專利名稱：液晶顯示器及其移位寄存裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示器及其移位寄 存裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導體科技蓬勃發(fā)展，便攜式電子產(chǎn)品及平面顯示器產(chǎn)品也
隨之興起。而在眾多平面顯示器的類型當中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)基于其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優(yōu)點， 隨即已成為各顯示器產(chǎn)品的主流。也亦因如此，無不驅(qū)使著各家廠商針對液晶 顯示器的開發(fā)技術(shù)要朝向更微型化及低制作成本發(fā)展。
為了要降低液晶顯示器的制作成本，已有部份廠商研發(fā)出在液晶顯示面板 采用非晶硅(amorphous silicon, a-Si)工藝的條件下，可將原先配置于液晶顯 示面板的掃描側(cè)所使用的掃描驅(qū)動IC內(nèi)部的移位寄存器(shift register)轉(zhuǎn)移 直接配置在液晶顯示面板的玻璃基板(glass substrate)上。因此，原先配置于 液晶顯示面板的掃描側(cè)所使用的掃描驅(qū)動IC即可省略，借以達到降低液晶顯 示器的制作成本的目的。
一般而言，直接制作在液晶顯示面板的玻璃基板上的移位寄存器主要會由 多顆N型晶體管所組成。其中，部分N型晶體管用以負責在移位寄存器的操 作期間輸出掃描信號以開啟液晶顯示面板內(nèi)對應的一列像素，而其余N型晶 體管則用以負責在移位寄存器的非操作期間停止輸出掃描信號。
然而，在實務上，由于用以負責輸出掃描信號與用以負責停止輸出掃描信 號的N型晶體管的通道長度(channel length)都相同。因此，在此條件下，用 以負責輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信 號的N型晶體管處于次臨界區(qū)(sub-threshold region)的漏電流的影響而導致 無法正常輸出掃描信號。如此一來，移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器 無法正常顯示影像畫面。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種移位寄存裝置，其包括多級串接在一起的移位 寄存器。其中，第i級移位寄存器包括預充電單元、上拉單元，以及下拉單元， 且i為正整數(shù)。預充電單元用以接收第(i-l)級移位寄存器所輸出的第一掃描信 號，并據(jù)以輸出一充電信號。上拉單元耦接預充電單元，用以接收所述充電信 號與第一時脈信號，并據(jù)以輸出第二掃描信號。下拉單元耦接預充電單元與上 拉單元，用以接收第二時脈信號與第(i+l)級移位寄存器所輸出的第三掃描信 號，并據(jù)以決定是否將所述第二掃描信號下拉至一參考電位。
于本發(fā)明的一示范性實施例中，預充電單元、上拉單元與下拉單元內(nèi)分別 具有至少一晶體管。其中，下拉單元內(nèi)的晶體管具有第一通道長度，而預充電 單元與上拉單元內(nèi)的晶體管分別具有第二通道長度，且所述第一通道長度大于 所述第二通道長度。
于本發(fā)明的一示范性實施例中，所述第一通道長度實質(zhì)上為所述第二通道
長度的1.01倍至4倍。
本發(fā)明另提供一種液晶顯示器，其包括液晶顯示面板與用以提供液晶顯示 面板所需的背光源的背光模塊。其中，液晶顯示面板包括基板與上述本發(fā)明所 提供的移位寄存裝置，且上述本發(fā)明所提供的移位寄存裝置為直接配置在液晶 顯示面板的基板上。
應了解的是，上述一般描述及以下具體實施方式
僅為例示性及闡釋性的， 其并不能限制本發(fā)明所欲主張的范圍。
圖1繪示為本發(fā)明一示范性實施例的液晶顯示器100的系統(tǒng)方塊圖； 圖2繪示為本發(fā)明一示范性實施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖； 圖3A繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRj的方塊圖； 圖3B繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖； 圖4A繪示為N型晶體管T3與T4的剖面示意圖； 圖4B繪示為N型晶體管Tl與T2的剖面示意圖5繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi中節(jié)點Q的實驗波形圖。
其中，附圖標記
100:液晶顯示器 103:源極驅(qū)動器 107:背光模塊 303:上拉單元 AA:顯示區(qū) SR廣SRw:移位寄存器 C:電容 VSS:參考電位 STV:起始信號
SS, SSN:掃描信號
S:源極
Ll、 L2:通道長度 A、 B、 C:曲線
101:顯示面板 105:時序控制單元 301:預充電單元 305:下拉單元 SRD:移位寄存裝置
T1 T4: N型晶體管
Q:節(jié)點
CV:充電信號
CK、 XCK:時脈信號
D:漏極 G:柵極
Tpre、 Tout:日寸間
具體實施例方式
現(xiàn)將詳細參考本發(fā)明的示范性實施例，在附圖中說明所述示范性實施例的 實例。另外，凡可能之處，在附圖及實施方式中使用相同標號的元件/構(gòu)件/符 號代表相同或類似部分。
