專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
下面的描述涉及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，存在對(duì)用于顯示圖像的顯示裝置的增長(zhǎng)的需求，并且，近年來(lái)，已經(jīng)廣泛使用了諸如液晶顯示器(IXD)、等離子顯示板(PDP)，以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之類的各種平板顯示器。在這些平板顯示器當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置以低電壓驅(qū)動(dòng)，較薄，具有寬視角和快速響應(yīng)速度。在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置當(dāng)中，有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置因它們具有按矩陣形式設(shè)置的、用于顯示圖像的多個(gè)像素而被寬泛地使用。有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示板包括按矩陣設(shè)置的多個(gè)像素。各個(gè)像素包括:響應(yīng)于來(lái)自掃描線的掃描信號(hào)提供來(lái)自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的掃描TFT (薄膜晶體管)，和響應(yīng)于提供給柵極的數(shù)據(jù)電壓來(lái)控制向有機(jī)發(fā)光二極管提供的電流的量的驅(qū)動(dòng)TFT。在這點(diǎn)上，驅(qū)動(dòng)TFT的漏極與源極之間的、向有機(jī)發(fā)光二極管提供的電流Ids可以用方程I表不:[方程I]Ids = k' * (Vgs-Vth)2在方程I中，k’指示根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT的結(jié)構(gòu)和物理特性確定的比例因子，Vgs指示驅(qū)動(dòng)TFT的柵極與源極之間的電壓差，而Vth指示驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。同時(shí)，由于因驅(qū)動(dòng)TFT的劣化而造成的閾值電壓偏移，這些像素中每ー個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓Vth具有不同值。驅(qū)動(dòng)TFT的漏極與源極之間的電流Ids取決于驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓Vth。由此，即使將相同的數(shù)據(jù)電壓提供給這些像素中的每ー個(gè)，每ー個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的漏極與源極之間的電流Ids也會(huì)改變。因此，即使將相同的數(shù)據(jù)電壓提供給這些像素中的每ー個(gè)像素，也產(chǎn)生從這些像素中的每ー個(gè)像素的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光的亮度改變的問(wèn)題。為解決這個(gè)問(wèn)題，已經(jīng)提出了用于補(bǔ)償這些像素中的每ー個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的各種類型的像素結(jié)構(gòu)。然而，近來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置用高頻驅(qū)動(dòng)，以便實(shí)現(xiàn)3D圖像或改進(jìn)圖像質(zhì)量。因?yàn)橛糜诟袦y(cè)閾值電壓的時(shí)段因高頻驅(qū)動(dòng)而縮短，所以感測(cè)閾值電壓的準(zhǔn)確度降低。而且，近來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有大尺寸和高分辨率。由于大尺寸和高分辨率，線電阻因?yàn)榫€的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而增加。最終，會(huì)出現(xiàn)RC延遲。用于感測(cè)閾值電壓的時(shí)段因RC延遲而縮短。因此，感測(cè)閾值電壓的準(zhǔn)確度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的實(shí)施方式的ー個(gè)目的是，提供ー種改進(jìn)感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的準(zhǔn)確度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)基于本發(fā)明的ー個(gè)方面的目的，提供了 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括:顯示板，該顯示板被設(shè)置成包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、控制線、發(fā)射線，以及按矩陣形式設(shè)置的多個(gè)像素，其中，多個(gè)像素中的每ー個(gè)像素包括:驅(qū)動(dòng)TFT，該驅(qū)動(dòng)TFT被設(shè)置成具有耦接至第一節(jié)點(diǎn)的柵極和耦接至第二節(jié)點(diǎn)的源極；有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管被設(shè)置成，具有耦接至驅(qū)動(dòng)TFT的漏極的陽(yáng)扱，以及耦接至提供第一電平電壓的第一電平電壓提供源的陰極；第一 TFT，該第一 TFT被設(shè)置成響應(yīng)于第一掃描線的第一掃描信號(hào)向第一節(jié)點(diǎn)提供數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓；第二 TFT，該第ニ TFT被設(shè)置成響應(yīng)于第二掃描線的第二掃描信號(hào)向第一節(jié)點(diǎn)提供基準(zhǔn)電壓；第三TFT，該第三TFT被設(shè)置成響應(yīng)于發(fā)射線的發(fā)射信號(hào)向第二節(jié)點(diǎn)提供比第一電平電壓高的第二電平電壓；第四TFT，該第四TFT被設(shè)置成響應(yīng)于控制線的控制信號(hào)將第二節(jié)點(diǎn)耦接至第三節(jié)點(diǎn)；第一電容器，該第一電容器耦接在第一節(jié)點(diǎn)與第三節(jié)點(diǎn)之間；第二電容器，該第二電容器耦接在第三節(jié)點(diǎn)與提供第二電平電壓的第二電壓提供源之間。