有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及顯示設(shè)備的像素電路的制作方法
【專利摘要】提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及顯示設(shè)備的像素電路。該有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括：基板；半導(dǎo)體層，被布置在該基板上，并且包括開關(guān)半導(dǎo)體層和連接至該開關(guān)半導(dǎo)體層的驅(qū)動半導(dǎo)體層；第一柵絕緣層，被布置在該半導(dǎo)體層上；開關(guān)柵電極和驅(qū)動?xùn)烹姌O，被布置在該第一柵絕緣層上并且分別與該開關(guān)半導(dǎo)體層和該驅(qū)動半導(dǎo)體層重疊；第二柵絕緣層，被布置在該開關(guān)柵電極和該驅(qū)動?xùn)烹姌O上；驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動電壓并且被布置在該第二柵絕緣層上；層間絕緣層，被布置在該驅(qū)動電壓線和該第二柵絕緣層上；以及數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信號并且被布置在該層間絕緣層上。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及顯示設(shè)備的像素電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括兩個電極以及介于這兩個電極之間的有機(jī)發(fā)射層，其 中從作為一個電極的陰極注入的電子與從作為另一電極的陽極注入的空穴在有機(jī)發(fā)射層 中彼此結(jié)合，以形成激子，并且當(dāng)激子釋放能量時發(fā)射光。
[0003] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個像素，多個像素包括由陰極、陽極和有機(jī)發(fā)射層 形成的有機(jī)發(fā)光二極管，并且用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的多個晶體管和存儲電容器形成在 每個像素中。多個晶體管包括開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管。
[0004] 當(dāng)從有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光被顯示時，該光根據(jù)流過有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電 流Id具有從黑色至白色的范圍，并且用于顯示黑色的柵電壓與用于顯示白色的柵電壓之 間的間隔被限定為柵電壓的驅(qū)動范圍。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率越高，每個像素的 尺寸就越小，因此每個像素的流動電流量降低，使得施加至開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管的柵 電極的柵電壓的驅(qū)動范圍變窄。因此，難以調(diào)整施加至驅(qū)動晶體管的柵電壓Vgs的幅度，來 確保大的灰度范圍。
[0005] 而且，隨著有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的分辨率變高，每個像素的尺寸縮小， 使得利用相同層形成的驅(qū)動電壓線與數(shù)據(jù)線之間的間隔縮短，于是在驅(qū)動電壓線與數(shù)據(jù)線 之間的短路可能容易產(chǎn)生，并且較短的距離易受顆粒的破壞。
[0006] 在此【背景技術(shù)】部分中公開的上述信息僅僅是為了加深對本發(fā)明背景的理解，因此 上述信息可包含不構(gòu)成在本國對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種通過利用不同層形成驅(qū)動電壓線和數(shù)據(jù)線來實(shí) 現(xiàn)高分辨率的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器。
[0008] 本發(fā)明的附加特征將在隨后的描述中闡述，并且部分地根據(jù)該描述將是明顯的， 或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐來領(lǐng)會。
[0009] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器，該顯示器包括： 基板；半導(dǎo)體層，被布置在所述基板上，并且包括開關(guān)半導(dǎo)體層和連接至所述開關(guān)半導(dǎo)體層 的驅(qū)動半導(dǎo)體層；第一柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上；開關(guān)柵電極和驅(qū)動?xùn)烹姌O，被 布置在所述第一柵絕緣層上并且分別與所述開關(guān)半導(dǎo)體層和所述驅(qū)動半導(dǎo)體層重疊；第二 柵絕緣層，被布置在所述開關(guān)柵電極和所述驅(qū)動?xùn)烹姌O上；驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動 電壓并且被布置在所述第二柵絕緣層上；層間絕緣層，被布置在所述驅(qū)動電壓線和所述第 二柵絕緣層上；以及數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信號并且被布置在所述層間絕緣層上。
[0010] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種0LED顯示器，包括：半導(dǎo)體層，被布置在所述基 板上，并且包括開關(guān)半導(dǎo)體層和連接至所述開關(guān)半導(dǎo)體層的驅(qū)動半導(dǎo)體層；柵絕緣層，被布 置在所述半導(dǎo)體層上；驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動電壓；數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信 號；以及層間絕緣層，將所述驅(qū)動電壓線與所述數(shù)據(jù)線間隔開，其中所述柵絕緣層支撐所述 驅(qū)動電壓線、所述數(shù)據(jù)線以及所述層間絕緣層。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過利用不同層形成所述驅(qū)動電壓線和所述數(shù)據(jù) 線，可以防止所述驅(qū)動電壓線與所述數(shù)據(jù)線之間的短路，從而實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過形成具有彎曲形狀的所述驅(qū)動半導(dǎo)體層，可以 在窄的空間中形成長的驅(qū)動半導(dǎo)體層，使得施加至所述驅(qū)動?xùn)烹姌O的柵電壓的驅(qū)動范圍可 以擴(kuò)大。因此，可以通過改變柵電壓的幅度更加精密地控制從有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)發(fā)射 的光的灰度，從而可以提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率并且改善顯示質(zhì)量。
