專利名稱：：用于驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)顯示器的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的領(lǐng)域涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。
背景技術(shù)：
：微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包含微機(jī)械元件、激活器和電子元件。可使用沉積、蝕刻和或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機(jī)電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機(jī)械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對(duì)導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在特定實(shí)施例中，一個(gè)板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個(gè)板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個(gè)板相對(duì)于另一個(gè)板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項(xiàng)技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的系統(tǒng)、方法和裝置每一者均具有若干方面，其中任何單個(gè)方面均不僅僅負(fù)責(zé)其期望的屬性。在不限定本發(fā)明范圍的情況下，現(xiàn)將簡(jiǎn)要論述其較突出的特征。考慮此論述之后，且尤其在閱讀標(biāo)題為"具體實(shí)施方式"的部分之后，將了解本發(fā)明的特征如何提供優(yōu)于其它顯示器裝置的優(yōu)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，一種顯示器裝置包含MEMS顯示器元件陣列；至少一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件；及連接到測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以在不激活測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的情況下監(jiān)視測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)，并基于所述偏轉(zhuǎn)而提供指示影響MEMS顯示器元件陣列的操作的--個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的信號(hào)。在另一實(shí)施例中，一種顯示器裝置包含MEMS顯示器元件陣列；形成于襯底上的測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列，每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件并聯(lián)連接；及連接到測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列的偏轉(zhuǎn)感10測(cè)電路，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以監(jiān)視測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列的電容，并基于所述電容而提供指示影響MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的信號(hào)。在另一實(shí)施例中，一種驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器陣列的方法包含將電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上，其中所述電壓經(jīng)選擇以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持為未激活的；測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)；及至少部分地基于偏轉(zhuǎn)測(cè)量而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列。在另一實(shí)施例中，一種驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器陣列的方法包含將可變電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上，所述可變電壓包含直流(DC)分量；將DC分量的電壓調(diào)整到一值，以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持為未激活的；及至少部分地基于所述值而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列。在另一實(shí)施例中，一種顯示器裝置包含用于顯示圖像數(shù)據(jù)的構(gòu)件；用于提供指示影響顯示器構(gòu)件的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的信號(hào)的構(gòu)件；及用于基于所述信號(hào)而驅(qū)動(dòng)顯示構(gòu)件的構(gòu)件。在另一實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)可讀媒體包含用于致使電路將電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上的構(gòu)件，其中所述電壓經(jīng)選擇以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持為未激活的；用于致使電路測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)的構(gòu)件；及用于致使電路至少部分地基于偏轉(zhuǎn)測(cè)量而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列的構(gòu)件。在另一實(shí)施例中，一種計(jì)算機(jī)可讀媒體包含用于致使電路將可變電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上的構(gòu)件，所述可變電壓包含DC分量；用于致使電路將DC分量的電壓調(diào)整到一值以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同的構(gòu)件，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持為未激活的；及用于致使電路至少部分地基于所述值而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列的構(gòu)件。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個(gè)實(shí)施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于激活位置.l。圖2是說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個(gè)示范性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡位置對(duì)所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明在圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一示范性幀。圖5B說明可用于寫入圖5A的幀的行和列信號(hào)的一示范性時(shí)序圖。圖6A和6B是說明包括多個(gè)干涉式調(diào)制器的視覺顯示器裝置的實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實(shí)施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實(shí)施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實(shí)施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實(shí)施例的橫截面。圖8為處于釋放(或松弛)狀態(tài)中的干涉式調(diào)制器60的一個(gè)實(shí)施例的透視說明。圖9為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例說明干涉式調(diào)制器的溫度(x軸)與偏置電壓(y軸)之間的關(guān)系的圖表。圖10為示意性地說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)框圖，且其中驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)配置以基于目前溫度而提供激活信號(hào)來驅(qū)動(dòng)陣列30。圖11說明圖10中的測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的一個(gè)實(shí)施例。圖12A為說明圖10中的傳感器66的一個(gè)實(shí)施例的功能框圖。圖12B說明可由圖12A中的電壓源70施加的電壓信號(hào)的一實(shí)例。圖13為示意性地說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的另一實(shí)施例的系統(tǒng)框圖，所述實(shí)施例類似于圖IO所述的實(shí)施例，但包括測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)陣列72(或測(cè)試陣列)而非測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62。圖14為說明驅(qū)動(dòng)圖IO中所說明的顯示器中的干涉式調(diào)制器陣列的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖15為說明驅(qū)動(dòng)圖IO中所說明的顯示器中的干涉式調(diào)制器陣列的方法的另一實(shí)施例的流程圖。具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)描述針對(duì)本發(fā)明的某些特定實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實(shí)施。在本描述內(nèi)容中參看了附圖，附圖中所有相同部分用相同標(biāo)號(hào)表示。如從以下描述中將了解，所述實(shí)施例可實(shí)施在經(jīng)配置以顯示不論運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預(yù)期所述實(shí)施例可12實(shí)施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動(dòng)電話、無線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計(jì)算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝像機(jī)、游戲控制臺(tái)、手表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機(jī)視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機(jī)的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對(duì)于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應(yīng)用中。