專利名稱：顯示器件、顯示器件的制造方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件、顯示器件的制造方法和電子裝置，更具體而言，涉及能夠防 止由于制造工序中的處理而對像素電極的表面產(chǎn)生的不利影響的顯示器件、顯示器件的制 造方法和電子裝置。
背景技術(shù)：
如同在例如JP-A-2008-257086中記述的那樣，有機(jī)電致發(fā)光 (ElectroLuminescence, EL)面板通過金屬布線從該面板的側(cè)部或上部或下部把電流供給 到各個像素來顯示出視頻，上述像素各自具有通過蒸發(fā)沉積而形成的有機(jī)電致發(fā)光層等。 當(dāng)有機(jī)EL面板大型化時，像素的必需亮度上升，因此所要供給的電流也將增加。此外，由于 布線越長時布線電阻就越大，這將導(dǎo)致相對于電流供給端的電壓下降變大。該電壓下降會導(dǎo)致諸如非均勻亮度的產(chǎn)生和電力消耗的增加等問題。相應(yīng)地，讓 電流供給用金屬層采用低電阻材料以達(dá)到抑制電壓下降的目的。低電阻金屬的示例包括但 不限于鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)或銀(Ag)。在這些候選材料中，銅的問題在于很難用銅形 成布線，金和銀的問題在于它們的價格昂貴。鑒于上述情況，經(jīng)常采用鋁作為低電阻布線的
^^ I^l ο可以通過濕式蝕刻或干式蝕刻對鋁進(jìn)行加工，并且鋁的價格低廉。但是，在采用單 層鋁布線的情況下，令人擔(dān)心的是會產(chǎn)生諸如小丘(hillock)和刺突(spike)等缺陷。本文中的術(shù)語“小丘”是指由制造過程中的累積熱所導(dǎo)致的在布線表面上產(chǎn)生的 半球形突起物。本文中的術(shù)語“刺突”是指在鋁與硅(Si)接觸的狀態(tài)下對鋁進(jìn)行熱處理時， 鋁會進(jìn)入到硅中這一現(xiàn)象。作為上述缺陷的對策，可以考慮把鋁布線夾在耐熱高熔點金屬之間的層疊結(jié)構(gòu)。 結(jié)果，當(dāng)鋁被用作電流供給用金屬層時，在上部金屬層的表面上出現(xiàn)了一層用于防止小丘 且防止刺突的金屬層。流經(jīng)上述電流供給用金屬層的電流通過像素電極被注入到有機(jī)電致發(fā)光層中。因 此，像素電極必須具有能夠?qū)㈦娏髯⑷氲接袡C(jī)電致發(fā)光層中的這一特征，通常，采用高功函 數(shù)的ITO(銦錫氧化物=Indium TinOxide)作為空穴注入電極。這樣，在作為像素電極的金 屬層的表面上形成了向有機(jī)電致發(fā)光層的空穴注入能力很強(qiáng)的金屬。通過涂敷感光樹脂的步驟、之后進(jìn)行曝光的步驟和剝離(顯影)的步驟，形成了用 于限定像素的開口部的絕緣膜(開口部限定絕緣膜)。當(dāng)對開口部限定絕緣膜進(jìn)行剝離時， 用于連接陽極和外部布線(例如，軟性電纜)的焊盤部也同時被浸泡到剝離液中。因此，發(fā)生電池腐蝕反應(yīng)，并且陽極的表面性質(zhì)劣化。陽極表面性質(zhì)的劣化將會降低反射率，進(jìn)而降 低像素的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種防止制造工序中的處理對像素電極產(chǎn)生 不利影響的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，提供了一種顯示器件，其包括顯示區(qū)域，所述顯示 區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個像素部；布線，它們被配置成從所述顯示區(qū)域的外部到所述顯示區(qū)域內(nèi)的 對應(yīng)像素部，并用于傳輸驅(qū)動所述對應(yīng)像素部的信號；連接焊盤，它們被設(shè)置在所述顯示區(qū) 域的外部，并作為在與所述布線電導(dǎo)通時向所述布線提供信號的輸入部；開關(guān)元件，它們被 設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外部的所述布線的途中；以及遮光覆蓋部，它對所述開關(guān)元件進(jìn)行 遮光，并且以覆蓋所述連接焊盤且與所述連接焊盤電導(dǎo)通的方式予以形成。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，提供了一種在主體外殼上設(shè)置有上述顯示器件的 電子裝置。在本發(fā)明的上述各實施方案中，由于對開關(guān)元件進(jìn)行遮光的遮光覆蓋部被設(shè)置成 覆蓋著與布線電導(dǎo)通的連接焊盤并與該連接焊盤電導(dǎo)通，因此，能夠用遮光覆蓋部來保護(hù) 連接焊盤的表面。在像素部包括設(shè)置于陽極和陰極之間的有機(jī)電致發(fā)光層的情況下，通過使構(gòu)成遮 光覆蓋部的材料與陽極的材料相同，可以預(yù)防在陽極處于暴露狀態(tài)時實施的顯影步驟中產(chǎn) 生電池效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的再一實施方案，提供一種顯示器件的制造方法，其包括如下步驟在 基板上形成各像素的晶體管；用第一絕緣膜覆蓋各所述晶體管，并將所述第一絕緣膜的表 面平坦化；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，所述第二絕緣膜在每兩個相鄰像素之間 限定了相應(yīng)像素的開口部；在由所述第二絕緣膜限定的所述相應(yīng)像素的開口部內(nèi)形成陽 極；在所述陽極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；以及在所述電致發(fā)光層上形成陰極。在本發(fā)明的上述實施方案中，由于首先形成限定了相應(yīng)像素的開口部的第二絕緣 膜，之后在該開口部內(nèi)形成陽極，因此，可以防止在形成第二絕緣膜的步驟中對陽極的影 響。在本發(fā)明的各實施方案中，能夠防止由于制造工序中的處理而對像素的電極產(chǎn)生 不利影響，進(jìn)而能夠防止像素的顯示性能劣化。


