專利名稱：密封裝置和利用該密封裝置制造顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種密封裝置和利用該密封裝置制造顯示裝置的方法，更具 體地講，本發(fā)明涉及一種包括用于局部照射光的掩模的密封裝置和利用該密 封裝置制造顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基底，提供有像素區(qū)和非像素區(qū)；容器 或基底，與上述基底相對(duì)設(shè)置用來包封，并且通過密封劑(例如，環(huán)氧樹脂) 附于上述基底。
在基底的像素區(qū)中形成以矩陣形式連接在掃描線和數(shù)據(jù)線之間的多個(gè)發(fā) 光器件，發(fā)光器件包括陽(yáng)極和陰極以及形成在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)薄膜層， 有機(jī)薄膜層具有空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層。
然而，由于發(fā)光器件包含有機(jī)材料，所以發(fā)光器件易受氫和氧的影響， 并且由于陰極由金屬材料形成，所以發(fā)光器件容易被空氣中的潮氣氧化，使 得發(fā)光器件的電學(xué)特性和發(fā)光特性劣化。為了防止這種問題，通過將吸濕材 料以粉末形式放置在由金屬材料形成的罐或杯形式的容器中或者玻璃或塑料
基底上、或者通過將吸濕材料以膜的形式與容器或基底結(jié)合來去除從外部滲 透的潮氣。
然而，以粉末形式放置吸濕材料的方法使工藝復(fù)雜并且增加材料成本和 工藝成本，從而增加顯示裝置的厚度。因此，難以將該方法應(yīng)用到頂部發(fā)光 顯示裝置。另外，以膜的形式結(jié)合吸濕材料的方法會(huì)使去除潮氣的能力受到 限制，并且耐久性和可靠性差，從而使得批量生產(chǎn)困難。
為了解決上述問題，已經(jīng)采用了利用密封材料(例如，玻璃料)并通過 照射激光來結(jié)合密封材料的方法。
第2001-0084380號(hào)韓國(guó)專利特開(2001年9月6號(hào))公開了一種利用 激光來密封玻璃料框的方法。
第2002-0051153號(hào)韓國(guó)專利特開(2002年6月28號(hào))公開了一種利用
激光將上基底和下基底附于玻璃料層的封裝方法。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明特定的方面提供了 一種能夠均勻地結(jié)合密封材料和基底的
密封裝置。
本發(fā)明的一方面是一種利用密封裝置來制造顯示裝置的方法，其中，所 述密封裝置能夠通過均勻地結(jié)合密封材料和基底而改進(jìn)密封效果和可靠性。
根據(jù)另一方面，密封裝置用于通過在彼此相對(duì)的第一基底和第二基底的 邊緣設(shè)置密封材料并且通過對(duì)密封材料照射光來結(jié)合第一基底和第二基底， 所述密封裝置包括臺(tái)，密封材料設(shè)置在其間的第一基底和第二基底安裝在 臺(tái)上；掩模，設(shè)置在臺(tái)的一側(cè)上，在所述掩模中，與密封材料的形成位置對(duì) 應(yīng)地形成透射部分，使得光可以照射到密封材料；光頭，通過掩模的透射部 分對(duì)密封材料照射光。在密封裝置中，在掩模的透射部分中形成用于調(diào)節(jié)對(duì) 密封材料照射的光的量的圖案。
另一方面是一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟通過將 第一基底和第二基底設(shè)置為彼此相對(duì)并且使密封材料位于第一基底和第二基 底之間來將第一基底和第二基底安裝在臺(tái)上；放置掩模，在掩模中，在與形 成的密封材料的位置對(duì)應(yīng)的部分處形成透射部分，在透射部分形成預(yù)定圖案； 通過對(duì)透射部分照射光將密封材料結(jié)合到第一基底。在該方法中，通過形成 在透射部分中的圖案來調(diào)節(jié)照射的光的量。
本發(fā)明的一方面是一種密封裝置，所述密封裝置通過沿著第一基底和第 二基底的邊緣設(shè)置密封材料并且通過對(duì)密封材料照射光來結(jié)合第一基底和第 二基底。
所述密封裝置包括掩模，設(shè)置在第二基底上，包括與密封材料對(duì)應(yīng)形 成的透射部分，其中，第二基底堆疊在第一基底上；光頭，通過掩模的透射 部分對(duì)密封材料照射光。掩模的透射部分包括用于調(diào)節(jié)對(duì)密封材料照射的光 的多個(gè)圖案。
