專利名稱：等離子體顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文涉及一種等離子體顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
一般而言，等離子體顯示面板包括形成在由障壁所分隔的放電室內(nèi)部的熒光體層和多個(gè)電極。
通過(guò)多個(gè)電極將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到放電室。
當(dāng)供給到放電室的高頻率電壓致使放電時(shí)，填充在放電室中的放電氣體產(chǎn)生真空紫外線，其由此導(dǎo)致形成在障壁之間的熒光體發(fā)射光，由此產(chǎn)生可見(jiàn)光。
因可見(jiàn)光導(dǎo)致在等離子體顯示面板的屏幕上顯示出圖像。
圖1A和1B示出了相關(guān)技術(shù)的等離子體顯示面板。
如圖1A中所示，相關(guān)技術(shù)的等離子體顯示面板100包括電極，例如掃描電極Y。
掃描電極Y連接到外部驅(qū)動(dòng)器110。外部驅(qū)動(dòng)器110向掃描電極Y供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
例如，驅(qū)動(dòng)器110向掃描電極Y1、掃描電極Y2、...、掃描電極Ya、...、掃描電極Yb-1、以及掃描電極Yb供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
如圖1B中所示，使多個(gè)掃描電極Y在驅(qū)動(dòng)器110與掃描電極Y的連接點(diǎn)處彎曲預(yù)定的角度，并且形成在一個(gè)側(cè)向上。多個(gè)掃描電極Y平行布置。
當(dāng)如圖1B所示布置多個(gè)掃描電極Y時(shí)，在掃描電極Y的彎曲點(diǎn)130和140處，掃描電極Y之間出現(xiàn)電短路。
例如，在彎曲點(diǎn)130處，在掃描電極Y1、Y2和Y3之間可出現(xiàn)電短路。在彎曲點(diǎn)140處，在掃描電極Yb-2、Yb-1和Yb之間可出現(xiàn)電短路。

發(fā)明內(nèi)容
在總體方面上，一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在第一基板上的介電層、形成在介電層上的保護(hù)層、面對(duì)第一基板的第二基板、以及在第一和第二基板之間的障壁，該等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域、以及形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中該多個(gè)電極的至少之一在第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲點(diǎn)和第二彎曲點(diǎn)并且使在第二區(qū)域內(nèi)第一彎曲點(diǎn)之間的距離不同于第二彎曲點(diǎn)之間的距離，其中保護(hù)層、障壁以及介電層具有等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)的Pb含量。
在另一方面，一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在第一基板上的介電層、形成在介電層上的保護(hù)層、面對(duì)第一基板的第二基板、以及在第一和第二基板之間的障壁，該等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域、以及形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中該多個(gè)電極的至少之一在第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲部分和第二彎曲部分并且使第一彎曲部分之間的距離逐漸增大，以及使第二彎曲部分之間的距離基本上恒定或逐漸減小，其中保護(hù)層、障壁以及介電層具有等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)的Pb含量。
在另外一個(gè)方面，一種包括基板、形成在基板上的多個(gè)電極、保護(hù)層和介電層的等離子體顯示面板中，保護(hù)層或介電層的至少之一的Pb含量等于或小于1000PPM，基板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域和其中不顯示圖像的第二區(qū)域，該多個(gè)電極形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)，該多個(gè)電極的至少之一包括第一部分、第二部分和第三部分，在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)形成第一部分，使得第一區(qū)域內(nèi)的第一部分被形成為在朝向第二區(qū)域內(nèi)的第二部分的第一方向上延伸，在第二區(qū)域內(nèi)在不同于第一方向的第二方向上形成第二部分，使得在第一方向和第二方向之間形成第一角度，并且在從第一部分向第三部分的第二方向上延伸，以及在不同于第一方向和第二方向的第三方向上在第二區(qū)域內(nèi)形成第三部分，使得在第一方向和第三方向之間形成第二角度。
根據(jù)包括附圖的下面描述和權(quán)利要求書，另外的特征將是顯而易見(jiàn)的。


附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并且與本描述一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理，將附圖包括在內(nèi)是為了提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且將其結(jié)合在本說(shuō)明書中且構(gòu)成其一部分。
圖1A和1B示出相關(guān)技術(shù)的等離子體顯示面板；圖2A和2B示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖3示出等離子體顯示面板的電極結(jié)構(gòu)；圖4示出第二區(qū)域內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)；圖5示出在基板上形成第一電極、第二電極和黑色層的配置；圖6A至6C示出取決于驅(qū)動(dòng)器的等離子體顯示面板中電極的置放；圖7示出處于不同彎曲點(diǎn)的電極的結(jié)構(gòu)；圖8示出如此電極結(jié)構(gòu)，其中一電極的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度不同于另一電極的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度；圖9示出進(jìn)一步包括另一部分的電極的結(jié)構(gòu)；圖10示出以不同方向所形成的電極的結(jié)構(gòu)；圖11示出如此結(jié)構(gòu)，其中相繼布置多個(gè)掃描電極對(duì)和多個(gè)維持電極對(duì)；圖12A和12B示出黑色層和如此電極結(jié)構(gòu)，其中在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)相繼布置兩個(gè)掃描電極和兩個(gè)維持電極；圖13示出在等離子體顯示面板的基板的第一區(qū)域內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)；圖14A和14B示出凸起部分的另一結(jié)構(gòu)；圖15示出供給到等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)例；以及圖16A至16D示出用于在子場(chǎng)中供給不同重置信號(hào)的方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明一種等離子體顯示面板以及驅(qū)動(dòng)該等離子體顯示面板的方法。
一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在第一基板上的介電層、形成在介電層上的保護(hù)層、面對(duì)第一基板的第二基板、以及在第一和第二基板之間的障壁，該等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域、以及形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中該多個(gè)電極的至少之一在第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲點(diǎn)和第二彎曲點(diǎn)并且使在第二區(qū)域內(nèi)第一彎曲點(diǎn)之間的距離不同于第二彎曲點(diǎn)之間的距離，其中保護(hù)層、障壁以及介電層具有等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)的Pb含量。
