專(zhuān)利名稱：顯示裝置及制造顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括自發(fā)光型發(fā)光元件的顯示裝置及制造顯示裝置的方法，該發(fā)光元件包括有機(jī)層。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為替代液晶顯示裝置的顯示裝置，使用包括有機(jī)層的自發(fā)光型有機(jī)EL 元件的有機(jī)EL(電發(fā)光)顯示裝置已經(jīng)投入實(shí)際使用。有機(jī)EL顯示裝置屬于自發(fā)光型的， 于是與液晶顯示裝置相比，有機(jī)EL顯示裝置具有廣泛的可視角，并且對(duì)于高清晰度高速視 頻信號(hào)具有合適的響應(yīng)。在現(xiàn)有技術(shù)中，振蕩構(gòu)造被引入到有機(jī)EL元件中，從而嘗試通過(guò)控制發(fā)光層 來(lái)提高顯示性能(例如提高發(fā)光顏色的顏色純度或提高發(fā)光效率)，例如如國(guó)際公開(kāi) No. 01/39554所述。例如，在從與襯底相反的表面(頂面)提取光線的頂部發(fā)光系統(tǒng)中，在 襯底上依次層疊陽(yáng)極電極、有機(jī)層和陰極電極，其中間具有驅(qū)動(dòng)晶體管，并且從有機(jī)層發(fā)射 的光在陽(yáng)極電極和陰極電極之間多次反射。在頂部發(fā)光的有機(jī)EL顯示裝置中，為了確保高孔徑比，位于固定面板側(cè)上的陰極 電極是共同設(shè)置為用于有機(jī)EL元件的一層電極層。而且，陰極電極例如由透光導(dǎo)電材料 (例如ITO(銦錫氧化物))制成以從頂面提取光線。然而，與通常使用的金屬材料相比，這 種透光導(dǎo)電材料的電阻要更大一點(diǎn)。從而，施加到陰極電極的電壓容易在一個(gè)面內(nèi)不均勻， 于是產(chǎn)生的問(wèn)題在于在面內(nèi)位置中的有機(jī)EL元件之間出現(xiàn)發(fā)光亮度的變化，因此，難以獲 得足夠好的顯示質(zhì)量。從而，為了解決這一問(wèn)題，例如如日本未審查專(zhuān)利公開(kāi)No. 2004-207217所述，提 出一種有機(jī)EL顯示裝置，其中連接到陰極電極的配線由例如位于驅(qū)動(dòng)面板側(cè)上的陽(yáng)極電 極共用的層形成，從而防止陰極電極的面內(nèi)方向的壓降。配線連接到例如每個(gè)有機(jī)EL元件 的顯示區(qū)域外部的陰極電極。從而，配線布置為沿著陰極電極以網(wǎng)孔形式沿面內(nèi)方向分布， 并且連接到陰極電極，從而將上述面內(nèi)位置中有機(jī)EL元件之間的發(fā)光亮度的變化減小到 一定程度。在形成具有上述配線的有機(jī)EL顯示裝置以簡(jiǎn)化制造步驟的情形下，例如希望通 過(guò)使用同樣的材料一體地形成陽(yáng)極電極和配線。作為陽(yáng)極電極的材料，具有高反射率的單 質(zhì)鋁或其化合物是最優(yōu)選的。然而，在使用這種材料形成輔助電極的情形下，輔助電極的表 面在制造步驟期間的氧化就是一個(gè)問(wèn)題。更具體地，當(dāng)輔助電極的表面氧化時(shí)，輔助電極和 陰極電極之間的連接電阻增大，從而在輔助電極和陰極電極之間的連接部位產(chǎn)生大壓降。 從而，不能有效地降低顯示屏幕中發(fā)光亮度分布的不均勻性。為了解決這一問(wèn)題，例如如國(guó)際公開(kāi)No. 2007/148540所述，本發(fā)明的申請(qǐng)人已經(jīng) 提出一種有機(jī)EL顯示裝置，事先在其中形成導(dǎo)電接觸部分，然后陽(yáng)極電極和配線以及陰極 電極按順序形成從而與接觸部分接觸。
發(fā)明內(nèi)容
在國(guó)際公開(kāi)No. 2007/148540中，即使陽(yáng)極電極和配線由容易氧化的材料(例如鋁)形成，也能夠通過(guò)接觸部分形成良好的導(dǎo)電性。然而，在國(guó)際公開(kāi)No. 2007/148540中，需要足夠的空間來(lái)布置接觸部分。在國(guó)際 公開(kāi)No. 2007/148540中，接觸部分布置在與驅(qū)動(dòng)有機(jī)E L元件進(jìn)行顯示的驅(qū)動(dòng)元件的布置 高度相同的高度。然而，當(dāng)試圖提高像素密度時(shí)，接觸部分和另一導(dǎo)電層(例如驅(qū)動(dòng)元件中 的電極層)之間可能出現(xiàn)短路。希望提供一種具有優(yōu)秀的顯示性能同時(shí)具有高可靠性的顯示裝置及制造該顯示 裝置的方法。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種顯示裝置，包括發(fā)光元件，其通過(guò)在基體上 依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成；和輔助布線層，其布置為 圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層。在此情形下，輔助布線層包括兩層構(gòu)造，這兩 層構(gòu)造包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，并且與第二導(dǎo)電層相比，第一導(dǎo)電層對(duì)于第二電極 層具有較小的接觸電阻。而且，輔助布線層中的兩層構(gòu)造形成為使得所述第二接觸層的端 面從所述第一導(dǎo)電層的端面向內(nèi)凹陷，從而，第一導(dǎo)電層的頂面的一部分與第二電極層接 觸。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造顯示裝置的方法，該顯示裝置是根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例的顯示裝置，所述方法包括下列步驟通過(guò)在基體上層疊第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電 層而形成層疊膜，與所述第一導(dǎo)電層相比，所述第二導(dǎo)電層對(duì)于所述第二電極層具有較大 的接觸電阻；和通過(guò)在所述第二導(dǎo)電層中與所述第一導(dǎo)電層相比使用具有更高溶解性的蝕 刻溶液蝕刻所述層疊膜圖案而形成所述輔助布線層，從而使得所述第二導(dǎo)電層的端面凹陷 并露出所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的所述顯示裝置和制造顯示裝置的方法中，輔助布線層中的 兩層構(gòu)造的端部具有臺(tái)階形，于是，與所述第二導(dǎo)電層相比，對(duì)于所述第二電極層具有較低 接觸電阻的所述第一導(dǎo)電層的薄膜表面(頂面)的一部分與所述第二電極層接觸。從而， 即使所述第二電極層由易于表面氧化的材料(例如鋁)形成，還是可以保證輔助布線層和 第二電極層之間良好的接觸，而不受表面氧化的影響。在根據(jù)該實(shí)施例的顯示裝置及制造顯示裝置的方法中，在發(fā)光元件中與第二電極 層電連接的輔助布線層具有包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的兩層構(gòu)造，并且與所述第二導(dǎo) 電層相比對(duì)于所述第二電極層具有較低接觸電阻的所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分與所 述第二電極層接觸，于是無(wú)論第二導(dǎo)電層的材料如何，在輔助布線層和第二導(dǎo)電層之間都 可實(shí)現(xiàn)良好的接觸。因而，可以提高顯示屏幕中發(fā)光亮度的均勻性，并可獲得更高的顯示性 能。根據(jù)以下說(shuō)明，本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更完整地得到展現(xiàn)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的構(gòu)造的示例。圖2是圖1中所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的示例的圖形。圖3是示出圖1中所示的顯示區(qū)域的構(gòu)造的平面圖。
