專利名稱：顯示裝置和顯示驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有以矩陣形式配置像素電路的像素陣列的顯示裝置及其顯示驅動 方法，并且例如，涉及使用有機電致發(fā)光器件(有機EL器件)作為發(fā)光器件的顯示裝置。
背景技術：
例如，如在JP-A-2003-255856和JP-A-2003-271095中所公開的，已經開發(fā)了一種 使用用于像素的有機EL器件的圖像顯示裝置。例如與液晶顯示器相比較，由于有機EL器 件為自發(fā)光型器件，所以該裝置具有圖像的可視性更高、不需要背光、響應速度更快等的優(yōu) 點。此外，各個發(fā)光器件的亮度級(灰度級)可以通過流入其中的電流值來控制(所謂的 電流控制型)。在有機EL顯示器中，與液晶顯示器一樣，存在簡單矩陣方式和有源矩陣方式作為 其驅動方式。前者在結構上較簡單，然而，其具有難以實現(xiàn)大且高清晰度顯示器等的問題， 因此，當前，積極開發(fā)了一種有源矩陣方式。該方式通過使用設置在像素電路內的有源器件 (通常，薄膜晶體管TFT)，來控制流入各個像素電路內的發(fā)光器件的電流。

發(fā)明內容
對于使用有機EL器件的像素電路構造，強烈需要通過消除關于像素等的亮度不 均勻性、增大面板、提高亮度、提高清晰度、提高幀率(高頻率)等來改善顯示質量。鑒于上述需求，研究了各種構造。例如，如在JP-A-2007-133282中，已經提出了這 樣的像素電路構造和操作，其中，可以通過消除關于每個像素的驅動晶體管的閾值電壓和 遷移率的變化，來消除關于每個像素的亮度不均勻性。因此，期望實現(xiàn)一種優(yōu)選用于通過高頻率進行加速并以高數倍的速度進行驅動等 的像素電路操作，作為使用有機EL器件的顯示裝置。根據本發(fā)明實施方式的顯示裝置包括像素陣列，其中，以矩陣形式配置像素電 路，每個像素電路均具有發(fā)光器件、驅動晶體管和保持電容，該驅動晶體管在漏極和源極之 間被施加驅動電壓時、將響應于柵極-源極電壓的電流施加至發(fā)光器件，該保持電容連接 在驅動晶體管的柵極和源極之間并保持驅動晶體管的閾值電壓和輸入的視頻信號電壓；信 號選擇器，將視頻信號電壓提供給在像素陣列上以列配置的各條信號線；驅動控制掃描器， 將電源脈沖提供給在像素陣列上以行配置的電源控制線，并且將驅動電壓施加至像素電路 的驅動晶體管；以及寫入掃描器，將掃描脈沖提供給在像素陣列上以行配置的各條寫入控 制線，并且執(zhí)行視頻信號電壓向像素電路的輸入。在像素陣列的每個像素電路中，通過像素 電路的行的寫入控制線的掃描脈沖和像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，來控制 將驅動晶體管的柵極-源極電壓設定為驅動晶體管的閾值電壓的閾值校正操作、以及來自 信號線的視頻信號電壓向驅動晶體管的柵極和源極之間的輸入操作。具體地，像素電路具有第一取樣晶體管和第二取樣晶體管，一個為η溝道型而另 一個為P溝道型，第一取樣晶體管和第二取樣晶體管串聯(lián)連接在信號線和驅動晶體管的柵極之間，并且在兩個晶體管均被導通時，將提供給信號線的視頻信號電壓輸入至驅動晶體 管的柵極；基準電壓輸入晶體管，其與第一取樣晶體管類型的溝道型相同，連接在固定基準 電壓和驅動晶體管的柵極之間，并在被導通時將基準電壓輸入至驅動晶體管的柵極；以及 保持電容，連接在驅動晶體管的柵極和源極之間，并保持驅動晶體管的閾值電壓和輸入的 視頻信號電壓。此外，每個像素電路的第一取樣晶體管的導通由像素電路的行的寫入控制 線的掃描脈沖來控制，以及每個像素電路的第二取樣晶體管和基準電壓輸入晶體管的導通 由像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖來控制。在這種情況下，在每個像素電路中，當驅動控制掃描器將驅動電壓提供給驅動晶 體管時，通過來自寫入掃描器的、像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，使第二取樣 晶體管非導通，而使基準電壓輸入晶體管導通，從而，執(zhí)行閾值校正操作。此外，寫入掃描器輸出各行的掃描脈沖，使得可以在各個像素電路中的一個發(fā)光 周期期間內執(zhí)行多次閾值校正操作。此外，在每個像素電路中，當信號選擇器將用于像素電路的視頻信號電壓提供給 信號線時，通過一行和前一行像素電路的各條寫入控制線的掃描脈沖，使第一取樣晶體管 和第二取樣晶體管導通，而使基準電壓輸入晶體管非導通，從而，執(zhí)行視頻信號電壓的輸入 操作。本發(fā)明另一實施方式的顯示驅動方法包括以下步驟對于每個像素電路，通過像 素電路的行的寫入控制線的掃描脈沖和像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，來執(zhí) 行將驅動晶體管的柵極-源極電壓設定為驅動晶體管的閾值電壓的閾值校正操作，并且通 過像素電路的行的寫入控制線的掃描脈沖和像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖， 進一步執(zhí)行來自信號線的視頻信號電壓向驅動晶體管的柵極和源極之間的輸入操作。與有機EL顯示裝置中一樣，在通過將響應于驅動晶體管的柵極-源極電壓的電流 施加至發(fā)光器件等來獲得發(fā)光灰度級的顯示裝置中，通過執(zhí)行消除驅動晶體管的閾值電壓 的變化的閾值校正來改善圖像質量。為此，通過使用信號線將在閾值校正時提供給像素電 路的閾值校正基準電壓和作為要實際顯示的灰度級值的視頻信號電壓分時地提供給各個 像素電路。另一方面，在諸如高幀率驅動的高速驅動的情況下，分時驅動增加了信號選擇器 的處理負擔。因此，在本發(fā)明的實施方式中，信號選擇器僅將視頻信號電壓提供給信號線。此 外，由固定電源提供閾值校正基準電壓。此外，為了可以在像素電路的發(fā)光之前，將閾值校 正基準電壓輸入至像素電路，使用了像素電路的前一行的掃描脈沖。根據本發(fā)明的實施方式，信號選擇器僅將視頻信號電壓提供給信號線，而不需要 分時提供閾值校正基準電壓。從而，即使當像素驅動變得更快時，信號選擇器的處理負擔也 較小，并且具有高速處理和成本方面的優(yōu)點。此外，使用閾值校正基準電壓的閾值校正是可行的，并且可以平衡高速驅動和圖 像質量的改善這兩者。此外，向像素電路提供閾值校正基準電壓的控制使用了前一行的掃 描脈沖，并且不需要任何新的獨立控制線構造，也不會進一步引起像素陣列的構造等的復 雜性。


