專(zhuān)利名稱(chēng)：電壓電平轉(zhuǎn)換裝置及連續(xù)脈沖發(fā)生器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，特別是有關(guān)于適用于液晶顯示器的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，用以降低在轉(zhuǎn)換輸入信號(hào)的電壓電平時(shí)所造成的能量損耗。
背景技術(shù)：
圖1為表示公知液晶顯示器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。傳統(tǒng)液晶顯示器系統(tǒng)包括顯示區(qū)10、柵極驅(qū)動(dòng)器11、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12、電平移位器13以及時(shí)序控制器14。其中，電平移位器13接收來(lái)自時(shí)序控制器14的多個(gè)時(shí)序信號(hào)。由于時(shí)序信號(hào)的電平較低，導(dǎo)致后端組件無(wú)法正確辨識(shí)時(shí)序信號(hào)。為了使后端組件可以正確地讀取時(shí)序信號(hào)，電平移位器13將所接收的時(shí)序信號(hào)的電平提高。接著，被提高電平的時(shí)序信號(hào)由電平移位器13所輸出，并驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器11及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12，以在顯示區(qū)10顯示畫(huà)面。
一般而言，電平移位器的電路型態(tài)可分為兩種，如圖2及圖3所示。在該兩種電路類(lèi)型中，主要的差異在于，電平移位器接收輸入信號(hào)的位置不同。如圖2所示，電平移位器20的輸入信號(hào)Vin20輸入至NMOS晶體管N20的柵極；且輸入信號(hào)XVin20輸入至NMOS晶體管N21的柵極，其中輸入信號(hào)Vin20及XVin20互為反相。此外，由于電平移位器20需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)轉(zhuǎn)換信號(hào)電平，為了節(jié)省時(shí)間，一般較常使用電平移位器30。
如圖3所示，電平移位器30的輸入信號(hào)Vin30輸入至NMOS晶體管N30的源極；且輸入信號(hào)XVin30輸入至NMOS晶體管N31的源極，其中輸入信號(hào)Vin30及XVin30互為反相。在電平移位器30中，PMOS晶體管P30及P31的源極接耦接于電源VDD30。由于NMOS晶體管N30及N31的柵極耦接于高電平的電源VDD30，故NMOS晶體管N30及N31維持導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)NMOS晶體管N30的源極所接收的輸入信號(hào)Vin30維持在低電平且輸入信號(hào)XVin30維持在高電平時(shí)，PMOS晶體管P31導(dǎo)通，PMOS晶體管P30關(guān)斷。此時(shí)，由于電源VDD30的電平，與輸入信號(hào)XVin30的高電平不相等，故在PMOS晶體管P31的源極與NMOS晶體管N31的源極間形成一直流電流路徑。該電流路徑的形成增加系統(tǒng)的能量損耗，也降低顯示區(qū)10內(nèi)薄膜晶體管的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明主要目的在于提供一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，適用于液晶顯示器，用以解決當(dāng)電壓電平轉(zhuǎn)換裝置轉(zhuǎn)換輸入信號(hào)時(shí)所造成的能量損耗。
為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明提出一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置(voltage levelshifter)，包括轉(zhuǎn)換單元及控制單元。轉(zhuǎn)換單元根據(jù)互為反相的一第一及第二信號(hào)的電平以輸出一第三信號(hào)，其中，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)維持在第一電平時(shí)，電流路經(jīng)形成于所述轉(zhuǎn)換單元?？刂茊卧罱铀鲛D(zhuǎn)換單元，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)維持在第一電平時(shí)，用以阻斷電流路徑。
為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明更提出一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，包括轉(zhuǎn)換單元及控制單元。轉(zhuǎn)換單元具有第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二PMOS晶體管及第二NMOS晶體管，且第一PMOS晶體管與第一NMOS晶體管互相串接于第一電壓源與第一節(jié)點(diǎn)之間，第二PMOS晶體管與第二NMOS晶體管互相串接于第一電壓源與第二節(jié)點(diǎn)之間，此外，第一及第二節(jié)點(diǎn)分別耦接第二PMOS及第一PMOS的柵極，第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的柵極耦接第一電壓源。
