專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方面涉及一種等離子體顯示裝置。更具體地，本發(fā)明的方面涉 及一種等離子體顯示裝置，其通過減少形成延遲時間而具有提高的放電穩(wěn)定性。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板是顯示裝置，其通過在放電單元中氣體放電產(chǎn)生的真
空紫外線(vuv)激發(fā)熒光層而形成圖像。
等離子體顯示面板通過采用等離子體發(fā)射出的光顯示文字和/或圖片。通 過將預(yù)定水平的電壓施加到位于等離子體顯示面板的放電空間中的兩個電 極以在兩個電極之間引起等離子體放電并且通過等離子體放電產(chǎn)生的紫外 線激發(fā)熒光層形成為預(yù)定圖案，從而形成圖像。(位于等離子體顯示面板的 放電空間中的兩個電極在下文被稱為"顯示電極"。)
通常，等離子體顯示面板包括覆蓋兩個顯示電極的介電層以及在介電層
上以保護(hù)介電層的保護(hù)層。保護(hù)層主要由MgO構(gòu)成，MgO是透明的以允許 可見光透過并對介電層表現(xiàn)出良好的保護(hù)能力，保護(hù)層還產(chǎn)生二次電子發(fā) 射。然而，近來已經(jīng)對替換和變更保護(hù)層中的MgO進(jìn)行了研究。
MgO保護(hù)層具有抵抗濺射(sputtering resistance )特性并且保護(hù)介電層， 該抵抗濺射特性在驅(qū)動等離子體顯示裝置時減輕放電過程中放電氣體的離 子碰撞。此外，MgO保護(hù)層的形式為透明保護(hù)薄膜，其通過發(fā)射二次電子 降低放電電壓。通常，MgO保護(hù)層以5000至9000A的厚度涂敷在介電層上。
因此，MgO保護(hù)層的成分和膜特性顯著影響放電特性。MgO保護(hù)層的 膜特性顯著依賴于沉積的成分和涂敷條件。期望開發(fā)最優(yōu)的成分以提高膜特 性。
期望通過提高響應(yīng)速度而改進(jìn)高分辨率等離子體顯示面板(PDP)的放 電穩(wěn)定性。高分辨率等離子體顯示面板應(yīng)該響應(yīng)快速掃描速度從而確立實施所有尋址的穩(wěn)定放電。對快速掃描的響應(yīng)速度由形成延遲時間(Tf)和統(tǒng)計
延遲時間(Ts)來確定。
在背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅僅用于增強(qiáng)對本發(fā)明的背景技術(shù) 的理解，因此它可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息，現(xiàn)有技術(shù)是本領(lǐng)域普通技術(shù)
人員已知的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
提供了 一種等離子體顯示裝置，其由于減少的形成延遲時間而具有提高 的放電穩(wěn)定性。
依照本發(fā)明的一實施例，提供有一種等離子體顯示裝置，其包括等離 子體顯示面板、驅(qū)動等離子體顯示面板的驅(qū)動器以及將維持周期的維持脈沖 寬度控制為1至3.5iis的控制器。該等離子體顯示面板包括設(shè)置在第一基 板上的尋址電極、設(shè)置在第二基板上并與尋址電極交叉的一對第一和第二顯 示電極、在第二基板上覆蓋第一和第二顯示電極的介電層、在第二基板上覆 蓋介電層的MgO保護(hù)層、在第一和第二基板之間填充的放電氣體。MgO保 護(hù)層包括基于MgO的200至3000 ppm重量份的Ca。
依照本發(fā)明一個方面，MgO保護(hù)層包括基于MgO的200至3000 ppm 重量份的Ca。依照非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于MgO的250至1500 ppm 重量份的Ca。
依照非限制實例，MgO保護(hù)層中的Ca存在濃度梯度，Ca的濃度從MgO 保護(hù)層的接觸放電氣體的表面到MgO保護(hù)層的另一表面增大。
依照非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于MgO保護(hù)層的總重量的大于或 等于99.7wt。/。的MgO。依照另一非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于MgO 保護(hù)層的總重量的范圍在99.7至99.9 wt%的MgO。
