專利名稱：記錄頭及具備該記錄頭的記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為傳真、條碼打印機(jī)、視頻打印機(jī)、及數(shù)碼照片打印機(jī)等打印元件所 使用的熱敏頭及噴墨頭等記錄頭及具備該記錄頭的記錄裝置。
背景技術(shù)：
作為傳真等記錄裝置，例如使用具備熱敏頭及壓紙滾軸的熱敏打印機(jī)。在如此的 熱敏打印機(jī)搭載的熱敏頭存在具有以下部件的熱敏頭，既，具有基板；在基板上排列的多 個發(fā)熱部；向發(fā)熱部供給電力的電極圖案；覆蓋發(fā)熱部及電極圖案的保護(hù)層。在如此的熱 敏打印機(jī)中，一邊以壓紙滾軸將記錄媒體強力向位于發(fā)熱部上的保護(hù)層按壓，一邊滑動接 觸，形成打印。在如此結(jié)構(gòu)的熱敏頭中，存在具有起因于電極圖案相對基板的突出而在保護(hù)層的 表面產(chǎn)生的臺階差的熱敏頭。如此如果一邊將記錄媒體向在表面具有臺階差的保護(hù)膜按 壓，一邊滑動接觸，則保護(hù)膜與記錄媒體的摩擦力產(chǎn)生不均，有時在記錄媒體產(chǎn)生皺紋。另一方面，為了解決起因于上述那樣皺紋的問題，如果在保護(hù)層上將凹凸平滑化， 則在發(fā)熱部上形成的層整體的厚度變厚。在如此結(jié)構(gòu)的熱敏頭中，存在在發(fā)熱部產(chǎn)生的熱 傳導(dǎo)至記錄媒體需要較多的時間的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在如此情況下研究出來的發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠形成良 好的圖像的記錄頭及一種具備該記錄頭的記錄裝置。本發(fā)明涉及的記錄頭包括基板；導(dǎo)電圖案層；及電阻層。該導(dǎo)電圖案層形成于所 述基板上。該導(dǎo)電圖案層包括第一導(dǎo)電部；第二導(dǎo)電部；及絕緣部。該第二導(dǎo)電部與所述 第一導(dǎo)電部成對。該絕緣部使所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部絕緣。該電阻層形成于所 述導(dǎo)電圖案層上，并且與所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電部連接。該電阻層包括在第一導(dǎo) 電部與第二導(dǎo)電部之間具有發(fā)熱區(qū)域的電阻層。本發(fā)明涉及的記錄裝置具備本發(fā)明涉及的記錄頭、及輸送機(jī)構(gòu)。該輸送機(jī)構(gòu)具備 向所述記錄頭的所述發(fā)熱區(qū)域上輸送記錄媒體的輸送機(jī)構(gòu)。本發(fā)明涉及的記錄頭及記錄裝置，能夠形成良好的圖像。


圖1是表示本發(fā)明的記錄頭的第一實施方式涉及的熱敏頭的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是表示圖1所示的基體的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是放大圖2的主要部分的圖。圖4(a)是沿圖2所示的IVa-IVa線的剖視圖，(b)是沿圖2所示的IVb-IVb線的 剖視圖，(c)是沿圖2所示的IVc-IVc線的剖視圖。圖5是表示圖1所示的熱敏頭的制造方法的一系列工序的主要部分剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的記錄頭的第二實施方式涉及的熱敏頭的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖7是表示圖6所示的基體的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8(a)是沿圖7所示的Vllla-VIIIa線的剖視圖，(b)是沿圖7所示的 VIIIb-VIIIb線的剖視圖。圖9是表示圖6所示的熱敏頭的制造方法的一部分工序的主要部分剖視圖。圖10是表示本發(fā)明的記錄頭的第三實施方式涉及的熱敏頭的簡要結(jié)構(gòu)的俯視 圖。圖11是表示圖10所示的基體的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖12(a)是沿圖11所示的Xlla-XIIa線的剖視圖，(b)是沿圖11所示的 XIIb-XIIb線的剖視圖，(C)是沿圖11所示的XIIc-XIIc線的剖視圖，(d)是沿圖11所示 的XIId-XIId線的剖視圖。圖13是表示圖10所示的熱敏頭的制造方法的一部分工序的主要部分剖視圖。圖14是表示本發(fā)明的記錄頭的第四實施方式涉及的熱敏頭的簡要結(jié)構(gòu)的俯視 圖。圖15(a)是表示圖14所示的基體的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是沿(a)所示的 XVb-XVb線的剖視圖。圖16 (a)是沿圖15所示的XVIa-XVIa線的剖視圖，(b)是沿圖15所示的 XVIb-XVIb線的剖視圖，(C)是沿圖7所示的XVIc-XVIc線的剖視圖，(d)是沿圖15所示的 XVId-XVId線的剖視圖。圖17是表示圖14所示的熱敏頭的制造方法的一部分工序的主要部分剖視圖。圖18是表示本發(fā)明的記錄頭的第五實施方式涉及的熱敏頭的簡要結(jié)構(gòu)的俯視 圖。圖19(a)是表示圖18所示的基體的簡要結(jié)構(gòu)的俯視圖，(b)是沿(a)所示的 XIXb-XIXb線的剖視圖。圖20是表示圖18所示的熱敏頭的制造方法的一部分工序的主要部分剖視圖。圖21是表示本發(fā)明的實施方式的熱敏打印機(jī)的簡要結(jié)構(gòu)的整體圖。圖22是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。圖23是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。圖24是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。圖25是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。圖26是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。圖27是表示本發(fā)明的實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層的變形例的圖。
具體實施例方式<記錄頭的第一實施方式>本發(fā)明的記錄頭的第一實施方式涉及的熱敏頭10具備基體11 ；驅(qū)動IC12 ；及外 部連接用部件13。該熱敏頭10為與經(jīng)由外部連接用部件13而供給的圖像信息對應(yīng)，其形 成基體11的發(fā)熱區(qū)域的部位發(fā)熱的部件?；w11包括基板20 ；蓄熱層30 ；導(dǎo)電圖案層40 ；電阻層50 ；及保護(hù)層60。該電阻層50包括形成基體11的發(fā)熱區(qū)域的發(fā)熱部51。需要說明的是，從易理解的觀點出發(fā)，在 圖2中省略了電阻層50及保護(hù)層60，在圖3中省略了保護(hù)層60?；?0為作為蓄熱層30、導(dǎo)電圖案層40、電阻層50、及保護(hù)層60等的支承母材發(fā) 揮作用的部件。作為形成基板20的材料，例如可以舉出氧化鋁陶瓷等陶瓷材料、環(huán)氧系樹 脂及硅系樹脂等樹脂材料、硅材料及玻璃材料等絕緣材料。在本實施方式中，基板20由氧 化鋁陶瓷構(gòu)成。蓄熱層30設(shè)置于基板20的箭頭D5方向側(cè)的上表面整體。該蓄熱層30積蓄在發(fā) 熱部51產(chǎn)生的焦耳熱的一部分，具有良好地維持熱敏頭10的熱響應(yīng)特性的功能。既，蓄熱 層30為有助于使發(fā)熱部51的溫度短時間上升至對打印所需要的規(guī)定的溫度的部件。作為 形成蓄熱層30的材料，例如可以舉出環(huán)氧系樹脂及聚酰亞胺系樹脂等樹脂材料、玻璃材料 等絕緣材料。另外，該蓄熱層30在基板20上形成大致平坦?fàn)?。?dǎo)電圖案層40位于蓄熱層30上。該導(dǎo)電圖案層40有助于對發(fā)熱部51的電力供 給。另外，該導(dǎo)電圖案層40包括導(dǎo)電部41及絕緣部42。進(jìn)而，該導(dǎo)電圖案層40作為一層 形成，在箭頭D5方向側(cè)具有大致平坦的上表面。