專利名稱：圖像顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種可以高可靠性地進行高亮度顯示的圖像顯示裝置。
背景技術：
下面利用圖8和圖9對所涉及的現有技術進行說明。
首先對現有技術示例的結構進行說明。
圖8是使用現有技術的有機EL(電致發(fā)光)顯示器的像素電路圖。在每個像素213上設置有機EL元件201，有機EL元件201的一端連接公共電極208，另一端經由電源開關202、驅動TFT(薄膜晶體管)203與電源線207相連接。復位開關204連接在驅動TFT 203的柵極-漏極之間。驅動TFT 203的柵極還經由信號存儲電容205與信號線206相連接。此外，通過電源控制線(PWR)211對電源開關202進行控制，通過復位控制線(RST)210對復位開關204進行控制。
接著，利用圖9對該現有技術示例的動作進行說明。
圖9是現有技術中，向像素寫入信號電壓時間、即數據(DT)輸入時間(DTIN)以及發(fā)光顯示時間(ILMI)的動作時序圖。在此由于上述電源開關202、復位開關204使用如圖8所示的pMOS，因此圖9的每個波形其下部與每個開關的導通(ON)相對應，其上部與截止(OFF)相對應。
在1幀期間(1FRM)前一半的信號電壓寫入時間(DTIN)中，選擇寫入的像素首先通過電源控制線(PWR)211使電源開關202變成ON，接著通過復位控制線(RST)210使復位開關204變成ON。此時，經由二極管連接的驅動TFT 203以及電源開關202，電流從電源線207流入有機EL元件201。
接著，當通過電源控制線(PWR)211使電源開關202變成OFF時，在驅動TFT 203的漏極端變成閾值電壓Vth的時刻，驅動TFT 203變?yōu)榻刂?。此時，向信號線206施加規(guī)定的信號電壓(數據信號DT)，將該信號電壓與上述閾值電壓Vth的差輸入至信號存儲電容205。
接下來，由于通過復位控制線(RST)210使復位開關204變成OFF，因此上述數據信號DT的電壓存儲在存儲電容205中，完成向像素寫入信號電壓的過程。
在作為一幀期間(1FRM)后一半的發(fā)光顯示時間(ILMI)中，對所有像素經由信號線206輸入掃描信號SS(規(guī)定的三角波信號)，并且通過電源控制線(PWR)211使電源開關202導通。此時，由于在施加至信號線206的三角波信號電壓與預先寫入的信號電壓相等的情況下向驅動TFT 203的柵極施加閾值電壓Vth，因此可以根據已寫入的信號電壓確定有機EL元件201的發(fā)光期間。由此，由于有機EL元件201在與上述影像信號電壓相對應的發(fā)光期間中發(fā)光，由此觀察者可以識別具有灰度等級(階調)的圖像。
此外，由于如上所述根據一幀期間內的規(guī)定期間向信號線206輸入數據信號DT或掃描信號SS，因此圖中表示成DT/SS。
如上所述的現有技術示例在專利文獻1等中有詳細地記載。
另外，在非專利文獻1中公開了使用有機EL的圖像顯示裝置的像素電路以及其驅動方法。
專利文獻1日本專利特開2003-122301號公報非專利文獻1SID 98技術論文文摘，1998年，第11-14頁(SID 98 Digest of Technical Papers)根據報告，有機EL顯示器有在TFT基板下方向發(fā)光顯示的底部發(fā)光型，和在TFT基板上方向發(fā)光顯示的頂部發(fā)光型。在此，已知這兩種類型各有優(yōu)缺點。由于底部發(fā)光型沒有將發(fā)光層設置在TFT電路之上，因此發(fā)光區(qū)域不能較大，不利于高精細化和長壽命化。另一方面，由于頂部發(fā)光型通過透過設置在發(fā)光層上部的薄膜陰極金屬膜而發(fā)出的光來進行顯示，因此會損失一部分發(fā)出的光，不利于發(fā)光亮度的提高。
為了提高頂部發(fā)光型的發(fā)光亮度，在發(fā)光層上部不設置薄膜陰極金屬膜，而是最好在發(fā)光層上部設置ITO這樣的透明導電膜?？墒怯捎贗TO這樣的透明導電膜對于發(fā)光層來說起到空穴注入層的作用，因此必須使用相對于現有技術的像素驅動電路、導電特性相反的陽極接地電路。
在將現有技術的像素驅動電路形成這種陽極接地電路時，使用nMOS來代替pMOS即可?？墒?，與pMOS相比，nMOS存在長時間可靠性差這樣的問題。雖然pMOS通過空穴電流進行驅動，但是在空穴中具有相對于二氧化硅柵極絕緣膜難以注入的性質。另一方面，雖然nMOS通過電子電流進行驅動，但是在電子中具有相對于二氧化硅柵極絕緣膜容易注入的性質。
