專利名稱：信號處理裝置、方法及程序，及顯示裝置、電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信號處理裝置，具體而言，涉及校正重影的信號處理裝置、顯示裝置、 電子裝置、以及信號處理方法及使計算機執(zhí)行該方法的程序。
背景技術(shù)：
近年來，有機EL(電致發(fā)光)元件被用作發(fā)光元件的平板自發(fā)光型顯示裝置已經(jīng)被越來越多地開發(fā)。有機EL元件響應(yīng)于顯示目標(biāo)的圖像數(shù)據(jù)通過改變發(fā)光量而表現(xiàn)出灰度。因此，有機EL元件的劣化度在構(gòu)成顯示裝置的顯示屏幕的不同像素電路中不同。由于劣化度在不同像素電路中如此不同，所以隨著時間流逝，經(jīng)受相對較大劣化的那些像素與經(jīng)受相對較小劣化的那些像素在顯示屏幕上混合共存。如果經(jīng)受相對較大劣化的像素與經(jīng)受相對較小劣化的像素以這種方式的混合狀態(tài)存在，則經(jīng)受相對較大劣化的像素變得比周圍像素更暗，并且之前剛被顯示過的圖像隨后看上去繼續(xù)存在的被稱作重影現(xiàn)象 (ghosting phenomenon)的現(xiàn)象出現(xiàn)。已經(jīng)提出了具有用于防止這種重影功能的顯示裝置，其中，例如，在顯示裝置未被使用的時段內(nèi)，經(jīng)受相對較小劣化的那些發(fā)光元件的劣化被促進，使得劣化度與經(jīng)受相對較大劣化的那些發(fā)光元件的劣化度一致。例如，日本專利公開第2008-176274中公開了剛剛描述的這種類型的顯示裝置(圖1)。

發(fā)明內(nèi)容
通過上述相關(guān)技術(shù)的顯示設(shè)備，能夠通過在不使用顯示裝置的時段內(nèi)執(zhí)行劣化度的均一化處理來校正重影。但是，關(guān)于顯示裝置，在每次執(zhí)行重影校正時，遵照劣化度高的發(fā)光元件的劣化度來促進劣化度低的發(fā)光元件的劣化。因此，存在所有發(fā)光元件的劣化會被促進的可能性。此外，由于在不使用顯示裝置的時段內(nèi)執(zhí)行重影校正，所以在使用顯示裝置過程中，不能執(zhí)行這種校正。因此，可能的辦法就是使用通過在使用顯示裝置過程中考慮每個發(fā)光元件自身的劣化來改變圖像信號的灰度值的重影校正方法。例如，這樣一種校正方法似乎是可行的，其中，根據(jù)要通過其顯示圖像信號的像素電路的劣化度來改變圖像信號的灰度值，并且使用經(jīng)改變的灰度值的圖像信號以使得像素電路的發(fā)光元件發(fā)光。但是，由于發(fā)光元件亮度的劣化度在不同像素電路中不同，所以改變灰度值從而以高精度校正重影很重要。因此，期望提供能夠以高精度校正由于發(fā)光元件的劣化而引起的重影的信號處理裝置、顯示裝置、電子裝置、信號處理方法及程序。根據(jù)本發(fā)明，提供一種信號處理裝置，包括亮度劣化信息生成部，用于根據(jù)像素電路的環(huán)境溫度和以特定灰度值被驅(qū)動發(fā)光的特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值來生成與該像素電路中的發(fā)光元件所發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算部，用于根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的像素電路的圖像信號與響應(yīng)于該圖像信號而從像素電路發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的
5亮度特性以及亮度劣化信息生成部所生成的亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個像素電路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正部，用于根據(jù)亮度劣化值來校正待輸入至像素電路的圖像信號的劣化值。根據(jù)本發(fā)明，還提供了結(jié)合了該信號處理裝置的顯示裝置和電子裝置，并且還提供了應(yīng)用于該信號處理裝置的信號處理方法及用于使計算機執(zhí)行該方法的程序。在該信號處理裝置、顯示裝置、電子裝置、信號處理方法、及程序中，通過考慮像素電路的環(huán)境溫度生成亮度劣化信息，并且使用亮度劣化信息校正待輸入至像素電路的圖像信號的灰度值。亮度劣化信息生成部可以包括亮度劣化特性生成部，用于根據(jù)測量亮度值時的測量溫度和亮度值來生成關(guān)于特定溫度下的像素電路亮度劣化的亮度劣化特性；以及加算部，用于根據(jù)環(huán)境溫度、亮度劣化特性、在校正前對像素電路生成的亮度劣化信息、以及輸入至像素電路的圖像信號的灰度值將關(guān)于像素電路的亮度劣化的新劣化量依次與亮度劣化信息相加，從而生成新的亮度劣化信息。在該信號處理裝置中，根據(jù)亮度劣化特性、環(huán)境溫度、亮度劣化信息、及圖像信號的灰度值的新劣化量進行相加，以生成新的亮度劣化信息。在這種情況下，亮度劣化特性生成部可以根據(jù)當(dāng)測量亮度值時的測量溫度和亮度值來生成在與測量溫度不同的溫度條件下的亮度劣化特性。在該信號處理裝置中，根據(jù)測量溫度和亮度值生成在與測量溫度不同的溫度條件下的亮度劣化特性?；蛘?，所述信號處理裝置可以進一步包括圖像信號供給部，用于響應(yīng)于測量溫度將圖像信號提供至特定發(fā)光元件；當(dāng)測量溫度變成指定溫度時，亮度劣化特性生成部根據(jù)指定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值來生成指定溫度下的像素電路的亮度劣化特性。在該信號處理裝置中， 根據(jù)發(fā)光并且響應(yīng)于測量溫度而劣化的特定發(fā)光元件的亮度值來生成亮度劣化特性。否則，在特定發(fā)光元件的環(huán)境溫度是特定溫度的狀態(tài)下，亮度劣化特性生成部根據(jù)特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值來生成特定溫度下的像素電路的亮度劣化特性。在信號處理裝置中，在特定發(fā)光元件的環(huán)境溫度為特定溫度的狀態(tài)下，根據(jù)發(fā)光并且劣化的特定發(fā)光元件的亮度值來生成亮度劣化特性。預(yù)定狀態(tài)可以為像素電路沒有經(jīng)受亮度劣化的狀態(tài)。在該信號處理裝置中，像素電路沒有經(jīng)受亮度劣化的狀態(tài)被設(shè)定為預(yù)定狀態(tài)。通過該信號處理裝置、顯示裝置、電子裝置、信號處理方法、及程序，能夠?qū)崿F(xiàn)的較大優(yōu)勢是能夠以高精度校正使用發(fā)光元件的顯示裝置的重影。下面，結(jié)合附圖，根據(jù)下列描述和所附權(quán)利要求，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得顯而易見，附圖中，相同的參考標(biāo)號表示相同的部件或元件。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖2是示意性地示出圖1的顯示裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)實例的電路圖；圖3是示出圖2的像素電路的基本操作實例的定時圖；圖4A至圖4C、圖5A至圖5C及圖6是示出在不同時段內(nèi)圖2的像素電路的不同操作狀態(tài)的示意性電路圖；圖7是示出當(dāng)用預(yù)定灰度值的圖像信號驅(qū)動像素電路發(fā)光時圖2的像素電路的使用時間與亮度劣化量之間的關(guān)系的示圖8是示出當(dāng)在預(yù)定溫度條件下驅(qū)動像素電路發(fā)光時圖2的像素電路的使用時間與亮度劣化量之間的關(guān)系的示圖；圖9是示出圖1中所示的虛設(shè)的(dummy)像素陣列部的結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖IOA和圖IOB是分別示意性地示出關(guān)于圖9中所示的虛設(shè)像素電路的亮度傳感器的位置實例的截面圖和平面圖；圖11是示出圖1中所示的重影校正部的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖12是示出圖11中所示的亮度劣化特性供給塊的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖13A至圖13C是分別示出在圖1的顯示裝置中所使用的通過三個亮度傳感器的亮度測量實例、虛設(shè)像素劣化信息實例及溫度信息實例的示圖；圖14A和圖14B是分別示出通過圖12中所示的溫度條件轉(zhuǎn)換部的溫度條件轉(zhuǎn)換的實例和通過圖12中所示的劣化特性生成部的劣化特性生成的實例的示圖；圖15A至圖15C是示意性對示出通過圖12中所示的劣化特性生成部所生成的各個溫度的劣化特性實例的示圖；圖16是示出通過圖11中所示的亮度劣化信息更新部的亮度劣化信息的生成實例的示圖；圖17是示出通過圖11中所示的亮度劣化校正值計算部的亮度劣化校正模式的生成實例的概略圖；圖18A和圖18B是分別示出在未生成每個溫度的劣化特性的情況下的像素電路亮度劣化的校正實例和圖1的顯示裝置中像素電路亮度劣化的校正實例的示圖；圖19A和圖19B是示出通過本發(fā)明第一實施方式的圖像信號的校正效果的示意圖；圖20是示出通過圖12的亮度劣化特性供給塊的劣化特性的生成處理過程實例的流程圖；圖21是示出通過圖11所示的亮度劣化信息集成塊的亮度劣化信息的更新處理過程實例的流程圖；圖22是示出通過圖11所示的亮度劣化校正模式生成塊的亮度劣化校正模式的生成處理過程實例的流程圖；圖23是示出通過圖11所示的亮度劣化校正運算塊的圖像信號的校正處理程序?qū)嵗牧鞒虉D；圖M是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖25是示出圖M中所示的虛設(shè)像素陣列部的結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖沈是示出圖M中所示的亮度劣化特性供給塊的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖27是示出通過在圖M的顯示裝置中所使用的就個亮度傳感器的亮度測量實例的示圖；圖觀是示出在圖M的顯示裝置中所使用的虛設(shè)像素劣化信息實例的示圖；圖29A至圖29C是示意性示出用于通過圖沈中所示的劣化特性生成部所生成的各個溫度的劣化特性實例的示圖；圖30是示出通過圖沈的亮度劣化特性供給塊的劣化特性的生成處理過程實例的流程圖31是示出通過圖M中所示的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部的發(fā)光信號的生成處理過程實例的流程圖；圖32是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置的虛設(shè)像素陣列部的結(jié)構(gòu)實例的框圖；圖33A至圖33C是示出圖32中所示的溫度控制塊的結(jié)構(gòu)實例的框圖以及分別示出薄膜加熱器相對于圖32中所示的虛設(shè)像素電路的位置關(guān)系的俯視圖和截面圖；圖34是示出通過在根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置中所使用的九個亮度傳感器的亮度測量實例的示圖；圖35是示出在根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置中所使用的虛設(shè)像素劣化信息實例的示圖；圖36A至圖36C是示意性地示出了用于通過根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置的劣化特性生成部所生成的各個溫度的劣化特性實例的示圖；圖37是示出將本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于電視機的實例的透視圖；圖38是示出將本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于數(shù)碼像機的實例的前后立體圖；圖39是示出將本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于筆記本式個人計算機的實例的透視圖；圖40是分別示出了將本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于便攜終端裝置的實例的在未折疊和折疊狀態(tài)下的正面立體圖；以及圖41是示出將本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于攝像機的實例的透視圖。
具體實施例方式下面，描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。以下面的順序給出描述。1.第一實施方式(顯示控制使用溫度條件轉(zhuǎn)換部執(zhí)行溫度條件轉(zhuǎn)換從而計算每個溫度的劣化特性的實例)2.第二實施方式(僅在特定溫度下劣化的虛設(shè)像素電路被用于計算每個溫度的劣化特性的實例)3.第三實施方式(保持虛設(shè)像素電路的溫度固定在預(yù)定溫度從而計算每個溫度的劣化特性的實例)4.發(fā)明的應(yīng)用(顯示控制電子裝置的實例)<1.第一實施方式>顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的顯示裝置100的結(jié)構(gòu)實例。參照圖1， 顯示裝置100包括重影校正部200、寫入掃描器(WSCN MriteSCaNner) 110、及水平選擇器(HSEL =Horizontal SELector) 120。顯示器 100 進一步包括電源掃描器(DSCN =Drive SCaNner) 130、像素陣列部140、虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150、及虛設(shè)像素陣列部300。像素陣列部140包括以二維矩陣方式所排列的nXm(m和η為大于等于2的整數(shù))個像素電路 600至605。為了便于說明和描述，在圖1中，示出了第一、第二、和第m行中的第一列和第 η列中所設(shè)置的六個像素電路600至605。像素陣列部140進一步包括溫度傳感器141。溫度傳感器141測量像素電路的周圍環(huán)境溫度，并經(jīng)信號線208將所測量的溫度信息提供至重影校正部200。應(yīng)當(dāng)注意，假定
8所有像素電路中像素電路的溫度相同。換句話說，假設(shè)像素陣列部140和虛設(shè)像素陣列部 300的溫度彼此相等。顯示裝置100進一步包括用于將像素電路600至605與寫入掃描器(WSCN) 100彼此連接的掃描線(WSLMrite Scan Line) 160。應(yīng)當(dāng)注意，掃描線(WSL) 160還將虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路與寫入掃描器(WSCN) 110彼此連接。在圖1中，為了便于說明， 示出了第一、第二、及第m行的掃描線(WSL) 161至163。顯示裝置100進一步包括將像素電路600至605與水平選擇器(HSEL) 120彼此連接的數(shù)據(jù)線(DTL:Data Line) 170。應(yīng)當(dāng)注意，數(shù)據(jù)線(DTL) 170還將虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路和水平選擇器(HSEL) 120彼此連接。在圖1中，為了便于說明，示出了第一和第η列的數(shù)據(jù)線(DTL) 171和172以及被連接至虛設(shè)像素電路的數(shù)據(jù)線(DTL) 173。此外，顯示裝置100包括將像素電路600至605與電源掃描器(DSCN) 130彼此連接的電源線(DSL :Drive Scan Line) 180。應(yīng)當(dāng)注意，電源線(DSL) 180還將虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路與電源掃描器(DSCN) 130彼此連接。在圖1中，為了便于說明，分別示出第一、第二、及第m行的電源線(DSL) 181至183。重影校正部200響應(yīng)于像素電路600至605中的每一個的劣化度來改變圖像信號的灰度值以校正重影。重影校正部200基于經(jīng)信號線390向其提供的虛設(shè)像素電路的亮度、 經(jīng)信號線208向其提供的溫度信息、及圖像信號的灰度值來計算像素電路600至605中的每一個的劣化度。然后，重影校正部200基于所計算的像素電路600至605中的每一個的劣化度來改變經(jīng)信號線201向其提供的圖像信號的灰度值。此處，圖像信號的灰度值是指明發(fā)光亮度的大小狀態(tài)的圖像信號的灰度值。同時，虛設(shè)像素電路是實際上并不被用于顯示而是被用于測量像素電路劣化度的像素。此處，假設(shè)發(fā)光亮度大小被表示為256階或級。此外，假設(shè)由于像素電路600的劣化，基于灰度值為“100”的圖像信號的發(fā)光亮度從200nit劣化至lOOnit，并且基于灰度值為“200”的圖像信號的發(fā)光亮度從300nit劣化至200nit。在這種情況下，為了使像素電路 600發(fā)射具有200nit的光，重影校正部200將圖像信號的灰度值從“ 100”變?yōu)椤?00”，從而
校正重影。重影校正部200將經(jīng)校正的圖像信號(即，經(jīng)校正灰度值的圖像信號)經(jīng)信號線 209提供至水平選擇器(HSEL) 120。應(yīng)當(dāng)注意，下文中，參照圖IOA至圖19B等詳細描述本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200。寫入掃描器(WSCN) 110執(zhí)行以行為單位順序掃描像素電路600至605的線序掃描。寫入掃描器(WSCN)IlO以行為單位控制要將提供自數(shù)據(jù)線G)TL)170的數(shù)據(jù)信號寫入像素電路600至605的定時。此外，寫入掃描器(WSCN) 110對虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路執(zhí)行線序掃描，從而以行為單位控制要將提供自數(shù)據(jù)線(DTL) 170的數(shù)據(jù)信號寫入虛設(shè)像素電路的定時。寫入掃描器(WSCN) 110生成用于寫入數(shù)據(jù)信號的導(dǎo)通電位或用于停止數(shù)據(jù)信號寫入的截止電位作為掃描信號。寫入掃描器(WSCN) 110將所生成的掃描信號提供至掃描線(WSL) 160。水平選擇器(HSEL) 120將用于設(shè)定待被發(fā)射的光的亮度大小的數(shù)據(jù)信號提供至像素陣列部140的像素電路600至605和虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路。水平選擇器(HSEL) 120包括顯示像素選擇塊121和虛設(shè)像素選擇塊122。
顯示像素選擇塊121與通過寫入掃描器(WSCN)IlO的線序掃描同步地將用于設(shè)定即將從像素電路600至605所發(fā)射的光的亮度大小的數(shù)據(jù)信號提供至每列中的像素電路600至605。水平選擇器(HSEL) 120生成用于設(shè)定待被發(fā)射的光的亮度大小的圖像信號的電位(即，信號電位)和用于執(zhí)行作為像素電路600至605的組件的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的校正(即，閾值校正)的另一個電位(即，參考電位)，作為數(shù)據(jù)信號。水平選擇器 (HSEL) 120將所生成的數(shù)據(jù)信號提供至數(shù)據(jù)線(DTL) 170。虛設(shè)像素選擇塊122與通過寫入掃描器(WSCN) 110的線序掃描同步地提供用于設(shè)定虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路的發(fā)光亮度大小的數(shù)據(jù)信號。虛設(shè)像素選擇塊122 響應(yīng)于從虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150提供的發(fā)光信號而生成待被提供至虛設(shè)像素的信號電位或參考電位作為數(shù)據(jù)信號。虛設(shè)像素選擇塊122將所生成的數(shù)據(jù)信號提供至數(shù)據(jù)線 (DTL)170。電源掃描器(DSCN) 130與通過寫入掃描器110的線序掃描同步地以行為單位生成用于驅(qū)動像素電路600至605的電源信號。電源掃描器(DSCN) 130生成用于驅(qū)動像素電路600至605的電源電位或用于初始化像素電路600至605的初始化電位來作為電源信號。此外，電源掃描器(DSCN) 130與像素電路600至605類似地生成電源電位或初始化電位作為虛設(shè)像素電路的電源。電源掃描器(DSCN) 130將所生成的電源信號提供至電源線 (DSL)180。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150生成用于確定即將從虛設(shè)像素電路發(fā)射的光的亮度大小的發(fā)光信號。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150生成對應(yīng)于用于測量虛設(shè)像素的劣化的亮度的發(fā)光信號，并且將所生成的發(fā)光信號提供至虛設(shè)像素選擇塊122。應(yīng)當(dāng)注意，虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150是圖像信號供給部的一個實例。虛設(shè)像素陣列部300包括虛設(shè)像素電路。下文中，參照圖9詳細描述虛設(shè)像素陣列部300。像素電路600至605基于來自掃描線(WSL) 160的掃描信號保持來自數(shù)據(jù)線 (DTL) 170的圖像信號的電位，并且響應(yīng)于所保持的電位在預(yù)定時段內(nèi)發(fā)光。此處，參照圖2 描述像素電路600至605的結(jié)構(gòu)實例。像素電路的結(jié)構(gòu)實例圖2示意性示出了本發(fā)明第一實施方式中的像素電路600至605的結(jié)構(gòu)實例。應(yīng)當(dāng)注意，像素電路600至605具有相同結(jié)構(gòu)，因此，本文在參照圖2等給出的下列描述中，主要給出像素電路600的描述，而省略像素電路601至605的描述。參照圖2，像素電路600包括寫入晶體管610、驅(qū)動晶體管620、保持電容器630、及發(fā)光元件640。此處，假設(shè)寫入晶體管610和驅(qū)動晶體管620中的每一個均為η溝道晶體管。在像素電路600中，掃描線(WSL) 160和數(shù)據(jù)線(DTL) 170分別連接至寫入晶體管 610的柵極端子和漏極端子。此外，驅(qū)動晶體管620的柵極端子(g)和保持電容器630的其中一個電極(即，一個端子)連接至寫入晶體管610的源極端子。此處，它們的連接部表示為第一節(jié)點(NDl) 650。同時，電源線(DSL) 180連接至驅(qū)動晶體管620的漏極端子(d)，并且保持電容器630的另一個電極或端子和發(fā)光元件640的正電極被連接至驅(qū)動晶體管620 的源極端子(s)。此處，連接部被表示為第二節(jié)點(冊幻660。
