專利名稱：顯示器件的制造方法和顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上制造具有多個有機發(fā)光元件的顯示器件的方法，還涉及顯示 器件。
背景技術(shù)：
近年來，作為代替液晶顯示器的顯示器件，已經(jīng)實際應(yīng)用了具有有機發(fā)光元件的 有機電致發(fā)光(EL)顯示器件。由于有機EL顯示器件是發(fā)光型的，因而認為有機EL顯示器 件的視角比液晶顯示器等的視角寬，并且有機EL顯示器件即使對高精度高速度的視頻信 號也具有足夠高的響應(yīng)。在相關(guān)技術(shù)的有機EL顯示器件中，為了防止下部電極與上部電極之間短路，在下 部電極周圍形成像素隔離絕緣膜(例如，參照日本專利申請公開公報No. 2001-175200)。然而，存在著由于設(shè)置了像素隔離絕緣膜而使開口率降低的問題。從有機發(fā)光材 料的壽命的觀點來看，要求增大開口率。日本專利申請公開公報No. 2001-110575公開了一種通過將下部電極的側(cè)面形成 為正向錐形(forward-tapered shape)來防止上部電極與下部電極之間短路的方法。然而， 下部電極必須通過設(shè)在平坦化層中的連接孔與驅(qū)動元件電連接。在該連接孔中也可能出現(xiàn) 上部電極與下部電極之間的短路。在相關(guān)技術(shù)中，通過光刻技術(shù)來形成下部電極和像素隔離絕緣膜，并且位置精度 很高。另一方面，通過利用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法來形成包含發(fā)光層的有機層。因 此，在大型化的情況下，由于蒸發(fā)沉積掩模的變形而導致的有機層中的蒸發(fā)沉積位置偏離 會增大。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明期望提供一種能夠減小下部電極或像素隔離絕緣膜與有機 層之間的位置偏離的顯示器件制造方法，并期望提供一種能夠抑制連接孔中的短路并能增 大開口率的顯示器件。 本發(fā)明實施例的具有多個有機發(fā)光元件的顯示器件的第一種制造方法包括如下 步驟在基板上形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的驅(qū)動元件；形成一層以上的平坦 化膜，所述一層以上的平坦化膜在與各所述驅(qū)動元件對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的 連接孔；在包含所述連接孔的區(qū)域中形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的下部電極； 在所述下部電極之間的區(qū)域中形成像素隔離絕緣膜；通過使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法在所述下部電極上方形成包含發(fā)光層的有機層；以及在所述有機層上方形成上部電極。 形成所述下部電極的步驟包括如下步驟形成下部電極材料膜；在所述下部電極材料膜上 形成光致抗蝕劑膜；使用所述蒸發(fā)沉積掩模對所述光致抗蝕劑膜進行曝光，然后將所述光 致抗蝕劑膜顯影；以及通過使用所述光致抗蝕劑膜作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去所述 下部電極材料膜。
本發(fā)明實施例的具有多個有機發(fā)光元件的顯示器件的第二種制造方法包括如下 步驟在基板上形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的驅(qū)動元件；形成一層以上的平坦 化膜，并且把所述一層以上的平坦化膜中的至少最上層平坦化膜中的連接孔的側(cè)面形成為 正向錐形；在包含所述連接孔的區(qū)域中形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的下部電 極；通過使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法以覆蓋所述下部電極的所有頂面和側(cè)面的方式 形成包含發(fā)光層的有機層；以及在所述有機層上方形成上部電極。其中，所述下部電極是通 過使用所述蒸發(fā)沉積掩模來予以形成的。“連接孔的側(cè)面的正向錐形”是指連接孔的直徑從基板側(cè)以圓錐形狀或棱錐形狀 逐漸增加的形狀。本發(fā)明實施例的顯示器件包括驅(qū)動元件，它們分別對應(yīng)于多個有機發(fā)光元件而 被形成在基板上；一層以上的平坦化膜，它們中的至少最上層膜具有側(cè)面為正向錐形的連 接孔；下部電極，它們分別對應(yīng)于多個有機發(fā)光元件而被形成在包含所述連接孔的區(qū)域中； 有機層，它包含發(fā)光層；以及上部電極。在本發(fā)明實施例的顯示器件中，由于至少最上層平坦化膜中的連接孔的側(cè)面具有 正向錐形，并且下部電極被形成在包含該連接孔的區(qū)域中，因而抑制了下部電極與上部電 極之間在該連接孔中的短路，并且增大了開口率。在本發(fā)明實施例的顯示器件的第一種制造方法中，使用蒸發(fā)沉積掩模對用于蝕刻 下部電極材料膜的光致抗蝕劑膜進行曝光。在本發(fā)明實施例的顯示器件的第二種制造方法 中，通過使用蒸發(fā)沉積掩模來形成下部電極，并且通過使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法 以覆蓋所述下部電極的所有頂面和側(cè)面的方式形成有機層。因此，減小了下部電極或像素 隔離絕緣膜與有機層之間的位置偏離。在根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法得到的顯示器件中，至少最上層平坦化膜中的連 接孔的側(cè)面被形成為正向錐形，并且下部電極被形成在包含該連接孔的區(qū)域中。因此，抑制 了下部電極與上部電極之間在該連接孔中的短路，并且增大了開口率。本發(fā)明的其它和進一步的目的、特征和優(yōu)點將從下面的說明中更充分地體現(xiàn)出來。
圖1是本發(fā)明第一實施例的顯示器件的結(jié)構(gòu)圖。圖2是圖示了圖1中示出的像素驅(qū)動電路的示例的圖。圖3是圖示了圖1中示出的顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是按工序順序說明圖1中示出的顯示器件的制造方法的截面圖。圖5是說明了圖4之后的工序的截面圖。圖6是說明了圖5之后工序的截面圖。
圖7是說明了圖6之后的工序的截面圖。圖8是說明了圖7之后的工序的截面圖。圖9是說明了圖8之后的工序的截面圖。圖10是說明了圖9之后的工序的截面圖。圖11是說明了圖10之后的工序的截面圖。圖12是說明了圖11之后的工序的截面圖。圖13是圖示了圖12之后的工序的截面圖。圖14是說明了圖13之后工序的截面圖。圖15是說明了圖14之后的工序的截面圖。圖16是說明了圖15之后的工序的截面圖。圖17是說明了圖16之后的工序的截面圖。圖18是說明了圖17之后的工序的截面圖。圖19是圖示了本發(fā)明第二實施例顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖20是用于以平面圖形式來解釋連接孔與下部電極之間的位置關(guān)系的圖。圖21是按工序順序說明圖19中示出的顯示器件的制造方法的截面圖。圖22是說明了圖21之后的工序的截面圖。圖23是說明了圖22之后的工序的截面圖。
圖24是說明了圖23之后的工序的截面圖。圖25是說明了圖24之后的工序的截面圖。圖26是說明了圖25之后的工序的截面圖。圖27是說明了圖26之后的工序的截面圖。圖28是說明了圖27之后的工序的截面圖。圖29是說明了變形例1的顯示器件的制造方法的截面圖。圖30是說明了圖29之后的工序的截面圖。圖31是說明了圖30之后的工序的截面圖。圖32是說明了變形例2的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖33是圖示了變形例3的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖34是圖示了變形例4的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖35是圖示了變形例5的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖36是圖示了變形例6的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖37是圖示了變形例7的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖38是圖示了變形例8的顯示器件中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖39是按工序順序說明本發(fā)明第三實施例的顯示器件的制造方法的截面圖。圖40是說明了圖39之后的工序的截面圖。圖41是說明了圖40之后的工序的截面圖。圖42是說明了圖41之后的工序的截面圖。圖43是用于以平面圖形式來解釋相關(guān)技術(shù)的蒸發(fā)沉積掩模與下部電極之間的位置關(guān)系的圖。圖44A和圖44B是圖43的圖面中央和圖面端部的截面圖。
