液體噴出頭和液體噴出設(shè)備的制造方法
【專利摘要】液體噴出頭和液體噴出設(shè)備。一種液體噴出頭，其包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生使液體噴出用的熱的能量產(chǎn)生元件，所述液體噴出頭包括：絕緣層，其設(shè)置成與基板接觸并支撐所述能量產(chǎn)生元件；至少一層傳熱層，其由熱傳導(dǎo)率比所述絕緣層的材料的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，所述至少一層傳熱層設(shè)置在所述絕緣層中、位于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間；以及傳熱構(gòu)件，其使所述至少一層傳熱層與所述基板熱連接，其中，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的不包括位于介于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間的位置處的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。
【專利說明】
液體噴出頭和液體噴出設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及通過利用由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱來從噴出口噴出液體的液體噴出頭。
【背景技術(shù)】
[0002]廣泛地應(yīng)用在液體噴出設(shè)備中的液體噴出頭為以如下方式構(gòu)造的那些液體噴出頭:使能量產(chǎn)生元件通電來對(duì)液體加熱以產(chǎn)生使液體發(fā)泡的膜沸騰(film boi I ing)，利用此時(shí)的發(fā)泡能量，將液滴從噴出口噴出。這種類型的液體噴出頭具有有效地散失由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱，從而避免因存儲(chǔ)了超過必要程度的熱而抑制氣泡的生成的問題。
[0003]美國(guó)專利N0.7,585,053公開了一種液體噴出頭，其被構(gòu)造為:所存儲(chǔ)的熱能被部分地傳導(dǎo)至設(shè)置在絕緣層中且具有相對(duì)高的熱傳導(dǎo)率的傳熱層，并且經(jīng)由設(shè)置在傳熱層與基板之間的傳熱構(gòu)件被快速地傳導(dǎo)至基板。
[0004]在美國(guó)專利N0.7,585,053所公開的液體噴出頭中，由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱會(huì)集中傳導(dǎo)至基板上的位于能量產(chǎn)生元件附近的區(qū)域。這不允許驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等配置在基板的該區(qū)域中，結(jié)果，需要確保用于配置驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的其它空間，這可能會(huì)使液體噴出頭自身大型化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上情況，本發(fā)明的目的在于提供一種被構(gòu)造成避免了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱集中傳導(dǎo)至基板的一部分的液體噴出頭。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種液體噴出頭，其包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生使液體噴出用的熱的能量產(chǎn)生元件，所述液體噴出頭包括:絕緣層，其設(shè)置成與基板接觸并支撐所述能量產(chǎn)生元件;至少一層傳熱層，其由熱傳導(dǎo)率比所述絕緣層的材料的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，所述至少一層傳熱層設(shè)置在所述絕緣層中、位于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間；以及傳熱構(gòu)件，其使所述至少一層傳熱層與所述基板熱連接，其中，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的不包括位于介于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間的位置處的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種液體噴出頭，其包括:基板;傳熱層，其大致平行于所述基板的表面設(shè)置在所述基板的上方;能量產(chǎn)生元件，其設(shè)置在所述傳熱層的上方并產(chǎn)生用于噴出液體的能量；以及傳熱構(gòu)件，其使所述傳熱層與所述基板熱連接，其中，當(dāng)從與所述基板的表面垂直的方向觀察時(shí)，所述傳熱層設(shè)置在所述傳熱層與所述能量產(chǎn)生元件至少部分重疊的位置處，并且所述傳熱構(gòu)件設(shè)置在所述傳熱構(gòu)件不與所述能量產(chǎn)生元件重疊的位置處。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種用于噴出液體的液體噴出頭，該液體噴出頭包括:基板;傳熱層，其大致平行于所述基板的表面設(shè)置在所述基板的上方;能量產(chǎn)生元件，其設(shè)置在所述傳熱層的上方并產(chǎn)生用于噴出液體的能量；以及傳熱構(gòu)件，其使所述傳熱層與所述基板熱連接，其中，當(dāng)從與所述基板的表面垂直的方向觀察時(shí)，關(guān)于與所述能量產(chǎn)生元件重疊的第一區(qū)域和與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域不與所述能量產(chǎn)生元件重疊，設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述傳熱構(gòu)件的密度比設(shè)置在所述第二區(qū)域中的所述傳熱構(gòu)件的密度低。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種包括液體噴出頭的液體噴出設(shè)備，其中，所述液體噴出頭用于向打印介質(zhì)噴出液體以執(zhí)行打印，所述液體噴出頭包括:絕緣層，其設(shè)置成與基板接觸并支撐所述能量產(chǎn)生元件;至少一層傳熱層，其由熱傳導(dǎo)率比所述絕緣層的材料的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，所述至少一層傳熱層設(shè)置在所述絕緣層中、位于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間；以及傳熱構(gòu)件，其使所述至少一層傳熱層與所述基板熱連接，其中，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的不包括位于介于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間的位置處的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。