在第二區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一的第二彎曲點(diǎn)之間的距離可大于在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一之間的距離。
該多個(gè)電極的至少之一可在第二區(qū)域內(nèi)具有第三彎曲點(diǎn)。
該多個(gè)電極中的每個(gè)可包括透明電極。
一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在第一基板上的介電層、形成在介電層上的保護(hù)層、面對(duì)第一基板的第二基板、以及在第一和第二基板之間的障壁，該等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域、以及形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中該多個(gè)電極的至少之一在第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲部分和第二彎曲部分并且使第一彎曲部分之間的距離逐漸增大，以及使第二彎曲部分之間的距離基本上恒定或逐漸減小，其中保護(hù)層、障壁以及介電層具有等于或小于1000PPM的Pb含量。
該多個(gè)電極的至少之一可包括在第二區(qū)域內(nèi)的第三彎曲部分，以及第三彎曲部分之間的距離可基本上恒定。
該多個(gè)電極的至少之一中的第二彎曲部分之間的距離可大于在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一中的電極之間的距離。
在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一中的電極之間的距離與在該多個(gè)電極的至少之一中第二彎曲部分之間的距離的比值范圍可從1∶3到1∶8。
在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一的截面寬度與該多個(gè)電極的至少之一中第一彎曲部分的截面寬度的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一中的每個(gè)電極的截面寬度與該多個(gè)電極的至少之一中的第二彎曲部分的截面寬度的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
在一種包括基板、形成在基板上的多個(gè)電極、保護(hù)層和介電層的等離子體顯示面板中，保護(hù)層或介電層的至少之一的Pb含量等于或小于1000PPM，基板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域和其中不顯示圖像的第二區(qū)域，該多個(gè)電極形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)，該多個(gè)電極的至少之一包括第一部分、第二部分和第三部分，在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)形成第一部分，使得第一區(qū)域內(nèi)的第一部分被形成為在朝向第二區(qū)域內(nèi)的第二部分的第一方向上延伸，在第二區(qū)域內(nèi)在不同于第一方向的第二方向上形成第二部分，使得在第一方向和第二方向之間形成第一角度，并且在從第一部分向第三部分的第二方向上延伸，以及在不同于第一方向和第二方向的第三方向上在第二區(qū)域內(nèi)形成第三部分，使得在第一方向和第三方向之間形成第二角度。
該多個(gè)電極可包括多個(gè)電極對(duì)，其中在每個(gè)電極對(duì)中的電極之間的距離小于每個(gè)電極對(duì)之間的距離。可如此形成第一角度，使得電極對(duì)中的第二部分之間的距離逐漸增大，并且可如此形成第二角度，使得電極對(duì)中的第三部分之間的距離基本上恒定或逐漸減小。
該多個(gè)電極的至少之一可包括在第二區(qū)域內(nèi)的第四部分，并且可將第四部分形成在基本上等于第一方向的方向上。
該多個(gè)電極的至少之一可包括在第二區(qū)域內(nèi)的第一電極。第一電極可形成在基板和黑色層之間，黑色層的寬度基本上等于或小于第一電極的寬度。
該多個(gè)電極的至少之一可包括在第二區(qū)域內(nèi)的第一電極和第二電極。黑色層可形成在第一電極和第二電極之間。黑色層的寬度可基本上等于第二電極的寬度。
第一電極可由具有導(dǎo)電性的透明材料形成，并且第二電極可由具有導(dǎo)電性的不透明材料形成。
在該多個(gè)電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度可不同于在除了該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度。
該多個(gè)電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度可不同于除了該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度。
該多個(gè)電極的至少之一的第一角度可不同于除了該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第一角度。
多個(gè)電極中的每個(gè)可包括彼此平行布置的多個(gè)掃描電極對(duì)和多個(gè)維持電極對(duì)。每個(gè)掃描電極對(duì)中的電極之間的距離和每個(gè)維持電極對(duì)中的電極之間的距離可小于掃描電極對(duì)和維持電極對(duì)之間的距離。
此后，將參考附圖詳細(xì)說(shuō)明示范性實(shí)施例。
圖2A和2B示出等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參考圖2A，等離子體顯示面板包括彼此接合的前面板200和后面板210。前面板200包括其上形成掃描電極202和維持電極203的前基板201。后面板210包括后基板211，在其上形成尋址電極213以與掃描電極202和維持電極203相交。
通過(guò)掃描電極202和維持電極203發(fā)生放電室的放電。將用于保持放電室放電的驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到掃描電極202和維持電極203。
上介電層204形成在前基板201的上部以覆蓋掃描電極202和維持電極203，其中在前基板201上形成掃描電極202和維持電極203。
上介電層204限制掃描電極202和維持電極203的放電電流并且提供掃描電極202和維持電極203之間的絕緣。
保護(hù)層205形成在上介電層204的上表面，以便利于放電條件。通過(guò)在上介電層204的上表面上沉積諸如MgO的材料，可形成保護(hù)層205。
形成在后基板211上的尋址電極213用來(lái)向放電室供給數(shù)據(jù)信號(hào)。
下介電層215形成在后基板21的上部以覆蓋尋址電極213，其中在后基板211上形成尋址電極213。下介電層215提供尋址電極213的絕緣。
條形或阱形障壁212形成在下介電層215的上部以形成放電空間(即，放電室)。因而，在前基板201和后基板211之間形成紅色(R)放電室、綠色(G)放電室或藍(lán)色(B)放電室。
將由障壁212所分隔的放電室填充預(yù)定放電氣體。
在由障壁212所分隔的放電室內(nèi)部形成熒光體層214，其用于在產(chǎn)生放電時(shí)發(fā)射可見(jiàn)光以進(jìn)行圖像顯示。例如，可形成紅色(R)熒光體層、綠色(G)熒光體層或藍(lán)色(B)熒光體層。
將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板的掃描電極202、維持電極203或?qū)ぶ冯姌O213的至少之一，使得在由障壁212所分隔的放電室內(nèi)部發(fā)生放電。
填充在放電室中的放電氣體產(chǎn)生真空紫外線。將真空紫外線施加到在放電室內(nèi)部所形成的熒光體層214。
真空紫外線在熒光體層214中產(chǎn)生可見(jiàn)光。將可見(jiàn)光通過(guò)其上形成上介電層204的前基板201發(fā)射到外面，并且因此顯示前基板201的外部表面的圖像。
掃描電極202、維持電極203或?qū)ぶ冯姌O213的至少之一可包括多個(gè)層。
如圖2B所示，掃描電極202和維持電極203中的每一個(gè)包括多個(gè)層。例如，掃描電極202和維持電極203中的每一個(gè)包括第一電極202a和203a以及第二電極202b和203b。
雖然在圖2B中對(duì)掃描電極202和維持電極203中的每一個(gè)包括第一電極202a和203a以及第二電極202b和203b的實(shí)例給出了說(shuō)明，但是尋址電極213可包括第一電極和第二電極。
需要考慮第一電極202a和203a以及第二電極202b和203b的光透射率和導(dǎo)電性以將在放電室內(nèi)所產(chǎn)生的光發(fā)射到外部并且確保驅(qū)動(dòng)效率。因而，掃描電極202和維持電極203的第一電極202a和203a可由透明材料形成。掃描電極202和維持電極203的第二電極202b和203b可由具有導(dǎo)電性的不透明材料形成。
例如，第一電極202a和203a可由透明材料如銦錫氧化物(ITO)材料形成。第二電極202b和203b可由具有導(dǎo)電性的不透明材料如Ag形成。
