專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
公知有一種顯示器，該顯示器在顯示裝置的各個(gè)像素中配置有基于MEMS(Micix)Electro Mechanical Systems、微機(jī)電系統(tǒng))的光閘(快門(mén))，并通過(guò)光閘的開(kāi)閉來(lái)形成圖像。作為這種顯示裝置，例如，在日本特開(kāi)2008-197668號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種顯示器，該顯示器使用以MEMS為基礎(chǔ)的機(jī)械式光調(diào)制器并帶有背光源。另外，在日本特表2008-533510號(hào)公報(bào)中也公開(kāi)了一種內(nèi)裝有以MEMS為基礎(chǔ)的光調(diào)制器的顯示器裝置，并且該顯示器裝置的制造方法記載了與液晶顯示器的制造工藝具有互換性的意思。在此，在于多個(gè)像素中具有作為光調(diào)制器的光閘組裝體的顯示裝置中，光閘組裝體由形成為板狀的光閘板和通過(guò)靜電力而對(duì)光閘板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的促動(dòng)部(actuator)構(gòu)成。由于需要使光閘板在基板上以能夠移動(dòng)的方式浮置，所以，作為制造光閘組裝體的工藝，例如，考慮有利用犧牲層并通過(guò)光刻(lithography)工序進(jìn)行加工的工藝。圖8A 圖8H是表示被考慮為利用犧牲層來(lái)制造光閘組裝體的方法的一個(gè)參考例的圖。在參考例的制造工序中，首先，如圖8A以及圖8B所不,通過(guò)兩次光刻工序而形成有成為犧牲層的抗蝕膜(resist) RSa和抗蝕膜RSb ;接著，如圖8C所示，成膜導(dǎo)體層AS和金屬層AL。之后，經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的光刻工序，而如圖8D所示地加工出涂敷在金屬層AL上的抗蝕膜RSc,進(jìn)一步地,通過(guò)濕式蝕刻(wet etching)使金屬層AL被除去(圖8E),并通過(guò)各向異性干式蝕刻(dry etching)以使形成于抗蝕膜RSb的側(cè)壁上的部分被除去的方式使導(dǎo)體層AS被除去(圖8F)。而且，在該各向異性干式蝕刻過(guò)程中，使抗蝕膜RSa和抗蝕膜RSb被除去(圖8G)，并且在剩余結(jié)構(gòu)的整體上成膜絕緣層IS，形成第一支承部S I和光閘板SH等(圖8H)。因此，在上述參考例中，如圖8H的第一支承部S I所示，通過(guò)不同的光刻工序形成有以未浮置在基板上的方式而形成的結(jié)構(gòu)的下側(cè)部分和上側(cè)部分。但是，當(dāng)如圖8A 圖8H所示地制造光閘組裝體時(shí)，以在不同的光刻工序之間可能產(chǎn)生的對(duì)位偏移為原因，而存在產(chǎn)生膜應(yīng)力的不平均性，且在光閘組裝體上發(fā)生變形的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明著眼于上述課題，以提供一種在具有以MEMS為基礎(chǔ)的光閘組裝體的顯示裝置上，能夠抑制光閘組裝體變形的發(fā)生的顯示裝置為目的。為了解決上述課題，本發(fā)明的顯示裝置具有多個(gè)像素，該多個(gè)像素具有形成為板狀的光閘板；和通過(guò)靜電力驅(qū)動(dòng)所述光閘板的促動(dòng)部，其特征在于，所述促動(dòng)部具有與所述光閘板連接的梁部；通過(guò)施加電壓而使所述梁部彎曲從而驅(qū)動(dòng)所述光閘板的驅(qū)動(dòng)電極；支承所述驅(qū)動(dòng)電極并固定在基板上的第一支承部；和支承所述梁部并固定在所述基板上的第二支承部，所述第一支承部以及所述第二支承部的至少一方具有以從所述基板離開(kāi)的方式形成為平面狀的平面部分、和以從所述平面部分凹陷的方式形成，且與所述基板連接的凹部，所述凹部具有從所述平面部分大致垂直地傾斜形成的垂直形成部分；和從所述垂直形成部分開(kāi)始，以隨著向所述基板側(cè)前進(jìn)而使傾斜變緩的方式形成的部分。另外，在本發(fā)明的顯示裝置的其他方式中，還可以是，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部以所述平面部分為基準(zhǔn)而在所述基板側(cè)形成。