專利名稱：薄膜晶體管顯示板及包含該顯示板的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管顯示板及包含該顯示板的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)通常是在共同電極與濾色器所形成的上部基板和薄膜晶體管及像素電極所形成的下部基板之間注入液晶材料，并向像素電極和共同電極施加不同電位電壓形成電場，以改變液晶分子的排列，從而調(diào)整光透射比，并顯示圖像的裝置。
但液晶顯示器具有視角小的缺點，為了克服這種缺點開發(fā)了多種方案來擴大其視角，其中最具說服力的是將液晶分子對上下基板垂直排列，再對像素電極和與其對應(yīng)電極的共同電極上形成折疊圖案或形成突起的方法。
然而，形成折疊圖案和突起的方法因突起和折疊圖案部分降低了縱橫比，為了彌補這一點，開發(fā)了盡量使像素電極形成寬的超高縱橫比結(jié)構(gòu)，但這種超高縱橫比結(jié)構(gòu)因鄰近的像素電極間距太小，因此像素電極間形成很強的側(cè)向電場。因此，像素電極邊緣部的液晶分子受該側(cè)向電場的影響其排向被打亂，由此造成條紋或光泄漏，特別是數(shù)據(jù)線和共同電極間的偶合環(huán)驅(qū)動兩者間的液晶分子并引發(fā)數(shù)據(jù)線附近的光泄漏，導致畫質(zhì)下降。為了遮擋這種光泄漏要形成寬的黑陣，其又成為縱橫比下降的原因。
另外，隨著液晶顯示器的大型化，像素的大小也隨之變大，但像素大小如果不超過100μm時，即使像素的結(jié)構(gòu)包含斜線，圖像啟動時不會看到像素的形態(tài)。但像素的大小超過100μm時，因布線變長，可以看出由布線限定的像素的形態(tài)，降低了顯示特性。另外，像素為斜線形態(tài)時，傳送到特定區(qū)域的驅(qū)動電壓會變?nèi)酰档土艘壕У膽?yīng)答速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供形成穩(wěn)定的多個區(qū)域的薄膜晶體管顯示板。
本發(fā)明的另一目的是提供大型化又能保證其畫質(zhì)的薄膜晶體管顯示板。
為了解決上述問題，在本發(fā)明中限定像素的數(shù)據(jù)線包含彎曲的部分，形成存儲電容的漏極或存儲電極和分割排列液晶分子的像素分割件隨著像素的彎曲形態(tài)形成。這時彎曲部分最少為兩個，且像素分割件、漏極或存儲電極也隨著像素的形態(tài)至少有彎曲兩次。
更具體地說，根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管顯示板，在絕緣基板上形成第一信號線，還形成具有與第一信號線絕緣交叉的部分和兩個以上彎曲部分的第二信號線。第一信號線和第二信號線限定的像素上各自形成像素電極，各像素上形成與第一信號線、第二信號線及像素電極連接的薄膜晶體管。這時，第二信號線的彎曲部分和直線部分以像素長度為單位反復(fù)出現(xiàn)。
優(yōu)選地，第二信號線彎曲部分與第一信號線實際形成45度或-45度。還包括與第一信號線并排的第三信號線。優(yōu)選地，與像素電極連接的導電體或薄膜晶體管端子與第三信號線相疊形成存儲電容。
優(yōu)選地，在薄膜晶體管上與第二信號線連接的端子與第二信號線延伸部分連接，像素電極可由通過折疊部以數(shù)據(jù)線為中心分開的副像素電極組成。
本發(fā)明的其它實施例中薄膜晶體管顯示板的絕緣基板上形成具有柵極的柵極線，在柵極線上形成的柵極絕緣層上部形成半導電體層。在柵極絕緣層上分別形成具有兩個以上彎曲部分和與上述柵極線交叉部分還有與半導電體層相接源極的數(shù)據(jù)線及以柵極為中心與源極相對并與半導電體層相接的漏極，還形成覆蓋半導電體層的鈍化層。還有，絕緣基板上形成連接漏極，與數(shù)據(jù)線鄰接的邊隨著數(shù)據(jù)線彎曲的像素電極。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線彎曲部分包含與柵極線成45度的第一部分和與柵極線成-45度的第二部分。薄膜晶體管顯示板還可以包括包含與柵極線并行的存儲電極線及與存儲電極連接并與漏極或像素電極連接的導電體重疊且比存儲電極線更寬存儲電極的存儲電極布線。
優(yōu)選地，像素電極在鈍化層上形成，鈍化層可以由無機或有機絕緣體構(gòu)成，還包括形成在鈍化層下部的濾色器。濾色器隨著數(shù)據(jù)線區(qū)分的像素列，紅色、綠色及藍色濾色器分別形成，且反復(fù)出現(xiàn)紅色、綠色及藍色。
