本發(fā)明涉及液體噴出頭的制造方法。

背景技術(shù)：

以噴墨打印機(jī)為代表的液體噴出設(shè)備從液體噴出頭噴出液體，以在記錄介質(zhì)上記錄圖像和字符。存在一種液體噴出頭，其中，設(shè)置有流路和噴出口的構(gòu)件布置于設(shè)置有供給口的基板。關(guān)于這種液體噴出頭的制造方法，美國(guó)專利no.8083324說明了一種方法，該方法包括將干膜附著到設(shè)置有供給口的基板以覆蓋供給口的步驟。附著到基板的干膜設(shè)置有通過光刻等制成的流路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種液體噴出頭的制造方法，所述液體噴出頭包括：基板，其具有在所述基板的表面開口的液體供給部；層，其布置于所述基板的所述表面；和構(gòu)件，其布置于所述層，并且形成與噴出口連通的流路，從所述供給部向所述噴出口供給液體并且從所述噴出口噴出液體，所述方法包括如下步驟：預(yù)備基板，所述基板在其表面上包括具有多個(gè)開口的層，所述供給部的開口部位于所述開口中，多個(gè)所述開口沿排列方向排列，并且與多個(gè)所述開口不同的其它開口在所述排列方向上位于在多個(gè)所述開口中的最外側(cè)開口的外側(cè)；和將用于形成所述流路的干膜附著到所述基板和所述層。

從下面參照附圖對(duì)示例性實(shí)施方式的說明，本發(fā)明的其它特征將變得明顯。

附圖說明

圖1是示出了液體噴出頭的構(gòu)造的圖。

圖2a至圖2g是示出了液體噴出頭的制造方法的圖。

圖3a至圖3c是示出了液體噴出頭的構(gòu)造和制造方法的圖。

圖4a至圖4e是示出了液體噴出頭的構(gòu)造和制造方法的圖。

圖5a和圖5b是示出了液體噴出頭的構(gòu)造的圖。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明人的調(diào)查，發(fā)現(xiàn)在以美國(guó)專利no.8083324中說明的方式將干膜附著到基板的情況下，附著的干膜的形狀根據(jù)所在位置而不同。在干膜中形成流路。因此，如果流路的形狀和從基板到噴出口的高度取決于位置而改變，則液體的噴出受到影響，并且可能難以在記錄介質(zhì)上形成預(yù)定圖像。

因此，本發(fā)明抑制附著的干膜的形狀取決于位置而改變，即使當(dāng)通過將待要形成流路的干膜附著到基板而制造液體噴出頭時(shí)，本發(fā)明也抑制附著的干膜的形狀取決于位置而改變。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的液體噴出頭的制造方法制造的液體噴出頭的構(gòu)造的示例。

基板1由硅等構(gòu)成并且在基板的表面包括能量產(chǎn)生元件2。能量產(chǎn)生元件通過由tasin或壓電元件構(gòu)成的發(fā)熱電阻器形成。能量產(chǎn)生元件2沿排列方向以預(yù)定的節(jié)距排列。液體流路4布置在噴出口3和能量產(chǎn)生元件2之間。噴出口3布置在能量產(chǎn)生元件2的上方。在圖1中，用于形成噴出口3和流路4的構(gòu)件5由單層構(gòu)成，但是也可以是多層的。例如，用于形成流路4的構(gòu)件可以與用于形成噴出口3的構(gòu)件不同。在用于形成流路4的構(gòu)件和用于形成噴出口3的構(gòu)件彼此不同的情況下，這兩個(gè)構(gòu)件統(tǒng)一表示為構(gòu)件5。盡管圖中未示出，但是在基板1和構(gòu)件5之間(中間)布置有用于增強(qiáng)基板1和構(gòu)件5之間的粘合性的層。構(gòu)件5布置于該層。