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示器元件的一個(gè)干涉式調(diào)制器顯示器的實(shí)施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮("接通"或"開啟")狀態(tài)下，顯示器元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當(dāng)在黑暗("斷開"或"關(guān)閉")狀態(tài)下時(shí)，顯示器元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實(shí)施例而定，可顛倒"接通"和"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的顏色處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個(gè)相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對(duì)反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個(gè)可變尺寸的諧振光學(xué)間隙。在一個(gè)實(shí)施例中，可在兩個(gè)位置之間移動(dòng)所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動(dòng)反射層定位成距固定部分反射層相對(duì)較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中'可移動(dòng)反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動(dòng)反射層的位置而定，從所述兩個(gè)層反射的入射光相長(zhǎng)地或相消地進(jìn)行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖i中像素陣列的所描繪部分包含兩個(gè)相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動(dòng)反射層14a處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動(dòng)反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學(xué)堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer),所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由例如各種金屬、半導(dǎo)體和電介質(zhì)等部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一個(gè)或一個(gè)以上材料層形成，且所述層的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施例中，光學(xué)堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個(gè)平行條帶，且如下文中進(jìn)一步描述，可在顯示器裝置中形成行電極?？梢苿?dòng)反射層14a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當(dāng)蝕刻移除犧牲材料時(shí)，可移動(dòng)反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示器裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，間隙19保留在可移動(dòng)反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動(dòng)反射層14a處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當(dāng)將電位差施加到選定的行和列時(shí)，形成在相應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動(dòng)反射層14變形且被迫抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對(duì)非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到5B說明在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個(gè)示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實(shí)施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerPC、ALPHA),或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項(xiàng)技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22連通。在一個(gè)實(shí)施例中，所述陣列驅(qū)動(dòng)器22包含將信號(hào)提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24和列驅(qū)動(dòng)器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對(duì)于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。可能需要(例如)IO伏的電位差來促使可移動(dòng)層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時(shí)，可移動(dòng)層在電壓降回IO伏以下時(shí)維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實(shí)施例中，可移動(dòng)層直到電壓降到2伏以下時(shí)才完全松弛。因此，在圖3中說明的實(shí)例中存在約3到7V14的所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對(duì)于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計(jì)行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約IO伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實(shí)例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計(jì)在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因?yàn)楦缮媸秸{(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動(dòng)反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認(rèn)所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而激活對(duì)應(yīng)于所確認(rèn)的列線的像素。接著改變所述組已確認(rèn)列電極以對(duì)應(yīng)于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認(rèn)的列電極而激活行2中的適當(dāng)像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中。可以連續(xù)方式對(duì)整個(gè)系列的行重復(fù)此工藝以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復(fù)此工藝來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動(dòng)像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、5A和5B說明用于在圖2的3X3陣列上形成顯示幀的一個(gè)可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實(shí)施例中，激活像素涉及將適當(dāng)列設(shè)定為-Vb,as,且將適當(dāng)行設(shè)定為+AV，其分別可對(duì)應(yīng)于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的+AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實(shí)現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vblas還是-Vblas，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)列設(shè)定為+Vb^，且將適當(dāng)行設(shè)定為-AV。在此實(shí)施例中，釋放像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為-Vb^，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的-AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實(shí)現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行和列信號(hào)的時(shí)序圖，所述系列的行和列信號(hào)將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對(duì)圖5A中說明的幀進(jìn)行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實(shí)例中所有行均處于O伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀15態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(l，l)、(1,2)、(2，2)、(3,2)和(3,3)被激活。為了實(shí)現(xiàn)此目的，在行l(wèi)的"線時(shí)間(linetime)"期間，將列l(wèi)和2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。因?yàn)樗邢袼鼐Ａ粼?-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(l，l)和(1,2)像素且松弛了(1,3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏，且將列1和3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2,2)且松弛像素(2,1)禾Q(2,3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏來類似地設(shè)定行3。行3選通設(shè)定行3像素，如圖5A中所示。在對(duì)幀進(jìn)行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個(gè)行和列的陣列。還將應(yīng)了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時(shí)序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實(shí)例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示器裝置40的實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。顯示器裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動(dòng)電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示器裝置。