專利名稱：顯示裝置、顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。
背景技術：
以往，已知像素電極以矩陣狀配置在透明基板上，通過對每個該
像素電極施加電壓而形成圖像的液晶顯示裝置、EL顯示裝置、等離子 體顯示裝置等顯示裝置。作為這些顯示裝置的驅動方式，公知有源矩 陣驅動方式，在有源矩陣驅動方式的顯示裝置中，在透明基板上以柵 格狀設置有柵極總線(掃描配線)和源極總線(信號配線)，在柵極總 線和源極總線的交叉部附近設置有TFT等開關元件。
例如在TFT上設置有從柵極總線分支的柵極電極、從源極總線分 支的源極電極、與像素電極連接的漏極電極。另外，在相對于包括有 像素電極的透明基板的位置，設有包括相對電極的透明基板。并且， 各個像素當從柵極總線接收到選擇信號時，通過從源極總線接收的信 號對像素電極和相對電極之間施加電壓而驅動。
在這樣的顯示裝置中，例如源極總線和柵極總線等那樣相互交叉 的配線彼此間產生泄漏的情況下，由于例如在該源極總線中比產生短 路的部分更前的部分，信號不被準確傳遞，所以產生不被正確顯示的 線狀的區(qū)域(線缺陷)。因此，作為在這樣的配線彼此的交叉部位修正 不良狀態(tài)產生的方法，已知例如專利文獻1和2所記載的技術。
專利文獻l:日本專利特開昭63-221325號公報
專利文獻2:日本專利特開2004-347891號公報

發(fā)明內容
在專利文獻1中公開有在配線的重疊部分加入一條狹縫，從該狹 縫的兩端通過激光照射而切斷，使短路部分孤立的技術。另外，在專 利文獻2中公開有在配線的重疊部分并列設置多條狹縫，在該狹縫形
4成部切斷配線的技術。
這樣，在當產生泄漏的情況下通過激光照射僅切離狹縫部分的方 法中，例如在泄漏產生部位存在狹縫寬度以上大小的殘膜或異物的情 況下，利用狹縫不能切離泄漏產生部位。這種情況下，需要超過狹縫 形成部位用激光在導電膜上進行切斷，但是激光切斷的切斷方向僅能
夠方向轉換90。，或者方向轉換90。對于操作的簡便性來說優(yōu)選。因 此，由于切斷的對象是導電膜，所以通過切斷也并不是能夠完全修正 泄漏，另外特別是角落部(激光的掃描方向轉換位置)會產生修正不 良。因此，作為這樣的問題的對策，考慮加長狹縫長度，但若過長， 則配線電阻變高，導致顯示性能下降。
本發(fā)明是鑒于上述問題而研發(fā)的，其目的在于提供一種不會伴隨 電阻上升，而能夠合適地修正導電層(配線)的泄漏產生部位等的顯 示裝置，進而另一 目的還在于提供一種這樣的顯示裝置的制造方法。
為了解決這樣的問題，本發(fā)明的顯示裝置，其包括第一導電層和
相對于上述第一導電層隔著絕緣層形成的第二導電層，其特征在于 包括上述第一導電層和上述第二導電層重疊的重疊部，在上述重疊部， 包括形成在上述第一導電層和上述第二導電層的至少一個上的狹縫部 和與該狹縫部隔著規(guī)定間隔形成的切口部。
根據這樣的顯示裝置，即使在第一導電層和第二導電層的重疊部 產生泄漏等不良狀態(tài)的情況下，只要切除連接狹縫部和切口部的導電 層，使狹縫部和與該狹縫部隔著規(guī)定間隔形成的切口部貫通，就能夠 切離該不良部位，能夠具備可靠性高的導電性能，以至于提供顯示品 質高的顯示裝置。另外，與狹縫部隔著規(guī)定間隔設置切口部，構成能 夠切斷不良部位的結構，所以能夠修正遍及比較大的面積的不良部位， 并且與單純地使狹縫部的長度延長而實現(xiàn)能夠修正的面積擴大的情況 相比，是能夠抑制導電層的電阻值增大，顯示性能難以隨之下降的結 構。另外，在本發(fā)明中重疊部也包括各導電層重疊的周邊，具體地包 括因異物混入而在重疊的導電層能夠產生泄漏的范圍。另外，作為重 疊部的具體例子，特別是能夠例示各導電層交叉的交叉部。
