El顯示裝置及其制造方法
El顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種EL顯示裝置及其制造方法。EL顯示裝置具備EL顯示面板，所述EL顯示面板具備多個具有EL元件的像素。像素具有向EL元件(12)供給電流的驅(qū)動用晶體管(11a)、第1開關(guān)用晶體管(11d)、向像素供給圖像信號的第2開關(guān)用晶體管(11b、11c、11e)。而且，具備：與像素(10)一起形成并配置在EL顯示面板上的柵極驅(qū)動電路(16)和與柵極信號線(17a、17b、17c)進行外部連接的柵極驅(qū)動IC(15)。柵極驅(qū)動電路(16)與第1開關(guān)用晶體管(11d)的柵極端子連接，柵極驅(qū)動IC(15)與第2開關(guān)用晶體管(11b、11c、11e)的柵極端子連接。
【專利說明】EL顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種呈矩陣狀配置有電致發(fā)光（以下稱為EL)元件的EL顯示裝置及 其制造方法，所述電致發(fā)光元件使用了有機材料等作為發(fā)光材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 呈矩陣狀地具備有機EL元件的有源矩陣型EL顯示裝置被用作智能手機等的顯示 裝置，并正被商品化。另外，近年來，EL顯示面板正朝向大型化推進開發(fā)。
[0003] 如專利文獻1、2、3所示，該EL顯示裝置為了構(gòu)成像素而需要多個晶體管,也需要 多條控制晶體管的柵極信號線。因此，與液晶顯示面板相比，像素結(jié)構(gòu)復(fù)雜且驅(qū)動方法也復(fù) 雜。
[0004] 在先技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻1 :日本特開2005-164892號公報
[0006] 專利文獻2 :日本特開2001-60076號公報
[0007] 專利文獻3 :日本特開2007-225928號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 本發(fā)明的EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀配置多個像素的顯示區(qū) 域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與像素連接的源極信號線而供給圖像信 號；以及柵極驅(qū)動電路，通過與像素連接的柵極信號線而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素 具有：驅(qū)動用晶體管，其向EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與驅(qū)動用晶體管連接并 控制供給至EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與源極信號線連接并向像素供給圖 像信號。進一步，柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與像素一起形成并配置于ELS 示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與EL顯示面板的柵極信號線進行外部連接。第1柵極 驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連接，第2柵極驅(qū)動電路 經(jīng)由柵極信號線與像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連接。
[0009] 另外，本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法中，EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具 備呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與 像素連接的源極信號線而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與像素連接的柵極信 號線而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向EL元件供給電流；第1 開關(guān)用晶體管，其與驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體 管，其與源極信號線連接并向像素供給圖像信號。進一步，柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū) 動電路，其與像素一起形成并配置于EL顯示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與EL顯示面 板的柵極信號線進行外部連接。第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第1開關(guān)用晶 體管的柵極端子連接，第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第2開關(guān)用晶體管的柵 極端子連接。在EL顯示面板上還形成有測試電路，所述測試電路通過源極信號線向像素供 給測試信號。在進行向EL顯示面板的像素供給測試信號的檢查之后，從EL顯示面板分離 測試電路。
[0010] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠針對構(gòu)成像素的多個晶體管分別最適合地實現(xiàn)導(dǎo)通截止控制， 所以能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)容易檢查的EL顯示裝置。另外，檢查面板時，能夠迅速地實施 檢查。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 圖1是一實施方式中的EL顯示裝置的像素的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0012] 圖2A是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的初始動作說明圖。
[0013] 圖2B是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的復(fù)位動作說明圖。
[0014] 圖2C是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的編程（program，程 序化）動作說明圖。
[0015] 圖2D是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的發(fā)光動作說明圖。
[0016] 圖3是表示一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的一例的剖視圖。
[0017] 圖4是表示一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的另一例的剖視圖。
[0018] 圖5是表示一實施方式中的EL顯示裝置的柵極信號線的連接狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。 [0019] 圖6是一實施方式中的EL顯示裝置的內(nèi)置柵極驅(qū)動電路側(cè)的結(jié)構(gòu)圖。
[0020] 圖7是表示延遲時間偏差（虛線）與延遲時間比（實線）的關(guān)系的圖。
[0021] 圖8是表示一實施方式中的EL顯示裝置的測試電路的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0022] 圖9是一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的檢查方法的說明圖。
[0023] 圖10是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的圖。
[0024] 圖11是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的其他例子的圖。
[0025] 圖12是表示一實施方式中的EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0026] 標(biāo)號說明
[0027] 1 :EL顯示面板
[0028] 10 :像素
[0029] ll、lla、llb、llc、lld、lle、llf :晶體管
[0030] 12 :EL 元件
[0031] 13、13a、13b、13c、13d、13e :電容器
[0032] 14 :源極驅(qū)動1C
[0033] 15 :柵極驅(qū)動1C
[0034] 16:柵極驅(qū)動電路
[0035] 17、17a、17b、17c、17d、17e :柵極信號線
[0036] 18 :源極信號線
[0037] 19 :柔性基板（C0F)
[0038] 23 :柔性基板（C0F)
[0039] 26 :柔性基板（C0F)
[0040] 20:測試電路
【具體實施方式】
[0041] 以下，使用【專利附圖】
【附圖說明】一實施方式中的信息顯示裝置。
[0042] 圖1是一實施方式中的EL顯示裝置的像素的概略結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖1中，僅示 出了 EL顯示裝置的主要部分。
[0043] 如圖1所示，EL顯示裝置包括EL顯示面板1和裝載了驅(qū)動電路的布線基板。EL 顯示面板1為在顯示區(qū)域呈矩陣狀地配置了具有EL元件的多個像素的結(jié)構(gòu)。
[0044] 首先，說明像素的結(jié)構(gòu)。一個像素10具有如下結(jié)構(gòu)：在p溝道的驅(qū)動用晶體管11a 的漏極端子上連接有開關(guān)用晶體管lid的源極端子，在晶體管lid的漏極端子上連接有EL 元件12的陽極端子。晶體管llb、llc、lle、llf是設(shè)于像素10的其他開關(guān)用晶體管，另外， 電容器13a、13b、13c、13d、13e是用于控制晶體管11a?Ilf的導(dǎo)通截止（ON、OFF)的電容 器。
[0045] 另外，在EL元件12的陰極端子上施加有陰極電壓Vss，在晶體管11a的源極端子 上，從EL顯示裝置的陽電極施加有陽極電壓Vdd，這些陽極電壓Vdd和陰極電壓Vss設(shè)定為 陽極電壓Vdd>陰極電壓Vss的關(guān)系。
[0046] 另外，驅(qū)動電路具有：作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動IC14、作為柵極驅(qū)動電路的 柵極驅(qū)動IC15以及內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16。源極驅(qū)動IC14、柵極驅(qū)動 IC15、柵極驅(qū)動電路16以及像素10經(jīng)由柵極信號線17(17a、17b、17c、17d、17e)和源極信 號線18電連接。另外，具有端子電極16a的柵極驅(qū)動電路16通過與像素10 -起形成并配 置于EL顯示面板1，從而內(nèi)置于EL顯示面板1，所述端子電極16a連接?xùn)艠O信號線17d。即， 使用EL顯示面板1的像素10的晶體管制造工藝而同時形成。另一方面，在具有連接了柵 極信號線17a、17b、17c、17e的端子電極19a的作為布線基板的柔性基板（以下稱為C0F) 19 上裝載有柵極驅(qū)動IC15,柵極驅(qū)動IC15經(jīng)由該C0F19與EL顯示面板1的柵極信號線17a、 17b、17c、17e進行外部（externally)連接（外部方式的連接）。此外，柵極驅(qū)動IC15也可 以直接與EL顯示面板1的連接端子進行外部連接來進行裝載，而不使用C0F19。
[0047] 柵極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16可以用高溫多晶硅、低溫多晶硅、連續(xù)晶粒硅 (Continuous Grain Silicon)、透明非晶（無定形）氧化物半導(dǎo)體、非晶娃等的任一種方法 來形成。另外，如后所述，柵極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16具有用于依次向柵極信號線17 供給信號的移位寄存器電路和緩沖電路。通過使移位寄存器電路的掃描方向反轉(zhuǎn)，能夠上 下反轉(zhuǎn)地顯示EL顯示面板1的顯示畫面。
[0048] 此外，在圖1中，20是測試電路，配置在EL顯示面板1的外部，并與源極信號線18 電連接。另外，在EL顯示面板1的制造工序中，該測試電路20在檢查面板后分離。
[0049] 如圖1所示，在被供給控制像素10的發(fā)光的選擇/非選擇的信號的柵極信號線 中，當(dāng)向柵極信號線17d(Gd)施加導(dǎo)通（0N)電壓時，晶體管lid導(dǎo)通，來自晶體管11a的發(fā) 光電流被供給至EL元件12，EL元件12基于發(fā)光電流的大小而進行發(fā)光。發(fā)光電流的大小 通過將施加于源極信號線18的圖像信號通過開關(guān)用晶體管lib施加于像素10來決定。
[0050] 即，在晶體管11a的柵極端子與漏極端子間連接有晶體管lib的源極端子和漏極 端子，通過向柵極信號線17b (Gb)施加導(dǎo)通電壓，從而使晶體管11a的柵極端子與漏極端子 間短路（連接）。在晶體管11a的柵極端子上連接有電容器13b的一方端子，在電容器13b 的另一方端子上連接有晶體管lib的漏極端子。晶體管11c的源極端子經(jīng)由晶體管lib與 源極信號線18連接，當(dāng)向晶體管11c的柵極端子施加?xùn)艠O信號線17c (Gc)的導(dǎo)通電壓時， 晶體管11c導(dǎo)通，根據(jù)供給至源極信號線18的圖像信號而向像素10施加電壓Vss。
[0051] 另外，像素10的電容器13a的一方端子與晶體管lib的漏極端子連接，另一方端 子與EL顯示裝置的陽電極連接，并被施加陽極電壓Vdd。
[0052] 晶體管lie的漏極端子與晶體管lib的漏極端子連接，晶體管lie的源極端子與 被施加了復(fù)位電壓Va的信號線連接。通過向柵極信號線17a(Ga)施加導(dǎo)通電壓，晶體管 lie導(dǎo)通，復(fù)位電壓Va被施加至電容器13a。