當由于對柵極絕緣膜的電子注入使nMOS劣化時，可能會使對有機EL發(fā)光層的驅動能力減少，并且引起亮度的降低。特別是在發(fā)光層的發(fā)光亮度變小的時候，由于電源電壓的大部分都施加在像素驅動電路上了，因此可能加劇使用nMOS的像素驅動電路的劣化。

發(fā)明內容
下面，示出了在該說明書中公開的本發(fā)明中具有代表性的解決上述技術問題的手段的幾個示例。即，本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路、像素以及排列多個所述像素的顯示部，其中像素具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件以及該發(fā)光元件的亮度控制電路，其特征在于在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間設置其漏極側連接所述發(fā)光元件、源極側連接所述亮度控制電路、通過導通和截止2個值控制柵極電壓的晶體管開關，所述晶體管開關導通時的柵極電壓值比施加在所述發(fā)光元件另一端的電壓值小。
此外，還提供了一種圖像顯示裝置，其具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路、像素以及排列所述多個像素的顯示部，其中像素具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件以及該發(fā)光元件的亮度控制電路，在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間具有其漏極側連接所述發(fā)光元件、源極側連接所述亮度控制電路、通過導通和截止2個值控制柵極電壓的晶體管開關，控制所述晶體管開關導通時的動作點使其成為飽和區(qū)。
此外，提供了一種圖像顯示裝置，其具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路、像素以及排列所述多個像素的顯示部，其中像素具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件以及該發(fā)光元件的亮度控制電路，其特征在于所述亮度控制電路具有通過導通和截止2個值控制柵極電壓的第一晶體管開關，在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間具有其漏極側連接所述發(fā)光元件、源極側連接所述亮度控制電路、通過導通和截止2個值控制柵極電壓的第二晶體管開關，所述第二晶體管開關的柵極電壓振幅比所述第一晶體管開關的柵極電壓振幅小。
本發(fā)明的效果是，可以避免使用nMOS的像素驅動電路的劣化。


圖1是表示本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的第一實施例的有機EL顯示器的像素電路圖。
圖2是根據第一實施例的像素的動作時序圖。
圖3是第一實施例的有機EL顯示板的構成圖。
圖4是第一實施例的有機EL元件的結構圖。
圖5是表示本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的第二實施例的有機EL顯示器的像素電路圖。
圖6是根據第二實施例的像素的動作時序圖。
圖7是表示本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的第三實施例的TV圖像顯示裝置的構成圖。
圖8是使用現有技術的有機EL顯示器的像素電路圖。
圖9是現有技術的像素的動作時序圖。
1有機EL元件2電源開關3，63驅動TFT 4復位開關5信號存儲電容 6信號線7接地線8透明公共電極10復位控制線 11電源控制線
13，53像素 22垂直像素掃描電路23信號電壓生成電路 24切換電路31，32AND電路33OR電路37面板內部10V生成電路38面板內部5V生成電路40玻璃基板 50AZ控制線51AZB+控制線 52信號線62AZB+開關 64AZ開關65偏移消除電容 68像素開關69存儲電容 100TV圖像顯示裝置101有機EL顯示板 102無線接口(I/F)電路103I/O電路 104微處理器(MPU)106顯示板控制器 108數據總線109面板外部10V生成電路(PWR 10V)110面板外部5V生成電路(PWR 5V)DT 數據信號FRM 幀期間MM 幀存儲器SEL 選擇信號SS 掃描信號PWR+驅動電壓RST 復位信號具體實施方式

