專利名稱：等離子體顯示面板及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板及其驅(qū)動方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種可以減小放電點(diǎn)火電壓并且減小重置周期和尋址周期，因而提高灰度表現(xiàn)的能力的等離子體顯示面板，以及等離子體顯示面板的驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
通常，等離子體顯示面板(PDP)具有三電極表面放電結(jié)構(gòu)。PDP的三電極表面放電結(jié)構(gòu)包括具有位于同一表面上的維持電極和掃描電極的基板和與包括維持電極和掃描電極的基板隔開的另一個基板，并且具有在與維持電極和掃描電極的共同方向交叉的方向上延伸的尋址電極。將放電氣體，例如氙(Xe)或氖(Ne)，密封在兩個基板之間。
在這個PDP中，是否產(chǎn)生放電是由在掃描電極和尋址電極之間獨(dú)立控制的放電確定的。然后，通過在維持電極和掃描電極之間的維持放電來實(shí)現(xiàn)圖像。
PDP通過經(jīng)幾個階段的輝光放電產(chǎn)生可見光。放電氣體通過電子對氣體分子的碰撞被激發(fā)，并且產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線與在放電單元中的磷光體碰撞并且產(chǎn)生穿過透明前基板到達(dá)觀察者眼睛的可見光。在這些階段中，相當(dāng)大的施加到維持和掃描電極上的能量損失掉了。
輝光放電通過在兩個電極之間施加比點(diǎn)火電壓高的電壓產(chǎn)生。因此，為了點(diǎn)火輝光放電，需要相當(dāng)高的電壓。一旦產(chǎn)生放電，由于在陰極和陽極附近的介電層引起的空間電荷效應(yīng)，在陰極和陽極之間的電壓分布被扭曲。即，在兩個電極之間，形成了陰極鞘區(qū)、陽極鞘區(qū)和正電柱區(qū)。陰極鞘區(qū)是在陰極附近的區(qū)，在這個區(qū)中消耗了在兩個電極之間施加的大多數(shù)電壓。陽極鞘區(qū)是在陽極附近的區(qū)，在這個區(qū)中消耗了一些電壓。正電柱區(qū)是在陰極鞘區(qū)和陽極鞘區(qū)之間的區(qū)，在這個區(qū)中幾乎沒有消耗電壓。陰極鞘區(qū)的電子加熱效率取決于在介電層表面上形成的MgO保護(hù)膜的二級電子系數(shù)。在正電柱區(qū)，大多數(shù)的輸入能量被消耗用于電子加熱。
當(dāng)Xe氣體從激發(fā)態(tài)變化到基態(tài)時，產(chǎn)生通過碰撞磷光體放出可見光的真空紫外線。Xe氣體的激發(fā)態(tài)由Xe氣體和電子之間的碰撞產(chǎn)生。因此，為了提高產(chǎn)生的可見光與輸入能量的比率(發(fā)光效率)，必須增加Xe氣體和電子之間的碰撞。此外，為了增加這些碰撞，必須提高電子加熱效率。
雖然大多數(shù)的輸入能量被消耗在陰極鞘區(qū)中，但是在這個區(qū)中電子加熱效率是低的。在正電柱區(qū)中，輸入能量的消耗是低的，并且電子加熱效率是高的。因而，可以通過增加正電柱區(qū)來獲得高發(fā)光效率，這可以通過擴(kuò)大放電間隙來實(shí)現(xiàn)。
另一方面，Xe的分壓越高，發(fā)光效率越高。
隨著電場被減小，施加到放電間隙的電場E與氣體密度n的比率E/n變化，并且消耗于氙激發(fā)Xe*、氙離子Xe+，氖激發(fā)Ne*和氖粒子Ne+的電子與總電子的比率變化。對于同樣的E/n比率的減小，Xe的分壓越高，電子能量越低。如果電子能量降低，消耗在Xe激發(fā)上的電子的比率增加。因?yàn)楫?dāng)Xe氣體從激發(fā)態(tài)改變到基態(tài)時產(chǎn)生發(fā)出可見光的紫外線，所以，隨著消耗在Xe激發(fā)上的電子比率的增加，提高了發(fā)光效率。
如上所述，增加正電柱區(qū)的面積或長度引起電子加熱效率的提高。此外，Xe的分壓的提高引起了被Xe的激發(fā)消耗的電子的電子加熱效率的提高。因此，兩個因素都引起電子加熱效率的提高，從而提高了發(fā)光效率。
然而，正電柱區(qū)的增加或Xe分壓的增加引起放電點(diǎn)火電壓的增加，這增加了PDP的制造成本。
因此，為了提高發(fā)光效率，必須在低放電點(diǎn)火電壓下實(shí)現(xiàn)正電柱區(qū)的面積或長度的增加和Xe分壓的增加。因此，存在減小PDP的放電點(diǎn)火電壓的需要，注意到對于放電間隙的可比的距離和壓力，相對放電結(jié)構(gòu)所需的放電點(diǎn)火電壓比表面放電結(jié)構(gòu)所需的放電點(diǎn)火電壓低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板及驅(qū)動該等離子體顯示面板的方法，所述等離子體顯示面板可以減小放電點(diǎn)火電壓以及重置和尋址周期，因而提高了灰度表現(xiàn)的能力。
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板，其可以引起相對放電，通過在短的間隙點(diǎn)火放電來減小放電點(diǎn)火電壓，且增加主放電長度，因而增加了發(fā)光亮度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種等離子體顯示面板包括以其間的預(yù)定間隙相互面對的第一和第二基板。所述預(yù)定的間隙被分為多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光體光層。第一電極和第二電極基板之間在第一方向上延伸，并且交替地位于沿與第一方向交叉的第二方向相鄰的放電單元的邊緣界上。第一電極和第二電極還在與第一和第二方向垂直的方向上從第一基板向第二基板延伸。第一尋址電極和第二尋址電極在基板之間沿著第二方向延伸，對應(yīng)于沿第一方向相鄰的所述放電單元的邊緣界，且在沿第二方向彼此相鄰的它們各自的放電單元內(nèi)具有突出的突出部。
等離子體顯示面板還包括第一阻擋肋層，相鄰于所述第一基板，用于界定多個第一放電空間；和第二阻擋肋層，相鄰于所述第二基板，用于界定面對所述第一放電空間的第二放電空間。每個放電單元通過一對相互面對的所述第一放電空間和第二放電空間來形成。
每個由第二阻擋肋層界定的第二放電空間具有比每個由第一阻擋肋層界定的第一放電空間大的體積。
所述第一阻擋肋層可以包括形成于所述第二方向上的第一阻擋肋構(gòu)件和與所述第一阻擋肋構(gòu)件交叉形成的第二阻擋肋構(gòu)件。另外，所述第二阻擋肋層可以包括形成于所述第二方向上的第三阻擋肋構(gòu)件和與所述第三阻擋肋構(gòu)件交叉形成的第四阻擋肋構(gòu)件。
第一電極、第二電極、第一尋址電極和第二尋址電極位于所述第一阻擋肋層和第二阻擋肋層之間。
介電層設(shè)置于所述第一尋址電極和第二尋址電極的外表面上。
所述第一尋址電極和第二尋址電極在與所述第一和第二基板垂直的方向位于相對于所述第一電極和第二電極的同一側(cè)。在該情形，第一尋址電極可以相鄰于基板的任意之一，且第二尋址電極可以相鄰于第一和第二基板。
另一方面，形成于第一尋址電極的每個突出部和每個第二電極之間的介電層的厚度可以形成得比形成于第二尋址電極的每個突出部和每個第二電極之間的介電層的厚度更大。介電層厚度可以在突出部和放電單元的內(nèi)側(cè)之間在垂直于基板的方向測量。另外，保護(hù)?？梢栽O(shè)置于介電層的外表面。保護(hù)?？梢杂蓪τ诳梢姽饩哂蟹峭干湫阅艿牟牧现瞥?，由此進(jìn)一步增加了二次電子發(fā)射。
第一和第二尋址電極可以由具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。
每個第一和第二尋址電極的突出部分和每個第二電極之間的距離可以小于每個突出部分和每個第一電極之間的距離。如此，可以采用低電壓更容易地執(zhí)行尋址放電。
形成于所述第一和第二尋址電極的每個突出部的外表面上的介電層可以直接連接到形成于每個第二電極的外表面上的介電層?；蛘?，這些介電層可以合并在一起或形成為連續(xù)的層。
另外，所述第一和第二尋址電極可以每個包括在每個放電單元中位于第一和第二電極之間的多個突出部。采用該結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了觸發(fā)放電，其促進(jìn)了尋址放電和維持放電的產(chǎn)生。
所述第一尋址電極的突出部可以相鄰于基板之一，所述第二尋址電極的突出部相鄰于第一電極和第二電極，且相鄰于基板的突出部的數(shù)量可以不同于相鄰于所述第一電極和第二電極的突出部的數(shù)量。
所述第一尋址電極和第二尋址電極每個提供有兩個突出部。
在垂直于第一方向的第一和第二電極的橫截面視圖中每個第一和第二電極可以具有比水平長度更長的垂直長度。在一個實(shí)施例中，第一和第二電極的橫截面相對于垂直于基板的方向?qū)ΨQ形成。在一個實(shí)施例中，所述第一電極和第二電極由具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。介電層可以形成于所述第一電極和第二電極的外表面上，且保護(hù)膜可以形成于所述介電層的外表面上。另外，磷光體光層可以包括形成于所述各自放電單元的第一基板側(cè)上的第一磷光體光層和形成于所述各自放電單元的第二基板側(cè)上的第二磷光體光層。所述第一磷光體光層由反射的磷光體光體制成，并且所述第二磷光體光層由透射磷光體光體制成。在一個實(shí)施例中，每個所述第一磷光體光層的厚度大于每個所述第二磷光體光層的厚度。
另外，每個所述第一電極和第二電極具有在與每個基板的表面垂直的方向上延伸的寬部。
另外，所述第一尋址電極的突出部和第二尋址電極的突出部在各自的所述放電單元內(nèi)交替地并且從所述放電單元的相對側(cè)突出。
在一個實(shí)施例中，在第一和第二電極的寬部的橫截面中，每個所述第一電極和第二電極的寬部的沿垂直于第一和第二方向的第三方向的垂直方向的尺寸比沿所述第二方向的水平方向的尺寸長。
所述第一阻擋肋層具有在第二方向延伸的第一阻擋肋層構(gòu)件，并且所述第二阻擋肋層具有在第二方向延伸的第三阻擋肋層構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在沿第二方向連續(xù)彼此相鄰的多個放電單元中，所述第一尋址電極可以具有在設(shè)置在一個放電單元中的所述第一電極和第二電極之間突出的突出部，并且所述第二尋址電極具有設(shè)置在相鄰的放電單元中在所述第一和第二電極之間突出的突出部。
另外，所述第一尋址電極更接近所述第一基板，并且第二尋址電極更接近所述第二基板，所述第一和第二電極位于所述第一和第二尋址電極之間。
所述第一和第二電極可以具有寬部和窄部，所述寬部相應(yīng)于各自的所述放電單元并且在與所述第一基板垂直的方向延伸，所述窄部相應(yīng)于沿所述第一方向連續(xù)彼此相鄰的放電單元的邊緣界，且具有比所述寬部窄的寬度。
所述第一和第二尋址電極的突出部可以在所述放電單元同一側(cè)上向它們各自放電單元的內(nèi)部突出。另外，所述第一和第二尋址電極的突出部可以向在所述放電單元相對側(cè)上的各自放電單元內(nèi)突出。
一個子像素由多個放電單元形成。例如，四個相鄰的放電單元可以形成一個子像素，所述子像素具有按所述第一電極、所述第二電極的、所述第一電極，所述第二電極和所述第一電極的順序的電極布置。