[0010]通過以下(參照附圖)對(duì)示例性實(shí)施方式的說明，本發(fā)明的其它特征將變得明顯。
【附圖說明】
[0011]圖1是具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的液體噴出頭的液體噴出設(shè)備的示意性立體圖；
[0012]圖2是示出根據(jù)比較例的液體噴出頭的示例的截面圖；
[0013]圖3是用于說明由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱在根據(jù)比較例的液體噴出頭中的擴(kuò)散的圖；
[0014]圖4是透視地示出根據(jù)第一實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖；
[0015]圖5是沿著圖4所示的箭頭α-α截取的液體噴出頭的截面圖；
[0016]圖6是用于說明由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱在根據(jù)第一實(shí)施方式的液體噴出頭中的擴(kuò)散的圖；
[0017]圖7是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式和比較例的液體噴出頭中的基板的上表面溫度的最大值隨時(shí)間變化的曲線圖；
[0018]圖8是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式和比較例的液體噴出頭中的能量產(chǎn)生元件的表面溫度隨時(shí)間變化的曲線圖；
[0019]圖9是透視地示出根據(jù)第二實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖；
[0020]圖10是沿著圖9所示的箭頭β-β截取的液體噴出頭的截面圖；
[0021]圖11是透視地示出根據(jù)第二實(shí)施方式的變型例的液體噴出頭的示例的平面圖；
[0022]圖12是根據(jù)第三實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的截面圖；
[0023]圖13是根據(jù)第三實(shí)施方式的變型例的液體噴出頭的示例的截面圖；
[0024]圖14是透視地示出根據(jù)第四實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖；以及
[0025]圖15是沿著圖14所示的箭頭α’-α’截取的液體噴出頭的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下將參照附圖給出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的液體噴出頭的說明。應(yīng)當(dāng)注意，下述實(shí)施方式為本發(fā)明的適當(dāng)?shù)木唧w示例，因而優(yōu)選地，在技術(shù)上以各種方式進(jìn)行了限制。然而，就本發(fā)明所沿用的概念的而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式不限于下述實(shí)施方式。
[0027]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，設(shè)置在液體噴出頭的絕緣層中的傳熱構(gòu)件與傳熱層的不包括傳熱層上的位于能量產(chǎn)生元件附近的區(qū)域的區(qū)域連接。該構(gòu)造避免了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱集中傳導(dǎo)至基板的一部分，從而允許將熱分散傳導(dǎo)至基板。因此，能夠確保用于配置驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的空間，結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)液體噴出頭的小型化。
[0028]圖1是具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的液體噴出頭的液體噴出設(shè)備A的示意性立體圖。圖1所不的液體嗔出設(shè)備A具有液體嗔出頭單兀U，液體嗔出頭單兀U包括在面對(duì)打印介質(zhì)S的區(qū)域中形成有多個(gè)噴出口的液體噴出頭。液體噴出頭單元U可以被構(gòu)造成例如使得液體噴出頭和墨罐安裝于滑架(未圖示出)。
[0029]液體噴出頭單元U例如由引導(dǎo)軸G以能夠沿由+X、-X表示的主掃描方向移動(dòng)的方式引導(dǎo)和支撐。引導(dǎo)軸G被以沿著打印介質(zhì)S的寬度方向延伸的方式配置。液體噴出頭單元U安裝有帶B，帶B例如經(jīng)由皮帶輪P與驅(qū)動(dòng)馬達(dá)M連接。通過帶B向液體噴出頭單元U輸送驅(qū)動(dòng)馬達(dá)M的驅(qū)動(dòng)力，以使液體噴出頭單元U沿著引導(dǎo)軸G移動(dòng)。在本說明書中，為了便于說明，將液體噴出頭單元U從其原始位置起移動(dòng)的方向和朝向其原始位置移動(dòng)的方向分別設(shè)定為+X方向和-X方向。
[0030]從進(jìn)紙單元(未圖示出)進(jìn)給打印介質(zhì)S，并且通過輸送輥R沿輸送方向、即沿由+Y表示的副掃描方向輸送打印介質(zhì)S。在本說明書中，將打印介質(zhì)S的輸送方向和與輸送方向相反的方向分別設(shè)定為+Y方向和-Y方向。
[0031 ]液體噴出設(shè)備A通過重復(fù)如下操作來對(duì)打印介質(zhì)S執(zhí)行連續(xù)打印:在液體噴出頭單元U沿主掃描方向移動(dòng)的同時(shí)沿由+Z表示的方向噴出諸如墨等的液體的打印操作，以及輸送打印介質(zhì)S的輸送操作。在本說明書中，將液體從液體噴出頭噴出的方向和與其相反的方向分別設(shè)定為+Z方向和-Z方向。由+X、-X表示的方向、由+Y、-Y表示的方向以及由+Z、-Z表示的方向彼此正交。
[0032]如上所述，液體噴出設(shè)備A為所謂的串行掃描型液體噴出設(shè)備，其中通過液體噴出頭沿主掃描方向移動(dòng)并沿副掃描方向輸送打印介質(zhì)S來打印圖像。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于這種類型，并且可以應(yīng)用所謂的全幅型(full-line type)液體噴出設(shè)備，其中使用在與打印介質(zhì)S的整個(gè)寬度對(duì)應(yīng)的范圍延伸的液體噴出頭。
[0033]以下將說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的液體噴出頭的構(gòu)造，基于由圖1中的箭頭表示的方向X、Y和Z作出說明。首先，將給出作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的比較例的如下傳統(tǒng)液體噴出頭的說明:該傳統(tǒng)液體噴出頭具有向基板傳導(dǎo)從能量產(chǎn)生元件散發(fā)的熱的傳熱層和傳熱構(gòu)件。應(yīng)當(dāng)注意，下述液體噴出頭為噴墨打印頭，但是本發(fā)明不限于這種類型。此外，在本說明書中，除非另外特別提及，“上”表示+Z方向，“下”表示-Z方向。