另外，在本發(fā)明的顯示裝置的其他方式中，還可以是，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部通過(guò)與寬度方向相比在深度方向上較大的縱橫尺寸比而形成。另外，在本發(fā)明的顯示裝置的其他方式中，還可以是，其特征在于，所述第一支承部具有所述凹部，所述驅(qū)動(dòng)電極從俯視來(lái)看，以通過(guò)具有所述縱橫尺寸比的結(jié)構(gòu)形成外延，且內(nèi)側(cè)為中空的方式形成。 另外，在本發(fā)明的顯示裝置的其他方式中，還可以是，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部形成在比所述光閘板更深的位置上。另外，在本發(fā)明的顯示裝置的其他方式中，還可以是，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部的所述基板側(cè)的前端尖細(xì)地形成。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠抑制光閘組裝體上的變形的發(fā)生的顯示裝置。


圖I是概略性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的示意圖。圖2是表示第一實(shí)施方式的第一基板的等效電路的圖。圖3A是表示第一實(shí)施方式的顯示裝置中的像素區(qū)域的情況的俯視圖。圖3B是表示第一實(shí)施方式的顯示裝置中的像素區(qū)域的情況的俯視圖。圖4是表示圖3A中的IV-IV截面的剖視圖。圖5A是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5B是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5C是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5E是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5F是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5G是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖5H是表示制造第一實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖6是表示第二實(shí)施方式中的光閘組裝體M的截面的情況的圖。圖7A是表示制造第二實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖7B是表示制造第二實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖7C是表示制造第二實(shí)施方式中的光閘組裝體的情況的圖。圖8A是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8B是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8C是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。
圖8D是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8E是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8F是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8G是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。