專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，且更具體地，涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯 示(OELD)設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明要求2008年12月24日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 2008-0133754的優(yōu)先權(quán)， 此處以引證的方式并入其內(nèi)容，就像在此進(jìn)行了完整闡述一樣。 直到最近，顯示設(shè)備一般還使用陰極射線管(CRT)。當(dāng)前，很多努力和研究正致力 于開(kāi)發(fā)諸如液晶顯示(LCD)設(shè)備、等離子體顯示板(PDP)、場(chǎng)發(fā)射顯示器以及電致發(fā)光顯示 器(ELD)的各種平板顯示器以作為CRT的替代品。在這些平板顯示器中，有機(jī)電致發(fā)光顯 示(OELD)設(shè)備是自發(fā)光顯示設(shè)備。OELD設(shè)備以低電壓工作且具有薄的外形。而且，OELD 設(shè)備具有快響應(yīng)時(shí)間、高亮度和寬視角。 圖1是說(shuō)明根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OELD設(shè)備的電路圖，且圖2是說(shuō)明根據(jù)相關(guān)技術(shù)的另 一OELD設(shè)備的電路圖。 參考圖1和2，圖1的OELD設(shè)備的像素包括第一至第四晶體管Trl至Tr4以及電 容器Cl。圖2的OELD設(shè)備的像素包括第一至第四晶體管Trl至Tr4以及第一和第二電容 器Cl和C2。為方便起見(jiàn)，圖1和2的OELD設(shè)備分別被稱(chēng)為第一和第二 OELD設(shè)備。
在第一和第二 OELD設(shè)備中的每一個(gè)中，第一晶體管Trl通過(guò)施加到選通線的選通 電壓Vgl或Vg2來(lái)切換，以在各個(gè)幀中向像素寫(xiě)入數(shù)據(jù)電壓Vdata。第二晶體管Tr2用于對(duì) 第三晶體管Tr3的閾值電壓Vth進(jìn)行采樣。第三晶體管Tr3用于將驅(qū)動(dòng)電流I。，提供到有 機(jī)發(fā)光二極管0LED。第四晶體管Tr4用于將初始化電壓Vinit提供到像素。
提供所述第一和第二 OELD設(shè)備其中每一個(gè)的像素構(gòu)造以應(yīng)對(duì)由于操作中第三晶 體管Tr3的屬性變化和/或由于制造工序的變化而導(dǎo)致的第三晶體管Tr3的閾值電壓的變 化。 第一驅(qū)動(dòng)電壓Vdd_EL連接到有機(jī)發(fā)光二極管0LED，且第二驅(qū)動(dòng)電壓Vss_EL連接 到第三晶體管Tr3。 參考圖1至3來(lái)解釋驅(qū)動(dòng)第一和第二 OELD設(shè)備的方法。 圖3是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于驅(qū)動(dòng)OELD設(shè)備的選通電壓和控制電壓的時(shí)序圖。
參考圖1至3，第四晶體管Tr4根據(jù)初始化控制電壓Initl、Init2、Init3或Init4 在每個(gè)幀F(xiàn)中導(dǎo)通，且初始化電壓Vinit被施加到第三晶體管Tr3的柵極。然后，第二晶體 管Tr2根據(jù)控制電壓Conl、 Con2、 Con3或Con4而導(dǎo)通，且第三晶體管Tr3的閾值電壓Vth 被采樣到第三晶體管Tr3的柵極。然后，第一晶體管Trl根據(jù)選通電壓Vgl、Vg2、Vg3或Vg4 而導(dǎo)通，且數(shù)據(jù)電壓Vdata被寫(xiě)入到像素中。第三晶體管Tr3根據(jù)數(shù)據(jù)電壓Vdata的量來(lái) 調(diào)節(jié)流經(jīng)第三晶體管Tr3的驅(qū)動(dòng)電流I。，。因此，驅(qū)動(dòng)電流I。EU)被提供到有機(jī)發(fā)光二極管 OLED，且根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流I。，的量從有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出光。 驅(qū)動(dòng)電流1。，表達(dá)為下面的公式1。， = l/2*ii氺C。一(W/LXVgs-Vth)2，該公式
4中，P是第三晶體管Tr3的遷移率，Cox是第三晶體管Tr3的電容，W/L是第三晶體管的溝 道的寬長(zhǎng)比，且Vgs是第三晶體管Tr3的柵極和源極之間的柵-源電壓。
通過(guò)第二晶體管Tr2的采樣操作而獲得的采樣閾值電壓Vth被反映到公式中，例 如，反映到柵_(tái)源電壓Vgs中。因此，驅(qū)動(dòng)電流I,不依賴(lài)于第三晶體管Tr3的閾值電壓 Vth。因此，有機(jī)發(fā)光二極管0LED不顧第三晶體管Tr3的閾值電壓Vth的變化而發(fā)光。這 種類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)方法被稱(chēng)為電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法。 然而，電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)需要驅(qū)動(dòng)各行線(row line)中的預(yù)定時(shí)間。例如，用于初始 化操作的初始化周期需要約3微秒(P s)，用于采樣操作的采樣周期需要約8微秒(i! s)，
且用于數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作的數(shù)據(jù)寫(xiě)入周期需要約4微秒(i!S)。初始周期、采樣周期和數(shù)據(jù)寫(xiě)