在本發(fā)明內(nèi)容部分和下面的詳細(xì)描述中描述的特征和優(yōu)點(diǎn)不是g在進(jìn)行限制。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，考慮到附圖、說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)，許多附加特征和優(yōu)點(diǎn)將是清楚的。


圖1例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的顯示板的像素的等效電路圖；圖2例示了示出輸入至圖1的像素的信號(hào)的波形圖；圖3例示了示出節(jié)點(diǎn)的電壓變化的表；圖4例示了示出根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓變化的補(bǔ)償誤差的圖形；圖5例示了示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的框圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述，附圖中示出了本發(fā)明的示例實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以按許多不同形式具體實(shí)施，并且不應(yīng)視為受限于本文闡述的實(shí)施方式。貫穿本說(shuō)明書(shū)，相同標(biāo)號(hào)指定相同部件。在下面的描述中，如果判定對(duì)與本發(fā)明有關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述使得本發(fā)明的主g不清楚，則省略該詳細(xì)描述。圖1例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的顯示板的像素的等效電路圖。參照?qǐng)D1，該顯示板的像素包括:驅(qū)動(dòng)TFT (薄膜晶體管)DT、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、控制電路以及電容器。驅(qū)動(dòng)TFT DT控制源極與漏極之間的電流Ids的量，以根據(jù)施加至柵極的電壓的量進(jìn)行改變。該驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI，其源極耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2，而其漏極耦接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極耦接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏極，其陰極耦接至第一電平電壓提供源。有機(jī)發(fā)光二極管OLED根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT Td的漏極與源極之間的電流Ids發(fā)射光?？刂齐娐钒?第一 TFT Tl、第二 TFT T2、第三TFT T3，以及第四TFT T4。第一TFT Tl響應(yīng)于第一掃描線SLl的第一掃描信號(hào)SCANl，向第一節(jié)點(diǎn)NI提供數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓DATA。數(shù)據(jù)電壓DATA表示OLED的預(yù)期強(qiáng)度電平。第一 TFTTl的柵極耦接至掃描線SLl，其源極耦接至數(shù)據(jù)線DL，而其漏極耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI。第二 TFT T2響應(yīng)于第二掃描線SL2的第二掃描信號(hào)SCAN2，初始化第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓，作為來(lái)自基準(zhǔn)電壓提供源REF_S的基準(zhǔn)電壓。第二 TFT T2的柵極耦接至第二掃描線SL2，其源極耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI，而其漏極耦接至基準(zhǔn)電壓提供源REF_S。第三TFT T3響應(yīng)于發(fā)射線EML的發(fā)射信號(hào)EM，向第二節(jié)點(diǎn)N2提供來(lái)自第二電平電壓提供源的第二電平電壓。第三TFT T3的柵極耦接至發(fā)射線EML，其源極耦接至第二電平電壓提供源，而其漏極耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2。第四TFT T4響應(yīng)于控制線MGL的控制信號(hào)MG，連接第三節(jié)點(diǎn)N3與第二節(jié)點(diǎn)N2。第四TFT T4的柵極耦接至控制線MGL，其源極耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2，而其漏極耦接至第三節(jié)點(diǎn)N3。第一電容器Cl耦接在第一節(jié)點(diǎn)NI與第三節(jié)點(diǎn)N3之間。第二電容器C2耦接在第三節(jié)點(diǎn)N3與第二電平電壓提供源之間。第一節(jié)點(diǎn)NI是驅(qū)動(dòng)TFT Td的柵極、第一 TFT Tl的漏極以及第ー電容器Cl的一電極之間的接觸點(diǎn)。