專利名稱：電光學裝置的控制裝置、電光學裝置以及電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電光學裝置的控制裝置、電光學裝置以及電子設備。
背景技術：
作為顯示圖像的顯示裝置，存在使用微囊(microcapsule)的電泳方式的顯示裝置。在該顯示裝置中，有源矩陣(active matrix)方式的裝置在向行方向延伸的多個行電極和向列方向延伸的多個列電極之間的每一個交點上設置有驅動微囊的驅動電路。向行電極和列電極施加電壓后，在設置在驅動電路中的電極、和夾持微囊而與該電極對置的電極之間產(chǎn)生電位差。在夾持微囊而對置的電極間產(chǎn)生電位差后，微囊內(nèi)的白粒子和黑粒子按照由該電位差生成的電場而移動。光學反射特性通過各微囊內(nèi)的白粒子和黑粒子的分布的改變而發(fā)生變化，從而顯示圖像。但是，在電泳方式的顯示裝置中，存在如下裝置，S卩，在采用有源矩陣方式來變更顯示時，跨多個幀來進行圖像的重寫。但是，在跨多個幀來進行圖像的重寫時，整個畫面會開始重寫，由于在直到寫入結束為止的期間不進行新的寫入，因此在進行圖像的追加和刪除時，一旦圖像寫入結束后才開始下一次寫入，會花費時間，在操作性方面存在問題。因此，為了解決這樣的問題，提出有通過以部分區(qū)域為單位來進行流水線 (pipeline)處理，從而來進行寫入的方式(參照專利文獻I)。根據(jù)專利文獻I中公開的方式，在畫面上相互不重合的2個部分區(qū)域中錯開定時來寫入圖像的情況下，即使先開始寫入的部分區(qū)域的寫入沒有完成，也能夠開始從后面開始寫入的部分區(qū)域的寫入，與未采用這種方式的情況相比，顯示速度得到提高。專利文獻專利文獻I JP特開2009-251615號公報在專利文獻I中所公開的裝置中，針對顯示的圖像，將圖像數(shù)據(jù)寫入對每個像素的數(shù)據(jù)進行存儲的存儲器中，讀出寫入的數(shù)據(jù)來顯示圖像。在顯示裝置變更圖像時，雖然按照每個像素來訪問存儲器并變更圖像，但是在顯示裝置中，隨著像素數(shù)目變多，對存儲器的訪問次數(shù)隨之變多，訪問存儲器時消耗的電力也變大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的之一在于，在顯示圖像時，減少對存儲器的訪問次數(shù)，抑制消耗電力。為了達成上述目的，本發(fā)明的電光學裝置的控制裝置具備包括多個像素的顯示部，通過多次施加電壓的寫入動作來進行用于使上述像素的顯示狀態(tài)從第一顯示狀態(tài)變化為第二顯示狀態(tài)的寫入，上述顯示部具有多個區(qū)域，上述電光學裝置的控制裝置具備寫入?yún)^(qū)域判斷部，其從按每個上述區(qū)域來存儲表示是否需要對上述區(qū)域內(nèi)的像素進行上述寫入動作的訪問標記的存儲部中取得上述訪問標記，并基于上述訪問標記來判斷是否對包含在與取得的上述訪問標記對應的區(qū)域中的像素進行上述寫入動作；寫入狀態(tài)判斷部，其針對包含在上述寫入?yún)^(qū)域判斷部中判斷為進行寫入動作的區(qū)域中的像素，對寫入存儲器中的圖像數(shù)據(jù)、和表示通過進行中的上述寫入動作而顯示在該顯示部中的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)進行比較，在需要新的上述寫入動作的情況下，對上述像素判斷前一次的寫入動作是否是進行中；寫入控制部，其在上述寫入狀態(tài)判斷部中判斷為針對上述像素的上述寫入動作不是進行中的情況下，對上述像素開始新的上述寫入動作，在上述寫入狀態(tài)判斷部中對上述像素判斷為上述寫入動作是進行中的情況下，繼續(xù)進行中的上述寫入動作，在進行中的上述寫入動作結束后，開始新的上述寫入動作；以及標記狀態(tài)變更部，其在針對包含在上述區(qū)域中的所有像素的上述寫入動作結束的情況下，將與該區(qū)域對應的訪問標記變更為不需要上述寫入動作的狀態(tài)。 根據(jù)本發(fā)明，在顯示圖像時，減少了對存儲器的訪問次數(shù)，并抑制了消耗電力。另外，在上述控制裝置中也可以是，以多行多列來設置上述多個像素，上述像素的I行是I個上述區(qū)域。根據(jù)該構成，在針對I行像素的寫入動作是不需要的情況下，由于在存儲器中不進行I行像素的訪問，因此減少了對存儲器的訪問次數(shù)，并抑制了消耗電力。此外，在上述控制裝置中也可以是，以行多列來設置上述多個像素，上述像素的多行是I個上述區(qū)域。根據(jù)該構成，在針對多行的像素的寫入動作是不需要的情況下，由于在存儲器中不進行多行的訪問，因此減少了對存儲器的訪問次數(shù)，抑制了消耗電力。此外，在上述控制裝置中也可以是，以多行多列來設置上述多個像素，相鄰的2行以上且2列以上的像素的塊是I個上述區(qū)域。根據(jù)該構成，在針對多行多列的像素的寫入動作是不需要的情況下，由于在存儲器中不進行多行多列的訪問，因此減少了對存儲器的訪問次數(shù)，抑制了消耗電力。此外，在上述控制裝置中也可以是，在向上述存儲器寫入了圖像數(shù)據(jù)的情況下，將按上述多個區(qū)域的每一個區(qū)域而設置的各訪問標記設為需要寫入動作的狀態(tài)。根據(jù)該構成，在向存儲器寫入了圖像數(shù)據(jù)的情況下，由于將訪問標記重寫為需要寫入動作的狀態(tài)，因此即使沒有從外部裝置接收到向存儲器寫入圖像數(shù)據(jù)的通知，也能夠開始圖像的寫入。為了達成上述目的，本發(fā)明的電光學裝置具備包括多個像素的顯示部，通過多次施加電壓的寫入動作來進行用于使上述像素的顯示狀態(tài)從第一顯示狀態(tài)變化為第二顯示狀態(tài)的寫入，上述顯示部具有多個區(qū)域，上述電光裝置具備寫入?yún)^(qū)域判斷部，其從按每個上述區(qū)域來存儲表示是否需要對上述區(qū)域內(nèi)的像素進行上述寫入動作的訪問標記的存儲部中取得上述訪問標記，并基于上述訪問標記來判斷是否對包含在與取得的上述訪問標記對應的區(qū)域中的像素進行上述寫入動作；寫入狀態(tài)判斷部，其針對包含在上述寫入?yún)^(qū)域判斷部中判斷為進行寫入動作的區(qū)域中的像素，對寫入存儲器中的圖像數(shù)據(jù)、和表示通過進行中的上述寫入動作而顯示在該顯示部中的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)進行比較，在需要新的上述寫入動作的情況下，對上述像素判斷前一次的寫入動作是否是進行中；寫入控制部，其在上述寫入狀態(tài)判斷部中判斷為針對上述像素的上述寫入動作不是進行中的情況下，對上述像素開始新的上述寫入動作，在上述寫入狀態(tài)判斷部對上述像素判斷為上述寫入動作是進行中的情況下，繼續(xù)進行中的上述寫入動作，在進行中的上述寫入動作結束后，開始新的上述寫入動作；以及標記狀態(tài)變更部，其在針對包含在上述區(qū)域中的所有像素的上述寫入動作結束的情況下，將與該區(qū)域對應的訪問標記變更為不需要上述寫入動作的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明，在顯示圖像時，減少了對存儲器的訪問次數(shù)，抑制了消耗電力。另外，本發(fā)明的概念不僅僅是電光學裝置，也可以是作為具有該電光學裝置的電子設備。