在該情形，所述第二電極之一位于所述第一尋址電極的突出部之間并且所述第二電極的另一個位于所述第二尋址電極的突出部之間。另外，第一電極位于第一尋址電極的一個突出部和相鄰于第一尋址電極的一個突出部的第二尋址電極的一個突出部之間。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種等離子體顯示面板包括第一和第二基板，彼此面對；阻擋肋層，在所述第一基板和第二基板之間的空間界定多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光體光層；第一電極和第二電極，在第一方向在所述第一基板和第二基板之間延伸，且形成在從第一基板離開的方向向第二基板延伸以彼此面對，在其之間具有空間，且在與第一方向相交的第二方向相鄰的一對放電單元來共用；和第一尋址電極和第二尋址電極，在所述第一基板上在第二方向延伸，且相應(yīng)于各自的放電單元彼此平行。
每個所述第一尋址電極和第二尋址電極可以具有在每個放電單元內(nèi)突出的第一部和連接所述第一部的第二部。
所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部可以交替位于沿第二方向上相鄰的放電單元。所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部可以在各自放電單元內(nèi)從在第二方向相鄰的放電單元的相對側(cè)突出。
所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部相對于所述第一電極或第二電極對稱。
所述第二電極在尋址周期中被順序地施加掃描脈沖以進(jìn)行尋址放電，并且將所述第一電極與第二電極一起在維持周期施加維持電壓，以便進(jìn)行維持放電。
在共用所述第二電極并且在第二方向相鄰的放電單元對之中，在一個放電單元中，每個所述第一尋址電極可以具有比所述第二尋址電極小的面積，并且在其它放電單元中，所述第一尋址電極具有比所述第二尋址電極大的面積。
在放電單元的邊緣的每個所述第一和第二尋址電極的邊緣基本平行于所述放電單元的邊緣。
在放電單元的邊緣的每個所述第一和第二尋址電極的的邊緣在所述第一部內(nèi)比在所述第二部內(nèi)形成得進(jìn)一步向所述放電單元的中心傾斜。
在另一實(shí)施例中，所述第一電極和第二電極的至少之一在接近所述第一基板的區(qū)域中比接近所述第二基板的區(qū)域中進(jìn)一步突出到所述放電單元內(nèi)。
所述第一電極和第二電極的至少之一沿第二方向的寬度從接近所述第二基板的區(qū)向接近第一基板的區(qū)步進(jìn)或逐漸增加。
介電層可以形成于所述第一電極和第二電極的外表面，且所述介電層可以具有第一介電層部和第二介電層部，所述第一介電層部平行于所述第一和第二電極形成以圍繞各自的所述第一和第二電極，并且所述第二介電層部在與所述第一介電層部交叉的方向沿著所述放電單元的邊緣形成。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的方面，提供有一種驅(qū)動等離子體顯示面板的方法，所述顯示面板具有在彼此面對的第一基板和第二基板之間在第一方向延伸形成的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極由在與第一方向交叉的第二方向相鄰的放電單元共用且交替排列。所述面板還包括在第二方向延伸并且在與所述基板垂直的方向從彼此隔開的第一和第二尋址電極，等離子體顯示面板的驅(qū)動方法包括在尋址周期中，將掃描脈沖施加到由在第二方向彼此相鄰的第一和第二放電單元共用的所述第二電極；并且尋址施加掃描脈沖的所述第一和第二放電單元。
在尋址期間，所述第一放電單元可以由所述第一尋址電極尋址，且所述第二放電單元可以由所述第二尋址電極尋址。
另外，通過所述第一和第二尋址電極的尋址是同時進(jìn)行的。
可以將尋址脈沖從第一尋址電極驅(qū)動器施加到所述第一尋址電極，并且可以將尋址脈沖從第二尋址電極驅(qū)動器施加到所述第二尋址電極。
在一個實(shí)施例中，施加到接近所述第二電極的所述第一尋址電極或第二尋址電極的尋址脈沖值等于或小于施加到另一尋址電極上的尋址脈沖值。
在尋址時，所述第一放電單元可以通過所述第一尋址電極尋址，并且所述第二放電單元可以通過所述第二尋址電極尋址，從而通過所述第一尋址電極的尋址和通過所述第二尋址電極的尋址是順序?qū)崿F(xiàn)的。在尋址時，首先將其中所述第二電極和所述尋址電極之間距離大的放電單元尋址，且然后將另一放電單元尋址。
即在尋址時，首先將其中設(shè)置第一尋址電極的所述第一放電單元尋址，然后將其中設(shè)置第二尋址電極的所述第二放電單元尋址。
在該情形，將尋址脈沖從尋址電極驅(qū)動器施加到所述第一尋址電極，并且然后將尋址脈沖從尋址電極驅(qū)動器施加到所述第二尋址電極。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分分解透視圖。
圖2是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中電極和放電單元的結(jié)構(gòu)的部分平面圖。
圖3是處于等離子體顯示面板被組裝的狀態(tài)的沿圖1的III-III線截取的部分橫截面圖。
圖4是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中電極結(jié)構(gòu)的部分透視圖。
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的第一和第二尋址電極和各自的驅(qū)動器的第一連接關(guān)系的示意圖。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的第一驅(qū)動方法中驅(qū)動波形的圖。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的所述等離子體顯示面板中的第一和第二尋址電極和各自驅(qū)動器的第二連接關(guān)系的示意圖。
圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的第二驅(qū)動方法中驅(qū)動波形的圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖13是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極的結(jié)構(gòu)的部分透視圖。
圖14是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
圖16是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分分解透視圖。
圖18是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極和放電單元的結(jié)構(gòu)的部分平面圖。
圖19是處于等離子體顯示面板被組裝的狀態(tài)的沿圖17的XIX-XIX線截取的部分橫截面圖。
圖20是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極的結(jié)構(gòu)的部分透視圖。
圖21是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極和放電單元的結(jié)構(gòu)的部分平面圖。
圖22是根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖23是根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分分解透視圖。
圖24是處于等離子體顯示面板被組裝的狀態(tài)的沿圖23的IIXIV-IIXIV線截取的部分橫截面圖。
圖25是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
圖26是根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖27是根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
圖28是根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
具體實(shí)施例方式
參照圖1至4，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP包括彼此面對且在其之間具有預(yù)定的間隙的第一基板10(此后稱為“后基板”)和第二基板20(此后稱為“前基板”)，以及位于后基板10和前基板20之間的第一阻擋肋層16(此后稱為‘后基板側(cè)阻擋肋’)和第二阻擋肋層26(此后稱為‘前基板側(cè)阻擋肋’)。后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26界定多個放電空間以形成彼此面對的第一放電空間18和第二放電空間28。在放電空間18和28內(nèi)，形成了磷光層19和29以吸收真空紫外線并且發(fā)出可見光。此外，將放電氣體(例如，包括Xe、Ne等的混和氣體)充入放電單元17中以通過等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線。
后基板側(cè)肋阻擋肋層16形成以從后基板10向前基板20突出，并且前基板側(cè)阻擋肋層26從前基板20向后基板10突出形成。后基板側(cè)阻擋肋層16界定接近后基板10的多個放電單元以在后基板10上形成第一放電空間18。前基板側(cè)阻擋肋層26界定接近前基板20的多個放電單元以在前基板20上形成第二放電空間28。在兩側(cè)彼此面對的放電空間基本形成一個放電單元17。在本發(fā)明中，只要沒有給出放電單元17的特定表示，放電單元17就意味著由第一和第二放電空間18、28形成的一個放電空間。
在一個實(shí)施例中，由前基板側(cè)阻擋肋層26和第二放電空間28形成的放電空間的體積大于由后基板側(cè)阻擋肋層16和第一放電空間18形成的放電空間的體積。由于該體積差別，可以提高在放電單元17內(nèi)產(chǎn)生的可見光穿過前基板20的透射率。
后基板側(cè)阻擋肋層16和前基板側(cè)阻擋肋層26可以形成具有各種形狀的放電單元17，如矩形或六角形。在本實(shí)施例中，給出具有矩形形狀的放電單元17作為例子。
后基板側(cè)阻擋肋層16包括第一阻擋肋構(gòu)件16a和第二阻擋肋構(gòu)件16b。第一阻擋肋構(gòu)件16a位于后基板10的內(nèi)表面上以在一個方向延伸(y軸方向)，并且第二阻擋肋層構(gòu)件16b在與第一阻擋肋構(gòu)件16a交叉的方向延伸。因而，第一阻擋肋構(gòu)件16a和第二阻擋肋構(gòu)件16b形成作為獨(dú)立放電空間的第一放電空間18。
前基板側(cè)阻擋肋層26包括第三阻擋肋構(gòu)件26a和第四阻擋肋構(gòu)件26b。第三阻擋肋構(gòu)件26a形成于前基板20的內(nèi)表面上以向后基板10突出，并且具有相應(yīng)于第一阻擋肋構(gòu)件16a的形狀。第四阻擋肋層構(gòu)件26b在與第三阻擋肋構(gòu)件26a交叉的方向伸，并且具有相應(yīng)于第二阻擋肋構(gòu)件16b的形狀。。因而，第三阻擋肋構(gòu)件26a和第四阻擋肋構(gòu)件26b在前基板20上形成第二放電空間28。第二放電空間28對應(yīng)于由第一阻擋肋構(gòu)件16a和第二阻擋肋構(gòu)件16b在后基板10上形成的第一放電空間18。
磷光層19和29形成于如上所述的放電空間中。磷光層19和29包括形成于第一放電空間18中后基板10上的第一磷光層和形成于面對第一放電空間18的第二放電空間28中前基板20上的第二磷光層。