本發(fā)明中，能夠使上述狹縫部并列多個而形成，相對于各狹縫部 形成有上述切口部。根據這樣的結構，例如即使不良部位比較大的情
5況下也能夠進行修正，例如遍及多個狹縫產生不良狀態(tài)的情況下，只 要切除連接該多個狹縫的各導電層即可，另外，由于相對于各狹縫部 隔著規(guī)定間隔形成有上述切口部，所以能夠對于遍及這樣大的面積的 不良狀態(tài)進行應對。另外，通過狹縫部的并列結構、以及切口部相對 于并列的各狹縫部的設置，能夠在狹縫部的長度方向和與該長度方向 相交的方向(狹縫部的并列方向)的任一個上確定切斷方向，使該切 斷操作變得簡便。
另外，例如若切口部配置在狹縫部的延長線上，則利用激光照射 進行切斷時，可以在卯°相交的縱橫的任一個方向上進行掃描激光， 所以該激光的掃描變得簡便，乃至能夠提高照射精度。具體地，能夠 相對于狹縫部的長度方向切斷連接該狹縫部和切口部的導電層，相對 于狹縫部的并列方向，能夠切斷連接并列的狹縫部彼此的導電層、或 連接并列的切口部彼此的導電層。
在本發(fā)明中，能夠使上述切口部沿著上述狹縫部的長度方向形成 有多個。根據這樣的結構，能夠抑制導電層的電阻增大，并且能夠進 一步實現(xiàn)能夠修復的面積的擴大。
另外，能夠使上述切口部以棋盤格狀散布形成。根據這樣的結構， 切斷連接切口部彼此的導電層時，能夠在卯。方向轉換的縱橫任一方 向上確定切斷方向，如上述那樣，使切斷操作變得簡便。特別是，利 用激光照射進行切斷時，可以在棋盤格狀的切口部的任一個上將該激 光的掃描方向轉換卯。方向(即、能夠在不存在導電層的部位進行轉 換)，所以在轉換部分(掃描方向轉換位置)產生修正不良的問題也能 夠得以解決。
另外，能夠使上述切口部形成為一邊為6.0lim 10.0pm的矩形。 根據這樣的切口部，能夠提高利用激光照射的切斷精度。即，由于激 光的光輻為數(shù)pm，所以通過使切口部形成為一邊為6.0^im 10.0jim的 矩形，能夠實現(xiàn)排除浪費的切斷。切口部的一邊若不到6.0nm的情況 下，在導電層的存在部分存在需要使激光的掃描方向進行方向轉換的 情況，若超過10.(^m，則導電層的電阻值高過必要以上。
接著，為了解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，制造 包括第一導電層和與上述第一導電層隔著絕緣層形成的第二導電層的顯示裝置，該制造方法的特征在于，包括形成上述第一導電層的第 一導電層形成工序；在上述第一導電層上形成絕緣層的工序；在上述 絕緣層上以包括與上述第一導電層重疊的重疊部的形式形成第二導電 層的第二導電層形成工序；和在上述各導電層重疊的位置存在不良狀 態(tài)的情況下，修正該不良狀態(tài)的修正工序，其中，上述第一導電層形 成工序和上述第二導電層形成工序的至少一個工序包括在該第一導 電層和該第二導電層的至少一個上，在各導電層重疊的部位形成狹縫 部的狹縫部形成工序；和形成與該狹縫部隔著規(guī)定間隔配設的切口部 的切口部形成工序，上述修正工序包括對連接上述狹縫部和上述切口 部的導電層照射激光，切除上述不良部位的工序。
根據這樣的制造方法，由于能夠合適地修正不良部位，所以能夠 獲得可靠性高的導電功能，乃至能夠提供顯示品質高的顯示裝置。特 別是，由于設置切口部來切斷不良部位，所以能夠修正遍及比較大的 面積的不良部位，并且與單純地使狹縫部的長度延長而實現(xiàn)能夠修正 的面積擴大的情況相比，是能夠抑制導電層的電阻值增大，顯示性能 難以隨之下降的結構。