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寫入晶體管610根據(jù)來自掃描線(WSL) 160的掃描信號將來自數(shù)據(jù)線(DTL) 170的數(shù)據(jù)信號提供至第一節(jié)點(ND1)650。寫入晶體管610為了消除像素電路600的驅(qū)動晶體管 620的閾值電壓的差異(dispersion)而將數(shù)據(jù)信號的參考電位提供至保持電容器630的一個端子。此處，參考電位是被用作用于使對應(yīng)于驅(qū)動晶體管620的閾值電壓的電壓進入保持電容器630的參考的固定電位。此處，寫入晶體管610在對應(yīng)于驅(qū)動晶體管620的閾值電壓的電壓被保持在保持電容器630后將數(shù)據(jù)信號的信號電位依次寫入保持電容器630的這一個端子。驅(qū)動晶體管620為了驅(qū)動發(fā)光元件640發(fā)光基于響應(yīng)于信號電位而保持在保持電容器630中的信號電壓來將驅(qū)動電流輸出至發(fā)光元件640。驅(qū)動晶體管620在從電源線 (DSL) 180施加用于驅(qū)動該驅(qū)動晶體管620的電源電位的狀態(tài)下將與在保持電容器630中所保持的信號電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流輸出至發(fā)光元件640。保持電容器630保持與從寫入晶體管610向其提供的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓。換句話說，保持電容器630的作用是保持與由寫入晶體管610寫入其中的信號電位對應(yīng)的信號電壓。發(fā)光元件640響應(yīng)于從驅(qū)動晶體管620向其輸出的驅(qū)動電流的大小來發(fā)光。發(fā)光元件640的輸出端子連接至陰極線680。從陰極線680提供作為發(fā)光元件640的參考電位的陰極電位(Vcat)。能夠(例如)使用有機EL元件來實現(xiàn)發(fā)光元件640。應(yīng)當(dāng)注意，雖然在本實例中假設(shè)寫入晶體管610和驅(qū)動晶體管620中的每一個為 η溝道晶體管，但是寫入晶體管610和驅(qū)動晶體管620的類型的組合不限于此。例如，寫入晶體管610和驅(qū)動晶體管620中的每一個可以為ρ溝道晶體管。此外，所提及的晶體管可以為增強型、耗盡型、或雙柵極型。此外，盡管像素電路600的結(jié)構(gòu)實例為驅(qū)動電流從2個晶體管610和620及一個保持電容器630被提供至發(fā)光元件640，但是像素電路的結(jié)構(gòu)不限于此。例如，可以采用任意結(jié)構(gòu)，只要其包括驅(qū)動晶體管620和發(fā)光元件640即可。例如，此外在像素電路包括用于控制發(fā)光的三個或更多個晶體管的情況下，像素電路在其包括驅(qū)動晶體管620和發(fā)光元件 640的條件下就能夠被應(yīng)用?，F(xiàn)在，參照圖3詳細描述上文所述的像素電路600的操作實例。像素的基本操作的實例圖3是示出具有參照圖2在上面所述的結(jié)構(gòu)的像素電路600的基本操作的實例的定時圖。參照圖3，橫軸為公共時間軸，并且示出了掃描線(WSL) 160、電源線(DSL) 180、數(shù)據(jù)線(DTL) 170、第一節(jié)點(NDl) 650、及第二節(jié)點(ND2) 660的電位變化。應(yīng)當(dāng)注意，表示時間的橫軸的長度是示意性表示的，而不指示不同時段中的時間長度比率。在圖3的定時圖中，為了便于示出和描述，像素電路600的操作轉(zhuǎn)換被劃分為時段 TPl至ΤΡ6。首先，在發(fā)光時段ΤΡ6內(nèi)，發(fā)光元件640處于發(fā)光狀態(tài)。在這個發(fā)光時段ΤΡ6 內(nèi)，掃描線(WSL) 160的掃描信號的電位被設(shè)定為截止電位(Voff)。此外，在這個發(fā)光時段 ΤΡ6內(nèi)，電源線(DSL) 180的電源信號的電位被設(shè)定為電源電位(Vcc)。此后，進入線序掃描的新場(new field)，并且在閾值校正準(zhǔn)備時段TPl內(nèi)，電源線(DSL) 180的電位被設(shè)定為用于初始化第二節(jié)點(ND2)660的初始化電位(Vss)。隨后，第一節(jié)點(ND1)650和第二節(jié)點(ND2)660的電位下降。
然后，在另一個閾值校正準(zhǔn)備時段TP2內(nèi)，掃描線(WSL) 160的電位被設(shè)定為導(dǎo)通電位(Von)，使得第一節(jié)點(ND1)650的電位被初始化為參考電位(Vofs)。隨后，第二節(jié)點(ND2) 660的電位被初始化為初始化電位(Vss)。隨著第一節(jié)點(NDl) 650和第二節(jié)點 (ND2)660分別以這種方式被初始化，完成用于閾值校正操作的準(zhǔn)備。隨后，在閾值校正時段TP3內(nèi)，執(zhí)行用于校正像素電路600的驅(qū)動晶體管620的閾值電壓的閾值校正操作。此時，電源線(DSL) 180的電源電壓被設(shè)定為電源電位(Vcc)，使得第一節(jié)點(ND1)650與第二節(jié)點(ND2)660之間保持對應(yīng)于驅(qū)動晶體管620的閾值電壓的電壓(Vth)。換句話說，在保持電容器630中保持與驅(qū)動晶體管620的閾值電壓對應(yīng)的電壓 (Vth)。此后，在時段TP4內(nèi)，在被提供至掃描線(WSL) 160的掃描信號電位變成截止電位 (Voff)之后，數(shù)據(jù)線(DTL) 170的數(shù)據(jù)信號從參考電位(Vofs)變成信號電位(Vsig)。然后，在寫入時段/遷移率校正(mobility correction)時段TP5內(nèi)，執(zhí)行圖像信號的寫入操作和用于執(zhí)行驅(qū)動晶體管620的遷移率校正的遷移率校正操作。此時，掃描線 (WSL) 160的掃描信號電位變成導(dǎo)通電位(Von)，隨后，第一節(jié)點(NDl)650的電位升高至信號電位(Vsig)。隨后，信號電位(Vsig)由寫入晶體管610寫入第一節(jié)點(ND1)650。另一方面，第二節(jié)點(ND2)660的電位相對于閾值校正時段TP3內(nèi)所提供的閾值電位(Vofs-Vth)根據(jù)驅(qū)動晶體管620的對應(yīng)于信號電位(Vsig)的遷移率而升高了上升量 (AV)。換句話說，第二節(jié)點(ND2)660的電位升高了“AV”作為遷移率校正操作的結(jié)果。通過這種方式，在寫入時段/遷移率校正時段ΤΡ5內(nèi)，信號電位(Vsig)被施加至保持電容器630的一個端子，同時，作為上升量(AV)與閾值電位(Vofs-Vth)的相加的結(jié)果的電位((Vofs-Vth) +ΔV)被施加至保持電容器630的另一個端子。換句話說，值 “Vsig-((V0fs-Vth) + AV)”作為根據(jù)圖像信號的信號電壓(Vgsl)被保持在保持電容器630 中。由此，在保持電容器630中所保持的信號電壓(Vsig-Vofs+Vth-AV)通過對應(yīng)于驅(qū)動晶體管620的閾值電壓的電壓(Vth)和通過遷移率校正操作的上升量(AV)被校正。因此， 獲得了消除每個像素電路600的驅(qū)動晶體管620的閾值電壓和遷移率的差異的影響的信號電壓。此后，在隨后的發(fā)光時段ΤΡ6內(nèi)，掃描線(WSL) 160的掃描信號電位被設(shè)定為截止電位(Voff)，隨后，第一節(jié)點(ND1)650被置于浮置狀態(tài)。然后，第二節(jié)點(冊幻660的電位相對于在寫入時段/遷移率校正時段ΤΡ5內(nèi)所給出的電位(Vofs-Vth+AV)升高了量“Vel”。 第二節(jié)點(ND2)660的這個電位上升量“Vel”隨著圖像信號的電位(Vsig)的升高而增大。 此時，由于第二節(jié)點(ND2)660的電位超過了依賴于發(fā)光元件640的閾值電壓(Vthel)和陰極線680的陰極電位(Vcat)的發(fā)光電位(Vthel+Vcat)，所以發(fā)光元件640發(fā)光。另一方面，第一節(jié)點(ND1)650的電位還經(jīng)保持電容器630的耦合從信號電位 (Vsig)以跟隨第二節(jié)點(ND2)660的電位升高的這種方式而升高“Vel’”。處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點(ND1)650的電位以這種方式響應(yīng)于第二節(jié)點(冊幻660的電位升高通過保持電容器630的耦合而上升的操作被稱作自舉(bootstrap)操作。在這個自舉操作中，第一節(jié)點(ND1)650的電位上升量(Vel，)與第二節(jié)點 (ND2)660的電位上升量(Vel)相比被抑制。第二節(jié)點(ND2)660的電位上升量(Vel)和第一節(jié)點(ND1)650的電位上升量(Vel’ )之間的關(guān)系能夠通過下面的表達式1來表示
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Vel，= GbXVel...表達式 1其中，( 為小于“1. 0”的值，并且能夠通過下面的表達式2來表示。應(yīng)當(dāng)注意，( 為自舉增益。Gb = Cs/ (Cs+Cp) · ·.表達式 2其中，Cs為保持電容器630的電容值，而Cp為寫入晶體管610的柵極與源極端子之間的寄生電容(即，寫入晶體管gs寄生電容)與驅(qū)動晶體管620的柵極與漏極端子之間的寄生電容(即，驅(qū)動晶體管gd寄生電容)的總和。此處應(yīng)當(dāng)注意，就減小自舉增益( 的寄生電容而言，僅考慮寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd寄生電容從表達式2中可以看出，通過寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd寄生電容， 自舉增益( 具有小于“1. 0”的值。這個自舉增益( 響應(yīng)寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd寄生電容的電容值Cp的大小而改變。換句話說，隨著寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd寄生電容的電容值Cp增大，自舉增益( 減小。此外，由于電容值Cp的大小在不同像素電路600至605中不同，所以自舉增益( 的大小在不同像素電路600至605中也不同。通過這種方式，由于寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd寄生電容的電容值 Cp，自舉增益( 具有小于“1.0”的值。因此，第一節(jié)點(NDl)650的電位上升量(Vel')小于第二節(jié)點(ND2)660的電位上升量(Vel)。隨后，在發(fā)光時段TP6內(nèi)的信號電壓(Vgs2)變得比寫入時段/遷移率校正時段TP5中的信號電位(Vgsl) jS "Vel-Vel' = Vel (I-Gb) ”。 應(yīng)當(dāng)注意，在發(fā)光時段TP6的中間，數(shù)據(jù)線(DTL) 170的數(shù)據(jù)信號從信號電位(Vsig)變成參考電位(Vofs)。因此，在發(fā)光時段TP6內(nèi)，發(fā)光元件640發(fā)射具有對應(yīng)于信號電壓 (Vsig-Vofs+Vth-ΔV-(Vel-Vel‘))的亮度的光。像素操作狀態(tài)的細節(jié)現(xiàn)在，將參照附圖詳細描述上述像素電路600的操作轉(zhuǎn)換實例。圖4A至圖6示出了本發(fā)明第一實施方式中像素電路600的操作轉(zhuǎn)換實例。在下面描述中所參考的圖4A至圖6中，示出了與圖3所示的定時圖的時段TPl至TP6對應(yīng)的像素電路600的操作狀態(tài)。此外，為了便于示出，示出了發(fā)光元件640的寄生電容641。此外， 將寫入晶體管610作為開關(guān)示出，并且省略了掃描線(WSL) 160。圖4A至圖4C是分別示出對應(yīng)于時段TP6、TP1及ΤΡ2的像素電路600的操作狀態(tài)的示意性電路圖。首先，在發(fā)光時段ΤΡ6中，如圖4Α所示，寫入晶體管610處于截止或不導(dǎo)電狀態(tài)，并且從電源線(DSL)ISO向驅(qū)動晶體管620施加電源電位(Vcc)。隨后，由于從驅(qū)動晶體管620向發(fā)光元件640提供了驅(qū)動電流(Ids’)，所以發(fā)光元件640發(fā)射具有對應(yīng)于驅(qū)動電流(Ids’ )的亮度的光。隨后，在閾值校正準(zhǔn)備時段TPl內(nèi)，如圖4B所示，電源線(DSL)ISO的電源信號從電源電位(Vcc)變成初始化電位(Vss)。因此，由于第二節(jié)點(ND2)660電位下降，所以發(fā)光元件640被置于不發(fā)光狀態(tài)。此時，由于第一節(jié)點(ND1)650處于浮置狀態(tài)，所以第一節(jié)點 (NDl)650的電位也以跟隨第二節(jié)點(ND2)660電位下降的這種方式下降。然后，在閾值校正準(zhǔn)備時段TP2內(nèi)，掃描線(WSL) 160(圖2中所示)的電位變成導(dǎo)通電位(Von)。因此，如圖4C所示，寫入晶體管610被置于導(dǎo)通或?qū)щ姞顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(NDl) 650的電位被初始化為從數(shù)據(jù)線(DTL) 170提供的參考電位(Vofs)。
另一方面，第二節(jié)點(ND2)660的電位被初始化為電源線(DSL) 180的初始化電位 (Vss)。因此，第一節(jié)點(ND1)650和第二節(jié)點(ND2)660之間的電位差變?yōu)椤癡ofs-Vss”。 此處應(yīng)當(dāng)注意，假定了電源線(DSL)ISO的初始化電位(Vss)被設(shè)定為足夠低于參考電位 (Vofs)的電位。圖5A至圖5C為分別示出與時段TP3至TP5對應(yīng)的像素電路600操作狀態(tài)的示意性電路圖。在閾值校正準(zhǔn)備時段TP2之后的閾值校正時段TP3中，如圖5A所示，電源線 (DSL)ISO的電源信號變成電源電位(Vcc)。隨后，驅(qū)動晶體管620被置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且電流從驅(qū)動晶體管620被提供至第二節(jié)點(冊幻660。結(jié)果，第二節(jié)點(冊幻660的電位上升。在這種情況下，第二節(jié)點(冊幻660的電位上升，直至第一節(jié)點(ND1)650與第二節(jié)點 (ND2)660之間的電位差變得等于與驅(qū)動晶體管620的閾值電壓對應(yīng)的電位差(Vth)為止。與驅(qū)動晶體管620的閾值電壓對應(yīng)的電位差(Vth)以如上所述的這種方式被保持在保持電容器630中。換句話說，這就是閾值校正操作。應(yīng)當(dāng)注意，陰極線680的陰極電位 (Vcat)和來自數(shù)據(jù)線(DTL) 170的參考電位(Vofs)被預(yù)先設(shè)定，使得電流不會從驅(qū)動晶體管620流向發(fā)光元件640。此后，在時段TP4內(nèi)，如圖5B所示，從掃描線(WSL) 160提供的掃描信號變成截止電位(Voff)，并且寫入晶體管610被置于截止?fàn)顟B(tài)。隨后，數(shù)據(jù)線(DTL) 170的數(shù)據(jù)信號電位從參考電位(Vofs)變成圖像信號的電位(Vsig)。此處，考慮數(shù)據(jù)線(DTL) 170的瞬態(tài)特性， 寫入晶體管610被保持在截止?fàn)顟B(tài)一段時間，直至數(shù)據(jù)信號達到圖像信號的電位(Vsig)為止。此后，在寫入時段/遷移率校正時段TP5內(nèi)，如圖5C所示，掃描線(WSL) 160的掃描信號電位變成導(dǎo)通電位(Von)，并且寫入晶體管610被置于導(dǎo)通狀態(tài)。隨后，圖像信號電位 (Vsig)通過寫入晶體管610被寫入保持電容器630的一個端子，結(jié)果，第一節(jié)點(ND1)650 的電位被設(shè)定為圖像信號電位(Vsig)。此時，由于依賴于驅(qū)動晶體管620的遷移率的電流從驅(qū)動晶體管620流至第二節(jié)點(ND2)660，所以保持電容器630和寄生電容641被充電，并且第二節(jié)點(ND2)660的電位升高。具體地，第二節(jié)點(冊幻660的電位相對于閾值電位(Vofs-Vth)升高了根據(jù)驅(qū)動晶體管620的遷移率的上升量(Δν)。換句話說，這就是遷移率校正操作。因此，作為第一節(jié)點(ND1)650與第二節(jié)點(ND2)660之間的電位差的信號電壓 (Vgsl)變?yōu)椤癡sig-Vofs+Vth- Δ V”。換句話說，保持電容器 630 保持“Vsig-Vofs+Vth- Δ V” 作為信號電壓(Vgsl)。在寫入時段/遷移率校正時段ΤΡ5內(nèi)，以這種方式執(zhí)行圖像信號的電位(Vsig)的寫入和通過遷移率校正的上升量(AV)的調(diào)節(jié)。此時，由于來自驅(qū)動晶體管620的電流隨著圖像信號電位(Vsig)升高而增大，所以通過遷移率校正的上升量(AV)也增大。因此， 能夠執(zhí)行響應(yīng)亮度水平(即，響應(yīng)圖像信號的電位)的遷移率校正。此外，在像素電路600至605的圖像信號的電位(Vsig)被固定的情況下，作為遷移率校正的結(jié)果，像素電路600至605中的其驅(qū)動晶體管620的遷移率高的那一個像素電路表現(xiàn)出大上升量(Δν)。具體地，在像素電路600至605中的其驅(qū)動晶體管620的遷移率高的那一個像素電路中，來自驅(qū)動晶體管620的電流比像素電路600至605中的其驅(qū)動晶體管620的遷移率較低的另一個像素電路更高，并且驅(qū)動晶體管620的柵源極電壓也降低同樣多。因此，在驅(qū)動晶體管620的遷移率高的像素電路600中，從驅(qū)動晶體管620輸出的驅(qū)動電流被調(diào)節(jié)為基本等于其驅(qū)動晶體管620的遷移率較小的像素電路601至605的驅(qū)動電流的大小。以這種方式消除了對于像素電路600至605中的每一個的驅(qū)動晶體管620的遷移率的差異。圖6為示出對應(yīng)于時段TP6的像素電路600的操作狀態(tài)的示意性電路圖。在發(fā)光時段TP6內(nèi)，從掃描線(WSL)160提供的掃描信號的電位變成截止電位 (Voff)，因此，寫入晶體管610被置于截止?fàn)顟B(tài)。然后，第二節(jié)點(ND2)660的電位相對于在寫入時段/遷移率校正時段TP6所給出的電位(Vofs-Vth+AV)升高了根據(jù)來自驅(qū)動晶體管620的驅(qū)動電流大小的電位(Vel)。相反，第一節(jié)點(ND1)650的電位通過保持電容器630的自舉操作以由表達式1 所給出的比率而升高。此時，第一節(jié)點(NDl)650的電位上升量(Vel’ )為通過將第二節(jié)點 (ND2)660的電位上升量(Vel)乘以小于“1. 0”的自舉增益( 所獲取的值。具體地，由于第一節(jié)點(ND1)650的電位上升量(Vel’)響應(yīng)于寫入晶體管gs寄生電容和驅(qū)動晶體管gd 寄生電容的電容值Cp而被抑制，所以其小于第二節(jié)點(ND2) 660的電位上升量(Vel)。因此，作為第一節(jié)點(ND1)650與第二節(jié)點(ND2)660之間電位差的信號電壓 (Vgs2)比剛好在寫入時段/遷移率校正時段TP5結(jié)束前的時間點時的信號電位(Vgsl)低 “Vel-Vel’”。換句話說，剛好在發(fā)光時段TP6結(jié)束前的時間點時的信號電位(Vgs2)變成比寫入時段/遷移率校正時段TP5內(nèi)的信號電壓(Vgsl)更低的“VgSl-(Vel-Vel’)”。因此， 發(fā)光元件640發(fā)射具有根據(jù)與發(fā)光時段TP6內(nèi)的信號電壓(Vgd)對應(yīng)的驅(qū)動電流Ids的亮度的光。如上文中參照圖3至圖6的描述，本發(fā)明第一實施方式中的顯示裝置100的像素電路600當(dāng)與經(jīng)數(shù)據(jù)線(DTL) 170所提供的信號電位對應(yīng)的驅(qū)動電流被提供至發(fā)光元件640 時發(fā)射具有對應(yīng)于驅(qū)動電流的亮度的光。具體地，如果構(gòu)成像素電路600的發(fā)光元件640 等劣化，則根據(jù)信號電位的亮度值從初始狀態(tài)被偏移了發(fā)光等的變化量。如果這種偏移在所有像素電路中等量發(fā)生，則之前剛被顯示的圖像之后看起來繼續(xù)存在的現(xiàn)象(即，重影現(xiàn)象)不會發(fā)生。但是，由于有機EL元件通過響應(yīng)于待被顯示的圖像數(shù)據(jù)來改變待被發(fā)射的光量而表現(xiàn)出灰度級，所以有機EL元件的劣化度在顯示屏幕的不同像素電路中不同。因此，隨著經(jīng)受更大劣化的像素電路的顯示變得比周圍像素電路的顯示更暗，重影現(xiàn)象發(fā)生。像素電路劣化的實例現(xiàn)在，參照圖7和圖8描述本發(fā)明第一實施方式中的像素電路的劣化特性。圖7示出了用預(yù)定灰度值的圖像信號進行驅(qū)動以發(fā)光的像素電路600的使用時段與本發(fā)明第一實施方式中像素電路的亮度劣化量之間的關(guān)系。在圖7中，縱軸表示像素電路600的亮度的劣化量，即，亮度劣化量，而橫軸表示像素電路600的使用時段，即，發(fā)光時段。因此，圖7示出了三個劣化特性，即，劣化特性691 至693。應(yīng)當(dāng)注意，在圖7中，假定了表現(xiàn)出三個劣化特性時的像素電路600的溫度彼此相寸。劣化特性(灰度值100)691是指示用灰度值為“100”的圖像信號發(fā)光的像素電路