下面將參照附圖對本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的實施例做出詳細的說明。
實施例1下面利用圖1～圖4，對本發(fā)明第一實施例、其構成以及動作按順序做出描述。圖1是作為本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示器的像素電路圖。有機EL元件1設置在像素13上，有機EL元件1的陽極側連接施加有規(guī)定的正電壓的透明公共電極8，另一端經由電源開關2、驅動TFT 3連接接地線7。復位開關4連接在驅動TFT 3的柵極-漏極之間。驅動TFT 3的柵極還經由信號存儲電容5連接信號線6。此外，電源開關2通過經由電源控制線11施加的驅動電壓PWR+而被控制，復位開關4通過經由復位控制線10施加的RST信號而被控制。雖然上述像素電路的構成與利用圖8已描述過的現有技術示例的像素電路構成的電流施加方向相反，并且相當于用nMOS代替pMOS的構成，但是正如下面描述的那樣，本發(fā)明的特征在于經由電源控制線11施加驅動電壓PWR+。
接下來，利用圖2對本發(fā)明的動作進行描述。
圖2是在本實施例中，在一幀期間(1FRM)向像素寫入信號電壓時間DTIN和發(fā)光顯示時間ILMI的動作時序圖。在此，由于上述電源開關2、復位開關4是如圖2所示的nMOS，因此圖2的每個波形其上部與每個開關的ON相對應，其下部與OFF相對應。
在作為1幀期間的前一半的信號電壓寫入時間(DTIN)中，選擇寫入的像素首先通過電源控制線11的驅動電壓PWR+使電源開關2變成ON，接著通過復位控制線10的復位信號RST使復位開關4變成ON。此時，經由二極管連接的驅動TFT 3以及電源開關2，電流從公共電極8流入有機EL元件1。
接著，當通過電源控制線11的驅動電壓PWR+使電源開關2OFF時，在驅動TFT 3的漏極端變成閾值電壓Vth的時刻，驅動TFT 3截止。此時，通過向信號線6施加規(guī)定的數據信號電壓DT，該信號電壓與上述閾值電壓Vth的差輸入至信號存儲電容5。
接下來，由于通過復位控制線10的信號RST使復位開關4變成OFF，因此上述信號電壓存儲在存儲電容5中，完成向像素的信號電壓寫入的過程。
接著，在作為一幀期間的后一半的發(fā)光顯示時間(ILMI)中，對所有像素經由信號線6輸入模擬信號的規(guī)定的三角波信號(掃描信號)SS，并且通過電源控制線11的驅動電壓PWR+使電源開關2導通。此時，由于在信號線6的三角波信號電壓SS與預先寫入的信號電壓相等的情況下驅動TFT 3的柵極上被施加閾值電壓Vth，因此可以根據已寫入的信號電壓確定有機EL元件1的發(fā)光期間。由此，由于有機EL元件1在與上述影像信號電壓相對應的發(fā)光期間發(fā)光，因此觀察者可以識別具有灰度等級的圖像。
此外，由于如上所述根據一幀期間內的規(guī)定期間向信號線6輸入數據信號DT或掃描信號SS，因此圖中表示成DT/SS。
上述動作基本上與利用圖9已描述過的現有技術示例的動作類似?？墒?，在本實施例中，通過電源控制線11的驅動電壓PWR+的電源開關2的導通電壓不是作為完全ON的10V，而是作為半導通(HALF-ON)的5V，這一點上存在很大差異。這意味著電源開關2的導通狀態(tài)不是使電源開關晶體管進入非飽和狀態(tài)的完全的ON，而是進入飽和狀態(tài)的不完全的ON。這種情況下，作為電源開關2的源極點的、圖1所示的“A點”的電壓即使在電源開關2導通時也不會變成作為半導通的(5V-Vth)以上的電壓。當“A點”的電壓上升到(5V-Vth)電壓時，電源開關2將截止。
此外，在此，該實施例中施加在公共電極8上的有機EL元件發(fā)光電壓綠色用和紅色用大約為10V，藍色用大約為11V。在作為1幀期間后一半的發(fā)光顯示時間ILMI中，在經由信號線6輸入規(guī)定的三角波信號SS時，由于在有機EL元件1發(fā)光的上升沿時間以及下降沿時間驅動TFT 3的導通減弱，同時有機EL元件1的陰極-陽極之間的電壓降也很小，因此電源開關2的導通狀態(tài)為電源開關晶體管進入非飽和狀態(tài)的完全ON的情況下，將作為在公共電極8和接地線7之間施加的電源電壓的大部分的大約為10-11V施加到驅動TFT 3的漏極-源極之間。