圖4是示出圖1中所示的顯示區(qū)域的構(gòu)造的橫截面圖。圖5是示出圖3中所示的有機(jī)發(fā)光元件的構(gòu)造的橫截面圖。圖6是示出圖5中的主要部分的放大橫截面圖。圖7是示出圖3中所示的有機(jī)發(fā)光元件的構(gòu)造的另一橫截面圖。圖8是示出圖5和7中像素驅(qū)動(dòng)電路形成層的構(gòu)造的平面圖。圖9是示出圖5中的有機(jī)層的放大橫截面圖。圖10是示出圖3中的連接部分的放大橫截面圖。圖11是示出用于描述圖1中示出的顯示裝置的制造方法的一個(gè)步驟的橫截面圖。圖12是示出圖11后的一個(gè)步驟的橫截面圖。圖13是示出圖12后的一個(gè)步驟的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施例。圖1示出使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的顯示裝置的構(gòu)造。該顯示裝 置用作超薄有機(jī)發(fā)光彩色顯示裝置等。通過(guò)在襯底111上形成顯示區(qū)域110而構(gòu)造該顯示 裝置。例如，用作圖像顯示驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120、掃描線驅(qū)動(dòng)電路130和電源線驅(qū) 動(dòng)電路140圍繞襯底111上的顯示區(qū)域10形成。在顯示區(qū)域110中，形成有二維地布置成矩陣形式的多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10(10R、 IOG和10B)和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件10的像素驅(qū)動(dòng)電路150。在像素驅(qū)動(dòng)電路150中，沿 列方向設(shè)置有多條信號(hào)線120A(120A1、120A2、…、120Am、…)，并且沿行方向設(shè)置有多條 電源線140A(140A1、…、140An、…)。發(fā)光元件10R、IOG和IOB的其中一個(gè)布置在信號(hào)線 120A和掃描線130A的交叉點(diǎn)處。每條信號(hào)線120A都連接到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120，每條掃 描線130A都連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，并且每條電源線140A都連接到電源線驅(qū)動(dòng)電路 140。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120根據(jù)信號(hào)供應(yīng)源(未示出)提供的發(fā)光信息通過(guò)信號(hào)線120A 將圖像信號(hào)的信號(hào)電壓提供給選定的有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130構(gòu)造為具有移位寄存器等，其按順序地將開(kāi)始脈沖移位(轉(zhuǎn) 移)成與輸入的時(shí)鐘脈沖同步。當(dāng)圖像信號(hào)被寫(xiě)入到有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中時(shí)， 掃描線驅(qū)動(dòng)電路130逐線掃描圖像信號(hào)以將掃描信號(hào)按順序地供應(yīng)到掃描線130A。電源線驅(qū)動(dòng)電路140構(gòu)造為具有移位寄存器等，其按順序地將開(kāi)始脈沖移位(轉(zhuǎn)移)成與輸入的時(shí)鐘脈沖同步。電源線驅(qū)動(dòng)電路140由掃描線驅(qū)動(dòng)電路130逐線掃描將彼 此不同的第一電勢(shì)和第二電勢(shì)的其中一個(gè)同步供應(yīng)到每個(gè)電源線140A。從而，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體 管Trl執(zhí)行稍后將描述的導(dǎo)電狀態(tài)和不導(dǎo)電狀態(tài)之間的切換。像素驅(qū)動(dòng)電路150布置在襯底11和有機(jī)發(fā)光元件10之間的高度(稍后將描述的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112)。圖2示出像素驅(qū)動(dòng)電路150的構(gòu)造示例。如圖2所示，像素驅(qū) 動(dòng)電路150是包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2、位于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管 Tr2之間的電容(保持電容)Cs以及有機(jī)發(fā)光元件10的主動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路。有機(jī)發(fā)光元件10 在電源線140A和共用電源線(GND)之間串聯(lián)地連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和 寫(xiě)入晶體管Tr2每個(gè)都構(gòu)造為具有典型的薄膜晶體管(TFT)，并且所述TFT可具有例如反錯(cuò)列構(gòu)造(所謂的底部柵極類(lèi)型)或錯(cuò)列構(gòu)造(頂部柵極類(lèi)型)，并且TFT的構(gòu)造不特別限定。在寫(xiě)入晶體管Tr2中，例如漏極連接到信號(hào)線120A，從而供應(yīng)來(lái)自于信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)。而且，寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極連接到掃描線130A從而供應(yīng)來(lái)自 于掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的掃描信號(hào)。而且，寫(xiě)入晶體管Tr2的源極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl 的柵極。在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr 1中，例如漏極連接到電源線140A，并且驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的電勢(shì)由 電源線驅(qū)動(dòng)電路140設(shè)定為第一電勢(shì)和第二電勢(shì)的其中一者。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極連接 到有機(jī)發(fā)光元件10。