專利名稱：介質(zhì)饋送設(shè)備和圖像記錄設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種被構(gòu)造成在將記錄介質(zhì)吸附到饋送構(gòu)件的同時(shí)饋送該記錄介質(zhì) 的介質(zhì)饋送設(shè)備和圖像記錄設(shè)備。
背景技術(shù)：
專利文獻(xiàn)1 (日本專利申請(qǐng)公報(bào)No. 07-330185)公開(kāi)了一種被構(gòu)造成在將記錄介 質(zhì)吸附到饋送構(gòu)件的同時(shí)饋送記錄介質(zhì)的設(shè)備。在該設(shè)備中，饋送構(gòu)件(片材饋送皮帶) 的饋送面上的記錄介質(zhì)通過(guò)使用被設(shè)置在饋送面的相反側(cè)的電極被吸附到該饋送面。

發(fā)明內(nèi)容
在上述吸附設(shè)備中，由于在饋送構(gòu)件與電極的表面層構(gòu)件之間積累有電荷，且因 此在饋送構(gòu)件與電極的表面層構(gòu)件之間產(chǎn)生吸引力，該吸引力起到饋送構(gòu)件的運(yùn)動(dòng)阻力的 作用。為了解決該問(wèn)題，具有低摩擦系數(shù)的材料被用于該吸收設(shè)備中的饋送構(gòu)件和電極的 表面層構(gòu)件。然而，僅采用這種措施是不夠的。鑒于上述情形已開(kāi)發(fā)出本發(fā)明，并且，本發(fā)明的目的是提供包括具有低運(yùn)動(dòng)阻力 的饋送構(gòu)件的介質(zhì)饋送設(shè)備和圖像記錄設(shè)備。上述目的可根據(jù)本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種介質(zhì)饋送設(shè)備，包括饋送機(jī)構(gòu)， 所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表面，在所述介質(zhì)放置表面上放 置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿著預(yù)定路徑移動(dòng)來(lái)饋送被放置 在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸附單元，所述吸附單元包括第 一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中的每一個(gè)電極具有與所述饋送構(gòu)件的 背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的相反側(cè)的表面，所述吸附單元被構(gòu)造 成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓來(lái)將位于所述介質(zhì)放置表面上的所 述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；第一表面層構(gòu)件，所述第一表面層構(gòu)件由具有比所 述第一電極高的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第一電極的兩個(gè)表面中的一個(gè)表 面上，所述第一電極的所述一個(gè)表面比所述第一電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 更靠近所述饋送構(gòu)件的所述背面；第二表面層構(gòu)件，所述第二表面層構(gòu)件由具有比所述第 二電極高的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第二電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表 面上，所述第二電極的所述一個(gè)表面比所述第二電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 更靠近所述饋送構(gòu)件的所述背面；第一低電阻構(gòu)件，所述第一低電阻構(gòu)件由具有比所述第 一表面層構(gòu)件低的體積電阻率的材料形成，并且被固定到所述第一表面層構(gòu)件的表面中的 與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面，處于所述第一表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件 之間的位置；和第二低電阻構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述第二表面層構(gòu)件低的 體積電阻率的材料形成，并且被固定到所述第二表面層構(gòu)件的表面中的與所述饋送構(gòu)件的 所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面，處于所述第二表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置，其中 所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成彼此間隔開(kāi)。
根據(jù)上述構(gòu)造，由于設(shè)置了具有分別比第一和第二表面層構(gòu)件低的體積電阻率的 第一和第二低電阻構(gòu)件，所以，與在不設(shè)置第一和第二低電阻構(gòu)件的情況下的在(a)第一 和第二表面層構(gòu)件與(b)饋送構(gòu)件之間的接觸電阻相比，在(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與 (b)饋送構(gòu)件之間的接觸電阻低。結(jié)果，(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與(b)饋送構(gòu)件之間的 電勢(shì)差變小，從而抑制電荷在第一及第二低電阻構(gòu)件與饋送構(gòu)件之間堆積。因而，在吸附單 元和饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力被抑制，從而降低了饋送構(gòu)件的運(yùn)動(dòng)阻力。所述介質(zhì)饋送設(shè)備進(jìn)一步包括中間構(gòu)件，所述中間構(gòu)件被設(shè)置在位于所述第一低 電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件之間的位置。所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件 和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成使得所述第一低電阻構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì) 的表面、所述第二低電阻構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面、以及所述中間 構(gòu)件的兩個(gè)相反表面中的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面在一個(gè)平面內(nèi)。根據(jù)上述構(gòu)造，中間構(gòu)件被設(shè)置在第一低電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件之間的位 置。此外，第一低電阻構(gòu)件的與饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面、第二低電阻構(gòu)件的與饋送構(gòu) 件的背面相面對(duì)的表面、以及中間構(gòu)件的與饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面在一個(gè)平面內(nèi)。 因此，由于第一和第二低電阻構(gòu)件的表面和中間構(gòu)件的表面是平坦的，饋送構(gòu)件能夠沿第 一和第二低電阻構(gòu)件平穩(wěn)地移動(dòng)。在所述介質(zhì)饋送設(shè)備中，作為至少一個(gè)未形成區(qū)域的至少一個(gè)貫穿區(qū)域被形成為 沿所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件的厚度方向貫穿 該低電阻構(gòu)件，所述未形成區(qū)域是既沒(méi)形成所述第一低電阻構(gòu)件也沒(méi)形成所述第二低電阻 構(gòu)件的區(qū)域。根據(jù)上述構(gòu)造，形成有沿第一低電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻 構(gòu)件的每一個(gè)的厚度方向貫穿該低電阻構(gòu)件的貫穿區(qū)域。因此，在貫穿區(qū)域處，在第一或第 二表面層構(gòu)件與饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力未被抑制，從而饋送構(gòu)件更可能被吸附到第一 或第二表面層構(gòu)件。然而，由于貫穿區(qū)域僅被形成在第一低電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件中 的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件的一部分中，所以能夠防止饋送構(gòu)件沿離開(kāi)所述電極的方向浮動(dòng)并 且抑制所述設(shè)備的整體吸引力。