由于掃描電極202和維持電極203的第一電極202a和203a由透明材料形成，所以將在放電室內(nèi)部所產(chǎn)生的可見(jiàn)光高效地發(fā)射到等離子體顯示面板的外面。
由于掃描電極202和維持電極203的第二電極202b和203b由具有導(dǎo)電性的不透明材料形成，所以第二電極202b和203b防止由具有低導(dǎo)電性的第一電極202a和203a所導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)效率降低。換句話說(shuō)，第二電極202b和203b補(bǔ)償?shù)谝浑姌O202a和203a的低導(dǎo)電性。
掃描電極202的寬度和維持電極203的寬度中的每一個(gè)寬度的范圍可從70μm到250μm。當(dāng)掃描電極202的寬度和維持電極203的寬度處于上述范圍內(nèi)時(shí)，則容易制造掃描電極202和維持電極203并且有效地防止短路和提高能量效率。
當(dāng)掃描電極202和維持電極203的Pb含量等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)以及掃描電極202和維持電極203中的每個(gè)的寬度范圍是從70μm到250μm時(shí)，則等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)效率得到改善且故障減少。
在圖2A和2B中僅示出了等離子體顯示面板的實(shí)例。因此，等離子體顯示面板并不局限于圖2A和2B中所示的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。
例如，上介電層204和下介電層215中的每一個(gè)以單層的形式形成在圖2A和2B的等離子體顯示面板中。然而，上介電層204和下介電層215的至少之一可包括多個(gè)層。
用于吸收外部光的黑色層(未示出)可形成在障壁212上，以防止由障壁212所導(dǎo)致的外部光的反射。
掃描電極202、維持電極203、尋址電極213、介電層204和215、障壁212、熒光體層214、保護(hù)層205或密封材料的至少之一的Pb含量可等于或小于1000PPM。
密封材料位于等離子體顯示面板的邊緣，并且用于接合前基板和后基板。
基于等離子體顯示面板100的所有部件的Pb含量可等于或小于1000PPM。
當(dāng)?shù)入x子體顯示面板100包括大于1000PPM的大量Pb時(shí)，大量Pb可負(fù)面地影響主體。
等離子體顯示面板100的Pb含量的減小可改變面板電容。面板電容的變化可導(dǎo)致錯(cuò)誤的放電。因而，在等離子體顯示面板中的電極寬度、電極形狀、波形等可以防止錯(cuò)誤的放電。
圖3示出等離子體顯示面板的電極結(jié)構(gòu)。
如圖3中所示，等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域和其中不顯示圖像的第二區(qū)域。在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成基板上的多個(gè)電極。該多個(gè)電極的至少之一包括第一部分d1、第二部分d2和第三部分d3。
例如，該多個(gè)電極中的Y1電極、Y2電極和Y3電極的每個(gè)可包括第一部分d1、第二部分d2和第三部分d3。第一部分d1形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)，使得第一區(qū)域內(nèi)的第一部分d1被形成為在朝向第二區(qū)域內(nèi)的第二部分d2的第一方向上延伸。在第二區(qū)域內(nèi)在不同于第一方向的第二方向上形成第二部分d2，使得在第一方向和第二方向之間形成第一角度θ1，且在從第一部分d1朝向第三部分d3的第二方向上延伸。在不同于第一方向和第二方向的第三方向上在第二區(qū)域內(nèi)形成第三部分d3，使得在第一方向和第三方向之間形成第二角度θ2。
此外，該多個(gè)電極中的Yb-2電極、Yb-1電極和Yb電極的每個(gè)可包括第一部分d1’、第二部分d2’和第三部分d3’。第一部分d1’形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)，使得第一區(qū)域內(nèi)的第一部分d1’形成在朝向第二區(qū)域內(nèi)的第二部分d2’的第一方向上。在第二區(qū)域內(nèi)在不同于第一方向的第四方向上形成第二部分d2’，使得在第一方向和第四方向之間形成第一角度θ1’，且在從第一部分d1’朝向第三部分d3’的第四方向上延伸。
第二部分d2’以不同于第一方向的第四方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得第一方向與第四方向之間的角度等于第一角度θ1’。第三部分d3’以不同于第一和第四方向的第五方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得在第一方向d1和第三方向d3之間形成第二角度θ2’。
在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)所形成的多個(gè)電極中，第一角度θ1和θ1’不同于第二角度θ2和θ2’，使得第二方向和第四方向不同于第三方向和第五方向。
不像圖3那樣，當(dāng)在第一區(qū)域內(nèi)將Y2電極形成為較Y3電極更靠近Y1電極時(shí)，可如此形成第二區(qū)域內(nèi)的第一角度，使得兩個(gè)相鄰Y1和Y2電極的第二部分之間的距離W2逐漸變寬，且可如此形成第二區(qū)域的第二角度，使得兩個(gè)相鄰Y1和Y2電極的第三部分之間的距離W3可逐漸減小。
該多個(gè)電極的兩個(gè)相鄰Y1和Y2電極中的第二部分之間的距離W2和第三部分之間的距離W3可大于第一區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰Y1和Y2電極之間的距離W1。這將隨后參考圖12加以詳細(xì)說(shuō)明。
在電極的彎曲點(diǎn)310和320處，可以足夠地確保該多個(gè)電極之間的距離。因而，防止了電極之間的電短路。
該多個(gè)電極的至少之一可進(jìn)一步包括第二區(qū)域內(nèi)的第四部分d4和d4’。
第四部分d4和d4’形成在基本上等于第一方向的方向上。
因而，容易地將用于向等離子體顯示面板供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器的電極線連接到形成在等離子體顯示面板的基板上的電極線。
雖然在圖3中對(duì)等離子體顯示面板的該多個(gè)電極的Y電極(即掃描電極)的實(shí)例給出了說(shuō)明，但是可以與掃描電極相同的方式形成維持電極Z和尋址電極X。
圖4示出第二區(qū)域內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)。
如圖4中所示，等離子體顯示基板的基板201包括其中顯示圖像的第一區(qū)域420和其中不顯示圖像的第二區(qū)域410。
第一區(qū)域420基本上起到圖像顯示的作用。第二區(qū)域410起到將驅(qū)動(dòng)器430連接到電極(例如掃描電極)而非圖像顯示的作用。
在第二區(qū)域410中，掃描電極Y的至少之一，如圖3中所示，包括第一部分、第二部分和第三部分。如此形成掃描電極，使得第一部分朝向第一方向，第二部分朝向第二方向且第三部分朝向第三方向。
如圖3中所示，第二區(qū)域包括第一部分d1的一部分、第二部分d2和第三部分d3。
當(dāng)?shù)诙^(qū)域410內(nèi)的掃描電極的至少之一包括第一部分、第二部分和第三部分時(shí)，防止了掃描電極之間的電短路并且掃描電極和驅(qū)動(dòng)器430的連接變得容易。
第二區(qū)域410內(nèi)的該多個(gè)電極可包括由具有導(dǎo)電性的透明材料所形成的第一電極，或者由具有導(dǎo)電性的不透明材料所形成的第二電極。
當(dāng)?shù)诙^(qū)域410內(nèi)的該多個(gè)電極僅包括第一電極時(shí)，可將第一電極布置在基板201和黑色層之間。黑色層的寬度可等于或小于第一電極的寬度。
當(dāng)該多個(gè)電極包括第一電極和第二電極時(shí)，可在第一電極和第二電極之間形成黑色層，并且黑色層的寬度可基本上等于或第二電極的寬度。
參考圖5將詳細(xì)說(shuō)明如此配置，其中該多個(gè)電極包括第一電極和第二電極，以及在第一電極和第二電極之間形成黑色層。
圖5示出如此配置，其中在基板上形成第一電極、第二電極和黑色層。
如圖5中所示，在基板201上形成第一電極202a和203a，在第一電極202a和203a上形成黑色層500和510，以及在黑色層500和510上形成第二電極202b和203b。
黑色層500或510的至少之一可包括在基板201的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分、第二部分和第三部分。
第一電極的寬度WITO可大于第二電極的寬度WBUS和黑色層的寬度WBLK。第二電極的寬度WBUS可基本上等于黑色層的寬度WBLK。
黑色層500或510的至少之一的形狀近似地與掃描電極Y的形狀或維持電極Z的形狀相同。
等離子體顯示面板中的電極布置可取決于驅(qū)動(dòng)器。
圖6A至6C示出取決于驅(qū)動(dòng)器的等離子體顯示面板中的電極布置。