圖45是圖示了包括本發(fā)明實施例顯示器件的模塊的示意結(jié)構(gòu)的平面圖。圖46是圖示了上述實施例顯示器件的應(yīng)用例1的外觀的立體圖。圖47A是圖示了從表面?zhèn)瓤吹降膽?yīng)用例2的外觀的立體圖；并且圖47B是圖示了 從背側(cè)看到的應(yīng)用例2的外觀的立體圖。圖48是圖示了應(yīng)用例3的外觀的立體圖。 圖49是圖示了應(yīng)用例4的外觀的立體圖。圖50A是圖示了應(yīng)用例5的顯示器件處于打開狀態(tài)的正視圖；圖50B是該顯示器 件處于打開狀態(tài)的側(cè)視圖；圖50C是圖示了該顯示器件處于關(guān)閉狀態(tài)的正視圖；圖50D是 該顯示器件處于關(guān)閉狀態(tài)的左視圖；圖50E是該顯示器件處于關(guān)閉狀態(tài)的右視圖；圖50F 是該顯示器件處于關(guān)閉狀態(tài)的俯視圖；以及圖50G是該顯示器件處于關(guān)閉狀態(tài)的仰視圖。
具體實施例方式下面參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。說明的順序如下1.第一實施例(使用蒸發(fā)沉積掩模對用于蝕刻下部電極材料膜的光致抗蝕劑膜 和用于形成像素隔離絕緣膜的感光膜進行曝光的示例)2.第二實施例(將連接孔的側(cè)面形成為正向錐形并且在包含該連接孔的區(qū)域中 形成下部電極的示例)3.變形例4.第三實施例(通過使用蒸發(fā)沉積掩模的電子束蒸發(fā)沉積方法或者濺射方法來 形成下部電極的示例)第一實施例圖1圖示了本發(fā)明第一實施例的使用有機發(fā)光元件的顯示器件的結(jié)構(gòu)。該顯示器 件被用作超薄型有機發(fā)光彩色顯示器件等。例如在由諸如玻璃等形成的基板11上形成有 顯示區(qū)域110，在該顯示區(qū)域110中，以矩陣形式設(shè)置有稍后說明的多個有機發(fā)光元件10R、 有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件10B。在顯示區(qū)域110的周邊形成有作為視頻圖像顯示 驅(qū)動器的信號線驅(qū)動電路120和掃描線驅(qū)動電路130。在顯示區(qū)域110中形成有像素驅(qū)動電路140。圖2圖示了像素驅(qū)動電路140的示 例。像素驅(qū)動電路140形成在稍后說明的下部電極13的下層，并且是有源型驅(qū)動電路，該 有源型驅(qū)動電路包含驅(qū)動晶體管Trl、寫晶體管Tr2、設(shè)在晶體管Trl與晶體管Tr2之間的 電容器(保持電容器)Cs以及在第一電源線(Vcc)與第二電源線(地)之間與驅(qū)動晶體管 Trl串聯(lián)連接的有機發(fā)光元件10R(或者IOG或者10B)。驅(qū)動晶體管Trl和寫晶體管Tr2 是普通的薄膜晶體管(thin film transistohTFT)，并且例如可具有反向錯列結(jié)構(gòu)(所謂 的底柵型)或者錯列結(jié)構(gòu)(頂柵型)，但不限于此。在像素驅(qū)動電路140中，在列方向上設(shè)置有多條信號線120A，并且在行方向上設(shè) 置有多條掃描線130A。信號線120A與掃描線130A之間的交叉點對應(yīng)于有機發(fā)光元件10R、 有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB (亞像素)中的一者。信號線120A與信號線驅(qū)動電 路120連接。從信號線驅(qū)動電路120經(jīng)過信號線120A向?qū)懢w管Tr2的源極電極提供圖 像信號。掃描線130A與掃描線驅(qū)動電路130連接，并且從掃描線驅(qū)動電路130經(jīng)過掃描線 130A向?qū)懢w管Tr2的柵極電極依次提供掃描信號。
圖3示出了顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)的示例。在顯示區(qū)域110中，整體上以矩陣 形式依次形成了產(chǎn)生紅光的有機發(fā)光元件10R、產(chǎn)生綠光的有機發(fā)光元件IOG和產(chǎn)生藍光 的有機發(fā)光元件10B。各自具有矩形形狀平面圖的各有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG 和有機發(fā)光元件IOB按逐個顏色設(shè)置在縱向方向(列方向)上。各有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB具有如下結(jié)構(gòu)，即，在位于基板11側(cè)的像素驅(qū)動電路140的驅(qū)動晶體管Trl和平坦化膜12上依次堆疊有作為 陽極的下部電極13 ；像素隔離絕緣膜14 ；包括紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光 發(fā)光層15CB的有機層15 ；以及作為陰極的上部電極16。這些有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB上覆蓋有由諸如氮 化硅(SiNx)等制成的保護膜17。然后，在保護膜17的整個表面上，通過由熱固化樹脂或紫 外線固化樹脂等制成的粘接層30與由玻璃等制成的密封基板20粘合。平坦化膜12被設(shè)置用于使形成有像素驅(qū)動電路140的基板11的表面平坦化，并 且該平坦化膜12由諸如丙烯酸或聚酰亞胺等有機材料或者諸如氧化硅(SiO2)或氮化硅 (Si3N4)等無機材料形成。平坦化膜12中設(shè)有用于使驅(qū)動晶體管Trl與下部電極13電連 接的連接孔12A。對應(yīng)于各個有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB都形成有下 部電極13。例如，在從下部電極13側(cè)獲取由紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光 發(fā)光層15CB產(chǎn)生的光(下部出射)的情況下，下部電極13是由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)或SnO2等制成的透射電極。另一方 面，在從上部電極16側(cè)獲取由紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB產(chǎn) 生的光(上部出射)的情況下，下部電極13是由諸如金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅 (Cu)、鎢(W)、鋁(Al)、鉬(Mo)或銀(Ag)等金屬元素或者上述任何金屬元素的合金制成的 反射電極。下部電極13也可由透射電極和反射電極的復合膜構(gòu)成。平坦化膜12中的連接孔12A的側(cè)面形成為正向錐形形狀。下部電極13形成在包 含連接孔12A的區(qū)域中。在本顯示器件中，利用上述結(jié)構(gòu)可以抑制連接孔12A中的短路并 增大開口率。像素隔離絕緣膜14被設(shè)成保證下部電極13與上部電極16之間的絕緣并被設(shè)成 用于以所需形狀精確地形成發(fā)光區(qū)域。像素隔離絕緣膜14具有約Ιμπι的厚度，并且由諸 如氧化硅或者聚酰亞胺等感光樹脂制成。在像素隔離絕緣膜14中，對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域設(shè)置有 開口部。此外，在像素隔離絕緣膜14上依次設(shè)置有機層15和上部電極16。但是僅在像素 隔離絕緣膜14中的開口部處產(chǎn)生光。有機層15例如具有如下結(jié)構(gòu)，即，從下部電極13側(cè)依次堆疊有空穴注入層和空 穴輸運層15ΑΒ ；紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB ；以及電子輸運層 和電子注入層15DE。其中，除了紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB 以外的其他層可視需要來設(shè)置。有機層15的結(jié)構(gòu)可根據(jù)有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件 IOG和有機發(fā)光元件IOB的發(fā)光顏色的不同而不同?？昭ㄗ⑷雽邮怯糜谔岣呖昭ㄗ⑷胄?率并用于防止泄漏的緩沖層?？昭ㄝ斶\層被設(shè)為用于提高向紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層 15CG或藍光發(fā)光層15CB的空穴輸運效率。在紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍光發(fā) 光層15CB中，通過施加電場，電子和空穴發(fā)生復合，并且產(chǎn)生光。電子輸運層被設(shè)為用于提高向紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍光發(fā)光層15CB的電子輸運效率。電子注入層 例如具有約0. 3nm的厚度，并由LiF或者Li2O等制成。在圖3中，把空穴注入層和空穴輸 運層表示為一層(空穴注入層和空穴輸運層15AB)，并且把電子輸運層和電子注入層表示 為一層(電子輸運層和電子注入層15DE)。有機發(fā)光元件IOR的空穴注入層例如具有5nm 300nm的厚度，并且由4，4'， 4"-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(!11-101^1幻或者4，4'，4〃 -三(2-萘基苯基 氨基)三苯胺(2-TNATA)制成。有機發(fā)光元件IOR的空穴輸運層例如具有5nm 300nm的 厚度，并且由雙[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺(α-NPD)制成。有機發(fā)光元件IOR的紅光發(fā) 光層15CR例如具有IOnm IOOnm的厚度，并且由將30重量％的2，6_雙[4，-甲氧基二苯 胺]苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)混入9，10_ 二(2-萘基)蒽(ADN)而得到的材料制 成。有機發(fā)光元件IOR的電子輸運層例如具有5nm 300nm的厚度，并且由8-羥基喹啉鋁 (Alq3)制成。有機發(fā)光元件IOG的空穴注入層例如具有5nm 300nm的厚度，并且由m-MTDATA 或者2-TNATA制成。有機發(fā)光元件IOG的空穴輸運層例如具有5nm 300nm的厚度，并且 由α -NPD制成。有機發(fā)光元件IOG的綠光發(fā)光層15CG例如具有10nm 100nm的厚度，并 且由將5體積％的香豆素6混入ADN而得到的材料制成。有機發(fā)光元件IOG的電子輸運層 例如具有5nm 300nm的厚度，并且由Alq3制成。有機發(fā)光元件IOB的空穴注入層例如具有5nm 300nm的厚度，并且由m-MTDATA 或者2-TNATA制成。有機發(fā)光元件IOB的空穴輸運層例如具有5nm 300nm的厚度，并且由 α -NPD制成。有機發(fā)光元件IOB的藍光發(fā)光層15CB例如具有IOnm IOOnm的厚度，并且 由將2. 5重量％的4，4-雙[2-{4-(N，N- 二苯胺)苯基}乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)混入ADN 而得到的材料制成。有機發(fā)光元件IOB的電子輸運層例如具有5nm 300nm的厚度，并且 由Alq3制成。上部電極16例如具有5nm 50nm的厚度，并且由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉 (Na)等金屬元素或者上述任何金屬元素的合金制成。特別地，優(yōu)選鎂和銀的合金(MgAg合 金)或者鋁(Al)和鋰(Li)的合金(AlLi合金)。上部電極16可由復合膜構(gòu)成，該復合膜 含有由上述任何金屬元素或者上述任何金屬元素的合金制成的層和如同第一電極13 —樣 的透射電極。密封基板20位于有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB的上 部電極16側(cè)，并與粘接層30 —起將有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件 IOB密封住。密封基板20由能夠讓有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件 IOB所產(chǎn)生的光透過的諸如玻璃等材料制成。例如，上述顯示器件可按如下方法制造出來。圖4至圖18按工序順序示出了顯示器件的制造方法。首先，如圖4所示，在由上 述材料制成的基板11上，形成包含驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140。隨后，還如圖4所 示，在基板11的整個表面上涂敷感光樹脂。通過進行曝光和顯影，形成在與驅(qū)動晶體管Trl 對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔12A的平坦化膜12，并且進行烘干。此時，使用 正型感光樹脂作為平坦化膜12的材料，可以容易地將連接孔12A的側(cè)面形成為正向錐形形 狀。
隨后，還如圖4所示，在平坦化膜12上形成由下部電極13的材料制成的下部電極 材料膜13A。此后，如圖5至圖7所示，在下部電極材料膜13A上形成負型光致抗蝕劑膜41。使 用用于形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB的蒸發(fā)沉積掩模51對 光致抗蝕劑膜41進行三次曝光。在第一次曝光中，如圖5所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機發(fā) 光元件IOR的下部電極13的區(qū)域13RA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部電 極13的區(qū)域13RA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在曝光時，為了形成比開口部52寬的 下部電極13，優(yōu)選加大蒸發(fā)沉積掩模51與基板11之間的距離、增加曝光量或者降低曝光用 光L的直線性等。
在第二次曝光中，如圖6所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機發(fā) 光元件IOG的下部電極13的區(qū)域13GA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部電 極13的區(qū)域13GA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在第三次曝光中，如圖7所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機發(fā) 光元件IOB的下部電極13的區(qū)域13BA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部電 極13的區(qū)域13BA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在使用上述蒸發(fā)沉積掩模51對光致抗蝕劑膜41進行三次曝光之后，將光致抗蝕 劑膜41顯影。隨后，如圖8所示，使用光致抗蝕劑膜41作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去 下部電極材料膜13A。結(jié)果，在各個包含連接孔12A的區(qū)域中形成了與有機發(fā)光元件10R、 有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB分別對應(yīng)的下部電極13。在形成下部電極13之后，如圖9至圖11所示，在基板11的整個表面上形成由像 素隔離絕緣膜14的材料制成的感光膜42，并且使用蒸發(fā)沉積掩模51對感光膜42進行三次
曙光ο在第一次曝光中，如圖9所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準有機發(fā)光元件 IOR的下部電極13，并對感光膜42進行曝光。在曝光時，利用同一個曝光掩模51，要使下部 電極13和像素隔離絕緣膜14必須重疊，也就是說，必須使像素隔離絕緣膜14中的開口部 比下部電極13小。因此，優(yōu)選使蒸發(fā)沉積掩模51與基板11之間的距離變小、減少曝光量 或者提高曝光用光L的直線性等。在第二次曝光中，如圖10所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準有機發(fā)光元 件IOG的下部電極13，并對感光膜42進行曝光。在第三次曝光中，如圖11所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準有機發(fā)光元 件IOB的下部電極13，并對感光膜42進行曝光。在使用上述蒸發(fā)沉積掩模51對感光膜42進行三次曝光之后，將感光膜42顯影。 結(jié)果，如圖12所示，在下部電極13之間的區(qū)域中形成了像素隔離絕緣膜14。在本實施例 中，使用蒸發(fā)沉積掩模51來對用于蝕刻下部電極材料膜13A的光致抗蝕劑膜41和用于形 成像素隔離絕緣膜14的感光膜42進行曝光，因而可以減小下部電極13與像素隔離絕緣膜 14及有機層15之間的位置偏離。