專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及顯示圖像的顯示裝置。
背景技術(shù)：
為了確認(rèn)制造顯示裝置的各個工序的實施結(jié)果是否達(dá)到較佳的狀態(tài)，需要測量各個工序結(jié)果物的厚度、電阻、濃度、受污染的程度、臨界值及器件的電學(xué)特性等，但是由于在測量過程中會使器件受損，因此對于工序特性而言，有時不能以實際基板為對象進(jìn)行監(jiān)測。這種情況下，在形成有器件的基板的特定部分或者在另外的空白(blank)區(qū)域形成稱做測試元件組(Test Element Group,簡稱為TEG)的圖案并且相同地實施在形成有實際器件的基板實施的工序之后，測量測試元件組以評價相應(yīng)的工序。為了監(jiān)測在顯示裝置的制造工序中發(fā)生的靜電，在顯示裝置的周邊區(qū)域形成包括晶體管的測試元件組并測量晶體管，從而由晶體管的變化監(jiān)測靜電。

但是，測試元件組內(nèi)部的晶體管是獨立形態(tài)的晶體管，其不能表示從整體上連接的、顯示區(qū)域內(nèi)部的多個晶體管。因此，即使測試元件組內(nèi)部的晶體管因靜電發(fā)生劣化，顯示區(qū)域內(nèi)部的晶體管也可以正常驅(qū)動，從而存在下述的缺點，即測試元件組內(nèi)部的晶體管不能表示顯示區(qū)域內(nèi)部的晶體管。如上所述，由于測試元件組內(nèi)部的晶體管是獨立結(jié)構(gòu)，因此不能監(jiān)測在柔性顯示裝置的保護(hù)膜裝卸工序、膜劃線(scribing)工序、激光剝離(Laser Lift Off，簡稱為LLO)工序以及模組(module)工序等中發(fā)生的靜電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)ば蛑兴l(fā)生的靜電加強監(jiān)測的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置包括包括顯示圖像的多個顯示像素的顯示部；以及包括在所述顯示部的周邊形成的多個虛擬像素的虛擬部；所述虛擬像素內(nèi)部可以形成有靜電測試元件組。所述靜電測試元件組可以包括多個靜電晶體管。所述多個靜電晶體管的靜電源電極可以通過源連接部而互相連接。所述多個靜電晶體管的靜電漏電極可以通過漏連接部而互相連接。所述靜電晶體管包括與靜電柵電極連接的靜電柵焊盤；與所述靜電源電極連接的靜電源焊盤；以及與所述靜電漏電極連接的靜電漏焊盤；所述靜電柵焊盤、靜電源焊盤以及靜電漏焊盤可以設(shè)置在相同的線上。所述顯示裝置還可以包括圍繞所述靜電晶體管的單一護(hù)環(huán)。所述單一護(hù)環(huán)的寬度可以為40μπι至200μπι。所述單一護(hù)環(huán)可以由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。所述顯示裝置還可以包括圍繞所述靜電測試元件組的總護(hù)環(huán)。所述總護(hù)環(huán)的寬度可以為40 μ m至200 μ m。
所述總護(hù)環(huán)可以由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。所述多個靜電測試元件組可以與所述顯示部的四個角落部相鄰而成。所述多個靜電測試元件組可以沿著所述顯示部的邊緣形成。根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置通過在顯示部的周邊所形成的虛擬像素內(nèi)部形成靜電測試元件組，使得靜電測試元件組的靜電晶體管的變化能夠表示顯示部內(nèi)的晶體管的變化，從而可以加強監(jiān)測工序中發(fā)生的靜電。另外，由此通過正確地監(jiān)測由靜電引起的顯示裝置的不良，可以改善工序。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的平面圖；圖2是圖1的A部分的放大 圖；圖3是在圖2的虛擬像素上形成的靜電測試元件組的平面圖；圖4是沿著圖3的IV-1V線截取的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的靜電測試元件組的平面圖；圖6是沿著圖5的V1-VI線截取的截面圖；圖7是顯示單一護(hù)環(huán)(guard ring)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓變化的圖表；圖8是顯示單一護(hù)環(huán)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(Sub threshold Slope，簡稱為S. S)變化的圖表；圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓變化的圖表；圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(Sub threshold Slope，簡稱為S. S)變化的圖表；圖11是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示裝置的平面圖。附圖標(biāo)記說明1:總護(hù)環(huán)；2 :單一護(hù)環(huán)；30 :靜電柵焊盤；50 :靜電源焊盤；60 :靜電漏焊盤；73 :源連接部；75 :漏連接部；130 :靜電半導(dǎo)體層；150:靜電柵電極；173:靜電源電極；175:靜電漏電極；400 :靜電測試元件組；410:靜電晶體管。