另外，能夠在上述狹縫部形成工序中，并列形成多個該狹縫部， 并且，在上述切口部形成工序中，相對于上述多個狹縫部分別形成切 口部。這種情況下，例如即使不良部位比較大的情況下也能夠進行修 正，例如遍及多個狹縫產生不良狀態(tài)的情況下，只要切除連接該多個 狹縫的各導電層即可，另外由于相對于各狹縫部隔著規(guī)定間隔形成有 切口部，所以能夠對遍及這樣大的面積的不良狀態(tài)進行應對。另外， 通過狹縫部的并列結構、以及切口部相對于并列的各狹縫部的設置， 能夠在狹縫部的長度方向和與該長度方向相交的方向(狹縫部的并列 方向)的任一個上確定切斷方向，使該切斷操作變得簡便。即，利用 激光照射進行切斷時，可以在90°相交的縱橫的任一個方向上進行掃 描激光，所以激光的掃描變得簡便，乃至能夠提高照射精度。具體地， 能夠相對于狹縫部的長度方向切斷連接該狹縫部和切口部的導電層， 相對于狹縫部的并列方向，能夠切斷連接并列的狹縫部彼此的導電層、 或連接并列的切口部彼此的導電層。
在上述切口部形成工序中，能夠沿著上述狹縫部的長度方向形成多個切口部。這種情況下，能夠抑制導電層的電阻增大，并且能夠進 一步實現(xiàn)能夠修復的面積的擴大。
另外，在上述切口部形成工序中，能夠使該切口部以棋盤格狀散
布形成。這種情況下，切斷連接切口部彼此的導電層時，能夠在90° 方向轉換的縱橫任一方向上確定切斷方向，如上述那樣，使切斷操作 變得簡便。具體地，由于可以在棋盤格狀的切口部的任一個上將激光 的掃描方向轉換90。方向(g卩、能夠在不存在導電層的部位進行轉換)， 所以在轉換部分(掃描方向轉換位置)產生修正不良的問題也能夠得 以解決。
另外，在上述切口部形成工序中，能夠使該切口部形成為一邊為 6.0nm 10.(Him的矩形。這種情況下，能夠提高切斷精度。艮P，由于 激光的光輻為數(shù)pm，所以通過使切口部形成為一邊為6.0pm 10.(Him 的矩形，能夠實現(xiàn)排除浪費的切斷。切口部的一邊若不到6.0|im的情 況下，在導電層的存在部分存在需要使激光的掃描方向轉換的情況， 若超過10.0nm，則導電層的電阻值高為必要以上。
根據本發(fā)明，能夠提供一種不會伴隨配線電阻上升，而能夠合適 地修正導電層(配線)的泄漏產生部位等的顯示裝置。
另外，本發(fā)明能夠提供一種包括同樣不會伴隨電阻上升，而能夠 合適地修正導電層(配線)的泄漏產生部位等的工序的顯示裝置的制 造方法。


圖1是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置的驅動電路和配 線結構的平面圖。
圖2是圖1的局部放大平面示意圖。 圖3是圖2的局部放大平面示意圖。 圖4是圖3的A-A線剖面示意圖。 圖5是圖3的B-B線剖面示意圖。
圖6是表示本實施方式的液晶顯示裝置起到的作用效果的說明圖。 圖7是表示像素的結構的平面示意圖。
圖8是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置的剖面結構的圖。圖9是示意性地表示切口部的一個變形例的圖。 圖IO是示意性地表示切口部的不同變形例的圖。 圖11是示意性地表示切口部的不同變形例的圖。 圖12是示意性地表示切口部的不同變形例的圖。 圖13是示意性地表示切口部的不同變形例的圖。 附圖標記說明
1液晶顯示裝置(液晶裝置)
2基板(元件基板)
3基板(相對基板)
20存儲電容線(第一導電層)
21外圍配線(第二導電層)
24柵極絕緣膜(絕緣層)
40交叉部(重疊部)
