專利名稱：半導(dǎo)體裝置、具有該半導(dǎo)體裝置的顯示裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。具體而言，本發(fā)明涉及有源矩陣顯示器中置制造。此外，本發(fā)明涉及設(shè)有所述半導(dǎo)體裝置的顯示裝置和配備有所 述顯示裝置的電子設(shè)備。文中描述的半導(dǎo)體裝置是指任何能夠利用半導(dǎo)體特性工作的裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)主要用于TV、 PC監(jiān)視器、移動(dòng)終端等的薄顯示器的需 求迅速增長(zhǎng)，從而促進(jìn)了其進(jìn)一步發(fā)展。所述薄顯示器包括液晶顯示裝 置(LCD)和設(shè)有發(fā)光元件的顯示裝置。具體而言，人們預(yù)期利用發(fā)光 元件的有源矩陣顯示器將成為下一代顯示器，因?yàn)槌撕穸缺?、重?輕、圖像質(zhì)量高等常規(guī)LCD的優(yōu)點(diǎn)之外，其還具有響應(yīng)速度高、視角 寬等特征。在采用發(fā)光元件的有源矩陣顯示器中，圖17A所示的結(jié)構(gòu)可以作為 最基本的像素結(jié)構(gòu)(參見非專利文獻(xiàn)1: M. Mizukami， K. Inukai, H. Yamagata等，SID '00 Digest, vol.31, pp.912-915)。在圖17A中，每 一像素具有用于控制向發(fā)光元件204的電流供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管202、通 過(guò)掃描線205將數(shù)據(jù)線206的電勢(shì)施加到驅(qū)動(dòng)晶體管202的柵極節(jié)點(diǎn)G 上的開關(guān)晶體管201以及用于保持節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的保持電容器203。發(fā)明內(nèi)容在圖17A中，可以通過(guò);^莫擬驅(qū)動(dòng)方法或數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件 204。在模擬驅(qū)動(dòng)方法中，向驅(qū)動(dòng)晶體管202的柵極節(jié)點(diǎn)G提供模擬值， 并連續(xù)改變所述模擬值，由此表現(xiàn)灰度級(jí)。在數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法中，向節(jié)點(diǎn) G提供數(shù)字值，由此表現(xiàn)灰度級(jí)。通過(guò)連續(xù)改變發(fā)光周期的數(shù)字時(shí)間灰 度級(jí)法執(zhí)行對(duì)灰度級(jí)的表現(xiàn)。與模擬驅(qū)動(dòng)相比，數(shù)字驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)在于圖 像質(zhì)量高，因?yàn)閿?shù)字驅(qū)動(dòng)幾乎不受TF T的變化的影響。 圖17B中示出了在驅(qū)動(dòng)圖17A中的像素時(shí)電勢(shì)關(guān)系和操作定時(shí)的具 體例子，并將描述其操作。這時(shí)，通過(guò)數(shù)字驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件204。在圖17A中，將發(fā)光元件204的反電極的電勢(shì)設(shè)置為GND (下文 中為OV)，將電流供應(yīng)線207的電勢(shì)設(shè)為7V,將數(shù)據(jù)線206的高電勢(shì) 設(shè)為7V,將其低電勢(shì)設(shè)為OV,將掃描線205的高電勢(shì)設(shè)為10V,將其 低電勢(shì)設(shè)為0V。在一個(gè)周期內(nèi)，當(dāng)掃描線205具有IOV的電勢(shì)時(shí)，開關(guān)晶體管201 導(dǎo)通，由此將數(shù)據(jù)線206的電勢(shì)施加到節(jié)點(diǎn)G。在將掃描線205的電勢(shì) 從10V切換至0V時(shí)，在節(jié)點(diǎn)G處保持?jǐn)?shù)據(jù)線206的電勢(shì)。如果所保持 的電勢(shì)為高電勢(shì)7V,那么驅(qū)動(dòng)晶體管202截止，發(fā)光元件204處于非 發(fā)光狀態(tài)。如果所保持的電勢(shì)為低電勢(shì)OV，那么驅(qū)動(dòng)晶體管202導(dǎo)通， 發(fā)光元件204處于發(fā)光狀態(tài)。這時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管202在線性區(qū)內(nèi)工 作，因而Vds (源極-漏極電壓)極低，并且將在發(fā)光元件204的相反 電極之間生成大約7V的電勢(shì)差，由此將在發(fā)光元件204內(nèi)產(chǎn)生電流。在這里描述的像素結(jié)構(gòu)中，在節(jié)點(diǎn)G內(nèi)寫入數(shù)據(jù)線206的電勢(shì)。由 于驅(qū)動(dòng)晶體管202根據(jù)節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)而導(dǎo)通或截止，因而至少數(shù)據(jù)線 206的高電勢(shì)必須大于等于電流供應(yīng)線207的電勢(shì)，并且就數(shù)字驅(qū)動(dòng)而 言，低電勢(shì)必須是在線性區(qū)內(nèi)導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管202的電勢(shì)。從掃描線驅(qū)動(dòng)電路依次向相應(yīng)行的掃描線205輸出選擇脈沖，根據(jù) 所述選擇脈沖從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路向相應(yīng)列的數(shù)據(jù)線206輸出數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路中用于對(duì)數(shù)據(jù)線206充電/放電的緩沖部分的電功 率占驅(qū)動(dòng)電路功耗的主要部分。通常通過(guò)下述公式(1 )計(jì)算功率消耗P, 其中F為頻率，C為電容，V為電壓。P=FCV2 (1)因此，從公式(1)可以理解，降低數(shù)據(jù)線206的幅度對(duì)于降低功 耗是有效的。但是考慮到閾值的變化以及在驅(qū)動(dòng)晶體管202之間的溫度、保持周 期內(nèi)的噪聲、開關(guān)晶體管201的截止泄漏等因素的影響下閾值的波動(dòng)， 不容易降低數(shù)據(jù)線206的幅度。此外，在時(shí)間灰度級(jí)法中，將一個(gè)幀周 期劃分為多個(gè)子幀，以控制發(fā)光周期；因此，增大了對(duì)數(shù)據(jù)線206充電 /放電的次數(shù)，其將進(jìn)一步影響數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的功耗。鑒于上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其 中，不將數(shù)據(jù)線的電勢(shì)寫入到驅(qū)動(dòng)晶體管內(nèi)，從而使數(shù)據(jù)線的幅度為小 幅度，以降低功耗。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括發(fā)光元件；掃描線；數(shù)據(jù)線；電流供應(yīng) 線；節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其柵極被連接至所述節(jié)點(diǎn)，其源極和漏極之一 被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述發(fā)光 元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的電勢(shì) 導(dǎo)通或截止，并且其決定著所述節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)；以及用于將所述節(jié)點(diǎn)的電 勢(shì)設(shè)置為在不取決于所述數(shù)據(jù)線的電勢(shì)的情況下使所述第一晶體管截 止的電勢(shì)的裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括發(fā)光元件；掃描線；數(shù)據(jù)線；電流供應(yīng) 線；第一和第二節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其柵極被連接至所述第一節(jié)點(diǎn)，其 源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被 連接至所述發(fā)光元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)線和所 述掃描線的電勢(shì)導(dǎo)通或截止，并且其決定著所述第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)；用于 將所述第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)設(shè)置為在不取決于所述數(shù)據(jù)線的電勢(shì)的波動(dòng)的 情況下使所述第一晶體管截止的電勢(shì)的裝置；以及用于控制所述第一節(jié) 點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電連接或斷開的開關(guān)。在本發(fā)明的這些半導(dǎo)體裝置中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā) 光元件的所述另一個(gè)電極的電勢(shì)。此外，所述第一晶體管為P溝道晶體 管，所述第二晶體管為N溝道晶體管。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括第一晶體管，其源極和漏極之一被連接 至所述電流供應(yīng)線；發(fā)光元件，它的一個(gè)電極被連接至所述第一晶體管 的源極和漏極中的另一個(gè)；以及第二晶體管，其源極和漏極之一被連接 至掃描線，其中，所述第二晶體管的柵極被連接至數(shù)據(jù)線，所述第二晶 體管的源極和漏極中的另 一 個(gè)被連接至所述第 一 晶體管的柵極。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括第一晶體管，其源極和漏極之一被連接 至所述電流供應(yīng)線；發(fā)光元件，它的一個(gè)電極被連接至所述第一晶體管 的源極和漏極中的另一個(gè)；第二晶體管，其源極和漏極之一被連接至第 一掃描線；以及第三晶體管，其柵極被連接至第二掃描線，其中，所述 第二晶體管的柵極被連接至數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管的源極和漏極中的