具體實施例方式下面，參考

本發(fā)明的實施例，使得本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠簡單地實施本發(fā)明。本發(fā)明能夠以多種不同的形態(tài)實施，而并不限于在此說明的實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的平面圖，圖2是圖1的A部分的放大圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置100包括顯示基板110 ;覆蓋顯示基板Iio的密封部件210 ;以及設(shè)置在顯示基板110和密封部件210之間的密封劑(sealant)350。密封劑350是沿著密封部件210的邊緣設(shè)置的，密封劑350使顯示基板110與密封部件210互相貼合密封。下面，將被密封劑350圍繞的、顯示基板110和密封部件210之間的內(nèi)部空間稱為顯示區(qū)域DA。另外，在顯示區(qū)域DA形成有多個顯示像素，從而顯示圖像。密封部件210以相比顯示基板110更小的尺寸形成。另外，未被密封部件210覆蓋的顯示基板110的一側(cè)邊緣可以設(shè)置(mount)有驅(qū)動電路芯片550。顯示基板110的邊緣形成有將驅(qū)動電路芯片550和形成在被密封劑350密封的空間內(nèi)部的器件電連接的多個導(dǎo)電排線510。從而，導(dǎo)電排線510和密封劑350是部分重疊的。如圖1和圖2所示，密封劑350內(nèi)部的顯示區(qū)域DA包括具有顯示圖像的多個顯示像素191的顯示部S ;以及具有在顯示部S的周邊形成的多個虛擬像素192的虛擬部P。顯示像素191顯示圖像，虛擬像素192用于相對提高顯示部S的可視性、修復(fù)顯示像素或者防止因在制造工序中發(fā)生的周邊部的不良所引起的顯示不均勻性。在這種虛擬像素192的內(nèi)部形成有用于監(jiān)測在顯示裝置的制造工序中發(fā)生的靜電的靜電測試元件組400。這種靜電測試元件組400可以形成在顯示部S的四個角落部。具體而言，靜電測試元件組400可以形成于與顯示部S中的四個角落部的顯示部S相鄰的虛擬部P的虛擬像素192上。如上所述，通過在與發(fā)生靜電并易于匯聚的角落部相鄰的虛擬像素192上形成靜電測試元件組400，可以正確地監(jiān)測由顯示裝置的靜電引起的影響。圖3是在圖2的虛擬像素上形成的靜電測試元件組的平面圖，圖4是沿著圖3的IV-1V線截取的截面圖。如圖3所示,靜電測試元件組400包括多個靜電晶體管410。多個靜電晶體管410形成為預(yù)定的行列。一個靜電晶體管410包括靜電半導(dǎo)體層130 ;與靜電半導(dǎo)體層130部分重疊并且傳輸柵信號的靜電柵電極150 ;以及各自與靜電半導(dǎo)體層130的源區(qū)域133及漏區(qū)域135連接的靜電源電極173及靜電漏電極175。通過靜電源電極173傳輸數(shù)據(jù)信號。另外，靜電晶體管410包括與靜電柵電極150連接的靜電柵焊盤30 ;與靜電源電極173連接的靜電源焊盤50;以及與靜電漏電極175連接的靜電漏焊盤60。靜電柵焊盤30、靜電源焊盤50以及靜電漏焊盤60較寬，使得能夠與輸入外部信號的探針(probe)接觸。從而，向靜電柵焊盤30輸入柵信號，此時通過測量經(jīng)過靜電源焊盤50及靜電漏焊盤60的數(shù)據(jù)信號，可以測量由靜電引起的靜電晶體管410的變化。如上所述，靜電晶體管410形成在虛擬像素192的內(nèi)部而非密封劑350外部的周邊區(qū)域，從而可以正確地測量顯示像素191的靜電變化。此時，一個靜電晶體管410的靜電源電極173通過源連接部73與相鄰的靜電晶體管410的靜電源電極173連接，一個靜電晶體管410的靜電漏電極175通過漏連接部75與相鄰的靜電晶體管410的靜電漏電極175連接。從而，多個靜電晶體管410的靜電源電極173都是互相連接的，并且靜電漏電極175也都是互相連接的。如上所述，與連接有晶體管的所有顯示像素191相同，虛擬像素192也通過源連接部73和漏連接部75而互相連接，因此可以測量與顯示像素的靜電變化相同的靜電變化。