導(dǎo)電部41及絕緣部42面向該箭頭D5方 向側(cè)的上表面，在此，“大致平坦”是指箭頭方向D5、D6的高低差相對于箭頭方向D5、D6的 厚度的平均為士5%以內(nèi)。例如，該導(dǎo)電圖案層40形成為0. 5 μ m以上且2. 0 μ m以下的范 圍的厚度。導(dǎo)電部41作為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的電力供給線發(fā)揮作用。該導(dǎo)電部 41包括第一部位411及第二部位412。另外，該導(dǎo)電部41例如由以金屬為主的導(dǎo)電材料形 成。作為該導(dǎo)電材料，例如可以舉出鋁、銅、及其合金。在此，“為主”是指構(gòu)成原子的摩爾 比率最多的材料，例如也可以含有添加物。另外，該導(dǎo)電部41的箭頭方向D5、D6的上下表 面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，導(dǎo)電部41在箭頭方向 D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40而構(gòu)成。第一部位411為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。該第一部位411的箭頭 D3方向側(cè)的一端部與發(fā)熱部51的一端部連接，該第一部位411的箭頭D4方向側(cè)的另一端 部與驅(qū)動IC12連接。該第一部位411經(jīng)由驅(qū)動IC12與基準(zhǔn)電位點(所謂接地)電連接。第二部位412與第一部位411成對，為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。該 第二部位412在端部與多個發(fā)熱部51的另一端部及未圖示的電源電連接。絕緣部42具有使第一部位411與第二部位412絕緣的功能。該絕緣部42設(shè)置于 第一部位411和與該第一部位411成對的第二部位412之間，并且設(shè)置成在第一部位411之 間及第二部位412之間延伸。即，絕緣部42形成包圍第一部位411及第二部位412，并且成 為與第一部位411及第二部位412的側(cè)面相接的狀態(tài)。另外，該絕緣部42的箭頭方向D5、 D6的上下表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，絕緣部42 在箭頭方向D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40而構(gòu)成。本實施方式的絕緣部42含有以主要形成導(dǎo) 電部41的金屬的氧化物。進(jìn)而，本實施方式的絕緣部42通過將位于該絕緣部42的形成部 位的導(dǎo)電部41的金屬的一部分氧化，則絕緣部42與導(dǎo)電部41 一體形成。該絕緣部42構(gòu) 成為與構(gòu)成導(dǎo)電部41的導(dǎo)電材料相比，硬度高，導(dǎo)熱系數(shù)小。在此，“絕緣”是指電流實質(zhì) 上不流動的程度。作為該電流實質(zhì)上不流動的程度，例如是指電阻率為LOXIOkiQ 以 上。另外，在此，“硬度”是指肖氏硬度，由JIS規(guī)格Z2246 2000規(guī)定。
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電阻層50具有作為發(fā)熱部位發(fā)揮作用的多個發(fā)熱部51。該電阻層50位于導(dǎo)電圖 案層40上，另外，該電阻層50設(shè)置于從第一部位411至與該第一部位411成對的第二部位 412，將位于該第一部位411及第二部位412之間的絕緣部42的一部分區(qū)域42a覆蓋。位 于該一部分區(qū)域42a的電阻層50作為發(fā)熱部51發(fā)揮作用。進(jìn)而，本實施方式的電阻層50 以覆蓋第一部位411及第二部位412的方式設(shè)置，其端部延伸于絕緣部42上。該電阻層50 以其單位長度的電阻值比第一部位41及第二部位42的單位長度的電阻值大的方式構(gòu)成。 作為如此的電阻材料，例如可以舉出TaN系材料、TaSiO系材料、TaSiNO系材料、TiSiO系材 料、TiSiCO系材料、NbSiO系材料。另外，該電阻層50以其平均厚度比導(dǎo)電圖案層40的平 均厚度小的方式構(gòu)成。在此，平均厚度是指最大厚度與最小厚度的算術(shù)平均值。作為該電 阻層50的厚度，例如可以舉出0. 01 μ m以上且0. 5 μ m以下的范圍。發(fā)熱部51為作為發(fā)熱區(qū)域而發(fā)揮作用的部位，其中，該發(fā)熱區(qū)域通過利用導(dǎo)電 圖案40的電壓的施加而發(fā)熱。作為該發(fā)熱部51的發(fā)熱溫度，例如可以舉出200°C以上且 550°C以下。在本實施方式中，多個發(fā)熱部51在箭頭方向D1、D2以大致等間隔地排列。在 本實施方式中，該發(fā)熱部51的排列方向成為熱敏頭10的主掃描方向。保護(hù)層60具有保護(hù)導(dǎo)電圖案層40及電阻層50的功能。即，保護(hù)層60具有保護(hù) 導(dǎo)電部41與大氣的接觸而減輕由大氣中的水分所造成的腐蝕的功能。作為主要形成該保 護(hù)層60的材料，例如可以舉出類金剛石炭材料、SiC系材料、SiN系材料、SiCN系材料、SiON 系材料、SiONC系材料、SiAlON系材料、SiO2系材料、Ta2O5系材料、TaSiO系材料、TiC系材 料、TiN系材料、TiO2系材料、TiB2系材料、AlC系材料、AlN系材料、Al2O5系材料、ZnO系材 料、B4C系材料、BN系材料。在此，“類金剛石炭材料”是指采用sp3雜化軌道的碳原子(C原 子)的比率為1原子％以上且小于100原子％的范圍的膜。另外，在此，“以 系材料為主 的材料”是指主要成分的材料相對于整體為50質(zhì)量％以上的材料，例如也可以包含添加物。 本實施方式的保護(hù)層60通過濺射法形成。驅(qū)動IC12為具有選擇性地控制多個發(fā)熱部51的每個的發(fā)熱的功能的部件。與第 一部件411及外部連接用部件13電連接。該驅(qū)動IC12通過根據(jù)經(jīng)由外部連接用部件13供 給的圖像信息選擇性地轉(zhuǎn)換發(fā)熱部51與基準(zhǔn)電位點的電連接，選擇性地控制發(fā)熱部51的 發(fā)熱。外部連接用部件13為使驅(qū)動發(fā)熱部51的電信號輸入熱敏頭10的部件。在熱敏頭10中，具有包括導(dǎo)電部41及絕緣部42的導(dǎo)電圖案層40，使導(dǎo)電圖案不 是僅以導(dǎo)電部41來構(gòu)成，而是構(gòu)成為作為進(jìn)一步包括將導(dǎo)電部41進(jìn)行絕緣的絕緣部42的 導(dǎo)電圖案層40。因此，在熱敏頭10中，能夠降低起因于導(dǎo)電部41的厚度的在最表面的凹凸 的程度。所以，在熱敏頭10中，例如即使一邊由壓紙滾軸按壓記錄媒體一邊輸送，也能夠減 少在記錄媒體產(chǎn)生皺紋。除此之外，在熱敏頭10中，由于在導(dǎo)電圖案層40上形成電阻層50，所以例如與在 導(dǎo)電層40的下方形成電阻層50的情況相比，能夠?qū)⒃诎l(fā)熱部51產(chǎn)生的熱良好地傳送到熱 敏頭10的最表面層側(cè)。在熱敏頭10中，由于導(dǎo)電圖案層40的絕緣部42延伸于導(dǎo)電部41之間，所以能夠 更加降低起因于導(dǎo)電部41的厚度的在最表面的凹凸的程度。在熱敏頭10中，由于導(dǎo)電部41被基板20、絕緣部42、及電阻層50所包圍，所以能