維持脈沖寬度為1至3.5 |is。依照非限制實例，維持脈沖寬度為1至3.0
(IS。
維持周期為9至25ps。依照非限制實例，維持周期可以是10至25 ps。 維持周期的第一維持脈沖寬度為2至7.5(is。依照非限制實例，維持周
期的第 一維持脈沖寬度在2至7 ps范圍內(nèi)。
放電氣體包括基于lOO體積份Ne的5至30體積份Xe。依照非限制實
例，放電氣體還包括基于lOO體積份Ne的0至70體積份的選自He、 Ar、Kr、 02、 N2及其組合的組中至少一種氣體。
依照本發(fā)明另一實施例，提供了一種等離子體顯示面板，包括設(shè)置在基 板上的至少一對第一和第二顯示電極；覆蓋至少一對第一和第二顯示電極的 介電層；和覆蓋介電層的MgO保護(hù)層，MgO保護(hù)層包括基于MgO的含量 的200至3000 ppm重量4分的Ca。
本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點將在后面的描述中得到部分地闡述，且部分 地將由這些描述而明顯，或者可以通過實踐本發(fā)明而習(xí)知。


結(jié)合附圖由實施例的以下描述，本發(fā)明的這些和其它方面和優(yōu)點將變得 明顯易懂，在附圖中
圖1為示出依照本發(fā)明一實施例的等離子體顯示面板結(jié)構(gòu)的局部分解透 視圖2為示出包括圖1的等離子體顯示面板的等離子體顯示裝置的示意
圖3示出圖2的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形；
圖4為示出依照比較例1和實例1、 7和8的等離子體顯示裝置的放電 延遲時間的曲線圖；和
圖5為示出依照實例2至6的等離子體顯示裝置的放電延遲時間的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的本實施例，本發(fā)明的實例在附圖中示出，其中通 篇相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。通過參考附圖，為了解釋本發(fā)明將在下 文描述實施例。
本發(fā)明的方面涉及MgO保護(hù)層，該MgO保護(hù)層覆蓋介電層，該介電層 覆蓋等離子體顯示面板的顯示電極，并且該MgO保護(hù)層能夠通過減少形成 延遲時間而提高等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定性。
依照本發(fā)明的一實施例，提供了一種等離子體顯示裝置，其包括等離 子體顯示面板、驅(qū)動等離子體顯示面板的驅(qū)動器和將維持周期的維持脈沖寬 度控制為1至3.5ps的控制器。該等離子體顯示面板包括設(shè)置在第一基板上的尋址電極、設(shè)置在第二基板上并與尋址電極交叉的一對第一和第二顯示 電極、在第二基板上覆蓋第一和第二顯示電極的介電層、在第二基板上覆蓋
介電層的MgO保護(hù)層和在第一和第二基板之間填充的放電氣體。MgO保護(hù) 層包括基于MgO的含量的200至3000 ppm (按重量計算)的Ca。
在這里，通常，當(dāng)提及一層或材料形成或設(shè)置或覆蓋第二層或第二材料 時，可以理解的是術(shù)語"形成在...上"、"設(shè)置在…上"和"覆蓋"并不限于 一層直接形成在第二層上，但可以包括在一層和第二層之間存在中間層或材 料的情況。
維持脈沖寬度是1至3.5 ps。依照非限制實例，維持脈沖寬度是1至3.0 ^。當(dāng)維持脈沖寬度是l至3.5^s時，由于提高的放電穩(wěn)定性，高分辨率等 離子體顯示裝置具有提高的圖像均勻度。
維持周期為9至25^is。依照非限制實例，維持周期可以是10至25iis。 當(dāng)維持周期是9至25 ps時，由于提高的放電穩(wěn)定性，高分辨率等離子體顯 示裝置具有提高的圖像均勻度。
維持周期的第一維持脈沖寬度為2至7.5 ps。依照非限制實例，維持周 期的第 一維持脈沖寬度在2至7 ^范圍內(nèi)。當(dāng)維持周期的第 一維持脈沖寬度 是2至7.5iis時，由于提高的放電穩(wěn)定性，高分辨率等離子體顯示裝置具有 提高的圖像均勻度。
放電氣體包括基于100體積份Ne的5至30體積份Xe。依照非限制實 例，放電氣體包括基于100體積份Ne的7至25體積份Xe。當(dāng)放電氣體包 括在上述比例范圍內(nèi)的Xe和Ne時，由于增大的放電氣體的電離比例，則 降低了放電起始電壓。當(dāng)放電起始電壓降低時，高分辨率等離子體顯示裝置 具有降低的功耗和增大的亮度。