入周期的總和約為15微秒(y s)。因此，用于電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)的行線驅(qū)動(dòng)周期至少需要約15 微秒(P s)。 然而，當(dāng)相關(guān)技術(shù)的OELD設(shè)備具有全HD (高清晰)分辨率(例如1900*1080的分 辨率)且使用120赫茲(Hz)的頻率來(lái)驅(qū)動(dòng)時(shí)，行線驅(qū)動(dòng)周期約為(1/120)* (1/1080) = 7. 7 微秒(ys)。因此，相關(guān)技術(shù)的OELD設(shè)備的行線驅(qū)動(dòng)周期遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于用于電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)的行 線驅(qū)動(dòng)周期。因此，相關(guān)技術(shù)0ELD設(shè)備不能正常執(zhí)行電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)。 如上所述，因?yàn)樵谙嚓P(guān)技術(shù)的0ELD設(shè)備的驅(qū)動(dòng)中限定了短行線驅(qū)動(dòng)周期，所以對(duì) 顯示圖像具有很多限制。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其基本上克服因相 關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來(lái)的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供一種可以提供足夠用于正常顯示圖像的行線驅(qū)動(dòng)時(shí)間的有 機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。 本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中描述且將從描述中部分地顯現(xiàn)，或者 可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)了解。通過(guò)書(shū)面的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié) 構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。 為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述， 一種有機(jī) 電致發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素包括開(kāi)關(guān)晶體管，其連接 到選通線和數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)晶體管，其中經(jīng)過(guò)所述開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓被反映到 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；采樣晶體管，其對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行采樣，其中 所述采樣晶體管的柵極連接到控制線，且采樣的閾值電壓被反映到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極 中；初始化晶體管，其中所述初始化晶體管的柵極連接到前一或下一選通線，且經(jīng)過(guò)所述初 始化晶體管的初始化電壓被反映到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；以及有機(jī)發(fā)光二極管，其連 接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管，其中根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓來(lái)調(diào)節(jié)所述有機(jī)發(fā)光二極管 的驅(qū)動(dòng)電流。 在另一方面，一種驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括以下步驟在第一幀中 使用初始化電壓對(duì)多個(gè)像素中的第一像素進(jìn)行初始化；在所述第一幀中向所述多個(gè)像素 中的第二像素寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)電壓，由此所述第二像素根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)電壓而發(fā)光；在第 二幀中向所述第一像素寫(xiě)入第二數(shù)據(jù)電壓，由此所述第一像素根據(jù)所述第二數(shù)據(jù)電壓而發(fā)光；以及在所述第二幀中使用初始化電壓對(duì)所述第二像素進(jìn)行初始化，其中所述第一幀和
第二幀交替地重復(fù)，其中所述第一像素和第二像素分別連接到連續(xù)的兩條選通線，其中所
述多個(gè)像素中的每一個(gè)像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)