由后基板阻擋肋層16形成的第一放電空間18，和由前基板阻擋肋層26形成以面對第一放電空間18的第二放電空間28基本相應(yīng)于一個放電單元17。因此，形成于各自放電空間中的第一磷光層19和第二磷光層29，由于通過氣體放電引起的真空紫外線而產(chǎn)生相同顏色的光。第一磷光層19和第二磷光層29從基本形成一個放電單元17的兩個放電空間18和28產(chǎn)生可見光，從而可以提高發(fā)光效率。
在第一放電空間18中，第一磷光層19形成于第一阻擋肋構(gòu)件16a和第二阻擋肋構(gòu)件16b的內(nèi)表面以及后基板10的表面上。在第二放電空間28中，第二磷光層29形成于第三阻擋肋構(gòu)件26a和第四阻擋肋構(gòu)件26b的內(nèi)表面以及前基板20的表面上。
另一方面，如圖1至4所示，可以通過在后基板10上形成后基板側(cè)肋16并且通過在后基板肋16上涂覆磷光體來形成第一磷光層19?？商鎿Q地，可以通過將后基板10蝕刻以相應(yīng)于第一放電空間18的形狀并且通過在被蝕刻的表面上涂覆磷光體來形成第一磷光層19。相似地，如圖中所述，可以通過在前基板20上形成前基板側(cè)肋26并且通過在前基板肋26上涂覆磷光體來形成第二磷光層29?？商鎿Q地，可以通過將前基板20蝕刻以相應(yīng)于第二放電空間28的形狀并且通過在被蝕刻的表面上涂覆磷光體形成第二磷光層29。
在其中后基板側(cè)阻擋肋16通過蝕刻后基板10形成的情形，后基板10和后基板側(cè)阻擋肋16由相同的材料制成(未顯示)。在其中前基板側(cè)阻擋肋26通過蝕刻前基板20形成的情形，前基板20和前基板側(cè)阻擋肋26由相同的材料制成(未顯示)。通過使用這樣的蝕刻方法，與其中與后基板10和前基板20分開形成后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26的方法相比，可以減小制造成本。
第一磷光層19在后基板10上在第一放電空間18中吸收真空紫外線，第二磷光層29在前基板20上在第二放電空間28中吸收真空紫外線，并且產(chǎn)生可見光。此外，第一磷光層19由反射可見光的反射磷光體制成，第二磷光層29由透射可見光的透射磷光體制成。結(jié)果，產(chǎn)生的光向前基板20傳輸。因此，為了提高通過前基板20的可見光的發(fā)光效率，在一個實(shí)施例中，形成于后基板10上的每個第一磷光層19的厚度t1大于形成于前基板20上的每個第二磷光層29的厚度t2(t1＞t2)。另外，形成第一磷光層19的磷光體粉末的顆粒尺寸可以大于形成第二磷光層29的磷光體粉末的顆粒尺寸。用這樣的方式，因?yàn)槊總€第二磷光層29的厚度t2小于每個第一磷光層19的厚度t1，所以可以使穿過前基板的真空紫外線的損失最小化，因而可以提高發(fā)光效率。
為了通過等離子體放電實(shí)現(xiàn)圖像，本發(fā)明的等離子體顯示面板在相應(yīng)于各自的放電單元17的后基板10和前基板20之間具有第一尋址電極11和第二尋址電極12，以及第一電極31(此后稱為“維持電極”)和第二電極32(此后稱為“掃描電極”)如圖2所示，維持電極31和掃描電極32形成于后基板阻擋肋16和前基板阻擋肋26之間以在第一方向(此后稱為“x軸方向”)延伸。另外，第一尋址電極11和第二尋址電極12在與x軸方向交叉的第二方向(此后稱為“y軸方向”)上沿放電單元17的邊界交替設(shè)置，并且形成相對于維持和掃描電極31和32的相對放電結(jié)構(gòu)。每個維持電極31位于維持電極31兩側(cè)的兩組放電單元17之間。相似地，每個掃描電極32位于兩組相鄰的放電單元17之間。因?yàn)檫@個原因，如果在兩側(cè)的相鄰放電單元17進(jìn)行維持放電，則每個維持和掃描電極31和32涉及維持放電，。
如圖1和3所示，第一和第二尋址電極11、12與后基板側(cè)阻擋肋16之間的距離被設(shè)置得短于維持和掃描電極31、32與后基板側(cè)阻擋肋16之間的距離?？商鎿Q地，第一和第二尋址電極11、12與前基板側(cè)阻擋肋26之間的距離可以被設(shè)置得短于維持和掃描電極31、32和前基板側(cè)阻擋肋26之間的距離。第一尋址電極11和第二尋址電極12沿著與基板平行的方向設(shè)置而且沿與基板垂直的方向彼此隔開。另外，將第一尋址電極11和第二尋址電極12沿與基板平行的方向?qū)?zhǔn)以彼此覆蓋。垂直于第一和第二基板10和20所觀察的第一和第二尋址電極11和12的橫截面圖顯示了第一和第二尋址電極11和12的對準(zhǔn)。具體地，將第一尋址電極11設(shè)置相鄰于后基板側(cè)阻擋肋16或者前基板阻擋肋26。將第二尋址電極12設(shè)置相鄰于維持電極31和掃描電極32。換言之，無論第一和第二尋址電極11和12形成得接近于前基板20還是接近于后基板10，它們都比相應(yīng)實(shí)施例的維持和掃描電極31和32更接近基板。
因?yàn)榈谝缓偷诙ぶ冯姌O11和12沿著與基板平行的方向彼此重疊，所以第一尋址電極11和第二尋址電極12可以在y軸方向交替地尋址相鄰放電單元17。為了在y軸方向交替地尋址相鄰放電單元17，將第一尋址電極11和第二尋址電極12分別設(shè)置有突出部11a和12a。突出部11a和12a不重疊。將第一尋址電極11的突出部11a設(shè)置相鄰于后基板側(cè)阻擋肋16或者前基板側(cè)阻擋肋26，并且將第二尋址電極12的突出部12a設(shè)置相鄰于維持電極31和掃描電極32。
圖3例舉了其中第一尋址電極11和第二尋址電極12更靠近后基板側(cè)阻擋肋的配置。第一尋址電極11和第二尋址電極12在與維持電極31和掃描電極32交叉的方向設(shè)置。第一尋址電極11和第二尋址電極12分別具有突出部11a和12a，它們交替地相應(yīng)于設(shè)置在y軸方向的放電單元17，因而交替地進(jìn)行在y軸方向上相鄰單元17的尋址。
如圖2和圖4所示，就放電單元17之一觀察，第一尋址電極11和第二尋址電極12在同一側(cè)彼此重疊設(shè)置(在維持和掃描電極31和32與后基板側(cè)阻擋肋16之間)。然而，第一尋址電極11和它們的突出部11a尋址在y軸方向相鄰的一對放電單元17中的放電單元17之一，并且第二尋址電極12和它們的突出部12a尋址在y軸方向相鄰的一對放電單元17中的另一個放電單元17。第一尋址電極11和第二尋址電極12交替地尋址沿y軸方向設(shè)置的相鄰的放電單元17。
第一尋址電極11和第二尋址電極12相應(yīng)于第一阻擋肋構(gòu)件16a和第三阻擋肋構(gòu)件26a。第一尋址電極11和第二尋址電極12形成于第一阻擋肋構(gòu)件16a和第三阻擋肋構(gòu)件26a之間，以在與其平行的方向(y軸方向)延伸。第一尋址電極11和第二尋址電極12彼此重疊形成。另外，第一和第二尋址電極11和12的重疊組被平行設(shè)置，在x軸方向由相應(yīng)于放電單元17的尺寸的間隔分隔。將第一尋址電極11及其突出部11a設(shè)置相鄰于后基板側(cè)阻擋肋16，并且將第二尋址電極12及其突出部12a設(shè)置相鄰于維持電極31和掃描電極32。第一營尋址電極11和第二尋址電極12比維持電極31和掃描電極32設(shè)置更接近后基板側(cè)阻擋肋16。因?yàn)檫@個原因，維持電極31和掃描電極32不干擾設(shè)置在與維持電極31和掃描電極32的方向交叉的方向的第一尋址電極11和第二尋址電極12。
在示范性設(shè)置中，形成第一尋址電極11的突出部11a以相應(yīng)于沿y軸方向設(shè)置的并且相應(yīng)于偶數(shù)行的一組相鄰放電單元17，并且形成第二尋址電極12的突出部12a以相應(yīng)于沿y軸方向設(shè)置的并且相應(yīng)于奇數(shù)行的一組相鄰放電單元17?？商鎿Q地，可以將突出部11a和12a設(shè)置以分別相應(yīng)于于奇數(shù)行的放電單元17和偶數(shù)行的放電單元17。第一尋址電極11和第二尋址電極12通過與掃描電極32的交互作用而進(jìn)行尋址，且因此第一尋址電極11的突出部11a向共用掃描電極32的一對相鄰放電單元17之一的中心突出，并且第二尋址電極12的突出部12a向共享同一個掃描電極32的一對相鄰放電單元17的另一個的中心突出。第一尋址電極11的突出部11a和第二尋址電極12的突出部12a交替地設(shè)置于沿y軸方向設(shè)置的相鄰的放電單元17中。
將第一尋址電極11和第二尋址電極12設(shè)置于作為非放電區(qū)的第一阻擋肋構(gòu)件16a和第三阻擋肋構(gòu)件26a之間。因此，因?yàn)樵诜烹妴卧?7中產(chǎn)生的可見光沒有被第一和第二電極11和12屏蔽，所以這些電極可以由非透明材料或具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。每個突出部11a和12a向放電單元17的中心突出，并且因此突出部11a和12a可以由透明電極制成?？商鎿Q地，突出部11a和12a可以由與第一尋址電極11和第二尋址電極12相同的材料制成。
將尋址脈沖施加到每個第一尋址電極11和第二尋址電極12。第一尋址電極11的突出部11a和第二尋址電極12的突出部12a用作將尋址脈沖施加到放電單元17。即，如果將掃描脈沖施加到掃描電極32并且將尋址脈沖施加到第一尋址電極11和第二尋址電極12，可以通過一個掃描操作來實(shí)現(xiàn)雙尋址。此外，每個放電單元17中突出部11a和12a和掃描電極32之間的放電間隙被形成為短間隙，由此使采用低壓的尋址放電成為可能。
另一方面，維持電極31和掃描電極32形成于后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26之間，相對于后基板10和前基板20的z軸方向，如圖1和3所示。維持電極31和掃描電極32與第一尋址電極11和第二尋址電極12電絕緣并且形成以沿與第一和第二尋址電極11和12的方向交叉的方向(x軸方向)延伸。對于相鄰放電單元17的每行，維持電極31之一位于一側(cè)，掃描電極32位于另一側(cè)，與維持電極31平行。結(jié)果，維持電極31和掃描電極32沿x軸方向交替地設(shè)置并且沿y軸方向彼此隔開，以被沿x方向放電單元行的相鄰放電單元17共用。將掃描電極32設(shè)置于劃分兩個相鄰單元17的第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間，并且還將維持電極31設(shè)置于劃分兩個相鄰單元17的第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間。因此，當(dāng)將尋址脈沖施加到第一尋址電極11和第二尋址電極12，且將掃描脈沖施加到掃描電極32時，共用同一掃描電極32和同一第一和第二尋址電極11和12的兩個相鄰放電單元17可以通過一個掃描操作被選擇。即通過一個掃描操作可以實(shí)現(xiàn)雙尋址，由此減小了尋址周期的長度。此外，如果將重置脈沖施加到掃描電極32，共用同一掃描電極32的兩個相鄰單元17被重置，由此減小了重置周期的長度。這樣，因?yàn)闇p小了重置周期和尋址周期，所以可以增加維持周期。隨著維持周期增加，增加了維持脈沖的數(shù)量，由此提高了灰度表現(xiàn)的能力。
如圖4所示，如此形成和設(shè)置維持電極31和掃描電極32，使得對于在y軸方向的相鄰單元17，可以通過一個操作來實(shí)現(xiàn)雙尋址。在共用掃描電極32的一對放電單元17之一中，設(shè)置第一尋址電極11的突出部11a，且在共用所述電極32的另一個放電單元17中，設(shè)置第二尋址電極12的突出部12a。突出部11a和12a觸發(fā)維持電極31和掃描電極32之間的放電，這使采用低壓的維持放電成為可能。