圖1是本發(fā)明實施方式的顯示裝置的構造的說明圖；圖2是實施方式的像素電路的電路圖；圖3是比較例的像素電路的電路圖；圖4是在執(zhí)行分割閾值校正的情況下的像素電路操作的說明圖；圖5A和圖5B是比較例的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路圖；圖6A和圖6B是比較例的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路圖；圖7A和圖7B是比較例的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路圖；圖8是實施方式的像素電路的操作的說明圖；圖9A和圖9B是實施方式的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路 圖；圖IOA和圖IOB是實施方式的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路 圖；圖IlA和圖IlB是實施方式的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路 圖；以及圖12A和圖12B是實施方式的像素電路的發(fā)光操作的一個周期的處理的等效電路 圖。
具體實施例方式如下，將按下列順序來說明本發(fā)明的實施方式。[1.顯示裝置和像素電路的構造][2.在得到本發(fā)明的過程中所考慮的像素電路操作分割閾值校正][3.實施方式的像素電路操作][1.顯示裝置和像素電路的構造]圖1示出了實施方式的有機EL顯示裝置的構造。有機EL顯示裝置包括使用有機EL器件作為發(fā)光器件并使用有源矩陣方式執(zhí)行發(fā) 光驅動的像素電路10。如圖所示，有機EL顯示裝置具有在行方向和列方向上以矩陣(m行Xn列)形式 配置許多像素電路10的像素陣列20。每個像素電路10為R (紅色)、G (綠色)、B (藍色) 發(fā)光像素中的一個，各個顏色的像素電路10以預定的規(guī)則配置，從而形成彩色顯示裝置。作為用于各個像素電路10的發(fā)光驅動的構造，設置了水平選擇器11、驅動掃描器 12和寫入掃描器13。此外，由水平選擇器11選擇的信號線DTL1、DTL2.....DTL(η)在列方向上配置于
像素陣列上，這些信號線響應于作為顯示數據的亮度信號的信號值(灰度級值)而將電壓
提供給像素電路10。信號線DTL1、DTL2.....DTL(η)以按矩陣形式配置在像素陣列20中
的像素電路10的列數(η列)而設置。此外，寫入控制線WSL1、WSL2、. . .、WSL(m)以及電源控制線DSL1、DSL2、...、 DSL(m)在行方向上配置于像素陣列20上。這些寫入控制線WSL和電源控制線DSL分別以 按矩陣形式配置在像素陣列20中的像素電路10的行數(m行)而設置。
寫入控制線WSL(WSL1至WSL(m))由寫入掃描器13來驅動。寫入掃描器13以預定的預設時間順次地將掃描脈沖WS (WSl至WS (m))提供給以 行配置的各條寫入控制線WSLl至WSL(m)，并且線序地(line-sequentially)逐行掃描像素 電路10。電源控制線DSL(DSL1至DSL (m))由驅動掃描器12來驅動。驅動掃描器12根據
寫入掃描器13的線序掃描，而將電源脈沖DS(DS1、DS2.....DS(m))提供給以行配置的各
條電源控制線DSLl至DSL(m)。電源脈沖DS(DS1、DS2、. . .、DS(m))是在驅動電壓Vcc和初 始電壓Vini這兩個值之間進行切換的脈沖電壓。驅動掃描器12和寫入掃描器13基于時鐘ck和起始脈沖sp來設定掃描脈沖WS 和電源脈沖DS的定時。水平選擇器11根據寫入掃描器13的線序掃描，而將作為像素電路10的輸入信號 的信號線電壓提供給在列方向上配置的信號線DTL1、DTL2、...。在實施方式中，水平選擇 器11將作為信號線電壓的閾值校正基準電壓Vofs和視頻信號電壓Vsig提供給各條信號 線。在實施方式的顯示裝置中，所附權利要求中的信號選擇器的實例為水平選擇器 11，驅動控制掃描器的實例為驅動掃描器12，以及寫入掃描器的實例為寫入掃描器13。圖2示出了實施方式的像素電路10的構造實例。像素電路10以矩陣形式配置為 圖1的構造中的像素電路10。為簡單起見，圖2僅示出了設置在信號線DTL、寫入控制線WSL(X)和電源控制線 DSL(X)相交叉的部分中的一個像素電路10。即，示出了在像素陣列20內的第χ行中的特 定像素電路10。像素電路10包括作為發(fā)光器件的有機EL器件1、保持電容Cs、取樣晶體管Tsl、 Ts2、驅動晶體管Td以及基準電壓輸入晶體管Tofs。電容Coled為有機EL器件1的寄生電容。取樣晶體管Tsl、驅動晶體管Td和基準電壓輸入晶體管Tofs包括η溝道型薄膜晶 體管(TFT)，并且取樣晶體管Ts2包括ρ溝道型TFT。保持電容Cs具有連接至驅動晶體管Td的源極(節(jié)點冊幻的一個端子和連接至 同一驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點NDl)的另一端子。像素電路10的發(fā)光器件是具有二極管結構的有機EL器件1，并且例如具有陽極和 陰極。有機EL器件1的陽極連接至驅動晶體管Td的源極，而陰極連接至預定的配線(陰 極電位Vcat)。取樣晶體管Tsl、Ts2使它們的源極和漏極串聯(lián)連接在信號線DTL和驅動晶體管Td 的柵極(節(jié)點NDl)之間。g卩，取樣晶體管Tsl使其漏極和源極中的一端連接至信號線DTL，而使另一端連接 至取樣晶體管Ts2。