在本實施例中，雖然形成有源連接部73和漏連接部75，但是還可以僅形成有源連接部73或者漏連接部75。下面，參考圖4詳細(xì)地說明靜電晶體管410的層狀結(jié)構(gòu)。如圖4所示，虛擬部P的基板111上形成有緩沖層120。并且，緩沖層120上形成有靜電半導(dǎo)體層130，靜電半導(dǎo)體層130和緩沖層上形成有柵絕緣膜140。并且，柵絕緣膜140上形成有靜電柵電極150，靜電柵電極150和柵絕緣膜140上形成有層間絕緣膜160。層間絕緣膜160上形成有靜電源電極173及靜電漏電極175，靜電半導(dǎo)體層130的源區(qū)域133及漏區(qū)域135通過在層間絕緣膜160和柵絕緣膜140形成的開口部分別與靜電源電極173及靜電漏電極175連接。靜電源電極173及靜電漏電極175上形成有保護(hù)膜180。另外，形成有總護(hù)環(huán)1，其中，總護(hù)環(huán)I圍繞包括多個靜電晶體管410的靜電測試元件組400?？傋o(hù)環(huán)I圍繞所有的多個靜電晶體管410，并且可以由與靜電柵電極150或者靜電漏電極175相同的物質(zhì)形成。另外，總護(hù)環(huán)I可以形成在與靜電柵電極150或者靜電漏電極175相同的層。從而，發(fā)生靜電時，總護(hù)環(huán)I與靜電晶體管410—起吸收靜電，從而可以減少被靜電晶體管410吸收的靜電量，由此可以防止靜電晶體管410發(fā)生劣化。雖然在上述的第一實施例中形成有圍繞靜電測試元件組的總護(hù)環(huán)1，但是還可以形成有圍繞一個靜電晶體管的單一護(hù)環(huán)2。下面，參考圖5和圖6說明本發(fā)明的第二實施例。圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的靜電測試元件組的平面圖，圖6是沿著圖5的V1-VI線截取的截面圖。如圖5和圖6所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的靜電晶體管410包括靜電半導(dǎo)體層130 ;與靜電半導(dǎo)體層130部分重疊并且傳榆柵信號的靜電柵電極150 ;以及各自與靜電半導(dǎo)體層130的源區(qū)域133及漏區(qū)域135連接的靜電源電極173及靜電漏電極175。這種靜電晶體管410包括與靜電柵電極150連接的靜電柵焊盤30 ;與靜電源電極173連接的靜電源焊盤50 ；以及與靜電漏電極175連接的靜電漏焊盤60。靜電柵焊盤30、靜電源焊盤50以及靜電漏焊盤60較寬，使得能夠與輸入外部信號的探針(probe)接觸。靜電柵焊盤30、靜電源焊盤50以及靜電漏焊盤60設(shè)置在相同的線上。形成有圍繞一個靜電晶體管410的單一護(hù)環(huán)2。單一護(hù)環(huán)2可以由與靜電柵電極150或者靜電漏電極175相同的物質(zhì)形成。并且，單一護(hù)環(huán)2可以形成在與靜電柵電極150或者靜電漏電極175相同的層。這種單一護(hù)環(huán)2在發(fā)生靜電時與靜電晶體管410 —起吸收靜電，從而可以減少被靜電晶體管410吸收的靜電量，由此可以防止靜電晶體管410發(fā)生劣化。單一護(hù)環(huán)2的寬度d可以在40μπι至200μπι。當(dāng)單一護(hù)環(huán)2的寬度小于40 μ m時，單一護(hù)環(huán)2所吸收的靜電量少，因此靜電晶體管410容易發(fā)生劣化。另外，當(dāng)單一護(hù)環(huán)2的寬度大于200 μ m時，單一護(hù)環(huán)2在虛擬部P所占的面積增加，從而會發(fā)生陰影區(qū)(deadspace)增加的問題。圖7是顯示單一護(hù)環(huán)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓Vth變化的圖表，圖8是顯示單一 護(hù)環(huán)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(Sub threshold Slope，簡稱為S. S)變化的圖表，圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓變化的圖表，圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(Sub threshold Slope，簡稱為S. S)變化的圖表。圖7至圖10是顯示基于從基板分離顯示裝置的晶體管時發(fā)生的靜電所引起的靜電的、靜電晶體管的特性變化的圖表。如圖7和圖8所示，單一護(hù)環(huán)2的寬度在40 μ m以下的情況下，若源電壓與漏電壓之差、即Vds為O. 1V、5.1V、10.1V時，可知閾值電壓和亞閾值斜率(Sub threshold Slope,S.S)在靜電發(fā)生之前和之后有較大的變化。從而，靜電晶體管410容易發(fā)生劣化。但是，如圖9和圖10所示，本發(fā)明的實施例中單一護(hù)環(huán)2的寬度為40μπι至200 μ m,可知閾值電壓和亞閾值斜率(Sub threshold Slope,簡稱為S.S)在靜電發(fā)生之前和之后沒有變化。