在所述介質(zhì)饋送設(shè)備中，由如下材料形成的高電阻構(gòu)件被設(shè)置在所述至少一個(gè)貫 穿區(qū)域中，該材料具有比所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的任何低電阻構(gòu)件 都高的體積電阻率。根據(jù)上述構(gòu)造，在貫穿區(qū)域中設(shè)置有高電阻構(gòu)件，該高電阻構(gòu)件由具有比第一低 電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件中的任何低電阻構(gòu)件都高的體積電阻率的材料形成。因此，通 過(guò)在高電阻構(gòu)件和饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力，能夠防止饋送構(gòu)件沿離開(kāi)所述電極的方向浮動(dòng)。在所述介質(zhì)饋送設(shè)備中，所述至少一個(gè)貫穿區(qū)域是多個(gè)貫穿區(qū)域。所述多個(gè)貫穿 區(qū)域被形成在位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件上的位置，在所述位置處， 所述多個(gè)貫穿區(qū)域面對(duì)所述饋送構(gòu)件的在如下方向上的(a)兩個(gè)相反端部和(b)中央部 中的至少一個(gè)，所述方向沿著所述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直。根據(jù)上述構(gòu)造，在與所述饋送構(gòu)件的在如下方向上的(a)兩個(gè)相反端部和(b)中央部中的至少一個(gè)相面對(duì)的位置處形成有多個(gè)貫穿區(qū)域，所述方向沿著所述介質(zhì)放置表面 指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的饋送方向垂直。因此，能夠更可靠地防止饋送構(gòu)件沿離開(kāi)所述電 極的方向浮動(dòng)。在所述介質(zhì)饋送設(shè)備中，所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間 構(gòu)件被設(shè)置成在沿著所述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方 向上沒(méi)有任何間隙。根據(jù)上述構(gòu)造，第一低電阻構(gòu)件、第二低電阻構(gòu)件和中間構(gòu)件被設(shè)置成在沿著所 述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送方向垂直的方向上沒(méi)有任何間隙。因此，設(shè)置中間構(gòu)件 防止了在第一和第二低電阻構(gòu)件之間形成凹部。在所述介質(zhì)饋送設(shè)備中，所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間 構(gòu)件被設(shè)置成使得所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件 在沿著所述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的饋送方向垂直的方向上與所述中間構(gòu) 件間隔開(kāi)。根據(jù)上述構(gòu)造，第一低電阻構(gòu)件、第二低電阻構(gòu)件和中間構(gòu)件被設(shè)置成使得第一 低電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件在沿著所述介質(zhì)放置表面指向且 與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方向上與所述中間構(gòu)件間隔開(kāi)。因此，在第一和第 二低電阻構(gòu)件之間不發(fā)生短路。上面指出的目的也可根據(jù)本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種介質(zhì)饋送設(shè)備，包括饋 送機(jī)構(gòu)，所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表面，在所述介質(zhì)放置表 面上放置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿著預(yù)定路徑移動(dòng)來(lái)饋送 被放置在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸附單元，所述吸附單元 包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中的每一個(gè)電極具有與所述饋送 構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的相反側(cè)的表面，所述吸附單元 被構(gòu)造成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓來(lái)將位于所述介質(zhì)放置表面 上的所述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；表面層構(gòu)件，所述表面層構(gòu)件由具有比所述 第一電極和所述第二電極中的任何電極高的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第一 電極和所述第二電極的所述表面上；第一低電阻構(gòu)件，所述第一低電阻構(gòu)件由具有比所述 表面層構(gòu)件低的體積電阻率的材料形成，并且被固定到所述表面層構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件 的所述背面相面對(duì)的表面，處于所述表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置；和第二低電 阻構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述表面層構(gòu)件低的體積電阻率的材料形成，并且 被固定到所述表面層構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面，處于所述表面層構(gòu) 件和所述饋送構(gòu)件之間的位置，其中所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成 彼此間隔開(kāi)。根據(jù)上述構(gòu)造，由于設(shè)置了每個(gè)均具有比表面層構(gòu)件低的體積電阻率的第一和第 二低電阻構(gòu)件，所以，在(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與(b)饋送構(gòu)件之間的接觸電阻比未設(shè) 置每個(gè)均具有比表面層構(gòu)件低的體積電阻率的第一和第二低電阻構(gòu)件的情況下的在表面 層構(gòu)件與饋送構(gòu)件之間的接觸電阻低。結(jié)果，在(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與(b)饋送構(gòu) 件之間的電勢(shì)差變小，從而抑制電荷在第一及第二低電阻構(gòu)件與饋送構(gòu)件之間堆積。因而， 在吸附單元和饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力被抑制，從而降低了饋送構(gòu)件的運(yùn)動(dòng)阻力。
上面指出的目的也可根據(jù)本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種介質(zhì)饋送設(shè)備，所述介 質(zhì)饋送設(shè)備包括饋送機(jī)構(gòu)，所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表 面，在所述介質(zhì)放置表面上放置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿 著預(yù)定路徑移動(dòng)來(lái)饋送被放置在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸 附單元，所述吸附單元包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中的每一 個(gè)電極具有與所述饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的相反側(cè) 的表面，所述吸附單元被構(gòu)造成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓來(lái)將位 于所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；第一表面層構(gòu)件，所述 第一表面層構(gòu)件由具有比所述第一電極高的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第一 電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第一電極的所述一個(gè)表面比所述第一電極的所 