優(yōu)選地，半導電體層包括形成在數(shù)據(jù)線下部且與數(shù)據(jù)線具有同一平面圖案的數(shù)據(jù)線部和形成在源極及漏極下部及其周圍的通道部。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器包括第一絕緣基板；形成在第一絕緣基板上的第一信號線；形成在第一絕緣基板上且與第一絕緣基板絕緣交叉的具有兩個以上彎曲部的第二信號線；第一信號線與第二信號線限定的各像素上形成的像素電極；與第一信號線、第二信號線及像素電極連接的薄膜晶體管；與第一絕緣基板面對的第二絕緣基板；形成在第二絕緣基板上的共同電極；在第一絕緣基板和第二絕緣基板中至少在一側(cè)形成的區(qū)域分割件；在第一絕緣基板與第二絕緣基板之間介入的液晶。這時，像素由分割區(qū)域件分割成多個區(qū)域。區(qū)域的兩個長邊基本上與鄰接的第二信號線彎曲部并行。
包含在液晶層中的液晶具有負介電各向異性。優(yōu)選地，液晶長軸對第一及第二基板垂直取向，且區(qū)域分割件可以是像素電極或共同電極的所具有的折疊部。


本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點將通過參考附圖詳細地描述其優(yōu)選實施例，從而變得更加明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板布局圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器共同電極顯示板布局圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器布局圖；
圖4是沿著圖3的線IV-IV′的截面圖；圖5是沿著圖3的線V-V′及線V′-V″的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板布局圖；圖7是圖6所示的沿著圖6的線VII-VII′的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板結(jié)構(gòu)布局圖；以及圖9是圖8的薄膜晶體管顯示板隨著線IX-IX′的截面圖。
具體實施例方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實施例。
在附圖中，為了清楚起見夸大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說明書中對相同元件附上相同的符號，應(yīng)當理解的是當提到層、區(qū)域、基片、和面板等元件在別的部分“之上”時，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當某個元件被提到“直接”位于別的部分之上時，指并無別的元件介于其間。
那么，參照圖說明根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管顯示板及包含該顯示板的液晶顯示器。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板的布局圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器共同電極顯示板的布局圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器的布局圖，圖4是沿著圖3的線IV-IV′截面圖，而圖5是沿著圖3的線V-V′及線V′-V″截面圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的液晶顯示器，如圖4所示，由薄膜晶體管顯示板100和與它面對的共同電極顯示板200及兩個顯示板100、200之間形成、其中的液晶分子310的長軸對顯示板100、200幾乎垂直排列的液晶層300組成。兩個顯示板100、200面對的面上分別形成使液晶分子垂直排列到顯示板100、200上的取向?qū)?1、21。這時，優(yōu)選地，取向?qū)?1、21可以具有使液晶分子垂直排向的性質(zhì)，但也可不具有該性質(zhì)。
首先，參照圖1、圖4、及圖5進一步詳細說明薄膜晶體管顯示板。
絕緣基板110上縱向形成柵極121，柵極線121包含突起狀態(tài)的柵極123。柵極線121的一末端125為連接外部電路其寬度變寬。