7夠通過電阻層50及絕緣層42減輕導(dǎo)電部41的腐蝕。由于熱敏頭10的絕緣部42的一部分區(qū)域42a的硬度比導(dǎo)電部41的硬度高，所以 例如即使一邊由壓紙滾軸將記錄媒體向絕緣部42的一部分區(qū)域42a按壓一邊輸送，也能夠 減少該按壓力的分散，良好地將在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱向記錄媒體傳送。在熱敏頭10中，由于電阻層50的平均厚度比導(dǎo)電部41的平均厚度小，所以能夠 降低起因于在導(dǎo)電圖案層40上形成電阻層50的在最表面的凹凸的程度。在熱敏頭10中，由于絕緣部42以氧化主要構(gòu)成導(dǎo)電部41的導(dǎo)電材料而成，所以 對導(dǎo)電部41的密合性比保護(hù)層60高，能夠良好地保護(hù)導(dǎo)電部41。以下，參照圖5對本實施方式的熱敏頭10的制造方法進(jìn)行說明。需要說明的是， 在本實施方式中，作為導(dǎo)電部41的構(gòu)成材料，采用鋁進(jìn)行說明。<蓄熱層形成工序>如圖5(a)所示，首先準(zhǔn)備基板20，在其上形成蓄熱層30。具體而言，通過濺射等 成膜技術(shù)在基板20上將大致平坦?fàn)畹男顭釋?0成膜?！磳?dǎo)電膜形成工序〉如圖5(b)所示，在基板20上形成的蓄熱層30上形成導(dǎo)電膜40x。具體而言，通過 使用濺射及蒸鍍等成膜技術(shù)，在基板20上將大致平坦?fàn)畹匿X膜成膜，形成導(dǎo)電膜40x?！床季€圖案層形成工序〉如圖5(c)所示，在蓄熱層30上形成導(dǎo)電圖案層40。具體而言，首先，使用光刻等 微細(xì)加工技術(shù)在導(dǎo)電膜40x上形成掩模。其次，使用光刻等微細(xì)加工技術(shù)以從該掩模使位 于形成絕緣部42的區(qū)域上的導(dǎo)電膜40x的一部分露出的方式進(jìn)行加工。其次，將該露出的 導(dǎo)電膜40x的一部分進(jìn)行陽極氧化，形成絕緣部42。由此，未陽極氧化而殘留的導(dǎo)電膜40x 的其他部分能夠形成作為導(dǎo)電部41而發(fā)揮作用的導(dǎo)電圖案層40。該陽極氧化通過將導(dǎo)電 膜40x浸入溶液，并且對導(dǎo)電膜40施加正的電壓，對溶液施加負(fù)的電壓而進(jìn)行。作為該溶 液，例如可舉出磷酸、硼酸、草酸、酒石酸及硫酸等電解質(zhì)溶液。<電阻層形成工序>如圖5(d)所示，在導(dǎo)電圖案層40上形成電阻層50。具體而言，首先，使用濺射及 蒸鍍等成膜技術(shù)，將電阻膜成膜。其次，使用光刻等微細(xì)加工技術(shù)加工成該電阻膜覆蓋導(dǎo)電 部41及絕緣部42的一部分區(qū)域42a那樣的圖案，形成電阻層50。<保護(hù)層形成工序>如圖5(e)所示，形成覆蓋導(dǎo)電圖案層40及電阻層50的保護(hù)層60。具體而言，首 先，使用光刻等微細(xì)加工技術(shù)使由保護(hù)層60保護(hù)的部位露出的方式形成掩模。其次，通過 濺射及蒸鍍等成膜技術(shù)形成保護(hù)層60。如以上制作，制造基體11。<驅(qū)動IC的配置工序>將驅(qū)動IC12配置于基體11的規(guī)定的區(qū)域。具體而言，使基體11與驅(qū)動IC12例 如經(jīng)由導(dǎo)電性凸點及異方性導(dǎo)電部件等導(dǎo)電性部件連接?！赐獠窟B接用部件的配置工序〉將外部連接用部件13配置于基體11的規(guī)定的區(qū)域。具體而言，使基體11與外部 連接用部件13例如經(jīng)由導(dǎo)電性凸點及異方性導(dǎo)電部件等導(dǎo)電性部件連接。
如以上制作，能夠制造本實施方式的熱敏頭10。<記錄頭的第二實施方式>圖6所示的本發(fā)明的記錄頭的第二實施方式涉及的熱敏頭IOA在代替基體11而 包括基體IlA方面與熱敏頭10不同。關(guān)于熱敏頭IOA的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于熱敏頭10 的部分相同。圖7所示的基體IlA在代替導(dǎo)電圖案層40而包括導(dǎo)電圖案層40A的方面與基體 11不同。關(guān)于基體IlA的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于基體11的部分相同。導(dǎo)電圖案層40A包括導(dǎo)電部41A及絕緣部42A。該導(dǎo)電圖案層40A作為一層形成， 在箭頭D5方向側(cè)具有大致平坦的上表面。導(dǎo)電部41A及絕緣部42A面向該箭頭D5方向側(cè) 的上表面。導(dǎo)電部41A包括第一部位411A及第二部位412A。該導(dǎo)電部41A的箭頭方向D5、 D6的上下表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40A的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，導(dǎo)電部41A 在箭頭方向D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40A而構(gòu)成。第一部位411A為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。該第一部位411A的箭 頭D3方向側(cè)的一端部與發(fā)熱部51的一端部連接，該第一部位411A的箭頭D4方向側(cè)的另 一端部與驅(qū)動IC12連接。該第一部位411A經(jīng)由驅(qū)動IC12與基準(zhǔn)電位點(所謂接地)電 連接。第二部位412A與第一部位411A成對，為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。 該第二部位412A在端部與多個發(fā)熱部51的另一端部及未圖示的電源電連接。在本實施方式中，第一部位41IA之間及第二部位412A之間的箭頭方向Dl、D2的 間隔距離巧以從D5方向朝向箭頭D6方向逐漸變短的方式構(gòu)成。另外，第一部位411A和 與該第一部位41IA成對的第二部位412A的箭頭Dl方向的間隔W2以從箭頭D5方向朝向 箭頭D6方向變短的方式構(gòu)成。絕緣部42A形成包圍第一部位411A及第二部位412A，并且成為與該第一部位 411A及第二部位412A的側(cè)面相接的狀態(tài)。另外，該絕緣部42A的箭頭方向D5、D6的上下 表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40A的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，絕緣部42A在箭頭 方向D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40A而構(gòu)成。在本實施方式中，位于第一部位41IA和與該第一部位41IA成對的第二部位412A 之間的絕緣部42A的一部分區(qū)域42Aa的箭頭方向D5、D6的厚度T1以從箭頭方向D3、D4的 中央朝向兩方向逐漸變薄的方式構(gòu)成。另外，該絕緣部42A以位于第一部位411A和與該第 一部位41IA成對的第二部位412A之間的一部分區(qū)域42Aa的箭頭方向D5、D6的厚度T2從 箭頭方向D1、D2的中央朝向兩端逐漸變薄的方式構(gòu)成。在熱敏頭IOA中，由于絕緣部42A的一部分區(qū)域42Aa的厚度T1從該一部分區(qū)域 42Aa的中央朝向?qū)щ姴?IA側(cè)逐漸變薄，所以能夠降低一部分區(qū)域42Aa與導(dǎo)電部4IA的臺 階差。因此，在熱敏頭IOA中，能夠減少起因于一部分區(qū)域42Aa與導(dǎo)電部41A的臺階差而 產(chǎn)生電阻層50的電阻值的不均。所以，在熱敏頭IOA中，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱量 的不均，進(jìn)而形成良好的圖像。在熱敏頭IOA中，由于導(dǎo)電部41A的導(dǎo)熱系數(shù)比絕緣部42A的導(dǎo)熱系數(shù)高，且絕緣 部13的部位132b的第一部位41IA與第二部位412A的間隔W2從D5方向朝向箭頭D6方