保持電容Cs形成于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極(寫(xiě)入晶體管Tr2的源極)與驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl的源極之間。圖3示出在XY面內(nèi)分布的顯示區(qū)域110的構(gòu)造示例。在此情形下，圖3示出不帶 有第二電極層16、保護(hù)膜18和密封襯底19(這些都將稍后描述)的顯示區(qū)域110從上方 觀察的平面構(gòu)造。在整個(gè)顯示區(qū)域110中，多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10布置為矩陣形式。更具體 地，用作輔助布線層的金屬層17布置為網(wǎng)格形式，并且每個(gè)都包括發(fā)光區(qū)域20的有機(jī)發(fā)光 元件10R、有機(jī)發(fā)光元件IOG和有機(jī)發(fā)光元件IOB的其中一個(gè)布置在由金屬層17分割的每 個(gè)區(qū)域中，發(fā)光區(qū)域20的輪廓由開(kāi)口指定絕緣膜24限定。有機(jī)發(fā)光元件IOR發(fā)紅光，有機(jī) 發(fā)光元件IOG發(fā)綠光，有機(jī)發(fā)光元件IOB發(fā)藍(lán)光。在此情形下，發(fā)射同色光的有機(jī)發(fā)光元件 10沿Y方向布置成一直線，并且包括發(fā)射同色光的有機(jī)發(fā)光元件10的線沿X方向重復(fù)、連 續(xù)地布置。從而，在X方向上彼此相鄰的有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB構(gòu)成一個(gè)像素。在 圖3中，在金屬層17所分割的每個(gè)區(qū)域中由虛線所示的矩形區(qū)域是包括在有機(jī)發(fā)光元件10 中的第一電極層13(稍后將描述)。而且，開(kāi)口 24K布置在金屬層17的一些交叉點(diǎn)處的開(kāi) 口指定絕緣膜24中。在包括在24K中的區(qū)域中，布置有用于連接在金屬層17和有機(jī)發(fā)光 元件10的第二電極層16之間的連接部分21 (由虛線圍繞的部分)。此外，在圖3中，總共 示出2行*5列=10個(gè)有機(jī)發(fā)光元件，但是在X方向和Y方向上布置的有機(jī)發(fā)光元件的數(shù) 目不限于此。圖4示出沿圖3的線IV-IV剖開(kāi)的XZ面的示意構(gòu)造。如圖4所示，在顯示區(qū)域 110中，包括有機(jī)發(fā)光元件10的發(fā)光元件形成層12形成于通過(guò)在襯底111上布置像素驅(qū)動(dòng) 電路形成層112所形成的基體11上。在有機(jī)發(fā)光元件10上，依次設(shè)置有保護(hù)膜18和密封 襯底19。通過(guò)從襯底111依次層疊作為陽(yáng)極電極的第一電極層13、包括發(fā)光層14C(稍后 將描述)的有機(jī)層14和作為陰極電極的第二電極層16而形成每個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10。一個(gè) 有機(jī)發(fā)光元件10的有機(jī)層14和第一電極層13與另一個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10的有機(jī)層14和 第一電極層13由開(kāi)口指定絕緣膜24所隔開(kāi)。另一方面，第二電極層15布置為由所有有機(jī) 發(fā)光元件10共用。金屬層17埋入在開(kāi)口指定絕緣膜24中，除與開(kāi)口 24K對(duì)應(yīng)的區(qū)域外。 此外，在圖4中，未示出像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112中的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、寫(xiě)入晶體管Tr2的指 定構(gòu)造。開(kāi)口指定絕緣膜24布置為填充相鄰的有機(jī)發(fā)光元件10的第一電極層13和有機(jī) 層14之間的間隙。開(kāi)口指定絕緣膜24例如由有機(jī)材料(例如聚酰亞胺)支撐，并且確保 第一電極層13和第二電極層16以及金屬層17之間的絕緣，并且將有機(jī)發(fā)光元件10的發(fā)光區(qū)域精確地形成為期望形狀。
覆蓋有機(jī)發(fā)光元件10的保護(hù)膜18由絕緣材料(例如氮化硅(SiNx))形成。而且， 布置在絕緣膜18上的密封襯底19將有機(jī)發(fā)光元件10和保護(hù)膜18 (未示出的粘合劑層等) 密封在一起，并且由允許發(fā)光層14C中產(chǎn)生的光線穿過(guò)的材料(例如透明玻璃)制成。下面將參照?qǐng)D5-10描述基體10和有機(jī)發(fā)光元件10的具體構(gòu)造。此外，有機(jī)發(fā)光 元件10RU0G和IOB具有共同的構(gòu)造，只是有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中的有機(jī)層14的 構(gòu)造彼此不分不同，于是下面將一起描述有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和10B。圖5是沿著圖3的線V-V剖開(kāi)的顯示區(qū)域110的橫截面圖，圖6是示出如圖5所 示的靠近連接孔124的部分的放大橫截面圖。而且，圖7是沿圖3的VII-VII剖開(kāi)的橫截 面圖。此外，圖8是示出在一個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112中布置的像素 驅(qū)動(dòng)電路150的平面構(gòu)造。此外，圖5對(duì)應(yīng)于沿圖8的線V-V剖開(kāi)的橫截面圖，圖7對(duì)應(yīng)于 沿圖8的VII-VII剖開(kāi)的橫截面圖。而且，圖9示出如圖4、5和7所示的有機(jī)層14的一部 分的放大橫截面圖。此外，圖10示出沿圖3的線X-X剖開(kāi)的靠近連接部分21的XZ部分的 構(gòu)造的放大視圖。通過(guò)在由玻璃、硅(Si)晶片、樹(shù)脂等制成的襯底111上布置包括像素驅(qū)動(dòng)電路150 的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112而形成基體11。在襯底111的表面上，用作驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的 柵極的金屬層211G、用作寫(xiě)入晶體管Tr2的柵極的金屬層221G以及信號(hào)線120A(參見(jiàn)圖 7和8)作為金屬層布置在第一高度。金屬層211G和221G和信號(hào)線120A由柵極絕緣膜 212 (由氮化硅和氧氧化硅等制成)覆蓋。由無(wú)定形硅的半導(dǎo)體薄膜制成的溝道層213和 223布置在與柵極絕緣膜212上的金屬層211G和221G分別對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。絕緣溝道保護(hù) 膜214和224布置在溝道層213和223上，分別填充作為溝道層213和223的中心區(qū)域的 溝道區(qū)域213R和223R，并且配置為由η型無(wú)定形硅等制成的η型半導(dǎo)體薄膜構(gòu)造成的所 有漏極215D和225D以及源極215S和225S都布置在中央?yún)^(qū)域兩側(cè)上的區(qū)域中。