可是，由于電源開關2的導通狀態(tài)是使電源開關晶體管進入飽和狀態(tài)的不完全ON，因此即使是在作為驅動TFT 3的漏極的“A點”上也不會施加(5V-Vth)以上的電壓。由此將作為nMOS的驅動TFT 3的漏極-源極之間的電壓限制在(5V-Vth)以下，驅動TFT 3的劣化就不會成為問題。
此外，電源開關2截止時，將在公共電極8和接地線7之間施加的電源電壓的大部分施加到電源開關2的兩端。可是，這時在電源開關2中流動的電流為0的開關截止期間，由于溝道電流為0劣化不會成為問題，另外由于導通和截止的過渡時間是極其快速的，因此同樣劣化也不會成為問題。
接著，利用圖3對該實施例的顯示板的構成進行描述。
圖3是該實施例的有機EL顯示板的構成圖。像素13在顯示區(qū)域21上配置成矩陣狀，像素13在垂直方向上與信號線6連接、在水平方向上與電源控制線(PWR+)11以及復位控制線(RST)10相連接。信號線6的一端經過切換數據信號DT和三角波信號SS的切換電路24輸入至信號電壓生成電路23。
電源控制線11的驅動電壓PWR+還與按各個像素的每一行設置的邏輯或(OR)電路33相連接，OR電路33的一個輸入端進一步地連接邏輯與(AND)電路32，此外AND電路32的一個輸入端進一步地連接垂直像素掃描電路22。復位控制線RST與按各個像素的每一行設置的AND電路31相連接，此外AND電路31的一個輸入端進一步地連接垂直掃描電路22。
上述AND電路31、32、OR電路33的另一輸入端如圖所示，在垂直方向上公共地分別與復位控制定時控制線34、寫入時電源控制定時控制線35、發(fā)光時電源控制定時控制線36相連接。名稱如所表示的那樣復位控制定時控制線34是用于傳輸對在垂直像素掃描電路22上選擇的像素行的復位控制線進行控制的信號的線、寫入時電源控制定時控制線35是用于傳輸對在垂直像素掃描電路22中選擇的像素行的寫入時的電源控制線進行控制的信號的線、發(fā)光時電源控制定時線36是用于傳輸對所有像素發(fā)光時的電源控制線進行控制的信號的線。
如圖中所示，對于垂直像素掃描電路22、AND電路31、32、信號電壓生成電路23以及切換電路24，由以3V作為輸入電壓并生成10V電壓的面板內部10V生成電路37提供電源電壓。此外對于OR電路33，由以3V電壓作為輸入并生成5V電壓的面板內部5V生成電路38提供電源電壓。由此，在該實施例中，配合由不同電壓驅動的兩種類型的電路，設置了兩種類型的電源電壓生成電路37、38。
雖然為了簡化圖示僅在圖1中記載了6個像素，但是實際上像素個數為640(水平)×RGB×480(垂直)。此外在顯示區(qū)域21內，像素13、數據信號/三角波切換電路24、信號電壓生成電路23、垂直像素掃描電路22、AND電路31、32、OR電路33、面板內部10V生成電路37、面板內部5V生成電路38全部使用多晶Si-TFT，并且都設置在單個玻璃基板40上。
最后，利用圖4對該實施例的有機EL元件1的結構進行描述。
圖4是示出根據該實施例的有機EL元件1的附近的像素13的截面圖。電源開關2和驅動TFT 3設置在玻璃基板40上，電源控制線11作為柵極配線設置在電源開關2上。此外作為金屬層的接地線7連接在驅動TFT 3的一端。在此，與接地線7同層的金屬層作為陰極電極42連接至電源開關2的一端，在其上設置了有機EL元件的發(fā)光層1、作為陽極電極的透明公共電極8。此外，在有機EL元件的發(fā)光層1的周圍形成用于避免有機EL元件的端部電場集中的保護膜43。
在此，當電源開關2半導通，且驅動TFT 3通過三角波信號SS導通時，規(guī)定的電流流入有機EL元件1中，有機EL元件1的發(fā)光45通過陰極電極42被反射，幾乎沒有衰減地透過透明公共電極8進行顯示。
在該實施例中，雖然像素內的TFT全部使用由多晶Si形成的nMOS晶體管，但是如果使各個控制電壓的正負相反，則可以使用適當的pMOS晶體管，此外不局限于多晶Si，也可以將其它有機/無機半導體薄膜用于晶體管。
此外，發(fā)光元件也不局限于有機EL元件，也可以使用無機EL元件和FED(場發(fā)射器件)之類的一般發(fā)光元件。在該實施例中，由于并不是本發(fā)明的本質內容因此省略了對發(fā)光層的詳細記載，但是作為有機EL元件的結構也可以采用低分子型、高分子型等多種分子結構。
進一步，在該實施例中接地線7的電位設置成0V，沒有必要一定要將該電位設置成0V，此外更不必說對有機EL元件的發(fā)光電壓和各個控制電壓在滿足上述主旨的范圍內也可以進行適當地改變。