取樣晶體管Ts2的漏極和源極中的一端連接至取樣晶體管Tsl，而另一 端連接至驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點NDl)。因此，僅當兩個取樣晶體管Tsl、Ts2均被導通時，信號線DTL的信號線電壓(視頻 信號電壓Vsig)才被輸入至驅動晶體管Td的柵極。此外，取樣晶體管Tsl的柵極連接至對應于像素電路10的行的寫入控制線WSL (χ)。另一方面，取樣晶體管Ts2的柵極連接至對應于像素電路10的行的前一行的寫入 控制線WSL (x-1)。驅動晶體管Td的漏極連接至電源控制線DSL。此外，基準電壓輸入晶體管Tofs使其漏極和源極中的一端連接至基準電壓Vofs 的固定電源線，而使另一端連接至同一驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點NDl)?；鶞孰妷狠斎刖w管Tofs的柵極連接至對應于像素電路10的行的前一行(第 (x-1)行)的寫入控制線WSL(x-l)?；鶞孰妷狠斎刖w管Tofs為η溝道型TFT，取樣晶體管Ts2為ρ溝道型TFT，并 且它們使它們的柵極共同連接至WSL(x-l)，因此，基準電壓輸入晶體管Tofs和取樣晶體管 Ts2不會同時被導通。有機EL器件1的發(fā)光驅動基本如下。當將視頻信號電壓Vsig施加至信號線DTL時，通過由寫入控制線WSL(X)、 WSL(x-l)而從寫入掃描器13提供的掃描脈沖1500、150^-1)，來導通取樣晶體管1^1、1^2。 因此，將來自信號線DTL的視頻信號電壓Vsig寫入保持電容Cs。驅動晶體管Td通過來自電源控制線DSL (通過驅動掃描器12而被提供有驅動電 位Vcc)的電流供給，而使電流Ids流入有機EL器件1，并且使有機EL器件1發(fā)光。在這點上，電流Ids響應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs而取值(響應于 在保持電容Cs中保持的電壓的值)，并且有機EL器件1發(fā)射具有響應于電流值的亮度的光。即，在像素電路10的情況下，驅動晶體管Td的柵極施加電壓通過從信號線DTL將 視頻信號電壓Vsig寫入保持電容Cs而改變，從而，控制了流入有機EL器件1的電流值，并 且獲得了發(fā)光的灰度級。由于驅動晶體管Td被設計為在飽和區(qū)域中持續(xù)操作，所以驅動晶體管Td用作具 有下列等式(1)中所示的值的恒定電流源。Ids = (1/2) · μ · (ff/L) · Cox · (Vgs-Vth)2. · · (1)Ids表示在飽和區(qū)域中操作的晶體管的漏極和源極之間流動的電流，μ表示遷移 率，W表示溝道寬度，L表示溝道長度，Cox表示柵極電容，并且Vth表示驅動晶體管Td的閾 值電壓。如從等式(1)清楚可見，漏極電流Ids在飽和區(qū)域中由柵極-源極電壓Vgs來控 制。由于柵極-源極電壓Vgs保持不變，因此驅動晶體管Td作為恒定電流源來操作，并且 可以使有機EL器件1發(fā)射具有恒定亮度的光?；旧?，以這種方式，在每幀期間中，在像素電路10中執(zhí)行將視頻信號電壓(灰度 級值)Vsig寫入保持電容Cs的操作，從而，響應于要顯示的灰度級來確定驅動晶體管Td的 柵極-源極電壓Vgs。此外，驅動晶體管Td通過在飽和區(qū)域中操作而用作有機EL器件1的恒定電流源， 并使響應于柵極-源極電壓Vgs的電流流入有機EL器件1，從而，在每幀期間內，在有機EL 器件1中發(fā)射具有響應于視頻信號的灰度級值的亮度的光。[2.在得到本發(fā)明的過程中所考慮的像素電路操作分割閾值校正]
這里，為了理解本發(fā)明，將說明在得到本發(fā)明的過程中所考慮的像素電路操作。該 操作是包括閾值校正操作和遷移率校正操作的電路操作，閾值校正操作和遷移率校正操作 用于補償由于各個像素電路10的驅動晶體管Td的閾值和遷移率的變化所導致的均勻性劣 化。具體地，作為閾值校正操作，示出了執(zhí)行在一個發(fā)光周期的期間內分割地多次執(zhí)行的分 割閾值校正的實例。在像素電路操作中，在現(xiàn)有技術中已經進行了自身的閾值校正操作和遷移率校正 操作，這里將簡要地說明它們的必要性。例如，在使用多晶硅TFT等的像素電路中，驅動晶體管Td的閾值電壓Vth和形成 驅動晶體管Td的溝道的半導體薄膜的遷移率μ可以隨時間而改變。此外，閾值電壓Vth 和遷移率μ的晶體管特性由于在制造處理中的變化而可以在像素與像素之間改變。當驅動晶體管Td的閾值電壓Vth和遷移率μ在像素與像素之間改變時，流入驅 動晶體管Td的電流值也在像素與像素之間改變。因此，如果將相同的視頻信號值(視頻信 號電壓Vsig)提供給所有的像素電路10，則有機EL器件1的發(fā)光亮度在像素與像素之間變 化，結果，降低了畫面均勻性。由于這個原因，在像素電路操作中，提供了用于閾值電壓Vth和遷移率μ的變化 的校正功能。這里，將說明在圖3中示出的普通像素電路10的操作。與圖2中的實施方式的像素電路10相比較，沒有設置第二取樣晶體管Ts2，也沒有 設置基準電壓輸入晶體管Tofs。此外，水平選擇器11分時地將視頻信號電壓Vsig和用于閾值校正操作的閾值校 正基準電壓Vofs提供給信號線DTL。通過從驅動晶體管Td向有機EL器件1的電流施加的基本發(fā)光操作是相同的。即，在將視頻信號電壓Vsig施加至信號線DTL時，通過由寫入控制線WSL而從寫 入掃描器13提供的掃描脈沖WS，使取樣晶體管Ts導通。因此，將來自信號線DTL的視頻信 號電壓Vsig寫入保持電容Cs。此外，驅動晶體管Td通過在飽和區(qū)域中操作而用作有機EL器件1的恒定電流源， 并且使響應于被寫入保持電容Cs的視頻信號電壓Vsig(柵極-源極電壓Vgs)的電流Ids 流入有機EL器件1。從而，發(fā)射具有響應于視頻信號的灰度級值的亮度的光。圖4示出了像素電路10的一個發(fā)光周期(一幀期間)的操作的時序圖。在圖4中，示出了水平選擇器11提供給信號線DTL的信號線電壓。在操作實例的 情況下，水平選擇器11在一個水平期間(IH)將作為閾值校正基準電壓VofS和視頻信號電 壓Vsig的脈沖電壓提供給信號線DTL以作為信號線電壓。此外，在圖4中，示出了經由電源控制線DSL而從驅動掃描器12提供的電源脈沖 DS。作為電源脈沖DS，提供了驅動電壓Vcc或初始電壓Vini。此外，在圖4中，示出了由寫入掃描器13經由寫入控制線WSL而提供給取樣晶體 管Ts的柵極的掃描脈沖WS。在掃描脈沖WS被設定為H電平時，η溝道取樣晶體管Ts被導 通，并且在掃描脈沖WS被設定為L電平時，取樣晶體管非導通。另外，在圖4中，示出了驅動晶體管Td的柵極電壓Vg和源極電壓Vs的變化作為 圖3中所示的節(jié)點ND1、ND2的電壓。