顯示器裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng)46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個(gè)實(shí)施例中，外殼41包含可移除部分(未圖示)，所述可移除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標(biāo)記、圖畫或符號(hào)的可移除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示器裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實(shí)施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實(shí)施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意說明示范性顯示器裝置40的一個(gè)實(shí)施例的組件。所說明的示范性顯示器裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41.中的額外組件。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，示范性顯示器裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包含耦合到16收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)(例如，對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，所述陣列驅(qū)動(dòng)器22進(jìn)而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示器裝置40設(shè)計(jì)的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示器裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有某些處理能力以減輕對(duì)處理器21的要求。天線43是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的用于傳輸和接收信號(hào)的任何天線。在一個(gè)實(shí)施例中，所述天線根據(jù)正EE802.11標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來傳輸和接收RF信號(hào)。在另一實(shí)施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標(biāo)準(zhǔn)來傳輸和接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設(shè)計(jì)以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機(jī)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的已知信號(hào)。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收到的信號(hào)，使得處理器21可接收所述信號(hào)并進(jìn)一步對(duì)所述信號(hào)進(jìn)行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號(hào)使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示器裝置40傳輸所述信號(hào)。在一替代實(shí)施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示器裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常是指識(shí)別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級(jí)。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示器裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號(hào)傳輸?shù)綋P(yáng)聲器45，且用于從麥克風(fēng)46接收信號(hào)。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示器裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動(dòng)器22。具體來說，驅(qū)動(dòng)器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進(jìn)行掃描的時(shí)間次序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將己格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管驅(qū)動(dòng)器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨(dú)立的集成電路(IC)，但可以許多方式實(shí)施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動(dòng)器22從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時(shí)數(shù)千個(gè)引線。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22是常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動(dòng)器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此實(shí)施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實(shí)施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含千涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示器裝置40的操作。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、或者壓敏或熱敏薄膜。在一個(gè)實(shí)施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示器裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時(shí)，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示器裝置40的操作。電源50可包含此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實(shí)施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實(shí)施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實(shí)施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動(dòng)器控制器中，所述驅(qū)動(dòng)器控制器可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些實(shí)施例中，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動(dòng)器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述優(yōu)化可實(shí)施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實(shí)施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個(gè)不同實(shí)施例。圖7A是圖1的實(shí)施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動(dòng)反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動(dòng)反射層1814從可包括柔性金屬的可變形層34懸置下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實(shí)施例具有支柱插塞42，可變形層34擱置在所述支柱插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動(dòng)反射層14保持懸置在隙上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，所述平坦化材料用以形成支柱插塞42。圖7E中說明的實(shí)施例是基于圖7D中展示的實(shí)施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實(shí)施例以及未圖示的額外實(shí)施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實(shí)施例中，已使用金屬或其它導(dǎo)電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許信號(hào)沿著干涉式調(diào)制器的背面進(jìn)行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實(shí)施例的實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器充當(dāng)直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對(duì)。在這些實(shí)施例中，反射層14以光學(xué)方式遮蔽在反射層的與襯底20相對(duì)側(cè)的干涉式調(diào)制器的部分，其包含可變形層34。這允許對(duì)遮蔽區(qū)域進(jìn)行配置和操作而不會(huì)消極地影響圖像質(zhì)量。這種遮蔽允許實(shí)現(xiàn)圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，所述總線結(jié)構(gòu)44提供使調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如，尋址與由所述尋址導(dǎo)致的移動(dòng))分離的能力。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機(jī)電方面和光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料且使其彼此獨(dú)立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實(shí)施例具有源自反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機(jī)械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料在光學(xué)性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料在所要的機(jī)械性質(zhì)方面得以優(yōu)化。由控制系統(tǒng)施加的、將干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)鏡置于激活狀態(tài)中所必需的電壓量稱為激活電壓。舉例來說，如圖3所說明，激活電壓為約9到10伏，以使得施加約-10伏或約+10伏便會(huì)激活干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層14b(如圖l所說明)，且施加約O伏便會(huì)松弛干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層14a(如圖1所說明)。激活電壓可隨著時(shí)間而變化，此歸因于許多因素，包括(例如)溫度、干涉儀的機(jī)電性質(zhì)的變化及機(jī)械鏡的物理磨損(還稱為"老化")。將需要存在補(bǔ)償此激活電壓變化的方式，以改進(jìn)調(diào)制器的操作。