[0053] 在此，晶體管11c、lie設(shè)為p溝道，并米用LDD (Lightly Doped Drain :輕摻雜漏 區(qū)）結(jié)構(gòu)。也就是說，通過采用多個晶體管的柵極串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，能夠使晶體管llc、lle 的截止特性良好。優(yōu)選的是，晶體管llc、lle以外的晶體管也采用p溝道，并采用LDD結(jié) 構(gòu)，通過根據(jù)需要設(shè)為多柵極結(jié)構(gòu)，能夠抑制截止泄漏，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的對比度、失調(diào)消除 (offset cancel)動作。
[0054] 此外，電容器13a設(shè)為施加陽極電壓Vdd的結(jié)構(gòu)，但不限定與此，也可以與其他任 意的直流電壓連接。晶體管11a同樣地也可以設(shè)為施加陽極電壓Vdd以外的任意直流電壓 的結(jié)構(gòu)。也就是說，在電容器13a與晶體管11a的源極端子上也可以不施加相同電壓，而施 加不同的電壓。例如，也可以是如下連接結(jié)構(gòu)：在晶體管11a的源極端子上施加陽極電壓 Vdd，在電容器13a上施加直流電壓Vb(5V)的電壓。
[0055] 另外，在像PWM驅(qū)動方式那樣，使像素10閃爍或者數(shù)字地點亮而顯示的數(shù)字驅(qū)動 方式的情況下，通過晶體管lib向像素10施加規(guī)定的電壓值，根據(jù)與圖像信號的灰階（灰 度等級，色階）對應(yīng)的位數(shù)使晶體管lid導(dǎo)通截止而進行灰階顯示，從而進行發(fā)光驅(qū)動控 制。另外，導(dǎo)通截止控制晶體管lld，在顯示區(qū)域上產(chǎn)生帶狀的黑顯示（非顯示），并控制在 顯示區(qū)域中流動的電流量。
[0056] 接著，在圖1中，說明以虛線示出的電容器13c、13d的作用。電容器13c形成于柵 極信號線17b與晶體管11a之間，電容器13d形成于柵極信號線17d與晶體管11a的柵極 端子之間。將該電容器13c、13d等稱為穿通電容器，另外，將使之變化的電壓或者發(fā)生了變 化的電壓稱為穿通電壓。
[0057] 在圖1中，在柵極信號線17b上施加了導(dǎo)通電壓（VGL1)時，晶體管lib為導(dǎo)通狀 態(tài)，施加于源極信號線18的圖像信號施加給像素10。接著，施加在柵極信號線17b上的電 壓從導(dǎo)通電壓VGL1變化至截止電壓VGH1時，晶體管lib截止。此時，電容器13c的一端的 電壓也從VGL1變化至VGH1，基于變化的電壓被傳遞給晶體管11a的柵極端子。由于傳遞的 電壓為使晶體管11a的柵極端子電壓上升的方向，另外，由于晶體管11a是p溝道晶體管， 因此，其電壓變化成為使晶體管11a流至EL元件12的電流減少的方向，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的黑 顯不。
[0058] 這樣，通過經(jīng)由電容器13c的電容使驅(qū)動用晶體管11a的柵極端子電壓（電容器 13e的電位）變化，從而能夠進行良好的黑顯示。
[0059] 另外，在晶體管lid導(dǎo)通時，在柵極信號線17d上施加了 VGL2電壓，在晶體管lid 截止時，在柵極信號線17d上施加了 VGH2電壓。晶體管lid在失調(diào)消除動作時為截止?fàn)?態(tài)，在使EL元件12發(fā)光時為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在顯示開始時，柵極信號線17d按VGH2電壓 -VGL2電壓變化。因此，晶體管11a的柵極端子的電壓由于穿通電容器13d的作用而降低。 當(dāng)晶體管11a的柵極端子的電壓下降時，晶體管11a能夠使較大的電流流經(jīng)EL元件12,能 夠?qū)崿F(xiàn)高輝度（brightness)顯示。
[0060] 這樣，通過經(jīng)由電容器13d的電容使驅(qū)動用晶體管11a的柵極端子電壓變化，加大 在EL元件12中流動的電流的振幅，能夠?qū)崿F(xiàn)高輝度顯示。
[0061] 電容器13c的電容優(yōu)選設(shè)為電容器13a或者電容器13b的電容的1/12以上且1/3 以下。當(dāng)電容器13c的電容比過小時，晶體管11a的柵極端子電壓的變化比例變得過大，與 已失調(diào)消除的狀態(tài)下的理想值的差異變得過大。另外，當(dāng)電容比過大時，晶體管11a的柵極 端子電壓的變化變小，難以得到效果。
[0062] 另外，優(yōu)選使穿通電壓產(chǎn)生的電容器13c基于像素調(diào)制的R、G、B的像素尺寸、供給 的電流的大小或者驅(qū)動用晶體管的WL比而變化。這是由于R、G、B像素的各EL元件12的 驅(qū)動電流不同，黑電平（black level)的電流或者電壓值不同。例如，在將R像素的電容器 13c設(shè)為0. 02pF的情況下，將其他顏色（G、B像素）的電容器13c設(shè)為0. 025pF。另外，在 將R像素的電容器13c設(shè)為0. 02pF的情況下，將G像素的電容器13c設(shè)為0. 03pF，將B像 素的電容器13c設(shè)為0.025。
[0063] 通過這樣使電容器13c的電容按R、G、B像素變化，從而能夠按RGB調(diào)整失調(diào)消除 電壓、黑電平的驅(qū)動電流或者黑顯示的電壓。
[0064] 進一步，由于穿通電壓由保持用電容器13a、13b、產(chǎn)生穿通電壓用的電容器13c之 間的相對的電容差決定，不限定于在R、G、B像素使電容器13c變化，也可以使保持用電容器 13a的電容變化。例如，在將R像素的電容器13a設(shè)為l.OpF的情況下，也可以將G像素的 電容器13a設(shè)為1. 2pF，將B像素的電容器13a設(shè)為0. 9pF。
[0065] 另外，也可以在顯示區(qū)域的左右使穿通電壓用的電容器13c的電容變化。位于接 近柵極驅(qū)動IC15或柵極驅(qū)動電路16的位置的像素10配置在信號供給側(cè)。因此，由于柵極 信號的上升快或電壓轉(zhuǎn)換速率高，所以穿通電壓變大。顯示區(qū)域的中央部或者形成于離柵 極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16遠的位置的像素由于柵極信號的上升慢，穿通電壓變小。因 此，也可以構(gòu)成為：減小與柵極驅(qū)動IC15的連接側(cè)接近的像素10的穿通電壓用的電容器 13c的電容，加大離柵極驅(qū)動IC15遠的位置的像素10的電容器13c的電容。
[0066] 圖2A?圖2D是用于說明EL顯示裝置的像素動作的動作說明圖。使用圖2A?圖 2D進一步詳細說明像素10的點亮動作。向像素寫入圖像信號的動作、EL元件12的發(fā)光動 作按圖2A -圖2B -圖2C -圖2D進行。
[0067] 圖2A是初始動作的說明圖。在水平同步信號（HD)后實施初始化動作。在圖1 中，在柵極信號線17a、17d、17e上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lld、lle、llf導(dǎo)通。在柵極信號線 17b、17c上施加截止電壓，晶體管llb、llc截止。從施加了復(fù)位電壓Va的信號線向電容器 13a的一方端子供給復(fù)位電壓Va。
[0068] 在晶體管11a中，失調(diào)消除電流If從源極端子的電位Vdd，經(jīng)由晶體管lla、llc、 Ilf的溝道，朝向施加于晶體管Ilf的漏極端子的電極的直流電壓Vb流動。此外，電壓的大 小設(shè)為如下關(guān)系：陽極電壓Vdd>直流電壓Vb、復(fù)位電壓Va>直流電壓Vb。
[0069] 通過失調(diào)消除電流If流動，晶體管11a的漏極端子電位降低。另外，由于復(fù)位電 壓Va，復(fù)位電流Ir流動，在電容器13b的端子上施加了電壓Va。
[0070] 晶體管11a在導(dǎo)通后的短時間內(nèi)流過失調(diào)消除電流If。通過失調(diào)消除電流If，至 少晶體管11a的漏極端子電壓下降為比陽極電壓Vdd低，成為可動作狀態(tài)。
[0071] 圖2B是復(fù)位動作。在圖1中，在柵極信號線17c上施加導(dǎo)通電壓，在柵極信號線 17d上施加截止電壓。晶體管lid截止而晶體管11c導(dǎo)通。
[0072] 由于晶體管lid截止而晶體管11c導(dǎo)通，失調(diào)消除電流If朝向晶體管11a的柵極 端子流動。失調(diào)消除電流If最初流動比較大的電流。隨著晶體管11a的柵極端子的電位 上升且接近截止?fàn)顟B(tài)，流動的電流減小。最終，成為〇 μ A或0 μ A附近的電流值。
[0073] 通過以上的動作，晶體管11a成為失調(diào)消除的狀態(tài)。失調(diào)消除電壓被保持在電容 器13b。電容器13b的一方端子被保持在復(fù)位電壓Va。在其他端子（與晶體管11a的柵極 端子連接的端子）上保持了失調(diào)消除電壓。
[0074] 圖2C是編程動作。在編程動作中，在圖1中，在柵極信號線17a、17c、17d上施加截 止電壓，晶體管lle、llc、lld截止。在柵極信號線17b上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lib導(dǎo)通。
[0075] 另一方面，在源極信號線18上施加了圖像信號電壓Vs。由于晶體管lib導(dǎo)通，在 電容器13b上施加圖像信號電壓Vs。電容器13b的端子從復(fù)位電壓Va變化至圖像信號電 壓Vs。因此，在電容器13b上保持為基于圖像信號電壓Vs+失調(diào)消除電壓的電壓。
[0076] 此外，圖像信號電壓Vs是以陽極電壓Vdd為基準(zhǔn)的電壓。由于面板內(nèi)的布線電壓 降，陽極電壓Vdd在面板內(nèi)不同。因此，圖像信號電壓Vs也基于施加在像素上的陽極電壓 Vdd而可變或使之變化。
[0077] 圖2D是EL元件12的發(fā)光動作。在圖2C的編程動作后，在圖1中，在柵極信號線 17b上施加截止電壓，晶體管lib成為截止?fàn)顟B(tài)。像素10與源極信號線18斷開。在柵極信 號線17d上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lid導(dǎo)通，來自晶體管11a的發(fā)光電流Ie供給至EL元件 12。EL兀件12基于供給的發(fā)光電流Ie來發(fā)光。
[0078] 此外，在圖1、圖2A?圖2D中，也可以去除晶體管Ilf。在沒有晶體管Ilf的像素 結(jié)構(gòu)中，在圖2A中，晶體管lid導(dǎo)通時，失調(diào)消除電流If流經(jīng)EL元件12。由于失調(diào)消除 電流If流經(jīng)EL元件12，EL元件12會發(fā)光，但由于失調(diào)消除電流If流動的時間為1 μ sec 以下，所以EL元件12發(fā)光的時間很短。因此，基本上不會產(chǎn)生EL顯示裝置（EL顯示面板） 的對比度下降。
[0079] 作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動IC14不只是單單的驅(qū)動功能，也可以內(nèi)置電源電 路、緩沖電路（包含移位寄存器等電路）、數(shù)據(jù)變換電路、鎖存器電路、指令解碼器、移位電 路、地址變換電路、圖像存儲器等。
[0080] 柵極驅(qū)動電路16也可以使用P溝道晶體管和電容器構(gòu)成移位寄存器和輸出緩沖 電路。由于僅由P溝道晶體管構(gòu)成，在工藝中使用的掩模數(shù)量變少，能夠?qū)崿F(xiàn)面板的低成本 化。
[0081] 另外，晶體管11 a?11 f可以用高溫多晶硅、低溫多晶硅、連續(xù)晶粒硅、透明非晶氧 化物半導(dǎo)體、非晶硅、紅外線RTA等來形成等任一種方法來構(gòu)成。通過將這些晶體管設(shè)為頂 柵結(jié)構(gòu)，寄生電容降低，頂柵的柵電極圖案成為遮光層，用遮光層遮斷從EL元件12出射的 光，能夠降低晶體管的誤動作、截止泄漏電流。
[0082] 作為柵極信號線17、源極信號線18或者柵極信號線17與源極信號線18雙方的布 線材料，從能夠降低布線電阻并能夠?qū)崿F(xiàn)更大型的EL顯示面板來看，優(yōu)選實施能夠采用銅 布線或銅合金布線的工藝。
[0083] 這樣，在本公開中，使用內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16、不內(nèi)置于ELS 示面板1的柵極驅(qū)動IC15,柵極驅(qū)動電路16用于控制向EL元件12的供給電流，柵極驅(qū)動 IC15用于控制向像素10施加圖像信號的晶體管lib。后面將進行詳細說明。
[0084] 在此，說明EL顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0085] 圖3是表示EL顯示面板的一例的剖視圖。如圖3所示，在EL顯示面板的背面?zhèn)?配置有封止板30,并且在顯示面?zhèn)扰渲糜嘘嚵谢?1，而且在陣列基板31的顯示面上配置 有偏振片32。作為該陣列基板31的構(gòu)成材料，可使用具有光透射性的玻璃襯底、硅晶片、金 屬基板、陶瓷基板、塑料片等、用于使散熱性良好的藍寶石玻璃等。作為封止板30的構(gòu)成材 料，可使用與陣列基板31相同的材料。此外，為了防止不耐濕度的EL材料的劣化，在封止 板30與陣列基板31的空間中配置有干燥劑（未圖示）。封止板30與陣列基板31由封止 樹脂（未圖示）封止周邊部。
[0086] 另外，在封止板30與陣列基板31之間的空間中或者在封止板30的表面等上配置 有溫度傳感器（未圖示），利用該溫度傳感器的輸出結(jié)果，實施EL顯示面板的占空比控制或 點亮率控制等。進一步，在檢查面板時，基于溫度傳感器的檢測輸出，調(diào)整柵極驅(qū)動電路的 動作（工作）速度。
[0087] 首先，說明薄膜晶體管陣列基板側(cè)，在圖3中，在陣列基板31內(nèi)表面上形成有由 紅（R)、綠（G)、藍（B)構(gòu)成的彩色濾光器33(33R、33G、33B)。此外，彩色濾光器并不限定于 RGB，也可以形成青色（C)、品紅色（M)、黃色（Y)的像素。另外，也可以形成白（W)的像素。 用于進行彩色顯示的一個像素制造成為由RGB三個像素形成正方形的形狀。此外，也可以 使R、G、B的像素開口率不同。通過使開口率不同，能夠使流經(jīng)各像素的RGB的EL元件12 的電流密度不同，由此，能夠?qū)GB的EL元件12的劣化速度設(shè)為相同。