圖I是表示顯示裝置1000和電光學裝置I的硬件構成的圖。圖2是表示顯示區(qū)域100的剖面的圖。圖3是表示像素110的等效電路的圖。 圖4是表示由控制器5實現(xiàn)的功能的構成的框圖。圖5是表示控制器5進行的處理的流程的流程圖。圖6是表示控制器5進行的處理的流程的流程圖。圖7是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖8是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖9是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖10是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖11是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖12是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖13是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖14是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖15是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖16是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖17是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖18是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖19是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖20是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖21是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖22是用于說明電光學裝置I的動作的圖。圖23是電子書閱讀器2000的外觀圖。圖24是表示變形例所涉及的標記存儲區(qū)域6C的圖。圖25是表示變形例中控制器5進行的處理的流程的流程圖。圖26是表示變形例所涉及的標記存儲區(qū)域6C的圖。圖27是表示變形例中控制器5進行的處理的流程的流程圖。符號說明I電光學裝置2控制部3 VRAM
4 RAM5控制器6寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6a白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6b黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6c標記存儲區(qū)域7預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域9A 9F 按鈕 10 顯示部100顯示區(qū)域101 第一基板IOla 基板IOlb 粘接層IOlc 電路層IOld像素電極102 電泳層102a 微囊102b 粘合劑103 第二基板103a 薄膜103b公共電極層110 像素IlOa TFTIlOb顯示元件IlOc輔助電容112掃描線114數(shù)據(jù)線2000電子書閱讀器2001 框架Ai j、Bi j、Ci j、Di j、Ei、Ek、Exy 存儲區(qū)域
具體實施例方式實施方式圖I是表示本發(fā)明的一實施方式的顯示裝置1000和電光學裝置I的硬件構成的框圖。顯示裝置1000是顯示圖像的裝置，具備電泳方式的電光學裝置I、控制部2、VRAM (Video RAM) 3以及作為存儲部的一例的RAM(Random Access Memory)4。此外，電光學裝置I具備顯示部10和控制器5?？刂撇? 是具備 CPU (Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM等的微型計算機，控制顯示裝置1000的各個部分。此外，控制部2對VRAM3進行訪問，將表示顯示在顯示區(qū)域100中的圖像的圖像數(shù)據(jù)寫入VRAM3中?？刂破?將用于使圖像顯示在顯示部10的顯示區(qū)域100中的各種信號提供給顯示部10的掃描線驅動電路130和數(shù)據(jù)線驅動電路140?？刂破?相當于電光學裝置I的控制裝置。另外，能夠將對控制部2和控制器5進行組合后得到的部分定義為電光學裝置I的控制裝置?；蛘咭材軌驅⒖刂撇?、控制器5、VRAM3以及RAM4整體定義為電光學裝置I的控制裝置。VRAM3是存儲通過控制部2寫入的圖像數(shù)據(jù)的存儲器。VRAM3按后述的在以m行Xn列排列的每個像素110而具有存儲區(qū)域。圖像數(shù)據(jù)包括表示各像素110的灰度的數(shù)據(jù)，表示I個像素110的灰度的數(shù)據(jù)存儲在與該像素對應的I個存儲區(qū)域中。寫入VRAM3中的圖像數(shù)據(jù)通過控制器5被讀出。RAM4是存儲為了使圖像顯示在顯示區(qū)域100中而使用的各種數(shù)據(jù)的存儲器，設置有寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6和預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7。、
在顯示區(qū)域100中，在圖中沿著行(X)方向設置有多個掃描線112，沿著列(Y)方、向且按照與各掃描線112相互保持電絕緣的方式設置有多個數(shù)據(jù)線114。并且，與各掃描線112和各數(shù)據(jù)線114的交叉相對應地，分別設置像素110。簡單來說，設掃描線112的行數(shù)為“m”，設數(shù)據(jù)線114的列數(shù)為“n”時，像素110按照縱m行X橫n列的方式而排列為矩陣狀，從而構成顯示區(qū)域100。圖2是表示顯示區(qū)域100的剖面的圖。如圖2所示,顯示區(qū)域100粗略來分由第一基板101、電泳層102、以及第二基板103構成。第一基板101是在具有絕緣性以及撓性的基板IOla上形成電路層的基板?；錓Ola在本實施方式中由聚碳酸酯(polycarbonate)形成。另外，作為基板101a，不限定為聚碳酸酯，能夠使用具有輕量性、撓性、彈性以及絕緣性的樹脂材料。此外，基板IOla也可以由不具有撓性的玻璃形成。在基板IOla的表面設置粘接層101b，在粘接層IOlb的表面層疊電路層101c。電路層IOlc具有排列在行方向上的多個掃描線112和排列在列方向上的多個數(shù)據(jù)線114。此外，電路層IOlc與每一個掃描線112和數(shù)據(jù)線114的交叉相對應地具有像素電極IOld0電泳層102由粘合劑(binder) 102b、和通過粘合劑102b進行固定的多個微囊102a構成，形成在像素電極IOld上。另外，在微囊102a和像素電極IOld之間可以設置由粘接劑形成的粘接層。