依照非限制實例，放電氣體還可以包括基于lOO體積份Ne的0至70體 積份的選自由He、 Ar、 Kr、 02、 N2及其組合構(gòu)成的組中的至少一種氣體。 依照非限制實例，放電氣體包括基于100體積份Ne的14至65體積^分的選 自由He、 Ar、 Kr、 02、 N2及其組合構(gòu)成的組中的至少一種氣體。當(dāng)放電氣 體包括處于上述比例范圍內(nèi)的選自由He、 Ar、 Kr、 02、 N2及其組合構(gòu)成的 組中的至少一種氣體時，由于增大了放電氣體的電離比例，則降低了放電起 始電壓。當(dāng)放電起始電壓降低時，高分辨率等離子體顯示裝置具有降低的功 耗和增大的亮度。下文將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的 一 實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理 解，描述的實施例可以多種不同形式修改，所有修改都不背離本發(fā)明的精神 或范圍。
圖1為示出依照一個實施例的等離子體顯示面板結(jié)構(gòu)的局部分解透視
圖。參考附圖，PDP包括第一基板3、以一個方向(附圖中的Y方向)設(shè)置 在第一基板3上的多個尋址電極13以及設(shè)置在第一基板3的表面上覆蓋尋 址電極13的第一介電層15。阻擋肋5形成在第一介電層15上，且紅(R)、 綠(G )和藍(lán)(B )磷光體放電單元7R、 7G和7B形成在阻擋肋5之間。紅 (R)、綠(G)和藍(lán)(B)磷光體層8R、 8G和8B設(shè)置在放電單元7R、 7G 和7B中。
阻擋肋5可以形成為任意形狀，只要它們的形狀能夠分隔開放電空間， 且阻擋肋5可以有不同的圖案。例如，阻擋肋5可以形成為開放型，比如條 形，或形成為封閉型，比如網(wǎng)格、矩陣或三角形。如更多非限制實例，可以 形成封閉型阻擋肋使得放電空間的水平橫截面是多邊形，比如四邊形、三角 形或五邊形，或者圓形或橢圓形。
顯示電極9和11,每個包括一對透明電極9a或lla以及一對匯流電極 9b或llb，且以與尋址電極13交叉的方向(附圖中的X方向)設(shè)置在第二 基板1的面對第一基板3的一個表面上。同樣，第二介電層17和MgO保護(hù) 層19設(shè)置在第二基板1的該表面上而且覆蓋顯示電極。
MgO保護(hù)層包括基于MgO的含量的200至3000 ppm重量份的Ca。依 照非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于MgO的含量的250至1500 ppm重量 份的Ca。
在第一基板3的尋址電極13與第二基板1的顯示電極交叉的位置上形 成放電單元。
在第一基板3和第二基板1之間的放電單元填充有放電氣體。如上所述， 放電氣體包括基于100體積份Ne的5至30體積份Xe。依照非限制實例， 放電氣體包括基于100體積份Ne的7至25體積份Xe。放電氣體還包括基 于100體積份Ne的0至70體積份的選自由He、 Ar、 Kr、 02、 N2及其組合 構(gòu)成的組中的至少一種氣體。依照非限制實例，放電氣體包括基于IOO體積 份Ne的14至65體積份的該氣體。
圖2為示出依照本發(fā)明一實施例的等離子體顯示裝置的示意圖。如圖2所示，依照本發(fā)明一個實施例的等離子體顯示裝置包括等離子體顯示面板
100、控制器200、尋址電極(A)驅(qū)動器300、維持電極(第二顯示電極， X)驅(qū)動器400以及掃描電極(第一顯示電極，Y)驅(qū)動器500。
等離子體顯示面板IOO具有與圖l所示相同的結(jié)構(gòu)。
控制器200從外部接收視頻信號并輸出尋址驅(qū)動控制信號、維持電極 (X)驅(qū)動控制信號和掃描電極(Y)驅(qū)動控制信號?？刂破?00將一幀分 成多個子i或，當(dāng)子域基于時間驅(qū)動變化(temporal driving change )表示時， 每個子域由復(fù)位周期、尋址周期和維持周期構(gòu)成。
尋址驅(qū)動器300從控制器200接收尋址電極(A )驅(qū)動控制信號，并將 顯示數(shù)據(jù)信號施加到每個尋址電極，該顯示數(shù)據(jù)信號用于選擇將要被顯示的 放電單元。
維持電極驅(qū)動器400從控制器200接收維持電極驅(qū)動控制信號，并將驅(qū) 動電壓施加到維持電極(X)。
掃描電極驅(qū)動器500從控制器200接收掃描電極驅(qū)動控制信號，并將驅(qū) 動電壓施加到掃描電極(Y)。