圖1為用于說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的平面結(jié)構(gòu)的圖；圖2為用于說明本發(fā)明實施方案顯示器件的主要部分的電路結(jié)構(gòu)的圖；圖3為用于說明保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的一個示例的圖形布局圖；圖4為用于說明檢測開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的一個示例的圖形布局圖；圖5為用于說明本發(fā)明實施方案顯示器件的保護(hù)電路部分中的遮光覆蓋部的圖 形布局圖；圖6為用于說明本發(fā)明實施方案顯示器件中的檢測開關(guān)電路部分中的遮光覆蓋部的圖形布局圖；圖7為沿圖6中的線A-A'得到的剖面圖；圖8為沿圖6中的線B-B'得到的剖面圖；
圖9為用于說明遮光覆蓋部的平面結(jié)構(gòu)的圖；圖10為用于說明遮光覆蓋部的另一示例的平面圖；圖11為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的第一幅示意 剖面圖；圖12為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的第二幅示意 剖面圖；圖13為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的第三幅示意 剖面圖；圖14為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的第四幅示意 剖面圖；圖15為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的另一示例的 第一幅示意剖面圖；圖16為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的另一示例的 第二幅示意剖面圖；圖17為用于按順序地說明本發(fā)明實施方案的顯示器件的制造方法的另一示例的 第三幅示意剖面圖；圖18為圖示了扁平型模塊形狀的顯示器件的示例的示意圖；圖19為圖示了應(yīng)用本發(fā)明的電視機(jī)的立體圖；圖20A和圖20B為圖示了應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)碼相機(jī)的立體圖；圖21為圖示了應(yīng)用本發(fā)明的筆記本電腦的立體圖；圖22為圖示了應(yīng)用本發(fā)明的攝像機(jī)的立體圖；以及圖23A 圖23G為圖示了應(yīng)用本發(fā)明的移動終端裝置例如手機(jī)的圖。
具體實施例方式下面，按如下順序?qū)τ糜趯嵤┍景l(fā)明的方式(以下，稱為“實施方案”)進(jìn)行說明1.顯示器件的全體結(jié)構(gòu)(平面結(jié)構(gòu)、電路結(jié)構(gòu)、保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)和檢測開關(guān)電路 的結(jié)構(gòu)的示例)2.遮光覆蓋部的結(jié)構(gòu)(保護(hù)電路部分和檢測開關(guān)電路部分的示例)3.遮光覆蓋部的剖面結(jié)構(gòu)(連接焊盤部分和開關(guān)元件部分的示例)4.遮光覆蓋部的平面結(jié)構(gòu)(布線及連接焊盤部分的示例，以及遮光覆蓋部的另一 示例)5.顯示器件的制造方法(在開口部限定絕緣膜的形成之后形成陽極的示例)6.應(yīng)用例(電子裝置的示例)1.顯示器件的全體結(jié)構(gòu)平面結(jié)構(gòu)圖1為用于說明本實施方案的顯示器件的平面結(jié)構(gòu)的圖。更具體而言，本實施方案的顯示器件包括設(shè)置在玻璃基板1的大致中央處的顯示區(qū)域10 ；設(shè)置在玻璃基板1上 的顯示區(qū)域10的周圍的保護(hù)電路20和檢測開關(guān)電路(特性檢測電路)30 ；以及與電源和 用于從外部輸入各種信號的電纜(例如，軟性電纜FC)的各導(dǎo)電線連接的連接焊盤40。多個像素部11按矩陣形式呈縱橫型配置在顯示區(qū)域10內(nèi)。各像素部11都設(shè)置 有根據(jù)視頻信號對光進(jìn)行調(diào)制的調(diào)制層(例如，有機(jī)電致發(fā)光層)，還設(shè)置有驅(qū)動相應(yīng)像素 的多個TFT (薄膜晶體管Thin FilmTransistor) 0這些TFT例如可以為用于視頻信號的寫 晶體管，或是根據(jù)視頻信號來驅(qū)動像素中的調(diào)制層的驅(qū)動晶體管。各布線50從顯示區(qū)域10的外側(cè)到內(nèi)側(cè)以對應(yīng)于像素的方式配置在顯示區(qū)域10內(nèi)。布線50按照與呈縱橫型排列的像素之間的空間對應(yīng)的網(wǎng)格狀布置著。