15600的劣化的特性。劣化特性(灰度值100)691顯示出基于灰度值“100”的圖像信號的劣化在使用剛剛開始之后迅速地進行，而在使用開始之后經(jīng)過發(fā)光時間之后平緩地進行。劣化特性(灰度值150)692是指示用灰度值為“ 150”的圖像信號發(fā)光的像素電路 600的劣化的特性。劣化特性(灰度值150)692顯示出劣化比像素電路600在用灰度值為 “100”的圖像信號來驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化更迅速地進行。劣化特性(灰度值200)693是指示用灰度值為“200”的圖像信號發(fā)光的像素電路 600的劣化的特性。劣化特性(灰度值200)693顯示出劣化比像素電路600在用灰度值為 “150”的圖像信號來驅(qū)動以發(fā)光的情況下劣化的更迅速地進行。如圖7所示，如果像素電路600用具有低灰度值的圖像信號來驅(qū)動以發(fā)光，則其劣化平緩地進行，但如果其用具有高灰度值的圖像信號來驅(qū)動以發(fā)光，則其劣化快速地進行。 此外，像素電路600的劣化在像素電路600使用剛開始后迅速地進行，而在使用開始之后經(jīng)過發(fā)光時間之后平緩地進行。圖8是示出在本發(fā)明第一實施方式中在預(yù)定溫度條件下驅(qū)動像素電路600發(fā)光的情況下像素電路600的使用時段與像素電路600的亮度劣化量之間的關(guān)系的示圖。在圖8中，縱軸表示像素電路600的亮度的劣化量，即，亮度劣化量，橫軸表示像素電路600的使用時段，S卩，發(fā)光時間。因此，圖8示出了三個劣化特性694至696。應(yīng)當(dāng)注意，在圖8中，假定了表現(xiàn)出三個劣化特性的被提供至像素電路600的圖像信號的灰度值彼此相同。劣化特性(溫度20°C )694指示像素電路600在“20°C”的溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化。類似于上文中參照圖7描述的三種劣化特性691至693，劣化特性 694(溫度20°C )顯示出劣化在使用剛剛開始之后迅速地進行，而在使用開始之后經(jīng)過發(fā)光時間之后平緩地進行。劣化特性(溫度30°C )695是指示像素電路600在“30°C”的溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化的特性。劣化特性(溫度30°C)695顯示出劣化比像素電路600在 “20°C”的溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化更迅速地進行。劣化特性(溫度40°C )696是指示像素電路600在“40°C”的溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化的特性。劣化特性(溫度40°C )696顯示出劣化比像素電路600在 “30°C”的溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光的情況下的劣化更迅速地進行。如圖8所示，如果像素電路600在較低溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光，則其劣化平緩地進行。另一方面，如果像素電路600在較高溫度條件下被驅(qū)動以發(fā)光，則其劣化迅速地進行。換句話說，溫度上的差別與像素電路600劣化進行速度上的差異相關(guān)。因此，在本發(fā)明第一實施方式中，描述了顯示裝置的實例，其中，基于顯示裝置的溫度條件來校正使用虛設(shè)像素測量的亮度劣化以校正重影。虛設(shè)像素陣列部的結(jié)構(gòu)實例圖9示出了本發(fā)明第一實施方式中的虛設(shè)像素陣列部300的結(jié)構(gòu)實例。應(yīng)當(dāng)注意， 在本發(fā)明第一實施方式中，測量了基于三個灰度值的發(fā)光信號的像素電路的劣化。參照圖9，示出了虛設(shè)像素陣列部300、寫入掃描器(WSCN) 110、像素陣列部140、及電源掃描器(DSCN) 130。此外，示出掃描線(WSL) 164至166作為被連接至虛設(shè)像素陣列部 300的掃描線(WSL) 160，并且示出數(shù)據(jù)線(DTL) 173作為被連接至虛設(shè)像素陣列部300的數(shù)
16據(jù)線(DTL)170。此外，示出電源線(DSL) 184至186作為被連接至虛設(shè)像素陣列部300的電源線(DSL) 180。此外，將信號線391至393作為將虛設(shè)像素陣列部300和重影校正部200 進行連接的信號線390示出。關(guān)注于圖9中的虛設(shè)像素陣列部300來給出描述。虛設(shè)像素陣列部300是其中設(shè)置了實際上未被用于顯示而是被用于測量像素電路的劣化度的虛設(shè)像素電路的區(qū)域。例如，在(例如)陣列基板的不執(zhí)行顯示的位置(諸如陣列基板的被框架隱藏的位置)處形成虛設(shè)像素陣列部300。虛設(shè)像素陣列部300包括亮度檢測單元310、320及330。應(yīng)當(dāng)注意，亮度檢測單元310、320、及330被設(shè)置在一列中。亮度檢測單元310、320、及330用于基于預(yù)定灰度值的發(fā)光信號來測量像素電路的劣化。亮度檢測單元310、320、及330包括一個虛設(shè)像素電路和一個亮度傳感器。應(yīng)當(dāng)注意，亮度檢測單元320和330具有與亮度檢測單元310相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面給出亮度檢測單元310的虛設(shè)像素電路311和亮度傳感器312的描述。類似于上文中參照圖2至圖8所述的像素電路600，虛設(shè)像素電路311基于來自掃描線(WSL) 160的掃描信號來保持來自數(shù)據(jù)線(DTL) 170的圖像信號的電位，并且響應(yīng)于所保持的電位而在預(yù)定時間段內(nèi)發(fā)光。掃描線(WSL) 164、數(shù)據(jù)線(DTL) 173、及電源線 (DSL) 184被連接至虛設(shè)像素電路311。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明的第一實施方式中，虛設(shè)像素電路311具有與上文中參照圖2所述的像素電路600的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。而且，應(yīng)當(dāng)注意，所述虛設(shè)像素電路311為特定像素電路的一個實例。虛設(shè)像素電路311僅發(fā)射具有特定灰度值的光。例如，亮度檢測單元310的虛設(shè)像素電路311發(fā)射具有灰度值“200”的光，亮度檢測單元320的虛設(shè)像素電路發(fā)射具有另一個灰度值“150”的光，同時，亮度檢測單元330的虛設(shè)像素電路發(fā)射具有其他灰度值“100” 的光。亮度傳感器312用于測量虛設(shè)像素電路311的亮度。亮度傳感器312為了僅接收虛設(shè)像素電路311所發(fā)射的光而被設(shè)置在虛設(shè)像素電路311附近，并且與虛設(shè)像素電路311 一起與外部光隔離，使其不能接收來自外部的光。亮度傳感器312通過信號線391將關(guān)于虛設(shè)像素亮度的信息(即，虛設(shè)像素亮度信息)提供至重影校正部200。通過以這種方式設(shè)置虛設(shè)像素陣列部300，能夠在與用于顯示圖像的像素電路 600的溫度條件類似的溫度條件下測量通過基于預(yù)定亮度值的發(fā)光的像素電路亮度劣化， 即，亮度劣化。應(yīng)當(dāng)注意，盡管圖9中示出了三個亮度檢測單元，但是本發(fā)明不限于此。例如，能夠通過增加亮度檢測單元的數(shù)目以增加待被測量的灰度值的數(shù)目來增加即將通過其來測量劣化度的灰度值的數(shù)目。此外，盡管在圖9中，亮度測量單元被排列在一列中，并且設(shè)置了虛設(shè)像素陣列部 300的掃描線(WSL)、數(shù)據(jù)線(DTL)、及電源線(DSL) 184，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以共用像素陣列部140的信號線，從而實現(xiàn)電路的簡化。 亮度傳感器和虛設(shè)像素電路的位置實例圖IOA和圖IOB分別為示意性示出本發(fā)明第一實施方式中的虛設(shè)像素電路311和亮度傳感器312的位置結(jié)構(gòu)實例的截面圖和平面圖。圖IOA示意性示出了亮度傳感器312和虛設(shè)像素電路311的截面結(jié)構(gòu)。在圖IOA 中，示出了發(fā)光元件640和TFT(薄膜晶體管)像素電路197作為構(gòu)成虛設(shè)像素電路311的電路。此外，在圖IOA中，示出了亮度傳感器312、樹脂198、及玻璃199。例如，TFT像素電路197被設(shè)置在玻璃199上，并且發(fā)光元件640被設(shè)置在TFT像素電路197上。此外，用樹脂198覆蓋發(fā)光元件640，并且在樹脂198上設(shè)置亮度傳感器312。換句話說，亮度傳感器 312被設(shè)置在發(fā)光元件640上，其間插入樹脂198。如圖IOA所示，亮度傳感器312被設(shè)置在能夠從發(fā)光元件640有效地接收光的位置處。圖IOB示出了在顯示單元內(nèi)部中包括顯示裝置100的顯示單元的亮度傳感器312 和虛設(shè)像素電路311的位置結(jié)構(gòu)的實例。此外，在圖IOB中，示出了作為顯示單元的框架部的框架區(qū)191和作為用于顯示屏幕圖像的部分的顯示區(qū)192。此外，在框架區(qū)191中示出了虛設(shè)像素區(qū)193、TFT像素電路197、及亮度傳感器312。如圖IOB所示，亮度傳感器和虛設(shè)像素電路設(shè)置在顯示單元等的不用于顯示的區(qū)域中。重影校正部的結(jié)構(gòu)實例圖11為示出本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖。參照圖11，重影校正部200包括亮度劣化信息積分塊220、亮度劣化校正模式生成塊230、亮度劣化校正運算塊M0、及亮度劣化特性供給塊400。此處，在本發(fā)明的第一實施方式中，假定沒有經(jīng)受任何劣化的初始狀態(tài)中的像素電路的亮度用作用于校正的參考，并且對圖像信號進行校正，使得經(jīng)受劣化的像素電路600 至605的亮度可以與參考一致。此外，為了便于描述，假定本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200通過以一分鐘的時間間隔獲取每幀的被校正圖像信號來更新在亮度劣化信息積分塊220中所保持的信息。此外，為了便于描述，假定亮度劣化校正模式生成塊230在每次更新亮度劣化信息積分塊220中所保持的信息時生成新的校正模式。亮度劣化信息特性供給塊400根據(jù)虛設(shè)像素電路的亮度生成亮度特性，并且提供所生成的亮度特性。具體地，亮度劣化特性供給塊400基于從溫度傳感器141經(jīng)信號線208 提供的溫度信息和從亮度傳感器312經(jīng)信號線390提供的虛設(shè)像素亮度信息來生成每個溫度和每個亮度的劣化特性。亮度劣化特性供給塊400將所生成的劣化特性經(jīng)信號線401提供至亮度劣化信息積分塊220。此外，亮度劣化特性供給塊400將所生成的劣化特性經(jīng)信號線402提供至亮度劣化校正模式生成塊230。應(yīng)當(dāng)注意，亮度劣化特性供給塊400為亮度劣化特性生成部的一個實例。亮度劣化信息積分塊220基于像素電路600至605的劣化保持關(guān)于亮度劣化的信息(即，亮度劣化信息)，并且依次更新亮度劣化信息。此外，亮度劣化信息積分塊220將關(guān)于像素電路600至605的亮度劣化的新劣化量依次與相關(guān)亮度劣化信息相加以更新亮度劣化信息。此處，例如，亮度劣化信息是通過將像素電路600至605的亮度劣化量轉(zhuǎn)換成特定灰度值的圖像信號的發(fā)光時間段而獲得的值。亮度劣化信息積分塊220包括亮度劣化信息更新部221和亮度劣化信息保持部222。應(yīng)當(dāng)注意，亮度劣化信息積分塊220為加算部的一個實例。此外，亮度劣化特性供給塊400和亮度劣化信息積分塊220為亮度劣化信息生成部的一個實例。亮度劣化信息更新部221通過將像素電路600至605的新的亮度劣化量進行相加來更新在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息。具體地，亮度劣化信息更新部221 (例如)基于從亮度劣化校正運算塊240提供的被校正的圖像信號使用從信號線401 提供的劣化特性來計算關(guān)于像素電路600至605的新的亮度劣化的信息。亮度劣化信息更新部221將關(guān)于新劣化的信息依次與該亮度劣化信息進行相加以生成經(jīng)更新的亮度劣化信息。亮度劣化信息更新部221將經(jīng)更新的亮度劣化信息提供至亮度劣化信息保持部222。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖16詳細描述經(jīng)更新的亮度劣化信息的生成實例。亮度劣化信息保持部222保持亮度劣化信息，具體地，保持像素電路600至605中的每一個的亮度劣化信息。此外，亮度劣化信息保持部222在每次被提供了由亮度劣化信息更新部221所更新的亮度劣化信息時依次保持經(jīng)更新的亮度劣化信息。亮度劣化信息保持部222將其中所保持的亮度劣化信息提供至亮度劣化信息更新部221和亮度劣化校正模式生成塊230。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖17描述亮度劣化信息的實例。亮度劣化校正模式生成塊230生成用于校正亮度劣化的模式，即，亮度劣化校正模式。亮度劣化校正模式是根據(jù)像素電路600至605的亮度劣化的校正值(即，亮度劣化校正值)所構(gòu)造的校正模式，并且是用于校正亮度劣化的校正信息。亮度劣化校正模式生成塊230包括參考亮度特性信息供給部231、目標(biāo)亮度特性信息生成部232、亮度劣化校正值計算部233、及亮度劣化校正模式保持部234。應(yīng)當(dāng)注意，亮度劣化校正模式生成塊230 是亮度劣化值計算部的一個實例。參考亮度特性信息供給部231提供關(guān)于待被用作用于校正亮度劣化的參考的像素電路的亮度特性信息來作為參考亮度特性信息。亮度特性信息是關(guān)于被提供至像素電路的圖像信號與基于該圖像信號的發(fā)射光亮度之間的相關(guān)特性(即，亮度特性)的信息。例如，在本發(fā)明第一實施方式中，參考亮度特性信息供給部231保持關(guān)于在沒有經(jīng)受劣化的狀態(tài)下(即，初始狀態(tài)下)的像素電路的亮度特性信息。然后，參考亮度特性信息供給部231 將其中所保持的亮度特性信息作為參考亮度特性信息提供至亮度劣化校正值計算部M3。 應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖18A和圖18B描述亮度特性、亮度特性信息、及參考亮度特性信息的一個實例。目標(biāo)亮度特性信息生成部232提供作為生成亮度劣化校正值的目標(biāo)的像素電路的亮度特性信息來作為目標(biāo)亮度特性信息。例如，目標(biāo)亮度特性信息生成部232從亮度劣化信息保持部222依次獲取關(guān)于像素電路600至605的亮度劣化信息。然后，例如，如果在特定灰度值處的發(fā)光時間為亮度劣化信息，那么目標(biāo)亮度特性信息生成部232使用從亮度劣化特性供給塊400向其提供的劣化特性根據(jù)所獲取的亮度劣化信息來計算像素電路的劣化量。然后，目標(biāo)亮度特性信息生成部232使用(例如)表示劣化量與效率系數(shù)之間的相關(guān)性的表達式根據(jù)所獲取的劣化信息來計算亮度特性信息。之后，目標(biāo)亮度特性信息生成部232將所計算的亮度特性信息作為目標(biāo)亮度特性信息提供至亮度劣化校正值計算部 233。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖18A和圖18B描述目標(biāo)亮度特性信息的一個實例。亮度劣化校正值計算部233為了生成亮度劣化校正模式基于參考亮度特性信息和目標(biāo)亮度特性信息來計算像素電路600至605中的每一個的亮度劣化校正值。具體地， 亮度劣化校正值計算部233(例如)通過除法(其中，目標(biāo)亮度特性信息是分子，而參考亮度特性信息是分母)來計算亮度劣化校正值。亮度劣化校正值計算部233生成所有像素電