維持電極31和掃描電極32設(shè)置于第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間，由此作為在y軸方向分隔相鄰放電單元17的基準(zhǔn)。
在尋址周期中，掃描電極32與第一尋址電極11和第二尋址電極12一起涉及尋址，并且用于選擇將被啟動的放電單元17。在維持周期中，維持電極31和掃描電極32涉及維持放電，并且用于顯示屏幕。維持電極31在維持周期被施加維持脈沖，掃描電極在維持周期被施加維持脈沖且在尋址周期被施加掃描脈沖。然而，根據(jù)對其施加的信號電壓，各自的電極可以執(zhí)行不同的功能，由此本實(shí)施例不需被限于上述的配置。
回到圖3，將維持電極31和掃描電極32設(shè)置于后和前基板10和20之間以與第一尋址電極11和第二尋址電極12一起基本分隔一個單元17，從而形成相對放電結(jié)構(gòu)。因此，可以減小用于維持放電的放電點(diǎn)火電壓。
為了在相對表面的較寬的面積上引起相對放電，維持電極31和掃描電極32可以具有橫截面結(jié)構(gòu)，其中垂直長度hV比水平長度hh長。以這種方式在寬面積上產(chǎn)生的相對放電產(chǎn)生了強(qiáng)的真空紫外線。強(qiáng)真空紫外線在寬面積上與第一和第二磷光層19和29碰撞，從而可以增加在放電單元中產(chǎn)生的可見光的所得數(shù)量。
此外，將維持電極31和掃描電極32設(shè)置于作為非放電區(qū)的第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間，以不屏蔽在放電單元17中產(chǎn)生的可見光。因此，維持電極31和掃描電極32可以由非透明材料或具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。
維持電極31和掃描電極32的y-z橫截面形成相對于中心線L的對稱結(jié)構(gòu)，如圖3所示，中心線L與前基板20和后基板10的平面垂直。因?yàn)檫@個原因，維持電極31和掃描電極32形成放電單元17設(shè)置于兩個電極之間的相對放電結(jié)構(gòu)。
介電層34和35設(shè)置于維持電極31、掃描電極32、第一尋址電極11和第二尋址電極12的外表面上。介電層34和35聚集壁電荷并且還絕緣各自電極。絕緣維持電極31、掃描電極32、以及第一尋址電極11和第二尋址電極12的介電層34和35可以通過TFCS(厚膜陶瓷片)方法形成。通過單獨(dú)地形成包括維持電極31、掃描電極32、第一尋址電極11和第二尋址電極12的電極部分，然后通過電極部分耦合到其上形成有后基板側(cè)阻擋肋層16的后基板10上，可以制造PDP。
介電層34和35將被更詳細(xì)地描述。在覆蓋第一尋址電極11和第二尋址電極12的介電層35中，沿著垂直于后基板10方向在第一尋址電極11的突出部11a和掃描電極32之間測量的介電層35的厚度t6被設(shè)置為大于沿垂直于后基板10方向在第二尋址電極12的突出部12a和掃描電極32之間測量的介電層35的厚度t7。這些厚度t6和t7確定突出部11a和12a與掃描電極32之間的有效電容。介電層35的厚度差別在放電點(diǎn)火低壓上產(chǎn)生差別。介電層35的厚度越大，放電點(diǎn)火電壓越高，因?yàn)榉烹姳唤殡妼?5阻礙。為了產(chǎn)生相同的尋址放電，必須將更高的電壓施加到第一尋址電極11，第一尋址電極11具有比第二尋址電極12厚的介電層35。
在一個實(shí)施例中，保護(hù)膜36設(shè)置于介電層34和35的外表面上。具體地，保護(hù)膜36可以形成于暴露于放電單元17中在放電空間中產(chǎn)生的等離子體放電的部分中。保護(hù)膜36用作保護(hù)介電層34和35。保護(hù)膜36需要具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)，但不需具有對于可見光的透射性能。維持電極31、掃描電極32、第一尋址電極11和第二尋址電極12設(shè)置于兩個基板10和20之間，而不在前基板10和后基板20上。因此，涂布在介電層34和35上且覆蓋維持電極31、掃描電極32、第一尋址電極11和第二尋址電極12的保護(hù)膜36可以由對于可見光具有非透射性能的材料制成。作為保護(hù)膜36的例子，對于可見光具有非透射性能的MgO具有比對于可見光具有透射性能的MgO高得多的二次電子發(fā)射系數(shù)，使得可以進(jìn)一步減小放電點(diǎn)火電壓。
第一尋址電極11和第二尋址電極12由整體具有相同介電常數(shù)的介電層35覆蓋，并且由此顯示紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)顏色的放電單元可以具有相同的放電點(diǎn)火電壓，由此形成高電壓容限。
另一方面，如上所述，維持電極31設(shè)置于形成x方向的放電單元17行的一側(cè)的第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間，并且由沿著該行相應(yīng)于第二和第四阻擋肋構(gòu)件16b和26b的放電單元17共用。掃描電極32設(shè)置于形成同一放電單元17行的另一側(cè)的第二阻擋肋構(gòu)件16b和第四阻擋肋構(gòu)件26b之間，并且由相應(yīng)于第二和第四阻擋肋構(gòu)件16b和26b的放電單元17共用。因此，根據(jù)維持電極31、掃描電極32和維持電極31的順序的電極配置來設(shè)置維持電極31和掃描電極32。
此外，第一尋址電極11和第二尋址電極12設(shè)置于形成在y方向上放電單元17的一側(cè)的第一阻擋肋構(gòu)件16a和第三阻擋肋構(gòu)件26a之間，相應(yīng)于于第一和第三阻擋肋構(gòu)件16a和26a。第一尋址電極11和第二尋址電極12的突出部11a和12a相應(yīng)地位于放電單元17的中心。因此，維持電極31、掃描電極32和維持電極31的電極配置基本沿y方向按照維持電極31、第一尋址電極11的突出部11a、掃描電極32、第二尋址電極12的突出部12a和維持電極31的順序設(shè)置。
如圖5所示，將第一尋址電極11耦合到在前基板10和后基板20一側(cè)上的第一尋址電極驅(qū)動器11b。將第二尋址電極12耦合到基板10和20另一側(cè)的第二尋址電極驅(qū)動器12b。這使一對放電單元17能夠共用掃描電極32以通過一個掃描操作同時尋址。
在圖6中顯示了具有上述配置的PDP的驅(qū)動方法。驅(qū)動PDP的方法包括，在尋址周期中，將掃描脈沖Vsc施加到由一對相鄰放電單元17共用的掃描電極32，并且尋址施加了掃描脈沖Vsc的這對放電單元17。
在尋址周期中，通過施加到第一尋址電極11的尋址脈沖Va1來尋址兩個相鄰放電單元17之一，通過施加到第二尋址電極12的尋址脈沖Va2來址另一個放電單元17。將尋址脈沖Va1從第一尋址電極驅(qū)動器11b施加到第一尋址電極11，將尋址脈沖Va2從第二尋址電極驅(qū)動器12b施加到第二尋址電極12(見圖7)。通過第一和第二尋址電極11和12的尋址是同時實(shí)施的。
在上述掃描階段和尋址階段之前的重置階段中，將一對相鄰放電單元17同時重置。即將重置脈沖施加到一個掃描電極32，使得通過掃描電極32和設(shè)置在掃描電極兩側(cè)的維持電極31的交互作用，將兩個相鄰放電單元17同時重置。作為在重置周期中施加的重置脈沖Vr，可以使用具有公知波形的脈沖。此外，作為在維持周期中施加的維持脈沖Vs，可以使用具有公知波形的脈沖。
在一個實(shí)施例中，施加到接近掃描電極32的第一尋址電極11或第二尋址電極的尋址脈沖值P2等于或小于施加到另一個尋址電極11或12的尋址脈沖值P1。即，在本實(shí)施例中，掃描電極32比第一尋址電極11更接近第二尋址電極12，并且由此施加到每個第二尋址電極12的尋址脈沖值P2可以等于或小于施加到每個第一尋址電極11的尋址脈沖值P1。圖6顯示了其中脈沖值相同的情形(P2＝P1)。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的所述等離子體顯示面板中的第一和第二尋址電極和各自驅(qū)動器的第二連接關(guān)系的示意圖。圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的第二驅(qū)動方法中驅(qū)動波形的圖。
參照這些圖，在上述尋址階段中，通過將尋址脈沖Va1施加到第一尋址電極11上來尋址一對彼此鄰接的放電單元17之一，并且通過將尋址脈沖Va2施加到第二尋址電極12來尋址另一個放電單元17。在此刻，將尋址脈沖Va1從尋址電極驅(qū)動器13施加到第一尋址電極11，并且將尋址脈沖Va2從尋址電極驅(qū)動器13施加到第二尋址電極12。用這樣的方式，僅提供了一個尋址電極驅(qū)動器13。因此，為了選擇性地將尋址脈沖Va1和Va2施加到第一尋址電極11和第二尋址電極12，在尋址電極驅(qū)動器13與第一和第二尋址電極11和12之間提供了開關(guān)14。采用開關(guān)14，尋址電極驅(qū)動器13可以選擇性地連接到第一尋址電極11或第二尋址電極12。
尋址是通過第一尋址電極11和第二尋址電極12被順序?qū)嵤┑?。第一尋址電極11首先執(zhí)行尋址，然后第二尋址電極12執(zhí)行尋址?？商鎿Q地，第二尋址電極12首先執(zhí)行尋址，然后第一尋址電極11執(zhí)行尋址。在根據(jù)本實(shí)施例的尋址階段中，首先尋址其中掃描電極32和尋址電極之間的距離大的一對相鄰放電單元之一，然后尋址另一個放電單元。在本實(shí)施例中，與第二尋址電極12相比，第一尋址電極11與掃描電極32的距離遠(yuǎn)，由此首先尋址其中設(shè)置第一尋址電極11的一對相鄰放電單元之一的放電單元17，然后尋址其中設(shè)置第二尋址電極12的另一個放電單元17。更具體地，隨著掃描期間進(jìn)行，點(diǎn)火粒子消失。此外，隨著介電層厚度變大更難于執(zhí)行尋址。因此，首先通過其中介電層35厚度5形成得較大的尋址電極來執(zhí)行尋址，然后通過其中介電層35厚度形成得較薄的尋址電極來進(jìn)行尋址。
此后，將描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。下面將要描述的實(shí)施例具有一些與上述實(shí)施例的配置相似的部分。這里，將省略相似部分的詳細(xì)描述，僅描述不同的部分。
圖9顯示了本發(fā)明的第二實(shí)施例。在第二實(shí)施例中，第一和第二尋址電極211和212的每個突出部211a和212a與掃描電極32之間的距離L2被設(shè)置得小于每個突出部211a和212a與維持電極31之間的距離L1。因此，通過第一尋址電極211和掃描電極32之間，以及第二尋址電極212和掃描電極32之間的突出部211a和212a來進(jìn)行觸發(fā)，這促進(jìn)了尋址放電。
圖10顯示了本發(fā)明的第三實(shí)施例。形成于第一尋址電極311和第二尋址電極312的每個突出部311a和312a的外表面上的介電層35直接連接到設(shè)置在掃描電極32的外表面上的介電層34。因此，通過第一尋址電極311和掃描電極32之間，以及第二尋址電極312和掃描電極32之間的突出部311a和312a進(jìn)行觸發(fā)，與第二實(shí)施例相比，這進(jìn)一步促進(jìn)了尋址放電。