實施例2利用圖5和圖6對本發(fā)明所涉及的像素顯示裝置的第二實施例進行描述。
圖5是該實施例的有機EL顯示器的像素電路圖。在每個像素53上設置有有機EL元件1，有機EL元件1的一端連接透明電極8，另一端經由AZB+開關62、驅動TFT 63連接至接地線7。在驅動TFT63的柵極-漏極之間、和柵極-源極之間分別連接AZ開關64和存儲電容69。此外驅動TFT 63的柵極通過偏移消除電容65以及像素開關68連接信號線66。此外AZB+開關62通過AZB+控制線51進行控制，AZ開關64通過AZ控制線50進行控制，像素開關68通過信號線52的選擇信號SEL進行控制。
接下來，利用圖6對該實施例的動作進行描述。
圖6是該實施例中像素的動作時序圖。在此，由于上述AZB+開關62、AZ開關64、像素開關68是如圖5所示的nMOS，因此圖6的各個波形其上部與每個開關的ON相對應，其下部與OFF相對應。
在選擇寫入的像素中，首先通過SEL線52使像素開關68變成ON，通過AZ控制線50使AZ開關64變成ON。此時，由于AZB+開關62處于半導通(Half-ON)狀態(tài)，因此經由AZB+開關62和二極管連接的驅動TFT 63，電流從透明公共電極8流入有機EL元件1。
接著，當通過AZB+控制線51使AZB開關62截止時，在驅動TFT 63的漏極端變成閾值電壓Vth的時刻，驅動TFT 63截止。此時，向信號線66施加“0電平”的信號電壓數據DT，將該信號電壓與上述閾值電壓Vth的差輸入至信號存儲電容65。
接下來，在通過AZ控制線50使AZ開關64變成OFF之后，向信號線66施加影像信號電壓數據DT。此時，在驅動TFT 63的柵極上對上述閾值電壓Vth進行加法運算，生成與上述影像信號電壓相對應的電壓，該電壓通過SEL線52使像素開關68變成OFF，因此被存儲在存儲電容69中。
此后，通過使AZB+開關62導通，完成向像素的信號電壓寫入過程，有機EL元件1在與上述影像信號電壓和“0電平”電壓之間的電壓差相對應的亮度下，持續(xù)發(fā)光直到下一寫入期間。
該實施例與在例如SID 98 Digest of Technical Papers、第11-14頁(參照非專利文獻1)等中記載的現有技術類似。
可是，在該實施例中，并不是通過AZB+控制線51使AZB開關62導通的電壓為完全ON的10V，而是作為半導通(HALF-ON)的5V，這一點上存在很大差異。這意味著AZB開關62的導通狀態(tài)不是使AZB開關晶體管進入非飽和狀態(tài)的完全的ON，而是進入飽和狀態(tài)的不完全的ON。
這種情況也與第一實施例相同，作為AZB開關62的源極點的、圖5所示的“B點”的電壓，即使在AZB開關62導通時也不會變成作為半導通的(5V-Vth)以上的電壓。當“B點”的電壓上升到(5V-Vth)電壓時，AZB開關62截止。此外，在此，該實施例中施加在公共電極8上的有機EL元件發(fā)光電壓為，綠色用和紅色用大約為10V，藍色用大約為11V。
在驅動TFT 63的柵極上，對上述閾值電壓Vth進行加法運算，生成與上述影像信號的電壓數據DT相對應的電壓，通過使AZB開關62半導通，有機EL元件1在與述影像信號電壓和“0電平”電壓之間的電壓差相對應的亮度下，持續(xù)發(fā)光直到下一寫入期間，盡管這些已經被描述過，但是這時由于當影像信號電壓的電平小并且有機EL元件1的發(fā)光亮度弱時，驅動TFT 63的導通就變弱，此外同時有機EL元件1的陰極-陽極之間的電壓降也變小，因此AZB開關62的導通狀態(tài)為使電源開關晶體管進入非飽和狀態(tài)的完全ON的情況下，作為在公共電極8和接地線7之間施加的電源電壓的大部分的大約為10-11V施加到驅動TFT 63的漏極-源極之間。
可是，由于AZB開關62的導通狀態(tài)是使電源開關晶體管進入飽和狀態(tài)的不完全ON，因此即使是在作為驅動TFT 63的漏極的“B點”上也不會施加(5V-Vth)以上的電壓。由此將作為nMOS的驅動TFT 63的漏極-源極之間的電壓限制在(5V-Vth)以下，驅動TFT 63的劣化就不會成為問題。
此外，AZB開關62截止時，在公共電極8和接地線7之間施加的電源電壓的大部分施加到AZB開關62的兩端?？墒牵@時在AZB開關62中流動的電流為0的開關截止期間，由于溝道電流為0劣化不會成為問題，另外由于導通和截止的過渡期間是極其快速的，因此同樣劣化也不會成為問題。根據上述要點，在該實施例中的AZB開關62與第一實施例中的電源開關2起到同樣作用。