在形成像素隔離絕緣膜14之后，如圖13所示，通過例如蒸發(fā)沉積方法在基板11 的整個表面上形成由上述材料制成的空穴注入層和空穴輸運層15AB。隨后，還如圖13所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準有機發(fā)光元件10R的下部電極13，并且通過使用 蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā)光元件10R的下部電極13上方形成紅光發(fā)光層 15CR。在形成紅光發(fā)光層15CR之后，如圖14所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準 有機發(fā)光元件10G的下部電極13，并且通過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā) 光元件10G的下部電極13上方形成綠光發(fā)光層15CG。在形成紅光發(fā)光層15CG之后，如圖15所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準 有機發(fā)光元件10B的下部電極13，并且通過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā) 光元件10B的下部電極13上方形成藍光發(fā)光層15CB。結(jié)果，如圖16所示，形成了紅光發(fā)光 層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍光發(fā)光層15CB。此后，如圖17所示，通過例如蒸發(fā)沉積方法在基板11的整個表面上形成由上述材 料制成的電子輸運層和電子注入層15DE。以此方式，形成了有機層15。隨后，還如圖17所 示，通過例如蒸發(fā)沉積方法在有機層15上形成由上述材料制成的上部電極16。結(jié)果，形成 了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B。在形成有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B之后，如圖18所 示，在有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B上形成由上述材料制成的 保護膜17。之后，在保護膜17上形成粘接層30，讓粘接層30處于保護膜17與密封基板20 之間從而把密封基板20粘附到保護膜17上。結(jié)果，完成了圖3所示的顯示器件。在本顯示器件中，從掃描線驅(qū)動電路130經(jīng)過寫晶體管Tr2的柵極電極將掃描信 號提供至各像素，并且通過寫晶體管Tr2把來自信號線驅(qū)動電路120的圖像信號保持在保 持電容器Cs中。也就是說，根據(jù)保持電容器Cs中所保持的信號對驅(qū)動晶體管Trl進行導 通/關(guān)斷控制。通過該導通/關(guān)斷控制將驅(qū)動電流Id注入到各有機發(fā)光元件10R、有機發(fā) 光元件10G和有機發(fā)光元件10B中，從而引起空穴與電子的復合并產(chǎn)生光。該光穿過下部 電極13和基板11 (下部出射)，或者穿過上部電極16和密封基板20 (上部出射)，然后被 獲取到。由于連接孔12A的側(cè)面具有正向錐形并且下部電極13形成在包含連接孔12A的 區(qū)域中，因而抑制了連接孔12A中下部電極13與上部電極16之間的短路。因此，相關(guān)技術(shù) 中的被像素隔離絕緣膜14覆蓋的連接孔12A在本發(fā)明中被包含在發(fā)光區(qū)域中，從而增大了 開口率。這樣，提高了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B的壽命。在本實施例的顯示器件的制造方法中，由于使用蒸發(fā)沉積掩模51來對用于蝕刻 下部電極材料膜13A的光致抗蝕劑膜41和用于形成像素隔離絕緣膜14的感光膜42進行 曝光，因此，減小了下部電極13與像素隔離絕緣膜14及有機層15之間的位置偏離。在本實施例的顯示器件中，通過將連接孔12A的側(cè)面形成為正向錐形并將下部電 極13形成在包含連接孔12A的區(qū)域中，抑制了連接孔12A中下部電極13與上部電極16之 間的短路，并增大了開口率。在前述實施例中，已經(jīng)說明了從下部電極13側(cè)獲取由紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光 層15CG或者藍光發(fā)光層15CB產(chǎn)生的光(下部出射)的情況或者從上部電極16側(cè)獲取由 紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB產(chǎn)生的光(上部出射)的情況。 在該實施例中，上部電極16具有半透射型反射層的功能。但本發(fā)明也可應(yīng)用于由下部電極 13和上部電極16構(gòu)造成共振器結(jié)構(gòu)以使紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB所產(chǎn)生的光發(fā)生共振的情況。在前述實施例中，已經(jīng)說明了像素隔離絕緣膜14由諸如聚酰亞胺等感光樹脂制成的情況。但像素隔離絕緣膜14也可由諸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等無機材料 制成。在此情況下，可按如下工序來形成像素隔離絕緣膜14。首先，形成由像素隔離絕緣膜 14的上述材料制成的無機材料膜。隨后，在該無機材料膜上形成光致抗蝕劑膜。使用蒸發(fā) 沉積掩模51通過圖5至圖7所示的工序?qū)υ摴庵驴刮g劑膜進行三次曝光。此后，將該光致 抗蝕劑膜顯影。隨后，使用該光致抗蝕劑膜作為掩模進行蝕刻從而選擇性地除去上述無機 材料膜。結(jié)果，形成了像素隔離絕緣膜14。第二實施例圖19圖示了本發(fā)明第二實施例的顯示器件中顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。本實施 例的顯示器件與第一實施例的顯示器件不同的方面是未設(shè)有像素隔離絕緣膜14，有機層 15以覆蓋著下部電極13的所有頂面13C和側(cè)面13D的方式形成，并且驅(qū)動晶體管Trl和下 部電極13通過中間電極相互連接。因此，用相同的附圖標記表示相對應(yīng)的組件。基板11和包含驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140與第一實施例中的基板11及 像素驅(qū)動電路140相同。在基板11與下部電極13之間，依次設(shè)有第一平坦化膜12B、中間電極18和第二平 坦化膜12C。第一平坦化膜12B具有作為驅(qū)動晶體管Trl與中間電極18之間的中間層絕緣膜 的功能，并且例如由諸如丙烯酸或聚酰亞胺等有機材料或者諸如氧化硅(SiO2)或氮化硅 (Si3N4)等無機材料制成。第一平坦化膜12B中在與驅(qū)動晶體管Trl對應(yīng)的位置處設(shè)有用 于使驅(qū)動晶體管Trl和中間電極18電連接的連接孔12BA。連接孔12BA的側(cè)面最好是正向 錐形。平坦化膜12C被設(shè)為使形成有像素驅(qū)動電路140的基板11的表面平坦化，并且由 諸如丙烯酸或聚酰亞胺等有機材料或者諸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等無機材料制 成。第二平坦化膜12C中設(shè)有用于使中間電極18和下部電極13電連接的連接孔12CA。連 接孔12CA設(shè)置在與中間電極18對應(yīng)的位置處，并且連接孔12CA的側(cè)面形成為正向錐形形 狀。下部電極13形成在包含連接孔12CA的區(qū)域中。在本顯示器件中，利用上述結(jié)構(gòu)可以 抑制連接孔12CA中的短路并增大開口率。中間電極18形成在包含第一平坦化膜12B的連接孔12BA的區(qū)域中，并且中間電 極18的材料不受限制，只要是導電材料即可。中間電極18抑制了由于由驅(qū)動晶體管Trl 的厚鋁(Al)膜制成的布線電極19的表面粗糙所導致的在連接孔12A中下部電極13與上 部電極16之間出現(xiàn)的短路。在本實施例中，有機層15被形成為覆蓋著下部電極13的所有頂面13C和側(cè)面 13D。利用這種結(jié)構(gòu)，無需設(shè)置像素隔離絕緣膜14也會進一步增大開口率，并且也會進一步 提高器件壽命。此外，在下部出射的情況下，與驅(qū)動晶體管Trl連接的面積很小，并且像素 隔離絕緣膜14對開口率減小的影響變大。無需進行形成像素隔離絕緣膜14的工序，工序 在很大程度上被簡化，并降低了成本。此外，不會有由于像素隔離絕緣膜14的形成及圖形 化而導致的對下部電極13的頂面13C的損壞，并且防止了頂面13C的粗糙，從而得到極好 的器件特性。另外，由于不存在使得像素隔離絕緣膜14變厚的粗糙不平，因而保護膜17的覆蓋率非常好，并且提高了可靠性。