專(zhuān)利名稱(chēng)：熱傳導(dǎo)片、其制造方法及使用其的液晶顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱傳導(dǎo)片、熱傳導(dǎo)片的制造方法，以及使用該熱傳導(dǎo)片的液晶顯示器的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，LCD裝置(液晶顯示裝置)包括具有TFT基板(膜晶體管基板)、濾色器基板、以及注入在TFT基板和濾色器基板之間的液晶層的LCD面板。因?yàn)長(zhǎng)CD裝置本身不發(fā)光，在TFT基板的背面提供有背光單元。通過(guò)液晶透射的背光發(fā)出的光的量由液晶層的排列控制。
LCD裝置還包括柵極驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路、以及向設(shè)置在TFT基板上的柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的PCB(印刷電路板)。PCB具有定時(shí)控制器和驅(qū)動(dòng)電壓生成器。
柵極驅(qū)動(dòng)電路以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路與LCD面板電連接，具體地與形成在TFT基板上的柵極焊盤(pán)以及數(shù)據(jù)焊盤(pán)電連接。通常，將與焊盤(pán)連接的驅(qū)動(dòng)電路形成在膜上，其被稱(chēng)為T(mén)AB-IC(載帶式自動(dòng)焊接集成電路)。TAB-IC包括TCP(tape carrier package帶載封裝)、COF等，TCP中驅(qū)動(dòng)電路附著在高分子膜上，COF中驅(qū)動(dòng)電路安裝在柔性印刷電路基板上。
如果使用了TAB-IC，驅(qū)動(dòng)電路的引線(xiàn)使用ACF(anisotropic conductivefilm各向異性導(dǎo)電膜)通過(guò)焊接(bonding)與TFT基板上的焊盤(pán)電連接。
將引線(xiàn)與焊盤(pán)焊接的方法如下。首先，ACF放置在基板的焊盤(pán)上。接著，驅(qū)動(dòng)電路的引線(xiàn)對(duì)應(yīng)于TFT基板上的焊盤(pán)放置。這樣，ACF放置在焊盤(pán)和引線(xiàn)之間。然后，焊盤(pán)和引線(xiàn)被壓在一起使得ACF內(nèi)的導(dǎo)電顆?？梢噪娺B接引線(xiàn)和焊盤(pán)。在焊接工藝中，ACF通過(guò)加熱工具被加熱。當(dāng)使用加熱工具時(shí)，在加熱工具和TAB-IC之間也可使用諸如PTFE(聚四氟乙烯)片的減震片。
然而，PTFE片具有差的熱傳導(dǎo)性，在焊接工藝中需要加熱工具保持高溫。同時(shí)，由于PTFE片的差的耐用性，難以重用(reuse)PTFE片用于隨后的LCD裝置的制造。還有，PTFE片通過(guò)加熱會(huì)變皺、折疊、或者彎曲，由此導(dǎo)致焊盤(pán)和引線(xiàn)之間的不對(duì)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供具有高耐用性以及高熱傳導(dǎo)性的熱傳導(dǎo)片。
本發(fā)明的另一方面是提供用于制造具有高耐用性以及熱傳導(dǎo)性的熱傳導(dǎo)片的方法。
本發(fā)明的另一方面是提供用于制造使用具有高耐用性以及熱傳導(dǎo)性的熱傳導(dǎo)片的LCD裝置的方法。
本發(fā)明的另外方面以及/或者優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分地闡述，部分地將從描述中將變得更加明顯，或者提過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐可以了解。