19路600至605的亮度劣化校正值。亮度劣化校正值計算部233將所生成的亮度劣化校正值提供至亮度劣化校正模式保持部234。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖18A和圖18B描述亮度劣化校正值。亮度劣化校正模式保持部234保持從各個像素電路的亮度劣化校正值計算部233 向其提供的亮度劣化校正值。下文中，關(guān)于像素電路的亮度劣化校正模式被稱作亮度劣化校正模式。亮度劣化校正模式保持部234將其中所保持的亮度劣化校正模式提供至亮度劣化校正運算塊M0。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參考圖17描述亮度劣化轉(zhuǎn)換模式的一個實例。亮度劣化校正運算塊240基于從亮度劣化校正模式保持部234向其提供的亮度劣化校正模式來改變經(jīng)信號線201向其輸入的圖像信號的灰度值，以校正亮度劣化。此外，亮度劣化校正運算塊240將灰度值被校正(即，校正灰度值)的圖像信號經(jīng)信號線209提供至亮度劣化信息積分塊220和水平選擇器(HSEL) 120。應(yīng)當(dāng)注意，下文中將參考圖18A和圖18B詳細描述亮度劣化校正運算塊MO的校正內(nèi)容的實例。應(yīng)當(dāng)注意，亮度劣化校正運算塊240為校正部的一個實例。由此，通過在重影校正部200中提供亮度劣化特性供給塊400，從亮度傳感器312 所提供的虛設(shè)像素亮度信息被用于基于像素電路的劣化來校正亮度的劣化。應(yīng)當(dāng)注意，此處，盡管通過以一分鐘為間隔獲取關(guān)于每幀被校正的圖像信號來更新亮度劣化信息積分塊220中所保持的信息，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以通過假定像素電路用獲取到的圖像信號發(fā)光持續(xù)十分鐘來以十分鐘為間隔獲取經(jīng)校正的圖像信號，以更新亮度劣化信息。通過以這種方式將亮度劣化信息的更新間隔設(shè)定為相對較長的時間， 可進一步減小計算量。而且，可能的方法是將關(guān)于每幀所校正的圖像信號的被亮度劣化信息積分塊220獲取的間隔設(shè)定為更短，從而以更高精度更新亮度劣化信息。此外，盡管亮度劣化校正模式生成塊230在每次更新亮度劣化信息時更新了所保持的亮度劣化校正模式，但是本發(fā)明不限于此。例如，亮度劣化校正模式不會在很短的時間間隔后立刻通過更新被更新為不同的模式。這是因為，盡管亮度在不同像素電路中分散，但是劣化緩慢進行。因此，例如，可能的方法就是通過以一小時為間隔獲取亮度劣化信息并基于所獲取的信息以一小時為間隔更新校正模式來減小計算量。此外，盡管這里假定了亮度劣化信息是通過根據(jù)特定灰度值的圖像信號將該亮度劣化信息轉(zhuǎn)換為發(fā)光時段所獲取的值，但是本發(fā)明不限于此。由于此亮度劣化信息是表示基于像素電路劣化的亮度劣化度的值，所以其可以為亮度劣化與初始狀態(tài)下的亮度劣化的比率?；蛘?，亮度特性信息可以作為亮度劣化信息來計算并保持。此外，盡管假定了像素陣列部140和虛設(shè)像素陣列部300的溫度彼此相等并且單條溫度信息經(jīng)信號線208被提供至亮度劣化信息更新部221和亮度劣化特性供給塊400， 但是本發(fā)明不限于此。亮度劣化特性供給塊400僅需能獲取虛設(shè)像素電路的溫度即可。此外，亮度劣化信息更新部221僅需能獲取每個像素電路的溫度即可。例如，如果溫度根據(jù)位置而不同，則可能的方法就是，對于亮度劣化信息更新部221而言，從位于像素電路附近的溫度傳感器獲取溫度信息，而對于亮度劣化特性供給塊400而言，從位于虛設(shè)像素電路附近的溫度傳感器獲取溫度信息。亮度劣化特性供給塊的結(jié)構(gòu)實例圖12為示出本發(fā)明第一實施方式中的亮度劣化特性供給塊400的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖。參照圖12，所示的亮度劣化特性供給塊400包括虛設(shè)像素劣化信息生成部410、 虛設(shè)像素劣化信息保持部420、溫度信息獲取部430、溫度條件轉(zhuǎn)換部440、劣化特性生成部 460、及劣化特性保持部470。虛設(shè)像素劣化信息生成部410基于經(jīng)信號線390向其提供的虛設(shè)像素亮度信息生成關(guān)于虛設(shè)電路亮度的劣化量的信息，即，虛設(shè)像素劣化信息。例如，虛設(shè)像素劣化信息生成部410預(yù)先保持初始狀態(tài)中虛設(shè)像素電路311的亮度。然后，虛設(shè)像素劣化信息生成部 410將通過亮度傳感器312的亮度測量結(jié)果(S卩，虛設(shè)像素亮度信息)與初始狀態(tài)中虛設(shè)像素電路311的亮度彼此對比，以生成虛設(shè)像素電路的劣化量，即，虛設(shè)像素劣化量。虛設(shè)像素劣化信息生成部410將所生成的虛設(shè)像素劣化量作為虛設(shè)像素劣化信息提供至虛設(shè)像素劣化信息保持部420。虛設(shè)像素劣化信息保持部420保持虛設(shè)像素劣化信息。例如，如果亮度檢測單元數(shù)為3 (310、320、及330)，則虛設(shè)像素劣化信息保持部420保持各個亮度檢測單元的虛設(shè)像素的虛設(shè)像素劣化信息。虛設(shè)像素劣化信息保持部420將其中所保持的虛設(shè)像素劣化信息提供至溫度條件轉(zhuǎn)換部440。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖13A和圖1 描述虛設(shè)像素劣化信息保持部420中所保持的虛設(shè)像素劣化信息的一個實例。溫度信息獲取部430獲取從溫度傳感器141經(jīng)信號線208向其提供的溫度信息， 并且保持所獲取的溫度信息。具體而言，例如，溫度信息獲取部430與虛設(shè)像素劣化信息生成部410生成虛設(shè)像素劣化信息的定時同步地獲取溫度信息，并且保持所獲取的溫度信息。溫度信息獲取部430將所保持的溫度信息提供至溫度條件轉(zhuǎn)換部440。溫度條件轉(zhuǎn)換部440基于虛設(shè)像素劣化信息和溫度條件來計算在預(yù)定溫度下的劣化特性。具體地，為了計算預(yù)定溫度下的劣化特性，溫度條件轉(zhuǎn)換部440根據(jù)所測量時段的劣化來計算在預(yù)定溫度條件下達到相同劣化所需的時段，并生成關(guān)于時段的信息，即，計算時段信息。溫度條件轉(zhuǎn)換部440使用包括“20°C”的表示測量時溫度的溫度信息的虛設(shè)像素劣化信息來計算在溫度“30°C”下達到相同劣化量所需的時段。例如，由預(yù)先保持獲取的信息的溫度條件轉(zhuǎn)換部440通過將依賴于溫度的劣化特性上的差別轉(zhuǎn)換為公式并且將該公式用在計算中來執(zhí)行這種時段的計算。溫度條件轉(zhuǎn)換部440將所生成的計算時段信息與虛設(shè)像素劣化信息一起提供至劣化特性生成部460。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖14A描述通過溫度條件轉(zhuǎn)換部440的計算時段信息的生成實例。劣化特性生成部460基于計算時段信息和虛設(shè)像素劣化信息生成在預(yù)定溫度下像素電路的劣化特性。例如，在溫度條件為固定的“30°C，，的情況下，劣化特性生成部460 使用在“30°C”溫度下所計算的計算時段信息和用于計算該計算時段信息的虛設(shè)像素劣化信息來生成像素電路的劣化特性。劣化特性生成部460將所生成的劣化特性提供至劣化特性保持部470。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖14B描述通過劣化特性生成部460的劣化特性的生成實例。劣化特性保持部470保持從劣化特性生成部460向其提供的劣化特性。劣化特性保持部470將所保持的劣化特性經(jīng)信號線401提供至亮度劣化信息更新部221。此外，劣化特性保持部470將所保持的劣化特性經(jīng)信號線402提供至目標(biāo)亮度特性信息生成部232。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在本發(fā)明第一實施方式中，假定了溫度條件轉(zhuǎn)換部440計算了計算時段信息，但是本發(fā)明不限于此。溫度條件轉(zhuǎn)換部440僅需能生成劣化特性生成部460
21可根據(jù)其生成劣化特性的信息即可。例如，這樣實例可以是，在這種虛設(shè)像素亮度信息的獲取間隔很長等情況下，溫度條件轉(zhuǎn)換部440計算在計算時段內(nèi)的特性的斜率。此外，盡管在圖12中將虛設(shè)像素亮度信息的亮度和初始狀態(tài)的亮度互相比較以生成虛設(shè)像素劣化量，但是本發(fā)明不限于此。虛設(shè)像素劣化量可以為關(guān)于劣化的任意信息。亮度測量實例，虛設(shè)像素劣化信息及溫度信息實例圖13A至圖13C分別示出了本發(fā)明第一實施方式中的通過三個亮度傳感器的亮度測量實例、虛設(shè)像素劣化信息的實例及溫度信息的實例。在圖13A至圖13C中，假設(shè)通過亮度傳感器的亮度測量次數(shù)為三次，并且虛設(shè)像素電路正在響應(yīng)于預(yù)定發(fā)光信號而發(fā)光。圖13A示出了表示用三個不同灰度值100、150、及200發(fā)光的三個虛設(shè)像素電路的亮度劣化的測量實例的曲線圖。參照圖13A，曲線圖的縱軸表示虛設(shè)像素電路的劣化量， 而橫軸表示發(fā)光時間。因此，圖13A示出了當(dāng)虛設(shè)像素電路分別以其亮度值為100、150、及 200的預(yù)定發(fā)光信號發(fā)光時作為它們的亮度的測量結(jié)果的測量劣化特性411、412、及413。 應(yīng)當(dāng)注意，沿著圖13A所示曲線圖的縱軸，隨著虛設(shè)像素電路的劣化量更接近于縱軸與橫軸彼此交叉的原點，其更接近于初始狀態(tài)的虛設(shè)像素電路的劣化量，即，更接近劣化度很低的狀態(tài)的劣化量，但是沿著縱軸向下，亮度降低，即，劣化增大。此外，在圖13A中，就亮度被測量的時段而言，示出了表示第一次測量的測量時段 (1)T1、表示第二次測量的測量時段O)Τ2、及表示第三次測量的測量時段(3)Τ3。此外，在圖13Α中，假定了在測量時段⑴Tl內(nèi)虛設(shè)像素電路的溫度為20°C ；在測量時段(2)T2內(nèi)虛設(shè)像素電路的溫度為40°C ；而在測量時段(3)T3中虛設(shè)像素電路的溫度為30°C。測量劣化特性(灰度值100)411示意性指示當(dāng)虛設(shè)電路以灰度值為“100”的發(fā)光信號進行發(fā)光時其亮度的測量結(jié)果。此測量劣化特性(灰度值100)411指示，由于虛設(shè)像素電路的溫度在不同測量時段內(nèi)不同，所以劣化特性在不同測量時段內(nèi)不同。來自測量劣化特性(灰度值100)411內(nèi)的測量時段(I)Tl內(nèi)的特性源于虛設(shè)像素電路根據(jù)在溫度20°C 下的劣化特性(例如，圖8的劣化特性(溫度20°C)694)被劣化的情形。同時，來自測量劣化特性(灰度值100)411內(nèi)的測量時段內(nèi)的特性源于虛設(shè)像素電路根據(jù)在溫度40°C 下的劣化特性(例如，圖8的劣化特性(溫度40°C)696)被劣化的情況。此外，來自測量劣化特性(灰度值100)411內(nèi)的測量時段(3)T3內(nèi)的特性源于虛設(shè)像素電路根據(jù)在溫度30°C 下的劣化特性(例如，圖8的劣化特性(溫度30°C )695)被劣化的情況。測量劣化特性(灰度值150)412示意性指示當(dāng)虛設(shè)電路以灰度值為“150”的發(fā)光信號進行發(fā)光時其亮度的測量結(jié)果。此測量劣化特性(灰度值150)412指示通過灰度值“150”的發(fā)光信號的劣化比通過灰度值“100”的發(fā)光信號的劣化進行更快。應(yīng)當(dāng)注意， 來自測量劣化特性(灰度值150)412中每個測量時段的特性類似于測量劣化特性(灰度值 100)411的每個測量時段，因此，為避免累述，此處省略對其的重復(fù)描述。測量劣化特性(灰度值200)413示意性指示當(dāng)虛設(shè)電路以灰度值為“200”的發(fā)光信號進行發(fā)光時其亮度的測量結(jié)果。此測量劣化特性(灰度值200)413指示通過灰度值 “200”的發(fā)光信號的劣化比通過灰度值“150”的發(fā)光信號的劣化進行更快。如圖13A所示，當(dāng)發(fā)光時虛設(shè)像素電路的劣化受溫度影響。圖13B示出了示意性示出在圖13A的測量時段(3)T3結(jié)束時被保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部420中的虛設(shè)像素劣化信息實例的表格。應(yīng)當(dāng)注意，在圖13B中，測量時亮度的強度(即，虛設(shè)像素亮度信息)被示意性表示為與初始狀態(tài)中虛設(shè)像素電路的亮度的強度的比率(％)，并且被表示為虛設(shè)像素劣化信息。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明的實施方式中，為了便于示出和描述，在圖13B的表等中所表示的值為簡化值，而實際測量值被忽略。在圖1 的列421中，示出了基于測量時段(I)Tl內(nèi)的亮度測量結(jié)果而生成并且在測量時段(1) Tl被保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部420中的虛設(shè)像素劣化信息。類似地， 在另一列422中示出在測量時段內(nèi)保持的虛設(shè)像素劣化信息，并且在又一列423中示出在測量時段(3)Τ3內(nèi)保持的虛設(shè)像素劣化信息。同時，在圖13Β的行424中，示出了基于虛設(shè)像素電路(其被驅(qū)動以基于灰度值 “100”的發(fā)光信號來發(fā)光)亮度測量結(jié)果而生成的虛設(shè)像素劣化信息。類似地，在另一行 425中示出了基于虛設(shè)像素電路(其被驅(qū)動以基于灰度值“150”的發(fā)光信號來發(fā)光)亮度測量結(jié)果而生成的虛設(shè)像素劣化信息。此外，在又一行426中示出了虛設(shè)像素電路(其基于被驅(qū)動以基于灰度值“200”的發(fā)光信號來發(fā)光)亮度測量結(jié)果而生成的虛設(shè)像素劣化信肩、ο盡管圖1 示出了在測量時段C3)T3結(jié)束時的虛設(shè)像素劣化信息，但是當(dāng)此后的第四次測量時段(未示出)結(jié)束時，針對每個虛設(shè)像素電路保持基于此測量時段內(nèi)的亮度的虛設(shè)像素劣化信息。如圖1 所示，就各個測量時段而言，針對各個虛設(shè)像素電路所生成的虛設(shè)像素劣化信息被依次保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部420中。圖13C示出了示意性示出在圖13A的測量時段(3) T3結(jié)束時被保持在溫度信息獲取部430中的溫度信息實例的表格。參照圖13C，在列431中，示出了在圖13A的測量時段(I)Tl內(nèi)由溫度傳感器141 所檢測并且在測量時段(I)Tl內(nèi)被保持在溫度信息獲取部430中的溫度信息(20°C )。類似地，在另一列432中，示出了在測量時段內(nèi)所保持的溫度信息(40°C )，而在又一列 433中，示出在測量時段(3)T3內(nèi)所保持的溫度信息(30°C )。盡管圖13C示出了在測量時段(3)T3結(jié)束時的溫度信息，但是當(dāng)此后的第四次測量時段(未示出)結(jié)束時，表示這個測量時段內(nèi)所檢測溫度的溫度信息被保持在溫度信息獲取部430中。如圖13C所示，就各個測量時段而言，針對各個測量時段的溫度信息被依次保持在溫度信息獲取部430中。溫度條件轉(zhuǎn)換和劣化特性生成的實例圖14Α和圖14Β分別為示出在本發(fā)明第一實施方式中通過溫度條件轉(zhuǎn)換部440進行的溫度條件轉(zhuǎn)換的實例和通過劣化特性生成部460進行的劣化特性生成的實例。圖14Α示出了示意性示出通過溫度條件轉(zhuǎn)換部440的溫度條件轉(zhuǎn)換實例的曲線圖。應(yīng)當(dāng)注意，在圖14Α和圖14Β中，假定了在虛設(shè)像素電路的溫度為30°C的情況下生成劣化特性。在圖14A的示圖中，縱軸指示虛設(shè)像素電路的劣化量，而橫軸指示劣化所需的時間。在曲線圖中，由實曲線來表示通過圖13A中示出的所測量的劣化特性的溫度條件轉(zhuǎn)換而獲得的轉(zhuǎn)換特性441至449。此外，通過虛曲線表示在圖13A中所示的測量劣化特性411 至 413。應(yīng)當(dāng)注意，在曲線圖中所示出的計算時段(I)Tll內(nèi)，示出了獲取與圖13A中測量時段⑴Tl內(nèi)的特性類似的劣化所需的時間長度(即，計算時段信息)。換句話說，計算時段(I)Tll表示在“30°C”下轉(zhuǎn)換特性441至443的劣化所需的時間長度。類似地，在另一個計算時段中，示出了獲取與測量時段內(nèi)的特性類似的劣化所需的時間長度， 并且在又一計算時段(3)Τ13中，示出了獲取與測量時段(3)Τ3內(nèi)的特性類似的劣化所需的時間長度。轉(zhuǎn)換特性441至443是表示在圖13Α中所示的測量劣化特性411至413的測量時段⑴Tl內(nèi)的溫度條件轉(zhuǎn)換結(jié)果的曲線。通過將在測量時段⑴Tl內(nèi)的測量劣化特性411 至413的溫度條件從“20°C ”轉(zhuǎn)換至“30°C ”來生成轉(zhuǎn)換特性441至443。因為劣化在“30°C ” 比在“20°C”時進行更快，所以轉(zhuǎn)換特性441至443中的每一個的斜率大于在測量時段(1) Tl內(nèi)的測量劣化特性411至413中的每一個的斜率。此外，由于測量時的溫度為“20°C”， 所以計算時段(I)Tll比測量時段(I)Tl更短。轉(zhuǎn)換特性444至446是表示在圖13A中所示的測量劣化特性411至413在測量時段內(nèi)的溫度條件轉(zhuǎn)換結(jié)果的曲線。通過將在測量時段內(nèi)的測量劣化特性411 至413的溫度條件從“40°C ”轉(zhuǎn)換至“30°C ”來生成轉(zhuǎn)換特性444至446。因為劣化在“30°C ” 比在“40°C”時進行更慢，所以轉(zhuǎn)換特性444至446中的每一個的斜率小于在測量時段(2) T2內(nèi)的測量劣化特性411至413中的每一個的斜率。此外，由于測量時的溫度為“40°C”， 所以計算時段比測量時段(2)Τ2更長。轉(zhuǎn)換特性447至449是表示在圖13Α中所示的測量劣化特性411至413在測量時段(3)Τ3內(nèi)的溫度條件轉(zhuǎn)換結(jié)果的曲線。因為在測量時段(3)Τ3內(nèi)的測量劣化特性411至 413的溫度條件為“30°C”，所以轉(zhuǎn)換特性447至449與測量時段(3)T3內(nèi)的測量劣化特性 411至413相同。而且，計算時段(3)Τ13的長度與測量時段(3)Τ3相同。由此，為了在預(yù)定溫度下生成劣化特性，由溫度條件轉(zhuǎn)換部440生成計算時段信肩、ο圖14Β示出了示意性示出通過劣化特性生成部460的劣化特性生成的實例的曲線圖。在圖14Β中，假定了基于圖14Α中所示的信息生成劣化特性。在圖14Β的曲線圖中，縱軸表示虛設(shè)像素電路的劣化量，而橫軸表示劣化所需時間。在曲線圖中，通過實曲線表示通過連接圖14Α中所示的轉(zhuǎn)換特性441至449而形成的計算特性妨4至456。此外，通過虛曲線表示由劣化特性生成部460所生成的劣化特性464 至 466。通過將基于測量劣化特性(灰度值100)411(參照圖13A)所生成轉(zhuǎn)換特性441、 444、及447(參照圖14A)彼此連接來計算該計算特性(灰度值100)454。計算特性(灰度值100)4 是直至在溫度被固定在“30°C”的條件下獲取了劣化量等于測量劣化特性(灰度值100)411的量(即，在圖13B的行4 和列423中所示出的劣化量)的劣化為止的特性。例如，通過設(shè)置由虛設(shè)像素電路(由計算時段信息指示的時段間隔下用灰度值“100” 進行驅(qū)動以發(fā)光)的虛設(shè)像素劣化信息所指示的劣化量并隨后執(zhí)行匹配(fitting)來生成計算特性(灰度值100)454。
通過將基于測量劣化特性(灰度值150)412(參照圖13A)所生成轉(zhuǎn)換特性442、 445、及448(參照圖14A)進行連接來計算該計算特性(灰度值150)455。通過將測量劣化特性(灰度值200) 413 (參照圖13A)所生成轉(zhuǎn)換特性443、446、及 449(參照圖14A)進行連接來計算該計算特性(灰度值200)456。應(yīng)當(dāng)注意，除了灰度值分別為“150”和“200”之外，計算特性(灰度值150)455和計算特性(灰度值200) 456類似于計算特性(灰度值100) 454，因此，為避免累述，此處省略它們的詳細描述。由此，劣化特性生成部460首先使用由溫度條件轉(zhuǎn)換部440所生成的轉(zhuǎn)換特性來生成計算特性。然后，劣化特性生成部460使用所生成的計算特性來生成劣化特性。根據(jù)計算特性(灰度值100) 454來計算劣化特性(灰度值100) 464。例如，通過使用計算特性(灰度值100)4 生成近似曲線來生成劣化特性(灰度值100)464。根據(jù)計算特性(灰度值150) 455來計算劣化特性(灰度值150) 465。根據(jù)計算特性(灰度值200) 456來計算劣化特性(灰度值200) 466。應(yīng)當(dāng)注意，除了灰度值分別為“150”和“200”之外，劣化特性(灰度值150)465和劣化特性(灰度值200) 466類似于劣化特性(灰度值100) 464，因此，為了避免累述，此處省略它們的詳細描述。多個溫度下劣化特性的實例圖15A至圖15C示意性示出本發(fā)明第一實施方式中由劣化特性生成部460生成在不同溫度下的劣化特性的實例。在圖15A至圖15C中，劣化特性生成部460生成在溫度條件“20°C ”、"300C ”、及“40°C ”下的劣化特性，并且劣化特性保持部470保持所生成的劣化特性。在圖15A至圖15C中，縱軸表示虛設(shè)像素電路的劣化量，而橫軸表示劣化所需時間， 并且分別示出三條曲線(“20°C”、“30°C”、及“40°C”)。圖15A示出了示意性示出在溫度條件為“20°C”的情況下的劣化特性的曲線。在該曲線中，由實曲線(即，由計算特性451至453)表示在測量劣化特性411至413的測量時段內(nèi)的劣化溫度條件為“20°C”的情況下所生成計算特性。此外，由虛曲線表示根據(jù)計算特性451至453所計算的劣化特性，即，劣化特性461至463。應(yīng)當(dāng)注意，除了溫度條件為“20°C ”之外，計算特性451至453類似于上文中參照圖14B所述的計算特性妨4至456，因此，為了避免累述，此處省略它們的重復(fù)描述。此外， 除了溫度條件為“20°C”之外，劣化特性461至463類似于上文中參照圖14B所述的劣化特性464至466，因此，為了避免累述，此處省略它們的重復(fù)描述。在圖15A中，示出了表示計算特性451至453的劣化量的劣化量Dl至D3。應(yīng)當(dāng)注意，因為在測量時段C3)T3結(jié)束時計算特性451至453的劣化量和測量劣化特性411至 413的劣化量彼此相等，所以在圖15A至圖15C中劣化量Dl至D3表示相等的劣化量。此外，在圖15A中，時段T21被示出為在“20°C”的溫度條件下劣化達到劣化量Dl 至D3所需的時段。應(yīng)當(dāng)注意，這個時段T21為用被設(shè)定為“20°C”的溫度條件所計算的計算時段的總和。圖15A中所示的劣化特性461至463作為在“20°C”的溫度條件下用于計算像素電路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。圖15B示出了示意性示出在溫度條件為“30°C”的情況下的劣化特性的曲線圖。圖15B所示的曲線圖與圖14B所示的曲線圖相同。此外，在圖15B中，時段T22被示出為在“30°C”的溫度條件下劣化達到劣化量Dl至D3所需的時段。應(yīng)當(dāng)注意，由于溫度條件 "300C，，下的劣化速度高于溫度條件“20°C，，下的劣化速度，所以時段T22短于時段T21。圖15B中所示的劣化特性464至466作為在“30°C”的溫度條件下用于計算像素電路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。圖15C示出了示意性示出在溫度條件為“40°C”的情況下的劣化特性的曲線圖。除了溫度條件為“40°C ”之外，圖15C中所示的計算特性457至459和劣化特性467至469分別類似于上文中參照圖15A和圖15B所述的計算特性和劣化特性。因此，為了避免累述，此處省略對它們的重復(fù)描述。此外，在圖15C中，時段T23被示出為在“40°C”的溫度條件下劣化達到劣化量Dl至D3所需的時段。應(yīng)當(dāng)注意，因為溫度條件“40°C”下的劣化速度高于溫度條件“30°C”下的劣化速度，所以時段T23短于時段T22。圖15C中所示的劣化特性467至469作為在“40°C”的溫度條件下用于計算像素電路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。由此，基于通過由劣化特性生成部460的溫度條件轉(zhuǎn)換所生成的多個計算特性來生成多個溫度條件下的劣化特性。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在本發(fā)明第一實施方式的描述中，描述了在三個灰度值(“100”、 “150”、及“200”)和三個溫度條件(“20°C”、“3(TC”、&“4(rC”)下的劣化特性，但是本發(fā)明不限于此。例如，可能的方法是通過關(guān)于更多溫度條件和/或灰度值生成劣化特性從而改進每個像素電路的亮度劣化信息的生成中的精度。此外，盡管在本發(fā)明第一實施方式中劣化特性保持部470保持劣化特性，但是表示所生成的劣化特性的表達式實際上可以被保持在劣化特性保持部470中。亮度劣化信息的生成實例參照圖16來描述使用上文中參照圖15A至圖15C所述的劣化特性461至469的