掩模的透射部分可以包括具有不同透射率的圖案的多個(gè)區(qū)域。多個(gè)圖案
可以與密封材料的至少 一部分對(duì)齊?？梢酝ㄟ^多個(gè)圖案來控制密封材料上的 光的能量分布。
透射部分可以包括第一區(qū)域，位于透射部分的中心部分；第二區(qū)域， 位于第一區(qū)域的兩側(cè)，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率可以不同。第 一區(qū)域中的圖案的透射率可以低于第二區(qū)域中的圖案的透射率。所述圖案可 以包括多條不透明的線，可以通過所述圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
透射部分可以包括位于一側(cè)的第 一 區(qū)域和位于另 一側(cè)的第二區(qū)域，第一 區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
透射部分可以包括位于中心部分處的第 一 區(qū)域、設(shè)置在第 一 區(qū)域的兩側(cè) 的第二區(qū)域以及設(shè)置在第二區(qū)域的兩個(gè)外側(cè)的第三區(qū)域，第一區(qū)域、第二區(qū) 域和第三區(qū)域中的圖案的透射率可以不同。第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域 可以包括線形圖案，所述線形圖案包括多條不透明的線，可以通過所述線形 圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
所述光可以包括激光和紅外線中的一種。
所述密封裝置還可以包括臺(tái)，密封材料設(shè)置在其間的第一基底和第二基 底安裝在臺(tái)上。
本發(fā)明的另一方面提供了一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置具有 第一基底、第二基底和密封材料。所述方法包括以下步驟對(duì)掩模照射光； 調(diào)節(jié)對(duì)設(shè)置在第一基底和第二基底之間的密封材料照射的光的能量分布；將 密封材料結(jié)合到第 一基底和第二基底。
調(diào)節(jié)所述光的能量分布的步驟可以包括使光穿過具有透射部分的掩模。 透射部分可以包括具有不同透射率的圖案的多個(gè)區(qū)域。
透射部分可以包括第一區(qū)域，位于透射部分的中心部分；第二區(qū)域， 位于第一區(qū)域的兩側(cè)，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。 第一區(qū)域中的圖案的透射率可以低于第二區(qū)域中的圖案的透射率。
在照射光之前，所述方法還可以包括以下步驟通過將第一基底和第二 基底設(shè)置為彼此相對(duì)并且使密封材料位于第一基底和第二基底之間來將第一 基底和第二基底安裝在臺(tái)上；放置掩模，在掩模中，在與形成的密封材料對(duì) 應(yīng)的多個(gè)部分處形成透射部分，在透射部分形成多個(gè)圖案。
從結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行的以下描述中，本發(fā)明的這些和/或其它方面及
優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更容易理解，附圖中 圖l是示出激光的能量分布的曲線圖2是示出在側(cè)部具有不完全結(jié)合的密封材料和基底的結(jié)合狀態(tài)的放大
照片；
圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的密封裝置的分解透視圖4A和圖4B是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掩模的平面圖4C是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的掩模的平面圖4D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的掩模的平面圖5A、圖5B和圖5D是用于解釋利用根據(jù)本發(fā)明的密封裝置制造有機(jī)
發(fā)光顯示裝置的方法的平面圖5C和圖5E是用于解釋利用根據(jù)本發(fā)明的密封裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示