[0013] 應(yīng)理解的是，上述一般性的描述以及下面的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并且 旨在提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 附圖，其被包括是為了提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且其并入此說明書中且構(gòu) 成此說明書的一部分，圖示了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的 原理。
[0015] 圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的一個像素 的示例性電路。
[0016] 圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的多個晶體 管和電容器的示意圖。
[0017] 圖3是圖2的詳細(xì)布局圖。
[0018] 圖4是沿線IV-IV截取的圖3的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的截面圖。
[0019] 圖5是沿線V-V'和V' -V' '截取的圖3的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的截面 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 在下文中，參照示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，本 發(fā)明可以采用許多不同的形式來具體實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所闡述的示例性實(shí) 施例。相反地，提供這些示例性實(shí)施例是為了使得本公開透徹，并且將充分地向本領(lǐng)域技術(shù) 人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在圖中，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸為了清楚起見可以被放大。圖 中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0021] 另外，為了更好地理解以及便于描述，圖中所示的每個結(jié)構(gòu)的尺寸和厚度被任意 示出，但本發(fā)明不限于此。
[0022] 在圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為了清楚起見被放大。在圖中，為了理解以及 便于描述，一些層和區(qū)域的厚度被放大。應(yīng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱 為在另一元件"上"時，該元件可以直接在另一元件上，或者中間元件也可以存在。
[0023] 另外，除非明確描述為相反，否則詞"包括"及其變體將被理解為暗含包括所論述 的元件，但不排除任意其它元件。應(yīng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱為在另 一元件"上"時，該元件可以直接在另一元件上，或者中間元件也可以存在，但本質(zhì)上并非指 基于重力方向位于對象部分的上側(cè)。
[0024] 此外，在說明書中，詞語"在平坦的表面上"是指從上方觀看對象部分時，而詞語 "在截面上"是指從側(cè)面觀看通過垂直切割對象部分所截取的截面時。
[0025] 將參照圖1、圖2、圖3、圖4以及圖5描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二 極管（0LED)顯示器。
[0026] 圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的一個像素 的示例性電路。
[0027] 如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的一個 像素1包括：多條信號線121、122、123、124、128、171和172,連接至多條信號線的多個晶體 管ΤΙ、T2、T3、T4、T5、T6和T7,存儲電容器（Cst)，以及有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)。
[0028] 晶體管包括驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作 控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6以及旁路晶體管T7。
[0029] 信號線包括傳輸掃描信號Sn的掃描線121、向初始化晶體管T4傳輸前一掃描信號 Sn-Ι的前一掃描線122、向操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6傳輸發(fā)光控制信號En 的發(fā)光控制線123、向驅(qū)動晶體管T1傳輸初始化電壓Vint的初始化電壓線124、向旁路晶 體管T7傳輸旁路信號BP的旁路控制線128、與掃描線121交叉并且傳輸數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù) 據(jù)線171、以及傳輸驅(qū)動電壓ELVDD并且平行于數(shù)據(jù)線171的驅(qū)動電壓線172。
[0030] 驅(qū)動晶體管T1的柵電極G1連接至存儲電容器Cst的一端Cstl，驅(qū)動晶體管T1的 源電極S1經(jīng)由操作控制晶體管T5連接至驅(qū)動電壓線172,并且驅(qū)動晶體管T1的漏電極D1 經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6電連接至有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的陽極。驅(qū)動晶體管T1根據(jù)開 關(guān)晶體管T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號Dm，以向有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)供應(yīng)驅(qū)動電流Id。
