專(zhuān)利名稱(chēng)：Lcos顯示芯片的測(cè)試電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大規(guī)模集成電路上的反射液晶投影技術(shù))領(lǐng)域，尤其涉及一種LCOS中顯示芯片的測(cè)試電路。
背景技術(shù)：
LCOS數(shù)字電視專(zhuān)用芯片是目前國(guó)際上最新的大屏幕高清晰度數(shù)字顯示技術(shù)—LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大規(guī)模集成電路上的反射液晶投影技術(shù))的核心技術(shù)。
LCOS是國(guó)際上一致看好的，最有可能以其高質(zhì)量的技術(shù)指標(biāo)和低價(jià)位的制造成本能進(jìn)入普通百姓家庭的HDTV的產(chǎn)品技術(shù)，具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。LCOS數(shù)字電視專(zhuān)用芯片采用國(guó)際先進(jìn)的0.35μm和0.25μm的CMOS工藝技術(shù)，是一個(gè)高性能，低價(jià)位的芯片組，芯片組用于三色光學(xué)驅(qū)動(dòng)引擎，可產(chǎn)生XGA到UXGA/HDTV解像度的高對(duì)比，高亮度，24位彩色影像。該項(xiàng)目達(dá)到世界同類(lèi)產(chǎn)品的最新技術(shù)水平。
LCOS技術(shù)采用大規(guī)模集成電路芯片上制造SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)陣列，并將液晶盒封裝在大規(guī)模集成電路芯片上組成反射式液晶光閥。在顯示芯片上還集成了產(chǎn)生液晶背電壓及象素電壓的模擬電壓產(chǎn)生電路。是由超大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器，邏輯電路，模擬電路組成的復(fù)雜系統(tǒng)。
LCOS顯示芯片生產(chǎn)后在晶園階段必須對(duì)芯片電路功能，性能及存儲(chǔ)器進(jìn)行全面測(cè)試。
目前，常規(guī)的測(cè)試方法采用通用集成電路測(cè)試儀器進(jìn)行，但測(cè)試設(shè)備昂貴，且測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，測(cè)試成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，旨在解決上述的缺陷；為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明包括被測(cè)LCOS顯示芯片；所述的被測(cè)LCOS顯示芯片包括控制電路，SRAM陣列，象素電極，模擬開(kāi)關(guān)，模擬電路；還包括EEPROM程序存儲(chǔ)器，微處理器CPU，測(cè)試接口電路，PC機(jī)，RS232串行接口，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器；所述的PC機(jī)通過(guò)RS232串行接口輸出測(cè)試命令給微處理器CPU，微處理器CPU控制EEPROM程序存儲(chǔ)器的測(cè)試程序和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的測(cè)試數(shù)據(jù)以及所需要測(cè)試的時(shí)鐘信號(hào)CLK，經(jīng)測(cè)試接口電路送到被測(cè)LCOS顯示芯片，先將被測(cè)LCOS顯示芯片復(fù)位、SRAM陣列及內(nèi)部存儲(chǔ)器清零，然后LCOS顯示芯片執(zhí)行測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；測(cè)試結(jié)果通過(guò)測(cè)試接口電路反饋到微處理器CPU并與EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的預(yù)期測(cè)試結(jié)果加以比較經(jīng)RS232串行接口顯示在PC機(jī)上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是測(cè)試設(shè)備價(jià)格低，測(cè)試速度快，降低了測(cè)試成本。


圖1是本發(fā)明的模塊方框圖；圖2是本發(fā)明的測(cè)試方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式