第二節(jié)點(diǎn)N2是驅(qū)動(dòng)TFT Td的源極、第三TFT T3的漏極以及第四TFTT4的源極之間的接觸點(diǎn)。第三節(jié)點(diǎn)N3是第四TFT T4的漏極、第一電容器Cl的另ー電極以及第ニ電容器C2的ー電極之間的接觸點(diǎn)。第二電容器的另ー電極耦接至第二電平電壓提供源。根據(jù)該示例性實(shí)施方式的像素的第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驅(qū)動(dòng)TFTTd中的每ー個(gè)都可以由薄膜晶體管組成。第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驅(qū)動(dòng)TFT Td的半導(dǎo)體層皆可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)以及氧化物半導(dǎo)體中的任ー種組成。而且，集中于第一至第四TFT T1、T2、T3以及T4和驅(qū)動(dòng)TFT Td皆被實(shí)現(xiàn)為P型的示例，對(duì)示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述。在其它實(shí)施例中，這些TFT中的一個(gè)或更多個(gè)可以利用N型來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一電平電壓提供源可以被設(shè)置成低電位電壓提供源VSS_S，而第二電平電壓提供源可以被設(shè)置成高電位電壓提供源VDD_S。低電位電壓提供源VSS_S提供低電位電壓VSS，而高電位電壓提供源VDD_S提供比低電位電壓VSS高的高電位電壓VDD。低的提供電壓VSS和高的提供電壓VDD可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT DT和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的特性來(lái)設(shè)置?；鶞?zhǔn)電壓REF是用于初始化第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓。該基準(zhǔn)電壓REF可以被設(shè)置成比高電位電壓VDD減去驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓所得的電壓低的電壓。而且，基準(zhǔn)電壓REF可以被設(shè)置成比低電位電壓VSS高的電壓。圖2例示了示出輸入至圖1的像素的信號(hào)的波形圖。圖2例示了向顯示板的像素輸入的第一掃描信號(hào)SCAN1、第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG、發(fā)射信號(hào)EM。而且，圖2例示了數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓DATA。參照?qǐng)D2,第一掃描信號(hào)SCAN1、第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG以及發(fā)射信號(hào)EM是用于控制第一至第四TFT(T1、T2、T3、T4)的信號(hào)。第一掃描信號(hào)SCAN1、第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG以及發(fā)射信號(hào)EM的姆ー個(gè)周期都可以是ー個(gè)巾貞時(shí)段。ー個(gè)巾貞時(shí)段指不將數(shù)據(jù)電壓提供給顯示板的所有像素的時(shí)段。第一掃描信號(hào)SCAN1、第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG以及發(fā)射信號(hào)EM中的每ー個(gè)在第一邏輯電平電壓與第二邏輯電平電壓之間擺動(dòng)。在圖2中，第一邏輯電平電壓可以是選通高電壓VGH，而第二電平電壓可以是比選通高電壓低的選通低電壓。一個(gè)幀時(shí)段包括第一至第四時(shí)段tl、t2、t3、t4。第一時(shí)段tl是用于初始化第一節(jié)點(diǎn)N1、第二節(jié)點(diǎn)N2以及第三節(jié)點(diǎn)N3的時(shí)段。第二時(shí)段t2是用于感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFTDT的閾值電壓的時(shí)段。第三時(shí)段t3是用于將數(shù)據(jù)電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)NI的時(shí)段。第四時(shí)段t4是用于使有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)射的時(shí)段。第一掃描信號(hào)SCANl在第一時(shí)段tl期間，按選通高電壓VGH生成。而且,第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG以及發(fā)射信號(hào)EM在第一時(shí)段tl期間，按選通低電壓VGL生成。第一掃描信號(hào)SCANl和發(fā)射信號(hào)EM在第二時(shí)段t2期間，按選通高電壓VGH生成。而且，第ニ掃描信號(hào)SCAN2和控制信號(hào)MG在第二時(shí)段t2期間，按選通低電壓VGL生成。第二掃描信號(hào)SCAN2、控制信號(hào)MG以及發(fā)射信號(hào)EM在第三時(shí)段t3期間，按選通高電壓VGH生成。而且，第一掃描信號(hào)SCANl在第三時(shí)段t3期間，按選通低電壓VGL生成。第一掃描信號(hào)SCANl和第二掃描信號(hào)SCAN2在第四時(shí)段t4期間，按選通高電壓VGH生成。而且，控制信號(hào)MG和發(fā)射信號(hào)EM在第四時(shí)段t4期間，按選通低電壓VGL生成。尤其是，在第四時(shí)段t4期間，在發(fā)射信號(hào)EM從選通高電壓VGH變換成選通低電壓VGL之后，控制信號(hào)MG從選通高電壓VGH變換成選通低電壓VGL。數(shù)據(jù)電壓DATA的周期是ー個(gè)水平時(shí)段。