甲基鎵，并使用二乙基鋅（化學式：Zn（C2H5）2）代替二甲基鋅。例如，在使用利用ALD法的沉積裝置形成氧化鉿膜的情況下，使用如下兩種氣體：用作氧化劑的臭氧（O3）；以及通過使包含溶劑和鉿前體化合物的液體（鉿醇鹽溶液，典型為四（二甲基酰胺）鉿（TDMAH））氣化而得到的源氣體。注意，四（二甲基酰胺）鉿的化學式為Hf[N（CH3）2]4。其他材料液的例子包括四（乙基甲基酰胺）鉿等。例如，在使用利用ALD法的沉積裝置形成氧化鋁膜的情況下，例如使用如下兩種氣體：用作氧化劑的H2O；以及通過使溶劑和包含鋁前體化合物的液體（三甲基鋁（TMA）等）氣化而得到的源氣體。注意，三甲基鋁的化學式為Al（CH3）3。其他材料液的例子包括三（二甲基酰胺）鋁、三異丁基鋁及鋁三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）。例如，在使用利用ALD法的沉積裝置形成氧化硅膜的情況下，使六氯乙硅烷附著在形成膜的表面，去除附著物所包含的氯，供應氧化性氣體（例如，O2或一氧化二氮）的自由基使其與附著物起反應。例如，在使用利用ALD法的沉積裝置形成鎢膜的情況下，依次反復引入WF6氣體和B2H6氣體形成初始鎢膜，然后同時引入WF6氣體和H2氣體形成鎢膜。注意，也可以使用SiH4氣體代替B2H6氣體。例如，在使用利用ALD法的沉積裝置形成氧化物半導體膜如In-Ga-Zn-O膜的情況下，依次反復引入In（CH3）3氣體和O3氣體形成In-O層，然后同時引入Ga（CH3）3氣體和O3氣體形成GaO層，之后同時引入Zn（CH3）2氣體和O3氣體形成ZnO層。注意，這些層的順序不局限于上述例子。也可以混合這些氣體來形成混合化合物層如In-Ga-O層、In-Zn-O層、Ga-Zn-O層。注意，雖然也可以使用利用Ar等惰性氣體進行鼓泡而得到的H2O氣體代替O3氣體，但是優(yōu)選使用不包含H的O3氣體。另外，也可以使用In（C2H5）3氣體代替In（CH3）3氣體。也可以使用Ga（C2H5）3氣體代替Ga（CH3）3氣體。還可以使用In（C2H5）3氣體代替In（CH3）3氣體。另外，也可以使用Zn（CH3）2氣體。本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當?shù)亟M合。<變形例1>參照圖9對實施方式1中的開口364a的變形例進行說明。在圖9中，與圖3同樣地，在A-B的范圍內(nèi)示出驅(qū)動電路部的截面圖，而在C-D的范圍內(nèi)示出像素部的截面圖。在圖3中，在開口364a中透光導電膜316a只設置在導電膜304b上，但在圖9中在開口364c中透光導電膜316a除了接觸于導電膜304b以外還接觸于襯底302。通過采用上述結(jié)構(gòu)，增大透光導電膜316a與導電膜304b的接觸面積，由此可以降低接觸電阻。圖9中的由虛線圈圍繞的區(qū)域370具有結(jié)構(gòu)，其中絕緣膜覆蓋導電膜304b的一個端部，導電膜310c在于絕緣膜（這里柵極絕緣膜）上，導電膜（這里透光導電膜316a）電連接導電膜304b與導電膜310c。該結(jié)構(gòu)可以應用到半導體裝置的端子部，由此可以同樣地降低接觸電阻。<變形例2>參照圖10對實施方式1中的開口364a的其他變形例進行說明。在圖10中，與圖3同樣地，在A-B的范圍內(nèi)示出驅(qū)動電路部的截面圖，而在C-D的范圍內(nèi)示出像素部的截面圖。圖10的截面圖與圖3的截面圖的不同之處在于：對絕緣膜314、絕緣膜312、絕緣膜306及絕緣膜305同時進行蝕刻而形成開口。這里，參照圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖11A至圖11C、圖12A至圖12C說明圖10所示的液晶顯示裝置的制造方法。與實施方式1同樣地，通過圖4A至圖4C以及圖5A至圖5C的工序，如圖11A所示，在襯底302上形成用作柵電極的導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c、用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d、導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e以及絕緣膜311。在該工序中進行第一圖案化至第三圖案化，分別形成導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、氧化物半導體膜308d、導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e。接著，通過絕緣膜311被加工成所希望的區(qū)域，形成絕緣膜312及開口362。通過第四圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜311、開口362（參照圖11B）。接著，在絕緣膜312及氧化物半導體膜308d上形成絕緣膜313（參照圖11C）。接著，通過絕緣膜313、絕緣膜312、絕緣膜306及絕緣膜305被加工成所希望的區(qū)域，形成絕緣膜314、開口364a、開口364b。通過第五圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜314、開口364a、開口364b（參照圖12A）。像這樣，通過設置開口364a，可以提高后續(xù)形成的開口364a、絕緣膜305、絕緣膜306、導電膜310c上的膜的覆蓋性。接著，以覆蓋開口364a、開口364b的方式在絕緣膜314上形成透光導電膜315（參照圖12B）。接著，通過透光導電膜315被加工成所希望的區(qū)域，形成透光導電膜316a、透光導電膜316b。通過第六圖案化在所希望的區(qū)域中形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成透光導電膜316a、透光導電膜316b（參照圖12C）。可以通過上述工序在襯底302上形成包括晶體管的像素部及驅(qū)動電路部。在本實施方式所示的制造工序中通過第一圖案化至第六圖案化，即使用六個掩模，來同時形成晶體管及電容器。<變形例3>這里，參照圖13對實施方式1中的液晶顯示裝置的變形例進行說明。在圖13中，與圖3同樣地，在A-B的范圍內(nèi)示出驅(qū)動電路部的截面圖，而在C-D的范圍內(nèi)示出像素部的截面圖。圖13的截面圖與圖3的截面圖的不同之處在于平坦化膜317在于取向膜318下。平坦化膜317是填充在至少用作像素電極的透光導電膜316b的凹部的有機樹脂膜。通過在透光導電膜316b的凹部且液晶顯示裝置的背光透過的區(qū)域（即在設置于透光導電膜308c的開口中的凹部）填充平坦化膜317，可以減少形成取向膜的區(qū)域的凹凸。換言之，可以減少形成在透光導電膜316b上的取向膜318的凹凸。注意，凹部的深度相當于絕緣膜312的厚度。平坦化膜317優(yōu)選透光。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于此。例如，平坦化膜317也可以具有濾光片或黑矩陣的功能。例如，在具有濾光片的功能的情況下，例如，按紅色的像素、藍色的像素、綠色的像素的每一個形成有色性的平坦化膜317。作為平坦化膜317可以使用有機樹脂諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂。注意，平坦化膜317的厚度為絕緣膜312的厚度以上且1500nm以下，優(yōu)選為絕緣膜312的厚度以上且1000nm以下。在平坦化膜317的厚度為絕緣膜312的厚度以上的情況下，可以在透光導電膜316b的凹部填充平坦化膜317，由此可以減少被形成取向膜318的區(qū)域的凹凸。注意，在平坦化膜317的厚度厚的情況下，當控制液晶層320的取向時，施加到用作像素電極的透光導電膜316b的電壓變大，而功耗增大。由此平坦化膜317的厚度優(yōu)選為1500nm以下。通過使用有機樹脂形成平坦化膜317，可以使用平坦化膜317填充至少用作像素電極的透光導電膜316b的凹部，由此可以減少包括在液晶層320中的液晶分子的取向無序。通過使用濕式法諸如旋涂法、浸涂法、狹縫涂布法、噴墨法、印刷法形成平坦化膜317，可以形成其表面平坦的平坦化膜317而不受到被形成平坦化膜317的區(qū)域的凹凸。在平坦化膜317通過旋涂法、浸涂法或狹縫涂布法形成的情況下，在涂敷組成物之后，通過第七圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成平坦化膜317。本變形例所示的液晶顯示裝置在用作像素電極的透光導電膜316b上包括平坦化膜317，所以在透光導電膜316b的凹部填充平坦化膜317，而且平坦化膜317的表面的凹凸很少。其結(jié)果是，可以減少設置在平坦化膜317上的取向膜318的表面的凹凸及液晶的取向無序。其結(jié)果是，可以減少液晶顯示裝置的顯示不良。<變形例4>這里，參照圖14對實施方式1中的液晶顯示裝置的變形例進行說明。在圖14中，與圖3同樣地，在A-B的范圍內(nèi)是驅(qū)動電路部的截面圖，而在C-D的范圍內(nèi)是像素部的截面圖。圖14的截面圖與圖3的截面圖的不同之處在于使取向膜318的厚度變厚以減少像素部的凹凸。注意，在本實施例中，像素部的透光導電膜316b上的取向膜318完全填充因絕緣膜312產(chǎn)生的透光導電膜316b的凹部360，但是本發(fā)明不局限于此。取向膜318以具有緩坡的端部的方式形成，而填充凹部360的一部分。<變形例5>對將液晶元件用于像素301的液晶顯示裝置的變形例進行說明。在圖3、圖9、圖10、圖13及圖14所示的液晶顯示裝置中，透光導電膜308c與絕緣膜314接觸，但是也可以與絕緣膜305接觸。此時，由于不需要設置圖6A至圖6C所示那樣的開口362，所以可以減少透光導電膜316a、透光導電膜316b表面的凹凸。由此，可以減少包含在液晶層320中的液晶材料的取向無序。可以制造對比度高的液晶顯示裝置。為了獲得這種結(jié)構(gòu)，在圖4B中在形成氧化物半導體膜307之前對絕緣膜306選擇性地進行蝕刻而使絕緣膜305的一部分露出。<變形例6>這里，參照圖15、圖16A至圖16C以及圖17A至圖17C對實施方式1所示的液晶顯示裝置的變形例進行說明。在圖15中，在A-B的范圍內(nèi)示出驅(qū)動電路部的截面圖，而在C-D的范圍內(nèi)示出像素部的截面圖。注意，這里使用實施方式1，但是可以將本變形例適當?shù)貞糜谄渌冃卫?。圖15所示的液晶顯示裝置與實施方式1所示的液晶顯示裝置的不同之處在于使用溝道保護型晶體管。在驅(qū)動電路部中，晶體管102包括用作柵電極的導電膜304a、集體地用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜308a以及用作源電極及漏電極的導電膜310a及導電膜310b。在氧化物半導體膜308a之后且導電膜310a、導電膜310b之前設置用作溝道保護膜的絕緣膜312。此外，在導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c上設置有用作保護膜的絕緣膜314。在像素部中，晶體管103包括用作柵電極的導電膜304c、集體地用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、形成在柵極絕緣膜上且形成有溝道區(qū)域的氧化物半導體膜308b以及用作源電極及漏電極的導電膜310d及導電膜310e。在氧化物半導體膜308b之后且導電膜310d、導電膜310e之前設置用作溝道保護膜的絕緣膜312。此外，在導電膜310d、導電膜310e上設置有用作保護膜的絕緣膜314。用作像素電極的透光導電膜316b通過設置在絕緣膜314中的開口與導電膜310e連接。另外，電容器105包括用作電容器105的一個電極的透光導電膜308c、用作介電膜的絕緣膜314以及用作電容器105的另一個電極的透光導電膜316b。在驅(qū)動電路部中，通過與透光導電膜316b同時形成的透光導電膜316a，連接導電膜304b與導電膜310c，該導電膜304b與導電膜304a、導電膜304c同時形成，而該導電膜310c與導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e同時形成。