[0034]〈比較例〉
[0035]圖2是示出根據(jù)比較例的液體噴出頭的示例的截面圖。根據(jù)比較例的液體噴出頭具有:基板I;絕緣層2，其形成于基板I;以及能量產(chǎn)生元件3，其形成在絕緣層2中。此外，根據(jù)比較例的液體噴出頭具有:傳熱層4，其形成于絕緣層2并且位于能量產(chǎn)生元件3的下方；多個(gè)通路(vias)5，其使傳熱層4與基板I熱連接并且用作傳熱構(gòu)件；以及流路形成構(gòu)件6，其形成于絕緣層2上。此外，根據(jù)比較例的液體噴出頭包括例如:供給口 7，其穿過基板I和絕緣層2，用于引導(dǎo)液體進(jìn)入流路8;以及流路8，其被設(shè)置成使供給口 7與壓力室9連通。根據(jù)比較例的液體噴出頭還被構(gòu)造成包括:壓力室9，其與噴出口 10連通；以及噴出口 10，其噴出液體以對(duì)打印介質(zhì)執(zhí)行打印。如由圖2中的輪廓箭頭(out I i ne arrow)所示，液體從供給口 7流過流路8進(jìn)入壓力室9。
[0036]圖3是用于說明由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱在根據(jù)比較例的液體噴出頭中的擴(kuò)散的圖，并且將在以下(I)至(4)中說明具體示例:
[0037](I)首先，為了液體噴出，開始對(duì)能量產(chǎn)生元件3施加電壓，以使能量產(chǎn)生元件3開始產(chǎn)生熱；
[0038](2)向與能量產(chǎn)生元件3的位于+Z方向側(cè)的表面相鄰的液體賦予由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱；
[0039](3)同時(shí)，由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱如由黑色實(shí)心箭頭所示地從能量產(chǎn)生元件3向下擴(kuò)散，以向傳熱層4傳導(dǎo)該熱；以及
[0040](4)如黑色實(shí)心箭頭所示，傳導(dǎo)至傳熱層4的熱集中傳導(dǎo)至傳熱層4的下表面上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域，隨后集中地流入基板I上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域。這里，“傳熱層的下表面”是指?jìng)鳠釋?的與基板I相對(duì)的表面，“能量產(chǎn)生元件正下方”是指當(dāng)從能量產(chǎn)生元件觀察時(shí)的-Z方向?！皞鳠釋拥南卤砻嫔系奈挥谀芰慨a(chǎn)生元件正下方的區(qū)域”是指?jìng)鳠釋拥南卤砻嫔系慕橛谀芰慨a(chǎn)生元件與基板之間的位置處的區(qū)域(正下方區(qū)域)。此外，“基板上”是指基板的上表面、即基板的與能量產(chǎn)生元件相對(duì)的表面，“基板上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域”是指基板的上表面上的介于能量產(chǎn)生元件與基板下表面之間的位置處的區(qū)域。
[0041]以這種方式，根據(jù)比較例的液體噴出頭被構(gòu)造成使得通過基板I向外散發(fā)由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱，但是該熱會(huì)快速集中地流入基板I上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域。這會(huì)在基板I上造成局部高度加熱的點(diǎn)，由此在驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等配置于該點(diǎn)處的情況下會(huì)導(dǎo)致噪音或故障。因此，會(huì)降低驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，因而難以使液體噴出頭小型化。
[0042]〈第一實(shí)施方式〉
[0043]圖4是透視地示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖，圖5是沿著圖4所示的箭頭α-α截取的液體噴出頭的截面圖。圖5所示的液體噴出頭被構(gòu)造成使得使傳熱層4的下表面與基板I熱連接的通路與根據(jù)圖2所示的比較例的液體噴出頭不同地配置。
[0044]根據(jù)本實(shí)施方式，如圖5所不，多個(gè)通路(via)45a沿+X方向設(shè)置在傳熱層4的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域中，多個(gè)通路45b沿-X方向設(shè)置在傳熱層4的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域中。通路形成以預(yù)定的間隔沿X方向配置的通路列，并且在Y方向上形成有多個(gè)通路列。此外，如圖4所示，當(dāng)從與基板垂直的方向觀察時(shí)，通路設(shè)置在不與能量產(chǎn)生元件3重疊的區(qū)域(第一區(qū)域)中，傳熱層4設(shè)置在與能量產(chǎn)生元件3部分重疊的區(qū)域(第二區(qū)域)中。此外，傳熱層4連續(xù)地設(shè)置在第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域中。如圖5所示，傳熱層4大致平行于基板I的表面設(shè)置在基板I的上方，能量產(chǎn)生元件3設(shè)置在傳熱層4的上方。
[0045]用與比較例相同的附圖標(biāo)記表示構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭的功能與比較例的元件相同的元件。
[0046]根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭設(shè)置有多個(gè)液體噴出口。圖4僅不出了設(shè)置在相對(duì)于供給口 7的+X方向的液體噴出口 1，但是在實(shí)際的液體噴出頭中，在-X方向側(cè)有同樣的構(gòu)造。在這種情況下，位于-x方向側(cè)的多個(gè)液體噴出口在Y方向上可以配置在與圖中所示的多個(gè)噴出口相同的位置處，或者在Y方向上可以配置在相對(duì)于圖中的多個(gè)噴出口 10錯(cuò)開半個(gè)節(jié)距的位置處、即以鋸齒狀的方式配置。
[0047]基板I可以由具有比構(gòu)成絕緣層2的材料的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)率的例如硅(Si)材料的材料構(gòu)成。絕緣層2由例如二氧化硅構(gòu)成，并且具有使基板I與將稍后說明的配線層電絕緣的絕緣性。此外，絕緣層2被設(shè)置成與基板I接觸，并且被構(gòu)造成支撐能量產(chǎn)生元件3。絕緣層2還具有臨時(shí)保持由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱的功能，以便確保連續(xù)穩(wěn)定地噴出。由與絕緣層2相同的材料或與絕緣層2不同的材料構(gòu)成的另一絕緣層被設(shè)置成覆蓋設(shè)置在絕緣層2中的能量產(chǎn)生元件3。