另一個(gè)被通過(guò)所述第三晶體管連接至所述第一晶體管的柵極。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括第一晶體管，其源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線；發(fā)光元件，它的一個(gè)電極被連接至所述第一晶體管 的源極和漏極中的另一個(gè)；第二晶體管，其源極和漏極之一被連接至第 一掃描線；第三晶體管，其柵極以及源極和漏極之一#:連接至所述第一 掃描線；以及第四晶體管，其柵極被連接至第二掃描線，其中，所述第 二晶體管的柵極被連接至數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管的源極和漏極中的另 一個(gè)被通過(guò)所述第四晶體管連接至所述第一晶體管的柵極，并且所述第 二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一 個(gè)被連接至所述第三晶體管的 所述的源才及和漏才及中的另 一個(gè)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括第一晶體管，其源極和漏極之一被連接 至所述電流供應(yīng)線；發(fā)光元件，它的一個(gè)電極被連接至所述第一晶體管 的源極和漏極中的另一個(gè)；第二晶體管，其源極和漏極之一被連接至第 一掃描線；第三晶體管，其柵極被連接至所述第一掃描線，其源極和漏 極之一被連接至一條線路；以及第四晶體管，其柵極被連接至第二導(dǎo)掃 描線，其中，所述第二晶體管的柵極被連接至數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管 的源極和漏極中的另 一 個(gè)被通過(guò)所述第四晶體管連接至所述第 一 晶體 管的柵極，并且所述第二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一個(gè)被連接 至所述第三晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)。此外，可以采用所述電流 供應(yīng)線作為所述的線^各。本發(fā)明的第三晶體管可以是二極管，所述二極管的 一個(gè)電極被連接 至所述第一掃描線，所述二極管的另一個(gè)電極被連接至所述第二晶體管 的源4及或漏才及。此外，除了從數(shù)據(jù)線輸入到第二晶體管的柵極的用于控制發(fā)光元件 是否發(fā)光的信號(hào)之外，所述半導(dǎo)體裝置可以具有用于向第一晶體管的柵 極輸入使所述第 一 晶體管截止的信號(hào)的裝置。此外，所述半導(dǎo)體裝置可以具有用于在輸入將要從數(shù)據(jù)線輸入到第 二晶體管的柵極的用于控制發(fā)光元件是否發(fā)光的信號(hào)之前，向第一晶體管的柵極輸入使所述第 一 晶體管截止的信號(hào)的裝置。本發(fā)明的第 一 晶體管可以是P溝道晶體管，第二晶體管可以是N溝道晶體管。本發(fā)明的所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述反電極 的電勢(shì)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中包含的發(fā)光元件是EL元件，其具有處于一 對(duì)電極之間的表現(xiàn)出電致發(fā)光(以下簡(jiǎn)稱EL)的發(fā)光層。以有機(jī)化合物形成發(fā)光層的EL元件的電致發(fā)光包括在從單峰激發(fā) 態(tài)返回至基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的光發(fā)射(熒光)以及從三重峰激發(fā)態(tài)返回至基態(tài) 時(shí)產(chǎn)生的光發(fā)射(磷光)。本發(fā)明的發(fā)光元件可以采用任何一種光發(fā)射。發(fā)光層由無(wú)機(jī)材料形成的EL元件通過(guò)這樣的方式發(fā)光，即，通過(guò) 高電場(chǎng)對(duì)從絕緣層和發(fā)光層之間的界面獲得的電子加速，并使其通過(guò)與 局域化發(fā)光中心的碰撞而受激。作為所述無(wú)機(jī)材料，給出了ZnS、 SrS、 BaA1^4等。此外，作為添加至所述無(wú)機(jī)材料的發(fā)光中心l會(huì)出了 Mn、 Tb、 Tm、 Eu等。采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的像素結(jié)構(gòu)，有可能單獨(dú)設(shè)置施加至驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵極的導(dǎo)通/截止電勢(shì)和數(shù)據(jù)線的幅度。因此，在考慮開關(guān)噪 聲、閾值、發(fā)光周期內(nèi)的截止泄漏等的情況下，施加至本發(fā)明的半導(dǎo)體 裝置的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電勢(shì)能夠具有足夠的裕量。此外，采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的像素結(jié)構(gòu)，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度 設(shè)置為小幅度。因此，能夠急劇降低功耗。


圖1是實(shí)施模式1的電路圖；圖2A和圖2B示出了實(shí)施模式1的一個(gè)模式；圖3A和圖3B示出了實(shí)施模式1的一個(gè)模式；圖4是實(shí)施模式2的電路圖；圖5是實(shí)施模式3的電路圖；圖6A和6B示出了實(shí)施模式3的一個(gè)模式；圖7A和7B示出了實(shí)施模式3的一個(gè)模式；圖8是實(shí)施例1的截面圖；圖9是實(shí)施例2的透^^圖；圖IO是實(shí)施例3的電路圖；圖11示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；圖12示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；圖13A和13B示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；
圖14A和14B示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；圖15示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；圖16A到16E示出了實(shí)施例4的電子設(shè)備；以及圖17A和17B示出了常規(guī)實(shí)例。
具體實(shí)施方式
[實(shí)施模式1]在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的基本結(jié)構(gòu)中，將數(shù)據(jù)線連接至選擇晶體管 的柵電極，并將選擇晶體管的源電極和漏電極之一 電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管 的4冊(cè)電才及。將參考圖1詳細(xì)說(shuō)明具體的像素結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)時(shí)序。盡管這里僅示出 了一個(gè)像素，但是所述半導(dǎo)體裝置的像素部分實(shí)際上具有多個(gè)按照處于 行方向和列方向的矩陣布置的像素。本發(fā)明的每一像素具有通過(guò)第一掃描線107和數(shù)據(jù)線109確定節(jié)點(diǎn) D的電勢(shì)的選擇晶體管101 (也稱為第二晶體管)和復(fù)位晶體管102 (也 稱為第三晶體管)、用于通過(guò)第二掃描線108電連接節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G 的開關(guān)晶體管103 (也稱為第四晶體管)、用于通過(guò)節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)控制 從電流供應(yīng)線110 (也稱為電源線)向發(fā)光元件106的電流供應(yīng)驅(qū)動(dòng)晶 體管104 (也稱為第一晶體管)以及用于保持節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的保持電容 器105。第一晶體管104為P溝道晶體管，第二晶體管101、第三晶體 管102和第四晶體管103為N溝道晶體管。但是，每一晶體管的極性不 受限制，只要能夠通過(guò)適當(dāng)改變連接至所述晶體管的端子的線的電勢(shì)， 使所述晶體管與本發(fā)明的晶體管按照相同的方式工作即可。此外，在本 說(shuō)明書中，節(jié)點(diǎn)G也被稱為第一節(jié)點(diǎn)，節(jié)點(diǎn)D也被稱為第二節(jié)點(diǎn)。將第一晶體管104的源極和漏極之一連接至電流供應(yīng)線110。此 外，將第一晶體管104的源極和漏極中的另一個(gè)連接至發(fā)光元件106的 一個(gè)電極。發(fā)光元件106的另一電極起著反電極111的作用。將第二晶 體管101的源極和漏極之一連接至第一掃描線107。將第二晶體管101 的柵極連接至數(shù)據(jù)線109。將第二晶體管101的源極和漏極中的另一個(gè) 連接至第四晶體管103的源極和漏極之一。將第四晶體管103的柵極連 接至第二掃描線108。將第四晶體管103的源極和漏極中的另一個(gè)連接 至第一晶體管104的柵極。此外，將保持電容器105的一個(gè)電極連接至
第一晶體管104的柵極，將其另一電極連接至電流供應(yīng)線110。將第三 晶體管102的柵極以及其源極和漏極之一連接至第一掃描線107。將第 三晶體管102的源極和漏極中的另一個(gè)連接至第二晶體管101的源極和 漏極中的另一個(gè)。在本實(shí)施模式中，可以采用驅(qū)動(dòng)晶體管104的柵電容形成電容器。 在這種情況下，未必一定要提供保持電容器105。在這一實(shí)施模式中，可以提供二極管來(lái)替代第三晶體管(復(fù)位晶體 管)102,這一點(diǎn)是顯然的，因?yàn)檫B接第三晶體管102的目的在于使其 充當(dāng)二極管。發(fā)光元件106的反電極111具有比電流供應(yīng)線IIO低的電勢(shì)(Vss)。 Vss滿足Vss<Vdd,其中，作為電流供應(yīng)線IIO在像素的發(fā)光周期內(nèi)的 電勢(shì)的Vdd為參考電勢(shì)。例如，Vss可以等于GND (地電勢(shì))。接下來(lái)，將參考圖2A和2B以及圖3A和3B描述圖1的像素結(jié)構(gòu)。圖2A是本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中第一掃描線107、第二掃描線108、數(shù) 據(jù)線109、節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的時(shí)間圖。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中， 通過(guò)復(fù)位周期、選擇周期或維持周期(也稱為發(fā)光周期或非發(fā)光周期) 選擇是否令每一像素發(fā)光。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，并非從數(shù)據(jù)線輸入導(dǎo)通或截止第一晶體管 (驅(qū)動(dòng)晶體管)的電勢(shì)。在像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極(第一節(jié)點(diǎn))之前，即在保持電容器之前輸入用于截止驅(qū)動(dòng)晶體管的電勢(shì)。在本說(shuō)明書 中，將在像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極(第一節(jié)點(diǎn))之前輸入用于截止驅(qū) 動(dòng)晶體管的信號(hào)的周期稱為復(fù)位周期。圖2B示出了線的電勢(shì)以及在圖1所示的像素結(jié)構(gòu)的復(fù)位周期中晶 體管的導(dǎo)通或截止。為了描述驅(qū)動(dòng)，電流供應(yīng)線的具體電勢(shì)設(shè)置如下 數(shù)據(jù)線109的高電勢(shì)為3V,其低電勢(shì)為OV,第一掃描線107和第二掃 描線108的高電勢(shì)為IOV，其低電勢(shì)為0V，電流供應(yīng)線110的電勢(shì)為 8V，發(fā)光元件106的反電極111的電勢(shì)為0V。這里示出的線的具體電 勢(shì)只是例子，本發(fā)明不限于此，只要這些電勢(shì)是用于導(dǎo)通或截止晶體管 的電勢(shì)即可。首先，在所述復(fù)位周期中，向第一掃描線107和第二掃描線108輸 出選擇脈沖，以提供10V的電勢(shì)，由此導(dǎo)通復(fù)位晶體管102和開關(guān)晶體 管103。這時(shí)，如果每一晶體管中閾值的絕對(duì)值為IV,那么節(jié)點(diǎn)D和
節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)降至9V,因?yàn)樵撾妱?shì)將從第一掃描線107的電勢(shì)降低， 其降幅為復(fù)位晶體管102的閾值。由于電流供應(yīng)線110具有8V的電勢(shì)， 因而驅(qū)動(dòng)晶體管104截止。在這一復(fù)位周期內(nèi)，選擇晶體管IOI根據(jù)數(shù)據(jù)線109的電勢(shì)變化導(dǎo) 通。例如，假設(shè)在復(fù)位周期之前節(jié)點(diǎn)D具有OV的電勢(shì)，那么當(dāng)數(shù)據(jù)線 109具有3V的電勢(shì)時(shí)，選擇晶體管101導(dǎo)通。但是，在復(fù)位周期內(nèi)， 來(lái)自復(fù)位晶體管102的電勢(shì)輸入在節(jié)點(diǎn)D內(nèi)占據(jù)主導(dǎo)，當(dāng)節(jié)點(diǎn)D的電勢(shì) 變得高于選擇晶體管101的柵極電勢(shì)時(shí)，選擇晶體管101截止。因此， 即使數(shù)據(jù)線109的電勢(shì)發(fā)生了變化，驅(qū)動(dòng)晶體管104的柵極端子的電勢(shì) 也不變。圖3A和3B示出了在圖1的像素結(jié)構(gòu)中，在選擇周期內(nèi)選擇發(fā)光元 件的發(fā)光狀態(tài)或非發(fā)光狀態(tài)時(shí)，線的電勢(shì)以及晶體管的導(dǎo)通或截止。在 選擇周期內(nèi)，第一掃描線107具有OV的電勢(shì)。同時(shí)，在向數(shù)據(jù)線109輸入作為發(fā)光信號(hào)的3V的電勢(shì)時(shí)，選擇晶 體管101導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)變?yōu)榈谝粧呙杈€107的OV電勢(shì)， 驅(qū)動(dòng)晶體管104導(dǎo)通，并且電流從電流供應(yīng)線110流向發(fā)光元件106的 反電極lll，發(fā)光元件106由此發(fā)光，如圖3A所示。此外，在向數(shù)據(jù)線109輸入作為非發(fā)光信號(hào)的OV電勢(shì)時(shí)，選擇晶 體管101保持截止，節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)仍然保持9V，驅(qū)動(dòng)晶體管 104也保持截止，如圖3B所示。接下來(lái)，發(fā)光周期開始，第二掃描線108具有OV電勢(shì)，開關(guān)晶體 管103截止。之后，由保持電容器105保持在選擇周期內(nèi)確定的節(jié)點(diǎn)G 的電勢(shì)。如到目前為止所描述的，采用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的像素結(jié)構(gòu)，有 可能單獨(dú)設(shè)置施加至第一晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管)的柵電極的導(dǎo)通/截止電 勢(shì)和數(shù)據(jù)線的幅度。因此，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，由此能 夠急劇降低功耗。能夠?qū)⑦@一實(shí)施模式與其他實(shí)施模式和實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施模式2]實(shí)施模式2將示出改變了圖1所示的像素結(jié)構(gòu)中復(fù)位晶體管102的 連接的例子。圖4示出了描述所依據(jù)的基本結(jié)構(gòu)。盡管這里僅示出了一 個(gè)像素，但是所述半導(dǎo)體裝置的像素部分實(shí)際上具有多個(gè)按照處于行方
