專利名稱：用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，并且具體的說(shuō)是一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法和設(shè)備，其適于防止由從非顯示區(qū)域產(chǎn)生的不正常放電所引起的對(duì)驅(qū)動(dòng)集成電路的損壞。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示面板(PDP)使用在混合惰性氣體(比如He+Xe，Ne+Xe或He+Ne+Xe)放電情況下產(chǎn)生的紫外線來(lái)激發(fā)并輻射磷材料，由此顯示畫面。這樣易于將PDP制造為薄膜和大尺寸的類型。另外，因?yàn)榻鼇?lái)的技術(shù)進(jìn)步，PDP提供更好的畫面質(zhì)量。
參考圖1，現(xiàn)有的三電極AC表面放電PDP的放電單元包括在上層襯底1上提供的、具有掃描電極Y以及維持電極Z的維持電極對(duì)，以及以垂直穿過(guò)維持電極對(duì)的方式在下層襯底2上提供的尋址電極X。每一掃描電極Y和維持電極Z包括透明電極，以及其上面的金屬匯流電極。在提供有掃描電極Y和維持電極的上層襯底1上，放置上層絕緣層6和MgO保護(hù)層7。在提供有尋址電極X的下層襯底2上以覆蓋尋址電極X的方式形成下層絕緣層4。在下層絕緣層4上垂直形成隔柵3。在下層絕緣層4和隔柵3的表面上提供磷材料5。將比如He+Xe，Ne+Xe或He+Ne+Xe的混合惰性氣體注入在上層襯底1，下層襯底2和隔柵3之間的放電空間。通過(guò)密封劑(沒(méi)有示出)的幫助，接合上層襯底1和下層襯底2。
這種PDP進(jìn)行一幀的時(shí)分驅(qū)動(dòng)，其將一幀劃分為多種具有不同發(fā)射頻率的子場(chǎng)，從而實(shí)現(xiàn)畫面的灰度級(jí)。將每一子場(chǎng)再次劃分為用于初始化整個(gè)場(chǎng)的初始化階段(或復(fù)位階段)，用于選擇掃描線并從所選的掃描線中選擇單元的尋址階段，以及用于根據(jù)放電頻率表示灰度級(jí)的維持階段。將初始化階段劃分為提供有上斜波形的升壓(set-up)間隔和提供有下斜波形的降壓(set-down)間隔。例如，當(dāng)要顯示256灰度級(jí)的畫面時(shí)，將等于1/60秒(也就是，16.67毫秒)的幀間隔劃分為如圖2所示的8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8。如上所述，將8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中的每一個(gè)劃分為初始化階段，尋址階段和維持階段。在這里，對(duì)于每一子場(chǎng)，每一子場(chǎng)的初始化階段和尋址階段都相等，然而在每一子場(chǎng)，維持階段及分配的維持脈沖的數(shù)量以2n的比率增加(其中n＝0，1，2，3，4，5，6和7)。
圖3示出了圖1所示的現(xiàn)有PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖3，將PDP劃分為用于初始化整個(gè)場(chǎng)的初始化階段，用于選擇單元的尋址階段，以及用于維持所選的單元的放電以用于它的驅(qū)動(dòng)的維持階段。
在初始化階段中，在升壓間隔SU中，將上斜波形Ramp-up同步應(yīng)用到所有掃描電極Y。在上斜波形Ramp-up的幫助下，在整個(gè)場(chǎng)的單元中產(chǎn)生放電。通過(guò)這個(gè)設(shè)立的放電，正的壁電荷在尋址電極X和維持電極Z上累積，而且負(fù)的壁電荷在掃描電極Y上累積。在降壓間隔SD中，在應(yīng)用上斜波形Ramp-up之后，將從小于上斜波形Ramp-up的峰值電壓的正電壓下降的下斜波形Ramp-down同步應(yīng)用到掃描電極Y。下斜波形Ramp-down引起在單元中的弱擦除放電，從而擦除過(guò)度形成的壁電荷部分。在降壓放電的幫助下，在單元中均勻的留下足以產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電的壁電荷。
在尋址階段中，接下來(lái)將負(fù)的掃描脈沖scan(掃描)應(yīng)用到掃描電極Y，同時(shí)，將正的數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))和掃描脈沖scan(掃描)同步應(yīng)用到尋址電極X。將掃描脈沖scan(掃描)和數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))之間的電壓差值加到在初始化階段產(chǎn)生的壁電壓上，由此在提供有數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))的單元中產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電選擇的單元中形成在應(yīng)用維持電壓時(shí)足以引起放電的壁電荷。