布線50包括掃 描線、電源控制線、信號線和用于提供電源電壓的電源供給線，通過上述掃描線輸入用于以 行為單位順次選擇像素的寫晶體管的信號，通過上述電源控制線向像素的驅(qū)動晶體管提供 電源電壓控制信號，通過上述信號線向像素的驅(qū)動晶體管提供顯示用信號(視頻信號)。各布線50被引至設(shè)置在位于顯示區(qū)域10外側(cè)的玻璃基板1外圍部分上的連接焊 盤40。各布線50中用作掃描線及電源控制線的那些布線在途中與保護(hù)電路20連接。各保 護(hù)電路20包括設(shè)置在相應(yīng)布線50的途中的開關(guān)元件。倘若施加了例如靜電等高電壓時， 保護(hù)電路20就利用該開關(guān)元件通過阻止電荷流經(jīng)該顯示區(qū)域10側(cè)的布線50來保護(hù)顯示 區(qū)域10。布線50中的用作信號線的那些布線的一端與顯示區(qū)域10外側(cè)的相應(yīng)保護(hù)電路20 連接。此外，那些信號線的另一端與顯示區(qū)域10外側(cè)的檢測開關(guān)電路30連接。檢測開關(guān) 電路30包括在進(jìn)行特性檢測時向信號線發(fā)送特性檢測信號的開關(guān)元件。布線50通過上述 結(jié)構(gòu)的保護(hù)電路20和檢測開關(guān)電路30被引至連接焊盤40。設(shè)置在保護(hù)電路20和檢測開關(guān)電路30中的開關(guān)元件被遮光膜覆蓋著，從而不僅 用以防止由于來自外部的不必要入射光而導(dǎo)致的故障，還用以抑制外部光的反射光進(jìn)入到 顯示區(qū)域10中。本實施方案的顯示器件的結(jié)構(gòu)為設(shè)置有對開關(guān)元件進(jìn)行遮光的遮光膜，作為覆 蓋著與連接焊盤40電導(dǎo)通的連接焊盤40的遮光覆蓋部。利用這種結(jié)構(gòu)，就可以用遮光覆 蓋部來保護(hù)連接焊盤40的表面，這使得在形成遮光覆蓋部之后的制造工序中不必將連接 焊盤40的材料暴露到表面。對于把有機(jī)電致發(fā)光層配置在陽極和陰極之間作為像素部11的有機(jī)EL顯示器件 來說，遮光覆蓋部和陽極由相同材料制成。利用這種結(jié)構(gòu)，連接焊盤40被由與陽極相同的 材料制成的遮光覆蓋部覆蓋著。因此，在陽極處于暴露的狀態(tài)下實施的顯影步驟中，由于連 接焊盤40上的暴露材料與陽極的暴露材料相同，從而可以預(yù)防電池效應(yīng)的產(chǎn)生。換言之， 可以防止陽極的表面由于電池效應(yīng)而發(fā)生分解從而變得凸凹不平。電路結(jié)構(gòu)圖2為用來說明本實施方案的顯示器件的主要部分的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖2中所示 的電路結(jié)構(gòu)圖示了有機(jī)EL顯示器件中的像素電路。為了便于說明，所示出的電路在其中央 處具有呈2X3矩陣狀的像素部11。但應(yīng)該理解的是，實際上設(shè)置有更多的像素部11。此 夕卜，雖然在信號線的一端設(shè)置有保護(hù)電路20，另一端設(shè)置有檢測開關(guān)電路30，但圖2只圖示 了另一端側(cè)的檢測開關(guān)電路30。
更具體而言，各像素部11包括至少一個晶體管和一個電容。圖2所示的各像素部 11中設(shè)置有寫晶體管Trw、驅(qū)動晶體管Trd、保持電容C和有機(jī)電致發(fā)光層EL。此外，作為 布線50的是，信號線53沿相鄰兩像素部11之間的列方向排列著，掃描線51和電源控制線 52沿相鄰兩像素部11之間的行方向排列著。每條掃描線51與沿一行方向排列的多個像素部11的寫晶體管Trw的柵極連接。 此外，每條信號線53與沿一列方向排列的多個像素部11的寫晶體管Trw的漏極連接。各 寫晶體管Trw的源極與相應(yīng)的驅(qū)動晶體管Trd的柵極連接。每條電源控制線52與沿一行 方向排列的多個像素部11的驅(qū)動晶體管Trd的漏極連接。各驅(qū)動晶體管Trd的源極與相 應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層EL的陽極連接。此外，各保持電容C被連接在相應(yīng)的驅(qū)動晶體管Trd 的柵極和源極之間。共用電位被提供到各像素部11中的有機(jī)電致發(fā)光層EL的陰極。在本實施方案中，在掃描線51和電源控制線52的兩端設(shè)置有連接焊盤40。此外， 對于處于顯示區(qū)域10外側(cè)的掃描線51及電源控制線52，在各條布線51和52到達(dá)連接焊 盤40的途中設(shè)置有保護(hù)電路20。在信號線53的一端設(shè)置有連接焊盤40，另一端設(shè)置有檢 測開關(guān)電路30。為了用上述結(jié)構(gòu)的電路執(zhí)行顯示操作，把選擇信號按順序地施加到掃描線51，通過被選取行中的像素部11按順序地執(zhí)行顯示。更具體而言，當(dāng)選擇信號被施加到某掃描線 51后，與該掃描線51連接的像素部11的寫晶體管Trw變?yōu)閷?dǎo)通。與被選取行中的像素部 11對應(yīng)的視頻信號從各信號線53被按順序地發(fā)送到相應(yīng)的像素部11，因此與上述視頻信 號對應(yīng)的電荷從導(dǎo)通的寫晶體管Trw發(fā)送到相應(yīng)的保持電容C。另外，與上述視頻信號對應(yīng) 的電壓被施加到驅(qū)動晶體管Trd的柵極。響應(yīng)于該電壓，從電源控制線52把電壓施加到有 機(jī)電致發(fā)光層EL的陽極。因此，與上述視頻信號對應(yīng)的電壓被施加到陽極和陰極之間，實 現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光。