圖1繪示為本發(fā)明一示范性實施例的液晶顯示器100的系統(tǒng)方塊圖。請參 照圖1，液晶顯示器100包括顯示面板101、源極驅(qū)動器103、時序控制單元 105，以及用以提供顯示面板101所需的背光源的背光模塊107。顯示面板101 的顯示區(qū)AA內(nèi)具有多個以矩陣排列的像素(圖中以MxN來表示，M、 N皆 為正整數(shù))。另外，顯示面板101的基板(未繪示，例如為玻璃基板)上的一 側(cè)更直接配置有移位寄存裝置SRD。移位寄存裝置SRD受控于時序控制單元 105，用以序列輸出掃描信號SS廣SSw以從顯示區(qū)AA內(nèi)的第一列像素逐一開 啟至最后一列像素。
更清楚來說，圖2繪示為本發(fā)明一示范性實施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖。請合并參照圖1與圖2，移位寄存裝置SRD包括N級電路結(jié)構(gòu)實質(zhì) 上相同且彼此串接在一起的移位寄存器SR廣SRn。于本示范性實施例中，由于 移位寄存器SR廣SRn的電路結(jié)構(gòu)與工作原理實質(zhì)上相同，故在此僅針對第i 級移位寄存器SRi來做說明如下。
圖3A繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的方塊圖。 圖3B繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖。請合 并參照圖1~圖3B，第i級移位寄存器SRi包括預充電單元301、上拉單元303， 以及下拉單元305。其中，預充電單元301用以接收第(i-l)級移位寄存器SRw 所輸出的掃描信號SSw，并據(jù)以輸出充電信號CV。于本示范性實施例中，除 了第1級移位寄存器SRi中的預充電單元301為接收時序控制單元105所提供 的起始信號STV外，其余移位寄存器中的預充電單元301為接收上一級移位 寄存器所輸出的掃描信號。
舉例來說，第2級移位寄存器SR2中的預充電單元301為接收第1級移位 寄存器SR,所輸出的掃描信號SS,，第3級移位寄存器SR3中的預充電單元301 為接收第2級移位寄存器SR2所輸出的掃描信號SS2，依此類推至第N級移位 寄存器SRN中的預充電單元301為接收第(N-1)級移位寄存器SRN.,所輸出的掃 描信號SSN.1Q
請繼續(xù)參照圖3A，上拉單元303耦接預充電單元301，用以接收預充電 單元301所輸出的充電信號CV與時序控制器105所提供的時脈信號CK，并 據(jù)以輸出掃描信號SSi。下拉單元305耦接預充電單元301與上拉單元303， 用以接收時序控制器105所提供的時脈信號XCK與第(i+l)級移位寄存器SRw 所輸出的掃描信號SSi+1，并據(jù)以決定是否將掃描信號SSi下拉至參考電位Vss (例如為接地電位，但并不限制于此)。其中，時序控制器105所提供的時脈 信號CK與XCK的相位差為180度。
于此，請繼續(xù)參照圖3B，于本示范性實施例中，預充電單元301具有N 型晶體管T1。其中，N型晶體管T1的柵極與源極耦接在一起以接收第(i-l)級 移位寄存器SRw所輸出的掃描信號SSw，而N型晶體管Tl的漏極則用以輸 出充電信號CV。
另外，上拉單元303具有N型晶體管T2與電容C。其中，N型晶體管T2
的柵極耦接N型晶體管Tl的漏極、N型晶體管T2的源極用以接收時序控制器105所提供的時脈信號CK，而N型晶體管T2的漏極則用以輸出掃描信號 SRi。電容C耦接在N型晶體管T2的柵極與漏極之間。
再者，下拉單元305具有N型晶體管T3與T4。其中，N型晶體管T3的 柵極用以接收時序控制器105所提供的時脈信號XCK、 N型晶體管T3的源極 耦接N型晶體管T2的漏極，而N型晶體管T4的漏極則耦接至參考電位Vss。 N型晶體管T4的柵極用以接收第(i+l)級移位寄存器SRw所輸出的掃描信號 SSi+1、 N型晶體管T4的源極耦接N型晶體管T2的柵極，而N型晶體管T4 的漏極則耦接至參考電位Vss。
于本示范性實施例中，N型晶體管Tl與T2具有相同的通道長度(channel length)，而N型晶體管T3與T4具有相同的通道長度。但是，N型晶體管 T3與T4的通道長度大于N型晶體管Tl與T2的通道長度。
更清楚來說，圖4A繪示為N型晶體管T3與T4的剖面示意圖，而圖4B 繪示為N型晶體管T1與T2的剖面示意圖。請合并參照圖4A與圖4B，從圖 4A與圖4B可清楚看出，標號D表示為N型晶體管T1 T4的漏極、標號S表 示為N型晶體管T1 T4的源極，而標號G表示為N型晶體管T1 T4的柵極。 另外，標號L1表示為N型晶體管T3與T4的通道長度，而標號L2表示為N 型晶體管T1與T2的通道長度。
由此可知，在此所謂的"通道長度"指的是N型晶體管的漏極與源極間 的距離，且在較佳狀況下，N型晶體管T3與T4的通道長度Ll實質(zhì)上可以為 N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍，但并不限制于此。也就 是說，N型晶體管T3與T4的通道長度Ll相對于N型晶體管Tl與T2的通 道長度L2的倍數(shù)可端視實際設計需求而決定，容后再詳述。
基于上述，當?shù)趇級移位寄存器SRi的預充電單元301接收到第(i-l)級移 位寄存器SRw所輸出的掃描信號SS"時，N型晶體管Tl會被開啟以對節(jié)點Q 進行預充電。如此一來，當時序控制器105所提供的時脈信號CK致能時，節(jié) 點Q上的電壓會受時脈信號CK的耦合效應(coupling effect)的影響而被拉 升，借以使得上拉單元303的NMOS晶體管T2會被開啟，從而輸出掃描信號 SSj以開啟顯示區(qū)AA內(nèi)相應的第i列像素。