由于在該實施例中顯示板的構成和有機EL元件的結構與在先的第一實施例的結構相似，因此為了說明的簡化在此省略對其的描述。
實施例3利用圖7對本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的第三實施例進行描述。
圖7是作為第三實施例的TV圖像顯示裝置100的構成圖。在接收地面波數字信號等的無線接口(I/F)電路102中，被壓縮的圖像數據等從外部作為無線數據被輸入，無線I/F電路102的輸出經由I/O(輸入/輸出)電路103與數據總線108相連接。除此之外數據總線108上還連接著微處理器(MPU)104、顯示板控制器106、幀存儲器(MM)107等。進一步，顯示板控制器106的輸出輸入到有機EL顯示板101。此外在TV圖像顯示裝置100內還設置有面板外部10V生成電路(PWR 10V)109以及面板外部5V生成電路(PWR 5V)110。此外，在此由于有機EL顯示板101具有與在先展示的第一實施例基本上同樣的構成和動作，因此在此省略對其內部的構成和動作的記載。但是，雖然在第一實施例中有機EL顯示板內使用多晶Si-TFT，并且設置有面板內部10V生成電路37和面板內部5V生成電路38，但是在該實施例中這些部件在面板以外使用單獨部件，設置為面板外部10V生成電路109以及面板外部5V生成電路110。
下面對該實施例的動作進行描述。首先無線I/F電路102根據命令從外部取得經過壓縮的圖像數據，經由I/O電路103將該圖像數據傳輸至微處理器104和幀存儲器107中。微處理器104接收來自用戶的命令操作，根據需要驅動整個TV圖像顯示裝置100，進行對壓縮圖像數據的解碼和信號處理、信息顯示。在此，經過信號處理過的圖像數據可以被暫時地存儲在幀存儲器107中。
在此，在微處理器104輸出顯示命令的情況下，根據該指示經由顯示板控制器(CTL)106從幀存儲器107向有機EL顯示板101輸入圖像數據，有機EL顯示板101實時顯示輸入的圖像數據。此時顯示板控制器106為了同步顯示圖像，輸出必須的規(guī)定的定時脈沖，并且面板外部10V生成電路109以及面板外部5V生成電路110向有機EL顯示板101提供規(guī)定的電源電壓。此外，有機EL顯示板101使用這些信號和電源電壓，實時顯示輸入的圖像數據，這些已經在第一實施例的描述中述及。此外，雖然在該TV圖像顯示裝置100中另外含有二次電池，用于提供驅動整個圖像顯示終端100的電力，但是由于這些內容不是本發(fā)明的本質內容，因此在此省略對其的描述。
根據該實施例，可以提供一種高可靠性地進行高亮度顯示的圖像顯示終端100。此外，在該實施例中，雖然將在第一實施例中已說明的有機EL顯示板用作圖像顯示裝置，但是本領域技術人員可以理解，也可以使用除此以外的滿足本發(fā)明主旨的具有其它結構的顯示板。
以上，根據已說明的各個實施例，即使在發(fā)光元件的發(fā)光亮度弱的時候，電源電壓在晶體管開關中也能得以分散，可以避免使用nMOS的像素驅動電路的劣化。由此，就可以提供一種高可靠性地進行高亮度顯示的圖像顯示裝置。
權利要求
1.一種圖像顯示裝置，具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路；像素，其具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件、和該發(fā)光元件的亮度控制電路；以及排列了多個所述像素的顯示部；其特征在于在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間設置晶體管開關，其漏極側連接至所述發(fā)光元件、源極側連接至所述亮度控制電路、并通過導通和截止2個值控制柵極電壓，所述晶體管開關導通時的柵極電壓值比施加在所述發(fā)光元件另一端的電壓值小。
2.如權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的亮度控制電路和所述晶體管開關中含有n溝道TFT。
3.如權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件為有機EL元件。
4.如權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于在絕緣基板上形成所述顯示部。