控制單元具有第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)以及至少一個(gè)第三開(kāi)關(guān)。第一開(kāi)關(guān)具有第一控制端、耦接正向輸入端的第一輸入端、以及耦接第一節(jié)點(diǎn)的第一輸出端。第二開(kāi)關(guān)具有第二控制端、耦接反向輸入端的第二輸入端、以及耦接第二節(jié)點(diǎn)的第一輸出端。第三開(kāi)關(guān)具有第三控制端、耦接第一電壓源的第三輸入端、以及耦接第一及第二節(jié)點(diǎn)的第三輸出端。
其中，第一至第三控制端均耦接起動(dòng)信號(hào)。當(dāng)起動(dòng)信號(hào)處于第一電平時(shí)，所述第一及第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，且第三開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通，而將由正向及反相輸入端所輸入的互補(bǔ)的第一及第二信號(hào)送至第一及第二節(jié)點(diǎn)，由轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。當(dāng)起動(dòng)信號(hào)處于第二電平時(shí)，第一及第二開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通，且第三開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，而將第一電壓源的電壓送所述第一及第二節(jié)點(diǎn)，以使第一由第三電平變化至第四電平之后，其與第一電壓源之間無(wú)直流路徑發(fā)生。


為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下圖1表示公知液晶顯示器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2及圖3表示公知電平移位器。
圖4表示本發(fā)明實(shí)施例的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置的一操作例子。
圖5表示在公知液晶顯示器中，柵極驅(qū)動(dòng)器的脈沖發(fā)生器與電平移位器(level shifter)的方塊圖。
圖6表示脈沖發(fā)生器發(fā)生脈沖的時(shí)序圖。
圖7表示本發(fā)明實(shí)施例的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置的另一操作例子。
圖8表示圖7的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置的操作時(shí)序圖。
符號(hào)說(shuō)明10～顯示區(qū)；11～柵極驅(qū)動(dòng)器；12～數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；13～電平移位器；14～時(shí)序控制器；20、30～電平移位器；40～轉(zhuǎn)換單元；41～控制單元；50～脈沖發(fā)生器；51～電平移位器；70～轉(zhuǎn)換單元；71～控制單元；72～起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元；73～脈沖發(fā)生器；NO1、NO2～節(jié)點(diǎn)；N20、N21、N30、N31、N40...N43～NMOS晶體管；P20、P21、P30、P31、P40...P43～PMOS晶體管；P51...P5N、P71...P7M～脈沖；SB30、SB40、VB70～起動(dòng)信號(hào)T30、T40～反相器；VDD20、VDD30、VDD40～電壓源；VDD20～電壓源；Vin20、Vin30、Vin40、Vin50、Vin70～輸入信號(hào)；XVin20、XVin30、XVin40、XVin50、XVin70～輸入信號(hào)；Vout20、Vout30、Vout40、Vout50～輸出信號(hào)；具體實(shí)施方式

圖4為表示本發(fā)明實(shí)施例的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置的一操作例子。電壓電平轉(zhuǎn)換裝置包括轉(zhuǎn)換單元40及控制單元41。轉(zhuǎn)換單元40具有NMOS晶體管N40及N41、PMOS晶體管P40及P41、以及反相器T40。NMOS晶體管N40的柵極耦接于具有高電平的電源VDD40，且NMOS晶體管N40的源極耦接節(jié)點(diǎn)NO1。NMOS晶體管N41的柵極耦接于具有高電平的電源VDD40，且NMOS晶體管N41的源極耦接節(jié)點(diǎn)NO2。PMOS晶體管P40的柵極耦接節(jié)點(diǎn)NO2，PMOS晶體管P40的源極耦接電源VDD40，以及PMOS晶體管P40的漏極耦接NMOS晶體管N40的漏極。PMOS晶體管P41的柵極耦接節(jié)點(diǎn)NO1，PMOS晶體管P41的源極耦接電源VDD40，以及PMOS晶體管P41的漏極耦接NMOS晶體管N41的漏極。反相器T40的輸入端耦接NMOS晶體管N41及PMOS晶體管P41的漏極。