本發(fā)明的前述以及/或者其他方面通過(guò)提供熱傳導(dǎo)片也能實(shí)現(xiàn)，該熱傳導(dǎo)片包括玻璃纖維以及包圍玻璃纖維涂層，該涂層包括硅、含氟聚合物樹(shù)脂、以及金屬。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該金屬包括鋁。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，涂層包括80到120份重量的含氟聚合物樹(shù)脂、80到120份重量的金屬、以及100份重量的硅。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，包括在涂層內(nèi)的顆粒在玻璃纖維內(nèi)滲透。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，玻璃纖維被來(lái)自涂層的顆粒滲透。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，玻璃纖維被包括含氟聚合物樹(shù)脂、硅、以及金屬的至少一種的顆粒滲透。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，玻璃纖維的厚度為0.05mm到0.15mm。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，熱傳導(dǎo)片的厚度為0.15mm到0.25mm。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，熱傳導(dǎo)片的抗張強(qiáng)度(tensile strength)為300kgf/cm2或更大。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，熱傳導(dǎo)片的彈性(elasticity)為10％或更小。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，熱傳導(dǎo)片的表面電阻為1010Ω/cm2或更小。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，含氟聚合物樹(shù)脂為連續(xù)相(continuous phase)。
本發(fā)明的前述以及/或者其他方面通過(guò)提供用于熱傳導(dǎo)片的制造方法也得到實(shí)現(xiàn)，該方法包括提供包括硅、含氟聚合物樹(shù)脂、以及金屬的涂覆成分；以及將涂覆成分熱壓到玻璃纖維上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，熱壓的溫度為400℃到600℃。
本發(fā)明的上述以及/或者其他方面通過(guò)提供用于制造LCD裝置的方法也得到實(shí)現(xiàn)，該方法包括提供包括玻璃纖維和涂層的熱傳導(dǎo)片，該涂層含有硅、含氟聚合物樹(shù)脂和金屬；將耦接到驅(qū)動(dòng)電路的引線(xiàn)層上的引線(xiàn)與形成在LCD面板上的焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)，導(dǎo)電膜提供在所述引線(xiàn)和所述焊盤(pán)之間；與引線(xiàn)層的與焊盤(pán)相反的一側(cè)相鄰地放置熱傳導(dǎo)片；以及使用加熱工具向熱傳導(dǎo)片施加壓力。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，該金屬包括鋁。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在所述的施加壓力的過(guò)程中加熱工具的設(shè)定溫度(set temperature)為370到390℃。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在所述的施加壓力期間熱傳導(dǎo)片的溫度為250到300℃。


通過(guò)下面參照附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)和更加容易理解，附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片的截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片的截面圖；圖3為平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD裝置的元件的布置；圖4為沿著圖3中的IV-IV截取的截面圖；圖5為沿著圖3中的V-V截取的截面圖；圖6A到6C為截面圖，描述了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD裝置的方法。