下面將在圖6A至6C中對(duì)等離子體顯示面板的多個(gè)電極的掃描電極Y的實(shí)例給出說(shuō)明。
如圖6A中所示，連接到驅(qū)動(dòng)器600的該多個(gè)掃描電極的至少之一(例如，Y1和Y2電極)包括第一部分d1、第二部分d2和第三部分d3。第一部分d1以第一方向形成在第一區(qū)域內(nèi)。第二部分d2以第二方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得第一方向和第二方向之間所形成的第一角度θ1大于0°且等于或小于90°。第三部分d3以第三方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得第一方向與第三方向之間所形成的第二角度θ2小于0°且等于或大于-90°。將包括第一部分d1、第二部分d2和第三部分d3的掃描電極定義為類型1。
此外，除連接到驅(qū)動(dòng)器600的該多個(gè)掃描電極的至少之一以外的其余電極的至少之一(例如，Yb-1和Yb電極)包括第一部分d1’、第二部分d2’和第三部分d3’。第一部分d1’以第一方向形成在第一區(qū)域內(nèi)。第二部分d2’以第四方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得第一方向與第四方向之間所形成的第一角度θ1’小于0°且等于或大于-90°。第三部分d3’以第五方向形成在第二區(qū)域內(nèi)，使得第一方向與第五方向之間所形成的第二角度θ2’大于0°且等于或小于90°。將包括第一部分d1’、第二部分d2’和第三部分d3’的掃描電極定義為類型2。
在圖6A中，類型1和類型2的掃描電極Y連接到驅(qū)動(dòng)器600。
如圖6B中所示，連接到驅(qū)動(dòng)器610的多個(gè)掃描電極不包括類型2的掃描電極(例如，如圖6A中的Yb-1和Yb電極)。例如，Y1和Y2電極是類型1，并且Yb電極不彎曲且具有直線形狀。
如圖6C中所示，連接到驅(qū)動(dòng)器620的多個(gè)掃描電極具有圖6B中所示的類型。連接到驅(qū)動(dòng)器630的該多個(gè)掃描電極不包括類型1的掃描電極(例如，如圖6A中的Y1和Y2電極)。例如，Ya+1電極不彎曲且具有直線形狀，以及Yb-1和Yb電極為類型2。
如上所述，取決于驅(qū)動(dòng)器可將電極以各種形式布置。
圖7示出處于不同彎曲點(diǎn)處的電極結(jié)構(gòu)。
下面將在圖7中對(duì)等離子體顯示面板的多個(gè)電極的掃描電極Y的實(shí)例給出說(shuō)明。
如圖7中所示，在該多個(gè)電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)所形成的第一部分的長(zhǎng)度可不同于在除該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)所形成的第一部分的長(zhǎng)度。
更具體地，Y1、Y2、Y3和Y4電極中的每個(gè)包括形成在第一方向上的第一部分、形成在第二方向上的第二部分、形成在第三方向上的第三部分、以及形成在第四方向上的第四部分。
Y1電極的第一部分d1延伸到第二區(qū)域的點(diǎn)P1，第二部分d2從點(diǎn)P1延伸到點(diǎn)P2，第三部分d3從點(diǎn)P2延伸，以及第四部分d4跟隨第三部分d3。
第二區(qū)域內(nèi)Y1電極的第一部分d1的長(zhǎng)度等于Ld1。
Y2電極的第一部分d1’延伸到第二區(qū)域的點(diǎn)P2，第二部分d2’從點(diǎn)P2延伸到點(diǎn)P3，第三部分d3’從點(diǎn)P3延伸，以及第四部分d4’跟隨第三部分d3’。
第二區(qū)域內(nèi)Y2電極的第一部分d1’的長(zhǎng)度等于Ld1’。
以與Y1和Y2電極相同的方式，在第二區(qū)域內(nèi)的Y3電極的第一部分d1″的長(zhǎng)度等于Ld1″。
當(dāng)形成在該多個(gè)電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度不同于形成在除該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度時(shí)，則足夠地確保了掃描電極之間的距離，使得有效地防止掃描電極之間的電短路。
圖8示出如此電極結(jié)構(gòu)，其中一電極的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度與另一電極的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度不同。
下面將在圖8中對(duì)等離子體顯示面板的多個(gè)電極的掃描電極Y的實(shí)例給出說(shuō)明。
如圖8中所示，該多個(gè)電極的至少之一的第一角度可不同于除該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第一角度。該多個(gè)電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度可不同于除該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度。
例如，Y1電極的第二部分在第二方向上從點(diǎn)P1延伸到點(diǎn)P2，以及Y1電極的第一方向和第二方向之間的第一角度等于Q1。Y1電極的第二部分的高度和長(zhǎng)度分別等于h1和Ld2。Y2電極的第一方向和第二方向之間的第一角度等于Q2，其不同于Y1電極的第一角度Q1。Y2電極的第二部分的高度和長(zhǎng)度等于h2和Ld2’，其分別不同于Y1電極的第二部分的高度h1和長(zhǎng)度Ld2。
以與Y1和Y2電極相同的方式，Y3和Y4電極的每個(gè)的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度可不同于Y1電極的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度。
由于該多個(gè)電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度不同于除該多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度和第一角度，所以足夠地確保了該多個(gè)電極之間的距離，使得有效地防止了電極之間的電短路。
在圖8中對(duì)第一角度大于0°且等于或小于90°的實(shí)例給出了說(shuō)明。然而，第一角度可小于0°并且可等于或大于-90°。
圖9示出進(jìn)一步包括另一部分的電極的結(jié)構(gòu)。
下面，在圖9中就等離子體顯示面板的多個(gè)電極的掃描電極Y實(shí)例加以說(shuō)明。
如圖9中所示，除了第一部分d1、第二部分d2、第三部分d3和第四部分d4以外，該多個(gè)電極的至少之一還包括第五部分d5和第六部分d6。因而，多個(gè)電極之間的距離得到更加足夠地確保，使得更高效地防止電極之間的電短路。
圖10示出以不同方向所形成的電極的結(jié)構(gòu)。
下面將在圖10中對(duì)等離子體顯示面板的多個(gè)電極的掃描電極Y的實(shí)例給出說(shuō)明。
如圖10中所示，可以軟曲線的形式形成該多個(gè)掃描電極Y的每一個(gè)的第二部分d2和第二部分d3。
如上所述，可以非直線而是軟曲線的形式形成該多個(gè)電極的至少之一的第二部分d2和第二部分d3。
優(yōu)選地，相繼布置兩個(gè)掃描電極或相繼布置兩個(gè)維持電極。此外，優(yōu)選地，相繼布置兩個(gè)掃描電極和兩個(gè)維持電極。
圖11示出如此結(jié)構(gòu)，其中相繼布置多個(gè)掃描電極對(duì)和多個(gè)維持電極對(duì)。
該多個(gè)電極可包括多個(gè)電極對(duì)。在每個(gè)電極對(duì)中的電極之間的距離可小于每個(gè)電極對(duì)之間的距離。
例如，該多個(gè)電極可包括多個(gè)掃描電極對(duì)(Yn-1和Yn)以及多個(gè)維持電極對(duì)(Zn和Zn+1)。
在掃描電極對(duì)中的掃描電極Yn-1和Yn之間的距離或在維持電極對(duì)中的維持電極Zn和Zn+1之間的距離可小于掃描電極對(duì)和維持電極對(duì)之間的距離。
掃描電極對(duì)和維持電極對(duì)之間的距離是掃描電極Yn和維持電極Zn之間的距離。
更具體地，平行于橫向障壁212n，相繼布置與尋址電極線相交的掃描電極線202n-1和202n，且其彼此相鄰。平行于橫向障壁212n+1相繼布置與尋址電極線相交的維持電極線203n和203+1，且其彼此相鄰。
標(biāo)號(hào)1100n-1、1100n和1100n+1分別表示放電室。
換句話說(shuō)，在兩個(gè)放電室1100n-1和1100n內(nèi)部，掃描電極的布置次序和維持電極的布置次序彼此相反。
如圖11中所示，黑色層可形成在第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間以及維持電極對(duì)Zn和Zn+1之間。
例如，黑色層500n形成在掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間以及黑色層510n形成在維持電極對(duì)Zn和Zn+1之間。