向和列方向的矩陣布置的^f象素。本發(fā)明的每一像素具有通過(guò)第一掃描線307和數(shù)據(jù)線309確定節(jié)點(diǎn) D的電勢(shì)的選擇晶體管(也稱為第二晶體管)301和復(fù)位晶體管302 (也 稱為第三晶體管)、用于通過(guò)第二掃描線308電連接節(jié)點(diǎn)D和節(jié)點(diǎn)G 的開關(guān)晶體管303 (也稱為第四晶體管)、用于通過(guò)節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)控制 從電流供應(yīng)線310向發(fā)光元件306的電流供應(yīng)驅(qū)動(dòng)晶體管304 (也稱為 第一晶體管)以及用于保持節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的保持電容器305。在本實(shí)施模式中，可以采用驅(qū)動(dòng)晶體管304的柵電容形成電容器。 在這種情況下，未必一定要形成保持電容器305。將第一晶體管304的源極和漏極之一連接至電流供應(yīng)線310,同時(shí) 將第一晶體管304的源極和漏極中的另一個(gè)連接至發(fā)光元件306的一個(gè) 電極。發(fā)光元件306的另一電極起著反電極311的作用。將第二晶體管 301的源極和漏極之一連接至第一掃描線307,將第二晶體管301的柵 極連接至數(shù)據(jù)線309，將第二晶體管301的源極和漏極中的另一個(gè)連接 至第四晶體管303的源極和漏極之一。將第四晶體管303的柵極連接至 第二掃描線，同時(shí)將第四晶體管303的源極和漏極中的另一個(gè)連接至第 一晶體管304的柵極。將保持電容器305的一個(gè)電極連接至第一晶體管 304的柵極，同時(shí)將其另一個(gè)電極連接至電流供應(yīng)線310。將第三晶體 管302的柵極連接至第一掃描線307。將第三晶體管302的源極和漏極 之一連接至電流供應(yīng)線310。將第三晶體管302的源極和漏極中的另一 個(gè)連接至第二晶體管301的源極和漏極中的另一個(gè)。與圖1中的復(fù)位晶體管102類似，在復(fù)位周期內(nèi)，復(fù)位晶體管302 將節(jié)點(diǎn)D的電勢(shì)設(shè)為IOV的高電勢(shì)，由此截止驅(qū)動(dòng)晶體管304。復(fù)位周 期、選擇周期和發(fā)光周期內(nèi)的驅(qū)動(dòng)方法、定時(shí)等與圖2A和圖2B以及圖 3A和圖3B中類似。在本實(shí)施模式中，將復(fù)位晶體管302的源極和漏極之一連接至電流 供應(yīng)線310;但是，可以額外提供連接至復(fù)位晶體管302的元件和漏極 之一的電流供應(yīng)線。能夠?qū)⑦@一實(shí)施模式與其他實(shí)施模式和實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施模式3]實(shí)施模式3將示出與圖1所示的不同的像素結(jié)構(gòu)的例子。圖5示出 了描述所依據(jù)的具體結(jié)構(gòu)。盡管僅示出了一個(gè)像素，但是所述半導(dǎo)體裝
置的像素部分實(shí)際上具有多個(gè)按照處于行方向和列方向的矩陣布置的 像素。如圖5所示，本實(shí)施模式中的每一像素具有通過(guò)掃描線408和數(shù)據(jù) 線409確定節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的選擇晶體管401 (也稱為第二晶體管)和復(fù) 位晶體管402 (也稱為第三晶體管)、基于節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)控制從電流供 應(yīng)線410向發(fā)光元件406的電流供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管404 (也稱為第一晶 體管)以及保持節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的保持電容器405。應(yīng)當(dāng)指出，第一晶體 管404為P溝道晶體管，第二晶體管401和第三晶體管402為N溝道晶 體管。但是，每一晶體管的極性不受特殊限制，只要能夠通過(guò)適當(dāng)改變 連接至所述晶體管的端子的線的電勢(shì)，使晶體管按照與本發(fā)明的晶體管 相同的方式工作即可。在本實(shí)施模式中，可以采用驅(qū)動(dòng)晶體管404的柵電容提供電容器。 在這種情況下，不一定總是需要保持電容器405。此外，在本實(shí)施模式中，可以用二極管來(lái)替代第三晶體管(復(fù)位晶 體管)402。這一點(diǎn)是顯然的，因?yàn)檫B接第三晶體管402的目的在于使 其充當(dāng)二極管。將發(fā)光元件406的反電極411設(shè)置為具有比電流供應(yīng)線410的電勢(shì) 低的電勢(shì)Vss。 Vss滿足Vss<Vdd,其中，作為發(fā)光周期內(nèi)內(nèi)電流供應(yīng) 線410的電勢(shì)的Vdd為參考電勢(shì)。例如，Vss可以等于GND(地電勢(shì))。此外，將掃描線408的高電勢(shì)設(shè)置為高于電流供應(yīng)線410的電勢(shì)， 將其在選擇周期內(nèi)的電勢(shì)(以下將該電勢(shì)稱為低電勢(shì)1)設(shè)置為與數(shù)據(jù) 線409的低電勢(shì)相同，將其在發(fā)光周期內(nèi)的電勢(shì)(以下將該電勢(shì)稱為低 電勢(shì)2)設(shè)置為與數(shù)據(jù)線409的高電勢(shì)相同。接下來(lái)，將參考圖6A和6B以及圖7A和7B描述具有圖5的像素 結(jié)構(gòu)的工作方法。圖6A是示出了在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)內(nèi)掃描線408、數(shù)據(jù)線409和 節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)的時(shí)序圖。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，根據(jù)復(fù)位周期、選擇 周期和維持周期(也稱為發(fā)光周期或非發(fā)光周期)選擇每一像素的發(fā)光 狀態(tài)或非發(fā)光狀態(tài)。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，并非從數(shù)據(jù)線輸入導(dǎo)通或截止第一晶體管 (驅(qū)動(dòng)晶體管)的電勢(shì)。在像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之前(第一節(jié) 點(diǎn))，即在保持電容器之前輸入用于截止驅(qū)動(dòng)晶體管的電勢(shì)。在本說(shuō)明
書中，將在像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之前輸入用于截止驅(qū)動(dòng)晶體管的 信號(hào)的周期稱為復(fù)位周期。圖6B示出了線的電勢(shì)以及在圖5所示的像素結(jié)構(gòu)的復(fù)位周期中晶 體管的導(dǎo)通或截止。為了說(shuō)明驅(qū)動(dòng)，將數(shù)據(jù)線409的高電勢(shì)設(shè)為0V, 將其低電勢(shì)設(shè)為-3V,將掃描線408的高電勢(shì)設(shè)為10V,將其低電勢(shì)1 設(shè)為0V,將其低電勢(shì)2設(shè)為-3V,將電流供應(yīng)線410的電勢(shì)設(shè)為8V, 將發(fā)光元件406的反電極411的電勢(shì)設(shè)為0V。各條線的這些具體電勢(shì) 只是例子，本發(fā)明不限于此，只要能夠通過(guò)這些線的電勢(shì)使晶體管導(dǎo)通 或截止即可。首先，在復(fù)位周期內(nèi)，向掃描線408輸出選擇脈沖，從而使掃描線 408的電勢(shì)從0V變?yōu)?0V,由此使復(fù)位晶體管402導(dǎo)通。如果這時(shí)晶體 管的閾值的絕對(duì)值均為IV,那么節(jié)點(diǎn)G具有9V的電勢(shì)，因?yàn)樵撾妱?shì)從 掃描線408的電勢(shì)降低，降幅為復(fù)位晶體管402的閾值。由于電流供應(yīng) 線410具有IOV的電勢(shì)，因而驅(qū)動(dòng)晶體管404截止。在這一復(fù)位周期內(nèi)，選擇晶體管401根據(jù)數(shù)據(jù)線409的電勢(shì)變化導(dǎo) 通。例如，如果在復(fù)位周期之前節(jié)點(diǎn)D具有OV的電勢(shì)，并且數(shù)據(jù)線具 有3V的電勢(shì)，那么選擇晶體管401導(dǎo)通。但是，當(dāng)在復(fù)位周期內(nèi)來(lái)自 復(fù)位晶體管的電勢(shì)輸入在節(jié)點(diǎn)D處占據(jù)主導(dǎo)，從而導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)D具有高 于選擇晶體管401的柵極電勢(shì)的電勢(shì)時(shí)，選擇晶體管401截止。因此， 即使數(shù)據(jù)線409的電勢(shì)發(fā)生了變化，驅(qū)動(dòng)晶體管404的柵極端子的電勢(shì) 也不變。圖7A和7B示出了當(dāng)在圖5的像素結(jié)構(gòu)中，在選擇周期內(nèi)選擇發(fā)光 元件的發(fā)光狀態(tài)或非發(fā)光狀態(tài)時(shí)，線的電勢(shì)以及晶體管的導(dǎo)通或截止。 在選擇周期內(nèi)，掃描線408具有-3V的電勢(shì)。這時(shí)，如果向數(shù)據(jù)線409輸入0V的電勢(shì)作為發(fā)光信號(hào)，那么如圖 7A所示，選擇晶體管401導(dǎo)通，并且節(jié)點(diǎn)G具有與掃描線408的電勢(shì) 相同的-3V的電勢(shì)，因而驅(qū)動(dòng)晶體管404導(dǎo)通。因而，將電流從電流供 應(yīng)線410給送到了發(fā)光元件406的反電極411,由此使發(fā)光元件406發(fā) 光。在將作為非發(fā)光信號(hào)的-3V的電勢(shì)輸入到數(shù)據(jù)線409時(shí)，選擇晶體 管401保持截止，如圖7B所示。因此，節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)保持9V,驅(qū)動(dòng)晶 體管404也保持截止。