圖3顯示圖2中示出的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形。如圖3所示，在 維持周期(T,)中Vs電壓的第一維持放電脈沖交替施加到掃描電極(Y)和 維持電極(X)。如果在掃描電極(Y)和維持電極(X)之間產(chǎn)生壁電壓， 則掃描電極(Y)和維持電極(X)由壁電壓和Vs電壓而》文電。然后，相應(yīng) 于由子域指示的加權(quán)值，Vs電壓的維持放電脈沖施加到掃描電極(Y)的過 程以及Vs電壓的維持放電脈沖施加到維持電極(X)的過程;陂重復(fù)許多次。
這里，掃描電極(Y)的第一維持脈沖寬度(T2)或維持電極(X)的 第一維持放電脈沖寬度(T4)為2至7.5 |is。依照非限制實例，掃描電極(Y) 的第一維持脈沖寬度(T2)或維持電極(X)的第一維持放電脈沖寬度(T4) 的范圍從2至7 ps。掃描電極(Y)的維持放電脈沖寬度(T3)或維持電極 (X)的維持放電脈沖寬度(T5)為1至3.5 ps。依照非限制實例，掃描電 極(Y)的維持放電脈沖寬度(T3)或維持電極(X)的維持放電脈沖寬度 (T5)范圍為l至3ps。維持周期(T,)為9至25ps范圍內(nèi)。依照非限制實 例，維持周期(T,)范圍為10至25fis內(nèi)。
依照一個實施例，等離子體顯示面板由驅(qū)動波形驅(qū)動，并包括填充在其 中的放電氣體和采用摻雜Ca的MgO燒結(jié)材料制備的MgO保護(hù)層。等離子體顯示面板具有提高的驅(qū)動穩(wěn)定性、放電特性和顯示質(zhì)量。MgO保護(hù)層包
括基于MgO的含量的200至3000 ppm重量份的Ca。依照非限制實例，MgO 保護(hù)層包括基于MgO的含量的250至1500 ppm重量份的Ca。
當(dāng)Ca含量在此范圍內(nèi)時，可以減小統(tǒng)計延遲時間。當(dāng)Ca含量少于200 ppm時，提高的效果并不顯著。當(dāng)Ca含量多于3000 ppm時，放電延遲時間 增大。
依照一個實施例，MgO保護(hù)層的Ca存在濃度梯度，其中Ca的濃度從 MgO保護(hù)層接觸放電氣體的表面到MgO保護(hù)層與覆蓋顯示電極的介電層接 觸的表面增大。當(dāng)MgO保護(hù)層的Ca存在濃度梯度時，通過減少MgO產(chǎn)生 的二次電子發(fā)射的損失而提高放電穩(wěn)定性。另外，盡管在MgO保護(hù)層的表 面減少了Ca含量，由于在整個MgO保護(hù)層中沒有減少Ca含量，所以等離 子體顯示裝置的壽命沒有降低。
依照非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于MgO保護(hù)層的總重量的大于或 等于99.7 wt。/。的量的MgO。依照另一非限制實例，MgO保護(hù)層包括基于 MgO保護(hù)層的總重量的范圍從99.7至99.9 wt。/。的MgO。當(dāng)MgO含量大于 99.7 wt %時，通過在MgO保護(hù)層中減小除Ca之外的雜質(zhì)的含量并增大MgO 的純度而顯著減少形成延遲時間。
等離子體顯示裝置的制造方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，所以從此說明 書中將省略對其的詳細(xì)描述?，F(xiàn)在將描述依照本發(fā)明一個實施例的MgO保 護(hù)層的形成工藝。
MgO保護(hù)層將等離子體顯示裝置中覆蓋顯示電極的介電層的表面覆蓋 從而保護(hù)介電層在放電期間不受到放電氣體的離子碰撞。MgO保護(hù)層主要 由MgO構(gòu)成，MgO具有抗濺射性和高的二次電子發(fā)射系數(shù)。
MgO材料可以包括單晶或燒結(jié)材料。在MgO單晶材料的情況下，因為 沉積時熔融狀態(tài)下不同的冷卻速率導(dǎo)致了固溶度極限之間的差異，難于確定 特定摻雜元素的固定數(shù)量。
依照本發(fā)明一個實施例，在制備燒結(jié)MgO材料時添加一定數(shù)量的摻雜 元素Ca。控制MgO材料中添加的Ca含量使得MgO保護(hù)層中的Ca含量范 圍從200至3000 ppm范圍，或者，在非限制實例中，從250至1500 ppm范 圍。
保護(hù)層可以通過利用漿料(paste)的厚膜印刷法形成。然而，由于印刷的層對離子轟擊的抵抗較弱所以由厚膜印刷法形成的層具有相對劣勢，并且 不能通過二次電子發(fā)射降低放電維持電壓和放電點火電壓。因此，保護(hù)層優(yōu) 選地由物理氣相沉積形成。