[0048I能量產(chǎn)生元件3包括例如諸如發(fā)熱電阻元件等的電熱轉(zhuǎn)換元件，并且從驅(qū)動(dòng)電路(未圖示出)經(jīng)由配線層供電，以產(chǎn)生用于噴出液體的熱。出于保護(hù)能量產(chǎn)生元件3不受壓力室9內(nèi)發(fā)生的氣穴的影響的目的，保護(hù)層可以形成在能量產(chǎn)生元件3的上方。
[0049]傳熱層4由如下材料構(gòu)成:具有比絕熱層2的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)率的例如鋁(Al)、鎢(W)、金(Au)和銀(Ag)或包括這些材料的材料，以及具有與這些材料等同的性能的材料。通路45a和45b可以為中空或?qū)嵭牡闹鶢罱Y(jié)構(gòu)，并且可以由與傳熱層4的材料相同的材料構(gòu)成。通路45b配置在供液體流過的供給口 7附近，因而傳導(dǎo)至通路45b的熱可以被流過供給口 7的液體部分地吸收。因此，降低了通過通路45b傳導(dǎo)至基板的熱的熱通量，由此能夠抑制基板上的溫度升高。
[0050]用于限定壓力室9和液體噴出口10的流路形成構(gòu)件6形成于絕緣層2上。供給口 7形成于基板I，并且以與流路8流體連通的方式穿過基板I和絕緣層2。供給口7經(jīng)由流路8與壓力室通過流體連接。流路8與多個(gè)壓力室連通，并且向多個(gè)壓力室中的每一個(gè)連續(xù)地供給經(jīng)由供給口 7而從例如墨罐(未圖示出)供給的液體，以便允許液體從設(shè)置在各壓力室9中的液體噴出口 10連續(xù)地噴出。壓力室9存儲(chǔ)待通過能量產(chǎn)生元件3的作用而噴出的液體。
[0051]圖6是用于說明由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的液體噴出頭中的擴(kuò)散的圖。以下將說明具體示例。(I)至(3)的說明也適用于圖3，因而這里將省略。
[0052](4)傳導(dǎo)至傳熱層4的熱在傳熱層4內(nèi)傳遞、沿著傳熱層4的表面如由黑色實(shí)心箭頭所示的那樣積極地?cái)U(kuò)散，隨后經(jīng)過通路45a和45b、流至基板I的上表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域。
[0053]以這種方式，通過使多個(gè)通路與傳熱層4的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域連接，避免了由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱集中地流向基板I上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域。
[0054]近來，已經(jīng)出現(xiàn)對(duì)以高的速度形成具有高分辨率的圖像和以高密度配置有多個(gè)液體噴出口的液體噴出頭的需求。同時(shí)，考慮到液體噴出頭的制造成本，避免了采用寬的平面形狀(widely flat form)的大型液體噴出頭，而期望形成有成多個(gè)層的配線和電路的緊湊的層疊型液體噴出頭。在緊湊的層疊型結(jié)構(gòu)中，經(jīng)由配線層向能量產(chǎn)生元件供電的驅(qū)動(dòng)電路和晶體管被配置成不妨礙液體噴出，例如配置在位于絕緣層2與基板I之間的區(qū)域中。
[0055]在根據(jù)比較例的液體噴出頭中，由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱會(huì)經(jīng)由傳熱層4和通路5立即到達(dá)基板I上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域，因而位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域有時(shí)會(huì)連續(xù)地維持在高溫下。
[0056]在本實(shí)施方式中，通路不與發(fā)熱層4的下表面上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域連接，因而基板I的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的上表面不容易連續(xù)地維持在高溫下，由此允許驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等配置在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中。因此，改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0057]圖7是用于說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式和比較例的液體噴出頭中的基板的上表面溫度的最大值隨時(shí)間變化的圖。在圖7所示的曲線圖中，縱軸代表基板I的上表面溫度的最大值，橫軸代表時(shí)間。在圖7中，將開始對(duì)能量產(chǎn)生元件3施加電壓的時(shí)間設(shè)為原點(diǎn)0，虛線和實(shí)線分別代表比較例和第一實(shí)施方式的曲線。圖7所示的曲線圖是以如下方式通過使用三維模擬得到的:制作基板I的上表面的溫度分布，以提取基板I的上表面溫度的最大值，并且繪制所提取的最大值的圖?；錓的上表面的溫度分布為基板I的包括設(shè)置有通路和未設(shè)置通路的兩個(gè)區(qū)域的上表面的平均溫度分布。能夠從圖7所示的曲線圖中知道，根據(jù)第一實(shí)施方式的基板I的上表面溫度的最大值幾乎為比較例的基板I的上表面溫度的最大值的一半。
[0058]圖8是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式和比較例的液體噴出頭的能量產(chǎn)生元件的表面溫度隨時(shí)間變化的圖。能量產(chǎn)生元件3的表面溫度隨時(shí)間的變化也通過使用與圖7相似的三維模擬得到?？v軸代表能量產(chǎn)生元件3的表面溫度，橫軸代表時(shí)間。在圖8中，將開始對(duì)能量產(chǎn)生元件3施加電壓的時(shí)間設(shè)為原點(diǎn)0，虛線和實(shí)線分別代表比較例和第一實(shí)施方式的曲線。這里，能量產(chǎn)生元件3的表面溫度為能量產(chǎn)生元件3的對(duì)液體加熱的表面的溫度。如圖8所示，當(dāng)開始對(duì)能量產(chǎn)生元件3施加電壓時(shí)，能量產(chǎn)生元件3的表面溫度開始上升，并且當(dāng)停止施加電壓時(shí)，熱的散發(fā)開始使能量產(chǎn)生元件3的表面溫度下降。能夠從圖8所示的曲線圖中知道，即使通路不與傳熱層4的下表面上的位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域連接，比較例和第一實(shí)施方式的能量產(chǎn)生元件3的表面溫度也沒有明顯不同。