接下來(lái)，發(fā)光周期開始，掃描線408具有0V的電勢(shì)。在選擇周期 內(nèi)，如果節(jié)點(diǎn)G具有9V的電勢(shì)，那么選擇晶體管401保持截止，并在 保持電容器405內(nèi)保持節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)(9V)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)G在選擇周期內(nèi) 具有-3V的電勢(shì)時(shí)，如果數(shù)據(jù)線409在發(fā)光周期內(nèi)甚至只具有一次0V 的高電勢(shì)，選擇晶體管401就會(huì)導(dǎo)通。這時(shí)，如果選擇晶體管401的閾 值電壓為IV，那么節(jié)點(diǎn)G具有-lV的電勢(shì)，因?yàn)樵撾妱?shì)從掃描線408 的電勢(shì)(OV)降低，降幅為選擇晶體管401的閾值。但是，驅(qū)動(dòng)晶體管 404仍然導(dǎo)通。這時(shí)，在每一像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管404導(dǎo)通的情況下，Vgs (柵電 極和源電極之間的電壓)為-7V或-llV,其取決于發(fā)光周期內(nèi)數(shù)據(jù)線409 的電勢(shì)。但是，Vgs不會(huì)對(duì)發(fā)光元件406的亮度造成那么大的影響，因 為不論在那種情況下都是在線性區(qū)內(nèi)對(duì)發(fā)光元件406進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的。能夠?qū)⑦@一實(shí)施模式與其他實(shí)施模式和實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施例1]將參考附圖，通過(guò)實(shí)施例1描述設(shè)有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的發(fā)光裝 置的橫截面結(jié)構(gòu)。這里，將參考圖8描述包括選擇晶體管101、驅(qū)動(dòng)晶 體管104和發(fā)光元件的發(fā)光裝置的多層結(jié)構(gòu)的橫斷面?？梢圆捎貌ＡЩ濉⑹⒒?、不銹鋼基板等作為具有絕緣表面的 基板1201 (第一基板)。也可以采用由軟合成樹脂形成的基板，只要所 述基板能夠承受制造過(guò)程中的處理溫度即可，例如，所述軟合成樹脂可 以是丙烯酸樹脂或以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二曱酸乙二 酯(PEN)等為典型例子的塑料。首先，在基板1201上形成基礎(chǔ)膜1202。可以采用氧化硅膜、氮化 硅膜或氧氮化硅膜等絕緣膜形成基礎(chǔ)膜1202。接下來(lái)，在基礎(chǔ)膜1202 上形成無(wú)定形半導(dǎo)體膜。無(wú)定形半導(dǎo)體膜的厚度處于25到100nm的范下來(lái)，根據(jù)^要使所述無(wú)口定形半導(dǎo)體膜結(jié)晶，由此形成晶體半導(dǎo)體膜、。 可以采用加熱爐、激光照射、采用燈光的照射或其組合作為所述結(jié)晶方 法。例如，向所述無(wú)定形半導(dǎo)體膜添加金屬元素，并采用加熱爐執(zhí)行熱 處理，以形成晶體半導(dǎo)體膜。通過(guò)這種方式添加金屬膜是優(yōu)選的做法， 因?yàn)槟軌蛟诘蜏叵聢?zhí)行結(jié)晶。由于與采用非晶半導(dǎo)體形成的TFT相比，采用晶態(tài)半導(dǎo)體形成的薄
膜晶體管(薄膜晶體管)具有更高的電場(chǎng)作用遷移率和更大的導(dǎo)通電 流，因而采用晶態(tài)半導(dǎo)體形成的TFT更適用于半導(dǎo)體裝置。接下來(lái)，執(zhí)行蝕刻，從而將所述晶態(tài)半導(dǎo)體膜修整為預(yù)定外形。之后，形成起著柵極絕緣膜作用的絕緣膜。形成具有10到150nm的厚度 的絕緣膜，從而使之覆蓋所述半導(dǎo)體膜。例如，可以在單層或多層結(jié)構(gòu) 內(nèi)形成氮氧化硅膜、氧化硅膜等。接下來(lái)，在晶態(tài)半導(dǎo)體膜上形成起著柵電極作用的導(dǎo)電膜，其間插 置有柵極絕緣膜。所述柵電極可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)，這里通過(guò)疊置 多個(gè)導(dǎo)電膜形成所述對(duì)冊(cè)電才及。采用從Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al和Cu中選出 的元素或者以上述元素中的任何一種元素作為主要成分的合金或復(fù)合 材料形成導(dǎo)電膜1203A和1203B。在這一實(shí)施例中，采用厚度為10到 50nm的氮化鉭形成導(dǎo)電膜1203A,采用厚度為200到400nm的鴒膜形 成導(dǎo)電膜1203B。接下來(lái)，采用柵電極作為掩模向晶態(tài)半導(dǎo)體膜內(nèi)添加雜質(zhì)元素，由 此形成雜質(zhì)區(qū)。這時(shí)，可以在高濃度雜質(zhì)區(qū)之外形成低濃度雜質(zhì)區(qū)。將 所述低濃度雜質(zhì)區(qū)稱為L(zhǎng)DD (輕摻雜漏極)區(qū)。接下來(lái)，形成起著層間絕緣膜1206的作用的絕緣膜1204和1205。 優(yōu)選采用含有氮的絕緣膜形成絕緣膜1204,這里通過(guò)等離子體CVD法 形成100nm厚的氮化硅膜。優(yōu)選采用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成絕緣膜 1205。作為有機(jī)材料，可以采用聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺 -酰胺、苯并環(huán)丁烯或硅氧烷。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)具有硅(Si)和氧(O ) 的鍵。采用至少含有氫的有機(jī)基團(tuán)(例如烷基或芳香烴)作為取代基。 可以采用氟代基或者至少含有氫的氟代基和有機(jī)基作為取代基。作為無(wú) 機(jī)材料，可以采用含有氧或氮的絕緣膜，例如，氧化硅(SiOx)膜、氮 化硅(SiNx)膜、氮氧化硅(SiOxNy ) ( x〉y, x和y為自然數(shù))膜或氧 氮化硅(SiNxOy) (x<y, x和y為自然數(shù))膜。注意，含有有機(jī)材料的 膜具有有利的平坦度，但有機(jī)材料吸收水份和氧氣。為了防止吸收濕氣 和氧氣，優(yōu)選在含有有機(jī)材料的絕緣膜上形成含有無(wú)機(jī)材料的絕緣膜。接下來(lái)，在層間絕緣膜1206內(nèi)形成接觸孔之后，形成起著晶體管 的源極線和漏極線的作用的導(dǎo)電膜1207。導(dǎo)電膜1207可以由從鋁(Al )、 鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)和硅(Si)中選出的元素或者含有這些 元素中的任何一種的合金形成。在這一實(shí)施例中，導(dǎo)電膜1207由包括 鈦膜、氮化鈦膜、鈦鋁合金膜和另一鈦膜的多層膜形成。接下來(lái)，形成覆蓋導(dǎo)電膜1207的絕緣膜1208?？梢圆捎米鳛閷娱g 絕緣膜1206的材料提及的材料形成絕緣膜1208。接下來(lái)，在設(shè)置于絕 緣膜1208內(nèi)的開口部分內(nèi)形成像素電極(也稱為第一電極)1209。在 所述開口部分內(nèi)，為了改善像素電極1209的臺(tái)階覆蓋，優(yōu)選^f吏所述開 口部分的邊緣表面具有圓潤(rùn)的形狀，從而使之具有多個(gè)曲率半徑。像素電極1209優(yōu)選由導(dǎo)電材料形成，例如，金屬、合金、導(dǎo)電化 合物或其混合物等，其中每者均具有高功函數(shù)(大于等于4.0eV的功函 數(shù))。作為導(dǎo)電材料的具體例子，可以給出含有氧化鎢的氧化銦(IWO )、 含有氧化鎢的氧化銦鋅(IWZO)、含有氧化鈦的氧化銦(ITiO)、含 有氧化鈦的氧化銦錫(ITTiO)等。不用說(shuō)，也可以采用氧化銦錫(ITO)、 氧化銦鋅(IZO)、添加了氧化硅的氧化銦錫(ITSO)等。所述導(dǎo)電材料的成分比如下。含有氧化鶴的氧化銦的成分比可以是 氧化鴒氧化銦-1.0wt。/。99.0wt。/。。含有氧化鵠的氧化銦鋅的成分比可 以是氧化鎢氧化鋅氧化銦二1.0wt0/0 : 0.5wt% : 98.5wt%。含有氧化 鈦的氧化銦的成分比可以是氧化鈦氧化銦=1.0到5.0wt% : 99.0到 95.0wt%。氧化銦錫UTO)的成分比可以是氧化錫氧化銦-10.0wt。/。 90.0wt%。氧化銦鋅(IZO)的成分比可以是氧化鋅氧化銦^10.7wt。/o: 89.3wt%。含有氧化鈦的氧化銦錫的成分比可以是氧化鈦氧化錫氧 化銦二5.0wt。/0 : 10.0wt% : 85.0wt%。這些成分比只是例子，可以適當(dāng)?shù)卮_ 定所述成分比。接下來(lái)，通過(guò)蒸發(fā)法或噴墨法形成電致發(fā)光層1210。通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M 合電子注入層(EIL)、電子輸運(yùn)層(ETL)、發(fā)光層(EML)、空穴輸 運(yùn)層(HTL)、空穴注入層(HIL)等，采用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成 所述電致發(fā)光層1210。各個(gè)層之間的界限未必總是明確的。在某些情況 下，所述層的材料發(fā)生了部分混合，從而導(dǎo)致界面不明確。所述電致發(fā)光層優(yōu)選由具有不同功能的多個(gè)層形成，例如，空穴注 入/輸運(yùn)層、發(fā)光層、電子注入/輸運(yùn)層等?？昭ㄗ⑷?輸運(yùn)層優(yōu)選由具有空穴輸運(yùn)特性的有機(jī)化合物材料和相 對(duì)于所述有機(jī)化合物材料具有電子接收特性的無(wú)機(jī)化合物材料形成。這 一結(jié)構(gòu)在最初幾乎沒有任何固有載流子的有機(jī)化合物內(nèi)生成了大量空 穴載流子，以提供良好的空穴注入/輸運(yùn)特性。相應(yīng)地，所述驅(qū)動(dòng)電壓可 以低于常規(guī)驅(qū)動(dòng)電壓。此外，由于可以在不提高驅(qū)動(dòng)電壓的情況下使空 穴注入/輸運(yùn)層具有大厚度，因而能夠降低由于灰塵等導(dǎo)致的發(fā)光元件的 短路。作為具有空穴輸運(yùn)特性的有機(jī)化合物，可以舉出如下例子銅酞菁 (簡(jiǎn)寫為CuPc)、氧釩酞菁(簡(jiǎn)寫為VOPc) 、 4,4',4"-三(N,N-二苯胺) 三苯胺(簡(jiǎn)寫為TDATA) 、 4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯 胺(簡(jiǎn)寫為MTDATA ) 、 1,3,5-三[N,N-二(m-甲苯基)氨基]苯(筒寫為 m-MTDAB) 、 N,N'-聯(lián)苯-N,N'-雙(3-曱基苯基)-l,l'-聯(lián)苯-4,4'-聯(lián)胺(筒寫 為TPD) 、 4,4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(筒寫為NPB) 、 4,4'-雙(N—[4-二(m-甲苯基)氨基]苯基-N-苯基氨基H關(guān)苯(筒寫為DNTPD)或 4,4',4"-三(N-?？ㄟ蚧?三苯胺(筒寫為TCTA)等。但是，所述有機(jī)化合 物不限于這些。作為具有電子接收特性的無(wú)機(jī)化合物材料，給出了氧化鈦、氧化 鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鴒、氧化錸、氧化釕、氧化鋅等。具體而言， 優(yōu)選采用氧化釩、氧化鉬、氧化鴒和氧化4來(lái)，因?yàn)檫@些化合物可以通過(guò) 真空蒸發(fā)形成，并且易于處理。所述電子注入/輸運(yùn)層由具有電子輸運(yùn)特性的有機(jī)化合物材料形 成。具體而言，給出了三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)寫為Alq3)、三(4-甲基-8-羥 基喹啉)鋁(筒寫為Almq3)、雙(10-羥基苯[h]-羥基喹啉)鈹(簡(jiǎn)寫為 BeBq2)、雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(4-苯并苯酚)鋁(簡(jiǎn)寫為BAlq )、雙[2-(2，-羥苯基)苯并嚅唑]鋅(簡(jiǎn)寫為Zn(BOX)2)、雙[2-(2，-羥苯基)苯并噻唑] 鋅(簡(jiǎn)寫為Zn(BTZ)2)、紅菲繞啉(簡(jiǎn)寫為BPhen) 、 bathocuproin (簡(jiǎn) 寫為BCP) 、 2-(4-聯(lián)二苯基)-5-(4-三元胺-丁基苯基)-l,3,4-氧二氮茂(筒 寫為PBD) 、 1,3-雙[5-(4-三元胺-丁基苯基)-1,3，4-氧二氮茂-2-基]苯(筒 寫為OXD-7) 、 2,2',2"-(l,3,5-benzenetriyl)-三(l-苯基-lH-苯并咪唑)(簡(jiǎn) 寫為TPBI)、3-(4-三元胺-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)二苯基)-l,2,4-三唑(筒 寫為TAZ)或3-(4-三元胺-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-三元胺-聯(lián)二苯 基)-l,2,4-三唑(簡(jiǎn)寫為p-EtTAZ)等。但是，所述有機(jī)化合物材料不限 于這些。作為發(fā)光層，可以給出下述化合物作為例子9,10-二(2-萘基) 蒽(簡(jiǎn)寫為DNA)、 9,10-二(2-萘基)-2-特-丁基蒽(筒寫為t-BuDNA) 、 4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)二笨基(筒寫為DPVBi)、香豆素30、香豆素6、 香豆素545、香豆素545T、 二萘嵌苯、紅萸烯、periflanthene、 2,5,8,11-