圖8H是表示制造參考例中的光閘組裝體的情況的圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明 DP 顯示裝置，M 光閘組裝體，PX1、PX2、PX3、PX4、PX 像素，AP 孔(aperture)，GL 掃描信號(hào)線，DL影像信號(hào)線，DLl第一影像信號(hào)線，DL2第二影像信號(hào)線，CL公共信號(hào)線，IM圖像，T1、T2薄膜晶體管，C1、C2電容，SH光閘板，AC促動(dòng)部，SI第一支承部，S2第二支承部，B梁部，E驅(qū)動(dòng)電極，GR晶格部分，OP開(kāi)口，BI第一基板，AS導(dǎo)體層，IS絕緣層，AL金屬層，Sp平面部分，Sc凹部，Sv垂直形成部分，Sg傾斜部分，RSI、RS2、RSa, RSb, RSc抗蝕膜。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。[第一實(shí)施方式]圖I是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置DP的示意圖。顯示裝置DP在配置成矩陣狀的多個(gè)像素的各自上都具有作為光調(diào)制器的光閘組裝體M。在圖I的示意圖中，像素PXl以及PX4為打開(kāi)狀態(tài)且能夠使來(lái)自孔AP的背光源BL的光透過(guò)，在圖像頂上顯示白色。另外，像素PX2以及PX3為閉合狀態(tài)且阻擋背光源BL的光透過(guò)，在圖像頂上顯示黑色。另外，顯示裝置DP包括在多個(gè)像素的各自上都具有開(kāi)關(guān)元件的第一基板和與第一基板相對(duì)配置的第二基板。光閘組裝體M配置在第一基板和第二基板之間。圖2是表示本實(shí)施方式中的第一基板的等效電路的圖。如該圖所示，多條掃描信號(hào)線GL以及公共信號(hào)線CL沿著圖中橫向延伸，而且，多條第一影像信號(hào)線DL I以及第二影像信號(hào)線DL2沿著圖中縱向延伸。另外，各像素PX以包括兩個(gè)薄膜晶體管T1、T2和兩個(gè)電容器Cl、C2的方式構(gòu)成。薄膜晶體管Tl的柵極(gate)與掃描信號(hào)線GL電連接，漏極(drain)與第一影像信號(hào)線DLl電連接,源極(source)與電容器Cl以及光閘組裝體M的促動(dòng)部電連接。薄膜晶體管T2也同樣地被連接。掃描信號(hào)線GL通過(guò)在指定時(shí)間施加電壓來(lái)進(jìn)行像素行的選擇。基于掃描信號(hào)線GL的像素行的選擇依次進(jìn)行，在光閘組裝體M中與該選擇的時(shí)間相符地，從第一影像信號(hào)線DLl以及第二影像信號(hào)線DL2的一方或兩方供給有影像信號(hào)。第一影像信號(hào)線DLl以及第二影像信號(hào)線DL2(以下也將其簡(jiǎn)稱(chēng)為影像信號(hào)線DL)向光閘組裝體M供給用于使光閘組裝體M成為打開(kāi)狀態(tài)或閉合狀態(tài)的影像信號(hào)。具體為，根據(jù)來(lái)自第一影像信號(hào)線DL I的影像信號(hào)，驅(qū)動(dòng)光閘組裝體M以使像素PX成為打開(kāi)狀態(tài)，根據(jù)來(lái)自第二影像信號(hào)線DL2的影像信號(hào)，驅(qū)動(dòng)光閘組裝體M以使像素PX成為閉合狀態(tài)。在寫(xiě)入影像信號(hào)之后，與所寫(xiě)入的像素連接的掃描信號(hào)線GL被接地，而使光閘組裝體M的狀態(tài)被維持。公共信號(hào)線CL向光閘組裝體M供給指定的基準(zhǔn)電位。如后所述，本實(shí)施方式中的光閘組裝體M是通過(guò)基于來(lái)自影像信號(hào)線DL的影像信號(hào)和來(lái)自公共信號(hào)線CL的基準(zhǔn)電位之間的電位差而產(chǎn)生的靜電力驅(qū)動(dòng)的。
另外，在多個(gè)第一影像信號(hào)線DLl以及多個(gè)第二影像信號(hào)線DL2上，連接有圖2中未圖示的影像信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。首先，本實(shí)施方式中的影像信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)輸入有影像信號(hào)的像素的狀態(tài)，決定應(yīng)該使光閘組裝體M所具有的光閘板向打開(kāi)狀態(tài)一側(cè)移動(dòng)，還是應(yīng)該向閉合狀態(tài)一側(cè)移動(dòng)。而且，在使光閘板向閉合狀態(tài)一側(cè)移動(dòng)的情況下，向第一影像信號(hào)線DLl輸出影像信號(hào)并供給光閘組裝體M所具有的促動(dòng)部的動(dòng)作所需要的電壓，并使第二影像信號(hào)線DL2接地。