圖4的時序圖中的時間點ts為一個周期(圖像顯示的一幀期間)的起始定時，在 該一個周期中，驅動作為發(fā)光器件的有機EL器件1以發(fā)光。在時間點ts (期間LT0)之前，執(zhí)行前一幀的發(fā)光。在圖5A中示出了期間LTO的 等效電路。S卩，有機EL器件1的發(fā)光狀態(tài)是電源脈沖DS處于驅動電壓Vcc并且取樣晶體管 Ts截止的狀態(tài)。此時，驅動晶體管Td被設定為在飽和區(qū)域中操作，因此，流入有機EL器件 1的電流Ids'響應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs而獲取上述等式(1)中示出的值。在時間點ts，開始該幀中的發(fā)光的操作。首先，將電源脈沖設定為初始電位Vini。圖5B示出了期間LTl的等效電路。在該期間中，初始電位Vini小于有機EL器件1的閾值電壓Vthe 1和陰極電壓Vcat 的總和，即，Vini彡Vthel+Vcat,因此，有機EL器件1熄滅并開始非發(fā)光期間。此時，電源 控制線DSL用作驅動晶體管Td的源極。此外，有機EL器件1的陽極(節(jié)點ND2)被充電至 初始電位Vini。在固定的期間之后，進行閾值校正的準備(期間LT2a、LT2b)。在圖6A中示出了 等效電路。S卩，在期間LI^a、LT2b中，當信號線DTL的電位變?yōu)殚撝敌Ｕ鶞孰妷篤ofs時，將 掃描脈沖WS設定為H電平，并使取樣晶體管Ts導通。驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點NDl) 處于閾值校正基準電壓Vofs。驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)?Vofs-Vini)。如果(Vofs-Vini)不大于驅動晶體管Td的閾值電壓Vth，則不可能執(zhí)行閾值校正 操作，因此，將初始電位Vini與閾值校正基準電壓Vofs設定為滿足(Vofs-Vini) > Vth。S卩，作為對閾值校正的準備，使驅動晶體管Td的柵極-源極電壓充分大于閾值電 壓 Vth。隨后，執(zhí)行閾值校正(Vth校正)。這里，示出了四次閾值校正的實例作為期間LT3a 至 LT3d。首先，在期間LT3a，執(zhí)行第一閾值校正(Vth校正)。在這種情況下，當信號線電壓為閾值校正基準電壓Vofs時，寫入掃描器13將掃描 脈沖WS設定為H電平，并且驅動掃描器12將電源脈沖DS設定為驅動電壓Vcc。在圖6B中 示出了等效電路。在這種情況下，有機EL器件1的陽極(節(jié)點ND2)用作驅動晶體管Td的 源極，并且電流流入其中。因此，源極節(jié)點隨著被固定為閾值校正基準電壓Vofs的驅動晶 體管Td的柵極(節(jié)點NDl)而上升。只要有機EL器件1的陽極電位(節(jié)點ND2的電位)等于或小于(Vcat+Vthel)(有 機EL器件1的閾值電壓)，則就將驅動晶體管Td的電流用于對保持電容Cs和電容Coled 進行充電。用語“只要有機EL器件1的陽極電位等于或小于(Vcat+Vthel)”意指有機EL 器件1的漏電流基本上小于流入驅動晶體管Td的電流。因此，節(jié)點ND2的電位(驅動晶體管Td的源極電位)隨著時間而上升。閾值校正基本上指的是將驅動晶體管Td的柵極-源極電壓設定為閾值電壓Vth 的操作。因此，可以升高驅動晶體管Td的源極電位，直到驅動晶體管Td的柵極-源極電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th。然而，可以僅在信號線電壓=Vofs期間中將柵極節(jié)點固定為閾值校正基準電 壓Vofs。然后，根據幀率等，通過一次閾值校正操作，可以不用花費源極電位上升直到柵 極-源極電壓達到閾值電壓Vth的足夠的時間。由于這個原因，多次分割執(zhí)行閾值校正。因此，在信號線電壓變?yōu)橐曨l信號電壓Vsig之前，作為期間LT3a的閾值校正結 束。即，寫入掃描器13立即將掃描脈沖WS設定為L電平并截止取樣晶體管Ts。此時，柵極和源極均被浮置，電流響應于柵極-源極電壓Vgs而在漏極和源極之間 流動，并且發(fā)生自舉(bootstrap)。即，如圖所示，柵極電位和源極電位上升。接下來，在期間LT3b，執(zhí)行第二閾值校正。即，當信號線電壓等于閾值校正基準電 壓Vofs時，寫入掃描器13將掃描脈沖WS設定為H電平，并再次導通取樣晶體管Ts。從而， 將驅動晶體管Td的柵極電壓設定為閾值校正基準電壓Vofs，并再次提高了源極電位。此外，暫停閾值校正。應注意，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓通過第二閾值校正 而更接近于閾值電壓Vth，因此，在第二暫停期間的自舉量小于在第一暫停期間的自舉量。然后，在期間LT3c中執(zhí)行第三閾值校正，在另一暫停之后，在期間LT3d中執(zhí)行第 四閾值校正。最后，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th。此時，源極電位(節(jié)點ND2 有機EL器件1的陽極電位)= (Vofs-Vth)彡(Vcat+Vthel) (Vcat為陰極電位并且Vthel為有機EL器件1的閾值電壓)。在圖4的情況下，在第四閾值校正的期間LT3d之后，將掃描脈沖WS設定為L電平， 并且使取樣晶體管Ts截止，從而完成了閾值校正。這里，示出了執(zhí)行四次閾值校正的實例，然而，分割閾值校正操作的次數根據顯示 裝置的構造和操作而適當地確定，例如，其可以為兩次、三次、五次或更多次。