漏極215D 和源極215S彼此由溝道保護(hù)膜214隔開(kāi)，漏極225D和源極225S彼此由溝道保護(hù)膜224隔 開(kāi)，并且漏極215D和源極215S的端面彼此由其間的溝道區(qū)域213R隔開(kāi)，漏極225D和源極 225S的端面彼此由溝道保護(hù)膜223R隔開(kāi)。而且，用作漏極配線的金屬層216D和226D以及 用作源極配線的金屬層216S和226S作為金屬層布置在第二高度，從而分別覆蓋漏極215D 和225D以及源極215S和225S。金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S每個(gè)都例如 具有鈦(Ti)層、鋁(Al)層和鈦層依次層疊的構(gòu)造。作為第二高度的金屬層，除了上述金屬 層216D和226D以及上述金屬層216S和226S，還布置有掃描線130Α和電源線140Α (參見(jiàn) 圖5和8)。此外，在此情形下，描述具有反錯(cuò)列構(gòu)造(所謂的底部柵極類(lèi)型)的驅(qū)動(dòng)晶體管 Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2。然而，它們也可具有錯(cuò)列構(gòu)造(所謂的頂部柵極類(lèi)型)。而且，信號(hào) 線120A可在除了掃描線130A和電源線140A的交叉點(diǎn)以外的區(qū)域中布置在第二高度處。例如，在第二高度處的金屬層優(yōu)選地具有三層構(gòu)造，包括從有機(jī)發(fā)光元件10 (第 一電極層13)依次層疊的第一到第三薄層31到33(圖6中示出的金屬層216S的情形)。 第一薄層31例如由鉬(Mo)或其化合物(金屬)制成，并且與第二薄層相比，對(duì)于從有機(jī)層 14發(fā)射的光具有更高的吸收比。另一方面，第二薄層32具有比第一薄層31更高的導(dǎo)電性， 并且例如由單質(zhì)鋁(Al)、銅(Cu)或其化合物等。第二高度處的金屬層每個(gè)都包括在由具有 高反射率的鋁等制成的第二薄層32上(在靠近第一電極層13的一側(cè)上)具有更高光吸收比的的第一薄層31，從而不需要的光(例如外部光或從有機(jī)發(fā)光元件10泄漏的光)可以被 吸收。此外，具體地，金屬層216S中的第一薄層31優(yōu)選地由與第一電極層13的第一導(dǎo)電 層131 (將在稍后描述)的材料相同的材料制成，因?yàn)閷?shí)現(xiàn)了減小在連接孔124中的第一電 極層13和金屬層216S之間的連接電阻的效果。第三薄層33用作防止第二薄層32的構(gòu)成 元素?cái)U(kuò)散(移動(dòng))到位于第二薄層32之下的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl或?qū)懭刖w管Tr2中。例如， 在第二薄層32包括鋁元素的情形下，當(dāng)在第二高度處形成金屬層后的步驟中加熱時(shí)，鋁元 素可能由于加熱的熱能擴(kuò)散到第二薄層32下的半導(dǎo)體薄膜(例如由無(wú)定形硅制成的薄膜) 內(nèi)部，從而形成AISi。在此情形下，可能會(huì)出現(xiàn)刺突(spike)，于是第三薄層33最好例如由 鈦(Ti)等形成以防止刺突。此外，在第二薄層32由阻止熱擴(kuò)散的元素形成的情形下，第二 報(bào)第二高度處的金屬層可具有兩層構(gòu)造，包括第一薄層31和第二薄層32 (不布置第三薄層 33)。整個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路150由保護(hù)膜(鈍化膜)217(由氮化硅等制成)覆蓋，并且絕 緣平坦膜218布置在保護(hù)膜217上。平坦膜218的表面最好具有極高的平坦度。而且，非 常細(xì)的連接孔124布置在平坦膜218的部分區(qū)域和保護(hù)膜217的部分區(qū)域中(參見(jiàn)圖5和 8)。具體地，平坦膜218具有比保護(hù)膜217更大的厚度，于是平坦膜218優(yōu)選地由具有更高 圖案精確度的材料(例如諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料)制成。第一電極層13在連接孔124 中填充從而電連接到構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極的金屬層216S。形成于平坦膜218上的第一電極層13還用作反射層，并且第一電極層13最好由具有盡可能高反射率的材料制成，從而提高光的發(fā)射效率。從而，如圖6所示，第一電極層 13具有兩層構(gòu)造，包括第一導(dǎo)電層131和第二導(dǎo)電層132，并且位于朝向第二電極層16 — 側(cè)上的第二導(dǎo)電層132由具有高反射率的材料(例如鋁(Al)或鋁釹合金(AlNd))制成。 此外，鋁對(duì)于在顯影過(guò)程中使用以形成開(kāi)口指定絕緣膜24的開(kāi)口 24K的顯影溶液具有低耐 受性，并且易受腐蝕。另一方面，AlNd對(duì)于顯影溶液具有高耐受性，并且抗腐蝕。從而第二 導(dǎo)電層132可具有由AlNd制成的單層構(gòu)造或者包括鋁層和AlNd的兩層構(gòu)造(Al層(在下 層)/AlNd層(在上層))。具體地，Al層(在下層)/AlNd層(在上層)的兩層構(gòu)造是優(yōu)選 的，因?yàn)榕cAlNd層相比，兩層構(gòu)造具有更高的耐受性。另一方面，第一導(dǎo)電層131最好由具 有低反射率(例如鉬(Mo)或其化合物(合金))制成，因?yàn)榫哂懈吖馕毡鹊膶硬贾迷诟?靠近像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112(其中布置有驅(qū)動(dòng)晶體管Trl或?qū)懭刖w管Tr2)的一側(cè)上， 從而吸收不需要的光(例如外部光或從有機(jī)發(fā)光元件10泄漏的光)。而且，第一電極層13 的總厚度例如位于大于等于IOOnm到小于等于IOOnm的范圍內(nèi)，并且在第一導(dǎo)電層131由 單質(zhì)鉬制成的情形下，第一導(dǎo)電層131的厚度為40nm以上，在第二導(dǎo)電層132由AlNd制成 的情形下，第二導(dǎo)電層132的厚度例如位于從300nm到500nm的范圍內(nèi)。此外，如上所述， 第一電極層13形成為覆蓋平坦膜218的表面并在連接孔124中填充。有機(jī)層14在由開(kāi)口指定絕緣膜24所指定的整個(gè)光發(fā)射區(qū)域20內(nèi)沒(méi)有空隙地形 成。例如，如圖9所示，有機(jī)層14具有從第一電極層13依次層疊空穴(hole)注入層14A、 空穴傳送層14B、發(fā)光層14C和電子傳送層14D的構(gòu)造。然而，除了發(fā)光層14C以外的層可 按需布置。空穴注入層14A設(shè)置為提高空穴注入效率，并且是用于防止泄漏的緩沖層。空穴 傳送層14B設(shè)置為提高到發(fā)光層14C的空穴傳送效率。發(fā)光層14C由于電子和空穴的再結(jié)合響應(yīng)于所施加的電場(chǎng)而發(fā)光。電子傳送層14D設(shè)置為提高到發(fā)光層14C的電子傳送效率。 此外，由LiF和Li2O等制成的電子注入層(未示出)可布置在電子傳送層14D和第二電極 16之間。