下文將描述的某些實(shí)施例監(jiān)視干涉式元件的物理變化，且利用所監(jiān)視到的變化來調(diào)整激活電壓。所述物理變化可指示可影響MEMS顯示器元件的顯示器陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)。所述參數(shù)可包括(例如)溫度，干涉儀的機(jī)電性質(zhì)的變化及機(jī)械鏡的物理磨損。通過利用所監(jiān)視到的變化來調(diào)整激活電壓，所述實(shí)施例提供一種方式以補(bǔ)償所述參數(shù)的變化。在下文的論述中，選擇溫度作為一實(shí)例來說明所述實(shí)施例。然而，應(yīng)注意，所述實(shí)施例同樣可用于補(bǔ)償其它因素(例如，干涉式調(diào)制器的老化)，且并非打算受限于溫度補(bǔ)償。所述因素(例如，干涉式調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)的變化及機(jī)械鏡的物理磨損)中的一些因素通常僅在大量使用后或在經(jīng)過某一量的時(shí)間后才會(huì)影響偏置電壓。然而，溫度在短時(shí)期內(nèi)影響可移動(dòng)反射層14的特性，且可致使操作干涉式調(diào)制器所需的電壓發(fā)生顯著變化。視使用干涉式調(diào)制器的環(huán)境條件(舉例來說，如并入于在亞利桑那州(Arizona)夏季期間放置于汽車的儀表板上的裝置上的顯示器中，或并入于暴露在冬季零下溫度的裝置中)而定，顯著溫度變化可在幾小時(shí)或甚至幾分鐘內(nèi)發(fā)生。通過感測(cè)存在于此類裝置中的一位置處的溫度并利用使所感測(cè)的溫度與在所述溫度下操作干涉式調(diào)制器所需的必要電壓相關(guān)的預(yù)定信息，可通過依據(jù)溫度來調(diào)整偏置電壓及/或驅(qū)動(dòng)電壓而有效地驅(qū)動(dòng)顯示器以在廣泛溫度范圍內(nèi)操作。圖8為處于釋放(或松弛)狀態(tài)中的干涉式調(diào)制器60的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。干涉式調(diào)制器60包括處于透明襯底20上的光學(xué)堆疊16，光學(xué)堆疊16通常包括電極層、吸收層及介電層(未分別展示)。襯底20的相對(duì)厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于光學(xué)堆疊16的厚度。舉例來說，在一些實(shí)施例中，襯底20的厚度為約700)jm，而光學(xué)堆疊16的厚度為約1)am或更小。在一些實(shí)施例中，襯底20為玻璃。支撐件18為通過空腔19而與光學(xué)堆疊16分開的可移動(dòng)反射層14提供支撐?？梢苿?dòng)反射層14可包括第一材料11的相對(duì)較薄層及第二材料13的相對(duì)較厚層。在圖8的實(shí)施例中，第一材料11為安置于約300埃厚的層中的鋁，而第二材料13為安置于約1000埃厚的層中的鎳。在其它實(shí)施例中，第一材料11及第二材料13可包含其它材料，例如，一種或一種以上鋁合金。在其它實(shí)施例中，第一材料11與第二材料13的厚度也可不同。在一些實(shí)施例中，可移動(dòng)反射層14可為單片的，僅包括均勻單一層，所述層由(例如)鎳、鎳合金、鋁或鋁合金構(gòu)成。在其它實(shí)施例中，可移動(dòng)反射層14可包括兩個(gè)以上的材料層。在一些實(shí)施例中，第一材料11的層可比第二材料13的層厚，此可改變主要材料的應(yīng)力與應(yīng)變關(guān)系。在干涉式調(diào)制器中通過干涉式調(diào)制器的溫度變化而引發(fā)的應(yīng)力及所得應(yīng)變可顯著地影響可移動(dòng)反射層14的移動(dòng)。應(yīng)力為主體施加于鄰接部分上的每單位面積的力，而應(yīng)變?yōu)閼?yīng)力所引起的尺寸變形或變化。抗應(yīng)力性及彈性極限兩者均取決于固體的成分。當(dāng)主體受拉時(shí)，據(jù)稱其處于張力或張應(yīng)力下，而當(dāng)其被推時(shí)，則其處于壓縮或壓縮應(yīng)力下。一般認(rèn)為張應(yīng)力為正，而認(rèn)為壓縮應(yīng)力為負(fù)。當(dāng)材料的溫度變化時(shí)，主體根據(jù)制造主體所用材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)而膨脹或收縮。干涉式調(diào)制器的正常操作溫度可為20(例如)約-4(TC到+7(TC。當(dāng)溫度變化時(shí)，襯底20、可移動(dòng)反射層14的第一材料11及第二材料13根據(jù)其相應(yīng)CTE以不同方式膨脹及收縮。所述兩種不同材料的此膨脹及收縮在可移動(dòng)反射層14中引發(fā)應(yīng)變，此在可移動(dòng)反射層14中引起對(duì)應(yīng)的應(yīng)力變化。盡管第一材料11的層及第二材料13的層兩者依據(jù)其相應(yīng)CTE所表示的溫度而膨脹及收縮，但較厚層(例如，第二材料13)的CTE支配膨脹量或收縮量。由于襯底20大得多的厚度，所以襯底20的膨脹及收縮支配襯底20及光學(xué)堆疊16的膨脹量及收縮量。通常，襯底20的CTE小于第二材料13的層的CTE，使得當(dāng)參考溫度變化時(shí)第二材料13的層膨脹及收縮的程度大于襯底20膨脹及收縮的程度。然而，支撐件18約束可移動(dòng)反射層14相對(duì)于襯底20的膨脹及收縮。因此，當(dāng)溫度變化時(shí)，可移動(dòng)反射層14在可移動(dòng)反射層14的平面x及y方向上經(jīng)歷應(yīng)變變化，且還在可移動(dòng)反射層14的x及y方向上發(fā)生對(duì)應(yīng)的應(yīng)力(CT)變化。可移動(dòng)反射層14的應(yīng)力影響其在激活與未激活位置之間移動(dòng)的能力，且因此而影響偏置電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底20包含顯示級(jí)康寧(Corning)1737，其是CTE為3.76X10—6/°C的鋁硅酸鹽玻璃。鋁硅酸鹽玻璃的典型成分為55.0%的Si02、7.0%的B203、10.4%的A1203、21.0%的CaO及1.0%的Na20。圖9為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例說明干涉式調(diào)制器的溫度(x軸)與偏置電壓(y軸)之間的關(guān)系的圖表。如圖9所示，在某溫度范圍內(nèi)，干涉式調(diào)制器的偏置電壓與干涉式調(diào)制器的溫度近似相反地相關(guān)，例如，當(dāng)干涉式調(diào)制器的溫度增加時(shí)，偏置電壓便減小。視干涉式調(diào)制器的滯后特性而定，甚至偏置電壓的較小變化(例如，在一些實(shí)施例中，約0.25伏或更小)也可顯著影響干涉式調(diào)制器的操作。在圖9的圖表中，在約25'C的溫度變化期間，偏置電壓變化約0.25伏。如圖9說明，溫度變化在可移動(dòng)反射層14的平面x及y方向上引起應(yīng)力的增加或減小，此會(huì)影響偏置電壓。經(jīng)施加以控制干涉式調(diào)制器60的基于溫度的電壓補(bǔ)償可有利地用于保持干涉式調(diào)制器60—致地操作。通常，當(dāng)干涉式調(diào)制器的溫度增加時(shí)，提供較低激活電壓，而當(dāng)溫度降低時(shí)，提供較高激活電壓。如上所述，施加到干涉式調(diào)制器的激活電壓為施加到干涉式調(diào)制器的兩個(gè)電壓之間的差值，所述兩個(gè)電壓可為列電壓(例如，Vbias)及行電壓。在本文所述的實(shí)施例中，所施加的行電壓并不變化超過+AV或-AV(例如，參看圖4)。然而，施加到列的電壓可由陣列驅(qū)動(dòng)器22(例如)根據(jù)溫度來進(jìn)行調(diào)整，從而提供補(bǔ)償溫度的激活電壓并在滯后窗口中心附近保持偏置電壓。以下方程式說明偏置電壓(本文還稱為操作電壓(Vopp))、應(yīng)力(a)及溫度(T)之間的關(guān)系21、°^方程式1a-cr。+AAr方程式2其中o。為(例如)參考溫度下的殘留應(yīng)力，且k為常數(shù)。典型參考溫度為約攝氏25度的室溫。作為一個(gè)實(shí)施例中所述參數(shù)之間的關(guān)系的實(shí)例，溫度每增加攝氏1度便導(dǎo)致可移動(dòng)反射層中的應(yīng)力發(fā)生2MPa的變化且導(dǎo)致操作電壓發(fā)生11mV的變動(dòng)。在一普通實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器60的層14內(nèi)的應(yīng)力(o)為張應(yīng)力，此意味著o大于或等于零。層14中的殘留應(yīng)力(7。是指處于松弛(未激活)狀態(tài)時(shí)參考溫度下的應(yīng)力，其為用于制造干涉式調(diào)制器60的工藝的結(jié)果。制造工藝影響殘留應(yīng)力a。，因?yàn)楦缮媸秸{(diào)制器60暴露于各種處理溫度下且因?yàn)閷?4最初形成于最終要移除的犧牲層上。在圖8中，相對(duì)于單位面積17而展示層14內(nèi)沿相應(yīng)x軸及y軸的應(yīng)力CTx及(Jy。由干涉式調(diào)制器的溫度變化導(dǎo)致的激活電壓變化可由如下方程式展示方程式3其中L為干涉式調(diào)制器的支撐件之間的距離，h為反射層14移過的氣隙厚度，a(T)為可移動(dòng)反射層14中依據(jù)參考溫度T而變的應(yīng)力，而t為可移動(dòng)反射層14的厚度。氣隙、可移動(dòng)反射層的厚度及支撐件之間的距離在干涉式調(diào)制器的設(shè)計(jì)期間進(jìn)行選擇，且因此，一旦調(diào)制器制成便不會(huì)經(jīng)受變化。應(yīng)力a對(duì)溫度的相關(guān)性可描述為c^(7o-(JT(T)，其中ao為制成之后可移動(dòng)反射層14中參考溫度下的殘留應(yīng)力，如上所述，此殘留應(yīng)力由第二材料13的CTE支配?？梢苿?dòng)反射層14與襯底20之間的熱膨脹失配導(dǎo)致熱應(yīng)變及為熱膨脹失配的函數(shù)的所得熱應(yīng)力。舉例來說，在可移動(dòng)反射層14為鎳且襯底20為康寧(Corning)玻璃1737的情況下，熱失配(ACTE)可描述為ACTE二oc廣a2方程式422其中Od-13.0x10—6廠C(鎳的CTE)，而c^3.76X1(tVC(康寧(Corning)玻璃1737的CTE)。熱應(yīng)變st則可描述為￡T=(ACTE)(AT)方程式其中AT為相對(duì)于參考溫度的溫度變化。所得熱應(yīng)力則可描述為ot(T)-E,eT:EKACTE)(AT)方程式6其中E,為鎳的彈性模數(shù)，而AT為相對(duì)于參考溫度的溫度變化。激活電壓則可描述為溫度的函數(shù)，如以下方程式的任一者所示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>方程式7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>方程式8其中AT為相對(duì)于參考溫度的溫度變化。方程式8將激活電壓展示為圖7的線性近似。應(yīng)注意，k,及k2為常數(shù)，其簡(jiǎn)化了激活電壓方程式的表示?？梢苿?dòng)反射層14的殘留應(yīng)力在制造期間可通過選擇最小化可移動(dòng)反射層14與襯底20之間的CTE失配的變量、所用的每一材料(例如，第一材料11及第二材料13)的層的厚度及調(diào)制器制造技術(shù)而被控制在某一程度上。如方程式8所示，激活電壓視例如1^及k2的某些常數(shù)而定。然而，所述常數(shù)經(jīng)受例如老化的非線性效應(yīng)，且因此長(zhǎng)遠(yuǎn)來看可能發(fā)生改變。因此，計(jì)及所述效應(yīng)的溫度補(bǔ)償裝置是優(yōu)選的。圖10為示意性地說明一并入3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的實(shí)施例的系統(tǒng)框圖，且其中驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)配置以基于溫度而提供激活信號(hào)來驅(qū)動(dòng)陣列30。圖10的框圖說明耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器電路的溫度感測(cè)電路66。傳感器66感測(cè)溫度相關(guān)參數(shù)，并將基于溫度的信號(hào)提供到陣列驅(qū)動(dòng)器22。