作為粘合劑102b，只要是與微囊102a的親和性良好且與電極的密接性優(yōu)異、并且具有絕緣性的物質就不做特別限制。在微囊102a內(nèi)，容納分散劑和電泳粒子。作為構成微囊102a的材料，優(yōu)選使用阿拉伯樹膠/白明膠類的化合物和聚胺脂(urethane)類的化合物等具有柔軟性的物質。作為分散劑，可使用水、酒精類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纖劑等)、酯類(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮類(丙酮、丁酮、甲基異丁酮等)、脂肪族碳氫化合物(戊烷、己烷、辛烷等)、脂環(huán)型碳氫化合物(環(huán)己烷、甲基環(huán)戊二烯等)、芳香族碳氫化合物(苯、甲苯、具有長鏈烷基的苯類(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、鹵化碳氫化合物(二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、1，2_ 二氯乙烷等)、羧酸鹽等任意一種，此外，分散劑也可以是其它的油類。此夕卜，可以單獨或混合這些物質在分散劑中使用，并且也可以配合表面活性劑等作為分散媒。
電泳粒子是具有在分散媒中由于電場而移動的性質的粒子(高分子或者膠體)。在本實施方式中，在微囊102a內(nèi)容納白的電泳粒子和黑的電泳粒子。黑的電泳粒子例如是由苯胺黑(aniline black)和碳黑等黑色顏料構成的粒子,在本實施方式中，帶正電。白的電泳粒子例如是由二氧化鈦和氧化鋁等白色顏料構成的粒子，在本實施方式中，帶負電。第二基板103由薄膜103a、形成在薄膜103a的下表面的透明的公共電極層103b (第二電極)構成。薄膜103a承擔電泳層102的密封和保護的作用，例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)的薄膜。薄膜103a透明且具有絕緣性。公共電極層103b例如由銦錫氧化物膜(IT0膜)等透明導電膜構成。圖3是用于說明像素110的等效電路的圖。再有，在本實施方式中，為了區(qū)別各掃
描線112，有時從上起依次將圖I所示的掃描線稱為第1、2、3.....(m-1)、m行。此外，同樣
地，為了區(qū)別各數(shù)據(jù)線114，有時從左起依次將圖I所示的數(shù)據(jù)線114稱為第1、2、3..... (n-1)、n 列。在圖3中，示出對應于第i行的掃描線112和第j列的數(shù)據(jù)線114的交叉處的像素110的等效電路。對應于其它的數(shù)據(jù)線114和掃描線112的交叉處的像素110構成也與圖示構成相同，因此，這里代表性地說明對應于第i行的數(shù)據(jù)線112和第j列的掃描線114的交差處的像素110的等效電路，省略其它像素110的等效電路的說明。如圖3所示,各像素110具有n溝道型的薄膜晶體管(thin film transistor:以下簡略稱為“TFT”) 110a、顯示元件110b、輔助電容110c。在像素110中，TFTllOa的柵電極與第i行的掃描線112連接，另一方面，其源電極與第j列的數(shù)據(jù)線114連接，其漏電極分別與顯示元件IlOb的一端即像素電極IOld和輔助電容IlOc的一端連接。輔助電容IlOc構成為通過形成在電路層IOlc中的一對電極夾持電介質層。輔助電容IlOc的另一端的電極跨各像素被施加公共的電壓。像素電極IOld與公共電極層103b相對置，在像素電極IOld和公共電極層103b之間夾著電泳層102。由此，顯示元件IlOb在等效電路中看時，通過像素電極IOld和公共電極層103b，成為夾持電泳層102的電容。并且，顯示元件IlOb保持(存儲)兩電極間的電壓，并且，按照通過該保持的電壓而生成的電場方向來進行顯示。另夕卜，在本實施方式中，通過省略圖示的外部電路，各像素110的輔助電容IlOc的另一端的電極和公共電極層103b的電壓施加公共的電壓Vcom。返回圖1，掃描線驅動電路130與顯示區(qū)域100的各掃描線112連接。掃描線驅動
電路130根據(jù)控制器5的控制，按照第1、2、......、m行這樣的順序來選擇掃描線112，對
選擇出的掃描線112提供高(High)電平的信號，對未選擇的其他掃描線112提供低(Low)電平的信號。數(shù)據(jù)線驅動電路140與顯示區(qū)域的各數(shù)據(jù)線114連接，按照與選擇出的掃描線112連接的像素110的I行的顯示內(nèi)容來分別向各列的數(shù)據(jù)線114提供數(shù)據(jù)信號。在從掃描線驅動電路130選擇第I行的掃描線112開始直到第m行的掃描線112的選擇結束為止的期間(以下，簡單稱為“幀期間”或“幀”)，各掃描線112各選擇一次，每I幀對各像素110各提供一次I數(shù)據(jù)信號。掃描線112成為高電平后，使在該掃描線112上柵極所連接的TFTllOa成為導通狀態(tài)，像素電極IOld與數(shù)據(jù)線114連接。在掃描線112為高電平時向數(shù)據(jù)線114提供數(shù)據(jù)信號后，該數(shù)據(jù)信號經(jīng)由成為導通狀態(tài)的TFTllOa被施加在像素電極IOld上。掃描線112成為低電平后，TFTllOa成為斷開狀態(tài)，通過數(shù)據(jù)信號而施加在像素電極IOld上的電壓被積蓄在輔助電容IlOc中，電泳粒子按照像素電極IOld的電位以及公共電極層103b的電位之間的電位差(電壓)進行移動。例如，在相對公共電極層103b的電位Vcom，像素電極IOld的電位是+15V的情況下，帶負電的白的電泳粒子向像素電極IOld側移動，帶正電的黑的電泳粒子向公共電極層103b側移動，像素110成為黑的顯示。此外，在相對公共電極層103b的電位Vcom，像素電極IOld的電位是-15V的情況下，帶正電的黑的電泳粒子向像素電極IOld側移動，帶負電的白的電泳粒子向公共電極層103b側移動，像素110成為白的顯示。此外，在本實施方式中，在使各像素110的顯示狀態(tài)從白(低濃度)向黑(高濃度)或從黑向白變化的時候，不是僅在I幀向像素110提供數(shù)據(jù)信號而使顯示狀態(tài)變化，而是通過跨多幀來向像素110提供數(shù)據(jù)信號的寫入動作來使顯示狀態(tài)變化。這是由于，在使顯示狀態(tài)從白向黑變化時，即使僅在I幀對電泳粒子給予電位差，黑的電泳粒子也不能完全地都移動到顯示側，顯示狀態(tài)不會成為完全黑。這種情況對于使顯示狀態(tài)從黑向白變化的情況下的白的電泳粒子的也同樣。由此，例如，在使像素Iio的顯示狀態(tài)從白向黑變化的情況下，跨多幀向像素110提供用于使像素110顯示為黑的數(shù)據(jù)信號，在使像素110的顯示狀態(tài)從黑向白變化的情況下，跨多幀向像素110提供用于使像素110顯示為白的數(shù)據(jù)信號。此外，在本實施方式，能夠在I幀內(nèi)將像素110的像素電極IOld作為相對公共電極層103b電位變高的正極，能夠在同I幀內(nèi)將其它像素110的像素電極IOld作為相對公共電極層103b電位變低的負極。也就是說，成為I幀內(nèi)可相對公共電極層103b選擇正極和負極兩極的驅動(以下稱為兩極驅動)。