另一方面，當(dāng)使光閘板向打開(kāi)狀態(tài)一側(cè)移動(dòng)的情況下，向第二影像信號(hào)線DL2輸出影像信號(hào)并供給促動(dòng)部的動(dòng)作所需要的電壓，并使第一影像信號(hào)線DLl接地。在此，對(duì)本實(shí)施方式中的光閘組裝體M進(jìn)行說(shuō)明。圖3A以及圖3B是表示本實(shí)施方式的顯示裝置中的像素區(qū)域的情況的放大俯視圖。光閘組裝體M構(gòu)成具有形成為板狀的光閘板SH、和兩個(gè)促動(dòng)部AC，光閘板SH的位置由促動(dòng)部AC來(lái)控制。另外，圖3A表示未向兩個(gè)促動(dòng)部AC供給影像信號(hào)的狀態(tài)，圖3B表示從第一影像信號(hào)線DL I輸入有影像信號(hào)并成為黑色顯示的情況。
圖3B中，在與光閘板SH重復(fù)的位置上配置有未圖示的孔AP，來(lái)自背光源BL的光被光閘板SH遮擋而成為黑色顯示。另外，與圖3B相反地，當(dāng)使光閘板SH向偏向圖中右向的位置移動(dòng)時(shí)，光閘板SH所具有的兩個(gè)開(kāi)口 OP和未圖示的孔AP重復(fù)，使得來(lái)自背光源BL的光不受遮擋而成為白色顯示。促動(dòng)部AC具有根據(jù)來(lái)自影像信號(hào)線DL的信號(hào)產(chǎn)生靜電力，而使光閘板SH的位置發(fā)生變化的功能。本實(shí)施方式中的促動(dòng)部AC構(gòu)成包含驅(qū)動(dòng)電極E ;與光閘板SH連接的梁部B ;支承該驅(qū)動(dòng)電極E的第一支承部SI ;和支承梁部B的第二支承部S2。如圖3A等所示，梁部B是從光閘板SH的中央向上下派生的梁狀的構(gòu)造物，由在第一基板上形成的第二支承部S2支承。另外，驅(qū)動(dòng)電極E由第一基板上的第一支承部SI支承且與梁部B相對(duì)地配置，并與上述薄膜晶體管Tl或T2的源極電連接。圖4是表示圖3A中的IV-IV截面的情況的圖。如該圖所示,促動(dòng)部AC以及光閘板SH構(gòu)成包括具有導(dǎo)電性的導(dǎo)體層AS ;金屬層AL ;和覆蓋在其周?chē)慕^緣層IS。當(dāng)來(lái)自影像信號(hào)線DL的影像信號(hào)輸入至促動(dòng)部AC中時(shí)，電荷經(jīng)由第一支承部SI蓄積到驅(qū)動(dòng)電極E的導(dǎo)體層AS中。另一方面，在光閘板SH上，經(jīng)由第二支承部S2以及梁部B輸入有來(lái)自公共信號(hào)線CL的基準(zhǔn)電位，隨著影像信號(hào)的輸入，在驅(qū)動(dòng)電極E和梁部B之間產(chǎn)生靜電力而相互接觸。而且，當(dāng)接觸時(shí)，通過(guò)絕緣層IS維持驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B的絕緣性，并通過(guò)所產(chǎn)生的靜電力，使梁部B被拉近至驅(qū)動(dòng)電極E并發(fā)生變形，從而使光閘板SH沿著基板面內(nèi)向滑動(dòng)到基于變形所產(chǎn)生的復(fù)原力和靜電力平衡的位置(參照?qǐng)D3B)。在此，特別地使用圖5A 圖5H，對(duì)本實(shí)施方式中的光閘組裝體M的制造工序進(jìn)行說(shuō)明，并從制造工序的觀點(diǎn)出發(fā)，對(duì)光閘組裝體M的機(jī)械結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖5A 圖5H分別是表示與圖3A中的IV-IV截面對(duì)應(yīng)的部分的情況的圖。制造光閘組裝體M時(shí)，首先，如圖5A所示，在第一基板BI上涂敷有膜厚較大的抗蝕膜RSl，并通過(guò)光刻工序來(lái)加工抗蝕膜RSl (第一光刻工序)。在本實(shí)施方式的第一光刻工序中，使用半色調(diào)掩模(half-tone mask)并通過(guò)一次光刻工序來(lái)進(jìn)行抗蝕膜RSl的加工，該抗蝕膜RSl是為了分別形成第一支承部SI、第二支承部S2、驅(qū)動(dòng)電極E、梁部B和光閘板SH所需要的。