傳感器66可包括傳感器電路的各種實(shí)施例，例如，感測(cè)溫度并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)信號(hào)的電路，或受溫度影響以使得來自傳感器的信號(hào)對(duì)應(yīng)于溫度的電路。舉例來說，傳感器66可包括電阻隨溫度變化的熱敏電阻器(未圖示)。由于電阻對(duì)溫度的已知相關(guān)性，所以電阻器可用作溫度傳感器。在一些實(shí)施例中，傳感器66包含熱電偶。然而，所述裝置具有若干缺點(diǎn)，因?yàn)槠潆m然可提供可用以基于上述線性關(guān)系而調(diào)整陣列驅(qū)動(dòng)器輸出的溫度相關(guān)的輸出，但所述裝置并不與顯示器元件以相同方式對(duì)老化或環(huán)境應(yīng)力作出反應(yīng)。因此，顯示器元件的溫度相關(guān)性可隨著時(shí)間而變化，此根本未被基于熱電偶或熱敏電阻器的系統(tǒng)所計(jì)及在內(nèi)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，傳感器66包含與顯示器陣列30的顯示器元件具有類似構(gòu)造的測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62。傳感器66經(jīng)配置以直接監(jiān)視MEMS顯示器元件的物理變化(例如，偏轉(zhuǎn))，從而使得陣列驅(qū)動(dòng)器22可利用對(duì)所述變化的了解來調(diào)整驅(qū)動(dòng)信號(hào)以補(bǔ)償溫度變化。此類型的溫度相關(guān)裝置可預(yù)期與顯示器元件本身以類似方式對(duì)老化及其它應(yīng)力作出反應(yīng)。因此，可預(yù)期比熱電偶或熱敏電阻器允許更為準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)器補(bǔ)償。在示范性實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62形成具有溫度相關(guān)電容的可變電容器。測(cè)試電路64通過監(jiān)視測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的電容而監(jiān)視偏轉(zhuǎn)，且視溫度而產(chǎn)生信號(hào)。在一些實(shí)施例中，還可通過例如光學(xué)機(jī)制的其它方法來監(jiān)視偏轉(zhuǎn)。測(cè)試電路64可利用各種技術(shù)(例如，交流(AC)電容電橋或振動(dòng)積分靜電計(jì))來監(jiān)視電容。稍后將在圖12A及圖12B中詳細(xì)描述一并入AC電容電橋的實(shí)施例。視所要的特定實(shí)施方案而定，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62可位于各種位置處。測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的位置優(yōu)選經(jīng)確定以使得測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62操作時(shí)所處的溫度與陣列30的干涉式調(diào)制器操作時(shí)所處的溫度具有預(yù)定關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62位于顯示器陣列30的周邊上。盡管顯示器陣列30在示范性實(shí)施例中包含干涉式調(diào)制器，但其可替代地包含其它形式的MEMS顯示器元件。在所述情況下，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62與顯示器中所用的任何MEMS顯示器元件結(jié)構(gòu)具有類似構(gòu)造。圖11說明圖10中的測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的一個(gè)實(shí)施例。在示范性實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62與顯示器陣列30的干涉式調(diào)制器具有類似構(gòu)造。測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62包含測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14類似于圖8中的可移動(dòng)反射層14。測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62可進(jìn)一步包含支撐件18及襯底20。在一些實(shí)施例中，襯底20進(jìn)一步包含處于襯底20的頂部上的光學(xué)堆疊16,但是，如果不利用結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)，則無需堆疊的光學(xué)活性部分(例如，上文所述的鉻)。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14包含用于制造陣列30的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)24反射層14的相同材料。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14通過用于制造陣列30的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層的相同工藝制造。測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層可同時(shí)或依序制造。測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件可或可不與干涉式調(diào)制器制造于相同襯底上。在某些實(shí)施例中，將具有大體上恒定的DC分量的電壓施加到測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62。大體上恒定的DC分量經(jīng)選擇以使得測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62保持為未激活。在一些實(shí)施例中，DC分量為標(biāo)稱參考溫度(例如，正常室溫)下所施加的偏置電壓。在一些實(shí)施例中，大體上恒定的電壓為DC偏置AC信號(hào)，例如，DC偏置方波。AC分量的振幅與DC分量的振幅相比可相對(duì)較小。舉例來說，AC分量的振幅可為DC分量的5%或更小。AC分量的周期可遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于結(jié)構(gòu)62的機(jī)械響應(yīng)時(shí)間，且如果情況確實(shí)如此，則振幅不需要必須較小。一般來說，所施加電壓的DC分量使膜變形視溫度而定的量，且AC分量產(chǎn)生經(jīng)過裝置的AC電流，所述AC電流可用于確定電容。通過利用類似于顯示器元件的測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)而提供若干益處。第一，因?yàn)榭蛇B續(xù)或幾乎連續(xù)地監(jiān)視偏轉(zhuǎn)，所以其提供對(duì)溫度的連續(xù)或幾乎連續(xù)的測(cè)量。第二，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)與顯示器元件的偏轉(zhuǎn)經(jīng)受類似的非線性效應(yīng)(例如，老化)，因?yàn)槠渚哂蓄愃平Y(jié)構(gòu)。因此，除溫度之外，通過利用測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步為所述非線性效應(yīng)對(duì)顯示器元件的影響提供補(bǔ)償。另一方面，具有不同結(jié)構(gòu)的傳感器(例如，熱敏電阻器)與顯示器元件經(jīng)受不同的非線性效應(yīng)。所述非線性效應(yīng)可影響溫度補(bǔ)償?shù)臏?zhǔn)確性。在某些實(shí)施例中，大體上在顯示器元件由驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)的同時(shí)且以相同方式驅(qū)動(dòng)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，以使得測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)與顯示器元件以相同方式發(fā)生老化。當(dāng)進(jìn)行偏轉(zhuǎn)測(cè)量時(shí)，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)并不由用于驅(qū)動(dòng)顯示器元件的所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)。在圖IO所說明的實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22經(jīng)配置以利用其從傳感器66所接收的信號(hào)提供對(duì)應(yīng)于溫度的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)陣列30。在一個(gè)實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22利用存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器中的預(yù)定查找表來基于所接收的基于溫度的信號(hào)來確定適當(dāng)電壓以提供到陣列。在另一實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22(或處理器21)中的電路可近似圖9所說明的曲線(例如，將溫度與操作電壓之間的關(guān)系近似為線性)，且隨后利用溫度與操作電壓之間的界定關(guān)系將與所接收的基于溫度的信號(hào)成比例的信號(hào)提供到陣列30。在示范性實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62與存在于陣列30中的干涉式調(diào)制器具有類似的結(jié)構(gòu)配置。通常，此測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)并不用于輸出針對(duì)顯示用途的光。測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的總尺寸尺度可與陣列30內(nèi)的干涉式調(diào)制器的總尺寸尺度類似或不同。視預(yù)期測(cè)試測(cè)量目標(biāo)而定，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的總尺寸或特定尺寸可相對(duì)于陣列30的干涉式調(diào)制器而改變。在一些實(shí)施例中，使測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62制造得比陣列30的干涉式調(diào)制器尺度大，以增加電容變化對(duì)溫度變動(dòng)的敏感性。在替代實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62具有與陣列30的那些結(jié)構(gòu)配置不同的結(jié)構(gòu)配置。在一些實(shí)施例中，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62及陣列30的干涉式調(diào)制器分別具有溫度的第一及第二偏轉(zhuǎn)函數(shù)，其中第一及第二函數(shù)彼此具有預(yù)定關(guān)系。當(dāng)在測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14與光學(xué)堆疊16(或襯底20)之間施加恒定電壓VJ寸，形成于測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14與光學(xué)堆疊16之間的電容器變?yōu)閹щ姷?。靜電力致使測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14移向光學(xué)堆疊16。當(dāng)電壓恒定時(shí)，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14與光學(xué)堆疊16之間的距離d,視測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14的柔性而定。