還有，絕緣基板110上形成存儲電極線131和存儲電極133。存儲電極線131穿過像素中心橫向延伸，與存儲電極線131連接的存儲電極133具有隨著彎曲像素形態(tài)形成的邊界線，并為充分確保存儲電容比存儲電極線131寬度要寬，且對存儲電極線131彎曲成45度及-45度的分支形態(tài)。
柵極線121、123、125及存儲電極布線131、133由物理化學性質(zhì)優(yōu)越的Cr或Mo或用其合金組成的第一導電層201、電阻率較小的Al或Ag或用其合金組成的第二導電層202的雙重層形成。這些柵極線121、123、125及存儲電極布線131、133可以根據(jù)需要形成單層或三重層。
柵極線121、123、125及存儲電極布線131、133上形成由氧化硅或氮化硅等材料組成的柵極絕緣層140。
柵極絕緣層140上形成非晶硅等半導電體組成的線性半導電體151。線形半導電體層151中一部分是形成薄膜晶體管通道的通道部154。
線形半導電體層151、154上形成重摻雜硅化物或n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅等材料形成的線形歐姆接觸部件161及島狀歐姆接觸部件163。線形歐姆接觸部件161位于柵極線的下部，并包含源極173下部的源極接觸部件163，島狀歐姆接觸部件165位于漏極175下部。
歐姆接觸部件161、163、165及柵極絕緣層140上形成數(shù)據(jù)線171及漏極175。數(shù)據(jù)線171延伸較長并與柵極線121交叉限定像素。數(shù)據(jù)線171為分支形態(tài)并具有延伸到歐姆接觸部件163上部的源極173。漏極175與源極173分離且對于柵極123位于源極173對面的歐姆接觸部件165的上部。數(shù)據(jù)線171的一末端為了與外部電路連接寬度變寬。與數(shù)據(jù)線171同層上形成與存儲電極133重疊形成存儲電容的存儲電容器導電體177。
在這里，數(shù)據(jù)線171以像素長度為周期反復(fù)出現(xiàn)彎曲部分和縱向延伸部分。這時，數(shù)據(jù)線171的彎曲兩次的彎曲部分形成四個直線部分，這四個直線部分中有兩個與柵極線121形成45度，另兩個與柵極線121形成-45度，數(shù)據(jù)線171縱向延伸部分與源極173連接，這部分與柵極線121交叉。
本發(fā)明的其它實施例中存儲電極線131布置在柵極線121的鄰接處，可以與柵極線121一起縱向延伸的部分交叉。
這時，數(shù)據(jù)線171彎曲部分與縱向延伸部分長度比是1∶1至9∶1(即，數(shù)據(jù)線171中彎曲部分所占的比例為50％至90％)。
因此，柵極線121與數(shù)據(jù)線171交叉形成的像素呈兩次折斷帶狀。
這時，不單獨設(shè)置存儲電容器導電體177，在漏極175下部只隔著柵極絕緣層140設(shè)置存儲電極133，使其重疊，從而形成具有存儲電容的存儲電容器。
在數(shù)據(jù)線171及漏極175上形成有機絕緣層形成的鈍化層180。在這里，鈍化層180對感光性材料曝光及顯像形成。根據(jù)所需鈍化層180可以涂布無感光性的有機材料后用光學蝕刻工序形成，但比起用感光性有機材料形成鈍化層工序相比，其形成工序較復(fù)雜。另外，鈍化層180覆蓋露出的半導電體層154，還可包含氮化硅等無機絕緣材料形成的絕緣層。
鈍化層180上形成露出漏極的接觸孔181和露出擴張數(shù)據(jù)線寬度的末端179的接觸孔183。并且露出擴張柵極線寬度的末端179的接觸孔182，與鈍化層180共同貫通柵極絕緣層140而形成。
這時，這些接觸孔181、182、183側(cè)壁對于基板面具有30度至85度之間的緩慢傾斜或階梯形剖面。
并且，這些接觸孔181、182、183可形成為角形或圓形的各種形態(tài)。面積將不超過2mm×60μm，優(yōu)選地，達到0.5mm×15μm以上。
鈍化層180上形成通過接觸孔181與漏極175連接，并隨著像素形態(tài)呈折斷帶狀的像素電極190。這時，像素電極190邊緣部分較寬，使其與數(shù)據(jù)線重疊，以確保最大縱橫比。這時，像素電極190通過折疊部191分為兩個副像素電極190a、190b。
還有，鈍化層180上分別形成通過接觸孔182、183與柵極線末端125和數(shù)據(jù)線末端179連接的接觸輔助部件95、97。在這里，像素電極190及接觸輔助部件95、97由ITO或IZO組成。
下面，參照圖2、圖4、及圖5詳細說明共同電極顯示板。