在基板1中布置用于向流路4供給液體的液體供給部6。供給部6貫通基板1并且在基板1的表面開口。在圖1中，供給部6具有臺(tái)階形狀，其中，在基板的表面?zhèn)葘挾刃。谂c基板的表面相反的背面?zhèn)葘挾却?。液體從供給部6供給到流路4。流路4與噴出口3連通。在流路4中，包括能量產(chǎn)生元件2的區(qū)域可以表示為壓力室。能量產(chǎn)生元件2對(duì)供給到壓力室的液體提供能量。能量使液體從噴出口3噴出并且使液體施加到記錄介質(zhì)。以這種方式，在記錄介質(zhì)上記錄圖像等。兩個(gè)供給部6連接到壓力室。液體可以從兩個(gè)供給部6供給到壓力室，或液體可以從一個(gè)供給部6供給到壓力室并且壓力室中的液體可以通過另一個(gè)供給部6流出?？蛇x地，液體可以通過兩個(gè)供給部在壓力室的內(nèi)部和壓力室的外部之間循環(huán)。

將參照?qǐng)D2a至圖2g說明這種液體噴出頭的制造方法。圖2a至圖2g是參照液體噴出頭的沿著圖1中的線ii-ii的截面示出了液體噴出頭的制造方式的圖。

如圖2a所示，預(yù)備表面設(shè)置有能量產(chǎn)生元件2的基板1。除了能量產(chǎn)生元件2之外，在基板1的表面上還布置了層7和層8。層7和層8在圖1中未示出。層7是由例如sin、sic、sio或sicn構(gòu)成的絕緣層，并且層7是用于覆蓋能量產(chǎn)生元件2的層。層8由例如環(huán)氧樹脂或聚醚酰胺構(gòu)成，并且層8是布置在基板1和下游步驟中形成的構(gòu)件之間的層。層8是用來增強(qiáng)基板1和構(gòu)件之間的粘著力的層。

基板1的表面上的層8被圖案化為具有開口8a。對(duì)于使層8圖案化的方法沒有特別地限定。例如，預(yù)備通過光刻形成的掩模并且使用掩模通過反應(yīng)離子蝕刻(reactiveionetching)執(zhí)行圖案化。以這種方式在層8中形成開口8a。

如圖2b所示，基板1中形成貫通基板1的表面和背面的供給部6。例如通過使由硅構(gòu)成的基板1經(jīng)受反應(yīng)離子蝕刻來形成供給部6?？蛇x地，供給部6可以通過激光照射、濕式蝕刻或這兩者的組合等來形成。在圖2b中，當(dāng)形成了供給部6時(shí)，在層7中形成開口7a。因而基板1、層7和層8處于被貫通以形成孔的狀態(tài)。

圖2a中示出的步驟和圖2b中示出的步驟的順序可以顛倒。即，可以在形成供給部6之后形成層7和層8，并且可以在層7和層8中形成開口7a和開口8a。

如圖2c所示，由支撐構(gòu)件9支撐的干膜10附著到基板1的表面。支撐構(gòu)件9能夠由耐熱材料構(gòu)成，例如由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺構(gòu)成。干膜10是在基板上的用于形成流路和噴出口的構(gòu)件，并且干膜10用作圖1所示的構(gòu)件5(或構(gòu)件5的一部分)。出于形成流路和噴出口的觀點(diǎn)，干膜10能夠由感光性樹脂、特別是負(fù)型感光性樹脂構(gòu)成。負(fù)型感光性樹脂的示例包括含有雙疊氮化合物的環(huán)化聚異戊二烯、含有疊氮基芘的甲酚線型酚醛清漆樹脂以及含有重氮鎓鹽和鎓鹽的環(huán)氧樹脂。

支撐構(gòu)件9從干膜10剝離。剝離之后，如圖2d所示，通過使用掩模11使干膜10經(jīng)受曝光以在干膜10上形成潛像。在這里示出的構(gòu)造中，負(fù)型感光性樹脂用作干膜10，曝光部10a用作壁，并且未曝光部10b被制成為流路。曝光后，對(duì)干膜10進(jìn)行熱處理。通過熱處理完成在干膜10上的潛像的形成。

如圖2e所示，在包括潛像的干膜10上形成干膜12?？梢砸耘c形成干膜10同樣的方式通過使用支撐構(gòu)件形成干膜12。然而，在干膜12由感光性樹脂構(gòu)成并且經(jīng)受曝光的情況下，干膜12的感光度和干膜10的感光度必須彼此不同，使得在干膜12曝光的步驟期間干膜10不對(duì)光進(jìn)行響應(yīng)。