上述操作是通過與被按順序地施加了選擇信號的掃描線51連接的像 素部11來進(jìn)行的。因此，實現(xiàn)了通過顯示區(qū)域10進(jìn)行的視頻顯示。保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)圖3為用于說明保護(hù)電路20的結(jié)構(gòu)的一個示例的圖形布局圖。如該圖中的插圖內(nèi) 的電路圖所示，保護(hù)電路20的結(jié)構(gòu)是兩個開關(guān)元件(晶體管Tr201、Tr202)與布線50 (掃 描線51或電源控制線52)連接。在這兩個晶體管中，晶體管Tr201的漏極D與Vdd連接，且柵極G及源極S都與布線50連接。此外，另一晶體管Tr202的漏極D與布線50連接，且 柵極G及源極S都與Vss連接。在該圖形布局中，晶體管Tr201和晶體管Tr202被配置在以布線50為中心的兩 側(cè)。用于施加Vdd的布線21和用于施加Vss的布線22被形成為第一金屬層，并按照與布 線50 (掃描線51或電源控制線52)交叉的方式配置著。布線50 (掃描線51或電源控制線 52)被形成為第二金屬層。在上述的圖形布局中，在相關(guān)技術(shù)中由TFT形成的兩個晶體管Tr201和Tr202上 設(shè)置有如該圖中虛線所示的遮光膜60。通過設(shè)置有遮光膜60，不僅可以防止由于不必要的 光從外部入射到晶體管Tr201和Tr202內(nèi)所導(dǎo)致的故障，還可以抑制外部光的反射光進(jìn)入 到顯示區(qū)域10中。檢測開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)圖4為用于說明檢測開關(guān)電路30的結(jié)構(gòu)的一個示例的圖形布局圖。如該圖中的插圖內(nèi)的電路圖所示，檢測開關(guān)電路30的結(jié)構(gòu)是開關(guān)元件(晶體管Tr301)與布線50(信 號線53)連接。該晶體管TrfOl的源極S與布線50 (信號線53)連接，柵極G與檢測選擇 線Ntest連接，且漏極D與檢測信號線Vtest連接。在該圖形布局中，晶體管Tr301的柵極G被形成為第一金屬層，布線50(信號線 53)、檢測選擇線Ntest的布線31以及檢測信號線Vtest的布線32被形成為第二金屬層。 為了進(jìn)行對像素部11的特性檢測，通過對檢測選擇線Ntest施加預(yù)定的電壓來使晶體管 Tr301關(guān)斷，之后從檢測信號線Vtest提供過來的檢測信號被發(fā)送至布線50 (信號線53)。 這樣，該檢測信號被發(fā)送到構(gòu)成像素部11的電路，并且進(jìn)行性能檢測。在上述的圖形布局中，在相關(guān)技術(shù)中由TFT形成的晶體管TrfOl上形成有如該圖 中虛線所示的遮光膜60。通過設(shè)置有遮光膜60，不僅可以防止由于不必要的光從外部入射 到晶體管TrfOl內(nèi)所導(dǎo)致的故障，還可以抑制外部光的反射光進(jìn)入到顯示區(qū)域10中。2.遮光覆蓋部的結(jié)構(gòu)保護(hù)電路部分圖5為用于說明本實施方案的顯示器件的保護(hù)電路部分中的遮光覆蓋部的圖形 布局圖。如先前所述，對于掃描線51和電源控制線52，每條線路上都設(shè)置有兩個晶體管 Tr201和Tr202，由此構(gòu)成保護(hù)電路20。此外，掃描線51和電源控制線52通過保護(hù)電路20 從顯示區(qū)域10 (未圖示)被引至連接焊盤40。在本實施方案中，如該圖中虛線所示，形成有作為遮光膜的遮光覆蓋部61，它不僅 覆蓋著保護(hù)電路20中的兩對晶體管Tr201和Tr202，而且還覆蓋著相應(yīng)的連接焊盤40并與 該連接焊盤40電導(dǎo)通。通過以這種方式設(shè)置有遮光覆蓋部61，不僅可以對保護(hù)電路20中的兩對晶體管 Tr201和Tr202進(jìn)行遮光，還可以防止遮光覆蓋部61的電位浮動。此外，通過在連接焊盤 40上設(shè)置有遮光覆蓋部61，可以防止連接焊盤40的材料在進(jìn)行制造工序時處于暴露狀態(tài)。在此，遮光覆蓋部61與陽極形成在同一層且由相同的材料制成，該陽極是用于對 像素部11的有機(jī)電致發(fā)光層施加電壓的電極之一。利用這種結(jié)構(gòu)，在陽極處于暴露狀態(tài)下 實施的顯影步驟中，與連接焊盤40電導(dǎo)通的暴露材料(遮光覆蓋部61的材料)與陽極的 材料是相同的。因此，可以預(yù)防在顯影步驟等中產(chǎn)生電池效應(yīng)。檢測開關(guān)電路部分圖6為用于說明本實施方案的顯示器件中的檢測開關(guān)電路部分中的遮光覆蓋部 的圖形布局圖。如先前所述，具有各晶體管TrfOl的檢測開關(guān)電路30連接至各信號線53。在本實施方案中，如該圖中虛線所示，設(shè)置有作為遮光膜的遮光覆蓋部61，它不僅 覆蓋著檢測開關(guān)電路30的各晶體管Tr301，而且還覆蓋著各連接焊盤40且與這些連接焊盤 40電導(dǎo)通。與遮光覆蓋部61電導(dǎo)通的各連接焊盤40也可以不是如同先前所述的保護(hù)電路20 中的遮光覆蓋部61中一樣與連接到保護(hù)電路20的布線(掃描線51和電源控制線52)電 導(dǎo)通的連接焊盤40。在圖6所示的示例中，與檢測開關(guān)電路30附近的電源供給線54電導(dǎo) 通的連接焊盤40被連接到遮光覆蓋部61。在圖1所示的顯示器件的平面結(jié)構(gòu)中，電源供給用軟性電纜FC被連接到設(shè)有檢測 開關(guān)電路30的玻璃基板1的左端部和右端部，即玻璃基板1的左上部和右上部。因此，在玻璃基板1的左上部和右上部都設(shè)置有與這些軟性電纜FC的導(dǎo)電體連接的連接焊盤40。在圖6所示的示例中，連接焊盤40被配置在玻璃基板1的右上部和左上部。遮光 覆蓋部61連接到這些連接焊盤40上，而且還延伸到檢測開關(guān)電路30的各晶體管Tr301上， 以起到遮光的作用。