具體實(shí)施例方式
下面將參照本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出其例子，其中相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片1的截面圖。
熱傳導(dǎo)片1包括編織的玻璃纖維2以及圍繞玻璃纖維2的涂層6。涂層6包括含氟聚合物樹(shù)脂3、鋁顆粒4、以及硅5。另外，涂層6包含的顆粒滲透到玻璃纖維2內(nèi)。
玻璃纖維2為通過(guò)從熔融玻璃形成纖維而制成的礦物纖維。玻璃纖維2耐熱且不燃燒。另外，玻璃纖維2由于其化學(xué)耐用性不容易侵蝕。物理上，玻璃纖維2具有高抗張強(qiáng)度、低彈性、以及高絕緣能力。
小直徑的玻璃纖維2提供在若干特性方面的改進(jìn)性能。例如，小直徑的玻璃纖維2提供高抗張強(qiáng)度，其提供用于熱傳導(dǎo)片1的高耐用性。由于玻璃纖維2不能被火燃燒并且具有低彈性，它們能防止熱傳導(dǎo)片1在焊接工藝中變皺、折疊、彎曲等。這樣，通過(guò)在多次制造工藝中重用熱傳導(dǎo)片1，總體制造成本可減少并且替換熱傳導(dǎo)片1的時(shí)間可減少。另外，引線(xiàn)和焊盤(pán)之間的焊接可以以更高穩(wěn)定性進(jìn)行。玻璃纖維2的厚度d2例如可為大約0.05mm到0.15mm。
包含在涂層6之內(nèi)的含氟聚合物樹(shù)脂3幫助熱傳導(dǎo)片1容易地從ACF或TAB-IC分離。即，含氟聚合物樹(shù)脂3提高了熱傳導(dǎo)片1的可脫離性。另外，為提高可脫離性，含氟聚合物樹(shù)脂3優(yōu)選地位于熱傳導(dǎo)片1的外側(cè)。
含氟聚合物是包含氟原子的聚合物。示例性的含氟聚合物包括PTFE(聚四氟乙烯)、FEP(fluorinated ethylene propylene copolymer氟化乙烯丙烯共聚物)、PFA(perfluoroalkoxy全氟烷氧基)、以及ETFE(ethylene andtetrafluoroethylene copolyer乙烯和四氟乙烯共聚物)，所有這些都是以Teflon的商品名稱(chēng)制造和銷(xiāo)售的，Teflon是特拉華州威爾明頓(WilmingtonDelaware)的杜邦公司(E.I.du Pont de Nemours and Company)的商標(biāo)。
在本實(shí)施例中，含氟聚合物樹(shù)脂3形成連續(xù)基質(zhì)(matrix)，并且鋁顆粒4和硅顆粒5分布在含氟聚合物樹(shù)脂3內(nèi)。替代地，涂層6的形成可根據(jù)每種成分的含量或其它成分的添加而改變。例如，鋁可包括連續(xù)相鋁(continuousphase aluminum)而非鋁顆粒4。硅也可包括連續(xù)相硅。同樣，含氟聚合物樹(shù)脂3可以提供為顆粒。
鋁顆粒4提高了熱傳導(dǎo)片1的熱傳導(dǎo)性。如果熱傳導(dǎo)片1提供比傳統(tǒng)方法改良的熱傳導(dǎo)性，在焊接工藝中加熱工具可采用較低溫度。這樣，加熱加熱工具所需的電可減少并且熱傳導(dǎo)片1可在溫和條件下使用。
硅5提高了熱傳導(dǎo)片1的用于操作環(huán)境的形狀適應(yīng)性。當(dāng)在焊接工藝中被壓時(shí)，熱傳導(dǎo)片1的形狀受焊盤(pán)周?chē)牟黄教苟扔绊?。在這種條件下，如果熱傳導(dǎo)片1不能適應(yīng)焊盤(pán)提供的不平坦表面，ACF內(nèi)的傳導(dǎo)顆?？赡懿荒苷_地和周?chē)牧虾附?。這樣，硅5提供保形的柔性(conformal flexibility)從而允許熱傳導(dǎo)片1適應(yīng)焊盤(pán)周?chē)牟黄教苟?，使得ACF可緊密配合焊盤(pán)。
在一個(gè)實(shí)施例中，涂層6的成分包含80到120份重量的含氟聚合物樹(shù)脂3，80到120份重量的鋁顆粒4，以及100份重量的硅5。
根據(jù)ASTM D638，熱傳導(dǎo)片1的抗張強(qiáng)度優(yōu)選地為300kgf/cm2或更多，從而提供合適的耐用性。另外，根據(jù)ASTM D638，熱傳導(dǎo)片1的彈性?xún)?yōu)選地為10％或更少，從而防止焊接工藝中變形。熱傳導(dǎo)片1的表面電阻優(yōu)選地為1010Ω/cm2或更少，從而保持合適的熱傳導(dǎo)性。