述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面更靠近所述饋送構(gòu)件的所述背面；第二表面層構(gòu)件，所述 第二表面層構(gòu)件由具有比所述第二電極高的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第二 電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第二電極的所述一個(gè)表面比所述第二電極的所 述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面更靠近所述饋送構(gòu)件的所述背面；第一低電阻構(gòu)件，所述 第一低電阻構(gòu)件由具有比所述饋送構(gòu)件低的體積電阻率的材料形成，并且被固定到所述饋 送構(gòu)件的所述背面，處于所述第一表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置；和第二低電阻 構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述饋送構(gòu)件低的體積電阻率的材料形成，并且被固 定到所述饋送構(gòu)件的所述背面，處于所述第二表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置，其 中所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成彼此間隔開(kāi)。根據(jù)上述構(gòu)造，由于設(shè)置了具有比饋送構(gòu)件低的體積電阻率的第一和第二低電阻 構(gòu)件，所以，與在不設(shè)置第一和第二低電阻構(gòu)件情況下的在(a)第一和第二表面層構(gòu)件與 (b)饋送構(gòu)件之間的接觸電阻相比，在(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與(b)第一和第二表面層 構(gòu)件之間的接觸電阻低。結(jié)果，(a)第一和第二低電阻構(gòu)件與(b)第一和第二表面層構(gòu)件 之間的電勢(shì)差變小，從而抑制電荷在第一及第二低電阻構(gòu)件與第一及第二表面層構(gòu)件之間 堆積。因而，在吸附單元和饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力被抑制，從而降低了饋送構(gòu)件的運(yùn)動(dòng) 阻力。上面指出的目的也可根據(jù)本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種圖像記錄設(shè)備，包括上 述介質(zhì)饋送設(shè)備；和記錄頭，所述記錄頭被構(gòu)造成在由饋送機(jī)構(gòu)饋送的記錄介質(zhì)上進(jìn)行記 錄操作。根據(jù)上述構(gòu)造，應(yīng)用本發(fā)明的介質(zhì)饋送設(shè)備被優(yōu)選設(shè)置在包括記錄頭的記錄設(shè)備 中。因此，在所述圖像記錄設(shè)備中，能夠抑制記錄介質(zhì)饋送時(shí)的負(fù)荷。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)閱讀以下對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述，將更好地理解本 發(fā)明的目的、特征、優(yōu)勢(shì)和技術(shù)意義及工業(yè)意義，其中圖1是示出作為本發(fā)明第一實(shí)施例的噴墨打印機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是示出圖1中的片材饋送機(jī)構(gòu)及其周圍部件的平面圖，其中部分省略了片材 饋送皮帶的圖示，從而示出了位于片材饋送皮帶下方的吸附壓盤；圖3是示出吸附壓盤的電氣結(jié)構(gòu)的示意電路圖，該示意電路圖包括吸附壓盤中的電極的平面圖；圖4是沿著圖2中的線IV-IV剖開(kāi)的局部放大圖；圖5是示出由記錄介質(zhì)、吸附壓盤和片材饋送機(jī)構(gòu)形成的電路的電路圖；圖6是示出圖4所示的吸附壓盤的變型的放大剖面圖；圖7A是示出本發(fā)明第二實(shí)施例中的吸附壓盤的平面圖，圖7B是沿著圖7A中的線 B-B剖開(kāi)的局部放大剖視圖；圖8是示出上述實(shí)施例的實(shí)例構(gòu)造的示意圖；圖9A是示出上述實(shí)施例的實(shí)例中的吸附壓盤的垂直剖面立視圖，圖9B是示出上 述實(shí)施例的實(shí)例的比較例的構(gòu)造的垂直剖面立視圖；圖10是示出作為上述實(shí)施例的實(shí)例的變型的吸附壓盤的垂直剖面立視圖。
具體實(shí)施例方式<第一實(shí)施例>下文中，將參考圖1到6描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。如圖1所示，作為第一實(shí)施例的噴墨打印機(jī)1包括(a)具有長(zhǎng)方體形狀的殼體 Ia ；和(b)位于噴墨打印機(jī)1上部的片材排出部15。殼體Ia的內(nèi)部按照從上到下的順序 被分成兩個(gè)空間Si、S2。在空間Sl中，按照從上到下的順序設(shè)置有(a)用于分別噴射四 種顏色(即品紅、青色、黃色和黑色)的墨的四個(gè)噴墨頭2 ；和(b)被構(gòu)造成沿片材饋送方 向A饋送片材P的片材饋送機(jī)構(gòu)50。片材供應(yīng)裝置10被設(shè)置在空間S2中。此外，噴墨打 印機(jī)1包括被構(gòu)造成控制這些部件的操作的控制器100。應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí)施例中，與片材 P被片材饋送機(jī)構(gòu)50饋送時(shí)的片材饋送方向A平行的方向被定義為副掃描方向，而與副掃 描方向垂直且平行于水平面的方向被定義為主掃描方向。在噴墨打印機(jī)1中，形成有沿著圖1中的粗箭頭的片材饋送路徑，片材P通過(guò)該片 材饋送路徑從片材供應(yīng)裝置10向片材排出部15饋送。片材供應(yīng)裝置10包括(a)片材供 應(yīng)盒11，該片材供應(yīng)盒被構(gòu)造成在其中以堆疊方式容納多張片材P ;(b)片材供應(yīng)輥12，該 片材供應(yīng)輥被構(gòu)造成從供材供應(yīng)盒11供應(yīng)每張片材P ；和(c)片材供應(yīng)馬達(dá)(未示出)，該 片材供應(yīng)馬達(dá)被構(gòu)造成通過(guò)控制器100的控制來(lái)使片材供應(yīng)輥12旋轉(zhuǎn)。片材供應(yīng)輥12被構(gòu)造成供應(yīng)以堆疊方式容納在片材供應(yīng)盒11中的片材P的最上 面一張片材。在圖1中的片材饋送機(jī)構(gòu)50的左側(cè)，設(shè)置有從片材供應(yīng)盒11彎曲且向上延 伸的片材饋送引導(dǎo)件17。在該構(gòu)造中，通過(guò)控制器100的控制，片材供應(yīng)輥12在接觸最上面的片材P的同 時(shí)沿圖1中的順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，從而將片材P通過(guò)片材饋送引導(dǎo)件17供應(yīng)到片材饋送機(jī)構(gòu)50。如圖1和2所示，片材饋送機(jī)構(gòu)50被設(shè)置在面對(duì)四個(gè)噴墨頭2的位置，并且包括 (a)兩個(gè)皮帶輥51、52;(b)環(huán)形片材饋送皮帶53，該環(huán)形片材饋送皮帶作為被纏繞在輥
51、52上以便將輥51、52橋接的饋送構(gòu)件；(c)片材饋送馬達(dá)(未示出)，該片材饋送馬達(dá) 被構(gòu)造成通過(guò)控制器100的控制來(lái)使皮帶輥52旋轉(zhuǎn)；和(d)吸附壓盤(吸引壓盤)60，所 述吸附壓盤作為面對(duì)四個(gè)噴墨頭2的吸附單元。兩個(gè)皮帶輥51、52被沿片材饋送方向A并 排布置且由殼體Ia支撐以便可旋轉(zhuǎn)。