[0088] 在EL顯示面板中，作為進行彩色顯示的方法，除了如上所述使用彩色濾光器33以 夕卜，也可以形成藍色發(fā)光的EL層，并用R、G、B的顏色轉(zhuǎn)換層將發(fā)出的藍色光轉(zhuǎn)換成R、G、B 光。
[0089] 另外，如圖1所示，形成在陣列基板31上的各像素具有多個晶體管11，而且在像素 間配置有柵極信號線17。而且，在彩色濾光器33上以覆蓋晶體管11或柵極信號線17以 及源極信號線（未圖示）的方式形成有作為層間絕緣膜的絕緣膜34,進一步，在彩色濾光 器33間形成黑矩陣35,并且在形成有晶體管11的部分形成有遮光膜36。另外，在絕緣膜 34內(nèi)配置有用于連接陣列基板31側(cè)的晶體管11與發(fā)光部側(cè)的像素電極的連接部37。進 一步，在絕緣膜34上形成有光散射層38。該光散射層38是在樹脂材料上擴散了氧化鈦、氧 化鋁、氧化鎂等而成的部件，也可以用乳白玻璃等光擴散物來構(gòu)成。光散射層34有助于增 加從面板內(nèi)放射的光。
[0090] 接著，說明發(fā)光部側(cè)，在圖3中，在絕緣膜34上，以分隔各像素間的方式形成有肋 39,在該肋 39 內(nèi)形成有由 IT0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫）、IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide :銦鎵鋅氧化物）、IZO(Indium Zinc Oxide :氧化銦鋅）等的透明電極構(gòu)成的陽電極 40以及紅（R)、綠（G)、藍（B)的EL層41R、41G、41B。而且，在EL層41R、41G、41B上，以與 陽電極40 -起夾持EL層41R、41G、41B的方式形成有陰電極42。
[0091] 作為該陰極電極43,能夠使用銀（Ag)、鋁（A1)、鎂（Mg)、鈣（Ca)或這些物質(zhì)的合 金、ΙΤ0、IGZ0、ΙΖ0等的透明電極。
[0092] 在此，圖3所示例子為從陣列基板31 -側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)的例子，如圖4所示，也可 以使用從發(fā)光部一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)的EL顯示面板。
[0093] 在圖4所示的例子的面板中，在陰電極42的上層或下層形成低電阻化布線43,所 述低電阻化布線43由選自鉻（Cr)、鋁（A1)、鈦（Ti)、銅（Cu)的金屬層疊結(jié)構(gòu)或者多種金 屬材料的合金金屬薄膜構(gòu)成。而且，設(shè)為如下結(jié)構(gòu)：以封止膜44覆蓋陰電極42 (包含該低 電阻化布線43)后，利用粘接層46粘接由玻璃襯底、光透射性的薄膜構(gòu)成的封止基板45而 成。
[0094] 接著，說明EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制造時的檢查方法。
[0095] 圖5是表示在EL顯示裝置中柵極信號線的連接狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖5中， 只圖示兩個像素，進一步省略了在圖1中以虛線示出的電容器13c?13e來進行圖示。 [0096] 如圖5所示，晶體管lib的柵極端子與柵極信號線17b(Gb)連接，柵極信號線 17b (Gb)與柵極驅(qū)動IC15或C0F19的端子電極19a連接。晶體管lie的柵極端子與柵極信 號線17a(Ga)連接，晶體管Ilf的柵極端子與柵極信號線17e (Ge)連接。另外，晶體管11c的 柵極端子與柵極信號線17c (Gc)連接。而且，柵極信號線17e與1條柵極信號線17a (Ga)連 接，并與裝載了柵極驅(qū)動IC15的C0F19的端子電極19a連接。因此，在柵極信號線17a (Ga) 上連接有兩個晶體管（lle、llf)。柵極驅(qū)動IC15向柵極信號線17a輸出導(dǎo)通截止電壓，并 導(dǎo)通截止控制晶體管lle、llf。另外，柵極驅(qū)動IC15依次或者獨立地控制各像素行，并使圖 像顯示在面板上。
[0097] 此外，如晶體管lib的柵極信號線17b，向像素10施加圖像信號并控制需要進行高 速寫入的晶體管的柵極信號線與外部的柵極驅(qū)動IC15連接。另外，如柵極信號線17a，在連 接于一條柵極信號線的晶體管為多個的情況下，柵極信號線與外部的柵極驅(qū)動IC15連接。
[0098] 另一方面，如晶體管lid的柵極信號線17d，控制從驅(qū)動用晶體管11a向EL元件 12供給的發(fā)光電流的柵極信號線與面板內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16連接。
[0099] 在圖5中，在柵極驅(qū)動IC15中設(shè)有三個移位寄存器電路15a、15b、15c和輸出緩沖 電路15d。雖然在圖5中未圖示，移位寄存器電路15a、15b、15c的輸出引出至外部，并與供 給時鐘信號CK、開始脈沖信號ST的控制信號線連接。
[0100] 在此，由柵極驅(qū)動IC15驅(qū)動（控制）且需要高速的響應(yīng)性的柵極信號線17 (柵極 信號線17a、17b、17c、17e)由銅（Cu)或者鈦（Ti)_銅（Cu)_鈦（Ti)這3層或者銅（Cu)合 金構(gòu)成從而使電阻值變低。另一方面，由于由柵極驅(qū)動電路16驅(qū)動的柵極信號線17(柵極 信號線17d)無需比較高速的響應(yīng)性，所以也可以由阻抗比較高的鋁（A1)、鑰（Mo)、鎢（W) 或者這些金屬合金構(gòu)成。
[0101] 即，與由內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16控制的柵極信號線17相比，由外部的柵極驅(qū)動 IC15控制的柵極信號線17由布線電阻低的金屬材料構(gòu)成。此外，作為降低布線電阻的方 法，也可以不改變金屬材料本身而通過變更布線的膜厚或?qū)挾葋韺崿F(xiàn)。
[0102] 圖6是表示在EL顯示裝置中內(nèi)置柵極驅(qū)動電路一側(cè)的結(jié)構(gòu)和與多個像素的連接 狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖6中，如圖5所示，柵極信號線17e作為與柵極信號線17a共用 地連接的部件而省略。另外，在圖6中，2表示EL顯示面板1的顯示區(qū)域。
[0103] 如圖6所示，柵極驅(qū)動電路16向柵極信號線17d輸出導(dǎo)通截止電壓（VGH2、VGL2)， 柵極驅(qū)動IC15向柵極信號線17a、17b、17c輸出導(dǎo)通截止電壓（VGH1、VGL1)。該柵極驅(qū)動 IC15和柵極驅(qū)動電路16的輸出電壓VGH1、VGH2、VGL1、VGL2構(gòu)成為能夠獨立地設(shè)定成與像 素10的各晶體管適應(yīng)的電壓值。另外，在柵極驅(qū)動電路16中設(shè)有移位寄存器電路16b和 至少兩級倒相電路16c、16d，在該柵極驅(qū)動電路16的移位寄存器電路16a、圖5所示柵極驅(qū) 動IC15的移位寄存器電路15a、15b、15c以及源極驅(qū)動IC14上連接有供給時鐘信號CK、開 始脈沖信號ST的控制信號線2la、2lb。
[0104] 在此，由于柵極驅(qū)動電路16的移位寄存器電路16b的輸出級的柵極驅(qū)動能力小， 所以由構(gòu)成移位寄存器電路16b的柵極電路直接驅(qū)動?xùn)艠O信號線17d是不可能的，因此需 要連接多級倒相電路16c、16d。當(dāng)?shù)瓜嚯娐?6c、16d的連接級數(shù)較多時，連接的倒相電路 16c、16d的特性差累積，從移位寄存器電路16b到端子電極16a的傳遞時間產(chǎn)生差別。例 如，在極端情況下，從移位寄存器電路16b輸出輸出脈沖后，在1. 0 μ sec后才在端子電極 16a輸出導(dǎo)通截止信號。
[0105] 具體而言，在圖6中，當(dāng)將倒相電路16c的N溝道晶體管的溝道寬度設(shè)為W1并將 溝道長度設(shè)為L1，將倒相電路16d的N溝道晶體管的溝道寬度設(shè)為W2并將溝道長度設(shè)為 L2時，當(dāng)?shù)瓜嚯娐?6d的W2/L2的大小與倒相電路16c的W1/L1的尺寸比大時，延遲時間變 長，另外，反相器的特性偏差也變大。
[0106] 圖7是表示延遲時間偏差（虛線）與延遲時間比（實線）的關(guān)系的圖。橫軸由 (Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)表示。例如，在圖6中，如果倒相電路16d與倒相電路16c的L相同 (LI = L2)，且 2 · W1 = W2,貝lj (W1/L1V(W2/L2) =0.5。在圖 7 的圖中，在（Wn-l/Ln-1)/ (Wn/Ln) = 0. 5時將延遲時間比設(shè)為1，同樣地，也將延遲時間偏差設(shè)為1。
[0107] 如圖7所示，（Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)越大，倒相電路部的延遲時間偏差也變大。另 夕卜，（Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)越小，從倒相電路16c向下一級的倒相電路16d的延遲時間變長。 從圖7可以明顯地看出，將延遲時間比和延遲時間偏差設(shè)為2以內(nèi)在設(shè)計上是有利的。因 此，滿足以下公式的條件即可。
[0108] 0. 25 ^ (ffn-l/Ln-l)/(ffn/Ln) ^ 0. 75
[0109] 另外，各倒相電路16c、16d的p溝道的W/L比（Wp/Lp)與η溝道的W/L比（Ws/Ls) 需要滿足以下關(guān)系。
[0110] 0.4^ (Wp/Lp) / (Wp/Lp) ^ 0. 8
[0111] 圖8是表示在EL顯示裝置中測試電路的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0112] 如圖8所示，測試電路20與各源極信號線18的一端連接，在測試電路20內(nèi)，連接 有與RGB的各像素10R、10G、10B的源極信號線18的一端連接的測試用晶體管T(晶體管 TRl、TGl、TBl*"TRn、TGn、TBn)。
[0113] 測試用晶體管T是施加紅（R)、綠（G)、藍（B)電壓用的晶體管（開關(guān)電路），是用 于依次向RGB的各像素10R、10G、10B施加電壓的開關(guān)用晶體管。晶體管T的柵極端子與 電極端子Y1?Y4連接，在該電極端子Y1?Y4上連接有探針22a?22d，并被施加了晶體 管T的導(dǎo)通截止電壓?；谑┘釉谠撾姌O端子Y1?Y4上的電壓，導(dǎo)通截止控制晶體管T。 施加在該電極端子Y1?Y4上的導(dǎo)通截止電壓是指與圖像信號電壓等效的電壓，例如通過 用截止電壓VGH、導(dǎo)通電壓VGL施加導(dǎo)通電壓，晶體管T導(dǎo)通而向各像素10施加測試電壓。 艮P，通過將測試電壓的大小設(shè)為可變，能夠使像素10的顯示輝度變化。
[0114] 測試EL顯示面板1時，向探針22a施加導(dǎo)通電壓從而晶體管T導(dǎo)通，測試電壓施 加在各源極信號線18上。測試時，使柵極驅(qū)動電路16動作，并使選擇的柵極信號線位置移 動而進行檢查。另外，根據(jù)需要，使柵極驅(qū)動IC15動作而進行檢查。
[0115] 按這種方式進行測試時，通過同時控制測試電路20和柵極驅(qū)動電路16并進行面 板檢查，能夠得到使面板檢查容易且能夠迅速地實施精度高的檢查。
[0116] 此外，為了使像素10黑顯示，在像素的驅(qū)動用晶體管11a為p溝道時，一般將測試 電壓設(shè)為陽極電壓Vdd附近的電壓值。為了進行白顯示，一般將測試電壓設(shè)為接地電壓或 陰極電壓Vss附近的電壓值。
[0117] 圖9是用于說明在EL顯示裝置的制造方法中EL顯示面板的檢查方法的說明圖。 在圖9中示意性地圖示了檢查時的布線狀態(tài)。
[0118] 如圖9所示，與外部連接的柵極驅(qū)動IC15連接的柵極信號線17a、17b、17c的一端 經(jīng)由形成于EL顯示面板1的端部的布線la與T1端子、T2端子、T3端子連接。即，T1端子 與多個像素10的柵極信號線17b (Gb)連接，T2端子與多個像素10的柵極信號線17a連接， T3端子與多個像素10的柵極信號線17c連接。另外，如上所述，在柵極信號線17d上連接 有內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16,如在圖8中說明的那樣，在源極信號線18的一 端連接有測試電路20。
[0119] 在圖9中，通過向T1端子施加導(dǎo)通電壓（VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)?截止控制像素10的晶體管11b，能夠向像素10寫入施加于源極信號線18的圖像信號。另 夕卜，通過向T2端子施加導(dǎo)通電壓（VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)ń刂箍刂葡袼?0 的晶體管lie、Ilf，能夠向像素10施加復(fù)位電壓Va。進一步，通過向T3端子施加導(dǎo)通電壓 (VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)ń刂箍刂葡袼?0的晶體管11c，通過向像素10施加 復(fù)位電壓Va并使晶體管11c導(dǎo)通，能夠?qū)崿F(xiàn)失調(diào)消除動作。
[0120] 如圖9所示，通過T1端子、T2端子、T3端子向柵極信號線17a、17b、17c供給規(guī)定 的測試信號，并且從內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16向柵極信號線17d供給規(guī)定的測試信號，另外， 通過測試電路20向源極信號線18供給規(guī)定的測試信號。利用柵極驅(qū)動電路16對柵極信 號線17d的選擇也可以是同時選擇多條柵極信號線17d。柵極信號線17d的選擇可以通過 施加于柵極驅(qū)動電路16的開始信號（ST)來設(shè)定。
[0121] 這樣，在進行EL顯示面板1的檢查后，通過在圖9的A-A線和B-B線切斷EL顯示 面板1的基板而分離布線la部分和測試電路20部分，能夠以簡單的結(jié)構(gòu)迅速地進行EL顯 示面板1的檢查。