[0059]從圖7和圖8能夠理解，根據(jù)第一實(shí)施方式的液體噴出頭的構(gòu)造能夠在抑制基板I的上表面溫度的最大值升高的同時(shí)，執(zhí)行與比較例等同的適當(dāng)液體噴出。因此，根據(jù)第一實(shí)施方式的液體噴出頭的構(gòu)造允許驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等配置在基板I的上表面上的包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域中，這改善了配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0060]根據(jù)本實(shí)施方式，傳熱路徑以避免熱集中地流入基板的一部分的方式設(shè)置在絕緣層中，由此實(shí)現(xiàn)了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的適當(dāng)擴(kuò)散。因此，改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0061 ]〈第二實(shí)施方式〉
[0062]由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱也在沿順著基板的表面的方向上擴(kuò)散，并且可能影響由相鄰的能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱。在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的液體噴出頭中，通路與傳熱層的下表面上的如下區(qū)域連接:該區(qū)域在位于彼此相鄰的能量產(chǎn)生元件正下方的兩個(gè)區(qū)域之間。這實(shí)現(xiàn)了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的適當(dāng)擴(kuò)散。
[0063]圖9是透視地示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖，圖10是沿著圖9所示的箭頭截取的液體噴出頭的截面圖。用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭的功能與第一實(shí)施方式的元件相同的元件。根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭被構(gòu)造成使得通路與傳熱層的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的如下區(qū)域連接:該區(qū)域在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域與同樣位于相鄰的能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域之間。
[0064]根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭設(shè)置有能量產(chǎn)生元件3a、3b、3c和3d以及位于分別面對(duì)能量產(chǎn)生元件3a、3b、3c和3d的位置處的液體噴出口 1a、1b、1c和1d。能量產(chǎn)生元件3a和3b彼此相鄰地配置，能量產(chǎn)生元件3b和3c以及能量產(chǎn)生元件3c和3d也同樣如此。傳熱層94沿著多個(gè)能量產(chǎn)生元件的排列方向連續(xù)地設(shè)置。通路95a與傳熱層94的下表面上的在位于能量產(chǎn)生元件3a和3b正下方的兩個(gè)區(qū)域之間的區(qū)域連接，通路95b與傳熱層94的下表面上的在位于能量產(chǎn)生元件3b和3c正下方的兩個(gè)區(qū)域之間的區(qū)域連接，通路95c與傳熱層94的下表面上的在位于能量產(chǎn)生元件3c和3d正下方的兩個(gè)區(qū)域之間的區(qū)域連接。更具體地，通路與在位于多個(gè)能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域之間的區(qū)域連接。
[0065]向由流路形成構(gòu)件6限定的各壓力室9a、9b、9c和9d提供從供給口7供給的液體，存儲(chǔ)在各壓力室9a、9b、9c和9d中的液體從各噴出口 10a、10b、1c和1d噴出。為了便于說明，將通過把說明限制在彼此相鄰的能量產(chǎn)生元件3b和3c周圍的區(qū)域來說明本實(shí)施方式。[ΟΟ??]由能量產(chǎn)生元件3b產(chǎn)生的熱到達(dá)傳熱層94，并且在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散，隨后通過與如下區(qū)域連接的兩個(gè)通路95a和95b流入基板1:傳熱層94的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3b正下方的區(qū)域的區(qū)域。同樣地，由能量產(chǎn)生元件3c產(chǎn)生的熱也經(jīng)由傳熱層94、通過與如下區(qū)域連接的兩個(gè)通路95b和95c流入基板1:傳熱層94的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3c正下方的區(qū)域的區(qū)域。
[0067]根據(jù)本實(shí)施方式，抑制了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱對(duì)由相鄰的能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的作用。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式相同，通路不與傳熱層的下表面上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域連接，因而基板上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域不容易維持在高溫下。這允許驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等配置在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中。因此，改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0068]圖11是透視地示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的變型例的液體噴出頭的示例的平面圖。在根據(jù)本變型例的液體噴出頭中，除了圖9和圖10中的上述通路以外，通路還相對(duì)于位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域沿+X方向和-X方向配置。具體地，例如，通路115a和通路115b以能量產(chǎn)生元件3c為中心分別沿+X方向和-X方向配置。結(jié)果，通路以圍繞各能量產(chǎn)生元件3a、3b、3c和3d的所有側(cè)的方式配置。代替根據(jù)第二實(shí)施方式的液體噴出頭的傳熱層94，根據(jù)圖11所示的本變型例的液體噴出頭設(shè)置有與通路115a和115b熱連接的傳熱層114。