控制單元41包括NMOS晶體管N42及N43、以及PMOS晶體管P42及P43。NMOS晶體管N42的柵極接收一起動(dòng)信號(hào)SB40，NMOS晶體管N42的漏極耦接節(jié)點(diǎn)NO1，且NMOS晶體管N42的源極接收輸入信號(hào)Vin40。NMOS晶體管N43的柵極接收起動(dòng)信號(hào)SB40，NMOS晶體管N43的漏極耦接節(jié)點(diǎn)NO2，且NMOS晶體管N43的源極接收輸入信號(hào)XVin40。PMOS晶體管P42的柵極接收起動(dòng)信號(hào)SB40，PMOS晶體管P42的源極耦接節(jié)點(diǎn)NO1，且PMOS晶體管P42的漏極耦接電源VDD40。PMOS晶體管P43的柵極接收起動(dòng)信號(hào)SB40，PMOS晶體管P43的源極耦接節(jié)點(diǎn)NO2，且PMOS晶體管P43的漏極耦接電源VDD40。其中，輸入信號(hào)Vin40與輸入信號(hào)XVin40互為反相。
當(dāng)輸入信號(hào)Vin40維持在高電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)SB40為高電平，PMOS晶體管P42及P43關(guān)斷，且NMOS晶體管N42及N43導(dǎo)通。此時(shí)輸入信號(hào)Vin40輸入至NMOS晶體管N40的源極，且輸入信號(hào)XVin40輸入至NMOS晶體管N41的源極。此外，PMOS晶體管P40為導(dǎo)通且PMOS晶體管P41為關(guān)斷。由于NMOS晶體管N40及N41的柵極耦接電源VDD40，故NMOS晶體管N40及N41維持于導(dǎo)通狀態(tài)。由上述晶體管的操作可知，反相器T40輸入端為低電平。通過(guò)反相器T40的作用后，反相器T40輸出一高電平的輸出信號(hào)VOUT40。
當(dāng)輸入信號(hào)Vin40維持在高電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)SB40為高電壓電平，NMOS晶體管N42及N43導(dǎo)通，且PMOS晶體管P42及P43關(guān)斷。輸入信號(hào)Vin40與XVin40分別傳送至節(jié)點(diǎn)NO1及NO2，且由轉(zhuǎn)換單元40進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，最后通過(guò)反相器T40輸出。
當(dāng)輸入信號(hào)Vin40維持在低電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)SB40為低電平，PMOS晶體管P42及P43導(dǎo)通，且NMOS晶體管N42及N43關(guān)斷。此時(shí)，NMOS晶體管N40及N41的源極的電平與電源VDD40的電平值相同，即為電源VDD40的電壓值。PMOS晶體管P40及P41關(guān)斷。由上述晶體管的操作可知，反相器T40的輸入端為高電平。通過(guò)反相器T40的作用后，反相器T40輸出一低電平的輸出信號(hào)Vout40，以實(shí)現(xiàn)電壓電平轉(zhuǎn)換的作用。在輸入信號(hào)Vin40維持在低電平的情況下，雖然NMOS晶體管N41為持續(xù)導(dǎo)通，但是通過(guò)起動(dòng)信號(hào)SB40的控制，使PMOS晶體管P41關(guān)斷以斷絕了直流電流路徑，降低電能量損耗。此外，由于反相器T40的輸入端信號(hào)為高電平，故轉(zhuǎn)換單元40的輸出信號(hào)Vout40為低電平，且輸出信號(hào)Vout40的電平值也通過(guò)反相器401作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，以實(shí)施電平移位器的應(yīng)有操作。
本發(fā)明實(shí)施例中的起動(dòng)信號(hào)的電平改變可以利用一脈沖發(fā)生器來(lái)操作。參閱圖5，在公知液晶顯示器的柵極驅(qū)動(dòng)器中具有脈沖發(fā)生器50。當(dāng)電平移位器51根據(jù)輸入信號(hào)Vin50而輸出驅(qū)動(dòng)脈沖至脈沖發(fā)生器50時(shí)，脈沖發(fā)生器50連續(xù)發(fā)生多個(gè)脈沖。圖6為表示脈沖發(fā)生器50發(fā)生脈沖的時(shí)序圖。當(dāng)輸入信號(hào)Vin50為高電平時(shí)，脈沖發(fā)生器50開(kāi)始依序發(fā)生N個(gè)脈沖(P51至P5N)。在發(fā)生N個(gè)脈沖期間輸入信號(hào)Vin50維持在低電平，直到發(fā)生脈沖P5N后，輸入信號(hào)Vin50變?yōu)楦唠娖矫}沖，以再次驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器50發(fā)生N個(gè)脈沖。