緊接著，在預充電單元301與上拉單元303負責輸出掃描信號SSi之后， 下拉單元305的N型晶體管T3會因為時序控制器105所提供的時脈信號XCK致能而被開啟。如此一來，掃描信號SSi會被下拉至參考電位Vss以關(guān)閉顯示 區(qū)AA內(nèi)相應的第i列像素。
另外，當下拉單元305的N型晶體管T3將掃描信號SSi下拉至參考電位 Vss之后，由于第(i+l)級移位寄存器SRw所輸出的掃描信號SSw會反饋至第 i級移位寄存器SRi的下拉單元305的N型晶體管T4。如此一來，第i級移位 寄存器SRi的下拉單元305的NMOS晶體管T4會被開啟，從而對節(jié)點Q進行 放電，以避免節(jié)點Q在預充電單元301與上拉單元303負責輸出掃描信號SSi 之后受時脈信號CK的耦合。由此可知，當預充電單元301與上拉單元303負 責輸出掃描信號SSi之后，下拉單元305會負責停止輸出掃描信號SSi。
據(jù)此，當時序控制單元105提供起始信號STV給第1級移位寄存器SR, 的預充電單元301，且分別提供相位差180度的時脈信號CK與XCK給所有 移位寄存器SR廣SRn的上拉單元303與下拉單元305時，移位寄存裝置SRD 內(nèi)的移位寄存器SR廣SRN會序列輸出掃描信號SS廣SSn，以從顯示區(qū)AA內(nèi)的 第一列像素逐一開啟至最后一列像素，而源極驅(qū)動器103會提供對應的顯示資 料給被移位寄存裝置SRD所開啟的列像素。如此一來，再加上背光模塊107 所提供的背光源，則顯示面板101即會顯示影像畫面。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述及的內(nèi)容可知，由于用以負責輸出掃描信號與用以負責 停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度都相同。因此，在此條件下，用 以負責輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信 號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響而導致無法正常輸出掃描信號。 如此一來，移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器無法正常顯示影像畫面。
也亦因如此，當移位寄存器SR廣SRn的N型晶體管T1 T4的通道長度都 相同的條件下(亦即L1-L2)，用以負責輸出掃描信號SS廣SSw的N型晶體 管Tl與T2很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信號SS廣SSn的N型晶體 管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響而導致無法正常輸出掃描信號 SS廣SSn。如此一來，移位寄存器SR廣SRN會失效以連帶影響液晶顯示器100 無法正常顯示影像畫面。
有鑒于此，本示范性實施例特別將下拉單元305的N型晶體管T3與T4 的通道長度Ll制作的比預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與 T2的通道長度L2還要大(亦即L1〉L2)，且下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度Ll實質(zhì)上可以為預充電單巧301與上拉單元303的N型晶 體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍。
更清楚來說，圖5繪示為本發(fā)明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi 中節(jié)點Q的實驗波形圖。請合并參照圖3與圖5，從圖5可以清楚看出，于時 間Tpre時，節(jié)點Q會被進行預充電。另外，于時間Tout的區(qū)間中分別繪示有 三條曲線A、 B與C。其中，曲線A表示為下拉單元305的N型晶體管T3與 T4的通道長度Ll等于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與 T2的通道長度L2的條件下(亦即L1-L2) ， N型晶體管Tl與T2受到N型 晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。曲線B表示為下拉單 元305的N型晶體管T3與T4的通道長度Ll略大于預充電單元301與上拉單 元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1>L2) ， N型 晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程 度。曲線C表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度Ll遠大 于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條 件下(亦即L1 L2) ， N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于 次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。