圖11顯示了本發(fā)明的第四實(shí)施例。每個第一尋址電極411和第二尋址電極412的多個突出部411a和412a可以設(shè)置于維持電極31和掃描電極32之間。在尋址周期中多個突出部411a和412a作為觸發(fā)電極，由此可以進(jìn)一步促進(jìn)維持電極31和掃描電極32之間的維持放電。與后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26中任一個相鄰設(shè)置的突出部411a的數(shù)量，和與維持電極31和掃描電極32相鄰設(shè)置的突出部412a的數(shù)量相同，例如兩個。
圖12顯示了本發(fā)明的第五個實(shí)施例。在第五實(shí)施例中，與后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26中任一個相鄰設(shè)置的突出部511a和512a的數(shù)量被設(shè)置得不同于與維持電極31和掃描電極32相鄰設(shè)置的突出部511a和512a的數(shù)量。即，在y軸方向一對相鄰放電單元17之一中，第二尋址電極512的一個突出部512a與掃描電極相鄰設(shè)置，并且第一尋址電極511的一個突出部511a與維持電極31相鄰設(shè)置。然而，在y軸方向一對相鄰放電單元17的另一個放電單元中，第一尋址電極511的突出部511a被相應(yīng)地相鄰于維持電極31和掃描電極32設(shè)置。
圖13是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極的結(jié)構(gòu)的部分透視圖。
在第六實(shí)施例中，維持電極631和掃描電極632設(shè)置有寬部31a和32a。寬部31a和32a在它們各自的放電單元17中從維持電極631和掃描電極632向后基板(在負(fù)z軸方向)延伸。
如此形成每個寬部31a和32a的橫截面使得垂直方向(z軸方向)的長度被設(shè)置得長于水平方向(y軸方向)的長度。采用寬部31a和32a，可以進(jìn)一步促進(jìn)相對放電。另外，用這樣的方式在寬的面積上形成的相對放電產(chǎn)生強(qiáng)紫外線。強(qiáng)紫外線于放電單元17內(nèi)的磷光層碰撞，這樣可以增加可見光的所得的量。
圖14至16顯示本發(fā)明第七至第九實(shí)施例。第七至第九實(shí)施例具有一些與第六實(shí)施例相似的部分。這里，僅描述與第六實(shí)施例不同的部分。
圖14是根據(jù)本發(fā)明第七個實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。在本實(shí)施例中，第一尋址電極711的突出部711a和第二尋址電極712的突出部712a在放電單元17的兩個不同側(cè)上交替地向各自放電單元17的中心突出。例如，如果突出部711a位于一個放電單元17的右側(cè)，突出部712a將位于與第一個放電單元17沿y軸方向相鄰的另一個放電單元17的左側(cè)。在這種情形，y軸方向是尋址電極711和712的方向。
圖15是本發(fā)明第八個實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。第一尋址電極811和第二尋址電極812按與第七實(shí)施例相同的方式設(shè)置。每個突出部811a和812a形成的寬度大于第七實(shí)施例中的寬度。因此，形成于每個第一尋址電極811和第二尋址電極812的突出部811a和812a外表面上的介電層35與設(shè)置于掃描電極632外表面上的介電層34合并。因此，通過在第一尋址電極811和掃描電極632之間、以及第二尋址電極812和掃描電極632之間的每個突出部811a和812a進(jìn)行觸發(fā)，這與第七實(shí)施例相比，進(jìn)一步促進(jìn)了尋址放電。
圖16是根據(jù)本發(fā)明的九實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。這里，后基板側(cè)阻擋肋具有平行于第一和第二尋址電極11和12(y軸方向)形成的第一阻擋肋構(gòu)件916a；前基板側(cè)阻擋肋具有平行于相應(yīng)于第一阻擋肋構(gòu)件16a的第一和第二尋址電極11和12形成的第三阻擋肋構(gòu)件926a。即，在第九實(shí)施例中，后基板側(cè)阻擋肋和前基板側(cè)阻擋肋形成為具有條形的阻擋肋結(jié)構(gòu)。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分分解透視圖。圖18是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極和放電單元的結(jié)構(gòu)的部分平面圖。圖19是處于等離子體顯示面板被組裝的狀態(tài)的沿圖17的XIX-XIX線截取的部分橫截面圖。圖20是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子體顯示面板中的電極的結(jié)構(gòu)的部分透視圖。
參照圖17-20，維持電極1031和掃描電極10321和10322形成于后基板側(cè)阻擋肋16和前電極側(cè)阻擋肋26之間以在x軸方向延伸。此外，維持電極1031和掃描電極10321和10322在y軸方向相鄰的放電單元17的邊界交替地設(shè)置并且被相鄰放電單元17共用。維持和掃描電極的順序是維持電極1031在一側(cè)相鄰于掃描電極10321，在另一側(cè)相鄰于掃描電極10322。
第一尋址電極1011和第二尋址電極1012形成于后基板側(cè)阻擋肋16和前基板側(cè)阻擋肋26之間以在y軸方向延伸。另外，第一尋址電極1011和第二尋址電極1012在與基板垂直的方向彼此隔開。第一尋址電極1011具有突出部1011a，突出部1011a在y軸方向設(shè)置于相鄰放電單元17之一的維持電極1031和掃描電極10321(在掃描電極10321的兩側(cè))之間突出。第二尋址電極1012具有突出部1012a，突出部1012a在y軸方向設(shè)置于另一個放電單元17的維持電極1031和掃描電極10322(在掃描電極10322的兩側(cè))之間突出。
在一組沿y軸方向設(shè)置的四個相鄰的放電單元17中，第一尋址電極1011用于尋址兩個相鄰放電單元17，第二尋址電極1012用于尋址另兩個相鄰放電單元17.第一尋址電極1011和第二尋址電極1012用于交替地尋址在y軸方向設(shè)置的放電單元17對.
因?yàn)榈谝粚ぶ冯姌O1011設(shè)置相鄰于后基板10，所以突出部1011a突出進(jìn)入后基板10上的第一放電空間18。相似地，因?yàn)榈诙ぶ冯姌O1012設(shè)置相鄰于前基板20，所以突出部1012a突出進(jìn)入前基板20上的第二放電空間28。
在具有沿一行連續(xù)設(shè)置的放電單元17的一組放電單元中，可以有在維持電極1031的一側(cè)尋址放電單元17并在另一側(cè)尋址放電單元17的多種方法。在本實(shí)施例中，例舉了第一尋址電極1011的突出部1011a位于在維持電極1031的一側(cè)的放電單元17中設(shè)置的掃描電極10321的兩側(cè)，和第二尋址電極1012的突出部1012a位于在維持電極1031的另一側(cè)的放電單元17中設(shè)置的掃描電極10322兩側(cè)的配置。
第一尋址電極1011的突出部1011a形成以向各自放電單元17的中心突出，而且在一側(cè)相應(yīng)于奇數(shù)組和偶數(shù)組放電單元17，第二尋址電極1012的突出部1012a形成以向各自放電單元17的中心突出，而且在另一側(cè)相應(yīng)于奇數(shù)組和偶數(shù)組放電單元17。突出部1011a和突出部1012a在y軸方向連續(xù)設(shè)置的一組放電單元17中成對交替設(shè)置。
因?yàn)橥怀霾?011a和突出部1012a向每個放電單元17的中心突出，突出部1011a和突出部1012a可以被制造得與透明電極相同，或可以用與第一和第二尋址電極1011和1012相同的材料制造。
另一方面，在y軸方向連續(xù)設(shè)置的一組放電單元17中，當(dāng)將掃描脈沖施加到在一側(cè)的掃描電極10321時，并且當(dāng)將尋址脈沖施加到第一尋址電極1011時，通過一個掃描操作來實(shí)現(xiàn)雙尋址。此外，當(dāng)將掃描脈沖施加到在另一側(cè)的掃描電極10322時，并且當(dāng)將尋址脈沖施加到第二尋址電極1012時，通過一個掃描操來實(shí)現(xiàn)雙尋址。另外，在一組放電單元17中，當(dāng)將相同的電壓脈沖施加到兩個掃描電極10321和10322時，并且當(dāng)將同一脈沖施加到第一和第二尋址電極1011和1012時，通過一個掃描操來實(shí)現(xiàn)四倍尋址。
通過一個掃描操作來實(shí)現(xiàn)用于選擇相鄰四個放電單元17的四倍尋址。另外，當(dāng)將重置脈沖施加到掃描電極10321和10322時，將兩個共用掃描電極10321的放電單元17和兩個共用掃描電極10322的放電單元17重置，并且由此減小了重置周期。這樣，因?yàn)闇p小了重置周期和尋址周期，所以可以增加維持周期。隨著維持周期的增加，增加了維持脈沖的數(shù)量，由此提高了灰度表現(xiàn)的能力。此外，在放電單元17中的掃描電極10321和10322以及尋址電極1011和1012之間的放電間隙通過每個突出部1011a和1012a形成為短間隙，使得可以進(jìn)一步減小尋址放電電壓。
參照圖20，為了在相對表面更寬的面積上引起相對放電，維持電極1031包括寬部1031b和窄部1031c，且掃描電極10321和10322分別包括寬部10321b和10322b和窄部10321c和10322c。寬部1031b、10321b和10322b在垂直于基板10、20表面的方向(z軸方向)延伸，而且相應(yīng)于于各自的放電單元17。窄部1031c、10321c和10322c沿z軸方向的尺寸比寬部1031b、10321b和10322b的尺寸形成得窄，并且相應(yīng)于沿x方向相鄰的放電單元17的邊界。因此，寬部1031b設(shè)置面對在兩側(cè)的寬部10321b和10322b，放電單元17設(shè)置于其間。
此外，維持電極1031和掃描電極10321和10322形成以在與第一和第二尋址電極1011和1012的方向交叉的方向延伸，并且包括相應(yīng)于放電單元17的寬部1031b、10321b和10322b。因此，維持電極1031和掃描電極10321和10322可以沒有干擾地與尋址電極1011和1012的方向交叉。
此外，寬部1031b、10321b和10322b具有橫截面結(jié)構(gòu)，其中在z軸方向的垂直長度hv比在y軸方向的水平長度hh長。在寬部1031b、10321b和10322b中的更寬的面積形成的相對放電產(chǎn)生強(qiáng)真空紫外線。強(qiáng)真空紫外線在寬的面積上與第一和第二磷光層19和29碰撞，使得可以提高在放電單元17內(nèi)產(chǎn)生的可見光的所得的量。
另外，在與后基板10和前基板20垂直的方向(z軸方向)測量的第一和第二尋址電極1011和1012的每個突出部1011a和1012a的厚度t3比每個維持電極1031的厚度t4和每個掃描電極10321和10322的厚度t5小。用這樣的方式，在維持電極1031和掃描電極10321和10322之間的維持放電不受第一和第二尋址電極1011和1012的突出部1011a和1012a的妨礙，由此提高了發(fā)光效率。