如先前所述，通過設(shè)置有遮光覆蓋部61，不僅可以對檢測開關(guān)電路30的晶體管 Tr301進(jìn)行遮光，還可以防止遮光覆蓋部61的電位浮動。此外，通過在連接焊盤40上設(shè)置 有遮光覆蓋部61，可以防止連接焊盤40的材料在進(jìn)行制造工序時處于暴露狀態(tài)。更具體而言，與前述情況一樣，遮光覆蓋部61與陽極形成在同一層且由相同的材 料制成，該陽極是用于對像素部11的有機(jī)電致發(fā)光層施加電壓的電極之一。由于這種結(jié) 構(gòu)，在陽極處于暴露狀態(tài)下實施的顯影步驟中，與連接焊盤40電導(dǎo)通的暴露材料(遮光覆 蓋部61的材料)跟陽極的材料相同。因此，可以預(yù)防在顯影步驟等中產(chǎn)生電池效應(yīng)。3.遮光覆蓋部的剖面結(jié)構(gòu)連接焊盤部分圖7為沿圖6中的線A-A'得到的剖面圖。換言之，該示了連接焊盤部分處的 剖面。連接焊盤40是通過把玻璃基板1上的第一金屬層和第二金屬層圖形化為預(yù)定形狀 而予以形成的。相鄰的連接焊盤40之間通過柵極絕緣膜或鈍化膜彼此隔離，并且通過把絕 緣平坦化膜圖形化來限定開口部。遮光覆蓋部61被設(shè)置在這些開口部處，從而與連接焊盤 40的第二金屬層電導(dǎo)通。連接焊盤40的第二金屬層采用鈦(Ti)。從防止小丘等的觀點出發(fā)，鈦(Ti)-鋁 (Al)-鈦(Ti)的層疊結(jié)構(gòu)也可以用做第二金屬層。同時，用于向有機(jī)電致發(fā)光層施加電壓 的陽極由鋁合金制成。因此，在第二金屬層和陽極處于暴露狀態(tài)下實施的制造工序中，當(dāng)陽 極和第二金屬層被浸泡到電解剝離液中時，由于鋁和鈦之間的氧化還原電勢差而形成了電 流通路。所以，發(fā)生電池腐蝕反應(yīng)，這將降低陽極的表面反射率。該反射率的下降將會引發(fā)有機(jī)電致發(fā)光層的特性劣化和可靠性劣化。原因如下。 艮口，當(dāng)陽極的反射率下降時，為了得到與反射率未發(fā)生下降的情況時相同的亮度時，必須有 大于正常電流的電流流入有機(jī)電致發(fā)光層。因此，有機(jī)電致發(fā)光層比正常情況更快地劣化。 此外，還會弓I起顯示器件的耗電增加，發(fā)熱也會增加。在本實施方案中，由與陽極相同的材料制成的遮光覆蓋部61被設(shè)置在連接焊盤 40的第二金屬層上。利用這種結(jié)構(gòu)，即使在陽極和連接焊盤40處于暴露狀態(tài)下實施的制造 工序中把該陽極和連接焊盤40浸泡到電解剝離液中，由于陽極和第二金屬層是由相同金 屬制成的，所以不會發(fā)生電池腐蝕反應(yīng)。因此，陽極的表面反射率不會下降。開關(guān)元件部分圖8為沿圖6中的線B-B'得到的剖面圖。換言之，該示了檢測開關(guān)電路30 在晶體管Tr301部分處的剖面。晶體管Tr301包括形成在玻璃基板1上的柵極電極(第 一金屬層)、隔著柵極絕緣膜形成在上述柵極電極上的半導(dǎo)體層(μ C-Si 微晶硅)以及隔 著上述半導(dǎo)體層形成在上述柵極電極上的源極電極(第二金屬層)和漏極電極(第二金屬 層)。在位于源極電極和漏極電極之間的半導(dǎo)體層上設(shè)置有蝕刻停止部(etching stopper) 0此外，在源極電極與半導(dǎo)體層之間以及漏極電極與半導(dǎo)體層之間設(shè)置有η+半導(dǎo)體層。 在晶體管TrfOl上形成有鈍化膜，在該鈍化膜上形成有絕緣平坦化膜。該絕緣平 坦化膜的表面是平坦化的，并且在該絕緣平坦化膜上形成有遮光覆蓋部61。遮光覆蓋部61 由與陽極相同的材料形成。此外，在遮光覆蓋部61上形成有開口部限定絕緣膜。上述連接焊盤部分和晶體管部分的剖面結(jié)構(gòu)與其他連接焊盤和保護(hù)電路20的其 他晶體管部分相同。4.遮光覆蓋部的平面結(jié)構(gòu)布線及連接焊盤部分圖9為用于說明遮光覆蓋部的平面結(jié)構(gòu)的圖，并圖示了布線及連接焊盤部分。更 具體而言，遮光覆蓋部61以覆蓋在連接焊盤40上且與連接焊盤40電導(dǎo)通的狀態(tài)予以形 成。遮光覆蓋部61設(shè)在布線50的上方，并在連接部處與作為第二金屬層的布線50連接。 通過讓布線50與遮光覆蓋部61以此種方式進(jìn)行電導(dǎo)通，與未設(shè)有遮光覆蓋部61的情況相 比，可以降低布線50的電阻值。遮光覆蓋部的其他示例圖10為用于說明遮光覆蓋部的另一示例的平面圖。該圖示出了設(shè)置在保護(hù)電路 20的晶體管Tr201和Tr202上的遮光覆蓋部61。但應(yīng)當(dāng)理解，設(shè)置在檢測開關(guān)電路30中 的晶體管上的遮光覆蓋部61也具有與此相同的結(jié)構(gòu)。遮光覆蓋部61被設(shè)置在作為開關(guān)元件的晶體管Tr201和Tr202上，并且還被設(shè)置 在連接焊盤40上。此外，遮光覆蓋部61與連接焊盤40電導(dǎo)通。在圖10所示的示例中，用 于將晶體管Tr201和Tr202上的部分與連接焊盤40上的部分連接起來的遮光覆蓋部61的 部分不是配置在布線50的正上方，而是被配置在略微錯開的位置處。