圖7為表示本發(fā)明實(shí)施例的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置的另一操作的例子。該位電壓電平轉(zhuǎn)換裝置除了包括轉(zhuǎn)換單元70及控制單元71外，還包括起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72及脈沖發(fā)生器73。轉(zhuǎn)換單元70及控制單元71內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)如圖4所示。起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72接收脈沖發(fā)生器73所發(fā)生的第一及第M個(gè)脈沖。在輸入信號(hào)Vin70為高電平，且通過(guò)轉(zhuǎn)換單元70的電壓轉(zhuǎn)換以輸出Vout70來(lái)驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器73發(fā)生第一個(gè)脈沖后，輸入信號(hào)Vin70變?yōu)榈碗娖?，并維持在低電平，直到發(fā)生第M個(gè)脈沖后，輸入信號(hào)Vin70才恢復(fù)為高電平。因此，起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72根據(jù)第一及第M個(gè)脈沖而可得知Vin70的電平，以決定起動(dòng)信號(hào)VB70的電平。
如圖8所示，輸入信號(hào)Vin70以一高電平脈沖，來(lái)驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器73發(fā)生M個(gè)脈沖(P71至P7M)，當(dāng)輸入信號(hào)Vin70輸入，驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器73后，立刻回復(fù)至低電平。對(duì)于起動(dòng)信號(hào)VB70而言，當(dāng)脈沖P71由高電平變化為低電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)VB70由高電平變化為低電平，且維持在低電平。當(dāng)脈沖P7M由高電平變化為低電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)VB70由低電平變化為高電平。
綜上所述，當(dāng)輸入信號(hào)Vin70為低電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72根據(jù)脈沖P71以輸出低電平的起動(dòng)信號(hào)VB70。控制單元71接收起動(dòng)信號(hào)VB70后，其操作如前所述，以斷開(kāi)在公知技術(shù)中，當(dāng)輸入信號(hào)維持在低電平時(shí)所發(fā)生的直流電流路徑，并降低電能量損耗。另一方面，當(dāng)輸入信號(hào)Vin70為高電平時(shí)，起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72以根據(jù)脈沖P7M以輸出高電平的起動(dòng)信號(hào)VB70?？刂茊卧?1接收起動(dòng)信號(hào)VB70后，其操作如前所述，執(zhí)行一般操作。
如此，本發(fā)明的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置利用在液晶顯示器時(shí)，可利用柵極驅(qū)動(dòng)器的脈沖發(fā)生器來(lái)得知輸入信號(hào)的電平，以進(jìn)一步改變起動(dòng)信號(hào)的電平。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)所造成的能量損耗，通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的控制而降低。
本發(fā)明的實(shí)施例中，以脈沖P71及P7M的下降緣以觸發(fā)起動(dòng)信號(hào)VB70的變動(dòng)。在實(shí)際應(yīng)用上不以此為限，也可以脈沖P71及P7M的上升緣以觸發(fā)起動(dòng)信號(hào)VB70的變動(dòng)。脈沖發(fā)生器73所發(fā)生脈沖數(shù)M，可依系統(tǒng)所需而確定其值。
本發(fā)明的起動(dòng)信號(hào)VB70可以由外部電路直接提供，而不需由起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72所發(fā)生。此外，起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元72可直接發(fā)生起動(dòng)信號(hào)VB70以提供至控制單元71，而不需通過(guò)脈沖P71及P7M來(lái)發(fā)生起動(dòng)信號(hào)VB70。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所提出的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，包括一轉(zhuǎn)換單元，根據(jù)互為反相的一第一及第二信號(hào)的電平以輸出一第三信號(hào)，其中，當(dāng)所述第一信號(hào)維持在一第一電平時(shí)，一電流路徑形成于所述轉(zhuǎn)換單元；以及一控制單元，耦接所述轉(zhuǎn)換單元，當(dāng)所述第一信號(hào)維持在所述第一電平時(shí)，用以阻斷所述電流路徑。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述控制單元接收一起動(dòng)信號(hào)，當(dāng)所述第一信號(hào)維持在所述第一電平時(shí)，所述控制單元根據(jù)所述起動(dòng)信號(hào)以阻斷所述電流路徑。