[0069]例如由能量產(chǎn)生元件3c產(chǎn)生的熱到達(dá)傳熱層114，并且在傳熱層114內(nèi)在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散，擴(kuò)散的熱隨后經(jīng)由與如下區(qū)域連接的通路95b、95c、115a和115b流入基板I:傳熱層114的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域。
[0070]根據(jù)本變型例，與第二實(shí)施方式相比，進(jìn)一步抑制了由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱對(duì)由相鄰的能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的作用。此外，根據(jù)本變型例，與第二實(shí)施方式相同，驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等能夠配置在基板上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中，結(jié)果，改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0071]〈第三實(shí)施方式〉
[0072]在第一實(shí)施方式的構(gòu)造中，在由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱未向外充分散發(fā)的情況下，通過增加設(shè)置在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中的傳熱層的數(shù)量和改變通路的配置，能夠?qū)崿F(xiàn)由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的適當(dāng)擴(kuò)散。
[0073]設(shè)置在根據(jù)第三實(shí)施方式的液體噴出頭中的傳熱層具有多層傳熱層，其中至少包括:第一傳熱層，其大致平行于基板I的表面配置；以及第二傳熱層，其大致平行于第一傳熱層配置在第一傳熱層與能量產(chǎn)生元件之間。多個(gè)通路與第一傳熱層的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。
[0074]圖12是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的截面圖。圖12所示的液體噴出頭還具有第二傳熱層124和通路125，第二傳熱層124設(shè)置在圖5所示的能量產(chǎn)生元件3與傳熱層4(在本實(shí)施方式和變型例中稱作第一傳熱層)之間，通路125設(shè)置在第一傳熱層4與基板I之間。用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示構(gòu)成圖12所示的液體噴出頭的功能與第一實(shí)施方式的元件相同的元件。
[0075]由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱到達(dá)第二傳熱層124，并且在第二傳熱層124內(nèi)在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散，隨后從第二傳熱層124向下擴(kuò)散。然后，擴(kuò)散的熱的一部分到達(dá)位于第二傳熱層124下方的第一傳熱層4，并且在第一傳熱層4內(nèi)在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散。然后，擴(kuò)散的熱穿過與第一傳熱層4的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域連接的通路125，從而流入基板I以向外散發(fā)。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭被構(gòu)造成使得與第一實(shí)施方式相比，由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱的熱通量能夠降低得更多。
[0076]根據(jù)本實(shí)施方式，驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等能夠配置在基板上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中。這改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0077]圖13是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的變型例的液體噴出頭的示例的截面圖。圖13所示的液體噴出頭還具有第二傳熱層134和通路135，代替圖12所示的液體噴出頭的第二傳熱層124，第二傳熱層134具有減小的+X、-X方向上的寬度，通路135為位于第二傳熱層134與第一傳熱層4之間的介入構(gòu)件。作為介入構(gòu)件的通路135可以采用具有與作為傳熱構(gòu)件的通路125的材料相同的性能的材料。設(shè)置在根據(jù)本變型例的液體噴出頭中的通路135與第二傳熱層124的下表面上的包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示構(gòu)成圖13所示的液體噴出頭的功能與第一實(shí)施方式的元件相同的元件。
[0078]在本變型例中，與第三實(shí)施方式中的第二傳熱層124相比，第二傳熱層134具有減小的寬度，因而由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱穿過第二傳熱層134，然后穿過通路135，從而快速到達(dá)第一傳熱層4。此外，已經(jīng)到達(dá)第一傳熱層4的熱在傳熱層4在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散，隨后穿過與第一傳熱層4的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域連接的通路125，從而流入基板I。因此，根據(jù)本變型例的液體噴出頭被構(gòu)造成使得與第三實(shí)施方式相比，由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱更快地向外散發(fā)。
[0079]根據(jù)本變型例，與第三實(shí)施方式相同，驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等能夠配置在基板上的位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中。這改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0080]〈第四實(shí)施方式〉