因此，提供數(shù)據(jù)電壓DATA的第三時(shí)段t3可以是圖2中的ー個(gè)水平時(shí)段。ー個(gè)水平時(shí)段指示將數(shù)據(jù)電壓提供給顯示板的一條水平線的像素的時(shí)段。然而，第一時(shí)段tl、第二時(shí)段t2、第三時(shí)段t3以及第四時(shí)段t4中的每ー個(gè)都可以是幾個(gè)水平時(shí)段、十幾個(gè)或幾十個(gè)水平時(shí)段，以便改進(jìn)像素的畫(huà)面質(zhì)量，并且可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)預(yù)先確定。圖3例示了示出節(jié)點(diǎn)的電壓變化的表。下面，參照?qǐng)D1至圖3，對(duì)根據(jù)該示例性實(shí)施方式的像素在第一至第四時(shí)段tl、t2、t3、t4期間的操作進(jìn)行詳細(xì)描述。在圖4中，第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl指示第一節(jié)點(diǎn)NI處的電壓，第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2指示第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓，而第三節(jié)點(diǎn)電壓Vn3指示第三節(jié)點(diǎn)N3處的電壓。第一,在第一時(shí)段tl期間,將具有選通高電壓VGH的第一掃描信號(hào)SCANl通過(guò)第一掃描線SLl提供給像素。將具有選通低電壓VGL的第二掃描信號(hào)SCAN2通過(guò)第二掃描線SL2提供給像素。將具有選通低電壓VGL的控制信號(hào)MG通過(guò)控制線MG提供給像素。將具有選通低電壓VGL的發(fā)射信號(hào)EM通過(guò)發(fā)射線EM提供給像素。第一 TFT Tl根據(jù)具有選通高電壓VGH的第一掃描信號(hào)SCANl斷開(kāi)。第二 TFTT2響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的第二掃描信號(hào)SCAN2而接通。第一節(jié)點(diǎn)NI因第二 TFT T2接通而耦接至基準(zhǔn)電壓提供源REF_S。由此，第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl被放電至基準(zhǔn)電壓REF。第三TFT T3響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的發(fā)射信號(hào)EM而接通。第二節(jié)點(diǎn)N2因第三TFT T3接通而耦接至高電位電壓提供源VDD_S。由此，第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2被充電至高電位電壓VDD。第四TFT T4響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的控制信號(hào)而接通。第三節(jié)點(diǎn)N3因第四TFT T4接通而耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2。由此，第三節(jié)點(diǎn)電壓Vn3被充電至高電位電壓VDD。第二，在第二時(shí)段t2期間，將具有選通高電壓VGH的第一掃描信號(hào)SCANl通過(guò)第一掃描線SLl提供給像素。將具有選通低電壓VGL的第二掃描信號(hào)SCAN2通過(guò)第二掃描線SL2提供給像素。將具有選通低電壓VGL的控制信號(hào)MG通過(guò)控制線MG提供給像素。將具有選通高電壓VGH的發(fā)射信號(hào)EM通過(guò)發(fā)射線EM提供給像素。
第一 TFT Tl根據(jù)具有選通高電壓VGH的第一掃描信號(hào)SCANl斷開(kāi)。第二 TFTT2響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的第二掃描信號(hào)SCAN2而接通。第一節(jié)點(diǎn)N1因第二 TFT T2接通而耦接至基準(zhǔn)電壓提供源REF_S。由此，第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl被放電至基準(zhǔn)電壓REF。第三TFT T3根據(jù)具有選通高電壓VGH的發(fā)射信號(hào)EM斷開(kāi)。第二節(jié)點(diǎn)N2因第三TFT T3的斷開(kāi)而被浮置。第四TFT T4響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的控制信號(hào)而接通。第三節(jié)點(diǎn)N3因第四TFT T4接通而耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2。由此，第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2和第三節(jié)點(diǎn)電壓Vn3大致相同。第二節(jié)點(diǎn)N2和第三節(jié)點(diǎn)N3因第二節(jié)點(diǎn)N2在第二時(shí)段t2期間被浮置而可以感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth。第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl與第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2之間的差大于在第二時(shí)段t2期間驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth。第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl與第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2之間的差指示驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵極與其源極之間的差。