此外,本實(shí)施方式中的半色調(diào)掩模的掩模圖形(mask pattern),全曝光部與圖3A中的第一支承部SI以及第二支承部S2的孔形成位置對(duì)應(yīng)，半曝光部與圖3A中的驅(qū)動(dòng)電極E的外側(cè)即梁部B的內(nèi)側(cè)的區(qū)域和晶格部分GR的內(nèi)側(cè)的區(qū)域?qū)?yīng)，非曝光部分與驅(qū)動(dòng)電極E的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、在第一支承部SI上形成為俯視呈-字形的部分的內(nèi)側(cè)、和梁部B以及晶格部分GR的外側(cè)對(duì)應(yīng)。接著，如圖5B以及圖5C所示，首先，在抗蝕膜RSl上形成導(dǎo)體層AS，并進(jìn)一步地形成金屬層AL。在本實(shí)施方式中，導(dǎo)體層AS是通過(guò)PECVD法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition ;等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)一邊向非晶娃(amorphous silicon)添加雜質(zhì)一邊成膜的，但是也可以使用其他半導(dǎo)體，例如SiGe、GaAs, CdSe, InP等。另外，本實(shí)施方式的金屬層AL是以鋁(Al)為主體的合金，但是也可以使用其他金屬，例如Cu、Ni、Mo、Ta等，通過(guò)該金屬層AL使來(lái)自孔AP的光被遮擋。之后，如圖所示，經(jīng)由第二光刻工序，使抗蝕膜RS2涂敷、曝光、顯影。此外，使第二光刻工序中的形成有抗蝕膜RS的區(qū)域與圖3A中添加有顏色的區(qū)域(即第一支承部SI、第二支承部S2、光閘板SH的區(qū)域)對(duì)應(yīng)。 接著，如圖5E以及5F所示，通過(guò)濕式蝕刻而使從抗蝕膜RS2露出的部分的金屬層AL被除去，并通過(guò)各向異性干式蝕刻而使導(dǎo)體層AS被除去。在圖5F所示的各向異性干式蝕刻的工序中，使在抗蝕膜RSl上平面形成的導(dǎo)體層AS被清除掉，并使在抗蝕膜RS I的圖形側(cè)壁上形成的導(dǎo)體層AS被保留。通過(guò)上述那樣地，能夠使梁部B和驅(qū)動(dòng)電極E上的導(dǎo)體層AS形成為，比第一光刻工序中使用的曝光裝置的最小設(shè)計(jì)尺寸更小的寬度，并能夠使梁部B和驅(qū)動(dòng)電極E形成為易彈性變形的結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行了圖5F的各向異性干式蝕刻之后，使用作犧牲層的抗蝕膜RSl和抗蝕膜RS2被除去(圖5G),并通過(guò)CVD法(Chemical Vapor Deposition ;化學(xué)氣相沉積法),使得在被保留的導(dǎo)體層AS以及金屬層AL的周?chē)纬山^緣層IS (圖5H)。本實(shí)施方式中的光閘組裝體M經(jīng)由上述制造工序而通過(guò)兩次光刻工序形成。接著，在上述制造工序的基礎(chǔ)上，對(duì)光閘組裝體M的結(jié)構(gòu)進(jìn)彳丁進(jìn)一步的具體說(shuō)明。首先，如圖4的剖視圖所示，第一支承部SI具有形成為平面狀的平面部分Sp，凹部Sc (固定部)以從平面部分Sp向第一基板BI側(cè)(下側(cè))凹陷的方式形成，并在凹部Sc的底部連接在第一基板BI上。由于平面部分Sp形成在抗蝕膜RSl的上面，所以從第一基板BI離開(kāi)地形成，且相對(duì)于第一基板BI大致平行。凹部Sc在第一光刻工序中，與被半色調(diào)掩模全曝光的部分對(duì)應(yīng)，在抗蝕膜RSl的較淺部分上，使掩模的圖形被忠實(shí)地復(fù)制，并且凹部Sc被加工，以使抗蝕膜RSl的側(cè)壁大致垂直。另一方面，在抗蝕膜RSl的較深部分，根據(jù)曝光光線的衰減或焦點(diǎn)的偏移等而在抗蝕膜材料上產(chǎn)生的光學(xué)因素，難以使掩模的圖形被忠實(shí)地復(fù)制。因此，凹部Sc形成具有以從平面部分Sp大致垂直地傾斜的方式形成的垂直形成部分Sv ;和從垂直形成部分Sv的下端開(kāi)始，隨著向第一基板BI側(cè)前進(jìn)而使傾斜逐漸變緩的傾斜部分Sg。該傾斜逐漸變緩的傾斜部分Sg由與垂直形成部分Sv連續(xù)地相連的曲面而形成，凹部Sc以前端變細(xì)的方式形成。此外，這里所說(shuō)的大致垂直是指，在完全垂直的情況的基礎(chǔ)上，還包括以90°為基準(zhǔn)的±5.0度以下的范圍的情況。另外，制造上的誤差也是允許的。同樣地，大致平行是指，在完全平行的情況的基礎(chǔ)上，還包括以0°為基準(zhǔn)的±5.0度以下的范圍的情況。制造上的誤差也是允許。