熱傳導(dǎo)片1的整體厚度d1優(yōu)選地為0.15mm到0.25mm。使用小于0.15mm的厚度將導(dǎo)致薄玻璃纖維2或薄涂層6。結(jié)果，熱傳導(dǎo)片1會(huì)具有低耐用性、低可脫離性(detachability)、以及低形狀適應(yīng)性。如果厚度大于0.25mm，熱傳導(dǎo)片1會(huì)具有低熱傳導(dǎo)性。
表1示出了根據(jù)上述實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片1和傳統(tǒng)PTFE片的物理性質(zhì)。


在表1中，硬度根據(jù)ASTM D785測(cè)量?？箯垙?qiáng)度和彈性根據(jù)ASTM D638測(cè)量，這里測(cè)試機(jī)器為INSTRON公司(美國(guó))的5800系列。
如表1所示，熱傳導(dǎo)片1、熱傳導(dǎo)片2以及傳統(tǒng)的PTFE片的硬度非常接近，分別為55、55、以及56Hs(肖氏硬度)。
然而，熱傳導(dǎo)片1和2的抗張強(qiáng)度為每個(gè)都是416.2kgf/cm2，高于傳統(tǒng)PTFE片的抗張強(qiáng)度140kgf/cm2。高的抗張強(qiáng)度提供了熱傳導(dǎo)片的高耐用性。TAB-IC工藝中的上述熱傳導(dǎo)片的實(shí)際使用表明，傳統(tǒng)PTFE片只能被使用一次時(shí)，熱傳導(dǎo)片1和2能夠使用10次或更多。熱傳導(dǎo)片1和2的高抗張強(qiáng)度為圖1中的熱傳導(dǎo)片1包含的玻璃纖維2的結(jié)果。
熱傳導(dǎo)片1和2沿縱向的彈性都為5％，低于傳統(tǒng)PTFE片的400％的彈性。沿縱向的低彈性導(dǎo)致焊接工藝中的有限變形，由此減少了焊盤(pán)和引線(xiàn)之間的不對(duì)準(zhǔn)。由于在焊接工藝期間熱和壓力導(dǎo)致的變形，傳統(tǒng)PTFE片提供差的焊接質(zhì)量。然而，由于根據(jù)本實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片1和2的使用防止諸如變皺、折疊、以及彎曲的變形，焊接質(zhì)量可提高。
熱傳導(dǎo)片1和2的表面電阻為109Ω/cm2，其比傳統(tǒng)PTFE片的表面電阻1017Ω/cm2低很多。因?yàn)楸砻骐娮枧c熱傳導(dǎo)性成反比，可以理解熱傳導(dǎo)片1和2的熱傳導(dǎo)性高于PTFE片的熱傳導(dǎo)性。當(dāng)在加熱工具的恒溫下進(jìn)行TAB-IC焊接時(shí)，熱傳導(dǎo)片1或2的使用產(chǎn)生比PTFE片的使用高約10℃的ACF溫度。這樣，為產(chǎn)生相等的ACF溫度，使用熱傳導(dǎo)片1或2時(shí)加熱工具的設(shè)定溫度可相對(duì)于用于PTFE片的設(shè)定溫度低約30℃。熱傳導(dǎo)片1和2的低表面電阻通過(guò)其內(nèi)包括的鋁顆粒4提供。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的熱傳導(dǎo)片1。
與上述參照?qǐng)D1描述的熱傳導(dǎo)片1的第一實(shí)施例相比，玻璃纖維2的中心部分A內(nèi)的涂層6的密度降低。這可以通過(guò)在熱傳導(dǎo)片1的制造工藝中調(diào)節(jié)溫度和壓力實(shí)現(xiàn)。這個(gè)制造工藝將在下面描述。
熱傳導(dǎo)片1可以做各種改變。例如，鋁顆粒4可與其他金屬顆粒一起或被其替代。另外，涂層6內(nèi)的含氟聚合物樹(shù)脂3、鋁顆粒4、以及硅顆粒5的分布可根據(jù)涂層6內(nèi)的位置而改變。
制造熱傳導(dǎo)片1的方法如下。首先，提供玻璃纖維2和涂覆成分。涂覆成分包括含氟聚合物樹(shù)脂3、金屬顆粒4、以及硅5。這些涂覆成分可為粉末或膠相。
接著，玻璃纖維2和涂覆成分通過(guò)熱壓(hot-pressing)而結(jié)合。熱壓溫度優(yōu)選為400℃到600℃。熱壓期間，涂覆成分相互混合和粘結(jié)，從而形成涂層6。涂層6形成在玻璃纖維2內(nèi)以及玻璃纖維2的外部。玻璃纖維2內(nèi)提供的涂層6的量和密度可通過(guò)調(diào)節(jié)熱壓的諸如溫度、壓力、以及熱壓步驟的持續(xù)時(shí)間的條件而改變。