然后，在信號線電壓為視頻信號電壓Vsig的期間LT4中，寫入掃描器13將掃描脈 沖WS設定為H電平，并且執(zhí)行視頻信號電壓Vsig的寫入和遷移率校正。即，將視頻信號電 壓Vsig輸入至驅動晶體管Td的柵極。在圖7A中示出了等效電路。驅動晶體管Td的柵極電位為視頻信號電壓Vsig的電位，并且由于電源控制線DSL 處于驅動電壓Vcc所以電流流動，且源極電位隨著時間而上升。在這點上，如果驅動晶體管Td的源極電壓小于有機EL器件1的閾值電壓Vthel 和陰極電壓Vcat的總和，則驅動晶體管Td的電流用于對保持電容Cs和電容Coled進行充 電。即，條件是有機EL器件1的漏電流顯著小于流入驅動晶體管Td的電流。此時，完成了驅動晶體管Td的閾值校正操作，并且流入驅動晶體管Td的電流反映 出遷移率μ。具體地，如果遷移率越大，則此時的電流量越大且源極上升越快。相反，如果遷移 率越小，則電流量越小且源極上升越慢。從而，在掃描脈沖WS為H電平的期間LT4中，在取樣晶體管Ts被導通之后，驅動晶 體管Td的源極電壓Vs上升，而當取樣晶體管Ts被截止時，源極電壓Vs變?yōu)榉从尺w移率μ 的VsO。驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs反映遷移率并變得更小(Vgs = (Vsig-VsO)), 并且在經過固定的時間期間之后成為完全校正遷移率的電壓。在以上述方式執(zhí)行視頻信號電壓Vsig的寫入和遷移率校正之后，柵極-源極電壓
11Vgs固定，并且處理移動至自舉和發(fā)光(期間LI^)。圖7B示出了等效電路。S卩，將掃描脈沖Ws設定為L電平，使取樣晶體管Ts截止，并結束寫入，然后，使有 機EL器件1發(fā)光。這種情況下，響應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs的電流Ids 流入有機EL器件1，節(jié)點ND2的電位上升至使電流流動的電壓VEL，并且有機EL器件1發(fā) 光。此時，取樣晶體管Ts是截止的，并且驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點NDl)在節(jié)點ND2的 電位上升的同時而類似地上升，從而，使柵極-源極電壓Vgs保持不變(自舉操作)。如上所述，像素電路10在一幀期間中包括閾值校正操作和遷移率校正操作作為 發(fā)光操作的一個周期，并且執(zhí)行有機EL器件1的發(fā)光的操作。通過閾值校正操作，可以將響應于信號電位Vsig的電流提供給有機EL器件1，而 與每個像素電路10中的驅動晶體管Td的閾值電壓Vth的變化以及由于隨著時間波動而引 起的閾值電壓Vth波動無關。即，可以消除在制造時或由于時間變化而引起的閾值電壓Vth 的變化，并且可以保持高質量，而不會存在畫面上的亮度不均勻性等。此外，漏極電流由于驅動晶體管Td的遷移率也發(fā)生變化，并且圖像質量由于驅動 晶體管Td的遷移率關于每個像素電路10的變化而變得更低，然而，通過遷移率校正，可以 響應于驅動晶體管Td的遷移率的大小來獲得源極電位Vs。結果，柵極-源極電壓Vgs被調 節(jié)為吸收每個像素電路10的驅動晶體管Td的遷移率的變化，并且可以消除由于遷移率的 變化而導致的圖像質量降低。此外，作為像素電路操作的一個周期，被分割并多次執(zhí)行的閾值校正操作是基于 對顯示裝置的更高速度(更高頻率)的需求。隨著幀率變得更高，像素電路的操作時間變得相對更短，并且難以確保連續(xù)的閾 值校正期間(信號線電壓=閾值校正基準電壓Vofs的期間)。因此，通過以上述方式分 時地執(zhí)行閾值校正操作，確保了作為閾值校正期間的所需期間，并且將驅動晶體管Td的柵 極-源極電壓收斂于閾值電壓Vth。然而，高速驅動具有下面的缺點。從圖4中的信號線電壓可以了解，在一個水平期間中，水平選擇器11將視頻信號 電壓Vsig和閾值校正基準電壓Vofs分時地輸出至信號線DTL。隨著驅動速度通過更高的幀率等變得更高，一個水平期間變得更短，那么，水平選 擇器11的分時操作的操作余量變得更低。此外，在水平選擇器11中增加了處理負擔并存 在用于信號線DTL的驅動器的更高性能的需求，它們導致了成本增加。[3.實施方式的像素電路操作]因此，在該實施方式中，提出了水平選擇器11可以僅輸出視頻信號電壓Vsig，而 不需要分時輸出。顯然，由此應當避免圖像劣化等的發(fā)生。由于這個原因，采用了這樣一種 構造，其中，通過使用除信號線DTL之外的某物將閾值校正基準電壓Vof s引入像素電路，來 執(zhí)行閾值校正。此外，因此避免了面板構造由于新的控制線而變得復雜。為了這些目的，在該實施方式中，像素電路10采用圖2中的上述構造。此外，像素 電路10通過圖8中所示的驅動時序來操作。圖8中說明的操作指的是這樣的閾值校正操作，其中，像素電路10通過像素電路 10的行的寫入控制線WSL(X)的掃描脈沖WS(X)以及像素電路10的前一行的寫入控制線 WSL (x-1)的掃描脈沖WS (x-1)，將驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs設定為驅動晶體管Td的閾值電壓Vth。此外，該操作還指這樣一種操作，其中，通過掃描脈沖WS(X)和WS(x-l) 來控制來自信號線DTL的視頻信號電壓Vsig向驅動晶體管Td的柵極和源極之間的輸入操作。圖8示出了像素電路10的操作的一個發(fā)光周期(一幀期間)的操作的時序圖。在圖8中，示出了水平選擇器11提供給信號線DTL的信號線電壓。在操作實例的 情況下，水平選擇器11在一個水平期間(IH)中將視頻信號電壓Vsig提供給信號線DTL作 為信號線電壓。S卩，水平選擇器11沒有執(zhí)行閾值校正基準電壓Vofs的輸出。如圖2所示，閾值校 正基準電壓Vofs經由基準電壓輸入晶體管Tofs從固定電源線被引入像素電路10。此外，在圖8中，示出了經由電源控制線DSL而從驅動掃描器12提供的電源脈沖 DS。作為電源脈沖DS，提供了驅動電壓Vcc或初始電壓Vini。此外，在圖8中，示出了通過寫入掃描器13經由WSL而提供給取樣晶體管Ts的掃 描脈沖WS。