[0081 ]在根據(jù)第一至第三實(shí)施方式的液體噴出頭的構(gòu)造中，存在如下情況:液體中的水分會(huì)通過長(zhǎng)時(shí)間未噴出液體的噴出口蒸發(fā)，從而導(dǎo)致噴出口內(nèi)側(cè)液體變稠。在該情況下，噴出口以后可能不能恰當(dāng)?shù)貒姵鲆后w。根據(jù)第四實(shí)施方式的液體噴出頭被構(gòu)造成使得流入壓力室的液體循環(huán)，以便盡可能地避免待被噴出的液體變稠。與第一至第三實(shí)施方式相同，根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭在絕緣層中設(shè)置有傳熱層和通路，以便確保由能量產(chǎn)生元件產(chǎn)生的熱的適當(dāng)擴(kuò)散。
[0082]此外，在根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭中，液體在基板I的側(cè)部循環(huán)，由此能夠減少流入基板I的熱通量。
[0083]圖14是透視地示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的液體噴出頭的示例的平面圖。圖15是沿著圖14所示的箭頭α’-α’截取的液體噴出頭的截面圖。用與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭的功能與第一實(shí)施方式的元件相同的元件。
[0084]根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭具有用于一個(gè)噴出口的作為液體供給路徑的第一供給口 147a和作為液體排出路徑的第二供給口 147b這一對(duì)彼此對(duì)應(yīng)的供給口。例如，通過流路158a從第一供給口 147供給至壓力室159的液體通過第二流路158b排出至第二供給口147b，以便循環(huán)。然后，通過能量產(chǎn)生元件3對(duì)循環(huán)中的液體加熱，以產(chǎn)生膜沸騰，由此從噴出口 10噴出液體。
[0085]根據(jù)本實(shí)施方式的液體噴出頭的傳熱層144和基板I借助于通路145a和145b彼此熱連接。通路145a和145b與傳熱層144的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域連接，并且與上述第一至第三實(shí)施方式相比，與位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域隔著一定距離地配置在傳熱層144的下表面上。在本實(shí)施方式中，在傳熱層144的平面方向上，將從能量產(chǎn)生元件3的中心(重心)至通路145a距離設(shè)定為L(zhǎng)h，將從能量產(chǎn)生元件3的中心至第一供給口 147a的開口的中心(重心)的距離設(shè)定為U。在本實(shí)施方式中，距離Lh大約為距離U的一半。應(yīng)當(dāng)注意，優(yōu)選地，距離Lh比距離U的一半長(zhǎng)。即，優(yōu)選地，通路145a與傳熱層144的下表面上的如下區(qū)域連接:在傳熱層144的平面方向上，距離Lh比距離Lc的一半長(zhǎng)的區(qū)域。
[0086]另外，通路145a和通路145b分別與第一供給口 147a和第二供給口 147b相鄰地配置，以便允許利用循環(huán)中的液體對(duì)通路進(jìn)行冷卻。
[0087]由能量產(chǎn)生元件3產(chǎn)生的熱到達(dá)傳熱層144，并且在傳熱層144內(nèi)在沿著基板I的表面的方向上積極地?cái)U(kuò)散。然后，擴(kuò)散的熱穿過與如下區(qū)域連接的通路145a和145b從而流入基板I以向外散發(fā):第一傳熱層144的下表面上的不包括位于能量產(chǎn)生元件3正下方的區(qū)域的區(qū)域。
[0088]在本實(shí)施方式中，傳導(dǎo)通過通路145a的熱被在第一供給口147a內(nèi)循環(huán)的液體吸收，傳導(dǎo)通過通路145b的熱被在第二供給口 147b內(nèi)循環(huán)的液體吸收，因此，能夠減少流入基板I的熱通量。
[0089]根據(jù)本實(shí)施方式，能夠抑制基板I的上表面溫度的升高。這改善了驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等的配置自由度，從而允許液體噴出頭小型化。
[0090]〈其它〉
[0091]根據(jù)第一至第三實(shí)施方式或其變型例的液體噴出頭采用沿與基板大致垂直的方向噴出液體的側(cè)噴射型打印頭(side-shooter print head)，但是不限于此。例如，還可以采用沿與基板大致平行的方向噴出液體的邊緣噴射型打印頭(edge-shooter printhead)。
[0092]設(shè)置在根據(jù)第一至第四實(shí)施方式或其變型例的液體噴出頭中的通路為沿與基板的表面交叉的方向延伸的實(shí)心或中空的柱狀結(jié)構(gòu)，但是不限于該結(jié)構(gòu)。例如，結(jié)構(gòu)可以為板狀形狀。
[0093]根據(jù)第一至第四實(shí)施方式或其變型例的液體噴出頭不包括用于向能量產(chǎn)生元件供電的電路，但是不限于該構(gòu)造。電路可以配置于基板的上表面或下表面，例如，可以裝在基板的表面上的與能量產(chǎn)生元件相對(duì)的區(qū)域中，或者可以被設(shè)置成與基板的下表面接觸。
[0094]在上述實(shí)施方式中，給出了如下方面的說明:當(dāng)從與基板垂直的方向觀察時(shí)，與基板熱連接的通路不設(shè)置在能量產(chǎn)生元件的正下方。就熱而言，雖然在所有能量產(chǎn)生元件的正下方均不設(shè)置通路的方面是優(yōu)選的，但是一些通路可以設(shè)置在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中。例如，如果通路具有比設(shè)置在除了能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域以外的區(qū)域的通路低的密度(通路與基板接觸的面積)，則具有較低密度的通路可以設(shè)置在能量產(chǎn)生元件的正下方。這允許在位于能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域中，除了通路以外，還能夠配置驅(qū)動(dòng)電路、晶體管等。