亮度劣化信息的更新實例。圖16示出了本發(fā)明第一實施方式中通過亮度劣化信息更新部221的亮度劣化信息的生成實例的原理。應(yīng)當(dāng)注意，在圖16中，假定了亮度劣化信息的更新被執(zhí)行5次。此外，假定了以一分鐘的間隔來執(zhí)行亮度劣化信息的更新。假定了在由圖16中的亮度劣化信息所表示的像素電路的第一個一分鐘內(nèi)的光發(fā)射取決于在溫度為“30°C”的環(huán)境中灰度值為“150”的發(fā)光信號。此外，假定了第二次光發(fā)射取決于在溫度為“30°C”的環(huán)境中灰度值為“200”的發(fā)光信號。此外，假定了第三次光發(fā)射取決于在溫度為“40°C”的環(huán)境中灰度值為“150”的發(fā)光信號。此外，假定了第四次光發(fā)射取決于在溫度為“20°C”的環(huán)境中灰度值為“200”的發(fā)光信號。此外，假定了第五次光發(fā)射取決于在溫度為“40°C”的環(huán)境中灰度值為“200”的發(fā)光信號。在圖16中，縱軸表示像素電路的劣化量，橫軸表示劣化所需的時間，并且示出三個曲線圖，即，劣化特性471至473。在劣化特性(20°C )471上，由虛曲線表示圖15A中所示的劣化特性461至463。此外，在劣化特性(20°C )471上，用于計算在亮度劣化信息的第四次更新時待被加上的劣化量的時段被表示為劣化量D34。此外，由實曲線表示對應(yīng)于劣化量D34的劣化特性463的間
26隔。在劣化特性(30°C )472上，由虛曲線表示圖15B中所示的劣化特性464至466。在劣化特性(30°C )472上，用于計算在亮度劣化信息的第一和第二次更新時待被加上的劣化量的時段被表示為劣化時段(1)T31和劣化時段Q)T32。此外，在劣化特性(30°C)472上， 在亮度劣化信息的第一和第二次更新時待被加上的新劣化量被表示為劣化量D31和D32。 此外，由實曲線表示對應(yīng)于劣化量D32的劣化特性466的間隔和對應(yīng)于劣化量D31的劣化特性465的間隔。在劣化特性(40°C )473上，由虛曲線表示圖15C中所示的劣化特性467至469。在劣化特性(40°C )473上，用于計算在亮度劣化信息的第三和第五次更新時待被相加的劣化量的時間段被表示為劣化時段(3)T33和劣化時段(5)Τ35。此外，在劣化特性(40°C )473 上，在亮度劣化信息的第三和第五次更新時待被相加的新劣化量被表示為劣化量D33和 D35。此外，由實曲線表示對應(yīng)于劣化量D33的劣化特性468的間隔和對應(yīng)于劣化量D35的劣化特性469的間隔。此處，使用第一、第二、及第三次更新簡單描述通過亮度劣化信息更新部221的亮度劣化信息的更新。首先，在第一次更新中，亮度劣化信息更新部221根據(jù)其灰度值為“150”的發(fā)光信號、表示為“30°C，，的溫度信息、劣化特性465及亮度劣化信息(表示沒有劣化)來計算劣化量D31。然后，關(guān)于劣化量D31的信息作為亮度劣化信息被保持在亮度劣化信息保持部 222 中。然后，在第二次更新中，亮度劣化信息更新部221根據(jù)其灰度值為“200”的發(fā)光信號、表示為“30°C”的溫度信息、劣化特性466及亮度劣化信息(表示劣化量D31的信息) 來計算劣化量D32。然后，亮度劣化信息更新部221使亮度劣化信息保持部222保持通過將劣化量D32與作為表示劣化量D31的信息的亮度劣化信息相加所獲取的新亮度劣化信息， 即，表示劣化量D31+D32的信息。之后，在第三次更新中，亮度劣化信息更新部221根據(jù)其灰度值為“150”的發(fā)光信號、表示為“40°C，，的溫度信息、劣化特性468及為劣化量D31+D32的亮度劣化信息來計算劣化量D33。然后，亮度劣化信息更新部221使亮度劣化信息保持部222保持通過將劣化量 D33與作為表示劣化量D31和D32的信息的亮度劣化信息相加所獲取的新亮度劣化信息， 即，表示劣化量D31+D32+D33的信息。由此，亮度劣化信息更新部221將每個劣化時段的劣化量相加，以生成亮度劣化
fn息ο應(yīng)當(dāng)注意，盡管在圖16中劣化特性461至469被用于生成亮度劣化信息，但是可能的方法是通過使用關(guān)于更多溫度條件或灰度值的劣化特性來改進亮度劣化信息的精度或準(zhǔn)確度。亮度劣化校正模式的生成實例圖17示出了本發(fā)明第一實施方式中通過亮度劣化校正值計算部233的亮度劣化校正模式的生成實例。具體地，圖17示意性示出了直至基于在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息生成了亮度劣化校正模式保持部234的亮度劣化校正模式為止的操作流程。此處，應(yīng)當(dāng)注意，為了便于示出和描述，在顯示裝置100中所提供的像素電路通
27過參考符號1至t來識別。此外，在圖17中，亮度劣化信息是通過在溫度條件“30°C”下將亮度劣化量轉(zhuǎn)換為以灰度值“ 100”發(fā)光的時段而獲得的值。亮度劣化信息(n-1) 260被保持在亮度劣化信息保持部222中。在圖17中所示出的實例中，作為亮度劣化信息示出了基于第n-1次(η為大于等于2的整數(shù))一分鐘的顯示的被保持在亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息。亮度劣化信息(n-1)被用于生成用于校正第η個一分鐘顯示的亮度劣化校正模式(η) 270。在亮度劣化信息(η_1)260左側(cè)的列(像素號沈1)中，示出了作為構(gòu)成屏幕的像素電路的編號的像素號“l(fā)”、“2”、“i”及 “t”。此外，在亮度劣化信息(11-1)260右側(cè)的列(劣化信息沈2)中，示出了關(guān)于該像素號的像素電路的亮度劣化信息(劣化信息)。此處，假定了對應(yīng)于像素號261“i”的像素電路經(jīng)受相對較大的劣化，而對應(yīng)于像素號261 “1”、“2”、及“t”的像素電路經(jīng)受相對較小的劣化。例如，假定了將“160”小時作為對應(yīng)于像素號“i”的亮度劣化信息來保持，而將 “100”小時作為對應(yīng)于像素號“1”、“2”及“t”的亮度劣化信息來保持。此外，在亮度劣化信息(n-1) 260中所保持的劣化信息262 (虛線沈3中指示)由亮度劣化信息更新部221來更新，并且被目標(biāo)亮度特性信息生成部232所獲取。在如上所述的這個亮度劣化信息(n-1) 260被保持在亮度劣化信息保持部222中的情況下，亮度劣化校正模式生成塊230執(zhí)行亮度劣化校正模式的第η次更新。此處，作為實例，描述了將像素號“1”的目標(biāo)亮度特性信息提供至亮度劣化校正值計算部233的處理。首先，目標(biāo)亮度特性信息生成部232獲取像素號“1”的劣化信息沈2的“100”小時，并且使用劣化特性來計算像素電路的劣化量。隨后，目標(biāo)亮度特性信息生成部232根據(jù)所計算的劣化量來生成亮度特性信息(此處，被表示為“h” )，并且將所生成的亮度特性信息“h”作為目標(biāo)亮度特性信息提供至亮度劣化校正值計算部233。此后，亮度劣化校正值計算部233基于參考亮度特性信息和目標(biāo)亮度特性信息生成每個像素電路的亮度劣化校正值。例如，在從參考亮度特性信息供給部231提供“g”作為參考亮度特性信息的情況下，生成“h/g”作為亮度劣化校正值。應(yīng)當(dāng)注意，下文中，參照圖18A和圖18B詳細描述亮度劣化校正值?，F(xiàn)在，描述由亮度劣化校正值計算部233所生成的根據(jù)各個像素電路的亮度劣化校正值所構(gòu)建的亮度劣化校正模式。亮度劣化校正模式(η) 270示意性地指示由亮度劣化校正值計算部233所生成的亮度劣化校正模式。在圖17所示的實例中，示意性地示出了在根據(jù)構(gòu)成顯示屏幕的像素的排列來設(shè)置由亮度劣化校正值計算部233生成的各個像素的亮度劣化校正模式的情況下的亮度劣化校正模式。具體地，亮度劣化校正模式(η) 270是根據(jù)基于亮度劣化信息(n-1) 生成的亮度劣化校正值而構(gòu)成的校正模式實例。此外，亮度劣化校正模式(η) 270被第η次更新，并且用于校正關(guān)于要在第η個一分鐘內(nèi)顯示的每個幀的圖像信號。在亮度劣化校正模式(η) 270中的亮度劣化校正值Cl被用于校正對應(yīng)于關(guān)于亮度劣化信息(η-1)260描述的像素號沈1“1”的像素電路。此外，在亮度劣化校正模式(η) 270中的亮度劣化校正值Cl的位置對應(yīng)于與在顯示屏幕上的像素號沈1“1”對應(yīng)的像素電路的位置。而且，亮度劣化校正值C2、Ci及Ct分別用于校正待被提供至與亮度劣化信息(n-1) 260 中的像素號2、i、及t對應(yīng)的像素電路的圖像信號。此外，亮度劣化校正模式(η) 270上的亮度劣化校正值C2、Ci及Ct的位置與顯示屏幕上對應(yīng)于像素號“2”、“i”、及“t”的像素電路的位置對應(yīng)。此外，亮度劣化校正模式(η) 270中的像素區(qū)271至274表示設(shè)置了使像素區(qū)271 至274中的圖像信號的灰度值高于其它像素電路的亮度劣化校正值的區(qū)域。此外，像素區(qū) 271至274中的像素電路之外的像素電路表示其中設(shè)置了使圖像信號的灰度值略高的亮度劣化校正值的區(qū)域。換句話說，像素區(qū)271至274是其中設(shè)置了與經(jīng)受大量劣化的那些像素有關(guān)的亮度劣化校正值的區(qū)域，而像素區(qū)271至274中的像素電路之外的像素電路是其中設(shè)置了與僅經(jīng)受一點劣化的那些像素電路有關(guān)的亮度劣化校正值的區(qū)域。以這種方式，生成了用于響應(yīng)于每個像素電路的亮度劣化度來改變待被像素電路顯示的圖像信號的灰度值的亮度劣化校正值。然后，由于關(guān)于所有像素電路生成了這樣的亮度劣化校正值，所以能夠適當(dāng)執(zhí)行構(gòu)成顯示屏幕的像素電路的校正。像素電路亮度劣化的校正實例圖18Α和圖18Β分別示出了在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下像素電路的亮度劣化的校正實例和在本發(fā)明的第一實施方式中的像素電路的亮度劣化的校正實例。圖18Α示出了示意性示出在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下像素電路的亮度劣化的校正實例的示圖。在圖18Α中，假定了亮度劣化特性供給塊400生成了劣化特性，而溫度條件轉(zhuǎn)換部440沒有生成轉(zhuǎn)換特性。換句話說，在圖18Α中，圖13Α中所示的測量劣化特性411至413的匹配結(jié)果本身作為劣化特性被提供至亮度劣化信息更新部221。 此外，在圖18Α中，基于這個不準(zhǔn)確的劣化特性提供了不準(zhǔn)確的亮度劣化信息。然后，假定了基于不準(zhǔn)確的亮度劣化信息生成了不準(zhǔn)確的亮度劣化校正值。在圖18Α中，橫軸表示被輸入至重影校正部200的圖像信號的灰度值，即，輸入灰度值，而縱軸表示來自像素電路的發(fā)光亮度值，即，亮度值。因此，圖18Α指示兩個曲線圖， 即，校正前亮度曲線圖281和校正后亮度曲線圖觀2。校正前亮度特性曲線圖(有誤差)281示出了在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下像素電路亮度劣化的校正實例。校正前亮度特性曲線圖(有誤差)281示出了參考亮度特性觀5、校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286、及校正目標(biāo)亮度特性(實際)287。參考亮度特性285是表示在作為校正參考的初始狀態(tài)中像素電路的亮度特性的曲線。應(yīng)當(dāng)注意，圖18A和圖18B中示出了相同的參考亮度特性觀5，因此，為了避免累述， 此處省略對參考亮度特性觀5的重復(fù)描述。校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286是校正目標(biāo)的像素電路的亮度特性，并且是表示基于由于沒有涉及每個溫度的劣化特性所以不準(zhǔn)確的亮度劣化信息的亮度特性的曲線。換句話說，校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286指示待被用于由重影校正部200進行校正的目標(biāo)亮度特性信息所指示的亮度特性。此外，校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286的曲線具有比參考亮度特性285的斜率更平緩的斜率。因為像素電路發(fā)生劣化，主要因為發(fā)生了發(fā)光元件640的驅(qū)動電流向亮度轉(zhuǎn)換的效率的劣化，所以發(fā)生這種斜率的變化。校正目標(biāo)亮度特性(實際)287表示校正目標(biāo)的像素電路的實際亮度特性。應(yīng)當(dāng)注意，如果用于由重影校正部200進行校正的目標(biāo)亮度特性信息的精度很高，則由目標(biāo)亮度特性信息所表示的亮度特性(即，校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286)變得接近校正目標(biāo)亮度特性(實際)287。如通過圖18A的校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286所表示的一樣，亮度劣化校正值基于這個亮度特性來計算，并且執(zhí)行圖像信號灰度值的改變。具體地，改變了待被提供至像素電路的圖像信號的灰度值，使得關(guān)于輸入灰度值的發(fā)光亮度變得類似于參考亮度特性 285的發(fā)光亮度。此處，描述亮度特性和校正方法。首先，描述亮度特性。例如，通過如下面表達式3所給出的二次函數(shù)來表示這個亮度特性L = AXS2 ...表達式 3其中，L是亮度值，A是系數(shù)，即，效率系數(shù)，其依賴于流過發(fā)光元件640的電流向亮度的轉(zhuǎn)換效率。 此外，在上面的表達式3中，S是對應(yīng)于驅(qū)動晶體管620的柵源極電壓的值，并且S2 是使用驅(qū)動晶體管620的平方特性所計算的值，并且對應(yīng)于待被提供至發(fā)光元件640的驅(qū)動電流。由此，通過將發(fā)光元件640的驅(qū)動電流S2與轉(zhuǎn)換效率A相乘，能夠計算亮度值L?，F(xiàn)在，描述重影校正部200的校正方法。重影校正部200根據(jù)下面的表達式4改變圖像信號的灰度Sout = (ΔΑ)XSin . · ·表達式 4ΔΑ = Ad/A...表達式 5其中，S。ut是由重影校正部200所校正的圖像信號的校正灰度值，并且Sin是由重影校正部200的校正前的圖像信號的灰度值。同時，ΔΑ為表示轉(zhuǎn)換效率比率的分數(shù)形式的值(即，亮度劣化校正值)，其中，校正目標(biāo)像素電路的效率系數(shù)(Ad)是分子，而初始狀態(tài)中的像素電路的效率系數(shù)㈧是分母。應(yīng)當(dāng)注意，校正目標(biāo)像素電路的效率系數(shù)(Ad)是待被從目標(biāo)亮度特性信息生成部232提供的目標(biāo)亮度特性信息的實例(參照圖11)。此外，初始狀態(tài)下像素電路的效率系數(shù)(A)是由參考亮度特性信息供給部231所提供的參考亮度特性信息的實例(參考圖11)。為了根據(jù)表達式4來改變圖像信號的灰度值，重影校正部200保持關(guān)于各個像素電路的劣化的信息，即，亮度劣化信息，并且根據(jù)劣化信息來計算每個像素電路的效率系數(shù)。隨后，重影校正部200計算亮度劣化校正值Δ A，并且基于所計算的亮度劣化校正值ΔΑ 來改變圖像信號的灰度，從而生成圖像信號的灰度的校正值，即，校正灰度值。校正后亮度特性圖(有誤差)282示出了在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下像素電路的亮度劣化的校正結(jié)果的實例。校正后亮度特性圖282表示參考亮度特性285 以及校正后亮度特性(實際)288。校正后亮度特性(實際)288表示在基于校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286執(zhí)行校正的情況下校正目標(biāo)的像素電路的校正結(jié)果。校正后亮度特性(實際)288的曲線斜率與參考亮度特性觀5的曲線斜率相比稍緩。由于根據(jù)關(guān)于校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286 的亮度特性信息所生成亮度劣化校正值的事實，引起斜率的差異。具體地，由于校正目標(biāo)亮度特性(有誤差)286的亮度特性與校正目標(biāo)的像素電路的實際亮度特性彼此不同，所以校正后的亮度特性與參考亮度特性285偏離了對應(yīng)于這個誤差的量。由此，在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下，由于亮度劣化信息變得不準(zhǔn)確，
30所以像素電路的亮度劣化校正變得不準(zhǔn)確。圖18B示出了示意性示出本發(fā)明第一實施方式中像素電路的亮度劣化的校正實例。在圖18B中，橫軸表示輸入灰度值，縱軸表示亮度值，并且示出了包括校正前亮度特性圖283和校正后亮度特性圖觀4的兩個曲線圖。校正前亮度特性圖(無誤差)283為示出了通過本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的像素電路亮度劣化的校正實例的曲線圖。校正前亮度特性圖(無誤差)283示出了參考亮度特性285和校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289 0校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289是校正目標(biāo)像素電路的亮度特性，并且是表示基于使用每個溫度的劣化特性準(zhǔn)確(即，具有高精度)生成的亮度劣化信息的亮度特性的曲線。具體地，校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289表示待被用于由重影校正部200進行校正的目標(biāo)亮度特性信息所表示的亮度特性。此外，在圖18B中，假定了校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289類似于上文中參照圖18A描述的校正目標(biāo)亮度特性(實際)287。在參照圖18B的上述本發(fā)明的第一實施方式中，基于由校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289所表示的這種準(zhǔn)確的亮度特性來計算亮度劣化校正值，并且執(zhí)行圖像信號灰度值的改變。校正后亮度特性圖(無誤差)284示出了在使用了每個溫度的劣化特性的情況下像素電路亮度劣化的校正結(jié)果的實例。校正后亮度特性圖(無誤差)284表示，如果基于校正目標(biāo)亮度特性(無誤差)289校正圖像信號，則關(guān)于劣化像素電路中的輸入值的亮度值變得類似于參考亮度特性觀5。由此，能夠由重影校正部200使用每個溫度的劣化特性以高精度來計算每個像素電路的劣化亮度特性。然后，能夠由重影校正部200使用以高精度計算的亮度特性來準(zhǔn)確執(zhí)行校正。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在上述本發(fā)明第一實施方式的描述中，未經(jīng)劣化的在初始狀態(tài)中的像素電路的亮度的實例用作校正的參考，但是本發(fā)明不限于此。例如，經(jīng)受最大劣化的像素電路的亮度可備選地用作校正的參考。校正后的顯示實例圖19A和圖19B示出了通過本發(fā)明第一實施方式圖像信號校正效果的原理。具體地，圖19A示出了在如上文中參照圖18A所述的沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下的校正效果，圖19B示出了如上文中參照圖18B所述的通過本發(fā)明第一實施方式的校正效果。此處，假定了符號“AB⑶”的重影出現(xiàn)在顯示裝置100的顯示屏幕上。圖19A示出了在沒有生成每個溫度的劣化特性的情況下顯示屏幕圖像的比較實例。假定了使用高亮度圖像信號使顯示屏幕以均勻亮度發(fā)光。顯示屏幕圖像291表示在提供了未處于被校正狀態(tài)的圖像信號的情況下的顯示圖像的實例。同時，重影顯示區(qū)292是相應(yīng)于顯示屏幕圖像上經(jīng)受重影的那些像素 (即，關(guān)于劣化度很高的那些像素電路)的區(qū)域。在圖19A中，符號“AB⑶”在重影顯示區(qū) 292中被表示為灰色。同時，顯示屏幕圖像的除重影顯示區(qū)292之外的區(qū)域(即，由空白所表示的顯示屏幕圖像的區(qū)域)對應(yīng)于幾乎沒經(jīng)受劣化的那些像素電路。在圖像信號未被校正的情況下，由于劣化像素電路的灰度以這種方式降低，所以在重影顯示區(qū)292 中顯示符號“AB⑶”。