[0122] 此外，針對測試電路20部分，通過構(gòu)成為在檢查結(jié)束后始終施加使測試電路20的 晶體管截止的電壓，也可以不在B-B線切斷EL顯示面板1的基板。另外，針對柵極信號線 17a、17b、17c-側(cè)，不設(shè)置T1端子、T2端子、T3端子，通過構(gòu)成為使檢查用探針直接與柵極 信號線17 a、17b、17c電接觸而供給規(guī)定的測試信號，也無需進行檢查結(jié)束后的基板切斷作 業(yè)。
[0123] 圖10是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的圖。在圖10中，B表示低輝度 (黑顯示），W表示高輝度（白顯示）。
[0124] 如圖10所示，在圖9的K1端子上施加了陽極電壓Vdd，在K2端子上施加了陰極 電壓Vss，在K3端子上施加了復(fù)位電壓Va，在K4端子施加了電壓Vb。柵極驅(qū)動電路16的 VGH2電壓施加在VGH2端子上，VGL2電壓施加在VGL2端子上。另外，柵極驅(qū)動電路16的時 鐘CK施加在CK端子上，開始信號ST施加在ST端子上，使能信號EN施加在EN端子上。
[0125] 使檢查用探針與T1端子接觸，向柵極信號線17b施加導(dǎo)通截止電壓（VGL、VGH) 而導(dǎo)通截止控制晶體管lib。另外，從T2端子向柵極信號線17a施加導(dǎo)通截止電壓（VGL、 VGH)而導(dǎo)通截止控制晶體管lle、llf。另外，從T3端子向柵極信號線17c施加導(dǎo)通截止電 壓（VGL、VGH)而導(dǎo)通截止控制晶體管11c。
[0126] 在Y2端子上施加了測試電路20的晶體管的導(dǎo)通截止信號電壓。測試電路20的 晶體管由P溝道晶體管形成，通過在Y2端子上施加 VGL電壓，晶體管導(dǎo)通。在Y1端子上施 加了圖像信號電壓Vs，分別在紅（R)色的像素、綠（G)色的像素、藍（B)色的像素上施加與 圖像信號對應(yīng)的適當(dāng)?shù)碾妷?。通過間歇地施加電壓，能夠間歇地點亮EL顯示面板1的RGB 像素，所述電壓施加在像素上。
[0127] 此外，針對檢查方法，列舉說明了將EL元件12設(shè)為點亮或非點亮狀態(tài)來檢查的例 子，但通過檢測流經(jīng)短路位置的電流，能夠進行晶體管11的短路缺陷等的檢查。流經(jīng)短路 位置的電流的檢測時，可使拾取用探針與源極信號線18等接觸而檢測出電流。
[0128] 另外，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為可變，能夠使像素的發(fā)光輝度變化。由于像素 10的驅(qū)動用晶體管11a為p溝道晶體管，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為接近陽極電壓Vdd， 像素10的發(fā)光輝度變低。另一方面，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為接地或接近陰極電壓Vss 的電壓，像素10的發(fā)光輝度變高。當(dāng)然，通過調(diào)整圖像信號電壓Vs或使之可變，能夠調(diào)整 像素10的EL元件12的發(fā)光輝度。
[0129] 如圖10所示，將tl+t2期間設(shè)為一個周期，在Y1端子上施加成為低輝度、高輝度 的電壓，通過使tl期間、t2期間獨立地可變，或者通過使tl期間或t2期間相對于tl+t2期 間可變，也能夠檢查像素10的電容器13的保持特性等。另外，能夠檢查EL元件12的發(fā)光 特性、晶體管11的特性。
[0130] 另外，通過在T2端子上在t4期間中施加 VGL電壓，與柵極信號線17a(Ga)連接的 晶體管lle、llf導(dǎo)通。另外，通過向柵極信號線17d(Gd)施加導(dǎo)通電壓VGL，晶體管lid導(dǎo) 通。通過晶體管lid和晶體管Ilf導(dǎo)通，陽極電壓Vdd -晶體管11a -晶體管lid -晶體 管Ilf - Vb端子的電流路徑產(chǎn)生，驅(qū)動用晶體管11a的漏極端子降低。
[0131] 接著，通過在T3端子上在t3期間中施加 VGL電壓，與柵極信號線17c (Gc)連接的 晶體管11c導(dǎo)通，晶體管11a被失調(diào)消除。接著，在T2端子、T3端子上施加 VGH電壓，晶體 管lie、Ilf、11c成為截止動作。通過在T1端子上在t5期間中向柵極信號線17c施加 VGL 電壓，晶體管lib導(dǎo)通。通過晶體管lib的導(dǎo)通，在像素10上施加圖像信號。
[0132] 此外，通過調(diào)整t3、t4、t5期間或使之可變，能夠進行像素10的失調(diào)消除動作，通 過使復(fù)位電壓Va的施加時間可變，能夠調(diào)整或變更晶體管11的動作狀態(tài)，能夠進行像素10 的動作試驗。
[0133] 另外，用供給至面板內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16的使能端子（EN端子）的信號來進行 像素10的EL元件12的發(fā)光（導(dǎo)通）、非發(fā)光（截止）的控制。當(dāng)用邏輯電平將EN端子 設(shè)為Η電平時，向柵極信號線17d(Gd)輸出VGL電壓，晶體管lid導(dǎo)通。由于晶體管lid導(dǎo) 通，將來自驅(qū)動用晶體管1 la的發(fā)光電流供給至EL元件12的電流路徑產(chǎn)生，對應(yīng)的EL元 件12發(fā)光。當(dāng)用邏輯電平將EN端子設(shè)為L電平時，向柵極信號線17d(Gd)輸出VGH電壓， 晶體管lid截止。由于晶體管lid截止，將來自驅(qū)動用晶體管11a的發(fā)光電流供給至EL元 件12的電流路徑消失，對應(yīng)的EL元件12成為非點亮。
[0134] 與該EL元件12的控制同步地在Y2端子上施加圖像信號。在Y1端子上施加導(dǎo)通 電壓（VGL)，使測試電路20的晶體管導(dǎo)通，向源極信號線18施加測試用圖像信號電壓。
[0135] 例如在圖10中，在t2期間或者tl期間施加測試用圖像信號電壓。
[0136] 圖10所示的信號波形為針對偶數(shù)、奇數(shù)等那樣的兩個像素交替地進行黑與白的 顯示的例子，但也可以供給圖11所示的信號波形。圖11所示的例子為針對一個像素，顯示 為從黑至白，針對下一個像素，顯示為從黑至白，即，在兩個像素中，交替地進行黑顯示、白 顯不。
[0137] 圖12是表示EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。在圖12中，示出了按圖9的方式 進行檢查后，在A-A線、B-B線切斷EL顯示面板1的基板且之后裝載了外部連接的驅(qū)動電 路的狀態(tài)。
[0138] 如圖12所示，在EL顯示面板1中安裝有裝載了源極驅(qū)動IC14的柔性基板 (C0F)23、裝載了柵極驅(qū)動IC15的柔性基板（C0F) 19。另外，在裝載了源極驅(qū)動IC14的柔性 基板（C0F) 23上，也裝載了控制用IC24,并連接成向柵極驅(qū)動電路16供給用于控制動作的 定時信號。即，源極驅(qū)動IC14向控制用IC24供給與圖像信號同步的定時信號，控制用IC24 通過使定時信號的電壓電平位移（level shift)而控制柵極驅(qū)動電路16。此外，25是電源 控制用1C，裝載在柔性基板（C0F) 26上。
[0139] 以上說明的本公開涉及一種EL顯示裝置，具備：EL顯示面板1，其具備呈矩陣狀配 置有多個像素10的顯示區(qū)域，所述像素10具有EL元件12 ;作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動 IC14,其通過與像素10連接的源極信號線18而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過 與像素10連接的柵極信號線17而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素10具有：驅(qū)動用晶體 管11a，其向EL元件12供給電流；第1開關(guān)用晶體管lld，其與驅(qū)動用晶體管11a連接并控 制供給至EL元件12的電流；以及第2開關(guān)用晶體管1113、11(：、116，其與源極信號線18連 接并向像素10供給圖像信號。而且，柵極驅(qū)動電路具備：作為第1柵極驅(qū)動電路的柵極驅(qū) 動電路16,其與像素10 -起形成并配置于EL顯示面板1 ;以及作為第2柵極驅(qū)動電路的柵 極驅(qū)動IC15,其與EL顯示面板1的柵極信號線17a、17b、17c進行外部連接。柵極驅(qū)動電 路16經(jīng)由柵極信號線17d與像素10的第1開關(guān)用晶體管lid的柵極端子連接，柵極驅(qū)動 IC15經(jīng)由柵極信號線17a、17b、17c與像素10的第2開關(guān)用晶體管llb、llc、lle的柵極端 子連接。
[0140] 通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，負載小的第1開關(guān)用晶體管lid由內(nèi)置于EL顯示面板1的 柵極驅(qū)動電路16驅(qū)動，而負載大的第2開關(guān)用晶體管llb、llc、lle由與EL顯示面板1外 部連接的柵極驅(qū)動電路1C驅(qū)動。能夠針對構(gòu)成像素10的多個晶體管分別最適合地實現(xiàn)導(dǎo) 通截止控制，并能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)容易檢查的EL顯示裝置。另外，檢查面板時，使內(nèi)置 的柵極驅(qū)動電路16動作，僅通過將探針只與檢查所需的端子壓接而能夠檢查面板，所以能 夠迅速地實施檢查。
[0141] 另外，EL顯示裝置能夠活用作為攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、車 載音響、音響合成、計算機、游戲機、便攜信息終端（移動計算機、移動電話、便攜型游戲機 或電子書籍等）、具備記錄介質(zhì)的圖像重放裝置等的顯示器。
[0142] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0143] 如上所述，本發(fā)明在實現(xiàn)可靠性高的EL顯示裝置方面是有用的。
【權(quán)利要求】
1. 一種EL顯示裝置，具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域， 所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的源極信號線而供給圖像信 號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的柵極信號線而供給選擇電壓或非選擇電 壓， 所述像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向所述EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與所 述驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至所述EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與所述 源極信號線連接并向像素供給圖像信號， 并且，所述柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與所述像素一起形成并配置于所 述EL顯示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與所述EL顯示面板的柵極信號線進行外部連 接， 所述第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接，所述第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板的柵極信號線的一端連接所述第1柵極驅(qū)動電路，在另一端連接所 述第2柵極驅(qū)動電路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板還形成有測試電路，所述測試電路通過與所述像素連接的源極信 號線而供給測試信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板的源極信號線的一端連接所述源極驅(qū)動電路，在另一端連接所述 測試電路。
5. -種EL顯示裝置的制造方法，所述EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀 配置有多個像素的顯示區(qū)域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連 接的源極信號線而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的柵極信號 線而供給選擇電壓或非選擇電壓， 在所述制造方法中， 所述像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向所述EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與所 述驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至所述EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與所述 源極信號線連接并向像素供給圖像信號， 并且，所述柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與所述像素一起形成并配置于所 述EL顯示面板上；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與所述EL顯示面板的柵極信號線進行外部連 接， 所述第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接，所述第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接， 在所述EL顯示面板還形成有測試電路，所述測試電路通過源極信號線向所述像素供 給測試信號， 在進行向所述EL顯示面板的像素供給測試信號的檢查之后，從EL顯示面板分離所述 測試電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的EL顯示裝置的制造方法， 在所述EL顯示面板的源極信號線的一端連接所述源極驅(qū)動電路，在另一端連接所述 測試電路，在進行向所述EL顯示面板的像素供給所述測試信號的檢查之后，從所述EL顯示 面板分離所述測試電路。