更具體地，黑色層500n形成在兩個(gè)掃描電極Yn-1和Yn的第一電極202an-1和202an與第二電極202bn-1和202bn之間，以覆蓋第二電極202bn-1和202bn。黑色層510n形成在兩個(gè)維持電極Zn和Zn+1的第一電極203an和203an+1與第二電極203bn和203bn+1之間，以覆蓋第二電極203bn和203bn+1。
由于形成黑色層以覆蓋第二電極，所以黑色層防止由第二電極所導(dǎo)致的外部光的反射以及由障壁所導(dǎo)致的外部光的反射，由此進(jìn)一步改善對(duì)比度。
圖11中的黑色層500n和510n可由與圖5中的黑色層500和510的材料相同的材料而形成。此外，圖11中的黑色層500n和510n可由不同于圖5中的黑色層500和510的材料而形成。
當(dāng)如圖11中所示，在基板上形成掃描電極對(duì)和維持電極對(duì)時(shí)，在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的電極布置可變化。
圖12A和12B示出黑色層和如此結(jié)構(gòu)，其中掃描電極對(duì)和維持電極對(duì)形成在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)。
如圖12A中所示，在包括其中顯示圖像的第一區(qū)域和其中不顯示圖像的第二區(qū)域的基板上，形成多個(gè)電極。
該多個(gè)電極包括多個(gè)電極對(duì)。每個(gè)電極對(duì)中的電極之間的距離小于每個(gè)電極對(duì)之間的距離。
例如，掃描電極Yn-1和Yn彼此相鄰成對(duì)形成以及維持電極Zn和Zn+1彼此相鄰成對(duì)形成。
黑色層500n形成在第一區(qū)域和部分第二區(qū)域內(nèi)的相鄰掃描電極Yn-1和Yn之間，以及黑色層510n形成在第一區(qū)域和部分第二區(qū)域內(nèi)的相鄰維持電極Zn和Zn+1之間。
在這樣的情況下，至少掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的每一個(gè)在第二區(qū)域內(nèi)的第一彎曲點(diǎn)P1和第二彎曲點(diǎn)P2處彎曲。在第二區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的第一彎曲點(diǎn)P1之間的距離WBP1基本上等于第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間的距離WY。在第二區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的第二彎曲點(diǎn)P2之間的距離WBP2不同于第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間的距離WY。
距離WBP2可大于距離WY。
因而，電極之間的距離在其中不顯示圖像的第二區(qū)域內(nèi)可相對(duì)變寬，且因此防止了電極之間的電短路。
此外，如圖12B中所示，掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的每個(gè)在第二區(qū)域內(nèi)的第三彎曲點(diǎn)P3處彎曲。在第二區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的第三彎曲點(diǎn)P3之間的距離WBP3可大于第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間的距離WY。
因而，電極之間的距離在其中不顯示圖像的第二區(qū)域內(nèi)可相對(duì)變寬，且因此防止了電極之間的電短路。
形成在第一和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極可包括具有導(dǎo)電性的透明電極或具有導(dǎo)電性的不透明電極中的至少一個(gè)。
如圖12A中所示，掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的每個(gè)包括第一彎曲部分d2_Yn-1和d2_Yn以及第二彎曲部分d3_Yn-1和d3_Yn。
第一彎曲部分d2_Yn-1和d2_Yn之間的距離WB1逐漸增大，以及第二彎曲部分d3_Yn-1和d3_Yn之間的距離WB2基本上恒定或逐漸減小。
此外，掃描電極Yn+1和Yn+2的第二彎曲部分d3_Yn+1和d3_Yn+2之間的距離WB2’可增大。
如圖12B中所示，掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的每個(gè)可包括第三彎曲部分d4_Yn-1和d4_Yn。第三彎曲部分d4_Yn-1和d4_Yn之間的距離可基本上恒定。
因而，容易地將驅(qū)動(dòng)器的電極線連接到等離子體顯示面板的電極線。
在第二區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn的第二彎曲部分d3_Yn-1和d3_Yn之間的距離WB2可大于在第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極對(duì)Yn-1和Yn之間的距離WY。
因而，在第二區(qū)域內(nèi)電極之間的距離可相對(duì)變寬，由此防止了電極之間的電短路。
第一區(qū)域內(nèi)相鄰電極之間的距離WY與第二區(qū)域內(nèi)相鄰電極的第二彎曲部分之間的距離WB2的比值范圍從1∶3到1∶8。
當(dāng)距離WY與距離WB2的比值等于或大于1∶3時(shí)，第二彎曲部分之間的距離得到足夠確保，由此防止了電極之間的電短路。
當(dāng)距離WY與距離WB2的比值等于或小于1∶8時(shí)，第二彎曲部分之間的距離得到足夠確保，由此防止了電極之間的電短路。此外，容易地將驅(qū)動(dòng)器的電極線連接到等離子體顯示面板的電極線。
在第一區(qū)域內(nèi)的該多個(gè)電極的至少之一的截面寬度與至少一個(gè)電極的第一彎曲部分的截面寬度的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
例如，掃描電極Yn的截面寬度Wd1與掃描電極Yn的第一彎曲部分d2_Yn的截面寬度Wd2的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
當(dāng)截面寬度Wd1與截面寬度Wd2的比值等于或大于1∶1.5時(shí)，在第二區(qū)域內(nèi)的掃描電極Yn的寬度大于在第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極Yn的寬度，由此適當(dāng)?shù)乇３至说诙^(qū)域內(nèi)掃描電極Yn的導(dǎo)電性。
當(dāng)截面寬度Wd1與截面寬度Wd2的比值等于或小于1∶2.5時(shí)，適當(dāng)?shù)乇３至说诙^(qū)域內(nèi)電極之間的距離。
此外，在第一區(qū)域內(nèi)該多個(gè)電極的至少之一的截面寬度與至少一個(gè)電極的第二彎曲部分的截面寬度的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
例如，掃描電極Yn的截面寬度Wd1與掃描電極Yn的第二彎曲部分d3_Yn的截面寬度Wd3的比值范圍可從1∶1.5到1∶2.5。
當(dāng)如圖12A和12B所示形成該多個(gè)電極時(shí)，電極的總長(zhǎng)度變長(zhǎng)，使得電極的總電感可增大。
然而，總電感的增大可降低驅(qū)動(dòng)效率。為了防止驅(qū)動(dòng)效率的降低，在等離子體顯示面板的第一區(qū)域內(nèi)所形成的該多個(gè)電極的至少之一可包括凸起部分，其在放電室內(nèi)部的放電室中央處凸起。
參考圖13將詳細(xì)描述凸起部分。
圖13示出在等離子體顯示面板的基板的第一區(qū)域內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)。
如圖13中所示，在等離子體顯示面板的基板的第一區(qū)域內(nèi)所形成的該多個(gè)電極的至少之一可進(jìn)一步包括凸起部分，其朝向放電室內(nèi)部的放電室中央處凸起。
凸起部分包括主體部和頭部。主體部的截面寬度等于第一寬度，以及頭部的截面寬度等于第二寬度，其小于第一寬度。
更具體地，掃描電極Yn和維持電極Zn的每個(gè)進(jìn)一步包括凸起部分，其包括頭部1320和1340以及主體部1310和1330。
頭部1320和1340的第一寬度W1、W1’大于主體部1310和1330的第二寬度W2、W2’。
掃描電極Yn和維持電極Zn的每個(gè)的結(jié)構(gòu)與圖11中的掃描電極和維持電極的每個(gè)的結(jié)構(gòu)相同。因而，圖13中的掃描電極Yn和維持電極Zn的每個(gè)包括第一電極202an和203an、第二電極202bn和203bn、以及形成在第一電極202an和203an與第二電極202bn和203bn之間的黑色層500n、510n。
凸起部分可由與第一電極202an和203an的材料相同的材料而形成。掃描電極Yn和維持電極Zn的第一電極202an和203an可朝向放電室1100n的中央處凸起。
優(yōu)選地，如圖2A所示，放電室1100n由條形或阱形障壁(未示出)分隔。
當(dāng)朝向放電室1100n的中央處形成凸起部分時(shí)，由掃描電極Yn和維持電極Zn所產(chǎn)生的維持放電的點(diǎn)火電壓降低，且驅(qū)動(dòng)效率提高。