如圖2f所示，通過使用掩模13使干膜12經(jīng)受曝光以在干膜12上形成潛像。在這里示出的構(gòu)造中，負(fù)型感光性樹脂用作干膜12，曝光部12a最終用作為噴出口的壁(噴出口形成構(gòu)件)，并且制得的未曝光部12b被用作為噴出口。此后，對(duì)干膜12進(jìn)行熱處理。通過熱處理完成在干膜12上的潛像的形成。

可以使干膜12經(jīng)受拒水處理或親水化處理。用于這些處理的材料可以是不影響干膜12上的潛像的材料。

如圖2g所示，通過使用顯影液使干膜10的未曝光部10b和干膜12的未曝光部12b經(jīng)受顯影。以這種方式形成噴出口3和流路4從而制造構(gòu)件5。在此，在假設(shè)噴出口3和流路4是通過曝光和顯影形成的基礎(chǔ)上進(jìn)行說明，但是噴出口3和流路4可以通過例如反應(yīng)離子蝕刻或激光照射形成。

必要時(shí)，可以切斷基板1，并且可以連接用于驅(qū)動(dòng)能量產(chǎn)生元件2的電配線以制造液體噴出頭。

將說明在上述液體噴出頭的制造方法中出現(xiàn)的問題。在圖2c中示出的步驟中，如上所述，干膜10附著到基板1的表面?；?的表面設(shè)置有具有開口8a的層8。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在某些情況下，在干膜10的附著期間干膜10落入開口8a，由此改變了干膜10的形狀。

參照?qǐng)D3a至圖3c，將對(duì)干膜10落入開口8a進(jìn)行說明。圖3a是從上方觀察時(shí)，圖1所示的液體噴出頭的基板的圖，圖中省略了構(gòu)件5。層8(在圖1中未示出)呈現(xiàn)在基板的表面上。開口8a位于層8中。開口8a的位置對(duì)應(yīng)供給部6的開口部和能量產(chǎn)生元件2。在圖3a中，一個(gè)能量產(chǎn)生元件2和兩個(gè)供給部6布置在一個(gè)開口8a中。在圖3a中，開口8a沿上下方向和左右方向這兩個(gè)排列方向排列。

圖3b對(duì)應(yīng)于示出了沿著圖1中的線ii-ii的截面的圖2a至圖2g，并且圖3b圖示了干膜10附著到圖3a中示出的基板以及通過執(zhí)行圖案曝光和隨后的加熱來形成潛像的方式。如圖3b所示，干膜10落入層8的開口8a中，并且干膜10的上表面的高度存在變化。在圖3b的中央部，落入量幾乎為恒定的并且干膜10的上表面的高度沒有大的凹凸。然而，在端部，上表面的高度存在變化。特別是，在列的末端，干膜10的上表面的高度在開口8a的上方大程度地傾斜。

一個(gè)開口8a的面積為大約2500μm²以上至10000μm²以下，而供給部6的其中一個(gè)開口部的面積小于大約2500μm²。供給部6的一個(gè)開口部的面積最大為大約2300μm²，并且通常為300μm²以上至2000μm²以下。因此，干膜10落入供給部6的可能性小于干膜10落入開口8a的可能性并且可以忽略干膜10落入供給部6的可能性。同時(shí)，層8的厚度為0.5μm以上至3.0μm以下。因此，開口8a的深度也為0.5μm以上至3.0μm以下，并且取決于該深度干膜10容易發(fā)生變形。

圖3c示出了在圖3b所示的狀態(tài)下，干膜12附著到干膜10的方式，在干膜12中形成噴出口3，以及通過使干膜10經(jīng)受顯影來形成流路4。干膜10的上表面的高度存在變化。結(jié)果，形成于干膜12中的噴出口3的位置取決于位置而變化，并且從基板1的表面到噴出口3的高度根據(jù)位置而不同。另外，通過顯影形成的流路4的形狀根據(jù)位置也不同。這種情形的發(fā)生影響液體的噴出量和供給速度，并且在某些情況下，不能通過從噴出口3噴出的液體形成預(yù)定圖像。