片材饋送皮帶53例如由聚酰亞胺和氟塑料形成，且具有約108到1014Q-cm(歐 姆-厘米)之間的體積電阻率，例如約為1012 Ω-cm，且具有柔性。任何材料可被用于片材 饋送皮帶53，只要片材饋送皮帶53具有與上面類似的體積電阻率和柔性。將在后面描述由 這種具有相當(dāng)高的體積電阻率的材料形成片材饋送皮帶53的原因。如圖2到4所示，吸附壓盤60包括具有平板形狀且由絕緣材料形成的基體構(gòu)件 61，和被結(jié)合到吸附壓盤60的上表面61a的作為第一電極和第二電極的電極62、63。電極 62,63分別包括沿片材饋送方向A延伸的多個(gè)伸長(zhǎng)部62a、63a。每個(gè)電極62、63均具有梳 狀形狀，使得伸長(zhǎng)部6 和伸長(zhǎng)部63a沿主掃描方向交替布置。形成有電極62、63的區(qū)域 具有與片材P沿主掃描方向的寬度大約相同的寬度，且沿副掃描方向延伸或橫跨設(shè)置有噴 墨頭2的區(qū)域。電極62、63具有各自的在相同高度處水平地形成的上表面。電極62被連 接到設(shè)置在殼體Ia中的電源69，電極63接地。電源69由控制器100控制。諸如金屬的具 有良好導(dǎo)電性的材料被用于電極62、63。作為第一表面層構(gòu)件和第二表面層構(gòu)件的表面層構(gòu)件64、65被結(jié)合到電極62、63 各自的上表面。電極62的上表面除了其連接到電源69的連接部之外的整個(gè)區(qū)域被表面層 構(gòu)件64覆蓋。電極63的上表面除了其連接到地的連接部之外的整個(gè)區(qū)域被表面層構(gòu)件65 覆蓋。表面層構(gòu)件64、65各自的上表面被水平地形成在相同高度處。每個(gè)表面層構(gòu)件64、65均例如由氯乙烯和聚丙烯形成且具有約1010到1014Q-cm 之間的體積電阻率，該體積電阻率與電極62、63相比較高。結(jié)果，防止當(dāng)電壓已被施加到電 極62、63之間時(shí)過(guò)量電流流入電極62、63之間。此外，由于設(shè)置有表面層構(gòu)件64、65，防止 了由于電極62、63的表面與其它構(gòu)件接觸而在電極62、63之間發(fā)生短路。應(yīng)當(dāng)注意，任何材 料均可用于每個(gè)表面層構(gòu)件64、65，只要每個(gè)表面層構(gòu)件64、65具有約1010到1014 Ω-cm 之間的體積電阻率。此外，每個(gè)表面層構(gòu)件64、65的體積電阻率優(yōu)選落入上述范圍，但如果 每個(gè)表面層構(gòu)件64、65的體積電阻率比每個(gè)電極62、63的體積電阻率高，則可以不落入上 述范圍。此外，在本實(shí)施例中，表面層構(gòu)件64、65使用相同材料，但也可以使用不同材料。作為第一低電阻構(gòu)件和第二低電阻構(gòu)件的低電阻構(gòu)件66、67被結(jié)合且固定到表 面層構(gòu)件64、65的各自上表面。此外，低電阻構(gòu)件66、67沿水平方向彼此間隔開(kāi)，并且每個(gè) 中間構(gòu)件68均被設(shè)置在相鄰兩個(gè)低電阻構(gòu)件66、67之間的位置。將在后面描述低電阻構(gòu) 件66、67和中間構(gòu)件68。夾壓輥4被設(shè)置在與吸附壓盤60的上游端對(duì)應(yīng)的位置以便面對(duì)電極62、63的伸 長(zhǎng)部62a、63a。夾壓輥4推壓從片材供應(yīng)裝置10被供應(yīng)到片材饋送皮帶53的片材放置表 面討上的片材P。在該構(gòu)造中，皮帶輥52通過(guò)控制器100的控制沿圖1中的順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，從而 使片材饋送皮帶53旋轉(zhuǎn)。在該操作中，皮帶輥51和夾壓輥4也隨著片材饋送皮帶53的旋 轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。此外，在該操作中，通過(guò)控制器100的控制對(duì)電極62施加正電勢(shì)，并對(duì)電極63 施加地電勢(shì)。應(yīng)當(dāng)注意，該噴墨打印機(jī)1可具有任何構(gòu)造，只要在電極62、63之間產(chǎn)生電勢(shì) 差。例如，可對(duì)電極62施加負(fù)電勢(shì)，可分別對(duì)電極62和電極63施加地電勢(shì)和與地電勢(shì)不 同的電勢(shì)。當(dāng)電壓已被施加到電極62、63之間時(shí)，電流經(jīng)由片材饋送皮帶53和片材P在電極 62、63之間流動(dòng)。圖5示出當(dāng)電壓V已被施加到電極62、63之間時(shí)形成的電路。應(yīng)當(dāng)注意，圖5中示出的電路僅是一個(gè)模型，假定本實(shí)施例被理想化為一種電氣結(jié)構(gòu)。
該電路包括按順序經(jīng)過(guò)電極62、片材饋送皮帶53、片材P、片材饋送皮帶53和電極 63的主路徑。符號(hào)I k、Rt、Rgb、Rb、Rgp和Rp分別表示該主路徑中各點(diǎn)的電阻。具體地，符 號(hào)I^k相當(dāng)于表面層構(gòu)件64(或表面層構(gòu)件65)的電阻。符號(hào)Rt相當(dāng)于低電阻構(gòu)件66(或 低電阻構(gòu)件67)的電阻。符號(hào)Rgb相當(dāng)于低電阻構(gòu)件66(或低電阻構(gòu)件67)與片材饋送皮 帶53之間的接觸電阻。符號(hào)Rb相當(dāng)于片材饋送皮帶53的電阻。符號(hào)Rgp相當(dāng)于片材饋 送皮帶53與片材P之間的接觸電阻。符號(hào)Rp相當(dāng)于片材P的電阻。此外，該電路包括并聯(lián)到主路徑的替代路徑。符號(hào)Rkm和Rbm表示該替代路徑的電 阻。具體地，符號(hào)Rkm表示經(jīng)由中間構(gòu)件68將電極62、63直接連接的替代路徑的電阻。符 號(hào)Rbm表示不經(jīng)由片材P而是經(jīng)由片材饋送皮帶53使電極62側(cè)和電極63側(cè)彼此連接的 替代路徑的電阻。這些替代路徑是電流在片材饋送皮帶53和中間構(gòu)件68的面對(duì)方向上流 動(dòng)的路徑。這些路徑分別通過(guò)每個(gè)均具有高電阻的片材饋送皮帶53和中間構(gòu)件68延伸。 因此，與所有這些電阻I k、Rt、Rgb, Rb、Rgp和Rp相比，電阻Rkm和Rbm中的每一個(gè)電阻均 相當(dāng)高。如圖5所示，形成有并聯(lián)到電阻的電容器。此外，在彼此面對(duì)的片材P和片材饋送 皮帶53各自的表面上形成有微小突起和凹部。因而，在電壓已施加到電極62、63之間的情 況下，在片材P和片材饋送皮帶53彼此接觸的區(qū)域處，微小電流流入片材P和片材饋送皮 帶53之間的間隙中，從而在這些間隙中產(chǎn)生電勢(shì)差。此外，在片材P和片材饋送皮帶53彼 此不接觸的區(qū)域堆積了具有不同極性的電荷，從而作為庫(kù)侖力的吸引力或吸附力作用到片 材P和片材饋送皮帶53上。片材饋送皮帶53上的片材P通過(guò)被稱為“約翰遜-拉貝克力” 的該吸引力被靜電吸附到片材放置表面M上。應(yīng)當(dāng)注意，片饋送皮帶53由具有如上所述 比較高的體積電阻率的材料形成的原因如下。即，在片材饋送皮帶53的電阻低的情況下， 使電極62側(cè)和電極63側(cè)經(jīng)由片材饋送皮帶53彼此連接的替代路徑的電阻Rbm變低，從而 電流更可能流入到替代路徑且不太可能流動(dòng)到片材P。另一方面，在片材饋送皮帶53的電 阻變得過(guò)高的情況下，電流不太可能從片材饋送皮帶53流動(dòng)到片材P。因此，在片材饋送皮 帶53的電阻太低和太高的每一種情況下，通過(guò)“約翰遜-拉貝克力”產(chǎn)生的吸引力變小。從片材供應(yīng)裝置10供應(yīng)的片材P在通過(guò)由吸附壓盤60產(chǎn)生的吸引力被吸引和吸 附到片材放置表面M的同時(shí)被沿片材饋送方向A饋送。在該操作中，當(dāng)在被吸附到片材饋 送皮帶53的片材放置表面M上的同時(shí)饋送的片材P按順序經(jīng)過(guò)四個(gè)噴墨頭2正下方的位 置(即與各噴墨頭2的噴墨表面加面對(duì)的區(qū)域)時(shí)，控制器100控制噴墨頭2以向片材P 噴射相應(yīng)顏色的墨。結(jié)果，在片材P上形成了預(yù)期顏色的圖像。如圖1所示，剝離板9被正好設(shè)置在片材饋送機(jī)構(gòu)50的沿副掃描方向的下游側(cè)。 通過(guò)剝離板9的末端進(jìn)入片材P和片材饋送皮帶53之間的位置，剝離板9將片材P從片材 放置表面討剝離。在片材饋送機(jī)構(gòu)50和片材排出部15之間，沿著片材饋送路徑設(shè)置有(a)四個(gè)片 材饋送輥21a、21b、22a、22b ；和(b)片材排出引導(dǎo)件18，該片材排出引導(dǎo)件18被設(shè)置在片 材饋送輥21a、21b和片材饋送輥22a、22b之間。片材饋送輥21b、22b被由控制器100控制 的片材饋送馬達(dá)(未示出)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。此外，片材饋送輥21a、2h是隨著片材P的饋送而 旋轉(zhuǎn)的從動(dòng)輥。
在該構(gòu)造中，控制器100控制將被驅(qū)動(dòng)的片材饋送馬達(dá)使得片材饋送輥21b、22b 旋轉(zhuǎn)，從而由片材饋送機(jī)構(gòu)50饋送的片材P在被片材饋送輥21a、21b保持的同時(shí)通過(guò)片材 排出引導(dǎo)件18向圖1中的噴墨打印機(jī)1的上部饋送。然后，片材P在被片材饋送輥22a、 22b保持的同時(shí)被排出到片材排出部15。在本實(shí)施例中，片材P被如上所述的吸附壓盤60吸附到片材饋送皮帶53上。然 而，在除了片材饋送皮帶53和片材P之間的區(qū)域之外的區(qū)域上也產(chǎn)生由吸附壓盤60生成 的吸引力。例如，如并聯(lián)到圖5中的電阻Rgb的電容器所指示的，在吸附壓盤60和片材饋 送皮帶53之間的區(qū)域中堆積有電荷。在電荷已經(jīng)堆積在吸附盤60和片材饋送皮帶53之 間的區(qū)域中的情況下，片材饋送皮帶53被吸附到吸附壓盤60，從而作用在片材饋送皮帶53 和吸附壓盤60之間的區(qū)域上的靜電力和摩擦力變得更大。這導(dǎo)致片材饋送皮帶53的片材 饋送負(fù)荷增加的問(wèn)題。為了避免或抑制該問(wèn)題，在本實(shí)施例中，分別在各表面層構(gòu)件64、65的上表面上 堆疊低電阻構(gòu)件66、67。表面層構(gòu)件64的整個(gè)表面被低電阻構(gòu)件66覆蓋，并且表面層構(gòu)件 65的整個(gè)表面被低電阻構(gòu)件67覆蓋。各個(gè)低電阻構(gòu)件66、67的上表面在相同高度處水平 地形成。每個(gè)低電阻構(gòu)件66、67均由諸如金屬的具有良好導(dǎo)電性的材料形成。