下部電極13的側(cè)面13D優(yōu)選具有正向錐形形狀，原因如下。這降低了有機層15 在下部電極13的側(cè)面13D上中斷的可能性并且抑制了下部電極13與上部電極16之間的 短路?！跋虏侩姌O13的側(cè)面13D具有正向錐形形狀”意味著下部電極13的尺寸從基板11 側(cè)以圓錐形或棱錐形逐漸減小。下部電極13優(yōu)選比有機層15薄。當下部電極13足夠薄時，降低了有機層15在 下部電極13的側(cè)面13D上中斷的可能性，并且抑制了下部電極13與上部電極16之間的短 路。在此情況下，下部電極13的側(cè)面13D不一定總是必須被形成為正向錐形形狀。具體地， 如圖20所示，例如在40英寸FHD顯示器件中，一個像素的尺寸約為153 u mX459 u m,并且 下部電極13的尺寸是143iimX449iim。根據(jù)Nobuki Ibaraki等人在“SID06 DIGEST”上 第 1760 頁至第 1763 頁發(fā)表的 “58. 1 :Invited Paper :Viewson the Present and Future Promise of OLED displays”，在2008年可實現(xiàn)的性能是，一個像素所需的最大電流約為 2PA，并且預(yù)期可通過后續(xù)的改進把所需的電流減小到約2yA的1/3。當假設(shè)所需的電 壓是5V時，一個像素的有機層15的電阻是2. 5MQ。當驅(qū)動晶體管Trl中連接孔12CA的 尺寸為10 umXIOu m,并且該連接孔12CA設(shè)置在像素的中心時，連接孔12CA的對角線長 度為14. 1 u m,在連接孔12CA偏離像素端部的情況下在橫向方向上的偏離量為66. 5 u m， 并且在縱向方向上的偏離量為219. 5i!m。因此，到像素端部為止的電阻是方塊電阻的16
倍(^/(66.52 + 219.52) )/14.1 — 16)以下。當由于下部電極13的方塊電阻所導致的電壓降
的量被設(shè)置成士0. 以降低一個像素內(nèi)的發(fā)光亮度差異時，允許方塊電阻為156Q/ 口。 即使在下部電極13由具有高電阻系數(shù)的IT0制成的情況下，如果IT0的電阻系數(shù)是 1. 5X10_4Q cm，則lOnm以上的厚度是足夠的。常規(guī)的有機層15的厚度為50nm以上，下 部電極13比有機層15薄得多。例如，上述顯示器件可按如下順序制造出來。圖21至圖28按工序順序圖示了顯示器件的制造方法。首先，如圖21所示，按照 與第一實施例類似的方式，在基板11上形成包含驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140。隨后，還如圖21所示，通過在基板11的整個表面上涂敷感光樹脂并進行曝光和顯 影，形成在與驅(qū)動晶體管Trl對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔12BA的第一平坦 化膜12B，并進行烘干。此時，通過使用正型感光樹脂作為第一平坦化膜12B的材料，可以容 易地將連接孔12BA的側(cè)面形成為正向錐形形狀。隨后，還如圖21所示，在平坦化膜12B上形成由上述中間電極18的材料制成的中 間電極材料膜(未圖示)，并且例如通過光刻等工藝將該中間電極材料膜形成為預(yù)定的形 狀，從而形成中間電極18。此后，還如圖21所示，在基板11的整個表面上涂敷感光樹脂，并對該感光樹脂 進行曝光和顯影，從而形成在與中間電極18對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔 12CA的第二平坦化膜12C，并且烘干該第二平坦化膜12C。此時，通過使用正型感光樹脂作 為第二平坦化膜12C的材料，可以容易地將連接孔12CA的側(cè)面形成為正向錐形形狀。在形成第二平坦化膜12C之后，還如圖21所示，在第二平坦化膜12C上形成由下 部電極13的材料制成的下部電極材料膜13A。在形成下部電極材料膜13A之后，如圖22所示，在下部電極材料膜13A上形成負型光致抗蝕劑膜41。使用曝光掩模53對光致抗蝕劑膜41進行曝光，然后進行顯影。隨后， 使用光致抗蝕劑膜41作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去下部電極材料膜13A。結(jié)果，如圖 23所示，在各個包含連接孔12A的區(qū)域中形成了與有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和 有機發(fā)光元件IOB分別對應(yīng)的下部電極13。在這時，通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，將下部電極13的 側(cè)面13D形成為正向錐形?？蛇x擇地，把下部電極13制成得比有機層15薄。
在形成下部電極13之后，如圖24所示，例如通過蒸發(fā)沉積方法在基板11的整個 表面上形成由上述材料制成的空穴注入層和空穴輸運層15AB。隨后，還如圖24所示，蒸發(fā) 沉積掩模51中的開口部52對準有機發(fā)光元件IOR的下部電極13，并且通過使用蒸發(fā)沉積 掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā)光元件IOR的下部電極13上方形成紅光發(fā)光層15CR。
在形成紅光發(fā)光層15CR之后，如圖25所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準 有機發(fā)光元件IOG的下部電極13，并且通過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā) 光元件IOG的下部電極13上方形成綠光發(fā)光層15CG。在形成綠光發(fā)光層15CG之后，如圖26所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準 有機發(fā)光元件IOB的下部電極13，并且通過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法在有機發(fā) 光元件IOB的下部電極13上方形成藍光發(fā)光層15CB。通過上述操作，形成了紅光發(fā)光層 15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍光發(fā)光層15CB。之后，如圖27所示，例如通過蒸發(fā)沉積方法在基板11的整個表面上形成由上述材 料制成的電子輸運層和電子注入層15DE。以此方式形成了有機層15。隨后，還如圖27所 示，例如通過蒸發(fā)沉積方法在有機層15上形成由上述材料制成的上部電極16。結(jié)果，形成 了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件10B。在形成有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB之后，如圖28所 示，在有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB上形成由上述材料制成的 保護膜17。之后，在保護膜17上形成粘接層30，并且以粘接層30被夾在中間的方式把密 封基板20粘附到保護膜17上。結(jié)果，完成了圖19所示的顯示器件。在本顯示器件中，從掃描線驅(qū)動電路130經(jīng)過寫晶體管Tr2的柵極電極將掃描信 號提供至各像素，并且通過寫晶體管Tr2把來自信號線驅(qū)動電路120的圖像信號保持在保 持電容器Cs中。也就是說，根據(jù)保持電容器Cs 中所保持的信號對驅(qū)動晶體管Trl進行導 通/關(guān)斷控制。通過該導通/關(guān)斷控制將驅(qū)動電流Id注入到各有機發(fā)光元件10R、有機發(fā) 光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB中，從而引起空穴與電子之間的復合并產(chǎn)生光。該光穿過下 部電極13和基板11 (下部出射光)，或者穿過上部電極16和密封基板20 (上部出射光)， 從而被獲取到。以與第一實施例相似的方式，由于連接孔12A的側(cè)面具有正向錐形并且下 部電極13形成在包含連接孔12A的區(qū)域中，因而抑制了連接孔12A中下部電極13與上部 電極16之間的短路。因此，相關(guān)技術(shù)中的被像素隔離絕緣膜14覆蓋的連接孔12A在本發(fā) 明中被包含在發(fā)光區(qū)域中，從而增大了開口率。這樣，提高了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元 件IOG和有機發(fā)光元件IOB的壽命。由于有機層15被形成為覆蓋著下部電極13的所有頂面13C和側(cè)面13D，因而無需 像素隔離絕緣膜14，并且進一步增大了開口率。在上述本實施例的顯示器件中，除了第一實施例的效果之外，有機層15還被形成 為覆蓋著下部電極13的所有頂面13C和側(cè)面13D。