而且，有機(jī)層14根據(jù)從有機(jī)發(fā)光元件10RU0G或IOB所發(fā)射的光的衍射而具有不 同構(gòu)造。有機(jī)發(fā)光元件IOR的空穴注入層14A例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的 厚度，并且由4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基酸)-三苯基胺(!11-101^1幻或4，4'， 4〃 -三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)制成。有機(jī)發(fā)光元件IOR的空穴傳送層 14B例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的厚度，并且由二 [(N萘基)-N苯基]對(duì)二氨 基聯(lián)苯(α -NPD)制成。有機(jī)發(fā)光元件IOR的發(fā)光層14C例如具有大于等于IOnm到小于等 于IOOnm的厚度，并且由八羥基喹啉鋁(Alq3)混有40%體積比的2，6_bis[4-[N-(4-甲氧 苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5- 二甲腈(BSN-BCN)制成。有機(jī)發(fā)光元件IOR的 電子傳送層14D例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的厚度，并且由Alq3制成。有機(jī)發(fā)光元件IOR的空穴注入層14A例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的 厚度，并且由m-MTDATA或2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光元件IOR的空穴傳送層14B例如具有大 于等于5nm到小于等于300nm的厚度，并且由-NPD制成。有機(jī)發(fā)光元件IOG的發(fā)光層14C 例如具有大于等于IOnm到小于等于IOOnm的厚度，并且由Alq3混有3%體積比的香豆素6 制成。有機(jī)發(fā)光元件IOG的電子傳送層14D例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的厚 度，并且由Alq3制成。有機(jī)發(fā)光元件IOB的空穴注入層14A例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的 厚度，并且由m-MTDATA或2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光元件IOB的空穴傳送層14B例如具有大 于等于5nm到小于等于300nm的厚度，并且由α-NPD制成。有機(jī)發(fā)光元件IOB的發(fā)光層 14C例如具有大于等于IOnm到小于等于IOOnm的厚度，并且由螺6Φ制成。有機(jī)發(fā)光元件 IOB的電子傳送層14D例如具有大于等于5nm到小于等于300nm的厚度，并且由Alq3制成。第二電極層16例如具有大于等于5nm到小于等于50nm的厚度，并且由金屬元素 (例如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉(Na))的單質(zhì)或合金制成。其中，銀鎂合金(MgAg合 金)或鋁鋰合金(AlLi合金)是優(yōu)選的。例如，第二電極層16布置為對(duì)于所有有機(jī)發(fā)光元 件10RU0G和IOB共用，并且布置為朝向有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的第一電極層13。 而且，第二電極層16形成為不僅覆蓋有機(jī)層14而且覆蓋開(kāi)口指定絕緣膜24。對(duì)于第一電極層13的情形，金屬層17形成于平坦膜218的表面上，并用于補(bǔ)償作 為主電極的第二電極層16中的壓降。如圖10所示，金屬層17具有兩層構(gòu)造，包括第一導(dǎo)電 層171和第二導(dǎo)電層172。如上所述，金屬層17在開(kāi)口 24K的區(qū)域中的連接部分21中覆蓋 有第二電極層16，并且電連接到第二電極層16。在連接部分21中的金屬層17中，第二導(dǎo) 電層172的端面172T從第一導(dǎo)電層171的端面171T向內(nèi)凹陷，從而在連接部分21中的金 屬層17形成為使得第一導(dǎo)電層171的頂面171S形成為與第二導(dǎo)電層172接觸。換言之， 第二電極層16與第一導(dǎo)電層171的端面171T和頂面171S的一部分以及第二導(dǎo)電層172 的端面172T和頂面172S接觸。第一導(dǎo)電層171和第二導(dǎo)電層172最好由具有比第二電極層16更高導(dǎo)電性的材 料制成。而且，第一導(dǎo)電層171最好由具有對(duì)從有機(jī)層14發(fā)射的光低反射率以及具有高吸 收比的材料制成，因?yàn)閷?duì)于第一電極層13的情形，具有高光吸收比的層布置在更靠近包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112的一側(cè)上，從而吸收不需要 的光(例如外部光或從有機(jī)發(fā)光元件10泄漏的光)。而且，第一導(dǎo)電層171和第二導(dǎo)電層 172其中之一最好由防止例如表面氧化的質(zhì)量降低的材料制成，并且對(duì)于第二電極層16具 有良好的接觸電阻。而且，為了簡(jiǎn)化制造步驟，第一導(dǎo)電層171和第二導(dǎo)電層172最好由與 構(gòu)成第一電極層13的第一導(dǎo)電層131和第二導(dǎo)電層132的材料分別相同的材料制成。由上 述可見(jiàn)，對(duì)于第一導(dǎo)電層171的材料，單質(zhì)鉬或其化合物(合金)是合適的，對(duì)于第二導(dǎo)電 層172的材料，單質(zhì)鋁(Al)或其化合物(合金)是合適的。具體地，鉬最好用作第一導(dǎo)電 層171的材料，并且在濕法蝕刻工藝中具有比鉬更高蝕刻速率的AlNd用作第二導(dǎo)電層172 的材料，因?yàn)榻饘賹?7中的端部橫截面具有如圖10所示的階梯狀形狀的兩層構(gòu)造可以比 較容易地形成。此外，在提高孔徑比方面，金屬層17最好具有盡可能小的寬度(面積)。在不存在金屬層17的情形下，由于從電源(未示出)到每個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10R、IOG和IOB的距離產(chǎn)生的壓降，連接到共用的電源線GND(參見(jiàn)圖2)的第二電極層16的電 勢(shì)不均勻，從而容易出現(xiàn)顯著的變化。第二電極層16的這種電勢(shì)變化不是有利的，因?yàn)檫@ 種變化會(huì)造成顯示區(qū)域110中的亮度變化。即使在顯示裝置具有較大屏幕的情形下，金屬 層17也可用于通過(guò)最小化出現(xiàn)在從電源到第二電極層16的壓降而防止亮度出現(xiàn)這種變 化。在有機(jī)發(fā)光元件10中，在第一電極層13提供用作反射層的功能的同時(shí)，第二電極 層16提供用作半透明反射層的功能。從包括在有機(jī)層14中的發(fā)光層14C發(fā)射的光由第一 電極層13和第二電極層16多次反射。換言之，有機(jī)發(fā)光元件10具有振蕩構(gòu)造，其中有機(jī) 層14位于第一電極層13側(cè)的端面、有機(jī)層14位于第二電極層16側(cè)的端面、以及有機(jī)層14 被分別當(dāng)做第一端部P1、第二端部P2和振蕩部分，并且發(fā)光層14C中產(chǎn)生的光進(jìn)行振蕩從 而從第二端部P2提取。