3.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述轉(zhuǎn)換單元具有多個(gè)晶體管，所述第一及第二信號(hào)提供至兩晶體管的源極或漏極。
4.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，還包括一起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器，用以提供一起動(dòng)信號(hào)至所述控制單元，當(dāng)所述第一信號(hào)維持在所述第一電平時(shí)，所述控制單元根據(jù)所述起動(dòng)信號(hào)以阻斷所述電流路徑。
5.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，還包括一脈沖發(fā)生單元，根據(jù)所述第三信號(hào)以每次發(fā)生多個(gè)的連續(xù)脈沖，在每次發(fā)生的所述脈沖中包括最先發(fā)生的一第一脈沖及最后發(fā)生的一最終脈沖；以及一起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器，耦接所述第一及最終脈沖，當(dāng)所述第一脈沖信號(hào)由一第二電平變化至一第三電平時(shí)，所述起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器輸出第四電平的一起動(dòng)信號(hào)至所述控制單元，使得所述控制單元根據(jù)所述起動(dòng)信號(hào)以阻斷所述電流路徑。
6.如權(quán)利要求5所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，當(dāng)所述最終脈沖信號(hào)由所述第二電平變化至所述第三電平時(shí)，所述起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器輸出第五電平的所述起動(dòng)信號(hào)至所述控制單元。
7.如權(quán)利要求5所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，當(dāng)所述第一信號(hào)為一所述第六電平時(shí)，所述脈沖發(fā)生單元發(fā)生所述脈沖，其中，所述第一信號(hào)維持在第一電平的時(shí)間較維持在第六電平的時(shí)間長(zhǎng)。
8.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述第一及第二信號(hào)直接輸入至所述轉(zhuǎn)換單元。
9.如權(quán)利要求1所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述第一及第二信號(hào)通過(guò)所述控制單元以輸入至所述轉(zhuǎn)換單元。
10.一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，包括一轉(zhuǎn)換單元，包括一第一PMOS晶體管與一第一NMOS晶體管，互相串接于一第一電壓源與一第一節(jié)點(diǎn)之間；以及，一第二PMOS晶體管與一第二NMOS晶體管，互相串接于所述第一電壓源與一第二節(jié)點(diǎn)之間，其中，所述第一及第二節(jié)點(diǎn)分別耦接該第二PMOS及所述第一PMOS的柵極，所述第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的柵極耦接所述第一電壓源；以及一控制單元，包括一第一開(kāi)關(guān)，具有一第一控制端、一第一輸入端耦接一正相輸入端、一第一輸出端耦接所述第一節(jié)點(diǎn)；一第二開(kāi)關(guān)，具有一第二控制端、一第二輸入端耦接一反向輸入端、一第二輸出端耦接所述第二節(jié)點(diǎn)；以及，至少一第三開(kāi)關(guān)，具有一第三控制端、一第三輸入端耦接所述第一電壓源、一第三輸出端耦接所述第一及第二節(jié)點(diǎn)；其中，所述第一至第三控制端均耦接一起動(dòng)信號(hào)；當(dāng)所述起動(dòng)信號(hào)處于一第一電平時(shí)，所述第一及第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通、所述第三開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通，而將由所述正向及反相輸入端所輸入的互補(bǔ)的一第一及第二信號(hào)送至所述第一及第二節(jié)點(diǎn)，由所述轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換；當(dāng)所述起動(dòng)信號(hào)處于一第二電平時(shí)，所述第一及第二開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通、所述第三開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，而將所述第一電壓源的電壓送至所述第一及第二節(jié)點(diǎn)，以使所述第一信號(hào)由一第三電平變化至一第四電平之后，所述正向或反相輸入端與所述第一電壓源之間無(wú)直流路徑發(fā)生。