同時(shí)，在降壓間隔和尋址階段中，將正的直流電壓Zdc應(yīng)用到維持電極Z。直流電壓Zdc建立了在維持電極Z和掃描電極Y之間或在維持電極Z和尋址電極X之間的電壓差值，使得在降壓間隔中在維持電極Z和掃描電極Y之間產(chǎn)生降壓放電，并且在尋址階段中在掃描電極Y和維持電極Z之間不產(chǎn)生大的放電。
在維持階段中，將維持脈沖sus交替的應(yīng)用到掃描電極Y和維持電極Z。之后，只要應(yīng)用了維持脈沖sus，將由尋址放電所選擇的單元中的壁電壓加到維持脈沖sus上就會(huì)在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電，就是說(shuō)顯示放電。在結(jié)束維持放電之后，將具有小脈沖寬度和低電壓電平的傾斜波形ramp-ers應(yīng)用到維持電極Z，由此擦除在整個(gè)場(chǎng)的單元中留下的壁電荷。
同時(shí)，如圖4和5所示，PDP包括與有效區(qū)域31的放電單元結(jié)構(gòu)相同的放電空間，這里的放電空間在位于有效區(qū)域31外部上方的上部非顯示區(qū)域32和位于有效區(qū)域外部下方的下部非顯示區(qū)域33的每一處中。換句話說(shuō)，上部非顯示區(qū)域32和下部非顯示區(qū)域33中的每一個(gè)提供有尋址電極X，上/下Y偽電極UY1，UY2，BY1和BY2，以及上/下Z偽電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2，以及以覆蓋電極X，UY1，UY2，BY1，BY2，UZ1，UZ2，BZ1和BZ2的方式形成的絕緣層4和6。
在進(jìn)行老化處理時(shí)，在每一上部非顯示區(qū)域32和下部非顯示區(qū)域33提供的偽電極UDE和BDE在非顯示區(qū)域中引起放電，由此將在有效區(qū)域31的第一水平線和第n水平線上的放電單元的放電特性穩(wěn)定在和有效區(qū)域31的其它放電單元相同的情況上。為此，在進(jìn)行老化處理時(shí)將能夠引起放電的電壓應(yīng)用到偽電極UDE和BDE，而在老化處理之后不向其應(yīng)用電壓。
但是，現(xiàn)有PDP具有偶然從上部非顯示區(qū)域32和下部非顯示區(qū)域33產(chǎn)生放電的問(wèn)題。這種放電被稱為“非正常放電”。具體的說(shuō)，如果比如初始化放電，尋址放電和維持放電等的放電在驅(qū)動(dòng)PDP的情況下發(fā)生，那么放電產(chǎn)生的空間電荷在上部非顯示區(qū)域32和下部非顯示區(qū)域33的絕緣層上累積。例如，在尋址放電的情況下，如圖5所示，當(dāng)負(fù)的掃描脈沖繼續(xù)移進(jìn)掃描電極Y1到Y(jié)2時(shí)，正的空間電荷53移動(dòng)進(jìn)下部非顯示區(qū)域33，同時(shí)，負(fù)的空間電荷51移動(dòng)進(jìn)上部非顯示區(qū)域32。以這種方式移動(dòng)進(jìn)非顯示區(qū)域32和33的空間電荷51和53在非顯示區(qū)域32和33中累積，或在絕緣層4和6上累積，這里的絕緣層4和6覆蓋了在和非顯示區(qū)域32和33相鄰的有效區(qū)域處的電極。如果由在非顯示區(qū)域32和33及和其相鄰的有效區(qū)域31上累積的壁電荷升高的放電空間的壁電荷61變得大于足以引起放電的電壓，如圖6所示，那么在非顯示區(qū)域32和33及和其相鄰的有效區(qū)域31中會(huì)偶然的發(fā)生非正常放電。
因?yàn)檫@個(gè)非正常放電，如圖7所示，觀看者可以看到從非顯示區(qū)域32和33或和其相鄰的有效區(qū)域31的上部/下部邊緣產(chǎn)生的可見(jiàn)光48。在最壞的情況中，在幾秒內(nèi)PDP不能顯示畫面，并且它的放電單元可能因?yàn)榉钦７烹姸鴵p壞。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，如圖8所示，將上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2保持在浮動(dòng)狀態(tài)，而且通過(guò)電壓源40向上/下偽Z電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2提供預(yù)先確定的驅(qū)動(dòng)電壓。因此，可以減少在非顯示區(qū)域32和33中的壁電荷。另外，可以限制壁電荷的移動(dòng)來(lái)防止在非顯示區(qū)域32和33中的非正常放電。
但是，因?yàn)閷⑸?下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2保持在浮動(dòng)狀態(tài)，所以會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的壁電荷局部累積。當(dāng)以這種方式放大壁電荷從而引向非正常放電類型時(shí)，在壁電荷周圍的集成電路(IC)引起和向其應(yīng)用驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)的情況相同的故障。