9向逐漸變短，所以能夠使蓄熱性及放熱性并立，形成良好的圖像。在熱敏頭IOA中，由于導(dǎo)電部41A的導(dǎo)熱系數(shù)比絕緣部42A的導(dǎo)熱系數(shù)高，且多個 第一部位411a之間的間隔距離W1從05方向朝向箭頭D6方向逐漸變短，所以能夠減少例 如在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱經(jīng)由導(dǎo)電部41A傳送于由壓紙滾軸一邊按壓一邊輸送的記錄媒體， 并且能夠使該熱良好地傳送于基板20。以下，參照圖8，對本發(fā)明的第二實施方式涉及的熱敏頭IOA的制造方法進(jìn)行說 明。熱敏頭IOA的制造方法在代替導(dǎo)電圖案層形成工序而采用第二導(dǎo)電圖案層形成工序方 面與熱敏頭10的制造方法不同。關(guān)于熱敏頭IOA的其他工序，與上述關(guān)于熱敏頭10的制 造方法相同。<第二導(dǎo)電圖案層形成工序>如圖9(a)及(b)所示，在基板20上形成導(dǎo)電圖案層40A。具體而言，首先，使用光 刻等微細(xì)加工技術(shù)在導(dǎo)電膜40Ax上形成掩模。其次，以位于形成絕緣部42A的區(qū)域上的導(dǎo) 電膜40Ax的一部分露出的方式進(jìn)行加工。其次，將該露出的導(dǎo)電膜40Ax的一部分進(jìn)行陽 極氧化，形成氧化層42Ax。其次，除去導(dǎo)電膜40Ax上的掩模。其次，使用光刻等微細(xì)加工 技術(shù)在導(dǎo)電膜40Ax及氧化層42Ax上形成掩模。其次，使位于形成絕緣部42A的區(qū)域上的 氧化層40Ax的一部分露出。其次，經(jīng)由該露出的氧化層42Ax將導(dǎo)電膜40Ax進(jìn)一步陽極氧 化，形成絕緣部42A。由此，未陽極氧化而殘留的導(dǎo)電膜40Ax能夠形成作為導(dǎo)電部41A而發(fā) 揮作用的導(dǎo)電圖案層40A。通過采用上述那樣的第二導(dǎo)電圖案形成工序，能夠制造本實施方式的熱敏頭10A。<記錄頭的第三實施方式>圖10所示的本發(fā)明的記錄頭的第三實施方式涉及的熱敏頭IOB在代替基體11而 包括基體IlB方面與熱敏頭10不同。關(guān)于熱敏頭IOB的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于熱敏頭10 的部分相同。圖11所示的基體IlB在代替導(dǎo)電圖案層40而包括導(dǎo)電圖案層40B的方面與基體 11不同。關(guān)于基體IlB的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于基體11的部分相同。導(dǎo)電圖案層40B包括導(dǎo)電部41B及絕緣部42B。該導(dǎo)電圖案層40B作為一層形成， 在箭頭D5方向側(cè)具有大致平坦的上表面。導(dǎo)電部41B及絕緣部42B面向該箭頭D5方向側(cè) 的上表面。導(dǎo)電部41B包括第一部位411B及第二部位412B。該導(dǎo)電部41B的箭頭方向D5、 D6的上下表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40B的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。S卩，導(dǎo)電部41B 在箭頭方向D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40B而構(gòu)成。第一部位411B為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。該第一部位411B的箭 頭D3方向側(cè)的一端部與發(fā)熱部51的一端部連接，該第一部位411B的箭頭D4方向側(cè)的另 一端部與驅(qū)動IC12連接。該第一部位411B經(jīng)由驅(qū)動IC12與基準(zhǔn)電位點(所謂接地)電 連接。本實施方式的第一部位411B包括第一連接區(qū)域411Ba和第一狹窄區(qū)域411Bb。第一連接區(qū)域411Ba位于與發(fā)熱部51的一端部連接的第一部位411B的箭頭D3方 向側(cè)的端部。該第一連接區(qū)域411Ba構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方向D1、D2的寬度Wlla與發(fā)熱 部51的沿箭頭方向D1、D2的寬度W51大致相同。在此，“俯視”是指向箭頭D6方向視。另外，“大致相同”是指各部位的值相對于平均值為士 10%以下。該“平均值”是指最大值和 最少值的算術(shù)平均值。第一狹窄區(qū)域411Bb位于第一連接區(qū)域411Ba的箭頭D3方向側(cè)。另外，第一狹窄 區(qū)域411Bb與第一連接區(qū)域411Ba的箭頭D4方向側(cè)的端部相接。該第一狹窄區(qū)域411Bb 構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方向D1、D2的寬度Wllb比第一連接區(qū)域411Ba的寬度Wlla窄。另外， 該第一狹窄區(qū)域411Bb構(gòu)成為沿箭頭方向D5、D6的厚度與第一連接區(qū)域411Ba的沿箭頭方 向D5、D6的厚度大致相同。第二部位412B為與第一部位411B成對且有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。 該第二部位412B包括第二連接區(qū)域412Ba ；第二狹窄區(qū)域412Bb ；及共通連接區(qū)域412Bc。第二連接區(qū)域412Ba位于與發(fā)熱部51的另一端部連接的第二部位412B的箭頭D4 方向側(cè)的端部。該第二連接區(qū)域412Ba構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方向D1、D2的寬度W12a與發(fā) 熱部51的沿箭頭方向Dl、D2的寬度W51大致相同。第二狹窄區(qū)域412Bb位于第二連接區(qū)域412Ba的箭頭D4方向側(cè)。另外，第二狹窄 區(qū)域412Bb與第二連接區(qū)域412Ba相接。該第二狹窄區(qū)域412Bb構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方 向D1、D2的寬度W12b比第二連接區(qū)域412Ba的寬度W12a窄。該第二狹窄區(qū)域412Bb的寬度 W12a構(gòu)成為比第一狹窄區(qū)域411Bb的Wlla寬。另外，該第二狹窄區(qū)域412Bb構(gòu)成為沿箭頭方 向D5、D6的厚度與第二連接區(qū)域412Ba的沿箭頭方向D5、D6的厚度大致相同。進(jìn)而，該第 二狹窄區(qū)域412Bb構(gòu)成為沿箭頭方向D3、D4的長度L12b比第一狹窄區(qū)域411Bb的沿箭頭方 向D3、D4的長度Lllb長。共通連接區(qū)域412Bc與多個第二狹窄區(qū)域412Bb及未圖示的電源電連接。絕緣部42B形成包圍第一部位411B及第二部位412B，并且成為與第一部位411B 及第二部位412B的側(cè)面相接的狀態(tài)。另外，該絕緣部42B的箭頭方向D5、D6的上下表面構(gòu) 成導(dǎo)電圖案層40B的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，絕緣部42B在箭頭方向D5、 D6穿過導(dǎo)電圖案層40B而構(gòu)成。熱敏頭IOB包括第一連接區(qū)域411Ba和第一狹窄區(qū)域411Bb，其中，在第一連接區(qū) 域411Ba中，第一部位411B與發(fā)熱部51連接，第一狹窄區(qū)域411Bb的沿箭頭方向D1、D2的 寬度Wllb比第一連接區(qū)域411Ba的沿箭頭方向Dl、D2的寬度Wlla窄。因此，在熱敏頭IOB 中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由第一狹窄區(qū)域411Bb傳送，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn)生的 熱經(jīng)由第一狹窄區(qū)域411Bb放熱。所以，在熱敏頭IOB中，能夠有效地利用在發(fā)熱部51產(chǎn) 生的熱。另外，熱敏頭IOB包括第二連接區(qū)域412Ba和第一狹窄區(qū)域412Bb，其中，在第二連 接區(qū)域412Ba中，第二部位412B與發(fā)熱部51連接，第一狹窄區(qū)域412Bb的沿箭頭方向D1、 D2的寬度W12b比第二連接區(qū)域411Ba的沿箭頭方向Dl、D2的寬度W12a窄。因此，在熱敏頭 IOB中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由第二狹窄區(qū)域411Bb傳送，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn) 生的熱經(jīng)由第二狹窄區(qū)域411Bb放熱。所以，在熱敏頭IOB中，能夠有效地利用在發(fā)熱部51 產(chǎn)生的熱。以下，參照圖11，對本發(fā)明的第三實施方式涉及的熱敏頭IOB的制造方法進(jìn)行說 明。熱敏頭IOB的制造方法在代替導(dǎo)電圖案層形成工序而采用第三導(dǎo)電圖案層形成工序方 面與熱敏頭10的制造方法不同。關(guān)于熱敏頭IOB的制造方法的其他工序，與上述關(guān)于熱敏頭10的制造方法相同。