由玻璃等透明絕緣材料組成的上部基板210下面，形成防止泄漏光的黑陣220和像素上順次排列的紅、綠、藍濾色器230。濾色器230之上形成有機物質(zhì)組成的涂布層250。
涂布層250上形成由ITO或IZO等透明導電材料組成，并具有折疊部271、272的共同電極270。這時，折疊部271、272隨著像素彎曲形態(tài)而彎曲，并在像素電極190的折疊部191兩側(cè)整列。
這時，優(yōu)選地，折疊部271、272以區(qū)域分割件發(fā)揮作用，其寬度達到9μm至12μm之間。作為區(qū)域分割件替代折疊部271、272，形成有機材料突起時，優(yōu)選地，其寬度應(yīng)在5μm至10μm之間。
在這里，黑陣220包括對應(yīng)數(shù)據(jù)線171彎曲部分的線形部分和數(shù)據(jù)線171縱向延伸部分及對應(yīng)薄膜晶體管部分的三角形部分。
濾色器230隨著黑陣220劃分的像素列縱向形成得較長，并隨著像素形態(tài)周期性地彎曲。
共同電極270的折疊部271、272也同樣彎曲，形成將兩個彎曲的副像素劃分在左右兩側(cè)的形態(tài)。并且，折疊部271、272的兩端還彎曲一次，一末端與柵極線121并列，另一端則與數(shù)據(jù)線171縱向延伸的部分并列。
結(jié)合如上結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管顯示板100和共同電極顯示板200，并在其間注入液晶層300時，就形成了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器的基本面板。
液晶層300包含的液晶分子310在像素電極190和共同電極270之間未施加電場的狀態(tài)下其長軸對下部基板110和上部基板210垂直排列，并具有負介電各向異性。整列下部基板110和上部基板210，以使像素電極190與濾色器230對應(yīng)并準確重疊。這樣，像素由折疊部191、271、272分割為多個區(qū)域。這時，像素由折疊部191、271、272劃分為左右兩側(cè)，但以像素的折斷部為中心，在其上下液晶的取向各異，因此將分為8種區(qū)域。
這時，優(yōu)選地，區(qū)域的兩個長邊間距離，即區(qū)域?qū)挾纫?0μm至30μm之間。
并且，優(yōu)選地，包含于一個像素的上述區(qū)域數(shù)，當像素大小為100μm×300μm時為4個，而100μm×300μm以上時為4個或8個。
液晶顯示器是在這種基本面板兩側(cè)布置偏光板12、22、背光源、補償板等因素而成。這時，偏光板12、22在基本面板兩側(cè)分別布置一個，其透射軸對于柵極線121，兩個中一個是并列的，而另一個則垂直。
由上述結(jié)構(gòu)形成液晶顯示器，向液晶施加電場，各個區(qū)域內(nèi)的液晶向與區(qū)域內(nèi)長邊垂直的方向傾斜。但該方向是對數(shù)據(jù)線171成垂直的方向，因此與將數(shù)據(jù)線171置于中間，由鄰接的兩個像素電極190之間形成的側(cè)面電場引起的液晶傾斜方向相一致，側(cè)向電場將輔助各個區(qū)域的液晶取向。
液晶顯示器通常使用向位于數(shù)據(jù)線171兩側(cè)的像素電極施加極性相反電壓的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動、列反轉(zhuǎn)驅(qū)動、兩點反轉(zhuǎn)驅(qū)動等反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法，因此側(cè)向電場幾乎經(jīng)常發(fā)生，其方向成為幫助區(qū)域的液晶取向的方向。
并且，對柵極線121垂直或并列布置偏光板透射軸，可以廉價制造偏光板，并使所有區(qū)域的液晶取向方向與偏光板透射軸成45度，可以取得最高灰度。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器中，彎曲兩次與柵極線共同限定像素的數(shù)據(jù)線，將像素設(shè)計成彎曲兩次的形態(tài)，即使像素間距超過100μm，布線長度和像素間距也幾乎相等。即使像素大小設(shè)計得較大，像素形態(tài)也以鋸齒形分散，看不出由布線結(jié)構(gòu)限定的像素形態(tài)，可以提高顯示特性。并且，比像素大小不會急劇增加布線長度，可充分確保傳送到像素內(nèi)的驅(qū)動電壓，從而不會發(fā)生降低液晶應(yīng)答速度的現(xiàn)象。