這里，示出了對應于像素電路10的行的寫入控制線WSL(X)的掃描脈沖WS(X) 和對應于前一行的寫入控制線WSL(x-l)的掃描脈沖WS(x-l)。例如，各行中的掃描脈沖WS經由寫入掃描器13內的移位寄存器而被輸出至如圖 1所示的各條寫入控制線WSLl至WSL (m)。因此，掃描脈沖WS (χ)相對于掃描脈沖WS (χ_1) 具有延遲一個水平期間的波形。η溝道型取樣晶體管Tsl在將掃描脈沖WS (χ)設定為H電平時而被導通，而在將掃 描脈沖WS(X)設定為L電平時不被導通。ρ溝道型取樣晶體管Ts2在將掃描脈沖WS (x-1)設定為L電平時被導通，而在將掃 描脈沖WS(x-l)設定為H電平時不被導通。η溝道型基準電壓輸入晶體管Tofs在將掃描脈沖WS(x_l)設定為H電平時被導 通，而在將掃描脈沖WS(x-l)設定為L電平時不被導通。另外，在圖8中，示出了驅動晶體管Td的柵極電壓Vg和源極電壓Vs的變化以作 為節(jié)點NDU ND2的電壓。將說明圖8中的操作。圖8的時序圖中的時間點ts為一個周期(例如，圖像顯示 的一幀期間)的起始定時，在該一個周期中，驅動作為發(fā)光器件的有機EL器件1發(fā)光。在時間點ts (期間LTO)之前，執(zhí)行前一幀的發(fā)光。在圖9A中示出了期間LTO的 等效電路。S卩，有機EL器件1的發(fā)光狀態(tài)是電源脈沖DS為驅動電壓Vcc并且取樣晶體管Ts 截止的狀態(tài)。盡管取樣晶體管Ts2是導通的，但由于取樣晶體管Tsl是截止的，所以節(jié)點 NDl與信號線DTL是隔離的。此外，基準電壓輸入晶體管Tofs也是截止的，并且節(jié)點NDl與 閾值校正基準電壓Vofs的固定電源線也是隔離的。此時，驅動晶體管Td被設定為在飽和區(qū)域中操作，因此，流入有機EL器件1的電 流Ids'響應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs而取得上述等式(1)中示出的值。在時間點ts，開始該幀中的發(fā)光的操作。首先，將電源脈沖DS設定為初始電位Vini。在該期間中，初始電位Vini小于有 機EL器件1的閾值電壓Vthel和陰極電壓Vcat的總和，即，Vini ( Vthel+Vcat，因此，有 機EL器件1熄滅并開始非發(fā)光期間。此時，如圖9B所示，電源控制線DSL用作驅動晶體管Td的源極，并且有機EL器件1的陽極(節(jié)點ND2)被充電至初始電位Vini。在固定期間之后，進行閾值校正的準備(期間LT2a、LT2b)。首先，在期間LDa中，掃描脈沖WS(x-l)處于H電平。如圖IOA中所示的等效電 路，基準電壓輸入晶體管Tofs是導通的。取樣晶體管Tsl、Ts2均是截止的。因此，將來自固定電源線的閾值校正基準電壓Vofs輸入至驅動晶體管Td的柵極 (節(jié)點NDl)。因此，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)?Vofs-Vini)。此外，在期間LT2b中，掃描脈沖WS(x-l)處于H電平。如圖IOB中所示的等效電 路，基準電壓輸入晶體管Tofs是導通的。取樣晶體管Tsl是導通的，而取樣晶體管Ts2是 截止的。在這種情況下，也將來自固定電源線的閾值校正基準電壓Vofs輸入至驅動晶體 管Td的柵極(節(jié)點NDl)。因此，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)?Vofs-Vini)。在期間LTh、Lt2b中，作為閾值校正的準備，使驅動晶體管的柵極-源極電壓Vgs 充分大于閾值電壓Vth。如果柵極-源極電壓Vgs (在這種情況下，(Vgs = Vofs-Vini))不 大于驅動晶體管Td的閾值電壓Vth，則不可能執(zhí)行閾值校正操作，因此，將初始電位Vini和 閾值校正基準電壓Vofs設定為滿足(Vofs-Vini) > Vth0隨后，執(zhí)行閾值校正(Vth校正)。這里，將三次閾值校正的實例示出為期間LT3a 至 LT3c。首先，在期間LT3a，執(zhí)行第一閾值校正(Vth校正)。在這種情況下，在寫入掃描器13將掃描脈沖WS(X) ,ffS(x-l)設定為H電平的期間 中，驅動掃描器12將電源脈沖DS設定為驅動電壓Vcc。在圖IlA中示出了等效電路。在這 種情況下，有機EL器件1的陽極(節(jié)點ND2)用作驅動晶體管Td的源極，并且電流流入其 中。因此，源極節(jié)點隨著被固定為閾值校正基準電壓Vofs的驅動晶體管Td的柵極(節(jié)點 NDl)而上升。只要有機EL器件1的陽極電位(節(jié)點ND2的電位)等于或小于(Vcat+Vthel)(有 機EL器件1的閾值電壓)，則將驅動晶體管Td的電流用于對保持電容Cs和電容Coled進 行充電。用語“只要有機EL器件1的陽極電位等于或小于(Vcat+Vthel)”意指有機EL器 件1的漏電流基本上小于流入驅動晶體管Td的電流。因此，如圖8所示，節(jié)點ND2的電位(驅動晶體管Td的源極電位)隨著時間而上升。當掃描脈沖WS(X) ,ffS(x-l)處于L電平時，作為期間LT3a的第一閾值校正操作結 束，并且處理進入暫停期間。暫停期間的等效電路如圖IlB所示。即，取樣晶體管Tsl和基 準電壓輸入晶體管Tofs被截止，并且取樣晶體管Ts2被導通。此時，驅動晶體管Td的柵極和源極均被浮置，電流響應于柵極-源極電壓Vgs而 在漏極和源極之間流動，并且發(fā)生自舉。即，如圖8所示，柵極電位Vg和源極電位Vs上升。接下來，在期間LT!3b，當掃描脈沖WS(X)、WS(x-l)處于H電平時執(zhí)行第二閾值校 正。等效電路再次變?yōu)閳DIlA中所示的電路。從而，將驅動晶體管Td的柵極電壓設定為閾值校正基準電壓Vofs，并且源極電位 再次升高。此夕卜，當掃描脈沖WS(X)、WS(x-l)處于L電平時，閾值校正操作暫停。應注意，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓通過第二閾值校正更接近于閾值電壓Vth，因此，第二暫停期 間的自舉量小于第一暫停期間的自舉量。