專利名稱：等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)的驅(qū)動(dòng)方法，更具體地講，涉及一種可提高放電效率和亮度并防止熒光粉劣化的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
日本專利公開第1999-120924號公開了一種傳統(tǒng)等離子體顯示面板(PDP)，其中，在PDP的前基板和后基板之間提供了尋址電極行、下介電層、上介電層、掃描電極行、維持電極行、熒光粉層、障肋以及MgO保護(hù)層。
尋址電極行以預(yù)定的圖案形成在后玻璃基板上，下介電層覆蓋尋址電極行。障肋形成在下介電層上并且平行于尋址電極行。障肋分隔顯示室的放電區(qū)域，從而防止顯示室之間的光干擾。熒光粉層形成在下介電層上的障肋之間，以使紅光發(fā)射熒光粉層、綠光發(fā)射熒光粉層以及藍(lán)光發(fā)射熒光粉層順序地沿每個(gè)尋址電極行排列。
維持電極行和掃描電極行以預(yù)定的圖案形成在前基板的后表面上，并且維持電極行和掃描電極行與尋址電極行垂直交叉地排列。尋址電極行和掃描、維持電極對的每個(gè)交叉區(qū)對應(yīng)于一個(gè)顯示室。每個(gè)維持和尋址電極行可包括可由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)制成的透明電極行和用于提高導(dǎo)電率的金屬電極(匯流電極)。上介電層覆蓋維持電極行和掃描電極行。保護(hù)層例如MgO層可覆蓋上介電層形成以保護(hù)PDP免受強(qiáng)電場影響。每個(gè)放電空間填充有形成等離子體的氣體。
圖1是示出用于驅(qū)動(dòng)傳統(tǒng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。參照圖1，子場SF可包括重置周期PR、尋址周期PA以及維持放電周期PS?？蓪ぶ冯姌O行A1，A2，...Am、維持電極行X1，X2，...Xn以及掃描電極行Y1，Y2，...YN分別施加驅(qū)動(dòng)信號。
在重置周期PR中，對所有的掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加重置脈沖以執(zhí)行重置放電，從而初始化所有放電室中的壁電荷狀態(tài)。
在尋址周期PA之前對所有的放電室執(zhí)行重置周期PR以對所有的放電室提供基本上均勻的壁電荷。如圖1所示，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn順序地施加地電壓Vg、維持放電電壓Vs以及從維持放電電壓Vs向最大電壓Vset+Vs上升的上升斜坡信號。隨后，最大電壓Vset+Vs下降到維持放電電壓Vs，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加從維持放電電壓Vs向最小電壓Vnf下降的下降斜坡信號。在重置周期PR期間，對尋址電極行A1，A2，...Am施加地電壓Vg，在下降斜坡信號期間，對維持電極行X1，X2，...Xn施加偏置電壓Vb。
在隨后的尋址周期PA，為了選擇要導(dǎo)通的放電室，當(dāng)對維持電極行X1，X2，...Xn施加偏置電壓Vb并對未選擇的掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加高掃描電壓Vsch時(shí)，可順序地施加低掃描電壓Vscl的掃描脈沖，以選擇各自的掃描電極行Y1，Y2，...Yn。對尋址電極行A1，A2，...Am施加尋址電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號，從而選擇通過執(zhí)行尋址放電來對其施加掃描脈沖和顯示數(shù)據(jù)信號的放電室。
隨后，在維持放電周期PS中，對維持電極行X1，X2，...Xn和掃描電極行Y1，Y2，...Yn交替地施加維持脈沖以在選擇的放電室上執(zhí)行維持放電。維持脈沖上升到維持放電電壓Vs并下降到地電壓Vg。參照圖2，施加到掃描電極Y的維持脈沖在時(shí)間ta和時(shí)間tb之間上升到維持放電電壓Vs。在時(shí)間tb和時(shí)間tc之間保持維持放電電壓Vs，隨后在時(shí)間tc和時(shí)間td之間維持脈沖下降到地電壓Vg。隨后，在時(shí)間td和時(shí)間tg之間保持地電壓Vg。施加到維持電極X的維持脈沖在時(shí)間ta和時(shí)間td之間為地電壓，隨后在時(shí)間td和時(shí)間te之間上升到維持放電電壓Vs。在時(shí)間te和時(shí)間tf之間保持維持放電電壓Vs，隨后在時(shí)間tf和時(shí)間tg之間維持脈沖下降到地電壓Vg。如圖2所示，以這樣的方式，對掃描電極Y和維持電極X可交替地施加維持放電電壓Vs的維持脈沖，使得不同時(shí)對掃描電極Y和維持電極X施加維持放電脈沖。