由物理氣相沉積形成MgO保護(hù)層的方法優(yōu)選為等離子體沉積法。等離
子體沉積法包括利用電子束、沉積束(deposition beams )、離子鍍或磁控濺 射的方法。
此外，由于MgO保護(hù)層與放電氣體接觸，它的成分和膜特性顯著影響 放電特性。MgO保護(hù)層的特性顯著依賴沉積過程中的成分和涂敷條件。成 分應(yīng)選擇為滿足涂敷條件的要求。
后面的實例將更加詳細(xì)地說明本發(fā)明。然而，能夠理解的是本發(fā)明不限 于這些實例。
等離子體顯示裝置的制造 (比4交例1 )
根據(jù)常規(guī)工藝，條形的顯示電極形成在鈉鈣玻璃(soda lime glass )基板上。
玻璃漿料涂敷在基板上，該基板形成有顯示電極并且被燒制以提供第二 介電層。
包括基于MgO含量的3300 ppm重量份的Ca的MgO保護(hù)層通過離子 鍍形成在第二介電層上從而制作第二基板。MgO保護(hù)層包括基于MgO保護(hù) 層的總重量的99.7wt。/。的MgO。利用制作的第二基板制造等離子體顯示裝置。
(實例1 )
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的250 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。維持周期的維持脈沖寬度為2.1 ps，維持周期為 15 且維持周期的第一維持脈沖寬度為2.1 (is。同樣，放電氣體包括基于 100體積份Ne的11體積份Xe和35體積份He。 (實例2)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的2500 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt %的 MgO的MgO保護(hù)層之外。(實例3 )
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于
MgO含量的350 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。 (實例4)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的1500 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。 (實例5)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的700 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。 (實例6)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的3000 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.9wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。 (實例7)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的250 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.7wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。 (實例8)
依照與比較例1相同的方法制造等離子體顯示裝置，除了采用包括基于 MgO含量的250 ppm重量份的Ca和基于MgO保護(hù)層總重量的99.5wt%的 MgO的MgO保護(hù)層之外。
等離子體顯示裝置的放電延遲時間的測量
對于依照比較例1和實例1至8的等離子體顯示裝置的放電延遲時間進(jìn) 行測量。圖4示出了比較例1和實例1、 7和8的測量結(jié)果。 此外，實例2至6的測量結(jié)果在圖5中示出。
如圖4所示，依照實例1、 7和8的等離子體顯示裝置的統(tǒng)計延遲時間 比依照比較例1的等離子體顯示裝置短。此外，依照實例1的等離子體顯示 裝置的形成延遲時間比依照實例7和8的等離子體顯示裝置短。如圖5所示，當(dāng)MgO保護(hù)層分別包括350、 700、 1500、 2500和3000 ppm 的Ca時，統(tǒng)計延遲時間有變化。