顯示屏幕圖像293表示在提供了經(jīng)校正的圖像信號的情況下的顯示實例。重影顯示區(qū)294表示對應(yīng)于重影顯示區(qū)四2的顯示屏幕圖像的區(qū)域。在這個重影顯示區(qū)294 中，由于如圖19A所示圖像信號沒有被準(zhǔn)確校正，所以符號“AB⑶”盡管亮度低于顯示屏幕圖像的除重影顯示區(qū)292之外的其它區(qū)域，但是以比校正前的亮度更高的亮度進行顯示。應(yīng)當(dāng)注意，來自顯示屏幕圖像四3的那些幾乎沒有經(jīng)受劣化的像素電路的發(fā)光亮度也被校正，從而盡管其低于顯示屏幕圖像291的除重影顯示區(qū)292之外的其它區(qū)域，但是比校正前更高。圖19B示出了在本發(fā)明第一實施方式中的校正后的顯示圖像的比較實例。顯示屏幕圖像295表示在提供了未處于校正狀態(tài)的圖像信號的情況下的顯示圖像的實例。同時，重影顯示區(qū)296表示對應(yīng)于顯示屏幕圖像四5中經(jīng)受重影的那些像素電路(即，關(guān)于劣化度很高的那些像素電路)的區(qū)域。在圖19B中，符號“AB⑶”在重影顯示區(qū)四6中以灰色進行顯示。同時，顯示屏幕圖像四5的除重影顯示區(qū)296之外的區(qū)域(即， 由空白所表示的區(qū)域)對應(yīng)于幾乎沒有經(jīng)受劣化的那些像素電路。在圖像信號未被校正的情況下，由于劣化像素電路的亮度以這樣的方式降低，所以符號“AB⑶”與圖19A類似地被顯示在重影顯示區(qū)四6中。顯示屏幕圖像四7表示在提供了校正圖像信號的情況下的顯示圖像的實例。同時，重影顯示區(qū)298對應(yīng)于顯示屏幕圖像四5的重影顯示區(qū)四6。在這個重影顯示區(qū)298 中，因為圖像信號被準(zhǔn)確校正并且來自劣化像素電路的發(fā)光亮度變得等于幾乎沒有經(jīng)受劣化的那些像素電路的發(fā)光亮度，所以未顯示符號“AB⑶”。應(yīng)當(dāng)注意，來自顯示屏幕圖像四7 的幾乎沒有經(jīng)受劣化的像素電路的發(fā)光亮度也被校正，從而等于像素電路在其初始狀態(tài)中的亮度。由于以高精度校正了由劣化像素電路的發(fā)射的光的亮度，從而等于來自中初始狀態(tài)中的像素電路的發(fā)射光亮度，所以能夠以高精度消除重影。重影校正部的操作實例現(xiàn)在，參照附圖描述本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的操作。圖20示出了通過本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的亮度劣化特性供給塊400的劣化特性的生成處理過程的實例。具體而言，圖20示出了在一個測量時段內(nèi)(諸如，在圖13A的測量時段(3)T3內(nèi))獲取虛設(shè)像素亮度信息后直至使用該虛設(shè)像素亮度信息生成了劣化特性為止的處理過程的實例。參照圖20，在步驟S911中，通過溫度傳感器141所生成的溫度信息被溫度信息獲取部430所獲取并被保持在其中。隨后，在步驟912中，由亮度傳感器312所生成的虛設(shè)像素的亮度信息(即，虛設(shè)像素電路信息)被虛設(shè)像素劣化信息生成部410所獲取。然后，在步驟S913中，基于所獲取的虛設(shè)像素亮度信息，由虛設(shè)像素劣化信息生成部410生成虛設(shè)像素的劣化信息(S卩，虛設(shè)像素劣化信息)。此后，在步驟914中，所生成的虛設(shè)像素劣化信息被保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部420中。此后，在步驟S915中，判定是否保持了關(guān)于所有虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。隨后，如果判定出還沒有保持關(guān)于所有虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息，則處理返回步驟S912，使得關(guān)于還沒有被保持的虛設(shè)像素劣化信息的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息的生成處理被執(zhí)行。另一方面，如果在步驟S915中判定出保持了關(guān)于所有虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息，則在步驟S916中，由溫度條件轉(zhuǎn)換部440基于溫度信息和虛設(shè)像素劣化信息執(zhí)行虛設(shè)像素劣化信息的溫度條件的轉(zhuǎn)換。在步驟S916中，生成計算時段信息。然后，在步驟S917中，由劣化特性生成部460基于虛設(shè)像素劣化信息和計算時段信息來生成劣化特性。然后，在步驟S918中，劣化特性保持部470保持所生成的劣化特性。此后，在步驟S919中，判定是否生成了所有劣化特性生成目標(biāo)的溫度和亮度值的劣化特性。隨后，如果判定出還沒有生成所有溫度和亮度值的劣化特性，則處理返回步驟 S916，使得執(zhí)行還沒有被生成的劣化特性的生成處理。另一方面，如果在步驟S919中判定出已生成了所有溫度和亮度值的劣化特性，則由亮度劣化特性供給塊400進行劣化特性生成處理結(jié)束。圖21是示出了由本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的亮度劣化信息積分塊220進行的亮度劣化信息的更新處理過程的實例的流程圖。首先，在步驟S921中，亮度劣化信息更新部221獲取了由亮度劣化特性供給塊400 所生成的劣化特性。然后，在步驟S922中，亮度劣化信息更新部221獲取了由溫度傳感器 141生成的溫度信息。然后在步驟S923中，將被亮度劣化校正運算塊240所校正的圖像信號輸入至亮度劣化信息更新部221。此后，在步驟S9M中，由亮度劣化信息更新部221基于圖像信號、溫度信息、及劣化特性來生成亮度劣化信息。之后，在步驟S925中，用由亮度劣化信息更新部221所生成的亮度劣化信息來更新在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息。具體地，將由亮度劣化信息更新部221生成的亮度劣化信息保持在亮度劣化信息保持部222中以更新亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息。應(yīng)當(dāng)注意，步驟S9M是亮度劣化信息處理程序的實例。此后，在步驟中，判定是否關(guān)于構(gòu)成顯示屏幕的所有像素電路更新了亮度劣化信息。然后，如果判定出還沒有關(guān)于所有像素電路更新亮度劣化信息，則處理返回步驟 S923，使得執(zhí)行關(guān)于亮度劣化信息還沒有被更新的像素電路的亮度劣化信息的更新處理。另一方面，如果在步驟中判定出關(guān)于構(gòu)成顯示屏幕的所有像素電路執(zhí)行了更新，則由亮度劣化信息積分塊220進行的亮度劣化信息更新處理結(jié)束。圖22是示出由本發(fā)明第一實施方式的重影校正部200的亮度劣化校正模式生成塊230進行的亮度劣化校正模式生成處理過程的流程圖。首先，在步驟S931中，由目標(biāo)亮度特性信息生成部232獲取根據(jù)亮度劣化信息計算像素電路的劣化度所需的劣化特性。然后，在步驟S932中，由目標(biāo)亮度特性信息生成部232從被保持在亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息中獲取亮度劣化信息的生成目標(biāo)的像素電路的亮度劣化信息。在獲取亮度劣化信息時，由目標(biāo)亮度特性信息生成部232根據(jù)所獲取的亮度劣化信息來生成目標(biāo)亮度特性信息。之后，在步驟S933中，由亮度劣化校正值計算部233基于參考亮度特性信息和目標(biāo)亮度特性信息來生成亮度劣化校正值。隨后，在步驟S934中，將生成的亮度劣化校正值保持在亮度劣化校正模式保持部234中。應(yīng)當(dāng)注意，步驟S933為亮度劣化值計算處理過程的實例。此后，在步驟S935中，判定是否生成了關(guān)于構(gòu)成顯示屏幕的所有像素電路的亮度
33劣化校正值。隨后，如果判定出還沒有生成關(guān)于所有像素的亮度劣化校正值，則處理返回步驟S932，使得執(zhí)行還沒有被生成的亮度劣化校正值的生成處理。另一方面，如果在步驟S935中判定出生成了關(guān)于構(gòu)成顯示屏幕的所有像素電路的亮度劣化校正值并且亮度劣化校正模式被保持，則由亮度劣化校正模式生成塊230進行的亮度劣化校正模式生成處理結(jié)束。圖23是示出由本發(fā)明第一實施方式中的重影校正部200的亮度劣化校正運算塊 240進行的圖像信號校正處理過程的流程圖。本處理為關(guān)于一個幀的圖像信號的校正處理的實例。首先，在步驟S941中，由亮度劣化校正運算塊240獲取了在亮度劣化校正模式保持部234中所保持的亮度劣化校正模式。然后，在步驟S942中，將圖像信號經(jīng)信號線201被輸入至亮度劣化校正運算塊 2400隨后，在步驟S943中，由亮度劣化校正運算塊240使用亮度劣化校正模式的亮度劣化校正值針對每個像素電路執(zhí)行圖像信號的校正。隨后，在步驟S944中，輸出經(jīng)校正的圖像信號。應(yīng)當(dāng)注意，步驟S943為校正處理過程的實例。此后，在步驟S945中，判定是否校正了構(gòu)成待被顯示的一個幀的所有圖像信號。 隨后，如果判定出還沒有校正關(guān)于所有像素電路的圖像信號，則隨后處理返回步驟S942，使得執(zhí)行還沒有被校正的圖像信號的校正處理。另一方面，如果在步驟S945中校正了關(guān)于構(gòu)成待被顯示的一個幀的所有像素電路的圖像信號，則由亮度劣化校正運算塊240進行的圖像信號校正處理結(jié)束。由此，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式，能夠以高精度改變圖像信號的灰度值，使得來自劣化像素電路的發(fā)光亮度與來自處于其初始狀態(tài)中的像素電路的發(fā)光亮度一致。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在本發(fā)明第一實施方式中，初始狀態(tài)中的像素電路被用作參考，但是也可以使用其中參照劣化像素電路來執(zhí)行重影校正的方法。<2.第二實施方式>在本發(fā)明第一實施方式中，為了計算對于每個溫度的劣化特性，溫度條件轉(zhuǎn)換部 440被用于執(zhí)行溫度條件轉(zhuǎn)換，以生成計算時段信息。溫度條件轉(zhuǎn)換部440使用在取決于預(yù)先所保持溫度的劣化特性上的差異(參照圖8)，基于虛設(shè)像素劣化信息和溫度條件來計算計算時段信息。換句話說，在本發(fā)明第一實施方式中，為了生成每個溫度的劣化特性，需要預(yù)先保持關(guān)于在取決于溫度的劣化特性上的差異的信息。因此，如果關(guān)于劣化特性上的差異的信息關(guān)于實際值具有一些誤差，則存在劣化特性變得不準(zhǔn)確的可能性。因此，可能的方法是使用獲取每個溫度的虛設(shè)像素劣化信息來計算每個溫度的劣化特性而不使用溫度條件轉(zhuǎn)換部440的顯示裝置。在本發(fā)明第二實施方式中，使用僅在預(yù)定溫度下被劣化的虛設(shè)像素電路來獲取每個溫度的虛設(shè)像素劣化信息。顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例圖M是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置100的結(jié)構(gòu)實例的框圖。圖M 中所示的顯示裝置100包括一些與根據(jù)上文中參照圖1所述的本發(fā)明第一實施方式的顯示裝置100相同的組件。下面主要給出關(guān)于根據(jù)第二實施方式的顯示裝置100與第一實施方式的顯示裝置100的差異的描述。
參照圖24，除了虛設(shè)像素陣列部500、虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部M0、及重影校正部545之外，顯示裝置100在結(jié)構(gòu)上與上文中參照圖1描述的顯示裝置100相同。因此，參照圖M描述虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540和重影校正部M5。應(yīng)當(dāng)注意，下文中，參照圖 25描述虛設(shè)像素陣列部500。顯示裝置100包括上文中參照圖1描述的虛設(shè)像素陣列部300的虛設(shè)像素電路數(shù)量更多的虛設(shè)像素電路數(shù)量，因此，作為實例，還包括數(shù)據(jù)線(DTL) 173之外的數(shù)據(jù)線 (DTL)174和 175。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540與上文中參照圖1所述的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部 150類似地生成發(fā)光信號。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540基于經(jīng)信號線208向其提供的溫度信息來確定是否從虛設(shè)像素陣列部500的虛設(shè)像素電路發(fā)光。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部 540響應(yīng)于該確定而生成發(fā)光信號，并且將所生成的發(fā)光信號提供至虛設(shè)信號選擇部122。重影校正部545根據(jù)每個像素電路600至605的劣化度來改變圖像信號的灰度值，從而與上文中參照圖1所述的重影校正部200中類似地校正重影。這個重影校正部545 包括代替重影校正部200的亮度劣化特性供給塊400的亮度劣化特性供給塊550。應(yīng)當(dāng)注意，下文中，參照圖26至圖29C描述亮度劣化特性供給塊550。重影校正部545的除亮度劣化特性供給塊550之外的組件與上文中參照圖11所述的重影校正部200的那些組件類似， 因此，為了避免累述，此處省略它們的重復(fù)描述。由此，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540基于虛設(shè)像素電路的環(huán)境溫度來確定是否從虛設(shè)電路發(fā)光。虛設(shè)像素陣列部的結(jié)構(gòu)實例圖25是示出本發(fā)明第二實施方式的虛設(shè)像素陣列部500的結(jié)構(gòu)實例的框圖。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明第二實施方式中，根據(jù)三個灰度值的發(fā)光信號來測量像素電路600的劣化。參照圖25，示出了九個亮度檢測單元(即，亮度檢測單元511至513、521至523、 及531至53 以及劃分亮度檢測單元的三個發(fā)光區(qū)(即，第一發(fā)光區(qū)510、第二發(fā)光區(qū)520、 及第三發(fā)光區(qū)530)。亮度檢測單元511至513、521至523、及531至533與上文中參照圖9所述的亮度檢測單元310類似，因此，為了避免累述，此處省略它們的描述。應(yīng)當(dāng)注意，在圖25中，亮度檢測單元511至513、521至523、及531至533的虛設(shè)像素電路通過附加在其上數(shù)字#1至 #9來識別。第一發(fā)光區(qū)510僅在特定溫度下(S卩，在第一溫度下)發(fā)光，并且指示關(guān)于基于發(fā)射的光來執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元511至51；3)。例如，在第一溫度為“20士2°C”的情況下，數(shù)據(jù)信號被提供至第一發(fā)光區(qū)510中的虛設(shè)像素電路#1至#3，使得僅當(dāng)溫度信息為“ 20 士 2 V，，時發(fā)光。第二發(fā)光區(qū)520僅在與第一溫度不同的另一個特定溫度下(即，第二溫度下)發(fā)光，并且指示關(guān)于基于發(fā)射的光來執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元521至 523)。例如，在第二溫度為“30士2°C”的情況下，數(shù)據(jù)信號被提供至第二發(fā)光區(qū)520中的虛設(shè)像素電路#4至#6，使得僅當(dāng)溫度信息為“30士2°C”時發(fā)光。第三發(fā)光區(qū)530僅在與第一和第二溫度不同的特定溫度下(即，第三溫度下)發(fā)光，并且指示關(guān)于基于發(fā)射的光來執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元531至533)。例如，在第三溫度為“40士2°C”的情況下，數(shù)據(jù)信號被提供至第三發(fā)光區(qū)530中的虛設(shè)像素電路#7至#9，使得僅當(dāng)溫度信息為“40 士 2°C，，時發(fā)光。通過這種方式在虛設(shè)像素陣列部500中設(shè)置多個虛設(shè)像素電路和亮度傳感器，能夠在虛設(shè)像素陣列部500中設(shè)置僅在預(yù)定溫度下發(fā)光的虛設(shè)像素電路。亮度劣化特性供給塊的結(jié)構(gòu)實例圖沈是示出在本發(fā)明第二實施方式中的亮度劣化特性供給塊550的功能結(jié)構(gòu)實例的框圖。亮度劣化特性供給塊550包括虛設(shè)像素劣化信息生成部410、虛設(shè)像素劣化信息保持部570、劣化特性生成部590、及劣化特性保持部470。應(yīng)當(dāng)注意，虛設(shè)像素劣化信息生成部410和劣化特性保持部470與上文中參照圖12所述的劣化特性保持部470類似，因此，為了避免累述，此處省略它們的重復(fù)描述。虛設(shè)像素劣化信息保持部570與上文中參照圖12所述的虛設(shè)像素劣化信息保持部420類似地保持虛設(shè)像素劣化信息。例如，虛設(shè)像素劣化信息保持部570保持關(guān)于各個虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。虛設(shè)像素劣化信息保持部570將其中所保持的虛設(shè)像素劣化信息提供至劣化特性生成部590。應(yīng)當(dāng)注意，下文中參照圖27和圖觀描述在虛設(shè)像素劣化信息保持部570中所保持的虛設(shè)像素劣化信息的實例。劣化特性生成部590基于虛設(shè)像素劣化信息來計算特定溫度下的劣化特性。劣化特性生成部590根據(jù)圖25中所示的第一發(fā)光區(qū)510中的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息來計算第一溫度下(即，20士2°C下)的劣化特性。劣化特性生成部590將計算的劣化特性保持在劣化特性保持部470中。應(yīng)當(dāng)注意，下文中，參照圖29A至圖29C描述由劣化特性生成部590進行的劣化特性生成的實例。亮度測量的實例圖27示出了由本發(fā)明第二實施方式中的9個亮度傳感器進行的亮度測量的實例。參照圖27，縱軸表示溫度，橫軸表示測量時段，并且通過曲線圖示出了五個連續(xù)測量時段內(nèi)(即，測量時段(1)T41至(5)Τ45內(nèi))的溫度。此外，在圖27中，示出了通過表示亮度檢測單元511至513、521至523、及531至533的矩形來代表在五個測量時段內(nèi)發(fā)光的那些虛設(shè)像素。此外，在圖27中，示出了示意性示出在測量時段內(nèi)虛設(shè)像素電路的劣化量 (即，20°C劣化特性561、30°C劣化特性562、40°C及劣化特性563)的曲線圖。此處應(yīng)當(dāng)注意，在圖27中，第一次測量時段內(nèi)(即，測量時段(1)T41內(nèi))的溫度為 “31°C”;第二次測量時段內(nèi)(即，測量時段(2)T42內(nèi))的溫度為“39°C”；第三次測量時段內(nèi)(即，測量時段(3)T43內(nèi))的溫度為“35°C”；第四次測量時段內(nèi)(即，測量時段(4)T44 內(nèi))的溫度為“30°C”；而第五次測量時段內(nèi)(即，測量時段(5)T45內(nèi))的溫度為“20°C”。此處，參照第一至第三測量時段T41至T43描述本發(fā)明第二實施方式中的亮度測 So首先，在測量時段(1)T41中，表示“31°C”的溫度信息經(jīng)信號線208被提供至虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部M0。隨后，從虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540將預(yù)定灰度級的發(fā)光信號提供至僅在第二溫度(即，30 士 2°C)下發(fā)光的那些虛設(shè)像素電路，具體地，提供至亮度檢測單元521至523的虛設(shè)像素電路M至#6。應(yīng)當(dāng)注意，為了將其它虛設(shè)像素電路置于不發(fā)光狀態(tài)，向它們提供亮度值“0”的發(fā)光信號。因此，亮度檢測單元521至523的虛設(shè)像素電路基于預(yù)定灰度值來發(fā)光，而亮度檢測單元511至513和531至533的虛設(shè)像素電路不發(fā)光。