在有機(jī)發(fā)光元件10具有這種振蕩構(gòu)造時(shí)，在發(fā)光層14C中產(chǎn)生的 光多次反射，并且有機(jī)發(fā)光元件10用作一種窄波段濾波器，從而所提取的光的頻譜的半值 寬度可以減小，于是可以提高顏色純度。而且，從密封襯底19進(jìn)入的外部光可以由于多次 反射衰減，并且通過(guò)延遲膜或偏光板(未示出)，有機(jī)發(fā)光元件10對(duì)于外部光的反射率可以 變得非常小。例如通過(guò)下列步驟制造所述顯示裝置。下面將除了參見(jiàn)圖4到10外還參見(jiàn)圖11 到13，描述根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置的制造方法。首先，包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2的像素驅(qū)動(dòng)電路150形成于由上述 材料制成的襯底上。更具體地，首先，金屬膜例如通過(guò)濺射形成于襯底111上。此后，金屬膜 例如通過(guò)光刻法、干式蝕刻或濕式蝕刻圖案化以形成金屬層211G和221G以及信號(hào)線120A。 接著，整個(gè)表面由絕緣膜212覆蓋。而且，溝道層213和223、溝道絕緣膜214和224、漏極 215D和225D、源極215S和225S、金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S依次以預(yù)定 形狀形成于柵極絕緣膜212上。在此情形下，掃描線130A和電源線140A與金屬層216D和 226D以及金屬層216S和226S —起形成為第二金屬層。此時(shí)，預(yù)先形成連接在金屬層221G 和掃描線130A之間的連接部分、連接在金屬層226D和信號(hào)線120A之間的連接部分以及連 接在金屬層226S和金屬層211G之間的連接部分。此后，整個(gè)表面由保護(hù)膜217覆蓋，從而 完成像素驅(qū)動(dòng)電路150。此時(shí)，通過(guò)干式蝕刻等在保護(hù)膜217中在金屬層216S上的預(yù)定位 置形成開(kāi)口。
在形成像素驅(qū)動(dòng)電路150后，整個(gè)表面通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆方法等涂覆例如主要包含聚 酰亞胺的光敏樹(shù)脂。接著，在光敏樹(shù)脂上執(zhí)行光刻法以形成具有連接孔124的平坦膜218。 更具體地，通過(guò)使用在預(yù)定位置具有開(kāi)口的掩模例如進(jìn)行選擇性的曝光并選擇性的顯影而 形成與布置在保護(hù)膜217中的開(kāi)口連通的連接孔125。此后，在需要時(shí)平坦膜218可被燒制 (fire)。從而，獲得像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112。
而且，形成由上述材料制成的第一電極層13和金屬層17。更具體地，在整個(gè)表面 上例如通過(guò)濺射等形成由上述材料制成的第一導(dǎo)電層131和171以及第二導(dǎo)電層132和 172，從而形成兩層層疊膜，然后在層疊膜上通過(guò)使用預(yù)定的掩模形成具有預(yù)定形狀的抗蝕 圖案(未示出)。而且，通過(guò)使用抗蝕圖案作為掩模來(lái)選擇性地蝕刻層疊膜，從而形成圖11 中示出的層疊膜圖案WL。此外，如上所述，第一電極層13形成為覆蓋平坦膜218的表面 并在連接孔124中填充。而且，在稍后步驟中將作為金屬層17的層疊膜圖案17Z在平坦膜 218的表面上形成從而圍繞第一電極層13。層疊膜圖案17Z最好通過(guò)使用與第一電極層13 的材料相同的材料和第一電極層13 —起形成。下面，如圖12所示，由預(yù)定蝕刻溶液在層疊膜圖案17Z上執(zhí)行濕式蝕刻工藝，從而 使具有較高蝕刻速率的第二導(dǎo)電層172的端面172T凹陷，并且露出第一導(dǎo)電層171的頂面 171S。從而，獲得金屬層17?；蛘?，在第一導(dǎo)電層171由鉬制成的情形下，第一導(dǎo)電層171和 第二導(dǎo)電層172可通過(guò)使用加網(wǎng)掩模暴露于光，然后可在其上執(zhí)行濕式蝕刻或干式蝕刻。 從而，獲得端部具有臺(tái)階狀形狀的金屬層17。而且，開(kāi)口指定絕緣膜24形成為填充相鄰的 有機(jī)發(fā)光元件10的第一電極層13和有機(jī)層14之間的間隙。此時(shí)，如圖13所示，開(kāi)口 24K 形成于與圖案化為網(wǎng)格形式的金屬層17的一些交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置處。接著，依次層疊每個(gè)都由上述材料形成而具有上述厚度的空穴注入層14A、空穴傳 送層14B、發(fā)光層14C和電子傳送層14D，從而完全覆蓋第一電極層13的暴露部分，從而形 成有機(jī)層14。而且，第二電極層16形成于整個(gè)表面上從而以有機(jī)層14夾在其間的方式朝 向第一電極層13，并且覆蓋連接部分21中的金屬層17，由此完成有機(jī)發(fā)光元件10。此后，形成由上述材料制成的保護(hù)膜18從而覆蓋整個(gè)表面。最后，粘合劑層形成 于保護(hù)膜18上從而將密封襯底19由其間的粘合劑層粘結(jié)到保護(hù)膜18。從而，完成所述顯 示裝置。在如此獲得的顯示裝置中，掃描信號(hào)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130經(jīng)由寫(xiě)入晶體管Tr2 的柵極(金屬層221G)供應(yīng)到每個(gè)像素，并且來(lái)自于信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)經(jīng)由 寫(xiě)入晶體管Tr2保持在保持電容Cs中。另一方面，電源線驅(qū)動(dòng)電路140將高于第二電勢(shì)的 第一電勢(shì)與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的逐線掃描同步而供應(yīng)到每個(gè)電源線140A。從而，選定驅(qū) 動(dòng)晶體管Trl的導(dǎo)電狀態(tài)，并且驅(qū)動(dòng)電路Id注入到每個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中， 從而每個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB由于電子和空穴的再結(jié)合發(fā)光。光在第一電極層13 和第二電極層16之間多次反射，然后經(jīng)過(guò)第二電極層16、保護(hù)膜18和密封襯底19后被提 取。如上所述，在實(shí)施例中，作為輔助布線層的金屬層17具有兩層構(gòu)造，在具有第二 電極層16的連接部分21中端部具有臺(tái)階狀形狀，于是第一導(dǎo)電層171的薄膜表面(頂面) 的一部分與第二電極層16接觸。在此情形下，第一導(dǎo)電層171由對(duì)于例如表面氧化的質(zhì)量 降低具有抵抗性的材料制成，并且對(duì)于第二電極層16具有良好的接觸電阻。從而，即使所述第二電極層172由易于表面氧化的材料(例如鋁)形成，還是可以保證輔助布線層和第 二電極層之間良好的接觸，而不受表面氧化的影響。因而，可以提高顯示屏幕中發(fā)光亮度的 均勻性，并可獲得更高的顯示性能。而且，在第二高度的金屬層中的第一電極層13和金屬層17中的第一導(dǎo)電層131 和 171或者第一薄層31由具有高光吸收比的材料(例如鉬)制成，于是可以吸收不需要的 光，例如外部光或從有機(jī)發(fā)光元件10泄漏的光。