因?yàn)橥繉?同玻璃纖維2結(jié)合，通過(guò)上述方法形成的熱傳導(dǎo)片1具有玻璃纖維2的物理特性。另外，粘結(jié)工藝中，涂層6內(nèi)的含氟聚合物樹(shù)脂3、金屬顆粒4、以及硅5相互結(jié)合而不分離。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D3到5描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例制造的LCD裝置。
圖3為平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD裝置的元件的排列。圖4為沿著圖3中的IV-IV截取的截面圖。圖5為沿著圖3中的V-V截取的截面圖。在該實(shí)施例中，COF 40用作TAB-IC。
LCD裝置包括具有TFT基板20以及濾色器基板30的LCD面板10。COF 40連到TFT基板20的外圍，并且電路板51、53與COF 40耦接。LCD裝置還包括設(shè)置在TFT基板20和濾色器基板30之間的液晶層71。LCD裝置可還包括位于TFT基板20背部的背光單元(未示出)。
TFT基板20的基板材料23的上部分上設(shè)置有從柵極線(xiàn)延伸的柵極焊盤(pán)21以及從數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸的數(shù)據(jù)焊盤(pán)22。
下面的描述涉及驅(qū)動(dòng)連接到柵極焊盤(pán)21的柵極線(xiàn)的結(jié)構(gòu)?？梢岳斫忸?lèi)似的結(jié)構(gòu)也可用于驅(qū)動(dòng)連接到數(shù)據(jù)焊盤(pán)22的數(shù)據(jù)線(xiàn)。
多個(gè)TFT的T形成在TFT基板20上。在數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵極線(xiàn)相交的區(qū)域處設(shè)置TFT的T。圖4中所示的TFT T是使用五個(gè)掩模制造的一類(lèi)TFT。TFTT從COF 40通過(guò)設(shè)置在非顯示區(qū)域的柵極焊盤(pán)21接受驅(qū)動(dòng)信號(hào)。柵極焊盤(pán)21設(shè)置在柵極線(xiàn)的末端部分并且具有比柵極線(xiàn)的寬度更寬的寬度。如果TFTT被驅(qū)動(dòng)信號(hào)觸發(fā)，電壓施加到與TFT T耦接的像素電極24。像素電極24包括諸如ITO(氧化銦錫)以及IZO(氧化銦鋅)的透明導(dǎo)電材料。
濾色器基板30的結(jié)構(gòu)如下。黑矩陣32和濾色器層33形成在基板材料31上。通常，黑矩陣32將紅色像素、綠色像素以及藍(lán)色像素相互分隔開(kāi)并且用來(lái)攔截朝TFT T的直接照射。黑矩陣32可含有包括黑色顏料的光敏有機(jī)材料。黑色顏料可包括碳黑、氧化鈦等。
濾色器層33包括紅色過(guò)濾器、綠色過(guò)濾器以及藍(lán)色過(guò)濾器，它們以重復(fù)圖案形成，具有通過(guò)黑矩陣32設(shè)定的邊界。濾色器層33向從背光單元(未示出)發(fā)射出并且穿過(guò)液晶層71的光提供顏色。通常，濾色器層33包括光敏有機(jī)材料。
覆蓋層34形成在濾色器層33和未被濾色器層33覆蓋的黑矩陣32的上部分上。覆蓋層34保護(hù)濾色器層33并且可包括丙烯環(huán)氧樹(shù)脂(acryl epoxy)。
公共電極層35形成在覆蓋層34上。公共電極層35包括諸如ITO(氧化銦錫)以及IZO(氧化銦鋅)的透明導(dǎo)電材料。公共電極層35與TFT基板20上的像素電極層24一起施加電壓到液晶層71上。
另外，TFT基板20和濾色器基板30的每個(gè)在它們的外表面上有偏振片25和36。液晶71包含在由TFT基板20、濾色器基板30、以及密封劑81定義的區(qū)域內(nèi)，密封劑沿著基板20，30的外圍設(shè)置并且與基板20、30粘著。液晶71的排列根據(jù)COF 40的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而改變。