為了克服這個(gè)問(wèn)題，如圖9所示，將第二驅(qū)動(dòng)電壓，例如，在初始化階段提供到有效區(qū)域的Y電極的驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)第二電壓源42應(yīng)用到上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2，而且將第一驅(qū)動(dòng)電壓，例如，在初始化階段提供到有效區(qū)域的Z電極的驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)第一電壓源40應(yīng)用到上/下偽Z電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2。因此，可以減少在非顯示區(qū)域32和33中的壁電荷。另外，可以限制壁電荷的移動(dòng)來(lái)防止在非顯示區(qū)域32和33中的非正常放電。
但是，如圖9所示，具有和第二電壓源42連接的上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2的PDP具有一個(gè)問(wèn)題，即，將非正常電流，例如，大約700mA的電流從第二電壓源42應(yīng)用到偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2，由此引起非正常放電，并且這個(gè)放電電流反向流進(jìn)具有薄膜芯片(COF)類型的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC和掃描驅(qū)動(dòng)IC，由此損壞驅(qū)動(dòng)IC。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法和設(shè)備，其適于防止由非顯示區(qū)域產(chǎn)生的非正常放電所引起的對(duì)驅(qū)動(dòng)集成電路的損壞。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，用于具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括用于驅(qū)動(dòng)所述有效區(qū)域的電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極的多個(gè)驅(qū)動(dòng)器；以及位于任意至少一個(gè)偽電極和驅(qū)動(dòng)器之間的用于限制流進(jìn)偽電極的電流的電流限制裝置。
在驅(qū)動(dòng)設(shè)備中，電流限制裝置是電阻器和線圈中的任意一個(gè)。
電流限制裝置具有大約10Ω到10KΩ的電阻值。
向所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極和所述非顯示區(qū)域的任意的至少一個(gè)偽電極提供相同的信號(hào)。
驅(qū)動(dòng)器包括用于將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)掃描電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極的掃描驅(qū)動(dòng)器。
驅(qū)動(dòng)器包括用于將第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的尋址電極的尋址驅(qū)動(dòng)器。
驅(qū)動(dòng)器包括用于將第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)維持電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極的維持驅(qū)動(dòng)器。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括用于驅(qū)動(dòng)所述有效區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極的多個(gè)驅(qū)動(dòng)器；以及位于任意的至少一個(gè)偽電極和驅(qū)動(dòng)器之間的用于檢測(cè)流進(jìn)偽電極的越限電流并且分流檢測(cè)到的越限電流的越限電流消除裝置。
在驅(qū)動(dòng)設(shè)備中，越限電流消除裝置包括用于在流過(guò)偽電極的電流值大于臨界值時(shí)產(chǎn)生電流控制信號(hào)的電流檢測(cè)器；以及用于響應(yīng)于所述電流控制信號(hào)將所述越限電流分流進(jìn)低電壓的開(kāi)關(guān)裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，一種驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的方法包括限制流進(jìn)在位于所述非顯示區(qū)域中的任意的至少一個(gè)偽電極的電流的步驟。
在本方法中，向所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極和位于所述非顯示區(qū)域中的任意的至少一個(gè)偽電極提供相同信號(hào)。
在用于初始化所述有效區(qū)域的單元的初始化階段過(guò)程中，向所述有效區(qū)域的所述至少一個(gè)偽電極和掃描電極提供初始化波形，并且在用于選擇單元的尋址階段過(guò)程中提供直流電壓。
