主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，包含：一有機發(fā)光二極管以及一驅(qū)動電路所構(gòu)成，該驅(qū)動電路由六個開關(guān)搭配一驅(qū)動晶體管及一電容所構(gòu)成，通過補償驅(qū)動晶體管的臨界電壓變異，讓流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流得到精確地控制，不受驅(qū)動晶體管臨界電壓的影響，以提升顯示器的亮度均勻性及穩(wěn)定性，另外，可以完全適用在空泛型(depletion?mode)的驅(qū)動晶體管(即氧化物薄膜晶體管TFT)，因此，在驅(qū)動晶體管TFT的臨界電壓Vth大于0或小于0的狀態(tài)下，皆可獲得臨界電壓Vth，以進行補償。
【專利說明】主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示器的像素電路，尤其涉及一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路。

【背景技術(shù)】
[0002]就主動式有機發(fā)光二極管(Active-matrixorganic light-emitting d1de ;簡稱AMLOED)顯示器來說，其畫素電路是由薄膜晶體管(Thin-Film Transistor ;簡稱TFT)作為開關(guān)與驅(qū)動主動式有機發(fā)光二極管(AMLOED)的組件。然而，該主動式有機發(fā)光二極管(AMLOED)顯示器為電流驅(qū)動，對電流變化非常敏感，當(dāng)作為驅(qū)動組件的薄膜晶體管(TFT)在非晶娃(Amorphous silicon ;簡稱a_Si)制程技術(shù)時,其會有臨界電壓(Vth)變異的問題產(chǎn)生，該非晶硅(a-Si)制程技術(shù)雖然制作良率高，初始的臨界電壓(Vth)值大致相同，但隨著長時間的操作，臨界電壓(Vth)會有漂移的現(xiàn)象，相對造成電上的變異，使得一直處于長時間導(dǎo)通狀態(tài)的薄膜晶體管(TFT)，其臨界電壓(Vth)就會隨著時間變化，進而導(dǎo)致流經(jīng)該主動式有機發(fā)光二極管(AMLOED)的電流值產(chǎn)生變化，使整體顯示器的亮度均勻性及穩(wěn)定性就受到相當(dāng)大的影響。
[0003]為了補償薄膜晶體管(TFT)的臨界電壓(Vth)變化，需先獲取薄膜晶體管(TFT)的臨界電壓(Vth)，如圖1A、1B、1C所示，就是目前獲取臨界電壓(Vth)的方法，然而，該薄膜晶體管(TFT)1在該非晶硅(a-Si)制程中，其臨界電壓(Vth)可能出現(xiàn)負值，特別是空泛型(deplet1n mode)的氧化物(Oxide)薄膜晶體管(TFT),而圖1A所示的補償電路僅適用在臨界電壓(Vth)大于O的狀態(tài)，一旦臨界電壓(Vth)小于O時，圖1A所示的電路將無法對薄膜晶體管(TFT)的臨界電壓(Vth)變異進行補償。
[0004]因此，如何開發(fā)出一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，來解決上述缺陷就是本發(fā)明研發(fā)的動機。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，可以補償驅(qū)動晶體管的臨界電壓變異，讓流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流得到精確地控制，不受驅(qū)動晶體管臨界電壓的影響，以提升顯示器的亮度均勻性及穩(wěn)定性。
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，在薄膜晶體管(TFT)的臨界電壓(Vth)大于O或小于O的狀態(tài)下，都可以獲得臨界電壓(Vth)，以進行補償。
[0007]為實現(xiàn)上述技術(shù)效果，本發(fā)明公開了一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，包含一有機發(fā)光二極管及一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包含一初始化模塊、一信號電壓寫入模塊、及一發(fā)光顯不模塊，其中:
[0008]所述驅(qū)動電路還包含一閥值電壓補償模塊，該閥值電壓補償模塊包含一第六開關(guān)及一驅(qū)動晶體管，該第六開關(guān)用以獲取該驅(qū)動晶體管的臨界電壓并進行該臨界電壓變異的補償，使得該發(fā)光顯示模塊流經(jīng)該有機發(fā)光二極管的電流獲得精確地控制。