更詳細地，在I幀內(nèi)，以將灰度變更為高濃度側的像素110的像素電極IOld作為正極，以將灰度變更為低濃度側的像素110的像素電極 IOld作為負極。再有，在黑的電泳粒子帶負電、白的電泳粒子帶正電的情況下，以將灰度變更為高濃度側的像素110的像素電極IOld作為負極，以將灰度變更為低濃度側的像素110的像素電極IOId作為正極即可。接著，說明控制器5的構成。圖4是表示在控制器5中實現(xiàn)的功能的框圖。在控制器5中，實現(xiàn)重寫判斷部501、寫入狀態(tài)判斷部502、寫入控制部503、數(shù)據(jù)更新部504、預定圖像更新部505、寫入?yún)^(qū)域判斷部506、以及標記狀態(tài)變更部507。另外，這些各模塊可以由硬件實現(xiàn)，也可以在控制器5中設置CPU，通過在該CPU中執(zhí)行程序來實現(xiàn)各模塊。重寫判斷部501是對存儲在VRAM3中的圖像數(shù)據(jù)、和存儲在預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7中的圖像數(shù)據(jù)進行比較，并判斷兩者是否不同的模塊。寫入狀態(tài)判斷部502是參照存儲在寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6中的數(shù)據(jù)，來判斷用于使像素從黑向白或從白向黑變化的重寫動作(寫入動作)是否是在進行中的模塊。另外，在寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6中設置如下區(qū)域白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B，在該白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中存儲表示針對各像素從黑向白變更顯示狀態(tài)的動作是否是進行中的數(shù)據(jù)(第一寫入數(shù)據(jù))，在該黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中存儲表示針對各像素從白向黑變更顯示狀態(tài)的動作是否是進行中的數(shù)據(jù)(第二寫入數(shù)據(jù))。此外，在寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6中，針對m行Xn列的像素110的各行設置標記存儲區(qū)域6C。在標記存儲區(qū)域6C中，對應m行Xn列的像素110的各行來設置存儲區(qū)域。在該各存儲區(qū)域中，存儲訪問標記，該訪問標記表示是否存在需要在像素電極IOld和公共電極層103b之間產(chǎn)生電位差的像素110 (表示是否需要寫入動作)。
寫入控制部503是控制掃描線驅動電路130和數(shù)據(jù)線驅動電路140以便對像素電極IOld提供數(shù)據(jù)信號的模塊。數(shù)據(jù)更新部504是在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中寫入數(shù)據(jù)的模塊。預定圖像更新部505是將存儲在VRAM3中的圖像數(shù)據(jù)覆寫在存儲于預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7中的圖像數(shù)據(jù)之上的模塊。寫入?yún)^(qū)域判斷部506是從RAM4(存儲部)中獲取訪問標記，并判斷是否對包含在對應于訪問標記的行(區(qū)域)中的像素進行重寫動作的模塊。標記狀態(tài)變更部507是在針對對應于訪問標記的行(區(qū)域)的所有像素的重寫動作結束了的情況下，將對應于該區(qū)域的訪問標記變更為0的模塊。接著，使用圖5 圖22說明顯示裝置1000的動作。再有，在圖7 圖22中，圖像A表示在顯示區(qū)域100中顯示的圖像。此外，像素Pij表示一個像素110。在此，下標的i表示按行列配置的像素110的行編號，j表示列編號，下面，確定像素110來進行說明的時候，例如將第I行第I列的像素110稱為像素PU。再有，在圖像A中，雖然針對各像素110為了能容易理解灰度，而用0到7的數(shù)字表示從黑到白的8階段的灰度，但實際中并不顯示此數(shù)字。此外，在顯示區(qū)域100中，雖然在m行n列中存在像素110，但為了防止附圖繁瑣，而在圖7 圖22中圖示出以像素110的排列作為4行4列，對4行4列的像素Pll P44進行圖示。此外，在圖7 圖22中圖示出在VRAM3中對應于像素Pll P44的存儲區(qū)域Aij的內(nèi)容、在預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7中對應于像素Pll P44的存儲區(qū)域Bij的內(nèi)容、在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中對應于像素Pll P44的存儲區(qū)域Cij的內(nèi)容、在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中對應于像素Pll P44的存儲區(qū)域Dij的內(nèi)容、以及在標記存儲區(qū)域6C中對應于從第I行到第4行的存儲區(qū)域Ei的內(nèi)容。另外，各存儲區(qū)域的下標i表示按行列配置的存儲區(qū)域的行編號，j表示列編號。例如，在確定存儲區(qū)域來進行說明的時候，例如將第I行第I列的存儲區(qū)域Aij稱為存儲區(qū)域Al I。在VRAM3的存儲區(qū)域All A44中，存儲顯示在顯示區(qū)域100中的圖像的各像素的灰度，在預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的存儲區(qū)域Bll B44中，針對顯示在顯示區(qū)域100中的預定的圖像來存儲各像素的灰度。在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A的存儲區(qū)域Cll C44中，將使像素Pll P44成為白為止所需的電壓的施加次數(shù)作為第一寫入數(shù)據(jù)進行存儲，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B的存儲區(qū)域Dll D44中，將使像素Pll P44成為黑為止所需的電壓的施加次數(shù)作為第二寫入數(shù)據(jù)進行存儲。另外，第一寫入數(shù)據(jù)及第二寫入數(shù)據(jù)只要不是0就表示對像素的重寫工作是進行中，如果是0就表示對像素的重寫工作結束了。此外，在標記存儲區(qū)域6C的存儲區(qū)域El E4中存儲訪問標記，該訪問標記表示在像素110的各行中是否存在需要在像素電極IOld和公共電極層103b之間產(chǎn)生電位差的像素110。例如，在第I行的像素110中，在存在為了變更像素110的顯示狀態(tài)而需要在像素電極IOld和公共電極層103b之間產(chǎn)生電位差的某像素110的情況下，存儲在存儲區(qū)域El中的訪問標記的內(nèi)容為1，在不存在需要產(chǎn)生電位差的像素110的情況下，存儲在存儲區(qū)域EI中的訪問標記的內(nèi)容為0。