[0031] 開關(guān)晶體管T2的柵電極G2連接至掃描線121，開關(guān)晶體管T2的源電極S2連接 至數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)晶體管T2的漏電極D2經(jīng)由操作控制晶體管T5連接至驅(qū)動電壓線 172同時連接至驅(qū)動晶體管T1的源電極S1。開關(guān)晶體管T2根據(jù)通過掃描線121傳送的掃 描信號Sn導(dǎo)通，以執(zhí)行將傳送至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號Dm傳送至驅(qū)動晶體管T1的源電極 的開關(guān)操作。
[0032] 補(bǔ)償晶體管T3的柵電極G3連接至掃描線121，補(bǔ)償晶體管T3的源電極S3經(jīng)由發(fā) 光控制晶體管T6連接至有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的陽極同時連接至驅(qū)動晶體管T1的漏電 極D1，并且補(bǔ)償晶體管T3的漏電極D3連接至存儲電容器Cst的一端Cstl、初始化晶體管 T4的漏電極D4以及驅(qū)動晶體管T1的柵電極G1。補(bǔ)償晶體管T3根據(jù)通過掃描線121傳送 的掃描信號Sn導(dǎo)通，以將驅(qū)動晶體管T1的柵電極G1和漏電極D1彼此連接，因此執(zhí)行驅(qū)動 晶體管T1的二極管連接。
[0033] 初始化晶體管T4的柵電極G4連接至前一掃描線122,初始化晶體管T4的源電極 S4連接至初始化電壓線124,并且初始化晶體管T4的漏電極D4連接至存儲電容器Cst的 一端Cstl、補(bǔ)償晶體管T3的漏電極D3以及驅(qū)動晶體管的柵電極G1。初始化晶體管T4根 據(jù)通過前一掃描線122傳送的前一掃描信號Sn-Ι導(dǎo)通，以將初始化電壓Vint傳送至驅(qū)動 晶體管T1的柵電極G1，從而執(zhí)行用于初始化驅(qū)動晶體管T1的柵電極G1的電壓的初始化操 作。
[0034] 操作控制晶體管T5的柵電極G5連接至發(fā)光控制線123,操作控制晶體管T5的源 電極S5連接至驅(qū)動電壓線172,并且操作控制晶體管T5的漏電極D5連接至驅(qū)動晶體管ΤΙ 的源電極S1和開關(guān)晶體管Τ2的漏電極D2。
[0035] 發(fā)光控制晶體管Τ6的柵電極G6連接至發(fā)光控制線123,發(fā)光控制晶體管Τ6的源 電極S6連接至驅(qū)動晶體管Τ1的漏電極D1和補(bǔ)償晶體管Τ3的源電極S3,并且發(fā)光控制晶 體管Τ6的漏電極D6電連接至有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的陽極。操作控制晶體管Τ5和發(fā)光 控制晶體管Τ6根據(jù)通過發(fā)光控制線123傳送的發(fā)光控制信號Εη同時導(dǎo)通，以將驅(qū)動電壓 ELVDD傳送至有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)，從而允許驅(qū)動電流Id流入有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 中。
[0036] 旁路晶體管T7包括連接至旁路控制線128的柵電極G7、連接至發(fā)光控制晶體管 T6的漏電極D6和有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的陽極的源電極S7、以及連接至初始化電壓線 124和初始化晶體管T4的源電極S4的漏電極D7。
[0037] 存儲電容器Cst的另一端Cst2連接至驅(qū)動電壓線172,并且有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)的陰極連接至公共電壓ELVSS。因此，有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)從驅(qū)動晶體管T1接 收驅(qū)動電流Id來發(fā)光，從而顯示圖像。
[0038] 在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的一 個像素的操作過程。
[0039] 首先，在初始化時段期間，通過前一掃描線122供應(yīng)低電平的前一掃描信號Sn-1。 然后，初始化晶體管T4對應(yīng)于低電平的前一掃描信號Sn-1導(dǎo)通，并且初始化電壓Vint通 過初始化晶體管T4從初始化電壓線124被傳輸至驅(qū)動晶體管T1的柵電極，以通過初始化 電壓Vint初始化驅(qū)動晶體管T1。
[0040] 隨后，在數(shù)據(jù)編程時段期間，通過掃描線121供應(yīng)低電平的掃描信號Sn。然后，開 關(guān)晶體管T2和補(bǔ)償晶體管T3對應(yīng)于低電平的掃描信號Sn導(dǎo)通。
[0041] 在這種情況下，驅(qū)動晶體管T1通過導(dǎo)通的補(bǔ)償晶體管T3而以二極管形式連接，并 且正向偏置。
[0042] 然后，向驅(qū)動晶體管T1的柵電極施加通過從數(shù)據(jù)線171所供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號Dm中 減去驅(qū)動晶體管T1的閾值電壓Vth得到的補(bǔ)償電壓Dm+Vth(Vth是負(fù)值）。
[0043] 驅(qū)動電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓Dm+Vth被施加至存儲電容器Cst的兩端，并且與兩端 處的電壓之差相對應(yīng)的電荷被存儲在存儲電容器Cst中。之后，將在發(fā)光時段期間從發(fā)光 控制線123供應(yīng)的發(fā)光控制信號Εη的電平從高電平改變?yōu)榈碗娖?。然后，在發(fā)光時段期間， 操作控制晶體管Τ5和發(fā)光控制晶體管Τ6通過低電平的發(fā)光控制信號Εη導(dǎo)通。
[0044] 然后，根據(jù)驅(qū)動晶體管Τ1的柵電極的電壓與驅(qū)動電壓ELVDD之差生成驅(qū)動電流 Id，并且通過發(fā)光控制晶體管T6將驅(qū)動電流Id供應(yīng)至有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)。在發(fā)光時 段期間，通過存儲電容器Cst將驅(qū)動晶體管T1的柵-源電壓Vgs維持在（Dm+Vth)-ELVDD， 并且驅(qū)動電流Id根據(jù)驅(qū)動晶體管T1的電流-電壓關(guān)系與通過從源-柵電壓中減去閾值電 壓得到的值的平方（即（Dm-ELVDD) 2)成比例。從而，確定驅(qū)動電流Id，而不管驅(qū)動晶體管 T1的閾值電壓Vth。
[0045] 此時，旁路晶體管T7從旁路控制線128接收旁路信號BP。旁路信號BP是具有能 夠使旁路晶體管T7截止的預(yù)定電平的電壓，并且旁路晶體管T7將具有晶體管截止電平的 電壓傳輸至柵電極G7,使得旁路晶體管T7總是截止，并且驅(qū)動電流Id的一部分通過處于截 止?fàn)顟B(tài)的旁路晶體管T7被釋放為旁路電流Ibp。