通過以這種方式設(shè)置 連接部分，與遮光覆蓋部61被設(shè)置在布線50的正上方的情況相比，能夠減少布線50與遮 光覆蓋部61之間的寄生電容。5.顯示器件的制造方法圖11 圖14為用于按順序地說明本實施方案的顯示器件的制造方法的示意剖面 圖。首先，如圖11所示，在玻璃基板1上形成各像素的晶體管。在圖11所示的示例中，在 玻璃基板1上形成寫晶體管Trw和驅(qū)動晶體管Trd。更具體而言，在玻璃基板1上用第一 金屬層形成這兩個晶體管的柵極電極G，然后在柵極電極G上隔著柵極絕緣膜形成半導(dǎo)體 層(yC-Si 微晶硅)。在該半導(dǎo)體層上隔著η+半導(dǎo)體層形成源極電極S和漏極電極D，然 后用鈍化膜進(jìn)行覆蓋。之后，如圖12所示，在覆蓋著形成于玻璃基板1上的寫晶體管Trw和驅(qū)動晶體管 Trd的鈍化膜上形成第一絕緣膜71。第一絕緣膜71可以由感光有機(jī)材料制成，該感光有 機(jī)材料例如是聚酰亞胺樹脂，聚苯并噁唑樹脂，酚醛樹脂，聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹脂，等 等。把該感光有機(jī)材料涂敷到鈍化膜上以后，進(jìn)行曝光和剝離，之后對玻璃基板1進(jìn)行烘 烤。因此，把第一絕緣膜71制成為具有平坦化表面的絕緣平坦化膜。之后，在該絕緣平坦化膜即第一絕緣膜71上形成第二絕緣膜72。通過在第二絕緣 膜72中的預(yù)定位置處設(shè)置開口部，把第二絕緣膜72制成為開口部限定絕緣膜。第二絕緣 膜72可以由感光有機(jī)材料制成，該感光有機(jī)材料例如是聚酰亞胺樹脂，聚苯并噁唑樹脂， 酚醛樹脂，聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹脂，等等。把該材料涂敷到上述絕緣平坦化膜上后，進(jìn)行曝光和剝離。通過在第二絕緣膜72中的對應(yīng)于像素顯示部和輔助的位置處設(shè)置開口部，把第二絕緣膜72制成為開口部限定絕緣膜。之后，如圖13所示，在由開口部限定絕緣膜即第二絕緣膜72限定的開口部中形成 陽極81和電源輔助線82。更具體而言，把陽極81形成在將要被制成為像素顯示部的開口 部中，把電源輔助線82形成在陽極81周圍的用于設(shè)置電源輔助線的開口部中。通過在例 如用濺射法沉積得到的鋁合金膜上涂敷抗蝕劑，然后進(jìn)行曝光、顯像、蝕刻并去除抗蝕劑， 可以形成預(yù)定圖形的陽極81和電源輔助線82。當(dāng)通過抗蝕劑膜進(jìn)行對陽極81的顯影時，未圖示的連接焊盤40的表面上被該抗 蝕劑膜覆蓋著。因此，即使當(dāng)連接焊盤40的表面由鈦制成時，它也受到保護(hù)因而不會被顯 影。因此，不會產(chǎn)生由于顯影液所導(dǎo)致的電池效應(yīng)，此外在陽極81中不會發(fā)生腐蝕。之后，如圖14所示，在陽極81和電源輔助線82上形成有機(jī)電致發(fā)光層的共用層 (空穴注入層及空穴輸運(yùn)層)91。接著，在共用層91上形成發(fā)光層及電子輸運(yùn)層。作為發(fā) 光層及電子輸運(yùn)層，在與各相應(yīng)像素對應(yīng)的位置處形成了對應(yīng)于B (藍(lán)光)的發(fā)光層及電子 輸運(yùn)層92b、對應(yīng)于R(紅光)的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92r以及對應(yīng)于G(綠光)的發(fā)光層及 電子輸運(yùn)層92g。應(yīng)當(dāng)注意，形成發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92b、92r和92g的順序沒有特別限 制。之后，在各顏色的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92b、92i 和92g上形成陰極83。根據(jù)上述制造方法，由于在形成了限定相應(yīng)像素的開口部的第二絕緣膜72后，才 在該開口部內(nèi)形成陽極81，因此，可以防止在形成第二絕緣膜72的步驟中對陽極81的影 響。這樣，陽極81的表面的反射率不會下降。由于陽極81的表面的反射率不會下降，所以 無需為了不必要地增加亮度而增加電流。于是，能夠抑制有機(jī)電致發(fā)光層的劣化。此外，可 以抑制顯示器件的電耗的增加以及發(fā)熱的增加。圖15 圖17示出了本實施方案的顯示器件的制造方法的另一示例。首先，如圖 15所示，在玻璃基板1上形成各像素的晶體管。在圖15所示的示例中，在玻璃基板1上形 成寫晶體管Trw和驅(qū)動晶體管Trd。更具體而言，在玻璃基板1上用第一金屬層形成這兩 個晶體管的柵極電極G，然后在柵極電極G上隔著柵極絕緣膜形成半導(dǎo)體層(μ C-Si 微晶 硅)。之后，在該半導(dǎo)體層上隔著η+半導(dǎo)體層形成源極電極S和漏極電極D，然后用鈍化膜 進(jìn)行覆蓋。之后，在覆蓋著形成于玻璃基板1上的寫晶體管Trw和驅(qū)動晶體管Trd的鈍化膜 上形成第一絕緣膜71。第一絕緣膜71可以由感光有機(jī)材料制成，該感光有機(jī)材料例如是 聚酰亞胺樹脂，聚苯并噁唑樹脂，酚醛樹脂，聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹脂，等等。把該感光有 機(jī)材料涂敷到鈍化膜上之后，進(jìn)行曝光和剝離，然后對玻璃基板1進(jìn)行烘烤。因此，把第一 絕緣膜71制成為具有平坦化表面的絕緣平坦化膜。之后，在該絕緣平坦化膜即第一絕緣膜71上形成陽極81和電源輔助線82。通過 在例如用濺射法沉積得到的鋁合金膜上涂敷抗蝕劑，然后進(jìn)行曝光、顯像、蝕刻并去除抗蝕 齊U，可以形成預(yù)定圖形的陽極81和電源輔助線82。