四(特-丁基)二萘嵌苯(簡(jiǎn)寫為TBP) 、 9,10-二苯蒽(筒寫為DPA) 、 5,12-二苯并四苯、4-(氰基亞曱基)-2-甲基-[p-(二甲基胺基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)寫為DCM1) 、 4-(氰基亞曱基)-2-曱基-6-[2-(久洛尼定-9-基)乙烯 基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)寫為DCM2) 、 4-(氰基亞甲基)-2,6-雙[p-(二甲基胺基) 苯乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)寫為BisDCM)等。此外，還可以采用能夠發(fā)出 熒光的化合物，例如雙[2-(4',6'-二氟苯基)pyndinato-N,C2']銥(吡啶鹽)(縮寫FIrpic)、雙(2-[3',5'-雙(三氟曱基)苯基]pyridinato-N,C2)銥(吡啶 鹽)(縮寫Ir(CF3ppy)2(pic》、三(2-苯基pyridmato-N,C2')銥(縮寫 Ir(ppy)3)、雙(2-苯基pyridmato-N,c2')銥(乙酰丙酮化物)(縮寫 Ir(ppy)2(acac))、雙[2-(2'-噻吩基)pyridmato-N,C3')銥(乙酰丙酮化物)(縮 寫Ir(thp)2(acac))、雙(2-苯基羥基喹啉-N,c2')銥(乙酰丙酮化物)(縮 寫Ir(pq)2(acac))、雙[2-(2'-苯噻吩基)pyridinato-N,C3')銥(乙酰丙酮化 物)(縮寫Ir(btp)2(acac))等。所述發(fā)光層可以采用激發(fā)單峰發(fā)光材料和包括金屬絡(luò)合物的激發(fā) 三重峰的材料。例如，在發(fā)射紅光的像素、發(fā)射綠光的像素和發(fā)射藍(lán)光 的像素中，采用激發(fā)三重峰的發(fā)光材料形成亮度半衰周期相對(duì)較短的發(fā) 射紅光的像素，采用激發(fā)單峰的發(fā)光材料形成另外兩種像素。由于具有 高發(fā)光效率，因而要想獲得相同的亮度，激發(fā)三重峰的發(fā)光材料的功耗 小于激發(fā)單峰的發(fā)光材料的功耗。換言之，如果采用激發(fā)三重峰的發(fā)光 材料形成發(fā)射紅光的像素，那么由于提供給發(fā)射紅光的像素的發(fā)光元件 的電流量小，因而提高了其可靠性。為了降低功耗，可以采用激發(fā)三重 峰的發(fā)光材料形成發(fā)射紅光的像素和發(fā)射綠光的像素，可以采用激發(fā)單 峰的發(fā)光材料形成發(fā)射藍(lán)光的像素。通過(guò)采用激發(fā)三重峰的發(fā)光材料形 成對(duì)人眼具有高能見度的發(fā)射綠光的元件，能夠取得進(jìn)一步降低的功 耗。將所述發(fā)光層形成為針對(duì)每一像素具有不同的發(fā)光波長(zhǎng)，從而使所 述發(fā)光層可以具有用于彩色顯示的結(jié)構(gòu)。典型地，形成每者對(duì)應(yīng)于R (紅)、G(綠)、B(藍(lán))中的每種顏色的發(fā)光層。即使在這種情況下， 通過(guò)提供在像素的發(fā)光側(cè)設(shè)置使具有發(fā)光波段的光通過(guò)的濾光片的結(jié) 構(gòu)，能夠提供色純度，并且能夠防止像素部分的反射(刺眼)。通過(guò)提 供濾光片，有可能省略常規(guī)所需的圓形偏振板等，從而避免對(duì)發(fā)光層所 發(fā)射的光造成損失。此外，能夠降低從斜向觀看像素部分(顯示屏)時(shí) 產(chǎn)生的色調(diào)變化。此外，作為適用于發(fā)光層的電致發(fā)光材料，給出了高分子量材料， 例如，基于聚對(duì)苯撐乙烯撐的材料、基于聚對(duì)苯撐的材料、基于聚p塞吩 的材料、基于聚芴的材料等?？梢酝ㄟ^(guò)任何方式修改電致發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)。在獲得作為發(fā)光元件 的功能的范圍內(nèi)，允許做出這樣的修改，即采用具有相同功用的電極層 替代預(yù)定的空穴或電子注入/輸運(yùn)層和發(fā)光層，或者通過(guò)對(duì)其進(jìn)行漫射而 提供發(fā)光材料。此外，可以在密封基板上形成濾色器(著色層)。可以通過(guò)蒸發(fā)法 或微滴釋放法形成所述濾色器(著色層)。采用濾色器(著色層)能夠執(zhí)行高清晰度顯示，因?yàn)闉V色器(著色層)能夠?qū)⒕哂蠷GB中的每種 顏色的發(fā)光光譜中的寬峰補(bǔ)償為銳峰。此外，通過(guò)形成表現(xiàn)單一顏色的光發(fā)射的材料并將所述材料與濾色 器或色彩轉(zhuǎn)換層相結(jié)合能夠獲得全色顯示?？梢栽?，例如，第二基板(密 封基板)上形成所述濾色器(著色層)或色彩轉(zhuǎn)換層，并將其粘合到基 板1201上。之后，通過(guò)濺射法或蒸發(fā)法形成反電極(也稱為第二電極)1211。 像素電極1209和反電極1211之一起著陽(yáng)極的作用，其中的另一個(gè)起著 陰極的作用。作為陰極材料，優(yōu)選采用每者均具有低功函數(shù)(小于等于3.8eV的 功函數(shù))的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或其混合物等。作為陰極材料的具 體例子，可以采用屬于元素周期表中的1族或2族的元素，即，諸如Li 或Cs的堿金屬、諸如Mg、 Ca或Sr的堿土金屬、諸如Mg:Ag或Al丄i 的含有這些金屬的合金、諸如LiF、 CsF或CaF2的含有這些金屬的化合 物或者含有稀土金屬的過(guò)渡金屬。但是，由于所述陰極必須具有發(fā)光特 性，因此要將這些金屬或含有所述金屬的合金形成得極薄，并在其上疊 置諸如ITO的其他金屬(包括合金)。之后，可以提供包括氮化硅膜或DLC (金鋼石類碳)膜的保護(hù)膜， 從而使之覆蓋反電極1211。通過(guò)上述步驟完成了本發(fā)明的發(fā)光裝置?？梢詫⑦@一實(shí)施例與上述實(shí)施才莫式和其他實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施例2]將參考圖9，通過(guò)實(shí)施例2描述采用本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的有源矩陣 顯示器的例子。所述有源矩陣顯示器包括其上形成了晶體管和線的基板501、用于將所述線與外部連接的FPC 508、發(fā)光元件以及用于密封所述發(fā)光元件 的反基板502。在基板501上提供包括按照矩陣布置的多個(gè)像素的顯示部分506、 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電^各503、掃描線驅(qū)動(dòng)電3各A 504、掃描線驅(qū)動(dòng)電3各B 505 和連接至要為其輸入各種電源和信號(hào)的FPC 508的FPC連接部分507。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路503具有諸如移位寄存器、鎖存器、電平移動(dòng)器和 緩沖器的電路，并將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出至每一列的數(shù)據(jù)線。每一掃描線驅(qū)動(dòng) 電路A 504和掃描線驅(qū)動(dòng)電路B 505具有諸如移位寄存器、電平移動(dòng)器 和緩沖器的電路。掃描線驅(qū)動(dòng)電路A 504向每一行的第二掃描線輸出順 序選擇脈沖，同時(shí)掃描線驅(qū)動(dòng)電路B 505向每一行的第一掃描線輸出順 序選擇脈沖。根據(jù)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路A 504和掃描線驅(qū)動(dòng)電路B 505輸出選擇脈 沖之時(shí)寫入到每一像素內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)控制發(fā)光元件是否發(fā)光。除了上述驅(qū)動(dòng)電路之外，可以在基板501上以集成的方式形成諸如 CPU和控制器的電路。這樣有可能降低所要連接的外部電路(IC)的數(shù) 量，并進(jìn)一步降低重量和厚度，對(duì)于移動(dòng)終端等而言，這種做法尤為有 效。在本說(shuō)明書中，如圖9所示，將已經(jīng)對(duì)其執(zhí)行到了安裝FPC的步驟 并且將EL元件用于所述發(fā)光元件的屏板稱為EL模塊?？梢詫⑦@一實(shí)施例與上述實(shí)施才莫式和實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施例3]將通過(guò)實(shí)施例3描述這樣一個(gè)例子，其中，將通過(guò)補(bǔ)償電流供應(yīng)線 的電勢(shì)來(lái)抑制由于環(huán)境溫度的變化和隨時(shí)間的變化導(dǎo)致的發(fā)光元件的 電流值的波動(dòng)帶來(lái)的影響。阻值)與采用無(wú)機(jī)材料的發(fā)光元件相比更易于隨環(huán)境溫度發(fā)生變化。具 體地，在將室溫設(shè)為標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，如果溫度高于標(biāo)準(zhǔn)溫度，電阻值就會(huì) 降低，如果溫度低于標(biāo)準(zhǔn)溫度，電阻值就會(huì)增大。因此，在施加相同的 電壓的情況下，如果溫度升高，電流值就會(huì)增大，從而使亮度超過(guò)預(yù)期 亮度。在施加相同的電壓的情況下，如果溫度降低，電流值就會(huì)降低，
從而使亮度降到預(yù)期亮度以下。發(fā)光元件具有電流值隨時(shí)間推移而降低 的特性。具體地，在累積發(fā)光周期和非發(fā)光周期時(shí)，電阻值隨著發(fā)光元 件的劣化而增大。因而，在施加相同的電壓的情況下，如果累積發(fā)光周 期和非發(fā)光周期，電流值將降低，從而使亮度落到預(yù)期亮度以下。由于發(fā)光元件的上述特性，亮度因環(huán)境溫度的變化或者隨時(shí)間的變 化而改變。在這一實(shí)施例中，通過(guò)采用本發(fā)明的電流供應(yīng)線的電勢(shì)進(jìn)行 補(bǔ)償，有可能抑制由環(huán)境溫度的變化和隨時(shí)間的變化導(dǎo)致的發(fā)光元件內(nèi) 的電流值的波動(dòng)所帶來(lái)的影響。在發(fā)光元件是電阻值易于隨環(huán)境溫度的變化以及隨時(shí)間的變化而發(fā)生波動(dòng)的有機(jī)EL元件時(shí)，這一實(shí)施例尤為有效。圖IO示出了一種電路結(jié)構(gòu)。在像素中提供了圖1所示的半導(dǎo)體裝 置。將省略對(duì)與圖1中相同的部分的描述。在圖10中，電流供應(yīng)線1401 和反電極1402通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管1403和發(fā)光元件1404相互連接，這一 點(diǎn)如圖1所示。于是，電流從電流供應(yīng)線1401流向反電極1402。發(fā)光 元件1404才艮據(jù)從電流供應(yīng)線1401流向反電極1402的電流量發(fā)光。附 圖標(biāo)記1405表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。就這^^的像素結(jié)構(gòu)而言，如果電流供應(yīng)線1401和反電才及1402的電 勢(shì)是固定的，并且電流持續(xù)流向發(fā)光元件1404，那么發(fā)光元件1404的 特性將劣化。此外，發(fā)光元件1404的特性將根據(jù)環(huán)境溫度而變化。具體地，如果電流持續(xù)流向發(fā)光元件1404,那么電壓-電流特性將 開始漂移。換言之，發(fā)光元件1404的電阻值將增大，因而即使施加相 同的電壓量，發(fā)生流動(dòng)的電流量也將變小。此外，即使提供相同的電流 量，發(fā)光效率也會(huì)降低，從而使亮度下降。就溫度特性而言，如果溫度降低，電壓-電流特性將發(fā)生漂移，從 而提高發(fā)光元件1404的電阻值。因此，采用監(jiān)視電路補(bǔ)償上述由波動(dòng)導(dǎo)致的劣化和影響。在這一實(shí) 施例中，通過(guò)調(diào)整電流供應(yīng)線1401的電勢(shì)，補(bǔ)償了由于發(fā)光元件1404 的溫度導(dǎo)致的劣化和波動(dòng)。這里，將描述監(jiān)視電路的結(jié)構(gòu)。通過(guò)監(jiān)視電流源1408和監(jiān)視發(fā)光 元件1409使第一監(jiān)視電源線1406和第二監(jiān)視電源線1407相互連接。 將用于輸出監(jiān)視發(fā)光元件1409的電勢(shì)的抽樣電路1410的輸入端子連接 至監(jiān)—見發(fā)光元件1409和監(jiān)視電流源1408的連接點(diǎn)。將電流供應(yīng)線1401