積聚在選擇的放電室中的壁電荷和施加的維持放電電壓Vs產(chǎn)生維持放電。在執(zhí)行維持放電的放電室中形成等離子體的氣體產(chǎn)生等離子體，從而產(chǎn)生紫外線，所述紫外線激發(fā)放電室的熒光粉，因而發(fā)光。
在如上所述的傳統(tǒng)的三電極表面放電型PDP中，掃描電極Y和維持電極X平行地排列在前基板的后表面上。由于這種排列，當(dāng)施加圖1和圖2中所示的驅(qū)動(dòng)信號來驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)，在維持放電期間，雖然荷電粒子在由施加到掃描電極Y和維持電極X的電壓產(chǎn)生的電場的作用下加速，并且與放電氣體碰撞而產(chǎn)生放電，但是因?yàn)楹呻娏Ｗ拥穆窂奖幌拗疲粤Ｗ涌删哂邢拗菩缘倪\(yùn)動(dòng)。因此，荷電粒子與放電氣體碰撞的幾率可能會低，并且放電可集中在每個(gè)放電室的小部分內(nèi)，這樣降低了PDP的放電效率和亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可提高放電效率和亮度并且防止熒光粉劣化的PDP的驅(qū)動(dòng)方法，在維持放電周期期間，通過對維持電極和尋址電極施加維持脈沖并暫時(shí)地重疊該維持脈沖和對尋址電極施加脈沖，提高放電效率和亮度并且防止熒光粉劣化。
本發(fā)明的附加特點(diǎn)將在隨后的描述中提出，一部分將通過描述而清楚，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐得知。
本發(fā)明公開了一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法，包括在維持放電周期中，對第一電極和第二電極分別交替地施加第一維持脈沖和第二維持脈沖，對第三電極施加脈沖。第一維持脈沖和第二維持脈沖上升到第一電壓并下降到第十電壓，第一維持脈沖的電壓變化的周期暫時(shí)與第二維持脈沖的電壓變化的周期重疊。對第三電極施加的脈沖在重疊周期期間施加。
應(yīng)該理解，前面的概況描述和下面的具體描述都是示例性的和解釋性的并且希望提供如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步地解釋。


附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與說明部分一起用來解釋本發(fā)明的原理，其中，所包括的附圖被用來對本發(fā)明提供進(jìn)一步理解，并且合并組成本說明說中的一部分。
圖1是示出用于驅(qū)動(dòng)傳統(tǒng)PDP的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
圖2是示出圖1的維持放電周期的詳細(xì)時(shí)序圖。
圖3是示出作為可使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的PDP的例子的PDP的部分分解透視圖。
圖4是沿圖3的線II-II的剖視圖。
圖5示意性地示出了圖3的PDP的電極排列。
圖6是示出用于執(zhí)行驅(qū)動(dòng)圖3的PDP的方法的驅(qū)動(dòng)裝置的框圖。
圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于Y電極行的尋址顯示分離驅(qū)動(dòng)方法的視圖，該驅(qū)動(dòng)方法為驅(qū)動(dòng)圖3的PDP的方法。
圖8是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
圖9是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖8的維持放電周期期間施加的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
圖10A和圖10B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中的電勢分布。
圖11A和圖11B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中的電子密度。
圖12A和圖12B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中147nm紫外線的分布。
圖13A和圖13B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中173nm紫外線的分布。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3是示出作為可使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的等離子體顯示面板(PDP)的例子的PDP的部分分解透視圖。
圖4是沿圖3的線II-II的剖視圖。
參照圖3和圖4，PDP 1包括前面板110和后面板120。前面板110包括前基板111，后面板120包括后基板121。PDP1包括障肋124，該障肋設(shè)置在前基板111和后基板121之間并分隔放電室Ce。在每個(gè)放電室Ce中發(fā)生放電以發(fā)光而形成圖像。