所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓來(lái)調(diào)節(jié)施加到所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流。 應(yīng)當(dāng)理解，上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，且旨在提供所要
求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本說(shuō)明書(shū)中以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說(shuō)明書(shū)中且 構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明 的原理。
附圖中 圖1是說(shuō)明根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OELD設(shè)備的電路圖；
圖2是說(shuō)明根據(jù)相關(guān)技術(shù)的另一 OELD設(shè)備的電路圖； 圖3是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于驅(qū)動(dòng)OELD設(shè)備的選通電壓和控制電壓的時(shí)序圖； 圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OELD設(shè)備的電路圖； 圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一 OELD設(shè)備的電路圖；以及 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于驅(qū)動(dòng)OELD設(shè)備的選通電壓和控制電壓的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的例示的實(shí)施方式，在附圖中示出了這些實(shí)施方式。
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OELD設(shè)備的電路圖，且圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施方式的另一 OELD設(shè)備的電路圖。 參考圖4，0ELD設(shè)備包括矩陣形式的多個(gè)像素，且像素包括第一至第四晶體管Tr4 至Tr4、電容器CI和有機(jī)發(fā)光二極管OLED。參考圖5， OELD設(shè)備包括矩陣形式的多個(gè)像素， 且像素包括第一至第四晶體管Tr 1至Tr4、第一和第二電容器CI和C2以及有機(jī)發(fā)光二極管 0LED。為方便起見(jiàn)，圖4和5的0ELD設(shè)備分別被稱(chēng)為第一和第二0ELD設(shè)備。而且，可以對(duì) 第一和第二 OELD設(shè)備一起進(jìn)行解釋。 在第一和第二OELD設(shè)備中的每一個(gè)中，形成了傳送數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)據(jù)線、分 別傳送選通電壓Vgl至Vg3的第一至第三選通線、以及傳送控制電壓Conl至Con3的第一 至第三控制線。數(shù)據(jù)線與選通線交叉。第一驅(qū)動(dòng)電壓VdcLEL連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED， 且第二驅(qū)動(dòng)電壓Vss_EL連接到第三晶體管Tr3。第一驅(qū)動(dòng)電壓Vdd_EL可以高于第二驅(qū)動(dòng) 電壓Vss_EL。 第一晶體管Trl被稱(chēng)為開(kāi)關(guān)晶體管。第一晶體管Trl連接到相應(yīng)的選通線和數(shù)據(jù) 線。第一晶體管Trl根據(jù)相應(yīng)的選通電壓Vgl、 Vg2或Vg3的導(dǎo)通/截止值而導(dǎo)通/截止。 當(dāng)?shù)谝痪w管Trl導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過(guò)第一晶體管Trl且被寫(xiě)入到像素中。
第二晶體管Tr2被稱(chēng)為采樣晶體管。第二晶體管Tr2用于對(duì)第三晶體管Tr3的閾 值電壓Vth進(jìn)行采樣。第二晶體管Tr2根據(jù)相應(yīng)的控制電壓Conl、 Con2或Con3的導(dǎo)通/截止值而導(dǎo)通/截止。當(dāng)?shù)诙w管Tr2導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)第二晶體管Tr2對(duì)第三晶體管Tr3 的閾值電壓Vth進(jìn)行采樣。 第三晶體管Tr3被稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)晶體管。第三晶體管Tr3用于將驅(qū)動(dòng)電流I。，提供到 有機(jī)發(fā)光二極管0LED。第三晶體管Tr3根據(jù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)電壓Vdata來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流I。，。
第四晶體管Tr4被稱(chēng)為初始化晶體管。第四晶體管Tr4用于使用初始化電壓Vinit 來(lái)初始化像素。第四晶體管Tr4根據(jù)下一選通線的選通電壓的導(dǎo)通/截止值而導(dǎo)通/截止。 或者，第四晶體管Tr4可以根據(jù)前一選通線的選通電壓的導(dǎo)通/截止值而導(dǎo)通/截止。當(dāng) 第四晶體管Tr4導(dǎo)通時(shí)，初始化電壓Vinit被施加到像素，例如，施加到第三晶體管Tr3的 柵極，使得使用初始化電壓Vinit而初始化第三晶體管Tr3的柵極的電壓。