【文檔編號】G09G3/30GK104115212SQ201280069316
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月8日
【發(fā)明者】高原博司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
【專利摘要】本發(fā)明提供一種EL顯示裝置及其制造方法。EL顯示裝置具備EL顯示面板，所述EL顯示面板具備多個具有EL元件的像素。像素具有向EL元件(12)供給電流的驅(qū)動用晶體管(11a)、第1開關(guān)用晶體管(11d)、向像素供給圖像信號的第2開關(guān)用晶體管(11b、11c、11e)。而且，具備：與像素(10)一起形成并配置在EL顯示面板上的柵極驅(qū)動電路(16)和與柵極信號線(17a、17b、17c)進行外部連接的柵極驅(qū)動IC(15)。柵極驅(qū)動電路(16)與第1開關(guān)用晶體管(11d)的柵極端子連接，柵極驅(qū)動IC(15)與第2開關(guān)用晶體管(11b、11c、11e)的柵極端子連接。
【專利說明】EL顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種呈矩陣狀配置有電致發(fā)光（以下稱為EL)元件的EL顯示裝置及 其制造方法，所述電致發(fā)光元件使用了有機材料等作為發(fā)光材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 呈矩陣狀地具備有機EL元件的有源矩陣型EL顯示裝置被用作智能手機等的顯示 裝置，并正被商品化。另外，近年來，EL顯示面板正朝向大型化推進開發(fā)。
[0003] 如專利文獻1、2、3所示，該EL顯示裝置為了構(gòu)成像素而需要多個晶體管,也需要 多條控制晶體管的柵極信號線。因此，與液晶顯示面板相比，像素結(jié)構(gòu)復(fù)雜且驅(qū)動方法也復(fù) 雜。
[0004] 在先技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻1 :日本特開2005-164892號公報
[0006] 專利文獻2 :日本特開2001-60076號公報
[0007] 專利文獻3 :日本特開2007-225928號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 本發(fā)明的EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀配置多個像素的顯示區(qū) 域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與像素連接的源極信號線而供給圖像信 號；以及柵極驅(qū)動電路，通過與像素連接的柵極信號線而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素 具有：驅(qū)動用晶體管，其向EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與驅(qū)動用晶體管連接并 控制供給至EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與源極信號線連接并向像素供給圖 像信號。進一步，柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與像素一起形成并配置于ELS 示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與EL顯示面板的柵極信號線進行外部連接。第1柵極 驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連接，第2柵極驅(qū)動電路 經(jīng)由柵極信號線與像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連接。
[0009] 另外，本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法中，EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具 備呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與 像素連接的源極信號線而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與像素連接的柵極信 號線而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向EL元件供給電流；第1 開關(guān)用晶體管，其與驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體 管，其與源極信號線連接并向像素供給圖像信號。進一步，柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū) 動電路，其與像素一起形成并配置于EL顯示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與EL顯示面 板的柵極信號線進行外部連接。第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第1開關(guān)用晶 體管的柵極端子連接，第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與像素的第2開關(guān)用晶體管的柵 極端子連接。在EL顯示面板上還形成有測試電路，所述測試電路通過源極信號線向像素供 給測試信號。在進行向EL顯示面板的像素供給測試信號的檢查之后，從EL顯示面板分離 測試電路。
[0010] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠針對構(gòu)成像素的多個晶體管分別最適合地實現(xiàn)導(dǎo)通截止控制， 所以能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)容易檢查的EL顯示裝置。另外，檢查面板時，能夠迅速地實施 檢查。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 圖1是一實施方式中的EL顯示裝置的像素的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0012] 圖2A是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的初始動作說明圖。
[0013] 圖2B是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的復(fù)位動作說明圖。
[0014] 圖2C是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的編程（program，程 序化）動作說明圖。
[0015] 圖2D是用于說明一實施方式中的EL顯示裝置的像素的動作的發(fā)光動作說明圖。
[0016] 圖3是表示一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的一例的剖視圖。
[0017] 圖4是表示一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的另一例的剖視圖。
[0018] 圖5是表示一實施方式中的EL顯示裝置的柵極信號線的連接狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。 [0019] 圖6是一實施方式中的EL顯示裝置的內(nèi)置柵極驅(qū)動電路側(cè)的結(jié)構(gòu)圖。
[0020] 圖7是表示延遲時間偏差（虛線）與延遲時間比（實線）的關(guān)系的圖。
[0021] 圖8是表示一實施方式中的EL顯示裝置的測試電路的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0022] 圖9是一實施方式中的EL顯示裝置的EL顯示面板的檢查方法的說明圖。
[0023] 圖10是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的圖。
[0024] 圖11是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的其他例子的圖。
[0025] 圖12是表示一實施方式中的EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0026] 標(biāo)號說明
[0027] 1 :EL顯示面板
[0028] 10 :像素
[0029] ll、lla、llb、llc、lld、lle、llf :晶體管
[0030] 12 :EL 元件
[0031] 13、13a、13b、13c、13d、13e :電容器
[0032] 14 :源極驅(qū)動1C
[0033] 15 :柵極驅(qū)動1C
[0034] 16:柵極驅(qū)動電路
[0035] 17、17a、17b、17c、17d、17e :柵極信號線
[0036] 18 :源極信號線
[0037] 19 :柔性基板（C0F)
[0038] 23 :柔性基板（C0F)
[0039] 26 :柔性基板（C0F)
[0040] 20:測試電路
【具體實施方式】
[0041] 以下，使用【專利附圖】
【附圖說明】一實施方式中的信息顯示裝置。
[0042] 圖1是一實施方式中的EL顯示裝置的像素的概略結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖1中，僅示 出了 EL顯示裝置的主要部分。
[0043] 如圖1所示，EL顯示裝置包括EL顯示面板1和裝載了驅(qū)動電路的布線基板。EL 顯示面板1為在顯示區(qū)域呈矩陣狀地配置了具有EL元件的多個像素的結(jié)構(gòu)。
[0044] 首先，說明像素的結(jié)構(gòu)。一個像素10具有如下結(jié)構(gòu)：在p溝道的驅(qū)動用晶體管11a 的漏極端子上連接有開關(guān)用晶體管lid的源極端子，在晶體管lid的漏極端子上連接有EL 元件12的陽極端子。晶體管llb、llc、lle、llf是設(shè)于像素10的其他開關(guān)用晶體管，另外， 電容器13a、13b、13c、13d、13e是用于控制晶體管11a?Ilf的導(dǎo)通截止（ON、OFF)的電容 器。
[0045] 另外，在EL元件12的陰極端子上施加有陰極電壓Vss，在晶體管11a的源極端子 上，從EL顯示裝置的陽電極施加有陽極電壓Vdd，這些陽極電壓Vdd和陰極電壓Vss設(shè)定為 陽極電壓Vdd>陰極電壓Vss的關(guān)系。
[0046] 另外，驅(qū)動電路具有：作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動IC14、作為柵極驅(qū)動電路的 柵極驅(qū)動IC15以及內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16。源極驅(qū)動IC14、柵極驅(qū)動 IC15、柵極驅(qū)動電路16以及像素10經(jīng)由柵極信號線17(17a、17b、17c、17d、17e)和源極信 號線18電連接。另外，具有端子電極16a的柵極驅(qū)動電路16通過與像素10 -起形成并配 置于EL顯示面板1，從而內(nèi)置于EL顯示面板1，所述端子電極16a連接?xùn)艠O信號線17d。即， 使用EL顯示面板1的像素10的晶體管制造工藝而同時形成。另一方面，在具有連接了柵 極信號線17a、17b、17c、17e的端子電極19a的作為布線基板的柔性基板（以下稱為C0F) 19 上裝載有柵極驅(qū)動IC15,柵極驅(qū)動IC15經(jīng)由該C0F19與EL顯示面板1的柵極信號線17a、 17b、17c、17e進行外部（externally)連接（外部方式的連接）。此外，柵極驅(qū)動IC15也可 以直接與EL顯示面板1的連接端子進行外部連接來進行裝載，而不使用C0F19。
[0047] 柵極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16可以用高溫多晶硅、低溫多晶硅、連續(xù)晶粒硅 (Continuous Grain Silicon)、透明非晶（無定形）氧化物半導(dǎo)體、非晶娃等的任一種方法 來形成。另外，如后所述，柵極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16具有用于依次向柵極信號線17 供給信號的移位寄存器電路和緩沖電路。通過使移位寄存器電路的掃描方向反轉(zhuǎn)，能夠上 下反轉(zhuǎn)地顯示EL顯示面板1的顯示畫面。
[0048] 此外，在圖1中，20是測試電路，配置在EL顯示面板1的外部，并與源極信號線18 電連接。另外，在EL顯示面板1的制造工序中，該測試電路20在檢查面板后分離。
[0049] 如圖1所示，在被供給控制像素10的發(fā)光的選擇/非選擇的信號的柵極信號線 中，當(dāng)向柵極信號線17d(Gd)施加導(dǎo)通（0N)電壓時，晶體管lid導(dǎo)通，來自晶體管11a的發(fā) 光電流被供給至EL元件12，EL元件12基于發(fā)光電流的大小而進行發(fā)光。發(fā)光電流的大小 通過將施加于源極信號線18的圖像信號通過開關(guān)用晶體管lib施加于像素10來決定。
[0050] 即，在晶體管11a的柵極端子與漏極端子間連接有晶體管lib的源極端子和漏極 端子，通過向柵極信號線17b (Gb)施加導(dǎo)通電壓，從而使晶體管11a的柵極端子與漏極端子 間短路（連接）。在晶體管11a的柵極端子上連接有電容器13b的一方端子，在電容器13b 的另一方端子上連接有晶體管lib的漏極端子。晶體管11c的源極端子經(jīng)由晶體管lib與 源極信號線18連接，當(dāng)向晶體管11c的柵極端子施加?xùn)艠O信號線17c (Gc)的導(dǎo)通電壓時， 晶體管11c導(dǎo)通，根據(jù)供給至源極信號線18的圖像信號而向像素10施加電壓Vss。