在所述尋址階段過(guò)程中向所述有效區(qū)域的尋址電極提供數(shù)據(jù)脈沖。
在所述初始化階段的至少一個(gè)部分和所述尋址階段中，向所述有效區(qū)域的維持電極和所述至少一個(gè)偽電極提供所述直流電壓。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，一種驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的方法包括檢測(cè)流進(jìn)所述非顯示區(qū)域的偽電極的越限電流；并且將所述檢測(cè)到的越限電流分流進(jìn)接地電壓的步驟。
通過(guò)下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述，可以更為清楚的理解本發(fā)明的這些和其它目的，在附圖中圖1是一透視圖，示出了現(xiàn)有的三電極AC表面放電等離子顯示面板的放電單元結(jié)構(gòu)；圖2示出了具有用于實(shí)現(xiàn)256灰度級(jí)的8比特默認(rèn)碼的幀設(shè)置；圖3是用于驅(qū)動(dòng)現(xiàn)有等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形圖；圖4是用于表現(xiàn)非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的平面視圖；
圖5是用于表現(xiàn)非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的剖面視圖；圖6是示出了在非顯示區(qū)域連續(xù)升高的壁電荷的視圖；圖7示意性的示出了從非顯示區(qū)域產(chǎn)生并在有效區(qū)域中看到的可見(jiàn)光；圖8是其中將驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用到偽電極上的用于防止非正常放電的現(xiàn)有等離子顯示面板的平面視圖；圖9是其中將不同驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用到偽Y電極和偽Z電極上的用于防止非正常放電的現(xiàn)有等離子顯示面板的平面視圖；圖10是示意性的方框圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的設(shè)置；圖11是具有如圖10所示的電流限制器的維持驅(qū)動(dòng)器的方框圖；圖12是表示由如圖10和圖11所示的電流限制器引起的電壓和電流的關(guān)系的波形圖；圖13是用于驅(qū)動(dòng)如圖10所示的等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形圖；并且圖14是示意性的方框圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的設(shè)置。
具體實(shí)施例方式
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于等離子顯示面板(PDP)的驅(qū)動(dòng)設(shè)備。
參考圖10，驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括被劃分為在其上面放置多個(gè)偽電極的非顯示區(qū)域和在其上面顯示畫面的有效區(qū)域的PDP50，用于將數(shù)據(jù)提供到PDP50的尋址電極X的尋址驅(qū)動(dòng)器52，用于驅(qū)動(dòng)PDP50的掃描電極Y的掃描驅(qū)動(dòng)器64，用于驅(qū)動(dòng)PDP50的維持電極Z的維持驅(qū)動(dòng)器54，用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器62，以及用于限制被提供到偽電極UY，BY，UZ和BZ的電壓的電流的電流限制器58。
PDP50包括在上層襯底上提供的掃描電極Y，維持電極Z和上/下偽電極UY1，UY2，UZ1，UZ2，BY1，BY2，BZ1和BZ2，以及在下層襯底上提供的尋址電極X。
在PDP50的上層襯底上的顯示區(qū)域內(nèi)提供掃描電極Y和維持電極Z。在PDP的上層襯底上的位于顯示區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)的非顯示區(qū)域內(nèi)提供偽電極UY1，UY2，UZ1，UZ2，BY1，BY2，BZ1和BZ2。在PDP50的下層襯底上以穿過(guò)掃描電極Y，維持電極Z和偽電極UY1，UY2，UZ1，UZ2，BY1，BY2，BZ1和BZ2的方式提供尋址電極X。向偽電極的上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2提供具有由電流限制器58限制的電流的驅(qū)動(dòng)電壓。另一方面，如圖11所示，向上/下偽Z電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2提供從維持驅(qū)動(dòng)IC66產(chǎn)生并且具有由電流限制器60限制的電流的驅(qū)動(dòng)電壓。