在第一導(dǎo)電層131和171或第一薄層31由 具有高反射率的材料(例如鋁)制成的情形下，上述不需要的光從有機(jī)發(fā)光元件10和金屬 層17之間的縫隙進(jìn)入基體11。在此情形下，不需要的光直接進(jìn)入驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶 體管Tr2的溝道區(qū)域213R和223R，或者不需要的光從第一導(dǎo)電層131和171的背面(基體 11側(cè)的面)或第一薄層31的表面重復(fù)反射，以間接地進(jìn)入溝道區(qū)域213R和223R。然而， 在實(shí)施例中，因?yàn)樯鲜鲈?，可防止不需要的光進(jìn)入驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2的溝 道區(qū)域213R和223R。因而，可以可靠地防止在像素驅(qū)動(dòng)電路150中由于驅(qū)動(dòng)晶體管Trl或 寫(xiě)入晶體管Tr2的故障而產(chǎn)生泄漏電流，并且可以提高圖像質(zhì)量。而且，可防止縮短驅(qū)動(dòng)晶 體管Trl或?qū)懭刖w管Tr2的壽命，并且可提高其運(yùn)行可靠性。具體地，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層131 和第一導(dǎo)電層171 —體地由同一材料形成并且第二導(dǎo)電層132和第二導(dǎo)電層172 —體地由 同一材料形成時(shí)，可以簡(jiǎn)化制造步驟。此時(shí)，即使在第二導(dǎo)電層132和172通過(guò)使用適用于 第二導(dǎo)電層132的鋁或鋁合金形成的情形下，因?yàn)樯鲜鲈?，可以確保輔助布線層(金屬層 17)和第二電極層之間良好的接觸，于是不會(huì)影響顯示性能。盡管參照上述實(shí)施例描述了本發(fā)明，本發(fā)明不限于此，并且可以有多種改進(jìn)。例 如，在上述實(shí)施例中，金屬層17僅在開(kāi)口 24K中的連接部分21中具有臺(tái)階狀端部，并且連 接到第二電極層16，但是本發(fā)明不限于此。例如，金屬層17可整體上具有臺(tái)階狀的兩層構(gòu) 造，并且金屬層17可整體上與第二電極層16接觸。而且，輔助布線層(金屬層17)的構(gòu)造 不限于兩層構(gòu)造，并且可以是包括三層或更多層的多層構(gòu)造。三層構(gòu)造的示例是從基部依 次層疊鉬層、鋁層和AlNd層的構(gòu)造。而且，金屬層17的平面形狀不限于網(wǎng)格狀。例如，在 圖3中，金屬層17可僅沿X方向和Y方向的其中一個(gè)方向延伸。而且，所述層的材料和層疊順序以及形成膜的方法等都不限于上述實(shí)施例中的范 圍。例如，在上述實(shí)施例中，描述了第一電極層13和第二電極層16分別用作陽(yáng)極和陰極的 情形。然而，第一電極層13和第二電極層16可分別用作陰極和陽(yáng)極。而且，在上述實(shí)施例 中，具體描述了有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的構(gòu)造。然而，并不必要包括所有這些層，或 者還可包括任何其它層。例如，用于空穴注入的由氧化鉻(Cr2O3)和ITO(銦錫氧化物銦和 錫的混合氧化膜)等制成薄膜可以包括在第一電極層13和有機(jī)層14之間。此外，在上述實(shí)施例中，描述了第二電極層16由半透明反射層構(gòu)造的情形。然而， 第二電極層16可具有從第一電極層13依次層疊半透明反射層和透明反射層的構(gòu)造。透明 電極設(shè)置為減小半透明反射層的電阻，并且由對(duì)于發(fā)光層中產(chǎn)生的光具有足夠的透光性的 導(dǎo)電材料制成。對(duì)于透明電極的材料，例如，ITO或包括銦、錫和氧的化合物是優(yōu)選的，因?yàn)?即使薄膜在室溫時(shí)形成，也能獲得良好的導(dǎo)電性。透明電極的厚度例如可以大于等于30nm 到小于等于lOOOnm。而且，在此情形下，可形成振蕩構(gòu)造，其中，半透明反射層被認(rèn)為是一個(gè) 端部，而另一個(gè)端部布置在朝向半透明電極而使得透明電極夾在其間的位置中，使得透明 電極形成振蕩部分。而且，除了布置這種振蕩構(gòu)造，有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB最好覆蓋有保護(hù)膜18，并且保護(hù)膜18由具有與透明電極的材料的折射率大致相等的折射率的材料 制成，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜18可用作振蕩部分的一部分。在上述實(shí)施例中，描述了有源矩陣顯示裝置。然而，本發(fā)明可應(yīng)用于無(wú)源矩陣顯示 裝置。而且，用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)器的像素驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造不限于上述實(shí)施例中描述的情形， 并且可按需增加電容元件或晶體管。在此情形下，根據(jù)像素驅(qū)動(dòng)電路中的變化，除了上述信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和上述掃描線驅(qū)動(dòng)電路130，還可增加必需的驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明中，在輔助布線層中，在第一高度處的第一導(dǎo)電層可由鈦(Ti)形成，并且在上一高度處的第二導(dǎo)電層可由AlNd形成。在此情形下，在由AlNd制成的第二導(dǎo)電層 上通過(guò)使用磷酸、硝酸和醋酸的混合物執(zhí)行濕式蝕刻，然后在由鈦制成的第一導(dǎo)電層上通 過(guò)使用氯基氣體執(zhí)行干式蝕刻，從而可形成如圖10所示的臺(tái)階狀構(gòu)造——即第一導(dǎo)電層的 寬度大于第二導(dǎo)電層的寬度的構(gòu)造。本申請(qǐng)包含2009年4月3日在日本專(zhuān)利局遞交的日本在先專(zhuān)利申請(qǐng) JP2009-091292所公開(kāi)的主題有關(guān)的主題，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用方式結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解到可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素進(jìn)行各種修改、組 合、子組合和替換，只要它們?cè)跈?quán)利要求的范圍或者其等同范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示裝置，包括發(fā)光元件，其通過(guò)在基體上依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成；和輔助布線層，其布置為圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層，其中，所述輔助布線層包括具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的兩層構(gòu)造，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層對(duì)于所述第二電極層具有較小的接觸電阻，所述輔助布線層中的所述兩層構(gòu)造形成為使得所述第二導(dǎo)電層的端面從所述第一導(dǎo)電層的端面向內(nèi)凹陷，從而，所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分與所述第二電極層接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中第一電極層也具有兩層構(gòu)造，其包括與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的材料分別 相同的材料制成的第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層，并且與所述第三導(dǎo)電層相比，所述第四導(dǎo)電層對(duì)于來(lái)自所述有機(jī)層的光具有更高的反射率。