因此，無需像素隔離絕緣膜14，進一步增大了開口率，并且進一步提高了器件壽命。另外，由于可省略用于形成像素隔離絕緣膜14 的工序，因此能夠大幅度地簡化工序，并且降低成本。此外，在第二實施例中，按照與第一實施例相似的方式，上部電極16具有作為半 透射型反射層的功能。本發(fā)明適用于由下部電極13和上部電極16構(gòu)造成共振器結(jié)構(gòu)以讓 紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB所產(chǎn)生的光發(fā)生共振的情況。下面說明第二實施例的變形例。變形例1圖29至圖31用于按工序順序來說明變形例1的顯示器件的制造方法。該變形例 除了使用蒸發(fā)沉積掩模51來對用于蝕刻下部電極材料膜13A的光致抗蝕劑膜41進行曝光 之外，其他步驟與第二實施例的制造方法相同。因此，下面參照圖20至圖27說明與第二實 施例中的工序類似的工序。首先，按照與第二實施例類似的方式，根據(jù)圖21所示的工序，在基板11上形成包 含驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140、第一平坦化膜12B、中間電極18、第二平坦化膜12C 和下部電極材料膜13A。隨后，如圖29所示，在下部電極材料膜13A上形成負型光致抗蝕劑膜41，并且使用 用于形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB的蒸發(fā)沉積掩模51對該 負型光致抗蝕劑膜41進行三次曝光。通過上述操作，以與第一實施例相似的方式，減小了 下部電極13與有機層15之間的位置偏離。在第一次曝光中，如圖29所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機 發(fā)光元件10R的下部電極13的區(qū)域13RA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部 電極13的區(qū)域13RA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在曝光時，為了形成比開口部52寬 的下部電極13，優(yōu)選加大蒸發(fā)沉積掩模51與基板11之間的距離、增加曝光量或者降低曝光 用光L的直線性等。在第二次曝光中，如圖30所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機 發(fā)光元件10G的下部電極13的區(qū)域13GA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部 電極13的區(qū)域13GA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在第三次曝光中，如圖31所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準要形成有機 發(fā)光元件10B的下部電極13的區(qū)域13BA，并對光致抗蝕劑膜41進行曝光。要形成有下部 電極13的區(qū)域13BA被設(shè)定為包含連接孔12A的區(qū)域。在如上所述使用蒸發(fā)沉積掩模51對光致抗蝕劑膜41進行三次曝光之后，將光致 抗蝕劑膜41顯影。隨后，按照與第二實施例相似的方式，在圖23所示的工序中，通過使用 光致抗蝕劑膜41作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去下部電極材料膜13A。結(jié)果，在各個包 含連接孔12A的區(qū)域中形成了與有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B 分別對應(yīng)的下部電極13。在上述操作中，通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，將下部電極13的側(cè)面13D形 成為正向錐形?？蛇x擇地，將下部電極13制成為比有機層15薄。在形成下部電極13之后，按照與第二實施例相似的方式，利用如圖24所示的工 序，通過例如蒸發(fā)沉積方法在基板11的整個表面上形成由上述材料制成的空穴注入層和 空穴輸運層15AB。隨后，按照與第二實施例相似的方式，根據(jù)圖24至圖26所示的工序，通 過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法，形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB。在形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB之后，按照與第二 實施例相似的方式，通過圖27所示的工序形成電子輸運層和電子注入層15DE以及上部電 極16。結(jié)果，形成了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件10B。在形成有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB之后，按照與第 二實施例相似的方式，通過圖28所示的工序在有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機 發(fā)光元件IOB上形成保護膜17。之后，在保護膜17上形成粘接層30，然后讓粘接層30介 于保護膜17與密封基板20之間地把密封基板20粘附到保護膜17上。結(jié)果，完成了圖19 所示的顯示器件。變形例2圖32圖示了變形例2的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本顯示器件 中，除了未設(shè)有中間電極18并且驅(qū)動晶體管Trl通過平坦化膜12中的連接孔12A與下部電 極13連接起來以外，本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果， 并且按照類似的方法制造出來。變形例3圖33圖示了變形例3的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本顯示器件 中，除了形成有各個有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB的空穴注入 層和空穴輸運層15AB以外，本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和 效果。另外，除了通過使用蒸發(fā)沉積掩模51來形成空穴注入層和空穴輸運層15AB以及紅 光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍光發(fā)光層15CB以外，可以按照與第二實施例類似的 方法來制造出本顯示器件。變形例4圖34圖示了變形例4的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本顯示器件 中，除了形成有各個有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件IOG和有機發(fā)光元件IOB的有機層15 的所有層(即空穴注入層和空穴輸運層15AB ；紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍 光發(fā)光層15CB ；以及電子輸運層和電子注入層15DE)以外，本顯示器件具有與第二實施例 的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果。除了通過使用蒸發(fā)沉積掩模51來形成有機層15的所 有層以外，可以按照與第二實施例類似的方法來制造出本顯示器件。然而，在本變形例中， 有機層15必須覆蓋下部電極13的頂面13C和側(cè)面13D。變形例5圖35圖示了變形例5的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本顯示器 件中，除了形成白光發(fā)光層15CW來代替紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍光發(fā)光層 15CB,并且在密封基板20上設(shè)置有彩色濾光片21R、21G和21B以及作為黑矩陣的遮光膜22 以外，本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果，并且按照類似的 方法制造出來。也可以設(shè)置有顏色轉(zhuǎn)換媒介(Color Changing Medium,CCM)來代替彩色濾 光片 21R、21G 和 21B。變形例6 圖36圖示了變形例6的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本變形例 中，中間電極18與下部電極13設(shè)在同一個區(qū)域內(nèi)，因而讓中間電極18具有反射電極的功能。