通過(guò)反向伽馬修正電路和誤差擴(kuò)散電路等(沒(méi)有示出)來(lái)對(duì)尋址驅(qū)動(dòng)器52進(jìn)行反向伽馬修正和誤差擴(kuò)散，并且之后同時(shí)將為每一子場(chǎng)由子場(chǎng)映射電路映射的數(shù)據(jù)提供到尋址電極X。
在復(fù)位階段中，在定時(shí)控制器(沒(méi)有示出)的控制下，掃描驅(qū)動(dòng)器64將上升到上限(set-up)電壓Vsetup的上斜波形以及下降到0V或負(fù)的掃描電壓-Vy的下斜波形同步應(yīng)用到掃描電極Y1到Y(jié)n和偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2，由此來(lái)初始化整個(gè)場(chǎng)。另外，在尋址階段中，掃描驅(qū)動(dòng)器64接下來(lái)將從掃描通用電壓Vsc-com下降到負(fù)的掃描電壓-Vy的掃描脈沖應(yīng)用到掃描電極Y1到Y(jié)n，由此選擇掃描線。掃描驅(qū)動(dòng)器64將保持0伏特或特定的正電壓電平的直流偏壓，例如，掃描通用電壓Vsc-com應(yīng)用到偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2來(lái)把負(fù)的壁電荷限制在偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2上，由此限制在有效區(qū)域和非有效區(qū)域之間產(chǎn)生非正常放電。在尋址階段之后的維持階段中，掃描驅(qū)動(dòng)器64將具有維持電壓電平Vs的維持脈沖以對(duì)應(yīng)于亮度加權(quán)值的頻率同步應(yīng)用到掃描電極Y1到Y(jié)m和偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2。
在定時(shí)控制器的控制下，維持驅(qū)動(dòng)器54將在初始化階段的降壓間隔SD和尋址階段中總是保持在維持電壓Vs上的直流(DC)電壓Zdc應(yīng)用到維持電極Z和偽Z電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2。另外，在維持階段中，交替的操作掃描驅(qū)動(dòng)器64和維持驅(qū)動(dòng)器54，以將維持脈沖應(yīng)用到維持電極Z和偽Z電極UZ1，UZ2，BZ1和BZ2。
從掃描驅(qū)動(dòng)IC56產(chǎn)生電流限制器58來(lái)限制被提供到上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2的驅(qū)動(dòng)電壓的電流。另外，電流限制器58限制被通過(guò)上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2反向應(yīng)用到掃描驅(qū)動(dòng)IC56的電流。
為此，通過(guò)具有預(yù)先確定的阻值(例如，10Ω到10KΩ)的電阻器或線圈來(lái)設(shè)置電流限制器58。將電流限制器58和上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2的輸入終端串聯(lián)，就是說(shuō)，和上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2串聯(lián)。另外，將電流限制器58和掃描驅(qū)動(dòng)器64的掃描驅(qū)動(dòng)IC56的輸出終端串聯(lián)，或者以建立在掃描驅(qū)動(dòng)IC56中的方式形成。
這種電流限制器58允許將具有受限電流的正常驅(qū)動(dòng)電壓提供到上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2，并且允許防止通過(guò)上/下偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2將越限電流輸入到掃描驅(qū)動(dòng)IC56或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC58。
具體的說(shuō)，如圖12所示，在電流限制設(shè)備的每一終端的電壓P和Q彼此相等。這樣，從掃描驅(qū)動(dòng)IC56產(chǎn)生的電壓值Q等于從掃描驅(qū)動(dòng)IC56通過(guò)電流限制裝置58應(yīng)用到上/下偽Y電極UY和BY上的電壓值P。另一方面，通過(guò)電流限制裝置58，將被應(yīng)用到上/下偽Y電極UY和BY的電流從現(xiàn)有技術(shù)中的700mA減少到最多29mA。另外，電流限制裝置58減小相對(duì)大的越限電流的值，其中越限電流通過(guò)上/下偽Y電極UY和BY輸入到掃描驅(qū)動(dòng)IC56或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC58。因此，可以防止對(duì)包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC68，掃描驅(qū)動(dòng)IC56和維持驅(qū)動(dòng)IC66的驅(qū)動(dòng)IC的損壞。
驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生器62產(chǎn)生需要用于PDP50的電極驅(qū)動(dòng)的電壓，比如上限電壓Vsetup，維持電壓Vs，負(fù)的掃描電壓-Vy，數(shù)據(jù)電壓Yd和掃描通用電壓Vsc-com等，并且將驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用到相應(yīng)的電極驅(qū)動(dòng)器52，54和60。
圖13示出了如圖10所示的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖13，在初始化階段的升壓間隔SU中，將上斜波形Ramp-up同步應(yīng)用到所有掃描電極Y和偽Y電極UY和BY。通過(guò)這個(gè)上斜波形Ramp-up在整個(gè)場(chǎng)的單元中產(chǎn)生放電。在應(yīng)用了上斜波形Ramp-up之后，在初始化階段的降壓間隔SD中，將從低于上斜波形Ramp-up的峰值電壓的正電壓下降的下斜波形同步應(yīng)用到掃描電極Y和偽Y電極UY和BY。在這時(shí)，由電流限制設(shè)備限制包括在被應(yīng)用到偽Y電極的上斜波形和下斜波形的電壓中的越限電流。這樣，通過(guò)應(yīng)用到偽Y電極UY和BY的初始化波形擦除留在非顯示區(qū)域內(nèi)的過(guò)多壁電荷的大部分，并且通過(guò)在尋址階段提供的DC偏壓保持這種狀態(tài)直到尋址階段終止。另一方面，在初始化尋址階段的情況下，有效區(qū)域的掃描電極Y1到Y(jié)n上升直到正的掃描通用電壓Vsc-com。因?yàn)樵趻呙桦姌OY1和Yn上的電壓以這種方式上升直到正的掃描通用電壓Vsc-com，在有效區(qū)域的單元建立尋址初始化情況，其中當(dāng)在尋址初始化階段應(yīng)用掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖時(shí)，累積足以引起尋址放電的壁電荷。
在尋址階段中，接下來(lái)將負(fù)的掃描脈沖scan(掃描)應(yīng)用到掃描電極Y，并且同時(shí)將正的數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))和掃描脈沖scan(掃描)同步應(yīng)用到尋址電極X。當(dāng)將在掃描脈沖scan(掃描)和數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))之間的電壓差值加到在初始化階段中產(chǎn)生的壁電壓時(shí)，在提供了數(shù)據(jù)脈沖data(數(shù)據(jù))的單元中產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電選擇的單元中，形成在應(yīng)用維持電壓情況下足以引起放電的壁電荷。在這種尋址階段中，將保持0V或正電壓電平的DC偏壓Vbias應(yīng)用到偽Y電極UY和BY。被應(yīng)用到偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2的DC偏壓Vbias將在非顯示區(qū)域中的負(fù)的空間電荷和負(fù)的壁電荷限制到偽Y電極UY1，UY2，BY1和BY2上。
在啟動(dòng)階段的降壓間隔SD和尋址階段中，偽Z電極UZ和BZ以及維持電極Z維持正的電壓。在降壓間隔和尋址階段中，被應(yīng)用到偽Z電極UZ和BZ的正的DC電壓將在非顯示區(qū)域中的負(fù)的空間電荷和負(fù)的壁電荷限制到偽Z電極UZ和BZ上。被提供到維持電極Z的DC電壓Zdc在維持電極Z和掃描電極Y之間或在維持電極Z和尋址電極X之間建立了電壓差值，使得在降壓間隔中，在維持電極Z和掃描電極Y1到Y(jié)n之間引起降壓放電，并且在尋址階段中，在掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z之間不會(huì)引起大的放電。
在維持階段中，交替的將維持脈沖sus應(yīng)用到掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z。在這時(shí)，類似于掃描電極Y1到Y(jié)n，向偽Y電極UY和BY提供維持電壓，而且類似于維持電極Z，向偽Z電極UZ和BZ提供維持電壓，但是即使在應(yīng)用維持電壓的情況下，由于在非顯示區(qū)域中的壁電荷很少，所以在非顯示區(qū)域中不會(huì)產(chǎn)生非正常放電。在有效區(qū)域中，在將單元中的壁電壓加到維持脈沖sus時(shí)，只要應(yīng)用了維持脈沖sus，由尋址放電選擇的單元都會(huì)引起維持放電，就是說(shuō)顯示放電。
在結(jié)束維持放電之后，將擦除斜面波形ramp-ers應(yīng)用到維持電極Z和偽Z電極YZ和BZ。通過(guò)擦除斜面波形ramp-ers的幫助，擦除留在有效區(qū)域和非顯示區(qū)域中的壁電荷。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于PDP的驅(qū)動(dòng)設(shè)備。