在第一和第二 0ELD設(shè)備中的每一個(gè)中，奇數(shù)行線的像素可以在一個(gè)幀期間驅(qū)動(dòng) 而偶數(shù)行線的像素可以在下一幀期間驅(qū)動(dòng)。例如，第一和第二幀交替，奇數(shù)行線的像素可以 在第一幀期間驅(qū)動(dòng)而偶數(shù)行線的像素在第一幀期間可以不被驅(qū)動(dòng)。偶數(shù)行線的像素可以 在第二幀期間驅(qū)動(dòng)而奇數(shù)行線的像素在第二幀期間可以不被驅(qū)動(dòng)。而且，在像素不被驅(qū)動(dòng) 的幀期間，這種不被驅(qū)動(dòng)的像素可以根據(jù)前一或下一選通線的選通電壓而使用初始化電壓 Vinit來(lái)進(jìn)行初始化。 例如，在第一幀中，奇數(shù)行線的像素被驅(qū)動(dòng)且相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdata被寫(xiě)入到奇 數(shù)行線的像素。然而，在第一幀中，偶數(shù)行線的像素不被驅(qū)動(dòng)，沒(méi)有數(shù)據(jù)電壓Vdata被寫(xiě)入 到偶數(shù)行線的像素，且初始化電壓Vinit根據(jù)前-或下一選通線(即奇數(shù)行線的選通線) 的選通電壓而被寫(xiě)入到偶數(shù)行線的像素中。 當(dāng)像素被施加以初始化電壓Vinit時(shí)，像素不發(fā)光。例如，在第一幀中，偶數(shù)行線 的像素使用初始化電壓Vinit進(jìn)行初始化，偶數(shù)行線的像素的第三晶體管Tr3截止，驅(qū)動(dòng)電 流I。，不流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr3，且因而，有機(jī)發(fā)光二極管0LED不發(fā)光。初始化電壓Vinit 具有使得第三晶體管Tr3截止的值。例如，初始化電壓Vinit可以低于第二驅(qū)動(dòng)電壓Vss_ EL。 盡管在圖中沒(méi)有示出，第一和第二 0ELD設(shè)備中的每一個(gè)可以包括提供數(shù)據(jù)電壓 Vdata的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路、提供選通電壓Vgl至Vg3的選通驅(qū)動(dòng)電路以及提供控制電壓Conl 至Con3的控制電路。選通驅(qū)動(dòng)電路可用作控制電路以從選通驅(qū)動(dòng)電路提供控制電壓Conl 至Con3。 在第一OELD設(shè)備中，電容器C1可以連接到第三驅(qū)動(dòng)晶體管Tr3的柵極和源極。在 第二0ELD設(shè)備中，第一電容器C1可以連接到第一晶體管Trl的漏極和驅(qū)動(dòng)電壓源，且第二 電容器C2可以連接到第一晶體管Trl的漏極和第三晶體管Tr3的柵極。連接到第一電容 器C1的驅(qū)動(dòng)電壓源可以提供第二驅(qū)動(dòng)電壓Vss—EL。
將參考圖4至6詳細(xì)解釋第一和第二 0ELD設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法。 圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于驅(qū)動(dòng)0ELD設(shè)備的選通電壓和控制電壓的時(shí) 序圖。 參考圖4至6，在第一幀F(xiàn)l期間，例如，奇數(shù)行線的像素被驅(qū)動(dòng)而偶數(shù)行線的像素 不被驅(qū)動(dòng)。因此，具有導(dǎo)通值的選通電壓Vgl、 Vg3和Vg5可以順序地輸出到相應(yīng)的奇數(shù)選 通線，且具有導(dǎo)通值的控制電壓Conl、 Con3和Con5可以順序地輸出到相應(yīng)的奇數(shù)控制線。 當(dāng)施加導(dǎo)通值控制電壓Conl、 Con3或Con5時(shí)，像素的第二晶體管Tr2導(dǎo)通，且第三晶體管Tr3的閾值電壓Vth被采樣到第三晶體管Tr3的柵極。然后，當(dāng)施加導(dǎo)通值的選通電壓Vgl、 Vg3或Vg5時(shí)，數(shù)據(jù)電壓Vdata被寫(xiě)入到像素中。因此，第三晶體管Tr3截止。因此，奇數(shù)行 線的像素發(fā)光。 偶數(shù)行線的像素在第一幀F(xiàn)1期間被初始化，使得偶數(shù)行線的像素的原先寫(xiě)入的 數(shù)據(jù)電壓被刪除。例如，選通電壓Vg3或Vg5被施加到用于選通電壓Vg3或Vg5的奇數(shù)行 線之前的偶數(shù)行線的像素的第四晶體管Tr4。因此，偶數(shù)行線的像素的第四晶體管Tr4導(dǎo) 通，且初始化電壓Vinit被施加到偶數(shù)行線的像素的第三晶體管Tr3的柵極。因此，偶數(shù)行 線的像素不發(fā)光。 在第二幀F(xiàn)2期間，例如，偶數(shù)行線的像素被驅(qū)動(dòng)而奇數(shù)行線的像素不被驅(qū)動(dòng)。因 此，導(dǎo)通值選通電壓Vg2和Vg4可以順序地輸出到相應(yīng)的偶數(shù)選通線，且導(dǎo)通值控制電壓 Vc2和Vc4可以順序地輸出到相應(yīng)的偶數(shù)控制線。當(dāng)施加導(dǎo)通值控制電壓Vc2或Vc4時(shí)，像 素的第二晶體管Tr2導(dǎo)通，且第三晶體管Tr3的閾值電壓Vth被采樣到第三晶體管Tr3的 柵極。然后，當(dāng)施加導(dǎo)通值選通電壓Vg2或Vg4時(shí)，數(shù)據(jù)電壓Vdata被寫(xiě)入到像素。因此， 偶數(shù)行線的像素發(fā)光。 奇數(shù)行線的像素在第一幀F(xiàn)2期間被初始化，使得奇數(shù)行線的像素的原先寫(xiě)入的 數(shù)據(jù)電壓被刪除。例如，選通電壓Vg2或Vg4施加到用于選通電壓Vg2或Vg4的偶數(shù)行線 之前的奇數(shù)行線的像素的第四晶體管Tr4。