圖5、6是表示控制器5進行的處理的流程的流程圖?？刂破?如圖5所示，監(jiān)視從控制部2向VRAM3寫入圖像數(shù)據(jù)，在向VRAM3寫入了圖像數(shù)據(jù)的情況下(在步驟SAl中為“是”)，針對存儲區(qū)域Ei的整個區(qū)域將訪問標記的內(nèi)容設為I (步驟SA2)。此外，控制器5與圖5的處理分開，執(zhí)行圖6所示的處理。首先，控制器5對在Ioopl、的重復處理中增加的變量i的值進行初始化，將其設為I (步驟SBl)。另外，Ioopl的重復處理重復與掃描線112的數(shù)目(m條)相同數(shù)目的次數(shù)。接著，控制器5判斷存儲在由變量i確定的存儲區(qū)域Ei中的訪問標記是否為I。這里，在存儲區(qū)域Ei的訪問標記為0的情況下(步驟SB2為“否”)，不進行l(wèi)oop2的重復處理，將變量i加上I后再次進行步驟SB2的處理。另一方面，控制器5在存儲區(qū)域Ei的訪問標記為I的情況下(步驟SB2為“是”)，將存儲區(qū)域Ei的訪問標記設為0(步驟SB3)。接著，控制器5對在loop2的重復處理中增加的變量j的值進行初始化，將其設為I (步驟SB4)，判斷存儲區(qū)域Cij的第一寫入數(shù)據(jù)和存儲區(qū)域Dij的第二寫入數(shù)據(jù)兩者是否為0(步驟SB5)。另外，loop2的重復處理重復與數(shù)據(jù)線114的條數(shù)(n條)相同數(shù)目的次數(shù)?？刂破?在存儲區(qū)域Cij的第一寫入數(shù)據(jù)和存儲區(qū)域Dij的第二寫入數(shù)據(jù)兩者為0的情況下(步驟SB5為“是”)，轉移至步驟SB6，在第一寫入數(shù)據(jù)和第二寫入數(shù)據(jù)中的一者為0以外的情況下(步驟SB5為“否”)，轉移至步驟 SBlO0控制器5在步驟SB5中判斷為“否”時，將存儲區(qū)域Ei的訪問標記設為1(步驟SB10)。此外，控制器5從存儲在存儲區(qū)域Cij中的第一寫入數(shù)據(jù)和存儲在存儲區(qū)域Dij中的第二寫入數(shù)據(jù)之中值為0以外的數(shù)據(jù)中減去I (步驟SB11)。另外，對于值為0的第一寫入數(shù)據(jù)或第二寫入數(shù)據(jù)不減去I。此外，控制器5在步驟SB5中判斷為“是”時，對存儲在存儲區(qū)域Aij中的數(shù)據(jù)和存儲在存儲區(qū)域Bij中的數(shù)據(jù)進行比較。這里，控制器5在兩者不同的情況下(步驟SB6為“否”)，將像素Pij確定為新變更了顯示狀態(tài)的像素，并對確定的像素Pij涉及的數(shù)據(jù)進行更新。具體來說，控制器5將使像素Pij的灰度變更為存儲區(qū)域Aij的灰度為止所需的對像素施加的電壓的施加次數(shù)寫入到寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6中(步驟SB7)。此外，控制器5將存儲在存儲區(qū)域Aij中的內(nèi)容覆寫在存儲區(qū)域Bij的內(nèi)容之上(步驟SB8)，并將存儲區(qū)域Ei的訪問標記設為I (步驟SB9)。控制器5在步驟SB12中判斷變量j的值是否為n(數(shù)據(jù)線114的數(shù)目)。這里，在變量j的值不足n的情況下，將處理流程返回至步驟SB4，并在變量j上加上I。控制器5在步驟SB12中變量j的值為n的情況下，結束loop2的處理，在步驟SB13中判斷變量i的值是否為m(掃描線112的數(shù)目)?？刂破?在變量i的值不足m的情況下，將處理流程返回至步驟SBl，并在變量i上加上I。控制器5在變量i的值為m的情況下，結束Ioopl的處理，對掃描線驅動電路130和數(shù)據(jù)線驅動電路140進行控制，向所有的像素110提供數(shù)據(jù)信號(步驟SB14)?？刂破?在步驟SB14的處理結束后將處理流程返回至步驟SBl。接著，參照圖7 圖22說明從在VRAM3中寫入圖像數(shù)據(jù)開始直到將圖像數(shù)據(jù)的圖像顯示在顯示區(qū)域100中為止的顯示區(qū)域100中的顯示的變化、VRAM3的內(nèi)容的變化、預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的內(nèi)容的變化、寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6的內(nèi)容的變化。在顯示區(qū)域100的顯示、VRAM3、寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6及預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的狀態(tài)成為圖7的狀態(tài)時，控制部2在將圖像數(shù)據(jù)寫入VRAM3中后，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)，VRAM3的狀態(tài)成為圖8所示的狀態(tài)，通過圖5所示的處理，標記存儲區(qū)域6C的狀態(tài)成為圖8的狀態(tài)。這里，在圖6的處理中，通過步驟SBl的處理而變量i為I時，則由于存儲區(qū)域El的訪問標記為1，所以在步驟SB2中判斷為“是”，在步驟SB3中將存儲區(qū)域El的訪問標記設為O。接著，在圖8的狀態(tài)下而變量i和變量j為I時，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。存儲區(qū)域Bll的內(nèi)容表示黑，存儲區(qū)域All的內(nèi)容表示白，所以將像素Pll從黑變更為白，從而在步驟SB7中將7寫入存儲區(qū)域Cll中，在步驟SB8中將存儲區(qū)域Al I的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域Bll中，在步驟SB9中存儲區(qū)域El的訪問標記成為1，成為圖9所示的狀態(tài)。接著，如果變量j成為2，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。這樣，進行步驟SB7至步驟SB9的處理，成為圖10所示的狀態(tài)。之后，如果推進圖6所示的處理，變量i為3且變量j為3，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。存儲區(qū)域B33的內(nèi)容表示白，存儲區(qū)域All的內(nèi)容表示黑，所以將像素Pll從白變更為黑，在步驟SB7中將7寫入存儲區(qū)域Dll中，在步驟SB8中將存儲區(qū)域All的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域Bll中，在步驟SB9中存儲區(qū)域E3的訪問標記成為I。 此外，如果變量i和變量j成為4，則如圖11所示，預定圖像數(shù)據(jù)存儲區(qū)域7的內(nèi)容成為與VRAM3的內(nèi)容相同。