210a狹縫部
210b切口部
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的具體化顯示裝置的實施方式。在此， 作為顯示裝置的一個實施方式，對液晶顯示裝置進行說明。
圖1是關于本實施方式的液晶顯示裝置，示意性地表示驅動電路 和配線結構的平面圖，圖8是示意性地表示該液晶顯示裝置的剖面結 構的圖。另外，圖7是表示像素的結構的平面示意圖。
本實施方式的液晶顯示裝置1在一對基板2、 3間夾持液晶層4而 構成，在形成矩形的密封劑7的內側區(qū)域填充液晶層4。
基板2為元件基板，作為開關元件包括TFT16 (參照圖7)，以矩 陣狀設置有與該TFT16連接的像素電極17。
另一方面，基板3為相對基板，設置有在基板面整個面上配設的 共用電極6。
另外，在元件基板2上形成有從源極驅動器8對各像素供給圖像 信號的多個數(shù)據線18、從柵極驅動器9對各像素的TFT16供給掃描信 號的多個掃描線19、從源極驅動器8對各像素供給用于形成電容的電
9信號的存儲電容線20。另外，存儲電容線20經由連接在源極驅動器8 上的外圍配線21和接觸孔(后述)連接。
另外，如圖7所示，像素部具有液晶層4 (液晶元件)和存儲電容 并聯(lián)連接的結構。若TFT16為ON，則圖像信號(驅動電壓)向像素 部寫入，另一方面由于在該像素部上配設有存儲電容線20，所以在 TFT16變?yōu)镺FF后也由存儲電容保持該電壓。另外，存儲電容由配設 在上述存儲電容線20和像素電極17之間的柵極絕緣膜(后述)形成。
接著，圖2為放大圖1的虛線部分的平面示意圖。圖3為圖2的 局部放大平面圖。圖4為圖3的A-A線剖面圖。圖5為圖3的B-B線 剖面圖。
能夠將來自源極驅動器8 (參照圖1)的電信號供給存儲電容線(第 一導電層)20的外圍配線(第二導電層)21相對于存儲電容線20經 由接觸孔22連接。外圍配線21在與數(shù)據線18相同工序形成的配線層 (導電層)上由與數(shù)據線18同一層且同一材料構成，存儲電容線20 在與掃描線19同一工序形成的配線層上由與掃描線19同一層且同一 材料構成，這些外圍配線21和存儲電容線20隔著柵極絕緣膜24疊層 而成。
在此，這些外圍配線21和存儲電容線20如圖2 圖5所示以相互 交叉的關系配置，在其交叉部(重疊部)40上配設有產生短路等不良 狀態(tài)的情況下用于修正該不良狀態(tài)的不良狀態(tài)修正用狹縫部210a、 211a、 212a......(以下也總稱為狹縫部210a等)。該狹縫部210a等形
成在外圍配線21上。另外，同樣地，在交叉部40上，在狹縫部210a、 211a、212a......的長度方向上，形成有與該狹縫部210a、 211a、 212a......
隔著規(guī)定間隔配設的切口部210b、 210c、 210d、 210e、 211b、 211c、
211d、 211e、 212b、 212c、 212d、 212e......(以下也總稱為切口部210b
等)。并且，該切口部210b等也作為用于修正不良狀態(tài)的不良狀態(tài)修 正用切口部構成，形成在外圍配線21上。
狹縫部210a等構成多個狹縫等間隔并列的結構，其長度為 35.0lam 50.0pm (例如40.0[im)，其寬度為6.0pm 10.0nm (例如 6.0pm)，而相鄰的狹縫間隔(狹縫間距離、即間距)為30.0^im 50.0iam (例如45.0pm)。
10切口部210b等相對于并列配置的各個狹縫部210a、211a、212a......