[0046] 通過使用旁路晶體管實(shí)現(xiàn)了正確的黑色亮度圖像，從而提高了對比度。當(dāng)驅(qū)動晶 體管的用于顯示黑色圖像的最小電流作為驅(qū)動電流流動時，如果有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 發(fā)光，則通常不顯示黑色圖像。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 顯示器的旁路晶體管T7可以將驅(qū)動晶體管T1的最小電流的一部分作為旁路電流Ibp分散 至除有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)側(cè)處的電流路徑之外的另一電流路徑。驅(qū)動晶體管的最小電 流包括在驅(qū)動晶體管的柵-源電壓Vgs小于閾值電壓Vth使得驅(qū)動晶體管截止的條件下的 電流。在使驅(qū)動晶體管截止的條件下，最小驅(qū)動電流（例如小于10pA的電流）被傳輸至有 機(jī)發(fā)光二極管（0LED)，從而顯示黑色亮度的圖像。當(dāng)用于顯示黑色圖像的最小驅(qū)動電流流 動時，旁路電流Ibp的失真?zhèn)鬏數(shù)挠绊懯谴蟮?。?dāng)用于顯示諸如一般圖像或白色圖像之類 的圖像的驅(qū)動電流流動時，旁路電流Ibp的影響是小的。因此，當(dāng)驅(qū)動電流流動是用于顯示 黑色圖像時，有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的發(fā)光電流Ioled具有能夠毫無疑義地顯示黑色圖像 的最小電流量，其中有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的通過旁路晶體管T7從驅(qū)動電流Id釋放的旁 路電流Ibp的電流量減少。因此，通過使用旁路晶體管實(shí)現(xiàn)了正確的黑色亮度圖像，從而提 高了對比度。
[0047] 接下來，將參照圖2、圖3、圖4和圖5以及圖1詳細(xì)描述圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極 管（0LED)顯示器中的像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
[0048] 圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的多個晶體 管和電容器的示意圖，圖3是圖2的詳細(xì)布局圖，圖4是沿線IV-IV截取的圖3的有機(jī)發(fā)光 二極管（0LED)顯示器的截面圖，并且圖5是沿線V-V'和V' -V' '截取的圖3的有機(jī)發(fā)光二 極管（0LED)顯示器的截面圖。
[0049] 如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括分別 施加掃描信號Sn、前一掃描信號Sn-Ι、發(fā)光控制信號En以及旁路信號BP并且根據(jù)行方向 形成的掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123以及旁路控制線128,并且包括與掃描 線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123以及旁路控制線128相交并且向像素施加數(shù)據(jù)信 號Dm和驅(qū)動電壓ELVDD的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。初始化電壓Vint (參見圖1)通 過初始化電壓線124從有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)被傳輸至補(bǔ)償晶體管T3。
[0050] 像素還包括驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作 控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6、旁路晶體管T7、存儲電容器Cst以及有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)。
[0051] 驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體 管T5、發(fā)光控制晶體管T6和旁路晶體管T7根據(jù)半導(dǎo)體層131形成，并且半導(dǎo)體層131以 各種形狀彎曲。半導(dǎo)體層131可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體形成。氧化物半導(dǎo)體可以包 括具有作為基礎(chǔ)成分的鈦（Ti)、鉿（Hf)、鋯（Zr)、鋁（A1)、鉭（Ta)、鍺（Ge)、鋅（Zn)、鎵 (Ga)、錫（Sn)或銦（In)的氧化物以及這些基礎(chǔ)成分的復(fù)合氧化物中的任一種，復(fù)合氧化 物例如為鋅氧化物（ZnO)、銦鎵鋅氧化物（InGaZn04)、銦鋅氧化物（Ζη-Ιη-0)、鋅錫氧化 物（Zn-Sn-Ο)、銦鎵氧化物（Ιη-Ga-O)、銦錫氧化物（In-Sn-Ο)、銦鋯氧化物（Ιη-Zr-O)、銦 鋯鋅氧化物（Ιη-Zr-Zn-O)、銦鋯錫氧化物（In-Zr-Sn-Ο)、銦鋯鎵氧化物（In-Zr-Ga-0)、 銦鋁氧化物（Ιη-Α1-0)、銦鋅鋁氧化物（Ιη-Ζη-Α1-0)、銦錫鋁氧化物（In-Sn-Al-Ο)、銦鋁 鎵氧化物（In-Al-Ga-O)、銦鉭氧化物（In-Ta-O)、銦鉭鋅氧化物（In-Ta-Zn-O)、銦鉭錫氧 化物（In-Ta-Sn-O)、銦鉭鎵氧化物（In-Ta-Ga-O)、銦鍺氧化物（In-Ge-O)、銦鍺鋅氧化物 (In-Ge-Zn-O)、銦鍺錫氧化物（In-Ge-Sn-O)、銦鍺鎵氧化物（In-Ge-Ga-O)、鈦銦鋅氧化物 (Ti-In-Zn-O)以及鉿銦鋅氧化物（Hf-In-Zn-O)。在半導(dǎo)體層131由氧化物半導(dǎo)體形成的 情況下，由于半導(dǎo)體層131可能相對外部環(huán)境（如高溫）脆弱，因此可以添加單獨(dú)的保護(hù)層 來保護(hù)氧化物半導(dǎo)體。
[0052] 半導(dǎo)體層131包括溝道區(qū)以及源區(qū)和漏區(qū)，其中溝道區(qū)經(jīng)受N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì) 的溝道摻雜，源區(qū)和漏區(qū)形成在溝道區(qū)的相應(yīng)側(cè)，并且通過摻入具有與在溝道區(qū)中摻入的 摻雜雜質(zhì)相反的類型的摻雜雜質(zhì)來形成。
[0053] 在下文中，將首先參照圖2和圖3詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器的平坦表面型結(jié)構(gòu)，并且將參照圖4和圖5詳細(xì)描述其層疊結(jié)構(gòu)。