此外，在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中，成為將7寫入存儲區(qū)域CU、C12、C2UC22中的狀態(tài)，在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中，成為將7寫入存儲區(qū)域D33、D34、D43、D44中的狀態(tài)。此外，存儲區(qū)域El E4的訪問標記成為I。Loopl的重復處理結束后，進行步驟SB14的處理?？刂破?參照白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A、黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B來控制數(shù)據(jù)線驅動電路140。若控制器5控制掃描線驅動電路130和數(shù)據(jù)線驅動電路140，則例如由于存儲區(qū)域Cll的內(nèi)容為0以外，所以在選擇了第I行的掃描線112時對第I列的數(shù)據(jù)線114施加電壓，以便像素電極IOld的電位相對于公共電極層103b的電位Vcom成為-15V。此外，在像素P12、P21、P22中，也由于存儲區(qū)域C12、C21、C22的內(nèi)容為0以外，所以在選擇了掃描線112時，對數(shù)據(jù)線114施加電壓，以便像素電極IOld的電位相對于公共電極層103b的電位Vcom成為-15V。此外，由于存儲區(qū)域D33的內(nèi)容為0以外，所以在選擇了第3行的掃描線112時，對第3列數(shù)據(jù)線114施加電壓，以便像素電極IOld的電位相對于公共電極層103b的電位Vcom成為+15V。此外，在像素P34、P43、P44中，也由于存儲區(qū)域D34、D43、D44的內(nèi)容為0以外，所以在選擇了掃描線112時，對數(shù)據(jù)線114施加電壓，以便像素電極IOld的電位相對于公共電極層103b的電位Vcom成為+15V。再有，關于其它的像素，由于在白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A中對應的存儲區(qū)域的內(nèi)容為0，且在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中對應的存儲區(qū)域的內(nèi)容為0，所以在選擇掃描線112時對數(shù)據(jù)線114施加電壓，以便使像素電極IOld的電位和公共電極層103b的電位Vcom之差為0V。像這樣在數(shù)據(jù)線114上施加電壓后，在像素中白粒子和黑粒子會移動，顯示區(qū)域100的顯示成為圖12所示出的狀態(tài)?？刂破?在步驟SB14的處理結束后使處理的流程返回至步驟SB1。在圖12的狀態(tài)下，在步驟SB2中，如果變量i為I，則在步驟SB2中判斷為“是”，在步驟SB3中將存儲區(qū)域El的訪問標記設為O。接著，如果在圖12的狀態(tài)下變量i和變量j為1，則由于存儲區(qū)域Cll不為0，所以在步驟SB5中判斷為“否”，在步驟SBlO中，將存儲區(qū)域El的訪問標記設為I。接著，在步驟SBll中，從寫入到存儲區(qū)域Cll中的值中減去1，存儲區(qū)域Cll的內(nèi)容成為6。接著，如果變量j成為2，則在步驟SB5中判斷為“否”，從寫入到存儲區(qū)域C12中的值中減去1，存儲區(qū)域C12的內(nèi)容成為6。之后，選擇到像素P44時，如圖13所示，存儲區(qū)域C11、C12、C21、C22的內(nèi)容成為6，存儲區(qū)域D33、D34、D43、D44的內(nèi)容成為6。圖14是表示從圖13所示的狀態(tài)開始剛剛進行了第2次步驟SB14的處理之后的狀態(tài)的圖。這里，如圖15所示，考慮重寫VRAM3的內(nèi)容的情況?？刂撇?將圖像數(shù)據(jù)寫入VRAM3中后,通過圖5所示的處理,標記存儲區(qū)域6C的所有訪問標記成為I。接著,在圖15的狀態(tài)下，如果變量i成為2，變量j成為I，則在步驟SB5中判斷為“否”，在步驟SBll中從寫入存儲區(qū)域C21中的值中減去1，存儲區(qū)域C21的內(nèi)容成為4。另一方面，如果變量i為2，變量j為3，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。由于存儲區(qū)域B23的內(nèi)容表 示白，存儲區(qū)域A23的內(nèi)容表示黑，所以將像素P23從白變更為黑，在步驟SB7中將7寫入存儲區(qū)域D23中，在步驟SB8中將存儲區(qū)域A23的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B23中。這樣，即使將VRAM3的內(nèi)容從白重寫為黑，對于正在進行重寫為白的像素P21也推進向白的重寫，對于沒有進行重寫的像素P23，將第二寫入數(shù)據(jù)存儲在黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B中。此外，在圖15的狀態(tài)下，如果變量i為4，變量j為3，則在步驟SB5中判斷為“否”，在步驟SBll中從寫入存儲區(qū)域D43中的值中減去1，存儲區(qū)域D43的內(nèi)容成為4。這樣，即使將VRAM3的內(nèi)容從黑重寫為白，對于正在進行重寫為黑的像素P43，也推進向黑的重寫。之后，Ioopl的處理結束后，VRAM3和各存儲區(qū)域的狀態(tài)成為圖16所示的狀態(tài)。此夕卜，從圖16所示的狀態(tài)開始進行了步驟SB14的處理后，顯示區(qū)域100的狀態(tài)成為圖17所示的狀態(tài)，針對在VRAM3中與重寫了內(nèi)容的部分對應的像素，對于正在進行重寫的像素推進進行中的重寫，對于沒有進行重寫的像素新開始像素重寫。進一步地，推進處理后，針對先開始重寫的像素，第一寫入數(shù)據(jù)和第二寫入數(shù)據(jù)的值成為0，各存儲區(qū)域和顯示區(qū)域100的顯示成為圖18所示的狀態(tài)。之后，將處理流程返回至步驟SB1，在變量i為I時，在步驟SB3中將存儲區(qū)域El的訪問標記設為O。此外，在變量i為I時，進行l(wèi)oop2的處理后，存儲區(qū)域Cll C14和存儲區(qū)域Dll D14為0，存儲區(qū)域All A14和存儲區(qū)域Bll B14為相同的值，所以在步驟SB5和步驟SB6中判斷為“是”，存儲區(qū)域El仍舊為O。此外，如果變量i為成2，變量j成為1，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。由此，在步驟SB7中將7寫入存儲區(qū)域D21中，在步驟SB8中將存儲區(qū)域A21的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B21中，在步驟SB9中將存儲區(qū)域E2的訪問標記設為I。此外，如果變量i成為4，變量j成為1，則在步驟SB5中判斷為“是”，在步驟SB6中判斷為“否”。由此，在步驟SB7中將7寫入存儲區(qū)域C41中，在步驟SB8中將存儲區(qū)域A41的內(nèi)容寫入存儲區(qū)域B41中，在步驟SB9中將存儲區(qū)域E4的訪問標記設為I。