<第三導(dǎo)電圖案層形成工序>如圖13所示，在基板20上形成導(dǎo)電圖案層40B。具體而言，首先，使用光刻等微細(xì) 加工技術(shù)在導(dǎo)電膜40Bx上形成掩模。其次，以位于形成絕緣部42B的區(qū)域上的導(dǎo)電膜40Bx 的一部分露出的方式進(jìn)行加工。此時，以成為第一狹窄區(qū)域411Bb及第二狹窄區(qū)域412Bb 的區(qū)域的沿箭頭方向D1、D2的寬度比成為第一連接區(qū)域411Ba及第二連接區(qū)域412Ba的區(qū) 域的沿箭頭方向D1、D2的寬度窄的方式形成掩模。其次，將該露出的導(dǎo)電膜40Bx的一部分 進(jìn)行陽極氧化，形成絕緣部42B。由此，未陽極氧化而殘留的導(dǎo)電膜40Bx能夠形成作為導(dǎo)電 部41B而發(fā)揮作用的導(dǎo)電圖案層40B。通過采用上述那樣的第三導(dǎo)電圖案形成工序，能夠制造本實施方式的熱敏頭10B。<記錄頭的第四實施方式>圖14所示的本發(fā)明的記錄頭的第四實施方式涉及的熱敏頭IOC在代替基體IlB 而包括基體IlC方面與熱敏頭IOB不同。關(guān)于熱敏頭IOC的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于熱敏頭 IOB的部分相同。圖15所示的基體IlC在代替導(dǎo)電圖案層40B而包括導(dǎo)電圖案層40C的方面與基 體IlB不同。關(guān)于基體IlC的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于基體IlB的部分相同。導(dǎo)電圖案層40C包括導(dǎo)電部41C及絕緣部42C。該導(dǎo)電圖案層40C作為一層形成， 在箭頭D5方向側(cè)具有大致平坦的上表面。導(dǎo)電部41C及絕緣部42C面向該箭頭D5方向側(cè) 的上表面。導(dǎo)電部41C包括第一部位41IC及第二部位412C。第一部位411C在代替第一狹窄區(qū)域411Bb而包括第一狹窄區(qū)域411Cb的方面與 第一部位411B不同。關(guān)于第一部位411C的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于第一部位411B的部分相 同。第一狹窄區(qū)域41 ICb位于第一連接區(qū)域41 IBa的箭頭D3方向側(cè)。另外，第一狹窄 區(qū)域411Cb與第一連接區(qū)域411Ba相接。該第一狹窄區(qū)域411Cb構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方 向D1、D2的寬度Wllb比第一連接區(qū)域411Ca的寬度Wlla窄。另外，該第一狹窄區(qū)域411Cb構(gòu) 成為沿箭頭方向D5、D6的厚度Tllb比第一連接區(qū)域411Ba的沿箭頭方向D5、D6的厚度Tlla 薄。第二部位412C在代替第二狹窄區(qū)域411Bb而包括第一狹窄區(qū)域411Cb的方面與 第二部位412B不同。關(guān)于第一部位411C的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于第二部位412B的部分相 同。第二狹窄區(qū)域412Cb位于第二連接區(qū)域412Ba的箭頭D4方向側(cè)。另外，第二狹窄 區(qū)域412Cb與第二連接區(qū)域412Ba相接。該第二狹窄區(qū)域412Cb構(gòu)成為在俯視下沿箭頭方 向D1、D2的寬度W12b比第二連接區(qū)域412Ca的寬度W12a窄。該第二狹窄區(qū)域412Cb的寬度 W12a構(gòu)成為比第一狹窄區(qū)域411Cb的寬度Wlla寬。另外，該第二狹窄區(qū)域412Cb構(gòu)成為沿箭 頭方向D5、D6的厚度T12b比第二連接區(qū)域412Ba的沿箭頭方向D5、D6的厚度T12a薄。絕緣部42C形成包圍第一部位411C及第二部位412C，并且成為與第一部位411C 及第二部位412C的側(cè)面相接的狀態(tài)。該絕緣部42C以覆蓋第一狹窄區(qū)域411Cb及第二狹 窄區(qū)域412Cb的上表面的方式構(gòu)成。另外，該絕緣部42C的一部分的箭頭方向D5、D6的上
12下表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40C的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，絕緣部42C在箭 頭方向D5、D6穿過導(dǎo)電圖案層40C而構(gòu)成。熱敏頭IOC包括第一連接區(qū)域41 IBa和第一狹窄區(qū)域41 lBb，其中，在第一連接區(qū) 域411Ba中，第一部位411B與發(fā)熱部51連接，另外，第一狹窄區(qū)域411Bb的沿箭頭方向D5、 D6的厚度Tllb比第一連接區(qū)域411Ba的沿箭頭方向D5、D6的厚度Tlla薄。因此，在熱敏頭 IOC中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由第一狹窄區(qū)域411Cb傳送，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn) 生的熱經(jīng)由第一狹窄區(qū)域411Cb放熱。所以，在熱敏頭IOC中，能夠有效地利用在發(fā)熱部51 產(chǎn)生的熱。另外，熱敏頭IOC包括第二連接區(qū)域412Ba和第二狹窄區(qū)域412Bb，其中，在第二連 接區(qū)域412Ba中，第二部位412B與發(fā)熱部51連接，另外，第二狹窄區(qū)域412Bb的沿箭頭方 向D5、D6的厚度T12b比第一連接區(qū)域41 IBa的沿箭頭方向D5、D6的厚度T12a薄。因此，在 熱敏頭IOC中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由第二狹窄區(qū)域411Cb傳送，能夠減少在發(fā)熱 部51產(chǎn)生的熱經(jīng)由第二狹窄區(qū)域411Cb放熱。所以，在熱敏頭IOC中，能夠有效地利用在 發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱。在熱敏頭IOC中，絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第一狹窄區(qū)域411Cb的上表面。因此，在 熱敏頭IOC中，例如即使在以壓紙滾軸等將按壓力作用于發(fā)熱部51附近的情況下，也能夠 通過絕緣部42C良好地保護(hù)比第一連接區(qū)域411Ba的厚度薄的第一狹窄區(qū)域41 lCb。另外，在熱敏頭IOC中，由于絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第一狹窄區(qū)域411Cb的上表 面，所以能夠減少從第一部位411C向箭頭D5方向傳送熱。進(jìn)而，在熱敏頭IOC中，由于絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第一狹窄區(qū)域411Cb的上表 面，所以能夠提高第一狹窄區(qū)域411Cb的電氣可靠性。在熱敏頭IOC中，絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第二狹窄區(qū)域412Cb的上表面，因此，在 熱敏頭IOC中，例如即使在以壓紙滾軸等將按壓力作用于發(fā)熱部51附近的情況下，也能夠 通過絕緣部42C良好地保護(hù)比第一連接區(qū)域411Ba的厚度薄的第二狹窄區(qū)域412Cb。另外，在熱敏頭IOC中，由于絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第二狹窄區(qū)域412Cb的上表 面，所以能夠減少從第二部位412C向箭頭D5方向傳送熱。進(jìn)而，在熱敏頭IOC中，由于絕緣部42C構(gòu)成為覆蓋第二狹窄區(qū)域412Cb的上表 面，所以能夠提高第二狹窄區(qū)域412Cb的電氣可靠性。以下，參照圖11，對本發(fā)明的第三實施方式涉及的熱敏頭IOC的制造方法進(jìn)行說 明。熱敏頭IOC的制造方法在代替導(dǎo)電圖案層形成工序而采用第四導(dǎo)電圖案層形成工序方 面與熱敏頭10的制造方法不同。關(guān)于熱敏頭IOC的制造方法的其他工序，與上述關(guān)于熱敏 頭10的制造方法相同。<第四導(dǎo)電圖案層形成工序>如圖17(a)及(b)所示，在基板20上形成導(dǎo)電圖案層40C。具體而言，首先，使用 光刻等微細(xì)加工技術(shù)在導(dǎo)電膜40Cx上形成掩模。其次，以位于形成絕緣部42C的區(qū)域上的 導(dǎo)電膜40Cx的一部分露出的方式進(jìn)行加工。此時，以成為第一狹窄區(qū)域411Cb及第二狹窄 區(qū)域412Cb的區(qū)域的沿箭頭方向Dl、D2的寬度比成為第一連接區(qū)域411Ba及第二連接區(qū) 域412Ba的區(qū)域的沿箭頭方向Dl、D2的寬度窄的方式形成掩模。其次，將該露出的導(dǎo)電膜 40Cx的一部分進(jìn)行陽極氧化，形成氧化層42Cx。其次，除去導(dǎo)電膜40Cx上的掩模。其次，