前介電層115覆蓋如下所述的掃描電極行112和維持電極行113。每個(gè)掃描電極行112包括匯流電極112a和透明電極112b，匯流電極可由金屬材料制成，以便提高導(dǎo)電率，透明電極可由透明導(dǎo)電材料如ITO制成。同樣，每個(gè)維持電極行113包括匯流電極113a和透明電極113b。掃描電極行112和維持電極行113在放電室Ce排列的方向上延伸。
可形成前保護(hù)膜116以覆蓋并保護(hù)前介電層115。
尋址電極行122形成在后基板121上，并且它們與掃描電極行112和維持電極行113垂直交叉地排列。后介電層123覆蓋尋址電極行122。
障肋124形成在后介電層123上以分隔放電室Ce，熒光粉層125形成在被障肋124分隔的空間中。后保護(hù)層128可覆蓋熒光粉層125形成，后保護(hù)層保護(hù)熒光粉層125。
前面板110和后面板120可通過結(jié)合材料如玻璃料(未示出)封接在一起。如果在放電室Ce中形成真空，前面板110和后面板120可通過由真空產(chǎn)生的壓力而結(jié)合在一起。由包含10％Xe氣的Ne、He以及Ar中的一種或多種組成的混合氣體填充在放電室Ce中。
前基板111和后基板121通常由玻璃制成。前基板111由具有高透光率的材料制成，然而后基板121可由不具有高透光率的各種材料制成。例如，后基板121可由高反射材料或能夠降低無功功率的材料制成。
為了提高PDP的亮度，反射層(未示出)可形成在后基板121的上表面上或后介電層123的上表面上，或者后介電層123可包含光反射材料，使得從熒光粉層125發(fā)出的可見光可反射向前基板111。
掃描電極行112的透明電極112b和維持電極行113的透明電極113b透射從熒光粉層125發(fā)出的可見光，該透明電極112b和113b設(shè)置在前基板111的后表面上。因此，透明電極112b和113b由具有高透光率的材料如ITO、SnO2或ZnO制成。尋址電極行122可由各種導(dǎo)電材料如Ag、Cu或Cr制成，不管材料的透光率。覆蓋前介電層115的前保護(hù)膜116保護(hù)前介電層115并發(fā)射參與放電的二次電子。
障肋124與前基板111和后基板121一起分隔放電室Ce，該障肋設(shè)置在前基板111和后基板121之間。在圖3中，障肋124以矩陣形狀分隔放電室Ce。然而，障肋124可具有各種形狀，如蜂窩狀和三角狀。參照圖4，每個(gè)放電室Ce的橫截面是矩形，然而，放電室Ce的橫截面可為多邊行，如三角形、五邊形、圓形、橢圓形等。
障肋124形成在后介電層123的上表面上，并且障肋可由材料例如含如Pb、B、Si、Al和O元素的玻璃制成。必要的話，障肋124還可包含填充物，如ZrO2、TiO2及Al2O3和顏料如Cr、Cu、Co、Fe以及TiO2。障肋124形成熒光粉層125將形成于其中的空間，當(dāng)填充在前面板110和后面板120之間的放電氣體具有低壓例如，壓力低于0.5atm時(shí)，即當(dāng)前面板110和后面板120之間的空間幾乎真空時(shí)，障肋支撐前面板110和后面板120。障肋124形成放電室Ce的放電空間并且防止放電室Ce之間的串?dāng)_。紅光發(fā)射熒光粉層、綠光發(fā)射熒光粉層或藍(lán)光發(fā)射熒光粉層形成在由障肋124分隔的每個(gè)空間中。即，熒光粉層125由障肋124分隔。
通過將熒光粉漿涂敷在暴露的后介電層123的上表面上和障肋124的側(cè)部，并干燥和加熱熒光粉漿，來形成熒光粉層125。在熒光粉漿中，紅光發(fā)射熒光粉、綠光發(fā)射熒光粉或藍(lán)光發(fā)射熒光粉與溶劑和粘合劑混合。紅光發(fā)射熒光粉可由Y(V，P)O4:Eu等制成，綠光發(fā)射熒光粉可由ZnSiO4:Mn、YBO3:Tb等制成，藍(lán)光發(fā)射熒光粉可由BAM:Eu等制成。
后保護(hù)膜128可由材料如MgO制成，并且后保護(hù)層可覆蓋熒光粉層125。當(dāng)在放電室Ce中發(fā)生放電時(shí)，后保護(hù)膜128保護(hù)熒光粉免受由于與帶電粒子碰撞而導(dǎo)致的損害，后保護(hù)膜發(fā)射參與放電的二次電子。
圖5示意性地示出了圖3的PDP1的電極排列。
參照圖3、圖4和圖5，掃描電極行Y1，Y2，...Yn和維持電極行X1，X2，...Xn平行排列，并且它們被前介電層115覆蓋。尋址電極行A1，A2，...Am與掃描電極行Y1，Y2，...Yn和維持電極行X1，X2，...Xn垂直交叉地設(shè)置。放電室Ce形成在尋址電極和掃描、維持電極對的交叉處。
圖6是示出執(zhí)行驅(qū)動(dòng)圖3的PDP1的方法的示例性驅(qū)動(dòng)裝置的框圖。
參照圖5和圖6，PDP驅(qū)動(dòng)裝置可包括圖像處理器400、邏輯控制器402、Y驅(qū)動(dòng)器404、尋址驅(qū)動(dòng)器406以及X驅(qū)動(dòng)器408。