在本變形例中，當對導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e進行蝕刻時，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b由絕緣膜312覆蓋。因此，氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b不受到因用來形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e的蝕刻導致的損傷。絕緣膜312是包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜。由此，可以使包含在絕緣膜312中的氧的一部分移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中來減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的氧缺陷量。參照圖4A至圖4C、圖16A至圖16C以及圖17A至圖17C說明圖15所示的液晶裝置中的襯底302上的元件部的形成方法。與實施方式1同樣地，通過圖4A至圖4C的工序，在襯底302上形成用作柵電極的導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c、用作柵極絕緣膜的絕緣膜305及絕緣膜306、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b以及氧化物半導體膜308d。注意，在該工序中，通過進行第一圖案化及第二圖案化來分別形成導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c、氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b以及氧化物半導體膜308d。接著，與實施方式1同樣地形成層疊絕緣膜311a及絕緣膜311b的絕緣膜311（參照圖16A）。然后，與實施方式1同樣地進行加熱處理，以使包含在絕緣膜311中的氧的一部分移動到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中，從而可以減少包含在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的氧缺陷量。接著，通過絕緣膜311被加工成所希望的區(qū)域，在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b上形成絕緣膜312（參照圖16B）。在該工序中，在使用與絕緣膜312同樣的材料形成絕緣膜306的情況下，絕緣膜306的一部分被蝕刻，只殘留被氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b覆蓋的區(qū)域。注意，通過第三圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜306及絕緣膜312。然后，在絕緣膜305、絕緣膜306、氧化物半導體膜308a以及氧化物半導體膜308b上形成導電膜之后，通過與實施方式1同樣的工序形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e（參照圖16C）。通過第四圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e。接著，在絕緣膜305、絕緣膜312、氧化物半導體膜308d、導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e上形成絕緣膜313（參照圖17A）。接著，與變形例2同樣地，通過絕緣膜313被加工成所希望的區(qū)域，形成絕緣膜314、開口384a、開口384b。注意，通過第五圖案化在所希望的區(qū)域中形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成絕緣膜314、開口384a、開口384b（參照圖17B）。像這樣，通過設置開口384a，可以提高后續(xù)形成且位于導電膜304b、絕緣膜305、導電膜310c上的膜的覆蓋性。接著，與實施方式1同樣地，以覆蓋開口384a、開口384b的方式在絕緣膜314上形成透光導電膜。接著，通過透光導電膜被加工成所希望的區(qū)域，形成透光導電膜316a、透光導電膜316b。通過第六圖案化在所希望的區(qū)域上形成掩模，然后對不被該掩模覆蓋的區(qū)域進行蝕刻，從而可以形成透光導電膜316a、透光導電膜316b（參照圖17C）?？梢酝ㄟ^上述工序在襯底302上形成包括晶體管的像素部及驅(qū)動電路部。在本實施方式所示的制造工序中通過第一圖案化至第六圖案化，即使用六個掩模，來同時形成晶體管及電容器。<變形例7>在本實施方式及變形例中，作為電容器105的一對電極使用透光導電膜308c及透光導電膜316b。如圖40及圖41所示，也可以在絕緣膜312與絕緣膜314之間形成透光導電膜325，在絕緣膜314上形成透光導電膜316d，作為形成電容器105的一對電極可以使用透光導電膜325及透光導電膜316d代替透光導電膜308c及透光導電膜316b。再者，也可以在絕緣膜312上形成包含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等的有機絕緣膜。由于丙烯酸樹脂等的有機絕緣膜的平坦性高，所以可以減少透光導電膜316a表面的不均勻。由此，可以減少包含在液晶層320中的液晶材料的取向無序。另外，可以制造對比度高的半導體裝置。如圖42A所示，也可以采用如下結(jié)構(gòu)：使導電膜304b與導電膜310c彼此接觸；在絕緣膜314上形成平坦化膜317；在平坦化膜317、絕緣膜314、絕緣膜312中形成開口；形成通過該開口與導電膜310c接觸的透光導電膜326；以及在平坦化膜317及透光導電膜326上形成絕緣膜324。再者，如圖42B所示，在絕緣膜314上形成平坦化膜317，在平坦化膜317上形成透光導電膜325，在平坦化膜317及透光導電膜325上形成絕緣膜324，在絕緣膜324上形成透光導電膜316d，并且可以將透光導電膜325及透光導電膜316d用作電容器105的一對電極。注意，絕緣膜324可以使用與絕緣膜314同樣的材料。實施方式2在本實施方式中將對能夠應用于實施方式1所示的晶體管的變形例進行說明。<變形例1：關于基底絕緣膜>在實施方式1所示的晶體管102、晶體管103中，可以根據(jù)需要在襯底302與導電膜304a、導電膜304b、導電膜304c之間設置基底絕緣膜。作為基底絕緣膜的材料的例子可以舉出氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鎵、氧化鉿、氧化釔、氧化鋁、氧氮化鋁等。注意，當作為基底絕緣膜的材料使用氮化硅、氧化鎵、氧化鉿、氧化釔、氧化鋁等時，可以抑制雜質(zhì)諸如堿金屬、水、氫等從襯底302擴散到氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中?；捉^緣膜可以利用濺射法、CVD法等來形成。<變形例2：關于柵極絕緣膜>在實施方式1中的晶體管102、晶體管103中，可以根據(jù)需要改變用作柵極絕緣膜的絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)。這里，使用晶體管103進行說明。如圖18A所示，在柵極絕緣膜中，在用作柵電極的導電膜304c上依次層疊絕緣膜305及絕緣膜306。當在導電膜304c上設置使用氮化物絕緣膜形成的絕緣膜305時，可以防止來自導電膜304c的雜質(zhì)，典型地是氫、氮、堿金屬或堿土金屬等移動到氧化物半導體膜308b中。此外，當在氧化物半導體膜308b一側(cè)設置使用氧化物絕緣膜形成的絕緣膜306時，可以降低絕緣膜306與氧化物半導體膜308b之間的界面的缺陷態(tài)密度。其結(jié)果是，可以得到電特性的劣化少的晶體管。注意，與絕緣膜312b同樣地，優(yōu)選形成包含比化學計量組成更高比例的氧的氧化物絕緣膜作為絕緣膜306。這是因為可以進一步降低在絕緣膜306與氧化物半導體膜308b之間的界面的缺陷態(tài)密度。如圖18A所示，絕緣膜305可以具有疊層結(jié)構(gòu)，其中從導電膜304c一側(cè)依次層疊缺陷少的氮化物絕緣膜305a、氫阻擋性高的氮化物絕緣膜305b。當在絕緣膜305中設置缺陷少的氮化物絕緣膜305a時，可以提高柵極絕緣膜的耐壓。此外，當設置氫阻擋性高的氮化物絕緣膜305b時，可以防止來自導電膜304c及氮化物絕緣膜305a的氫移動到氧化物半導體膜308b中。以下示出圖18A所示的氮化物絕緣膜305a、氮化物絕緣膜305b的制造方法的一個例子。首先，通過將硅烷、氮和氨的混合氣體用作源氣體的等離子體CVD法形成缺陷少的氮化硅膜作為氮化物絕緣膜305a。接著，將源氣體切換為硅烷及氮的混合氣體而形成氫濃度低且能夠阻擋氫的氮化硅膜作為氮化物絕緣膜305b。通過采用上述形成方法，可以形成層疊有缺陷少且具有氫阻擋性的氮化物絕緣膜的柵極絕緣膜?；蛘?，如圖18B所示，絕緣膜305可以具有疊層結(jié)構(gòu)，其中從導電膜304c一側(cè)依次層疊雜質(zhì)阻擋性高的氮化物絕緣膜305c、缺陷少的氮化物絕緣膜305a、氫阻擋性高的氮化物絕緣膜305b。當在絕緣膜305中設置雜質(zhì)阻擋性高的氮化物絕緣膜305c時，可以防止來自導電膜304c的雜質(zhì)，典型地是氫、氮、堿金屬或堿土金屬等移動到氧化物半導體膜308b中。以下示出圖18B所示的氮化物絕緣膜305a、氮化物絕緣膜305b、氮化物絕緣膜305c的形成方法的一個例子。首先，通過將硅烷、氮和氨的混合氣體用作源氣體的等離子體CVD法形成雜質(zhì)阻擋性高的氮化硅膜作為氮化物絕緣膜305c。接著，通過增加氨流量，形成缺陷少的氮化硅膜作為氮化物絕緣膜305a。接著，將源氣體切換為硅烷及氮的混合氣體而形成氫濃度低且能夠阻擋氫的氮化硅膜作為氮化物絕緣膜305b。通過采用上述形成方法，可以形成具有缺陷少且具有雜質(zhì)阻擋性的氮化物絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)的絕緣膜305。<變形例3：關于一對電極>對在實施方式1中的液晶顯示裝置中能夠用于導電膜310a、導電膜310b、導電膜310c、導電膜310d、導電膜310e的材料進行說明。這里，使用晶體管103進行說明。作為設置在實施方式1所示的晶體管103中的導電膜310d、導電膜310e，優(yōu)選使用鎢、鈦、鋁、銅、鉬、鉻或鉭或者其合金等容易與氧起反應的導電材料。由此，氧化物半導體膜308b所含的氧與導電膜310d、導電膜310e所含的導電材料起反應，因此氧缺陷區(qū)域形成在氧化物半導體膜308b中。此外，有時，形成導電膜310d、導電膜310e的導電材料的構(gòu)成元素的一部分混入氧化物半導體膜308b。其結(jié)果是，如圖19所示，低電阻區(qū)域334a、低電阻區(qū)域334b形成在氧化物半導體膜308b中的與導電膜310d、導電膜310e接觸的區(qū)域附近。低電阻區(qū)域334a、低電阻區(qū)域334b形成在絕緣膜306與導電膜310d、導電膜310e之間以與導電膜310d、導電膜310e接觸。低電阻區(qū)域334a、低電阻區(qū)域334b由于導電性高，所以可以降低氧化物半導體膜308b與導電膜310d、導電膜310e之間的接觸電阻，因此可以增大晶體管的通態(tài)電流（on-statecurrent）。另外，導電膜310d、導電膜310e也可以具有上述容易與氧起反應的導電材料和氮化鈦、氮化鉭、釕等不容易與氧起反應的導電材料的疊層結(jié)構(gòu)。通過采用上述疊層結(jié)構(gòu)，能夠防止導電膜310d、導電膜310e與氧化物半導體膜308b之間的界面處的導電膜310d、導電膜310e的氧化，由此能夠抑制導電膜310d、導電膜310e的電阻率上升。