[0009]本發(fā)明進一步的改進在于，所述初始化模塊包含一第一開關(guān)及一第二開關(guān)；該信號電壓寫入模塊包含一第五開關(guān)；該發(fā)光顯不模塊包含一第三開關(guān)、一第四開關(guān)、及一具有一第一電容端及一第二電容端的電容；該第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管皆具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導(dǎo)通的控制端，且該第一開關(guān)的第一端、第三開關(guān)的第二端、第五開關(guān)的第一端及電容的第一電容端電連接于一第一節(jié)點，該第一開關(guān)的第二端及第二開關(guān)的第一端電連接一初始化電壓，該第一開關(guān)的控制端及該第二開關(guān)的控制端電連接一第一掃描線，該第二開關(guān)的第二端及第四開關(guān)的第二端電連接該有機發(fā)光二極管的陽極端，該第三開關(guān)的第一端、第六開關(guān)的第二端及該驅(qū)動晶體管的控制端電連接于一第二節(jié)點，該第三開關(guān)的控制端及第四開關(guān)的控制端電連接于發(fā)射線，該第四開關(guān)的第一端、驅(qū)動晶體管的第二端及電容的第二端電連接于一第三節(jié)點，該第五開關(guān)的第二端電連接于一數(shù)據(jù)電壓，該第五開關(guān)的控制端及該第六開關(guān)的控制端電連接于一第二掃描線，該第六開關(guān)的第一端電連接于一維持電壓，該驅(qū)動晶體管的第一端電連結(jié)于一第一電源電壓。
[0010]本發(fā)明進一步的改進在于，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管皆為N型薄膜晶體管。較佳地，該第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的控制端皆為閘極端。
[0011]本發(fā)明進一步的改進在于，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的第一端皆為源極端或汲極端、該第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的第二端皆為汲極端或源極端，且該第二端不同于第一端。
[0012]另外，同樣為實現(xiàn)上述技術(shù)效果，本發(fā)明公開了一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，包含:
[0013]一有機發(fā)光二極管，具有一陽極端及一電連接一第二電源電壓的陰極端；以及
[0014]一驅(qū)動電路，包括一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、一第三開關(guān)、一第四開關(guān)、一第五開關(guān)、一第六開關(guān)、一驅(qū)動晶體管、以及一具有一第一電容端及一第二電容端的電容；
[0015]其中，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管都具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導(dǎo)通的控制端，且該第一開關(guān)的第一端、第三開關(guān)的第二端、第五開關(guān)的第一端及電容的第一電容端電連接于一第一節(jié)點，該第一開關(guān)的第二端及第二開關(guān)的第一端電連接一初始化電壓，該第一開關(guān)的控制端及該第二開關(guān)的控制端電連接一第一掃描線，該第二開關(guān)的第二端及第四開關(guān)的第二端電連接該有機發(fā)光二極管的陽極端，該第三開關(guān)的第一端、第六開關(guān)的第二端及該驅(qū)動晶體管的控制端電連接于一第二節(jié)點，該第三開關(guān)的控制端及第四開關(guān)的控制端電連接于發(fā)射線，該第四開關(guān)的第一端、驅(qū)動晶體管的第二端及電容的第二端電連接于一第三節(jié)點，該第五開關(guān)的第二端電連接于一數(shù)據(jù)電壓，該第五開關(guān)的控制端及該第六開關(guān)的控制端電連接于一第二掃描線，該第六開關(guān)的第一端電連接于一維持電壓，該驅(qū)動晶體管的第一端電連結(jié)于一第一電源電壓。
[0016]本發(fā)明進一步的改進在于，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管都為N型薄膜晶體管。
[0017]本發(fā)明進一步的改進在于，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的控制端都為閘極端。
[0018]本發(fā)明進一步的改進在于，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的第一端都為源極端或汲極端、所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的第二端都為汲極端或源極端，且所述第二端不同于第一端。
[0019]有關(guān)本發(fā)明為達成上述目的，所采用的技術(shù)、手段及其它的功效，現(xiàn)舉一較佳可行實施例并配合附圖詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1A是現(xiàn)有的像素補償電路獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的局部示意圖。
[0021]圖1B是現(xiàn)有的臨界電壓Vth大于O時獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的方法示意圖。
[0022]圖1C是現(xiàn)有的臨界電壓Vth小于O時獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的方法示意圖。