利用該結(jié)構(gòu)，在下部電極13是透射電極的情況下，從上部電極16側(cè)獲取由紅光發(fā)光層 15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍光發(fā)光層15CB產(chǎn)生的光(上部出射)。除了上面說明的以外， 本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果，并且按照類似的方法 制造出來。變形例7圖37圖示了變形例7的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本變形例中， 通過把驅(qū)動晶體管Trl的布線電極19與下部電極13設(shè)在同一個區(qū)域內(nèi)，讓布線電極19具 有反射電極的功能。因此使用簡單的結(jié)構(gòu)得到了與變形例6的效果相似的效果。除此以 外，本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果，并且按照類似的方 法制造出來。變形例8圖38圖示了變形例8的顯示器件中的顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在本變形例中， 未設(shè)置第二平坦化膜12C而是將下部電極13設(shè)在中間電極18上，從而使用簡單結(jié)構(gòu)就抑 制了短路。除此以外，本顯示器件具有與第二實施例的顯示器件相同的結(jié)構(gòu)、作用和效果， 并且按照類似的方法制造出來。第三實施例圖39至圖44按工序順序說明了本發(fā)明第三實施例的顯示器件的制造方法。在本 實施例中，通過使用蒸發(fā)沉積掩模51來形成下部電極13。除此以外，該方法與第二實施例 的方法相似。因此，下面參照圖21至圖28說明與第二實施例的工序相同的工序。首先，如圖39所示，按照與第二實施例相似的方式，根據(jù)圖21圖示的工序，在基板 11上形成包含驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140、第一平坦化膜12B、中間電極18和第二 平坦化膜12C。如圖40所示，蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準在第二平坦化膜12C中要形成 有機發(fā)光元件10R的下部電極13的區(qū)域13RA，并通過蒸發(fā)沉積方法或濺射方法等形成下部 電極13。要形成有下部電極13的區(qū)域13RA被形成為包含連接孔12CA。優(yōu)選通過調(diào)整成 膜參數(shù)來將下部電極13的側(cè)面13D形成為正向錐形。隨后，如圖41所示，按照與有機發(fā)光元件10R的下部電極13的情況相似的方式， 蒸發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準在第二平坦化膜12C要形成有機發(fā)光元件10G的下部 電極13的區(qū)域13GA，并通過蒸發(fā)沉方法或濺射方法等形成下部電極13。隨后，如圖42所示，按照與有機發(fā)光元件10R的下部電極13的情相似的方式，蒸 發(fā)沉積掩模51中的開口部52對準在第二平坦化膜12C要形成有機發(fā)光元件10B的下部電 極13的區(qū)域13BA，并通過蒸發(fā)沉方法或濺射方法等形成下部電極13。在形成下部電極13之后，按照與第二實施例相似的方法，根據(jù)圖所示的工序，通 過例如蒸發(fā)沉積方法在基板11的整個表面上形成由上材料制成的空穴注入層和空穴輸運 層15AB。隨后，按照與第二實施例似的方法，根據(jù)圖24至圖26所示的工序，通過使用蒸發(fā) 沉積掩模51蒸發(fā)沉積方法形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍光發(fā)光層CB。通過如上所述使用蒸發(fā)沉積掩模51來形成下部電極13，即使由于型化而使開口 部52的位置精度降低時，也能減小下部電極13與有機15之間的位置偏離。具體地，如參照圖20的第二實施例中所述，例如在40英寸的FHD示器件中，一個像素的尺寸約為153 u mX459 u m。當假設(shè)連接孔12CA有10 y mX 10 y m的尺寸并且像素間距(inter-pixel space)為10 y m時，接孔12CA與蒸發(fā)沉積掩模51的開口部52之間的最 大位置偏離量可是士 66.5i!m。因此，對蒸發(fā)沉積掩模51的位置精度的要求變得非常低。同樣在本例中，如參照圖20的第二實施例中所述，下部電極13的度可以是lOnm 以上。另一方面，在相關(guān)技術(shù)中，用光刻方法來圖形化地形成下部電極。圖形的位置精 度由步進機(st印per)或鏡像投影對準儀(mirror projectiongner)的位置精度來確定， 并且可將通常的位置精度設(shè)為lym以下。另方面，通過使用蒸發(fā)沉積掩模的真空沉積方 法來形成有機層。在真空積方法中，為了減少蒸發(fā)沉積掩模的影子，通常使用具有5 y m 100 u m的薄板來制造蒸發(fā)沉積掩模。為了以較高的位置精度制造出蒸發(fā)沉積模，需要在張 力下將蒸發(fā)沉積掩模固定到框架上。隨著張力越高，越容易得到較高的位置精度，框架變得 越重。由于要求蒸發(fā)沉積掩模具有較高的位置精度并且框架重量增大，因而在相關(guān)技術(shù)中 極難使有機EL顯示器件大型化。例如，如圖43和圖44A及圖44B所示，當蒸發(fā)沉積掩模851中的開口部852的位 置偏離時，使下部電極813和像素隔離絕緣膜814與開口部852在屏幕的中央對齊。然而， 在屏幕的端部，下部電極813不會與開口部852對齊。在40英寸FHD的情況下，一個像素 的尺寸約為153iimX459iim。當開口部852的位置精度是士20 y m時，通過使開口部852 變窄來解決問題，并且開口率變成67%以下。在本發(fā)明實施例中，因為通過使用蒸發(fā)沉積掩 模51來形成下部電極13，所以即使當由于大型化而使開口部52的位置精度降低時，也可減 小下部電極13與有機層15之間的位置偏離。在如上所述形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍光發(fā)光層15CB之后，按照 與第二實施例相似的方式，根據(jù)圖26所示的工序，形成電子輸運層和電子注入層15DE以及 上部電極16。以此方式，形成了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光元件10B。在形成有機發(fā)光層10R、有機發(fā)光層10G和有機發(fā)光層10B之后，按照與第二實施 例相似的方式，根據(jù)圖27所示的工序，在有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有機發(fā)光 元件10B上形成保護膜17。之后，在保護膜17上形成粘接層30，并以粘接層30處于保護 膜17與密封基板20之間的方式粘附密封基板20。結(jié)果，完成了圖19所示的顯示器件。如上所述，在本實施例中，通過使用蒸發(fā)沉積掩模51來形成下部電極13，并且通 過使用蒸發(fā)沉積掩模51的蒸發(fā)沉積方法來將有機層15形成得覆蓋住下部電極13的所有 頂面13C和側(cè)面13D。因此，可以減小下部電極13與有機層15之間的位置偏離。這對于大 型化來說是特別有效的。模塊和應(yīng)用例下面說明在上述各實施例中解釋的顯示器件的應(yīng)用例。上述各實施例的顯示器件 適合于用于把從外部輸入的視頻信號或者在內(nèi)部產(chǎn)生的視頻信號以圖像或視頻形式進行 顯示的所有領(lǐng)域中的電子裝置的顯示器件，上述電子裝置例如是電視機、數(shù)碼相機、筆記本 電腦、諸如手機等便攜式終端裝置、攝像機等。模塊例如，把任一實施例所述的顯示器件作為圖45所示的模塊安裝在稍后說明的應(yīng) 用例1至應(yīng)用例5中的各種電子裝置中。該模塊例如在基板11的一個側(cè)邊處具有從密封基板20和粘接層30露出的區(qū)域210。在該露出區(qū)域210上，通過延長信號線驅(qū)動電路120的 布線和掃描線驅(qū)動電路130的布線來形成外部連接端子(未圖示)。在該外部連接端子上 可以設(shè)有用于輸入和/或輸出信號的柔性印刷電路(flexible printed circuit，F(xiàn)PC) 220。應(yīng)用例1圖46圖示了應(yīng)用上述實施例的顯示器件的電視機的外觀。該電視機例如具有包 括前面板310和濾光玻璃320的視頻圖像顯示屏300。視頻圖像顯示屏300由任一上述實 施例的顯示器件構(gòu)成。應(yīng)用例2圖47A和圖47B圖示了應(yīng)用上述實施例的顯示器件的數(shù)碼相機的外觀。該數(shù)碼相 機例如具有閃光用的發(fā)光單元410、顯示單元420、菜單開關(guān)430和快門按鈕440。