<變形例4：關于氧化物半導體膜>在實施方式1所示的晶體管102、晶體管103的制造方法中，在形成導電膜310a、導電膜310b、導電膜310d、導電膜310e之后，將氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b暴露于產(chǎn)生在氧氣氛中的等離子體，來對氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b供應氧。作為氧化性氣氛的例子可舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等的氣氛。而且，在該等離子體處理中，優(yōu)選將氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b暴露于在對襯底302一側(cè)不施加偏壓的狀態(tài)下產(chǎn)生的等離子體中。其結(jié)果是，能夠不使氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b受損傷，且能供應氧，由此可減少氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b中的氧缺陷量。此外，可以去除因蝕刻處理而殘留在氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b的表面上的雜質(zhì)諸如氟或氯等鹵素等。<變形例5：關于氧化物半導體膜>在實施方式1所示的晶體管102、晶體管103中根據(jù)需要氧化物半導體膜可以具有疊層結(jié)構(gòu)。這里，使用晶體管103進行說明。在圖20所示的晶體管中，在絕緣膜306與導電膜310d、導電膜310e之間形成有包括氧化物半導體膜的多層膜336。多層膜336包括氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b。即，多層膜336具有兩層結(jié)構(gòu)。另外，氧化物半導體膜336a的一部分用作溝道區(qū)域。另外，以與多層膜336接觸的方式形成絕緣膜312a，以與絕緣膜312a接觸的方式形成氧化物膜336b。即，在氧化物半導體膜336a與絕緣膜312a之間設置有氧化物膜336b。氧化物膜336b是包含形成氧化物半導體膜336a的元素中的一種以上的氧化物膜。由于氧化物膜336b包含形成氧化物半導體膜336a的元素中的一種以上，所以在氧化物半導體膜336a與氧化物膜336b之間的界面不容易產(chǎn)生界面散射。由此，由于在該界面處載流子的移動不被阻礙，因此晶體管的場效應遷移率得到提高。氧化物膜336b典型的是In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物（M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）。與氧化物半導體膜336a相比，氧化物膜336b的導帶底端的能量較接近于真空能級，典型的是，氧化物膜336b的導帶底端的能量和氧化物半導體膜336a的導帶底端的能量之間的差異優(yōu)選為0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上或0.15eV以上，且2eV以下、1eV以下、0.5eV以下或0.4eV以下。換而言之，氧化物膜336b的電子親和勢與氧化物半導體膜336a的電子親和勢之差為0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上或者0.15eV以上，且2eV以下、1eV以下、0.5eV以下或者0.4eV以下。氧化物膜336b優(yōu)選包含In因為可以提高載流子遷移率（電子遷移率）。當使氧化物膜336b具有其原子數(shù)比高于In的原子數(shù)比的Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf，有時具有如下效果：（1）使氧化物膜336b的能隙增大；（2）使氧化物膜336b的電子親和勢減?。唬?）遮蔽來自外部的雜質(zhì)；（4）與氧化物半導體膜336a相比絕緣性提高；（5）由于Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf是與氧的鍵合力強的金屬元素，所以通過具有其原子數(shù)比高于In的原子數(shù)比的Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf，在氧化物膜336b中不容易產(chǎn)生氧缺陷。在氧化物膜336b為In-M-Zn氧化物膜的情況下，當In和M之和為100atomic%時，In與M的比率優(yōu)選如下：In的原子數(shù)比率低于50atomic%且M的原子數(shù)比率為50atomic%以上，更優(yōu)選如下：In的原子數(shù)比率低于25atomic%且M的原子數(shù)比率為75atomic%以上。另外，在氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b為In-M-Zn氧化物（M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的情況下，氧化物膜336b中的M原子（M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的比率高于氧化物半導體膜336a中的M的比率。典型的是，各膜中的M的比率為氧化物半導體膜336a中的M的比率的1.5倍以上，優(yōu)選為2倍以上，更優(yōu)選為3倍以上。另外，在氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b為In-M-Zn氧化物膜（M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的情況下，當在氧化物膜336b中滿足In:M:Zn=x1：y1：z1[原子數(shù)比]，且在氧化物半導體膜336a中滿足In：M：Zn=x2：y2：z2[原子數(shù)比]時，y1/x1高于y2/x2。優(yōu)選y1/x1為y2/x2的1.5倍以上。更優(yōu)選的是，y1/x1為y2/x2的2倍以上。進一步優(yōu)選的是y1/x1為y2/x2的3倍以上。此時，優(yōu)選的是在氧化物半導體膜中y1為x1以上因為包括該氧化物半導體膜的晶體管可以具有穩(wěn)定的電特性。但是，當y1為x1的3倍以上時，包括該氧化物半導體膜的晶體管的場效應遷移率降低。因此，y1優(yōu)選小于x1的3倍。例如，作為氧化物半導體膜336a可以使用原子數(shù)比為In：Ga：Zn=1：1：1或3：1：2的In-Ga-Zn氧化物。作為氧化物膜336b可以使用原子數(shù)比為In：Ga：Zn=1：3：n（n是2以上且8以下的整數(shù)）、1：6：m（m是2以上且10以下的整數(shù)）或1：9：6的In-Ga-Zn氧化物。注意，氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b的原子數(shù)比在上述原子數(shù)比的±20%的范圍內(nèi)變動。在氧化物半導體膜336a中，Zn的比率優(yōu)選為Ga以上，因為容易形成CAAC-OS。當在后面形成絕緣膜312b時，氧化物膜336b也用作緩和對氧化物半導體膜336a所造成的損傷的膜。氧化物膜336b的厚度為3nm以上且100nm以下，優(yōu)選為3nm以上且50nm以下。氧化物膜336b與氧化物半導體膜336a同樣地例如可以具有非單晶結(jié)構(gòu)。非單晶結(jié)構(gòu)例如包括下述c軸取向結(jié)晶氧化物半導體（CAxisAlignedCrystallineOxideSemiconductor：CAAC-OS）、多晶結(jié)構(gòu)、下述微晶結(jié)構(gòu)或非晶結(jié)構(gòu)。注意，氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b都是包括如下區(qū)域中的兩種以上的混合膜：具有非晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有微晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有多晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、CAAC-OS區(qū)域和具有單晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域。另外，混合膜有時例如包括具有非晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有微晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、具有多晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、CAAC-OS區(qū)域和具有單晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域中的兩種以上的疊層結(jié)構(gòu)。在此，在氧化物半導體膜336a與絕緣膜312a之間設置有氧化物膜336b。由此，若在氧化物膜336b與絕緣膜312a之間因雜質(zhì)及缺陷形成陷阱態(tài)，則在該陷阱態(tài)與氧化物半導體膜336a之間有間隔，所以在氧化物半導體膜336a中流過的電子不容易被陷阱態(tài)俘獲。因此，不僅能夠增大晶體管的通態(tài)電流，而且能夠提高場效應遷移率。當電子被陷阱態(tài)俘獲時，該電子成為固定負電荷。其結(jié)果是，導致晶體管的閾值電壓發(fā)生變動。然而，通過氧化物半導體膜336a與陷阱態(tài)之間有間隔，能夠抑制電子被陷阱態(tài)俘獲，從而能夠減少閾值電壓的變動。此外，由于氧化物膜336b能夠遮蔽來自外部的雜質(zhì)，所以可以減少從外部移動到氧化物半導體膜336a中的雜質(zhì)量。此外，在氧化物膜336b中不容易形成氧缺陷。由此，能夠減少氧化物半導體膜336a中的雜質(zhì)濃度及氧缺陷量。注意，氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b不以簡單地層疊各膜的方式來形成，而是以形成連續(xù)接合（在此，特指在各膜之間導帶底端的能量連續(xù)地變化的結(jié)構(gòu)）的方式來形成。換而言之，采用在各界面不存在雜質(zhì)的疊層結(jié)構(gòu)，該雜質(zhì)會形成俘獲中心或再結(jié)合中心等缺陷能級。如果雜質(zhì)存在于層疊有的氧化物半導體膜336a與氧化物膜336b之間，則能帶失去連續(xù)性，因此，載流子因在界面被俘獲或者再結(jié)合而消失。為了形成連續(xù)能帶，需要使用包括裝載閉鎖室的多室成膜裝置（濺射裝置）以使各膜不暴露于大氣中的方式連續(xù)地形成。在濺射裝置的各處理室中，優(yōu)選使用低溫泵等吸附式真空泵進行高真空抽氣（抽空到5×10-7Pa至1×10-4Pa左右）以盡可能地去除對氧化物半導體膜來說是雜質(zhì)的水等?；蛘?，優(yōu)選組合渦輪分子泵和冷阱來防止氣體、尤其是包含碳或氫的氣體從抽氣系統(tǒng)倒流到處理室內(nèi)。在圖20中，多層膜336具有氧化物半導體膜336a及氧化物膜336b的兩層結(jié)構(gòu)，但是多層膜336也可以具有在絕緣膜306與氧化物半導體膜336a之間還設置與氧化物膜336b同樣的膜的三層結(jié)構(gòu)。此時，設置在絕緣膜306與氧化物半導體膜336a之間的氧化物膜的厚度優(yōu)選比氧化物半導體膜336a薄。當氧化物膜的厚度為1nm以上且5nm以下，優(yōu)選為1nm以上且3nm以下時，可以減少晶體管的閾值電壓的變動量。<變形例6：關于氧化物半導體膜>在變形例5中可以適當?shù)馗淖儼ㄑ趸锇雽w膜的多層膜的結(jié)構(gòu)。這里，使用晶體管103進行說明。如圖21所示，在絕緣膜306與絕緣膜312a之間形成有包括氧化物半導體膜的多層膜336。多層膜336包括形成在絕緣膜306與導電膜310d、導電膜310e之間的氧化物半導體膜336a、形成在氧化物半導體膜336a、導電膜310d、導電膜310e上的氧化物膜336b。