[0095]雖然已經(jīng)參照示例性實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施方式。權(quán)利要求書的范圍應(yīng)符合最寬泛的解釋，以包含所有的這些變型、等同結(jié)構(gòu)和功能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液體噴出頭，其包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生使液體噴出用的熱的能量產(chǎn)生元件，所述液體噴出頭包括: 絕緣層，其設(shè)置成與基板接觸并支撐所述能量產(chǎn)生元件； 至少一層傳熱層，其由熱傳導(dǎo)率比所述絕緣層的材料的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，所述至少一層傳熱層設(shè)置在所述絕緣層中、位于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間；以及 傳熱構(gòu)件，其使所述至少一層傳熱層與所述基板熱連接， 其特征在于，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的不包括位于介于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間的位置處的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱層沿著多個(gè)所述能量產(chǎn)生元件的排列方向連續(xù)地設(shè)置，并且所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的在位于多個(gè)所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域之間的區(qū)域連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴出頭，其中， 所述液體噴出頭還包括供給口，所述供給口與存儲(chǔ)待通過所述能量產(chǎn)生元件的作用而噴出的液體的壓力室流體連接，所述供給口形成于所述基板， 所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的在位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域與所述供給口之間的區(qū)域連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴出頭，其中， 所述至少一層傳熱層包括第一傳熱層和第二傳熱層，所述第一傳熱層大致平行于所述基板的表面配置，所述第二傳熱層大致平行于所述第一傳熱層的表面配置在位于所述第一傳熱層與所述能量產(chǎn)生元件之間的區(qū)域中；并且 多個(gè)所述傳熱構(gòu)件與所述第一傳熱層上的不包括位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液體噴出頭，其中，所述液體噴出頭還包括介入構(gòu)件，所述介入構(gòu)件使所述第二傳熱層上的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域和所述第一傳熱層熱連接。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的如下區(qū)域連接:在所述傳熱層的平面方向上，從所述能量產(chǎn)生元件的中心至所述傳熱構(gòu)件的距離比從所述能量產(chǎn)生元件的中心至所述供給口的開口的中心的距離的一半長(zhǎng)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱構(gòu)件為具有多個(gè)柱的實(shí)心或中空的柱狀結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體噴出頭，其中，用于向所述能量產(chǎn)生元件供電的電路被設(shè)置成使得所述電路裝在所述基板的表面上的與所述能量產(chǎn)生元件相對(duì)的區(qū)域中，或者所述電路被設(shè)置成與所述基板的下表面接觸。9.一種液體噴出頭，其包括: 基板； 傳熱層，其大致平行于所述基板的表面設(shè)置在所述基板的上方； 能量產(chǎn)生元件，其設(shè)置在所述傳熱層的上方并產(chǎn)生用于噴出液體的能量；以及 傳熱構(gòu)件，其使所述傳熱層與所述基板熱連接， 其特征在于，當(dāng)從與所述基板的表面垂直的方向觀察時(shí)，所述傳熱層設(shè)置在所述傳熱層與所述能量產(chǎn)生元件至少部分重疊的位置處，并且所述傳熱構(gòu)件設(shè)置在所述傳熱構(gòu)件不與所述能量產(chǎn)生元件重疊的位置處。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱層設(shè)置在熱傳導(dǎo)率比所述傳熱層的熱傳導(dǎo)率低的絕緣層中。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱構(gòu)件為沿與所述基板的表面交叉的方向延伸的具有多個(gè)柱的柱狀結(jié)構(gòu)。12.—種用于噴出液體的液體噴出頭，其包括: 基板； 傳熱層，其大致平行于所述基板的表面設(shè)置在所述基板的上方； 能量產(chǎn)生元件，其設(shè)置在所述傳熱層的上方并產(chǎn)生用于噴出液體的能量；以及 傳熱構(gòu)件，其使所述傳熱層與所述基板熱連接， 其特征在于，當(dāng)從與所述基板的表面垂直的方向觀察時(shí)，關(guān)于與所述能量產(chǎn)生元件重疊的第一區(qū)域和與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域不與所述能量產(chǎn)生元件重疊，設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述傳熱構(gòu)件的密度比設(shè)置在所述第二區(qū)域中的所述傳熱構(gòu)件的密度低。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱層連續(xù)地設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液體噴出頭，其中，所述傳熱構(gòu)件不設(shè)置在所述第一區(qū)域中。15.一種液體嗔出設(shè)備，其包括液體嗔出頭，其特征在于，所述液體嗔出頭用于向打印介質(zhì)噴出液體以執(zhí)行打印， 所述液體噴出頭包括: 絕緣層，其設(shè)置成與基板接觸并支撐能量產(chǎn)生元件； 至少一層傳熱層，其由熱傳導(dǎo)率比所述絕緣層的材料的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，所述至少一層傳熱層設(shè)置在所述絕緣層中、位于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間；以及傳熱構(gòu)件，其使所述至少一層傳熱層與所述基板熱連接， 其中，所述傳熱構(gòu)件與所述傳熱層上的不包括位于介于所述能量產(chǎn)生元件與所述基板之間的位置處的位于所述能量產(chǎn)生元件正下方的區(qū)域的區(qū)域連接。
【文檔編號(hào)】B41J2/14GK106042645SQ201610212661
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月7日 公開號(hào)201610212661.X, CN 106042645 A, CN 106042645A, CN 201610212661, CN-A-106042645, CN106042645 A, CN106042645A, CN201610212661, CN201610212661.X
【發(fā)明人】關(guān)根貴之, 中川喜幸, 櫻井將貴
【申請(qǐng)人】佳能株式會(huì)社