每個(gè)低電阻 構(gòu)件66、67優(yōu)選具有低的體積電阻率，但任何材料均可用于低電阻構(gòu)件66、67，只要每個(gè)低 電阻構(gòu)件66、67的體積電阻率比每個(gè)表面層構(gòu)件64、65的體積電阻率低(當(dāng)然，每個(gè)低電 阻構(gòu)件66、67的體積電阻率比環(huán)形片材饋送皮帶53的體積電阻率低)。在本實(shí)施例中，由 于每個(gè)表面層構(gòu)件64、65均具有如上所述約1010到1014 Ω-cm的體積電阻率，所以每個(gè)低 電阻構(gòu)件66、67的體積電阻率可被調(diào)整到最大約1010 Ω-cm的值，但是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在一些例 子中，在體積電阻率被設(shè)定為約108Q-cm的情況下能獲得突出的效果。如上所述在每個(gè)均具有低體積電阻率的低電阻構(gòu)件66、67被設(shè)置在各表面層 構(gòu)件64、65和片材饋送皮帶53之間的情況下，堆積在片材饋送皮帶53和吸附壓盤60 之間的區(qū)域中的電荷量減少，從而在該間隙中不太可能產(chǎn)生吸引力。這是由于以下原 因。由于替代路徑的電阻Rbm、Rkm中的每一個(gè)電阻與主路徑的電阻相比均相當(dāng)高，所以 可以認(rèn)為圖5中的電路大致等價(jià)于僅由主路徑構(gòu)成的電路。因此，可認(rèn)為圖5中的電路 是這些電阻串聯(lián)而成的電路，整個(gè)電路的電阻值被寫為“2X (Rk+Rt+Rgb+Rb+Rgp) +Rp”。 此外，施加到片材饋送皮帶53和吸附壓盤60之間的電壓Vgb被寫為“Vgb = VXRgb/ {2X (Rk+Rt+Rgb+Rb+Rgp)+Rp}”。這里，對(duì)電路上設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況和電路上未設(shè)置有低電阻構(gòu)件 66、67的情況進(jìn)行相互比較。在電路上設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況下，整個(gè)電路的電阻 值如上所述。另一方面，在電路上不設(shè)置低電阻構(gòu)件66、67的情況下，整個(gè)電路的電阻值被 寫為“2X (Rk+Rgb，+Rb+Rgp)+Rp”。這里，Rgb，表示(a)各表面層構(gòu)件64、65和(b)片材饋 送皮帶53之間的接觸電阻。當(dāng)比較上述兩個(gè)表達(dá)式時(shí)，在電路上設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67 的情況下，電阻值增大了“2XRt”的值。此外，由于低電阻構(gòu)件的電阻Rt小于表面層構(gòu)件的 電阻Rk，所以電阻Rgb小于電阻Rgb，(Rgb < Rgb，)，因而值“2父1^13”小于值“2\1^13’”。 因此，可以獲得上述兩個(gè)表達(dá)式的高低關(guān)系。然而，當(dāng)與電阻I k、Rb、Rp中的每一個(gè)電阻相比時(shí)，電阻Rt相當(dāng)?shù)汀＠?，每個(gè)表 面層構(gòu)件64、65的體積電阻率等于或大于如上所述的1010 Ω-cm，而每個(gè)低電阻構(gòu)件66、67的體積電阻率等于或小于1 Ω-cm。此外，與電阻I k、Rb、Rp中的每一個(gè)電阻相比，電阻Rgb 本來(lái)就很低。因而，即使在電阻從電阻Rgb’下降到電阻Rgb的情況下，對(duì)圖5中整個(gè)電路 的電阻值的影響也極小。因而，當(dāng)設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況與未設(shè)置有低電阻構(gòu)件 66、67的情況相比時(shí)，圖5中整個(gè)電路的電阻值的變化極小。因此，在設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況和未設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況下， 表示電壓Vgb的上述表達(dá)式中的分母“2X (Rk+Rt+Rgb+I b+Rgp)+Rp”的值不變。然而，在電 路上設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況下，與電路上未設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況相比， 由于分子中的Rgb’下降到Rgb，所以電壓Vgb總體上下降。通過(guò)將(a)片材饋送皮帶53和 吸附壓盤60之間的電容C與(b)被施加到片材饋送皮帶53和吸附壓盤60的電壓Vgb相 乘來(lái)獲得在片材饋送皮帶53和吸附壓盤60之間堆積的電荷量Q。即電荷量Q被寫為“Q = CX Vgb”。這里，電容C是恒定的，與是否存在低電阻構(gòu)件66、67無(wú)關(guān)，因?yàn)殡娙軨由片材饋 送皮帶53和吸附壓盤60之間存在的空氣的屬性決定。因而，在設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的 情況下，與未設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況相比，電荷量Q隨著電壓Vgb的降低而下降。 結(jié)果，在片材饋送皮帶53和吸附壓盤60之間產(chǎn)生的吸引力變得更小。相反，與未設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況相比，即使在設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、 67的情況下，在片材P和片材饋送皮帶53之間產(chǎn)生的吸引力也幾乎不變。這是由于如下 原因。如上所述，在設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況下，圖5中整個(gè)電路的電阻值被寫為 “ 2 X (Rk+Rt+Rgb+Rb+Rgp) +Rp ”。被施加到片材饋送皮帶53和片材P之間的間隙的電壓Vgp 被寫為 “Vgp = VXRgp/{2X (Rk+Rt+Rgb+Rb+Rgp) +Rp} ”。如上所述，在設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的情況下，與未設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67的 情況相比，圖5中的整個(gè)電路的電阻值不會(huì)大幅變化。由于片材饋送皮帶53和片材P之間 的間隙的電阻值RgP不根據(jù)低電阻構(gòu)件66、67的存在與否而改變，所以，從電壓Vgp的上述 表達(dá)式明顯可以看出，電壓Vgp不改變，因此片材P和片材饋送皮帶53之間包含的電荷量 Q(Q = CXVgp)也不改變。因而，片材P和片材饋送皮帶53之間產(chǎn)生的吸引力不改變。同時(shí)，如果在各表面層構(gòu)件64、65上進(jìn)一步設(shè)置有低電阻構(gòu)件66、67，則基體構(gòu)件 61的上表面61a和低電阻構(gòu)件66、67的上表面之間的高度差增加，從而在吸附壓盤60的表 面上形成突起和凹部。在這種情況下，存在如下風(fēng)險(xiǎn)片材饋送皮帶53由于被形成在吸附 壓盤60的上表面上的突起和凹部阻礙和阻絆而不能平滑地旋轉(zhuǎn)。相反，在本實(shí)施例中，每個(gè)中間構(gòu)件68被沿主掃描方向設(shè)置在相應(yīng)的低電阻構(gòu)件 66、67之間。中間構(gòu)件68的上表面被形成為沿水平方向伸展且被設(shè)置在與低電阻構(gòu)件66、 67的上表面相同的高度處。結(jié)果，中間構(gòu)件68和低電阻構(gòu)件66、67在片材饋送皮帶53側(cè) 的各自表面(即中間構(gòu)件68和低電阻構(gòu)件66、67的上表面)被沿著水平面布置。換言之， 中間構(gòu)件68和低電阻構(gòu)件66、67各自的上表面彼此齊平。此外，中間構(gòu)件68被設(shè)置以便 不沿主掃描方向在低電阻構(gòu)件66、67之間形成間隙。為了防止在低電阻構(gòu)件66、67之間和 電極62、63之間發(fā)生短路，中間構(gòu)件68優(yōu)選使用具有更高體積電阻率的材料。具體地，中 間構(gòu)件68優(yōu)選使用具有絕緣性的材料(諸如樹(shù)脂材料)。設(shè)置中間構(gòu)件68防止了在低電 阻構(gòu)件66、67之間形成凹部，并且提高了吸附壓盤60的上表面的平坦度。結(jié)果，片材饋送皮 帶53平滑地旋轉(zhuǎn)。此外，為了防止在中間構(gòu)件68和片材饋送皮帶53之間產(chǎn)生摩擦電荷， 中間構(gòu)件68優(yōu)選由與片材饋送皮帶53的材料相同的材料或者由其起電序列(電相似性)接近于片材饋送皮帶53的起電序列的材料形成。應(yīng)當(dāng)注意，電極62、63的上表面處于相同高度。同樣，表面層構(gòu)件64、65的上表面 處于相同高度，低電阻構(gòu)件66、67的上表面也處于相同高度。然而，每對(duì)之間可以有少量的 偏移。在這種情況下，需要設(shè)置中間構(gòu)件68以便減少或去除低電阻構(gòu)件66、67之間的凹部。