[0023]圖2是本發(fā)明主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路的電路架構(gòu)圖。
[0024]圖3是本發(fā)明主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路的時序圖。
[0025]圖4A是本發(fā)明的像素補償電路獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的局部示意圖。
[0026]圖4B是本發(fā)明的臨界電壓Vth大于O時獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的方法示意圖。
[0027]圖4C是本發(fā)明的臨界電壓Vth小于O時獲取驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的方法示意圖。

【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖以及【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0029]參閱圖2所示，本發(fā)明實施例所提供的一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，主要由一有機發(fā)光二極管20及一驅(qū)動電路所組成，其中:
[0030]該有機發(fā)光二極管20，具有一陽極端21及一電連接一第二電源電壓VSS (即電源負端)的陰極端22。
[0031]該驅(qū)動電路，包括:一第一開關(guān)31 ;—第二開關(guān)32 ;—第三開關(guān)33 ;—第四開關(guān)34 ;一第五開關(guān)35 ;—第六開關(guān)36 ;—驅(qū)動晶體管40 ；以及一具有一第一電容端51及一第二電容端52的電容50 ；
[0032]其中，該第一、二、三、四、五、六開關(guān)31、32、33、34、35、36及該驅(qū)動晶體管40皆具有一第一端 311、321、331、341、351、361、41、一第二端 312、322、332、342、352、362、42 及一決定該第一端 311、321、331、341、351、361、41 及該第二端 312、322、332、342、352、362、42 是否導(dǎo)通的控制端313、323、333、343、353、363、43 ;本實施例中，該第一、二、三、四、五、六開關(guān)31、32、33、34、35、36及該驅(qū)動晶體管40都為N型薄膜晶體管，且該第一、二、三、四、五、六開關(guān)31、32、33、34、35、36及該驅(qū)動晶體管40的控制端313、323、333、343、353、363、43都為閘極端，而該第一、二、三、四、五、六開關(guān)31、32、33、34、35、36及該驅(qū)動晶體管40的第一端311、321、331、341、351、361、41都為源極端(或汲極端)，該第一、二、三、四、五、六開關(guān)31、32、33、34、35、36 及該驅(qū)動晶體管 40 的第二端 312、322、332、342、352、362、42 都為汲極端(或源極端)，且該第二端 312、322、332、342、352、362、42 不同于第一端 311、321、331、341、351、361、41。
[0033]該第一開關(guān)31的第一端311、第三開關(guān)33的第二端332、第五開關(guān)35的第一端351及電容50的第一電容端51電連接于一第一節(jié)點H)。
[0034]該第一開關(guān)31的第二端312及第二開關(guān)32的第一端321電連接一初始化電壓Vinit0
[0035]該第一開關(guān)31的控制端313及該第二開關(guān)32的控制端323電連接一第一掃描線Scan——η—I。
[0036]該第二開關(guān)32的第二端322及第四開關(guān)34的第二端342電連接該有機發(fā)光二極管20的陽極端21。
[0037]該第三開關(guān)33的第一端331、第六開關(guān)36的第二端362及該驅(qū)動晶體管40的控制端43電連接于一第二節(jié)點PG。
[0038]該第三開關(guān)33的控制端333及第四開關(guān)34的控制端343電連接于發(fā)射線Emit_η。
[0039]該第四開關(guān)34的第一端341、驅(qū)動晶體管40的第二端42及電容50的第二端52電連接于一第三節(jié)點PS。
[0040]該第五開關(guān)35的第二端352電連接于一數(shù)據(jù)電壓Vdata。
[0041]該第五開關(guān)35的控制端353及該第六開關(guān)36的控制端363電連接于一第二掃描線 Scan_n0
[0042]該第六開關(guān)36的第一端361電連接于一維持電壓VSUS。
[0043]該驅(qū)動晶體管40的第一端41電連結(jié)于一第一電源電壓VDD(即電源正端)。
[0044]以上所述即為本發(fā)明實施例各主要零件的組態(tài)說明。至于本發(fā)明的作動方式及其功效作以下說明。
[0045]參閱圖2、3所示，圖3為本發(fā)明實施例的時序圖，本發(fā)明像素電路架構(gòu)可分成三個狀態(tài)，分別由第一掃描線Scan-_n-l、第二掃描線Scan_n與發(fā)射線Emit_n來控制,并分別為在第一階段tl的重置(Reset)狀態(tài)、第二階段t2的補償(Compensat1n)狀態(tài)、以及第三階段t3的發(fā)射(Emiss1n)狀態(tài)。其中:
[0046]該第一階段tl的重置(Reset)狀態(tài):僅該第一掃描線Scan-_n_l為高電位，該第一開關(guān)31及第二開關(guān)32導(dǎo)通開啟，使該電容50及該有機發(fā)光二極管40寄生電容50中的儲存電荷一并被清除。
[0047]該第二階段t2的補償(Compensat1n)狀態(tài):僅該第二掃描線Scan_n為高電位，該第五開關(guān)35及第六開關(guān)36導(dǎo)通開啟，此時，第一節(jié)點H)的電壓為數(shù)據(jù)電壓Vdata,第二節(jié)點PG的電壓為維持電壓VSUS，第三節(jié)點PS的電壓為VSUS-Vth,該Vth為該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓，并對該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth進行讀取，該電容50第一、二電容端51、52的電壓為第一節(jié)點ro的電壓減第三節(jié)點PS的電壓，即Vdata-(VSUS-Vth)，此時，儲存于該電容50上的補償電壓已經(jīng)完全補償了該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth。
[0048]該第三階段t3的發(fā)射(Emiss1n)狀態(tài):僅該發(fā)射線Emit_n為高電位,該第三開關(guān)33及第四開關(guān)34導(dǎo)通開啟，使得流經(jīng)該驅(qū)動晶體管40及有機發(fā)光二極管20的電流皆由該電容50第一、二電容端51、52間的電壓Vdata-(VSUS-Vth)來控制。由于該第一掃描線Scan-_n_l及第二掃描線Scan_n皆為低電位，因此，該電容50第一、二電容端51、52的電壓不變(即Vdata-VSUS+Vth)，此時，流經(jīng)該驅(qū)動晶體管40及有機發(fā)光二極管20的電流I皆正比于(Vdata-VSUS+Vth-Vth)，Vth相互抵消之后，使得流經(jīng)該驅(qū)動晶體管40及有機發(fā)光二極管20的電流I為(Vdata-VSUS)，而與該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth變化無關(guān)，也就是該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth變化對于最終流經(jīng)該有機發(fā)光二極管20的電流I沒有影響。
[0049]據(jù)此，本發(fā)明確實可以補償驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth變異，讓流經(jīng)有機發(fā)光二極管20的電流I得到精確地控制，不受驅(qū)動晶體管40臨界電壓Vth的影響，以提升顯示器的亮度均勻性及穩(wěn)定性。
[0050]另外，如圖4A、4B、4C所不,本發(fā)明可以完全適用在空泛型(deplet1n mode)的驅(qū)動晶體管40(即氧化物薄膜晶體管TFT)，因此，在驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth大于O或小于O的狀態(tài)下，皆可獲得臨界電壓Vth，以進行補償。
[0051]值得一提的是，本發(fā)明所提供的一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，包含一有機發(fā)光二極管20及一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包含一初始化模塊、一信號電壓寫入模塊、及一發(fā)光顯示模塊，其特征在于:
[0052]該驅(qū)動電路更包含一閥值電壓補償模塊，該閥值電壓補償模塊包含一第六開關(guān)36及一驅(qū)動晶體管40，該第六開關(guān)36用以獲取該驅(qū)動晶體管40的臨界電壓Vth并進行該臨界電壓Vth變異的補償，使得該發(fā)光顯示模塊流經(jīng)該有機發(fā)光二極管20的電流I獲得精確地控制。
[0053]其中該初始化模塊包含該第一開關(guān)31及第二開關(guān)32 ;該信號電壓寫入模塊包含該第五開關(guān)35 ;該發(fā)光顯示模塊包含該第三開關(guān)33、第四開關(guān)34、及具有該第一電容端51及第二電容端52的電容50。
[0054]以上結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對本發(fā)明做出種種變化例。因而，實施例中的某些細節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，包含一有機發(fā)光二極管及一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包含一初始化模塊、一信號電壓寫入模塊、及一發(fā)光顯不模塊，其特征在于: 所述驅(qū)動電路還包含一閥值電壓補償模塊，該閥值電壓補償模塊包含一第六開關(guān)及一驅(qū)動晶體管，該第六開關(guān)用以獲取該驅(qū)動晶體管的臨界電壓并進行該臨界電壓變異的補償，使得該發(fā)光顯示模塊流經(jīng)該有機發(fā)光二極管的電流獲得精確地控制。