凸起部分的第一寬度W1和W1’或第二寬度W2和W2’中的至少一個(gè)可逐漸增大。
例如，如圖13中所示，隨著凸起部分的主體部1310和1330進(jìn)入放電室1100n內(nèi)的放電室1100n的中央處，凸起部分的第二寬度W2和W2’逐漸增大且凸起部分的第一寬度W1和W1’基本上恒定。
圖14A和14B示出凸起部分的另一結(jié)構(gòu)。
如圖14A和14B中所示，凸起部分的頭部包括連接到主體部的第一頭部1320a和1340a、以及連接到第一頭部1320a和1340a的第二頭部1320b和1340b。凸起部分的主體部包括連接到形成在第一區(qū)域內(nèi)的掃描電極Yn和維持電極Zn上的第一主體部1310a和1330a，以及連接到頭部1310a和1330a的第二主體部1310b和1330b。
第二頭部1320b和1340b的截面寬度W1和W1’可大于第一頭部1320a和1340a的截面寬度W2和W2’。第二主體部1310b和1330b的截面寬度W3和W3’可大于第一主體部1310a和1330a的截面寬度W4和W4’。
第一頭部1320a和1340a、第二頭部1320b和1340b、第一主體部1310a和1330a或第二主體部1310b和1330b的至少之一隨著其進(jìn)入放電室1100n內(nèi)部的放電室1100n中央處而具有逐漸增大的寬度。
例如，如圖14A中所示，第一頭部1320a和1340a的截面寬度W2和W2’與第一主體部1310a和1330a的截面寬度W4和W4’隨著其進(jìn)入放電室1100n內(nèi)部的放電室1100n中央處而逐漸增大。
此外，如圖14B中所示，僅第二主體部1310b和1330b可具有逐漸增大的截面寬度W3和W3’。
當(dāng)將上述電極結(jié)構(gòu)應(yīng)用到如此等離子體顯示面板時(shí)，則獲得更有效的結(jié)果，其中該等離子體顯示面板的部件如障壁、熒光體層、介電層、保護(hù)層的至少之一的Pb含量等于或小于1000PPM。
當(dāng)上述結(jié)構(gòu)的電極形成在基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)且等離子體顯示面板的Pb含量在上述范圍之內(nèi)時(shí)，供給到等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可適當(dāng)?shù)刈兓?br> 參考圖15和圖16A至16D，下面將詳細(xì)描述供給到等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
圖15示出供給到等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的實(shí)例。
如圖15中所示，在重置時(shí)段的設(shè)置上(Set-Up)時(shí)段期間，可同時(shí)將具有逐漸上升電壓的設(shè)置上信號(hào)(設(shè)置上)供給到所有的掃描電極Y。
設(shè)置上信號(hào)(設(shè)置上)在放電室內(nèi)部產(chǎn)生微弱的暗放電(即，設(shè)置上放電)。這導(dǎo)致在放電室內(nèi)部累積預(yù)定量的壁電荷。
在重置時(shí)段的設(shè)置下(Set-Down)時(shí)段期間，可將從低于設(shè)置上信號(hào)(設(shè)置上)峰電壓的正電壓逐漸下降的設(shè)置下信號(hào)(設(shè)置下)供給到掃描電極Y。
結(jié)果，在放電室內(nèi)發(fā)生微弱的擦除放電(即，設(shè)置下放電)，由此擦除通過(guò)設(shè)置上放電而累積在放電室內(nèi)部的壁電荷的一部分。在放電室內(nèi)部剩余的壁電荷是如此均勻，以致可以穩(wěn)定地執(zhí)行尋址放電。
雖然在圖15中對(duì)重置信號(hào)包括在重置時(shí)段期間所供給的設(shè)置上信號(hào)和設(shè)置下信號(hào)的實(shí)例給出了說(shuō)明，但是在重置時(shí)段之前可供給另一信號(hào)。
例如，在重置時(shí)段之前的預(yù)重置時(shí)段期間，可將具有逐漸下降電壓的另一設(shè)置下信號(hào)供給到掃描電極Y以及可將保持在正電壓的信號(hào)供給到維持電極Z。
在包括設(shè)置上時(shí)段和設(shè)置下時(shí)段的重置時(shí)段之后的尋址時(shí)段期間，可將掃描參考電壓VSC和從掃描參考電壓VSC下降的掃描信號(hào)(掃描)供給到掃描電極Y。
掃描信號(hào)(掃描)可下降直至負(fù)掃描電壓-Vy。
掃描驅(qū)動(dòng)器(未示出)將掃描信號(hào)(掃描)供給到掃描電極Y。
當(dāng)向掃描電極Y供給掃描信號(hào)(掃描)時(shí)，可向?qū)ぶ冯姌OX供給與掃描信號(hào)(掃描)同步的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù))。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)向?qū)ぶ冯姌OX供給數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù))。
此外，在尋址時(shí)段期間，可將維持偏置電壓Vzb供給到維持電極Z以防止產(chǎn)生由維持電極Z的干擾所導(dǎo)致的錯(cuò)誤放電。
維持驅(qū)動(dòng)器(未示出)將維持偏置電壓Vzb供給到維持電極Z。
當(dāng)將掃描信號(hào)(掃描)與數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù))之間的電壓差添加到在重置時(shí)段期間所產(chǎn)生的壁電壓時(shí)，在數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù))被供給的放電室內(nèi)部發(fā)生尋址放電。
在通過(guò)執(zhí)行尋址放電而選擇的放電室內(nèi)部形成壁電荷，使得當(dāng)施加維持電壓Vs時(shí)發(fā)生放電。
在尋址時(shí)段之后的維持時(shí)段期間，將維持信號(hào)(SUS)施加到掃描電極Y或維持電極Z。
掃描驅(qū)動(dòng)器或維持驅(qū)動(dòng)器的至少之一將維持信號(hào)(SUS)供給到掃描電極Y或維持電極Z。
當(dāng)將在通過(guò)執(zhí)行尋址放電而選擇的放電室內(nèi)的壁電壓添加到維持信號(hào)(SUS)的維持電壓Vs時(shí)，每當(dāng)供給維持信號(hào)(SUS)時(shí)，則在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電，即顯示放電。因而，在等離子體顯示面板上顯示圖像。
雖然對(duì)將維持信號(hào)(SUS)交替地供給到掃描電極Y和維持電極Z的實(shí)例給出了說(shuō)明，但是可將另一類型的維持信號(hào)供給到掃描電極Y或者維持電極Z。
例如，可將另一類型的維持信號(hào)供給到僅僅掃描電極Y。
更具體地，其中可將包括正維持電壓+Vs和負(fù)維持電壓-Vs的另一類型的維持信號(hào)供給到掃描電極Y和維持電極Z之一，以及可將地電平電壓供給到其余電極。
當(dāng)基于由此所驅(qū)動(dòng)的等離子體顯示面板的全部組件，Pb含量等于或小于1000PPM時(shí)，存在驅(qū)動(dòng)特性不穩(wěn)定的較大可能性。
更具體地，由于Pb具有相對(duì)低的熔點(diǎn)且易于鑄模成型，所以已經(jīng)將Pb廣泛地用于制造等離子體顯示面板。此外，金屬材料Pb具有相對(duì)低的電容。
因而，當(dāng)?shù)入x子體顯示面板包括相對(duì)大量的Pb時(shí)，等離子體顯示面板的總電容相對(duì)低。
由于大量Pb負(fù)面地影響主體，所以將等離子體顯示面板的Pb含量限制成等于或小于1000PPM。
當(dāng)?shù)入x子體顯示面板的Pb含量等于或小于1000PPM時(shí)，等離子體面板的電容相對(duì)高。
然而，當(dāng)?shù)入x子體顯示面板的電容高時(shí)，驅(qū)動(dòng)特性不穩(wěn)定。這導(dǎo)致圖像清晰度下降。
為了防止圖像清晰度的下降，在第一子場(chǎng)的第一重置時(shí)段期間，將用于對(duì)放電室初始化的第一重置信號(hào)供給到該多個(gè)電極。然后，在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間，將第二重置信號(hào)供給到該多個(gè)電極，其中第二重置信號(hào)包括具有逐漸上升電壓的設(shè)置上信號(hào)、具有逐漸下降電壓的設(shè)置下信號(hào)、或保持在第一電壓的偏置信號(hào)的至少之一。
隨后將參考圖16A至16D對(duì)此加以描述。
一個(gè)幀可包括第一子場(chǎng)和第二子場(chǎng)。第一子場(chǎng)可以是一個(gè)幀的多個(gè)子場(chǎng)的至少之一。第二子場(chǎng)可以是除了一個(gè)幀的該多個(gè)子場(chǎng)的第一子場(chǎng)以外的其余子場(chǎng)的至少之一。