圖像處理器400接收圖像信號，例如PC信號、DVD信號、視頻信號或TV信號，并且必要時(shí)將該圖像信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，圖像處理該數(shù)字信號，隨后將圖像處理的信號作為內(nèi)部圖像信號輸出。內(nèi)部圖像信號可包括紅色(R)、綠色(G)以及藍(lán)色(B)圖像數(shù)據(jù)、時(shí)鐘信號、水平和垂直同步信號，每個(gè)信號具有8個(gè)比特。
邏輯控制器402接收來自圖像處理器400的內(nèi)部圖像信號，在內(nèi)部圖像信號上執(zhí)行伽碼糾正、自動(dòng)功率控制(APC)等，隨后輸出尋址驅(qū)動(dòng)控制信號SA、Y驅(qū)動(dòng)控制信號SY以及X驅(qū)動(dòng)控制信號SX。
Y驅(qū)動(dòng)器404接收來自邏輯控制器402的Y驅(qū)動(dòng)控制信號SY并對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加驅(qū)動(dòng)信號。例如，在重置周期(圖8的PR)期間，Y驅(qū)動(dòng)器404施加具有擦除電壓的擦除脈沖以執(zhí)行初始化放電。在尋址周期(圖8的PA)期間，Y驅(qū)動(dòng)器404施加在正極性的高掃描電壓(圖8的Vsch)和負(fù)極性的低掃描電壓(圖8的Vscl)之間變化的掃描信號，該掃描信號沿著PDP1的垂直方向順序地施加。在維持放電周期(圖8的PS)期間，Y驅(qū)動(dòng)器404施加在正極性的維持放電電壓(圖8的Vs)和地電壓(圖8的Vg)之間變化的維持脈沖。
尋址驅(qū)動(dòng)器406接收來自邏輯控制器402的尋址驅(qū)動(dòng)控制信號SA，并將尋址電壓(圖8的Va)的顯示數(shù)據(jù)信號輸出到與尋址周期(圖8的PA)期間導(dǎo)通的放電室相應(yīng)的尋址電極行。在維持放電周期(圖8的PS)期間，尋址驅(qū)動(dòng)器406對尋址電極行施加脈沖(圖8的Vsl)。脈沖的電壓Vsl可低于或等于尋址電壓(圖8的Va)。
X驅(qū)動(dòng)器408接收來自邏輯控制器402的X驅(qū)動(dòng)控制信號SX，在重置周期(圖8的PR)和尋址周期(圖8的PA)期間對維持電極行X1，X2，...Xn施加偏置電壓(圖8的Vb)的脈沖，在維持放電周期(圖9的PS)期間對維持電極行X1，X2，...Xn施加在正極性的維持放電電壓(圖8的Vs)和地電壓(圖8的Vg)之間變化的維持脈沖。
圖7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于Y電極行的尋址顯示分離驅(qū)動(dòng)方法的視圖，該驅(qū)動(dòng)方法為驅(qū)動(dòng)圖3的PDP的方法。
參照圖5和圖7，單位幀可分為預(yù)定數(shù)目的子場，例如，八個(gè)子場SF1到SF8，以實(shí)現(xiàn)時(shí)分灰度顯示。子場SF1到SF8可分別分為重置周期(未示出)、尋址周期A1到A8以及維持放電周期S1到S8。
在尋址周期A1到A8期間，對各個(gè)尋址電極行A1，A2，...Am順序地施加顯示數(shù)據(jù)信號并且對各個(gè)掃描電極行Y1，Y2，...Yn順序地施加相應(yīng)的掃描脈沖。
在維持放電周期S1到S8期間，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn和維持電極行X1，X2，...Xn交替地施加維持脈沖，從而在尋址周期A1到A8期間其中形成壁電荷的放電室(即，選擇的放電室)中發(fā)生維持放電。
PDP的亮度與在維持放電周期期間在單位幀中施加的維持放電脈沖的數(shù)目是成比例的。如果形成一個(gè)圖像的幀通過8個(gè)子場按256個(gè)灰度級顯示，不同的數(shù)目(例如，1、2、4、8、16、32、64及128)的維持脈沖可按順序分配給各個(gè)子場。在這種情況下，為了得到133個(gè)灰度級的亮度，在第一子場SF1、第三子場SF3及第八子場SF8的周期期間，放電室可被尋址和維持放電。
分配給每個(gè)子場的維持放電(維持放電脈沖)的數(shù)目依賴于基于APC的子場的權(quán)重。作為選擇，分配給每個(gè)子場的維持放電的數(shù)目可鑒于伽碼特性或面板特性來設(shè)置。例如，可將分配給第四子場SF4的灰度級從8降低到6并且將分配給第六子場SF6的灰度級從32增加到34。此外，形成一個(gè)幀的子場的數(shù)目可根據(jù)指定的規(guī)則變化。
圖8是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
圖9是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖8的維持放電周期期間施加的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖。
