專利名稱：主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，尤指ー種改變像素的布局方式，以增加電流驅(qū)動能力，進而達到節(jié)省功耗的目的的主動式有機發(fā)光ニ極管顯示器的像素的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
請參照第IA圖，第IA圖是為主動式有機發(fā)光二極管顯示器(Active MatrixOrganic Lighting-Emitting Diode, AMOLED)的傳統(tǒng)式像素單元100的示意圖。當(dāng)像素單元100中的薄膜晶體管(thin-film transistor, TFT) 102接收掃描線104所輸出的控制訊號VG是為高電位VDDG吋，薄膜晶體管102開啟以及數(shù)據(jù)線106根據(jù)數(shù)據(jù)電壓VD將像素單元100中的儲存電容CS充放電至相對應(yīng)的灰階電壓Vgray。此時，薄膜晶體管102的閘極電位是為控制訊號VG的電位VDDG。然后，當(dāng)薄膜晶體管102根據(jù)控制訊號VG關(guān)閉吋，薄膜晶體管108即可根據(jù)灰階電壓Vgray，產(chǎn)生ー驅(qū)動電流Imd以驅(qū)動一有機發(fā)光二極管110。另外，如第IA圖所示，Cgd是為薄膜晶體管102的寄生電容。請參照第IB圖，第IB圖是為說明當(dāng)薄膜晶體管102根據(jù)控制訊號VG關(guān)閉時，因為薄膜晶體管102的寄生電容Cgd漏電的影響，造成儲存電容CS的灰階電壓Vgray變動的示意圖。如第IB圖所示，當(dāng)薄膜晶體管102根據(jù)掃描線104所輸出的控制訊號VG關(guān)閉(薄膜晶體管102的閘極電位是為低電位VEEG)時，儲存電容CS的灰階電壓Vgray會因為薄膜晶體管102的寄生電容Cgd漏電的影響而產(chǎn)生一電壓變化量△￥，其中電壓變化量AV是由式(1)，以及驅(qū)動電流1_是由式⑵所決定
AV = (νφ -V魂 X Cgd(I)
CS l Cgd
Iqud = Kd-Vlosra)2 = KKViass Vlflas)-Vl08m)3(2)
在式(I)中，Vgh是為薄膜晶體管108的閘極端所接收的一高電壓和Vgl是為薄膜晶體管108的閘極端所接收的ー低電壓。在式(2)中，Vltl8es是為薄膜晶體管108的閘源極電壓、V1■是為薄膜晶體管108的閘極電壓(等于Vgray — Λ V)、Vltl8s是為薄膜晶體管108的源極電壓以及Vici8th是為薄膜晶體管108的閥值電壓。因此，由式(2)可以知道當(dāng)電壓變化量Λ V越小則薄膜晶體管108的電流驅(qū)動能力將會越好，進而達到節(jié)省功率消耗。由式(I)可知，增加儲存電容CS的電容值或是增加薄膜晶體管102的寄生電容Cgd都可降低電壓變化量AV。但是增加儲存電容CS的電容值意味著要增加儲存電容CS的面積，導(dǎo)致開ロ率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其不僅可增加一面板的亮度均勻度，亦可增加該驅(qū)動電路的電流驅(qū)動能力，進而達到節(jié)省功耗的目的。本發(fā)明采用以下方案實現(xiàn)一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包含一第一開關(guān)、一儲存電容及ー第二開關(guān)。該第一開關(guān)系形成于ー數(shù)據(jù)線、一掃描線、一第一電極與一有機發(fā)光二極管之間，該第一開關(guān)具有一第一端，稱接于該數(shù)據(jù)線，一第二端，耦接于該掃描線，及一第三端；該儲存電容是形成于該數(shù)據(jù)線、該掃描線、該第一電極與該有機發(fā)光二極管之間，該儲存電容的第一端耦接于該第一開關(guān)的第三端；該第二開關(guān)系形成于該數(shù)據(jù)線、該掃描線、該第一電極與該有機發(fā)光二極管之間，該第ニ開關(guān)具有一第一端，稱接于該第一電極，一第二端，稱接于該儲存電容的第一端，及一第三端，耦接于該有機發(fā)光二極管；其中該第二開關(guān)的第二端是延伸至該第一電極的后方及該有機發(fā)光二極管的下方。在本發(fā)明ー實施例中，其中該第一開關(guān)、該儲存電容及第ニ開關(guān)的制程是ー非晶硅(A-Si)薄膜晶體管制程。