換句話說(shuō)，通過(guò)在子場(chǎng)的重置時(shí)段中的每個(gè)重置時(shí)段期間供給不同的信號(hào)，解決了由電容增大所導(dǎo)致的不穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)特性。
圖16A至16D示出用于在子場(chǎng)中供給不同重置信號(hào)的方法。
如圖16A至16D所示，在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間供給到掃描電極Y的第二重置信號(hào)可包括設(shè)置上信號(hào)或設(shè)置下信號(hào)?？商鎿Q地，第二重置信號(hào)可以是保持在第一電壓的偏置信號(hào)。
舉一個(gè)實(shí)例，參考圖16A，在一個(gè)幀的多個(gè)子場(chǎng)的第一子場(chǎng)的第一重置時(shí)段期間，將包括第一設(shè)置上信號(hào)的第一重置信號(hào)供給到掃描電極Y，以及在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間將保持在第一電壓的第二重置信號(hào)的偏置信號(hào)供給到掃描電極Y。
第一電壓V1可基本上等于在第二子場(chǎng)的第二尋址時(shí)段期間供給到掃描電極Y的掃描參考電壓Vsc。
優(yōu)選地其中供給第一重置信號(hào)的第一子場(chǎng)是如此子場(chǎng)，其具有幀的多個(gè)子場(chǎng)的最低灰度級(jí)權(quán)重。
雖然在圖16A中對(duì)僅在第一子場(chǎng)中供給重置信號(hào)的實(shí)例給出了說(shuō)明，但是可以分別在第一子場(chǎng)和第二子場(chǎng)中供給重置信號(hào)，并且可以在除了第一和第二子場(chǎng)之外的其余子場(chǎng)中供給保持在第一電壓的第二重置信號(hào)的偏置信號(hào)。
當(dāng)僅在幀的多個(gè)子場(chǎng)的給定子場(chǎng)中供給重置信號(hào)以及在其余子場(chǎng)中供給重置信號(hào)的偏置信號(hào)時(shí)，可將維持信號(hào)設(shè)置成圖16B中的類型，其中圖16B示出了圖16A的第二子場(chǎng)的第二維持時(shí)段的細(xì)節(jié)。
如圖16B中所示，在第二子場(chǎng)的第二維持時(shí)段期間，可將多個(gè)維持信號(hào)(SUSY1至SUSY4以及SUSZ1至SUSZ4)供給到掃描電極Y和維持電極Z。供給到掃描電極Y的多個(gè)第二維持信號(hào)(SUSY1至SUSY4)的第一維持信號(hào)(SUSY1)可大部分地與供給到維持電極Z的多個(gè)維持信號(hào)(SUSZ1至SUSZ4)的第一維持信號(hào)(SUSZ1)重疊。
因此，當(dāng)供給第一維持信號(hào)(SUSY1和SUSZ1)時(shí)，不產(chǎn)生維持放電，或雖然產(chǎn)生維持放電，但是維持放電在強(qiáng)度上相對(duì)微弱。
第一維持信號(hào)(SUSY1和SUSZ1)如上彼此重疊的原因在于由于僅在幀的多個(gè)子場(chǎng)的至少之一中供給重置信號(hào)并且不在其余子場(chǎng)中供給重置信號(hào)，所以不穩(wěn)定的維持放電的可能性大。
更具體地，當(dāng)不供給重置信號(hào)使得在放電室內(nèi)壁電荷保持在不穩(wěn)定的狀態(tài)時(shí)，具有相對(duì)高電壓的維持信號(hào)的直接供給產(chǎn)生過(guò)強(qiáng)的維持放電，使得在放電室內(nèi)壁電荷保持在更不穩(wěn)定的狀態(tài)。此外，產(chǎn)生過(guò)弱的維持放電，使得后繼維持放電的強(qiáng)度可能微弱。
由于第一維持信號(hào)(SUSY1和SUSZ1)彼此重疊使得在放電室內(nèi)壁電荷保持在穩(wěn)定的狀態(tài)，所以防止了產(chǎn)生過(guò)強(qiáng)的維持放電或后繼維持放電的強(qiáng)度下降。
首先將第二維持信號(hào)供給到維持電極Z。換句話說(shuō)，在供給了第一維持信號(hào)(SUSY1和SUSZ1)之后，將第二維持信號(hào)(SUSZ2)供給到維持電極Z然后將第二維持信號(hào)(SUSY2)供給到掃描電極Y。
與供給到掃描電極Y相比，當(dāng)將第二維持信號(hào)(SUSZ2)較快地供給到維持電極Z時(shí)，可將最后一個(gè)維持信號(hào)(圖16B中的SUSY4)供給到掃描電極Y。
因此，各種變化是可能的，即在一個(gè)子場(chǎng)的維持時(shí)段與下一子場(chǎng)的尋址時(shí)段之間，可將另一信號(hào)供給到掃描電極Y。
接下來(lái)參考圖16C，與16A不同，在第一子場(chǎng)中供給第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且在第二子場(chǎng)中供給第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。當(dāng)在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間供給第二重置信號(hào)時(shí)，其中第二重置信號(hào)為保持在基本上等于掃描參考電壓的第一電壓的偏置信號(hào)，則在第一子場(chǎng)中供給到掃描電極Y的多個(gè)維持信號(hào)中的最后一個(gè)維持信號(hào)的下降斜度可基本上等于在設(shè)置下時(shí)段期間供給到掃描電極Y的設(shè)置下信號(hào)的下降斜度，其中第一子場(chǎng)是早于第二子場(chǎng)的子場(chǎng)。
在早于第二子場(chǎng)SF2的子場(chǎng)SF1中供給到掃描電極Y的多個(gè)維持信號(hào)中的最后一個(gè)維持信號(hào)的下降斜度基本上等于設(shè)置下信號(hào)的下降斜度的原因在于在第二子場(chǎng)的第二尋址時(shí)段期間產(chǎn)生更穩(wěn)定的尋址放電，即通過(guò)利用在早于第二子場(chǎng)SF2的子場(chǎng)中所供給的多個(gè)維持信號(hào)中的最后一個(gè)維持信號(hào)，適當(dāng)?shù)夭脸恍┍陔姾?，因?yàn)樵诘诙訄?chǎng)的第二重置時(shí)段期間基本上不供給用于適當(dāng)?shù)夭脸烹娛覂?nèi)的一些壁電荷的信號(hào)。
圖16C的情況可像圖16B一樣加以變化。上面對(duì)此已經(jīng)描述得足夠詳細(xì)，故將省略進(jìn)一步的描述。
接下來(lái)參考圖16D，在第一子場(chǎng)的第一重置時(shí)段期間供給包括設(shè)置上信號(hào)和設(shè)置下信號(hào)的第一重置信號(hào)，以及在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間供給包括設(shè)置下信號(hào)的第二重置信號(hào)。
在不供給包括設(shè)置上信號(hào)的重置信號(hào)的子場(chǎng)中，可以僅僅供給設(shè)置下信號(hào)，并且在放電室內(nèi)壁電荷保持在穩(wěn)定狀態(tài)。
在第二子場(chǎng)的第二重置時(shí)段期間供給到掃描電極Y的第二重置信號(hào)可包括設(shè)置上信號(hào)或設(shè)置下信號(hào)。
圖16D的情況可像圖16B一樣加以變化。上面對(duì)此已經(jīng)描述得足夠詳細(xì)，故將省略進(jìn)一步的描述。
除了幾個(gè)實(shí)現(xiàn)以外，還可以提供更多的各種實(shí)現(xiàn)。
例如，在不同的子場(chǎng)中，設(shè)置上信號(hào)的上升斜度可彼此相同且設(shè)置上信號(hào)的最大電壓可彼此不同，或設(shè)置下信號(hào)的下降斜度可彼此相同且設(shè)置下信號(hào)的最小電壓可彼此不同，由此改變不同子場(chǎng)的重置時(shí)段的持續(xù)時(shí)間。此外，重置信號(hào)可保持在預(yù)定電壓一段相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間，從而改變不同子場(chǎng)的重置時(shí)段的持續(xù)時(shí)間。
其它實(shí)現(xiàn)處于所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