裝置的方法的剖視圖6是用于解釋圖5A中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖^L圖。
具體實(shí)施例方式
在通過照射激光密封材料結(jié)合到基底的情況下，由于激光的能量具有如 圖1中所示的高斯分布，所以中心部分D2和兩側(cè)部分Dl、 D3之間的能量差 使得密封材料與基底的結(jié)合狀態(tài)差。圖2是在將激光照射到密封材料之后拍 攝的放大的平面圖。在圖2中，密封材料和基底的結(jié)合狀態(tài)用陰影和光亮度 的差別表示。更具體地講，其中密封材料和基底由于足夠的能量而適當(dāng)結(jié)合 的中心部分是亮的，其中密封材料和基底由于相對(duì)低的能量而不完全結(jié)合的 兩側(cè)部分是暗的。另外，即使在密封材料以彎曲方式涂敷的拐角部分，由于 激光的運(yùn)動(dòng)速度差導(dǎo)致在內(nèi)側(cè)部分比在外側(cè)部分照射較多的激光，所以外側(cè) 部分的結(jié)合狀態(tài)差。因此，如果對(duì)密封材料和基底的界面結(jié)合狀態(tài)差的部分 施加撞擊，則密封材料容易分離，從而損壞密封狀態(tài)。
在下文中，將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。提供實(shí)施例，使得 本領(lǐng)域技術(shù)人員充分理解本發(fā)明，并且可以以各種形式改變實(shí)施例。此外， 本發(fā)明的范圍不限于這些實(shí)施例。
圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的密封裝置的分解透視圖。該密封裝
置包括臺(tái)10,顯示面板20安裝在臺(tái)10上；掩模30,設(shè)置在臺(tái)10的一側(cè) 上，在掩模30中，透射部分34形成在與密封材料420對(duì)應(yīng)的部分處；光頭 40,沿著透射部分34對(duì)密封材料420照射光。光頭40可以沿著透射部分34 被驅(qū)動(dòng)裝置移動(dòng)，并且照射從光源提供的經(jīng)過透鏡的從而具有預(yù)定寬度的光 (例如，激光)。
顯示面板20可以包括支撐基底IOO,有機(jī)發(fā)光器件形成在支撐基底100 中；包封基底400,與支撐基底100相對(duì)設(shè)置，支撐基底100用于密封有機(jī) 發(fā)光器件；密封材料420，設(shè)置在支撐基底100和包封基底400之間。
掩模30包括有機(jī)基底或透明基底(例如，石英)以及在透明基底上的由 鉻等形成的圖案。通過鉻圖案32,透射部分34形成在與顯示面板20的密封 材料420對(duì)應(yīng)的部分處。換而言之，鉻圖案32形成在與有機(jī)發(fā)光器件對(duì)應(yīng)的 部分處，以阻斷光，并且光可以透射過沒有形成鉻圖案32的透射部分34。
另外，如圖4A至圖4D中所示，在掩模30的透射部分34中形成用于調(diào) 節(jié)透射光的量的圖案36a至36g。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，透射部分34包括多個(gè)區(qū)域，在所述多個(gè)區(qū)域 中，形成的圖案的密度不同。例如，透射部分34被分為第一區(qū)域34a,位 于中心部分；第二區(qū)域34b,包括第一區(qū)域34a并且比第一區(qū)域34a寬；第三 區(qū)域34c,包括第二區(qū)域34b并且比第二區(qū)域34b寬?？梢栽诘谝粎^(qū)域34a 至第三區(qū)域34c中分別形成彼此交叉的線形圖案36a至36c。接著，如圖4A 中所示，在線性地形成有透射部分34的部分中，根據(jù)圖案36a至圖案36c的 布置，圖案的密度按照第一區(qū)域34a、第二區(qū)域34b和第三區(qū)域34c的順序減 小。另外，如圖4B中所示，在透射部分的彎曲拐角部分中，相對(duì)于中心部分 的第一區(qū)域34a,內(nèi)側(cè)的第二區(qū)域34b和/或第三區(qū)域34c的圖案的密度高于 外側(cè)的第二區(qū)域34b和/或第三區(qū)域34c的圖案的密度。如果調(diào)節(jié)第一區(qū)域34a 至第三區(qū)域34c的圖案36a至36c的密度，則可以分別調(diào)節(jié)透過第一區(qū)域34a 至第三區(qū)域34c的光的量。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，如圖4C中所示，透射部分34被分為內(nèi)側(cè)的 第 一 區(qū)域34d和外側(cè)的第二區(qū)域34e?？梢圆煌匦纬傻?一 區(qū)域34d的圖案 36d的密度和第二區(qū)域34e的圖案36e的密度。例如，可以在第一區(qū)域34d 和第二區(qū)域34e中分別形成線形圖案。接著，如果通過圖案36d和36e在第 一區(qū)域34d中交叉使得第一區(qū)域34d的圖案36d和36e的密度設(shè)置為高于第