[0054] 首先，如圖2和圖3所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯 示器的像素1包括驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作 控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6、旁路晶體管T7、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)。晶體管1'1、了2、了3、了435、了6和了7根據(jù)半導(dǎo)體層131形成。半導(dǎo)體層131包括 ： 形成在驅(qū)動晶體管T1處的驅(qū)動半導(dǎo)體層131a，形成在開關(guān)晶體管T2處的開關(guān)半導(dǎo)體層 131b，形成在補(bǔ)償晶體管T3處的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c，形成在初始化晶體管T4處的初始化半 導(dǎo)體層131d，形成在操作控制晶體管T5處的操作控制半導(dǎo)體層131e，形成在發(fā)光控制晶體 管T6處的發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f，以及形成在旁路晶體管T7處的旁路半導(dǎo)體層131g。
[0055] 驅(qū)動晶體管T1包括驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動源電極176a和驅(qū) 動漏電極177a。
[0056] 驅(qū)動半導(dǎo)體層131a是彎曲的，其可以具有鋸齒形狀，并且可以被布置有"5"的形 狀。如上所述，通過形成彎曲形狀的驅(qū)動半導(dǎo)體層131a，可以在窄的空間中形成長的驅(qū)動半 導(dǎo)體層131a。因此，驅(qū)動半導(dǎo)體層131a的長驅(qū)動溝道區(qū)131al (圖4)可以被形成為使得施 加至驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的柵電壓的驅(qū)動范圍加寬。因此，由于柵電壓的驅(qū)動范圍是寬的，因 此可以通過改變柵電壓的幅度來更加精密地控制從有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)發(fā)射的光的灰 度，從而可以提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率并且改善顯示質(zhì)量。通過改變驅(qū)動半導(dǎo) 體層131a的形狀，"己"、"5"、1"以及"1"形狀的各種示例性實(shí)施例是可能的。
[0057] 驅(qū)動源電極176a對應(yīng)于驅(qū)動半導(dǎo)體層131a中摻入有雜質(zhì)的驅(qū)動源區(qū)131a2,并且 驅(qū)動漏電極177a對應(yīng)于驅(qū)動半導(dǎo)體層131a中摻入有雜質(zhì)的驅(qū)動漏區(qū)131a3。驅(qū)動?xùn)烹姌O 125a與驅(qū)動半導(dǎo)體層131a重疊，并且驅(qū)動?xùn)烹姌O125a利用與掃描線121、前一掃描線122、 發(fā)光控制線123、開關(guān)柵電極125b、補(bǔ)償柵電極125c、初始化柵電極125d、操作控制柵電極 125e以及發(fā)光控制柵電極125f相同的層形成。
[0058] 開關(guān)晶體管T2包括開關(guān)半導(dǎo)體層131b、開關(guān)柵電極125b、開關(guān)源電極176b和開 關(guān)漏電極177b。作為數(shù)據(jù)線171 -部分的開關(guān)源電極176b通過接觸孔62連接至開關(guān)半導(dǎo) 體層131b且同時連接至數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)漏電極177b對應(yīng)于開關(guān)半導(dǎo)體層131b中摻 入有雜質(zhì)的開關(guān)漏區(qū)131b3。
[0059] 補(bǔ)償晶體管T3包括補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c、補(bǔ)償柵電極125c、補(bǔ)償源電極176c和 補(bǔ)償漏電極177c，補(bǔ)償源電極176c對應(yīng)于補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c中摻入有雜質(zhì)的補(bǔ)償源區(qū) 13lc2,并且補(bǔ)償漏電極177c對應(yīng)于摻入有雜質(zhì)的補(bǔ)償漏區(qū)13lc3。
[0060] 初始化晶體管T4包括初始化半導(dǎo)體層131d、初始化柵電極125d、初始化源電極 176d和初始化漏電極177d。初始化源電極176d對應(yīng)于摻入有雜質(zhì)的初始化源區(qū)131d2,并 且初始化漏電極177d對應(yīng)于摻入有雜質(zhì)的初始化漏區(qū)131d3。
[0061] 操作控制晶體管T5包括操作控制半導(dǎo)體層131e、操作控制柵電極125e、操作控制 源電極176e和操作控制漏電極177e。作為驅(qū)動電壓線172-部分的操作控制源電極176e 通過接觸孔65連接至操作控制半導(dǎo)體層131e，并且操作控制漏電極177e對應(yīng)于操作控制 半導(dǎo)體層131e中摻入有雜質(zhì)的操作控制漏區(qū)。
[0062] 發(fā)光控制晶體管T6包括發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f、發(fā)光控制柵電極125f、發(fā)光控制 源電極176f和發(fā)光控制漏電極177f。發(fā)光控制源電極176f對應(yīng)于發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f 中摻入有雜質(zhì)的發(fā)光控制源區(qū)131f2,并且發(fā)光控制漏電極177f通過接觸孔66連接至發(fā)光 控制半導(dǎo)體層131f。
[0063] 旁路晶體管T7包括旁路半導(dǎo)體層131g、旁路柵電極125g、旁路源電極176g以及 旁路漏電極177g。旁路源電極176g對應(yīng)于旁路半導(dǎo)體層131g中摻入有雜質(zhì)的旁路源區(qū) 131g2,并且旁路漏電極177g對應(yīng)于旁路半導(dǎo)體層131g中摻入有雜質(zhì)的旁路漏區(qū)131g3。 旁路源電極176g直接連接至發(fā)光控制漏區(qū)131f3。
[0064] 驅(qū)動晶體管T1的驅(qū)動半導(dǎo)體層131a的一端連接至開關(guān)半導(dǎo)體層131b和補(bǔ)償半 導(dǎo)體層131c，并且驅(qū)動半導(dǎo)體層131a的另一端連接至操作控制半導(dǎo)體層131e和發(fā)光控制 半導(dǎo)體層131f。因此，驅(qū)動源電極176a連接至開關(guān)漏電極177b和操作控制漏電極177e， 并且驅(qū)動漏電極177a連接至補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f。