只是，由于數(shù)據(jù)線171彎曲，將增加布線長度。數(shù)據(jù)線171中，彎曲部分占據(jù)50％時，布線長度將增加約20％。數(shù)據(jù)線171的長度增加時，將增加布線阻抗與負荷，進而增加信號的扭曲。但是，超高縱橫比結(jié)構(gòu)中，可充分較寬形成數(shù)據(jù)線171寬度，并使用厚的有機材料鈍化層180，因此布線的負荷也變得很小，可忽視增加數(shù)據(jù)線171長度而帶來的信號扭曲問題。
另外，薄膜晶體管顯示板100和共同電極顯示板200分別包含對液晶分子310取向的取向?qū)?1、21。這時，取向?qū)?1、12可以具有對液晶分子310垂直取向的特性，也可以不具有這種特性。
具有這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示器中，對薄膜晶體管顯示板的制造方法進行概括說明如下。
首先，在下部絕緣基板110上用濺射等方法連續(xù)沉積由Cr或Mo合金等組成的第一金屬層201以及由低阻抗Al或Ag合金等組成的第二金屬層202，并利用掩膜的光學蝕刻工序進行干蝕刻或濕蝕刻，從而形成柵極線121和存儲電極線131。
接著，利用化學汽相沉積法將柵極絕緣層140、重摻雜氫化非晶硅層及磷(P)等n型雜質(zhì)的非晶硅層分別按照1,500至5,000、500至2,000、300至600的厚度進行連續(xù)沉積，用掩膜的光學蝕刻工序順次對摻雜的非晶硅層和非晶硅層制造布線圖案，形成連接通道部的歐姆接觸層和非晶硅層151、154。
接著，用濺射等方法以1,500至3,000的厚度沉積由Cr或Mo等組成的第一金屬層701和由低阻抗Al或Ag合金等組成的第二金屬層702等導電體層后，用掩膜的光學蝕刻工序制造布線圖案，形成數(shù)據(jù)線171、173、179及漏極及存儲電容器導電體177。
接著，蝕刻未被源極173及漏極175遮擋的歐姆接觸層，露出源極173和漏極175之間的半導體層154，并完成分離成在兩側(cè)的歐姆接觸部件163、165。
接著，涂布感光性有機絕緣材料而形成鈍化層180，并通過具有狹縫部分的光掩膜進行曝光與顯像，形成接觸孔181、182、183。
這時，光掩膜的狹縫部分是使接觸孔181、182、183的接觸孔側(cè)壁傾斜較緩或者使其具有階梯形剖面，設(shè)置它們時，使其對應(yīng)將要成為接觸孔側(cè)壁的部分。
通過具有這種狹縫部分的光掩膜曝光鈍化層180時，所有將要成為鈍化層180接觸孔181、182、183的部分被感光，而將要成為接觸孔側(cè)壁的部分則部分被感光。所謂被感光，表示光分解了聚合物。
接著，顯像鈍化層180，可形成具有階梯形側(cè)壁的接觸孔181、182、183。
接著，如圖4及圖5所示，蝕刻通過接觸孔181、182、183露出的布線第二金屬層202、702，并除去。并以400至500的厚度沉積ITO或IZO，對其進行光學蝕刻，形成像素電極190和接觸輔助部件95、97。
這種方法是利用不同掩膜的光學蝕刻工序?qū)Ω鲗又圃觳季€圖案的制造方法，但即使對不同的層，利用一個掩膜也可以制造出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板。對此參照圖6及圖7進行詳細說明。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的薄膜晶體管顯示板的布局圖，圖7是包括圖6薄膜晶體管顯示板的液晶顯示器沿著線VII-VII′的截面圖。
根據(jù)第二實施例的液晶顯示器薄膜晶體管顯示板是利用一個掩膜以光學蝕刻工序?qū)?shù)據(jù)線和半導體層制造了布線圖案，比起第一實施例的薄膜晶體管顯示板具有如下特征。在這里，由于共同電極顯示板200的結(jié)構(gòu)大部分相同，只在圖7中示出。而圖6只示出了共同電極270的折疊部271、272。
在數(shù)據(jù)線171、173、179及漏極175下面與其基本上相同的圖案形成接觸部件161、163、165。除了源極173和漏極175之間相連的通道部，非晶硅層151、154、159基本上也具有與數(shù)據(jù)線171及漏極175相同的圖案。
并且，組成像素電極190的副像素電極190a、190b是以數(shù)據(jù)線171為中心設(shè)置于兩側(cè)。而存儲電極布線131、133則與柵極線121鄰接設(shè)置，設(shè)置在像素的邊緣。這時，與第一實施例不同，不具有存儲電容器導電體，而漏極175隨著像素形態(tài)擴張，并與存儲電極133重疊而形成存儲電容器。