參照圖8和圖9，子場SF可包括重置周期PR、尋址周期PA以及維持放電周期PS。
在重置周期PR期間，首先對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加地電壓Vg。接著，施加作為第一電壓的維持放電電壓Vs，隨后，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加上升斜坡信號，所述上升斜坡信號從第一電壓Vs增加第二電壓Vset而上升到作為第三電壓的最大上升電壓Vset+Vs。由于施加了逐漸傾斜的上升斜坡信號，產(chǎn)生弱放電，從而在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近積聚負(fù)電荷。
隨后，第三電壓Vs+Vset急劇地下降到第一電壓Vs并且對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加作為第四電壓的跌到最小下降電壓Vnf的下降斜坡信號。由于下降斜坡信號具有逐漸的傾斜，由于下降斜坡信號的施加產(chǎn)生了弱放電，由于弱放電導(dǎo)致積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近的負(fù)電荷的一部分放電。結(jié)果，允許尋址放電的足夠數(shù)量的負(fù)電荷可保持在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近。當(dāng)對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加下降斜坡信號時(shí)，對維持電極行X1，X2，...Xn施加作為第五電壓的偏置電壓Vb。在重置周期PR期間對尋址電極行A1，A2，...Am施加地電壓Vg。
接下來，尋址周期PA期間，為選擇將被導(dǎo)通的放電室，對所有的掃描電極行Y1，Y2，...Yn首先施加作為第六電壓的高掃描電壓Vsch，并且隨后對各個(gè)掃描電極行Y1，Y2，...Yn可順序地施加作為第七電壓的低掃描電壓Vset的掃描脈沖。此時(shí)，對尋址電極行A1，A2，...Am與掃描脈沖同步地施加具有作為第八電壓的尋址電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號。對維持電極行X1，X2，...Xn連續(xù)地施加第五電壓Vb。通過第八電壓Va、第七電壓Vset、由積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近的負(fù)電荷產(chǎn)生的壁電壓以及由積聚在尋址電極行A1，A2，...Am附近的正電荷產(chǎn)生的壁電壓產(chǎn)生尋址放電。尋址放電在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近積聚正電荷和在維持電極行X1，X2，...Xn附近積聚負(fù)電荷。
在維持放電周期PS期間，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn和維持電極行X1，X2，...Xn分別交替地施加第一和第二維持脈沖，每個(gè)第一和第二維持脈沖上升到第一電壓Vs并下降到地電壓Vg。第一維持脈沖與第二維持脈沖在第一和第二維持脈沖變化的周期期間重疊。在第一和第二維持脈沖變化的周期期間，對尋址電極行A1，A2，...Am施加脈沖。
在維持放電期間對尋址電極行施加脈沖以提高放電效率。可在第一或第二維持脈沖的電壓變化的周期的至少一部分期間施加該脈沖。具體地講，當(dāng)?shù)谝换虻诙S持脈沖從地電壓Vg上升到第一電壓Vs時(shí)可施加對尋址電極行施加的脈沖。此外，當(dāng)?shù)谝换虻诙S持脈沖開始上升時(shí)，可施加該脈沖。該脈沖的脈沖寬度可小于第一或第二維持脈沖的脈沖寬度的一半。而且該脈沖具有第九電壓Vs1。為了減小從電源(未示出)需要輸出的電源電壓電平的數(shù)目，第九電壓Vs1可小于第八電壓Va，或者第九電壓Vs1可等于第八電壓Va。
如圖8所示，當(dāng)?shù)谝缓偷诙S持脈沖的電壓變化時(shí)，第一維持脈沖暫時(shí)地與第二維持脈沖重疊。
參照圖9，在周期PS期間，在時(shí)間t1和時(shí)間t2之間，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加上升到第一電壓Vs的第一維持脈沖。此時(shí)，對維持電極行X1，X2，...Xn施加地電壓Vg的第二維持脈沖。在時(shí)間t2和時(shí)間t3的周期期間，第一維持脈沖保持在第一電壓Vs，第二維持脈沖保持在地電壓Vg。在時(shí)間t3和時(shí)間t4之間的周期期間，第一維持脈沖下降到地電壓Vg，第二維持脈沖上升到第一電壓Vs。隨后，在時(shí)間t4和時(shí)間t5之間的周期期間，第一維持脈沖保持在地電壓Vg，第二維持脈沖保持在第一電壓Vs。隨后，在時(shí)間t5和時(shí)間t6之間的周期期間，第一維持脈沖上升到第一電壓Vs，第二維持脈沖下降到地電壓Vg。