參照圖18，在一個實(shí)施例中，第一和第二尋址電極1011和1012的每個突出部1011a和1012a形成以具有大于零的突出到放電單元17內(nèi)的距離d1(d1＞0)，使得通過施加到第一和第二尋址電極1011和1012上的尋址脈沖和施加到掃描電極32的掃描脈沖可以選擇四個相鄰放電單元17的兩個。
此外，對于在第一和第二尋址電極1011和1012和掃描電極10321和10322之間的相對放電，第一和第二尋址電極1011和1012的每個突出部1011a和1012a與掃描電極10321和10322在y軸方向的距離d2在一個實(shí)施例中大于零。
各自的突出部1011a和1012a相應(yīng)地位于放電單元17的中心。因此，沿y軸方向的維持電極1031、掃描電極10321、維持電極1031，和掃描電極10322的電極設(shè)置基本按維持電極1031、第一尋址電極1011的突出部1011a、掃描電極10321、第一尋址電極的突出部1011a、維持電極1031，第二尋址電極1012的突出部1012a、掃描電極10322、第二尋址電極1012的突出部1012a和維持電極1031的順序。
具有上述配置的PDP的驅(qū)動方法如下。驅(qū)動PDP的方法包括，在尋址周期中，將掃描脈沖Vsc施加到在一側(cè)由在預(yù)定數(shù)量的放電單元17中的放電單元17共用的描電極10321；并且施加到在另一側(cè)由放電單元17共用的掃描電極10322，并且尋址施加了掃描脈沖Vsc的在兩側(cè)的放電單元17。
在尋址中，在由預(yù)定數(shù)量的放電單元17共用的維持電極1031的一側(cè)的尋址放電單元17通過將尋址脈沖施加到第一尋址電極1011來尋址，在另一側(cè)的放電單元17通過將尋址脈沖施加到第二尋址電極1012來尋址。
在上述掃描和尋址周期之前的重置中，將重置脈沖施加到兩個掃描電極10321和10322上，使得通過兩個掃描電極10321和10322與在掃描電極10321和10322的兩側(cè)設(shè)置的維持電極1031的交互作用，從而同時重置沿y軸相鄰的一組四個放電單元17。作為在重置周期施加的重置脈沖，可以使用具有公知波形的脈沖。此外，作為在維持周期施加的維持脈沖Vs，可以使用具有公知波形的脈沖。
此后，將描述第十一和第十二實(shí)施例。第十一和第十二實(shí)施例具有一些與第十實(shí)施例相似的配置。這里將省略相似部分的詳細(xì)描述，僅描述不同的部分。
圖21顯示了本發(fā)明的第十一實(shí)施例。
在第十一實(shí)施例中，第一尋址電極1111的突出部1111a和第二尋址電極1112的突出部1112a分別形成于放電單元的兩側(cè)。第一尋址電極1111的突出部1111a和第二尋址電極1112的突出部1112a沿y軸方向成對交替設(shè)置。另外，突出部1111a和1112a在x軸方向從放電單元17的不同側(cè)向各自放電單元的中心突出。
圖22顯示了本發(fā)明的第十二個實(shí)施例。這里，后基板側(cè)阻擋肋16具有與第一和第二尋址電極1011和1012平行的第一阻擋肋構(gòu)件16a，前基板側(cè)阻擋肋26具有與第一和第二尋址電極1011和1012平行的第三阻擋肋構(gòu)件26a。因此，第一放電空間18和第二放電空間28形成以具有在第一和第二尋址電極1011和1012的延伸方向(y軸方向)連續(xù)延伸的條形形狀，。
圖23是根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分分解透視圖。圖24是處于等離子體顯示面板被組裝的狀態(tài)的沿圖23的IIXIV-IIXIV線截取的部分橫截面圖。
參照圖23和24，第一尋址電極1311和第二尋址電極1312形成于后基板10的內(nèi)表面上在圖中顯示的y方向。第一尋址電極1311和第二尋址電極1312在各自放電單元17內(nèi)彼此平行設(shè)置。第一尋址電極1311和第二尋址電極1312涉及在y軸方向相鄰的一對放電單元17的尋址。因?yàn)榈谝粚ぶ冯姌O1311和第二尋址電極1312相鄰于后基板10設(shè)置，所以不降低可見光的透射。因此，在一個實(shí)施例中，第一尋址電極1311和第二尋址電極1312由具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。
第一介電層1334形成于后基板10的整個表面上，而且覆蓋第一尋址電極1311和第二尋址電極1312。顯示電極1331和1332形成于第一介電層1334上。顯示電極1331和1332形成以在與第一尋址電極1311和第二尋址電極1312的方向交叉的方向延伸。另外，顯示電極1331和1332形成以與第一尋址電極1311和第二尋址電極1312電隔離。顯示電極1331和1332包括維持電極1331和掃描電極1332，并且維持電極1331和掃描電極1332形成以在各自放電單元的兩側(cè)具有條形形狀。
在本實(shí)施例中，維持電極1331和掃描電極1332由在y軸方向相鄰的放電單元17共用，并且涉及在y軸方向相鄰的放電單元17的維持放電。
另一方面，在本實(shí)施例中，所有的電極1311、1312、1331和1332涉及產(chǎn)生于后基板上的放電。即在本實(shí)施例中，與其中尋址放電涉及的電極形成于不同基板上的常規(guī)等離子體顯示面板相比，可以減小尋址放電的路徑，使得可以減小尋址放電需要的電壓。另外，因?yàn)榭梢姽獾耐干洳皇茈姌O的妨礙，所以提高了可見光的透射。因此，放電中涉及的電極可以用具有優(yōu)越導(dǎo)電性的金屬制成。
維持電極1331和掃描電極1332在接近后基板10的區(qū)比接近前基板20的區(qū)進(jìn)一步突出到放電單元17內(nèi)。因此，在圖中顯示的y軸方向測量的每個維持電極1331和掃描電極1332的寬度在接近后基板10的區(qū)中比在接近前基板20的區(qū)中形成得大。
在圖中顯示的y軸方向測量的每個維持電極1331和掃描電極1332的寬度從接近前基板20的區(qū)向接近后基板10的區(qū)可以步進(jìn)變大。因此，維持電極1331和掃描電極1332可以具有橫截面結(jié)構(gòu)，其中每個維持電極1331和掃描電極1332的寬度從接近前基板20的區(qū)向接近后基板10的區(qū)步進(jìn)變大。
在維持電極1331和掃描電極1332之間的放電間隙在接近后基板10的區(qū)形成為短間隙G1，并且在接近前基板20(見圖24)的區(qū)形成為長間隙的G2。因此，在接近后基板10的短間隙G1中放電被點(diǎn)火，然后放電被擴(kuò)散到接近前基板20的長間隙G2中。
即，因?yàn)榉烹娫诮咏蠡?0的短間隙G1中點(diǎn)火，所以可以減小放電點(diǎn)火電壓。此外，因?yàn)橹饕烹娫诮咏盎?0的區(qū)產(chǎn)生，可以提高放電效率。另外，隨著每個電極的面積變大，在每個電極流動的電流變大。因此，在接近前基板20的區(qū)中形成的電極不涉及點(diǎn)火放電，并且由此可以通過減小在接近前基板區(qū)中的每個電極的面積來減小放電電流的量。
盡管在所示的示范性實(shí)施例中維持電極1331和掃描電極1332形成以具有三階結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不僅限于所述結(jié)構(gòu)，只要形成的電極具有兩或更多階結(jié)構(gòu)。另外，構(gòu)成維持電極1331和掃描電極1332階結(jié)構(gòu)的階數(shù)可以不同。這也落在本發(fā)明的范圍之中。
具有這些結(jié)構(gòu)的維持電極1331和掃描電極1332可以容易地通過諸如印刷等方法形成。
第二介電層1335形成以包圍維持電極1331和掃描電極1332?；氐綀D23，在本實(shí)施例中，第二介電層1335包括第一介電層部1335a和第二介電層部1335b。第一介電層部1335a形成在x軸方向，而且包圍維持電極1331和掃描電極1332。第二介電層部1335b在與第一介電層部1335a交叉的方向(y軸方向)沿每個放電單元17的邊形成。
第二介電層1335絕緣維持電極1331和掃描電極1332，并且由放電引起的壁電荷可以在第二介電層1335上被集聚。另外，第二介電層1335的第二介電層1335b用于隔離第一放電空間18為獨(dú)立的空間。
由MgOx制成的保護(hù)膜36形成于后基板10的整個表面上，而且覆蓋第一介電層1334和第二介電層1335。
在本實(shí)施例中，涉及尋址放電的電極形成于后基板10上，并且磷光層29形成于前基板20上。用這樣的方式，在實(shí)現(xiàn)紅、綠和藍(lán)顏色的放電單元中尋址放電的放電點(diǎn)火電壓相同。在現(xiàn)有技術(shù)中，磷光層形成于產(chǎn)生尋址放電的電極之間，并且紅、綠和藍(lán)顏色的磷光層的介電常數(shù)彼此不同。因此，存在根據(jù)不同顏色尋址放電的放電點(diǎn)火電壓不同的問題。但是根據(jù)本實(shí)施例的等離子體顯示面板可以避免這樣的問題。
此后，將參照圖25詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)施例的第一尋址電極1311和第二尋址電極1312。圖25是示意地顯示根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
如上所述，第一尋址電極1311和第二尋址電極1312交替地涉及在y軸方向相鄰的一對放電單元17的尋址。為此，在相鄰的一對放電單元17之一的放電單元17中，相應(yīng)于第一尋址電極1311的面積比相應(yīng)于第二尋址電極的面積小。此外，在相鄰的一對放電單元17的另一個放電單元17中，相應(yīng)于第一尋址電極1311的面積比相應(yīng)于第二尋址電極1312的面積大。涉及尋址的電極的面積越大，尋址所需的電壓越低，由此在各自的放電單元17中具有較大面積的尋址電極1311和1312涉及相應(yīng)的放電單元17的尋址。
考慮到面積的不同，第一尋址電極1311和第二尋址電極1312分別包括第一部1311a和1312a以及第二部1311b和1312b。第一部1311a和1312a相應(yīng)于在各自的放電單元中維持電極1331和掃描電極1332之間的空間，而且突出到放電單元17內(nèi)。第二部1311b和1312b是沿y軸方向連接第一部1311a和1312a的部分。
第一部1311a和1312a相對在Y軸方向相鄰的一對放電單元17中的掃描電極1332交替地且對稱地設(shè)置。在放電單元17的邊緣上的每個第一部1311a和1312a的邊緣分別以恒定的距離t8和t9基本平行于每個放電單元17的邊緣，并且第一部1311a和1312a彼此向相對方向突出。
因此，在將掃描脈沖施加到掃描電極1332時，以及在將尋址脈沖施加到第一和第二尋址電極1311和1312時，尋址了共用掃描電極1332的一對放電單元17。即，可以通過一個掃描操來尋址共用掃描電極1332的一對放電單元17，并且由此減小了尋址周期。用同樣的方式，當(dāng)將重置脈沖施加到掃描電極1332時，可以通過一個重置脈沖來重置共用掃描電極1332的一對放電單元17，并且由此減小了重置周期。
這樣，因?yàn)闇p小了重置周期和尋址周期，所以可以增加維持周期。隨著維持周期增加，可以提高灰度表現(xiàn)的能力并且提高總發(fā)光效率。
另外，通過使在第一尋址電極1311中的電流流動與在第二尋址電極1312中的電流流動方向相反，可以減小電磁干擾(EMI)。
圖26是根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
參照圖26，維持電極1431和掃描電極1432形成以在其之間具有空間且彼此面對。沿圖中的y軸方向測量的維持電極1431和掃描電極1432的寬度從接近前基板20的區(qū)向接近后基板10的區(qū)逐漸變大。