在本發(fā)明ー實施例中，其中當(dāng)該第一開關(guān)開啟時，該儲存電容根據(jù)該數(shù)據(jù)在線的數(shù)據(jù)電壓，充放電至相一對應(yīng)的灰階電壓；當(dāng)該第一開關(guān)關(guān)閉時，該第二開關(guān)是用以根據(jù)該儲存電容所儲存的該對應(yīng)的灰階電壓，產(chǎn)生ー驅(qū)動電流以驅(qū)動該有機發(fā)光二極管。在本發(fā)明ー實施例中，其中該對應(yīng)的灰階電壓，在該第一開關(guān)開啟與關(guān)閉時的一電壓變化量AV是由下式所決定
權(quán)利要求
1.一種主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在于，包含 一第一開關(guān)，形成于ー數(shù)據(jù)線、一掃描線、一第一電極與一有機發(fā)光二極管之間，該第ー開關(guān)具有一第一端，耦接于該數(shù)據(jù)線，一第二端，耦接于該掃描線，及一第三端； ー儲存電容，形成于該數(shù)據(jù)線、該掃描線、該第一電極與該有機發(fā)光二極管之間，該儲存電容的第一端耦接于該第一開關(guān)的第三端；及 一第二開關(guān)，形成于該數(shù)據(jù)線、該掃描線、該第一電極與該有機發(fā)光二極管之間，該第ニ開關(guān)具有一第一端，稱接于該第一電極，一第二端，稱接于該儲存電容的第一端，及一第三端，耦接于該有機發(fā)光二極管； 其中該第二開關(guān)的第二端是延伸至該第一電極的后方及該有機發(fā)光二極管的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在干其中該第一開關(guān)、該儲存電容及第ニ開關(guān)的制程是ー非晶硅(A-Si)薄膜晶體管制程。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在干其中當(dāng)該第一開關(guān)開啟時，該儲存電容根據(jù)該數(shù)據(jù)在線的數(shù)據(jù)電壓，充放電至相ー對應(yīng)的灰階電壓；當(dāng)該第一開關(guān)關(guān)閉時，該第二開關(guān)是用以根據(jù)該儲存電容所儲存的該對應(yīng)的灰階電壓，產(chǎn)生ー驅(qū)動電流以驅(qū)動該有機發(fā)光二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在于其中該對應(yīng)的灰階電壓，在該第一開關(guān)開啟與關(guān)閉時的一電壓變化量AV是由下式所決定
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在于其中該第一電極是用以接收一第一電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，其特征在于其中該第一電極是用以耦接一地端。
全文摘要
本發(fā)明涉及主動式有機發(fā)光二極管顯示器的像素的驅(qū)動電路，該電路包含一第一開關(guān)、一儲存電容及一第二開關(guān)。該第一開關(guān)、該儲存電容與該第二開關(guān)是形成于一數(shù)據(jù)線、一掃描線、一第一電極與一有機發(fā)光二極管之間。該第一開關(guān)具有一第一端，耦接于該數(shù)據(jù)線，一第二端，耦接于該掃描線，及一第三端；該儲存電容的第一端是耦接于該第一開關(guān)的第三端；該第二開關(guān)具有一第一端，耦接于該第一電極，一第二端，耦接于該儲存電容的第一端，及一第三端，耦接于該有機發(fā)光二極管；該第二開關(guān)的第二端是延伸至該第一電極的后方及該有機發(fā)光二極管的下方。本發(fā)明不僅可增加一面板的亮度均勻度，亦可增加該驅(qū)動電路的電流驅(qū)動能力，進而達到節(jié)省功耗的目的。
文檔編號G09G3/32GK102622966SQ20121012590
公開日2012年8月1日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月26日
發(fā)明者孫伯彰, 陳盈惠, 黃金海 申請人:中華映管股份有限公司, 福州華映視訊有限公司