在時(shí)間t6和時(shí)間t7之間的周期期間，第一維持脈沖保持在第一電壓Vs，第二維持脈沖保持在地電壓Vg。在時(shí)間t7和時(shí)間t8之間的周期期間，第一維持脈沖下降到地電壓Vg，第二維持脈沖上升到第一電壓Vs。如上所述，對掃描電極行Y1，Y2，...Yn和維持電極行X1，X2，...Xn分別施加第一和第二維持脈沖。第一和第二維持脈沖的上升和下降斜坡通常用來充電和聚集能量。在維持放電周期PS期間，第一維持脈沖上升或下降的周期暫時(shí)與第二維持脈沖上升或下降的周期重疊。參照圖9，在t3和t4之間、t5到t6以及t7到t8的周期期間第一維持脈沖暫時(shí)地與第二維持脈沖重疊。然而，本發(fā)明不限于此。因?yàn)檠娱L了重疊時(shí)間，能夠減少通過第一維持脈沖和第二維持脈沖的維持放電周期。換句話說，當(dāng)放電頻率增加時(shí)，在執(zhí)行維持放電時(shí)可有效地利用空間電荷，這樣提高了發(fā)光效率和亮度。
考慮到在每個(gè)放電室中的電荷，如果第一維持脈沖具有正的第一電壓Vs，則維持放電通過對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加的正的第一電壓Vs、對維持電極行X1，X2，...Xn施加的地電壓Vg、以及通過積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近的正電荷產(chǎn)生的壁電壓和通過積聚在維持電極行X1，X2，...Xn附近的負(fù)電壓產(chǎn)生的壁電壓來執(zhí)行。結(jié)果，負(fù)電荷積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近，正電荷積聚在維持電極行X1，X2，...Xn附近。接下來，如果第二維持脈沖具有正的第一電壓Vs，則維持放電通過對維持電極行X1，X2，...Xn施加的第一電壓Vs、對掃描電極行Y1，Y2，...Yn施加的地電壓Vg、以及通過積聚在維持電極行X1，X2，...Xn附近的正電荷產(chǎn)生的正的壁電壓和通過積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近的負(fù)電荷產(chǎn)生的壁電壓來執(zhí)行。結(jié)果，正電荷積聚在掃描電極行Y1，Y2，...Yn附近，負(fù)電荷積聚在維持電極行X1，X2，...Xn附近。
通過暫時(shí)地重疊第一維持脈沖和第二維持脈沖，增加了放電頻率，這可導(dǎo)致形成在尋址電極上的熒光粉層的更頻繁的離子濺射，從而導(dǎo)致熒光粉層的劣化。
通過改進(jìn)放電體積來解決這個(gè)問題并提高亮度，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝缓偷诙S持脈沖重疊時(shí)，對尋址電極A施加脈沖。
在第一或第二維持脈沖上升或下降周期的至少一部分期間可對尋址電極A施加該脈沖。更優(yōu)選地，在第一或第二維持脈沖上升到第一電壓Vs的周期期間施加該脈沖。最優(yōu)選地，當(dāng)?shù)谝换虻诙S持脈沖開始上升時(shí)施加該脈沖。
在圖9中，在第一維持脈沖上升的周期(t1和t2之間以及t5和t6之間)期間和第二維持脈沖上升的周期(t3和t4之間以及t7和t8之間)期間對尋址電極A施加該脈沖。然而，本發(fā)明不限于此。例如，可僅在第一維持脈沖上升的周期期間或僅在第二維持脈沖上升的周期期間施加該脈沖。
另外，在圖9中，當(dāng)?shù)谝换虻诙S持脈沖開始上升時(shí)，對尋址電極A施加該脈沖。然而，該脈沖可在第一或第二維持脈沖的電壓變化的任何時(shí)間施加。
對尋址電極A施加的脈沖具有正電壓Vs1。當(dāng)?shù)谝痪S持脈沖上升時(shí)，向掃描電極Y運(yùn)動(dòng)的放電室中的負(fù)電荷的一部分向?qū)ぶ冯姌OA運(yùn)動(dòng)。當(dāng)?shù)诙S持脈沖上升時(shí)，向維持電極X運(yùn)動(dòng)的放電室中的負(fù)電荷的一部分向?qū)ぶ冯姌OA運(yùn)動(dòng)。因?yàn)槊}沖Vs1具有正極性，所以在放電室中的正電荷可能不會在尋址電極A附近運(yùn)動(dòng)。因此，可防止由于離子濺射而導(dǎo)致的熒光粉劣化并增加PDP的壽命。防止熒光粉劣化并提高壽命的能力在重疊具有高放電頻率的波形時(shí)更加顯著。由于在放電室中的負(fù)電荷(電子)向?qū)ぶ冯姌OA運(yùn)動(dòng)，所以放電體積向?qū)ぶ冯姌OA擴(kuò)展，而且在掃描電極Y和維持電極X之間擴(kuò)展，結(jié)果提高了亮度。
為了防止從掃描電極Y注入大量的負(fù)電荷，對尋址電極A施加的脈沖的脈沖寬度可為第一或第二維持脈沖的脈沖寬度的一半或更小。第九電壓Vs1可小于第八電壓Va。然而，考慮到制造成本的增加與從電源輸出的電源電壓電平的數(shù)目的增加相關(guān)，第九電壓Vs1可等于第八電壓Va。
圖10A和圖10B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中的電勢分布。