下面，對具有這種結(jié)構(gòu)特征的薄膜晶體管顯示板的制造方法概括地進行說明。
這種根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的薄膜晶體管顯示板制造方法，對數(shù)據(jù)線171及漏極175和半導體層151、154、159利用一個感光層圖案的光學蝕刻工序制作布線圖案。這時，感光層圖案包括厚度不同的第一部分和第二部分，第二部分位于薄膜晶體管的通道區(qū)域，第一部分位于數(shù)據(jù)線及漏極區(qū)域，第二部分比第一部分要薄。在這里，第一、第二部分是用來對半導體層151、154、159制作布線圖案的蝕刻掩膜的，第二部分是用來對數(shù)據(jù)線及漏極制作布線圖案的。像這樣，根據(jù)位置的不同而改變感光層圖案厚度的方法有多種，比如光掩膜上設(shè)置透明區(qū)域及遮光區(qū)域之外還設(shè)置半透明區(qū)域的方法。半透明區(qū)域可以具有狹縫圖案、晶格圖案或透射比為中等或厚度為中等的薄膜。優(yōu)選地，使用狹縫圖案時狹縫的寬度或狹縫間距應(yīng)比光學工序中使用的分解能要小。其它例子是使用可回流的感光層。即，利用只具有透明區(qū)域和遮光區(qū)域的通常掩膜的形成可回流的感光層圖案，讓其回流，流向沒有感光層殘留的區(qū)域，并產(chǎn)生很薄的部分。
上述第一及第二實施例中像素電極及共同電極只具有折疊部的像素分割件，隨著液晶顯示器大型化，像素分割件可以有兩個以上，可形成各種形態(tài)。
另外，第一及第二實施例中，紅、綠、藍濾色器設(shè)置在共同電極顯示板上，但也可設(shè)置在薄膜晶體管顯示板上。對此參照圖具體說明。
圖8根據(jù)本發(fā)明第三實施例的包含薄膜晶體管顯示板的液晶顯示器構(gòu)造布局圖，圖9是包含圖8的薄膜晶體管顯示板的液晶顯示器沿著線IX-IX′的截面圖。
圖8及圖9所示，根據(jù)本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管顯示板及包括該顯示板的液晶顯示器結(jié)構(gòu)大部分與圖3及圖5相同。
與第一及第二實施例不同，鈍化層180的下方具有露出漏極175的接觸孔181的紅、綠、藍濾色器R、G、B縱向形成，且隨著像素形態(tài)呈彎曲狀。在這里示出了紅、綠、藍濾色器R、G、B的邊界與數(shù)據(jù)線171上部一致，但可以在數(shù)據(jù)線上部重疊具有遮擋像素區(qū)域間泄漏光的功能，但分別設(shè)置柵極線及數(shù)據(jù)線末端125、179的襯墊部上并未形成。
這種根據(jù)本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管顯示板及包含該顯示板的液晶顯示器也具有與第一及第二實施例相同的效果。
如上所述，本發(fā)明實施例中將像素設(shè)計成兩次彎曲狀，即使像素間距增大，但像素的形態(tài)可分散成鋸齒狀，顯示圖像時看不出像素的形態(tài)，提高了顯示特性。還有，通過這些可以確保傳送到像素內(nèi)部的驅(qū)動電壓，可防止液晶應(yīng)答速度下降的現(xiàn)象。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管顯示板，包括絕緣基板；第一信號線，在所述絕緣基板上形成；第二信號線，在所述絕緣基板上形成并具有與所述第一信號線絕緣交叉的部分和兩個以上彎曲部分；像素電極，在所述第一信號線和所述第二信號線交叉限定的每個像素上形成；薄膜晶體管，與所述第一信號線、所述第二信號線、及所述像素電極連接，其中所述第二信號線彎區(qū)部分和延伸的部分以所述像素長度為單位反復(fù)出現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述第二信號線的所述彎區(qū)部分基本上與所述第一信號線成45度或-45度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，還包括與所述第一信號線并列的第三信號線，與所述像素電極連接的導電體或所述薄膜晶體管端子與所述第三信號線的一部分重疊并形成存儲電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述薄膜晶體管中與所述第二信號線連接的端子與所述第二信號線分支部分連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述像素電極由通過折疊部以所述數(shù)據(jù)線為中心分離的副像素電極組成。