這樣，當(dāng)形成陽極81及電源輔助線82時，在未圖示的連接焊盤部分的表面上形成 了與它們相同的材料。當(dāng)以這種方式構(gòu)造而成時，連接焊盤40的表面由與陽極81及電源 輔助線82相同的金屬制成。因此，不會發(fā)生由顯影液所導(dǎo)致的電池效應(yīng)，此外在陽極81中不會發(fā)生腐蝕。之后，如圖16所示，在陽極81及電源輔助線82上形成第二絕緣膜72。通過在第二絕緣膜72中的預(yù)定位置處設(shè)置開口部，把第二絕緣膜72制成為開口部限定絕緣膜。第 二絕緣膜72可以由感光有機(jī)材料制成，該感光有機(jī)材料例如是聚酰亞胺樹脂，聚苯并噁 唑樹脂，酚醛樹脂，聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹脂，等等。把該材料涂敷到上述絕緣平坦化膜 上之后，進(jìn)行曝光和剝離。然后，通過在第二絕緣膜72中的對應(yīng)于像素顯示部和輔助線的 位置處設(shè)置開口部，把第二絕緣膜72制成為開口部限定絕緣膜。之后，如圖17所示，在陽極81和被制成為開口部限定絕緣膜的第二絕緣膜72上 形成有機(jī)電致發(fā)光層的共用層(空穴注入層及空穴輸運(yùn)層)91。接著，在共用層91上形成 發(fā)光層及電子輸運(yùn)層。作為發(fā)光層及電子輸運(yùn)層，在與各相應(yīng)像素對應(yīng)的位置處形成了對 應(yīng)于B (藍(lán)光)的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92b、對應(yīng)于R(紅光)的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92ι 以 及對應(yīng)于G(綠光)的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92g。應(yīng)當(dāng)注意，形成發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92b、 92r和92g的順序沒有特別限制。之后，在各顏色的發(fā)光層及電子輸運(yùn)層92b、92i 和92g上形成陰極83。根據(jù)這種制造方法，與前述制造方法相同，可以防止在顯影時在陽極81的表面上 發(fā)生腐蝕。因此，陽極81的表面的反射率不會下降。由于陽極81的表面的反射率不會下 降，所以無需為了不必要地增加亮度而增加電流。因此，能夠抑制有機(jī)電致發(fā)光的劣化。此 外，可以抑制顯示器件的電耗的增加以及發(fā)熱的增加。6.應(yīng)用例電子裝置接下來對本實施方案的顯示器件被應(yīng)用到各種電子裝置中時的示例進(jìn)行說明。如圖18所示，本實施方案的顯示器件例如是扁平型模塊形狀的顯示器件。例如， 顯示模塊的形成方法為在絕緣基板2002上設(shè)置像素陣列部2002a，在該像素陣列部2002a 中，發(fā)光區(qū)域和由薄膜晶體管等構(gòu)成的像素整體上按矩陣形狀排列著；放置粘接劑2021使 其包圍該像素陣列部(像素矩陣部)2002a;然后層疊由玻璃制成的相向基板2006。視需 要，可以在透明的相向基板2006上設(shè)置彩色濾光片、保護(hù)膜、遮光膜等。該顯示模塊中可以 設(shè)有例如FPC (柔性印刷電路flexible Printed Circuit) 2023，以作為將信號從外部輸入 到像素陣列部2002a和將信號從像素陣列部2002a輸出到外部的連接器。上述實施方案的顯示器件能夠應(yīng)用于例如圖19 圖23G所示的各種電子裝置的 顯示器件，這里的電子裝置是用于將輸入至該電子裝置中的視頻信號或在該電子裝置內(nèi)生 成的視頻信號作為圖像或視頻進(jìn)行顯示的所有領(lǐng)域中的電子裝置，更具體而言，例如是數(shù) 碼相機(jī)、筆記本電腦、諸如手機(jī)等移動終端裝置、攝像機(jī)等。下面將對應(yīng)用了本實施方案的 電子裝置的示例進(jìn)行說明。圖19為圖示了應(yīng)用本實施方案的電視機(jī)的立體圖。作為應(yīng)用例的電視機(jī)包括由 前面板102和濾光玻璃103構(gòu)成的視頻顯示屏部101，并采用本實施方案的顯示器件作為該 視頻顯示屏部101。圖20A和20B為圖示了應(yīng)用本實施方案的數(shù)碼相機(jī)的立體圖。圖20A為前視立體 圖，圖20B為后視立體圖。作為應(yīng)用例的數(shù)碼相機(jī)包括閃光燈用的發(fā)光部111、顯示部112、 菜單開關(guān)113、快門開關(guān)114等，并采用本實施方案的顯示器件作為該顯示部112。