對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述由圖1可見(jiàn)本發(fā)明的測(cè)試電路包括被測(cè)LCOS顯示芯片4；所述的被測(cè)LCOS顯示芯片4包括控制電路41，SRAM陣列42，象素電極43，模擬開(kāi)關(guān)44，模擬電路45；還包括EEPROM程序存儲(chǔ)器1，微處理器CPU2，測(cè)試接口電路3，PC機(jī)5，RS232串行接口6，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器7；所述的PC機(jī)5通過(guò)RS232串行接口6輸出測(cè)試命令給微處理器CPU2，微處理器CPU2控制EEPROM程序存儲(chǔ)器1的測(cè)試程序和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器7的測(cè)試數(shù)據(jù)以及所需要測(cè)試的時(shí)鐘信號(hào)CLK，經(jīng)測(cè)試接口電路(3)送到被測(cè)LCOS顯示芯片4，先將被測(cè)LCOS顯示芯片4復(fù)位、SRAM陣列42及內(nèi)部存儲(chǔ)器清零，然后LCOS顯示芯片4執(zhí)行測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；測(cè)試結(jié)果通過(guò)測(cè)試接口電路3反饋到微處理器CPU2并與EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器7中保存的相應(yīng)的預(yù)期測(cè)試結(jié)果加以比較經(jīng)RS232串行接口6顯示在PC機(jī)5上；所述的測(cè)試數(shù)據(jù)包括寫(xiě)SRAM陣列指令，讀SRAM陣列指令，寫(xiě)象素指令，讀象素指令，邏輯測(cè)試指令；當(dāng)指令是寫(xiě)SRAM陣列指令或者是寫(xiě)象素指令時(shí)，從測(cè)試接口電路3向LCOS顯示芯片控制電路41送出相應(yīng)要寫(xiě)的地址和數(shù)據(jù)，寫(xiě)入SRAM陣列42或象素電極43；當(dāng)指令是讀SRAM陣列指令或者讀象素指令或者是邏輯測(cè)試指令時(shí)，從測(cè)試接口電路3將要讀的地址送到控制電路41，從相應(yīng)地址讀出SRAM的數(shù)據(jù)或象素電極的數(shù)據(jù)或執(zhí)行相應(yīng)測(cè)試程序；再經(jīng)測(cè)試接口電路3讀到微處理器CPU2，并和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器7中保存的相應(yīng)的預(yù)期測(cè)試結(jié)果相比較，經(jīng)RS232串行接口6顯示在PC機(jī)5上；本發(fā)明還可以包括一個(gè)與微處理器CPU2相連接的D/A轉(zhuǎn)換器9和A/D轉(zhuǎn)換器10；當(dāng)指令是模擬量測(cè)試指令時(shí)，從測(cè)試接口電路3向LCOS顯示芯片控制電路41送出模擬電路測(cè)試指令并打開(kāi)模擬開(kāi)關(guān)44，同時(shí)EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器7中相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)輸入D/A轉(zhuǎn)換器9經(jīng)模擬開(kāi)關(guān)44送到模擬電路45；模擬電路45再經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換器10輸入微處理器CPU2與EEPROM存儲(chǔ)器7中存儲(chǔ)的預(yù)期結(jié)果相比較，經(jīng)RS232串行接口6顯示在PC機(jī)5上；本發(fā)明還可以包括一個(gè)與與微處理器CPU2相連接的顯示及輸出電路8，用于顯示或輸出；所述的微處理器CPU2采用8位微處理器。
所述的PC機(jī)5中測(cè)試命令還可以編程到EEPROM程序存儲(chǔ)器1中。
LCOS顯示芯片可以接受的指令除正常運(yùn)行指令外還包括專(zhuān)用測(cè)試指令。測(cè)試指令包括寫(xiě)SRAM陣列指令，讀SRAM陣列指令，寫(xiě)象素指令，讀象素指令，邏輯測(cè)試指令，模擬量測(cè)試指令。
微處理器CPU采用8位微處理器。EEPROM程序存儲(chǔ)器用來(lái)存儲(chǔ)測(cè)試程序，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器用于存測(cè)試時(shí)所需要的數(shù)據(jù)和測(cè)試后的預(yù)期測(cè)試結(jié)果。
測(cè)試開(kāi)始時(shí)由PC機(jī)通過(guò)RS232串行口向CPU發(fā)出開(kāi)始測(cè)試命令，CPU通過(guò)測(cè)試接口電路向LCOS顯示芯片發(fā)出復(fù)位信號(hào)RST，使顯示芯片復(fù)位，并使SRAM陣列及內(nèi)部存儲(chǔ)器清零，并向LCOS顯示芯片發(fā)出測(cè)試時(shí)所需要的時(shí)鐘信號(hào)CLK。
對(duì)于寫(xiě)SRAM陣列或?qū)懴笏仉姌O測(cè)試指令，PC機(jī)通過(guò)微處理器CPU及測(cè)試接口電路向LCOS顯示芯片發(fā)出相應(yīng)測(cè)試指令，并從數(shù)據(jù)口向LCOS顯示芯片控制電路送出相應(yīng)要寫(xiě)的地址和數(shù)據(jù)。寫(xiě)入SRAM陣列或象素電極。對(duì)于讀SRAM陣列或讀象素電極測(cè)試指令，PC機(jī)通過(guò)微處理器CPU，測(cè)試接口電路將相應(yīng)測(cè)試指令送到LCOS顯示芯片控制電路。從數(shù)據(jù)口將要讀的地址通過(guò)數(shù)據(jù)口送到控制電路，從相應(yīng)地址讀出SRAM的數(shù)據(jù)或象素電極的數(shù)據(jù)。經(jīng)數(shù)據(jù)口，測(cè)試接口電路讀到CPU，并和EEPROM中保存的相應(yīng)結(jié)果數(shù)據(jù)相比較，得出測(cè)試是否正確的結(jié)論由顯示輸出電路顯示或輸出，或由PC機(jī)顯示測(cè)試結(jié)果。