圖10A示出了使用圖1的傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)信號的情況。在這種情況下，當(dāng)執(zhí)行維持放電時(shí)，電勢基本上靠近維持電極X分布。圖10B示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法對掃描電極Y和維持電極X施加在預(yù)定的周期暫時(shí)重疊的維持脈沖并且對尋址電極A施加脈沖的情況。在這種情況下，電勢基本上均勻地分布在掃描電極Y附近以及維持電極X附近。
圖11A和圖11B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中的電子密度。
對比圖11A和圖11B，在圖11B中示出的放電室中的具有高電子密度的區(qū)域?qū)捰谠趫D11A中示出的放電室中的具有高電子密度的區(qū)域。因此，通過對尋址電極A施加脈沖，激發(fā)電子運(yùn)動(dòng)并更頻繁地發(fā)生引火粒子的碰撞，從而提高放電效率。
圖12A和圖12B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中147nm紫外線輻射分布。
對比圖12A和圖12B，147nm紫外線輻射分布到在圖12B中所示的放電室中的覆蓋后基板的障肋以及前基板的附近。
圖13A和圖13B分別示出了當(dāng)對放電室施加圖1和圖8的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)放電室中173nm紫外線輻射分布。
對比圖13A和13B，173nm紫外線分布到在圖13B中所示的放電室中的后基板上的障肋和前基板附近。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可得到下面的效果。
第一，通過分別地對掃描電極和維持電極暫時(shí)地重疊和施加第一和第二脈沖并且對尋址電極施加脈沖，在每個(gè)放電室中的電勢分布可變得更均勻，在每個(gè)放電室中的具有高電子密度的區(qū)域可變寬，并且每個(gè)放電室中173nm紫外線輻射的分布區(qū)域也可變寬。
第二，通過增加放電體積，可提高放電效率和亮度。
第三，通過對尋址電極施加正的脈沖電壓，可減小由放電氣體的帶電粒子引起的熒光粉的離子濺射、防止熒光粉劣化以及增加PDP的壽命。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明作各種修改和變形。因此，只要本發(fā)明的修改和變形落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明覆蓋這些修改和變形，本申請要求2004年9月24日提交的韓國專利申請第10-2004-0077179號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益。該申請通過各種目的的引用已被包含于此，就像被完整地在此提出一樣。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，所述等離子體顯示面板包括第一電極和第二電極，基本上彼此平行排列；第三電極，基本上垂直于所述第一電極和所述第二電極排列，所述等離子體顯示面板在重置周期、尋址周期以及維持放電周期中被驅(qū)動(dòng)，所述方法包括在所述維持放電周期中，對所述第一電極和所述第二電極分別交替地施加第一維持脈沖和第二維持脈沖；對所述第三電極施加脈沖，其中，所述第一維持脈沖和所述第二維持脈沖上升到第一電壓并下降到第十電壓，所述第一維持脈沖的電壓變化的周期暫時(shí)與所述第二維持脈沖的電壓變化的周期重疊，其中，對所述第三電極施加的所述脈沖在所述暫時(shí)重疊的周期期間施加。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，對所述第三電極施加的所述脈沖在所述第一維持脈沖的電壓變化的周期的一部分和所述第二維持脈沖的電壓變化的周期的一部分兩者中的至少一個(gè)中施加。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，對所述第三電極施加的所述脈沖在所述第一維持脈沖或所述第二維持脈沖從所述第十電壓上升到所述第一電壓的周期期間施加。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)所述第一維持脈沖或所述第二維持脈沖開始上升時(shí)施加對所述第三電極施加的脈沖。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，對所述第三電極施加的脈沖的脈沖寬度不大于所述第一維持脈沖或所述第二維持脈沖的脈沖寬度的一半。