在一些實(shí)施例中，恒定電壓Vr經(jīng)選擇以使得測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14向下變形，但在操作期間為未激活的。在某個(gè)實(shí)施例中，恒定電壓Vr經(jīng)選擇為用于驅(qū)動(dòng)調(diào)制器的固定參考電壓中的一者。如上所述，當(dāng)溫度變化時(shí)，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14中的應(yīng)力發(fā)生變化。當(dāng)溫度升高時(shí)，測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14變得較具柔性，且因此距離山由于電壓Vr而減小。元件的電容隨后增加。當(dāng)溫度降低時(shí)，電容器的電容減小。因此，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62形成具有溫度相關(guān)電容的可變電容器。通過監(jiān)視電容變化，測(cè)試電路64(參看圖10)產(chǎn)生指示溫度的信號(hào)。圖12A為說明圖10中的傳感器66的一個(gè)實(shí)施例的功能框圖。電壓源70將預(yù)定AC電壓信號(hào)施加到電容電橋。電容電橋包含兩個(gè)可變電阻器R!及R2、固定電容器Cs及測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62所形成的可變電容器C"在一些實(shí)施例中，電容電橋可進(jìn)一步包含兩個(gè)固定電阻器Rs及Rx。為了測(cè)量測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的電容，對(duì)可變電阻器R,及R2的電阻進(jìn)行調(diào)整，以平衡電橋并使Vab=0。當(dāng)電橋平衡時(shí)，測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的電容可按如下方式計(jì)算Cx=Cs*Rl/R2方程式9隨后將測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的電容作為指示溫度的信號(hào)發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。為了確定電橋是否平衡，監(jiān)視點(diǎn)a與點(diǎn)b之間的電壓電位差Vab。當(dāng)Vab處在大體上接近于0的預(yù)定閾值以下時(shí)，電橋?yàn)槠胶獾?。在一些?shí)施例中，電流傳感器連接于點(diǎn)a與b之間。當(dāng)電流處于預(yù)定閾值以下時(shí)，電橋?yàn)槠胶獾?。在一些?shí)施例中，傳感器66包含經(jīng)配置以控制傳感器的操作的控制器。舉例來說，控制器可經(jīng)配置以測(cè)量Vab且確定電橋是否平衡；調(diào)整可變電阻器R,及R2的電阻以平衡電橋；當(dāng)電橋平衡時(shí)，確定可變電阻器R,及R2的電阻；計(jì)算可變電容器62的電容；及基于所感測(cè)的電容而將信號(hào)發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22?？刂破骺蔀檫m合于控制電路操作的任何電子裝置。在其它實(shí)施例中，測(cè)試電路64不包含控制器。在所述情況下，陣列驅(qū)動(dòng)器22或處理器21(參看圖IO)可經(jīng)配置以控制測(cè)試電路64的操作。測(cè)試電路64可位于各種位置處，此視所要的特定實(shí)施方案而定。測(cè)試電路64可位于或可不位于測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件62附近。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試電路64位于陣列驅(qū)動(dòng)器22或處理器21(參看圖10)中。圖12B說明可由圖12A中的電壓源70施加的電壓信號(hào)的一實(shí)例。垂直軸表示信號(hào)的電壓，而水平軸則表示時(shí)間。電壓信號(hào)為DC偏置方波，其最大值為Vde+Va而其最小值為Vdc-Va。DC偏置電壓Vdc為恒定電壓值，其經(jīng)選擇以使得可變電容器62經(jīng)受接近于參考電壓K的電壓。如關(guān)于圖ll所論述，^為使測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62變形但并未激活測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的預(yù)定參考電壓。與DC分量相比，AC分量的振幅可相對(duì)較小。在一些實(shí)施例中，V&及Va分別為IO伏及O.I伏。在另一實(shí)施例中，傳感器66包含反饋回路(未圖示)，以在溫度變化時(shí)使可變電容器62的電容保持恒定。將可變偏移值V。f^t與圖12B中的電壓信號(hào)相加，且將所得電壓信號(hào)施加到可變電容器62。在參考溫度To處，V。ffset設(shè)定為0。電阻器R,及R2的電阻經(jīng)調(diào)整以使得電橋平衡(即，Vab=0)。當(dāng)溫度變化時(shí)，反饋回路基于Vab的測(cè)定值而調(diào)整V。ffset，直到電橋平衡。傳感器66隨后將偏移電壓V。ffset或總電壓Vdc+V。ffset的值作為指示溫度的信號(hào)發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。在所述情況下，陣列驅(qū)動(dòng)器22可直接基于偏移電壓來調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓，而無需計(jì)算溫度。假如測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62與陣列30的干涉式調(diào)制器具有相同結(jié)構(gòu)，則陣列驅(qū)動(dòng)器22可通過將所測(cè)量的偏移電壓與經(jīng)配置以在參考溫度下起作用的驅(qū)動(dòng)電壓相加而于任一溫度下簡(jiǎn)單地產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓。如上所述，傳感器66的操作可受控于傳感器內(nèi)部的控制器、受控于處理器21或受控于陣列驅(qū)動(dòng)器22。圖13為示意性地說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的另一實(shí)施例的系統(tǒng)框圖，所述實(shí)施例類似于圖IO所述的實(shí)施例，但包括測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)陣列72(或測(cè)試陣列)而非單一測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62。測(cè)試陣列72包含與圖11所述的測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)相類似的兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62，其中每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62并聯(lián)連接。測(cè)試陣列72因此形成可變電容器，所述可變電容器的電容為每一者由一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62形成的電容器的電容的總和。測(cè)試電路64此刻以與圖12A及圖12B所述的方式相同的方式工作，除了測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62所形成的可變電容器現(xiàn)由測(cè)試陣列72所形成的可變電容器替代。在一些實(shí)施例中，測(cè)試陣列72與陣列30相比相對(duì)較小。測(cè)試陣列可包含(例如)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的10X10陣列，其中行彼此短接且列彼此短接。在包含一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62的傳感器66中，可能可變電容器62的電容過小而以致于在測(cè)量期間被噪聲所淹沒且潛在地被雜散電容所模糊。使測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62比陣列2730的干涉式調(diào)制器處于更大尺度中將提供對(duì)溫度變動(dòng)的敏感性的有限增加。又，如果所述一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62失效，則傳感器66將完全停止發(fā)揮作用。圖13所說明的示范性實(shí)施例通過并聯(lián)連接(例如)測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)62所形成的100個(gè)可變電容器而解決所述兩個(gè)問題。敏感性增加(例如)約100倍。即使測(cè)試陣列的一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)失效，傳感器66仍將工作。圖14為說明驅(qū)動(dòng)圖IO所說明的顯示器中的干涉式調(diào)制器陣列的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。視實(shí)施例而定，可將所述方法的某些步驟移除、合并在一起或按順序重新布置。下文的步驟可由傳感器66、陣列驅(qū)動(dòng)器22或處理器21(參看圖10)執(zhí)行。舉例來說，陣列驅(qū)動(dòng)器22可具有存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的固件或軟件，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器包含用于致使陣列驅(qū)動(dòng)器22執(zhí)行所述方法的構(gòu)件。方法1400開始于框1410，其中將電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14上。電壓經(jīng)選擇以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14保持為未激活。在一些實(shí)施例中，所述電壓為恒定電壓，例如，經(jīng)施加以驅(qū)動(dòng)陣列30的固定參考電壓。在一些實(shí)施例中，電壓大體上恒定。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓為DC偏置AC信號(hào)，例如，DC偏置方波。AC分量的振幅與DC分量的振幅相比可相對(duì)較小。舉例來說，AC分量的振幅可為DC分量的振幅的5呢或更小。接著，在框1420處，測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14的溫度相關(guān)偏轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施例中，通過測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14與襯底20之間的電容而測(cè)量偏轉(zhuǎn)。移到框1430，至少部分地基于偏轉(zhuǎn)測(cè)量而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列30。圖15為說明驅(qū)動(dòng)圖IO所說明的顯示器中的干涉式調(diào)制器陣列的方法的另一實(shí)施例的流程圖。視實(shí)施例而定，可將所述方法的某些步驟移除、合并在一起或按順序重新布置。下文的步驟可由傳感器66、陣列驅(qū)動(dòng)器22或處理器21(參看圖10)執(zhí)行。舉例來說，陣列驅(qū)動(dòng)器22可具有存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的固件或軟件，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器包含用以致使陣列驅(qū)動(dòng)器22執(zhí)行所述方法的構(gòu)件。