從而在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置中，單一護(hù)環(huán)2在靜電發(fā)生時吸收靜電，從而靜電晶體管410不發(fā)生劣化。另外，雖然在上述的第一實施例中示出了多個靜電測試元件組形成在顯示部的四個角落部的情況，但是多個靜電測試元件組還可以沿著顯示部的邊緣形成。下面，參考圖11說明本發(fā)明的第三實施例。圖11是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示裝置的平面圖。如圖11所示，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示裝置中，密封劑350內(nèi)部的顯示區(qū)域DA包括具有顯示圖像的多個顯示像素191的顯示部S ；以及具有在顯示部S的周邊形成的多個虛擬像素192的虛擬部P。多個靜電測試元件組400沿著顯示部S的邊緣形成在虛擬部P。靜電測試元件組400形成在虛擬部P的虛擬像素192內(nèi)部。如上所述，通過形成多個靜電測試元件組400，從而可以正確地監(jiān)測靜電對顯示裝置產(chǎn)生的影響。

以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并不限于此，在不脫離權(quán)利要求書與發(fā)明內(nèi)容以及附圖的范圍的情況下能夠有多種變形，并且經(jīng)變形的實施例依然屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 顯示部，包括顯示圖像的多個顯示像素；以及虛擬部，包括形成在所述顯示部的周邊的多個虛擬像素；在所述虛擬像素內(nèi)部形成有靜電測試元件組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述靜電測試元件組包括多個靜電晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個靜電晶體管的靜電源電極是通過源連接部而互相連接的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個靜電晶體管的靜電漏電極是通過漏連接部而互相連接的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述靜電晶體管包括靜電柵焊盤，連接至靜電柵電極；靜電源焊盤，連接至所述靜電源電極；以及靜電漏焊盤，連接至所述靜電漏電扱；所述靜電柵焊盤、靜電源焊盤以及靜電漏焊盤設(shè)置在相同的線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，還包括単一護(hù)環(huán)，圍繞所述靜電晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在干，所述單ー護(hù)環(huán)的寬度為40y m至200 u m。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述單ー護(hù)環(huán)由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，還包括總護(hù)環(huán)，圍繞所述靜電測試元件組。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述總護(hù)環(huán)的寬度為40至200 u m。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述總護(hù)環(huán)由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，多個所述靜電測試元件組與所述顯示部的四個角落部相鄰地形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，多個所述靜電測試元件組沿著所述顯示部的邊緣形成。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置包括具有顯示圖像的多個顯示像素的顯示部；以及具有在所述顯示部的周邊形成的多個虛擬像素的虛擬部；所述虛擬像素內(nèi)部可以形成有靜電測試元件組。從而，根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置通過在顯示部的周邊所形成的虛擬像素內(nèi)部形成靜電測試元件組，使得靜電測試元件組的靜電晶體管的變化能夠表示顯示部內(nèi)的晶體管的變化，從而可以加強監(jiān)測工序中發(fā)生的靜電。
文檔編號G09F9/00GK103050060SQ20121009338
公開日2013年4月17日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者李在燮, 鄭倉龍, 樸容煥, 權(quán)暻美 申請人:三星顯示有限公司