由此可知，當下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度Ll等于預 充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時,N型 晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程 度會比較嚴重，亦即曲線A于時間Tout的電壓降(voltagedrop)幅度最大。 因此，第i級移位寄存器SRi很有可能無法正常輸出掃描信號SSi。
另外，當下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度Ll越大于預充 電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時，N型晶 體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度 會越趨緩，亦即曲線B與C于時間tout的電壓降幅度相對于曲線A而言會越 來越趨緩。因此，即可確保第i級移位寄存器SRi得以正常輸出掃描信號SSi。
綜上所述，本發(fā)明主要是通過將移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N 型晶體管的通道長度制作的比移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管 的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管 受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
另外，雖然上述示范性實施例提出了移位寄存器中預充電單元、上拉單元與下拉單元的某一種電路實施態(tài)樣，但是本發(fā)明并不限制于此。也就是說，只要移位寄存器中可以被區(qū)分有預充電單元、上拉單元與下拉單元的其他電路實
施例，本發(fā)明就可將其下拉單元中的所有或部分N型晶體管的通道長度加大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度。
當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種移位寄存裝置，其特征在于，包括多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器包括一預充電單元，接收第i-1級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號，并據(jù)以輸出一充電信號，i為正整數(shù)；一上拉單元，耦接該預充電單元，接收該充電信號與一第一時脈信號，并據(jù)以輸出一第二掃描信號；以及一下拉單元，耦接該預充電單元與該上拉單元，接收一第二時脈信號與第(i+1)級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據(jù)以決定是否將該第二掃描信號下拉至一參考電位，其中，該預充電單元、該上拉單元與該下拉單元內(nèi)分別具有至少一晶體管，且該下拉單元內(nèi)的該晶體管具有一第一通道長度，該預充電單元與該上拉單元內(nèi)的所述晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該預充電單元內(nèi)的 該晶體管為一第一N型晶體管，其中，該第一N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信 號，而該第一N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內(nèi)的該 晶體管為一第二N型晶體管，其中，該第二N型晶體管的柵極耦接該第一N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時脈信號，而該第二N型晶體管的漏極則 用以輸出該第二掃描信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內(nèi)更具 有一電容，其耦接在該第二N型晶體管的柵極與漏極之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該 晶體管為一第三N型晶體管，其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時脈信號，該第三N型 晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內(nèi)更具 有另一晶體管，且其為一第四N型晶體管，其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型 晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則 耦接至該參考電位。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二N 型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有 該第一通道長度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第三與該第四N 型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長 度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第三與該第四N 型晶體管的該第一通道長度實質(zhì)上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通 道長度的1.01倍至4倍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二 時脈信號的相位差為180度。