顯示單元 420由任一上述實施例的顯示器件構(gòu)成。應(yīng)用例3圖48圖示了應(yīng)用上述實施例的顯示器件的筆記本電腦的外觀。該筆記本電腦例 如具有主體510、用于進行字符等的輸入操作的鍵盤520和用于顯示圖像的顯示單元530。 顯示單元530由任一上述實施例的顯示器件構(gòu)成。應(yīng)用例4圖49圖示了應(yīng)用上述實施例的顯示器件的攝像機的外觀。該攝像機例如具有主 體610、設(shè)在主體610的前表面上且用于拍攝物體的鏡頭620、拍攝開始/停止開關(guān)630和 顯示單元640。顯示單元640由任一上述實施例的顯示器件構(gòu)成。應(yīng)用例5圖50A至圖50G圖示了應(yīng)用上述實施例的顯示器件的手機的外觀。該手機例如是 通過連接件(鉸鏈部)730使上部殼體710與下部殼體720連接起來而得到的，并且包括顯 示屏740、副顯示屏750、圖片燈760和照相機770。顯示屏740或者副顯示屏750由任一上 述實施例的顯示器件構(gòu)成。雖然已經(jīng)通過各實施例對本發(fā)明進行了說明。然而，本發(fā)明不限于這些實施例，可 以做出各種變形。例如本發(fā)明不限于各實施例中所說明的各層的材料和厚度、成膜方法以 及成膜條件等，可以使用其它材料和厚度、其它成膜方法以及其它成膜條件。例如，在各實施例中，已經(jīng)說明了從基板11側(cè)在基板11上依次堆疊下部電極13、 有機層15和上部電極16并從密封基板20側(cè)獲取光的情況。但該堆疊順序也可以倒置。在 基板11上，可以從基板11側(cè)在基板11上依次堆疊上部電極16、有機層15和下部電極13， 并且可以從基板11側(cè)獲取光。此外，例如在上述各實施例中，已經(jīng)說明了將下部電極13設(shè)為陽極并將上部電極 16設(shè)為陰極的情況。然而，陽極和陰極可以互換。可將下部電極13設(shè)為陰極并且可將上部 電極16設(shè)為陽極?？梢詮幕?1側(cè)在基板11上依次堆疊上部電極16、有機層15和下部 電極13，并且可從基板11側(cè)獲取光。另外，在各實施例中，已經(jīng)具體說明了有機發(fā)光元件10R、有機發(fā)光元件10G和有 機發(fā)光元件10B的結(jié)構(gòu)。然而，不是必須設(shè)置有上述所有層，并且也可以設(shè)置有其他層。此外，盡管在上述各實施例中已經(jīng)說明了有源矩陣顯示器件的情況，但本發(fā)明也 適用于無源矩陣顯示器件。另外，用于有源矩陣驅(qū)動的像素驅(qū)動電路的電路不限于各實施例中的說明。視需要，可以增設(shè)電容元件和晶體管。在此情況中，根據(jù)像素驅(qū)動電路中的變化，除了設(shè)有信號線驅(qū)動電路120和掃描線驅(qū)動電路130之外，還可以設(shè)置有必要的驅(qū)動電路。另外，本發(fā)明不限于蒸發(fā)沉積方法，并且也適用于使用印刷板的印刷方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，依據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
一種具有多個有機發(fā)光元件的顯示器件的制造方法，其包括如下步驟在基板上形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的驅(qū)動元件；形成一層以上的平坦化膜，所述一層以上的平坦化膜在與各所述驅(qū)動元件對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔；在包含所述連接孔的區(qū)域中形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的下部電極；在所述下部電極之間的區(qū)域中形成像素隔離絕緣膜；通過使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法在所述下部電極上方形成包含發(fā)光層的有機層；以及在所述有機層上方形成上部電極，其中，形成所述下部電極的步驟包括如下步驟形成下部電極材料膜；在所述下部電極材料膜上形成光致抗蝕劑膜；使用所述蒸發(fā)沉積掩模對所述光致抗蝕劑膜進行曝光，然后將所述光致抗蝕劑膜顯影；和通過使用所述光致抗蝕劑膜作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去所述下部電極材料膜。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，形成所述像素隔離絕緣膜的步驟包括如下步驟形成感光膜；和使用所述蒸發(fā)沉積掩模對所述感光膜進行曝光，然后將所述感光膜顯影。
3.一種具有多個有機發(fā)光元件的顯示器件的制造方法，其包括如下步驟在基板上形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的驅(qū)動元件；形成一層以上的平坦化膜，并且把所述一層以上的平坦化膜中的至少最上層平坦化膜中的連接孔的側(cè)面形成為正向錐形；在包含所述連接孔的區(qū)域中形成與所述多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的下部電極；通過使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法以覆蓋所述下部電極的所有頂面和側(cè)面的方 式形成包含發(fā)光層的有機層；以及 在所述有機層上方形成上部電極，其中，所述下部電極通過使用所述蒸發(fā)沉積掩模來予以形成。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其中，把所述下部電極的側(cè)面形成為正向錐形。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其中，把所述下部電極形成得比所述有機層薄。
6.如權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其中，形成所述一層以上的平坦化膜的步驟包括如下步驟形成第一平坦化膜，它在與所述驅(qū)動元件對應(yīng)的位置處具有連接孔；在包含所述第一平坦化膜的所述連接孔的區(qū)域中形成中間電極；以及形成第二平坦化膜，它在與所述中間電極對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔。
7.—種顯示器件，它包括驅(qū)動元件，它們分別對應(yīng)于多個有機發(fā)光元件而被形成在基板上； 一層以上的平坦化膜，它們中的至少最上層膜具有側(cè)面為正向錐形的連接孔； 下部電極，它們分別對應(yīng)于多個有機發(fā)光元件而被形成在包含所述連接孔的區(qū)域中； 有機層，它包含發(fā)光層；以及 上部電極。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，其中，所述有機層被形成為覆蓋著所述下部電極的 所有頂面和側(cè)面。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，其中，所述下部電極的側(cè)面具有正向錐形。
10.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，其中，所述下部電極比所述有機層厚。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示器件，還包括第一平坦化膜，它在與所述驅(qū)動元件對應(yīng)的位置處具有連接孔； 中間電極，它形成在包含所述第一平坦化膜中的所述連接孔的區(qū)域中；以及 第二平坦化膜，它在與所述中間電極對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔。
全文摘要
本發(fā)明提供顯示器件及其制造方法，該制造方法包括在基板上形成驅(qū)動元件；形成在與各驅(qū)動元件對應(yīng)的位置處具有側(cè)面為正向錐形的連接孔的平坦化膜；形成與多個有機發(fā)光元件分別對應(yīng)的下部電極；在下部電極之間的區(qū)域中形成像素隔離絕緣膜；使用蒸發(fā)沉積掩模的蒸發(fā)沉積方法在下部電極上方形成包含發(fā)光層的有機層；以及在有機層上方形成上部電極。在形成下部電極時的步驟包括形成下部電極材料膜；在下部電極材料膜上形成光致抗蝕劑膜；使用蒸發(fā)沉積掩模對光致抗蝕劑膜進行曝光，然后顯影；和通過使用光致抗蝕劑膜作為掩模進行蝕刻，選擇性地除去下部電極材料膜。本發(fā)明能減小下部電極或像素隔離絕緣膜與有機層之間的位置偏離，并能增大開口率。
文檔編號G09G3/32GK101800194SQ201010104328
公開日2010年8月11日 申請日期2010年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月9日
發(fā)明者關(guān)谷光信 申請人:索尼公司