連接至抽樣電路1410的輸出端子。因此，通過(guò)抽樣電路1410的輸出控 制電流供應(yīng)線1401的電勢(shì)。接下來(lái)，將說(shuō)明監(jiān)視電路的操作。首先，監(jiān)視電流源1408給送電 流，所述電流具有使發(fā)光元件1404發(fā)射具有最大數(shù)量的灰度級(jí)的光所 需的量。這時(shí)的電^K直為Imax 。之后，在監(jiān)視發(fā)光元件1409的兩端施加電壓，該電壓具有給送量 為Imax的電流所必須的電平。如果監(jiān)視發(fā)光元件1409的電流-電壓特 性根據(jù)劣化、溫度等變化，那么施加在監(jiān)視發(fā)光元件1409的相對(duì)兩端 的電壓也發(fā)生變化，從而變?yōu)樽罴阎?。因此，能夠補(bǔ)償監(jiān)視發(fā)光元件1409 中的波動(dòng)(例如劣化或溫度變化)的影響。將要施加至監(jiān)視發(fā)光元件1409的電壓輸入到抽樣電路1410的輸入 端子。因此，通過(guò)監(jiān)視電路補(bǔ)償了抽樣電路1410的輸出端子的電勢(shì)， 即電流供應(yīng)線1410的電勢(shì)，由此能夠補(bǔ)償由劣化或溫度導(dǎo)致的發(fā)光元 件1404的波動(dòng)。抽樣電路1410可以是任何類型的電路，只要能夠根據(jù)輸入電流輸 出電壓即可。例如，電壓輸出電路也是一種放大器電路；但是，所述電 路不限于此?？梢圆捎眠\(yùn)算放大器、雙極晶體管和MOS晶體管中的任 何一種或者這些元件的組合形成所述電路。按照預(yù)期，采用相同的制造方法將監(jiān)視發(fā)光元件1409與像素的發(fā) 光元件1404同時(shí)形成于相同的基板上，因?yàn)槿绻糜诒O(jiān)視的發(fā)光元件和要布置到像素中的發(fā)光元件之間存在特性差別，就會(huì)使補(bǔ)償不重合 (misaligned )。由于布置在像素中的發(fā)光元件1404經(jīng)常具有不產(chǎn)生流動(dòng)電流的周 期，如果電流持續(xù)流量監(jiān)視發(fā)光元件1409,那么劣化在監(jiān)視發(fā)光元件 1409中的發(fā)展程度就會(huì)高于在發(fā)光元件1404中的發(fā)展程度。因此，從 抽樣電路1410輸出的電勢(shì)變成了受到過(guò)度補(bǔ)償?shù)碾妱?shì)。相應(yīng)地，由抽 樣電路1410輸出的電勢(shì)可以遵循像素的實(shí)際劣化度。例如，如果整個(gè) 屏幕的光比平均為30%,那么可以在對(duì)應(yīng)于30%的亮度的周期內(nèi)向監(jiān)視 發(fā)光元件1409輸送電流。這時(shí)，監(jiān)視發(fā)光元件1409具有不產(chǎn)生流動(dòng)電 流的周期；但是必須從抽樣電路1410的輸出端子恒定地提供電壓。為 了實(shí)現(xiàn)這一目的，可以為抽樣電路1410的輸入端子提供電容器元件， 在所述電容器元件處保持向監(jiān)視發(fā)光元件1409輸送電流時(shí)產(chǎn)生的電勢(shì)。如果按照最大數(shù)量的灰度級(jí)操作所述監(jiān)視電路，那么將輸出受到過(guò)度補(bǔ)償?shù)碾妱?shì)。但是，由于像素中的局部額外曝光(burning-in)(由于 每個(gè)像素內(nèi)劣化度的波動(dòng)而導(dǎo)致的亮度的變化)變得不可察覺，因此優(yōu) 選按照最大數(shù)量的灰度級(jí)操作所述監(jiān)視電路。在這一實(shí)施例中，更優(yōu)選使所述驅(qū)動(dòng)晶體管1403在線性區(qū)內(nèi)工作。 驅(qū)動(dòng)晶體管1403基本上是作為在線性區(qū)內(nèi)工作的開關(guān)操作的。因此， 有可能抑制由驅(qū)動(dòng)晶體管1403的劣化、溫度等導(dǎo)致的特性波動(dòng)的影響。 就驅(qū)動(dòng)晶體管1403僅在線性區(qū)工作的情況而言，通過(guò)數(shù)字的方式控制 是否向發(fā)光元件1404輸送電流。在這種情況下，為了提高灰度級(jí)數(shù)量， 優(yōu)選結(jié)合時(shí)間灰度級(jí)法、面積灰度級(jí)法等?？梢詫⑦@一實(shí)施例與上述實(shí)施才莫式和實(shí)施例自由組合。 [實(shí)施例4]作為配備有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，給出了電視接收設(shè) 備、諸如攝像機(jī)或數(shù)字照相機(jī)的攝影設(shè)備、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、 還音裝置(例如汽車音頻部件)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、移動(dòng)信息終端(例 如，移動(dòng)計(jì)算才幾、移動(dòng)電話、移動(dòng)游戲機(jī)或電子書)以及配備有記錄介 質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體而言是再現(xiàn)諸如數(shù)字通用盤(DVD)的記錄介 質(zhì)的裝置，其設(shè)有用于顯示再現(xiàn)后的圖像的顯示器)等。圖11、圖12、 圖13A和圖13B、圖14A和圖14B、圖15以及圖16A到圖16E示出了 這些電子設(shè)備的具體例子。圖11示出了顯示屏板5001與電路基板5011相結(jié)合的EL模塊。在 電路基板5011上形成控制電路5012、信號(hào)劃分電路5013等，顯示屏板 5001與電路基板5011通過(guò)連接線5014相互連接。這一顯示屏板5001設(shè)有提供了多個(gè)像素的像素部分5002、掃描線 驅(qū)動(dòng)電路5003和用于向所選的像素提供視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路 5004。就EL模塊的制造而言，可以采用上述實(shí)施例制造構(gòu)成像素部分 5002內(nèi)的像素的半導(dǎo)體裝置。此外，可以采用通過(guò)上述實(shí)施例形成的 TFT制造諸如掃描線驅(qū)動(dòng)電路5003和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路5004的控制驅(qū)動(dòng) 電路部分。因而，能夠完成圖11所示的EL模塊電勢(shì)的制造。圖12是示出了 EL電視接收機(jī)的主要構(gòu)造的方框圖。采用調(diào)諧器 5101接收視頻信號(hào)和音頻信號(hào)。通過(guò)圖像信號(hào)放大電路5102、用于將
圖像信號(hào)放大電路5102輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)于紅色、綠色或藍(lán)色的彩色信號(hào)的圖像信號(hào)處理電路5103和用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)IC的輸入規(guī)格轉(zhuǎn)換 圖像信號(hào)的控制電路5012處理所述視頻信號(hào)?？刂齐娐?012分別向掃 描線一側(cè)和數(shù)據(jù)線一側(cè)輸出信號(hào)。就數(shù)字驅(qū)動(dòng)而言，可以在數(shù)據(jù)線一側(cè) 提供信號(hào)劃分電路5013，從而將輸入的數(shù)字信號(hào)劃分為數(shù)量m個(gè)信號(hào) 并提供所述信號(hào)。在通過(guò)調(diào)諧器5101接收的信號(hào)中，音頻信號(hào)被發(fā)送至音頻信號(hào)放 大電路5105，并通過(guò)音頻信號(hào)處理電路5106發(fā)送至揚(yáng)聲器5107。控制 電路5108從輸入部分5109接收諸如接收臺(tái)(接收頻率)或音量的控制 信息，并向調(diào)諧器5101或音頻信號(hào)處理電路5106發(fā)送信號(hào)。如圖13A所示，可以通過(guò)將EL模塊結(jié)合到外殼5201中完成電視接 收機(jī)的制造。憑借EL模塊形成了顯示屏5202。此外，適當(dāng)?shù)靥峁P(yáng)聲 器5203、操作開關(guān)5204等。圖13B示出了只能無(wú)線安裝顯示器的電視接收設(shè)備。機(jī)架5212包 括電池和信號(hào)接收器，通過(guò)電池驅(qū)動(dòng)顯示部分5213和揚(yáng)聲器部分 5217。可以采用電池充電器5210對(duì)電池反復(fù)充電。電池充電器5210能 夠發(fā)送和接收視頻信號(hào)，并且能夠?qū)⒁曨l信號(hào)發(fā)送到顯示器的信號(hào)接收 器內(nèi)。通過(guò)操作鍵5216控制機(jī)架5212。由于能夠通過(guò)操作操作鍵5216 使圖13B所示的設(shè)備將信號(hào)從機(jī)架5212發(fā)送至電池充電器5210,因而 也可以將該設(shè)備稱為雙路視頻/音頻通信裝置。此外，通過(guò)操作操作鍵 5216,能夠從機(jī)架5212向電池充電器5210發(fā)送信號(hào)，并且還能從電池 充電器5210向另一電子設(shè)備發(fā)送信號(hào)，因而對(duì)另一電子設(shè)備的通信控制也是可能的。因此，也將其稱為通用遙控裝置?？梢詫⒈景l(fā)明用于顯 示部分5213。通過(guò)在圖11、圖12以及圖13A和13B所示的電視接收設(shè)備中采用 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，有可能單獨(dú)設(shè)置要施加到第一晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體 管)的柵電極的導(dǎo)通/截止電勢(shì)以及顯示部分的像素中的數(shù)據(jù)線的幅度的 電勢(shì)。因此，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，由此能夠提供消耗更 少的電功率的半導(dǎo)體裝置。相應(yīng)地，能夠向客戶提供顯著抑制功率消耗 的產(chǎn)品。不用說(shuō)，本發(fā)明不限于電禍L接收機(jī)，可以將本發(fā)明應(yīng)用到各種用途 當(dāng)中，例如，用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、火車站或飛機(jī)場(chǎng)的信息顯示板 等大型顯示介質(zhì)或者街道廣告顯示板。圖14A示出了顯示屏板5301與印刷線路基板5302相結(jié)合的模塊。 所述顯示屏板5301設(shè)有提供了多個(gè)像素的像素部分5303、第一掃描線 驅(qū)動(dòng)電路5304、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路5305和用于向所選的像素提供碎見 頻信號(hào)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路5306。印刷線路基板5302設(shè)有控制器5307、中央處理單元(CPU) 5308、 存儲(chǔ)器5309、電源電路5310、音頻處理電路5311、發(fā)送/接收電路5312相互連接。印刷線路基板5302可以設(shè)有電容器元件、緩沖電路等，從 而避免電源電壓和信號(hào)中的噪聲以及信號(hào)上升時(shí)間的延遲。此外，可以 通過(guò)COG(玻璃上芯片)法將控制器5307、音頻處理電路5311、存儲(chǔ) 器5309、 CPU 5308、電源電路5310等安裝到顯示屏板5301上。通過(guò) COG法，能夠降低印刷線路基板5302的尺度。通過(guò)向印刷線路基板5302提供的接口 ( I/F )部分5314輸入/輸出各 種控制信號(hào)。此外，向印刷線路基板5302提供用于在天線和印刷線路 基板5302之間發(fā)送/接收信號(hào)的天線端口 5315。圖14B是示出了圖14A所示的模塊的方框圖。這一模塊具有作為存 儲(chǔ)器5309的VRAM 5316、DRAM 5317、閃速存4諸器5318等。VRAM 5316 存儲(chǔ)要在屏板上顯示的圖像數(shù)據(jù)，DRAM 5317存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)或音頻數(shù) 據(jù)，閃速存儲(chǔ)器5318存儲(chǔ)各種程序。電源電路5310提供操作顯示屏板5301、控制器5307、 CPU 5308、 音頻處理電路5311、存儲(chǔ)器5309和發(fā)送/接收電路5312的電功率。電 源電路有時(shí)根據(jù)屏板的規(guī)格配備電流源。CPU 5308具有控制信號(hào)發(fā)生電路5320、 i奪碼器5321 、寄存器5322、 運(yùn)算電路5323、 RAM 5324、針對(duì)CPU 5308的接口 ( I/F )部分5319等。 將通過(guò)接口部分5319輸入到CPU 5308的各種信號(hào)在寄存器5322內(nèi)保 持過(guò)一次之后輸入到運(yùn)算電路5323、譯碼器5321等。運(yùn)算電路5323基 于輸入的信號(hào)執(zhí)行計(jì)算并指定將各種指令發(fā)送到的地址。同時(shí)，對(duì)輸入 到譯碼器5321的信號(hào)譯碼，并將經(jīng)過(guò)譯碼的信號(hào)輸入到控制信號(hào)發(fā)生 電路5320?？