另外，氧化物半導體膜336a的一部分用作溝道區(qū)域。另外，以與多層膜336接觸的方式形成絕緣膜312a，以與絕緣膜312a接觸的方式形成有氧化物膜336b。即，在氧化物半導體膜336a與絕緣膜312a之間設置有氧化物膜336b。本變形例中的晶體管103是晶體管，其中氧化物半導體膜336a與導電膜310d、導電膜310e之間的接觸電阻比變形例5中的晶體管低，且通態(tài)電流與變形例5中的晶體管相比得到提高因為導電膜310d、導電膜310e與氧化物半導體膜336a接觸。此外，由于在本變形例中的晶體管103中導電膜310d、導電膜310e與氧化物半導體膜336a接觸，所以可以使氧化物膜336b變厚而不使氧化物半導體膜336a與導電膜310d、導電膜310e之間的接觸電阻增高。因此，可以抑制形成因絕緣膜312b時的等離子體損傷或絕緣膜312a、絕緣膜312b的構(gòu)成元素的混入等產(chǎn)生的陷阱態(tài)形成在氧化物半導體膜336a與氧化物膜336b之間的界面附近。換而言之，本變形例中的晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)通態(tài)電流的提高及閾值電壓變動的降低。<變形例7：關于晶體管的結(jié)構(gòu)>在實施方式1中的晶體管102、晶體管103中可以根據(jù)需要設置隔著氧化物半導體膜彼此對置的多個柵電極。這里，使用晶體管103進行說明。圖22中的晶體管103包括設置在襯底302上的導電膜304c、形成在襯底302及導電膜304c上的絕緣膜305及絕緣膜306、隔著絕緣膜305及絕緣膜306與導電膜304c重疊的氧化物半導體膜308b、與氧化物半導體膜308b接觸的導電膜310d、導電膜310e。此外，在絕緣膜306、氧化物半導體膜308b、導電膜310d、導電膜310e上形成有層疊有絕緣膜312a及絕緣膜312b的絕緣膜312以及絕緣膜314。另外，設置有隔著絕緣膜312及絕緣膜314與氧化物半導體膜308b重疊的透光導電膜316c。導電膜304c與透光導電膜316c隔著氧化物半導體膜308b對置。將導電膜304c及透光導電膜316c都用作柵電極。透光導電膜316c優(yōu)選與透光導電膜316b同時形成因為可以減少工序數(shù)。本變形例中的晶體管103包括隔著氧化物半導體膜308b對置的導電膜304c及透光導電膜316c。通過對導電膜304c及透光導電膜316c施加不同電位，可以控制晶體管103的閾值電壓。注意，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)、方法等可以與其他實施方式及實施例所示的結(jié)構(gòu)、方法等適當?shù)亟M合而實施。實施方式3在本實施方式中，將對在包括于上述實施方式所說明的半導體裝置中的晶體管中能夠用于氧化物半導體膜308a、氧化物半導體膜308b、透光導電膜308c及多層膜336的一個方式進行說明。注意，這里，以氧化物半導體膜為一個例子進行說明，但多層膜中的氧化物膜也可以采用同樣的結(jié)構(gòu)。下面，對氧化物半導體膜的結(jié)構(gòu)進行說明。氧化物半導體膜大致分為單晶氧化物半導體膜和非單晶氧化物半導體膜。非單晶氧化物半導體膜包括非晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜、多晶氧化物半導體膜及CAAC-OS膜等。非晶氧化物半導體膜具有無序的原子排列并不具有結(jié)晶成分。其典型例子是即使在微小區(qū)域中也不具有結(jié)晶部而膜整體具有非晶結(jié)構(gòu)的氧化物半導體膜。微晶氧化物半導體膜例如包括1nm以上且小于10nm的尺寸的微晶（也稱為納米晶）。因此，微晶氧化物半導體膜的原子排列的有序度比非晶氧化物半導體膜高。因此，微晶氧化物半導體膜的缺陷態(tài)密度低于非晶氧化物半導體膜。CAAC-OS膜是包含多個結(jié)晶部的氧化物半導體膜之一，大部分的結(jié)晶部能夠容納于一邊短于100nm的立方體內(nèi)。因此，有時包括在CAAC-OS膜中的結(jié)晶部能夠容納于一邊短于10nm、短于5nm或短于3nm的立方體內(nèi)。CAAC-OS膜的缺陷態(tài)密度低于微晶氧化物半導體膜。下面，對CAAC-OS膜進行詳細的說明。在CAAC-OS膜的透射電子顯微鏡（TEM）圖像中，無法清楚地觀察到結(jié)晶部與結(jié)晶部之間的邊界即晶界（grainboundary）。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發(fā)生起因于晶界的電子遷移率的降低。根據(jù)從大致平行于樣品面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM圖像（截面TEM圖像）可知在結(jié)晶部中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映其上形成CAAC-OS膜的面（以下，其上形成CAAC-OS膜的面也稱為形成面）或CAAC-OS膜的頂面的形態(tài)并以平行于CAAC-OS膜的形成面或頂面的方式排列。另一方面，根據(jù)從大致垂直于樣品面的方向觀察的CAAC-OS膜的TEM圖像（平面TEM圖像）可知在結(jié)晶部中金屬原子排列為三角或六角配置。但是，在不同的結(jié)晶部之間金屬原子的排列沒有規(guī)律性。由截面TEM圖像及平面TEM圖像可知，在CAAC-OS膜的結(jié)晶部中發(fā)現(xiàn)了取向性。使用X射線衍射（XRD）裝置對CAAC-OS膜進行結(jié)構(gòu)分析。例如，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO4的結(jié)晶的CAAC-OS膜時，在衍射角（2θ）為31°附近時常出現(xiàn)峰值。由于該峰值來源于InGaZnO4結(jié)晶的（009）面，由此可以確認CAAC-OS膜中的結(jié)晶具有c軸取向性，并且c軸朝向大致垂直于CAAC-OS膜的形成面或頂面的方向。另一方面，當利用從大致垂直于c軸的方向使X射線入射到樣品的in-plane法分析CAAC-OS膜時，在2θ為56°附近時常出現(xiàn)峰值。該峰值來源于InGaZnO4結(jié)晶的（110）面。在此，將2q固定為56°附近并在以樣品面的法線向量為軸（f軸）旋轉(zhuǎn)樣品的條件下進行分析（f掃描）。在該樣品是InGaZnO4的單晶氧化物半導體膜的情況下，出現(xiàn)六個峰值。該六個峰值來源于相等于（110）面的結(jié)晶面。另一方面，在該樣品是CAAC-OS膜的情況下，即使在將2θ固定為56°附近的狀態(tài)下進行φ掃描也不能清楚地觀察到峰值。由上述結(jié)果可知，在具有c軸取向的CAAC-OS膜中，雖然a軸及b軸的方向在結(jié)晶部之間是不同的，但是c軸都是在平行于形成面或頂面的法線向量的方向上一致。因此，在上述截面TEM圖像中觀察到的排列為層狀的各金屬原子層相當于與結(jié)晶的a-b面平行的面。注意，結(jié)晶部在沉積CAAC-OS膜或進行加熱處理等晶化處理時形成。如上所述，結(jié)晶的c軸在平行于形成面或頂面的法線向量的方向上一致。由此，例如，在CAAC-OS膜的形狀因蝕刻等而發(fā)生改變的情況下，c軸不一定平行于CAAC-OS膜的形成面或頂面的法線向量。此外，CAAC-OS膜中的晶化度不一定均勻。例如，在從膜的頂面附近產(chǎn)生引起CAAC-OS膜的結(jié)晶成長的情況下，有時頂面附近的晶化度高于形成面附近的晶化度。另外，當對CAAC-OS膜添加雜質(zhì)時，被添加了雜質(zhì)的區(qū)域的晶化度改變，并且有時CAAC-OS膜中的晶化度根據(jù)區(qū)域而不同。注意，當利用out-of-plane法分析包括InGaZnO4結(jié)晶的CAAC-OS膜時，除了在2θ為31°附近的峰值之外，有時還在36°附近觀察到2θ的峰值。2θ為36°附近的峰值意味著CAAC-OS膜的一部分中含有不具有c軸取向的結(jié)晶。優(yōu)選的是，在CAAC-OS膜中在31°附近時出現(xiàn)2θ的峰值而在36°附近時不出現(xiàn)2θ的峰值。通過在晶體管中使用CAAC-OS膜，起因于可見光或紫外光的照射的晶體管的電特性的變動小。因此，該晶體管具有高可靠性。另外，例如，有時在CAAC-OS的電子衍射圖案中，觀察到斑點（亮點）。將使用束徑為10nmφ以下或5nmφ以下的電子線而得到的電子衍射圖案稱為納米束電子衍射圖案。圖23A是包括CAAC-OS膜的樣品的納米束電子衍射圖案的一個例子。在此，將樣品沿著垂直于CAAC-OS膜的形成面的方向截斷，使其厚度減薄以使其厚度為40nm左右。此外，使其直徑為1nmφ的電子線從垂直于樣品的截斷面的方向入射。在圖23A中，在CAAC-OS膜的納米束電子衍射圖案中可以觀察到斑點。注意，氧化物半導體膜例如也可以是包括非晶氧化物半導體膜、微晶氧化物半導體膜和CAAC-OS膜中的兩種以上的疊層膜。<形成CAAC-OS的方法>因為包括在CAAC-OS中的結(jié)晶部的c軸在平行于形成CAAC-OS的表面的法線向量或CAAC-OS的表面的法線向量的方向上一致，所以根據(jù)CAAC-OS的形狀（形成CAAC-OS的表面的截面形狀或CAAC-OS的表面的截面形狀）c軸的方向可以彼此不同。注意，當形成CAAC-OS時，結(jié)晶部的c軸方向是平行于形成CAAC-OS的表面的法線向量或CAAC-OS的表面的法線向量的方向。結(jié)晶部通過成膜或成膜后的加熱處理等晶化處理來形成。作為形成CAAC-OS的方法可以舉出如下三個方法。第一個方法是：通過在100℃以上且450℃以下的溫度下形成氧化物半導體膜，在氧化物半導體膜中形成c軸在平行于形成氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結(jié)晶部。第二個方法是：通過在以薄厚度形成氧化物半導體膜之后進行在200℃以上且700℃以下的溫度下對其進行加熱，在氧化物半導體膜中形成c軸在平行于形成氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結(jié)晶部。第三個方法是：通過在以薄厚度形成第一氧化物半導體膜之后在200℃以上且700℃以下的溫度下對其進行加熱，并形成第二氧化物半導體膜，來在第二氧化物半導體膜中形成c軸在平行于形成第二氧化物半導體膜的表面的法線向量或第二氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致的結(jié)晶部。這里，對用來形成CAAC-OS的第一個方法進行說明。<靶材及靶材的形成方法>通過利用使用多晶氧化物半導體濺射靶材的濺射法來形成CAAC-OS。當離子碰撞到該濺射靶材時，包含在濺射靶材中的結(jié)晶區(qū)域沿著a-b面從靶材分離，換而言之，具有平行于a-b面的面的濺射粒子（平板狀濺射粒子或顆粒狀濺射粒子）從濺射靶材會剝離。此時，通過使該平板狀濺射粒子或顆粒狀濺射粒子在保持為結(jié)晶狀態(tài)的情況下到達形成CAAC-OS的表面，可以沉積CAAC-OS。為了沉積CAAC-OS，優(yōu)選應用如下條件。通過減少在沉積期間混入CAAC-OS膜的雜質(zhì)量，可以抑制雜質(zhì)所導致的結(jié)晶態(tài)的損壞。例如，可以降低存在于成膜室內(nèi)的雜質(zhì)（例如氫、水、二氧化碳及氮）的濃度。另外，可以降低沉積氣體中的雜質(zhì)濃度。具體而言，使用露點為-80℃以下，優(yōu)選為-100℃以下，更優(yōu)選為-120℃以下的沉積氣體。通過提高沉積期間的形成CAAC-OS的表面的加熱溫度（例如，襯底加熱溫度），在濺射粒子到達形成CAAC-OS的表面之后，容易發(fā)生濺射粒子的遷移。具體而言，沉積期間的形成CAAC-OS的表面的溫度為100℃以上且740℃以下，優(yōu)選為200℃以上且500℃以下。通過提高沉積期間的形成CAAC-OS的表面的溫度，當平板狀或顆粒狀濺射粒子到達形成CAAC-OS的表面時，在形成CAAC-OS的表面上發(fā)生遷移，濺射粒子的平坦的面附著到形成CAAC-OS的表面。