另外，第一支承部SI具有導(dǎo)體層AS ;疊層在導(dǎo)體層AS上的金屬層AL ;和覆蓋在其周?chē)慕^緣層IS。在凹部Sc的底部，導(dǎo)體層AS以隨著向第一基板BI側(cè)前進(jìn)而使傾斜逐漸變緩的方式形成，并以將下端向內(nèi)側(cè)拉的方式形成為鍋底狀。導(dǎo)體層AS在凹部Sc的底部與第一基板BI連接，從形成為鍋底狀的部分的上端到形成為平面狀的部分，其相對(duì)于第一基板BI大致垂直地形成。由于如以上那樣地形成有凹部Sc，所以無(wú)需形成用于對(duì)位邊緣(margin)的、相對(duì)于第一基板BI平行的區(qū)域，而能夠避免基于絕緣層IS的膜應(yīng)力的非對(duì)稱(chēng)性的發(fā)生。另外，由于在凹部Sc的傾斜逐漸變緩的傾斜部分Sg上，絕緣層IS的分散性得到改善，由此，第一支承部SI的機(jī)械強(qiáng)度提高，難以產(chǎn)生裂紋等。此外，在本實(shí)施方式中，相對(duì)于一個(gè)促動(dòng)部AC，在四處形成有第二支承部S2，在這些第二支承部S2上也形成有與第一支承部SI相同的凹部Sc。但是，只要在第一支承部SI以及四個(gè)第二支承部S2中的任意一個(gè)上，形成具有垂直形成部分Sv以及使傾斜逐漸變緩的傾斜部分Sg的凹部Sc即可，由此，能夠使可能在促動(dòng)部AC上產(chǎn)生的膜應(yīng)力的非對(duì)稱(chēng)性的發(fā)生得到緩和，并且使機(jī)械強(qiáng)度提高。
另外，在本實(shí)施方式中，由于如上所述地使用半色調(diào)掩模，所以能夠使對(duì)抗蝕膜RSl進(jìn)行加工的工序通用化，該抗蝕膜RSl用于形成與第一基板BI連接的第一支承部SI的凹部Sc和從第一基板BI浮置的部分，并且使驅(qū)動(dòng)電極E、梁部B和光閘板SH均形成在半曝光的位置。由此，驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B以促動(dòng)部AC的平面部分Sp為基準(zhǔn)形成在第一基板BI側(cè)，并位于垂直形成部分Sv的側(cè)方。這樣，通過(guò)使用半色調(diào)掩模來(lái)對(duì)成為犧牲層的抗蝕膜RSl進(jìn)行加工，從而在實(shí)現(xiàn)膜應(yīng)力的非對(duì)稱(chēng)性的緩和、和機(jī)械強(qiáng)度的提高的基礎(chǔ)上，還進(jìn)一步地使制造工序簡(jiǎn)化。另外，在本實(shí)施方式中，由于驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B的導(dǎo)體層AS形成在半曝光的抗蝕膜RS I中的圖形的側(cè)壁上，所以驅(qū)動(dòng)電極E等具有與寬度方向相比在深度方向上更大的縱橫尺寸(aspect)比。由于驅(qū)動(dòng)電極E等這樣地以較細(xì)的線寬形成，所以也可以說(shuō)是成為容易受到絕緣層IS的膜應(yīng)力的不平均性的影響的結(jié)構(gòu)。另外，由于驅(qū)動(dòng)電極E和梁部B與凹部Sc的垂直形成部分Sv同樣地，都形成在抗蝕膜RSl的圖像的側(cè)壁上，所以，如圖4等所示，驅(qū)動(dòng)電極E和梁部B位于垂直形成部分Sv的側(cè)方，且相對(duì)于垂直形成部分Sv大致平行地形成。另外，進(jìn)一步地，在本實(shí)施方式中，如圖3A等所示，驅(qū)動(dòng)電極E從俯視來(lái)看，以通過(guò)所述縱橫尺寸比的結(jié)構(gòu)使外延包邊，且使其內(nèi)側(cè)為中空的方式形成。另一方面，關(guān)于梁部B，同樣地，也通過(guò)所述縱橫尺寸比的結(jié)構(gòu)，以將指定區(qū)域(本實(shí)施方式中為配置有第一支承部SI以及驅(qū)動(dòng)電極E的區(qū)域)包圍的方式形成。