另外，例如在通過光刻形成噴出口3的情況下，由于干膜10的變形而容易從基板側(cè)發(fā)生漫反射，并且噴出口3的形狀可能變形。此外，由于干膜10的變形而可能在干膜10和干膜12之間形成間隙，間隙可能由于施加了熱而膨脹，結(jié)果噴出口3和流路4可能變形。

本發(fā)明人對(duì)上述問題進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)因?yàn)樵趯?的端部在開口8a的外側(cè)沒有開口，所以發(fā)生干膜10的這種變形。

將參照?qǐng)D4a至圖4e對(duì)根據(jù)本發(fā)明的液體噴出頭的制造方法進(jìn)行說明。以與圖3a相同的方式，圖4a是從上方觀察時(shí)圖1所示的液體噴出頭的基板的圖，圖中省略了構(gòu)件5。如圖4a所示，在本發(fā)明中除了開口8a之外，在層8中還在開口8a的列的沿排列方向的外側(cè)形成有開口8b。在圖4a至圖4e中，開口8b位于開口8a的列的排列方向上的兩外側(cè)(兩端)。開口8a是多個(gè)開口，供給部的開口部位于這些開口中。不同于多個(gè)開口8a的開口8b位于多個(gè)開口8a中的最外開口的外側(cè)。

圖4b是圖4a所示的液體噴出頭的剖視圖。在這里說明的示例中，沒有布置絕緣層(層7)，但是可以布置絕緣層。如參照?qǐng)D4a所述，開口8b位于開口8a的外側(cè)。能量產(chǎn)生元件2和供給部6的開口部位于開口8a內(nèi)，但是在開口8b內(nèi)沒有能量產(chǎn)生元件2和供給部6的開口部。

如圖4a至圖4b所示，干膜附著到液體噴出頭的基板。即干膜附著到基板1和具有開口8a和開口8b的層8。圖4c示出了如下狀態(tài)：干膜10附著到基板1，支撐構(gòu)件從干膜10上剝離，并且使干膜10經(jīng)受曝光和熱處理。

干膜10落入開口8a，并且也落入位于開口8a的外側(cè)的開口8b。因此，開口8a上方的干膜10的落入整體上幾乎是均勻的。特別是如圖3b所示，在最外開口的上方的部分和最外開口外側(cè)的區(qū)域的上方的部分之間，落入程度的差異增大。因此，在開口8b在排列方向上位于開口8a中的最外開口8a的外側(cè)的情況下，由于干膜10落入開口8a中的最外開口8a，所以抑制了干膜10的高度的變化。

在圖4c中，通過曝光和熱處理在干膜10上形成潛像。在這方面，如上所述，因?yàn)殚_口8b，所以在開口8a上方的干膜10的上表面高度幾乎恒定。盡管干膜10的高度可能在圖4c所示的區(qū)域外的部分增加，但是該區(qū)域外的部分不影響流路和噴出口的形狀。

圖4d示出了干膜12附著到圖4c示出的狀態(tài)下的干膜10并且在干膜12上形成噴出口的潛像的狀態(tài)。干膜10的上表面的高度沒有變化，因此，干膜12的形狀和上表面的高度是均勻的。

當(dāng)附著干膜10時(shí)，期望干膜10被適當(dāng)?shù)剀浕?，干?0填充開口8a和開口8b，并且優(yōu)選減小層8的高度差異。因此，盡管附著溫度取決于干膜的形成材料和尺寸，但是考慮到普通樹脂材料和干膜的尺寸，干膜的附著溫度優(yōu)選地設(shè)定為50℃以上至140℃以下。施加到干膜10的附著壓力優(yōu)選地設(shè)定為0.1mpa以上至1.5mpa以下。當(dāng)附著干膜12時(shí)，干膜12的溫度優(yōu)選地設(shè)定為60℃以上至90℃以下。另外，施加到干膜12的附著壓力優(yōu)選地設(shè)定為0.1mpa以上至0.6mpa以下。