由此，電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)TFT DT，直到第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl與第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2之間的差達(dá)到驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth為止。因此，在第ニ時(shí)段t2期間，第二節(jié)點(diǎn)電壓Vn2將降低至基準(zhǔn)電壓REF與驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth之間的差電壓REF-Vth。而且，因?yàn)榈谌?jié)點(diǎn)N3耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2，所以在第二時(shí)段t2期間第三節(jié)點(diǎn)電壓Vn3將降低至基準(zhǔn)電壓REF與驅(qū)動(dòng)TFTDT的閾值電壓Vth之間的差電壓REF-Vth0在圖2中，第二時(shí)段t2可以是兩個(gè)水平時(shí)段。然而，第二時(shí)段t2可以是幾個(gè)水平時(shí)段、十幾個(gè)或幾十個(gè)水平時(shí)段。并且可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)預(yù)先確定。因?yàn)楦袦y(cè)時(shí)段長(zhǎng)得足以感測(cè)到該驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth，所以本文描述的實(shí)施方式可以改進(jìn)感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT DT的閾值電壓Vth的準(zhǔn)確度，即使有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置驅(qū)動(dòng)諸如240Hz的高頻。第三，在第三時(shí)段t3期間，將具有選通低電壓VGL的第一掃描信號(hào)SCANl通過(guò)第一掃描線SLl提供給像素。將具有選通高電壓VGH的第二掃描信號(hào)SCAN2通過(guò)第二掃描線SL2提供給像素。將具有選通高電壓VGH的控制信號(hào)MG通過(guò)控制線MG提供給像素。將具有選通高電壓VGH的發(fā)射信號(hào)EM通過(guò)發(fā)射線EM提供給像素。第一 TFT Tl響應(yīng)于具有選通低電壓VGL的第一掃描信號(hào)SCANl而接通。第一節(jié)點(diǎn)NI因第一 TFT Tl接通而耦接至數(shù)據(jù)線DL。第二 TFT T2根據(jù)具有選通高電壓VGH的第ニ掃描信號(hào)SCAN2而斷開(kāi)。由此，第一節(jié)點(diǎn)電壓Vnl被充電至數(shù)據(jù)電壓DATA。第三TFT T3根據(jù)具有選通高電壓VGH的發(fā)射信號(hào)EM斷開(kāi)。第二節(jié)點(diǎn)N2因第三TFT T3的斷開(kāi)而被浮置。第四TFT T4根據(jù)具有選通高電壓VGH的控制信號(hào)斷開(kāi)。第三節(jié)點(diǎn)N3因第四TFT T4斷開(kāi)而不耦接至第二節(jié)點(diǎn)N2。由此，第三節(jié)點(diǎn)N3被浮置。在第三時(shí)段t3期間第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓變化量通過(guò)第一電容器Cl施加至第三節(jié)點(diǎn)N3。S卩，與在第三時(shí)段t3期間第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓變化量相對(duì)應(yīng)的“REF-DATA”通過(guò)第一電容器Cl施加至第三節(jié)點(diǎn)N3。第三節(jié)點(diǎn)N3位于串聯(lián)耦接的第一電容器Cl與第二電容器C2之間。因此，第三節(jié)點(diǎn)N3中的電壓變化量基于如方程2所示的比率C’:[方程2]
權(quán)利要求
1.種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括: 顯示板，該顯示板被設(shè)置成包括數(shù)據(jù)線、第一掃描線、第二掃描線、控制線、發(fā)射線以及按矩陣形式設(shè)置的多個(gè)像素， 其中，所述多個(gè)像素中的每ー個(gè)像素包括: 驅(qū)動(dòng)TFT，該驅(qū)動(dòng)TFT被設(shè)置成具有耦接至第一節(jié)點(diǎn)的柵極和耦接至第二節(jié)點(diǎn)的源極； 有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管被設(shè)置成具有耦接至所述驅(qū)動(dòng)TFT的漏極的陽(yáng)扱、以及耦接至提供第一電平電壓的第一電平電壓提供源的陰極； 第一 TFT，該第一 TFT被設(shè)置成響應(yīng)于所述第一掃描線的第一掃描信號(hào)，向所述第一節(jié)點(diǎn)提供所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓； 第二 TFT，該第二 TFT被設(shè)置成響應(yīng)于所述第二掃描線的第二掃描信號(hào)，向所述第一節(jié)點(diǎn)提供基準(zhǔn)電壓； 第三TFT，該第三TFT被設(shè)置成響應(yīng)于所述發(fā)射線的發(fā)射信號(hào)，向所述第二節(jié)點(diǎn)提供比所述第一電平電壓高的第二電平電壓； 第四TFT，該第四TFT被設(shè)置成響應(yīng)于所述控制線的控制信號(hào)，將所述第二節(jié)點(diǎn)耦接至第三節(jié)點(diǎn)； 第一電容器，該第一 電容器耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)之間； 第二電容器，該第二電容器耦接在所述第三節(jié)點(diǎn)與提供所述第二電平電壓的第二電壓提供源之間。