11.如權(quán)利要求10所述的電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述第一及第二開(kāi)關(guān)為NMOS晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)為PMOS晶體管。
12.一種連續(xù)脈沖發(fā)生器，適用一液晶顯示面板，包括一電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，具有一正向輸入端耦接一第一信號(hào)，及一反相輸入端耦接一第二信號(hào)，用以轉(zhuǎn)換所述第一信號(hào)的電平而輸出一起始脈沖信號(hào)；一脈沖發(fā)生器，耦接所述電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，用以根據(jù)所述起始脈沖信號(hào)依序發(fā)生一第一至第N連續(xù)脈沖信號(hào)；以及一起動(dòng)信號(hào)發(fā)生單元，用以輸出一起動(dòng)信號(hào)，且耦接所述第一及第N循序脈沖信號(hào)，當(dāng)所述第一循序脈沖信號(hào)由一第一電平變化至一第二電平時(shí)，所述起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器驅(qū)使所述起動(dòng)信號(hào)由一第三電平變化至一第四電平，當(dāng)所述第N循序脈沖信號(hào)由所述第一電平變化至所述第二電平時(shí)，所述起動(dòng)信號(hào)發(fā)生器驅(qū)使所述起動(dòng)信號(hào)由所述第四電平變化至所述第三電平；其中，所述電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，包括一轉(zhuǎn)換單元，包括一第一PMOS晶體管與一第一NMOS晶體管，互相串接于一第一電壓源與一第一節(jié)點(diǎn)之間；以及，一第二PMOS晶體管與一第二NMOS晶體管，互相串接于所述第一電壓源與一第二節(jié)點(diǎn)之間，其中，所述第一及第二節(jié)點(diǎn)分別耦接所述第二PMOS及所述第一PMOS的柵極，所述第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的柵極耦接所述第一電壓源；以及一控制單元，包括一第一開(kāi)關(guān)，具有一第一控制端、一第一輸入端耦接一正向輸入端、一第一輸出端耦接所述第一節(jié)點(diǎn)；一第二開(kāi)關(guān)，具有一第二控制端、一第二輸入端耦接一反向輸入端、一第二輸出端耦接所述第二節(jié)點(diǎn)；以及，至少一第三開(kāi)關(guān)，具有一第三控制端、一第三輸入端耦接所述第一電壓源、一第三輸出端耦接所述第一及第二節(jié)點(diǎn)；其中，所述第一至第三控制端均耦接所述起動(dòng)信號(hào)；當(dāng)所述起動(dòng)信號(hào)處于所述第三電平時(shí)，所述第一及第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通、所述第三開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通，而將由所述正向及反相輸入端所輸入的互補(bǔ)的一第一及第二信號(hào)送至所述第一及第二節(jié)點(diǎn)，由所述轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換；當(dāng)所述起動(dòng)信號(hào)處于所述第四電平時(shí)，所述第一及第二開(kāi)關(guān)不導(dǎo)通、所述第三開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，而將所述第一電壓源的電壓送至所述第一及第二節(jié)點(diǎn)，以使所述第一循序脈沖信號(hào)由所述第一電平變化至所述第二電平后，所述正向或反相輸入端與所述第一電壓源之間無(wú)直流路徑發(fā)生。
13.如權(quán)利要求12所述的連續(xù)脈沖發(fā)生器，其中，所述第一及第二開(kāi)關(guān)為NMOS晶體管，所述第三開(kāi)關(guān)為PMOS晶體管。
14.如權(quán)利要求12所述的連續(xù)脈沖發(fā)生器，其中，所述轉(zhuǎn)換單元還包括一反相器，耦接于所述第二PMOS晶體管與所述第二NMOS晶體管的連接處，用以輸出所述起始脈沖信號(hào)。
全文摘要
一種電壓電平轉(zhuǎn)換裝置，包括轉(zhuǎn)換單元及控制單元。轉(zhuǎn)換單元根據(jù)互為反相的一第一及第二信號(hào)的電平以輸出一第三信號(hào)，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)維持在第一電平時(shí)，控制單元阻斷形成于所述轉(zhuǎn)換單元的一電流路經(jīng)。
文檔編號(hào)G09G3/36GK1564462SQ200410031858
公開(kāi)日2005年1月12日 申請(qǐng)日期2004年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
發(fā)明者郭俊宏, 尤建盛 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司