如圖4e所示，使圖4d中示出的液體噴出頭經(jīng)受顯影以形成噴出口3和流路4。干膜10的上表面的高度是恒定的，因此，流路4的高度根據(jù)位置沒有差異并且是恒定的。此外，干膜12的根據(jù)位置的形狀差異被抑制，因此，從基板到噴出口3的距離和噴出口3的形狀是恒定的。因此，液體的噴出穩(wěn)定并且在記錄介質(zhì)上形成預(yù)定圖像。

將說明用于形成開口8b的圖案。開口8b形成在開口8a的外側(cè)，以便人為地制造出另一個(gè)開口8a位于開口8a的列的外側(cè)的情況。從這個(gè)觀點(diǎn)，開口8b能夠相似于開口8a。例如，在圖4a中示出的液體噴出頭的截面中，開口8a的寬度(圖中的左右方向上的長(zhǎng)度)能夠與開口8b的寬度相同。具體地，開口8b的寬度優(yōu)選為開口8a的寬度的80％以上至120％以下。這同樣適用于開口8a和開口8b的在圖4a中的上下方向上的寬度。

另外，開口8a的面積和開口8b的面積能夠相同。具體地，開口8b的面積優(yōu)選為開口8a的面積的80％以上至120％以下。此外，開口8a的節(jié)距(相鄰的開口8a之間的距離)和開口8b的節(jié)距(相鄰的開口8b之間的距離)能夠相同。具體地，開口8b的節(jié)距優(yōu)選為開口8a的節(jié)距的80％以上至120％以下。

在用作偽單元的偽開口(開口8b)形成在開口8a的列的外側(cè)的情況下，如果偽開口相對(duì)于開口8a過小，則其難以有效地發(fā)揮偽單元的作用。這是因?yàn)楦赡ぢ淙雮伍_口的程度相對(duì)于干膜落入開口8a的程度過小。另一方面，如果偽開口相對(duì)于開口8a過大，則其也難以有效地發(fā)揮偽單元的作用，這是因?yàn)榇藭r(shí)干膜落入偽開口的程度過大。考慮到這些，開口8b被制成盡可能地與開口8a相似。

圖5a和圖5b是當(dāng)以與圖3a和圖4a同樣的方式觀察時(shí)，液體噴出頭的基板的圖。如圖5a和圖5b所示，根據(jù)本發(fā)明的液體噴出頭的基板的形狀可以是平行四邊形。如圖5a所示，在基板的形狀是平行四邊形的情況下，開口8b位于開口8a的外側(cè)。在圖5a中，開口8b也位于線a-a的位置。線a-a對(duì)應(yīng)于基板的切斷位置。即，圖5a是示出了兩個(gè)液體噴出頭在切斷之前的狀態(tài)的圖。此時(shí)，開口8a沒有位于沿著表示切斷位置的線a-a的部分。于是，對(duì)于與該部分鄰接的開口8a，發(fā)生干膜形狀的改變。因此，在本發(fā)明中，開口8b位于基板的切斷位置或者切斷位置的周圍。在圖5a中，對(duì)于左邊的液體噴出頭，開口8b位于最外開口8a的兩外側(cè)(兩端)。開口8b中的右邊的開口8b位于沿著線a-a的位置。

在參照?qǐng)D5a說明的示例中，基板在開口8b所在的位置處被切斷。然而，并不總是需要基板在開口8b所在的位置處被切斷。例如，基板可以在從開口8b稍微偏移的位置處被切斷。期望開口8b位于包括一個(gè)基板的開口8a的區(qū)域和包括另一個(gè)基板的開口8a的區(qū)域之間。在這種情況下，即使當(dāng)基板在與開口8b稍微隔開的位置處被切斷，仍然得到均包括各自的開口8a的兩個(gè)基板。

在以上對(duì)于開口8b的說明中，定位了具有與開口8a的形狀相同的形狀的多個(gè)開口8b。然而，開口8b不限于此，如圖5b所示，開口8b可以定位成相對(duì)于彼此獨(dú)立地定位的多個(gè)開口8a延伸。即，開口8b沿與開口8a的排列方向相交的方向延伸。在這種情況下，例如，開口8b的在圖5b中的左右方向上的寬度能夠被制成小于開口8a的寬度，使得開口8b的面積不至于變得太大。