[0065] 存儲電容器Cst包括經(jīng)由第二柵絕緣層142而布置的第一存儲電極125a和第二 存儲電極179,第二柵絕緣層142介入在第一存儲電極125a和第二存儲電極179之間。第 一存儲電容板（第一存儲電極）125a是驅(qū)動?xùn)烹姌O125a，并且第二存儲電容板（第二存儲 電極）179是驅(qū)動電壓線172的延長（enlarged)部分。在這里，第二柵絕緣層142成為介 電材料，并且存儲電容由在存儲電容器Cst中充入的電荷以及兩個電容板125a與179之間 的電壓來確定。
[0066] 作為驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的第一存儲電容板125a穿過形成在第二存儲電容板179處 的電容開口 68,并且通過形成在第二柵絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔61連接至 連接件174。連接件174與數(shù)據(jù)線171平行且由與數(shù)據(jù)線171相同的層形成，并且連接驅(qū)動 柵電極125a與補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c。
[0067] 連接件174通過形成在第一柵絕緣層141、第二柵絕緣層142以及層間絕緣層160 中的接觸孔63連接至補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c。
[0068] 因此，存儲電容器Cst存儲與通過驅(qū)動電壓線172傳輸至第二存儲電容板179的 驅(qū)動電壓ELVDD和驅(qū)動?xùn)烹姌O125a的柵電壓之差相對應(yīng)的存儲電容。
[0069] 開關(guān)晶體管T2被用作用于選擇要發(fā)光的像素的開關(guān)元件。開關(guān)柵電極125b連接 至掃描線121，開關(guān)源電極176b連接至數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)漏電極177b連接至驅(qū)動晶體 管T1和操作控制晶體管T5。發(fā)光控制晶體管T6的發(fā)光控制漏電極177f直接連接至有機(jī) 發(fā)光二極管70的像素電極191。
[0070] 在下文中，參照圖4和圖5,將根據(jù)層疊順序詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)。
[0071] 晶體管的結(jié)構(gòu)將基于驅(qū)動晶體管T1、開關(guān)晶體管T2和發(fā)光控制晶體管T6來描述。 補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4以及旁路晶體管T7與開關(guān)晶體管T2的沉積結(jié)構(gòu)相同，并 且操作控制晶體管T5與發(fā)光控制晶體管T6的沉積結(jié)構(gòu)相同，因此省略它們的詳細(xì)描述。
[0072] 緩沖層120形成在基板110上，并且基板110由絕緣基板形成，其中絕緣基板由玻 璃、石英、陶瓷、塑料等制成。
[0073] 驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b和發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f形成在緩沖層 120 上。
[0074] 驅(qū)動半導(dǎo)體層131a包括驅(qū)動溝道區(qū)131al以及面向彼此的驅(qū)動源區(qū)131a2和驅(qū) 動漏區(qū)131a3,其中驅(qū)動溝道區(qū)131al介于驅(qū)動源區(qū)131a2與驅(qū)動漏區(qū)131a3之間，開關(guān)半 導(dǎo)體層131b包括開關(guān)溝道區(qū)131bl以及面向彼此的開關(guān)源區(qū)131b2和開關(guān)漏區(qū)131b3,其 中開關(guān)溝道區(qū)131bl介于開關(guān)源區(qū)131b2與開關(guān)漏區(qū)131b3之間，并且發(fā)光控制晶體管T6 包括發(fā)光控制溝道區(qū)131Π 、發(fā)光控制源區(qū)131f2和發(fā)光控制漏區(qū)131f3。
[0075] 第一柵絕緣層141形成在驅(qū)動半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b和發(fā)光控制半導(dǎo) 體層131f上。在第一柵絕緣層141上，形成有包括掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制 線123、以及驅(qū)動?xùn)烹姌O（第一存儲電容板）125a的柵極引線121 (參見圖1)、122、123 (參 見圖1)、125a、125b和125f，其中掃描線121包括開關(guān)柵電極125b，發(fā)光控制線123包括發(fā) 光控制柵電極125f。
[0076] 第二柵絕緣層142形成在柵極引線121、122、123、125a、125b和125f以及第一柵 絕緣層141上。第一柵絕緣層141和第二柵絕緣層142由硅氮化物（SiNx)或硅氧化物 (Si02)形成。
[0077] 包括第二存儲電容板179 (圖4)的驅(qū)動電壓線172形成在第二柵絕緣層142上。 層間絕緣層160形成在第二柵絕緣層142和驅(qū)動電壓線172上。層間絕緣層160可以由諸 如硅氮化物（SiN x)或硅氧化硅（Si02)之類的基于陶瓷的材料制成。
[0078] 在層間絕緣層160上，形成有包括數(shù)據(jù)線171、發(fā)光控制漏電極177f和初始化電壓 線124的數(shù)據(jù)引線171、176b、177f和124,其中數(shù)據(jù)線171包括開關(guān)源電極176b。
[0079] 如上所述，通過利用不同層形成驅(qū)動電壓線172和數(shù)據(jù)線171，可以防止驅(qū)動電壓 線172與數(shù)據(jù)線171之間的短路，從而實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0080] 開關(guān)源電極176b通過形成在層間絕緣層160、第一柵絕緣層141和第二柵絕緣 層142中的接觸孔62連接至開關(guān)半導(dǎo)體層131b，發(fā)光控制漏電極177f通過形成在第一柵 絕緣層141、第二柵絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔66連接至發(fā)光控制半導(dǎo)體層 131f，并且初始化電壓線124通過形成在第一柵絕緣層141、第二柵絕緣層142和層間絕緣 層160中的接觸孔64 (也參見圖3)連接至半導(dǎo)體層131。
[0081] 覆蓋數(shù)據(jù)引線171、176b、177f和124的保護(hù)層180形成在層間絕緣層160上，并 且像素電極191形成在保護(hù)層180上。像素電極191通過形成在保護(hù)層180中的接觸孔 81 (也參見圖3)連接至發(fā)光控制漏電極177f，并且初始化電壓線124通過形成在保護(hù)層 180中的接觸孔82 (也參見圖3)連接至像素電極191。