之后，若在Ioopl的處理結束之前進行處理，則各存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖19所示的狀態(tài)，進行步驟SB14的處理后，成為圖20所示的狀態(tài)。接著，將處理流程返回至步驟SB1，在步驟SB2中如果變量i為1，則由于存儲區(qū)域El的訪問標記為0，則在步驟SB2中判斷為“否”。如果在步驟SB2中判斷為“否”，則不進行l(wèi)oop2的處理，僅將變量i的值增加I。這里，如果不進行l(wèi)oop2的處理，則對于與第I行的像素110對應的各存儲區(qū)域，不進行用于進行步驟SB5和步驟SB6的判斷的從控制器5向VRAM3和RAM4的訪問。例如，在像素的列為數(shù)百列的顯示區(qū)域的情況下，與不進行步驟SB2的處理的情況相比，由于不進行數(shù)百次的訪問，所以抑制了消費電力。之后，推進處理后，存儲區(qū)域的內(nèi)容成為圖21的狀態(tài)，這里，進行步驟SB14的處理后，顯示區(qū)域100的狀態(tài)成為圖21所示的狀態(tài)，像素P23、P24、P31、P32的重寫結束。此外，進一步地，推進處理后，像素P21、P22、P43、P44的重寫被推進，最終成為圖22所示的狀態(tài)。根據(jù)本實施方式，即使先開始重寫的區(qū)域和新進行重寫的區(qū)域重疊，在新開始重寫時，對于不是正在進行重寫的部分，由于立即開始重寫，所以用戶感覺顯示速度快。此外，根據(jù)本實施方式，對于在圖像的重寫中沒有變更顯示的行，在VRAM3和RAM4中，由于不對存儲了該行的顯示所涉及的數(shù)據(jù)的存儲區(qū)域進行訪問，因此能夠抑制消費電力。電子設備 接著，說明應用了上述實施方式所涉及的電光學裝置I的電子設備的例子。圖23是表示使用了該電光學裝置I的電子書閱讀器的外觀的圖。電子書閱讀器2000包括板狀的框架2001、按鈕9A 9F、上述實施方式涉及的電光學裝置I、控制部2、VRAM3以及RAM4。在電子書閱讀器2000中，露出顯示區(qū)域100。在電子書閱讀器2000中，將電子書籍的內(nèi)容顯示在顯示區(qū)域100中，通過操作按鈕9A 9F，翻開電子書籍的頁。另外，此外，作為能夠應用上述實施方式涉及的電光學裝置I的電子設備，列舉鐘表、電子報紙、電子筆記本、電子計算器、便攜式電話等。變形例以上雖然說明了本發(fā)明的實施方式的，但本發(fā)明不限于上述實施方式，以其它的各種各樣的方式也可以實施。例如，將上述實施方式按如下這樣變形，也可以實施本發(fā)明。再有，上述的實施方式及以下的變形例，也可以進行各種組合。在本發(fā)明中，也可以在步驟SB14中控制數(shù)據(jù)線驅動電路140時也參照標記存儲區(qū)域6C，在訪問標記為0的情況下，不訪問白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B。例如，在存儲區(qū)域El的訪問標記為0的情況下，由于表示在第I行的像素中在像素電極IOld和公共電極層103b之間沒有產(chǎn)生電位差，所以不訪問白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B，在選擇第I行的掃描線112時對各數(shù)據(jù)線114提供數(shù)據(jù)信號，以便與公共電極層103b的電位Vcom之間的電位差成為0V。根據(jù)該構成，在控制數(shù)據(jù)線驅動電路140時也能夠減少對RAM4的訪問而抑制消耗電力。在本發(fā)明中，在控制部2向VRAM3寫入圖像數(shù)據(jù)時，向控制器5通知顯示狀態(tài)變更的區(qū)域，控制器5也可以對與該通知的區(qū)域有關系的像素的行對應的存儲區(qū)域Ei將訪問標記的內(nèi)容設為I。在上述實施方式中，在標記存儲區(qū)域6C中，與m行Xn列的像素110的各行對應地來設置存儲區(qū)域，但是標記存儲區(qū)域6C的構成不限定為該構成。例如，如圖24所示，也可以在標記存儲區(qū)域6C中設置存儲區(qū)域Ek，對于第I行和第2行設置I個存儲區(qū)域，對于第3行和第4行設置I個存儲區(qū)域，這樣按像素110的每多行來設置存儲區(qū)域Ek。在圖24所示的標記存儲區(qū)域6C中，存儲區(qū)域El與第I行和第2行的像素對應，存儲區(qū)域E2與第3行和第4行的像素對應。在該構成中，從圖6所示的處理中刪除步驟SB2、步驟SB3、步驟SB9、以及步驟SBlO的處理。此外，為了更新標記存儲區(qū)域6C的內(nèi)容，在執(zhí)行步驟SB14處理之前，執(zhí)行圖25所示的處理，來進行標記存儲區(qū)域6C的各存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)的更新，在步驟SB14中，如上述變形例那樣，在控制掃描線驅動電路130和數(shù)據(jù)線驅動電路140時，也參照標記存儲區(qū)域6C，在訪問標記為0的情況下，不訪問白寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6A和黑寫入數(shù)據(jù)存儲區(qū)域6B。在圖25的處理中，通過loop3的處理來增加變量k。并且，在與存儲區(qū)域Ek對應的存儲區(qū)域Cij和存儲區(qū)域Dij全都不為0的情況下(步驟SC2為“否”)，將存儲區(qū)域Ek的訪問標記設為O。例如，在k= I的情況下，在存儲區(qū)域Cll C14、存儲區(qū)域C21 C24、存儲區(qū)域Dll D14以及存儲區(qū)域D21 D14的值中任一個都為0以外的情況下，將存儲區(qū)域El的訪問標記設為I。此外，如果在步驟SC2中判斷為“是”，則在與存儲區(qū)域Ek對應的存儲區(qū)域Cij和存儲區(qū)域Dij的內(nèi)容一致的情況下(在步驟SC4中為“是”)，將存儲區(qū)域Ek的訪問標記設為O。例如，在k= I的情況下，在存儲區(qū)域All A14的每一個的內(nèi)容與存儲區(qū)域Bll B14的每一個的內(nèi)容一致、且存儲區(qū)域A21 A24的每一個的內(nèi)容與存儲區(qū)域B21 B24的每一個的內(nèi)容一致的情況下，將存儲區(qū)域El的訪問標記設為O。另一方面，在步驟SC4中判斷為“否”的情況下，將存儲區(qū)域El的訪問標記設為I。另外，也可 以構成為在標記存儲區(qū)域6C中，不是按像素110的每2行來設置一個存儲區(qū)域，而按每3行或每4行這樣，不限定每2行，而按每多行來設置存儲區(qū)域。在該構成中，在步驟SB14中控制數(shù)據(jù)線驅動電路140時，由于能夠減少對RAM4的訪問，因此能夠抑制消耗電力。此外，在標記存儲區(qū)域6C中，可以不是按像素110的每一行來設置一個存儲區(qū)域，而是如圖26所示，對于行方向上2行和列方向上2列共計4個像素110來設置I個存儲區(qū)域Exy。在圖26所示的標記存儲區(qū)域6C中，例如，存儲區(qū)域Ell與像素P11、P12、P21、P22對應，存儲區(qū)域E12與像素P13、P14、P23、P24對應。在該構成中，從圖6所示的處理中刪除步驟SB2、步驟SB3、步驟SB9、以及步驟SBlO的處理。