二區(qū)域34e的圖案的密度，則透過第一區(qū)域34d的光的量變得小于透過第二 區(qū)域34e的光的量。
根據(jù)第三實(shí)施例，如圖4D中所示，透射部分34被劃分為中心部分處的 第 一 區(qū)域3 4 f和第 一 區(qū)域3 4 f的兩側(cè)的第二區(qū)域3 4 g 。可以不同地形成第 一 區(qū) 域34f的圖案36f的密度和第二區(qū)域34g的圖案36g的密度。例如，可以在第 一區(qū)域34f和第二區(qū)域34g中分別形成線形圖案36f和36g。然后，如果通過 圖案36f和圖案36g在第一區(qū)域34f中交叉使得第一區(qū)域34f的圖案36f和圖 案36g的密度被設(shè)置為高于第二區(qū)域34g的圖案的密度，則透過第一區(qū)域34f 的光的量變得小于透過第二區(qū)域34g的光的量。
在實(shí)施例中，可以根據(jù)種類、能量和照射量來選擇圖案36a至36g的形 狀、密度、線寬度和間隔。另外，在實(shí)施例中，盡管已經(jīng)解釋了在透射部分 34的整個(gè)區(qū)域中形成圖案36a至36g的情況，但是可以選擇性地在透射部分 34的一部分區(qū)域中形成圖案。例如，可以在激光能量低的外圍區(qū)域中不形成 圖案，而可在激光能量高的中心部分中形成圖案。
在下文中，將參照?qǐng)D5A至圖5E來描述利用根據(jù)本發(fā)明的密封裝置制造 有機(jī)發(fā)光裝置的方法。
參照?qǐng)D5A,準(zhǔn)備限定像素區(qū)110和非像素區(qū)120的基底100。在基底100 的像素區(qū)110中形成以矩陣形式連接在掃描線104和數(shù)據(jù)線106之間的多個(gè) 有機(jī)發(fā)光器件200。在基底100的非像素區(qū)120中形成從像素區(qū)110中的掃 描線104和數(shù)據(jù)線106延伸的掃描線104和數(shù)據(jù)線106、用于操作有機(jī)發(fā)光 器件200的電源線(未示出)以及處理從外部經(jīng)焊盤108提供的信號(hào)并且將 該信號(hào)供給到掃描線104和數(shù)據(jù)線106的掃描驅(qū)動(dòng)部分310和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部分 320。
參照?qǐng)D6，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器件200包括陽(yáng)極208、陰 極211和形成在陽(yáng)極208和陰極211之間的有機(jī)薄膜層210。有機(jī)薄膜層210 具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，堆疊空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層， 并且還可以包括空穴注入層和電子注入層。另外，有機(jī)發(fā)光器件200還可以 包括開關(guān)晶體管和用于保持用于控制有機(jī)薄膜層的操作的信號(hào)的電容器。 在下文中，將參照?qǐng)D6來更詳細(xì)地描述有機(jī)發(fā)光器件200的制造工藝。 首先，在基底100的像素區(qū)IIO和非像素區(qū)120上形成緩沖層201。緩 沖層201防止基底100由于熱而受到損壞并防止從基底IOO向外部擴(kuò)散離子，
并且緩沖層201由絕緣層例如二氧化硅層(Si02)或氮化硅層(SiNx)形成。
在像素區(qū)110的緩沖層201上形成提供有源/漏區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層 202之后，在包括半導(dǎo)體層202的像素區(qū)110的上表面上形成柵極絕緣層203 。