[0082] 障壁350形成在像素電極191和保護(hù)層180的邊緣上，并且障壁350具有障壁開 口 351，像素電極191通過障壁開口 351被暴露。障壁350可以由諸如聚丙烯酸酯和聚酰亞 胺之類的樹脂或硅類無機(jī)材料制成。
[0083] 有機(jī)發(fā)射層370形成在通過障壁開口 351暴露的像素電極191上，并且公共電極 270形成在有機(jī)發(fā)射層370上。包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和公共電極270的有機(jī) 發(fā)光二極管70被形成，如上所述。
[0084] 在本文中，像素電極191是作為空穴注入電極的陽極，而公共電極270是作為電子 注入電極的陰極。然而，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例并不限于此，并且根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管 顯示器的驅(qū)動方法，像素電極191可以是陰極，而公共電極270可以是陽極?？昭ê碗娮訌?像素電極191和公共電極270注入有機(jī)發(fā)射層370內(nèi)，并且當(dāng)由所注入的空穴和電子的結(jié) 合形成的激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時，發(fā)出光。
[0085] 有機(jī)發(fā)射層370由低分子量有機(jī)材料或諸如PED0T (聚（3, 4-乙撐-二氧噻吩）） 之類的高分子量有機(jī)材料制成。此外，有機(jī)發(fā)射層370可以由包括發(fā)射層、空穴注入層HIL、 空穴傳輸層HTL、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL中的一個或多個的多層形成。在包括所 有這些層的情況下，空穴注入層HIL被布置在作為陽極的像素電極191上，并且空穴傳輸層 HTL、發(fā)射層、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL被順序?qū)盈B在空穴注入層HIL上。
[0086] 有機(jī)發(fā)射層370可以包括：發(fā)射具有紅色的光的紅色有機(jī)發(fā)射層、發(fā)射具有綠色 的光的綠色有機(jī)發(fā)射層以及發(fā)射具有藍(lán)色的光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層，并且紅色有機(jī)發(fā)射層、 綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層分別形成在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中，以實(shí)現(xiàn) 彩色圖像。
[0087] 此外，有機(jī)發(fā)射層370可以通過在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中同時層疊紅 色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層中的全部并且針對每個像素形成紅色濾 光器、綠色濾光器和藍(lán)色濾光器，來實(shí)現(xiàn)彩色圖像。作為另一示例，發(fā)射具有白色的光的白 色有機(jī)發(fā)射層可以形成在紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的全部中，并且紅色濾光器、綠色 濾光器和藍(lán)色濾光器可以針對每個像素形成來實(shí)現(xiàn)彩色圖像。在彩色圖像通過使用白色有 機(jī)發(fā)射層和彩色濾光器實(shí)現(xiàn)的情況中，可以不使用用于在每個像素，即紅色像素、綠色像素 和藍(lán)色像素上沉積紅色有機(jī)發(fā)射層、綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層的沉積掩膜。
[0088] 在另一示例中描述的白色有機(jī)發(fā)射層可以由一個有機(jī)發(fā)射層形成，并且包括其中 多個有機(jī)發(fā)射層被層疊來發(fā)射具有白色的光的構(gòu)造。例如，可以包括如下構(gòu)造：至少一個黃 色有機(jī)發(fā)射層和至少一個藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層被結(jié)合來發(fā)射具有白色的光的構(gòu)造，至少一個青 色有機(jī)發(fā)射層和至少一個紅色有機(jī)發(fā)射層被結(jié)合來發(fā)射具有白色的光的構(gòu)造，至少一個品 紅色有機(jī)發(fā)射層和至少一個綠色有機(jī)發(fā)射層被結(jié)合來發(fā)射具有白色的光的構(gòu)造。
[0089] 用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管70的密封件（未示出）可以形成在公共電極270上，可 以通過密封劑密封在基板110上，并且可以由諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金屬之類的各 種材料形成。同時，密封薄膜層可以通過在公共電極270上沉積無機(jī)層和有機(jī)層而不使用 密封劑來形成。
[0090] 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，可以在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下 在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和改變。因此，假如本發(fā)明的修改和改變落入所附權(quán)利要求及其 等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明旨在覆蓋這些修改和改變。