開口8b位于(開設(shè))在開口8a的外側(cè)。對(duì)于“開口8a的外側(cè)”，例如，在圖5a和圖5b中，開口8b位于開口8a的左右方向上的外側(cè)。在圖5a和圖5b中，上下方向是基板的縱向，左右方向是基板的橫向。此時(shí)，基板的橫向外側(cè)的開口8a的變形量小于基板的縱向外側(cè)的開口8a的變形量。因而，開口8b僅位于開口8a的列的排列方向上的外側(cè)、即基板的橫向外側(cè)。開口8b不位于開口8a的在基板的縱向上的外側(cè)，由此確?？臻g。當(dāng)然，在開口8b也位于縱向上的外側(cè)的情況下，抑制了干膜由于在縱向上的端部處落入開口8a而變形。這一點(diǎn)是有利的。

考慮到干膜的附著方向是干膜落入開口的一個(gè)原因。在圖5a和圖5b中，干膜在圖中從左到右附著。即，干膜的附著方向是從左到右。在采用這樣的附著方法的情況下，干膜容易在左右方向上的端部處的開口8a的上方由于落入發(fā)生變形。從這點(diǎn)來看，在圖5a和圖5b中，開口8b位于在左右方向上的端部處的開口8a的外側(cè)。即，開口8b在開口8a的排列方向上位于相對(duì)于干膜附著方向的近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)。開口8b可以僅位于開口8a的排列方向上的近側(cè)或可以僅位于遠(yuǎn)側(cè)?？蛇x地，如本實(shí)施例中開口8b可以位于近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)。從增強(qiáng)對(duì)干膜的落入的控制的觀點(diǎn)，開口8b能夠位于近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)這兩側(cè)。

示例性實(shí)施例

以下將參照具體實(shí)施例說明本發(fā)明。

實(shí)施例

如圖4a和圖4b所示，預(yù)備了液體噴出頭的基板?；?是由硅構(gòu)成的硅基板?；?包括多個(gè)供給部6。通過使基板1經(jīng)受兩階段的反應(yīng)離子蝕刻而形成供給部6，供給部6從表面(上表面)到背面(下表面)貫通基板。

由tasin構(gòu)成的能量產(chǎn)生元件2布置于基板1的表面。另外，由聚醚酰胺構(gòu)成的層8也布置于基板1的表面。層8的厚度為2.0μm。層8具有開口8a和開口8b。開口8a位于對(duì)應(yīng)于能量產(chǎn)生元件2和供給部6的開口部的位置。能量產(chǎn)生元件2和供給部6的開口部位于開口8a中。用作偽開口的開口8b位于開口8a的排列方向上的外側(cè)。開口8b形成為具有與開口8a相同的形狀、面積和節(jié)距。開口8a和開口8b的面積設(shè)定為3000μm²。位于開口8a中的供給部6的開口部的面積設(shè)定為300μm²。通過反應(yīng)離子蝕刻在層8中形成開口8a和開口8b。用于反應(yīng)離子蝕刻的掩模由通過使用等離子體cvd設(shè)備被制成膜的sio和sin構(gòu)成。采用博世工藝(boschprocess)進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻。

如圖4c所示，將干膜10附著到基板1。首先預(yù)備如下構(gòu)件：該構(gòu)件是通過將用作干膜的感光性樹脂組合物布置于由經(jīng)受了釋放促進(jìn)處理(releasepromotingtreatment)的pet膜構(gòu)成的支撐構(gòu)件而制成的。感光性樹脂組合物是下述混合物。