2.據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，在將所述基準(zhǔn)電壓提供給所述第一節(jié)點(diǎn)且將所述第二電平電壓提供給所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第三節(jié)點(diǎn)以初始化的第ー時(shí)段期間，所述第一掃描信號(hào)被生成為第一邏輯電平電壓，而所述第二掃描信號(hào)、所述控制信號(hào)以及所述發(fā)射信號(hào)被生成為第二邏輯電平電壓。
3.據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，在用于感測(cè)所述驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的第二時(shí)段期間，所述第一掃描信號(hào)和所述發(fā)射信號(hào)被生成為所述第一邏輯電平電壓，而所述第二掃描信號(hào)和所述控制信號(hào)被生成為所述第二邏輯電平電壓。
4.據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，在用于向所述像素提供數(shù)據(jù)電壓的第三時(shí)段期間，所述第二掃描信號(hào)、所述控制信號(hào)以及所述發(fā)射信號(hào)按所述第一邏輯電平電壓生成，而所述第一掃描信號(hào)按所述第二邏輯電平電壓生成。
5.據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，在用于使所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的第四時(shí)段期間，所述第一掃描信號(hào)和所述第二掃描信號(hào)被生成為所述第一邏輯電平電壓，而所述控制信號(hào)和所述發(fā)射信號(hào)被生成為所述第二邏輯電平電壓。
6.據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，在將所述發(fā)射信號(hào)從所述第一邏輯電平電壓變換成所述第二邏輯電平電壓之后，將所述控制信號(hào)從所述第一邏輯電平電壓變換成所述第二邏輯電平電壓。
7.據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一邏輯電平電壓高于所述第二邏輯電平電壓。
8.據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一TFT至所述第四TFT中的每ー個(gè)TFT是P型晶體管。
9.據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一TFT的柵極耦接至所述第一掃描線，所述第一 TFT的源極耦接至所述數(shù)據(jù)線，而所述第一 TFT的漏極耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)， 所述第二 TFT的柵極耦接至所述第二掃描線，所述第二 TFT的源極耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)，而所述第二 TFT的漏極耦接至提供所述基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓提供源， 所述第三TFT的柵極耦接至所述發(fā)射線，所述第三TFT的源極耦接至所述第二電平電壓提供源，而所述第三TFT的漏極耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)， 所述第四TFT的柵極耦接至所述控制線，所述第四TFT的源極耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)，而所述第四TFT的漏極耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)。
10.據(jù)權(quán)利要求 1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述基準(zhǔn)電壓低于所述第ニ電平電壓與所述驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓之間的差電壓，而大于所述第一邏輯電平電壓。
11.據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一電平電壓是低電位電壓，而第二電平電壓是高電位電壓。
全文摘要
本文的這些實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其包括顯示板，該顯示板被設(shè)置成包括按矩陣形式設(shè)置的多個(gè)像素，其中，多個(gè)像素中的每一個(gè)像素包括驅(qū)動(dòng)TFT、有機(jī)發(fā)光二極管、包括第一至第四TFT的控制電路、電容器。因?yàn)楦袦y(cè)時(shí)段長(zhǎng)得足以感測(cè)到該驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓，所以即使有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置驅(qū)動(dòng)諸如240Hz的高頻，本文描述的實(shí)施方式也可以改進(jìn)感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的準(zhǔn)確度。而且，本文描述的實(shí)施方式可以利用下跌的高電位電壓來(lái)補(bǔ)償因補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT的漏極與源極之間的電流而造成的高電位電壓下跌。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103093720SQ20121042736
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者尹重先, 姜芝賢 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司