11. 一種液晶顯示器，其特征在于，包括一液晶顯示面板，包括一基板與一移位寄存裝置，該移位寄存裝置直接配 置在該基板上，且具有多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器 包括一預充電單元，接收第i-l級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號， 并據(jù)以輸出一充電信號，i為正整數(shù)；一上拉單元，耦接該預充電單元，接收該充電信號與一第一時脈信號， 并據(jù)以輸出一第二掃描信號；以及一下拉單元，耦接該預充電單元與該上拉單元，接收一第二時脈信號 與第i+l級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據(jù)以決定是否將該第二掃 描信號下拉至一參考電位，其中，該預充電單元、該上拉單元與該下拉單元內(nèi)分別具有至少一晶體管， 且該下拉單元內(nèi)的該晶體管具有一第一通道長度，該預充電單元與該上拉單元內(nèi)的所述晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度；以及一背光模塊，提供該液晶顯示面板所需的背光源。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，萁特征在于，該預充電單元內(nèi)的 該晶體管為一第一 N型晶體管，其中，該第一N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信 號，而該第一N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內(nèi)的該 晶體管為一第二N型晶體管，其中，該第二N型晶體管的柵極耦接該第一N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時脈信號，而該第二 N型晶體管的漏極則 用以輸出該第二掃描信號。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內(nèi)更具 有一電容，其耦接在該第二N型晶體管的柵極與漏極之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內(nèi)的該 晶體管為一第三N型晶體管，其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時脈信號，該第三N型 晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則 耦接至該參考電位。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內(nèi)更具 有另一晶體管，且其為一第四N型晶體管，其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型 晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則 耦接至該參考電位。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二N 型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有 該第一通道長度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其特征在于，該第三與該第四N 型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，該第三與該第四N 型晶體管的該第一通道長度實質(zhì)上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通 道長度的1.01倍至4倍。
20. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二時 脈信號的相位差為180度。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示器及其移位寄存裝置。移位寄存裝置包括多級串接在一起的移位寄存器。本發(fā)明通過將移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的晶體管的通道長度制作得比移位寄存器中負責輸出掃描信號的晶體管的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的晶體管受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的晶體管處于次臨界區(qū)的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
文檔編號G09G3/36GK101625841SQ20091015900
公開日2010年1月13日 申請日期2009年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月29日
發(fā)明者蔡東璋, 陳怡君 申請人:友達光電股份有限公司