COF 40、LCD面板10、以及PCB 51之間的連接如下。
COF 40包括諸如輸入引線(xiàn)43和輸出引線(xiàn)44的布線(xiàn)層、驅(qū)動(dòng)電路42、以及膜41，在膜41上裝配有布線(xiàn)層和驅(qū)動(dòng)電路42。驅(qū)動(dòng)電路42與輸入引線(xiàn)43和輸出引線(xiàn)44都耦接。輸入引線(xiàn)43與電路板51的信號(hào)焊盤(pán)52耦接，輸出引線(xiàn)44與柵極焊盤(pán)21耦接。引線(xiàn)43、44的每個(gè)以及焊盤(pán)52、21的每個(gè)都通過(guò)ACF 60相互電耦接。ACF 60包括樹(shù)脂層61以及分布在樹(shù)脂層61內(nèi)的導(dǎo)電顆粒62。導(dǎo)電顆粒62提供引線(xiàn)43、44分別與焊盤(pán)52、21之間的電傳導(dǎo)性。絕緣膜26在柵極焊盤(pán)21的中心部分被去除。中心部分被ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)構(gòu)成的接觸部件27覆蓋。這樣，柵極焊盤(pán)21通過(guò)導(dǎo)電顆粒62以及接觸部件27與輸出引線(xiàn)44電耦接。
下面參照?qǐng)D6A到6C提供根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD裝置的制造方法。
首先，如圖6A所示，在柵極焊盤(pán)21的中心部分上的絕緣膜26被去除并且接觸部分27形成在中心部分上。接著，ACF 60放置在柵極焊盤(pán)21上。圖6A中能夠看出，柵極焊盤(pán)21產(chǎn)生不平坦上表面。覆蓋在絕緣膜26上的鈍化膜可還在柵極焊盤(pán)21的中心部分被去除。接觸部件27可選地可省略。
接著，如圖6B所示，COF 40和根據(jù)本發(fā)明的熱傳導(dǎo)片1被放置在ACF60上。COF 40被放置使得COF 40的輸出引線(xiàn)44對(duì)應(yīng)于柵極焊盤(pán)21。另外，在ACF 60上放置熱傳導(dǎo)片1之前輸出引線(xiàn)44以及柵極焊盤(pán)21可臨時(shí)焊接。臨時(shí)焊接可類(lèi)似于上述焊接工藝地進(jìn)行，但是在較低的溫度。對(duì)于臨時(shí)焊接，ACF 60的溫度優(yōu)選地為80℃并且額外的減震片不是必需的。
接著，如圖6C所示，加熱工具向下壓到熱傳導(dǎo)片1上使得輸出引線(xiàn)44被壓到柵極焊盤(pán)21上。壓工藝期間，加熱工具的設(shè)定溫度為370℃到390℃，這比使用傳統(tǒng)PTFE片時(shí)低。這是因?yàn)闊醾鲗?dǎo)片提供優(yōu)異的由于熱傳導(dǎo)片1內(nèi)包含的鋁顆粒4導(dǎo)致的熱傳導(dǎo)性。由于加熱工具的壓，熱傳導(dǎo)片1的溫度上升到大約250℃到300℃，并且ACF 60的溫度上升到大約190℃。作為加熱工具施加的壓力的結(jié)果，柵極焊盤(pán)21和輸出引線(xiàn)44通過(guò)導(dǎo)電顆粒62電連接，并且ACF 60的樹(shù)脂層61被硬化從而完成焊接。
由于在上述焊接工藝后熱傳導(dǎo)片1不容易變形，可得到穩(wěn)定的焊接。另外，在焊接工藝中，熱傳導(dǎo)片1通過(guò)硅5根據(jù)焊接表面的形狀柔性變形。這樣，柵極焊盤(pán)21和輸出引線(xiàn)44可緊密接觸。
由于熱傳導(dǎo)片1具有高耐用性，在焊接工藝中被使用之后其可被重新使用。
盡管示出和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，在不脫離權(quán)利要求及其等價(jià)物所定義的本發(fā)明的原則和精神的范圍的情況下，可以在這些實(shí)施例內(nèi)進(jìn)行改變。
本申請(qǐng)要求2005年1月7日于韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2005-1798的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種熱傳導(dǎo)片，包括玻璃纖維；以及涂層，其包圍所述玻璃纖維，所述涂層包括硅、含氟聚合物樹(shù)脂、以及金屬。