在此左右對稱形成，沿著各狹縫部210a、 211a、 212a......的長度方向
形成有多個(本實施方式中為左右兩個共計四個)。結果，切口部210b 等以棋盤格狀散布，在此一邊為6.0nm 10.0pm (例如8.0pm)的矩形， 更具體地為正方形。另外，隔著狹縫部210a的第一個切口部210b和 切口部210d的距離為60.0jam 100.0nm (例如卯.Opm)，這些切口部 間的距離被設定為上述狹縫間距離的整數(shù)倍。另外，相鄰的切口部彼 此距離(例如切口部210e和切口部210d之間的距離)為15.0nm 25.0fim (例如22.5nm)。
另外，作為構成掃描線19和存儲電容線20的導電材料，能夠采 用例如由Ti/Al/Ti構成的材質，作為構成數(shù)據線18和外圍配線21的導 電材料，能夠采用例如由Ti/Al構成的材質。另外作為介設于存儲電容 線20和外圍配線21之間的柵極絕緣膜24，除了氧化硅外，還能夠采 用由氧化硅與半導體材料的疊層膜、氧化硅與半導體材料與SOG(Spin OnGlass:旋涂玻璃)的疊層膜、或由氧化硅與SOG (Spin On Glass: 旋涂玻璃)的疊層膜等構成的材質。另外，如圖4和圖5所示，在外 圍配線21上形成有由氧化硅等構成的鈍化膜25。
根據這樣結構的液晶顯示裝置，例如在存儲電容線20和外圍配線 21的交叉部40，如圖6所示即使在混入異物30而在兩配線間產生泄 漏等不良狀態(tài)的情況下，也能夠合適地進行不良狀態(tài)修正。
具體地，如圖6所示為了使狹縫部210a和切口部210b貫通，而 通過基于激光照射的激光切斷(激光照射部由附圖標記32表示)切斷 連接該狹縫部210a和切口部210b的導電層21a (外圍配線21)，如果 同樣地由激光切斷(激光照射部32)切斷連接切口部210b和切口部 210c的導電層21b (外圍配線21)，由激光切斷(激光照射部33)切 斷連接切口部210c和切口部211c的導電層21e (外圍配線21)，由激 光切斷(激光照射部34)切斷連接切口部211c和切口部211b的導電 層21c (外圍配線21)，由激光切斷(激光照射部34)切斷連接切口部 211b和狹縫部211a的導電層21d (外圍配線21)，則能夠使該不良部 分即異物30電孤立，能夠修正泄漏等引起的問題。
這種情況下，在狹縫部210a等的延長線上設置切口部210b等，形成能夠切斷不良部位的結構，所以能夠修正遍及大面積的不良部位，
即使比較大的異物混入也能夠應對。特別是，與單純地延長狹縫部210a 等的長度而進行實現(xiàn)能夠修正的面積的情況相比，是能夠抑制外圍配 線21的電阻值增大，顯示性能難以隨之下降的結構。
另外，在本實施方式中，狹縫部210a等分別并列多個而形成，對 各狹縫部210a等形成有切口部210b等，該切口部210b等形成棋盤格 狀。通過這樣的狹縫部210a等的并列結構、以及切口部210b等相對 于并列的各狹縫部210a等的設置，能夠在狹縫部210a等的長度方向 和與該長度方向相交的方向(狹縫部210a等的并列方向)的任一個方 向上確定上述切斷方向，該切斷操作變得簡便。具體地，如上所述進 行激光切斷時，在90。相交的縱橫的任一個方向上掃描激光即可，所以 該激光的掃描變得簡單，乃至能夠提高照射精度。具體地，能夠相對 于狹縫部210a等的長度方向，切斷連接該狹縫部210a等和切口部210b 等的外圍配線21，能夠相對于狹縫部210a等的并列方向，切斷連接并 列的狹縫部210a等彼此的外圍配線21或連接并列的切口部210b等彼 此的外圍配線21。
另夕卜，切口部210b等形成為一邊為6.(Him 10.0iim的矩形，這種 情況下，能夠提高激光切斷的精度。即，由于激光的光輻為數(shù)pm，所 以通過將切口部210b等形成為一邊為6.0)irn 10.(^m的矩形，能夠實 現(xiàn)沒有浪費的切斷。當切口部210b等的一邊不到6.0pm的情況下，在 存在外圍配線21的部分需要轉換激光的掃描方向，若超過10.0nm，則 外圍配線21的電阻值高過必要以上。
接著，說明液晶顯示裝置的制造方法。
在此，主要說明包括修正工序的制造工序。
首先，準備由透射性的玻璃基板構成的一對基板2、 3。
之后，相對于基板2形成掃描線19和存儲電容線20，并且在這些 配線上形成柵極絕緣膜24，進而在該柵極絕緣膜24上形成數(shù)據線18 以及外圍配線21。另外，在此存儲電容線20和外圍配線21如圖3 圖5所示在顯示區(qū)域的外部相互交叉形成。
另外，在形成外圍配線21的工序中，通過使用光刻法的掩模蝕刻 形成圖3 圖5所示圖案的狹縫部210a等和切口部210b等。另外，在