因此，奇數(shù)行線的像素的第四晶體管Tr4導(dǎo)通， 且初始化電壓Vinit被施加到奇數(shù)行線的像素的第三晶體管Tr3的柵極。因此，第三晶體 管T3截止。因此，奇數(shù)行線的像素不發(fā)光。 在后續(xù)的交替的第一和第二幀F(xiàn)l和F2期間重復(fù)上述處理。 如上所述，因?yàn)槠鏀?shù)行線的像素和偶數(shù)行線的像素按幀交替地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所以 可以減小0ELD設(shè)備的各個(gè)行線驅(qū)動(dòng)周期。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?0ELD設(shè)備其中每一個(gè)具 有全HD(1900*1080)分辨率且以120赫茲(Hz)的頻率驅(qū)動(dòng)時(shí)，各個(gè)行線驅(qū)動(dòng)周期約為 (1/120)*(1/540) = 15. 4微秒(i! s)。該行線驅(qū)動(dòng)周期大于用于電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)的所需時(shí)間， 該所需時(shí)間約為15微秒(y s)，即，約3微秒(i! s)的初始化周期、約8微秒(i! s)的采樣 周期和約4微秒(us)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入周期的總和。因此，實(shí)施方式的OELD設(shè)備可以按照電壓 補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)方法穩(wěn)定地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，且可以正常地顯示圖像。 另外，在前一幀中被寫(xiě)入到像素中的數(shù)據(jù)通過(guò)初始化操作在當(dāng)前幀中被刪除。如
果原先寫(xiě)入的數(shù)據(jù)圖像仍保留在當(dāng)前幀中，則會(huì)感覺(jué)到當(dāng)前幀圖像被損壞(tear)?？梢酝?br> 過(guò)初始化像素以從像素中刪除原先寫(xiě)入的數(shù)據(jù)來(lái)防止這種幀圖像損壞。 另外，在相關(guān)技術(shù)中，需要用于初始化操作的初始化控制線。然而，在實(shí)施方式的
0ELD設(shè)備中，根據(jù)前一或后一選通電壓來(lái)執(zhí)行初始化操作。因此，不需要裝配初始化控制線
和用于初始化控制線的驅(qū)動(dòng)電路部分。因此，可以減少制造工序和成本。 在實(shí)施方式中，主要解釋了包括負(fù)型晶體管的0ELD設(shè)備。可選地，0ELD設(shè)備可以
包括正型晶體管或者負(fù)型晶體管和正型晶體管的組合。 對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以 在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的 范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素包括開(kāi)關(guān)晶體管，其連接到選通線和數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)晶體管，其中經(jīng)過(guò)所述開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓被反映到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；采樣晶體管，其對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行采樣，其中所述采樣晶體管的柵極連接到控制線，且采樣的閾值電壓被反映到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；初始化晶體管，其中所述初始化晶體管的柵極連接到前一或下一選通線，且經(jīng)過(guò)所述初始化晶體管的初始化電壓被反映到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；以及有機(jī)發(fā)光二極管，其連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管，其中根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓來(lái)調(diào)節(jié)所述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、 采樣晶體管和初始化晶體管中的至少一個(gè)是n型或p型晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述初始化電壓具有使得所述 有機(jī)發(fā)光二極管不發(fā)光的值。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中在一幀中，所述控制線的控制 電壓先于所述選通線的選通電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素還 包括連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極的電容器。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素還 包括連接到所述開(kāi)關(guān)晶體管的漏極和驅(qū)動(dòng)電壓源的第一電容器、以及連接到所述開(kāi)關(guān)晶體 管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的第二電容器。