2.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述金屬包括鋁。
3.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述涂層包括80到120份重量的所述含氟聚合物樹(shù)脂、80到120份重量的所述金屬、以及100份重量的所述硅。
4.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述玻璃纖維被來(lái)自所述涂層的顆粒滲透。
5.如權(quán)利要求4的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述玻璃纖維內(nèi)的所述涂層顆粒的密度在所述玻璃纖維的徑向外部區(qū)域處比在所述玻璃纖維的徑向中心區(qū)域處大。
6.如權(quán)利要求4的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述玻璃纖維被包括所述含氟聚合物樹(shù)脂、所述硅、以及所述金屬的至少一種的顆粒滲透。
7.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述玻璃纖維的厚度為0.05mm到0.15mm。
8.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述熱傳導(dǎo)片的厚度為0.15mm到0.25mm。
9.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述熱傳導(dǎo)片的抗張強(qiáng)度為300kgf/cm2或更大。
10.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述熱傳導(dǎo)片的彈性為10％或更小。
11.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述熱傳導(dǎo)片的表面電阻為1010Ω/cm2或更小。
12.如權(quán)利要求1的所述熱傳導(dǎo)片，其中所述含氟聚合物樹(shù)脂為連續(xù)相。
13.一種用于制造熱傳導(dǎo)片的方法，包括提供包括硅、含氟聚合物樹(shù)脂、以及金屬的涂覆成分；以及將所述涂覆成分熱壓到玻璃纖維上。
14.如權(quán)利要求13所述的用于制造所述熱傳導(dǎo)片的方法，其中所述熱壓溫度為400℃到600℃。
15.一種用于制造液晶顯示(LCD)裝置的方法，包括提供包括玻璃纖維、涂層的熱傳導(dǎo)片，所述涂層包括硅、含氟聚合物、以及金屬；將耦接到驅(qū)動(dòng)電路的引線(xiàn)層上的引線(xiàn)與形成在LCD面板上的焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)，導(dǎo)電膜提供在所述引線(xiàn)和所述焊盤(pán)之間；與所述引線(xiàn)層的與所述焊盤(pán)相反的一側(cè)相鄰地放置所述熱傳導(dǎo)片；以及使用加熱工具向所述熱傳導(dǎo)片施加壓力。
16.如權(quán)利要求15所述的用于制造所述LCD裝置的方法，其中所述金屬包括鋁。
17.如權(quán)利要求15所述的用于制造所述LCD裝置的方法，其中在所述施加所述壓力期間所述加熱工具的設(shè)定溫度為370℃至390℃。
18.如權(quán)利要求15所述的用于制造所述LCD裝置的方法，其中在所述施加所述壓力期間所述熱傳導(dǎo)片的溫度為250至300℃。
全文摘要
本發(fā)明涉及熱傳導(dǎo)片，其包括玻璃纖維以及包圍玻璃纖維的涂層。涂層包括硅、含氟聚合物樹(shù)脂、以及金屬。這樣，提供了具有高耐用性以及高熱傳導(dǎo)性的熱傳導(dǎo)片。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1800921SQ2005101362
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2005年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月7日
發(fā)明者金東垣 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社