[0051] 另外，像素10的電容器13a的一方端子與晶體管lib的漏極端子連接，另一方端 子與EL顯示裝置的陽電極連接，并被施加陽極電壓Vdd。
[0052] 晶體管lie的漏極端子與晶體管lib的漏極端子連接，晶體管lie的源極端子與 被施加了復(fù)位電壓Va的信號線連接。通過向柵極信號線17a(Ga)施加導(dǎo)通電壓，晶體管 lie導(dǎo)通，復(fù)位電壓Va被施加至電容器13a。
[0053] 在此，晶體管11c、lie設(shè)為p溝道，并米用LDD (Lightly Doped Drain :輕摻雜漏 區(qū)）結(jié)構(gòu)。也就是說，通過采用多個晶體管的柵極串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，能夠使晶體管llc、lle 的截止特性良好。優(yōu)選的是，晶體管llc、lle以外的晶體管也采用p溝道，并采用LDD結(jié) 構(gòu)，通過根據(jù)需要設(shè)為多柵極結(jié)構(gòu)，能夠抑制截止泄漏，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的對比度、失調(diào)消除 (offset cancel)動作。
[0054] 此外，電容器13a設(shè)為施加陽極電壓Vdd的結(jié)構(gòu)，但不限定與此，也可以與其他任 意的直流電壓連接。晶體管11a同樣地也可以設(shè)為施加陽極電壓Vdd以外的任意直流電壓 的結(jié)構(gòu)。也就是說，在電容器13a與晶體管11a的源極端子上也可以不施加相同電壓，而施 加不同的電壓。例如，也可以是如下連接結(jié)構(gòu)：在晶體管11a的源極端子上施加陽極電壓 Vdd，在電容器13a上施加直流電壓Vb(5V)的電壓。
[0055] 另外，在像PWM驅(qū)動方式那樣，使像素10閃爍或者數(shù)字地點亮而顯示的數(shù)字驅(qū)動 方式的情況下，通過晶體管lib向像素10施加規(guī)定的電壓值，根據(jù)與圖像信號的灰階（灰 度等級，色階）對應(yīng)的位數(shù)使晶體管lid導(dǎo)通截止而進行灰階顯示，從而進行發(fā)光驅(qū)動控 制。另外，導(dǎo)通截止控制晶體管lld，在顯示區(qū)域上產(chǎn)生帶狀的黑顯示（非顯示），并控制在 顯示區(qū)域中流動的電流量。
[0056] 接著，在圖1中，說明以虛線示出的電容器13c、13d的作用。電容器13c形成于柵 極信號線17b與晶體管11a之間，電容器13d形成于柵極信號線17d與晶體管11a的柵極 端子之間。將該電容器13c、13d等稱為穿通電容器，另外，將使之變化的電壓或者發(fā)生了變 化的電壓稱為穿通電壓。
[0057] 在圖1中，在柵極信號線17b上施加了導(dǎo)通電壓（VGL1)時，晶體管lib為導(dǎo)通狀 態(tài)，施加于源極信號線18的圖像信號施加給像素10。接著，施加在柵極信號線17b上的電 壓從導(dǎo)通電壓VGL1變化至截止電壓VGH1時，晶體管lib截止。此時，電容器13c的一端的 電壓也從VGL1變化至VGH1，基于變化的電壓被傳遞給晶體管11a的柵極端子。由于傳遞的 電壓為使晶體管11a的柵極端子電壓上升的方向，另外，由于晶體管11a是p溝道晶體管， 因此，其電壓變化成為使晶體管11a流至EL元件12的電流減少的方向，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的黑 顯不。
[0058] 這樣，通過經(jīng)由電容器13c的電容使驅(qū)動用晶體管11a的柵極端子電壓（電容器 13e的電位）變化，從而能夠進行良好的黑顯示。
[0059] 另外，在晶體管lid導(dǎo)通時，在柵極信號線17d上施加了 VGL2電壓，在晶體管lid 截止時，在柵極信號線17d上施加了 VGH2電壓。晶體管lid在失調(diào)消除動作時為截止?fàn)?態(tài)，在使EL元件12發(fā)光時為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在顯示開始時，柵極信號線17d按VGH2電壓 -VGL2電壓變化。因此，晶體管11a的柵極端子的電壓由于穿通電容器13d的作用而降低。 當(dāng)晶體管11a的柵極端子的電壓下降時，晶體管11a能夠使較大的電流流經(jīng)EL元件12,能 夠?qū)崿F(xiàn)高輝度（brightness)顯示。
[0060] 這樣，通過經(jīng)由電容器13d的電容使驅(qū)動用晶體管11a的柵極端子電壓變化，加大 在EL元件12中流動的電流的振幅，能夠?qū)崿F(xiàn)高輝度顯示。
[0061] 電容器13c的電容優(yōu)選設(shè)為電容器13a或者電容器13b的電容的1/12以上且1/3 以下。當(dāng)電容器13c的電容比過小時，晶體管11a的柵極端子電壓的變化比例變得過大，與 已失調(diào)消除的狀態(tài)下的理想值的差異變得過大。另外，當(dāng)電容比過大時，晶體管11a的柵極 端子電壓的變化變小，難以得到效果。
[0062] 另外，優(yōu)選使穿通電壓產(chǎn)生的電容器13c基于像素調(diào)制的R、G、B的像素尺寸、供給 的電流的大小或者驅(qū)動用晶體管的WL比而變化。這是由于R、G、B像素的各EL元件12的 驅(qū)動電流不同，黑電平（black level)的電流或者電壓值不同。例如，在將R像素的電容器 13c設(shè)為0. 02pF的情況下，將其他顏色（G、B像素）的電容器13c設(shè)為0. 025pF。另外，在 將R像素的電容器13c設(shè)為0. 02pF的情況下，將G像素的電容器13c設(shè)為0. 03pF，將B像 素的電容器13c設(shè)為0.025。
[0063] 通過這樣使電容器13c的電容按R、G、B像素變化，從而能夠按RGB調(diào)整失調(diào)消除 電壓、黑電平的驅(qū)動電流或者黑顯示的電壓。
[0064] 進一步，由于穿通電壓由保持用電容器13a、13b、產(chǎn)生穿通電壓用的電容器13c之 間的相對的電容差決定，不限定于在R、G、B像素使電容器13c變化，也可以使保持用電容器 13a的電容變化。例如，在將R像素的電容器13a設(shè)為l.OpF的情況下，也可以將G像素的 電容器13a設(shè)為1. 2pF，將B像素的電容器13a設(shè)為0. 9pF。
[0065] 另外，也可以在顯示區(qū)域的左右使穿通電壓用的電容器13c的電容變化。位于接 近柵極驅(qū)動IC15或柵極驅(qū)動電路16的位置的像素10配置在信號供給側(cè)。因此，由于柵極 信號的上升快或電壓轉(zhuǎn)換速率高，所以穿通電壓變大。顯示區(qū)域的中央部或者形成于離柵 極驅(qū)動IC15、柵極驅(qū)動電路16遠的位置的像素由于柵極信號的上升慢，穿通電壓變小。因 此，也可以構(gòu)成為：減小與柵極驅(qū)動IC15的連接側(cè)接近的像素10的穿通電壓用的電容器 13c的電容，加大離柵極驅(qū)動IC15遠的位置的像素10的電容器13c的電容。
[0066] 圖2A?圖2D是用于說明EL顯示裝置的像素動作的動作說明圖。使用圖2A?圖 2D進一步詳細說明像素10的點亮動作。向像素寫入圖像信號的動作、EL元件12的發(fā)光動 作按圖2A -圖2B -圖2C -圖2D進行。
[0067] 圖2A是初始動作的說明圖。在水平同步信號（HD)后實施初始化動作。在圖1 中，在柵極信號線17a、17d、17e上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lld、lle、llf導(dǎo)通。在柵極信號線 17b、17c上施加截止電壓，晶體管llb、llc截止。從施加了復(fù)位電壓Va的信號線向電容器 13a的一方端子供給復(fù)位電壓Va。
[0068] 在晶體管11a中，失調(diào)消除電流If從源極端子的電位Vdd，經(jīng)由晶體管lla、llc、 Ilf的溝道，朝向施加于晶體管Ilf的漏極端子的電極的直流電壓Vb流動。此外，電壓的大 小設(shè)為如下關(guān)系：陽極電壓Vdd>直流電壓Vb、復(fù)位電壓Va>直流電壓Vb。
[0069] 通過失調(diào)消除電流If流動，晶體管11a的漏極端子電位降低。另外，由于復(fù)位電 壓Va，復(fù)位電流Ir流動，在電容器13b的端子上施加了電壓Va。
[0070] 晶體管11a在導(dǎo)通后的短時間內(nèi)流過失調(diào)消除電流If。通過失調(diào)消除電流If，至 少晶體管11a的漏極端子電壓下降為比陽極電壓Vdd低，成為可動作狀態(tài)。
[0071] 圖2B是復(fù)位動作。在圖1中，在柵極信號線17c上施加導(dǎo)通電壓，在柵極信號線 17d上施加截止電壓。晶體管lid截止而晶體管11c導(dǎo)通。
[0072] 由于晶體管lid截止而晶體管11c導(dǎo)通，失調(diào)消除電流If朝向晶體管11a的柵極 端子流動。失調(diào)消除電流If最初流動比較大的電流。隨著晶體管11a的柵極端子的電位 上升且接近截止?fàn)顟B(tài)，流動的電流減小。最終，成為〇 μ A或0 μ A附近的電流值。
[0073] 通過以上的動作，晶體管11a成為失調(diào)消除的狀態(tài)。失調(diào)消除電壓被保持在電容 器13b。電容器13b的一方端子被保持在復(fù)位電壓Va。在其他端子（與晶體管11a的柵極 端子連接的端子）上保持了失調(diào)消除電壓。
[0074] 圖2C是編程動作。在編程動作中，在圖1中，在柵極信號線17a、17c、17d上施加截 止電壓，晶體管lle、llc、lld截止。在柵極信號線17b上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lib導(dǎo)通。
[0075] 另一方面，在源極信號線18上施加了圖像信號電壓Vs。由于晶體管lib導(dǎo)通，在 電容器13b上施加圖像信號電壓Vs。電容器13b的端子從復(fù)位電壓Va變化至圖像信號電 壓Vs。因此，在電容器13b上保持為基于圖像信號電壓Vs+失調(diào)消除電壓的電壓。
[0076] 此外，圖像信號電壓Vs是以陽極電壓Vdd為基準(zhǔn)的電壓。由于面板內(nèi)的布線電壓 降，陽極電壓Vdd在面板內(nèi)不同。因此，圖像信號電壓Vs也基于施加在像素上的陽極電壓 Vdd而可變或使之變化。
[0077] 圖2D是EL元件12的發(fā)光動作。在圖2C的編程動作后，在圖1中，在柵極信號線 17b上施加截止電壓，晶體管lib成為截止?fàn)顟B(tài)。像素10與源極信號線18斷開。在柵極信 號線17d上施加導(dǎo)通電壓，晶體管lid導(dǎo)通，來自晶體管11a的發(fā)光電流Ie供給至EL元件 12。EL兀件12基于供給的發(fā)光電流Ie來發(fā)光。
[0078] 此外，在圖1、圖2A?圖2D中，也可以去除晶體管Ilf。在沒有晶體管Ilf的像素 結(jié)構(gòu)中，在圖2A中，晶體管lid導(dǎo)通時，失調(diào)消除電流If流經(jīng)EL元件12。由于失調(diào)消除 電流If流經(jīng)EL元件12，EL元件12會發(fā)光，但由于失調(diào)消除電流If流動的時間為1 μ sec 以下，所以EL元件12發(fā)光的時間很短。因此，基本上不會產(chǎn)生EL顯示裝置（EL顯示面板） 的對比度下降。
[0079] 作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動IC14不只是單單的驅(qū)動功能，也可以內(nèi)置電源電 路、緩沖電路（包含移位寄存器等電路）、數(shù)據(jù)變換電路、鎖存器電路、指令解碼器、移位電 路、地址變換電路、圖像存儲器等。
[0080] 柵極驅(qū)動電路16也可以使用P溝道晶體管和電容器構(gòu)成移位寄存器和輸出緩沖 電路。由于僅由P溝道晶體管構(gòu)成，在工藝中使用的掩模數(shù)量變少，能夠?qū)崿F(xiàn)面板的低成本 化。
[0081] 另外，晶體管11 a?11 f可以用高溫多晶硅、低溫多晶硅、連續(xù)晶粒硅、透明非晶氧 化物半導(dǎo)體、非晶硅、紅外線RTA等來形成等任一種方法來構(gòu)成。通過將這些晶體管設(shè)為頂 柵結(jié)構(gòu)，寄生電容降低，頂柵的柵電極圖案成為遮光層，用遮光層遮斷從EL元件12出射的 光，能夠降低晶體管的誤動作、截止泄漏電流。
[0082] 作為柵極信號線17、源極信號線18或者柵極信號線17與源極信號線18雙方的布 線材料，從能夠降低布線電阻并能夠?qū)崿F(xiàn)更大型的EL顯示面板來看，優(yōu)選實施能夠采用銅 布線或銅合金布線的工藝。
[0083] 這樣，在本公開中，使用內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16、不內(nèi)置于ELS 示面板1的柵極驅(qū)動IC15,柵極驅(qū)動電路16用于控制向EL元件12的供給電流，柵極驅(qū)動 IC15用于控制向像素10施加圖像信號的晶體管lib。后面將進行詳細說明。
[0084] 在此，說明EL顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0085] 圖3是表示EL顯示面板的一例的剖視圖。如圖3所示，在EL顯示面板的背面?zhèn)?配置有封止板30,并且在顯示面?zhèn)扰渲糜嘘嚵谢?1，而且在陣列基板31的顯示面上配置 有偏振片32。作為該陣列基板31的構(gòu)成材料，可使用具有光透射性的玻璃襯底、硅晶片、金 屬基板、陶瓷基板、塑料片等、用于使散熱性良好的藍寶石玻璃等。作為封止板30的構(gòu)成材 料，可使用與陣列基板31相同的材料。此外，為了防止不耐濕度的EL材料的劣化，在封止 板30與陣列基板31的空間中配置有干燥劑（未圖示）。封止板30與陣列基板31由封止 樹脂（未圖示）封止周邊部。
[0086] 另外，在封止板30與陣列基板31之間的空間中或者在封止板30的表面等上配置 有溫度傳感器（未圖示），利用該溫度傳感器的輸出結(jié)果，實施EL顯示面板的占空比控制或 點亮率控制等。進一步，在檢查面板時，基于溫度傳感器的檢測輸出，調(diào)整柵極驅(qū)動電路的 動作（工作）速度。