13使用光刻等微細(xì)加工技術(shù)在導(dǎo)電膜40Cx及氧化層42Cx上形成掩模。其次，使位于形成絕 緣部42C區(qū)域上的氧化層42Cx的一部分露出。此時，使成為第一狹窄區(qū)域411Cb及第二狹 窄區(qū)域412Cb的區(qū)域露出。其次，經(jīng)由該露出的氧化層40Cx進(jìn)一步將導(dǎo)電膜40Cx進(jìn)行陽 極氧化，形成絕緣部42C。由此，未陽極氧化而殘留的導(dǎo)電膜40Cx能夠形成作為導(dǎo)電部41C 而發(fā)揮作用的導(dǎo)電圖案層40C。通過采用上述那樣的第四導(dǎo)電圖案形成工序，能夠制造本實施方式的熱敏頭10C?！从涗涱^的第五實施方式〉圖18所示的本發(fā)明的記錄頭的第五實施方式涉及的熱敏頭IOD在代替基體11而 包括基體IlD方面與熱敏頭10不同。關(guān)于熱敏頭IOD的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于熱敏頭10 的部分相同。圖19所示的基體IlD在代替導(dǎo)電圖案層40而包括導(dǎo)電圖案層40D的方面與基體 11不同。關(guān)于基體IlD的其他結(jié)構(gòu)，與上述關(guān)于基體11的部分相同。導(dǎo)電圖案層40D包括導(dǎo)電部41D及絕緣部42D。該導(dǎo)電圖案層40D作為一層形成， 在箭頭D5方向側(cè)具有大致平坦的上表面。導(dǎo)電部41D及絕緣部42D面向該箭頭D5方向側(cè) 的上表面。導(dǎo)電部41D包括第一部位41ID及第二部位412D。第一部位411D為有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。該第一部位411D的箭 頭D4方向側(cè)的一端部與發(fā)熱部51的一端部連接，該第一部位411D的箭頭D3方向側(cè)的另 一端部與驅(qū)動IC12連接。該第一部位411D經(jīng)由驅(qū)動IC12與基準(zhǔn)電位點(所謂接地)電 連接。本實施方式的第一部位411D包括第一連接區(qū)域411Da和第一布線區(qū)域411Dc。第一連接區(qū)域411Da位于與發(fā)熱部51的一端部連接的第一部位411C的箭頭D3 方向側(cè)的端部。該第一連接區(qū)域411Da形成為在箭頭D6方向側(cè)的下表面與絕緣部42D相 接的狀態(tài)。第一布線區(qū)域411Dc位于第一連接區(qū)域411Ba的箭頭D3方向側(cè)，且與第一連接區(qū) 域411Ba的箭頭D4方向側(cè)的端部相接。該第一布線區(qū)域411Dc的箭頭方向D5、D6的上下 表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40D的上下表面。即，該第一布線區(qū)域411Dc在箭頭方向D5、D6穿過 導(dǎo)電圖案層40D而構(gòu)成。另外，該第一布線區(qū)域411Dc構(gòu)成為沿箭頭方向D5、D6的厚度Tnc 比第一連接區(qū)域411Ca的沿箭頭方向D5、D6的厚度Tlla厚。第二部位412D為與第一部位411D成對且有助于對發(fā)熱部51的電力供給的部位。本實施方式的第二部位412D包括第二連接區(qū)域412Da ；第二布線區(qū)域412Db ；及 共通連接區(qū)域413Cc。第二連接區(qū)域411Da位于與發(fā)熱部51的一端部連接的第二部位412D的箭頭D4 方向側(cè)的端部。該第二連接區(qū)域411Da形成為在箭頭D6方向側(cè)的下表面與絕緣部42D相 接的狀態(tài)。另外，該第二連接區(qū)域412Da構(gòu)成為沿箭頭方向D5、D6的厚度T12a比第一連接 區(qū)域411Da的厚度Tlla厚。第二布線區(qū)域412Dd位于第二連接區(qū)域412Ba的箭頭D4方向側(cè)，且與第二連接區(qū) 域412Ba的箭頭D4方向側(cè)的端部相接。該第二布線區(qū)域412Dd的箭頭方向D5、D6的上下 表面構(gòu)成導(dǎo)電圖案層40D的上下表面。即，該第二布線區(qū)域411Dd在箭頭方向D5、D6穿過
14導(dǎo)電圖案層40D而構(gòu)成。另外，該第二布線區(qū)域412Dd構(gòu)成為沿箭頭方向D5、D6的厚度T12d 比第二連接區(qū)域412Ca的沿箭頭方向D5、D6的厚度T12a厚。該第二布線區(qū)域412Dd的厚度 T12d構(gòu)成為與第一布線區(qū)域411Dc的厚度Tn。大致相同。共通連接區(qū)域413Dc與多個第二布線區(qū)域412Dd及未圖示的電源電連接。絕緣部42D形成包圍第一部位411D及第二部位412D，并且成為與第一部位411D 及第二部位412D的側(cè)面相接的狀態(tài)。另外，該絕緣部42D的箭頭方向D5、D6的上下表面構(gòu) 成導(dǎo)電圖案層40D的箭頭方向D5、D6的上下表面的一部分。即，絕緣部42D在箭頭方向D5、 D6穿過導(dǎo)電圖案層40D而構(gòu)成。本實施方式的絕緣部42D的一部分42Dd與第一連接區(qū)域411Da及第二連接區(qū)域 412Da的箭頭D6方向側(cè)的下表面相接。熱敏頭IOD包括第一部位411D與發(fā)熱部51連接的第一連接區(qū)域411Da及與第一 連接區(qū)域41 IDa連接的第一布線區(qū)域41 lDd，且第一連接區(qū)域41 IDa的厚度Tlla構(gòu)成為比第 一布線區(qū)域411Dd的厚度Tlle薄。因此，在熱敏頭IOD中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由 第一連接區(qū)域411Da傳送，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱經(jīng)由第一連接區(qū)域411Da放熱。熱敏頭IOD包括第二部位412D與發(fā)熱部51連接的第二連接區(qū)域412Da及與第二 連接區(qū)域412Da連接的第二布線區(qū)域412Dd，且第二連接區(qū)域412Da的厚度T12a構(gòu)成為比第 二布線區(qū)域412Dd的厚度T12d薄。因此，在熱敏頭IOD中，在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱不易經(jīng)由 第二連接區(qū)域412Da傳送，能夠減少在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱經(jīng)由第二連接區(qū)域412Da放熱。在熱敏頭IOD中，由于絕緣部42D與第一連接區(qū)域411Da的下表面相接，所以能夠 減少熱從第一部位411D向箭頭D6方向傳送。另外，在熱敏頭IOD中，由于絕緣部42D與第二連接區(qū)域412Da的下表面相接，所 以能夠減少熱從第二部位412D向箭頭D6方向傳送。以下，參照圖20，對本發(fā)明的第五實施方式涉及的熱敏頭IOD的制造方法進(jìn)行說 明。熱敏頭IOD的制造方法在代替導(dǎo)電膜形成工序及導(dǎo)電圖案層形成工序而采用第五導(dǎo)電 圖案層形成工序方面與熱敏頭10的制造方法不同。關(guān)于熱敏頭IOD的制造方法的其他工 序，與上述關(guān)于熱敏頭10的制造方法相同。<第五導(dǎo)電圖案層形成工序>如圖20所示，在基板20上形成導(dǎo)電圖案層40D。具體而言，首先，使用濺射及蒸鍍 等成膜技術(shù)，在基板20上將大致平坦?fàn)畹匿X膜成膜，形成第一導(dǎo)電膜40Dax。