2.如權(quán)利要求1所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述初始化模塊包含一第一開關(guān)及一第二開關(guān)；該信號電壓寫入模塊包含一第五開關(guān)；該發(fā)光顯不模塊包含一第三開關(guān)、一第四開關(guān)、及一具有一第一電容端及一第二電容端的電容；該第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管皆具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導(dǎo)通的控制端，且該第一開關(guān)的第一端、第三開關(guān)的第二端、第五開關(guān)的第一端及電容的第一電容端電連接于一第一節(jié)點，該第一開關(guān)的第二端及第二開關(guān)的第一端電連接一初始化電壓，該第一開關(guān)的控制端及該第二開關(guān)的控制端電連接一第一掃描線，該第二開關(guān)的第二端及第四開關(guān)的第二端電連接該有機發(fā)光二極管的陽極端，該第三開關(guān)的第一端、第六開關(guān)的第二端及該驅(qū)動晶體管的控制端電連接于一第二節(jié)點，該第三開關(guān)的控制端及第四開關(guān)的控制端電連接于發(fā)射線，該第四開關(guān)的第一端、驅(qū)動晶體管的第二端及電容的第二端電連接于一第三節(jié)點，該第五開關(guān)的第二端電連接于一數(shù)據(jù)電壓，該第五開關(guān)的控制端及該第六開關(guān)的控制端電連接于一第二掃描線，該第六開關(guān)的第一端電連接于一維持電壓，該驅(qū)動晶體管的第一端電連結(jié)于一第一電源電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管皆為N型薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的控制端皆為閘極端。
5.如權(quán)利要求3所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的第一端皆為源極端或汲極端、該第一、二、三、四、五、六開關(guān)及該驅(qū)動晶體管的第二端皆為汲極端或源極端，且該第二端不同于第一端。
6.一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于包括: 一有機發(fā)光二極管，具有一陽極端及一電連接一第二電源電壓的陰極端；以及 一驅(qū)動電路，包括一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、一第三開關(guān)、一第四開關(guān)、一第五開關(guān)、一第六開關(guān)、一驅(qū)動晶體管、以及一具有一第一電容端及一第二電容端的電容； 其中，所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管都具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導(dǎo)通的控制端，且該第一開關(guān)的第一端、第三開關(guān)的第二端、第五開關(guān)的第一端及電容的第一電容端電連接于一第一節(jié)點，該第一開關(guān)的第二端及第二開關(guān)的第一端電連接一初始化電壓，該第一開關(guān)的控制端及該第二開關(guān)的控制端電連接一第一掃描線，該第二開關(guān)的第二端及第四開關(guān)的第二端電連接該有機發(fā)光二極管的陽極端，該第三開關(guān)的第一端、第六開關(guān)的第二端及該驅(qū)動晶體管的控制端電連接于一第二節(jié)點，該第三開關(guān)的控制端及第四開關(guān)的控制端電連接于發(fā)射線，該第四開關(guān)的第一端、驅(qū)動晶體管的第二端及電容的第二端電連接于一第三節(jié)點，該第五開關(guān)的第二端電連接于一數(shù)據(jù)電壓，該第五開關(guān)的控制端及該第六開關(guān)的控制端電連接于一第二掃描線，該第六開關(guān)的第一端電連接于一維持電壓，該驅(qū)動晶體管的第一端電連結(jié)于一第一電源電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管都為N型薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的控制端都為閘極端。
9.如權(quán)利要求7所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素電路，其特征在于:所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的第一端都為源極端或汲極端、所述第一、二、三、四、五、六開關(guān)及所述驅(qū)動晶體管的第二端都為汲極端或源極端，且所述第二端不同于第一端。
【文檔編號】G09G3/32GK104167173SQ201410376585
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】魯佳浩, 牟鑫 申請人:上海和輝光電有限公司