刂菩盘?hào)發(fā)生電路5320基于輸入的信號(hào)生成包括各種指令 的信號(hào)，并將所述信號(hào)發(fā)送至由運(yùn)算電路5323指定的地址，具體而言， 發(fā)送至存儲(chǔ)器5309、發(fā)送/接收電路5312、音頻處理電路5311、控制器 5307等。存儲(chǔ)器5309、發(fā)送/接收電路5312、音頻處理電路5311和控制器 5307根據(jù)接收到的指令進(jìn)行操作。在下文中，將對(duì)所述操作進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō) 明。將從輸入裝置5325輸入的信號(hào)通過(guò)I/F部分5314發(fā)送至安裝在印 刷線路基板5302上的CPU 5308?？刂菩盘?hào)發(fā)生電路5320根據(jù)從諸如 點(diǎn)擊設(shè)備或鍵盤的輸入裝置5325發(fā)送的信號(hào)將存儲(chǔ)在VRAM 5316內(nèi)的 圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為預(yù)定格式，并將經(jīng)轉(zhuǎn)化的圖像數(shù)據(jù)發(fā)送至控制器5307?？刂破?307根據(jù)屏板的規(guī)格處理CPU 5308發(fā)送的包括圖像數(shù)據(jù)的 信號(hào)，并將所述信號(hào)提供給顯示屏板5301。控制器5307基于從CPU 5308 輸入的各種信號(hào)和從電源電路5310輸入的電源電壓生成Hsync信號(hào)、 Vsync信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)CLK、交流電壓(AC Cont)和開關(guān)信號(hào)L/R,并 將這些信號(hào)提供給顯示屏板5301。發(fā)送/接收電路5312處理由天線5328發(fā)送和接收的作為電波的信 號(hào)，具體地，發(fā)送/接收電路5312包括諸如隔離器、帶通濾波器、VCO (電壓控制振蕩器)、LPF(低通濾波器)、耦合器或平衡-不平衡變 換器(balun)的高頻電路。在由發(fā)送/接收電路5312發(fā)送和接收的信號(hào) 當(dāng)中，根據(jù)來(lái)自CPU 5308的指令將包括音頻信息的信號(hào)發(fā)送至音頻處 理電3各5311。在音頻處理電路5311中將根據(jù)CPU 5308的指令發(fā)送的包括音頻信 息的信號(hào)解調(diào)為音頻信號(hào)，并將其發(fā)送至揚(yáng)聲器5327。在音頻處理電路 5311內(nèi)對(duì)由傳聲器5326發(fā)送的音頻信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，并根據(jù)來(lái)自CPU 5308的指令將其發(fā)送至發(fā)送/接收電路5312。在這一實(shí)施例中，可以將控制器5307、 CPU 5308、電源電路5310、 音頻處理電路5311和存儲(chǔ)器5309作為一個(gè)封裝進(jìn)行安裝。可以將這一 實(shí)施例應(yīng)用于任何電路，而不僅限于諸如隔離器、帶通濾波器、VCO(電 壓控制振蕩器)、LPF(低通濾波器)、耦合器或平衡-不平衡變換器 的高頻電路。圖15示出了包括圖14A和14B所示的模塊的移動(dòng)電話的模式。將 顯示屏板5301以可拆卸的方式安裝到外殼5330內(nèi)。外殼5330可以才艮 據(jù)顯示屏板5301的尺寸而具有任何形狀和尺寸。將固定了顯示屏板 5301的外殼5330安放到印刷基板5331內(nèi)，并作為一個(gè)模塊進(jìn)行組裝。 將顯示屏板5301通過(guò)FPC 5313連接至印刷基板5331。印刷基板 5331設(shè)有揚(yáng)聲器5332、傳聲器5333、發(fā)送/接收電路5334以及包括 CPU、控制器等的信號(hào)處理電路5335。將這樣的模塊與輸入裝置5336、 電池5337和天線5340組合并放到外殼5339內(nèi)。將顯示屏板5301的像 素部分設(shè)置為能夠從形成于外殼5339內(nèi)的開放窗口看到?？梢愿鶕?jù)功能和目標(biāo)用途將這一 實(shí)施例的移動(dòng)電話改變?yōu)楦鞣N模 式。例如，可以提供多個(gè)顯示屏板，或者可以將外殼適當(dāng)?shù)貏澐譃槎鄠€(gè) 外殼，并使所述外殼通過(guò)鉸鏈相互連接，以實(shí)現(xiàn)開啟和閉合的目的。圖15所示的移動(dòng)電話具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，在顯示屏板5301內(nèi)按照矩陣布置包含在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的與實(shí)施模式1中描述的類似的像 素。在所述半導(dǎo)體裝置中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極施加導(dǎo)通/截止電 勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的電勢(shì)。因此，能夠?qū)?shù)據(jù) 線的幅度設(shè)置為小幅度，并且能夠顯著抑制半導(dǎo)體裝置的功耗。由于包 括半導(dǎo)體裝置的顯示屏板5301具有類似的特性，因而在所述移動(dòng)電話 內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的顯著降低。這一特性使得顯箸降低電源電路的數(shù)量或降 低其尺寸成為了可能；因此，能夠使外殼5339的重量更輕。由于本發(fā) 明的移動(dòng)電話消耗的電功率更低，并且重量輕，因而能夠向客戶提供具 有提高的便攜性的產(chǎn)品。圖16A示出了包括外殼6001、底座6002和顯示部分6003等的電 視裝置。在這一電視裝置中，在顯示部分6003內(nèi)按矩陣布置與實(shí)施模 式1中描述的類似的包含在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的像素。在所述半導(dǎo)體裝置 中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極施加導(dǎo)通/截止電勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置 像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的電勢(shì)。因此，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅 度，并且能夠顯著抑制半導(dǎo)體裝置的功耗。由于包括所述半導(dǎo)體裝置的 顯示部分6003具有類似的特性，因而在所述電視裝置內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的 顯著降低。這一特性使得顯著降低電源電路的數(shù)量或降低其尺寸成為了 可能；因此，能夠使外殼6001的重量更輕。由于本發(fā)明的電視裝置消 耗的電功率更低，并且重量更輕，因而能夠向客戶提供適于居住環(huán)境的產(chǎn)品o圖16B示出了包括主體6101、外殼6102、顯示部分6103、鍵盤 6104、外部連接端口 6105和點(diǎn)擊鼠標(biāo)6106等的計(jì)算才幾。在所述計(jì)算枳^ 中，在顯示部分6103內(nèi)按矩陣布置與實(shí)施模式1中描述的類似的包含
在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的像素。在所述半導(dǎo)體裝置中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵 電極施加導(dǎo)通/截止電勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的電 勢(shì)。因此，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，并且能夠顯著抑制半導(dǎo) 體裝置的功耗。由于包括所述半導(dǎo)體裝置的顯示部分6103具有類似的 特性，因而在所述計(jì)算機(jī)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的顯著降低。這一特性使得顯著減少電源電路的數(shù)量或降低其尺寸成為了可能；因此，能夠使主體6101 和外殼6102的重量更輕。由于本發(fā)明的計(jì)算機(jī)消耗的電功率更低，并 且重量更輕，因而能夠向客戶提供具有高便利性的產(chǎn)品。圖16C示出了包括主體6201、顯示部分6202、開關(guān)6203、操作鍵 6204、紅外端口 6205等的移動(dòng)計(jì)算機(jī)。在所述移動(dòng)計(jì)算機(jī)中，在顯示 部分6202內(nèi)按矩陣布置與實(shí)施模式1中描述的類似的包含在半導(dǎo)體裝 置內(nèi)的像素。在所述半導(dǎo)體裝置中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極施加導(dǎo) 通/截止電勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的電勢(shì)。因此，能 夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，并且能夠顯著抑制半導(dǎo)體裝置的功 耗。由于包括所述半導(dǎo)體裝置的顯示部分6202具有類似的特性，因而在所述移動(dòng)計(jì)算機(jī)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的顯著降低。這一特性使得顯著降低電 源電路的數(shù)量或降低其尺寸成為了可能；因此，能夠使主體6201的重 量更輕。由于本發(fā)明的移動(dòng)計(jì)算機(jī)消耗的電功率更低，并且重量更輕， 因而能夠向客戶提供具有高便利性的產(chǎn)品。圖16D示出了包括外殼6301、顯示部分6302、揚(yáng)聲器部分6303、 操作4建6304、記錄介質(zhì)插入部分6305等的移動(dòng)游戲機(jī)。在所述移動(dòng)游 戲機(jī)中，在顯示部分6302內(nèi)按矩陣布置與實(shí)施模式1中描述的類似的 包含在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的像素。在所述半導(dǎo)體裝置中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管 的柵電極施加導(dǎo)通/截止電勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的 電勢(shì)。因此，能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，并且能夠顯著抑制半 導(dǎo)體裝置的功耗。由于包括所述半導(dǎo)體裝置的顯示部分6302具有類似 的特性，因而在所述移動(dòng)游戲機(jī)內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的顯著降低。這一特性使 得顯著降低電源電路的數(shù)量或降低其尺寸成為了可能；因此，能夠使外 殼6301的重量更輕。由于本發(fā)明的移動(dòng)游戲機(jī)消耗的電功率更低，并 且重量更輕，因而能夠向客戶提供具有高便利性的產(chǎn)品。圖16E示出了一種配備有記錄介質(zhì)的移動(dòng)圖像再現(xiàn)裝置(具體為 DVD再現(xiàn)裝置)，其包括主體6401、外殼6402、顯示部分A6403、顯
示部分B 6404、記錄介質(zhì)(例如DVD)讀取部分6405、操作鍵6406、 揚(yáng)聲器部分6407等。顯示部分A6斗(B主要顯示圖像信息，顯示部分B 6404主要顯示文本信息。在這一圖像再現(xiàn)裝置中，在顯示部分A 6403 和B 6404內(nèi)按矩陣布置了與實(shí)施模式1中描述的類似的包含在半導(dǎo)體 裝置中的像素。在所述半導(dǎo)體裝置中，可以向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極施加 導(dǎo)通/截止電勢(shì)，并且能夠單獨(dú)設(shè)置像素內(nèi)數(shù)據(jù)線的幅度的電勢(shì)。因此， 能夠?qū)?shù)據(jù)線的幅度設(shè)置為小幅度，并且能夠顯著抑制半導(dǎo)體裝置的功 耗。由于包括所述半導(dǎo)體裝置的顯示部分A 6403和B 6404具有類似的 特性，因而在所述圖像再現(xiàn)裝置內(nèi)實(shí)現(xiàn)了功耗的顯著降低。這一特性使 得顯著減少電源電路的數(shù)量或降低其尺寸成為了可能；因此，能夠使主 體6401和外殼6402的重量更輕。由于本發(fā)明的圖像再現(xiàn)裝置消耗的電 功率更低，并且重量更輕，因而能夠向客戶提供具有高便利性的產(chǎn)品。 根據(jù)尺寸、強(qiáng)度和目標(biāo)用途，不僅可以采用玻璃基板，還可以采用耐熱 塑料基板形成這些電子設(shè)備中采用的顯示裝置。相應(yīng)地，能夠?qū)崿F(xiàn)重量 的進(jìn)一步降低。這一實(shí)施例中給出的例子只是出于舉例的目的，本發(fā)明不限于此。 可以將這一實(shí)施例與上述實(shí)施模式和實(shí)施例的任何說(shuō)明自由結(jié)合。本申請(qǐng)以2005年4月18日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)No. 2005-119676為基礎(chǔ)，在此將其全文引入以供參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括發(fā)光元件；掃描線；數(shù)據(jù)線；電流供應(yīng)線；第一晶體管，其源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其柵極被連接至所述數(shù)據(jù)線，其源極和漏極之一被連接至所述掃描線，其源極和漏極中的另一個(gè)被連接至所述第一晶體管的柵極；以及第三晶體管，其柵極以及源極和漏極之一被連接到所述掃描線，其源極和漏極中的另一個(gè)被連接到所述第二晶體管的所述的源極和漏極中的另一個(gè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二晶體管和所述第 三晶體管為N溝道晶體管。