6.一種薄膜晶體管顯示板，包括絕緣基板；柵極線，在所述絕緣基板上形成并具有柵極；柵極絕緣層，在柵極上形成；半導體層，在所述柵極絕緣層上形成；漏極，具有兩個以上彎曲部分和與所述柵極線交叉的部分并具有與所述半導體層相接源極的數(shù)據(jù)線及以所述柵極為中心分別與所述源極面對并與所述半導體層相接；鈍化層，覆蓋所述半導體層；以及像素，與所述漏極連接并與所述數(shù)據(jù)線鄰接的邊緣沿著所述數(shù)據(jù)線彎曲。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線彎曲部分包括與所述柵極線成45度的第一部分和與所述柵極線成-45度的第二部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，還包括與所述柵極線并列形成的存儲電極線及與所述存儲電極線連接并與所述漏極或所述像素電極連接的導電體重疊、比所述存儲電極線寬度寬的存儲電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述像素電極在所述鈍化層上形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述鈍化層由無機或有機絕緣材料組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，還包括在所述鈍化層下部的濾色器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述濾色器隨著由所述數(shù)據(jù)線劃分的像素列分別形成紅、綠、藍濾色器，并反復(fù)出現(xiàn)紅、綠及藍色。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管顯示板，其特征在于，所述半導體層包括在所述數(shù)據(jù)線下面形成并與所述數(shù)據(jù)線基本上具有相同平面圖案的數(shù)據(jù)線部和在所述源極及所述漏極下面及其周邊形成的通道部。
14.一種液晶顯示器，包括第一絕緣基板；第一信號線，在所述第一絕緣基板上形成；第二信號線，在所述第一絕緣基板上形成并具有與所述第一信號線絕緣交叉的兩個以上彎曲部分；像素電極，在所述第一信號線和所述第二信號線交叉限定的每個像素上形成；薄膜晶體管，與所述第一信號線、所述第二信號線、及所述像素連接；第二絕緣基板，與所述第一絕緣基板面對；共同電極，在所述第二絕緣基板上形成；區(qū)域分割件，在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板中至少一側(cè)形成；液晶層，注入在所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板之間，其中所述像素通過所述區(qū)域分割件分割成多個區(qū)域，所述區(qū)域的兩個長邊與鄰接的所述第二信號線的彎曲部基本上并列。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征在于，包含在所述液晶層的液晶具有負介電各向異性，所述液晶的長軸對所述第一基板及所述第二基板垂直取向。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征在于，所述區(qū)域分割件是所述像素電極或共同電極具有的折疊部。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，包括具有柵極的柵極線；與像素電極重疊并形成存儲電容的存儲電極；在柵極線上形成的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成的半導體層；在柵極絕緣層上形成并具有兩個以上彎曲部分和與柵極線交叉部分的數(shù)據(jù)線；以柵極為中心分別與源極面對并相接半導體層的漏極；覆蓋半導體層的鈍化層；在鈍化層上形成并與漏極電連接，與數(shù)據(jù)線鄰接的邊沿著數(shù)據(jù)線彎曲的像素電極的薄膜晶體管顯示板和與像素電極面對形成液晶電容的共同電極的共同電極顯示板。
文檔編號G09F9/30GK1577019SQ2004100594
公開日2005年2月9日 申請日期2004年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月26日
發(fā)明者卓英美, 白承洙, 金東奎 申請人:三星電子株式會社