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括在所述重置周期中，對所述第一電極施加從所述第一電壓到第三電壓上升的上升斜坡信號并且隨后施加從所述第一電壓下降到第四電壓的下降斜坡信號，所述第三電壓是通過從所述第一電壓增加第二電壓而得到的；當(dāng)對所述第一電極施加所述下降斜坡信號時(shí)對所述第二電極施加第五電壓；對所述第三電極施加所述第十電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述的尋址周期中，當(dāng)對第一電極施加第六電壓時(shí)，對所述第一電極依次地施加具有第七電壓的掃描脈沖，響應(yīng)所述掃描脈沖對第三電極施加具有第八電壓的顯示數(shù)據(jù)信號，對第二電極連續(xù)地施加所述第五電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述維持放電周期對所述第三電極施加的所述脈沖具有第九電壓，并且所述第九電壓的大小小于所述第八電壓的大小。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述維持放電周期中對所述第三電極施加的所述脈沖具有第九電壓，并且所述第九電壓的大小等于所述第八電壓的大小。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第十電壓為地電壓。
11.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，該等離子體顯示面板包括第一電極和第二電極，基本上彼此平行排列；第三電極，基本上垂直于所述第一電極和所述第二電極排列，所述等離子體顯示面板在重置周期、尋址周期以及維持放電周期中被驅(qū)動(dòng)，所述方法包括在所述維持放電周期中，交替地對所述第一電極施加第一維持脈沖和對所述第二電極施加第二維持脈沖；對所述第三電極施加脈沖，其中，所述第一維持脈沖和所述第二維持脈沖上升到第一電壓并下降到第二電壓，所述第一維持脈沖的電壓變化的周期暫時(shí)與所述第二維持脈沖的電壓變化的周期重疊。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，對所述第三電極施加的所述脈沖在所述暫時(shí)重疊的周期期間施加。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一維持脈沖在第一斜坡上升到所述第一電壓并且在第二斜坡下降到所述第二電壓，所述第二維持脈沖在第三斜坡上升到所述第一電壓并且在第四斜坡下降到所述第二電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一斜坡、所述第二斜坡、所述第三斜坡以及所述第四斜坡彼此都相等。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述暫時(shí)重疊周期期間，對所述第一電極施加的所述電壓和對所述第二電極施加的所述電壓的和基本上保持等于所述第一電壓。
16.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，該等離子體顯示面板包括第一電極和第二電極，基本上彼此平行排列；第三電極，基本上垂直于所述第一電極和所述第二電極排列，所述等離子體顯示面板在重置周期、尋址周期以及維持放電周期中被驅(qū)動(dòng)，所述方法包括在所述維持放電周期中，交替地對所述第一電極施加第一維持脈沖和對所述第二電極施加第二維持脈沖；對所述第三電極施加脈沖，其中，所述第一維持脈沖上升到第一電壓并且下降到第二電壓，所述第二維持脈沖上升到第三電壓并下降到第四電壓，所述第一維持脈沖的電壓變化的周期暫時(shí)與所述第二維持脈沖的電壓變化的周期重疊。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，對所述第三電極施加的所述脈沖在所述暫時(shí)重疊周期期間施加。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一電壓和所述第三電壓彼此相等，所述第二電壓和所述第四電壓彼此相等。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第二電壓為地電壓。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一電壓和所述第四電壓之間的電勢差在所述尋址周期期間被尋址的放電室中產(chǎn)生維持放電。
全文摘要
一種驅(qū)動(dòng)PDP的方法，包括在維持放電周期中，對第一電極和第二電極分別交替地施加第一維持脈沖和第二維持脈沖，對第三電極施加脈沖。第一維持脈沖和第二維持脈沖上升到第一電壓并下降到第十電壓，并且第一維持脈沖的電壓變化的周期暫時(shí)與第二維持脈沖的電壓變化的周期重疊。對第三電極施加的脈沖在重疊周期施加。
文檔編號G09G3/291GK1753063SQ2005100906
公開日2006年3月29日 申請日期2005年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月24日
發(fā)明者安正哲, 鄭銀瑩 申請人:三星Sdi株式會社