然后，在期間LT3c中，當掃描脈沖WS(X)、WS(x-l)處于H電平時執(zhí)行第三閾值校正。最后，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓變?yōu)殚撝惦妷篤th。此時，源極電位(節(jié)點ND2 有機EL器件1的陽極電位)= (Vofs-Vth)彡(Vcat+Vthel) (Vcat為陰極電位并且Vthel為有機EL器件1的閾值電壓)。在圖8的情況下，在第三閾值校正的期間LT3c結束之后，完成了閾值校正操作。然后，在信號線電壓為像素電路10的視頻信號電壓Vsig (χ)的期間LT4，執(zhí)行視頻 信號電壓Vsig的寫入和遷移率校正。如上所述，掃描脈沖WS(X)、WS(x-l)為彼此偏移一個水平期間的脈沖，并且在期 間LT4中，掃描脈沖WS(X)處于H電平，而掃描脈沖WS(x-l)處于L電平。因此，如圖12A所示，取樣晶體管Tsl、Ts2均是導通的，而基準電壓輸入晶體管 Tofs是截止的。相應地，執(zhí)行來自信號線DTL的視頻信號電壓Vsig向驅動晶體管Td的柵極的寫 入。驅動晶體管Td的柵極電位為視頻信號電壓Vsig的電位，并且由于電源控制線DSL 處于驅動電壓Vcc，所以電流流動，且源極電位隨著時間而上升。在這點上，如果驅動晶體管Td的源極電壓小于有機EL器件1的閾值電壓Vthel 和陰極電壓Vcat的總和，則驅動晶體管Td的電流用于對保持電容Cs和電容Coled進行充 電。流入驅動晶體管Td的電流反映遷移率μ。S卩，如果遷移率越大，則此時的電流量越大，并且源極上升越快。相反，如果遷移率 越小，則電流量越小，并且源極上升越慢。從而，在掃描脈沖WS處于H電平的期間LT4中， 在取樣晶體管Ts被導通之后，驅動晶體管Td的源極電壓Vs上升，而當取樣晶體管Ts被截 止時，源極電壓Vs變?yōu)榉从尺w移率μ的VsO，驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs反映遷 移率且變得更小(Vgs= (Vsig-VsO))，并在經過固定的時間期間之后成為完全校正遷移率 μ的電壓。在以上述方式執(zhí)行視頻信號電壓Vsig的寫入和遷移率校正之后，柵極-源極電壓 VgS固定，并且處理移動至自舉和發(fā)光(期間LT5)。S卩，將掃描脈沖Ws設定為L電平，使取樣晶體管Ts截止，結束寫入，然后，使有機 EL器件1發(fā)光。等效電路如圖12Β所示。在這種情況下，響應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs的電流Ids流動，節(jié)點 ND2的電位上升至使電流流入有機EL器件1的電壓VEL，并且有機EL器件1發(fā)光。此時， 取樣晶體管Tsl和基準電壓輸入晶體管Tofs均是截止的，并且驅動晶體管Td的柵極(節(jié) 點NDl)在節(jié)點ND2的電位上升的同時而類似地上升，從而，柵極-源極電壓Vgs保持不變 (自舉操作)。如上所述，像素電路10在一幀期間中包括閾值校正操作和遷移率校正操作作為 發(fā)光操作的一個周期，并且執(zhí)行有機EL器件1的發(fā)光的操作。如上所述，在該實施方式中，通過像素電路10的行的寫入控制線WSL(X)的掃描脈沖WS(X)，來控制每個像素電路10的取樣晶體管Tsl的導通。此外，通過像素電路10的前 一行的寫入控制線WSL(x-l)的掃描脈沖WS(x-l)，來控制取樣晶體管Ts2和基準電壓輸入 晶體管Tofs的導通。此外，在每個像素電路10中，當驅動掃描器12向驅動晶體管Td提供驅動電壓Vcc 時，通過前一行的掃描脈沖WS (X-I)，使取樣晶體管Ts2截止并使基準電壓輸入晶體管Tofs 導通，從而執(zhí)行閾值校正操作(期間LB)。在一個發(fā)光周期的期間內執(zhí)行多次(期間LT3a、 LT3b,LT3c)閾值校正操作。此外，在每個像素電路10中，當水平選擇器11向信號線DTL提供用于像素電 路10的視頻信號電壓Vsig(X)時，通過關于像素電路的行和前一行的掃描脈沖WS(x)、 WS(x-l)，使取樣晶體管Tsl、Ts2導通并使基準電壓輸入晶體管截止，從而執(zhí)行視頻信號電 壓Vsig(X)的輸入操作。根據上面的說明，水平選擇器11僅需要向信號線DTL提供視頻信號電壓Vsig，而 不需要提供閾值校正基準電壓Vofs。即，無需如圖4的情況的分時供給。從而，即使當像素 驅動的速度變得更高且一個水平期間變得更短時，水平選擇器11的處理負擔也不會變得 過大。這有利于高速處理，并且可以增大操作余量。另外，這對于水平選擇器11的成本也 是有利的。另外，執(zhí)行了使用閾值校正基準電壓Vofs的閾值校正，并且可以平衡高速驅動和 圖像質量的改善這兩者。此外，由于通過使用前一行的掃描脈沖WS (x-1)來執(zhí)行向像素電路10提供閾值校 正基準電壓Vofs的控制，所以不需要任何新的獨立控制線構造。因此，不會進一步引起像 素電路10的構造的復雜性等。上文已經說明了實施方式，然而，本發(fā)明不限于這些實例。在實例中，在一個發(fā)光周期內執(zhí)行三次閾值校正，然而，分割閾值校正操作的次數 根據顯示裝置的構造和操作而適當地確定，例如，其可以為兩次、四次或更多。此外，本發(fā)明 沒有必要限于執(zhí)行多次閾值校正操作的方式。如果閾值校正通過一次閾值校正操作而完 成，則可以執(zhí)行一次操作。此外，像素電路10的構造不限于圖2中的構造。例如，取樣晶體管Tsl、Ts2以及 基準電壓輸入晶體管Tofs的η溝道型和ρ溝道型可以是相反的。顯然，在這種情況下，掃 描脈沖WS的控制邏輯也可以是相反的。另外，可以采用另一構造，只要該電路構造可以通過前一行的WS(X-I)的控制將 來自固定電源的閾值校正基準電壓Vof s引至節(jié)點ND1。本申請包含于2010年1月14日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP 2010-005965所涉及的主題，其全部內容結合于此作為參考。本領域的技術人員應當理解，根據設計要求和其他因素，可以進行各種修改、組 合、子組合和變形，只要它們在所附權利要求或其等同物的范圍之內。