[0087] 首先，說明薄膜晶體管陣列基板側(cè)，在圖3中，在陣列基板31內(nèi)表面上形成有由 紅（R)、綠（G)、藍（B)構(gòu)成的彩色濾光器33(33R、33G、33B)。此外，彩色濾光器并不限定于 RGB，也可以形成青色（C)、品紅色（M)、黃色（Y)的像素。另外，也可以形成白（W)的像素。 用于進行彩色顯示的一個像素制造成為由RGB三個像素形成正方形的形狀。此外，也可以 使R、G、B的像素開口率不同。通過使開口率不同，能夠使流經(jīng)各像素的RGB的EL元件12 的電流密度不同，由此，能夠?qū)GB的EL元件12的劣化速度設(shè)為相同。
[0088] 在EL顯示面板中，作為進行彩色顯示的方法，除了如上所述使用彩色濾光器33以 夕卜，也可以形成藍色發(fā)光的EL層，并用R、G、B的顏色轉(zhuǎn)換層將發(fā)出的藍色光轉(zhuǎn)換成R、G、B 光。
[0089] 另外，如圖1所示，形成在陣列基板31上的各像素具有多個晶體管11，而且在像素 間配置有柵極信號線17。而且，在彩色濾光器33上以覆蓋晶體管11或柵極信號線17以 及源極信號線（未圖示）的方式形成有作為層間絕緣膜的絕緣膜34,進一步，在彩色濾光 器33間形成黑矩陣35,并且在形成有晶體管11的部分形成有遮光膜36。另外，在絕緣膜 34內(nèi)配置有用于連接陣列基板31側(cè)的晶體管11與發(fā)光部側(cè)的像素電極的連接部37。進 一步，在絕緣膜34上形成有光散射層38。該光散射層38是在樹脂材料上擴散了氧化鈦、氧 化鋁、氧化鎂等而成的部件，也可以用乳白玻璃等光擴散物來構(gòu)成。光散射層34有助于增 加從面板內(nèi)放射的光。
[0090] 接著，說明發(fā)光部側(cè)，在圖3中，在絕緣膜34上，以分隔各像素間的方式形成有肋 39,在該肋 39 內(nèi)形成有由 IT0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫）、IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide :銦鎵鋅氧化物）、IZO(Indium Zinc Oxide :氧化銦鋅）等的透明電極構(gòu)成的陽電極 40以及紅（R)、綠（G)、藍（B)的EL層41R、41G、41B。而且，在EL層41R、41G、41B上，以與 陽電極40 -起夾持EL層41R、41G、41B的方式形成有陰電極42。
[0091] 作為該陰極電極43,能夠使用銀（Ag)、鋁（A1)、鎂（Mg)、鈣（Ca)或這些物質(zhì)的合 金、ΙΤ0、IGZ0、ΙΖ0等的透明電極。
[0092] 在此，圖3所示例子為從陣列基板31 -側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)的例子，如圖4所示，也可 以使用從發(fā)光部一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)的EL顯示面板。
[0093] 在圖4所示的例子的面板中，在陰電極42的上層或下層形成低電阻化布線43,所 述低電阻化布線43由選自鉻（Cr)、鋁（A1)、鈦（Ti)、銅（Cu)的金屬層疊結(jié)構(gòu)或者多種金 屬材料的合金金屬薄膜構(gòu)成。而且，設(shè)為如下結(jié)構(gòu)：以封止膜44覆蓋陰電極42 (包含該低 電阻化布線43)后，利用粘接層46粘接由玻璃襯底、光透射性的薄膜構(gòu)成的封止基板45而 成。
[0094] 接著，說明EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制造時的檢查方法。
[0095] 圖5是表示在EL顯示裝置中柵極信號線的連接狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖5中， 只圖示兩個像素，進一步省略了在圖1中以虛線示出的電容器13c?13e來進行圖示。 [0096] 如圖5所示，晶體管lib的柵極端子與柵極信號線17b(Gb)連接，柵極信號線 17b (Gb)與柵極驅(qū)動IC15或C0F19的端子電極19a連接。晶體管lie的柵極端子與柵極信 號線17a(Ga)連接，晶體管Ilf的柵極端子與柵極信號線17e (Ge)連接。另外，晶體管11c的 柵極端子與柵極信號線17c (Gc)連接。而且，柵極信號線17e與1條柵極信號線17a (Ga)連 接，并與裝載了柵極驅(qū)動IC15的C0F19的端子電極19a連接。因此，在柵極信號線17a (Ga) 上連接有兩個晶體管（lle、llf)。柵極驅(qū)動IC15向柵極信號線17a輸出導(dǎo)通截止電壓，并 導(dǎo)通截止控制晶體管lle、llf。另外，柵極驅(qū)動IC15依次或者獨立地控制各像素行，并使圖 像顯示在面板上。
[0097] 此外，如晶體管lib的柵極信號線17b，向像素10施加圖像信號并控制需要進行高 速寫入的晶體管的柵極信號線與外部的柵極驅(qū)動IC15連接。另外，如柵極信號線17a，在連 接于一條柵極信號線的晶體管為多個的情況下，柵極信號線與外部的柵極驅(qū)動IC15連接。
[0098] 另一方面，如晶體管lid的柵極信號線17d，控制從驅(qū)動用晶體管11a向EL元件 12供給的發(fā)光電流的柵極信號線與面板內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16連接。
[0099] 在圖5中，在柵極驅(qū)動IC15中設(shè)有三個移位寄存器電路15a、15b、15c和輸出緩沖 電路15d。雖然在圖5中未圖示，移位寄存器電路15a、15b、15c的輸出引出至外部，并與供 給時鐘信號CK、開始脈沖信號ST的控制信號線連接。
[0100] 在此，由柵極驅(qū)動IC15驅(qū)動（控制）且需要高速的響應(yīng)性的柵極信號線17 (柵極 信號線17a、17b、17c、17e)由銅（Cu)或者鈦（Ti)_銅（Cu)_鈦（Ti)這3層或者銅（Cu)合 金構(gòu)成從而使電阻值變低。另一方面，由于由柵極驅(qū)動電路16驅(qū)動的柵極信號線17(柵極 信號線17d)無需比較高速的響應(yīng)性，所以也可以由阻抗比較高的鋁（A1)、鑰（Mo)、鎢（W) 或者這些金屬合金構(gòu)成。
[0101] 即，與由內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16控制的柵極信號線17相比，由外部的柵極驅(qū)動 IC15控制的柵極信號線17由布線電阻低的金屬材料構(gòu)成。此外，作為降低布線電阻的方 法，也可以不改變金屬材料本身而通過變更布線的膜厚或?qū)挾葋韺崿F(xiàn)。
[0102] 圖6是表示在EL顯示裝置中內(nèi)置柵極驅(qū)動電路一側(cè)的結(jié)構(gòu)和與多個像素的連接 狀態(tài)的結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖6中，如圖5所示，柵極信號線17e作為與柵極信號線17a共用 地連接的部件而省略。另外，在圖6中，2表示EL顯示面板1的顯示區(qū)域。
[0103] 如圖6所示，柵極驅(qū)動電路16向柵極信號線17d輸出導(dǎo)通截止電壓（VGH2、VGL2)， 柵極驅(qū)動IC15向柵極信號線17a、17b、17c輸出導(dǎo)通截止電壓（VGH1、VGL1)。該柵極驅(qū)動 IC15和柵極驅(qū)動電路16的輸出電壓VGH1、VGH2、VGL1、VGL2構(gòu)成為能夠獨立地設(shè)定成與像 素10的各晶體管適應(yīng)的電壓值。另外，在柵極驅(qū)動電路16中設(shè)有移位寄存器電路16b和 至少兩級倒相電路16c、16d，在該柵極驅(qū)動電路16的移位寄存器電路16a、圖5所示柵極驅(qū) 動IC15的移位寄存器電路15a、15b、15c以及源極驅(qū)動IC14上連接有供給時鐘信號CK、開 始脈沖信號ST的控制信號線2la、2lb。
[0104] 在此，由于柵極驅(qū)動電路16的移位寄存器電路16b的輸出級的柵極驅(qū)動能力小， 所以由構(gòu)成移位寄存器電路16b的柵極電路直接驅(qū)動?xùn)艠O信號線17d是不可能的，因此需 要連接多級倒相電路16c、16d。當(dāng)?shù)瓜嚯娐?6c、16d的連接級數(shù)較多時，連接的倒相電路 16c、16d的特性差累積，從移位寄存器電路16b到端子電極16a的傳遞時間產(chǎn)生差別。例 如，在極端情況下，從移位寄存器電路16b輸出輸出脈沖后，在1. 0 μ sec后才在端子電極 16a輸出導(dǎo)通截止信號。
[0105] 具體而言，在圖6中，當(dāng)將倒相電路16c的N溝道晶體管的溝道寬度設(shè)為W1并將 溝道長度設(shè)為L1，將倒相電路16d的N溝道晶體管的溝道寬度設(shè)為W2并將溝道長度設(shè)為 L2時，當(dāng)?shù)瓜嚯娐?6d的W2/L2的大小與倒相電路16c的W1/L1的尺寸比大時，延遲時間變 長，另外，反相器的特性偏差也變大。
[0106] 圖7是表示延遲時間偏差（虛線）與延遲時間比（實線）的關(guān)系的圖。橫軸由 (Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)表示。例如，在圖6中，如果倒相電路16d與倒相電路16c的L相同 (LI = L2)，且 2 · W1 = W2,貝lj (W1/L1V(W2/L2) =0.5。在圖 7 的圖中，在（Wn-l/Ln-1)/ (Wn/Ln) = 0. 5時將延遲時間比設(shè)為1，同樣地，也將延遲時間偏差設(shè)為1。
[0107] 如圖7所示，（Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)越大，倒相電路部的延遲時間偏差也變大。另 夕卜，（Wn-l/Ln-lV(Wn/Ln)越小，從倒相電路16c向下一級的倒相電路16d的延遲時間變長。 從圖7可以明顯地看出，將延遲時間比和延遲時間偏差設(shè)為2以內(nèi)在設(shè)計上是有利的。因 此，滿足以下公式的條件即可。
[0108] 0. 25 ^ (ffn-l/Ln-l)/(ffn/Ln) ^ 0. 75
[0109] 另外，各倒相電路16c、16d的p溝道的W/L比（Wp/Lp)與η溝道的W/L比（Ws/Ls) 需要滿足以下關(guān)系。
[0110] 0.4^ (Wp/Lp) / (Wp/Lp) ^ 0. 8
[0111] 圖8是表示在EL顯示裝置中測試電路的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0112] 如圖8所示，測試電路20與各源極信號線18的一端連接，在測試電路20內(nèi)，連接 有與RGB的各像素10R、10G、10B的源極信號線18的一端連接的測試用晶體管T(晶體管 TRl、TGl、TBl*"TRn、TGn、TBn)。
[0113] 測試用晶體管T是施加紅（R)、綠（G)、藍（B)電壓用的晶體管（開關(guān)電路），是用 于依次向RGB的各像素10R、10G、10B施加電壓的開關(guān)用晶體管。晶體管T的柵極端子與 電極端子Y1?Y4連接，在該電極端子Y1?Y4上連接有探針22a?22d，并被施加了晶體 管T的導(dǎo)通截止電壓?；谑┘釉谠撾姌O端子Y1?Y4上的電壓，導(dǎo)通截止控制晶體管T。 施加在該電極端子Y1?Y4上的導(dǎo)通截止電壓是指與圖像信號電壓等效的電壓，例如通過 用截止電壓VGH、導(dǎo)通電壓VGL施加導(dǎo)通電壓，晶體管T導(dǎo)通而向各像素10施加測試電壓。 艮P，通過將測試電壓的大小設(shè)為可變，能夠使像素10的顯示輝度變化。
[0114] 測試EL顯示面板1時，向探針22a施加導(dǎo)通電壓從而晶體管T導(dǎo)通，測試電壓施 加在各源極信號線18上。測試時，使柵極驅(qū)動電路16動作，并使選擇的柵極信號線位置移 動而進行檢查。另外，根據(jù)需要，使柵極驅(qū)動IC15動作而進行檢查。
[0115] 按這種方式進行測試時，通過同時控制測試電路20和柵極驅(qū)動電路16并進行面 板檢查，能夠得到使面板檢查容易且能夠迅速地實施精度高的檢查。
[0116] 此外，為了使像素10黑顯示，在像素的驅(qū)動用晶體管11a為p溝道時，一般將測試 電壓設(shè)為陽極電壓Vdd附近的電壓值。為了進行白顯示，一般將測試電壓設(shè)為接地電壓或 陰極電壓Vss附近的電壓值。
[0117] 圖9是用于說明在EL顯示裝置的制造方法中EL顯示面板的檢查方法的說明圖。 在圖9中示意性地圖示了檢查時的布線狀態(tài)。
[0118] 如圖9所示，與外部連接的柵極驅(qū)動IC15連接的柵極信號線17a、17b、17c的一端 經(jīng)由形成于EL顯示面板1的端部的布線la與T1端子、T2端子、T3端子連接。即，T1端子 與多個像素10的柵極信號線17b (Gb)連接，T2端子與多個像素10的柵極信號線17a連接， T3端子與多個像素10的柵極信號線17c連接。另外，如上所述，在柵極信號線17d上連接 有內(nèi)置于EL顯示面板1的柵極驅(qū)動電路16,如在圖8中說明的那樣，在源極信號線18的一 端連接有測試電路20。
[0119] 在圖9中，通過向T1端子施加導(dǎo)通電壓（VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)?截止控制像素10的晶體管11b，能夠向像素10寫入施加于源極信號線18的圖像信號。另 夕卜，通過向T2端子施加導(dǎo)通電壓（VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)ń刂箍刂葡袼?0 的晶體管lie、Ilf，能夠向像素10施加復(fù)位電壓Va。進一步，通過向T3端子施加導(dǎo)通電壓 (VGL1)或者截止電壓（VGH1)，能夠?qū)ń刂箍刂葡袼?0的晶體管11c，通過向像素10施加 復(fù)位電壓Va并使晶體管11c導(dǎo)通，能夠?qū)崿F(xiàn)失調(diào)消除動作。
[0120] 如圖9所示，通過T1端子、T2端子、T3端子向柵極信號線17a、17b、17c供給規(guī)定 的測試信號，并且從內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16向柵極信號線17d供給規(guī)定的測試信號，另外， 通過測試電路20向源極信號線18供給規(guī)定的測試信號。利用柵極驅(qū)動電路16對柵極信 號線17d的選擇也可以是同時選擇多條柵極信號線17d。柵極信號線17d的選擇可以通過 施加于柵極驅(qū)動電路16的開始信號（ST)來設(shè)定。
[0121] 這樣，在進行EL顯示面板1的檢查后，通過在圖9的A-A線和B-B線切斷EL顯示 面板1的基板而分離布線la部分和測試電路20部分，能夠以簡單的結(jié)構(gòu)迅速地進行EL顯 示面板1的檢查。