在示出說明發(fā)光狀態(tài)的示意圖的圖27中，在圖27中，由空白矩形指示以灰度值 “200”發(fā)光的亮度檢測單元521，而由淺灰色矩形指示以灰度值“150”發(fā)光的亮度檢測單元 522。同時，由深灰色矩形指示以灰度值“100”發(fā)光的亮度檢測單元523，而由黑色矩形指示不發(fā)光的其它亮度檢測單元511至513和531至533。此外，在圖27中，將20°C劣化特性561作為指示亮度檢測單元511至513的虛設(shè)像素電路的劣化狀態(tài)的曲線圖來示出。此外，將30°C劣化特性562作為指示亮度檢測單元 521至523的虛設(shè)像素電路的劣化狀態(tài)的曲線圖來示出。此外，將40°C劣化特性563作為示出亮度檢測單元531至533的虛設(shè)像素電路的劣化狀態(tài)的曲線圖來示出。由于亮度檢測單元521至523的虛設(shè)像素電路在此測量時段(1)T41內(nèi)被劣化，所以在測量時段(1)Τ41內(nèi)所示的30°C劣化特性562上，示出了指示所測量的虛設(shè)像素電路的劣化的實線。同時，由于亮度檢測單元511至513的虛設(shè)像素電路在這個測量時段(1)T41內(nèi)未被劣化，所以在測量時段(1)Τ41內(nèi)所示的20°C劣化特性561上，未示出表示所測量的虛設(shè)像素電路的劣化的實線。此外，由于亮度檢測單元531至533的虛設(shè)像素電路在這個測量時段(1)T41內(nèi)也未被劣化，所以在測量時段(1)Τ41內(nèi)所示的40°C劣化特性563上，未示出表示所測量的虛設(shè)像素電路的劣化的實線。隨后，在測量時段Q)T42內(nèi)，基于表示為“39°C”的溫度信息將預(yù)定灰度值的發(fā)光信號提供至僅在第三溫度40士2°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路，即，提供至亮度檢測單元531至 533的虛設(shè)像素電路。因此，亮度檢測單元521至523的虛設(shè)像素電路基于預(yù)定灰度值發(fā)光 (白色、淺灰色、及深灰色矩形)。另一方面，亮度檢測單元511至513和531至533的虛設(shè)像素電路不發(fā)光(黑色矩形)。作為在測量時段Q)T42內(nèi)發(fā)光的結(jié)果，亮度檢測單元531至533的虛設(shè)像素電路在測量時段0)Τ42內(nèi)被劣化(將實線附加至測量時段0)Τ42內(nèi)40°C劣化特性56 。同時，亮度檢測單元511至513的虛設(shè)像素電路在測量時段0)T42內(nèi)未被劣化(測量時段 (2) Τ42內(nèi)的20°C劣化特性561與測量時段(1) T41內(nèi)的相同)。而且，亮度檢測單元521至 523的虛設(shè)像素電路在測量時段0)T42內(nèi)未被劣化(測量時段0)Τ42內(nèi)的30°C劣化特性 562與測量時段(1)T41內(nèi)的相同)。隨后，在測量時段(3)Τ43內(nèi)，溫度信息指示“35°C ”。這個溫度“35°C ”不屬于第一溫度20 士 2 °C、第二溫度30 士 2 °C、及第三溫度40 士 2 °C的任意一個。因此，虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540將具有灰度值“0”并且使得虛設(shè)像素電路進入不發(fā)光狀態(tài)的發(fā)光信號提供至所有虛設(shè)像素電路。因此，亮度檢測單元511至513、521至523、及531至533不發(fā)光(黑色矩形)。在測量時段(3)T43內(nèi)，由于所有虛設(shè)像素電路不發(fā)光，所以無虛設(shè)像素電路被劣化(測量時段(3)Τ43內(nèi)的3個劣化特性561至563與測量時段Q)T42內(nèi)的劣化特性相同)。通過以這種方式使用僅在預(yù)定溫度下發(fā)光的虛設(shè)像素電路，能夠測量在每個溫度下的虛設(shè)像素電路的劣化。虛設(shè)像素劣化信息的實例圖觀示出了本發(fā)明第二實施方式的虛設(shè)像素劣化信息的實例。
37
圖觀具體示出了示意性示出在圖27中所示的測量時段(5)T45結(jié)束時在虛設(shè)像素劣化信息保持部570中所保持的虛設(shè)像素劣化信息的實例的表格。應(yīng)當(dāng)注意，在圖觀中， 測量時被表示為與其初始狀態(tài)中的虛設(shè)像素電路的亮度強度的比率(％)的亮度強度(即， 虛設(shè)像素亮度信息)被表示為虛設(shè)像素劣化信息。圖觀的列571表示關(guān)于第一次測量時段的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。同時，另一列572表示關(guān)于第二次測量時段的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。此處，描述在圖觀的表中的虛設(shè)像素劣化信息。在虛設(shè)像素電路#1至#3的列571中，分別示出了基于在測量時段(5)Τ45內(nèi)(參照圖27)由亮度測量單元511至513的虛設(shè)像素電路#1至#3進行的發(fā)光的劣化量的實例。 同時，在虛設(shè)像素電路#4至#6的列571中，分別示出了基于在測量時段(1)Τ41內(nèi)由亮度測量單元521至523的虛設(shè)像素電路M至#6進行的發(fā)光的劣化量的實例。此外，在虛設(shè)像素電路#7至#9的列571中，分別示出了根據(jù)在測量時段0)Τ42內(nèi)由亮度測量單元531 至533的虛設(shè)像素電路#7至#9進行的發(fā)光的劣化量的實例。應(yīng)當(dāng)注意，由于虛設(shè)像素電路#1至#3和虛設(shè)像素電路#7至#9對于測量時段Τ41 至Τ45內(nèi)的第二次發(fā)光而言不發(fā)光，所以在關(guān)于虛設(shè)像素電路#1至#3和虛設(shè)像素電路#7 至#9的列572中示出表示無可應(yīng)用的虛設(shè)像素劣化信息的“_”。此外，在關(guān)于虛設(shè)像素電路#4至#6的列572中，示出了基于在圖27中所示的測量時段G)T44內(nèi)的發(fā)光的劣化量的實例。由此，根據(jù)虛設(shè)像素電路的發(fā)光次數(shù)將虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部570中。多個溫度下的劣化特性的實例圖29A至圖29C示意性示出了由本發(fā)明第二實施方式的劣化特性生成部590所生成的每個溫度的劣化特性的實例。應(yīng)當(dāng)注意，在圖29A至圖^C中，假定了基于圖觀中所示的虛設(shè)像素劣化信息作為實例生成了劣化特性。圖29A示出了示意性示出在溫度條件“20士2°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性581至583)指示關(guān)于僅在第一溫度20 士 2 °C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#1至#3的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性581 至583計算的劣化特性(即，劣化特性591至593)。圖29A進一步示出了驅(qū)動虛設(shè)像素電路#1至#3發(fā)光的使用時段T51。圖29B示出了示意性示出在溫度條件“30士2°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性584至586)指示關(guān)于僅在第二溫度30 士 2°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#4至#6的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性584 至586計算的劣化特性(即，劣化特性594至596)。此外，圖29B示出了驅(qū)動虛設(shè)像素電路#4至#6發(fā)光的使用時段T52。應(yīng)當(dāng)注意， 由于如從圖觀的表所見，虛設(shè)像素電路#4至#6的發(fā)光次數(shù)大于虛設(shè)像素電路#1至#3的發(fā)光次數(shù)，所以使用時段T52表示的時段比使用時段T51更長。類似地，測量劣化特性584 至586指示其實線比測量劣化特性581至583更長。圖29C示出了示意性示出在溫度條件“40士2°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲
38線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性587至589)指示關(guān)于僅在第三溫度40 士 2°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#7至#9的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性587 至589計算的劣化特性(即，劣化特性597至599)。圖29C進一步示出了驅(qū)動虛設(shè)像素電路#7至#9發(fā)光的使用時段T53。由此，由劣化特性生成部590基于多個溫度條件下的測量劣化特性生成多個溫度條件下的劣化特性。亮度劣化特性供給塊的操作實例現(xiàn)在，參照附圖描述本發(fā)明第二實施方式中亮度劣化特性供給塊550的操作。圖30為示出由本發(fā)明第二實施方式中的重影校正部M5的亮度劣化特性供給塊 550進行的劣化特性的生成處理過程的實例的流程圖。圖30具體示出了在一個測量時段內(nèi)獲取了虛設(shè)像素亮度信息后直至使用虛設(shè)像素亮度信息生成劣化特性為止的處理程序的實例。首先，在步驟S952中，由虛設(shè)像素劣化信息生成部410獲取了由亮度傳感器生成的虛設(shè)像素的亮度信息，即，虛設(shè)像素亮度信息。然后在步驟S953中，由虛設(shè)像素劣化信息生成部410基于所獲取的虛設(shè)像素亮度信息生成虛設(shè)像素劣化信息。之后，在步驟S%4中，將所生成的虛設(shè)像素劣化信息保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部570中。此后，在步驟S955中判定是否保持了關(guān)于所有發(fā)光的像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。隨后，如果判定出還沒有保持關(guān)于所有發(fā)光的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息，則處理返回步驟S952，使得執(zhí)行關(guān)于任意發(fā)光的虛設(shè)像素電路還沒有被保持的虛設(shè)像素劣化信息的生成處理。另一方面，如果在步驟S955中判定出保持了關(guān)于所有發(fā)光的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素電路劣化信息，則在步驟S957中，由劣化特性生成部590基于所保持的虛設(shè)像素劣化信息來生成劣化特性。然后，在步驟S958中，將所生成的劣化特性被保持在劣化特性保持部470中。此后，在步驟S959中判定是否生成了各個溫度和各個亮度的所有劣化特性。如果判定出還沒有生成各個溫度和各個亮度的所有劣化特性，則處理返回步驟S957，使得執(zhí)行還沒有被生成的劣化特性的生成處理。另一方面，如果在步驟S959中判定出生成了各個溫度和各個亮度的所有劣化特性，則由亮度劣化特性供給塊550進行的劣化特性的生成處理過程結(jié)束。虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部的操作實例現(xiàn)在，參照附圖描述本發(fā)明第二實施方式中的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部MO的操作。圖31為示出由本發(fā)明第二實施方式中的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540進行的發(fā)光信號的生成處理過程的流程圖。參照圖31，首先，在步驟S961中，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540獲取了由溫度傳感器141所生成的溫度信息。隨后，在步驟S962中，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540來判定所獲取的溫度所表示的溫度是否為“20士2°C”。之后，如果判定出獲取的溫度為“20士2°C”，則隨后在步驟S963中，用于使第一發(fā)光區(qū)510中的虛設(shè)像素電路發(fā)光的發(fā)光信號被提供至虛設(shè)像素選擇塊122。應(yīng)當(dāng)注意，在步驟S963中被提供至在第二發(fā)光區(qū)520和第三發(fā)光區(qū)530中的虛設(shè)像素電路的發(fā)光信號為用于使該虛設(shè)像素電路不發(fā)光的發(fā)光信號，即，灰度值“0”的發(fā)光信號。然后，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540進行的發(fā)光信號的生成處理程序結(jié)束。另一方面，如果在步驟S962中判定出獲取溫度不是“20士2°C”，則隨后在步驟 S964中判定獲取的溫度是否為“30士2°C”。然后，如果判定出獲取的溫度為“30士2°C”，則在步驟S965中，用于使第二發(fā)光區(qū)520中的虛設(shè)像素電路發(fā)光的發(fā)光信號被提供至虛設(shè)像素選擇塊122。應(yīng)當(dāng)注意，在步驟S965中被提供至在第一發(fā)光區(qū)510和第三發(fā)光區(qū)530中的虛設(shè)像素電路的發(fā)光信號為用于使虛設(shè)像素電路不發(fā)光的發(fā)光信號，即，灰度值“0”的發(fā)光信號。隨后，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540進行的發(fā)光信號的生成處理過程結(jié)束。另一方面，如果在步驟S964中判定出獲取的溫度不是“30士2°C”，則在步驟S966 中判定獲取的溫度是否為“40士2°C”。如果判定出獲取的溫度為“40士2°C”，則在步驟S967 中，用于使第三發(fā)光區(qū)530中的虛設(shè)像素電路發(fā)光的發(fā)光信號被提供至虛設(shè)像素選擇塊 122。應(yīng)當(dāng)注意，在步驟S967中被提供至在第一發(fā)光區(qū)510和第二發(fā)光區(qū)520中的虛設(shè)像素電路的發(fā)光信號為用于使虛設(shè)像素電路不發(fā)光的發(fā)光信號，即，灰度值“0”的發(fā)光信號。 隨后，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540進行的發(fā)光信號的生成處理過程結(jié)束。另一方面，如果在步驟S966中判定獲取溫度不是“40 士 2 °C ”，則在步驟S968中，用于使所有虛設(shè)電路不發(fā)光的灰度值“0”的發(fā)光信號被提供至虛設(shè)電路。然后，由虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540進行的發(fā)光信號的生成處理過程結(jié)束。由此，通過本發(fā)明第二實施方式，能夠通過使用僅在特定溫度下劣化的虛設(shè)像素電路以高精度生成每個溫度的劣化特性。<3.第三實施方式>在上述本發(fā)明第二實施方式中，為了計算每個溫度的劣化特性，使用了僅在特定溫度下發(fā)光的虛設(shè)像素電路。在本發(fā)明的第二實施方式中，僅當(dāng)虛設(shè)像素電路的環(huán)境溫度變?yōu)樘囟囟葧r，才能夠測量同樣僅在特定溫度下的劣化。換句話說，在本發(fā)明的第二實施方式中，響應(yīng)于顯示裝置100的周圍環(huán)境，在劣化能夠被頻繁測量的溫度與劣化幾乎不能夠被測量的另一個溫度之間出現(xiàn)差異。結(jié)果，存在關(guān)于劣化幾乎不能夠被測量的溫度的劣化特性會不準(zhǔn)確的可能性。因此，在本發(fā)明第三實施方式的下列描述中，描述了一個實例，其中，保持虛設(shè)像素電路的溫度固定在特定溫度，使得總能測量在特定溫度下虛設(shè)像素電路的劣化。圖32為示出本發(fā)明第三實施方式中虛設(shè)像素陣列部700的結(jié)構(gòu)實例的框圖。虛設(shè)像素陣列部700包括與上文中參照圖25所述的本發(fā)明第二實施方式中的虛設(shè)像素陣列部500相同的幾個組件，并且下面主要給出與虛設(shè)像素陣列部500不同的虛設(shè)像素陣列部 700的描述。應(yīng)當(dāng)注意，在圖32中，亮度檢測單元711至713、721至723、及731至733的虛設(shè)像素電路通過被附加在其上的數(shù)字#1至#9來識別。應(yīng)當(dāng)注意，除了在本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置100中的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部540和虛設(shè)像素陣列部500之外，本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置100的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明第二實施方式的顯示裝置100類似。在本發(fā)明第三實施方式中，由于虛設(shè)像素電路發(fā)射具有預(yù)定灰度值的光而與像素電路的環(huán)境溫度無關(guān)，所以設(shè)置了上文中參照圖1所述的虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部150來代替虛設(shè)像素發(fā)光信號生成部M0。此外，本發(fā)明第三實施方式的顯示裝置100包括虛設(shè)像素陣列部700，代替虛設(shè)像素陣列部500。參照圖32，類似于上文中參照圖25所述的本發(fā)明第二實施方式中的虛設(shè)像素陣列部500，虛設(shè)像素陣列部700包括九個亮度檢測單元，即，亮度檢測單元711至713、721至 723、及731至733。此外，虛設(shè)像素陣列部700包括三個恒溫區(qū)，即，第一恒溫區(qū)710、第二恒溫區(qū)720、及第三恒溫區(qū)730來代替圖25中所示的三個發(fā)光區(qū)，即，第一發(fā)光區(qū)510、第二發(fā)光區(qū)520、及第三發(fā)光區(qū)530。三個恒溫區(qū)(即，第一恒溫區(qū)710、第二恒溫區(qū)720、及第三恒溫區(qū)730)包括作為用于保持溫度固定的溫度控制元件的溫度控制塊714、724、及734。下文中，參照圖33描述溫度控制塊714、724、及734。第一恒溫區(qū)710為溫度一直被保持在特定溫度(即，第一恒溫)并且設(shè)置了在這個溫度下執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元711至71 的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意， 在本發(fā)明第三實施方式中，假定了第一恒溫為“20°C”。在第一恒溫區(qū)710中所設(shè)置的亮度檢測單元711至713的虛設(shè)像素電路一直被保持在溫度“20°C”處，并且一直基于預(yù)定灰度值發(fā)光。然后，由亮度傳感器測量關(guān)于發(fā)光的亮度。第二恒溫區(qū)720為溫度一直被保持在與第一恒溫不同的特定溫度(S卩，第二恒溫) 并且設(shè)置了在這個溫度下執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元721至723)的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明第三實施方式中，假定了第二恒溫為“30°C”。在第二恒溫區(qū)720 中所設(shè)置的亮度檢測單元721至723的虛設(shè)像素電路一直被保持在溫度“30°C ”處，并且一直基于預(yù)定灰度值發(fā)光。然后，由亮度傳感器測量關(guān)于發(fā)光的亮度。第三恒溫區(qū)730為溫度一直被保持在與第一恒溫和第二恒溫不同的特定溫度 (即，第三恒溫)并且設(shè)置了在這個溫度下執(zhí)行劣化測量的亮度檢測單元(即，亮度檢測單元731至733)的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明第三實施方式中，假定了第三恒溫為“40°C”。 在第三恒溫區(qū)730中所設(shè)置的亮度檢測單元731至733的虛設(shè)像素電路一直被保持在溫度 “40°C”處，并且一直基于預(yù)定灰度值發(fā)光。然后，由亮度傳感器測量關(guān)于發(fā)光的亮度。通過以這種方式保持虛設(shè)像素電路的溫度是固定的而能夠在虛設(shè)像素陣列部700 中設(shè)置一直以特定溫度發(fā)光的虛設(shè)像素電路。溫度控制塊的結(jié)構(gòu)實例和薄膜加熱器的設(shè)置實例圖33A是示出本發(fā)明第三實施方式中的溫度控制塊714的結(jié)構(gòu)實例的框圖，而圖 33B和圖33C是分別示出薄膜加熱器717相對于虛設(shè)像素電路的位置關(guān)系的俯視圖和截面圖。應(yīng)當(dāng)注意，圖32中所示的溫度控制塊7M和734類似于溫度控制塊714，因此，下面給出溫度控制塊714的描述，同時，在本文中省略對其它溫度控制塊7M和734的描述。圖33A是示出溫度控制塊714的結(jié)構(gòu)實例的框圖。參照圖33A，溫度控制塊714保持第一恒溫區(qū)710中的溫度固定，并且包括溫度傳感器715、加熱器控制部716、及薄膜加熱器 717。溫度傳感器715測量第一恒溫區(qū)710中的溫度，并且將所測量的溫度提供至加熱器控制部716。加熱器控制部716基于從溫度傳感器715向其提供的溫度來控制薄膜加熱器717 的電源。