方法1500開始于框1510，其中將包含DC分量的可變電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14上。所述可變電壓經(jīng)選擇以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14保持為未激活。在一些實(shí)施例中，所述可變電壓可為具有可變振幅的DC信號(hào)，例如，經(jīng)施加以驅(qū)動(dòng)陣列30的固定參考電壓。在一些實(shí)施例中，所述可變電壓為DC偏置AC信號(hào)，例如，DC偏置方波。AC分量的振幅與DC分量的振幅相比相對(duì)較小。舉例來說，AC分量的振幅可為DC分量的振幅的5%或更小。28接下來，在框1520處，基于所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14的偏轉(zhuǎn)而將DC分量的電壓調(diào)整到一值，以使得所感測(cè)的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同。參考值為所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件處于參考溫度下時(shí)所測(cè)量的偏轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施例中，由反饋回路根據(jù)指示所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14的偏轉(zhuǎn)的信號(hào)而調(diào)整DC分量的電壓。在操作期間所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持為未激活。在一些實(shí)施例中，通過測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件14與襯底20上的電極之間的電容而測(cè)量偏轉(zhuǎn)。移到步驟1530，至少部分地基于DC分量的電壓的值而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列30。在一些實(shí)施例中，基于所述值提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而無需計(jì)算溫度。前述說明詳細(xì)描述了本發(fā)明的某些實(shí)施例。然而，應(yīng)了解，無論文中的前述內(nèi)容看上去如何詳細(xì)，本發(fā)明仍可以許多方式進(jìn)行實(shí)踐。應(yīng)注意，在描述本發(fā)明的某些特征或方面時(shí)對(duì)特定術(shù)語的使用不應(yīng)視為暗示在本文中將所述術(shù)語重新定義為局限于包括本發(fā)明的與所述術(shù)語相關(guān)聯(lián)的特征或方面的任何特定特性。權(quán)利要求1.一種顯示器裝置，其包含MEMS顯示器元件陣列；至少一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件；以及連接到所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以在不激活所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的情況下監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)，并基于所述偏轉(zhuǎn)而提供信號(hào)，所述信號(hào)表示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包含連接到所述陣列及所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路的驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)配置以至少部分地基于從所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路傳送的所述信號(hào)而提供信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述陣列。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路位于所述驅(qū)動(dòng)電路中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中每一MEMS顯示器元件包含干涉式調(diào)制器，所述干涉式調(diào)制器包含電極層、偏轉(zhuǎn)元件及由所述電極層與所述偏轉(zhuǎn)元件界定的間隙，其中所述偏轉(zhuǎn)元件響應(yīng)于施加于所述偏轉(zhuǎn)元件與所述電極層之間的電壓而在所述間隙內(nèi)移動(dòng)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)是影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的函數(shù)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中指示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的所述信號(hào)包含指示所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)的信號(hào)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件形成于襯底上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以通過監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間的電容而監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以將大體上恒定的電壓施加于所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以將施加于所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間的所述電壓調(diào)整到第一電壓，以使得所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的裝置，其中指示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的所述信號(hào)包含所述第一電壓。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中當(dāng)參考電壓施加于所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間且所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件處于參考溫度時(shí)，所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)處于所述參考值。13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件及所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件分別具有第一及第二機(jī)電響應(yīng)，其中所述第一與第二機(jī)電響應(yīng)彼此具有預(yù)定關(guān)系。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述第一及第二機(jī)電響應(yīng)每一者均為溫度的函數(shù)。15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件大體上相同。16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的尺度大體上大于所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件的尺度。17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件由大體上相同的材料制成。18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件由大體上相同的工藝形成。19.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件大體上同時(shí)形成。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列形成于共同襯底上。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以大體上連續(xù)地監(jiān)視偏轉(zhuǎn)。22.根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其進(jìn)一步包含處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其進(jìn)一步包含驅(qū)動(dòng)器電路，所述驅(qū)動(dòng)器電路經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送到所述顯示器。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其進(jìn)一步包含控制器，所述控制器經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一個(gè)部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其進(jìn)一步包含圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及傳輸器中的至少一個(gè)者。27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其進(jìn)一步包含輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含溫度。29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含老化。30.—種顯示器裝置，其包含MEMS顯示器元件陣列；測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列，其形成于襯底上，每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件并聯(lián)連接；以及偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路，其連接到所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列的電容，并基于所述電容而提供信號(hào)，所述信號(hào)表示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中每一MEMS顯示器元件包含干涉式調(diào)制器，所述干涉式調(diào)制器包含電極層、偏轉(zhuǎn)元件及由所述電極層與所述偏轉(zhuǎn)元件界定的間隙，其中所述偏轉(zhuǎn)元件響應(yīng)于施加于所述偏轉(zhuǎn)元件與所述電極層之間的電壓而在所述間隙內(nèi)移動(dòng)。32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)為影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的函數(shù)。33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中指示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的所述信號(hào)包含指示所述電容的信號(hào)。34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以將通用且大體上恒定的電壓施加于每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以將施加于每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間的所述通用電壓調(diào)整到第一電壓，以使得每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中指示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的所述信號(hào)包含所述第一電壓。