如上所述，當(dāng)形成在覆蓋顯示電極的介電層上的MgO保護(hù)層包括200 至3000ppmCa時，等離子體顯示裝置具有提高的放電穩(wěn)定性。在該等離子 體顯示裝置中，維持周期的維持脈沖寬度為1至3.5 ps，維持周期為9至25 ps，且放電氣體包括基于100體積份Ne的5至30體積份Xe。
雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的一些實施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員可以理解在不脫離由權(quán)利要求及其等同物所界定的本發(fā)明的原理和精神 的范圍情況下，實施例可以進(jìn)行變化。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示裝置，包括等離子體顯示面板，包括設(shè)置在基板上的至少一對第一顯示電極和第二顯示電極；覆蓋所述至少一對第一顯示電極和第二顯示電極的介電層；和覆蓋所述介電層的MgO保護(hù)層；驅(qū)動所述等離子體顯示面板的驅(qū)動器；和將維持周期的維持脈沖寬度控制為1至3.5μs的控制器，其中所述MgO保護(hù)層包括基于MgO的含量的200至3000ppm重量份的Ca。
2. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述MgO保護(hù)層包括基 于MgO的含量的250至1500 ppm重量份的Ca。
3. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中在所述MgO保護(hù)層中的 Ca存在濃度梯度，Ca的濃度從所述MgO保護(hù)層的暴露于放電氣體的第一 表面到所述MgO保護(hù)層的接觸所述介電層的第二表面增大。
4. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述MgO保護(hù)層包括基 于所述MgO保護(hù)層的總重量的大于或等于99.7 wt。/。的MgO。
5. 權(quán)利要求4所述的等離子體顯示裝置，其中所述MgO保護(hù)層包括基 于所述MgO保護(hù)層的總重量的范圍從99.7至99.9 wt%的MgO。
6. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述維持脈沖寬度為1 至3.0 fxs。
7. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述維持周期為9至25(IS。
8. 權(quán)利要求7所述的等離子體顯示裝置，其中所述維持周期范圍從10 至25 ps。
9. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述維持周期的第一維持 脈沖寬度為2至7.5 fis。
10. 權(quán)利要求9所述的等離子體顯示裝置，其中所述維持周期的所述第 一維持脈沖寬度為2至7 ps。
11. 權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述等離子體顯示面板還包括含有基于100體積份Ne的5至30體積份Xe的》文電氣體。
12.權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其中所述放電氣體還包括基 于100體積份Ne的0至70體積份的選自由He、 Ar、 Kr、 02、 N2及其組合 構(gòu)成的組中的至少一種氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示裝置，其包括等離子體顯示面板、驅(qū)動等離子體顯示面板的驅(qū)動器以及將維持周期的維持脈沖寬度控制為1至3.5μs的控制器。該等離子體顯示面板包括設(shè)置在第一基板上的尋址電極、設(shè)置在第二基板上并與尋址電極交叉的一對第一和第二顯示電極、在第二基板上覆蓋第一和第二顯示電極的介電層、在第二基板上覆蓋介電層的MgO保護(hù)層、以及在第一和第二基板之間填充的放電氣體。MgO保護(hù)層包括基于MgO的含量的200至3000ppm重量份的Ca。所述等離子體顯示裝置因為減少了放電延遲時間而表現(xiàn)出提高的放電穩(wěn)定性和顯示質(zhì)量。
文檔編號G09G3/20GK101286282SQ20081009113
公開日2008年10月15日 申請日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月11日
發(fā)明者金基東 申請人:三星Sdi株式會社