雖然也取決于氧化物的種類，但是濺射粒子的平行于a-b面的面的直徑（圓當量直徑）為1nm以上且30nm以下或者1nm以上且10nm以下左右。注意，平板狀或顆粒狀濺射粒子可以具有其六角形面平行于a-b面的六角柱形狀。在此情況下，垂直于六角形面的方向為c軸方向。當在濺射中使氧的陽離子碰撞到濺射靶材時，可以減輕沉積時的等離子體損傷。因此，當離子碰撞到濺射靶材的表面時，可以抑制濺射靶材的結(jié)晶性下降或濺射靶材變?yōu)榉蔷B(tài)。當在濺射中使氧或氬的陽離子碰撞到濺射靶材時，在對具有六角柱形狀的平板狀或顆粒狀濺射粒子進行濺射的情況下，可以在六角形狀的面的角部帶正電荷。當六角形面的角部具有正電荷時，在一個濺射粒子中正電荷互相排斥。因此，可以維持濺射粒子的平板形狀或顆粒形狀。為了使平板狀或顆粒狀濺射粒子的面的角部具有正電荷，優(yōu)選使用直流（DC）電源。注意，也可以使用高頻（RF）電源或交流（AC）電源。注意，RF電源難以應用于能夠進行大面積襯底的沉積的濺射裝置。此外，從以下所示的觀點來看，DC電源優(yōu)于AC電源。在AC電源中，相鄰的靶材交替地具有陰極電位和陽極電位。在平板狀或顆粒狀濺射粒子帶正電的情況下，濺射粒子中的正電荷互相排斥而可以維持濺射粒子的平板狀或顆粒狀。但是，在使用AC電源的情況下，由于產(chǎn)生瞬時不施加電場的時間，所以平板狀或顆粒狀濺射粒子的電荷被失去而導致濺射粒子的結(jié)構(gòu)的破壞。因此，DC電源優(yōu)于AC電源。另外，優(yōu)選的是，增高沉積氣體中的氧比例并對電力進行最優(yōu)化，以便減輕沉積時的等離子體損傷。沉積氣體中的氧比例為30vol.%以上，優(yōu)選為100vol.%。以下，作為濺射靶材的一個例子，示出In-Ga-Zn-O化合物靶材。將InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末以規(guī)定的摩爾數(shù)比進行混合，在施加壓力之后，在1000℃以上且1500℃以下的溫度下進行加熱處理，由此得到多晶In-Ga-Zn類化合物靶材。上述加壓處理可以在冷卻的同時、或在加熱的同時進行。注意，X、Y及Z都為任意正數(shù)。在此，InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末的規(guī)定的摩爾數(shù)比例如為2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3、3:1:2、1:3:2、1:6:4或1:9:6。粉末的種類以及混合粉末的摩爾數(shù)比可根據(jù)所希望的濺射靶材而適當?shù)剡M行決定。通過利用上述方法使用濺射靶材，可以形成厚度均勻且晶體取向一致的氧化物半導體膜。<多晶氧化物半導體>多晶氧化物半導體包括多個晶粒。多晶氧化物半導體例如有時包括非晶部。例如在使用TEM得到的圖像中，有時可以在多晶氧化物半導體中觀察到晶粒。例如在使用TEM得到的圖像中，在大多數(shù)情況下，多晶氧化物半導體中的晶粒的尺寸為2nm以上且300nm以下、3nm以上且100nm以下或5nm以上且50nm以下。此外，在TEM圖像中，有時可以在多晶氧化物半導體中確認到晶粒與晶粒之間的邊界或非晶部與晶粒之間的邊界。此外，在TEM圖像中，有時可以在多晶氧化物半導體中確認到晶界。多晶氧化物半導體具有多個晶粒，在該多個晶粒中結(jié)晶的取向不同。當多晶氧化物半導體通過使用XRD裝置的out-of-plane法進行分析時，有時出現(xiàn)單一或多個峰值。例如，在多晶IGZO膜的情況下，有時出現(xiàn)表示取向的2θ為31°附近的峰值或表示多種取向的多個峰值。此外，在多晶氧化物半導體的納米束電子衍射圖案中，有時觀察到斑點。因為多晶氧化物半導體具有較高的結(jié)晶性，所以有時具有較高的電子遷移率。因此，在溝道區(qū)域中包括多晶氧化物半導體的晶體管具有較高的場效應遷移率。注意，有時雜質(zhì)偏析在多晶氧化物半導體中的結(jié)晶之間的晶界。此外，多晶氧化物半導體的晶界成為缺陷態(tài)。由于多晶氧化物半導體的晶界有時成為載流子陷阱或載流子發(fā)生源，因此有時與將CAAC-OS用于溝道區(qū)域的晶體管相比，將多晶氧化物半導體用于溝道區(qū)域的晶體管的電特性變動更大，且可靠性更低。多晶氧化物半導體可以使用高溫加熱處理或激光處理來形成。<微晶氧化物半導體>例如，在使用TEM得到的圖像中，在微晶氧化物半導體中有時無法明確地確認到結(jié)晶部。在大多數(shù)情況下，例如，微晶氧化物半導體層中含有的結(jié)晶部的尺寸為1nm以上且100nm以下，或1nm以上且10nm以下。例如將尺寸為1nm以上且10nm以下的微晶尤其稱為納米晶（nc）。將具有納米晶的氧化物半導體稱為納米晶氧化物半導體（nc-OS）。例如在使用TEM得到的nc-OS的圖像中，有時無法明確地確認到結(jié)晶部與結(jié)晶部之間的邊界。例如在使用TEM得到的nc-OS的圖像中，由于不具有明確的晶界，所以很少產(chǎn)生雜質(zhì)的偏析。例如在nc-OS中由于不具有明確的晶界，所以缺陷態(tài)密度很少變高。例如在nc-OS中由于不具有明確的晶界，所以不容易發(fā)生電子遷移率的降低。在nc-OS中，例如微小區(qū)域（例如尺寸為1nm以上且10nm以下的區(qū)域）有時具有周期性原子排列。此外，在nc-OS中，例如結(jié)晶部的配置沒有規(guī)律性。因此，有時在宏觀上觀察不到周期性原子排列，或者有時觀察不到原子排列中的長程有序。因此，有時，例如根據(jù)分析方法，無法辨別nc-OS與非晶氧化物半導體。當通過利用使用束徑比結(jié)晶部大的X射線的XRD裝置的Out-of-plane法來分析nc-OS時，有時不出現(xiàn)表示取向的峰值。此外，例如有時在使用其直徑比結(jié)晶部大（例如束徑為20nmφ以上或50nmφ以上）的電子線而得到的nc-OS的電子衍射圖案中，有時觀察到光暈圖案。例如在使用其直徑比結(jié)晶部小或與結(jié)晶部相同（例如束徑為10nmφ以下或5nmφ以下）的電子線而得到的nc-OS的納米束電子衍射圖案中，有時可以觀察到斑點。例如在nc-OS的納米束電子衍射圖案中，有時觀察到圓圈的亮度高的區(qū)域。例如在nc-OS的納米束電子衍射圖案中，有時在該區(qū)域中觀察到多個斑點。圖23B是包括nc-OS的樣品的納米束電子衍射圖案的一個例子。在此，將樣品沿著垂直于形成nc-OS的表面的方向截斷，使其厚度減薄以使其厚度為40nm左右。此外，在此使其直徑為1nmφ的電子線從垂直于樣品的截斷面的方向入射。圖23B示出在nc-OS的納米束電子衍射圖案中觀察到圓圈的亮度高的區(qū)域，并且在該區(qū)域中觀察到多個斑點。由于有時nc-OS中的微小區(qū)域具有周期性原子排列，因此nc-OS的缺陷態(tài)密度比非晶氧化物半導體低。注意，由于nc-OS中的結(jié)晶部的配置沒有規(guī)律性，因此與CAAC-OS相比，nc-OS的缺陷態(tài)密度變高。注意，在nc-OS中，優(yōu)選利用恒定光電流法（CPM）計算出的吸收系數(shù)低于1/cm，優(yōu)選低于5×10-1/cm，更優(yōu)選低于5×10-2/cm。因此，有時nc-OS的載流子密度比CAAC-OS的載流子密度高。載流子密度較高的氧化物半導體的電子遷移率有時較高。因此，將nc-OS用于溝道區(qū)域的晶體管有時具有較高的場效應遷移率。相反，因為nc-OS的缺陷態(tài)密度比CAAC-OS的缺陷態(tài)密度高，所以有時陷阱態(tài)密度也變高。因此，與將CAAC-OS用于溝道區(qū)域的晶體管相比，將nc-OS用于溝道區(qū)域的晶體管的電特性變動更大，且可靠性更低。<微晶氧化物半導體膜的形成方法>接著，以下說明微晶氧化物半導體膜的形成方法。在室溫以上且75℃以下，優(yōu)選為室溫以上且50℃以下的溫度下，在含氧的氣氛下，通過濺射法形成微晶氧化物半導體膜。通過使用含氧的氣氛，可以減少微晶氧化物半導體膜中的氧缺陷，可以形成包括微晶區(qū)域的膜。通過在微晶氧化物半導體膜中減少氧缺陷，可以形成物性穩(wěn)定的膜。尤其是，在使用微晶氧化物半導體膜制造半導體裝置的情況下，微晶氧化物半導體膜中的氧缺陷成為施主，且在微晶氧化物半導體膜中生成作為載流子的電子，這成為半導體裝置的電特性變動的原因。因此，使用減少了氧缺陷的微晶氧化物半導體膜形成的半導體裝置可以具有高可靠性。注意，優(yōu)選的是提高沉積氣氛中的氧分壓，因為可以進一步減少微晶氧化物半導體膜中的氧缺陷。更具體地，沉積氣氛中的氧分壓優(yōu)選為33%以上。注意，利用濺射法形成微晶氧化物半導體膜時使用的靶材可以使用與CAAC-OS同樣的靶材及形成方法。注意，因為即使包含較多量的雜質(zhì)也可以形成nc-OS，所以nc-OS比CAAC-OS可以更容易形成，因此有時可以根據(jù)目的適當?shù)厥褂胣c-OS。例如，也可以通過使用AC電源的濺射法等沉積方法來形成nc-OS。由于使用AC電源的濺射法可以在大尺寸襯底上均勻地形成膜，因此，以高生產(chǎn)性地制造具有將nc-OS用于溝道區(qū)域的晶體管的半導體裝置。<非晶氧化物半導體>非晶氧化物半導體例如具有無秩序的原子排列且不具有結(jié)晶部。非晶氧化物半導體例如具有像石英那樣的無定形狀態(tài)，其原子排列沒有規(guī)律性。例如，在使用TEM得到的圖像中，有時在非晶氧化物半導體膜中無法觀察到結(jié)晶部。當通過使用XRD裝置的out-of-plane法對非晶氧化物半導體進行分析時，有時不出現(xiàn)表示取向的峰值。此外，有時在非晶氧化物半導體膜的電子衍射圖案中觀察到光暈圖案。在其他情況下，在非晶氧化物半導體膜的納米束電子衍射圖案中觀察到光暈圖案而觀察不到斑點。非晶氧化物半導體例如有時可以通過引入高濃度的氫等雜質(zhì)來形成。因此，非晶氧化物半導體包含高濃度的雜質(zhì)。當氧化物半導體包含高濃度的雜質(zhì)時，有時在氧化物半導體中形成氧缺陷等缺陷態(tài)。這意味著包含高濃度的雜質(zhì)的非晶氧化物半導體的缺陷態(tài)密度較高。此外，因為非晶氧化物半導體的結(jié)晶性較低，所以與CAAC-OS或nc-OS相比非晶氧化物半導體的缺陷態(tài)密度較高。因此，非晶氧化物半導體與nc-OS相比載流子密度更高。因此，將非晶氧化物半導體用于溝道區(qū)域的晶體管容易具有常開啟電特性。因此，有時可以適當?shù)貙⒎蔷а趸锇雽w用于需要常開啟電特性的晶體管。因為非晶氧化物半導體的缺陷態(tài)密度高，所以載流子陷阱密度也變高。因此，與將CAAC-OS或nc-OS用于溝道區(qū)域的晶體管相比，將非晶氧化物半導體用于溝道區(qū)域的晶體管的電特性變動較大，且可靠性較低。注意，因為利用包含多量的雜質(zhì)的沉積方法可以形成非晶氧化物半導體，所以非晶氧化物半導體較容易得到，且可以根據(jù)用途適當?shù)厥褂谩＠?，可以利用旋涂法、溶膠-凝膠法、浸漬法、噴射法、絲網(wǎng)印刷法、接觸印刷法、噴墨印刷法、輥涂法或霧化CVD法（mistCVDmethod）等沉積方法來形成非晶氧化物半導體。因此，以高生產(chǎn)性地制造具有將非晶氧化物半導體用于溝道區(qū)域的晶體管的半導體裝置。注意，當氧化物半導體的缺陷少時，其密度變高。當氧化物半導體的結(jié)晶性高時，其密度變高。當氧化物半導體的氫等雜質(zhì)的濃度低時，其密度變高。單晶氧化物半導體的密度有時比CAAC-OS的密度高。CAAC-OS的密度有時比微晶氧化物半導體的密度高。多晶氧化物半導體的密度有時比微晶氧化物半導體的密度高。微晶氧化物半導體的密度有時比非晶氧化物半導體的密度高。實施方式4在本實施方式中將對上述實施方式所示的顯示裝置的驅(qū)動電路部進行說明。本實施方式的一個方式是一種驅(qū)動電路，包括：移位寄存器單元；與移位寄存器單元電連接的解復用器電路；以及n個信號線（n是4以上的自然數(shù)）。移位寄存器單元與n個信號線中的1個以上電連接。解復用器電路與n個信號線中的1個至（n-3）個電連接。本實施方式的其他方式是一種驅(qū)動電路，包括：m個移位寄存器單元（m是3以上的自然數(shù)）；與m個移位寄存器單元電連接的m個解復用器電路；以及n個信號線（n是4以上的自然數(shù)）。m個移位寄存器單元的每一個與n個信號線中的1個以上電連接。