37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中當(dāng)參考電壓施加于每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述襯底之間且所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件處于參考溫度時(shí)，所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)處于所述參考值。38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件及所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件分別具有第一及第二機(jī)電響應(yīng)，其中所述第一與第二機(jī)電響應(yīng)彼此具有預(yù)定關(guān)系。39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的裝置，其中所述第一及第二機(jī)電響應(yīng)每一者均為溫度的函數(shù)。40.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件大體上相同。41.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件由大體上相同的材料制成。42.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件由大體上相同的工藝形成。43.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列與所述干涉式調(diào)制器陣列的所述偏轉(zhuǎn)元件大體上同時(shí)形成。44.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列與所述干涉式調(diào)制器陣列形成于共同襯底上。45.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其進(jìn)一步包含連接到所述MEMS顯示器元件陣列及所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路的驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)配置以基于從所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路傳送的所述信號(hào)而提供信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述MEMS顯示器元件陣列。46.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以阻止每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件被激活。47.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含溫度。48.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含老化。49.一種驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器陣列的方法，所述方法包含將電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上，其中選擇所述電壓以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持未激活；測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)；以及至少部分地基于所述偏轉(zhuǎn)測(cè)量而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列。50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中測(cè)量偏轉(zhuǎn)包含測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與襯底之間的電容。51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述電壓大體上恒定。52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中所述偏轉(zhuǎn)為影響所述干涉式調(diào)制器陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的函數(shù)。53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含溫度。54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含老化。55.—種驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器陣列的方法，所述方法包含將可變電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上，所述可變電壓包含DC將所述DC分量的所述電壓調(diào)整到一值，以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持未激活；以及至少部分地基于所述值而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列。56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的方法，其中至少部分地基于所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與襯底之間的電容而測(cè)量所述偏轉(zhuǎn)。57.—種顯示器裝置，其包含顯示構(gòu)件，其用于顯示圖像數(shù)據(jù)；提供構(gòu)件，其用于提供信號(hào)，所述信號(hào)表示影響所述顯示構(gòu)件的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)；以及驅(qū)動(dòng)構(gòu)件，其用于基于所述信號(hào)而驅(qū)動(dòng)所述顯示構(gòu)件。58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的裝置，其中所述顯示構(gòu)件包含干涉式調(diào)制器陣列。59.根據(jù)權(quán)利要求57所述的裝置，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含溫度。60.根據(jù)權(quán)利要求57所述的裝置，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含老化。61.根據(jù)權(quán)利要求58所述的裝置，其中所述用于提供信號(hào)的構(gòu)件包含測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列，其形成于襯底上，每一測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件并聯(lián)連接；以及偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路，其連接到所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件陣列的電容，并基于所述電容而提供指示影響所述干涉式調(diào)制器陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的信號(hào)。62.—種計(jì)算機(jī)可讀媒體，其包含用于致使電路將電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上的構(gòu)件，其中所述電壓經(jīng)選擇以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持未激活；用于致使電路測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)的構(gòu)件；以及用于致使電路至少部分地基于所述偏轉(zhuǎn)測(cè)量而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列的構(gòu)件。63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中用于致使電路測(cè)量偏轉(zhuǎn)的構(gòu)件包含用于致使電路測(cè)量所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與襯底之間的電容的構(gòu)件。64.根據(jù)權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中所述電壓為大體上恒定的。65.根據(jù)權(quán)利要求62所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中所述偏轉(zhuǎn)為影響所述干涉式調(diào)制器陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的函數(shù)。66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含溫度。67.根據(jù)權(quán)利要求65所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)包含老化。68.—種計(jì)算機(jī)可讀媒體，其包含用于致使電路將可變電壓施加于一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件上的構(gòu)件，所述可變電壓包含DC分量；用于致使電路將所述DC分量的所述電壓調(diào)整到一值以使得所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)與參考值大體上相同的構(gòu)件，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件保持未激活；以及用于致使電路至少部分地基于所述值而將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到干涉式調(diào)制器陣列的構(gòu)件。69.根據(jù)權(quán)利要求68所述的計(jì)算機(jī)可讀媒體，其中所述偏轉(zhuǎn)至少部分地基于所述一個(gè)或一個(gè)以上測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件與襯底之間的電容而測(cè)量。全文摘要本發(fā)明揭示用于驅(qū)動(dòng)MEMS裝置的顯示器的系統(tǒng)及方法。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示器裝置包含MEMS顯示器元件陣列；至少一個(gè)測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件；及連接到所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路，所述偏轉(zhuǎn)感測(cè)電路經(jīng)配置以在不激活所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的情況下監(jiān)視所述測(cè)試偏轉(zhuǎn)元件的偏轉(zhuǎn)，并基于所述偏轉(zhuǎn)提供指示影響所述MEMS顯示器元件陣列的操作的一個(gè)或一個(gè)以上參數(shù)的信號(hào)。文檔編號(hào)G09G3/34GK101501750SQ200780029703公開日2009年8月5日申請(qǐng)日期2007年6月12日優(yōu)先權(quán)日2006年6月21日發(fā)明者杰弗里·B·桑普塞爾申請(qǐng)人:高通Mems科技公司