在半導(dǎo)體層202的上部的柵極絕緣層203上形成^f電極204。接著，在 像素區(qū)110中形成連接到柵電極204的掃描線104，在非像素區(qū)120中形成 從像素區(qū)110中的掃描線104延伸的掃描線104和用于從外部接收信號(hào)的焊 盤108。柵電極204、掃描線104和焊盤108可以由金屬例如鉬(Mo)、鴒(W)、 鈦(Ti)、鋁(Al)或者這些金屬的合金形成，或者通過堆疊這些金屬形成。
在包括柵電極204的像素區(qū)110的整個(gè)上表面上形成層間絕緣層205。 通過將層間絕緣層205和柵極絕緣層203圖案化來形成接觸孔，從而可以暴 露半導(dǎo)體層202的源區(qū)和漏區(qū)，穿過接觸孔到達(dá)源區(qū)和漏區(qū)來形成源電極 206a和漏電極206b。接著，在像素區(qū)110中形成連接到源電極206a和漏電 極206b的數(shù)據(jù)線106,在非像素區(qū)中形成從像素區(qū)的數(shù)據(jù)線106延伸的數(shù)據(jù) 線106和用于提供來自外部的信號(hào)的焊盤。源電極206a、漏電極206b、數(shù)據(jù) 線106和焊盤108可以由金屬例如鉬(Mo)、鴒(W)、鈦(Ti)和鋁(Al) 或者這些金屬的合金形成或者通過堆疊這些金屬形成。
在像素區(qū)的整個(gè)上表面上形成平坦化層，該表面被平坦化。通過將平坦 化層207圖案化形成通孔，從而暴露源電極206a或漏電極206b的預(yù)定部分 并穿過通孔形成連接到源電極206a或漏電極206b的陽(yáng)極。
在平坦化層207上形成像素限定層209從而可以暴露陽(yáng)極208的一部分 之后，在暴露的陽(yáng)極208上形成有機(jī)薄膜層210,在包括有機(jī)薄膜層210的 整個(gè)上表面上形成陰極211。
參照?qǐng)D5B和圖5C，準(zhǔn)備用于包封像素區(qū)110的包封基底400，并且沿 著包封基底400的外圍部分形成密封材料420。包封基底400可以使用由透 明材料例如玻璃形成的基底，密封材料420可以使用包括有機(jī)粘合劑和用于 降低熱膨脹系數(shù)的填充物的玻璃料。例如，可沿著包封基底400的外圍部分 涂敷膏狀的玻璃料，并且可將膏狀的玻璃料塑化以去除潮氣和有機(jī)粘合劑。
如圖5D和圖5E中所示，在將包封基底400與基底IOO相對(duì)地設(shè)置在基 底100的上部之后，通過密封材料420密封有機(jī)發(fā)光器件200。
將彼此相對(duì)地設(shè)置并且其間設(shè)置有密封材料420的基底100和包封基底 400安裝在密封裝置的臺(tái)上，使掩模位于臺(tái)的上方。將掩模30安裝在形成密
封材料420的位置， -使得透射部分34可以與密封材料420對(duì)應(yīng)。
接著，如果在光頭40沿著掩才莫30的透射部分34移動(dòng)的同時(shí)通過透射部 分34對(duì)密封材料420照射激光，則密封材料420被激光能量熔化，使得基底 100可以與包封基底400結(jié)合，從而通過形成在掩模30的透射部分34中的 圖案36a至36g使得照射的激光的量均勻。
換而言之，由于對(duì)在與具有相對(duì)低能量的激光的兩側(cè)部分D1和D3對(duì)應(yīng) 的部分處的密封材料420照射的激光的量被形成在第二區(qū)域34b和第三區(qū)域 34c中的圖案36b和36c減小的同時(shí)，對(duì)在與具有高能量的激光中心部分D2 對(duì)應(yīng)的部分處的密封材料照射的激光的量被形成在透射部分34的第一區(qū)域 34a中的圖案36a至36c減小得更多，所以密封材料420和基底IOO可以總體 上彼此均勻地結(jié)合。
另外，在密封材料420的彎曲拐角部分處，由于形成在激光移動(dòng)速度慢 的第一區(qū)域34a以及第一區(qū)域34a的內(nèi)側(cè)的第二區(qū)域34b和第三區(qū)域34c中 的圖案36a至36c的密度高于形成在第一區(qū)域34a的外側(cè)的第二區(qū)域34b和 第三區(qū)域34c中的圖案36b和36c的密度，所以照射的激光的量減少很多， 從而使得界面結(jié)合均勻(參照?qǐng)D4B )。
類似地，即使在圖4C和圖4D中的實(shí)施例的情況下，根據(jù)圖案36d至 36g的密度，照射的激光的量總體上均勻，從而總體上均勻地結(jié)合。
另一方面，盡管已經(jīng)在實(shí)施例中描述了密封材料420密封像素區(qū)IIO的 情況，但是本發(fā)明不限于此，密封材料可以包圍掃描驅(qū)動(dòng)部分310。在這種 情況下，還應(yīng)該改變包封基底400的尺寸。另外，盡管已經(jīng)描述了在包封基 底400中形成密封材料420的情況，但是本發(fā)明不限于此，密封材料420可 以形成在基底100中。此外，盡管激光用來將密封材料結(jié)合到基底100，但 是可以使用其它光源例如紅外線。