對(duì)于邏輯電路測(cè)試由PC機(jī)經(jīng)RS232串行口控制微處理器CPU發(fā)出邏輯電路測(cè)試指令送到LCOS顯示芯片控制電路，LCOS顯示芯片執(zhí)行相應(yīng)測(cè)試程序并將測(cè)試結(jié)果經(jīng)數(shù)據(jù)口返回微處理器CPU。CPU將測(cè)試結(jié)果和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中相應(yīng)預(yù)計(jì)測(cè)試結(jié)果相比較得出測(cè)試是否正確的結(jié)果由PC機(jī)或顯示輸出電路顯示。
對(duì)于模擬電路測(cè)試由PC機(jī)經(jīng)RS232串行接口向微處理器CPU發(fā)出相應(yīng)指令。CPU經(jīng)測(cè)試接口電路向LCOS顯示芯片控制電路發(fā)出模擬電路測(cè)試指令，控制電路執(zhí)行相應(yīng)指令，打開(kāi)相應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)。同時(shí)CPU將EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)輸入D/A轉(zhuǎn)換器，將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的模擬量電壓輸出LCOS顯示芯片的模擬開(kāi)關(guān)送到模擬電路，模擬電路輸出送到A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為相應(yīng)數(shù)字量在CPU控制下和EEPROM存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的預(yù)期結(jié)果相比較，得出測(cè)試是否正確的結(jié)果送PC機(jī)或顯示輸出電路顯示。一個(gè)芯片測(cè)試完成后在PC機(jī)控制下進(jìn)入下一個(gè)芯片測(cè)試。
在測(cè)試程序進(jìn)行調(diào)試時(shí)采用PC機(jī)，批量測(cè)試時(shí)可以將PC機(jī)中測(cè)試命令編程到EEPROM程序存儲(chǔ)器用，則可以脫離PC機(jī)進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)一步提高測(cè)試速度。測(cè)試程序框圖見(jiàn)圖2。
權(quán)利要求
1.一種LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，被測(cè)LCOS顯示芯片(4)；所述的被測(cè)LCOS顯示芯片(4)包括控制電路(41)，SRAM陣列(42)，象素電極(43)，模擬開(kāi)關(guān)(44)，模擬電路(45)；其特征在于還包括EEPROM程序存儲(chǔ)器(1)，微處理器CPU(2)，測(cè)試接口電路(3)，PC機(jī)(5)，RS232串行接口(6)，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)；所述的PC機(jī)(5)通過(guò)RS232串行接口(6)輸出測(cè)試命令給微處理器CPU(2)，微處理器CPU(2)控制EEPROM程序存儲(chǔ)器(1)的測(cè)試程序和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)的測(cè)試數(shù)據(jù)以及所需要測(cè)試的時(shí)鐘信號(hào)CLK，經(jīng)測(cè)試接口電路(3)送到被測(cè)LCOS顯示芯片(4)，先將被測(cè)LCOS顯示芯片(4)復(fù)位、SRAM陣列(42)及內(nèi)部存儲(chǔ)器清零，然后LCOS顯示芯片(4)執(zhí)行測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；測(cè)試結(jié)果通過(guò)測(cè)試接口電路(3)反饋到微處理器CPU(2)并與EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)中保存的相應(yīng)的預(yù)期測(cè)試結(jié)果加以比較經(jīng)RS232串行接口(6)顯示在PC機(jī)(5)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的測(cè)試數(shù)據(jù)包括寫(xiě)SRAM陣列指令，讀SRAM陣列指令，寫(xiě)象素指令，讀象素指令，邏輯測(cè)試指令；當(dāng)指令是寫(xiě)SRAM陣列指令或者是寫(xiě)象素指令時(shí)，從測(cè)試接口電路(3)向LCOS顯示芯片控制電路(41)送出相應(yīng)要寫(xiě)的地址和數(shù)據(jù)，寫(xiě)入SRAM陣列(42)或象素電極(43)；當(dāng)指令是讀SRAM陣列指令或者讀象素指令或者是邏輯測(cè)試指令時(shí)，從測(cè)試接口電路(3)將要讀的地址送到控制電路(41)，從相應(yīng)地址讀出SRAM的數(shù)據(jù)或象素電極的數(shù)據(jù)或執(zhí)行相應(yīng)測(cè)試程序；再經(jīng)測(cè)試接口電路(3)讀到微處理器CPU(2)，并和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)中保存的相應(yīng)的預(yù)期測(cè)試結(jié)果相比較，經(jīng)RS232串行接口(6)顯示在PC機(jī)(5)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于一個(gè)與微處理器CPU(2)相連接的D/A轉(zhuǎn)換器(9)和A/D轉(zhuǎn)換器(10)；當(dāng)指令是模擬量測(cè)試指令時(shí)，從測(cè)試接口電路(3)向LCOS顯示芯片控制電路(41)送出模擬電路測(cè)試指令并打開(kāi)模擬開(kāi)關(guān)(44)，同時(shí)EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)中相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)輸入D/A轉(zhuǎn)換器(9)經(jīng)模擬開(kāi)關(guān)(44)送到模擬電路(45)；模擬電路(45)再經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換器(10)輸入微處理器CPU(2)與EEPROM存儲(chǔ)器(7)中存儲(chǔ)的預(yù)期結(jié)果相比較，經(jīng)RS232串行接口(6)顯示在PC機(jī)(5)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于還可以包括一個(gè)與與微處理器CPU(2)相連接的顯示及輸出電路(8)，用于顯示或輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于還可以包括一個(gè)與與微處理器CPU(2)相連接的顯示及輸出電路(8)，用于顯示或輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的微處理器CPU(2)采用8位微處理器。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的微處理器CPU(2)采用8位微處理器。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的微處理器CPU(2)采用8位微處理器。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的微處理器CPU(2)采用8位微處理器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，其特征在于所述的PC機(jī)(5)中測(cè)試命令還可以編程到EEPROM程序存儲(chǔ)器(1)中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種LCOS顯示芯片的測(cè)試電路，被測(cè)LCOS顯示芯片(4)；還包括PC機(jī)(5)通過(guò)RS232串行接口(6)輸出測(cè)試命令給微處理器CPU(2)，微處理器CPU(2)控制EEPROM程序存儲(chǔ)器(1)的測(cè)試程序和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)的測(cè)試數(shù)據(jù)以及所需要測(cè)試的時(shí)鐘信號(hào)CLK，經(jīng)測(cè)試接口電路(3)送到被測(cè)LCOS顯示芯片(4)，先將被測(cè)LCOS顯示芯片(4)復(fù)位、SRAM陣列(42)及內(nèi)部存儲(chǔ)器清零，然后LCOS顯示芯片(4)執(zhí)行測(cè)試程序進(jìn)行測(cè)試；測(cè)試結(jié)果通過(guò)測(cè)試接口電路(3)反饋到微處理器CPU(2)并與EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(7)中保存的相應(yīng)的預(yù)期測(cè)試結(jié)果加以比較經(jīng)RS232串行接口(6)顯示在PC機(jī)(5)上；有益效果是測(cè)試設(shè)備價(jià)格低，測(cè)試速度快，降低了測(cè)試成本。
文檔編號(hào)G09G3/00GK1862322SQ200510025739
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2005年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者印義言, 張敏, 印義中 申請(qǐng)人:上海華園微電子技術(shù)有限公司