3. —種半導(dǎo)體裝置，包括 發(fā)光元件；掃描線； 數(shù)據(jù)線； 電流供應(yīng)線；第一晶體管，其源極和漏極之一^c連接至所述電流供應(yīng)線，其源極 和漏極中的另 一個(gè)被連"t妄至所述發(fā)光元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其柵極被連接至所述數(shù)據(jù)線，其源極和漏極之一被連 接至所述掃描線，其源極和漏極中的另 一 個(gè)被連接至所述第 一 晶體管的 柵極；以及二極管，其一個(gè)電極被連接至所述掃描線，其另一個(gè)電極被連接至 所述第二晶體管的所述的源極和漏中的另 一 個(gè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二晶體管為N溝道 晶體管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括電容器，其中，所述電容器包括連接至所述第一晶體管的所述柵極的一個(gè)電 極和連接至所述電流供應(yīng)線的另 一 個(gè)電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括用于控制所述 第二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一個(gè)與所述第 一晶體管的所述 柵極之間的電連接或斷開的開關(guān)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述另 一個(gè)電極 的電勢(shì)。
8. —種半導(dǎo)體裝置，包括 發(fā)光元件；掃描線； 數(shù)據(jù)線； 電流供應(yīng)線； 節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其柵極被連接至所述節(jié)點(diǎn)，其源極和漏極之一被連接 至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的 一個(gè)電才及；以及第二晶體管，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的電勢(shì)導(dǎo)通或截止， 并且其決定著所述節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)，其中，將所述節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)設(shè)置為在不取決于所述數(shù)據(jù)線的電勢(shì)的情 況下使所述第一晶體管截止的電勢(shì)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，將所述第二晶體管的柵極連接至所述數(shù)據(jù)線，將所述第二晶 體管的源極和漏極之 一 連接至所述掃描線，將所述源極和漏極中的另一 個(gè)連接至所述節(jié)點(diǎn)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述另 一 個(gè)電極 的電勢(shì)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二晶體管為N溝道 晶體管。
12. —種半導(dǎo)體裝置，包括發(fā)光元件；掃描線；數(shù)據(jù)線；電流供應(yīng)線；第一節(jié)點(diǎn)；第二節(jié)點(diǎn)；第一晶體管，其柵極被連接至所述第一節(jié)點(diǎn)，其源極和漏極之一被 連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的一個(gè)電才及；第二晶體管，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的電勢(shì)導(dǎo)通或截止， 并且其決定著所述第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)；以及開關(guān)，其用于控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電連接或斷開，其中，將所述第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)設(shè)置為在不取決于所述數(shù)據(jù)線的電勢(shì) 的情況下使所述第一晶體管截止的電勢(shì)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，將所述第二晶體管的柵極連接至所述數(shù)據(jù)線，將所述第二晶 體管的源極和漏極之一連接至所述掃描線，將所述源極和漏極中的另一 個(gè)連接至所述第二節(jié)點(diǎn)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述另 一 個(gè)電極 的電勢(shì)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二晶體管為N溝道 晶體管。
16. —種半導(dǎo)體裝置，包括 發(fā)光元件；第一掃描線； 第二掃描線； 數(shù)據(jù)線； 電流供應(yīng)線； 第一晶體管，其源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其柵極被連接至所述數(shù)據(jù)線，其源極和漏極之一被連 接至所述第一掃描線，其源極和漏極中的另一個(gè)被連接至所述第一晶體 管的柵極；第三晶體管，其4冊(cè)極以及源極和漏極之一 #皮連^妄到所述第 一 掃描 線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接到所述第二晶體管的所述的源極和 漏才及中的另一個(gè)；以及第四晶體管，其柵極被連接至所述第二掃描線，其源極和漏極之一 被連接至所述第二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一個(gè)，其源極和漏 極中的另 一個(gè)被連接至所述第一晶體管的柵極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二到第四晶體管為 N溝道晶體管。
18. —種半導(dǎo)體裝置，包括 發(fā)光元件；第一掃描線； 第二掃描線； 數(shù)據(jù)線； 電流供應(yīng)線；第一晶體管，其源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極 和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的 一個(gè)電極；第二晶體管，其柵極被連接至所述數(shù)據(jù)線，其源極和漏極之一被連 接至所述第一掃描線，其源極和漏極中的另一個(gè)被連接至所述第一晶體 管的柵極；二極管，其一個(gè)電極被連接至所述第一掃描線，其另一個(gè)電極被連 接至所述第二體管的所述的源極和漏極中的另 一 個(gè)；以及第四晶體管，其柵極被連接至所述第二掃描線，其源極和漏極之一 被連接至所述第二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一個(gè)，其源極和漏 極中的另 一個(gè)被連接至所述第 一晶體管的柵極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二和第四晶體管為 N溝道晶體管。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16或18所述的半導(dǎo)體裝置，還包括電容器， 其中，所述電容器包括連接至所述第一晶體管的所述柵極的一個(gè)電極和連4妻至所述電流供應(yīng)線的另 一 個(gè)電才及。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16或18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述另 一個(gè)電極 的電勢(shì)。
22. —種半導(dǎo)體裝置，包括 發(fā)光元件；第一掃描線； 第二掃描線； 數(shù)據(jù)線； 電流供應(yīng)線；第一晶體管，其源極和漏極之一被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極 和漏極中的另一個(gè)被連接至所述發(fā)光元件的一個(gè)電極；第二晶體管，其柵極被連接至所述數(shù)據(jù)線，其源極和漏極之一被連 接至所述第 一 掃描線，其源極和漏極中的另 一 個(gè)被連接至所述第 一 晶體 管的柵才及；第三晶體管，其柵極纟皮連接至所述第一掃描線，其源極和漏極之一 被連接至所述電流供應(yīng)線，其源極和漏極中的另 一個(gè)被連接至所述第二 晶體管的所述的源極和漏極中的另一個(gè)；以及第四晶體管，其柵極被連接至所述第二掃描線，其源極和漏極之一被連接至所述第二晶體管的所述的源極和漏極中的另 一 個(gè)，其源極和漏 極中的另 一 個(gè)被連接至所述第 一 晶體管的柵極。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一晶體管為P溝道晶體管，所述第二到第四晶體管為 N溝道晶體管。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，還包括電容器，其中，所述電容器包括連接至所述第一晶體管的所述柵極的一個(gè)電 極和連4妻至所述電流供應(yīng)線的另 一個(gè)電極。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電流供應(yīng)線的電勢(shì)高于所述發(fā)光元件的所述另 一個(gè)電極的電勢(shì)。
26. —種顯示裝置，其中，每一個(gè)像素包括根據(jù)權(quán)利要求1、 3、 8、12、 16、 18和22中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
27. —種裝備了根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置的電子設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，其中，降低了數(shù)據(jù)線的幅度，以降低功耗。在復(fù)位周期內(nèi)，復(fù)位晶體管和開關(guān)晶體管導(dǎo)通。在所述復(fù)位周期內(nèi)，來(lái)自復(fù)位晶體管的電勢(shì)輸入在節(jié)點(diǎn)D內(nèi)占據(jù)主導(dǎo)，當(dāng)節(jié)點(diǎn)D的電勢(shì)變得高于選擇晶體管的柵極電勢(shì)時(shí)，選擇晶體管截止。因而，即使數(shù)據(jù)線的電勢(shì)變化，節(jié)點(diǎn)G的電勢(shì)也不變。由于并非將數(shù)據(jù)線的電勢(shì)直接寫入到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極內(nèi)，因而有可能單獨(dú)設(shè)置施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的導(dǎo)通/截止電勢(shì)和數(shù)據(jù)線的幅度。
文檔編號(hào)G09G3/30GK101164094SQ20068001304
公開日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2006年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月18日
發(fā)明者宮崎彩, 納光明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所