m個解復用器電路的每一個與n個信號線中的1個至（n-3）個電連接。對m個移位寄存器單元之一輸入與m個移位寄存器單元之一的前級的移位寄存器單元電連接的解復用器電路的輸出之一。對m個移位寄存器單元之一輸入與m個移位寄存器單元之一的后級的移位寄存器單元電連接的解復用器電路的輸出之一。本實施方式的其他方式是一種驅(qū)動電路，包括：移位寄存器單元；解復用器電路；以及n個信號線（n是4以上的自然數(shù)）。移位寄存器單元包括置位信號線及第一晶體管至第六晶體管。第一晶體管的源極和漏極中的一個與高電源電位線電連接。第一晶體管的源極和漏極中的另一個與第二晶體管的源極和漏極中的一個及解復用器電路電連接。第一晶體管的柵極與置位信號線電連接。第二晶體管的源極和漏極中的另一個與低電源電位線電連接。第二晶體管的柵極與解復用器電路、第四晶體管的源極和漏極中的一個、第五晶體管的源極和漏極中的一個及第六晶體管的源極和漏極中的一個電連接。第三晶體管的源極和漏極中的一個與高電源電位線電連接。第三晶體管的源極和漏極中的另一個與第四晶體管的源極和漏極中的另一個電連接。第三晶體管的柵極與n個信號線之一電連接。第四晶體管的柵極與n個信號線之另一電連接。第五晶體管的源極和漏極中的另一個與低電源電位線電連接。第五晶體管的柵極與置位信號線電連接。第六晶體管的源極和漏極中的另一個與高電源電位線電連接。第六晶體管的柵極與復位信號線電連接。解復用器電路具有a個緩沖器（a是1以上且（n-3）以下的自然數(shù)）。a個緩沖器與第一晶體管的源極和漏極中的另一個及第二晶體管的柵極電連接。a個緩沖器與n個信號線的不同信號線電連接，并都包括輸出端子。參照附圖說明具體結(jié)構(gòu)。圖29是柵極驅(qū)動器電路的整體的圖作為顯示裝置的驅(qū)動電路的一個例子。柵極驅(qū)動器電路600包括：多個移位寄存器單元（SR）601；偽級的移位寄存器單元（SR_D）602；與各移位寄存器單元601電連接的解復用器電路（DMP，也稱為DEMUX）603；與移位寄存器單元602電連接的解復用器電路（DMP，也稱為DEMUX）604；以及傳輸起始脈沖SP及時鐘信號（CLK1至CLK8）的信號線。對移位寄存器單元601（這里，使用第一級移位寄存器單元進行說明）如圖30A所示輸入置位信號LIN（這里起始脈沖SP）、復位信號RIN、時鐘信號（這里CLK6及CLK7）。圖30B示出具體電路結(jié)構(gòu)的一個例子。移位寄存器單元601包括第一晶體管611至第六晶體管616。第一晶體管611的源極和漏極中的一個與高電源電位線VDD連接。第一晶體管611的源極和漏極中的另一個與第二晶體管612的源極和漏極中的一個及解復用器電路603的輸入端子FN1連接。對第一晶體管611的柵極輸入置位信號LIN。第二晶體管612的源極和漏極中的另一個與低電源電位線VSS連接。第二晶體管612的柵極與解復用器電路603的輸入端子FN2、第四晶體管614的源極和漏極中的一個、第五晶體管615的源極和漏極中的一個及第六晶體管616的源極和漏極中的一個連接。第三晶體管613的源極和漏極中的一個與高電源電位線VDD連接。第三晶體管613的源極和漏極中的另一個與第四晶體管614的源極和漏極中的另一個連接。對第三晶體管613的柵極輸入時鐘信號CLK7。對第四晶體管614的柵極輸入時鐘信號CLK6。第五晶體管615的源極和漏極中的另一個與低電源電位線VSS連接。對第五晶體管615的柵極輸入置位信號LIN。第六晶體管616的源極和漏極中的另一個與高電源電位線VDD連接。對第六晶體管616的柵極輸入復位信號RIN。注意，將第一晶體管611的源極和漏極中的另一個及第二晶體管612的源極和漏極中的一個電連接的部分稱為節(jié)點FN1。將第二晶體管612的柵極、第四晶體管614的源極和漏極中的一個、第五晶體管615的源極和漏極中的一個及第六晶體管616的源極和漏極中的一個電連接的部分稱為節(jié)點FN2。對第（8a＋1）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK6及CLK7。對第（8a＋2）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK3及CLK4。對第（8a＋3）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK1及CLK8。對第（8a＋4）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK5及CLK6。對第（8a＋5）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK2及CLK3。對第（8a＋6）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK7及CLK8。對第（8a＋7）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK4及CLK5。對第8（a＋1）級（a是0或自然數(shù)）移位寄存器單元601輸入時鐘信號CLK1及CLK2。對偽級的移位寄存器單元602如圖31A所示輸入置位信號LIN及時鐘信號（這里CLK3及CLK4）。圖31B示出具體電路結(jié)構(gòu)的一個例子。移位寄存器單元602包括第一晶體管611至第五晶體管615。第一晶體管611的源極和漏極中的一個與高電源電位線VDD連接。第一晶體管611的源極和漏極中的另一個與第二晶體管612的源極和漏極中的一個及解復用器電路604的輸入端子FN1連接。對第一晶體管611的柵極輸入置位信號LIN。第二晶體管612的源極和漏極中的另一個與低電源電位線VSS連接。第二晶體管612的柵極與解復用器電路604的輸入端子FN2、第四晶體管614的源極和漏極中的一個及第五晶體管615的源極和漏極中的一個連接。第三晶體管613的源極和漏極中的一個與高電源電位線VDD連接。第三晶體管613的源極和漏極中的另一個與第四晶體管614的源極和漏極中的另一個連接。對第三晶體管613的柵極輸入時鐘信號CLK4。對第四晶體管614的柵極輸入時鐘信號CLK3。第五晶體管615的源極和漏極中的另一個與低電源電位線VSS連接。對第五晶體管615的柵極輸入置位信號LIN。注意，將第一晶體管611的源極和漏極中的另一個及第二晶體管612的源極和漏極中的一個電連接的部分稱為節(jié)點FN1。將第二晶體管612的柵極、第四晶體管614的源極和漏極中的一個及第五晶體管615的源極和漏極中的一個電連接的部分稱為節(jié)點FN2。如圖32A及圖33A所示，對解復用器電路603及解復用器電路604輸入時鐘信號、來自移位寄存器單元601及移位寄存器單元602的輸出信號（輸入到輸入端子FN1及輸入端子FN2的信號），而解復用器電路603及解復用器電路604輸出輸出信號。圖32B及圖33B都示出具體電路結(jié)構(gòu)的一個例子。解復用器電路603及解復用器電路604都包括緩沖器（BUF）605。圖34示出緩沖器605的具體電路結(jié)構(gòu)的一個例子。對第七晶體管617的源極和漏極中的一個輸入時鐘信號CLK（時鐘信號CLK1至CLK8中的一個）。第七晶體管617的源極和漏極中的另一個與第八晶體管618的源極和漏極中的一個及輸出端子連接。第七晶體管617的柵極與節(jié)點FN1連接。第八晶體管618的源極和漏極中的另一個與低電源電位線VSS連接。第八晶體管618的柵極與節(jié)點FN2連接。移位寄存器單元也可以是移位寄存器單元601a，其中如圖35A及圖35B所示，對移位寄存器單元601附加晶體管621、晶體管622、晶體管623及電容器624。注意，對晶體管623的柵極輸入復位信號RES。同樣地，偽級的移位寄存器單元也可以是移位寄存器單元602a，其中如圖36A及圖36B所示，對移位寄存器單元602附加晶體管621、晶體管622、晶體管623及電容器624。注意，對晶體管623的柵極輸入復位信號RES。當進行移位寄存器單元的初期化時，輸入復位信號RES的脈沖，以使晶體管623開啟，由此節(jié)點FN2的電位成為與高電位電源線VDD的電位相等的電位。通過節(jié)點FN2的電位，使第二晶體管612及晶體管621開啟，節(jié)點FN1的電位成為與低電位電源線VSS的電位相等的電位。由此可以使移位寄存器單元初期化。注意，復位信號RES通過共同信號線輸入所有移位寄存器單元。如圖37A及圖37B所示，緩沖器605可以替換成設置有晶體管625及電容器619的緩沖器605a。電容器具有保持電荷的存儲電容器的功能。注意，本實施方式中的各晶體管是使用上述實施方式所示的氧化物半導體的晶體管。尤其是，通過晶體管的柵極與其他晶體管的源極和漏極中的一個電連接的部分的說明參照上述實施方式的說明，可以進一步縮減顯示裝置的邊框面積。在第一級移位寄存器單元601中時鐘信號CLK1至CLK5輸入到解復用器電路603中，而解復用器電路603輸出輸出信號OUT1至OUT5。通過在不輸出柵極選擇輸出的期間將節(jié)點FN2的電位固定為高電位，使第二晶體管612及第八晶體管618一直開啟。這樣，穩(wěn)定地輸出低電位。但是，在第五晶體管615的截止電流（cutoffcurrent）（柵極電壓為0V時流過的漏極電流）較高的情況下，節(jié)點FN2的電荷通過第五晶體管615泄露，所以需要定期性地補充電荷。由此，通過使用時鐘信號CLK6及CLK7使第三晶體管613及第四晶體管614開啟，從高電源電位線VDD供應節(jié)點FN2的電荷。注意，第一級移位寄存器單元601的柵極選擇輸出期間（節(jié)點FN1為高電位的期間）是后面說明的從起始脈沖SP的上升（置位）至時鐘信號CLK7的上升（復位）的期間。在該期間中，使用兩個時鐘信號，不使柵極選擇輸出期間與定期性的電荷的補充的時序重疊。在第一級移位寄存器單元601中時鐘信號CLK8不輸入到任何部分中。該時鐘信號也為了不與定期性的電荷的補充的時序重疊而設置。同樣地，在第二級移位寄存器單元601中，時鐘信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8輸入到解復用器電路603中，解復用器電路603輸出輸出信號OUT1至OUT5。時鐘信號CLK3及CLK4具有定期性地補充電荷的功能。在第二級移位寄存器單元601中時鐘信號CLK5不輸入到任何部分中。第三級以后的移位寄存器單元601也是同樣的。換而言之，在一級移位寄存器單元中5個時鐘信號輸入到解復用器電路603中，解復用器電路603輸出5個輸出信號。其他2個時鐘信號具有定期性地補充電荷的功能，其輸入到移位寄存器單元601中。其他時鐘信號不輸入到任何部分中。偽級的移位寄存器單元602也是同樣的。時鐘信號CLK1及CLK2輸入到解復用器電路604中，解復用器電路604輸出輸出信號DUMOUT1及DUMOUT2。時鐘信號CLK3及CLK4具有定期性地補充電荷的功能。在本實施方式中，時鐘信號的數(shù)量為8個，但是本發(fā)明不局限于此。時鐘信號的數(shù)量只要為4個以上即可。例如，當時鐘信號的數(shù)量為n時，3個時鐘信號無助于輸出信號，所以輸出信號的數(shù)量為（n-3）個。換而言之，通過使傳輸時鐘信號的n個信號線連接到移位寄存器單元的每一級，能夠輸出（n-3）個輸出信號。n越大，傳輸無助于輸出的時鐘信號的信號線的比例越小，所以與移位寄存器單元的每一級輸出1個輸出信號的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)相比，移位寄存器單元部分的占有面積變小。由此能夠使柵極驅(qū)動器電路600的寬度變窄。這里，簡單地說明柵極驅(qū)動器電路600的窄邊框化。圖38A是現(xiàn)有的柵極驅(qū)動器電路的方框圖。圖38B是本實施方式中的柵極驅(qū)動器電路的方框圖。在圖38A所示的現(xiàn)有的柵極驅(qū)動器電路中，移位寄存器單元SR的每一級與傳輸時鐘信號的4個信號線CLK_LINE連接，1個緩沖器BUF輸出1個信號。另一方面，在圖38B所示的本實施方式的柵極驅(qū)動器電路中，移位寄存器單元SR的每一級與傳輸時鐘信號的8個信號線CLK_LINE連接，5個緩沖器BUF輸出5個信號。本實施方式中的柵極驅(qū)動器電路與現(xiàn)有的柵極驅(qū)動器電路相比可以縮減移位寄存器單元的每一級的水平布局寬度。