此外，設(shè)置每個(gè)中間構(gòu)件68以便不沿主掃描方向在相應(yīng)的低電阻構(gòu)件66、67之 間形成間隙，但作為上述中間構(gòu)件68的替代，噴墨打印機(jī)動(dòng)1可包括圖6所示的中間構(gòu)件 168，每個(gè)中間構(gòu)件168被設(shè)置成沿主掃描方向在低電阻構(gòu)件66、67之間形成間隙。此外， 每個(gè)中間構(gòu)件168也與相鄰兩個(gè)電極62、63間隔開(kāi)。在這種構(gòu)造中，由于在低電阻構(gòu)件66、 67之間和電極62、63之間不發(fā)生短路，所以中間構(gòu)件168可由在某種程度上具有導(dǎo)電性的 材料(例如半導(dǎo)電板)形成。在本實(shí)施例中，電極62、表面層構(gòu)件64和低電阻構(gòu)件66具有相同的平面形狀且?guī)?乎彼此完全重疊，電極63、表面層構(gòu)件65和低電阻構(gòu)件67也具有相同的平面形狀且?guī)缀醣?此完全重疊。因而，在制造這些構(gòu)件時(shí)，這些構(gòu)件容易通過(guò)沖壓或模鍛而形成。例如，構(gòu)成 電極62、63的板構(gòu)件、構(gòu)成表面層構(gòu)件64、65的板構(gòu)件和構(gòu)成低電阻構(gòu)件66、67的板構(gòu)件 被按順序堆疊，然后，如此獲得的板構(gòu)件的堆疊體被沿著這些板構(gòu)件相互堆疊的方向沖壓， 以便形成電極62、63的平面形狀，從而容易形成電極62、63、表面層構(gòu)件64、65和低電阻構(gòu) 件 66,67ο〈第二實(shí)施例〉下文中，將參考圖7Α和7Β說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例 不同之處僅在于吸附壓盤的構(gòu)造，省去對(duì)其它構(gòu)造的說(shuō)明。此外，也在吸附壓盤中，相同的 附圖標(biāo)記用于標(biāo)明該第二實(shí)施例中的相應(yīng)構(gòu)件，并且省略其說(shuō)明。與第一實(shí)施例中一樣，第二實(shí)施例中的吸附壓盤260包括基體構(gòu)件61和被結(jié)合到 該基體構(gòu)件61的上表面上的電極62、63。表面層構(gòu)件264被堆疊在電極62、63的上表面 上。表面層構(gòu)件264被形成為在基體構(gòu)件61的上表面的整個(gè)區(qū)域上的一個(gè)構(gòu)件。低電阻 構(gòu)件沈6、267被堆疊在表面層構(gòu)件沈4的上表面上。低電阻構(gòu)件266具有幾乎完全與電極 62重疊的平面形狀，低電阻構(gòu)件267具有幾乎完全與電極63重疊的表面形狀。沿低電阻構(gòu)件266的厚度方向貫穿該低電阻構(gòu)件266形成有作為通孔區(qū)域的多個(gè) 貫穿區(qū)域沈6&。即，貫穿區(qū)域用作電阻構(gòu)件的未形成區(qū)域，在該未形成區(qū)域中，在電極 62和片材饋送皮帶53之間沒(méi)有設(shè)置低電阻構(gòu)件。這些貫穿區(qū)域由高電阻構(gòu)件271或 273填充。高電阻構(gòu)件271和273由具有比形成低電阻構(gòu)件沈6、沈7的材料高的體積電阻 率的材料形成。高電阻構(gòu)件271 (即塞入有高電阻構(gòu)件271的貫穿區(qū)域266a)被設(shè)置在吸 附壓盤沈0的沿主掃描方向的中央部，而高電阻構(gòu)件273 (即塞入有高電阻構(gòu)件273的貫穿 區(qū)域被設(shè)置在吸附壓盤沈0的沿主掃描方向的端部。同樣，形成有沿低電阻構(gòu)件267的厚度方向貫穿該低電阻構(gòu)件267的多個(gè)貫穿區(qū) 域，從而形成沒(méi)有低電阻構(gòu)件被設(shè)置在電極62和片材饋送皮帶53之間的無(wú)電阻構(gòu)件區(qū)域。 這些貫穿區(qū)域由高電阻構(gòu)件271或高電阻構(gòu)件272填充。高電阻構(gòu)件271和272由具有比 形成低電阻構(gòu)件266 J67的材料高的體積電阻率的材料形成。高電阻構(gòu)件271被設(shè)置在吸 附壓盤沈0的沿主掃描方向的中央部，而高電阻構(gòu)件272被設(shè)置在吸附壓盤沈0的沿主掃 描方向的端部。
在該第二實(shí)施例中，由于低電阻構(gòu)件沈6、沈7與第一實(shí)施例同樣地設(shè)置，所以與 未設(shè)置有低電阻構(gòu)件沈6、沈7的情況相比，在片材饋送皮帶53和吸附壓盤260之間產(chǎn)生的 吸引力小。另一方面，在設(shè)置有高電阻構(gòu)件271至273的區(qū)域上既沒(méi)設(shè)置低電阻構(gòu)件266 也沒(méi)設(shè)置低電阻構(gòu)件267。因而，在設(shè)置有高電阻構(gòu)件271至273的區(qū)域上，電荷更可能堆 積，因此與設(shè)置有低電阻構(gòu)件沈6、沈7的區(qū)域相比，更可能產(chǎn)生吸引力。因而，片材饋送皮 帶53的片材饋送負(fù)荷在其整體上受到抑制，但在設(shè)置有高電阻構(gòu)件271至273的區(qū)域處產(chǎn) 生吸引力，從而將片材饋送皮帶53吸引到吸附壓盤沈0。結(jié)果，能夠防止片材饋送皮帶53 沿離開(kāi)吸附壓盤260的方向浮動(dòng)。這里，由于高電阻構(gòu)件271被設(shè)置在吸附壓盤260的沿主掃描方向的中央部，所以 高電阻構(gòu)件271與片材饋送皮帶53的沿主掃描方向的中央部相對(duì)。因而，片材饋送皮帶53 的中央部被吸引到吸附壓盤260，從而以平衡的方式限制片材饋送皮帶53的浮動(dòng)。此外，由 于高電阻構(gòu)件272、273被設(shè)置在吸附壓盤沈0的沿主掃描方向的相反端部，所以高電阻構(gòu) 件272、273分別與片材饋送皮帶53的沿主掃描方向的相反端部相對(duì)。因而，片材饋送皮帶 53的相反端部被吸引到吸附壓盤沈0，從而也以平衡的方式限制片材饋送皮帶53的浮動(dòng)。 如此所述，這些高電阻構(gòu)件優(yōu)選被布置成關(guān)于吸附壓盤沈0的沿主掃描方向的中央對(duì)稱。在本實(shí)施例中，由于表面層構(gòu)件264被形成為沿水平方向分布或橫跨在諸如電極 62和低電阻構(gòu)件沈6的部件上，所以這些部件不能通過(guò)沖壓同時(shí)形成。因而，低電阻構(gòu)件 266,267優(yōu)選通過(guò)將表面層構(gòu)件264堆疊在電極62、63上且然后將構(gòu)成低電阻構(gòu)件沈6、 267的板構(gòu)件結(jié)合到表面層構(gòu)件沈4的上表面或在表成層構(gòu)件沈4的上表面上提供導(dǎo)電涂 敷處理來(lái)形成。下文中，將說(shuō)明基于上述實(shí)施例構(gòu)造的實(shí)例。圖8是示出本實(shí)例的構(gòu)造的示意圖。 本實(shí)例包括與上述實(shí)施例中的皮帶輥51、52、片材饋送皮帶53和吸附壓盤60分別對(duì)應(yīng)的皮 帶輥351、352、片材饋送皮帶353和吸附壓盤360。此外，驅(qū)動(dòng)皮帶355被纏繞在皮帶輥352 的旋轉(zhuǎn)軸上。驅(qū)動(dòng)皮帶355也纏繞在位于皮帶輥352的相反側(cè)位置的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)356的驅(qū)動(dòng) 軸上。被構(gòu)造成測(cè)量驅(qū)動(dòng)馬達(dá)356的負(fù)荷的負(fù)荷測(cè)量裝置357連接到驅(qū)動(dòng)馬達(dá)356。當(dāng)驅(qū) 動(dòng)馬達(dá)356被驅(qū)動(dòng)時(shí)，其驅(qū)動(dòng)力經(jīng)由驅(qū)動(dòng)皮帶355被傳遞給皮帶輥352，從而皮帶輥352旋 轉(zhuǎn)。片材饋送皮帶353隨著皮帶輥352的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。負(fù)荷測(cè)量裝置357在該旋轉(zhuǎn)進(jìn)行時(shí) 測(cè)量驅(qū)動(dòng)馬達(dá)356的負(fù)荷。因而，該測(cè)量的測(cè)量值代表片材饋送皮帶353的片材饋送負(fù)荷。圖9A是示出本實(shí)例中的吸附壓盤360的垂直剖面立視圖。吸附壓盤360包括與 上述實(shí)施例中的基體構(gòu)件61、電極62、63、表面層構(gòu)件264和低電阻構(gòu)件66、67分別對(duì)應(yīng) 的基體構(gòu)件361、電極362、363、表面層構(gòu)件364和低電阻構(gòu)件366、367。在本實(shí)例中，與第 二實(shí)施例的表面層構(gòu)件264相同，表面層構(gòu)件364被形成在基體構(gòu)件361的上表面的整個(gè) 區(qū)域上。圖9B是示出本實(shí)例的比較例的構(gòu)造的垂直剖面立視圖。該比較例中的吸附壓盤 460通過(guò)從本實(shí)例的構(gòu)造中除去低電阻構(gòu)件366、367而構(gòu)成，并且被構(gòu)造成使得表面層構(gòu) 件364代替低電阻構(gòu)件366、367而與片材饋送皮帶353的內(nèi)表面相對(duì)。應(yīng)當(dāng)注意，在本實(shí) 例的低電阻構(gòu)件366、367中，未形成有第二實(shí)施例中的形成在低電阻構(gòu)件沈6中的貫穿區(qū) 域^6a，相應(yīng)地，在低電阻構(gòu)件366、367中沒(méi)有設(shè)置高電阻構(gòu)件。發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了用于檢驗(yàn)與片材饋送皮帶53的片材饋送負(fù)荷有關(guān)的效果的實(shí) 驗(yàn)。已經(jīng)針對(duì)本實(shí)例的例1和例2進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，其中用于形成各低電阻構(gòu)件366、367的材料彼此不同。在該實(shí)驗(yàn)中，由聚偏二氟乙烯形成的板材被用于表面層構(gòu)件364，且其厚度被 設(shè)定為0. Imm且其體積電阻率被設(shè)定為1012Q-cm。聚酰亞胺被用于片材饋送皮帶353，其 厚度被設(shè)定為0.09mm且其體積電阻率被設(shè)定為1011 Ω-cm。A4尺寸的普通紙被用于片材 P。低電阻構(gòu)件366、367被設(shè)定為大致具有約0. Imm的相同厚度。下面的表1示出了用于例 1、2中的低電阻構(gòu)件366、367的材料及其屬性。應(yīng)當(dāng)注意，在表1中，比較例中的摩擦系數(shù) 是用于確定作用在表面層構(gòu)件364和片材饋送皮帶353之間的摩擦力的值，而例1、2中的 摩擦系數(shù)是用于確定作用在低電阻構(gòu)件366、367和片材饋送皮帶353之間的摩擦力的值。 “ETFE”表示乙烯-四氟乙烯共聚物。