12基板2上進而形成TFT16，并且形成像素電極17，在像素電極17上形 成取向膜(省略圖示)。
另一方面，在基板3上根據必要形成彩色濾光片(省略圖示)，并 且形成共用電極6。另外，在共用電極6上形成取向膜(省略圖示)。
然后，對這些形成電極等的各基板2、 3中的至少一個形成密封劑 7，將液晶滴落在該密封劑7的內側，并且將各基板2、 3隔著密封劑7 粘合，另外形成偏光板等，制造圖1和圖8所示的結構的液晶顯示裝 置1。
在此，在本實施方式的制造方法中，在上述存儲電容線20和外圍 配線21的交叉部40 (參照圖3 圖5)中，在混入圖6所示的異物30 的情況下，為了修正在存儲電容線20和外圍配線21之間可能產生的 泄漏而進行修正工序。修正工序通過將連接上述狹縫部210a等以及切 口部210b等的外圍配線21激光切斷而進行。
具體地，如圖6所示，為了使狹縫部210a和切口部210b貫通， 而通過基于激光照射的激光切斷(激光照射部32)切斷連接該狹縫部 210a和切口部210b的導電層21a (外圍配線21)。另外，同樣地由激 光切斷(激光照射部32)切斷連接切口部210b和切口部210c的導電 層21b (外圍配線21)，由激光切斷(激光照射部33)切斷連接切口部 210c和切口部211c的導電層21e (外圍配線21)，由激光切斷(激光 照射部34)切斷連接切口部211c和切口部211b的導電層21c (外圍配 線21)，由激光切斷(激光照射部34)切斷連接切口部211b和狹縫部 211a的導電層21d (外圍配線21)。由此能夠使該不良部位即異物30 的混入位置電孤立，能夠修正泄漏等引起的問題。
根據包括以上那樣的修正工序的本實施方式的制造方法，能夠提 供可靠性高的液晶顯示裝置。即，在兩個配線20、 21的交叉部，形成 有狹縫部210a等和切口部210b等，所以即使混入比較大的異物等的 情況下在該混入部位也能夠實施修正，能夠遍及大范圍修正不良狀態(tài) 產生。另外，通過不是單純地延長狹縫部210a等而擴大修正范圍，而 使在狹縫部210a等的延長方向上形成切口部210b等，實現(xiàn)修正范圍 的擴大，所以也難以產生該外圍配線21的配線電阻上升。
另外，特別是如本實施方式的制造方法所示，在通過激光切斷使異物部位孤立的方式中，通過將矩形(在此為正方形)的切口部210b 等以棋盤格狀排列，從而能夠以90。方向轉換進行激光照射的掃描方向 (光源的掃描方向)的轉換。即，如圖6所示，在切斷連接棋盤格狀 的各切口部210b等的外圍配線21的情況下，如激光切斷部32、 33、 34所示能夠將激光照射的掃描方向確定在垂直相交的縱橫任一個方向 上。因此，該激光照射的掃描方向轉換能夠通過90。方向轉換實現(xiàn)，而 且能夠使該轉換位置為切口部210b等的配設位置，能夠防止該轉換位 置的切斷不良的發(fā)生。即，由于能夠在不存在外圍配線21的位置上進 行方向轉換，所以能夠實現(xiàn)不伴隨配線切除的方向轉換，能夠回避在 該方向轉換位置容易產生的切斷不良。另外，在本實施方式中，在修 正工序之前具有檢査異物30等的存在的檢查工序。
以上，表示的是本發(fā)明的實施方式，但是本發(fā)明不限于由上述記 述和相應附圖所說明的實施方式，例如以下的實施方式也包括在本發(fā) 明的技術范圍中。
(1) 在上述實施方式中，在外圍配線21上形成狹縫部210a等和 切口部210b等，但是也可以形成在存儲電容線20上。
(2) 在上述實施方式中，在外圍配線21和存儲電容線20交叉的 區(qū)域，配設有狹縫部210a等和切口部210b等，但是在其他各種導電 層交叉的區(qū)域也可以配設這些狹縫部和切口部。
(3) 在上述實施方式中例示表示液晶顯示裝置，但是例如關于 EL顯示裝置、等離子體顯示裝置等，也能夠采用本發(fā)明的結構。
(4) 在上述實施方式中全部以等間距形成切口部，但是例如也可 以第二列以后的間距拉開距離。具體地，如圖9所示能夠形成對第一 狹縫部210a形成第一列的切口部210b、 210d以及第二列切口部210c、 210e，而對第二狹縫211a形成第一列切口部211b、 211d，省略第二列
的切口部的結構。
(5) 在上述實施方式中，對于狹縫部210a等形成左右兩列切口 部210b等，但是只要在配線電阻的容許范圍內，形成多少列都可以。 例如能夠如圖IO所示形成左右四列。
(6) 在上述實施方式中切口部210b等形成四方形，但是只要形 成具有比激光的光輻大的幵口徑的切口即可，則例如圖11所示也能夠形成圓形的切口部310b等。
(7) 另外，在上述實施方式中，在狹縫210a的兩端形成切口部 210b、 210d等，但是例如圖12所示，也可以在狹縫210a的單側形成 切口部210b。