參考圖14，驅(qū)動(dòng)設(shè)備具有和如圖10所示的用于PDP的驅(qū)動(dòng)設(shè)備相同的元件，除了該設(shè)備還包括用于檢測(cè)流進(jìn)偽電極的電流的電流檢測(cè)器70和響應(yīng)于由電流檢測(cè)器70檢測(cè)到的電流值而操作的開(kāi)關(guān)裝置72。因此，將省略對(duì)相同元件的詳細(xì)解釋。
電流檢測(cè)器70檢測(cè)流進(jìn)上/下Y偽電極UY1，UY2，BY1和BY2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電流。換句話說(shuō)，電流檢測(cè)器70檢測(cè)從掃描驅(qū)動(dòng)IC56產(chǎn)生并且流進(jìn)上/下Y偽電極UY1，UY2，BY1和BY2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電流，并且檢測(cè)因?yàn)榉钦７烹姸聪蛄鬟M(jìn)掃描驅(qū)動(dòng)IC56或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC68的非正常放電電流。當(dāng)檢測(cè)到的電流值大于臨界值時(shí)，電流檢測(cè)器70將電流限制信號(hào)CS應(yīng)用到開(kāi)關(guān)裝置72。
響應(yīng)于電流限制信號(hào)CS而打開(kāi)開(kāi)關(guān)裝置72的開(kāi)關(guān)，由此通過(guò)低壓VL(例如接地電壓)分流越限電流。
因此，可以將正常的驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到上/下Y偽電極UY1，UY2，BY1和BY2，并且防止通過(guò)上/下Y偽電極UY1，UY2，BY1和BY2輸入到掃描驅(qū)動(dòng)IC56或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC68的越限電流。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，限制了流進(jìn)任意的至少一個(gè)偽Y電極和偽Z電極的電流。因此，越限電流不流進(jìn)任意的至少一個(gè)偽Y電極和偽Z電極，從而產(chǎn)生穩(wěn)定的初始化放電，使得可以防止電荷的局部過(guò)度累積，從而防止非正常放電。另外，可以防止非正常越限電流到驅(qū)動(dòng)IC的反向輸入，使得可以防止對(duì)驅(qū)動(dòng)IC的損壞。
雖然通過(guò)如上所述的如圖所示的實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解本發(fā)明并不限定于實(shí)施例，而是可在不脫離本發(fā)明的精神的情況下做出多種改變或修改。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由所附權(quán)利要求及其等效物確定。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)的與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，所述設(shè)備包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器，其用于驅(qū)動(dòng)所述有限區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極；以及電流限制裝置，其位于任意的至少一個(gè)偽電極和驅(qū)動(dòng)器之間，用于限制流進(jìn)偽電極的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該電流限制裝置是電阻器和線圈中的任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該電流限制裝置具有大約10Ω到10KΩ的電阻值。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中，向所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極和所述非顯示區(qū)域的任意的至少一個(gè)偽電極提供相同的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該驅(qū)動(dòng)器包括掃描驅(qū)動(dòng)器，其用于將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)掃描電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極。
6.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該驅(qū)動(dòng)器包括尋址驅(qū)動(dòng)器，其用于將第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的尋址電極。