由此，驅(qū)動(dòng)電極E和梁部B以對(duì)膜應(yīng)力的不平均性敏感的結(jié)構(gòu)形成，并且通過(guò)兩次光刻(photolithography)工序,能夠形成具有所述縱橫尺寸比的驅(qū)動(dòng)電極E和梁部B的光閘組裝體M。另外，如圖3A等所示，形成為板狀的光閘板SH形成具有晶格部分GR。該晶格部分GR與梁部B連接，晶格部分GR和梁部B通過(guò)半色調(diào)掩模中的連續(xù)的一個(gè)圖形形狀而形成。晶格部分GR在形成為板狀的光閘板SH上具有槽狀的形狀，光閘板SH通過(guò)晶格部分GR被加強(qiáng)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)時(shí)能夠確保光閘板SH的剛性。另外，如圖3A所示，晶格部分GR以將光閘板SH所具有的開(kāi)口 OP包圍的方式形成，也具有以橫跨在開(kāi)口 OP上的方式形成的部分。
[第2實(shí)施方式]接著，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示第二實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)電極E、梁部B和光閘板SH的截面的圖，并表示圖3A的IV-IV剖面中的從驅(qū)動(dòng)電極E到光閘板SH的部分。第二實(shí)施方式中，除了使驅(qū)動(dòng)電極E的外側(cè)即梁部B的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，以通過(guò)第一光刻工序的半色調(diào)掩模而全曝光的方式形成的這一點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的情況大致相同。圖7A 圖7C是說(shuō)明制造第二實(shí)施方式中的光閘組裝體M的情況的圖。首先，如圖7A所示，在成為犧牲層的抗蝕膜RS I上，將形成驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B的部分與第一實(shí)施方式所說(shuō)明的凹部Sc的部分相同地進(jìn)行全曝光而加工。之后，經(jīng)由與圖5B 圖5E相同的工序，當(dāng)施行各向異性蝕刻時(shí)，如圖7B所示，使抗蝕膜RSl的圖形側(cè)壁的內(nèi)側(cè)被加工，并使在抗蝕膜RSl的底部形成的導(dǎo)體層AS被排除。由此，當(dāng)使抗蝕膜RSl被清除掉并形成絕緣層IS時(shí)，如圖7C所示，驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B在比光閘板SH更靠下側(cè)的位置上形成，頂端變得尖細(xì)。由此，在由半色調(diào)掩模制造的驅(qū)動(dòng)電極E以及梁部B上，雖然基于曝光不足而造成的平面方向以及縱方向的尺寸偏差很大，但是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，由于是通 過(guò)全曝光來(lái)進(jìn)行加工，所以能夠以較好的平均性來(lái)進(jìn)行制造。此外，上述各實(shí)施方式中的顯示裝置DP均具有背光源BL，但也可以是投射型的顯示裝置，還可以是通過(guò)從顯示裝置的觀看者側(cè)引起的環(huán)境光的反射來(lái)形成圖像的反射型的
顯示裝置。此外，在上述各實(shí)施方式中的顯示裝置DP中，如圖I所示，均將形成有薄膜晶體管的第一基板BI配置在背光源BL側(cè)，但是，也可以在觀看者側(cè)配置形成有薄膜晶體管的第一基板BI，并將形成有孔AP的基板配置在背光源BL側(cè)。此外，作為背光源BL,也可以米用FSC方式(Field Sequential Color、場(chǎng)序彩色)。另外，作為生成灰階(gray scale)的方式，也可以使用對(duì)光閘板SH為打開(kāi)狀態(tài)的時(shí)間進(jìn)行控制的時(shí)間分割方式，也可以是使從開(kāi)口的像素入射的光在背光源BL側(cè)反射，并使用其散射光的方式。 此外，在上述各實(shí)施方式中的顯示裝置DP中，光閘組裝體M均具有兩個(gè)促動(dòng)部AC來(lái)控制光閘板SH的位置，但是也可以是僅具有一個(gè)促動(dòng)部AC的光閘組裝體M。