[表 1]
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)饋送設(shè)備，包括饋送機(jī)構(gòu)，所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表面，在所述介質(zhì) 放置表面上放置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿著預(yù)定路徑移動(dòng) 來(lái)饋送被放置在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸附單元，所述吸附單元包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中 的每一個(gè)電極具有與所述饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的 相反側(cè)的表面，所述吸附單元被構(gòu)造成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓 來(lái)將位于所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；第一表面層構(gòu)件，所述第一表面層構(gòu)件由具有比所述第一電極高的體積電阻率的材料 形成，且被堆疊到所述第一電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第一電極的所述一 個(gè)表面離所述饋送構(gòu)件的所述背面比所述第一電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 離所述饋送構(gòu)件的所述背面近；第二表面層構(gòu)件，所述第二表面層構(gòu)件由具有比所述第二電極高的體積電阻率的材料 形成，且被堆疊到所述第二電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第二電極的所述一 個(gè)表面離所述饋送構(gòu)件的所述背面比所述第二電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 離所述饋送構(gòu)件的所述背面近；第一低電阻構(gòu)件，所述第一低電阻構(gòu)件由具有比所述第一表面層構(gòu)件低的體積電阻率 的材料形成，且在所述第一表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述第一表 面層構(gòu)件的表面中的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面；和第二低電阻構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述第二表面層構(gòu)件低的體積電阻率 的材料形成，且在所述第二表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述第二表 面層構(gòu)件的表面中的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面，其中所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成彼此間隔開(kāi)。
2.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，進(jìn)一步包括中間構(gòu)件，所述中間構(gòu)件被設(shè)置在 位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件之間的位置處，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成使得所述第 一低電阻構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面、所述第二低電阻構(gòu)件的與所述 饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面以及所述中間構(gòu)件的兩個(gè)相反表面中的與所述饋送構(gòu) 件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面在一個(gè)平面內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中在所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件的厚度 方向上貫穿所述至少一個(gè)低電阻構(gòu)件形成作為至少一個(gè)未形成區(qū)域的至少一個(gè)貫穿區(qū)域， 所述未形成區(qū)域是既沒(méi)形成所述第一低電阻構(gòu)件也沒(méi)形成所述第二低電阻構(gòu)件的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中在所述至少一個(gè)貫穿區(qū)域中設(shè)置高電阻構(gòu)件，所述高電阻構(gòu)件由具有比所述第一 低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的任何低電阻構(gòu)件高的體積電阻率的材料形成。
5.如權(quán)利要求3所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述至少一個(gè)貫穿區(qū)域是多個(gè)貫穿區(qū)域，并且其中所述多個(gè)貫穿區(qū)域被形成在位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件上的位置處，在位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件上的所述位置處，所述多個(gè) 貫穿區(qū)域面對(duì)所述饋送構(gòu)件的在沿所述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送 方向垂直的方向上的兩個(gè)相反端部和中央部中的至少一個(gè)。
6.如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成在沿著所述 介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方向上沒(méi)有任何間隙。
7.如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成使得所述 第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件在沿著所述介質(zhì)放置表 面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方向上與所述中間構(gòu)件間隔開(kāi)。