即，在本實(shí)施例中，在維持電極1431和掃描電極1432之間的放電間隙從接近后基板10的區(qū)到接近前基板20的區(qū)逐漸變大。因此，在接近后基板10的區(qū)中的短間隙中點(diǎn)火的放電容易擴(kuò)散到接近前基板的區(qū)中的長間隙中。因此，通過短放電間隙減小了放電點(diǎn)火電壓，通過長放電間隙提高了放電效率，從而保證了放電穩(wěn)定性。
第二介電層1435包括形成以包圍維持電極1431和掃描電極1432的第一介電層部1435a，和在與第一介電層部1435a交叉的方向形成的第二介電層部1435b。在該情形，在每個放電單元17內(nèi)面對第一介電層部1435a的相對表面形成以相應(yīng)于每個維持電極1431和掃描電極1432的形狀。
圖27是根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分橫截面圖。
在第十五實(shí)施例中，維持電極1331和掃描電極1332從前基板20步進(jìn)突出到放電單元17中部。形成維持電極1331和掃描電極1332的絕緣結(jié)構(gòu)的第二介電層1335。第二介電層1535包括第一介電層部1535a和第二介電層部1535b。第一介電層部1535a形成以包圍維持電極1331和掃描電極1332。第二介電層部1535b形成在與第一介電層部1535a交叉的方向。
參照圖27，在第十五實(shí)施例中，第二介電層1535的第一介電層部1535a逐漸從后基板10向前基板20突出到放電單元17內(nèi)。
圖28是根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
參照圖28，在第十六實(shí)施例中，第一和第二尋址電極1611和1612在形成第二部1611a和1612a的區(qū)，而不是形成第一部1611a和1612a的區(qū)形成得更向放電單元17的中心傾斜。采用這個結(jié)構(gòu)，可以最大化涉及在掃描電極1332和尋址電極1611和1612之間放電的區(qū)的相對面積，并且可以減小尋址放電的放電點(diǎn)火電壓。
根據(jù)本發(fā)明第十四到第十六實(shí)施例的每個等離子體顯示面板的驅(qū)動方法相似于根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動方法。因此，將基于根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動方法來描述每個第十四到第十六實(shí)施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動方法。
即，在尋址周期中，驅(qū)動PDP的方法包括將掃描脈沖施加到由相鄰放電單元17共用的掃描電極1332，并且尋址施加了掃描脈沖的放電單元17。
在尋址周期期間，通過施加到第一尋址電極1311的尋址脈沖來尋址兩個相鄰放電單元17之一，通過施加到第二尋址電極1312的尋址脈沖來尋址另一個放電單元17。
在上述掃描和尋址周期之前的重置周期期間，將一對相鄰放電單元17同時重置。將重置脈沖施加到一個掃描電極1332，使得通過掃描電極1332與設(shè)置于掃描電極1332兩側(cè)的維持電極1331的交互作用來同時重置兩個相鄰放電單元17。
作為在重置周期中施加的重置脈沖，可以使用具有公知波形的脈沖。此外，作為在維持周期施加的維持脈沖，可以使用具有公知波形的脈沖。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的一個方面，電極設(shè)置于后和前基板之間，并且在電極中，維持電極和掃描電極設(shè)置以形成相對放電結(jié)構(gòu)。另外，由相鄰放電單元共用的維持和掃描電極在與尋址電極的方向交叉方向交替設(shè)置。此外，同時尋址偶數(shù)放電單元組和奇數(shù)放電單元組，由此減小了尋址周期。此外，每個掃描電極被一對相鄰放電單元共用，偶數(shù)組和奇數(shù)組放電單元被同時重置。因此，可以減小重置周期。這樣，隨著重置周期和尋址周期減小，可以增加維持周期，由此提高了灰度表現(xiàn)的能力。
另外，根據(jù)本發(fā)明另一方面的等離子體顯示面板，在通過第二尋址電極來尋址奇數(shù)組放電單元后，可以通過第一尋址電極來尋址偶數(shù)組放電單元在這種情形，將尋址電極驅(qū)動器配置為一個，并且由此可以減小制造成本。
另外，根據(jù)本發(fā)明又一方面的等離子體顯示面板，通過在維持放電期間使用短放電間隙和長放電間隙，提高了放電效率而且減小了維持放電的放電點(diǎn)火電壓。
另外，由于掃描電極、維持電極和尋址電極形成于后基板上，可以減小尋址放電路徑，使得可以進(jìn)一步減小尋址放電的放電點(diǎn)火電壓。結(jié)果，尋址放電變得穩(wěn)定。此外，通過將電極和產(chǎn)生尋址放電的磷光層形成在不同基板上，可以使尋址放電的放電點(diǎn)火電壓相等。
雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解所教授的本發(fā)明構(gòu)思的許多變化和/或修飾將落在由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一和第二基板，以其間的預(yù)定空間相互面對，所述空間被分為多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光層；第一電極和第二電極，在所述第一基板和第二基板之間在第一方向上延伸，并且交替地位于沿與第一方向交叉的第二方向相鄰的放電單元之間；和第一尋址電極和第二尋址電極，在所述第一基板和第二基板之間沿著第二方向延伸，對應(yīng)于沿第一方向相鄰的所述放電單元的邊緣界，所述第一尋址電極和第二尋址電極在相應(yīng)的放電單元內(nèi)具有在第一方向突出的突出部。
2.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，還包括第一阻擋肋層，相鄰于所述第一基板，用于界定多個第一放電空間；和第二阻擋肋層，相鄰于所述第二基板，用于界定面對所述第一放電空間的第二放電空間，其中每個放電單元通過一對相互面對的所述第一放電空間和第二放電空間來形成。
3.根據(jù)權(quán)力要求2的等離子體顯示面板，其中每個所述第二放電空間具有比每個第一放電空間大的體積。
4.根據(jù)權(quán)力要求2的等離子體顯示面板，其中所述第一阻擋肋層具有形成于所述第二方向上的第一阻擋肋構(gòu)件和與所述第一阻擋肋構(gòu)件交叉形成的第二阻擋肋構(gòu)件，和其中所述第二阻擋肋層具有形成于所述第二方向上的第三阻擋肋構(gòu)件和與所述第三阻擋肋構(gòu)件交叉形成的第四阻擋肋構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)力要求2的等離子體顯示面板，其中所述第一電極、第二電極、第一尋址電極和第二尋址電極位于所述第一阻擋肋層和第二阻擋肋層之間。
6.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中介電層設(shè)置于所述第一尋址電極和第二尋址電極的外表面上。
7.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極和第二尋址電極在與所述第一基板垂直的方向位于相對于所述第一電極和第二電極的同一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)力要求7的等離子體顯示面板，其中沿與所述第一基板垂直的方向的距離，所述第一尋址電極比第二尋址電極更接近所述第一基板或第二基板，并且所述第二尋址電極比第一尋址電極更接近所述第一電極和第二電極。
9.根據(jù)權(quán)力要求7的等離子體顯示面板，其中介電層設(shè)置于所述第一尋址電極和第二尋址電極的外表面上，并且其中在所述第一尋址電極和第二尋址電極的突出部之間形成的介電層具有比在所述第二尋址電極和第二電極突出部之間形成的介電層厚的厚度。
10.根據(jù)權(quán)力要求9的等離子體顯示面板，其中保護(hù)膜設(shè)置于所述介電層的外表面上。
11.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極和第二尋址電極由導(dǎo)電金屬制成。
12.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述每個第一尋址電極的突出部和第二尋址電極的突出部比所述第一電極的相應(yīng)部分更接近所述第二電極的相應(yīng)部分。
13.根據(jù)權(quán)力要求12的等離子體顯示面板，其中形成于所述第一尋址電極的每個突出部的外表面上的介電層與形成于第二尋址電極的對應(yīng)的一突出部的外表面上的介電層合并到形成于所述第二電極相應(yīng)的外表面上的介電層。
14.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，所述第一尋址電極和第二尋址電極每個包括在所述放電單元內(nèi)的多個突出部。
15.根據(jù)權(quán)力要求14的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的突出部位于比所述第二尋址電極的突出部更接近于所述第一基板或者第二基板的位置，其中沿著與所述第一基板垂直方向在所述第二尋址電極和所述第一電極或所述第二電極之間測量的距離比在所述第一尋址電極的突出部和所述第一電極或所述第二電極之間測量的同一距離短，并且其中在每個所述放電單元內(nèi)部的第一尋址電極的一些突出部與在每個所述放電單元內(nèi)部的第二尋址電極的一些突出部不同。
16.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極和第二尋址電極每個在每個所述放電單元內(nèi)提供有兩個突出部。
17.根據(jù)權(quán)力要求15的等離子體顯示面板，其中第一放電單元內(nèi)的所述第一尋址電極的突出部設(shè)置相鄰于所述第一放電單元的第一電極和第二電極，其中第二放電單元內(nèi)的所述第一尋址電極的一突出部沿第二方向相鄰于所述第二放電單元的第一電極，并且其中所述第二尋址電極的一突出部設(shè)置在所述第二放電單元內(nèi)并且相鄰于所述第二放電單元的第二電極。
18.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中第三方向垂直于由第一方向和第二方向形成的平面并且其中每個所述第一電極和第二電極沿著第三方向的尺寸比沿著第二方向的尺寸長。
19.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中在垂直于所述第一方向的平面內(nèi)的第一電極的橫截面相對于所述第三方向的線對稱。
20.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中在垂直于所述第一方向的平面內(nèi)的第二電極的橫截面相對于所述第三方向的線對稱。
21.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和第二電極由導(dǎo)電金屬制成。
22.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中介電層設(shè)置于所述第一電極和第二電極的外表面上。