垂直布局寬度因緩沖器BUF的增加（這里現(xiàn)有的柵極驅(qū)動器電路的5倍）而增大，但不影響到柵極驅(qū)動器電路的邊框。由于可以縮減移位寄存器單元的每一級的水平布局寬度，所以可以使邊框變窄。傳輸時鐘信號的信號線CLK_LINE的數(shù)量比現(xiàn)有的柵極驅(qū)動器電路多，由此減少信號線CLK_LINE的每一個中的負載電容。由此，即使使信號線CLK_LINE變細而使負載電阻增大，遲延時間也不變化（因為時間常數(shù)=負載電容×負載電阻）。由此，以獲得相同的時間常數(shù)的方式使信號線的寬度變細，可以防止布局寬度的增加，由此即使信號線CLK_LINE的數(shù)量增加也能夠使柵極驅(qū)動器電路的寬度變窄。接著，參照圖39中的時序圖說明柵極驅(qū)動器電路600的工作。這里，置位信號LIN、復位信號RIN及時鐘信號CLK1至CLK8的高電位相當于高電源電位線VDD的電位，置位信號LIN、復位信號RIN及時鐘信號CLK1至CLK8的低電位相當于低電源電位線VSS的電位。在圖39所示的柵極驅(qū)動器電路600的驅(qū)動方法中，首先，將起始脈沖SP設定為高電位，使第一晶體管611及第五晶體管615開啟。由于復位信號RIN（輸出信號OUT7）為低電位，所以第六晶體管616關閉。由于時鐘信號CLK1至CLK6為低電位且時鐘信號CLK7及CLK8為高電位，所以第四晶體管614及第七晶體管617關閉，且第三晶體管613開啟。此時，節(jié)點FN1的電位具有從高電位電源線VDD的電位減第一晶體管611的閾值電壓的值（VDD-Vth（611）），節(jié)點FN2的電位成為與低電位電源線VSS的電位相等的電位。由此，第七晶體管617開啟，且第八晶體管618關閉，所以與時鐘信號CLK1至CLK5同樣，輸出信號OUT1至OUT5成為低電位。接著，將時鐘信號CLK7設定為低電位，由此第三晶體管613關閉。注意，在第三晶體管613的源極和漏極中的另一個與第四晶體管614的源極和漏極中的一個電連接的節(jié)點中保持高電位。接著，時鐘信號CLK1從低電位變?yōu)楦唠娢唬捎谧耘e工作而節(jié)點FN1的電位上升了相當于時鐘信號CLK1的振幅的電壓。其結(jié)果是，第七晶體管617開啟，作為輸出信號OUT1輸出高電位（時鐘信號CLK1的電位）。注意，當時鐘信號CLK2以后的時鐘信號從低電位變?yōu)楦唠娢粫r也同樣地發(fā)生上述自舉工作。接著，時鐘信號CLK8成為低電位，但在第一級移位寄存器單元601中不使用時鐘信號CLK8的信號，所以沒有變化。接著，時鐘信號CLK2成為高電位，且作為輸出信號OUT2輸出高電位。然后，時鐘信號CLK1成為低電位，且作為輸出信號OUT1輸出低電位。此后的關于輸出信號OUT3及OUT4的工作也是與上述同樣的。當時鐘信號CLK5成為高電位且輸出信號OUT5成為高電位時，第二級移位寄存器單元601的置位信號LIN成為高電位。在第一級移位寄存器單元601中，當時鐘信號CLK6成為高電位時，第四晶體管614開啟。接著，時鐘信號CLK5成為低電位，作為輸出信號OUT5輸出低電位。在第二級移位寄存器單元601中，置位信號LIN（輸出信號OUT5）成為高電位，且第一晶體管611及第五晶體管615開啟。由于復位信號RIN（輸出信號OUT12）為低電位，所以第六晶體管616關閉。由于時鐘信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8成為低電位且時鐘信號CLK4及CLK5成為高電位，所以第四晶體管614及第七晶體管617關閉，第三晶體管613開啟。此時，由于節(jié)點FN1的電位具有從高電位電源線VDD的電位減第一晶體管611的閾值電壓的值（VDD-Vth（611）），節(jié)點FN2的電位成為與低電位電源線VSS的電位相等的電位。由此，第七晶體管617開啟，且第八晶體管618關閉，所以與時鐘信號CLK1、CLK2、CLK6至CLK8同樣，輸出信號OUT6至OUT10成為低電位。接著，時鐘信號CLK4成為低電位，第三晶體管613關閉。注意，在第三晶體管613的源極和漏極中的另一個及第四晶體管614的源極和漏極中的一個電連接的節(jié)點中保持高電位。接著，時鐘信號CLK6從低電位變?yōu)楦唠娢?，由于自舉工作而節(jié)點FN1的電位上升了相當于時鐘信號CLK6的振幅的電壓。其結(jié)果是，第七晶體管617開啟，且作為輸出信號OUT6輸出高電位（時鐘信號CLK6的電位）。接著，時鐘信號CLK5成為低電位，但在第二級移位寄存器單元601中不使用時鐘信號CLK5的信號，所以沒有變化。接著，時鐘信號CLK7成為高電位，且作為輸出信號OUT7輸出高電位。此時，在第一級移位寄存器單元601中，復位信號RIN（輸出信號OUT7）成為高電位，使第六晶體管616開啟，由此節(jié)點FN2的電位成為與高電位電源線VDD的電位相等的電位。通過使用節(jié)點FN2的電位使第二晶體管612開啟，節(jié)點FN1的電位成為低電位電源線VSS的電位，由此進行復位。第二級移位寄存器單元601也與第一級移位寄存器單元601同樣地驅(qū)動?？傊?，作為第m級（m是自然數(shù)）移位寄存器單元601的置位信號LIN輸入第（m-1）級移位寄存器單元601的輸出信號OUT5（m-1）。作為第m級移位寄存器單元601的復位信號RIN輸入第（m＋1）級移位寄存器單元601的輸出信號OUT5（m＋2）。注意，m是1時的置位信號LIN相當于起始脈沖SP。偽級的移位寄存器單元602也與移位寄存器單元601同樣。通過具有該移位寄存器單元602，可以對最后級的移位寄存器單元601輸入復位信號RIN。注意，在本實施方式中，時鐘信號的脈沖與下一個時鐘信號的脈沖的重疊為脈沖寬度的1/3，但本發(fā)明不局限于此。只要是脈沖寬度的1/2以下重疊寬度就可以為任何數(shù)值。也可以同時進行時鐘信號的脈沖的下降與下一個時鐘信號的脈沖的上升。此時，由于第一級移位寄存器單元601的柵極選擇輸出期間是從起始脈沖SP的上升（置位）至時鐘信號CLK6的上升（復位）的期間，所以只有一個用于定期性的電荷的補充的時鐘信號即可。注意，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)等可以與其他實施方式所示的結(jié)構(gòu)等適當?shù)亟M合而實施。實施方式5本發(fā)明的一個方式的半導體裝置可以用于能夠檢測出對象物的接近或接觸的傳感器（例如，靜電容量式、電阻膜式、表面聲波式、紅外線式、光學式等觸摸傳感器）以及能夠獲得醫(yī)療射線圖像的射線圖像檢測裝置。本發(fā)明的一個方式的半導體裝置可以應用于各種電子設備（包括游戲機）。電子設備的例子包括電視裝置（也稱為電視或電視接收機）、計算機等的顯示器、數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機、數(shù)碼相框、移動電話機、便攜式游戲機、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、游戲機（彈珠機（pachinkomachine）或投幣機（slotmachine）等）及框體游戲機等。圖24A至圖24C示出上述電子設備的例子。圖24A示出具有顯示部的桌子9000。在桌子9000中，在框體9001中組裝有顯示部9003，且能夠在顯示部9003上顯示圖像。利用四個桌腿部9002支撐框體9001。另外，框體9001具有用來供應電力的電源線9005?？梢詫⑸鲜鰧嵤┓绞街腥我粋€所示的半導體裝置用于顯示部9003。因此，顯示部9003可以具有高顯示品質(zhì)。顯示部9003具有觸屏輸入功能。當用戶用手指等按觸顯示于桌子9000的顯示部9003上的顯示按鈕9004時，用戶可以進行畫面操作及信息輸入。此外，當桌子能夠與家電產(chǎn)品進行通信或控制家電產(chǎn)品時，顯示部9003用作通過畫面操作來控制家電產(chǎn)品的控制裝置。例如，通過使用具有圖像傳感器功能的半導體裝置，顯示部9003可以具有觸屏輸入功能。另外，利用設置于框體9001的鉸鏈也可以將顯示部9003的畫面以垂直于地板的方式立起來，從而也可以將桌子用作電視裝置。當在小房間里設置大畫面的電視裝置時，減少自由使用的空間，但是當在桌子中安裝有顯示部則可以有效地利用房間的空間。圖24B示出電視裝置9100。在電視裝置9100中，在框體9101中組裝有顯示部9103，并且能夠在顯示部9103上顯示圖像。注意，在此，利用支架9105支撐框體9101。通過利用框體9101的操作開關或另外提供的遙控操作機9110，能夠進行電視裝置9100的操作。通過利用遙控操作機9110的操作鍵9109能夠控制頻道及音量，可以控制在顯示部9103上顯示的圖像。此外，在遙控操作機9110中也可以設置用來顯示從該遙控操作機9110輸出的數(shù)據(jù)的顯示部9107。圖24B所示的電視裝置9100設置有接收機及調(diào)制解調(diào)器等。利用接收機可以在電視裝置9100中接收一般的電視廣播。此外，當電視裝置9100通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡時，也可以進行單向（從發(fā)送者到接收者）或雙向（發(fā)送者和接收者之間或接收者之間）的數(shù)據(jù)通信?？梢詫⑸鲜鰧嵤┓绞剿镜陌雽w裝置的任一個用于顯示部9103及顯示部9107。因此，電視裝置可以具有高顯示品質(zhì)。圖24C示出計算機9200，該計算機包括主體9201、框體9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接端口9205、指向裝置9206等。可以將上述實施方式所示的半導體裝置的任一個用于顯示部9203。因此，計算機9200可以具有高顯示品質(zhì)。圖25A和圖25B示出可折疊的平板終端。在圖25A中平板終端被打開。平板終端包括框體9630、顯示部9631a、顯示部9631b、顯示模式切換開關9034、電源開關9035、省電模式切換開關9036、卡子9033以及操作開關9038。可以將上述實施方式中任一個所示的半導體裝置用于顯示部9631a及顯示部9631b。因此，可以提高平板終端的顯示品質(zhì)。顯示部9631a的一部分可以為觸摸屏區(qū)域9632a，并且當按觸所顯示的操作鍵9638時可以輸入數(shù)據(jù)。雖然作為一個例子示出顯示部9631a中的一半?yún)^(qū)域只具有顯示的功能且另一半?yún)^(qū)域具有觸摸屏的功能的結(jié)構(gòu)，但是顯示部9631a的結(jié)構(gòu)不局限于此。顯示部9631a的全部區(qū)域也可以具有觸摸屏的功能。例如，可以使顯示部9631a的整個面顯示為鍵盤按鈕來將其用作觸摸屏，并且將顯示部9631b用作顯示畫面。與顯示部9631b同樣，顯示部9631b的一部分可以為觸摸屏區(qū)域9632b。當使用手指或觸屏筆等按觸顯示在觸摸屏上的鍵盤顯示切換按鈕9639時，可以在顯示部9631b上顯示鍵盤。也可以在觸摸屏區(qū)域9632a和觸摸屏區(qū)域9632b上同時進行按觸輸入。顯示模式切換開關9034例如能夠切換顯示方向（例如橫向模式及縱向模式）以及選擇顯示模式（黑白顯示及彩色顯示）。根據(jù)內(nèi)置于平板中的光傳感器所檢測的使用平板終端時的外光量，省電模式切換開關9036可以控制顯示亮度。平板終端除了光傳感器以外，還可以包括用來檢測傾斜度的傳感器等（例如陀螺儀或加速度傳感器）其他檢測裝置。雖然在圖25A中顯示部9631a及顯示部9631b具有相同的顯示面積，但是本發(fā)明的一個方式不局限于該例子。顯示部9631a及顯示部9631b可以具有不同面積或不同顯示品質(zhì)。例如其中一個可以為與另一個相比能夠顯示更高精細圖像的顯示面板。在圖25B中平板終端被折疊并包括框體9630、太陽能電池9633、充放電控制電路9634。注意，在圖25B中，示出充放電控制電路9634包括電池9635和DCDC轉(zhuǎn)換器9636的一個例子。由于平板可以對折，所以不使用時可以合上框體9630。因此，可以保護顯示部9631a和顯示部9631b，因而，可以提供一種具有高耐久性且從長期使用的觀點來看具有高可靠性的平板。