8.一種介質(zhì)饋送設(shè)備，包括饋送機(jī)構(gòu)，所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表面，在所述介質(zhì) 放置表面上放置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿著預(yù)定路徑移動(dòng) 來(lái)饋送被放置在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸附單元，所述吸附單元包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中 的每一個(gè)電極具有與所述饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的 相反側(cè)的表面，所述吸附單元被構(gòu)造成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓 來(lái)將位于所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；表面層構(gòu)件，所述表面層構(gòu)件由具有比所述第一電極和所述第二電極中的任何電極高 的體積電阻率的材料形成，且被堆疊到所述第一電極和所述第二電極的所述表面上；第一低電阻構(gòu)件，所述第一低電阻構(gòu)件由具有比所述表面層構(gòu)件低的體積電阻率的材 料形成，且在所述表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述表面層構(gòu)件的與 所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面；和第二低電阻構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述表面層構(gòu)件低的體積電阻率的材 料形成，且在所述表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述表面層構(gòu)件的與 所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面，其中所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成彼此間隔開(kāi)。
9.如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，進(jìn)一步包括中間構(gòu)件，所述中間構(gòu)件被設(shè)置在 位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件之間的位置處，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成使得所述第 一低電阻構(gòu)件的與所述饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面、所述第二低電阻構(gòu)件的與所述 饋送構(gòu)件的所述背面相面對(duì)的表面以及所述中間構(gòu)件的兩個(gè)相反表面中的與所述饋送構(gòu) 件的所述背面相面對(duì)的一個(gè)表面在一個(gè)平面內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)饋送設(shè)備， 其中在所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件的厚度 方向上貫穿所述至少一個(gè)低電阻構(gòu)件形成作為至少一個(gè)未形成區(qū)域的至少一個(gè)貫穿區(qū)域， 所述未形成區(qū)域是既沒(méi)形成所述第一低電阻構(gòu)件也沒(méi)形成所述第二低電阻構(gòu)件的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中在所述至少一個(gè)貫穿區(qū)域中設(shè)置高電阻構(gòu)件，所述高電阻構(gòu)件由具有比所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的任何低電阻構(gòu)件高的體積電阻率的材料形成。
12.如權(quán)利要求10所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述至少一個(gè)貫穿區(qū)域是多個(gè)貫穿區(qū)域，并且其中所述多個(gè)貫穿區(qū)域被形成在位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件上 的位置處，在位于所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件上的所述位置處，所述多個(gè) 貫穿區(qū)域面對(duì)所述饋送構(gòu)件的在沿所述介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送 方向垂直的方向上的兩個(gè)相反端部和中央部中的至少一個(gè)。
13.如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成在沿著所述 介質(zhì)放置表面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方向上沒(méi)有任何間隙。
14.如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)饋送設(shè)備，其中所述第一低電阻構(gòu)件、所述第二低電阻構(gòu)件和所述中間構(gòu)件被設(shè)置成使得所述 第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件中的至少一個(gè)低電阻構(gòu)件在沿著所述介質(zhì)放置表 面指向且與所述饋送機(jī)構(gòu)的所述饋送方向垂直的方向上與所述中間構(gòu)件間隔開(kāi)。
15.一種介質(zhì)饋送設(shè)備，包括饋送機(jī)構(gòu)，所述饋送機(jī)構(gòu)包括饋送構(gòu)件，所述饋送構(gòu)件具有介質(zhì)放置表面，在所述介質(zhì) 放置表面上放置記錄介質(zhì)，所述饋送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成通過(guò)使所述饋送構(gòu)件沿著預(yù)定路徑移動(dòng) 來(lái)饋送被放置在所述饋送構(gòu)件的所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)；吸附單元，所述吸附單元包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極中 的每一個(gè)電極具有與所述饋送構(gòu)件的背面相面對(duì)的表面，所述背面是所述介質(zhì)放置表面的 相反側(cè)的表面，所述吸附單元被構(gòu)造成通過(guò)在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓 來(lái)將位于所述介質(zhì)放置表面上的所述記錄介質(zhì)吸附到所述介質(zhì)放置表面；第一表面層構(gòu)件，所述第一表面層構(gòu)件由具有比所述第一電極高的體積電阻率的材料 形成，且被堆疊到所述第一電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第一電極的所述一 個(gè)表面離所述饋送構(gòu)件的所述背面比所述第一電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 離所述饋送構(gòu)件的所述背面近；第二表面層構(gòu)件，所述第二表面層構(gòu)件由具有比所述第二電極高的體積電阻率的材料 形成，且被堆疊到所述第二電極的兩個(gè)相反表面中的一個(gè)表面上，所述第二電極的所述一 個(gè)表面離所述饋送構(gòu)件的所述背面比所述第二電極的所述兩個(gè)相反表面中的另一個(gè)表面 離所述饋送構(gòu)件的所述背面近；第一低電阻構(gòu)件，所述第一低電阻構(gòu)件由具有比所述饋送構(gòu)件低的體積電阻率的材料 形成，且在所述第一表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述饋送構(gòu)件的所 述背面；和第二低電阻構(gòu)件，所述第二低電阻構(gòu)件由具有比所述饋送構(gòu)件低的體積電阻率的材料 形成，且在所述第二表面層構(gòu)件和所述饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到所述饋送構(gòu)件的所 述背面，其中所述第一低電阻構(gòu)件和所述第二低電阻構(gòu)件被設(shè)置成彼此間隔開(kāi)。
16.一種圖像記錄設(shè)備，包括如權(quán)利要求1到15中的任一項(xiàng)所述的介質(zhì)饋送設(shè)備；和記錄頭，所述記錄頭被構(gòu)造成在由饋送機(jī)構(gòu)饋送的所述記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄操作。
全文摘要
介質(zhì)饋送設(shè)備和圖像記錄設(shè)備。饋送設(shè)備包括饋送機(jī)構(gòu)，包括饋送構(gòu)件；吸附單元，在其第一和第二電極之間施加電壓來(lái)將饋送構(gòu)件的介質(zhì)放置表面上的記錄介質(zhì)吸附到介質(zhì)放置表面；第一和第二表面層構(gòu)件，由體積電阻率比第一和第二電極高的材料形成，被堆疊到第一和第二電極的靠近饋送構(gòu)件的表面上；第一和第二低電阻構(gòu)件，由體積電阻率比第一和第二表面層構(gòu)件低的材料形成，在第一和第二表面層構(gòu)件與饋送構(gòu)件之間的位置處被固定到第一和第二表面層構(gòu)件的面對(duì)饋送構(gòu)件的表面；第一和第二低電阻構(gòu)件彼此間隔開(kāi)。圖像記錄設(shè)備包括該介質(zhì)饋送設(shè)備和記錄頭。在吸附單元和饋送構(gòu)件之間產(chǎn)生的吸引力被抑制，從而降低饋送構(gòu)件的運(yùn)動(dòng)阻力。
文檔編號(hào)B41J2/01GK102107555SQ201010543
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者加藤重己 申請(qǐng)人:兄弟工業(yè)株式會(huì)社