(8) 另外，在狹縫210a的單側形成切口部210b的情況下，例如 圖13所示，能夠在數(shù)據線18和掃描線19交叉的部分(交叉部40)， 形成該狹縫210a和切口部210b。這種情況下，在數(shù)據線18和掃描線 19之間因異物混入產生短路的情況下，能夠通過沿著圖13的虛線所示 的部位照射激光，使該短路部位孤立(絕緣)。另外，在圖13中，附 圖標記18a為源極電極，附圖標記41為漏極電極，從掃描線19對柵 極電極(省略圖示)供給掃描信號，則源極電極18a和漏極電極41導 通，從源極電極18a對漏極電極41供給數(shù)據信號，經由觸點43對像 素電極(省略圖示)輸送數(shù)據信號。
權利要求
1.一種顯示裝置，其包括第一導電層和與所述第一導電層隔著絕緣層形成的第二導電層，其特征在于包括所述第一導電層和所述第二導電層重疊的重疊部，在所述重疊部，包括形成在所述第一導電層和所述第二導電層的至少一個上的狹縫部和與該狹縫部隔著規(guī)定間隔形成的切口部。
2. 如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述狹縫部并列多個而形成，相對于各狹縫部形成有所述切口部。
3. 如權利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于 所述切口部形成在所述狹縫部的延長線上。
4. 如權利要求1 3中任一項所述的顯示裝置，其特征在于-所述切口部沿著所述狹縫部的長度方向形成有多個。
5. 如權利要求1 4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于-所述切口部以棋盤格狀散布形成。
6. 如權利要求1 5中任一項所述的顯示裝置，其特征在于-所述切口部形成為一邊為6.0(am 10.0iam的矩形。
7. —種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有第一導電層和與所 述第一導電層隔著絕緣層形成的第二導電層，該制造方法的特征在于，包括形成所述第一導電層的第一導電層形成工序； 在所述第一導電層上形成絕緣層的工序；在所述絕緣層上以包括與所述第一導電層重疊的重疊部的形式形 成第二導電層的第二導電層形成工序；和在所述各導電層重疊的位置存在不良狀態(tài)的情況下，修正該不良 狀態(tài)的修正工序，其中，所述第一導電層形成工序和所述第二導電層形成工序的至 少一個工序包括在該第一導電層和該第二導電層的至少一個上，在 各導電層重疊的部位形成狹縫部的狹縫部形成工序；和形成與該狹縫 部隔著規(guī)定間隔配設的切口部的切口部形成工序，所述修正工序包括對連接所述狹縫部和所述切口部的導電層照射 激光，切除所述不良部位的工序。
8. 如權利要求7所述的顯示裝置的制造工序，其特征在于 在所述狹縫部形成工序中，并列形成多個該狹縫部，并且 在所述切口部形成工序中，相對于所述多個狹縫部分別形成切口部。
9. 如權利要求7或8所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 在所述切口部形成工序中，沿著所述狹縫部的長度方向形成多個切口部。
10. 如權利要求7 9中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其特 征在于在所述切口部形成工序中，以棋盤格狀散布形成該切口部。
11. 如權利要求7 10中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其 特征在于在所述切口部形成工序中，將該切口部形成為一邊為6.0pm 10.0pm的矩形。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示裝置、顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的液晶裝置(1)的特征在于其包括第一導電層(20)和與所述第一導電層(20)隔著絕緣層形成的第二導電層(21)，并且包括所述第一導電層(20)和所述第二導電層(21)交叉的交叉部(40)，在所述交叉部(40)，包括形成在所述第一導電層(20)和所述第二導電層(21)的至少一個上的狹縫部(210a)和與該狹縫部(210a)隔著規(guī)定間隔形成的切口部(210b)。
文檔編號G09F9/30GK101517623SQ20078003574
公開日2009年8月26日 申請日期2007年4月6日 優(yōu)先權日2006年9月29日
發(fā)明者中川英俊 申請人:夏普株式會社