如上所述，本發(fā)明形成用于調(diào)節(jié)對(duì)掩模的透射部分照射的光的量的圖案。 通過選擇性地減小在具有高能量的部分和移動(dòng)速度慢的部分處照射的光的量 而具有均勻的能量分布，密封材料和基底可以彼此均勻地結(jié)合。因此，可以 增強(qiáng)密封材料和基底的結(jié)合力，從而可以完全防止氫、氧或潮氣的滲透，從 而改進(jìn)密封效果和可靠性，并且有效地防止由于碰撞導(dǎo)致的對(duì)顯示裝置的損 壞。
如上所述，通過詳細(xì)的描述和附圖已經(jīng)公開了本發(fā)明的特定實(shí)施例。術(shù)
語(yǔ)不用來限制權(quán)利要求中描述的本發(fā)明的范圍，而僅是用來解釋本發(fā)明。因 此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明的實(shí)施例的各種修改和其它等效的實(shí) 施例也是可以的。因此，本發(fā)明實(shí)際的技術(shù)保護(hù)范圍應(yīng)該由權(quán)利要求的技術(shù) 精神確定。
權(quán)利要求
1、一種密封裝置，所述密封裝置通過沿著第一基底和第二基底的邊緣設(shè)置密封材料并且通過對(duì)密封材料照射光來結(jié)合第一基底和第二基底，所述密封裝置包括掩模，設(shè)置在第二基底上，并且包括與密封材料對(duì)應(yīng)形成的透射部分，其中，第二基底堆疊在第一基底上；光頭，通過掩模的透射部分對(duì)密封材料照射光，其中，掩模的透射部分包括用于調(diào)節(jié)對(duì)密封材料照射的光的多個(gè)圖案。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，其中，掩模的透射部分包括具有不 同透射率的圖案的多個(gè)區(qū)域。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封裝置，其中，多個(gè)圖案與密封材料的至少 一部分對(duì)齊。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封裝置，其中，通過多個(gè)圖案來控制密封材 料上的光的能量分布。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，其中，透射部分包括第一區(qū)域， 位于透射部分的中心部分；第二區(qū)域，位于第一區(qū)域的兩側(cè)，其中，第一區(qū) 域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的密封裝置，其中，第一區(qū)域中的圖案的透射率 低于第二區(qū)域中的圖案的透射率。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的密封裝置，其中，所述圖案包括多條不透明的 線，其中，通過所述圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，其中，透射部分包括位于一側(cè)的第 一區(qū)域和位于另一側(cè)的第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不 同。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，其中，透射部分包括位于中心部分 處的第一區(qū)域、設(shè)置在第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域以及設(shè)置在第二區(qū)域的兩 個(gè)外側(cè)的第三區(qū)域，其中，第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的圖案的透射率不同。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的密封裝置，其中，第一區(qū)域、第二區(qū)域和第 三區(qū)域包括線形圖案，所述線形圖案包括多條不透明的線，其中，通過所述線形圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，其中，所述光包括激光和紅外線 中的一種。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置，還包括臺(tái)，密封材料設(shè)置在其間 的第 一基底和第二基底安裝在臺(tái)上。