此外，為了更新標記存儲區(qū)域6C的內(nèi)容，在執(zhí)行步驟SB14處理之前，執(zhí)行圖27所示的處理，來進行標記存儲區(qū)域6C的各存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)的更新。在圖27的處理中，通過loop5和loop6的處理來增加變量X和變量y。并且，在與存儲區(qū)域Exy對應的存儲區(qū)域Cij和存儲區(qū)域Dij全都不為0的情況下(步驟SD3為“否”)，將存儲區(qū)域Exy的訪問標記設為I。例如，在X = I且y = I的情況下，在存儲區(qū)域C11、C12、C21、C22和存儲區(qū)域D11、D12、D21、D22的值中任一個都為0以外的情況下，將存儲區(qū)域Ell的訪問標記設為I。此外，在步驟SD3中判斷為“是”的情況下，則在與存儲區(qū)域Exy對應的存儲區(qū)域Cij和存儲區(qū)域Dij的內(nèi)容一致的情況下(在步驟SD5中為“是”)，將存儲區(qū)域Exy的訪問標記設為O。例如,在X = I且y = I的情況下,在存儲區(qū)域All和存儲區(qū)域B11、存儲區(qū)域A12和存儲區(qū)域B12、存儲區(qū)域A21和存儲區(qū)域B21、存儲區(qū)域A22和存儲區(qū)域B22—致的情況下，將存儲區(qū)域Ell的訪問標記設為O。另外，在步驟SD5中判斷為“否”的情況下，將存儲區(qū)域Exy的訪問標記設為I。在該構成中，在步驟SB14中控制數(shù)據(jù)線驅動電路140時，由于能夠減少對RAM4的訪問，因此能夠抑制消耗電力。在上述實施方式中，以作為電光學裝置具有電泳層102的裝置為例進行了說明，但是并不是限定于此的主旨。電光學裝置只要是通過多次施加電壓的寫入動作來進行用于使像素的顯示狀態(tài)從第一顯示狀 態(tài)變?yōu)榈诙@示狀態(tài)的寫入就可以是任意的裝置，例如，也可以是使用了電子粉流體的電光學裝置。
權利要求
1.一種電光學裝置的控制裝置，其特征在于，具備包括多個像素的顯示部，通過多次施加電壓的寫入動作來進行用于使上述像素的顯示狀態(tài)從第一顯示狀態(tài)變化為第二顯示狀態(tài)的寫入， 上述顯示部具有多個區(qū)域， 上述電光學裝置的控制裝置具備 寫入?yún)^(qū)域判斷部，其從按每個上述區(qū)域來存儲了表示是否需要對上述區(qū)域內(nèi)的像素進行上述寫入動作的訪問標記的存儲部中取得上述訪問標記，并基于上述訪問標記來判斷是否對包含在與取得的上述訪問標記對應的區(qū)域中的像素進行上述寫入動作； 寫入狀態(tài)判斷部，其針對包含在上述寫入?yún)^(qū)域判斷部判斷為進行寫入動作的區(qū)域中的像素，對寫入存儲器中的圖像數(shù)據(jù)、和表示通過進行中的上述寫入動作而顯示在該顯示部中的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)進行比較，在需要新的上述寫入動作的情況下，對上述像素判斷前一次的寫入動作是否是進行中； 寫入控制部，其在上述寫入狀態(tài)判斷部判斷為針對上述像素的上述寫入動作不是進行中的情況下，對上述像素開始新的上述寫入動作，在上述寫入狀態(tài)判斷部中對上述像素判斷為上述寫入動作是進行中的情況下，繼續(xù)進行中的上述寫入動作，在進行中的上述寫入動作結束后，開始新的上述寫入動作；以及 標記狀態(tài)變更部，其在針對包含在上述區(qū)域中的所有像素的上述寫入動作結束的情況下，將與該區(qū)域對應的訪問標記變更為不需要上述寫入動作的狀態(tài)。
2.根據(jù)權利要求I所述的電光學裝置的控制裝置，其特征在于， 以多行多列來設置上述多個像素，上述像素的I行是I個上述區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求I所述的電光學裝置的控制裝置，其特征在于， 以多行多列來設置上述多個像素，上述像素的多行是I個上述區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求I所述的電光學裝置的控制裝置，其特征在于， 以多行多列來設置上述多個像素，相鄰的2行以上且2列以上的像素的塊是I個上述區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求I 4中任一項所述的電光學裝置的控制裝置，其特征在于， 在向上述存儲器寫入了圖像數(shù)據(jù)的情況下，將按上述多個區(qū)域的每一個區(qū)域而設置的各訪問標記設為需要寫入動作的狀態(tài)。
6.一種電光學裝置，其特征在于，具備包括多個像素的顯示部，通過多次施加電壓的寫入動作來進行用于使上述像素的顯示狀態(tài)從第一顯示狀態(tài)變化為第二顯示狀態(tài)的寫入， 上述顯示部具有多個區(qū)域， 上述電光裝置具備 寫入?yún)^(qū)域判斷部，其從按每個上述區(qū)域來存儲了表示是否需要對上述區(qū)域內(nèi)的像素進行上述寫入動作的訪問標記的存儲部中取得上述訪問標記，并基于上述訪問標記來判斷是否對包含在與取得的上述訪問標記對應的區(qū)域中的像素進行上述寫入動作； 寫入狀態(tài)判斷部，其針對包含在上述寫入?yún)^(qū)域判斷部判斷為進行寫入動作的區(qū)域中的像素，對寫入存儲器中的圖像數(shù)據(jù)、和表示通過進行中的上述寫入動作而顯示在該顯示部中的預定的圖像的預定圖像數(shù)據(jù)進行比較，在需要新的上述寫入動作的情況下，對上述像素判斷前一次的寫入動作是否是進行中；寫入控制部，其在上述寫入狀態(tài)判斷部判斷為針對上述像素的上述寫入動作不是進行中的情況下，對上述像素開始新的上述寫入動作，在上述寫入狀態(tài)判斷部對上述像素判斷為上述寫入動作是進行中的情況下，繼續(xù)進行中的上述寫入動作，在進行中的上述寫入動作結束后，開始新的上述寫入動作；以及 標記狀態(tài)變更部，其在針對包含在上述區(qū)域中的所有像素的上述寫入動作結束的情況下，將與該區(qū)域對應的訪問標記變更為不需要上述寫入動作的狀態(tài)。
7.—種電子設備,其特征在于， 具有權利要求6所述的電光學裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光學裝置的控制裝置、電光學裝置以及電子設備。在顯示部的多個區(qū)域的每一個區(qū)域中設置表示是否需要對該區(qū)域內(nèi)的像素進行寫入動作的訪問標記。針對各區(qū)域基于訪問標記來判斷該動作是否需要，在該動作為需要的情況下，對寫入存儲器中的圖像數(shù)據(jù)和預定圖像數(shù)據(jù)進行比較。其結果，在新的寫入動作為需要的情況下，針對各像素，在前一次的寫入動作結束后，開始新的寫入動作。在針對包含在區(qū)域中的所有像素的寫入動作結束的情況下，將與該區(qū)域對應的訪問標記變更為不需要寫入動作的狀態(tài)。
文檔編號G09G3/34GK102737587SQ20121009290
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權日2011年4月7日
發(fā)明者山田裕介 申請人:精工愛普生株式會社