其次，使用光 刻等微細(xì)加工技術(shù)在第一導(dǎo)電膜40Dax上形成掩模。其次，以位于形成絕緣部42D的區(qū)域 上的第一導(dǎo)電膜40Dax的一部分露出的方式進(jìn)行加工。此時，以形成位于成為第一連接區(qū) 域41 IDa及第二連接區(qū)域412Da的區(qū)域的箭頭D6方向側(cè)的絕緣部42D的一部分42Db的區(qū) 域從該掩模露出的方式進(jìn)行加工。其次，將該露出的第一導(dǎo)電膜40Dax的一部分進(jìn)行陽極 氧化，形成氧化層42Dax的一部分。其次，除去第一導(dǎo)電膜40Dax上的掩模。由此，未陽極 氧化而殘留的導(dǎo)電膜40Dax能夠形成作為導(dǎo)電部41Dax的一部分而發(fā)揮作用的層。其次， 使用濺射及蒸鍍等成膜技術(shù)，通過在第一導(dǎo)電膜40Dax上將大致平坦?fàn)畹匿X膜成膜，形成 第二導(dǎo)電膜40Dbx。其次，使用光刻等微細(xì)加工技術(shù)在第二導(dǎo)電膜40Dbx上形成掩模。其 次，以位于形成絕緣部42D的區(qū)域上的第二導(dǎo)電膜40Dbx的一部分露出的方式進(jìn)行加工。其 次，將該露出的第二導(dǎo)電膜40Dbx的一部分進(jìn)行陽極氧化，形成氧化層42Dx的一部分。其次，除去第二導(dǎo)電膜40Dbx上的掩模。由此，未陽極氧化而殘留的第二導(dǎo)電膜40Dbx能夠形 成作為導(dǎo)電部41D的一部分41Dbx而發(fā)揮作用的層。所以，未陽極氧化而殘留的第一導(dǎo)電 膜40Dax及第二導(dǎo)電膜40Dbx能夠形成作為導(dǎo)電部41D而發(fā)揮作用的導(dǎo)電圖案層40D。通過采用上述那樣的第五導(dǎo)電圖案形成工序，能夠制造本實施方式的熱敏頭10D?！从涗浹b置〉圖21所示的本發(fā)明的記錄裝置的實施方式涉及的熱敏打印機(jī)1具備熱敏頭10 ； 輸送機(jī)構(gòu)70 ；及驅(qū)動機(jī)構(gòu)80。該熱敏打印機(jī)1為對向箭頭Dl方向輸送的記錄媒體90進(jìn) 行打印的裝置。在此，作為記錄媒體90，例如使用通過加熱而表面的濃淡變動的感熱紙或 熱膜、以及通過使由熱傳導(dǎo)熔融的墨液成分復(fù)制而形成圖像的墨膜及轉(zhuǎn)印紙。需要說明的 是，在本實施方式中，采用熱敏頭10進(jìn)行說明，但也可以采用熱敏頭10A、熱敏頭10B、熱敏 頭10C、及熱敏頭10D。輸送機(jī)構(gòu)70具有一邊將記錄媒體90向箭頭D3方向輸送，一邊使記錄媒體90與 位于熱敏頭10的發(fā)熱部上的保護(hù)層60接觸的功能。該輸送機(jī)構(gòu)70包括壓紙滾軸71、及輸 送滾筒 72、73、74、75。壓紙滾軸71為具有一邊使記錄媒體90對位于發(fā)熱部51上的保護(hù)層進(jìn)行按壓一 邊使其滑動的功能的部件。該壓紙滾軸71在對位于發(fā)熱部51上的保護(hù)層60進(jìn)行接觸的 狀態(tài)被能夠旋轉(zhuǎn)地支承。另外，該壓紙滾軸71具有以彈性部件覆蓋圓柱狀的基體的外表面 的結(jié)構(gòu)。輸送滾筒72、73、74、75為具有將記錄媒體90沿規(guī)定路徑輸送的功能的部件。既， 輸送滾筒72、73、74、75為具有向熱敏頭10的發(fā)熱部51與壓紙滾軸71之間供給記錄媒體， 并且從熱敏頭10的發(fā)熱部51與壓紙滾軸71之間將記錄媒體90抽出的功能的部件。這些 輸送滾筒72、73、74、75可以由金屬制的圓柱狀部件形成，也可以為與壓紙滾軸71同樣地以 彈性部件覆蓋圓柱狀的基體的外表面的結(jié)構(gòu)。為了選擇性地使發(fā)熱部51發(fā)熱，驅(qū)動機(jī)構(gòu)80為輸入驅(qū)動發(fā)熱部51的電信號的機(jī) 構(gòu)。既，該驅(qū)動機(jī)構(gòu)80為經(jīng)由外部連接用部件13向驅(qū)動IC12供給圖像信息的機(jī)構(gòu)。由于熱敏打印機(jī)1具備熱敏頭10，所以能夠有效地享受熱敏頭10所具有的效果。 既，在熱敏打印機(jī)1中，能夠形成良好的圖像。以上顯示了本發(fā)明的具體的實施方式，但本發(fā)明并非限定于此，在不脫離發(fā)明要 旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更。本實施方式涉及的基體11使用于熱敏頭10，但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如可以作 為具備有孔的上壓板的噴墨頭使用。在如此的情況下，通過凹凸的減少，能夠提高墨液的流 動性。本實施方式涉及的基板20與蓄熱層30獨立構(gòu)成，但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如可 以如釉化基板那樣，基板與蓄熱層構(gòu)成一體。本實施方式涉及的絕緣部42的箭頭D5方向側(cè)的上表面形成大致平坦?fàn)?，但并?限定如此的結(jié)構(gòu)，例如也可以以絕緣部42的一部分區(qū)域42a的最大厚度大于與該一部分區(qū) 域42a相鄰的導(dǎo)電部41的厚度的方式構(gòu)成。在如此的情況下，在一邊由壓紙滾軸71按壓 記錄媒體90 —邊輸送時，能夠更加良好地傳達(dá)在發(fā)熱部51產(chǎn)生的熱。本實施方式涉及的導(dǎo)電圖案層40包括導(dǎo)電部41及絕緣部42，但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如如圖22所示，導(dǎo)電圖案層40E也可以包括導(dǎo)電部41E及絕緣部42E。該導(dǎo)電部 41E包括與驅(qū)動IC12電連接的部位42Ea、與兩個發(fā)熱部51電連接的部位41Eb、與一個發(fā)熱 部51連接且對兩個發(fā)熱部51供給電力的部位41Ec，在這些導(dǎo)電部41Ea、41Eb、41Ec之間也 可以形成絕緣部42E。另外，如圖23所示，導(dǎo)電圖案層40F也可以包括導(dǎo)電部41F及絕緣部42F。該導(dǎo) 電部41F包括與驅(qū)動IC12電連接的部位42Fa、與兩個發(fā)熱部51電連接的部位41Fb、與兩 個發(fā)熱部51連接且對四個發(fā)熱部51供給電力的部位41Fc，在這些導(dǎo)電部41Fa、41Fb、41Fc 之間也可以形成絕緣部42F。本實施方式涉及的第一部位41的箭頭D3方向側(cè)的端部沿箭頭方向Dl、D2延伸， 但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如，如圖24所示，也可以構(gòu)成為相鄰的第一部位41G的箭頭D3 方向側(cè)的端部的箭頭方向D3、D4的位置不同。在此，以第一部位41G為例進(jìn)行說明，但在第 二部位42G也可以作相同的說明。在本實施方式涉及的絕緣部42的一部分區(qū)域42a在其內(nèi)部可以具有空穴，在如此 結(jié)構(gòu)的情況下，因為由于空穴而能夠減少向基板20側(cè)的熱傳導(dǎo)，所以能夠提高在發(fā)熱部51 產(chǎn)生的熱的利用效率。在上述的變形例中，以本發(fā)明的第一實施方式涉及的熱敏頭10為主要例子進(jìn)行 了說明，但在熱敏頭10A、熱敏頭10B、熱敏頭10C、及熱敏頭IOD中能夠享受同樣的效果。本實施方式涉及的第一狹窄區(qū)域411Bb的箭頭方向D1、D2的端部沿箭頭方向D3、 D4延伸，但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如，如圖25(a)及(b)所示，也可以構(gòu)成為隨著接近發(fā)熱 部51，箭頭方向D1、D2的寬度變窄或變寬。尤其，如果構(gòu)成為隨著使第一狹窄區(qū)域的寬度 接近發(fā)熱部而變窄，則能夠更加降低經(jīng)由第一狹窄區(qū)域的放熱。另外，在此，以第一狹窄區(qū) 域為例進(jìn)行了說明，但在第二狹窄區(qū)域也能夠享受同樣的效果。本實施方式涉及的第一狹窄區(qū)域411Bb被構(gòu)成為作為具有一條導(dǎo)電路徑的導(dǎo)體， 但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如，如圖26所示，也可以包括第一導(dǎo)電路徑MlKb1及第二導(dǎo)電 路徑41 IKb2,且在該第一導(dǎo)電路徑41 IKb1及第二導(dǎo)電路徑41 IKb2之間形成絕緣部42K。