5.如權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的另一端施加的電壓值根據各發(fā)光元件的顯示顏色而不同。
6.如權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件的亮度控制電路通過對在一幀期間內各發(fā)光元件的發(fā)光時間進行調制或對發(fā)光強度進行調制，來控制各像素的模擬亮度。
7.一種圖像顯示裝置，具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路；像素，其具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件、和該發(fā)光元件的亮度控制電路；以及排列了所述多個像素的顯示部；其特征在于在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間具有晶體管開關，其漏極側連接至所述發(fā)光元件、源極側連接至所述亮度控制電路、并通過導通和截止2個值控制柵極電壓；控制所述晶體管開關導通時的動作點使其成為飽和區(qū)。
8.如權利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的亮度控制電路和所述晶體管開關中含有n溝道TFT。
9.如權利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件為有機EL元件。
10.如權利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于在絕緣基板上形成所述顯示部。
11.如權利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的另一端施加的電壓值根據各發(fā)光元件的顯示顏色而不同。
12.如權利要求7所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件的亮度控制電路通過對在一幀期間內各發(fā)光元件的發(fā)光時間進行調制或對發(fā)光強度進行調制，來控制各像素的模擬亮度。
13.一種圖像顯示裝置，具有灰度等級信號電壓發(fā)生電路；像素，其具有根據所述灰度等級信號電壓模擬地控制亮度的發(fā)光元件、和該發(fā)光元件的亮度控制電路；以及排列了所述多個像素的顯示部；其特征在于所述亮度控制電路具有通過導通和截止2個值控制柵極電壓的第一晶體管開關；在所述發(fā)光元件和所述亮度控制電路之間具有第二晶體管開關，其漏極側連接至所述發(fā)光元件、源極側連接至所述亮度控制電路、并通過導通和截止2個值控制柵極電壓；所述第二晶體管開關的柵極電壓振幅比所述第一晶體管開關的柵極電壓振幅小。
14.如權利要求13所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的亮度控制電路和所述晶體管開關中含有n溝道TFT。
15.如權利要求13所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件為有機EL元件。
16.如權利要求13所述的圖像顯示裝置，其特征在于在絕緣基板上形成所述顯示部。
17.如權利要求13所述的圖像顯示裝置，其特征在于在所述發(fā)光元件的另一端施加的電壓值根據各發(fā)光元件的顯示顏色而不同。
18.如權利要求13所述的圖像顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件的亮度控制電路通過對在一幀期間內各發(fā)光元件的發(fā)光時間進行調制或對發(fā)光強度進行調制，來控制各像素的模擬亮度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可以高可靠性地進行高亮度顯示的圖像顯示裝置。在發(fā)光元件(1)和驅動晶體管(3)之間設置晶體管開關(2)，使得由(開關(2)導通時的柵極電壓)－(驅動晶體管(3)的閾值電壓Vth)表述的電壓值比施加在發(fā)光元件的公共電極8上的電壓值小。
文檔編號G09G3/30GK1808546SQ2006100054
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月17日 優(yōu)先權日2005年1月17日
發(fā)明者秋元肇, 景山寬 申請人:株式會社日立顯示器