薄膜加熱器717在被供電時生熱并將熱量提供至第一恒溫區(qū)710以升高第一恒溫區(qū)710中的溫度。圖33B為示意性示出薄膜加熱器717、表示虛設(shè)像素電路的TFT像素電路197、亮度傳感器194及溫度傳感器715之間的位置關(guān)系的俯視圖。圖33C示意性示出了亮度傳感器312、虛設(shè)像素電路311、及薄膜加熱器717的截面結(jié)構(gòu)。圖33C具體示出了作為虛設(shè)像素電路311的電路組件的發(fā)光元件196和TFT像素電路197。此外，圖33C示出了亮度傳感器312、樹脂198、玻璃199、及溫度傳感器715。例如，TFT像素電路197被設(shè)置在玻璃199上，而發(fā)光元件196被設(shè)置在TFT像素電路197上。 此外，用樹脂198覆蓋發(fā)光元件196，而亮度傳感器312和溫度傳感器715被設(shè)置在樹脂198 上。如圖3 和圖33C所看出，能夠通過鄰近虛設(shè)像素電路設(shè)置薄膜加熱器717而保持虛設(shè)像素電路的溫度固定。亮度測量的實例圖34示出了本發(fā)明第三實施方式中通過九個亮度傳感器進行的亮度測量的實例。參照圖34，縱軸表示溫度，橫軸表示測量時段，并且通過曲線圖示出了在三個連續(xù)測量時段內(nèi)(即，測量時段(1)T61至(3)Τ63內(nèi))的環(huán)境溫度。此外，在圖34中，示出了通過指示亮度檢測單元711至713、721至723、及731至733的矩形來表示在三個測量時段內(nèi)發(fā)光的那些虛設(shè)像素。此外，在圖34中，示出了示意性示出在測量時段內(nèi)的虛設(shè)像素電路的劣化量(即，20°C劣化特性761、30°C劣化特性762及40°C劣化特性763)的曲線圖。應(yīng)當(dāng)注意，假定了在圖34中，測量時段(1)T61至(3)Τ63內(nèi)像素電路的環(huán)境溫度等于圖27中所示的測量時段(1)Τ41至(3)Τ43內(nèi)的溫度。此外，應(yīng)當(dāng)注意，參照圖34來描述測量時段(1)Τ61至(3)Τ63與上文中參照圖27 所描述的測量時段(1)Τ41至(3)Τ43的差異。分別保持亮度檢測單元711至713、721至723、及731至733的溫度固定在預(yù)定溫度，S卩，20°C、3(TC、及40°C。因此，與上文中參照圖27所述的本發(fā)明第二實施方式不同，不需要確定是否應(yīng)該基于虛設(shè)像素電路的環(huán)境溫度發(fā)光。因此，本發(fā)明第三實施方式中的九個亮度檢測單元在測量時段(1)T61至(3)Τ63內(nèi)以預(yù)定灰度值(空白矩形、淺灰色矩形及深灰色矩形)發(fā)光，并且基于發(fā)光來計算劣化。應(yīng)當(dāng)注意，通過將測量時段內(nèi)20°C劣化特性 761的實線、30°C劣化特性762的實線及40°C劣化特性763的實線相加(測量時段所有亮度檢測單元的劣化量相加)來表示劣化量。由于虛設(shè)像素電路的溫度以這種方式被保持在特定溫度，所以能夠在所有溫度條件下一直測量每個溫度的虛設(shè)像素電路的劣化。虛設(shè)像素劣化信息的實例圖35示出了本發(fā)明第三實施方式中的虛設(shè)像素劣化信息的實例。圖35具體示出了示意性示出在圖34中所示的測量時段(3)T63結(jié)束時被保持在虛設(shè)像素劣化信息保持部570中的虛設(shè)像素劣化信息的實例的表格。應(yīng)當(dāng)注意，在圖35中， 測量時被表示與其初始狀態(tài)中的虛設(shè)像素電路的亮度強度的比率(％)的亮度強度(即，虛設(shè)像素亮度信息)被表示為虛設(shè)像素劣化信息。
圖35的列771示出了關(guān)于第一次測量時段(即，測量時段(1)T61)的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。同時，另一列772示出了關(guān)于第二次測量時段(即，測量時段(2) Τ62)的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。又一列773示出了關(guān)于第三次測量時段(即， 測量時段(3)Τ63)的虛設(shè)像素電路的虛設(shè)像素劣化信息。如圖35的表中所看出的，虛設(shè)像素電路的劣化測量次數(shù)(即，虛設(shè)像素劣化信息的條數(shù))在它們之中相等。另一方面，在上文中參照圖觀所述的本發(fā)明的第二實施方式中， 劣化測量次數(shù)在響應(yīng)于虛設(shè)像素電路的環(huán)境溫度的不同溫度中不同。在保持虛設(shè)像素電路的溫度固定在特定溫度的情況下，能夠使通過虛設(shè)像素電路進行的劣化測量次數(shù)彼此相等。多個溫度的劣化特性的實例圖36Α至圖36C示意性示出了在本發(fā)明第三實施方式中對于由劣化特性生成部 590所生成的每個溫度的劣化特性的實例。應(yīng)當(dāng)注意，在圖36Α至圖36C中，假定了基于圖35中所示的虛設(shè)像素劣化信息作為實例生成了劣化特性。圖36Α示出了示意性示出溫度條件“20°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性781至783)指示關(guān)于僅在第一溫度20°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#1至#3的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性781至783 計算的劣化特性(即，劣化特性791至79 。圖36A進一步示出了驅(qū)動虛設(shè)電路#1至#3 發(fā)光的使用時段T71。應(yīng)當(dāng)注意，使用時段T71在圖36A至圖36C中是相同的時段，其是測量時段(1)T71至(3)Τ73的總和。圖36Β示出了示意性示出在溫度條件“30°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性784至786)指示關(guān)于僅在第二溫度30°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#4至#6的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性784至786 計算的劣化特性(即，劣化特性794至796)。圖36C示出了示意性示出在溫度條件“40°C”下的劣化特性的曲線圖。在此曲線圖中，由實曲線(即，由測量劣化特性787至789)指示關(guān)于僅在第三溫度40°C下發(fā)光的虛設(shè)像素電路#7至#9的劣化的劣化特性。此外，由虛曲線指示根據(jù)測量劣化特性787至789 計算的劣化特性(即，劣化特性797至799)。由此，由劣化特性生成部590基于使用時段彼此相等的測量劣化特性生成了多個溫度條件下的劣化特性。由此，通過本發(fā)明第三實施方式，通過保持虛設(shè)像素電路的溫度固定在特定溫度能夠以高精度生成每個溫度的劣化特性。應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本發(fā)明第一至第三實施方式的顯示裝置可應(yīng)用于各種電子裝置 (諸如，數(shù)碼像機、筆記本式個人計算機、便攜式電話及攝像機)的平板形狀的顯示裝置。此外，該顯示裝置可應(yīng)用于各種領(lǐng)域的電子裝置的顯示裝置(其中，被輸入或在電子裝置中生成的圖像信號被顯示為圖像)。下面，描述應(yīng)用了這種顯示裝置的電子裝置的實例。<4.本發(fā)明的應(yīng)用實例>電子裝置的應(yīng)用實例圖37示出了本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于電視機的實例。參照圖37，通過應(yīng)用上述本
43發(fā)明的第一至第三實施方式中的任意一個來構(gòu)成所示電視機。電視機包括由前面板12、濾光器13等所構(gòu)成的圖像顯示屏幕11。根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置100能夠用作圖像顯示屏幕11。 圖38示出了本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于數(shù)碼像機的實例。參照圖38，通過應(yīng)用上述本發(fā)明的第一至第三實施方式中的任意一個來構(gòu)成所示數(shù)碼像機。此處，在上部示出了數(shù)碼像機的正面立體圖，而在下部示出了數(shù)碼像機的背面立體圖。數(shù)碼像機包括圖像拾取透鏡15、顯示部16、控制開關(guān)、菜單開關(guān)、快門按鈕19等，并且通過將本發(fā)明實施方式中的顯示裝置100應(yīng)用于顯示部16來構(gòu)成。圖39示出了本發(fā)明的實施方式應(yīng)用于筆記本式個人計算機的實例。參照圖39，通過應(yīng)用上述本發(fā)明的第一至第三實施方式的任意一個來構(gòu)成所示筆記本式個人計算機。筆記本式個人計算機包括被操作以輸入字符等的在主體20上的鍵盤21，并且進一步包括設(shè)置在主體蓋上用于顯示圖像的顯示部22。通過將本發(fā)明實施方式中的顯示裝置100應(yīng)用于顯示部22來構(gòu)成筆記本式個人計算機。圖40示出了本發(fā)明實施方式用于便攜式終端裝置的實例。參照圖40，通過應(yīng)用上述本發(fā)明的第一至第三實施方式中的任意一個來構(gòu)成所示便攜式終端裝置。在圖40中，在左側(cè)示出了在未折疊狀態(tài)下的便攜式終端裝置，而在右側(cè)示出了在折疊狀態(tài)下的便攜式終端裝置。便攜式終端裝置包括上側(cè)機殼23、下側(cè)機殼M、鉸鏈形式的連接部25、顯示部26、 子顯示部27、背景燈觀、照像機四等。通過將本發(fā)明實施方式中的顯示裝置100應(yīng)用于顯示部沈或子顯示部27來構(gòu)成便攜式終端裝置。圖41示出了本發(fā)明實施方式應(yīng)用于攝像機的應(yīng)用實例。參照圖41，通過應(yīng)用上述本發(fā)明的第一至第三實施方式中的任意一個來構(gòu)成所示攝像機。攝像機包括主體部30、向前指向地設(shè)置在主體部30的表面用于攝取圖像拾取對象的鏡頭34、用于圖像拾取的啟動/ 停止開關(guān)35、監(jiān)視器36等。通過將本發(fā)明實施方式中的顯示裝置100應(yīng)用于監(jiān)控器36來構(gòu)成攝像機。由此，通過本發(fā)明的實施方式，通過測量虛設(shè)像素電路的亮度并生成每個溫度的劣化特性能夠以高精度執(zhí)行重影校正。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的實施方式表示用于執(zhí)行本發(fā)明的實例，本發(fā)明實施方式的內(nèi)容與權(quán)利要求中所定義的本發(fā)明的特征具有彼此對應(yīng)的關(guān)系。類似地，在權(quán)利要求中所定義的特征與被應(yīng)用了與特征的術(shù)語相同的術(shù)語的本發(fā)明實施方式中的內(nèi)容具有彼此對應(yīng)的關(guān)系。但是，本發(fā)明不限于實施方式，而是能夠在不違背本發(fā)明宗旨和范圍的情況下以各種變形形式來實施。此外，上文中結(jié)合本發(fā)明實施方式描述的處理過程可以理解為具有一系列這種處理過程的方法，或者可以理解為用于使計算機執(zhí)行一系列處理過程的程序或者其上存儲了該程序的記錄介質(zhì)。記錄介質(zhì)可以為(例如)⑶(壓縮光盤)、MD(迷你光盤)、DVD(數(shù)字通用光盤)、存儲卡、藍光光盤(Blu-ray Disc (注冊商標(biāo)))等。本發(fā)明包含涉及于2010年3月30日向日本專利局提交的日本專利申請第JP 2010-076649號中公開的主題，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。應(yīng)當(dāng)理解，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，根據(jù)設(shè)計需要及其他因素，本發(fā)明可以有各種修改、組合、子組合和變化，只要它們在所附權(quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種信號處理裝置，包括亮度劣化信息生成部，用于根據(jù)像素電路的環(huán)境溫度及以特定灰度值被驅(qū)動發(fā)光的特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與所述像素電路中的發(fā)光元件所發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算部，用于根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正部，用于根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理裝置，其中，所述亮度劣化信息生成部包括亮度劣化特性生成部，用于根據(jù)測量所述亮度值時的測量溫度和所述亮度值來生成關(guān)于特定溫度下所述像素電路的亮度劣化的亮度劣化特性；以及加算部，用于根據(jù)所述環(huán)境溫度、所述亮度劣化特性、在所述校正前對所述像素電路生成的亮度劣化信息、以及輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值將關(guān)于所述像素電路的所述亮度劣化的新劣化量依次與所述亮度劣化信息相加，從而生成新的亮度劣化 fn息ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號處理裝置，其中，所述亮度劣化特性生成部根據(jù)測量所述亮度值時的所述測量溫度和所述亮度值來生成與所述測量溫度不同的溫度條件下的所述亮度劣化特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號處理裝置，進一步包括圖像信號供給部，用于響應(yīng)于所述測量溫度將圖像信號提供至所述特定發(fā)光元件；當(dāng)所述測量溫度變成所述特定溫度時，所述亮度劣化特性生成部根據(jù)所述特定發(fā)光元件的響應(yīng)于所述流逝時間而劣化的亮度值來生成所述特定溫度下的所述像素電路的所述亮度劣化特性。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號處理裝置，其中，在所述特定發(fā)光元件的所述環(huán)境溫度為所述特定溫度的狀態(tài)下，所述亮度劣化特性生成部根據(jù)所述特定發(fā)光元件的響應(yīng)于所述流逝時間而劣化的所述亮度值來生成所述特定溫度下的所述像素電路的所述亮度劣化特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理裝置，其中，所述預(yù)定狀態(tài)為所述像素電路沒有經(jīng)受所述亮度劣化的狀態(tài)。
7.一種顯示裝置，包括信號處理電路，用于校正圖像信號的灰度值；多個像素電路，每個像素電路都包括當(dāng)被提供對應(yīng)于所述圖像信號的驅(qū)動電流時以對應(yīng)于所述驅(qū)動電流的亮度發(fā)光的發(fā)光元件；以及特定像素電路，包括響應(yīng)于特定灰度值的發(fā)光信號發(fā)光的特定發(fā)光元件，所述信號處理電路包括亮度劣化信息生成部，用于根據(jù)所述像素電路的環(huán)境溫度及所述特定像素電路的所述特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與每個所述像素電路中的所述發(fā)光元件發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算部，用于根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的所述圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的所述亮度劣化的亮度劣化值；以及校正部，用于根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
8.一種電子裝置，包括信號處理電路，用于校正圖像信號的灰度值；多個像素電路，每個像素電路都包括當(dāng)被提供對應(yīng)于所述圖像信號的驅(qū)動電流時以對應(yīng)于所述驅(qū)動電流的亮度發(fā)光的發(fā)光元件；以及特定像素電路，包括響應(yīng)特定灰度值的發(fā)光信號發(fā)光的發(fā)光元件， 所述信號處理電路包括亮度劣化信息生成部，用于根據(jù)所述像素電路的環(huán)境溫度及所述特定像素電路的所述發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與每個所述像素電路中的所述發(fā)光元件發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息，亮度劣化值計算部，用于根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的所述圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的所述亮度劣化的亮度劣化值，以及校正部，用于根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
9.一種信號處理方法，包括亮度劣化信息生成步驟，根據(jù)像素電路的環(huán)境溫度及以特定灰度值被驅(qū)動發(fā)光的特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與所述像素電路中的發(fā)光元件所發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算步驟，根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路所發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及通過所述亮度劣化信息生成步驟所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正步驟，根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
10.一種程序，用于使計算機執(zhí)行以下步驟亮度劣化信息生成步驟，根據(jù)像素電路的環(huán)境溫度及以特定灰度值被驅(qū)動發(fā)光的特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與所述像素電路中的發(fā)光元件所發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算步驟，根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路所發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及通過所述亮度劣化信息生成步驟所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正步驟，根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
11. 一種信號處理裝置，包括亮度劣化信息生成裝置，用于根據(jù)像素電路的環(huán)境溫度及以特定灰度值被驅(qū)動發(fā)光的特定發(fā)光元件的響應(yīng)于流逝時間而劣化的亮度值，來生成與所述像素電路中的發(fā)光元件所發(fā)出的光的、對應(yīng)于發(fā)光時的溫度條件的光亮度劣化有關(guān)的亮度劣化信息；亮度劣化值計算裝置，用于根據(jù)表示被提供給處于預(yù)定狀態(tài)的所述像素電路的圖像信號與響應(yīng)于所述圖像信號而從所述像素電路發(fā)出的光的亮度之間的相關(guān)特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成裝置所生成的所述亮度劣化信息，來計算關(guān)于每個所述像素電路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正裝置，用于根據(jù)所述亮度劣化值來校正待輸入至所述像素電路的所述圖像信號的所述灰度值。
全文摘要
本申請披露了一種信號處理裝置、方法及程序，及顯示裝置、電子裝置。該信號處理裝置包括亮度劣化信息生成部，用于根據(jù)發(fā)光時的溫度條件來生成關(guān)于亮度劣化的亮度劣化信息；亮度劣化值計算部，用于計算與每個像素電路的亮度劣化有關(guān)的亮度劣化值；以及校正部，用于根據(jù)亮度劣化值來校正待輸入至像素電路的圖像信號的灰度值。
文檔編號G09G3/20GK102208161SQ20111007112
公開日2011年10月5日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日
發(fā)明者中村和夫, 內(nèi)野勝秀, 山下淳一, 山本哲郎, 長谷川洋 申請人:索尼公司