本實施方式涉及的第一狹窄區(qū)域411Cb的箭頭方向D5、D6的上下表面沿箭頭方向 D3、D4延伸，但并非限定如此的結(jié)構(gòu)，例如，如圖27(a)及(b)所示，也可以構(gòu)成為隨著接近 發(fā)熱部51，箭頭方向D5、D6的寬度變厚或變薄。尤其，如果構(gòu)成為隨著使第一狹窄區(qū)域的 厚度接近發(fā)熱部而變薄，則能夠更加降低經(jīng)由第一狹窄區(qū)域的放熱。另外，在此，以第一狹 窄區(qū)域為例進(jìn)行了說明，但在第二狹窄區(qū)域也能夠享受同樣的效果。本實施方式涉及的熱敏頭IOD通過將第一導(dǎo)電膜40Dax及第二導(dǎo)電膜40Dbx的每 個分別進(jìn)行陽極氧化而制造，但并非限定如此的制造方法。例如，也可以通過以比第一導(dǎo)電 膜離子化傾向小的材料形成第二導(dǎo)電膜，且將這些層疊膜進(jìn)行一次陽極氧化而制造。需要說明的是，在將熱敏頭IOB采用于熱敏打印機(jī)的情況下，以箭頭方向D1、 D2-箭頭方向D5、D6構(gòu)成的平面方向的截面面積與第一部位411B及第二部位412B不同。 具體而言，第一狹窄區(qū)域411Bb的寬度Wllb與第二狹窄區(qū)域412Bb的寬度W12Bb不同。因此， 在采用熱敏頭IOB的熱敏打印機(jī)中，能夠?qū)⑹拱l(fā)熱部51發(fā)熱時成為溫度最高的部位(以 下，作為“熱點”)從發(fā)熱部51的中心移動，使熱點位于在傳送熱上的理想的位置。另外，熱敏頭IOB的第二部位412B的箭頭方向D1、D2_箭頭方向D5、D6構(gòu)成的平
17面方向的截面面積比第一部位411B的截面面積大。具體而言，第二狹窄區(qū)域412Bb的寬度 巧_構(gòu)成為比第一狹窄區(qū)域411Bb的寬度Wllb寬。因此，在熱敏頭IOB中，能夠使熱點位于 從發(fā)熱部51的中心靠第一部位411側(cè)。由此，在采用熱敏頭IOB的熱敏打印機(jī)中，即使在 以壓紙滾軸將例如作為記錄媒體90的墨帶及普通紙按壓至發(fā)熱部51上而復(fù)制于普通紙的 情況下，也能夠使墨液充分熔融后復(fù)制于普通紙上。 在此，以將熱敏頭IOB采用于熱敏打印機(jī)的情況為例進(jìn)行了說明。但關(guān)于上述兩 個熱點的效果并非限定采用熱敏頭IOB的情況。例如即使在將熱敏頭IOC或熱敏頭IOD采 用于熱敏打印機(jī)的情況下，也能夠得到相同的效果。
權(quán)利要求
一種記錄頭，其特征在于，包括基板；導(dǎo)電圖案層，其形成在該基板上，且包括第一導(dǎo)電部、與該第一導(dǎo)電部成對的第二導(dǎo)電部、及使所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部絕緣的絕緣部；電阻層，其形成在該導(dǎo)圖案層上，且與所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電部連接，并且在所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部之間具有發(fā)熱區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄頭，其特征在于，位于所述發(fā)熱區(qū)域下方的所述絕緣部的最大厚度比所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電 部的厚度大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的記錄頭，其特征在于，位于所述發(fā)熱區(qū)域下方的所述絕緣部的厚度從該發(fā)熱區(qū)域的中央朝向所述第一導(dǎo)電 部及所述第二導(dǎo)電部側(cè)逐漸變薄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項所述的記錄頭，其特征在于， 位于所述發(fā)熱區(qū)域下方的所述絕緣部在其內(nèi)部具有空穴。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的記錄頭，其特征在于，位于所述發(fā)熱區(qū)域下方的所述絕緣部的硬度比所述第一導(dǎo)電部及所述第二導(dǎo)電部的 硬度大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5的任一項所述的記錄頭，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部及第二導(dǎo)電部的導(dǎo)熱系數(shù)比所述絕緣部的導(dǎo)熱系數(shù)高，所述第一導(dǎo)電 部與所述第二導(dǎo)電部的間隔距離從厚度方向的上方朝向下方逐漸變短。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6的任一項所述的記錄頭，其特征在于，所述電阻層的平均厚度比所述第一導(dǎo)電部及第二導(dǎo)電部的平均厚度薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7的任一項所述的記錄頭，其特征在于，在俯視時，所述第一導(dǎo)電部及第二導(dǎo)電部的至少一方具有比所述發(fā)熱區(qū)域的寬度窄的 狹窄區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8的任一項所述的記錄頭，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部及第二導(dǎo)電部的至少一方具有比其他區(qū)域厚度薄的薄層區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9的任一項所述的記錄頭，其特征在于， 設(shè)置多個所述第一導(dǎo)電部，所述絕緣部的一部分延伸于多個所述第一導(dǎo)電部之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的記錄頭，其特征在于，所述絕緣部的一部分延伸于所述第一導(dǎo)電部的厚度方向的上表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的記錄頭，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電部被所述基板、所述絕緣部、及所述電阻層包圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求10 12的任一項所述的記錄頭，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電部的導(dǎo)熱系數(shù)比所述絕緣部的導(dǎo)熱系數(shù)高，所述多個第一導(dǎo)電部中的一個第一導(dǎo)電部和與該一個第一導(dǎo)電部相鄰的其他第一導(dǎo) 電部的間隔距離從厚度方向的上方朝向下方逐漸變短。
14.根據(jù)權(quán)利要求10 13的任一項所述的記錄頭，其特征在于，所述第二導(dǎo)電部與多個所述發(fā)熱區(qū)域連接，并且其熱容量比多個所述第一導(dǎo)電部小。
15. 一種記錄裝置，其特征在于，具備 權(quán)利要求1 14的任一項所述的記錄頭； 向該記錄頭的所述發(fā)熱區(qū)域上輸送記錄媒體的輸送機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠形成良好的圖像的記錄頭及一種具備該記錄頭的記錄裝置。本發(fā)明涉及的熱敏頭(10)具有基板(20)；導(dǎo)電圖案層(40)；及電阻層(50)。其中，所述導(dǎo)電圖案層(40)形成在基板(20)上，且包括第一部位(411)、與該第一部位成對的第二部位(412)、及使第一部位(411)與第二部位(412)絕緣的絕緣部(42)。所述電阻層(50)形成在導(dǎo)電圖案層(40)上，且與第一部位(411)及第二部位(412)電連接。
文檔編號B41J2/345GK101932452SQ200880125989
公開日2010年12月29日 申請日期2008年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者中川秀信, 元洋一, 橋本直 申請人:京瓷株式會社