上述實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示范性的且并不解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。本教導(dǎo)可以容易地應(yīng)用到其它類型的裝置中。上述實(shí)施例的描述旨在是說(shuō)明性的，而并不限制權(quán)利要求的范圍。許多可替換方案、修改和改變對(duì)于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的。在權(quán)利要求中，裝置加功能的語(yǔ)句旨在覆蓋在此描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅是結(jié)構(gòu)等效物還是等效結(jié)構(gòu)。此外，除非在權(quán)利要求的限定中對(duì)術(shù)語(yǔ)“裝置”明確地加以闡述，否則這樣的限定并不旨在依照35 USC 112(6)加以解釋。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在所述第一基板上的介電層、形成在所述介電層上的保護(hù)層、面對(duì)所述第一基板的第二基板、以及在所述第一和第二基板之間的障壁，所述等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域；以及形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中所述多個(gè)電極的至少之一在所述第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲點(diǎn)和第二彎曲點(diǎn)，并且在所述第二區(qū)域內(nèi)使所述第一彎曲點(diǎn)之間的距離不同于所述第二彎曲點(diǎn)之間的距離，其中所述保護(hù)層、所述障壁以及所述介電層具有等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)的Pb含量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中在所述第二區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一的第二彎曲點(diǎn)之間的距離長(zhǎng)于在所述第一區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的所述至少之一在所述第二區(qū)域內(nèi)具有第三彎曲點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極中的每個(gè)包括透明電極。
5.一種等離子體顯示面板，包括第一基板、形成在所述第一基板上的介電層、形成在所述介電層上的保護(hù)層、面對(duì)所述第一基板的第二基板、以及在所述第一和第二基板之間的障壁，所述等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域；以及形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極，其中所述多個(gè)電極的至少之一在所述第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲部分和第二彎曲部分，并且使所述第一彎曲部分之間的距離逐漸增大，以及使所述第二彎曲部分之間的距離基本上恒定或逐漸減小，其中所述保護(hù)層、所述障壁以及所述介電層具有等于或小于1000PPM的Pb含量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的所述至少之一包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的第三彎曲部分，以及所述第三彎曲部分之間的距離基本上恒定。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中在所述多個(gè)電極的所述至少之一中的第二彎曲部分之間的距離大于在所述第一區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一中的電極之間的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一中的電極之間的距離與所述多個(gè)電極的所述至少之一中的第二彎曲部分之間的距離的比值范圍從1∶3到1∶8。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一的截面寬度與所述多個(gè)電極的所述至少之一中的第一彎曲部分的截面寬度的比值范圍從1∶1.5到1∶2.5。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)所述多個(gè)電極的所述至少之一中的每個(gè)電極的截面寬度與所述多個(gè)電極的所述至少之一中的第二彎曲部分的截面寬度的比值范圍從1∶1.5到1∶2.5。
11.一種等離子體顯示面板，包括基板、形成在所述基板上的多個(gè)電極、保護(hù)層和介電層，其中所述保護(hù)層或所述介電層的至少之一的Pb含量等于或小于1000PPM，所述基板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域以及其中不顯示圖像的第二區(qū)域，所述多個(gè)電極形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)，所述多個(gè)電極的至少之一包括第一部分、第二部分和第三部分，在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)形成所述第一部分，使得所述第一區(qū)域內(nèi)的所述第一部分被形成為在朝向所述第二區(qū)域內(nèi)的所述第二部分的第一方向上延伸，所述第二部分以不同于所述第一方向的第二方向形成在所述第二區(qū)域內(nèi)，使得在所述第一方向和所述第二方向之間形成第一角度，且其在從所述第一部分朝向所述第三部分的第二方向上延伸，以及所述第三部分以不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向形成在所述第二區(qū)域內(nèi)，使得在所述第一方向和所述第三方向之間形成第二角度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極包括多個(gè)電極對(duì)，其中每個(gè)電極對(duì)中的電極之間的距離小于每個(gè)電極對(duì)之間的距離，以及如此形成第一角度，使得電極對(duì)中的第二部分之間的距離逐漸增大，以及如此形成第二角度，使得電極對(duì)中的第三部分之間的距離基本上恒定或逐漸減小。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的第四部分，以及所述第四部分形成在基本上等于所述第一方向的方向上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的第一電極，以及所述第一電極形成在所述基板和黑色層之間，所述黑色層的寬度基本上等于或小于所述第一電極的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的所述第一電極和第二電極，以及所述黑色層形成在所述第一電極和所述第二電極之間，以及所述黑色層的寬度基本上等于所述第二電極的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述第一電極由具有導(dǎo)電性的透明材料而形成，以及第二電極由具有導(dǎo)電性的不透明材料而形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度不同于除所述多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二區(qū)域內(nèi)的第一部分的長(zhǎng)度。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度不同于除所述多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第二部分的長(zhǎng)度。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極的至少之一的第一角度不同于除所述多個(gè)電極的至少之一以外的其余電極的至少之一的第一角度。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)電極中的每個(gè)包括彼此平行布置的多個(gè)掃描電極對(duì)和多個(gè)維持電極對(duì)，以及每個(gè)掃描電極對(duì)中的電極之間的距離以及每個(gè)維持電極對(duì)中的電極之間的距離小于所述掃描電極對(duì)和所述維持電極對(duì)之間的距離。
全文摘要
公開(kāi)了一種等離子體顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法。該等離子體顯示面板包括其中顯示圖像的第一區(qū)域和其中不顯示圖像的第二區(qū)域，以及形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電極。該多個(gè)電極的至少之一在第二區(qū)域內(nèi)具有第一彎曲點(diǎn)和第二彎曲點(diǎn)。在第二區(qū)域內(nèi)第一彎曲點(diǎn)之間的距離不同于第二彎曲點(diǎn)之間的距離。包括在等離子體顯示面板中的保護(hù)層、障壁和介電層具有等于或小于1000PPM(百萬(wàn)分率)的Pb含量。
文檔編號(hào)G09G3/288GK101075523SQ20061016236
公開(kāi)日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2006年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月15日
發(fā)明者梁鐘文, 黃斗勇 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社