在這種情況下，例如，當(dāng)將像素PX從閉合狀態(tài)轉(zhuǎn)換到打開(kāi)狀態(tài)時(shí)，則向促動(dòng)部AC輸入影像信號(hào)，當(dāng)從打開(kāi)狀態(tài)轉(zhuǎn)換到閉合狀態(tài)時(shí)，則關(guān)閉向促動(dòng)部AC輸入的影像信號(hào)，也可以通過(guò)梁部B的復(fù)原力來(lái)移動(dòng)光閘板SH。如上所述，對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，還能進(jìn)行各種變形。例如，實(shí)施方式中已說(shuō)明的結(jié)構(gòu)能夠與實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)、發(fā)揮相同作用效果的結(jié)構(gòu)、或者能夠達(dá)到相同目的的結(jié)構(gòu)進(jìn)行置換。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其具有多個(gè)像素，該多個(gè)像素具有 形成為板狀的光閘板；和 通過(guò)靜電力驅(qū)動(dòng)所述光閘板的促動(dòng)部，其特征在于， 所述促動(dòng)部具有 與所述光閘板連接的梁部； 通過(guò)施加電壓而使所述梁部彎曲從而驅(qū)動(dòng)所述光閘板的驅(qū)動(dòng)電極； 支承所述驅(qū)動(dòng)電極并固定在基板上的第一支承部；和 支承所述梁部并固定在所述基板上的第二支承部， 所述第一支承部以及所述第二支承部的至少一方具有 以從所述基板離開(kāi)的方式形成為平面狀的平面部分；和 以從所述平面部分凹陷的方式形成，且與所述基板連接的凹部， 所述凹部具有 從所述平面部分大致垂直地傾斜形成的垂直形成部分；和 從所述垂直形成部分開(kāi)始，以隨著向所述基板側(cè)前進(jìn)而使傾斜變緩的方式形成的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部以所述平面部分為基準(zhǔn)而在所述基板側(cè)形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部通過(guò)與寬度方向相比在深度方向上較大的縱橫尺寸比而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一支承部具有所述凹部， 所述驅(qū)動(dòng)電極從俯視來(lái)看，以通過(guò)具有所述縱橫尺寸比的結(jié)構(gòu)形成有外延，且內(nèi)側(cè)為中空的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部形成在比所述光閘板更深的位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)電極以及所述梁部的所述基板側(cè)的前端尖細(xì)地形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，其具有多個(gè)像素，該多個(gè)像素具有形成為板狀的光閘板(SH)和促動(dòng)部(AC)，其特征在于，促動(dòng)部(AC)具有與光閘板(SH)連接的梁部(B)；通過(guò)施加電壓而使梁部(B)彎曲并驅(qū)動(dòng)光閘板(SH)的驅(qū)動(dòng)電極(E)；支承驅(qū)動(dòng)電極(E)并固定在基板(B1)上的第一支承部(S1)；和支承梁部(B)并固定在基板上的第二支承部，第一支承部(S1)以及第二支承部的至少一方具有從基板離開(kāi)的平面部分(Sp)；和以從平面部分(Sp)凹陷的方式形成，且與基板連接的凹部(Sc)，凹部(Sc)具有從平面部分大致垂直地傾斜形成的垂直形成部分(Sv)；和從垂直形成部分(Sv)開(kāi)始，以隨著向基板(B1)側(cè)前進(jìn)而傾斜變緩的方式形成的部分(Sg)。
文檔編號(hào)G09G3/34GK102809816SQ20121018266
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月3日
發(fā)明者木村泰一, 藤吉純, 栗谷川武, 園田大介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器東