此外，圖25A和圖25B所示的平板終端還可以具有如下功能：顯示各種各樣的數(shù)據(jù)（例如靜態(tài)圖像、動態(tài)圖像、文字圖像）的功能；將日歷、日期或時刻等顯示在顯示部上的功能；對顯示在顯示部上的數(shù)據(jù)進行操作或編輯的觸摸輸入功能；通過各種各樣的軟件（程序）來控制處理的功能等。安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633可以將電力供應到觸摸屏、顯示部和圖像信號處理部等。注意，太陽能電池9633可以設置在框體9630的單面或兩面，因此可以進行高效的電池9635的充電。使用鋰離子電池作為電池9635有小型化等的優(yōu)點。參照圖25C所示的方框圖，對圖25B所示的充放電控制電路9634的結(jié)構(gòu)和工作進行說明。在圖25C中示出太陽能電池9633、電池9635、DCDC轉(zhuǎn)換器9636、轉(zhuǎn)換器9637、開關SW1至SW3以及顯示部9631，電池9635、DCDC轉(zhuǎn)換器9636、轉(zhuǎn)換器9637、開關SW1至SW3對應于圖25B中的充放電控制電路9634。首先，說明在利用外光使太陽能電池9633進行發(fā)電的情況下的工作的例子。使用DCDC轉(zhuǎn)換器9636對太陽能電池所產(chǎn)生的電力進行升壓或降壓以使電力具有用來對電池9635進行充電的電壓。接著，當利用來自太陽能電池9633的電力使顯示部9631工作時，使開關SW1開啟，并且，利用轉(zhuǎn)換器9637將電力升壓或降壓到顯示部9631所需要的電壓。另外，當不進行顯示部9631上的顯示時，使開關SW1關閉且使開關SW2開啟以對電池9635進行充電。注意，作為發(fā)電單元的一個例子，示出太陽能電池9633，但是并不局限于此，也可以使用其他發(fā)電單元諸如壓電元件（piezoelectricelement）或熱電轉(zhuǎn)換元件（珀耳帖元件（Peltierelement））來對電池9635進行充電。例如，也可以使用以無線（不接觸）的方式能夠收發(fā)電力來進行充電的無線電力傳輸模塊或組合其他充電方法來對電池9635進行充電。注意，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)等可以與其他實施方式所示的結(jié)構(gòu)等適當?shù)亟M合而實施。實施例1在本實施例中使用實施方式1中的半導體裝置制造液晶顯示裝置。對所制造的液晶顯示裝置的邊框面積進行評價。作為比較例，圖26示出驅(qū)動電路部中的導電膜310c不與導電膜304b重疊的液晶顯示裝置。在圖26所示的液晶顯示裝置的驅(qū)動電路部中，由透光導電膜316a連接導電膜304b與導電膜310c。注意，透光導電膜316a通過設置在絕緣膜305、絕緣膜306及絕緣膜312中的開口367a、開口367b連接導電膜304b與導電膜310c。圖27A和圖27B是開口周邊的布局圖。圖27A是比較例的液晶顯示裝置的開口周邊的布局圖。圖27B是使用實施方式1的半導體裝置的液晶顯示裝置的開口周邊的布局圖。比較例的液晶顯示裝置中的開口周邊的布局寬度為21μm。使用實施方式1中的半導體裝置的液晶顯示裝置中的開口周邊的布局寬度為15μm。從上述結(jié)果可知，當由透光導電膜316a連接導電膜304b與導電膜310c時，如實施方式1那樣，在透光導電膜316a通過只有一個開口（這里開口364a）連接導電膜304b與導電膜310c的情況下，可以使每一個開口的布局寬度縮短6μm。由此可以使液晶顯示裝置的邊框變窄。接著，求出將如比較例那樣的兩個開口改變?yōu)槿鐚嵤┓绞?那樣的一個開口的情況的邊框面積的縮小率。圖28示出比較例中的液晶顯示裝置的布局圖。驅(qū)動電路部的布局寬度為1850μm。在包括保護電路、信號線、密封區(qū)域的情況下，布局寬度為2646μm。在附圖中由虛線圍繞在驅(qū)動電路部中可以將如比較例那樣的兩個開口改變?yōu)槿鐚嵤┓绞?那樣的一個開口的部分。在本實施例中，可以將一共有9個部分改變?yōu)橐粋€開口，可以使驅(qū)動電路部整體的布局寬度縮小54μm（6μm×9個部分）。由此，通過采用上述結(jié)構(gòu)，可以使邊框縮小2.04%（54μm÷2646μm×100%），由此可以使液晶顯示裝置的邊框變窄。實施例2使用實施方式1中的半導體裝置制造液晶顯示裝置。圖45A是實施例1的比較例的液晶顯示裝置中的開口周邊的截面TEM圖像。圖45B是使用實施方式1中的半導體裝置的液晶顯示裝置中的開口周邊的截面TEM圖像。在圖45A中，在比較例的液晶顯示裝置的絕緣膜中有空隙部。在圖45B中，由于通過如實施方式1那樣柵電極與源電極或漏電極重疊地形成，在絕緣膜上不形成透光導電膜，由此不產(chǎn)生空隙部。因此，可確認到能夠提高膜覆蓋率。實施例3在本實施例中使用實施方式4所示的驅(qū)動電路制造液晶顯示裝置。對所制造的液晶顯示裝置的邊框面積進行評價。將圖26中的結(jié)構(gòu)用于實施方式4中的驅(qū)動電路而制造液晶顯示裝置。作為比較例，使用具有如圖38A所示那樣的移位寄存器單元的每一級輸出一個輸出信號的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)且具有圖26所示的結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路而制造液晶顯示裝置。圖43A和圖43B示出驅(qū)動電路部的布局圖。圖43A示出比較例的驅(qū)動電路部的布局圖，布局寬度為1700μm。圖43B示出本實施例的驅(qū)動電路部的布局圖，布局寬度為1150μm。通過采用實施方式4中的驅(qū)動電路，與現(xiàn)有的驅(qū)動電路相比，可以使邊框縮小32.24%（（1700μm-1150μm）÷1700μm×100%），由此可以使液晶顯示裝置的邊框變窄。同樣地，將實施方式1中的變形例6所示的溝道保護型晶體管用于實施方式4中的驅(qū)動電路而制造液晶顯示裝置。作為比較例，將溝道保護型晶體管用于具有如圖38A所示那樣的一個移位寄存器單元輸出一個輸出信號的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路而制造液晶顯示裝置。圖44A和圖44B示出與上述驅(qū)動電路部不同的驅(qū)動電路部的布局圖。圖44A示出比較例的驅(qū)動電路部的布局圖，布局寬度為1700μm。圖44B示出本實施例的驅(qū)動電路部的布局圖，布局寬度為1250μm。通過采用實施方式4中的驅(qū)動電路，與現(xiàn)有的驅(qū)動電路相比，可以使邊框縮小26.47%（（1700μm-1250μm）÷1700μm×100%），由此可以使液晶顯示裝置的邊框變窄。實施例4在本實施例中，對能夠用于液晶顯示裝置的包括包含In-Ga-Zn氧化物的CAAC-OS膜的晶體管的特性進行評價。當測量時，使用用于柵極驅(qū)動器中的緩沖器且溝道長度為50μm、溝道寬度為4μm的具有溝道蝕刻結(jié)構(gòu)的晶體管。接著，對晶體管的結(jié)構(gòu)進行說明。晶體管包括：玻璃襯底上的柵電極；玻璃襯底及柵電極上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜接觸的源電極及漏電極；氧化物半導體膜、源電極及漏電極上的第一絕緣膜、第二絕緣膜；以及通過設置在第一絕緣膜及第二絕緣膜中的開口與源電極或漏電極電連接的像素電極。在柵電極中，在厚度為35nm的鈦膜上層疊厚度為200nm的銅膜。在柵極絕緣膜中，在厚度為400nm的氮化硅膜上層疊厚度為50nm的氧氮化硅膜。氧化物半導體膜是厚度為35nm的In：Ga：Zn=1：1：1的原子數(shù)比的In-Ga-Zn氧化物膜。在源電極及漏電極中，在厚度為50nm的鎢膜上層疊厚度為400nm的鋁膜，且在該鋁模上層疊厚度為200nm的鈦膜。在第一絕緣膜中，在厚度為50nm的氧氮化硅膜上層疊厚度為400nm的氧氮化硅膜。第二絕緣膜是厚度為100nm的氮化硅膜。像素電極是厚度為110nm的添加有氧化硅的銦錫氧化物膜。圖46示出所制造的晶體管的特性。在圖表中縱軸示出漏電流ID（單位：A），且橫軸示出柵電壓VG（單位：V）。圖46示出所制造的晶體管能夠具有良好的特性。制造溝道長度為50μm、溝道寬度為6μm的溝道蝕刻結(jié)構(gòu)的晶體管，且在如下條件下對該晶體管進行測試（＋BT測試）：在暗狀態(tài)（dark）下將柵電位設定為30V以60℃保持1小時。圖47A示出進行＋BT測試之后的晶體管的特性。在圖表中縱軸及橫軸分別示出閾值電壓的變動量ΔVth[V]及測試時間[hr]。從圖47A可知閾值電壓的變動量較小。在上述晶體管中，交替反復進行測試（＋BT測試）及測試（-BT測試），該＋BT測試是在暗狀態(tài)（dark）下將柵電位設定為30V以60℃保持1小時的測試，而該-BT測試是在暗狀態(tài)（dark）下將柵電位設定為-30V以60℃保持1小時的測試。圖47B示出測量結(jié)果。在圖表中縱軸及橫軸分別示出閾值電壓Vth[V]及測試條件。從圖47B可知幾乎沒有特性變動。附圖標記說明101：像素部；102：晶體管；103：晶體管；104：掃描線驅(qū)動電路；105：電容器；106：信號線驅(qū)動電路；107：掃描線；109：信號線；115：電容線；131_1：晶體管；132：液晶元件；133_1：電容器；301：像素；302：襯底；304：導電膜；304a：導電膜；304b：導電膜；304c：導電膜；305：絕緣膜；305a：氮化物絕緣膜；305b：氮化物絕緣膜；305c：氮化物絕緣膜；306：絕緣膜；307：氧化物半導體膜；308a：氧化物半導體膜；308b：氧化物半導體膜；308c：導電膜；308d：氧化物半導體膜；309：導電膜；310a：導電膜；310b：導電膜；310c：導電膜；310d：導電膜；310e：導電膜；310f：導電膜；311：絕緣膜；311a：絕緣膜；311b：絕緣膜；312：絕緣膜；312a：絕緣膜；312b：絕緣膜；313：絕緣膜；314：絕緣膜；315：導電膜；316a：導電膜；316b：導電膜；316c：導電膜；316d：導電膜；317：平坦化膜；318：取向膜；320：液晶層；321：導電膜；322：液晶元件；324：絕緣膜；325：導電膜；326：導電膜；334a：低電阻區(qū)域；334b：低電阻區(qū)域；336：多層膜；336a：氧化物半導體膜；336b：氧化物膜；342：襯底；344：遮光膜；346：有色膜；348：絕緣膜；350：導電膜；352：取向膜；360：凹部；362：開口；362c：開口；364a：開口；364b：開口；364c：開口；367a：開口；367b：開口；370：區(qū)域；384a：開口；384b：開口；600：柵極驅(qū)動器電路；601：移位寄存器單元；601a：移位寄存器單元；602：移位寄存器單元；602a：移位寄存器單元；603：解復用器電路；604：解復用器電路；605：緩沖器；605a：緩沖器；611：晶體管；612：晶體管；613：晶體管；614：晶體管；615：晶體管；616：晶體管；617：晶體管；618：晶體管；619：電容器；621：晶體管；622：晶體管；623：晶體管；624：電容器；625：晶體管；9000：桌子；9001：框體；9002：桌腿部；9003：顯示部；9004：顯示按鈕；9005：電源線；9033：夾子；9034：開關；9035：電源開關；9036：開關；9038：操作開關；9100：電視裝置；9101：框體；9103：顯示部；9105：支架；9107：顯示部；9109：操作鍵；9110：遙控操作機；9200：計算機；9201：主體；9202：框體；9203：顯示部；9204：鍵盤；9205：外部連接端口；9206：指向裝置；9630：框體；9631：顯示部；9631a：顯示部；9631b：顯示部；9632a：區(qū)域；9632b：區(qū)域；9633：太陽能電池；9634：充放電控制電路；9635：電池；9636：DCDC轉(zhuǎn)換器；9637：轉(zhuǎn)換器；9638：操作鍵；9639：按鈕本申請基于2013年2月27日提交到日本專利局的日本專利申請No.2013-036791、2013年9月11日提交到日本專利局的日本專利申請No.2013-187853以及2013年12月2日提交到日本專利局的日本專利申請No.2013-248897，通過引用將其完整內(nèi)容并入在此。