1權利要求
1.一種顯示裝置，包括像素陣列，其中，以矩陣形式配置像素電路，所述像素電路均具有發(fā)光器件、驅動晶體 管和保持電容，所述驅動晶體管在漏極和源極之間被施加驅動電壓時、將響應于柵極-源 極電壓的電流施加至所述發(fā)光器件，所述保持電容連接在所述驅動晶體管的柵極和源極之 間并保持所述驅動晶體管的閾值電壓和輸入的視頻信號電壓；信號選擇器，將所述視頻信號電壓提供給在所述像素陣列上以列配置的各條信號線；驅動控制掃描器，將電源脈沖提供給在所述像素陣列上以行配置的各條電源控制線， 并且將驅動電壓施加至所述像素電路的所述驅動晶體管；以及寫入掃描器，將掃描脈沖提供給在所述像素陣列上以行配置的各條寫入控制線，并且 執(zhí)行所述視頻信號電壓向所述像素電路的輸入，其中，在所述像素陣列的每個所述像素電路中，通過所述像素電路的行的寫入控制線 的掃描脈沖和所述像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，來控制將所述驅動晶體管 的柵極-源極電壓設定為所述驅動晶體管的閾值電壓的閾值校正操作、以及來自所述信號 線的所述視頻信號電壓向所述驅動晶體管的柵極和源極之間的輸入操作。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述像素電路具有第一取樣晶體管和第二取樣晶體管，其中一個為η溝道型而另一個為P溝道型，所述第 一取樣晶體管和所述第二取樣晶體管串聯(lián)連接在所述信號線和所述驅動晶體管的柵極之 間，并且在這兩個晶體管均被導通時，將提供給所述信號線的所述視頻信號電壓輸入至所 述驅動晶體管的柵極；基準電壓輸入晶體管，與所述第一取樣晶體管的溝道型相同，連接在固定基準電壓和 所述驅動晶體管的柵極之間，并在被導通時將所述基準電壓輸入至所述驅動晶體管的柵 極；以及保持電容，連接在所述驅動晶體管的柵極和源極之間，并且保持所述驅動晶體管的閾 值電壓和輸入的所述視頻信號電壓，其中，通過所述像素電路的行的寫入控制線的掃描脈 沖來控制每個像素電路的所述第一取樣晶體管的導通，以及通過所述像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖來控制每個像素電路的所述第 二取樣晶體管和所述基準電壓輸入晶體管的導通。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，在每個所述像素電路中，當所述驅動控制掃 描器將所述驅動電壓提供給所述驅動晶體管時，通過來自所述寫入掃描器的、所述像素電 路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，使所述第二取樣晶體管非導通而使所述基準電壓輸 入晶體管導通，從而執(zhí)行閾值校正操作。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述寫入掃描器輸出各行的掃描脈沖，使得 可以在各個像素電路中的一個發(fā)光周期內可以執(zhí)行多次閾值校正操作。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置，其中，在每個所述像素電路中，當所述信號選擇器 將用于所述像素電路的所述視頻信號電壓提供給所述信號線時，通過所述像素電路的行和 前一行的各條所述寫入控制線的掃描脈沖，使所述第一取樣晶體管和所述第二取樣晶體管 導通，而使所述基準電壓輸入晶體管非導通，從而，執(zhí)行所述視頻信號電壓的輸入操作。
6.一種顯示驅動方法，用于顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括像素陣列，其中，以矩 陣形式配置像素電路，所述像素電路均具有發(fā)光器件、驅動晶體管和保持電容，所述驅動晶體管在漏極和源極之間被施加驅動電壓時、將響應于柵極-源極電壓的電流施加至所述發(fā) 光器件，所述保持電容連接在所述驅動晶體管的柵極和源極之間并且保持所述驅動晶體管 的閾值電壓和輸入的視頻信號電壓；信號選擇器，將所述視頻信號電壓提供給在所述像素 陣列上以列配置的各條信號線；驅動控制掃描器，將電源脈沖提供給在所述像素陣列上以 行配置的各條電源控制線，并且將驅動電壓施加至所述像素電路的所述驅動晶體管；以及 寫入掃描器，將掃描脈沖提供給在所述像素陣列上以行配置的各條寫入控制線，并且執(zhí)行 所述視頻信號電壓向所述像素電路的輸入，所述顯示驅動方法包括以下步驟對于所述像素陣列中的每個所述像素電路，通過所述像素電路的行的寫入控制線的掃 描脈沖和所述像素電路的前一行的寫入控制線的掃描脈沖，來執(zhí)行將所述驅動晶體管的柵 極-源極電壓設定為所述驅動晶體管的閾值電壓的閾值校正操作；以及通過所述像素電路的行的寫入控制線的掃描脈沖和所述像素電路的前一行的寫入控 制線的掃描脈沖，進一步執(zhí)行來自所述信號線的所述視頻信號電壓向所述驅動晶體管的柵 極和源極之間的輸入操作。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示裝置和顯示驅動方法，該顯示裝置包括像素陣列，其中，以矩陣形式配置像素電路，像素電路均具有發(fā)光器件、驅動晶體管和保持電容；信號選擇器，將視頻信號電壓提供給在像素陣列上以列配置的信號線；驅動控制掃描器，將電源脈沖提供給在像素陣列上以行配置的電源控制線，并且將驅動電壓施加至晶體管；以及寫入掃描器，將掃描脈沖提供給在像素陣列上以行配置的寫入控制線，并且執(zhí)行視頻信號電壓向像素電路的輸入。通過像素電路的行的掃描脈沖和像素電路的前一行的掃描脈沖，來控制將晶體管的柵極-源極電壓設定為晶體管的閾值電壓的閾值校正、以及來自信號線的視頻信號電壓向晶體管的柵極和源極之間的輸入。
文檔編號G09G3/32GK102129836SQ20111000308
公開日2011年7月20日 申請日期2011年1月7日 優(yōu)先權日2010年1月14日
發(fā)明者豐村直史, 杉本秀樹 申請人:索尼公司