[0122] 此外，針對測試電路20部分，通過構(gòu)成為在檢查結(jié)束后始終施加使測試電路20的 晶體管截止的電壓，也可以不在B-B線切斷EL顯示面板1的基板。另外，針對柵極信號線 17a、17b、17c-側(cè)，不設(shè)置T1端子、T2端子、T3端子，通過構(gòu)成為使檢查用探針直接與柵極 信號線17 a、17b、17c電接觸而供給規(guī)定的測試信號，也無需進行檢查結(jié)束后的基板切斷作 業(yè)。
[0123] 圖10是表示供給至圖9的主要部分的電壓波形的圖。在圖10中，B表示低輝度 (黑顯示），W表示高輝度（白顯示）。
[0124] 如圖10所示，在圖9的K1端子上施加了陽極電壓Vdd，在K2端子上施加了陰極 電壓Vss，在K3端子上施加了復(fù)位電壓Va，在K4端子施加了電壓Vb。柵極驅(qū)動電路16的 VGH2電壓施加在VGH2端子上，VGL2電壓施加在VGL2端子上。另外，柵極驅(qū)動電路16的時 鐘CK施加在CK端子上，開始信號ST施加在ST端子上，使能信號EN施加在EN端子上。
[0125] 使檢查用探針與T1端子接觸，向柵極信號線17b施加導(dǎo)通截止電壓（VGL、VGH) 而導(dǎo)通截止控制晶體管lib。另外，從T2端子向柵極信號線17a施加導(dǎo)通截止電壓（VGL、 VGH)而導(dǎo)通截止控制晶體管lle、llf。另外，從T3端子向柵極信號線17c施加導(dǎo)通截止電 壓（VGL、VGH)而導(dǎo)通截止控制晶體管11c。
[0126] 在Y2端子上施加了測試電路20的晶體管的導(dǎo)通截止信號電壓。測試電路20的 晶體管由P溝道晶體管形成，通過在Y2端子上施加 VGL電壓，晶體管導(dǎo)通。在Y1端子上施 加了圖像信號電壓Vs，分別在紅（R)色的像素、綠（G)色的像素、藍（B)色的像素上施加與 圖像信號對應(yīng)的適當(dāng)?shù)碾妷?。通過間歇地施加電壓，能夠間歇地點亮EL顯示面板1的RGB 像素，所述電壓施加在像素上。
[0127] 此外，針對檢查方法，列舉說明了將EL元件12設(shè)為點亮或非點亮狀態(tài)來檢查的例 子，但通過檢測流經(jīng)短路位置的電流，能夠進行晶體管11的短路缺陷等的檢查。流經(jīng)短路 位置的電流的檢測時，可使拾取用探針與源極信號線18等接觸而檢測出電流。
[0128] 另外，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為可變，能夠使像素的發(fā)光輝度變化。由于像素 10的驅(qū)動用晶體管11a為p溝道晶體管，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為接近陽極電壓Vdd， 像素10的發(fā)光輝度變低。另一方面，通過將圖像信號電壓Vs設(shè)為接地或接近陰極電壓Vss 的電壓，像素10的發(fā)光輝度變高。當(dāng)然，通過調(diào)整圖像信號電壓Vs或使之可變，能夠調(diào)整 像素10的EL元件12的發(fā)光輝度。
[0129] 如圖10所示，將tl+t2期間設(shè)為一個周期，在Y1端子上施加成為低輝度、高輝度 的電壓，通過使tl期間、t2期間獨立地可變，或者通過使tl期間或t2期間相對于tl+t2期 間可變，也能夠檢查像素10的電容器13的保持特性等。另外，能夠檢查EL元件12的發(fā)光 特性、晶體管11的特性。
[0130] 另外，通過在T2端子上在t4期間中施加 VGL電壓，與柵極信號線17a(Ga)連接的 晶體管lle、llf導(dǎo)通。另外，通過向柵極信號線17d(Gd)施加導(dǎo)通電壓VGL，晶體管lid導(dǎo) 通。通過晶體管lid和晶體管Ilf導(dǎo)通，陽極電壓Vdd -晶體管11a -晶體管lid -晶體 管Ilf - Vb端子的電流路徑產(chǎn)生，驅(qū)動用晶體管11a的漏極端子降低。
[0131] 接著，通過在T3端子上在t3期間中施加 VGL電壓，與柵極信號線17c (Gc)連接的 晶體管11c導(dǎo)通，晶體管11a被失調(diào)消除。接著，在T2端子、T3端子上施加 VGH電壓，晶體 管lie、Ilf、11c成為截止動作。通過在T1端子上在t5期間中向柵極信號線17c施加 VGL 電壓，晶體管lib導(dǎo)通。通過晶體管lib的導(dǎo)通，在像素10上施加圖像信號。
[0132] 此外，通過調(diào)整t3、t4、t5期間或使之可變，能夠進行像素10的失調(diào)消除動作，通 過使復(fù)位電壓Va的施加時間可變，能夠調(diào)整或變更晶體管11的動作狀態(tài)，能夠進行像素10 的動作試驗。
[0133] 另外，用供給至面板內(nèi)置的柵極驅(qū)動電路16的使能端子（EN端子）的信號來進行 像素10的EL元件12的發(fā)光（導(dǎo)通）、非發(fā)光（截止）的控制。當(dāng)用邏輯電平將EN端子 設(shè)為Η電平時，向柵極信號線17d(Gd)輸出VGL電壓，晶體管lid導(dǎo)通。由于晶體管lid導(dǎo) 通，將來自驅(qū)動用晶體管1 la的發(fā)光電流供給至EL元件12的電流路徑產(chǎn)生，對應(yīng)的EL元 件12發(fā)光。當(dāng)用邏輯電平將EN端子設(shè)為L電平時，向柵極信號線17d(Gd)輸出VGH電壓， 晶體管lid截止。由于晶體管lid截止，將來自驅(qū)動用晶體管11a的發(fā)光電流供給至EL元 件12的電流路徑消失，對應(yīng)的EL元件12成為非點亮。
[0134] 與該EL元件12的控制同步地在Y2端子上施加圖像信號。在Y1端子上施加導(dǎo)通 電壓（VGL)，使測試電路20的晶體管導(dǎo)通，向源極信號線18施加測試用圖像信號電壓。
[0135] 例如在圖10中，在t2期間或者tl期間施加測試用圖像信號電壓。
[0136] 圖10所示的信號波形為針對偶數(shù)、奇數(shù)等那樣的兩個像素交替地進行黑與白的 顯示的例子，但也可以供給圖11所示的信號波形。圖11所示的例子為針對一個像素，顯示 為從黑至白，針對下一個像素，顯示為從黑至白，即，在兩個像素中，交替地進行黑顯示、白 顯不。
[0137] 圖12是表示EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。在圖12中，示出了按圖9的方式 進行檢查后，在A-A線、B-B線切斷EL顯示面板1的基板且之后裝載了外部連接的驅(qū)動電 路的狀態(tài)。
[0138] 如圖12所示，在EL顯示面板1中安裝有裝載了源極驅(qū)動IC14的柔性基板 (C0F)23、裝載了柵極驅(qū)動IC15的柔性基板（C0F) 19。另外，在裝載了源極驅(qū)動IC14的柔性 基板（C0F) 23上，也裝載了控制用IC24,并連接成向柵極驅(qū)動電路16供給用于控制動作的 定時信號。即，源極驅(qū)動IC14向控制用IC24供給與圖像信號同步的定時信號，控制用IC24 通過使定時信號的電壓電平位移（level shift)而控制柵極驅(qū)動電路16。此外，25是電源 控制用1C，裝載在柔性基板（C0F) 26上。
[0139] 以上說明的本公開涉及一種EL顯示裝置，具備：EL顯示面板1，其具備呈矩陣狀配 置有多個像素10的顯示區(qū)域，所述像素10具有EL元件12 ;作為源極驅(qū)動電路的源極驅(qū)動 IC14,其通過與像素10連接的源極信號線18而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過 與像素10連接的柵極信號線17而供給選擇電壓或非選擇電壓。像素10具有：驅(qū)動用晶體 管11a，其向EL元件12供給電流；第1開關(guān)用晶體管lld，其與驅(qū)動用晶體管11a連接并控 制供給至EL元件12的電流；以及第2開關(guān)用晶體管1113、11(：、116，其與源極信號線18連 接并向像素10供給圖像信號。而且，柵極驅(qū)動電路具備：作為第1柵極驅(qū)動電路的柵極驅(qū) 動電路16,其與像素10 -起形成并配置于EL顯示面板1 ;以及作為第2柵極驅(qū)動電路的柵 極驅(qū)動IC15,其與EL顯示面板1的柵極信號線17a、17b、17c進行外部連接。柵極驅(qū)動電 路16經(jīng)由柵極信號線17d與像素10的第1開關(guān)用晶體管lid的柵極端子連接，柵極驅(qū)動 IC15經(jīng)由柵極信號線17a、17b、17c與像素10的第2開關(guān)用晶體管llb、llc、lle的柵極端 子連接。
[0140] 通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，負載小的第1開關(guān)用晶體管lid由內(nèi)置于EL顯示面板1的 柵極驅(qū)動電路16驅(qū)動，而負載大的第2開關(guān)用晶體管llb、llc、lle由與EL顯示面板1外 部連接的柵極驅(qū)動電路1C驅(qū)動。能夠針對構(gòu)成像素10的多個晶體管分別最適合地實現(xiàn)導(dǎo) 通截止控制，并能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)容易檢查的EL顯示裝置。另外，檢查面板時，使內(nèi)置 的柵極驅(qū)動電路16動作，僅通過將探針只與檢查所需的端子壓接而能夠檢查面板，所以能 夠迅速地實施檢查。
[0141] 另外，EL顯示裝置能夠活用作為攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、車 載音響、音響合成、計算機、游戲機、便攜信息終端（移動計算機、移動電話、便攜型游戲機 或電子書籍等）、具備記錄介質(zhì)的圖像重放裝置等的顯示器。
[0142] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0143] 如上所述，本發(fā)明在實現(xiàn)可靠性高的EL顯示裝置方面是有用的。
【權(quán)利要求】
1. 一種EL顯示裝置，具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域， 所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的源極信號線而供給圖像信 號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的柵極信號線而供給選擇電壓或非選擇電 壓， 所述像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向所述EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與所 述驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至所述EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與所述 源極信號線連接并向像素供給圖像信號， 并且，所述柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與所述像素一起形成并配置于所 述EL顯示面板；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與所述EL顯示面板的柵極信號線進行外部連 接， 所述第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接，所述第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板的柵極信號線的一端連接所述第1柵極驅(qū)動電路，在另一端連接所 述第2柵極驅(qū)動電路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板還形成有測試電路，所述測試電路通過與所述像素連接的源極信 號線而供給測試信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的EL顯示裝置， 在所述EL顯示面板的源極信號線的一端連接所述源極驅(qū)動電路，在另一端連接所述 測試電路。
5. -種EL顯示裝置的制造方法，所述EL顯示裝置具備：EL顯示面板，其具備呈矩陣狀 配置有多個像素的顯示區(qū)域，所述像素具有EL元件；源極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連 接的源極信號線而供給圖像信號；以及柵極驅(qū)動電路，其通過與所述像素連接的柵極信號 線而供給選擇電壓或非選擇電壓， 在所述制造方法中， 所述像素具有：驅(qū)動用晶體管，其向所述EL元件供給電流；第1開關(guān)用晶體管，其與所 述驅(qū)動用晶體管連接并控制供給至所述EL元件的電流；以及第2開關(guān)用晶體管，其與所述 源極信號線連接并向像素供給圖像信號， 并且，所述柵極驅(qū)動電路具備：第1柵極驅(qū)動電路，其與所述像素一起形成并配置于所 述EL顯示面板上；以及第2柵極驅(qū)動電路，其與所述EL顯示面板的柵極信號線進行外部連 接， 所述第1柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第1開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接，所述第2柵極驅(qū)動電路經(jīng)由柵極信號線與所述像素的第2開關(guān)用晶體管的柵極端子連 接， 在所述EL顯示面板還形成有測試電路，所述測試電路通過源極信號線向所述像素供 給測試信號， 在進行向所述EL顯示面板的像素供給測試信號的檢查之后，從EL顯示面板分離所述 測試電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的EL顯示裝置的制造方法， 在所述EL顯示面板的源極信號線的一端連接所述源極驅(qū)動電路，在另一端連接所述 測試電路，在進行向所述EL顯示面板的像素供給所述測試信號的檢查之后，從所述EL顯示 面板分離所述測試電路。
【文檔編號】G09G3/30GK104115212SQ201280069316
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月8日
【發(fā)明者】高原博司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
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