7.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該驅(qū)動(dòng)器包括維持驅(qū)動(dòng)器，其用于將第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)用到所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)維持電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極。
8.一種用于驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)的與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，所述設(shè)備包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器，其用于驅(qū)動(dòng)所述有效區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電極和所述非顯示區(qū)域的偽電極；以及越限電流消除裝置，其位于任意的至少一個(gè)偽電極和驅(qū)動(dòng)器之間，用于檢測(cè)流進(jìn)偽電極的越限電流并且分流檢測(cè)到的越限電流。
9.如權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中該越限電流消除裝置包括電流檢測(cè)器，其用于在流進(jìn)偽電極的電流值大于臨界值時(shí)產(chǎn)生電流控制信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)裝置，其用于響應(yīng)于所述電流控制信號(hào)將所述越限電流分流進(jìn)低電壓。
10.一種驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)的與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的方法，所述方法包括下面的步驟限制流進(jìn)位于所述非顯示區(qū)域中的任意的至少一個(gè)偽電極的電流。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，向所述有效區(qū)域的任意的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極和位于所述非顯示區(qū)域中的任意的至少一個(gè)偽電極提供相同的信號(hào)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在用于初始化所述有效區(qū)域的單元的初始化階段中，向所述有效區(qū)域的所述至少一個(gè)偽電極和掃描電極提供初始化波形，并且在用于選擇單元的尋址階段中，向所述有效區(qū)域的所述至少一個(gè)偽電極和掃描電極提供直流電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述尋址階段中，向所述有效區(qū)域的尋址電極提供數(shù)據(jù)脈沖。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述初始化階段的至少一個(gè)部分和所述尋址階段中，向所述有效區(qū)域的維持電極和所述至少一個(gè)偽電極提供所述直流電壓。
15.一種驅(qū)動(dòng)具有用于顯示畫面的有效區(qū)域和在有效區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)的與其相鄰的非顯示區(qū)域的等離子顯示面板的方法，所述方法包括下面的步驟檢測(cè)流進(jìn)所述非顯示區(qū)域的偽電極的越限電流；以及將所述檢測(cè)到的越限電流分流進(jìn)接地電壓。
全文摘要
公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法和設(shè)備，其用于防止由從非顯示區(qū)域產(chǎn)生的非正常放電所引起的對(duì)驅(qū)動(dòng)集成電路的損壞。在此設(shè)備中，多個(gè)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)有效區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電極和非顯示區(qū)域的偽電極。電流限制器位于任意的至少一個(gè)偽電極和驅(qū)動(dòng)器之間，用于限制流進(jìn)偽電極的電流。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1573866SQ200410059389
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月20日
發(fā)明者鄭文植, 申仲燮 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社