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二導(dǎo)電層由與所述第一導(dǎo)電層的材料相比在濕式蝕刻工藝中具有更高蝕刻速 率的材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二電極層與所述輔助布線層的所述兩層構(gòu)造中的所述第一導(dǎo)電層的端面以及 所述第二導(dǎo)電層的頂面和端面接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中與所述第二電極層相比，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層具有更高的導(dǎo)電率。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中與所述第一導(dǎo)電層相比，所述第二導(dǎo)電層具有更高的導(dǎo)電性。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中第一導(dǎo)電層由單質(zhì)鉬(Mo)或其化合物制成，并且 所述第二導(dǎo)電層由單質(zhì)鋁(A1)或其化合物制成。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中 包括布置在所述基體上的多個(gè)發(fā)光元件，一個(gè)所述發(fā)光元件的所述第一電極層和所述有機(jī)層與另一個(gè)所述發(fā)光元件的所述第 一電極層和所述有機(jī)層由絕緣膜隔開(kāi)，并且所述第二電極層布置為由所述多個(gè)發(fā)光元件所共用。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述輔助布線層布置為在層疊面內(nèi)圍繞多個(gè)所述發(fā)光元件的所述第一電極層和所述 有機(jī)層，并且布置為將所述絕緣膜分割成與多個(gè)所述發(fā)光元件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)部分。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述基體包括基于圖像信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光元件以顯示的驅(qū)動(dòng)元件。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)元件包括與所述第一電極層中的所述第三導(dǎo)電層電連接的電極，并且 所述電極包括從所述第一電極層依次層疊的由與所述第三導(dǎo)電層的材料相同的材料制成的第一層和具有比所述第一層更高的導(dǎo)電性的第二層。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中與所述第二層相比，所述第一層對(duì)于來(lái)自所述有機(jī)層的光具有更低的反射率。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中所述第一層由單質(zhì)鉬(Mo)或其化合物制成，并且所述第二層由單質(zhì)鋁(A1)或其化合物制成。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述電極還包括由單質(zhì)鉬(Mo)或鈦(Ti)或其化合物制成的第三層，所述第三層位于 所述第二層的與布置有所述第一層的一側(cè)相反的一側(cè)上。
15.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括發(fā)光元件和輔助布線層，所述發(fā)光元 件通過(guò)在基體上依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成，所述輔 助布線層布置為圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層，所述方法包括下列步驟通過(guò)在所述基體上層疊第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成層疊膜，與所述第一導(dǎo)電層相 比，所述第二導(dǎo)電層對(duì)于所述第二電極層具有更高的接觸電阻；通過(guò)將所述層疊膜圖案化為預(yù)定形狀而形成層疊膜圖案；和通過(guò)使用與對(duì)于所述第一導(dǎo)電層相比對(duì)于所述第二導(dǎo)電層具有更高溶解性的蝕刻溶 液來(lái)蝕刻所述層疊膜圖案，從而使所述第二導(dǎo)電層的端面凹陷，并使所述第一導(dǎo)電層的頂 面的一部分暴露。
16.如權(quán)利要求15所述的制造顯示裝置的方法，其中與所述第一導(dǎo)電層相比，所述第二導(dǎo)電層由對(duì)于來(lái)自所述有機(jī)層的光具有更高反射率 的材料制成。所述第一電極層形成為包括在所述層疊膜圖案的一部分中。
17.如權(quán)利要求16所述的制造顯示裝置的方法，其中第一導(dǎo)電層由單質(zhì)鉬(Mo)或其化合物制成，并且所述第二導(dǎo)電層由單質(zhì)鋁(A1)或其化合物制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及制造顯示裝置的方法，該顯示裝置包括發(fā)光元件，其通過(guò)在基體上依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成；和輔助布線層，其布置為圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層，其中，所述輔助布線層包括具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的兩層構(gòu)造，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層對(duì)于所述第二電極層具有較小的接觸電阻，所述輔助布線層中的所述兩層構(gòu)造形成為使得所述第二接觸層的端面從所述第一導(dǎo)電層的端面向內(nèi)凹陷，從而，所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分與所述第二電極層接觸。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101859794SQ20101014173
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者佐川裕志 申請(qǐng)人:索尼公司