23.根據(jù)權(quán)力要求22的等離子體顯示面板，其中保護(hù)膜設(shè)置于所述介電層的外表面上。
24.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中所述磷光層具有形成于所述各自放電單元的第一基板側(cè)上的第一磷光層和形成于所述各自放電單元的第二基板側(cè)上的第二磷光層。
25.根據(jù)權(quán)力要求24的等離子體顯示面板，其中所述第一磷光層由反射的磷光體制成，并且所述第二磷光層由透射磷光體制成。
26.根據(jù)權(quán)力要求24的等離子體顯示面板，其中每個所述第一磷光層具有比每個所述第二磷光層厚的厚度。
27.根據(jù)權(quán)力要求1的等離子體顯示面板，其中每個所述第一電極和第二電極具有在與所述第一基板或第二基板的表面垂直的在第三方向上延伸的寬部。
28.根據(jù)權(quán)力要求27的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的突出部和第二尋址電極的突出部在各自的所述放電單元內(nèi)交替地并且從所述放電單元的相對側(cè)突出。
29.根據(jù)權(quán)力要求27的等離子體顯示面板，其中每個所述第一電極和第二電極的寬部沿第三方向的尺寸比沿所述第二方向尺寸長。
30.根據(jù)權(quán)力要求27的等離子體顯示面板，還包括第一阻擋肋層，相鄰于所述第一基板，用于界定多個放電空間；和第二阻擋肋層，相鄰于所述第二基板，用于界定面對由所述第一阻擋肋層界定的放電空間的放電空間，其中所述第一阻擋肋層具有在第二方向延伸的第一阻擋肋層構(gòu)件，并且所述第二阻擋肋層具有在第二方向延伸的第三阻擋肋層構(gòu)件。
31.一種等離子體顯示面板，包括第一和第二基板，以其間的預(yù)定的間隙相互面對，所述間隙被分為多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光層；第一電極和第二電極，在所述第一基板和第二基板之間在第一方向延伸，所述第一電極和第二電極交替地位于沿與第一方向交叉的第二方向相鄰的放電單元之間，所述第一電極和第二電極在與所述第一方向垂直的第三方向從所述第一基板向所述第二基板延伸；和第一尋址電極和第二尋址電極，在所述第一基板和第二基板之間沿著第二方向延伸，以相應(yīng)于沿第一方向相鄰的放電單元的邊緣界，其中，在沿第二方向相鄰的多個放電單元中，所述第一尋址電極具有在所述第一電極和第二電極之間在所述放電單元的邊緣界上從所述放電單元的一側(cè)突出的突出部，并且所述第二尋址電極具有設(shè)置在所述放電單元中在所述第一電極和第二電極之間從所述放電單元的相對側(cè)突出的突出部。
32.根據(jù)權(quán)力要求31的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極更接近所述第一基板，并且第二尋址電極更接近所述第二基板，所述第一電極和第二電極位于所述第一尋址電極和第二尋址電極之間。
33.根據(jù)權(quán)力要求31的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和第二電極具有寬部和窄部，每個寬部相應(yīng)于所述放電單元之一并且與所述第一基板垂直，每個窄部相應(yīng)于沿所述第一方向相鄰的兩個放電單元之間的邊緣界，所述窄部在與所述第一基板垂直的方向的尺寸比寬部的尺寸窄。
34.根據(jù)權(quán)力要求31的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的突出部和第二尋址電極的突出部在所述放電單元同一側(cè)上向它們各自放電單元的內(nèi)部突出。
35.根據(jù)權(quán)力要求31的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的突出部和第二尋址電極的突出部向在所述放電單元相對側(cè)上的各自放電單元內(nèi)突出。
36.根據(jù)權(quán)力要求31的等離子體顯示面板，還包括多個子像素，每個子像素具有多個放電單元。
37.根據(jù)權(quán)力要求36的等離子體顯示面板，其中沿第二方向相鄰的四個放電單元形成一個子像素，所述子像素具有按所述第一電極、所述第二電極的第一個、所述第一電極，所述第二電極的第二個和所述第一電極的順序的電極布置。
38.根據(jù)權(quán)力要求37的等離子體顯示面板，其中所述第二電極的第一個位于所述第一尋址電極的突出部之間并且所述第二電極的第二個位于所述第二尋址電極的突出部之間。
39.一種等離子體顯示面板，包括第一和第二基板，彼此面對；阻擋肋層，在所述第一基板和第二基板之間的空間界定多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光層；和第一電極和第二電極，在第一方向在所述第一基板和第二基板之間延伸；和第一尋址電極和第二尋址電極，形成于所述第一基板上，并且在第二方向彼此平行地延伸。
40.根據(jù)權(quán)力要求39的等離子體顯示面板，其中每個所述第一尋址電極和第二尋址電極具有在各自的放電單元中突出的第一部和連接所述第一部的第二部。
41.根據(jù)權(quán)力要求40的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部交替位于第二方向上相鄰的放電單元，并且其中所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部在各自放電單元內(nèi)從所述放電單元的相對側(cè)突出。
42.根據(jù)權(quán)力要求40的等離子體顯示面板，其中所述第一尋址電極的第一部和第二尋址電極的第一部相對于所述第一電極或第二電極對稱。
43.根據(jù)權(quán)力要求39的等離子體顯示面板，其中所述第二電極在用于尋址放電的尋址周期被順序地施加掃描脈沖，并且將所述第一電極和第二電極一起在維持周期施加維持電壓，以便進(jìn)行維持放電，其中在共用所述第二電極并且在第二方向相鄰的放電單元對之中，在放電單元中共用的第二電極一側(cè)上，每個所述第一尋址電極具有比每個所述第二尋址電極小的面積，并且其中在放電單元中的另一側(cè)，每個所述第一尋址電極具有比每個所述第二尋址電極大的面積。
44.根據(jù)權(quán)力要求39的等離子體顯示面板，其中每個所述第一尋址電極和第二尋址電極的沿所述第二方向的邊緣基本平行于每個所述放電單元的沿相同方向的邊緣。
45.根據(jù)權(quán)力要求40的等離子體顯示面板，其中每個所述第一尋址電極和第二尋址電極的沿所述第二方向的邊緣在所述第一部內(nèi)比在所述第二部內(nèi)形成得更接近每個所述放電單元的中心。
46.根據(jù)權(quán)力要求39的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和第二電極的至少之一在接近所述第一基板的區(qū)域中比接近所述第二基板的區(qū)域中進(jìn)一步延伸到每個所述放電單元內(nèi)。
47.根據(jù)權(quán)力要求46的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和第二電極的至少之一沿第二方向測量的寬度從接近所述第二基板的區(qū)向接近第一基板的區(qū)步進(jìn)增加。
48.根據(jù)權(quán)力要求46的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和第二電極的至少之一沿第二方向測量的寬度從接近所述第二基板的區(qū)向接近第一基板的區(qū)逐漸增加。
49.根據(jù)權(quán)力要求39的等離子體顯示面板，其中介電層設(shè)置于所述第一電極和第二電極的外表面，所述介電層包括第一介電層部和第二介電層部，所述第一介電層部平行于所述第一和第二電極形成而且覆蓋所述第一電極和第二電極，并且所述第二介電層部在與所述第一介電層部交叉的方向沿著所述每個放電單元的邊緣形成。
50.一種驅(qū)動等離子體顯示面板的方法，所述顯示面板具有在彼此面對的第一基板和第二基板之間在第一方向交替地排列和延伸的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極由在與第一方向交叉的第二方向相鄰的放電單元共用，所述等離子體顯示面板還具有在第二方向延伸并且在與所述第一基板或第二基板垂直的方向從彼此隔開的第一尋址電極和第二尋址電極，在尋址周期所述方法包括將掃描脈沖施加到由在第二方向彼此相鄰的第一放電單元和第二放電單元共用的所述第二電極；并且尋址施加掃描脈沖的所述第一放電單元和第二放電單元。
51.根據(jù)權(quán)力要求50的方法，其中在所述第一放電單元和第二放電單元的尋址期間，所述第一放電單元由所述第一尋址電極尋址。
52.根據(jù)權(quán)力要求50的方法，其中在所述第一放電單元和第二放電單元的尋址期間，所述第二放電單元由所述第二尋址電極尋址。
53.根據(jù)權(quán)力要求50的方法，其中在所述第一放電單元和第二放電單元的尋址期間，所述第一放電單元由所述第一尋址電極尋址并且所述第二放電單元由所述第二尋址電極尋址，通過所述第一尋址電極的尋址和通過所述第二尋址電極的尋址是同時進(jìn)行的。
54.根據(jù)權(quán)力要求53的方法，其中將尋址脈沖從第一尋址電極驅(qū)動器施加到所述第一尋址電極，并且將尋址脈沖從第二尋址電極驅(qū)動器施加到所述第二尋址電極。
55.根據(jù)權(quán)力要求54的方法，其中施加到接近所述第二電極的所述第一尋址電極或第二尋址電極的尋址脈沖值等于或小于施加到另一個上的尋址脈沖值。
56.根據(jù)權(quán)力要求55的方法，其中施加到所述第二尋址電極上的尋址脈沖值等于或小于施加到所述第一尋址電極上的尋址脈沖值。
57.根據(jù)權(quán)力要求50的方法，其中在尋址所述第一放電單元和第二放電單元時，所述第一放電單元通過所述第一尋址電極尋址并且所述第二放電單元通過所述第二尋址電極尋址，并且通過所述第一尋址電極的尋址和通過所述第二尋址電極的尋址是順序?qū)崿F(xiàn)的。
58.根據(jù)權(quán)力要求57的方法，其中在尋址所述第一放電單元和第二放電單元時，其中所述第二電極和所述尋址電極之間距離大的放電單元在其它放電單元尋址之前尋址。
59.根據(jù)權(quán)力要求57的方法，其中在尋址所述第一放電單元和第二放電單元時，其中設(shè)置第一尋址電極的所述第一放電單元先于其中設(shè)置第二尋址電極的所述第二放電單元尋址。
60.根據(jù)權(quán)力要求57的方法，其中將尋址脈沖從尋址電極驅(qū)動器施加到所述第一尋址電極，并且然后將尋址脈沖從尋址電極驅(qū)動器施加到所述第二尋址電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種適合于減小放電點(diǎn)火電壓以及重置和尋址周期因而提高發(fā)光效率的等離子體顯示面板。所述等離子體顯示面板包括第一和第二基板，以其間的預(yù)定間隙相互面對，所述間隙被分為多個放電單元，在所述放電單元中形成有磷光層；第一電極和第二電極，在所述基板之間在第一方向上交替延伸，并且在第三方向從第一基板向第二基板進(jìn)一步延伸；和尋址電極，相應(yīng)于在第一方向相鄰的放電單元的邊緣界，且在它們各自的放電單元內(nèi)具有交替突出的突出部。
文檔編號G09G3/20GK1808543SQ200610005159
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者許民, 崔榮鍍, 金在祿, 辛慧媛 申請人:三星Sdi株式會社