7. —種驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟 在第一幀中使用初始化電壓對(duì)多個(gè)像素中的第一像素進(jìn)行初始化；在所述第一幀中向所述多個(gè)像素中的第二像素寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)電壓，由此所述第二像素 根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)電壓而發(fā)光；在第二幀中向所述第一像素寫(xiě)入第二數(shù)據(jù)電壓，由此所述第一像素根據(jù)所述第二數(shù)據(jù) 電壓而發(fā)光；以及在所述第二幀中使用初始化電壓對(duì)所述第二像素進(jìn)行初始化，其中所述第一幀和第二幀交替地重復(fù)，其中所述第一像素和第二像素分別連接到連續(xù) 的兩條選通線，其中所述多個(gè)像素中的每一個(gè)像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管，其 中所述驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓來(lái)調(diào)節(jié)施加到所述有機(jī)發(fā)光二極管 的電流。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，該方法還包括以下步驟在所述第二幀中，在向所述第一像素寫(xiě)入第二數(shù)據(jù)電壓之前，對(duì)所述第一像素的驅(qū)動(dòng) 晶體管的第一閾值電壓進(jìn)行采樣，其中采樣的第一閾值電壓被反映到所述第一像素的驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵極中；以及在所述第一幀中，在向所述第二像素寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)電壓之前，對(duì)所述第二像素的驅(qū)動(dòng) 晶體管的第二閾值電壓進(jìn)行采樣，其中采樣的第二閾值電壓被反映到所述第二像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中使用初始化電壓對(duì)所述第一像素進(jìn)行初始化的步 驟包括根據(jù)連接到所述第一像素的選通線的前一或下一選通線的導(dǎo)通值選通電壓來(lái)導(dǎo)通 所述第一像素的初始化晶體管，且其中使用初始化電壓對(duì)所述第二像素進(jìn)行初始化的步驟 包括根據(jù)連接到所述第二像素的選通線的前一或下一選通線的導(dǎo)通值選通電壓來(lái)導(dǎo)通所 述第二像素的初始化晶體管。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一像素和第二像素中的每一個(gè)像素的驅(qū) 動(dòng)晶體管根據(jù)所述初始化電壓而截止。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述多個(gè)像素中的每一個(gè)像素還包括連接到所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極的電容器。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述多個(gè)像素中的一個(gè)像素還包括開(kāi)關(guān)晶體管、 連接到所述開(kāi)關(guān)晶體管的漏極和驅(qū)動(dòng)電壓源的第一電容器、以及連接到所述開(kāi)關(guān)晶體管的 漏極和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的第二電容器。
全文摘要
有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素，多個(gè)像素中的一個(gè)像素包括開(kāi)關(guān)晶體管，其連接到選通線和數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)晶體管，其中經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓被反映到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；采樣晶體管，其對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓進(jìn)行采樣，其中采樣晶體管的柵極連接到控制線，且采樣的閾值電壓被反映到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；初始化晶體管，其中初始化晶體管的柵極連接到前一或下一選通線，且經(jīng)過(guò)初始化晶體管的初始化電壓被反映到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極中；以及有機(jī)發(fā)光二極管，其連接到驅(qū)動(dòng)晶體管，其中根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓來(lái)調(diào)節(jié)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101763819SQ20091022461
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者柳相鎬, 河元奎, 金學(xué)洙 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司