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括： 基板； 半導(dǎo)體層，被布置在所述基板上，并且包括開關(guān)半導(dǎo)體層和連接至所述開關(guān)半導(dǎo)體層 的驅(qū)動半導(dǎo)體層； 第一柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上； 開關(guān)柵電極和驅(qū)動?xùn)烹姌O，被布置在所述第一柵絕緣層上，并且分別與所述開關(guān)半導(dǎo) 體層和所述驅(qū)動半導(dǎo)體層重疊； 第二柵絕緣層，被布置在所述開關(guān)柵電極和所述驅(qū)動?xùn)烹姌O上； 驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動電壓并且被布置在所述第二柵絕緣層上； 層間絕緣層，被布置在所述驅(qū)動電壓線和所述第二柵絕緣層上；以及 數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信號并且被布置在所述層間絕緣層上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 存儲電容器，與所述驅(qū)動?xùn)烹姌O重疊， 其中所述存儲電容器包括作為所述驅(qū)動?xùn)烹姌O的第一存儲電容板，和 與所述第一存儲電容板重疊并且被布置在所述第二柵絕緣層上的第二存儲電容板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述第二存儲電容板包括所述驅(qū)動電壓線的延長部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述驅(qū)動半導(dǎo)體層是彎曲的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 補(bǔ)償晶體管，被配置為補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的閾值電壓并且連接至所述驅(qū)動晶體管；和 連接件，由與所述數(shù)據(jù)線相同的層形成，并且連接所述驅(qū)動?xùn)烹姌O與所述補(bǔ)償晶體管 的補(bǔ)償半導(dǎo)體層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述驅(qū)動?xùn)烹姌O通過被布置在電容開口中的接觸孔連接至所述連接件，所述電容開口 被布置在所述第二存儲電容板、所述第二柵絕緣層以及所述層間絕緣層中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 保護(hù)層，被布置在所述層間絕緣層和所述數(shù)據(jù)線上；和 有機(jī)發(fā)光二極管，被布置在所述保護(hù)層上。
8. -種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括： 半導(dǎo)體層，包括開關(guān)半導(dǎo)體層和連接至所述開關(guān)半導(dǎo)體層的驅(qū)動半導(dǎo)體層； 柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上； 驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動電壓； 數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信號；以及 層間絕緣層，將所述驅(qū)動電壓線與所述數(shù)據(jù)線間隔開， 其中所述柵絕緣層支撐所述驅(qū)動電壓線、所述數(shù)據(jù)線以及所述層間絕緣層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 用于支撐所述半導(dǎo)體層的基板。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述層間絕緣層被布置在所 述驅(qū)動電壓線上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述層間絕緣層被布置在所 述數(shù)據(jù)線下方。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述驅(qū)動電壓線包括用于形成存儲電容板的延長部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述驅(qū)動半導(dǎo)體層是彎曲的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 開關(guān)柵電極，被布置在所述柵絕緣層上與所述開關(guān)半導(dǎo)體層重疊；和 驅(qū)動?xùn)烹姌O，被布置在所述柵絕緣層上與所述驅(qū)動半導(dǎo)體層重疊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 第二柵絕緣層，被布置在所述開關(guān)柵電極和所述驅(qū)動?xùn)烹姌O上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 補(bǔ)償晶體管，被配置為補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的閾值電壓并且連接至所述驅(qū)動晶體管；和 連接件，連接所述驅(qū)動?xùn)烹姌O與所述補(bǔ)償晶體管的所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層，其中所述連接 件由與所述數(shù)據(jù)線相同的層形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括： 保護(hù)層，被布置在所述層間絕緣層和所述數(shù)據(jù)線上；和 有機(jī)發(fā)光二極管，被布置在所述保護(hù)層上。
18. -種顯示設(shè)備的像素電路，所述像素電路包括： 半導(dǎo)體層，包括驅(qū)動半導(dǎo)體層、開關(guān)半導(dǎo)體層、補(bǔ)償半導(dǎo)體層、操作控制半導(dǎo)體層以及 發(fā)光控制半導(dǎo)體層，使得所述驅(qū)動半導(dǎo)體層經(jīng)由所述半導(dǎo)體層連接至所述開關(guān)半導(dǎo)體層、 所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層、所述操作控制半導(dǎo)體層以及所述發(fā)光控制半導(dǎo)體層中的每一個； 柵絕緣層，被布置在所述半導(dǎo)體層上； 驅(qū)動電壓線，被配置為傳輸驅(qū)動電壓； 數(shù)據(jù)線，被配置為傳輸數(shù)據(jù)信號；以及 層間絕緣層，被布置在所述驅(qū)動電壓線與所述數(shù)據(jù)線之間， 其中所述驅(qū)動半導(dǎo)體層具有彎曲形狀。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中所述層間絕緣層被直接布置在所述驅(qū)動電 壓線上，并且所述數(shù)據(jù)線被直接布置在所述層間絕緣層上。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中所述半導(dǎo)體層進(jìn)一步包括初始化半導(dǎo)體層 和旁路半導(dǎo)體層，所述初始化半導(dǎo)體層連接所述旁路半導(dǎo)體層與所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層。
【文檔編號】G09G3/32GK104217675SQ201410240276
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】陳旻炫 申請人:三星顯示有限公司