圖21為圖示了應(yīng)用本實施方案的筆記本電腦的立體圖。作為應(yīng)用例的筆記本電腦包括配有用于進(jìn)行文字等輸入操作的鍵盤122的主體121、用于顯示圖像的顯示部123 等，并采用本實施方案的顯示器件作為上述顯示部123。圖22為圖示了應(yīng)用本實施方案的攝像機(jī)的立體圖。作為應(yīng)用例的攝像機(jī)包括主體部131、設(shè)置在朝前的側(cè)面上的目標(biāo)拍攝鏡頭132、拍攝開始/停止開關(guān)133、顯示部134 等，并采用本實施方案的顯示器件作為上述顯示部134。圖23A 圖23G為圖示了應(yīng)用本實施方案的移動終端裝置例如手機(jī)的圖。圖23A為打開狀態(tài)的手機(jī)的主視圖，圖23B為打開狀態(tài)的手機(jī)的側(cè)視圖。圖23C為閉合狀態(tài)的手機(jī) 的主視圖。圖23D為閉合狀態(tài)的手機(jī)的左視圖，圖23E為閉合狀態(tài)的手機(jī)的右視圖，圖23F 為閉合狀態(tài)的手機(jī)的俯視圖，圖23G為閉合狀態(tài)的手機(jī)的仰視圖。作為應(yīng)用例的手機(jī)包括上部殼體141、下部殼體142、連接部(此處為鉸鏈部)143、顯示部144、副顯示部145、圖片燈(picture light) 146、照相機(jī)147等，并采用本實施方案的顯示器件作為上述顯示部144 和上述副顯示部145。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，取決于設(shè)計要求和其他因素，可以對本發(fā)明做出各 種修改、組合、子組合及變更，且它們?nèi)月淙胨綑?quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示器件，其包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個像素部；布線，它們被配置成從所述顯示區(qū)域的外部到所述顯示區(qū)域內(nèi)的對應(yīng)像素部，并用于傳輸驅(qū)動所述對應(yīng)像素部的信號；連接焊盤，它們被設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外部，并作為在與所述布線電導(dǎo)通時向所述布線提供信號的輸入部；開關(guān)元件，它們被設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外部的所述布線的途中；以及遮光覆蓋部，它對所述開關(guān)元件進(jìn)行遮光，并且以覆蓋所述連接焊盤且與所述連接焊盤電導(dǎo)通的方式予以形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，各所述像素部包括設(shè)置在陽極和陰極之間的有機(jī)電致發(fā)光層，并且所述遮光覆蓋部由 與所述陽極相同的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述開關(guān)元件是用于保護(hù)驅(qū)動所述相應(yīng)像 素部的晶體管的元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述開關(guān)元件是在對驅(qū)動所述相應(yīng)像素部 的晶體管進(jìn)行特性檢測時使用的元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述布線是用于對驅(qū)動所述相應(yīng)像素部的 晶體管進(jìn)行依次選擇的掃描線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述布線是用于將電源電壓控制信號提供 給驅(qū)動所述相應(yīng)像素部的晶體管的電源控制線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述布線是用于將顯示用信號提供給驅(qū)動 所述相應(yīng)像素部的晶體管的信號線。
8.—種顯示器件的制造方法，其包括如下步驟 在基板上形成各像素的晶體管；用第一絕緣膜覆蓋各所述晶體管，并將所述第一絕緣膜的表面平坦化； 在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，所述第二絕緣膜在每兩個相鄰像素之間限定了 相應(yīng)像素的開口部；在由所述第二絕緣膜限定的所述相應(yīng)像素的開口部內(nèi)形成陽極； 在所述陽極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；以及 在所述電致發(fā)光層上形成陰極。
9.一種電子裝置，其包括設(shè)置在主體外殼上的顯示器件，其中所述顯示器件是權(quán)利要 求1 7中任一項所述的顯示器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了顯示器件、顯示器件的制造方法和電子裝置，所述顯示器件包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個像素部；布線，它們被配置成從所述顯示區(qū)域的外部到所述顯示區(qū)域內(nèi)的對應(yīng)像素部，并用于傳輸驅(qū)動所述對應(yīng)像素部的信號；連接焊盤，它們被設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外部，并作為在與所述布線電導(dǎo)通時向所述布線提供信號的輸入部；開關(guān)元件，它們被設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外部的所述布線的途中；以及遮光覆蓋部，它對所述開關(guān)元件進(jìn)行遮光，并且以覆蓋所述連接焊盤且與所述連接焊盤電導(dǎo)通的方式予以形成。在本發(fā)明中，由于對開關(guān)元件進(jìn)行遮光的遮光覆蓋部以覆蓋連接焊盤的方式設(shè)置著，因此能夠用遮光覆蓋部來保護(hù)連接焊盤的表面。
文檔編號G09F9/33GK101800239SQ20101010437
公開日2010年8月11日 申請日期2010年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者佐川裕志, 田面木真也 申請人:索尼公司