13、 一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置具有第一基底、第二基底 和密封材料，所述方法包括以下步驟對(duì)掩模照射光；調(diào)節(jié)對(duì)設(shè)置在第 一 基底和第二基底之間的密封材料照射的光的能量分布；將密封材料結(jié)合到第 一 基底和第二基底。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，調(diào)節(jié)所述光的能量分布的步驟 包括使光穿過具有透射部分的掩模。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，透射部分包括具有不同透射率 的圖案的多個(gè)區(qū)域。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，透射部分包括第一區(qū)域，位 于透射部分的中心部分；第二區(qū)域，位于第一區(qū)域的兩側(cè)，其中，第一區(qū)域 和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一區(qū)域中的圖案的透射率低 于第二區(qū)域中的圖案的透射率。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，透射部分包括位于一側(cè)的第一 區(qū)域和位于另一側(cè)的第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，透射部分包括位于中心部分處 的第一區(qū)域、設(shè)置在第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域以及設(shè)置在第二區(qū)域的兩個(gè) 外側(cè)的第三區(qū)域，其中，第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的圖案的透射率 不同。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū) 域包括線形圖案，所述線形圖案包括多條不透明的線，其中，通過所述線形 圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
21、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述光包括激光和紅外線。
22、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
23、根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，在照射光之前還包括以下步驟 通過將第一基底和第二基底設(shè)置為彼此相對(duì)并且使密封材料位于第一基底和第二基底之間來將第 一基底和第二基底安裝在臺(tái)上；放置掩模，在掩模中，在與形成的密封材料對(duì)應(yīng)的多個(gè)部分處形成透射部分，在透射部分形成多個(gè)圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種包括用于局部照射光的掩模的密封裝置和利用該密封裝置制造顯示裝置的方法。該密封裝置用于通過將密封材料設(shè)置在第一基底和第二基底的邊緣并且通過對(duì)密封材料照射光來結(jié)合第一基底和第二基底，該密封裝置包括掩模，設(shè)置在臺(tái)的一側(cè)上，在掩模中，與密封材料的形成位置對(duì)應(yīng)地形成透射部分，從而光可以照射到密封材料；光頭，通過掩模的透射部分對(duì)密封材料照射光。在掩模的透射部分中形成用于調(diào)節(jié)對(duì)密封材料照射的光的量的圖案。
文檔編號(hào)G09F9/00GK101179032SQ200710180978
公開日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2007年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月9日
發(fā)明者樸峻永, 李鐘禹, 郭源奎, 金兌承 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社