環(huán)氧樹脂(商品名：ehpe3150，daicelchemicalindustries,ltd.制造)100質(zhì)量份

光陽離子聚合引發(fā)劑(商品名：sp-172，asahidenkaco.,ltd.制造)6質(zhì)量份

粘合劑樹脂(商品名：jer1007，mitsubishichemicalcorporation制造)20質(zhì)量份

通過使用轉(zhuǎn)印設(shè)備(商品名：vtm-200，takatoricorporation制造)附著干膜10，在基板1的表面上的干膜10的厚度設(shè)定為14.0μm。在轉(zhuǎn)印時(shí)，將干膜10的溫度設(shè)定為70℃，并且將施加到干膜10的壓力設(shè)定為0.5mpa。隨后，以5mm/秒的剝離速度剝離支撐構(gòu)件，并且使干膜10經(jīng)受圖案化曝光和加熱。通過使用曝光設(shè)備(商品名：fpa-3000i5+，佳能株式會(huì)社制造)利用i-射線進(jìn)行圖案化曝光，并且將曝光量設(shè)定為8000j/m²。在曝光時(shí)使用掩模以在干膜10上形成如圖4c所示的潛像。通過使用熱板在50℃下進(jìn)行加熱4分鐘，以促進(jìn)干膜10的固化反應(yīng)。

通過使用電子顯微鏡觀察如上所述形成在基板上的干膜10的上表面的高度。結(jié)果，確定了基板上的高度大致為恒定的。

接著，如圖4d所示，將干膜12附著到干膜10，并且在干膜12上形成噴出口的潛像。首先預(yù)備如下構(gòu)件：該構(gòu)件是通過將用作干膜的感光性樹脂組合物布置于由經(jīng)受了釋放促進(jìn)處理的pet膜構(gòu)成的支撐構(gòu)件而制成的。感光性樹脂組合物是100質(zhì)量份環(huán)氧樹脂(商品名：ehpe3150，daicelchemicalindustries,ltd.制造)和3質(zhì)量份光陽離子聚合引發(fā)劑鎓鹽的混合物。光陽離子聚合引發(fā)劑鎓鹽的感光性高于光陽離子聚合引發(fā)劑(sp-172)的感光性，并且即使在低曝光量下也產(chǎn)生陽離子。通過使用轉(zhuǎn)印設(shè)備(商品名：vtm-200，takatoricorporation制造)使干膜12附著，并且干膜10上的干膜12的厚度設(shè)定為10.0μm。在轉(zhuǎn)印時(shí)，干膜12的溫度設(shè)定為40℃，施加到干膜12的壓力設(shè)定為0.3mpa。隨后，支撐構(gòu)件以5mm/秒的剝離速度剝離，并且使干膜12經(jīng)受圖案化曝光和加熱。通過使用曝光設(shè)備(商品名：fpa-3000i5+，佳能株式會(huì)社制造)利用i-射線執(zhí)行圖案化曝光，并且曝光量設(shè)定為1000j/m²。在曝光時(shí)，使用掩模以在干膜12上形成圖4d所示的潛像。通過使用熱板在90℃下進(jìn)行加熱5分鐘，以促進(jìn)干膜12的固化反應(yīng)。在干膜12的曝光期間干膜10也經(jīng)受曝光，但是因?yàn)橛糜谛纬筛赡?0的材料的影響不能觀察到干膜10的固化反應(yīng)。

最終，如圖4e所示，通過使用丙二醇單甲醚乙酸酯(propyleneglycolmonomethyletheracetate)對(duì)干膜10和干膜12進(jìn)行顯影，以形成噴出口3和流路4。

通過使用電子顯微鏡觀察所得到的液體噴出頭。結(jié)果，流路4的形狀和從基板1到噴出口3的高度在基板1的任意位置都是恒定的。

此外，例如，將液體噴出頭連接到電配線，并且安裝到液體噴出設(shè)備。通過使用所得到的液體噴出頭記錄圖像。結(jié)果，噴出穩(wěn)定并且形成良好的圖像。

比較例

除了沒有開口8b以外，以與實(shí)施例相同的方式制造液體噴出頭。

通過使用電子顯微鏡觀察所得到的噴出頭。結(jié)果，流路4的形狀根據(jù)位置而不同。特別是在端部的供給部和端部的供給部的外側(cè)，高度的差異大。另外，噴出口3的高度以與流路4的高度相同的方式根據(jù)位置而不同。

將所得到的噴出頭安裝到液體噴出設(shè)備并且記錄圖像。結(jié)果，噴出不穩(wěn)定，并且在某些情況下不能形成預(yù)定圖像。

雖然已經(jīng)參照示例性實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施方式。權(quán)利要求書的范圍應(yīng)符合最寬泛的解釋，以包含所有的這些變型、等同結(jié)構(gòu)和功能。